JPH11183877A

JPH11183877A - 電気光学装置

Info

Publication number: JPH11183877A
Application number: JP35730497A
Authority: JP
Inventors: Kazunori Katakura; 一典片倉; Kiyoshi Miura; 聖志三浦
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-12-25
Filing date: 1997-12-25
Publication date: 1999-07-09

Abstract

(57)【要約】【課題】水平走査期間を一定としても、通常の使用温
度条件下で、良好な表示が出来るようにする。【解決手段】水平走査期間を一定とし、走査選択信号
（Ｖ_s）のパルス幅（τ）を温度に応じて変化させる。
更には、その情報信号の電圧波高値（Ｖ₃，Ｖ₄）をも温
度に応じて変化させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置等に用い
られる温度補償回路を備えた電気光学装置に関するもの
であり、特にカイラルスメクチック相を呈する相転移系
列を示すカイラルスメクチック液晶を用いた電気光学装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】旧来、電気光学素子として例えば、ネマ
ティック液晶を用いたＴＮ型およびＳＴＮ型の液晶表示
素子が知られている。しかしこれらの液晶表示素子は、
電気光学効果の応答速度がミリ秒オーダと遅いため、高
速駆動を行おうとすると、画面に乱れが生じたり、コン
トラストが低下したりするという欠点があり、表示可能
な容量に限界があった。そこで、近年、次世代の液晶表
示素子として、強誘電性あるいは反強誘電性液晶を用い
た液晶表示素子の実用化が検討されている。

【０００３】１９７５年に、Ｒ．Ｂ．Ｍｅｙｅｒらは分
子の対称性の議論から、光学活性な分子が分子長軸に対
して垂直な方向に双極子モーメントを持っていればカイ
ラルスメクティックＣ相（ＳｍＣ^*相）で強誘電性を示
すことを予想し、ＤＯＢＡＭＢＣ（２−ｍｅｔｈｙｌｂ
ｕｔｙｌｐ−〔ｐ−（ｄｅｃｙｌｏｘｙｂｅｎｚｙｌ
ｉｄｅｎｅ）−ａｍｉｎｏ〕−ｃｉｎｎａｍａｔｅ）を
合成し、液晶において初めて強誘電性を確認することに
成功した（Ｒ．Ｂ．Ｍｅｙｅｒ，Ｌ．Ｌｉｅｂｅｒｔ，
Ｌ．ＳｔｒｚｅｌｅｃｋｉａｎｄＰ．Ｋｅｌｌｅ
ｒ：Ｊ．Ｐｈｙｓ．（Ｐａｒｉｓ）３６（１９７５）Ｌ
６９．参照）。

【０００４】ここで、強誘電性を示すＳｍＣ^*相の構造
について説明する。ＳｍＣ^*相では、層内における液晶
分子の重心位置は無秩序であるが、図３３（ａ）中にコ
ーン１０１として模式的に示すように、液晶分子の長軸
（ダイレクタ１０２）は、スメクティック相を区切る層
面１０３の法線である層法線ｚに対して一定の角度θだ
け傾いている。なお、ダイレクタ１０２の傾く方向は層
から層へ僅かずつずれ、この結果、液晶分子の配向は螺
旋構造をなしている。螺旋のピッチ（ヘリカルピッチ）
は１μｍ程度であり、約１ｎｍの層間隔よりはるかに大
きい。

【０００５】このような分子配列をもつ相は、強誘電性
液晶だけでなく、反強誘電性液晶においても確認されて
いる（Ａ．Ｄ．Ｌ．Ｃｈａｎｄａｎｉ，Ｔ．Ｈａｇｉｗ
ａｒａ，Ｙ．Ｓｕｚｕｋｉ，Ｙ．Ｏｕｃｈｉ，Ｈ．Ｔａ
ｋｅｚｏｅａｎｄＡ．Ｆｕｋｕｄａ：Ｊｐｎ．Ｊ．
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２７（１９８８）Ｌ７２９．参
照）。反強誘電性液晶の中にも、光学純度を変化させる
とＳｍＣ^*相が出現したり、また、ＭＨＰＯＢＣ（４−
（１−ｍｅｔｈｙｌｈｅｐｔｙｌｏｘｙｃａｒｂｏｎｙ
ｌ）ｐｈｅｎｙｌ４’−ｏｃｔｙｌｏｘｙｂｉｐｈｅｎ
ｙｌ１−４−ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ）のように、光学
純度１００％のＲ体やＳ体の場合でもＳｍＣ^*相が出現
するものも存在する。

【０００６】ＣｌａｒｋとＬａｇｅｒｗａｌｌは、セル
厚が１μｍ程度（螺旋のピッチと同程度）以下になる
と、この螺旋構造が消滅し、図３３（ｂ）に示すよう
に、各層の分子１０４が印加される電界に応じて双安定
状態のいずれかをとることを発見し、表面安定化型強誘
電性液晶表示素子（ＳＳＦＬＣ：ｓｕｒｆａｃｅｓｔ
ａｂｉｌｉｚｅｄｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｌｉ
ｑｕｉｄｃｒｙｓｔａｌ）を提案した。これは、特開
昭５６−１０７２１６号公報、および米国特許第４３６
７９２４号明細書等に開示されている。なお、図３３
（ｂ）では、分子１０４に印加されている電界の向き
は、紙面に対して垂直かつ紙面裏側から表側へ向かう方
向である。そして、分子１０４の電気双極子モーメント
は、同図（ｂ）において各分子内に示すように、印加電
界の向きにすべて揃う。

【０００７】図３４を参照しながらその動作原理につい
て説明する。上述したように、薄セルとして形成された
ＳＳＦＬＣの分子１０４は、同図に示すとおり、印加さ
れる電界の方向に応じて、状態ＡおよびＢの２つの安定
状態のいずれかをとる。なお、同図に示す状態Ａでは、
分子１０４に印加されている電界の向きは、同図の紙面
に対して垂直かつ紙面表側から裏側へ向かっており、状
態Ｂでは、紙面に対して垂直かつ紙面裏側から表側へ向
かう方向である。

【０００８】このため、直交する２枚の偏光子の間に、
例えば状態Ｂのときの分子長軸が偏光子の一方の方向
（同図中に矢印で示す方向１１１）と平行になるよう
に、ＳＳＦＬＣセルを配置することにより、状態Ａの場
合には光が透過されて明状態となり、状態Ｂの場合には
光が遮断されて暗状態となる。すなわち、印加電界の方
向を切り替えることによって、白黒の表示を行うことが
可能となる。

【０００９】ＳＳＦＬＣでは、自発分極と電場とが直接
相互作用するために、通常のネマティック液晶における
誘電異方性を用いたスイッチングとは異なって、電界に
対してミリ秒より速い数十〜数百マイクロ秒オーダーの
高速応答が可能である。また、ＳＳＦＬＣは、双安定状
態のいずれかに一旦スイッチすると、電界が消滅しても
その状態を保ついわゆるメモリ性を持つことから、常に
電圧を印加する必要はない。

【００１０】以上のように、ＳＳＦＬＣ型の液晶表示素
子は、高速応答性とメモリ性という特徴を利用すること
により、１走査線ごとに高速で表示内容を書き込んでゆ
くことができ、単純マトリクス駆動で大容量のディスプ
レイを実現することが可能となり、壁掛けテレビへの応
用も期待されている。

【００１１】こうした液晶表示素子の駆動方法は、米国
特許第４，６５５，５６１号や、米国特許第４，８３
６，６５６号に詳しく開示されている。

【００１２】又、こうした液晶表示素子の製造方法又は
液晶の配向技術は、米国特許第４，６３９，０８９号や
米国特許第４，７７８，２５９号、米国特許第５，１８
９，５３６号に詳しく開示されている。

【００１３】そして、上記表示素子に適した液晶材料
は、米国特許第４，６８１，４０４号、米国特許第４，
７１４，３２３号、米国特許第５，１２０，４６６号に
詳しく開示されている。

【００１４】また、ＦＬＣは、誘電率異方性が正のもの
と負のものとの２種類に分類することができ、誘電率異
方性の正負によって、スイッチング（配向状態の変化）
を生じさせる駆動電圧のパルス幅（τ）とパルス波高値
（Ｖ）との関係、すなわちτ−Ｖ特性が異なっているこ
とが多い。

【００１５】モノパルス印加時の理想的な駆動特性を例
にとると、ＦＬＣに印加される駆動パルスのパルス幅と
パルス波高値との組合せが、図３５（ａ）および（ｂ）
に示すしきい値特性曲線（τ−Ｖ曲線）よりも上の領域
に属する場合はスイッチングが起こる一方、上記特性曲
線よりも下の領域に属する場合はスイッチングは起こら
ない。例えば、正の誘電率異方性を有するＦＬＣにおい
て、同図（ａ）に示す一定のパルス幅τ₁を持つ駆動パ
ルスが印加されたとすると、この駆動パルスのパルス波
高値が同図（ａ）に示すＶ_off（Ｖ_off＝Ｖ_th−Ｖ_d）の
場合はスイッチングが起こらず、Ｖ_on（Ｖ_on＝Ｖ_th＋Ｖ
_d）の場合にスイッチングが起こる。

【００１６】同図（ａ）および（ｂ）を比較することか
ら明らかなように、正の誘電率異方性を有するＦＬＣで
は、駆動パルスのパルス波高値が高くなるほどスイッチ
ングに必要なパルス幅は単調に小さくなってゆく。これ
に対して、負の誘電率異方性を有するＦＬＣでは、スイ
ッチングに必要なパルス幅が極小値（τ_min）となるパ
ルス波高値（Ｖ_min）が存在するといういわゆるτ−Ｖ
_min特性を有すると共に、このＶ_minを境として低電圧側
よりも高電圧側におけるグラフの勾配が急峻となる。

【００１７】このため、負の誘電率異方性を有するＦＬ
Ｃにおいては、同図（ｂ）に示す一定のパルス幅τ₂を
持つ駆動パルスが印加されたとすると、この駆動パルス
のパルス波高値が同図（ｂ）に示すＶ_off1（Ｖ_off1＝Ｖ
_th1−Ｖ_d）あるいはＶ_on2（Ｖ_on2＝Ｖ_th2＋Ｖ_d）の場合
はスイッチングが起こらず、Ｖ_on1（Ｖ_on1＝Ｖ_th1＋
Ｖ_d）あるいはＶ_off2（Ｖ_off2＝Ｖ_th2＋Ｖ_d）の場合に
スイッチングが起こる。

【００１８】つまり、負の誘電率異方性を有するＦＬＣ
は、上記のＶ_off1およびＶ_on1の関係のように、選択期
間に画素に印加される非書き込み電圧（ＦＬＣがスイッ
チングを起こさないパルス波高値）が書き込み電圧（Ｆ
ＬＣがスイッチングを起こすパルス波高値）よりも低く
なるような駆動パルスによる低電圧駆動法と、この逆
に、上記のＶ_off2およびＶ_on2の関係のように、非書き
込み電圧が書き込み電圧よりも高くなるような高電圧駆
動法とによって駆動することができる。

【００１９】なお、前記したように、Ｖ_minよりも高電
圧側のグラフ勾配が急峻であることから、高電圧駆動法
は、非書き込み電圧に対する応答速度と書き込み電圧に
対する応答速度との差が大きいため、単位パルス幅（ス
ロット時間）の許容範囲を広くとることができるという
利点を有している。

【００２０】こうしたＶ_min，τ_minを示す液晶材料を用
いた表示装置は、特開平１−２１４８２４号、特開平１
−２１４８２５号、特開平１−２２２２２８号に詳しく
開示されている。

【００２１】又、特開平９−１２７４８３号には、上記
液晶材料を用いた表示素子の駆動法が記載されている。
この駆動法は比較的広い範囲の温度条件下で良好な表示
特性を示すものの未だ不充分なものである。

【００２２】一方、特開平８−１０１３７２号には、温
度条件に応じて画素に印加される電圧とパルス幅を、温
度上昇に伴って電圧の変化の割合が大きくなり且つ電圧
波高値が低くなるように制御し、温度の上昇に伴ってパ
ルス幅の変化の割合が小さくなり且つパルス幅が小さく
なるように制御する駆動信号の温度補償方法が記されて
いる。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来のカ
イラルスメクチック液晶を用いた電気光学装置では、印
加電圧のパルス幅及び電圧波高値を、温度が数℃変化す
る毎に細かく変更しなければならず、電気光学素子を駆
動する駆動回路の設計や駆動回路を制御する制御回路の
設計を複雑にし、高コスト化の原因となっていた。特に
低温条件下では、一水平走査期間が長くなり過ぎて、低
フレーム周波数によるフリッカ発生という問題も生じて
くる。

【００２４】比較的、温度による駆動への影響が少ない
τ−Ｖ_min特性を有する液晶の場合は、米国特許第４，
９０２，１０７号に記されているような、ＡＣ電圧を、
その周波数を温度に応じて変えながら、印加するという
方法を試みたが、この方法も上記設計の複雑化、高コス
ト化を解決出来る手法とは云い難い。

【００２５】更には、温度によってコントラストが変動
するという新たな解決すべき技術課題があった。

【００２６】本発明は、駆動回路や制御回路の設計が容
易で低コストで製造出来る電気光学装置を提供すること
にある。

【００２７】本発明の別の目的は、温度が変動してもそ
れに応じて発生し得るコントラスト変化を抑制すること
ができる電気光学装置を提供することにある。

【００２８】本発明の他の目的は、幅広い範囲の温度条
件下で良好な表示を行い得る電気光学装置を提供するこ
とにある。

【００２９】

【課題を解決するための手段】本発明は、走査電極群と
情報電極群とを有する一対の基板と該基板間に配された
カイラルスメクチック液晶とを有する電気光学素子と、
該走査電極群に走査選択信号を供給する走査電極駆動回
路と、該情報電極群に情報信号を供給する情報電極駆動
回路と、を有する電気光学装置において、該走査選択信
号の供給期間を温度情報に応じて変更するように該走査
電極駆動回路を動作せしめるとともに、該情報信号の電
圧を温度情報に応じて変更するように該情報電極駆動回
路を動作せしめる手段を有することを特徴とする。

【００３０】

【発明の実施の形態】図１は、本発明に用いられる各種
信号波形を示す。ここでは、走査非選択信号の電位を基
準に示している。

【００３１】消去信号Ｓ_eは、一水平走査期間に先立っ
て選択される走査電極上の画素の表示状態を明又は暗に
リセットする為の走査電極に供給される信号である。

【００３２】走査選択信号Ｓ_sは、選択された走査電極
に供給される波形を示しており、基準電圧からなる前半
部分と電圧波高値Ｖ_sとパルス幅τの正のパルスからな
る後半部分からなる。

【００３３】走査非選択信号Ｓ_nは、選択されていない
走査電極に供給される波形を示しており、一水平走査期
間（１Ｈ）中基準電圧となっている。

【００３４】書き込み用情報信号Ｉ_wは、走査選択信号
Ｓ_sと協働して選択された画素に印加される合成波形Ｖ_w
を生成する為の信号であり、情報電極に供給される。

【００３５】非書き込み用情報信号Ｉ_nは、走査選択信
号Ｓ_sと協働して画素に印加される非書き込み用合成波
形Ｖ_nを生成する為の信号であり、情報信号に供給され
る。

【００３６】２つの情報信号Ｉ_w，Ｉ_nは表示すべき画像
情報に応じて、互いに排他的に選択されて情報電極に供
給される。例えば、選択された画素を明状態にする場合
には情報信号Ｉ_wを用い、暗状態にする場合にはＩ_nを用
いる。

【００３７】本発明の特徴の１つは、（必要に応じて、
情報信号によって定められる一水平走査期間を一定と
し、）走査選択信号の供給期間を変化させることにあ
る。即ち、図１の例では、正のパルスのパルス幅を変化
させてパルスの立ち下がりタイミングを次の一水平走査
期間（１Ｈ₂）終了時まで遅くすることが出来るように
なっている。

【００３８】この供給期間の長さを、温度に応じて変更
することにより、広い範囲の温度条件下でも良好な表示
を行うことが出来る。

【００３９】具体的には、後述するように、温度が比較
的高い条件下では、パルス巾を短くして、パルスの立ち
下がりを水平走査期間１Ｈ₁の終了と同期させる。

【００４０】一方、温度が比較的低い条件下ではパルス
巾を長くして、パルスの立ち下がりが次の水平走査期間
（１Ｈ₂）の終了と同期させる。

【００４１】加えて、本発明のもう１つの特徴点は、情
報信号の電圧（波高値）｜Ｖ_d｜を温度に応じて変化さ
せることである。

【００４２】これにより選択されていない走査電極上の
画素（非選択画素）に印加される合成信号の波高値｜Ｖ
_d｜が温度に応じて変化する。

【００４３】又、同時に書き込み用及び非書き込み用の
合成信号の波高値も温度に応じて変化する。

【００４４】図１では走査選択信号Ｓ_sの正パルスの幅
を１Ｈ₁の１．５倍とし且つ次の水平走査期間１Ｈ₂にお
ける情報信号が前の水平走査期間１Ｈと反対である場合
の波形を併せて破線で示している。このように走査選択
信号Ｓ_sの正パルスが次の水平走査期間１Ｈ₂に及んでも
クロストークは生じない。

【００４５】合成信号Ｖ_w，Ｖ_nに着目するに、水平走査
期間の前半のパルスが正であるか負であるか及びそれに
続く後半のパルス波高値が小さいか大きいかの組み合わ
せによって、液晶の反転（スイッチング）と非反転（非
スイッチング）を選択できる。本発明においては前半と
後半の比は同図のように１対１とすること以外に１対２
や１対３であってもよい。

【００４６】これは、用いる液晶がτ−Ｖ_min特性を有
するからである。

【００４７】（駆動波形によるスイッチング制御）図２
は、負の誘電率異方性を示す液晶材料の駆動特性曲線の
一例である。

【００４８】ＣＨ０は、一対の電極間に負の誘電率異方
性を示す液晶を配し、その電極間に図１の走査選択信号
Ｓ_sと同じ単純な矩形の電圧パルスを印加した時のしき
い値を示す特性曲線であり、ＣＨ１は図１の書き込み用
合成信号Ｖ_wと同じ信号を印加した時のしきい値を示す
特性曲線、ＣＨ２は図１の非書き込み合成信号Ｖ_nと同
じ信号を印加した時のしきい値を示す特性曲線である。
いずれもパルス幅τがある電圧波高値Ｖ_sにおいて極小
値（最小値）をとる為、このような特性をτ−Ｖ_min特
性という。それぞれの特性曲線ＣＨ０，ＣＨ１，ＣＨ２
より上方となる領域にあたるパルス幅と電圧の信号を与
えると、液晶はスイッチングを生じ、下方となる領域に
あたるパルス幅と電圧の信号を与えると液晶はスイッチ
ングしない。

【００４９】つまり、印加する信号の波形を変えること
で、しきい値を満足するパルス幅と電圧の値が変化する
ことを示している。

【００５０】例えば点ＰＡに相当するパルス幅と電圧と
を有する波形Ｖ_wを与えた場合には、特性曲線ＣＨ１の
上方領域に点ＰＡが存在する為、液晶はスイッチングす
る。

【００５１】しかしながら、波形Ｖ_nの場合には、点Ｐ
Ａを満たすパルス幅及び電圧の信号を与えても液晶はス
イッチングしない。なぜなら点ＰＡは特性曲線ＣＨ２の
下方領域にある為である。

【００５２】従って、ある画素の光学状態を定めるべ
く、画素の液晶をスイッチングさせる時に、特性曲線Ｃ
Ｈ１を示す信号を用い、スイッチングさせない時に特性
曲線ＣＨ２を示す信号を用い、更に図２中のハッチング
で示した領域の中から各信号のパルス幅と電圧を選ぶこ
とにより、液晶のスイッチングを制御することが出来
る。

【００５３】一方、図３は、正の誘電率異方性を示す液
晶材料の駆動特性曲線の一例である。

【００５４】ＣＨ０’は、一対の電極間に正の誘電率異
方性を示す液晶を配し、その電極間に図１の走査選択信
号Ｓ_sと同じ単純な矩形の電圧パルスを印加した時のし
きい値を示す特性曲線であり、ＣＨ１’は図１の書き込
み用合成信号Ｖ_wと同じ信号を印加した時のしきい値を
示す特性曲線、ＣＨ２’は図１の非書き込み合成信号Ｖ
_nと同じ信号を印加した時のしきい値を示す特性曲線で
ある。それぞれの特性曲線ＣＨ０’，ＣＨ１’，ＣＨ
２’より右上方となる領域にあたるパルス幅と電圧の信
号を与えると、液晶はスイッチングを生じ、左下方とな
る領域にあたるパルス幅と電圧の信号を与えると液晶は
スイッチングしない。

【００５５】つまり、印加する信号の波形を変えること
で、しきい値を満足するパルス幅と電圧の値が変化する
ことを示している。

【００５６】例えば点ＰＢに相当するパルス幅と電圧と
を有する波形Ｖ_wを与えた場合には、特性曲線ＣＨ１’
の左下方領域に点ＰＢが存在する為、液晶はスイッチン
グしない。

【００５７】しかしながら、波形Ｖ_nの場合には、点Ｐ
Ｂを満たすパルス幅及び電圧の信号を与えると液晶はス
イッチングを生じる。なぜなら点ＰＢは特性曲線ＣＨ
２’の右上方領域にある為である。

【００５８】従って、ある画素の液晶をスイッチングさ
せる時に、特性曲線ＣＨ２’を示す信号を用い、スイッ
チングさせない時に特性曲線ＣＨ１’を示す信号を用い
れば、図３中のハッチングで示した領域の中から各信号
のパルス幅と電圧を選ぶことが出来る。

【００５９】信号波形Ｖ_w，Ｖ_nのパルス幅及び電圧を定
める場合、図２の特性であれば、電圧Ｖ₁₁を選んだ時、
パルス幅はτ₁₁〜τ₁₂の広い範囲から選ぶことが出来
る。

【００６０】一方、図３の特性の場合には、電圧Ｖ₁₁を
選んだ時のパルス幅の選択可能範囲はτ₁₃〜τ₁₄の狭い
範囲となる。

【００６１】つまり、画素を画像情報に応じてスイッチ
ング又は非スイッチングさせ得る駆動条件の選択範囲
（マージン）は図２の特性を示す液晶の方が大きいこと
になる。

【００６２】このように、図２の特性は印加電圧波形依
存性を顕著に示すので、本発明に好適に用いられる。

【００６３】（走査選択信号のパルス幅変調による温度
補償）前述したマージンは温度によって変化する為に、
まず走査選択信号の正パルスのパルス幅を温度に応じて
変調しなければならない。

【００６４】図４は、本発明に用いられる電気光学素子
としての液晶素子の一画素部を拡大して示している。

【００６５】１ａ，１ｂはガラス等の透明基板、２ａ，
２ｂはＩＴＯ等の透明導電膜、３ａ，３ｂはマージンを
広げる為に必要に応じて設けられる絶縁膜、４ａ，４ｂ
は配向膜であり、好ましくは、カイラルスメクチック液
晶がＵ２ユニフォーム配向したシェブロン層構造が得ら
れるように上下の配向膜４ａ，４ｂをほぼ同一方向にラ
ビングされたものを用いるとよい。

【００６６】５は強誘電性を示すカイラルスメクチック
液晶である。

【００６７】不図示ではあるが、図４の素子に偏光素子
を組み合わせることにより、液晶分子の配向状態（安定
状態）に応じて光を透過又は遮断できる。

【００６８】カイラルスメクチック液晶のシェブロン層
構造にはＣ１ユニフォーム配向状態とＣ２ユニフォーム
配向状態の２つがある。

【００６９】ユニフォーム状態においては、その光学的
性質からみてダイレクタが上下基板間でねじれていない
と考えられる。図５の（Ａ）はＣ１配向の各状態におけ
る基板間の各位置でのダイレクタの配置を示す摸式図で
ある。図中、５１〜５４は各状態においてダイレクタを
コーンの底面に投影し、これを底面方向から見た様子を
示しており、５１および５２がスプレイ状態、５３およ
び５４がユニフォーム状態と考えられるダイレクタの配
置である。同図から分かるとおり、ユニフォームの２状
態５３と５４においては、上下いずれかの基板界面の液
晶分子の位置がスプレイ状態の位置と入れ替わってい
る。図５の（Ｂ）は、Ｃ２配向を示しており、５５，５
６は界面のスイッチングはなく、内部のスイッチングで
２状態があるＣ２スプレイ状態である。Ｃ２配向につい
ては米国特許第４，９３２，７５８号、第５，２００，
８４８号に詳しく記されている。

【００７０】本発明においては、このようなＣ２配向の
中でも特にＩＤＷ９７，ＰＰ．２６９−２７２に記され
ているようにＣ２ユニフォーム状態５７，５８を用いる
ことが好ましい。

【００７１】図６は、本発明の電気光学装置を示してお
り、図４に示したような断面構造の画素を有する単純マ
トリクス型の液晶素子１０を有している。

【００７２】液晶素子１０は、その走査電極群１１に接
続された走査電極駆動回路１３と、その情報電極群１２
に接続された情報電極駆動回路１４によって駆動され
る。

【００７３】駆動電圧発生回路１５は、液晶素子１０の
各電極に印加される電圧を生成する為の所定の電位の電
圧を発生し、駆動回路１３，１４に供給する。

【００７４】１６は制御回路であり、各駆動回路１３，
１４の内部にあるスイッチをオン／オフさせる為の信号
を供給する。

【００７５】又、制御回路１６は駆動電圧発生回路１５
が発生する電圧レベルを変更する為の信号を該回路１５
に供給する。

【００７６】更に、液晶素子１０に接して、又はその近
くに配置された温度センサー１７或いは液晶素子１０に
一体的に設けられた温度センサからの温度情報に応じ
て、制御回路は回路１５の出力電圧レベルや駆動回路１
３，１４内のスイッチのオン／オフのタイミングを制御
して図１に示したような波形を駆動回路１３，１４が出
力するように、駆動回路１３，１４及び回路１５の動作
を制御する。こうして、液晶素子１０はマルチプレキシ
ング駆動（マトリクス駆動）がなされて、各画素は走査
電極毎にノンインターレース走査される。

【００７７】図７は本発明の走査電極駆動回路を、図８
はその動作タイミングチャートを示す図であり、説明を
容易にする為に２つの出力端子に係る部分のみ示してい
る。

【００７８】論理回路ＬＧ１，ＬＧ２は電源電圧Ｖｃｃ
より電力を供給されて動作し、クロックＣＬＫ、スター
トパルスＳＴＰ、温度補償コントロール信号ＴＣＮＴに
よりコントロールされる。

【００７９】スタートパルスＳＴＰが入力され温度補償
コントロール信号ＴＣＮＴ１としてハイレベルのパルス
が供給されると回路ＬＧ１は端子φ₁ よりハイレベルの
パルスを出力する。スイッチＳＷ₁₁がオンして消去信号
となる電圧Ｖｅが出力端子Ｓ１より一本目の走査電極に
供給される。この時、ＮＯＲゲートＮＯＲ１の出力はロ
ーとなりスイッチＳＷ₁ はオフする。又、論理回路ＬＧ
２の端子φ₂の出力及び論理回路ＬＧ２の端子φ₁₁，φ
₁₂の出力はいずれもローレベルの為、スイッチＳＷ₁₂，
ＳＷ₂₁，ＳＷ₂₂もオフである。

【００８０】次にコントロール信号ＴＣＮＴ１が再びハ
イレベルとなり端子φ₂ の出力がハイレベルになり、ス
イッチＳＷ₁₂がオンし、消去信号となる電圧Ｖｅが出力
端子Ｓ２より二本目の走査電極に供給される。端子φ₁
の出力がローレベルになると、ＮＯＲゲートＮＯＲ１の
出力はハイレベルになりスイッチＳＷ₁ がオンして、出
力端子Ｓ１には走査非選択信号となる電圧Ｖｃが供給さ
れる。

【００８１】次に端子φ₂ の出力がローレベルになると
ＮＯＲゲートＮＯＲ２の出力はハイレベルになり、スイ
ッチＳＷ₂ がオンして、出力端子Ｓ２から走査非選択信
号となる電圧Ｖｃが供給される。

【００８２】こうして、消去電圧Ｖｅを供給してから所
定期間経過後、論理回路ＬＧ２の端子φ₁₁よりハイレベ
ルのパルスが出力されスイッチＳＷ₂₁がオンして電圧Ｖ
ｓの走査選択信号が出力端子Ｓ１より出力され、一本目
の走査電極に供給される。この時ＮＯＲゲートＮＯＲ１
の出力はローレベルの為スイッチＳＷ₁ はオフになる。
又、端子φ₁の出力もローレベルのままであるので、ス
イッチＳＷ₁₁もオフのままである。

【００８３】同様に端子φ₁₂よりハイレベルのパルスが
出力され、スイッチＳＷ₂₂がオンして二本目の走査電極
に電圧Ｖｓが供給される。電圧Ｖｓの供給期間は温度補
償コントロール信号ＴＣＮＴ２のパルスタイミングによ
り制御される。

【００８４】非選択期間はスイッチＳＷ₁ ，ＳＷ₂ のみ
オンしているので、走査電極は電圧Ｖｃレベルに保持さ
れる。

【００８５】図８はクロックＣＬＫ、温度補償コントロ
ール信号ＴＣＮＴ１、ＴＣＮＴ２，端子φ₁ ，φ₂ ，φ
₁₁，φ₁₂の出力とゲートＮＯＲ１，ＮＯＲ２の出力のタ
イミングを示している。ＴＣＮＴ１にハイレベルのパル
スが供給されるタイミングで端子φ₁ ，φ₂ の出力が立
ち上がるタイミングと、端子φ₁₁，φ₁₂の出力パルスが
立ち上がるタイミングが決まる。ＴＣＮＴ２へのハイレ
ベルパルスの供給タイミングで端子φ₁₁，φ₁₂の出力パ
ルスの立ち下がりタイミングが決まる。

【００８６】こうして、パルス巾が図中矢印のように温
度に応じて変調されて温度補償が出来る。

【００８７】以上詳細したとおり本発明において、温度
センサ１７からの情報に応じて入力されるコントロール
信号ＴＣＮＴ１，２に従って、スイッチＳＷ₁₁，Ｓ
Ｗ₁₂，ＳＷ₂₁，ＳＷ₂₂がそれぞれオンする期間（オン期
間）が制御される。

【００８８】図９は本発明に用いられる電圧変調用の温
度補償回路である。

【００８９】サーミスターのような温度センサ１７から
の温度情報はアナログデジタルコンバーター１７ａでデ
ジタルデータに変換されて制御回路１６に送られる。

【００９０】制御回路１６内では、デジタル化された温
度情報をＲＯＭ内に格納されている温度補償テーブルの
値と比較し、対応する電圧データをデジタル値で出力す
る。

【００９１】駆動電圧発生回路１５内のデジタルアナロ
グコンバータ１５ａが温度情報に基づいて決められたデ
ジタル電圧データを電圧変調されたアナログ電圧データ
に変換する。

【００９２】駆動電圧発生回路１５内の比較器１５ｂ
は、アナログ電圧データと基準電圧Ｖｐｗを入力し、そ
の差分を増幅し、情報信号Ｉ_w，Ｉ_nの電圧波高値を定め
る。こうして得られた液晶素子駆動用の基準電圧はバッ
ファアンプ１５Ｃを介して走査電極駆動回路に出力され
る。

【００９３】本発明においては、温度センサ１７からの
出力に従って、論理回路の出力端子に出力されるハイレ
ベルのパルスのパルス幅を変えることによりスイッチが
それぞれオンする期間（オン期間）が制御される。例え
ば、高温では、端子φ₁₁，φ₁₂からオーバーラップしな
いハイレベルのパルスが時系列的に順次出力され、低温
ではオーバーラップするハイレベルのパルスが順次出力
される。

【００９４】従来の温度補償法では、幅広い可変幅の電
圧に対応する為にスイッチにスイッチング動作範囲の広
いＣＭＯＳトランスミッションゲートを用いていたが、
本発明によれば、可変幅を数ボルト又は０ボルトに狭く
できるので、単極性のユニポーラトランジスタのみでス
イッチを構成することも可能となる。

【００９５】図１０は、本発明に用いられる温度により
変調される駆動波形を示している。電位関係は、Ｖ１＞
Ｖ３＞ＶＣ＞Ｖ４＞Ｖ２であり、｜Ｖ１−Ｃ_c｜＞｜Ｖ
２−Ｃ_c｜，｜Ｖ２−Ｃ_c｜＞｜Ｖ３−Ｃ_c｜，｜Ｖ３−
Ｃ_c｜＝｜Ｖ４−Ｃ_c｜である。

【００９６】駆動波形Ａは液晶素子の温度が高温（Ｔ
Ｈ）の時に用いられる波形である。

【００９７】まず、ある走査電極上の画素の表示状態を
定める水平走査期間（１Ｈ）の前に電圧Ｖ２、パルスΔ
Ｔｒの消去用の負のパルスＳ_Eを走査電極に供給する。
この時、画素には、情報信号がＩ_wであるかＩ_nであるか
に係りなく、画素の液晶を一方の配向状態にそろえるに
十分なパルス幅と電圧をもつ合成波形Ｖ_E，Ｖ_E’が印加
される。こうしてパルスＳ_Eが供給される予定の走査電
極上の全ての画素は暗（又は明）状態にリセットされ
る。

【００９８】次いで所定期間経過後、ある水平走査期間
１Ｈ₁中に走査選択信号Ｓ_sが走査電極に供給され、これ
に同期して情報信号Ｉ_w又はＩ_nが情報電極に供給され
る。

【００９９】リセットされた状態の画素の液晶をスイッ
チングさせる為の情報信号Ｉ_wとの合成信号Ｖ_wは、水平
走査期間１Ｈ₁前半で電圧Ｖ３の小パルスと、その後半
の電圧（Ｖ１−Ｖ３）の大パルスを含む信号である。

【０１００】リセットされた状態の画素の液晶をスイッ
チングさせない為の情報信号Ｉ_nとの合成信号Ｖ_nは、電
圧Ｖ４（＜０）の負の小パルスとそれに続く電圧（Ｖ１
−Ｖ４）の正の大パルスを含む。

【０１０１】この時、各合成信号Ｖ_w，Ｖ_nのパルス幅、
波高値を、用いる液晶の特性に応じて、図２，３で示し
たマージンの中から選択すれば画素のスイッチングを制
御できる。

【０１０２】駆動波形Ｂは、中温（ＴＭ）の時に用いら
れる波形である。駆動波形Ａとの違いは、走査選択信号
Ｓ_sの正パルスの立ち下がりが遅れて、パルス巾が２倍
になっている点である。従って、次の水平走査期間１Ｈ
₂に画素に印加される合成波形が、駆動波形Ａの場合と
相違している。次の水平走査期間１Ｈ₂の前半のパルス
の電圧がＶ１−Ｖ４となるかＶ１−Ｖ３となるかは、次
の水平走査期間１Ｈ₂に供給される情報信号に依存す
る。同様に次の水平走査期間１Ｈ₂の後半のパルスの電
圧がＶ３となるかＶ４となるかも期間１Ｈ₂に供給され
る情報信号に依存する。

【０１０３】但し、いずれの場合でも画素のスイッチン
グは駆動波形Ａの場合と同様に良好に制御可能となって
いる。

【０１０４】駆動波形Ｃは、低温（ＴＬ）の時に用いら
れる波形である。駆動波形Ｂとの違いは、走査選択信号
Ｓ_sの正パルスの立ち下がりが更に遅れてパルス巾が、
駆動波形Ａの走査選択信号Ｓ_sの正パルスの３倍になる
点である。

【０１０５】図１１は、τ−Ｖ特性の温度依存性を示
す。

【０１０６】駆動波形Ａの場合の走査選択信号の電圧Ｖ
１を最小値τ_minとなりうるＶ₂₁と定めた時、液晶素子
の温度が高温の場合のパルス幅選択範囲（マージン）は
Ｔ_２１〜Ｔ_２２であり、中温、低温になるに従ってパル
ス幅マージンは広くなるが、パルス幅自体も大きくなっ
ている。

【０１０７】図１２は、同様に駆動波形Ｂの場合のτ−
Ｖ特性の温度依存性を示す。

【０１０８】図１３は、駆動波形Ｃの場合のτ−Ｖ特性
の温度依存性を示している。

【０１０９】図１１，１２，１３に示したような特性を
基にして、横軸に温度を縦軸に走査選択信号Ｖ１をＶ２
１に固定した時に選択可能なパルス幅をプロットしたグ
ラフを図１４に示す。

【０１１０】パルス幅ΔＴｄをτ₃₀と固定し、高温条件
下では駆動波形Ａを用い、中温条件下では駆動波形Ｂ
を、低温条件下では駆動波形Ｃを用いることによって最
高温のＴＭＰ１〜最低温のＴＭＰ４までの温度範囲内で
確実に画素のスイッチング又は非スイッチングを定める
ことが出来る。

【０１１１】具体的には、温度ＴＭＰ１〜ＴＭＰ２の高
温領域では、駆動波形Ａを用い、温度ＴＭＰ２〜ＴＭＰ
３の中温領域では駆動波形Ｂを用い、温度ＴＭＰ３〜Ｔ
ＭＰ４の低温領域では駆動波形Ｃを用いるとよい。

【０１１２】又、この特性を示す液晶素子の場合は、駆
動波形Ｂによるマージンと駆動波形Ｃによるマージンの
重なり部分が大きい為、駆動波形ＢとＣの切替えは温度
ＴＭＰ５を境界値としてもよい。

【０１１３】図１５は複数の走査電極（ｎ１〜ｎ５）に
供給される信号と複数の情報電極（ｍ１〜ｍ３）に供給
される信号のタイミングと、それらの電極の交点にある
画素の表示状態を模式的に描いている。

【０１１４】図１５は高温時に用いられる信号、図１６
は中温時に用いられる信号、図１７は低温時に用いられ
る信号である。

【０１１５】ここでは走査電極５本分の信号しか示して
いないが、実際には１００本〜１００００本程になる
為、４つの走査電極に順次走査選択信号Ｓ_sが供給され
ている時同時に他の走査電極に消去信号Ｓ_eが供給され
ることになる。

【０１１６】図の例では消去信号Ｓ_eのパルス幅は一水
平走査期間の４倍となっているが、その期間に消去がな
されるのであれば、その長さには制限はない。好ましく
は一水平走査期間より長い期間、具体的には一水平走査
期間の２倍乃至６倍にするとよい。又、消去信号のパル
ス幅は、走査選択信号Ｓ_sのパルス幅に応じて変化させ
１フレーム期間中に画素に印加されるＤＣ成分を抑制す
ることが好ましいものである。

【０１１７】そして、本発明においては、情報信号
Ｉ_w，Ｉ_nの電圧レベルを温度に応じて変化させることに
より、画素の非選択期間におけるコントラスト変化を抑
制する。こうして表示画像のコントラストは、温度が変
化しても変動し難くなる。

【０１１８】このような走査信号と情報信号とにより多
数の画素をもつ液晶素子がマルチプレキシング駆動（マ
トリクス駆動）される。

【０１１９】図の例では単位パルス幅ΔＴ_dを一定とし
た例を示している。

【０１２０】パルス幅ΔＴｄを一定にするということ
は、一水平走査期間即ち一本の走査電極が選択されてい
る期間が一定となりフレーム周波数が常に一定となる。
従って、単位パルス幅を１５μｓｅｃ．程度に小さく出
来るなら、走査電極の数が５００本であっても全走査電
極の選択が完了するまでの期間即ち１フレーム走査期間
は１５ｍｓｅｃとなりフレーム周波数は約６７Ｈｚとな
る。よって、動画の大画面表示が非常に容易になる。

【０１２１】図１８は、ヘキスト社製の強誘電性液晶
「ＦＥＬＩＸ０１６／０３０」を用いた液晶素子に図
１に示したような情報信号と走査非選択信号を印加した
時の見かけのチルト角の温度依存性を示している。

【０１２２】図より明らかなように印加されるパルスに
よる液晶分子のゆらぎに起因して見かけのチルト角は温
度の上昇と共に小さくなっている。

【０１２３】そして、液晶素子のマルチプレキシング駆
動の場合、１フレーム期間中に、選択されていない期間
が占める割合はほとんどである。

【０１２４】従って、走査選択信号のパルス幅を温度に
応じて変調し画素のスイッチングを制御出来たとして
も、表示画像のコントラストまでは補償出来ない。

【０１２５】そこで、本発明では温度に応じて情報信号
の電圧を変調することによって、非選択期間におけるみ
かけのチルト角の大きさの変化を抑制する。

【０１２６】図１９は温度２５℃の時上記液晶素子に印
加する情報信号の電圧とみかけのチルト角との関係を示
している。

【０１２７】図より明らかなように情報信号の電圧波高
値を大きくするに伴い、見かけのチルト角の大きさも大
きくなる。

【０１２８】図２０は見かけのチルト角の温度及び電圧
依存性を示す。同図の特性に従えば、温度が１０℃の
時、情報信号の波高値を４Ｖとし、温度が４０℃の時、
情報信号の波高値を５．２Ｖとし、１０℃〜４０℃の間
では４．０Ｖ〜５．２Ｖまで連続的又は断続的に温度上
昇と共に波高値を大きくする。

【０１２９】こうすれば、見かけのチルト角は温度が１
０℃〜４０℃の範囲内で変化したとしても、約１５．５
度に保持される。

【０１３０】（実施例１）前出の図４に示すような構成
の液晶素子を作製する方法について述べる。

【０１３１】２枚のガラス基板上にそれぞれスパッタリ
ング法により厚さ７０ｎｍの酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）膜を形成し、その後、スパッタリング法により厚さ
１２０ｎｍの酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₃）膜を形成した。

【０１３２】この２枚の基板の酸化タンタル膜上にポリ
イミドの前駆体であるポリアミック酸ＬＰ−６４（東レ
（株）製）のＮＭＰ（Ｎメチルピロリドン）：ｎ−ＢＣ
（ｎ−ブチルセロソルブ）混合溶液をスピンコートし
た。塗布溶液はＮＭＰ：ｎ−ＢＣ＝２：１の混合溶媒に
ＬＰ−６４を１重量％となるように調整し、スピン条件
は、４５回転／秒で２０秒行った。

【０１３３】この基板を、８０℃のオーブン中で５分
間、溶媒乾燥を行った後、２００℃のオーブン中で１時
間の加熱焼成を行いイミド化した。得られたポリイミド
膜は約１０ｎｍの厚さで、この膜をラビング処理して配
向膜とした。ラビングは、直径１０ｃｍのローラーに巻
き付けたナイロン製の布を用い、１６．７回転／秒、配
向膜表面に対する布の押し込み０．４ｍｍ、基板の送り
速度１０ｍｍ／秒で、同じ方向に二回（片道）のラビン
グを行った。

【０１３４】その後、この基板表面に平均粒径１．２μ
ｍのシリカビーズを０．００８重量％で分散させたＩＰ
Ａ（イソプロピルアルコール）溶液を、２５回転／秒で
１０秒間の条件でスピン塗布し、分布密度３００個／ｍ
ｍ²程度のビーズスペーサを散布した。

【０１３５】以上のようにして得られた二枚の基板をラ
ビング方向が互いに同じ向きとなるように対向して貼り
合わせ、周辺部を熱硬化性樹脂でシールし、１５０℃の
オーブン中で９０分間熱硬化させ、セルとした。

【０１３６】このセルに、ヘキスト社製の誘電率異方性
が負の強誘電性液晶「ＦＥＬＩＸ−０１６／０３０」
（商品名）を減圧下（１０Ｐａ）、等方相温度（１００
℃）で注入し、Ｓｍ^*Ｃ相まで徐冷することにより液晶
素子とした。

【０１３７】この液晶に単純な矩形パルスを印加した時
のτ−Ｖ特性を図２１に示す。

【０１３８】又、この液晶の相移転系列の他のデータを
図２２に示す。

【０１３９】こうして得られた液晶素子に図２３に示し
たような駆動波形Ｄ〜Ｆを用いて駆動した。この波形は
温度に応じて走査選択信号Ｓ_Sの正のパルス電圧Ｖ１を
温度が上昇するに従って大きくなるように変化させてい
る。又、液晶に印加されるＤＣ成分を抑制する為に消去
信号のパルス巾を走査選択信号Ｓ_Sの正のパルスの巾の
変化に応じて変化させる。

【０１４０】図２４は図２３中の各パルスの波高値Ｖ
１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，ＶＣの値と温度の関係を示して
いる。Ｖ１，Ｖ２，ＶＣは使用条件下の全温度範囲にお
いて一定である。Ｖ３，Ｖ４は温度上昇とともにＶＣを
基準とした時の電圧波高値が大きくなっている。

【０１４１】図２５は図２３中の各パルス幅ΔＴｒ，Δ
Ｔｓ，１Ｈ，ΔＴｄの値と温度の関係を示している。Δ
Ｔｒは消去パルスのパルス幅であり、温度上昇と共にパ
ルス幅が短くなるように１１段階に変化させている。

【０１４２】ΔＴｓは走査選択信号Ｓ_sの正パルスのパ
ルス幅であり、温度上昇と共にパルス幅が短くなるよう
に１１段階に変化させている。

【０１４３】一水平走査期間（１Ｈ）と情報信号の単位
パルス幅（ΔＴｄ）は全温度範囲内で一定である。

【０１４４】図２６は本例の液晶素子のτ−Ｖ特性の温
度依存性を示す。この特性は駆動波形として図２３の駆
動波形Ｄを用いた場合である。

【０１４５】温度が高温になるにつれてパルス幅ΔＴｄ
のしきい値の最小値は低下している。

【０１４６】従って、この波形は低温下の駆動よりも高
温下の駆動に適している。

【０１４７】図２７は１０℃の時の各駆動波形Ｄ〜Ｆに
よるτ−Ｖ特性を示している。

【０１４８】１０℃のような低温条件下では、駆動波形
Ｆが最適であることがわかる。

【０１４９】温度条件を細かく変化させながら各駆動波
形毎にパルス幅を最小にし得る駆動電圧におけるパルス
幅の選択範囲を示したものが図２８である。

【０１５０】４０℃近傍の高温度条件下では駆動波形Ｄ
を用い、２５℃近傍の中温度条件下では駆動波形Ｅを用
い、１０℃近傍の低温度条件下では駆動波形Ｆを用いる
ことにより一水平走査期間（１Ｈ）を一定として、温度
に応じて情報信号電圧を１〜２Ｖの範囲内で可変にする
だけで、全温度範囲に亘って良好な表示を行うことが出
来る。

【０１５１】図２５の例ではΔＴｓの可変段階数を１１
段階としたが、駆動波形Ｄ〜Ｆの３段階としてもよい
し、更に液晶素子の使用温度範囲が狭い場合には、２段
階とすることもできる。

【０１５２】（実施例２）液晶素子には実施例１と同じ
素子を用い、駆動波形としては図２３の駆動波形Ｄと同
じ信号を用いた。

【０１５３】そして温度の変化とともに電圧Ｖ３，Ｖ
４、消去信号Ｓ_eのパルス幅ΔＴ_n，単位パルス幅ΔＴ_d
及び一水平走査期間１Ｈを変化させた。これらの関係を
図２９，３０に示す。

【０１５４】前出の実施例では一水平走査期間１Ｈを一
定としたが、本例では単位パルス幅ΔＴ_dの長さを変え
ることにより、可変とした。これに伴い走査選択信号の
正パルスの立ち下がりは一水平走査期間の終了時と常に
一致することになる。

【０１５５】図３１に実施例１，２におけるコントラス
トの温度依存性を示す。本発明の実施例によれば、コン
トラスト変化が抑制され良好に温度補償されていること
がわかる。これに対して、情報信号の電圧波高値を温度
に応じて変化させなかった場合は、低温及び高温下でみ
かけのチルト角が３０℃において最適化された偏光子の
光軸からずれる為にコントラストが低下する。更に低温
ではスイッチング速度の低下によって、又高温では、分
子のゆらぎによってコントラストの低下が助長されてい
る。

【０１５６】又、液晶の中にはヘキスト社製の強誘電性
液晶「ＦＥＬＩＸ−０１６／１００」のように温度が高
くなるにつれて、パルス幅τの極性が小さくなるととも
に、それに対応した電圧波高値も小さくなる特性を示す
材料もある。この一例のしきい値特性を図３２に示す。

【０１５７】このような液晶材料を用いる場合には、情
報信号のパルス波高値を温度が高くなるに従って小さく
するように制御することが望ましい。

【０１５８】

【発明の効果】本発明によれば、一水平走査選択期間の
可変範囲を小さくできるので、駆動回路や制御回路の設
計が容易になる。

【０１５９】又、温度に応じて変化させる電圧の可変範
囲が小さくてすむので、駆動回路内のスイッチが単純で
安価なトランジスタで構成出来るようになる。こうし
て、電気光学装置を低コストで製造できるようになる。

【０１６０】更には、低温条件下でも数十マイクロ秒で
一水平走査が行えるので動画等の表示特性が良好にな
る。加えて、温度変化によるコントラストの変動が抑制
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電気光学装置に用いられる電気光学素
子の駆動波形の一例を示す図。

【図２】本発明の電気光学装置に用いられる電気光学素
子のしきい値特性を示す図。

【図３】電気光学装置のしきい値特性の別の例を示す
図。

【図４】本発明に用いられる電気光学素子の構造を示す
図。

【図５】本発明に用いられる電気光学素子に用いられる
液晶分子の配向を説明する為の模式図。

【図６】本発明の電気光学装置の一例を示す図。

【図７】本発明の電気光学装置に用いられる走査電極駆
動回路の一例を示す図。

【図８】図７の回路の動作タイミングチャートを示す
図。

【図９】本発明の電気光学装置に用いられる駆動電圧の
温度補償回路を示す図。

【図１０】本発明の電気光学装置に用いられる電気光学
素子の駆動波形の別の例を示す図。

【図１１】本発明に用いられる電気光学素子のしきい値
特性を示す図。

【図１２】本発明に用いられる電気光学素子のしきい値
特性を示す図。

【図１３】本発明に用いられる電気光学素子のしきい値
特性を示す図。

【図１４】本発明の電気光学装置の駆動マージンの温度
依存性の一例を示す図。

【図１５】本発明に用いられる駆動波形の供給タイミン
グを示す図。

【図１６】本発明に用いられる駆動波形の供給タイミン
グを示す図。

【図１７】本発明に用いられる駆動波形の供給タイミン
グを示す図。

【図１８】見かけのチルト角の温度依存性を示す図。

【図１９】見かけのチルト角の情報電圧依存性を示す
図。

【図２０】見かけのチルト角の温度及び電圧依存性を示
す図。

【図２１】本発明に用いられる別の電気光学素子のしき
い値特性を示す図。

【図２２】本発明に用いられる液晶の相転移系列を示す
図。

【図２３】本発明に用いられる別の電気光学素子の駆動
波形の一例を示す図。

【図２４】本発明に用いられる各種信号の電圧変調の様
子を示す図。

【図２５】本発明に用いられる各種信号のパルス幅変調
の様子を示す図。

【図２６】本発明に用いられる電気光学素子のしきい値
特性を示す図。

【図２７】本発明に用いられる電気光学素子のしきい値
特性を示す図。

【図２８】本発明に用いられる電気光学素子のマージン
の温度依存性を示す図。

【図２９】本発明に用いられる各種信号の電圧変調の様
子を示す図。

【図３０】本発明に用いられる各種信号のパルス幅変調
の様子を示す図。

【図３１】コントラストの温度依存性を示す図。

【図３２】本発明に用いられる電気光学素子のしきい値
特性の別の例を示す図。

【図３３】カイラルスメクチック液晶の分子配向を説明
する為の模式図。

【図３４】強誘電性カイラルスメクチック液晶の配向を
説明する為の模式図。

【図３５】代表的な２種のカイラルスメクチック液晶を
用いた液晶素子のしきい値特性を示す図。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】走査電極群と情報電極群とを有する一対
の基板と該基板間に配されたカイラルスメクチック液晶
とを有する電気光学素子と、該走査電極群に走査選択信
号を供給する走査電極駆動回路と、該情報電極群に情報
信号を供給する情報電極駆動回路と、を有する電気光学
装置において、該走査選択信号の供給期間を温度情報に応じて変更する
ように該走査電極駆動回路を動作せしめるとともに、該
情報信号の電圧を温度情報に応じて変更するように該情
報電極駆動回路を動作せしめる手段を有することを特徴
とする電気光学装置。
【請求項２】走査電極群と情報電極群とを有する一対
の基板と該基板間に配されたカイラルスメクチック液晶
とを有する電気光学素子と、該走査電極群に走査選択信
号を供給する走査電極駆動回路と、該情報電極群に情報
信号を供給する情報電極駆動回路と、を有する電気光学
装置において、該情報信号により定められる一水平走査期間を一定とし
て、該走査選択信号の供給期間を温度情報に応じて変更
するように該走査電極駆動回路を動作せしめる手段と、非選択の画素に印加される電圧を温度情報に応じて変更
するように該情報電極駆動回路を動作せしめる手段と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】該カイラルスメクチック液晶はシェブロ
ン層構造を呈する請求項１又は２記載の電気光学装置。
【請求項４】該カイラルスメクチック液晶はＣ２配向
を呈する請求項１又は２記載の電気光学装置。
【請求項５】該カイラルスメクチック液晶は、その誘
電率異方性が負である請求項１又は２記載の電気光学装
置。
【請求項６】該カイラルスメクチック液晶は、しきい
値特性曲線が極小値を呈する請求項１又は２記載の電気
光学装置。
【請求項７】該一対の基板の内面には、導電膜と配向
膜との間に絶縁膜が設けられている請求項１又は２記載
の電気光学装置。
【請求項８】ｎ番目に選択される走査電極に供給され
る走査選択信号とｎ＋１番目に選択される走査電極に供
給される走査選択信号とが時間的にオーバーラップして
供給される請求項１又は２記載の電気光学装置。
【請求項９】該オーバーラップする期間を温度情報に
応じて変更する請求項８記載の電気光学装置。
【請求項１０】該走査選択信号の供給に先立って、一
水平走査期間より長い期間中、消去信号を供給する請求
項１又は２記載の電気光学装置。
【請求項１１】消去信号を供給した後、一水平走査期
間以上経過後に、該走査選択信号を供給する請求項１又
は２記載の電気光学装置。
【請求項１２】画素の光学状態を反転させる為の印加
信号は、一水平走査期間内において、一方極性の第１の
電圧パルスとそれに続く一方極性の第２の電圧パルスを
含み、該第２の電圧パルスの波高値が該第１の電圧パル
スの波高値より大きい請求項１又は２記載の電気光学装
置。
【請求項１３】画素の光学状態を反転させない印加信
号は、一水平走査期間内において、反対極性の第３の電
圧パルスとそれに続く一方極性の第４の電圧パルスとを
含み、該第４の電圧パルスの波高値が該第３の電圧パル
スの波高値より大きい請求項１又は２記載の電気光学装
置。