JPH11186329A - Manufacture of semiconductor device, semiconductor device, and manufacture of solder ball - Google Patents

Manufacture of semiconductor device, semiconductor device, and manufacture of solder ball

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JPH11186329A
JPH11186329A JP35311397A JP35311397A JPH11186329A JP H11186329 A JPH11186329 A JP H11186329A JP 35311397 A JP35311397 A JP 35311397A JP 35311397 A JP35311397 A JP 35311397A JP H11186329 A JPH11186329 A JP H11186329A
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JP
Japan
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solder
semiconductor device
heating
manufacturing
solder balls
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Application number
JP35311397A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Osamu Omori
治 大森
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH11186329A publication Critical patent/JPH11186329A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3478Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make uniform the heat applied to a solder ball, prevent warpage of a semiconductor device, and improve reliability by almost horizontally arranging semicircular holes to arrange solder balls for terminals which are supplied from above in an array type, and heating the solder balls by a heating plate. SOLUTION: A heating plate 20 having semicircular holes 21, a runner 22 built in the heating plate 20, and gathering vessel 23 gathering solder balls 10 through the runner 22 are installed. Solder balls 10 which drop by the effect of self-weight enter the semicircular holes 21 on the heating plate 20. Excess solder balls which have not entered the semicircular holes 21 drop in the runner 22 by the X-Y sliding operation of the heating plate 20, and roll into the gathering vessel 23. When all the semicircular holes are filled with solder holes 10, heating is performed by using the heating plat 20. The heating temperature is controlled so as to be 1-5 deg.C/sec at the solder ball 10 surface.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、BGA,CSP,
ベアチップの実装など半田ボールを端子としてバンプを
形成する半導体装置及び半導体装置の製造方法、また半
田ボール自体の製造方法に関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a BGA, a CSP,
The present invention relates to a semiconductor device for forming bumps using solder balls as terminals, such as mounting of a bare chip, a method for manufacturing a semiconductor device, and a method for manufacturing a solder ball itself.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、例えばBGAの製造方法としては
基板13にICチップ11をダイボンディングし、金線
12などにより結線した後トランスファーモールドある
いはポッティング等により樹脂封止14した後に基板に
端子となる半田ボール10の搭載を行う。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of manufacturing a BGA, for example, an IC chip 11 is die-bonded to a substrate 13, connected by a gold wire 12 or the like, and then resin-sealed 14 by transfer molding or potting or the like, and then becomes a terminal on the substrate. The solder balls 10 are mounted.

【0003】半田ボール10の搭載の方法として一般的
には基板13にフラックスを剣山のようなものでピン転
写するかもしくはボールパッドよりやや小さめに制作さ
れたマスクを用いスクリーン印刷の方式でフラックスを
塗布する。フラックスを塗布した基板13は次工程でス
トック容器内で浮遊させてある半田ボール10を配列に
合わせた吸着治具などにより吸着させ基板13に搭載す
る。その後ハロゲン、熱風あるいはNリフロー等によ
りボール表面を溶融し半田ボール10を搭載する。
[0003] As a method of mounting the solder ball 10, generally, the flux is transferred to the substrate 13 with a pin like a sword or a screen printing method using a mask made slightly smaller than a ball pad. Apply. The substrate 13 to which the flux has been applied is mounted on the substrate 13 by adsorbing the solder balls 10 floating in the stock container by an adsorbing jig or the like aligned in the next step. Thereafter halogen, melting the ball surface mounting the solder balls 10 by hot air or N 2 reflow or the like.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このような方式ではま
ずフラックス塗布において、フラックス適量のコントロ
ールが難しく、かつフェイスダウンタイプのように封止
面と半田ボール搭載面が同一の面にある場合封止面の位
置ずれや高さのばらつきによりフラックス塗布位置がず
れてしまう問題がある。またボール搭載ではボールを常
に浮遊させなければならないためボールがこすれあい亜
鉛の膜ができるためボールが溶融しにくくなる問題があ
る。さらにリフローにおいては基板に半田ボールの溶融
点以上の熱がかかるため基板の反りなどの問題が起こり
やすくまた熱ストレスにより製品の信頼性に影響を及ぼ
す。
In such a method, first, it is difficult to control an appropriate amount of flux in flux application, and when the sealing surface and the solder ball mounting surface are on the same surface as in a face-down type, sealing is performed. There is a problem that the flux application position shifts due to the surface shift and the variation in height. In addition, when the ball is mounted, the ball must be always floated, so that the ball rubs and a zinc film is formed. Further, in the reflow, since heat is applied to the substrate at a temperature higher than the melting point of the solder ball, problems such as warpage of the substrate are likely to occur, and the reliability of the product is affected by thermal stress.

【0005】本発明は、フラックスをローラーで均一な
厚みにコントロールでき、かつゴム版に再度転写した後
に基板へ塗布する為、適量のフラックス塗布が可能とな
る。またボール搭載に関しては半田クリームからの半田
ボールの製作又は半田ボールの自然落下のみで整列させ
ることが可能となるためボールのこすれが少なくなる。
According to the present invention, the flux can be controlled to a uniform thickness by a roller, and the flux is transferred to a rubber plate again and then applied to a substrate, so that an appropriate amount of flux can be applied. In addition, as for mounting the balls, the balls can be aligned only by the production of the solder balls from the solder cream or by the natural fall of the solder balls, so that the rubbing of the balls is reduced.

【0006】さらに半田ボールをプレートにより加熱す
ることにより半田ボールにかかる熱を均一にするととも
に半導体装置と半田ボールの加熱を分けることで半導体
装置自体への熱ストレスが少なくてすみ、反りの防止及
び信頼性の向上が図れることを目的としている。
Further, the heat applied to the solder ball is made uniform by heating the solder ball by the plate, and the heat of the semiconductor device itself is reduced by separating the heating of the semiconductor device and the solder ball. The purpose is to improve reliability.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく請
求項1の本発明は、略水平に配設され、上側から供給さ
れた端子用の半田ボールをアレイ状に整列させるための
半円状のホールを有し、加熱装置により加熱することの
できる加熱プレートと、前記加熱プレートに組み込みプ
レートから溢れ落ちたボールの通路となるランナーとラ
ンナーに半田ボールを落とすためのXYスライド機構と
ランナーを通り排出される半田ボールを受ける回収容器
を使用し、半田ボール搭載を行うことを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a semicircle for arranging solder balls for terminals supplied from the upper side in an array in a substantially horizontal manner. A heating plate having a hole in the shape of a hole, which can be heated by a heating device, a runner serving as a passage for a ball overflowing from the plate incorporated in the heating plate, and an XY slide mechanism and a runner for dropping solder balls into the runner. The present invention is characterized in that a solder container is mounted by using a collection container for receiving solder balls discharged through the container.

【0008】請求項1において半円状のホールに半田ボ
ールを供給する方法としては自重落下が望ましい。この
場合の加熱プレートは熱電対などを埋め込み温度を一定
にコントロールできることが望ましい。さらにプレート
全面は静電対策をとるとともにプレート表面は半田ボー
ルの表面状態を良くするとともにの密着性を落とすため
鏡面仕上げを行いチタンコーティング等の表面処理を行
うことが好ましい。また請求項1の一連の作業は半田ボ
ールの劣化を防ぐためN雰囲気中で行われることが望
ましい。
In the first aspect, the method of supplying the solder ball to the semicircular hole is preferably a method of falling by its own weight. In this case, it is desirable that the heating plate is embedded with a thermocouple or the like so that the temperature can be controlled to a constant value. Further, it is preferable to take a countermeasure against static electricity on the entire surface of the plate and to perform a mirror finish and a surface treatment such as titanium coating on the plate surface in order to improve the surface condition of the solder ball and reduce the adhesion. It is desirable that the series of operations of claim 1 be performed in an N 2 atmosphere in order to prevent deterioration of the solder balls.

【0009】また請求項2の本発明は、略水平に配設さ
れ、上側から供給された端子用の半田ボールをアレイ状
に整列させるための半円状のホールと、半田ボールを吸
着させるため前記半円状ホールより真空吸引装置につな
がる真空路を有し、加熱装置により加熱することのでき
る加熱プレートと、加熱プレート上に落ち余剰となった
半田ボールを反転させ落下させる反転機構と、落下した
半田ボールを受ける回収容器を使用し、半田ボール搭載
を行うことを特徴とする。この構造によれば上記請求項
1に基づく効果に加えて、さらに真空吸着法式を備える
ことによりさらに半田ボールの位置制度が向上し、また
余剰となった半田ボールの除去を確実に行うことができ
る。尚、この場合の真空路は個々に機能できるよう半田
ボールと同数であり個々にセンサーによりボールの有無
を検地できることが望ましい。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a semi-circular hole for arranging the solder balls for terminals supplied from the upper side in an array, and for adsorbing the solder balls. A heating plate having a vacuum path leading from the semicircular hole to the vacuum suction device and capable of being heated by the heating device, a reversing mechanism for reversing and dropping excess solder balls dropped on the heating plate, The method is characterized in that a solder container is mounted using a collection container for receiving the solder ball. According to this structure, in addition to the effect according to the first aspect, by further providing the vacuum suction method, the positional accuracy of the solder ball is further improved, and the surplus solder ball can be reliably removed. . In this case, it is desirable that the number of the vacuum paths is equal to the number of the solder balls so that the vacuum paths can function individually, and the presence or absence of the balls can be individually detected by a sensor.

【0010】また請求項1同様に半円状のホールに半田
ボールを供給する方法としては自重落下が望ましい。こ
の場合の加熱プレートは熱電対などを埋め込み温度を一
定にコントロールできることが望ましい。さらにプレー
ト全面は静電対策をとるとともにプレート表面は半田ボ
ールの表面状態を良くするとともにの密着性を落とすた
め鏡面仕上げを行いチタンコーティング等の表面処理を
行うことが好ましく、一連の作業は半田ボールの劣化を
防ぐためN雰囲気中で行われることが望ましい。ま
た、半田ボールを溶融する際に真空路への半田の流出を
防止するために真空路と半円状ホールとの間にスライド
プレートを組込み、熱をかけた時点でスライドプレーと
により真空路と半円状ホールを遮蔽する機構とすること
が望ましい。
As in the first aspect, the method of supplying the solder ball to the semicircular hole is preferably a method of falling by its own weight. In this case, it is desirable that the heating plate is embedded with a thermocouple or the like so that the temperature can be controlled to a constant value. In addition, it is preferable to take anti-static measures on the entire surface of the plate and to apply a mirror finish to the surface of the plate to improve the surface condition of the solder balls and to reduce adhesion, and to perform surface treatment such as titanium coating. Is preferably performed in an N 2 atmosphere in order to prevent the deterioration of Nb. In addition, a slide plate is incorporated between the vacuum path and the semicircular hole in order to prevent the solder from flowing out into the vacuum path when the solder balls are melted. It is desirable to have a mechanism for shielding the semicircular hole.

【0011】また請求項3の本発明は前記請求項1もし
くは請求項2の加熱プレートを使用する場合加熱しては
ならない部分にザグリを設けそのザグリ部に断熱材を貼
り熱を遮断することを特徴とする。この構造によれば半
田ボール周辺のみに熱がかかりその他の部分、特に半導
体素子など熱ストレスに弱い部分に熱がかからないため
半導体装置の信頼性が向上する。尚この場合の断熱材は
熱伝導率の低いものであればいかなるものでもよいが、
形状にあう様加工を行わなければならないため加工が容
易な材質が好ましい。また断熱材は必要最小限の大きさ
をとることが望ましい。
According to a third aspect of the present invention, when the heating plate according to the first or second aspect is used, a counterbore is provided in a portion which should not be heated, and a heat insulating material is attached to the counterbore to block heat. Features. According to this structure, heat is applied only to the periphery of the solder ball, and heat is not applied to other portions, particularly, a portion that is vulnerable to thermal stress such as a semiconductor element, so that the reliability of the semiconductor device is improved. In this case, the heat insulating material may be any material as long as it has a low thermal conductivity,
A material that can be easily processed is preferable because it must be processed to conform to the shape. It is desirable that the heat insulating material has a minimum necessary size.

【0012】また請求項4の本発明は、動力源より回転
する回転軸と、その回転軸の動力を受け回転するローラ
ーAと、フラックスの厚みを均一にする為前記ローラー
Aとの距離を可変することのできるブレードと、そのブ
レードとローラーAにより厚みをコントロールされたフ
ラックスを更に転写するローラーBを有するリザーバー
と、前記ローラーBに接触し水平に往復駆動のできるロ
ーラーCによりローラーCに転写されたフラックスを塗
布させる機構を特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, the distance between the rotating shaft that rotates from the power source, the roller A that rotates by receiving the power of the rotating shaft, and the roller A to make the thickness of the flux uniform is variable. And a reservoir having a roller B for further transferring the flux whose thickness is controlled by the blade and the roller A, and a roller C that can contact the roller B and horizontally reciprocate to be transferred to the roller C. And a mechanism for applying the flux.

【0013】この構造によればフラックスを常時練るこ
とができるため粘度が一定に保てるとともに、フラック
スの厚みコントロールが容易となる。またフラックスの
飛散も軽減でき作業性の向上が図れる。尚この場合ロー
ラーA及びブレードは摩耗を防ぐため、スチール又は超
硬などの金属材料を使用することが望ましい。またロー
ラーB及びローラーCは表面が導電性のゴムなどに覆わ
れていることが好ましい。
According to this structure, the flux can be constantly kneaded, so that the viscosity can be kept constant and the thickness of the flux can be easily controlled. Also, the scattering of the flux can be reduced, and the workability can be improved. In this case, it is desirable to use a metal material such as steel or super hard for the roller A and the blade in order to prevent abrasion. It is preferable that the surfaces of the rollers B and C are covered with conductive rubber or the like.

【0014】また請求項5の本発明は、前記請求項4に
てローラーCより突起状のゴム版にフラックスを転写さ
せゴム版の上下動作によりフラックスを塗布させる機構
を特徴とする。この構造によればゴム版による塗布とな
るため請求項4に比べ、被塗布材料との摩擦が少なくな
りフラックスの塗布位置制度が向上するとともにフラッ
クスの飛散も防止できる。また請求項4の方法では平面
状の対象物には全面塗布してしまうのに対し、請求項5
の本発明は任意のポイントに塗布することが可能とな
る。また被塗布材料へのダメージも無くなる。尚、この
場合のゴム版は導電性の材質が好ましく、強度を保持
し、位置制度を向上するため突起部はテーパー状になっ
ていることが望ましい。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a mechanism according to the fourth aspect, wherein the flux is transferred from the roller C to the protruding rubber plate and the flux is applied by moving the rubber plate up and down. According to this structure, since the coating is performed by the rubber plate, the friction with the material to be coated is reduced as compared with the fourth aspect, so that the accuracy of the application position of the flux is improved and the scattering of the flux can be prevented. In the method according to the fourth aspect, the entire surface is applied to the planar object.
The present invention can be applied to any point. Also, damage to the material to be coated is eliminated. In this case, the rubber plate is preferably made of a conductive material, and it is desirable that the projections be tapered in order to maintain strength and improve positional accuracy.

【0015】また請求項6の本発明は、半導体装置の位
置決め及びガイドをするガイドプレートとそのガイドプ
レートを加熱する加熱装置と前記ガイドプレートにより
位置決め及び加熱された半導体装置をガイドプレートの
上下動作により半田ボールに接触させることにより半田
ボール搭載を行うことを特徴とする。この構造によれ
ば、通常のリフローなどによる半田ボール搭載に比べ、
半導体装置を半田溶融点まで加熱しなくてすみ、半導体
装置に対する熱ストレスが著しく軽減する。尚請求項6
の一連の作業はN雰囲気中で行われることが望まし
い。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a guide plate for positioning and guiding a semiconductor device, a heating device for heating the guide plate, and a semiconductor device positioned and heated by the guide plate being moved up and down by the guide plate. The method is characterized in that the solder ball is mounted by making contact with the solder ball. According to this structure, compared to solder ball mounting by normal reflow,
The semiconductor device does not need to be heated to the solder melting point, and the thermal stress on the semiconductor device is significantly reduced. Claim 6
Is desirably performed in an N 2 atmosphere.

【0016】また請求項7の本発明は、前記請求項6に
おいてガイドプレートに緩衝材を組み込み、半田ボール
接触時に接触圧を均一にすることを特徴とする。この構
造によれば接触時の半田ボールへのダメージがなくなる
為、安定したボール搭載が可能となる。この場合の緩衝
材は半導体装置と半田ボール間の応力を吸収できるもの
であればいかなるものでもよく、例えばバネ等が含まれ
る。尚請求項6同様請求項7の一連の作業はN雰囲気
中で行われることが望ましい。
According to a seventh aspect of the present invention, in the sixth aspect, a cushioning material is incorporated in the guide plate to make the contact pressure uniform at the time of solder ball contact. According to this structure, there is no damage to the solder balls at the time of contact, so that stable ball mounting is possible. The cushioning material in this case may be any material as long as it can absorb the stress between the semiconductor device and the solder ball, and includes, for example, a spring. It is desirable that the series of operations in claim 7 be performed in an N 2 atmosphere as in claim 6.

【0017】請求項8の本発明は、請求項1〜7が一連
の動作で行われ製造された半導体装置であることが望ま
しい。
According to an eighth aspect of the present invention, it is preferable that the semiconductor device according to the first to seventh aspects is manufactured by performing a series of operations.

【0018】請求項9の本発明は、略水平に配設され、
アレイ状に整列させるための半円状のホールを有し、加
熱装置により加熱することのできる加熱プレートと、溶
融半田あるいは半田クリームを個々の半円状に適量流す
ディスペンサーを備えた供給装置と、供給装置内の溶融
半田あるいは半田クリームを一定の温度に保持する加温
機構と供給装置を上下左右に動作させる駆動装置と加熱
プレート上にて製造された半田ボールを収納する収納容
器と半田ボール収納後にプレートを洗浄する洗浄装置を
使用し半田ボールを製作することを特徴とする。
The present invention according to claim 9 is arranged substantially horizontally,
A heating plate that has a semicircular hole for aligning in an array, and can be heated by a heating device, and a supply device having a dispenser that flows an appropriate amount of molten solder or solder cream into individual semicircles, A heating mechanism that keeps the molten solder or solder cream in the supply device at a constant temperature, a drive device that moves the supply device up, down, left, and right, a storage container that stores the solder balls manufactured on the heating plate, and a solder ball storage The method is characterized in that a solder ball is manufactured using a cleaning device for cleaning the plate later.

【0019】この構造によればプレートにより半田を加
熱するため雰囲気中での加熱に比べ温度が安定する。ま
たホールが半田ボール形状のガイドを果たすためボール
形状が安定する。この場合の加熱プレートは熱電対など
を埋め込み温度を一定にコントロールできることが望ま
しい。また収納方法としては反転機構による落下でも良
いが、半田ボールへのダメージを軽減するため吸着によ
り半田ボールを収納容器へ収納する方法が望ましい。
According to this structure, since the solder is heated by the plate, the temperature is stabilized as compared with the heating in the atmosphere. Further, since the hole serves as a solder ball-shaped guide, the ball shape is stabilized. In this case, it is desirable that the heating plate is embedded with a thermocouple or the like so that the temperature can be controlled to a constant value. As a storing method, a fall by an inversion mechanism may be used, but a method of storing the solder balls in the storage container by suction to reduce damage to the solder balls is desirable.

【0020】また洗浄装置はプレート表面の汚染を防ぐ
ためプラズマ洗浄あるいはUV洗浄を行うことが望まし
い。尚請求項9の一連の作業は半田ボールの劣化を防ぐ
ためN雰囲気中で行われることが望ましい。
It is preferable that the cleaning apparatus performs plasma cleaning or UV cleaning to prevent contamination of the plate surface. It is preferable that the series of operations described in claim 9 be performed in an N 2 atmosphere in order to prevent the deterioration of the solder balls.

【0021】請求項10の本発明は、前記請求項9にて
製造された半田ボールを使用する半導体装置全般であ
る。この場合半田ボールの劣化を防ぐため製造直後に半
田ボール搭載を行うことが望ましい。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a general semiconductor device using the solder ball manufactured in the ninth aspect. In this case, it is desirable to mount the solder ball immediately after the manufacture to prevent the deterioration of the solder ball.

【0022】請求項11の本発明は前記請求項9にて半
田が球状に形成された時点で基板にボール搭載すること
を特徴とする。この方法によれば半田ボール製造と同時
に半田ボール搭載ができ、効率化が図れる。
According to an eleventh aspect of the present invention, when the solder is formed into a spherical shape in the ninth aspect, a ball is mounted on the substrate. According to this method, the solder balls can be mounted simultaneously with the production of the solder balls, and the efficiency can be improved.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下添付図面を参照して本発明の
実施形態について説明する。尚、わかりやすくするため
に先に本発明により製造される半導体装置の一例を先に
説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. An example of a semiconductor device manufactured according to the present invention will be described first for easy understanding.

【0024】図1はフェースダウンタイプのBGA断面
図であり図2は裏面図である。基板13上にダイボンデ
ィングされたICチップ11が金線12により基板13
上の配線15に結線され、樹脂により封止14されてい
る。
FIG. 1 is a sectional view of a face-down type BGA, and FIG. 2 is a rear view. The IC chip 11 die-bonded on the substrate 13 is
It is connected to the upper wiring 15 and is sealed 14 with resin.

【0025】基板上13の配線15はパッド部16へつ
ながっており端子と半田ボール10に接続されている。
The wiring 15 on the substrate 13 is connected to the pad portion 16 and is connected to the terminal and the solder ball 10.

【0026】フェースダウンタイプの場合、半田ボール
10は封止14部を除いた部分に格子状に整列されてい
る。尚ここではフェースダウンタイプのBGAを一例と
したが、他の構造をとるBGA、CSP等多種にわたる
ことはいうまでもない。
In the case of the face-down type, the solder balls 10 are arranged in a grid pattern except for the sealing portion 14. Here, a face-down type BGA is described as an example, but it goes without saying that there are various types of BGAs and CSPs having other structures.

【0027】本発明の請求項1は前記の基板上に半田ボ
ール10を搭載する製造方法である。
The first aspect of the present invention is a manufacturing method for mounting a solder ball 10 on the substrate.

【0028】図3は本発明の請求項1の製造方法につい
て構成を示した平面図であり図4は側面図である。両図
に示すように本発明は半円状ホール21を有する加熱プ
レート20及び加熱プレート20に組み込まれるランナ
ー22及びランナーを通り半田ボール10を回収する回
収容器23により構成される。自重により落下した半田
ボール10は加熱プレート20上の半円状ホール21に
入る。余剰となり半円状ホール21に入らなかった半田
ボール10は加熱プレート20のXYスライド動作によ
りランナー22に落ち回収容器23へと転がっていく。
全ての半円状ホール21に半田ボール20が収まったと
ころで加熱プレート20が加熱装置により加熱される。
加熱温度は加熱プレート20に組み込まれた熱電対によ
り温度コントロールされる。この場合の温度勾配として
は半田ボール10表面で1〜5℃/秒となるようコント
ロールし、プレート温度は半田ボール径等にもよるが1
50℃〜250℃をねらい値とする。
FIG. 3 is a plan view showing the structure of the manufacturing method according to claim 1 of the present invention, and FIG. 4 is a side view. As shown in both figures, the present invention includes a heating plate 20 having a semicircular hole 21, a runner 22 incorporated in the heating plate 20, and a collecting container 23 for collecting the solder balls 10 through the runner. The solder ball 10 dropped by its own weight enters the semicircular hole 21 on the heating plate 20. The solder balls 10 that have become excessive and have not entered the semicircular holes 21 fall into the runners 22 by the XY sliding operation of the heating plate 20 and roll into the collection containers 23.
When the solder balls 20 are accommodated in all the semicircular holes 21, the heating plate 20 is heated by the heating device.
The heating temperature is controlled by a thermocouple incorporated in the heating plate 20. In this case, the temperature gradient is controlled so as to be 1 to 5 ° C./sec on the surface of the solder ball 10, and the plate temperature depends on the solder ball diameter and the like.
The target value is 50 ° C to 250 ° C.

【0029】ここで請求項2での製造方法について先に
説明する。本発明の請求項2は半田ボール10のピッチ
の狭いものあるいは半田ボール10の径が小さいものに
有利となる製造方法である。図5は本発明の請求項2の
製造方法について構成を示した平面図であり図6は側面
図である。
Here, the manufacturing method according to claim 2 will be described first. The second aspect of the present invention is a manufacturing method which is advantageous for a solder ball having a narrow pitch or a solder ball having a small diameter. FIG. 5 is a plan view showing the structure of the manufacturing method according to claim 2 of the present invention, and FIG. 6 is a side view.

【0030】ここで前記の製造方法と異なる部分を説明
する。両図に示すように本発明は半円状ホール21及び
半田ボール10を吸着させるため前記半円状ホール21
より真空吸引装置につながる真空路24有する加熱プレ
ート20及び加熱プレートを反転させる反転機構25及
び落下した半田ボール10を受ける回収容器23にて構
成される。自重により落下した半田ボール10は加熱プ
レート20上の半円状ホール21に入る。半円状ホール
21に入った半田ボール10は真空吸引装置につながる
真空路24により吸引される。全ての半円状ホール21
半田ボール10が入り吸着されたところで加熱プレート
20上にある余剰となった半田ボール10を除去するた
め反転機構25により加熱プレート20が反転し余剰の
半田ボール10が回収容器23へと落下する。余剰の半
田ボール10を除去した後に加熱プレート20が再度反
転し元の状態に戻る。
Here, parts different from the above-described manufacturing method will be described. As shown in both figures, the present invention provides the semicircular hole 21 and the semicircular hole 21 for adsorbing the solder ball 10.
It comprises a heating plate 20 having a vacuum path 24 connected to a vacuum suction device, a reversing mechanism 25 for reversing the heating plate, and a collecting container 23 for receiving the dropped solder balls 10. The solder ball 10 dropped by its own weight enters the semicircular hole 21 on the heating plate 20. The solder ball 10 entering the semicircular hole 21 is sucked by a vacuum path 24 connected to a vacuum suction device. All semicircular holes 21
When the solder balls 10 enter and are adsorbed, the heating plate 20 is inverted by the inversion mechanism 25 to remove the excess solder balls 10 on the heating plate 20, and the excess solder balls 10 fall into the collection container 23. After removing the surplus solder balls 10, the heating plate 20 is again inverted and returns to the original state.

【0031】その後に加熱プレート20が加熱装置によ
り加熱される。加熱条件としては前述の通りであるため
割愛する。
Thereafter, the heating plate 20 is heated by the heating device. The heating conditions are the same as described above, and thus are omitted.

【0032】次にフラックス塗布について説明する。図
7は本発明の請求項4における製造方法の構成を示す図
である。
Next, the flux application will be described. FIG. 7 is a diagram showing the configuration of the manufacturing method according to claim 4 of the present invention.

【0033】動力源より回転する回転軸31及び回転軸
31上のロラーA32及びフラックスの量をコントロー
ルするためのブレード33とローラーAに接触するロー
ラーB34にて構成するリザーバー30とそのリザーバ
ー30のローラーB34に接触し水平に往復駆動するロ
ーラーC35により構成される。リザーバー30に適量
のフラックスを投与し、ローラーA32との隙間をブレ
ード33により調整し、厚みをコントロールするととも
に良く攪拌する。回転によりフラックスはローラーC3
5に転写される。転写されたフラックスはローラーC3
5の往復駆動により被塗布物に塗布される。
A reservoir 30 comprising a rotating shaft 31 rotated by a power source, a roller A 32 on the rotating shaft 31, a blade 33 for controlling the amount of flux, and a roller B 34 in contact with the roller A, and a roller of the reservoir 30. It is constituted by a roller C35 which comes into contact with B34 and is driven to reciprocate horizontally. An appropriate amount of flux is applied to the reservoir 30, the gap between the roller A32 and the roller A32 is adjusted by the blade 33, and the thickness is controlled and well stirred. Flux by roller C3
5 is transferred. The transferred flux is a roller C3
The reciprocating drive 5 is applied to the object.

【0034】また図8は本発明の請求項5における製造
方法を示しており、前述のローラーC35が往復駆動
し、更にゴム版36に転写した後にゴム版36の上下駆
動により被塗布物に塗布する方法を示す。フラックス塗
布は半田ボール10か基板パッド部に行うが、前者のロ
ーラーC35は半田ボール10への塗布また後者のゴム
版36はパッド部への塗布が適している。尚前記加熱プ
レート20上の半田ボール10へ直接塗布する場合には
加熱前に行う。
FIG. 8 shows a manufacturing method according to a fifth embodiment of the present invention. The roller C35 is reciprocally driven and further transferred onto the rubber plate 36, and then the rubber plate 36 is moved up and down. Here's how to do it. The flux is applied to the solder ball 10 or the substrate pad portion. The former roller C35 is suitable for application to the solder ball 10, and the latter rubber plate 36 is preferably applied to the pad portion. In the case of directly applying to the solder balls 10 on the heating plate 20, it is performed before heating.

【0035】図9は本発明の請求項6における製造方法
の構成を示す図である。封止され、半導体装置をガイド
プレート40によってチャッキングし、位置決めした後
に加熱装置により加熱する。加熱温度としては温度勾配
1〜5℃/秒にて半導体装置の材質によっても異なるが
50℃〜180℃をねらい値とする。また半田ボール1
0搭載時の応力が懸念される場合には図10に示すよう
にガイドプレート40にばね41を組み込み緩衝するよ
うな構造をとる。この場合に基板のパッド部へフラック
スを塗布する場合はあらかじめフラックス塗布された半
導体装置をチャッキングした方がよい。
FIG. 9 is a view showing a structure of a manufacturing method according to claim 6 of the present invention. The semiconductor device is sealed, chucked by the guide plate 40, positioned, and heated by a heating device. Although the heating temperature varies depending on the material of the semiconductor device at a temperature gradient of 1 to 5 ° C./sec, the target value is 50 ° C. to 180 ° C. Solder ball 1
If there is a concern about the stress at the time of mounting, as shown in FIG. 10, a structure is adopted in which a spring 41 is incorporated in the guide plate 40 to cushion it. In this case, when applying flux to the pad portion of the substrate, it is preferable to chuck the semiconductor device to which the flux has been applied in advance.

【0036】前述の全てのが完了したところで図11に
示すように半導体装置をガイドしたガイドプレート40
を下降させ前述の加熱プレート20上の半田ボール10
に接触させる。この場合フェースダウンタイプのように
ICチップ等に直接高温がかかる場合には本発明請求項
3で示し、図12にあるようにあらかじめ加熱プレート
20にザグリを設けそのザグリ部に断熱材53を貼り熱
を遮断する方式が有効である。接触したところで加熱プ
レート20及びガイドプレート40の加熱装置を切り冷
却する。半田ボール10が冷却し、硬化したところでガ
イドプレート40を上昇させることにより半田ボール搭
載が完了する。
When all of the above is completed, as shown in FIG. 11, a guide plate 40 for guiding the semiconductor device is provided.
And lower the solder balls 10 on the heating plate 20 described above.
Contact. In this case, when a high temperature is directly applied to an IC chip or the like, such as a face-down type, a counterbore is provided on the heating plate 20 in advance as shown in FIG. A method of shutting off heat is effective. At the contact, the heating devices of the heating plate 20 and the guide plate 40 are turned off and cooled. When the solder ball 10 is cooled and hardened, the guide plate 40 is raised to complete the solder ball mounting.

【0037】また図13には請求項9における半田ボー
ルの製造方法を示している。前述の加熱プレート20の
上部に溶融半田あるいは半田クリームを流す為の供給装
置51を備え加温機構52により一定の温度に保った溶
融半田あるいは半田クリームを適量ずつ半円状ホール2
1に流す。全て半円状ホール21に半田が入ったところ
で前述の条件で加熱する。加熱された半田は表面張力に
より球状となる。球状となったところで加熱装置を切り
冷却することにより半田ボールが形成される。
FIG. 13 shows a method of manufacturing a solder ball according to the ninth aspect. A supply device 51 for flowing molten solder or solder cream is provided on the upper portion of the above-described heating plate 20.
Pour into 1. When the solder has entered the semicircular holes 21, heating is performed under the above-described conditions. The heated solder becomes spherical due to surface tension. The heating device is turned off and cooled when the sphere is formed, so that a solder ball is formed.

【0038】また加温装置を切らずに前記のガイドプレ
ート40を下降させ半導体装置と接触させた後に加熱装
置を切ることにより請求項11に示す溶融半田あるいは
半田クリームからの半導体装置の半田ボール搭載ができ
る。
The semiconductor device can be mounted on a solder ball from molten solder or solder cream by cutting the heating device after lowering the guide plate 40 to contact the semiconductor device without turning off the heating device. Can be.

【0039】以上のように本発明によれば半田ボール1
0の溶融をプレートにより行っているため温度が安定
し、高品質な半田ボール10となる。またフラックス塗
布も非常に単純な方法でできる。そして本発明の一番の
優位点としては従来のリフローでは半田ボール搭載のた
めに半導体装置自体もリフローに入るため熱ストレスが
避けられなかったが、本発明により半導体装置と半田ボ
ールの加熱を分割できたため半導体装置にかかる熱スト
レスが著しく減り、高信頼性の半導体装置ができる。
尚、上記説明はBGAを例に挙げたがCSPやベアチッ
プの半田バンプ形成にも適用できることはいうまでもな
い。また本説明は例示することを意図するものであって
いかなる限定をも意図するものではない。
As described above, according to the present invention, the solder ball 1
Since the melting of 0 is performed by the plate, the temperature is stabilized, and the high quality solder ball 10 is obtained. The flux can be applied by a very simple method. The main advantage of the present invention is that in the conventional reflow, the semiconductor device itself enters the reflow due to the solder ball mounting, so that thermal stress was unavoidable, but the present invention divides the heating of the semiconductor device and the solder ball. As a result, thermal stress applied to the semiconductor device is significantly reduced, and a highly reliable semiconductor device can be obtained.
Although the above description has been made with reference to a BGA as an example, it goes without saying that the present invention can also be applied to the formation of solder bumps on CSPs and bare chips. Also, this description is intended to be illustrative and not limiting.

【0040】[0040]

【発明の効果】請求項1記載の半導体装置の製造方法に
より、均一な熱により半田ボールが溶融され、高品質か
つ安定したボール形状の半導体装置を製造することが可
能である。
According to the semiconductor device manufacturing method of the present invention, the solder balls are melted by uniform heat, and a high-quality and stable ball-shaped semiconductor device can be manufactured.

【0041】請求項2記載の半導体装置の製造方法によ
り、請求項1に比べさらに製造方法が簡素化され、非常
に容易に高品質かつ安定したボール形状の半導体装置を
製造することが可能である。
According to the method of manufacturing a semiconductor device of the second aspect, the manufacturing method is further simplified as compared with the first aspect, and a high-quality and stable ball-shaped semiconductor device can be manufactured very easily. .

【0042】請求項3記載の製造方法により、フェイス
ダウンタイプの半導体装置でもチップ等への熱ストレス
が軽減され高品質な半導体装置を製造することが可能で
ある。
According to the manufacturing method of the third aspect, even a face-down type semiconductor device can reduce a thermal stress on a chip or the like and manufacture a high-quality semiconductor device.

【0043】請求項4記載の製造方法により、フラック
スを適量かつ均一に塗布することが可能となる。
According to the manufacturing method of the fourth aspect, it is possible to apply an appropriate amount of the flux uniformly.

【0044】請求項5記載の製造方法により、請求項4
に比べさらに精密かつ微細な部分へフラックスを適量か
つ均一に塗布することが可能となる。
According to the manufacturing method described in claim 5, claim 4
It is possible to apply an appropriate amount of flux to a more precise and fine portion as compared with the method described above.

【0045】請求項6記載の製造方法により、半導体装
置と半田ボールの位置精度が高くなるとともに半田ボー
ルの加熱と半導体装置への加熱を本方法では分割できる
為、半導体装置にかかる熱ストレスを緩和することがで
き高品質、高信頼性の半導体装置の製造が可能となる。
According to the manufacturing method of the sixth aspect, since the positional accuracy between the semiconductor device and the solder ball is improved, and the heating of the solder ball and the heating of the semiconductor device can be divided by the present method, the thermal stress applied to the semiconductor device is reduced. It is possible to manufacture a high quality and highly reliable semiconductor device.

【0046】請求項7記載の製造方法により、請求項6
に比べさらにボールにかかる圧力が均一になるため、さ
らに高品質かつ高精度な形状の半田ボールの形成が可能
となる。
According to the manufacturing method of claim 7, the method of claim 6
Since the pressure applied to the ball is more uniform than in the case of the first embodiment, it is possible to form a solder ball having higher quality and higher precision.

【0047】請求項8記載の半導体装置によれば半導体
装置にかかる熱ストレスを著しく軽減でき、高信頼性且
つ高品質な半導体装置となる。
According to the semiconductor device of the eighth aspect, the thermal stress applied to the semiconductor device can be remarkably reduced, and the semiconductor device has high reliability and high quality.

【0048】請求項9記載の製造方法により、半田ボー
ルの製造が非常に容易に製作できる。
According to the manufacturing method of the ninth aspect, the manufacturing of the solder ball can be made very easily.

【0049】請求項10記載の半導体装置により、合理
的且つ容易に製造ができるため低コストな半導体装置と
なる。
According to the semiconductor device of the tenth aspect, since the semiconductor device can be manufactured rationally and easily, a low-cost semiconductor device can be obtained.

【0050】請求項11記載の製造方法により、非常に
合理的かつ容易な構成で低コストにて半導体装置を製造
することが可能となる。
According to the manufacturing method of the eleventh aspect, it is possible to manufacture a semiconductor device with a very reasonable and easy configuration at a low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】フェースダウンタイプのBGA断面図。FIG. 1 is a BGA sectional view of a face-down type.

【図2】フェースダウンタイプのBGA裏面図。FIG. 2 is a back view of a face-down type BGA.

【図3】本発明請求項1の半導体装置製造方法の実施例
の平面図。
FIG. 3 is a plan view of an embodiment of the semiconductor device manufacturing method according to claim 1 of the present invention.

【図4】本発明請求項1の半導体装置製造方法の実施例
の側面図。
FIG. 4 is a side view of the embodiment of the semiconductor device manufacturing method according to claim 1 of the present invention.

【図5】本発明請求項2の半導体装置製造方法の実施例
の平面図。
FIG. 5 is a plan view of an embodiment of a semiconductor device manufacturing method according to claim 2 of the present invention.

【図6】本発明請求項2の半導体装置製造方法の実施例
の側面図。
FIG. 6 is a side view of an embodiment of a semiconductor device manufacturing method according to claim 2 of the present invention.

【図7】本発明請求項4の半導体装置製造方法の実施例
の側面図。
FIG. 7 is a side view of an embodiment of a semiconductor device manufacturing method according to claim 4 of the present invention.

【図8】本発明請求項5の半導体装置製造方法の実施例
の側面図。
FIG. 8 is a side view of an embodiment of a semiconductor device manufacturing method according to claim 5 of the present invention.

【図9】本発明請求項6の半導体装置製造方法の実施例
の側面図。
FIG. 9 is a side view of an embodiment of a semiconductor device manufacturing method according to claim 6 of the present invention.

【図10】本発明請求項7の半導体装置製造方法の実施
例の側面図。
FIG. 10 is a side view of an embodiment of a semiconductor device manufacturing method according to claim 7 of the present invention.

【図11】本発明の請求項1、2と請求項6、7を併せ
た側面図。
FIG. 11 is a side view in which the first and second aspects of the present invention and the sixth and seventh aspects are combined.

【図12】本発明の請求項3の半導体装置製造方法の実
施例の断面図。
FIG. 12 is a sectional view of an embodiment of a semiconductor device manufacturing method according to claim 3 of the present invention.

【図13】本発明請求項9の半田ボール製造方法の実施
例の側面図。
FIG. 13 is a side view of an embodiment of the method for manufacturing a solder ball according to claim 9 of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10半田ボール 11ICチップ 12金線 13基板 14封止 15配線 16パッド部 20加熱プレート 21半円状ホール 22ランナー 23回収容器 24真空路 25反転機構 30リザーバー 31回転軸 32ローラーA 33ブレード 34ローラーB 35ローラーC 36ゴム版 40ガイドプレート 41バネ 51供給装置 52加温機構 53断熱材 Reference Signs List 10 solder ball 11 IC chip 12 gold wire 13 substrate 14 sealing 15 wiring 16 pad section 20 heating plate 21 semicircular hole 22 runner 23 collection container 24 vacuum path 25 inversion mechanism 30 reservoir 31 rotation axis 32 roller A 33 blade 34 roller B 35 roller C 36 rubber plate 40 guide plate 41 spring 51 supply device 52 heating mechanism 53 heat insulating material

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】略水平に配設され、上側から供給された端
子用の半田ボールをアレイ状に整列させるための半円状
のホールを有し、加熱装置により加熱することのできる
加熱プレートと、前記加熱プレートに組み込みプレート
から溢れ落ちたボールの通路となるランナーとランナー
に半田ボールを落とすためのXYスライド機構とランナ
ーを通り排出される半田ボールを受ける回収容器を使用
し、半田ボール搭載を行うことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
1. A heating plate which is disposed substantially horizontally, has a semicircular hole for aligning solder balls for terminals supplied from above in an array, and can be heated by a heating device. The mounting of the solder balls is performed by using a runner which becomes a passage of the balls overflowing from the plate incorporated in the heating plate, an XY slide mechanism for dropping the solder balls to the runner, and a collecting container for receiving the solder balls discharged through the runner. A method of manufacturing a semiconductor device.
【請求項2】略水平に配設され、上側から供給された端
子用の半田ボールをアレイ状に整列させるための半円状
のホールと、半田ボールを吸着させるため前記半円状ホ
ールより真空吸引装置につながる真空路を有し、加熱装
置により加熱することのできる加熱プレートと、加熱プ
レート上に落ち余剰となった半田ボールを加熱プレート
を反転させ落下させる反転機構と、落下した半田ボール
を受ける回収容器を使用し、半田ボール搭載を行うこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
2. A semi-circular hole for arranging the solder balls for terminals supplied from the upper side in an array in a substantially horizontal manner, and a vacuum from the semi-circular hole for adsorbing the solder balls. A heating plate having a vacuum path connected to the suction device and capable of being heated by the heating device, a reversing mechanism for reversing the heating plate by turning over the surplus solder balls that have fallen on the heating plate, and a falling solder ball. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: mounting a solder ball using a receiving container.
【請求項3】請求項1もしくは請求項2記載の加熱プレ
ートを使用する場合、加熱してはならない部分にザグリ
を設けそのザグリ部に断熱材を貼り熱を遮断することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein a counterbore is provided in a portion not to be heated, and a heat insulating material is attached to the counterbore portion to block heat. Manufacturing method.
【請求項4】動力源より回転する回転軸と、その回転軸
の動力を受け回転するローラーAと、フラックスの厚み
を均一にする為前記ローラーAとの距離を可変すること
のできるブレードと、そのブレードとローラーAにより
厚みをコントロールされたフラックスを更に転写するロ
ーラーBを有するリザーバーと、前記ローラーBに接触
し水平に往復駆動のできるローラーCによりローラーC
に転写されたフラックスを塗布させる機構を特徴とする
半導体装置の製造方法。
4. A rotating shaft rotating from a power source, a roller A rotating by receiving the power of the rotating shaft, and a blade capable of changing a distance between the roller A to make the thickness of the flux uniform, A roller C having a reservoir having a roller B for further transferring the flux whose thickness is controlled by the blade A and the roller A, and a roller C which can contact the roller B and reciprocate horizontally.
A method for manufacturing a semiconductor device, characterized by a mechanism for applying a flux transferred to a substrate.
【請求項5】請求項4記載のローラーCより突起状のゴ
ム版にフラックスを転写させゴム版の上下動作によりフ
ラックスを塗布させる機構を特徴とする半導体装置の製
造方法。
5. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a mechanism for transferring a flux from a roller C to a protruding rubber plate by the roller C and applying the flux by vertically moving the rubber plate.
【請求項6】半導体装置の位置決め及びガイドをするガ
イドプレートとそのガイドプレートを加熱する加熱装置
とと前記ガイドプレートにより位置決め及び加熱された
半導体装置をガイドプレートの上下動作により半田ボー
ルに接触させることにより半田ボール搭載を行うことを
特徴とする半導体装置の製造方法。
6. A guide plate for positioning and guiding the semiconductor device, a heating device for heating the guide plate, and bringing the semiconductor device positioned and heated by the guide plate into contact with the solder balls by vertically moving the guide plate. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: mounting a solder ball by using the method.
【請求項7】請求項6記載のガイドプレートに緩衝材を
組み込み、半田ボール接触時に接触圧を均一にすること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
7. A method for manufacturing a semiconductor device, wherein a buffer material is incorporated into the guide plate according to claim 6, and a contact pressure is made uniform when a solder ball contacts.
【請求項8】請求項1〜7記載のいづれか1項を使用し
た半導体装置。
8. A semiconductor device using any one of claims 1 to 7.
【請求項9】略水平に配設され、アレイ状に整列させる
ための半円状のホールを有し、加熱装置により加熱する
ことのできる加熱プレートと、溶融半田あるいは半田ク
リームを個々の半円状に適量流すディスペンサーを備え
た供給装置と、供給装置内の溶融半田あるいは半田クリ
ームを一定の温度に保持する加温機構と供給装置を上下
左右に動作させる駆動装置と加熱プレート上にて製造さ
れた半田ボールを収納する収納容器と半田ボール収納後
にプレートを洗浄する洗浄装置を使用し半田ボールを製
作することを特徴とする半田ボールの製造方法。
9. A heating plate which is arranged substantially horizontally, has a semicircular hole for aligning in an array, and can be heated by a heating device, and melts solder or solder cream in individual semicircles. A supply device equipped with a dispenser that flows an appropriate amount in a shape, a heating mechanism that maintains the molten solder or solder cream in the supply device at a fixed temperature, a driving device that operates the supply device up, down, left and right, and a heating plate A method for manufacturing solder balls, comprising using a storage container for storing the solder balls and a cleaning device for cleaning the plate after storing the solder balls.
【請求項10】請求項9記載の半田ボールの製造方法に
て製造された半田ボールを使用する半導体装置。
10. A semiconductor device using a solder ball manufactured by the method for manufacturing a solder ball according to claim 9.
【請求項11】請求項9記載の半田ボールの製造方法に
て半田が球状に形成された時点で基板にボール搭載する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: mounting a ball on a substrate at the time when the solder is formed into a spherical shape by the method of manufacturing a solder ball according to claim 9.
JP35311397A 1997-12-22 1997-12-22 Manufacture of semiconductor device, semiconductor device, and manufacture of solder ball Withdrawn JPH11186329A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008227439A (en) * 2007-03-15 2008-09-25 Hynix Semiconductor Inc Ball attachment device and solder ball attachment method using the same
US7735717B2 (en) 2004-11-22 2010-06-15 Nec Electronics Corporation Method of manufacturing semiconductor apparatus and method of forming viscous liquid layer
KR101720998B1 (en) * 2015-09-25 2017-04-11 한국생산기술연구원 Apparatus and method for manufacturing solder ball

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