JPH1118291A - Overvoltage protection device - Google Patents

Overvoltage protection device

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Publication number
JPH1118291A
JPH1118291A JP9169152A JP16915297A JPH1118291A JP H1118291 A JPH1118291 A JP H1118291A JP 9169152 A JP9169152 A JP 9169152A JP 16915297 A JP16915297 A JP 16915297A JP H1118291 A JPH1118291 A JP H1118291A
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JP
Japan
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output
circuit
transistor
overvoltage
voltage
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Application number
JP9169152A
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Japanese (ja)
Inventor
Tomohisa Yamamoto
智久 山本
Hiroyuki Ban
伴  博行
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Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH1118291A publication Critical patent/JPH1118291A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent failure of an output to work properly, when an output transistor is protected against surge voltage and overvoltage produced by noise lasts for a short time. SOLUTION: A timer circuit 300 which, when a detection signal from an overvoltage detection circuit 100 continues for a specified time, outputs a detection signal to an output circuit 200, is placed between the overvoltage detection circuit 100 and the output circuit 200. If overvoltage produced due to noise continues for a short time, the timer circuit 300 enables avoidance of bringing an output transitor T5 in continuity to prevent so as the output control from being executed. Therefore, malfunctions of the circuits can be prevented in such a case.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、車両等に搭載され
た各種ランプ等の負荷への電圧供給の制御を行う出力ト
ランジスタを過電圧(サージ電圧)から保護するための
過電圧保護装置に関し、特に車両用バッテリーに発生す
る過電圧を受ける出力トランジスタを有する装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an overvoltage protection device for protecting an output transistor for controlling voltage supply to loads such as various lamps mounted on a vehicle or the like from an overvoltage (surge voltage). The present invention relates to a device having an output transistor for receiving an overvoltage generated in a battery for use in a vehicle.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、半導体素子を用いた制御装置
において、電源にノイズによるサージ電圧が発生した場
合に電源に接続された半導体素子が破壊されるのを防止
する過電圧保護装置がある。例えば、電源に接続された
出力回路中のNPN型の出力トランジスタにサージ電圧
が印加されるのを防止するために、出力トランジスタの
コレクタ−ベース間に抵抗及びツェナーダイオードを設
ける方法がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a control device using a semiconductor device, there is an overvoltage protection device for preventing a semiconductor device connected to a power supply from being destroyed when a surge voltage due to noise is generated in the power supply. For example, there is a method of providing a resistor and a Zener diode between the collector and the base of the output transistor in order to prevent a surge voltage from being applied to an NPN type output transistor in an output circuit connected to a power supply.

【0003】つまり、出力トランジスタにサージ電圧が
印加されるとコレクタ電位が上昇してツェナーダイオー
ドがオンし、これに伴い出力トランジスタのベースに電
流が注入されて出力トランジスタがオンして、過電圧が
出力トランジスタに印加されるのを保護するというもの
である。しかし、上記方法によると出力トランジスタが
発振して破壊されてしまうという問題があった。具体的
には、上記出力トランジスタがオンした瞬間にツェナー
ダイオードがオフしてベース電流がカットされてしま
い、出力トランジスタがオフ状態になる。そして、出力
トランジスタがオフするとまたコレクタ電位が上昇し出
力トランジスタがオンする。これを繰り返すような発振
を生じ、出力トランジスタが過熱されてしまって破壊さ
れる。
[0003] That is, when a surge voltage is applied to the output transistor, the collector potential rises and the Zener diode turns on. With this, a current is injected into the base of the output transistor to turn on the output transistor and the overvoltage is output. This is to protect the voltage from being applied to the transistor. However, according to the above method, there is a problem that the output transistor oscillates and is destroyed. Specifically, at the moment when the output transistor is turned on, the zener diode is turned off and the base current is cut, so that the output transistor is turned off. When the output transistor is turned off, the collector potential rises again and the output transistor is turned on. Oscillation occurs that repeats this, and the output transistor is overheated and destroyed.

【0004】これを防止するために、上記過電圧保護装
置に過電圧検出回路(サージ検出回路)を設けてサージ
電圧を検出し、サージ電圧が検出されると出力トランジ
スタを確実にオンさせてサージ電圧を吸収するものがあ
る(特開平7−154224号公報参照)。
In order to prevent this, an overvoltage detection circuit (surge detection circuit) is provided in the overvoltage protection device to detect a surge voltage. When the surge voltage is detected, the output transistor is turned on without fail to reduce the surge voltage. Some absorb (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-154224).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ノイズ
によって発生した過電圧が短時間のものであった場合に
おいても出力トランジスタがオンするため、回路誤動作
を発生するという問題が生じた。本発明は上記点に鑑み
てなされたもので、サージ電圧による出力トランジスタ
の保護を行うに際し、ノイズによって発生した過電圧が
短時間のものであった場合における出力の誤動作を防止
することを目的とする。
However, even when the overvoltage generated by noise is of a short time, the output transistor is turned on, causing a problem that a circuit malfunction occurs. The present invention has been made in view of the above points, and has as its object to prevent an output malfunction when an overvoltage generated by noise is short-time when protecting an output transistor with a surge voltage. .

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、以下の技術的手段を採用する。請求項1に記
載の発明においては、過電圧検出手段(100)と出力
手段(200)との間に、検出信号が所定時間継続した
時に出力手段(200)に検出信号を出力する遅延手段
(300)を備えたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention employs the following technical means. According to the first aspect of the present invention, a delay means (300) for outputting a detection signal to the output means (200) when the detection signal continues for a predetermined time between the overvoltage detection means (100) and the output means (200). ).

【0007】このように、遅延手段(300)を設ける
ことによって、ノイズによって発生した過電圧が短時間
のものである場合には、出力トランジスタ(T5)を導
通状態にさせず、出力制御を実行させないようにするこ
とができるため、このような場合における回路誤動作を
防止することができる。請求項2に記載の発明において
は、遅延手段(300)から検出信号が出力されると、
第1の所定電圧をこの第1の所定電圧よりも低い第2の
所定電圧に変更する手段(R2、R3、T3、T4)を
備えたことを特徴とする。このように、出力トランジス
タ(T5)のオン、オフ電圧にいわゆるヒステリシスを
設けたものについても遅延手段(300)を適用するこ
とができ、請求項1と同様の効果を得ることができる。
As described above, by providing the delay means (300), when the overvoltage generated by noise is of a short time, the output transistor (T5) is not turned on and the output control is not executed. Therefore, a circuit malfunction in such a case can be prevented. According to the invention described in claim 2, when the detection signal is output from the delay means (300),
A means (R2, R3, T3, T4) for changing the first predetermined voltage to a second predetermined voltage lower than the first predetermined voltage is provided. In this way, the delay means (300) can be applied to a device in which the on / off voltage of the output transistor (T5) is provided with a so-called hysteresis, and the same effect as in claim 1 can be obtained.

【0008】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態記載の具体的手段との対応関係を示すもの
である。
[0008] The reference numerals in parentheses of the above means indicate the correspondence with the specific means described in the embodiment described later.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて説明する。図1に、車両のテールランプを駆動
する回路に過電圧保護装置を適用した場合において、過
電圧検出回路100と出力回路200の間にノイズによ
る誤動作防止用のタイマー回路(遅延手段)300を備
えた回路図を示す。以下、図1に基づき前記回路の構成
について説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram including a timer circuit (delay means) 300 for preventing malfunction due to noise between an overvoltage detection circuit 100 and an output circuit 200 when an overvoltage protection device is applied to a circuit for driving a tail lamp of a vehicle. Is shown. Hereinafter, the configuration of the circuit will be described with reference to FIG.

【0010】過電圧保護装置はバッテリー1に接続され
ており、このバッテリー1の両電極間を接続するように
負荷となるコイル5と、出力回路200を構成する出力
トランジスタT5が配置されている。まず、過電圧検出
回路100について説明する。過電圧検出回路100
は、しきい値電圧を決める4つのツェナーダイオードZ
D1、ZD2、ZD3、ZD4及び抵抗R1と、出力ト
ランジスタT5のオン・オフ信号を出力するためのNP
N型のトランジスタT1、T2及び定電流源I1、I2
を備えている。
[0010] The overvoltage protection device is connected to a battery 1, and a coil 5 serving as a load and an output transistor T5 constituting an output circuit 200 are arranged so as to connect between both electrodes of the battery 1. First, the overvoltage detection circuit 100 will be described. Overvoltage detection circuit 100
Are four Zener diodes Z that determine the threshold voltage
D1, ZD2, ZD3, ZD4, a resistor R1, and an NP for outputting an on / off signal of an output transistor T5.
N-type transistors T1, T2 and constant current sources I1, I2
It has.

【0011】また、過電圧検出回路100には、しきい
値電圧にヒステリシスを設けるために抵抗R2、R3、
NPN型のトランジスタT3及びPNP型のトランジス
タT4が設けられている。なお、タイマー回路からの出
力に合わせてオン・オフが成されるようにトランジスタ
T3のベースはタイマー回路の出力端子が接続されてい
る。
The overvoltage detection circuit 100 includes resistors R2, R3,
An NPN transistor T3 and a PNP transistor T4 are provided. The output terminal of the timer circuit is connected to the base of the transistor T3 so that the transistor T3 is turned on / off in accordance with the output from the timer circuit.

【0012】次に、タイマー回路について説明する。タ
イマー回路はコンパレーター10、コンデンサC、定電
圧源V、NOT回路20によって構成されている。定電
流源I2−トランジスタT2間とコンパレーター10の
−端子が信号線L4によって接続されており、コンデン
サCを介して信号線L4とGND端子とを接続してい
る。また、定電圧源Vを介してコンパレーター10の+
端子とバッテリー1の−端子とを接続している。
Next, the timer circuit will be described. The timer circuit includes a comparator 10, a capacitor C, a constant voltage source V, and a NOT circuit 20. The signal line L4 connects between the constant current source I2 and the transistor T2 and the negative terminal of the comparator 10, and connects the signal line L4 and the GND terminal via the capacitor C. In addition, the + of the comparator 10 via the constant voltage source V
The terminal is connected to the negative terminal of the battery 1.

【0013】そして、コンパレーター10の出力端子は
NOT回路20を介して出力回路200に接続されてい
る。また、トランジスタT3のベースはNOT回路20
の出力端子に接続されておりコンデンサCの両電極間の
電位差Vcが定電圧源Vの電圧よりも小さい時にはコン
パレーター10がローレベルを出力し、逆に大きい時に
はハイレベルを出力する。
The output terminal of the comparator 10 is connected to an output circuit 200 via a NOT circuit 20. The base of the transistor T3 is connected to a NOT circuit 20.
The comparator 10 outputs a low level when the potential difference Vc between both electrodes of the capacitor C is smaller than the voltage of the constant voltage source V, and outputs a high level when the potential difference Vc is larger than the voltage of the constant voltage source V.

【0014】続いて出力回路200について説明する。
出力回路200はOR回路30とトランジスタT5によ
って構成されている。そして、コンパレーター10から
の出力信号はNOT回路20を介してOR回路30から
出力されるようになっている。また、出力回路にはライ
トスイッチのオン・オフに基づいて信号出力を行う出力
制御部40が接続されており、この出力制御部40から
の出力に基づきトランジスタT5がオン・オフされて、
テールランプが点灯・消灯する。
Next, the output circuit 200 will be described.
The output circuit 200 includes an OR circuit 30 and a transistor T5. The output signal from the comparator 10 is output from the OR circuit 30 via the NOT circuit 20. The output circuit is connected to an output control unit 40 that outputs a signal based on the on / off state of the light switch. Based on the output from the output control unit 40, the transistor T5 is turned on / off.
The tail lamp turns on and off.

【0015】上記構成における過電圧保護装置における
作動説明を行う。ライトスイッチがオンされている時
(負荷駆動時)には、ハイレベルの信号が出力回路に出
力されている。この場合には、OR回路を介してトラン
ジスタT5にハイレベルの信号が出力されるためトラン
ジスタT5はオン状態となる。このため、サージ電圧は
コイル5によって吸収される。
The operation of the overvoltage protection device having the above configuration will be described. When the light switch is turned on (during load driving), a high-level signal is output to the output circuit. In this case, a high-level signal is output to the transistor T5 via the OR circuit, so that the transistor T5 is turned on. Therefore, the surge voltage is absorbed by the coil 5.

【0016】ライトスイッチがオフの時(負荷非駆動
時)には以下の様に作動する。まず、ノイズによる過電
圧が発生していない場合について説明する。この場合に
は、トランジスタT1はオフ、トランジスタT4はオン
しており、定電流源I2からの電流が流れてコンデンサ
の両電極間における電位差Vcは大きくならない。この
ため、コンパレーター10はハイレベルの信号を出力す
る。そして、NOT回路20でローレベルを出力し、O
R回路30を介してトランジスタT5にローレベルの信
号が出力される。従ってトランジスタT5はオフとな
り、出力電圧VoutはVcc端子電圧と同等になる。
なお、このときトランジスタT3へはローレベルの信号
が出力されるためトランジスタT3はオフとなる。
When the light switch is off (when the load is not driven), the operation is as follows. First, a case where no overvoltage due to noise has occurred will be described. In this case, the transistor T1 is off and the transistor T4 is on, and a current flows from the constant current source I2, so that the potential difference Vc between both electrodes of the capacitor does not increase. Therefore, the comparator 10 outputs a high-level signal. Then, the NOT circuit 20 outputs a low level,
A low level signal is output to the transistor T5 via the R circuit 30. Therefore, the transistor T5 is turned off, and the output voltage Vout becomes equal to the Vcc terminal voltage.
At this time, a low-level signal is output to the transistor T3, so that the transistor T3 is turned off.

【0017】次に、ノイズによる過電圧が発生した場合
について説明する。この場合、ノイズによる過電圧によ
ってVcc端子電圧が所定のしきい値電圧Vth(=V
ZD×4+Vf:ツェナーダイオードZD1〜ZD4に
おける所定の降伏電圧VZDの総和VZD×4と、トラ
ンジスタT1がオンするために必要なベース−エミッタ
間の電圧Vfの和)を超えると、トランジスタT1がオ
ンする。これにより、トランジスタT2がオフして定電
流源I2からの電流がコンデンサCへ流れ、コンデンサ
Cの両電極間における電位差Vcが大きくなる。
Next, a case where an overvoltage occurs due to noise will be described. In this case, the Vcc terminal voltage is increased to a predetermined threshold voltage Vth (= V
ZD × 4 + Vf: when the sum exceeds a predetermined sum VZD × 4 of breakdown voltage VZD in Zener diodes ZD1 to ZD4 and a base-emitter voltage Vf required for turning on transistor T1, transistor T1 turns on. . As a result, the transistor T2 is turned off, and the current from the constant current source I2 flows to the capacitor C, and the potential difference Vc between both electrodes of the capacitor C increases.

【0018】そして、Vcc端子電圧がVthよりも大
きくなった後所定時間Td経過して、電位差Vcが定電
圧源Vにおける電圧よりも大きくなるとコンパレーター
10はローレベルの信号を出力し、この信号がNOT回
路20を通じてハイレベルの信号に反転され、OR回路
30を介してトランジスタT5にハイレベルの信号が出
力される。従ってトランジスタT5がオンし、この瞬間
に出力電圧Voutは所定の電圧Vsatまで減少す
る。なお、電位差Vcが定電圧源Vにおける電圧よりも
大きくなる時の遅延時間TdはTd=CV/I2によっ
て表され、コンデンサCの静電容量や定電圧Vの大きさ
によって任意に設定することができるため、ノイズの大
きさに応じて設定することができる。
When a predetermined time Td elapses after the Vcc terminal voltage becomes higher than Vth and the potential difference Vc becomes higher than the voltage at the constant voltage source V, the comparator 10 outputs a low-level signal. Is inverted to a high-level signal through the NOT circuit 20, and a high-level signal is output to the transistor T5 via the OR circuit 30. Therefore, the transistor T5 is turned on, and at this moment, the output voltage Vout decreases to the predetermined voltage Vsat. The delay time Td when the potential difference Vc becomes larger than the voltage at the constant voltage source V is represented by Td = CV / I2, and can be arbitrarily set according to the capacitance of the capacitor C and the magnitude of the constant voltage V. Therefore, it can be set according to the magnitude of the noise.

【0019】また、NOT回路20を介してハイレベル
の信号がトランジスタT3へ出力されるためトランジス
タT3がオンし、これに伴いトランジスタT4もオンす
る。これにより、トランジスタT1がオフするしきい値
電圧がVtl(=VZD×2+Vf:ツェナーダイオー
ドZD3、ZD4における降伏電圧とトランジスタT1
がオンするために必要なベース−エミッタ間の電圧Vf
の和)となる。
Since a high level signal is output to the transistor T3 via the NOT circuit 20, the transistor T3 is turned on, and the transistor T4 is turned on accordingly. As a result, the threshold voltage at which the transistor T1 is turned off becomes Vtl (= VZD × 2 + Vf: the breakdown voltage of the Zener diodes ZD3 and ZD4 and the transistor T1).
Required to turn on the base-emitter voltage Vf
).

【0020】そして、Vcc端子電圧がしきい値電圧V
tl以下になるとトランジスタT1がオフして、トラン
ジスタT2がオンする。これにより出力電圧Voutは
Vcc端子電圧と同等に戻る。過電圧保護装置における
出力電圧Voutを表すタイムチャートを図2に示す。
図2における期間Aに示されるようにノイズによって発
生した過電圧が短時間のものである場合には、Vcc端
子電圧が所定電圧Vthを超える時間Taが短時間であ
り、時間Ta<遅延時間Tdとなるため、トランジスタ
T5がオンしない。
When the Vcc terminal voltage is equal to the threshold voltage V
When it becomes tl or less, the transistor T1 is turned off and the transistor T2 is turned on. As a result, the output voltage Vout returns to be equal to the Vcc terminal voltage. FIG. 2 is a time chart showing the output voltage Vout in the overvoltage protection device.
When the overvoltage generated by the noise is short as shown in the period A in FIG. 2, the time Ta in which the Vcc terminal voltage exceeds the predetermined voltage Vth is short, and the time Ta <the delay time Td is satisfied. Therefore, the transistor T5 does not turn on.

【0021】一方、期間Bに示されるようにノイズによ
って発生した過電圧が長時間のものである場合にはVc
c端子電圧が所定電圧Vthを超える時間Taが長時間
であり、時間Tb>遅延時間Tdとなるため、トランジ
スタT5がオンする。つまり、コイル5が駆動されてテ
ールランプが点灯し、これによってサージ電圧を吸収す
ることができる。
On the other hand, as shown in the period B, when the overvoltage generated by noise is a long time, Vc
The time Ta in which the voltage at the terminal c exceeds the predetermined voltage Vth is long, and the time Tb> the delay time Td, so that the transistor T5 is turned on. That is, the coil 5 is driven to turn on the tail lamp, thereby absorbing the surge voltage.

【0022】このように、タイマー回路300を設ける
ことによって、ノイズによって発生した過電圧が短時間
のものである場合には、トランジスタT5をオンさせ
ず、出力制御を実行させないようにすることができるた
め、このような場合にテールランプが瞬灯してしまう等
という回路誤動作を防止することができる。なお、本実
施形態においては、過電圧検出回路100のしきい値電
圧にヒステリシスを設けているが、図3に示すようにし
きい値電圧にヒステリシスを設けないようにすることも
できる。つまり、図1に示される過電圧検出回路におい
て抵抗R2、R3、トランジスタT3、T4を無くし
て、しきい値(=VZD×4+Vf)を一定にしてもよ
い。
As described above, by providing the timer circuit 300, it is possible to prevent the transistor T5 from being turned on and executing the output control when the overvoltage generated by the noise is of a short time. In such a case, it is possible to prevent a circuit malfunction such as an instantaneous lighting of the tail lamp. In the present embodiment, the threshold voltage of the overvoltage detection circuit 100 has hysteresis. However, as shown in FIG. 3, the threshold voltage may not have hysteresis. That is, the threshold value (= VZD × 4 + Vf) may be kept constant by eliminating the resistors R2 and R3 and the transistors T3 and T4 in the overvoltage detection circuit shown in FIG.

【0023】この場合の過電圧保護装置における出力電
圧Voutを表すタイムチャートを図4に示す。このよ
うに、トランジスタT1がオフするしきい値が高くなる
ため出力トランジスタT5がオンする時間が短くなる。
従って、このような場合には回路数を少なくすることが
できるが、出力トランジスタT5における発熱は大きく
なるといえる。
FIG. 4 is a time chart showing the output voltage Vout in the overvoltage protection device in this case. As described above, since the threshold value at which the transistor T1 is turned off increases, the time during which the output transistor T5 is turned on is shortened.
Therefore, in such a case, the number of circuits can be reduced, but it can be said that heat generation in the output transistor T5 increases.

【0024】なお、図1及び図3においてはツェナーダ
イオードを4個(ZD1〜ZD4)示しているが、この
数はシステムの要求によって変えることができ、4個以
下にしてもよく又4個以上にしてもよい。また、トラン
ジスタT4のコネクタの接続先も要求されるシステムに
よって変えることができる。
Although FIG. 1 and FIG. 3 show four Zener diodes (ZD1 to ZD4), this number can be changed according to the requirements of the system and may be four or less, or four or more. It may be. Further, the connection destination of the connector of the transistor T4 can be changed depending on the required system.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明における一実施形態を示す過電圧保護装
置の回路構成図である。
FIG. 1 is a circuit configuration diagram of an overvoltage protection device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す過電圧保護回路100の出力電圧V
outを表すタイムチャートである。
FIG. 2 is an output voltage V of the overvoltage protection circuit 100 shown in FIG.
It is a time chart showing out.

【図3】他の実施形態を示す過電圧保護装置の回路構成
図である。
FIG. 3 is a circuit configuration diagram of an overvoltage protection device according to another embodiment.

【図4】図3に示す過電圧保護回路100の出力電圧V
outを表すタイムチャートである。
4 is an output voltage V of the overvoltage protection circuit 100 shown in FIG.
It is a time chart showing out.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…バッテリー、5…コイル、10…コンパレーター、
20…NOT回路、30…OR回路、100…過電圧保
護回路、200…出力回路、300…タイマー回路、C
…コンデンサ、V…定電圧源、I1、I2定電流源、Z
D1、ZD2、ZD3、ZD4…ツェナーダイオード。
1 ... battery, 5 ... coil, 10 ... comparator,
20 NOT circuit, 30 OR circuit, 100 overvoltage protection circuit, 200 output circuit, 300 timer circuit, C
... Capacitor, V ... Constant voltage source, I1, I2 constant current source, Z
D1, ZD2, ZD3, ZD4 ... Zener diodes.

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H03K 17/16 H03K 17/16 C Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H03K 17/16 H03K 17/16 C

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電源(1)からの電源電圧を負荷(5)
に供給制御する出力トランジスタ(T5)を過電圧から
保護する過電圧保護装置において、 前記電源(1)における電源電圧が第1の所定電圧以上
になったことを検出して、検出信号を出力する過電圧検
出手段(100)と、 前記検出信号に基づき前記出力トランジスタ(T5)を
導通状態に制御して過電圧から保護する出力手段(20
0)と、 前記過電圧検出手段(100)と前記出力手段(20
0)との間に設けられ、前記検出信号が所定時間継続し
た時に前記出力手段(200)に前記検出信号を出力す
る遅延手段(300)とを備えたことを特徴とする過電
圧保護装置。
A power supply voltage from a power supply (1) is applied to a load (5).
An overvoltage protection device for protecting an output transistor (T5) for controlling supply of power to an overvoltage, detecting that a power supply voltage of the power supply (1) has become equal to or higher than a first predetermined voltage and outputting a detection signal. Means (100), and an output means (20) for controlling the output transistor (T5) to a conductive state based on the detection signal to protect the output transistor (T5) from overvoltage.
0), the overvoltage detecting means (100) and the output means (20).
0), and a delay means (300) for outputting the detection signal to the output means (200) when the detection signal continues for a predetermined time.
【請求項2】 前記検出信号が前記出力手段(200)
に出力された時に、前記第1の所定電圧をこの第1の所
定電圧よりも低い第2の所定電圧に変更する手段(R
2、R3、T3、T4)を備えたことを特徴とする請求
項1に記載の過電圧保護装置。
2. The output means according to claim 2, wherein said detection signal is output from said output means.
Means (R) for changing the first predetermined voltage to a second predetermined voltage lower than the first predetermined voltage.
2. The overvoltage protection device according to claim 1, further comprising (2, R3, T3, T4).
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