JPH11183437A - Electrophoresis member and electrophoresis device using same - Google Patents

Electrophoresis member and electrophoresis device using same

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JPH11183437A
JPH11183437A JP9365831A JP36583197A JPH11183437A JP H11183437 A JPH11183437 A JP H11183437A JP 9365831 A JP9365831 A JP 9365831A JP 36583197 A JP36583197 A JP 36583197A JP H11183437 A JPH11183437 A JP H11183437A
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JP
Japan
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capillary
electrophoresis
sample
substrate
analysis
Prior art date
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Pending
Application number
JP9365831A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinji Inoue
信治 井上
Hiroaki Nakanishi
博昭 中西
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Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
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Filing date
Publication date
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Priority to JP9365831A priority Critical patent/JPH11183437A/en
Publication of JPH11183437A publication Critical patent/JPH11183437A/en
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  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable the highly accurate measurement of a trace sample in a capillary part. SOLUTION: Potential differences are provided for both ends of a channel groove 53 for separation filled with a liquid for electrophoresis to cause a sample to migrate. An insulating film/semiconductor interface formed of a silicon nitriding film 29 and a silicon substrate 21b formed so as to cover the channel groove 53 for analysis is irradiated with light modulated into a predetermined frequency form the side of the silicon substrate 21b by a laser light source 47 and is, for example, impressed with a bias voltage V of 1 V by a voltage impressing power source 51, and a generated optical a.c. current I is measured by an optical a.c. current measuring device 49. As a result, it is possible to detect changes in the pH values of a capillary part irradiated with laser light as changes in the optical a.c. current I, and it is possible to detect even a trace sample without impairing detection sensitivity.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、極微量のタンパク
や核酸などを、高速かつ高分解能に分析する場合に利用
されるキャピラリー電気泳動装置とそれに用いられる電
気泳動部材に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a capillary electrophoresis apparatus used for analyzing very small amounts of proteins and nucleic acids at high speed and high resolution, and an electrophoresis member used therefor.

【0002】[0002]

【従来の技術】極微量のタンパクや核酸などを分析する
場合には、従来より電気泳動装置が用いられており、そ
の代表的な装置としてスラブゲル電気泳動装置がある。
この装置は、一対のガラス板の間にゲルを充填してゲル
泳動部を形成した後、ゲル泳動部の一端に試料を注入
し、両端に電圧(〜100V)を印加して、分析対象物
を電気泳動させることによりゲル上に展開するものであ
る。展開された分析対象物の検出は、ゲル板にレーザー
光を照射してその吸光度を検出する方法や、染色剤で染
色する方法、予め分析対象物をRI(放射性同位元素)
でラベルしておき、オートラジオグラフで検出する方法
などにより行なわれている。
2. Description of the Related Art In the case of analyzing a very small amount of protein or nucleic acid, an electrophoresis apparatus has been conventionally used, and a typical example thereof is a slab gel electrophoresis apparatus.
In this apparatus, after a gel is filled between a pair of glass plates to form a gel electrophoresis section, a sample is injected into one end of the gel electrophoresis section, a voltage (up to 100 V) is applied to both ends, and the analyte is electrically charged. It is developed on a gel by electrophoresis. The developed analytes can be detected by irradiating the gel plate with laser light to detect the absorbance, staining with a stain, or preliminarily analyzing the analyte by RI (radioactive isotope).
, And the detection is performed by an autoradiograph.

【0003】しかし、スラブゲル電気泳動装置では、ゲ
ル内でのジュール熱による発熱が問題となるため、高電
圧を印加して分析することができなかった。そのため、
分析時間(泳動時間)に長時間(数十時間)を要すると
いう欠点を有しており、DNA診断のように迅速な分析
が必要とされる応用分野には有用な装置とは言えなかっ
た。
However, in a slab gel electrophoresis apparatus, heat generation due to Joule heat in the gel poses a problem, so that analysis cannot be performed by applying a high voltage. for that reason,
It has a drawback that it takes a long time (several tens of hours) for the analysis time (migration time), and it cannot be said that it is a useful device in an application field requiring quick analysis such as DNA diagnosis.

【0004】そこで、これに代わる装置として、内径1
00μm程度もしくはそれ以下のガラスキャピラリー内
に泳動バッファを充填し、一方の端にサンプルを導入し
た後、キャピラリー両端に高電圧を印加して、分析対象
物をキャピラリー内で展開させるキャピラリー電気泳動
装置が提案されている。図1にそのキャピラリー電気泳
動装置の構成例を示す。
Therefore, as an alternative device, an inner diameter of 1
A capillary electrophoresis apparatus that fills an electrophoresis buffer in a glass capillary of about 00 μm or less, introduces a sample into one end, and applies a high voltage to both ends of the capillary to develop an analyte in the capillary. Proposed. FIG. 1 shows a configuration example of the capillary electrophoresis apparatus.

【0005】ガラスキャピラリー20は、泳動バッファ
13を満たした泳動バッファ溜め11a,11bにその
両端を浸されており、各々の泳動バッファ溜め11a,
11bには高圧電源17に接続された高電圧印加用の電
極15a,15bが浸されている。このような構成のも
とに、ガラスキャピラリー20の両端に高電圧を印加す
ることで、分析対象物をキャピラリー内で展開させて検
出器19で検出している。この装置は、ガラスキャピラ
リー内の容積に対して表面積が大きい、すなわち冷却効
果が高いことにより、高電圧の印加が可能となり、DN
Aなどの極微量試料を高速かつ高分解能にて分析するこ
とが可能である。
[0005] Both ends of the glass capillary 20 are immersed in electrophoresis buffer reservoirs 11a and 11b filled with the electrophoresis buffer 13, respectively.
The electrodes 15a and 15b for applying a high voltage connected to the high voltage power supply 17 are immersed in 11b. Under such a configuration, a high voltage is applied to both ends of the glass capillary 20, whereby the analyte is developed in the capillary and detected by the detector 19. This device has a large surface area with respect to the volume in the glass capillary, that is, a high cooling effect, so that a high voltage can be applied.
A very small amount of sample such as A can be analyzed at high speed and with high resolution.

【0006】しかしながら、キャピラリー電気泳動装置
は、使用されるガラスキャピラリーの外径が10〜数1
0μm程度と細く破損し易いため、ユーザが行なうべき
キャピラリー交換時の取扱いが容易でなく、装置の小型
化にも不向きであった。これに対し、D.J.Harrison et
al. / Anal.Chim.Acta 283 (1993) 361-366に記されて
いるように、2枚の基板を接合して形成されたプレート
状のキャピラリー部材が提案されている。図2に従来の
プレート状キャピラリー部材の一例を示す。
However, in the capillary electrophoresis apparatus, the outer diameter of the glass capillary used is 10 to several tens.
Since it is as thin as about 0 μm and easily broken, it is not easy to handle the user when replacing the capillary, which is not suitable for downsizing the apparatus. DJHarrison et
As described in al./Anal.Chim.Acta 283 (1993) 361-366, a plate-like capillary member formed by joining two substrates has been proposed. FIG. 2 shows an example of a conventional plate-like capillary member.

【0007】フォトファブリケーション技術を用いて、
互いに交差する分析用流路溝5及び試料注入用流路溝
3、さらにそれらの溝5,3の両端に位置するおよび泳
動バッファ溜め7が形成された基板1aと、泳動バッフ
ァ溜め7に対応する位置に超音波加工により貫通穴9が
形成された基板1bを接合することで、プレート状のキ
ャピラリー部材を構成している。このキャピラリー部材
はプレート状をしているため、これまでのガラスキャピ
ラリーに比べて破損しにくく、取扱いが容易であり、装
置の小型化にも適している。
[0007] Using photo fabrication technology,
The analysis channel groove 5 and the sample injection channel groove 3 which intersect each other, and the substrate 1a which is located at both ends of the grooves 5 and 3 and on which the migration buffer reservoir 7 is formed, correspond to the migration buffer reservoir 7. A plate-like capillary member is formed by joining a substrate 1b having a through hole 9 formed at a position by ultrasonic processing. Since this capillary member has a plate shape, it is less susceptible to breakage than conventional glass capillaries, is easy to handle, and is suitable for miniaturization of the apparatus.

【0008】プレート状キャピラリー部材による分析時
は、貫通穴9から泳動バッファ溜め7に針状の電極(図
示していない)を挿入し、分析用流路溝5の両端に高電
圧を印加することで、分析対象物を分析用流路溝5内で
展開させる。展開した分析対象物は、外部からレーザー
光を照射して、その吸光度を測定する方法などにより検
出される。
At the time of analysis using a plate-like capillary member, a needle-like electrode (not shown) is inserted into the electrophoresis buffer reservoir 7 through the through hole 9 and a high voltage is applied to both ends of the flow channel groove 5 for analysis. Then, the analysis target is developed in the flow channel for analysis 5. The developed analyte is irradiated with laser light from the outside and detected by a method of measuring the absorbance.

【0009】一方、溶液の局所的なpH値を検出する方
法として、アメリカのMolecular Devices社からLAP
S(Light Addressable Potentiometric Sensor)が提
案されている(D.G.Hafeman,J.W.Parce and H.M.McConn
ell:Science 240(1988)1182参照)。LAPSでは、半
導体基板に絶縁膜を成膜して絶縁膜/半導体界面を形成
し、溶液(試料:Electrolyte),絶縁膜(Insulato
r),半導体(Semiconductor)のEIS構造とする。そ
こに半導体基板側もしくは溶液側から特定の周波数に変
調した光を照射し、溶液にバイアス電圧Vを印加する
と、このEIS構造に光交流電流Iが流れる。このと
き、印加したバイアス電圧Vと流れる光交流電流Iとの
関係を表すI−V曲線は、溶液のpHによってバイアス
電圧軸方向にシフトする。これにより、一定バイアス電
圧Vのもとでは、光が照射されている領域のpH値の変
化を光交流電流の変化として検出できる。光が照射され
た局所的なpH値を検出できるというこの特徴を活用し
て、例えばpHの2次元分布を画像化するpH値イメー
ジセンサとして展開されている(M.Nakao et al:Jpn.J.A
ppl.Phys.33(1994)L394参照)。
On the other hand, as a method for detecting a local pH value of a solution, LAP from Molecular Devices, USA
S (Light Addressable Potentiometric Sensor) has been proposed (DGHafeman, JWParce and HMMcConn)
ell: Science 240 (1988) 1182). In LAPS, an insulating film is formed on a semiconductor substrate to form an insulating film / semiconductor interface, and a solution (sample: Electrolyte) and an insulating film (Insulato) are formed.
r), the semiconductor has an EIS structure. When light modulated to a specific frequency is irradiated from the semiconductor substrate side or the solution side, and a bias voltage V is applied to the solution, an optical alternating current I flows through the EIS structure. At this time, the IV curve representing the relationship between the applied bias voltage V and the flowing optical alternating current I shifts in the bias voltage axis direction depending on the pH of the solution. As a result, under a constant bias voltage V, a change in the pH value in a region irradiated with light can be detected as a change in the optical alternating current. Utilizing this feature of being able to detect the local pH value irradiated with light, it has been developed, for example, as a pH value image sensor that images a two-dimensional distribution of pH (M. Nakao et al: Jpn.JA)
ppl. Phys. 33 (1994) L394).

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】従来のプレート状キャ
ピラリー電気泳動装置は、取り扱いが容易で小型化に適
する一方、試料が極微量になることに伴い、検出感度が
低下するという問題がある。そこで、本発明は、キャピ
ラリー内の極微量の試料に対し、高感度の測定を可能と
するプレート状キャピラリー電気泳動部材およびそれを
用いた電気泳動装置を提供することを目的とするもので
ある。
The conventional plate-shaped capillary electrophoresis apparatus is easy to handle and suitable for miniaturization, but has a problem that the detection sensitivity is lowered as the amount of the sample becomes extremely small. Accordingly, an object of the present invention is to provide a plate-shaped capillary electrophoresis member capable of performing highly sensitive measurement on a very small amount of sample in the capillary, and an electrophoresis apparatus using the same.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明による電気泳動部材は、泳動液が充填された
キャピラリー部に高電圧を印加して、キャピラリー部内
で試料を電気泳動させ、試料の分離分析を行なうキャピ
ラリー電気泳動装置に用いられ、電気泳動のためのキャ
ピラリー部が形成された電気泳動部材において、基板上
に分離分析用細溝を形成した第1の部材の細溝を形成し
た面上に、細溝を覆ってキャピラリー部を形成するシリ
コン基板の第2の部材が接合されて板状のキャピラリー
部材を形成し、第1の部材もしくは第2の部材の少なく
とも一方には細溝端部に相当する位置に貫通穴が形成さ
れているとともに、第2の部材のキャピラリー内壁の少
なくとも検出部には、光交流電流検出のための絶縁膜/
半導体構造が形成されている。
In order to solve the above-mentioned problems, an electrophoretic member according to the present invention applies a high voltage to a capillary portion filled with an electrophoresis running solution to cause electrophoresis of the sample in the capillary portion. In the electrophoresis member having a capillary portion for electrophoresis formed in the capillary electrophoresis apparatus for performing the separation analysis of the first member, the narrow groove of the first member having the narrow groove for separation analysis formed on the substrate was formed. A second member of a silicon substrate that covers the narrow groove to form a capillary portion on the surface is joined to form a plate-like capillary member, and at least one of the first member and the second member has a narrow groove end. A through hole is formed at a position corresponding to the portion, and at least a detecting portion of the inner wall of the capillary of the second member has an insulating film /
A semiconductor structure is formed.

【0012】第1の部材の分離分析用細溝上を第2の部
材で覆うことにより、キャピラリー部となる空間を形成
する。キャピラリー部を形成する第2の部材の少なくと
も検出部に絶縁膜を形成する。絶縁膜が形成された部分
はキャピラリー部に泳動液が注入されると泳動液/絶縁
膜/半導体構造をもつEIS構造となる。
The space for the capillary portion is formed by covering the separation analysis narrow groove of the first member with the second member. An insulating film is formed on at least the detection portion of the second member forming the capillary portion. When the electrophoresis liquid is injected into the capillary portion, the portion where the insulating film is formed has an EIS structure having a electrophoresis liquid / insulating film / semiconductor structure.

【0013】本発明によるキャピラリー電気泳動装置
は、本発明による電気泳動部材と、泳動液が充填された
キャピラリー部の両端に電位差を与えて試料を電気泳動
させる手段と、キャピラリー部の検出部の絶縁膜/半導
体構造に光を照射する光源と、光源からの光により検出
部の絶縁膜/半導体構造で発生した光交流電流を測定す
る検出器と、電気泳動部材を位置決めする手段と、を備
えている。
A capillary electrophoresis apparatus according to the present invention comprises: an electrophoresis member according to the present invention; means for applying a potential difference to both ends of a capillary portion filled with an electrophoresis running solution to electrophoretize a sample; A light source for irradiating the film / semiconductor structure with light, a detector for measuring an optical alternating current generated in the insulating film / semiconductor structure of the detection unit by the light from the light source, and a means for positioning the electrophoretic member I have.

【0014】キャピラリー部の検出部に形成されたEI
S構造の部分に半導体基板側もしくは液体試料側から特
定の周波数に変調した光を光源により照射し、このEI
S構造に流れる光交流電流を測定する。このとき、溶液
(試料)に印加したバイアス電圧Vと流れる光交流電流
IによるI−V曲線は、溶液のpHによってバイアス電
圧軸方向にシフトすることから、一定バイアス電圧のも
とでは、光が照射されている領域のpH値の変化を光交
流電流の変化として検出することができる。本発明は、
このLAPSの基本原理を電気泳動装置に応用したこと
を特徴とする。このような表面状態を検出する検出法を
用いれば、プレート状キャピラリー電気泳動装置におい
て、試料が極微量にもかかわらず、液体試料に接する絶
縁膜の表面積を確保することによって検出感度を損なう
ことなく検出することが可能になる。
EI formed at the detection part of the capillary part
A portion of the S structure is irradiated with light modulated to a specific frequency from a semiconductor substrate side or a liquid sample side by a light source.
The optical alternating current flowing through the S structure is measured. At this time, the IV curve due to the bias voltage V applied to the solution (sample) and the alternating current I flowing through the solution shifts in the direction of the bias voltage axis depending on the pH of the solution. A change in the pH value of the irradiated area can be detected as a change in the photo-current. The present invention
The basic principle of LAPS is applied to an electrophoresis apparatus. If a detection method for detecting such a surface state is used, in a plate-shaped capillary electrophoresis apparatus, despite the extremely small amount of the sample, the detection sensitivity is maintained by securing the surface area of the insulating film in contact with the liquid sample without impairing the detection sensitivity. It becomes possible to detect.

【0015】[0015]

【実施例】図3は、電気泳動部材の一実施例を表す構成
図であり、(A)は斜視図、(B)は(A)のA−A線
での断面図である。例えばガラスからなる基板21aの
一方の表面には、試料が電気泳動により分離される分析
用流路溝53と、試料を分析用流路溝53に導く試料用
流路溝55が形成されている。分析用流路溝53及び試
料用流路溝55の両端には泳動液を溜める泳動バッファ
溜め57が形成されている。分析用流路53の検出部の
位置には貫通穴37が形成されて白金電極35が挿入さ
れている。白金電極35は、例えば低融点SiO2材3
9により貫通穴37を埋め戻すことによって固定されて
いる。また、図示はしていないが、それぞれの泳動バッ
ファ溜め57上には、分析用流路溝53及び試料用流路
溝55に泳動液や試料を注入したり、泳動液に泳動電圧
を印加するための電極を導くための貫通穴が基板21a
に形成されている。
FIG. 3 is a structural view showing an embodiment of the electrophoretic member, wherein FIG. 3A is a perspective view, and FIG. 3B is a sectional view taken along line AA of FIG. For example, on one surface of a substrate 21a made of glass, an analysis channel groove 53 for separating a sample by electrophoresis and a sample channel groove 55 for guiding the sample to the analysis channel groove 53 are formed. . At both ends of the flow channel groove 53 for analysis and the flow channel groove 55 for sample, a migration buffer reservoir 57 for storing a migration solution is formed. A through-hole 37 is formed at the position of the detection section of the analysis channel 53, and the platinum electrode 35 is inserted therein. The platinum electrode 35 is made of, for example, a low melting point SiO 2 material 3.
9 to fix the through hole 37 back. Although not shown, an electrophoresis solution or a sample is injected into the analysis channel groove 53 and the sample channel groove 55 on each of the electrophoresis buffer reservoirs 57, and a migration voltage is applied to the electrophoresis solution. Through holes for guiding electrodes for the substrate 21a
Is formed.

【0016】基板21aの分析用流路溝53、試料用流
路溝55および泳動バッファ溜め57が形成されている
面を覆ってシリコン基板21bが接合されており、基板
21aと基板21bの間で基板21b上には、シリコン
窒化膜29とシリコン酸化膜31からなる絶縁膜22が
形成されている。分析用流路53、試料用流路溝55お
よび泳動バッファ溜め57上のシリコン酸化膜31は除
去されており、分析用流路53、試料用流路溝55はシ
リコン窒化膜29で覆われて、キャピラリー部を形成し
ている。そのキャピラリー内壁面は絶縁膜/半導体構造
をなしている。シリコン基板21b上の一部分には、オ
ーミックコンタクト用電極33が形成されている。
The silicon substrate 21b is bonded to the surface of the substrate 21a on which the analysis channel groove 53, the sample channel groove 55, and the migration buffer reservoir 57 are formed, and the silicon substrate 21b is bonded between the substrate 21a and the substrate 21b. An insulating film 22 composed of a silicon nitride film 29 and a silicon oxide film 31 is formed on the substrate 21b. The silicon oxide film 31 on the analysis flow channel 53, the sample flow channel 55, and the migration buffer reservoir 57 has been removed, and the analysis flow channel 53 and the sample flow channel 55 are covered with the silicon nitride film 29. And a capillary portion. The inner wall surface of the capillary has an insulating film / semiconductor structure. An ohmic contact electrode 33 is formed on a part of the silicon substrate 21b.

【0017】本発明によるプレート状キャピラリー部材
をフォトファブリケーション技術により作成するプロセ
スの一例について、図3、図4および図5により説明す
る。図4および図5は、同実施例の工程断面図である。
フォトファブリケーション技術とは、フォトマスクのパ
ターンを転写して複製を作製する技術をいい、一般には
フォトレジスト又はレジストと呼ばれる感光性材料を基
板表面に塗布し、光でパターン転写する。そして、転写
した平面的なパターンからエッチングなどにより立体的
な形に加工するものである。使用するフォトレジストは
特に限定されるものではなく、後のエッチング工程に耐
え得るものであればよい。また、その厚さは、後のエッ
チング工程に耐える厚さが必要であるが、数μm程度の
厚みが一般的である。さらに、フォトレジストの露光
は、一般に半導体製造に用いられている露光装置(アラ
イナ又はステッパ)を用いて行なうことができる。
An example of a process for producing a plate-shaped capillary member according to the present invention by photofabrication technology will be described with reference to FIGS. 3, 4 and 5. 4 and 5 are process sectional views of the same embodiment.
The photofabrication technique refers to a technique of transferring a pattern of a photomask to make a copy, and generally applies a photoresist or a photosensitive material called a resist to a substrate surface and transfers the pattern with light. Then, the transferred planar pattern is processed into a three-dimensional shape by etching or the like. The photoresist used is not particularly limited as long as it can withstand the subsequent etching step. Further, the thickness needs to be thick enough to withstand the subsequent etching step, but is generally about several μm. Further, the exposure of the photoresist can be performed using an exposure apparatus (aligner or stepper) generally used in semiconductor manufacturing.

【0018】(A)基板21a上に、エッチング保護膜
25(例えば、数1000Åの厚さのシリコン膜)を例
えばスパッタ蒸着装置により成膜し、そのエッチング保
護膜25上に、パターニング用レジスト23(例えばA
Z4620)をスピナーを用いて塗布する。ここで、基
板21aの材料には各種ガラスの他、石英が用いられ
る。ここではガラスを用いる。基板21aの厚みは例え
ば0.2〜1mm程度が望ましい。また、エッチング保
護膜25の材質およびその厚みは、後のエッチング工程
に耐え得るものであれば特に限定されるものではなく、
基板21aがガラスの場合は、Cr膜上にAu膜を積層
したAu/Cr(約2000Å)を用いることができ
る。
(A) An etching protection film 25 (for example, a silicon film having a thickness of several thousand degrees) is formed on a substrate 21a by, for example, a sputter deposition apparatus, and a patterning resist 23 ( For example, A
Z4620) is applied using a spinner. Here, quartz is used as the material of the substrate 21a in addition to various types of glass. Here, glass is used. The thickness of the substrate 21a is desirably, for example, about 0.2 to 1 mm. The material and thickness of the etching protection film 25 are not particularly limited as long as they can withstand a subsequent etching step.
When the substrate 21a is glass, Au / Cr (approximately 2000 °) in which an Au film is laminated on a Cr film can be used.

【0019】(B)その後、フォトリソ用マスク27を
介して、露光装置のUV光でレジスト23を露光し、そ
の後、現像して所望の形状にパターニングする。 (C)次に、パターニングされたレジスト23をエッチ
ングマスクとしてエッチング保護膜25をパターニング
する。 (D)続いて、パターニングされたレジスト23および
エッチング保護膜25をマスクとして、ガラス基板21
aを、例えば約46%のフッ酸水溶液にて室温でエッチ
ングして、分析用流路溝53、試料用流路溝55および
泳動バッファ溜め57を形成する。 (E)その後、レジスト23および保護膜25をエッチ
ング除去する。
(B) Then, the resist 23 is exposed to UV light from an exposure device through a photolithographic mask 27, and then developed and patterned into a desired shape. (C) Next, the etching protective film 25 is patterned using the patterned resist 23 as an etching mask. (D) Subsequently, using the patterned resist 23 and the etching protection film 25 as a mask, the glass substrate 21
is etched at room temperature with, for example, a hydrofluoric acid aqueous solution of about 46% to form an analysis channel groove 53, a sample channel groove 55, and a migration buffer reservoir 57. (E) Thereafter, the resist 23 and the protective film 25 are removed by etching.

【0020】(F)一方、シリコン基板21b上に酸化
膜(SiO2:図示していない)を形成し、その上に例
えばCVD法などを用いてシリコン窒化膜(Si34
29を形成し、半導体/絶縁膜構造を形成する。シリコ
ン窒化膜29の厚さは例えば約100nm程度である
が、特に限定されるものではない。さらに、シリコン窒
化膜29上にシリコン酸化膜(SiO2)31を形成す
る。その後、シリコン基板21bの裏面(シリコン窒化
膜29が形成された面とは反対側の面)にオーミックコ
ンタクトをとるために金アンチモンを50nm程度の厚
さに蒸着する。金アンチモンは基板21bの裏面全面に
形成した後にフォトファブリケーション技術によりパタ
ーン化するか、マスクを介して蒸着することにより電極
形状にパターン化する。その後500℃にて合金化し電
極33とする。この条件は、形成された電極33がシリ
コン基板21bに対してオーミックコンタクトがとれれ
ば、特に限定されるものではない。
(F) On the other hand, an oxide film (SiO 2 : not shown) is formed on the silicon substrate 21b, and a silicon nitride film (Si 3 N 4 ) is formed thereon using, for example, a CVD method.
29 to form a semiconductor / insulating film structure. The thickness of the silicon nitride film 29 is, for example, about 100 nm, but is not particularly limited. Further, a silicon oxide film (SiO 2 ) 31 is formed on the silicon nitride film 29. Thereafter, gold antimony is deposited to a thickness of about 50 nm on the back surface of the silicon substrate 21b (the surface opposite to the surface on which the silicon nitride film 29 is formed) to make ohmic contact. Gold antimony is formed on the entire back surface of the substrate 21b and then patterned by a photofabrication technique, or is patterned into an electrode shape by vapor deposition through a mask. Thereafter, alloying is performed at 500 ° C. to form an electrode 33. This condition is not particularly limited as long as the formed electrode 33 can make ohmic contact with the silicon substrate 21b.

【0021】続いて、シリコン基板21b、シリコン窒
化膜29およびシリコン酸化膜31に、分析用流路溝5
3、試料用流路溝55および泳動バッファ溜め57に泳
動液や試料を注入するための例えばテーパ状の貫通穴を
形成する。ここで貫通穴を形成する手段は特に限定され
るものではないが、超音波加工やサンドブラスト加工を
用いることができる。貫通穴の大きさは、特に限定され
るものではないが、例えば開口直径は数100μm〜数
mm程度が望ましい。
Subsequently, the analysis flow channel 5 is formed in the silicon substrate 21b, the silicon nitride film 29 and the silicon oxide film 31.
3. For example, a tapered through hole for injecting an electrophoresis running solution or a sample is formed in the sample channel groove 55 and the electrophoresis buffer reservoir 57. Here, means for forming the through hole is not particularly limited, but ultrasonic processing or sand blast processing can be used. Although the size of the through hole is not particularly limited, for example, the opening diameter is desirably about several 100 μm to several mm.

【0022】(G)最後にガラス基板21aと、シリコ
ン窒化膜29およびシリコン酸化膜31を形成したシリ
コン基板21bをガラス基板21aとシリコン酸化膜3
1が接合するように重ね合わせて、例えば、約400℃
程度に加熱した状態で高電圧を印加して行なう陽極接合
技術を用いて接合する。
(G) Finally, the glass substrate 21a and the silicon substrate 21b on which the silicon nitride film 29 and the silicon oxide film 31 are formed are replaced with the glass substrate 21a and the silicon oxide film 3.
1 are superimposed so as to join, for example, about 400 ° C.
Bonding is performed using an anodic bonding technique performed by applying a high voltage while heating to a certain degree.

【0023】また、電気泳動のための電極は、工程
(G)のガラス基板21aとシリコン基板21bとの接
合前に、メタルマスクを介して基板21aの表面、裏面
および貫通穴内壁に、例えばAlをスパッタ成膜し、電
極およびコンタクトパッドを形成する。ここで、電極お
よびコンタクトパッド用の材料は、後のガラス基板21
aとシリコン基板21bの接合工程の熱に耐えられる導
電体膜であれば特に限定されるものではなく、例えば、
一般に半導体製造に用いられている配線材料(Al,A
u,Cu,Cr)などの金属を挙げることができ、これ
らの材料を真空蒸着やスパッタリングなどの手段により
形成することができる。この際の導電体膜の厚みは特に
限定されるものではないが、数100〜数1000Å程
度とすることができる。なお、電気泳動のための電極を
形成する工程は、工程(G)のガラス基板21aとシリ
コン基板21bとの接合後にメタルマスクを介してシリ
コン基板21aの表面と貫通穴内壁にスパッタ成膜して
もよい。
Electrodes for electrophoresis are provided on the front surface, the back surface, and the inner wall of the through hole of the substrate 21a via a metal mask before bonding the glass substrate 21a and the silicon substrate 21b in the step (G). Is formed by sputtering to form electrodes and contact pads. Here, the material for the electrodes and the contact pads is the glass substrate 21
The conductive film is not particularly limited as long as it is a conductive film that can withstand the heat of the bonding process between the silicon substrate 21a and the silicon substrate 21b.
Wiring materials (Al, A) generally used in semiconductor manufacturing
u, Cu, Cr) and the like, and these materials can be formed by means such as vacuum evaporation or sputtering. The thickness of the conductor film at this time is not particularly limited, but can be about several hundreds to several thousand degrees. In the step of forming an electrode for electrophoresis, the bonding of the glass substrate 21a and the silicon substrate 21b in the step (G) is performed by forming a film by sputtering on the surface of the silicon substrate 21a and the inner wall of the through hole via a metal mask. Is also good.

【0024】(H)ガラス基板21aとシリコン基板2
1bを接合した後、弗酸水溶液を分析用流路溝53又は
試料用流路溝55とシリコン酸化膜31に囲まれた空間
に流し込み、その空間に接するシリコン酸化膜31のみ
を除去する。これにより、分析用流路溝53と試料用流
路溝55は、シリコン窒化膜29で覆われ、そこに、泳
動液が注入され、試料が泳動するキャピラリー部とな
る。
(H) Glass substrate 21a and silicon substrate 2
After bonding 1b, a hydrofluoric acid aqueous solution is poured into a space surrounded by the analysis flow channel 53 or the sample flow channel 55 and the silicon oxide film 31, and only the silicon oxide film 31 in contact with the space is removed. As a result, the flow channel groove 53 for analysis and the flow channel groove 55 for sample are covered with the silicon nitride film 29, into which the electrophoresis liquid is injected, to form a capillary portion on which the sample migrates.

【0025】(I)ガラス基板21aの分析用流路溝5
3領域の検出部の位置に貫通穴37を形成し、白金電極
35を挿入し、例えば低融点SiO2材39などを用い
て埋め戻しを行なう。このようにして、本発明によるプ
レート状キャピラリー部材(チップ)50を形成する。
(I) Analysis channel groove 5 of glass substrate 21a
The through holes 37 are formed at the positions of the detection units in the three regions, the platinum electrodes 35 are inserted, and backfilling is performed using, for example, a low melting point SiO 2 material 39 or the like. Thus, the plate-like capillary member (tip) 50 according to the present invention is formed.

【0026】次に、本発明によるプレート状キャピラリ
ー部材を用いた検出方法を図3により説明する。図3
(A)において、上部プレート(ガラス基板)21a、
絶縁膜(シリコン窒化膜29/シリコン酸化膜31)2
2、シリコン基板21bからなるチップ50が形成され
ている。シリコン基板21bに形成されたオーミックコ
ンタクト用電極33に交流電流測定器49を介して電圧
印加電源51を配し、また、白金電極35に電圧印加電
源51を配して回路を形成する。シリコン基板21bと
絶縁膜29の接合面からなる絶縁膜/半導体界面に正孔
電子対を生成させるべく、キャピラリー部の白金電極3
5が形成された位置にレーザ光を照射するために、レー
ザ光源47が備えられており、レーザ光源47からのレ
ーザ光を変徴する変調器45がレーザ光源47に接続さ
れている。レーザ光は変調器45により例えば5〜10
kHz程度に変調される。この実施例ではシリコン基板
21b側からレーザ光を照射しているが、ガラス基板2
1a側から照射してもよい。
Next, a detection method using the plate-like capillary member according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG.
In (A), an upper plate (glass substrate) 21a,
Insulating film (silicon nitride film 29 / silicon oxide film 31) 2
2. A chip 50 made of the silicon substrate 21b is formed. A voltage application power supply 51 is provided to the ohmic contact electrode 33 formed on the silicon substrate 21b via an AC current measuring device 49, and a voltage application power supply 51 is provided to the platinum electrode 35 to form a circuit. In order to generate hole electron pairs at the insulating film / semiconductor interface formed by the bonding surface of the silicon substrate 21b and the insulating film 29, the platinum electrode 3 in the capillary portion is formed.
A laser light source 47 is provided to irradiate the position where 5 is formed with laser light, and a modulator 45 that changes the laser light from the laser light source 47 is connected to the laser light source 47. The laser light is applied to the modulator 45 by, for example, 5 to 10
It is modulated to about kHz. In this embodiment, the laser light is irradiated from the silicon substrate 21b side.
Irradiation may be performed from the 1a side.

【0027】ここで、電圧印加電源51による印加電圧
Vを変化させていくと、それに伴って絶縁膜/半導体界
面の空乏層が変化し、それにより交流電流測定器49に
て測定される光交流電流Iの大きさが変化する。このI
−V曲線は、光が照射された部分におけるキャピラリー
部中の溶液のpH値の変化によって図6に示されたよう
になる。図6は、種々のpHにおける、EIS構造にレ
ーザ光を照射したときの印加した電圧Vと流れる交流電
流Iの関係を表す図であり、横軸は印加電圧(V)、縦
軸は交流電流(任意単位a.u.)を表す。pH遷移が大
きい電圧値、例えば図6では1Vで印加電圧を一定にし
ておいて光交流電流の測定を行なえば、流れる光交流電
流の大きさは溶液のpH値に対して変化するので、光交
流電流の大きさを測定することによって溶液のpH値を
測定できる。
Here, when the applied voltage V from the voltage applying power source 51 is changed, the depletion layer at the interface between the insulating film and the semiconductor changes accordingly, and the optical AC measured by the AC current measuring device 49 is thereby changed. The magnitude of the current I changes. This I
The −V curve is as shown in FIG. 6 according to the change in the pH value of the solution in the capillary portion at the portion irradiated with light. FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the applied voltage V and the flowing AC current I when the EIS structure is irradiated with laser light at various pHs, wherein the horizontal axis represents the applied voltage (V) and the vertical axis represents the AC current. (Arbitrary unit au). If the measurement of the photo-AC current is performed with the applied voltage kept constant at a voltage value at which the pH transition is large, for example, 1 V in FIG. 6, the magnitude of the flowing photo-AC current changes with respect to the pH value of the solution. By measuring the magnitude of the alternating current, the pH value of the solution can be measured.

【0028】図7は、本発明による電気泳動部材を用い
たキャピラリー電気泳動装置を表す概略図である。59
はステージであり、電気泳動部材50を位置決めできる
凹部61が形成されている。また、63a、63b、6
3cおよび63dは、それぞれ電気泳動部材の流路の両
端に電位差を与えて試料を電気泳動させる電極であり、
あらかじめ決められている電気泳動部材50の泳動液導
入口および泳動液排出口に対応する位置に設置されてい
る。交流電流測定器および電圧印加電源からの配線65
a,65bは白金電極とオーミックコンタクト用電極に
それぞれ接続されている。
FIG. 7 is a schematic diagram showing a capillary electrophoresis apparatus using an electrophoresis member according to the present invention. 59
Denotes a stage, in which a concave portion 61 capable of positioning the electrophoretic member 50 is formed. 63a, 63b, 6
Reference numerals 3c and 63d denote electrodes for applying a potential difference to both ends of the flow path of the electrophoresis member and causing the sample to electrophorese,
The electrophoresis member 50 is provided at a position corresponding to a predetermined electrophoresis liquid inlet and a predetermined electrophoresis liquid outlet. Wiring 65 from AC current measuring device and voltage application power supply
Reference numerals a and 65b are respectively connected to a platinum electrode and an ohmic contact electrode.

【0029】泳動液を充填した電気泳動部材50を凹部
61に挿入してステージ59に位置決めし、自動的に位
置決めされた電極63a、63b、63cおよび63d
により電気泳動部材50の路溝の両端に電位差を与え
て、試料を試料導入用流路55から分析用流路53と試
料導入用流路55との交差点に導き、その後、分析用流
路53で試料を電気泳動させる。レーザ光源47により
光を照射すれば、65a,65bを流れる光交流電流の
測定によって、泳動された試料についてのpH値変化を
捉えることができる。これにより、泳動液を流路に充填
した電気泳動部材50をステージ59の凹部61に装着
し、分析したい試料を試料導入口に注入するだけで、電
気泳動による分離および測定が可能になる。
The electrophoretic member 50 filled with the electrophoresis running liquid is inserted into the concave portion 61 and positioned on the stage 59, and the automatically positioned electrodes 63a, 63b, 63c and 63d.
A potential difference is applied to both ends of the path groove of the electrophoresis member 50 to guide the sample from the sample introduction channel 55 to the intersection of the analysis channel 53 and the sample introduction channel 55. The sample is electrophoresed with. When light is emitted from the laser light source 47, a change in the pH value of the electrophoresed sample can be detected by measuring the optical alternating current flowing through 65a and 65b. Thus, separation and measurement by electrophoresis can be performed only by mounting the electrophoretic member 50 in which the flow path is filled with the electrophoresis running solution in the concave portion 61 of the stage 59 and injecting the sample to be analyzed into the sample inlet.

【0030】[0030]

【発明の効果】本発明によれば、キャピラリー部の内壁
に絶縁膜/半導体界面を形成し、キャピラリー部にバイ
アス電圧を印加して、キャピラリー部に光照射し、絶縁
膜/半導体界面で生じる光交流電流を測定するので、L
APSを利用したpH値変化の測定が行なえ、キャピラ
リー内の極微量の試料に対して、各種反応の様子、速
度、量および試料の濃度、温度などの測定が可能とな
る。
According to the present invention, the insulating film / semiconductor interface is formed on the inner wall of the capillary portion, a bias voltage is applied to the capillary portion, and the capillary portion is irradiated with light, and the light generated at the insulating film / semiconductor interface. Since AC current is measured, L
It is possible to measure the change in pH value using APS, and it is possible to measure the state, speed, amount, concentration, temperature, etc. of various reactions on a very small amount of sample in the capillary.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 従来のキャピラリー電気泳動装置の構成例を
表す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of a conventional capillary electrophoresis apparatus.

【図2】 従来のプレート状キャピラリー部材の一例を
表す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a conventional plate-like capillary member.

【図3】 一実施例の構成図であり、(A)は斜視図、
(B)は(A)のA−A線での断面図である。
FIG. 3 is a configuration diagram of one embodiment, (A) is a perspective view,
(B) is a sectional view taken along line AA of (A).

【図4】 同実施例の前半の工程断面図である。FIG. 4 is a process sectional view of a first half of the embodiment.

【図5】 同実施例の後半の工程断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a step in the latter half of the embodiment.

【図6】 種々のpHにおける、EIS構造にレーザ光
を照射したときの印加した電圧Vと流れる交流電流Iの
関係を表す図である。
FIG. 6 is a diagram showing the relationship between an applied voltage V and an alternating current I flowing when an EIS structure is irradiated with laser light at various pH values.

【図7】 同実施例を用いたキャピラリー電気泳動装置
の測定部を表す概略図である。
FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a measurement unit of a capillary electrophoresis apparatus using the same example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21a ガラス基板 21b シリコン基板 22 絶縁膜 29 シリコン窒化膜 31 シリコン酸化膜 33 オーミックコントクト用電極 35 白金電極 45 変調器 47 レーザ光源 49 光交流電流測定器 50 チップ 51 電圧印加電源 53 分析用流路溝 55 試料用流路溝 57 泳動バッファ溜め Reference Signs List 21a Glass substrate 21b Silicon substrate 22 Insulating film 29 Silicon nitride film 31 Silicon oxide film 33 Ohmic contact electrode 35 Platinum electrode 45 Modulator 47 Laser light source 49 Optical alternating current measuring instrument 50 Chip 51 Voltage application power supply 53 Analysis channel groove 55 Sample channel groove 57 Migration buffer reservoir

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 泳動液が充填されたキャピラリー部に高
電圧を印加して、キャピラリー部内で試料を電気泳動さ
せ、試料の分離分析を行なうキャピラリー電気泳動装置
に用いられ、電気泳動のための前記キャピラリー部が形
成された電気泳動部材において、 基板上に分離分析用細溝を形成した第1の部材の前記細
溝を形成した面上に、前記細溝を覆ってキャピラリー部
を形成するシリコン基板の第2の部材が接合されて板状
のキャピラリー部材を形成し、前記第1の部材もしくは
前記第2の部材の少なくとも一方には前記細溝端部に相
当する位置に貫通穴が形成されているとともに、前記第
2の部材のキャピラリー内壁の少なくとも検出部には、
光交流電流検出のための絶縁膜/半導体構造が形成され
ていることを特徴とする電気泳動部材。
1. A capillary electrophoresis apparatus which applies a high voltage to a capillary portion filled with an electrophoresis running solution to cause electrophoresis of a sample in the capillary portion and performs sample separation and analysis. In the electrophoresis member having a capillary portion formed thereon, a silicon substrate that forms a capillary portion on a surface of the first member having a narrow groove for separation analysis formed on a substrate on which the narrow groove is formed, Are joined to form a plate-like capillary member, and at least one of the first member and the second member has a through hole formed at a position corresponding to the end of the narrow groove. At the same time, at least a detecting portion of the inner wall of the capillary of the second member includes:
An electrophoretic member comprising an insulating film / semiconductor structure for detecting an optical alternating current.
【請求項2】 キャピラリー部に高電圧を印加して、キ
ャピラリー部内で試料を電気泳動させ、試料の分離分析
を行なうキャピラリー電気泳動装置において、 基板上に分離分析用細溝を形成した第1の部材の前記細
溝を形成した面上に、前記細溝を覆ってキャピラリー部
分を形成するシリコン基板の第2の部材が接合されて板
状のキャピラリー部材を形成し、前記第1の部材もしく
は前記第2の部材の少なくとも一方には前記細溝端部に
相当する位置に貫通穴が形成されているとともに、前記
第2の部材のキャピラリー内壁の少なくとも検出部に
は、光交流電流検出のための絶縁膜/半導体構造が形成
されている電気泳動部材と、 泳動液が充填された前記キャピラリー部の両端に電位差
を与えて試料を電気泳動させる手段と、 前記キャピラリー部の検出部の絶縁膜/半導体構造に光
を照射する光源と、 前記光源からの光により前記検出部の絶縁膜/半導体構
造で発生した光交流電流を測定する検出器と、 前記電気泳動部材を位置決めする手段と、を備えたこと
を特徴とする電気泳動装置。
2. A capillary electrophoresis apparatus for applying a high voltage to a capillary portion to electrophorese a sample in the capillary portion and separating and analyzing the sample, wherein a first groove for separation and analysis is formed on a substrate. On a surface of the member on which the narrow groove is formed, a second member of a silicon substrate that covers the narrow groove to form a capillary portion is joined to form a plate-like capillary member, and the first member or the first member At least one of the second members has a through hole formed at a position corresponding to the end of the narrow groove, and at least a detection portion of the inner wall of the capillary of the second member has an insulating member for detecting an optical AC current. An electrophoresis member on which a membrane / semiconductor structure is formed; means for applying a potential difference to both ends of the capillary portion filled with an electrophoresis liquid to electrophoretize a sample; A light source that irradiates light to the insulating film / semiconductor structure of the detection unit of the main unit; a detector that measures a photo-current generated in the insulating film / semiconductor structure of the detection unit by light from the light source; An electrophoresis apparatus comprising: means for positioning a member.
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