JPH11186313A - Bump-forming method and device - Google Patents

Bump-forming method and device

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Publication number
JPH11186313A
JPH11186313A JP36583297A JP36583297A JPH11186313A JP H11186313 A JPH11186313 A JP H11186313A JP 36583297 A JP36583297 A JP 36583297A JP 36583297 A JP36583297 A JP 36583297A JP H11186313 A JPH11186313 A JP H11186313A
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JP
Japan
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bump
pressing surface
capillary
ball
forming
Prior art date
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Pending
Application number
JP36583297A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuji Kimura
裕二 木村
Nobuo Kamata
信雄 鎌田
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Priority to JP36583297A priority Critical patent/JPH11186313A/en
Publication of JPH11186313A publication Critical patent/JPH11186313A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/113Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/1134Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a bump-forming method and a device with which bumps, having little irregularities in height, can be formed in a short time by concurrently conducting a bump forming operation and a levelling operation. SOLUTION: A ball 17 is formed at the end of a metal wire 15, and a bump 18 is formed by press-bonding the ball 17 to the electrode part 12 of a bare chip 11. A diameter D of the pressing surface 16 of the end of a capillary 13, which feeds the metal wire 15, is formed twice or more in an electrode pitch P formed by a bump 18, and the adjacent bump 18 levelled by squashing its end by the pressing part 16 at the same time as with the formation of the bump.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は金属ワイヤを用いて
バンプ形成する方法および装置に関するものである。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a method and an apparatus for forming a bump using a metal wire.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、電子回路の電極部に突出接点部
(以下、バンプという)を形成する場合に、特公平4−
41519号公報に記載のように、金属ワイヤを用いて
バンプを形成する方法が知られている。この方法は、図
1に記載のように、キャピラリ1に挿通された金属ワイ
ヤ2の先端にボール3を形成しておき((a)参照)、
このボール3を半導体素子などの電極部4に加熱あるい
は超音波を加えながら押圧して取り付け((b)参
照)、キャピラリ1を引上げるとともに((c)参
照)、カットクランパ5によってワイヤ2をクランプし
て更に引き上げることでワイヤ2をボール3近辺で切断
する((d)参照)。その後、電気トーチ6などを用い
てワイヤ2の先端に再びボール3を形成し((e)参
照)、以下同様の動作を繰り返す。
2. Description of the Related Art Conventionally, when a protruding contact portion (hereinafter, referred to as a bump) is formed on an electrode portion of an electronic circuit, it is difficult to form a protruding contact portion.
As described in Japanese Patent No. 41519, a method of forming a bump using a metal wire is known. In this method, as shown in FIG. 1, a ball 3 is formed at the tip of a metal wire 2 inserted into a capillary 1 (see (a)).
The ball 3 is attached to an electrode portion 4 such as a semiconductor element by pressing or heating or applying ultrasonic waves (see (b)), the capillary 1 is pulled up (see (c)), and the wire 2 is cut by the cut clamper 5. The wire 2 is cut near the ball 3 by being clamped and further raised (see (d)). Thereafter, the ball 3 is formed again at the tip of the wire 2 using the electric torch 6 or the like (see (e)), and the same operation is repeated thereafter.

【0003】この場合、ワイヤ2として高い硬度を有す
るとともに微粒状結晶構造を有するものを用い、熱エネ
ルギーによるボール3の形成後に、このボール3の近接
するワイヤ2部分が再結晶により粗粒状結晶構造となっ
て脆弱化し、ワイヤ2をこの脆弱化部分で引き切るよう
にしている。
In this case, a wire 2 having a high hardness and a fine-grained crystal structure is used. After the ball 3 is formed by thermal energy, the portion of the wire 2 adjacent to the ball 3 is recrystallized to form a coarse-grained crystal structure. And the wire 2 is cut off at the weakened portion.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記のようなバンプ形
成方法の場合、形成されたバンプ7の上端にワイヤ2の
切れ端7aが残り、バンプ7の高さを揃えることができ
ない。このような不揃いのバンプ7を用いてフェースダ
ウン実装を行なった場合、バンプ7の高さバラツキのた
めに、電子回路のオープン不良やショート不良が発生す
るおそれがある。そのため、従来では、図2のようにバ
ンプ7を形成した半導体素子8を平坦面を有する基材9
に押しつけることで、一括してレベリングを行なってい
る。このように、バンプ形成の後にレベリング工程を必
要とするため、工程が多くなり、製造時間がかかってい
た。また、半導体素子8を基材9に押しつけた際、半導
体素子8に大きな荷重がかかるので、半導体素子8にダ
メージを与える可能性があった。
In the case of the above-described bump forming method, the cut end 7a of the wire 2 remains at the upper end of the formed bump 7, and the height of the bump 7 cannot be made uniform. When face-down mounting is performed using such irregular bumps 7, there is a possibility that an open defect or a short defect of an electronic circuit may occur due to a variation in the height of the bumps 7. Therefore, conventionally, the semiconductor element 8 having the bumps 7 formed thereon as shown in FIG.
By pressing against, leveling is performed collectively. As described above, since a leveling step is required after the formation of the bumps, the number of steps is increased and the manufacturing time is increased. Further, when the semiconductor element 8 is pressed against the substrate 9, a large load is applied to the semiconductor element 8, so that the semiconductor element 8 may be damaged.

【0005】そこで、本発明の目的は、バンプ形成とレ
ベリングを同時に行なうことで、短時間で高さばらつき
の少ないバンプを形成できるバンプ形成方法および装置
を提供することにある。また、他の目的は、バンプ形成
時に電子回路に与えるダメージが少ないバンプ形成方法
および装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a bump forming method and apparatus capable of forming bumps with little height variation in a short time by simultaneously performing bump formation and leveling. Another object of the present invention is to provide a bump forming method and apparatus which cause less damage to an electronic circuit during bump formation.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に記載の発明は、金属ワイヤを用いて電子
回路の電極部にバンプを形成する方法であって、キャピ
ラリ先端の押圧面の直径をバンプが形成される電極ピッ
チの2倍以上とし、上記押圧面でバンプ形成と同時に隣
接バンプの先端を押圧し、レベリングを行なうことを特
徴とするものである。
According to one aspect of the present invention, there is provided a method for forming a bump on an electrode portion of an electronic circuit using a metal wire, the method comprising: Is formed to have a diameter of at least twice the electrode pitch at which the bumps are formed, and the leveling is performed by pressing the tips of adjacent bumps simultaneously with the formation of the bumps on the pressing surface.

【0007】まず、キャピラリに挿通された金属ワイヤ
の先端に熱エネルギーによりボールを形成し、このボー
ルをキャピラリにより電極部に圧着する。次に、キャピ
ラリを引き上げてボール近傍のワイヤ部分で切断し、ワ
イヤの先端に再び熱エネルギーによってボールを形成し
た後、キャピラリを1ピッチ分だけ横に移動させ、ボー
ルを隣の電極部に圧着する。このとき、キャピラリの先
端には電極ピッチの2倍以上の半径を持つ押圧面が設け
られているので、この押圧面が隣のバンプの先端を押圧
し、レベリングする。つまり、ボールの圧着と同時に隣
のバンプのレベリングを行なうことになるので、レベリ
ング工程を後で実施する必要がない。また、ボールの圧
着時に隣接するバンプをレベリングするだけであるか
ら、一括のレベリング方式に比べて電子回路にかかる負
荷が小さくて済み、電子回路のダメージが少ない。
First, a ball is formed at the tip of a metal wire inserted through a capillary by thermal energy, and the ball is pressed against the electrode portion by the capillary. Next, the capillary is pulled up and cut at a wire portion near the ball, and a ball is formed again by thermal energy at the end of the wire. Then, the capillary is moved laterally by one pitch, and the ball is pressed against an adjacent electrode portion. . At this time, since a pressing surface having a radius of at least twice the electrode pitch is provided at the tip of the capillary, the pressing surface presses the tip of an adjacent bump to level. That is, the leveling of the adjacent bumps is performed simultaneously with the pressing of the ball, so that it is not necessary to perform the leveling step later. Further, since only the adjacent bumps are leveled when the ball is pressed, the load on the electronic circuit is smaller than in the collective leveling method, and the electronic circuit is less damaged.

【0008】キャピラリ先端の押圧面は、その全面が平
坦であってもよいし、請求項2に記載のように段差状に
形成してもよい。すなわち、押圧面が、ワイヤ供給穴の
周囲に設けられた第1の押圧面と、第1の押圧面の周囲
に段差を介して設けられた第2の押圧面とを有し、第2
の押圧面で隣接バンプを押圧することにより、所定の高
さにバンプをレベリングするようにしてもよい。例え
ば、第2押圧面が第1押圧面より後方に位置している場
合には、バンプの先端を僅かに潰すことで、バンプの高
さをキャピラリと電極部との最接近距離より高くレベリ
ングできる。
The pressing surface at the tip of the capillary may be flat on the entire surface or may be formed in a step shape as described in the second aspect. That is, the pressing surface has a first pressing surface provided around the wire supply hole and a second pressing surface provided around the first pressing surface via a step.
The bumps may be leveled to a predetermined height by pressing the adjacent bumps on the pressing surface. For example, when the second pressing surface is located behind the first pressing surface, by slightly crushing the tip of the bump, the height of the bump can be leveled higher than the closest distance between the capillary and the electrode portion. .

【0009】金属ワイヤの材質としては、金,半田,
銅,アルミニウムなどがある。いずれも柔らかい材質で
あるため、キャピラリに大きな負荷を与えずにレベリン
グできる。
As the material of the metal wire, gold, solder,
There are copper, aluminum, and the like. Since both are soft materials, leveling can be performed without imposing a large load on the capillary.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】図3は本発明にかかるバンプ形成
装置の第1実施例を示す。この実施例では、ベアチップ
上にバンプを形成する例について説明する。ワイヤーボ
ンディングステージ10上にはICチップやLSIチッ
プなどのベアチップ11が載置される。このステージ1
0はボンディング性を高めるため、例えば150℃程度
に加熱される。ベアチップ11上には所定のピッチ間隔
Pで電極部12がパターン形成されている。一方、ベア
チップ11の上方にはキャピラリ13が上下動可能に配
置され、キャピラリ13の中心に設けられた供給穴14
から金,半田,銅,アルミニウムなどの金属ワイヤ15
が供給されている。キャピラリ13の先端には平坦な押
圧面16が形成され、この押圧面16の直径Dは電極ピ
ッチPの2倍以上に設定されている。すなわち、D≧2
FIG. 3 shows a first embodiment of the bump forming apparatus according to the present invention. In this embodiment, an example in which a bump is formed on a bare chip will be described. A bare chip 11 such as an IC chip or an LSI chip is mounted on the wire bonding stage 10. This stage 1
0 is heated to, for example, about 150 ° C. in order to enhance the bonding property. Electrode portions 12 are formed on the bare chip 11 at a predetermined pitch P. On the other hand, a capillary 13 is disposed above the bare chip 11 so as to be vertically movable, and a supply hole 14 provided in the center of the capillary 13 is provided.
To gold, solder, copper, aluminum or other metal wire 15
Is supplied. A flat pressing surface 16 is formed at the tip of the capillary 13, and the diameter D of the pressing surface 16 is set to be twice or more the electrode pitch P. That is, D ≧ 2
P

【0011】キャピラリ13とベアチップ11の隙間に
は電極トーチ(図示せず)などが挿入され、ワイヤ15
の先端部に熱エネルギーを与えてボール17を形成す
る。そして、加熱されたベアチップ11の電極部12に
対してボール17を圧着することにより、バンプ18を
形成するようになっている。
An electrode torch (not shown) or the like is inserted into a gap between the capillary 13 and the bare chip 11, and a wire 15 is provided.
The ball 17 is formed by applying thermal energy to the tip of the ball 17. The bumps 18 are formed by pressing the balls 17 against the heated electrode portions 12 of the bare chip 11.

【0012】次に、上記構成よりなるバンプ形成装置を
用いてバンプを形成する方法を図4にしたがって説明す
る。まず、(a)のようにワイヤ15を保持したキャピ
ラリ13を1番目の電極部12上に位置させ、ワイヤ1
5の先端に熱エネルギーを与えてボール17を形成す
る。次に、(b)のように1番目の電極部12上にボー
ル17を押し付けるとともに、キャピラリ13を引き上
げてボール17近傍のワイヤ15部分で切断することに
より、バンプ18を形成する。ただし、このバンプ18
の上端にはワイヤ15の切れ端18aが突起部として残
っている。次に、(c)のようにキャピラリ13を1ピ
ッチ分だけ横に移動させた後、ワイヤ15の先端に再び
熱エネルギーを与えてボール17を形成する。次に、
(d)のようにボール17を2番目の電極部12に圧着
する。このとき、キャピラリ13の先端には電極ピッチ
の2倍以上の半径を持つ押圧面16が設けられているの
で、この押圧面16が隣のバンプ18の突起部を潰し、
レベリング(成形)する。つまり、ボール17の圧着と
同時に隣のバンプ18のレベリングを行なうことにな
る。次に、(e)のようにキャピラリ13を引き上げ
て、ワイヤ15を切断する。このとき、1番目のバンプ
18は所定の高さにレベリングされているが、2番目の
バンプ18にはワイヤ15の切れ端18aが残ってい
る。その後、上記と同様にキャピラリ13の横移動、ボ
ール17形成、ボール17圧着(レベリング)などの動
作を繰り返すことにより、(f)のような均等な高さの
バンプ18を形成することができる。
Next, a method of forming a bump by using the bump forming apparatus having the above-described configuration will be described with reference to FIG. First, as shown in (a), the capillary 13 holding the wire 15 is positioned on the first electrode portion 12, and the wire 1
The ball 17 is formed by applying heat energy to the tip of the ball 5. Next, as shown in (b), the ball 17 is pressed onto the first electrode portion 12, and at the same time, the capillary 13 is pulled up and cut at the portion of the wire 15 near the ball 17, thereby forming the bump 18. However, this bump 18
A cut end 18a of the wire 15 remains at the upper end of the wire 15 as a projection. Next, after the capillary 13 is moved laterally by one pitch as shown in (c), thermal energy is again applied to the tip of the wire 15 to form the ball 17. next,
The ball 17 is crimped to the second electrode portion 12 as shown in FIG. At this time, since the pressing surface 16 having a radius equal to or more than twice the electrode pitch is provided at the tip of the capillary 13, the pressing surface 16 crushes the protrusion of the adjacent bump 18,
Leveling (forming). That is, the leveling of the adjacent bump 18 is performed simultaneously with the pressing of the ball 17. Next, as shown in (e), the capillary 13 is pulled up, and the wire 15 is cut. At this time, the first bump 18 has been leveled to a predetermined height, but the second bump 18 has a cut 18 a of the wire 15 remaining. Thereafter, by repeating operations such as lateral movement of the capillary 13, formation of the ball 17, and pressure-bonding (leveling) of the ball 17, the bumps 18 having a uniform height as shown in FIG.

【0013】上記のようにしてバンプ18を形成したベ
アチップ11をプリント配線基板などの電極上にフェー
スダウン実装すると、バンプ18が均等な高さを有する
ので、オープン不良やショート不良の発生を防止でき
る。また、バンプ18のレベリングは、1回のバンプ形
成に対して1個または数個ずつ行なわれるので、1回の
レベリング当たりのベアチップ11にかかる負担が少な
く、ベアチップ11に損傷を与えることが少ない。
When the bare chip 11 on which the bumps 18 are formed as described above is mounted face down on an electrode such as a printed circuit board, the bumps 18 have a uniform height, so that an open defect or a short defect can be prevented. . In addition, since one or several bumps 18 are leveled for one bump formation, the burden on the bare chip 11 per one leveling is small, and the bare chip 11 is hardly damaged.

【0014】ところで、キャピラリ13にはアルミナ、
ルビー,サファイヤなどの耐熱性を有する材料が用いら
れるが、従来のように先端部が細いキャピラリを用いる
と、折れ易く、耐久性が低い。これに対し、本発明のよ
うに先端押圧面16が広いキャピラリ13を用いると、
キャピラリ13自身の強度向上にも役立ち、耐久性を向
上させることができる。
The capillary 13 has alumina,
A heat-resistant material such as ruby or sapphire is used. However, if a capillary having a thin tip is used as in the related art, it is easily broken and has low durability. On the other hand, when the capillary 13 having a wide tip pressing surface 16 is used as in the present invention,
This also helps to improve the strength of the capillary 13 itself, and can improve durability.

【0015】図5は本発明の第2実施例を示す。この実
施例では、先端に段差21を介して2つの押圧面20,
22を形成したキャピラリ13を用いたものである。す
なわち、キャピラリ13のワイヤ供給穴14の周囲に
は、平坦な第1押圧面20が形成され、この第1押圧面
20の周囲には段差21を介して一段下がった平坦な第
2押圧面22が形成されている。第2押圧面22の外径
2 は隣接バンプを押圧できるように電極ピッチPの2
倍以上に設定され、第1押圧面20の外径D1 は隣接バ
ンプを押圧しないように電極ピッチP以下に設定されて
いる。
FIG. 5 shows a second embodiment of the present invention. In this embodiment, two pressing surfaces 20,
In this case, the capillary 13 in which 22 is formed is used. That is, a flat first pressing surface 20 is formed around the wire supply hole 14 of the capillary 13, and a flat second pressing surface 22 that is lowered by one step through the step 21 around the first pressing surface 20. Are formed. The outer diameter D 2 of the second pressing surface 22 is equal to 2 of the electrode pitch P so that the adjacent bumps can be pressed.
Is set to at least doubled, the outer diameter D 1 of the first pressing surface 20 is set below the electrode pitch P so as not to press the adjacent bumps.

【0016】この場合も、図5の(b)のように2番目
の電極部12にボール17を圧着した際、隣の1番目の
バンプ18の突起部18aを押圧してレベリング(成
形)することができる。このとき、第1押圧面20と第
2押圧面22との間には、所定高さHの段差21が設け
られているので、必要以上にバンプ18を押し潰すこと
がなく、バンプ18の高さを任意に調整できる。
Also in this case, when the ball 17 is pressed against the second electrode portion 12 as shown in FIG. 5B, the protruding portion 18a of the adjacent first bump 18 is pressed to perform leveling (forming). be able to. At this time, since the step 21 having the predetermined height H is provided between the first pressing surface 20 and the second pressing surface 22, the bump 18 is not crushed more than necessary, Can be adjusted arbitrarily.

【0017】この実施例では、バンプ18の高さを任意
に調整できることから、バンプ接合による接続抵抗を所
定の値に調整でき、高周波モジュールなどの接続抵抗が
モジュール特性に影響を与える場合に有効である。
In this embodiment, since the height of the bump 18 can be arbitrarily adjusted, the connection resistance due to the bump bonding can be adjusted to a predetermined value, which is effective when the connection resistance of a high-frequency module or the like affects the module characteristics. is there.

【0018】上記実施例では、ベアチップ11にバンプ
18を形成する場合を説明したが、このベアチップをフ
ェースダウン実装するための配線基板などにバンプを形
成する場合にも、本発明を用いることができることは勿
論である。また、バンプ形成方法として、ボールを電極
部に圧着してバンプを形成した後、キャピラリを引き上
げることでワイヤーを切断するものを示したが、キャピ
ラリを横方向に動かすことでワイヤーを引き切る場合に
も本発明を適用できる。さらに、キャピラリの押圧面の
直径は、隣接する1個のバンプをレベリングできる大き
さに限らず、2個以上のバンプを同時にレベリングでき
る大きさとしてもよい。
In the above embodiment, the case where the bumps 18 are formed on the bare chip 11 has been described. However, the present invention can be applied to the case where the bumps are formed on a wiring board for mounting the bare chip face down. Of course. Also, as a method of forming a bump, a method of cutting a wire by pulling up a capillary after forming a bump by pressing a ball on an electrode portion has been described. The present invention can also be applied. Furthermore, the diameter of the pressing surface of the capillary is not limited to a size that allows one adjacent bump to be leveled, and may be a size that allows two or more bumps to be simultaneously leveled.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、キャピラリ先端の押圧面の直径をバンプが形成
される電極ピッチの2倍以上とし、ボールの圧着と同時
に隣接バンプの先端を押圧し、レベリングを行なうよう
にしたので、均一な高さのバンプを形成できるととも
に、レベリング工程を別に実施する必要がなく、バンプ
形成作業を効率化できる。また、ボールの圧着時に隣接
するバンプをレベリングするだけであるから、一括のレ
ベリング方式に比べて電子回路にかかる荷重が小さくて
済み、電子回路のダメージが少ない。
As is apparent from the above description, according to the present invention, the diameter of the pressing surface at the tip of the capillary is twice or more the electrode pitch at which the bump is formed, and the tip of the adjacent bump is simultaneously pressed with the ball. Is pressed to perform leveling, so that bumps having a uniform height can be formed, and it is not necessary to separately perform a leveling step, so that the efficiency of the bump forming operation can be increased. Further, since only the adjacent bumps are leveled when the ball is pressed, the load applied to the electronic circuit is smaller than in the collective leveling method, and the electronic circuit is less damaged.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来のバンプ形成方法の一例の工程図である。FIG. 1 is a process chart of an example of a conventional bump forming method.

【図2】従来のバンプレベリング方法の一例の断面図で
ある。
FIG. 2 is a cross-sectional view of an example of a conventional bump leveling method.

【図3】本発明にかかるバンプ形成装置の一例の部分断
面図である。
FIG. 3 is a partial cross-sectional view of an example of a bump forming apparatus according to the present invention.

【図4】図3のバンプ形成装置を用いてバンプを形成す
る方法の工程図である。
FIG. 4 is a process chart of a method of forming a bump using the bump forming apparatus of FIG. 3;

【図5】本発明にかかるバンプ形成方法の他の例の工程
図である。
FIG. 5 is a process chart of another example of the bump forming method according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 ベアチップ 12 電極部 13 キャピラリ 15 金属ワイヤ 16 押圧面 17 ボール 18 バンプ 20 第1押圧面 21 段差 22 第2押圧面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Bare chip 12 Electrode part 13 Capillary 15 Metal wire 16 Pressing surface 17 Ball 18 Bump 20 First pressing surface 21 Step 22 Second pressing surface

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】金属ワイヤを用いて電子回路の電極部にバ
ンプを形成する方法であって、 キャピラリ先端の押圧面の直径をバンプが形成される電
極ピッチの2倍以上とし、上記押圧面でバンプ形成と同
時に隣接バンプの先端を押圧し、レベリングを行なうこ
とを特徴とするバンプ形成方法。
1. A method for forming a bump on an electrode portion of an electronic circuit using a metal wire, wherein a diameter of a pressing surface at a tip of a capillary is at least twice as large as an electrode pitch on which a bump is formed. A method for forming a bump, comprising pressing the tip of an adjacent bump at the same time as forming the bump to perform leveling.
【請求項2】上記押圧面は、ワイヤ供給穴の周囲に設け
られた第1の押圧面と、第1の押圧面の周囲に段差を介
して設けられた第2の押圧面とを有し、第2の押圧面で
隣接バンプを押圧することにより、所定の高さにバンプ
をレベリングすることを特徴とする請求項1に記載のバ
ンプ形成方法。
The pressing surface has a first pressing surface provided around the wire supply hole and a second pressing surface provided around the first pressing surface via a step. 2. The bump forming method according to claim 1, wherein the bump is leveled to a predetermined height by pressing an adjacent bump on the second pressing surface.
【請求項3】上記金属ワイヤの材質は、金,半田,銅,
アルミニウムの何れかであることを特徴とする請求項1
または2に記載のバンプ形成方法。
3. The material of the metal wire is gold, solder, copper,
2. The method according to claim 1, wherein the material is one of aluminum.
Or the bump forming method according to 2.
【請求項4】金属ワイヤを用いて電子回路の電極部にバ
ンプを形成する装置であって、 キャピラリ先端に、バンプが形成される電極ピッチの2
倍以上の直径を有する押圧面を設けたことを特徴とする
バンプ形成装置。
4. An apparatus for forming a bump on an electrode portion of an electronic circuit using a metal wire, wherein a tip of the capillary has an electrode pitch of 2 at which the bump is formed.
A bump forming apparatus provided with a pressing surface having a diameter twice or more.
【請求項5】上記押圧面は、ワイヤ供給穴の周囲に設け
られた第1の押圧面と、第1の押圧面の周囲に段差を介
して設けられた第2の押圧面とを有し、第2の押圧面で
隣接バンプを押圧するように構成した請求項4に記載の
バンプ形成装置。
5. The pressing surface has a first pressing surface provided around the wire supply hole and a second pressing surface provided around the first pressing surface via a step. 5. The bump forming apparatus according to claim 4, wherein the second pressing surface is configured to press adjacent bumps.
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