JPH11178194A - Protective circuit - Google Patents

Protective circuit

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JPH11178194A
JPH11178194A JP9334296A JP33429697A JPH11178194A JP H11178194 A JPH11178194 A JP H11178194A JP 9334296 A JP9334296 A JP 9334296A JP 33429697 A JP33429697 A JP 33429697A JP H11178194 A JPH11178194 A JP H11178194A
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overcurrent
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protection
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JP9334296A
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Junji Ishikawa
潤司 石川
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit for protecting an object, e.g. a high voltage outer unit, against overcorrect or leakage in which restoration after protection is easy and protection against various kinds of abnormality can be obtained using an ibentiral circuit. SOLUTION: An FET Qq is inserted into a feeder line for an object, e.g. a high voltage output circuit X1. Input current is detected by a comparator Qa1 and when an overcurrent flows, a thyristor Qf is turned on by the output from a comparator Qa2 and the FET Qq is turned off. In case of other abnormality, the thyristor Qf is turned on and the FET Qq is turned off to stop power supply.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、特に高圧出力回路
を過電流等から保護するのに適した保護回路装置に関す
るものである。
The present invention relates to a protection circuit device particularly suitable for protecting a high-voltage output circuit from overcurrent or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】図6は高圧出力回路X1を過電流から保
護する場合の従来の回路構成を示す図である。同図にお
いて、A1はFETQ1をスイッチングさせてトランス
T1の二次側に高圧交流を発生させる制御回路で、発生
した高圧交流はダイオードD1,コンデンサC3により
整流,平滑されて出力される。R1,R2は抵抗、C
1,C2はコンデンサであり、抵抗R2は高圧出力回路
X1の電力供給ライン(入力ライン)に挿入接続された
ヒューズ抵抗となっている。また、Vccは24Vの入
力電圧、GNDはグランドを示している。
2. Description of the Related Art FIG. 6 is a diagram showing a conventional circuit configuration for protecting a high voltage output circuit X1 from overcurrent. In the figure, A1 is a control circuit for switching the FET Q1 to generate a high-voltage AC on the secondary side of the transformer T1, and the generated high-voltage AC is rectified and smoothed by the diode D1 and the capacitor C3 and output. R1 and R2 are resistors, C
1, C2 is a capacitor, and the resistor R2 is a fuse resistor inserted and connected to a power supply line (input line) of the high voltage output circuit X1. Vcc indicates a 24 V input voltage, and GND indicates a ground.

【0003】上記の回路は、電源立ち上げ時の突入電流
の防止や過電流からの保護を図るために、高圧出力回路
X1の電力供給ラインに抵抗R2をヒューズとして介装
したものである。
In the above-mentioned circuit, a resistor R2 is interposed as a fuse in the power supply line of the high-voltage output circuit X1 in order to prevent an inrush current at the time of turning on the power and to protect it from an overcurrent.

【0004】この回路において、入力電圧Vccの入力
時は抵抗R2とコンデンサC2の時定数によって過大な
突入電流が流れるのを防ぐことが可能となっている。ま
た、FETQ1の破損やその他何らかの理由によりショ
ートしてしまったような場合等においても、ある一定以
上の過大電流が流れた場合は抵抗R2のヒューズが切れ
て電力供給ができなくなり、出力は停止される。
In this circuit, when the input voltage Vcc is input, it is possible to prevent an excessive rush current from flowing due to the time constant of the resistor R2 and the capacitor C2. Further, even in the case where the FET Q1 is damaged or short-circuited for some other reason, if an excessive current exceeding a certain level flows, the fuse of the resistor R2 is blown and power cannot be supplied, and the output is stopped. You.

【0005】以上のように、従来では、突入電流は抵抗
を挿入してその時定数によって抑制し、過大電流に対し
ては挿入した抵抗が切れ、電力供給ラインを切り離すこ
とで、保護をするような構成がとられていた。
As described above, in the related art, a rush current is suppressed by inserting a resistor and suppressing its time constant. For an excessive current, the inserted resistor is cut off and the power supply line is disconnected to protect the rush current. The configuration was taken.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来例では、ヒューズ抵抗が切れることによって
保護がかけられるので、1度保護がかかってしまった場
合、そのヒューズ抵抗を交換しなければならず、復帰に
時間がかかる等の問題点があった。
However, in the above-mentioned conventional example, the protection is provided by blowing the fuse resistor. Therefore, if the protection has been applied once, the fuse resistor must be replaced. However, there is a problem that it takes time to return.

【0007】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたもので、復帰に時間がかからず、また、他
のリーク保護等も同一の回路で同時に可能な保護回路装
置を提供することを目的としている。
The present invention has been made to solve such a problem, and provides a protection circuit device which does not require a long time for recovery and which can simultaneously perform other leak protection and the like with the same circuit. It is intended to be.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明に係る保護回路装
置は、次のように構成したものである。
The protection circuit device according to the present invention is constructed as follows.

【0009】(1)被保護装置への電力供給ラインに介
装されたスイッチ素子と、その電力供給ラインに流れる
過電流を検出する過電流検出回路と、この過電流検出回
路の出力に応じて前記スイッチ素子を制御する制御素子
を有するようにした。
(1) A switch element interposed in a power supply line to a device to be protected, an overcurrent detection circuit for detecting an overcurrent flowing through the power supply line, and an output from the overcurrent detection circuit It has a control element for controlling the switch element.

【0010】(2)上記(1)の構成において、被保護
装置の異常を検出する異常検出回路を有し、制御素子は
過電流検出回路とこの異常検出回路の出力に従ってスイ
ッチ素子を制御するようにした。
(2) In the configuration of the above (1), there is provided an abnormality detection circuit for detecting an abnormality of the device to be protected, and the control element controls the switch element according to the overcurrent detection circuit and the output of the abnormality detection circuit. I made it.

【0011】(3)上記(2)の構成において、制御素
子はサイリスタであり、過電流検出回路と異常検出回路
の出力側がそれぞれダイオードを介して前記サイリスタ
のゲートに接続されるようにした。
(3) In the configuration of (2), the control element is a thyristor, and the output sides of the overcurrent detection circuit and the abnormality detection circuit are connected to the gates of the thyristors via diodes.

【0012】(4)上記(3)の構成において、スイッ
チ素子はサイリスタのオン,オフによりオン,オフする
素子とした。
(4) In the configuration of (3), the switch element is an element that is turned on and off by turning on and off the thyristor.

【0013】(5)上記(4)の構成において、過電流
検出回路により過電流が検出されたときにある一定時間
までは高周波でスイッチ素子をオン,オフし、一定時間
以上連続で過電流が検出された場合はスイッチ素子をオ
フするようにした。
(5) In the configuration of (4), when the overcurrent is detected by the overcurrent detection circuit, the switch element is turned on and off at a high frequency until a certain time, and the overcurrent is continuously generated for a certain time or more. When detected, the switch element is turned off.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】(実施例1)図1は本発明の実施
例1による保護回路装置の構成を示す回路図である。ま
た、図2は被保護装置である高圧出力回路の構成を示す
回路図である。以下、図を参照して回路の構成と動作に
ついて説明する。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a protection circuit device according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a high-voltage output circuit which is a device to be protected. Hereinafter, the configuration and operation of the circuit will be described with reference to the drawings.

【0015】図1において、Qa1,Qa2はコンパレ
ータで、コンパレータQa1は抵抗Raの両端電圧から
入力電流を検出する入力電流検出回路を構成し、コンパ
レータQa2はその入力電流が過大になった過電流を検
出する過電流検出回路を構成している。Qb,Qc,Q
d,Qeはデジタルトランジスタ、Qfは上記過電流検
出回路の出力に応じて被保護装置である高圧出力回路X
1への電力供給ラインに介装されたFET(スイッチ素
子)Qgを制御するサイリスタ(制御素子)で、コンパ
レータQa2の出力側にゲートが接続されている。
In FIG. 1, Qa1 and Qa2 are comparators. Comparator Qa1 constitutes an input current detection circuit for detecting an input current from the voltage across resistor Ra. Comparator Qa2 detects an overcurrent when the input current becomes excessive. It constitutes an overcurrent detection circuit for detection. Qb, Qc, Q
d and Qe are digital transistors, and Qf is a high-voltage output circuit X which is a device to be protected according to the output of the overcurrent detection circuit.
A thyristor (control element) that controls an FET (switch element) Qg interposed in the power supply line to the power supply line 1 has a gate connected to the output side of the comparator Qa2.

【0016】また図1中、Rb,Rc,Rd,Re,R
f,Rg,Rh,Ri,Rj,Rk,Rl,Rmは抵
抗、Ca,Cb,Cc,Cdはコンデンサ、Daはダイ
オード、ZDa,ZDbはツェナーダイオードであり、
Vpは高圧出力回路X1の電源電圧、Vccは制御用の
入力電圧、GNDはグランドを示している。
In FIG. 1, Rb, Rc, Rd, Re, R
f, Rg, Rh, Ri, Rj, Rk, Rl, Rm are resistors, Ca, Cb, Cc, Cd are capacitors, Da is a diode, ZDa and ZDb are Zener diodes,
Vp indicates a power supply voltage of the high-voltage output circuit X1, Vcc indicates a control input voltage, and GND indicates a ground.

【0017】図2の高圧出力回路X1の構成は図6の回
路と同様であり、制御回路A1によりFETQ1をオン
(ON),オフ(OFF)させてトランスT1の一次側
を駆動し、トランスT1の二次側に発生した高圧交流を
ダイオードD1,コンデンサC3によって整流,平滑し
て出力するものである。同図中、R1は抵抗、C1,C
2はコンデンサである。
The configuration of the high-voltage output circuit X1 of FIG. 2 is the same as that of the circuit of FIG. 6, and the control circuit A1 turns on (ON) and off (OFF) the FET Q1 to drive the primary side of the transformer T1. Is rectified and smoothed by a diode D1 and a capacitor C3 and output. In the figure, R1 is a resistor, C1, C
2 is a capacitor.

【0018】上記のように構成された回路において、高
圧出力回路X1に電力を供給するには(電源電圧Vpを
立ち上げるには)、まずREM信号を入力する。これに
より、トランジスタQb,Qc,Qeがオンし、FET
Qgもオンし、電源供給ラインに電流が流れ始める。こ
のとき、高圧出力回路X1におけるコンデンサC2が充
電されるまで大きな入力電流が流れようとする。
In the circuit configured as described above, to supply power to the high-voltage output circuit X1 (to raise the power supply voltage Vp), a REM signal is input first. As a result, the transistors Qb, Qc, and Qe are turned on, and the FETs are turned on.
Qg is also turned on, and current starts to flow in the power supply line. At this time, a large input current tends to flow until the capacitor C2 in the high-voltage output circuit X1 is charged.

【0019】上記入力電流は、抵抗Ra,Rb,Rc,
Rd,Re及びコンパレータQa1によって検出され
る。つまり、抵抗Raを流れる電流が所定の値以上にな
るとコンパレータQa1は“active”になる。こ
の抵抗Raにどの位の電流が流れたときにコンパレータ
Qa1を“active”にするかは抵抗Ra,Rb,
Rc,Rd,Reの値で決定することができる。
The above input currents are represented by resistors Ra, Rb, Rc,
It is detected by Rd, Re and the comparator Qa1. That is, when the current flowing through the resistor Ra exceeds a predetermined value, the comparator Qa1 becomes “active”. The amount of current flowing through the resistor Ra to make the comparator Qa1 “active” depends on the resistances Ra, Rb,
It can be determined by the values of Rc, Rd, and Re.

【0020】そして、所定の電流より大きな電流が流れ
ると、コンパレータQa1が“active”になり、
トランジスタQdがオンし、トランジスタQeがオフす
ることによって、FETQgはオフする。これと同時
に、抵抗Rf,RgとコンデンサCaの時定数でコンデ
ンサCaの充電が始まるが、FETQgがオフすること
によって電流値が減ると再びコンパレータQa1は“a
ctive”でなくなり、FETQgはオンして入力電
流が流れ始める。また、コンパレータQa1が“act
ive”でない間にコンデンサCaは充電を終了し、抵
抗Rhとの時定数で放電する。
When a current larger than the predetermined current flows, the comparator Qa1 becomes "active",
When the transistor Qd turns on and the transistor Qe turns off, the FET Qg turns off. At the same time, the charging of the capacitor Ca starts with the time constant of the resistors Rf and Rg and the capacitor Ca. However, when the current value decreases due to the turning off of the FET Qg, the comparator Qa1 again sets “a
active ”, the FET Qg is turned on, and the input current starts to flow.
The capacitor Ca finishes charging while it is not "live", and discharges at the time constant of the resistance Rh.

【0021】以上の動作を繰り返すことによって、過大
な突入電流が流れることなく、電源電圧Vpを立ち上げ
ることができる。
By repeating the above operation, the power supply voltage Vp can be raised without flowing an excessive rush current.

【0022】次に、回路部品の破損やその他によるショ
ートによって過電流が流れた場合の保護について説明す
る。
Next, protection in the case where an overcurrent flows due to a short circuit due to breakage of a circuit component or other factors will be described.

【0023】高圧出力回路X1のショートには、例えば
図2のFETQ1の破損によるショート等がある。
The short circuit of the high-voltage output circuit X1 includes, for example, a short circuit due to breakage of the FET Q1 in FIG.

【0024】上記過電流が流れた場合も、電源電圧Vp
の立ち上がり時と同様、FETQgをオン,オフさせな
がら過電流を抑えようとするが、ショート時のような場
合は、過電流が連続していつまでも流れようとする。す
ると、コンデンサCaは放電よりも充電の方が早くな
り、コンデンサCaにかかる電圧Vcaはいずれ基準電
圧Vzdaよりも大きくなり、コンパレータQa2は
“active”になる。これにより、サイリスタQf
はオンし、トランジスタQeがオフすることによってF
ETQgがオフし、電力の供給が絶たれる。このとき、
サイリスタQfは一度オンするとその状態を維持する。
Even when the overcurrent flows, the power supply voltage Vp
As in the rise, the overcurrent is suppressed while turning on and off the FET Qg. However, in the case of a short circuit, the overcurrent continuously flows forever. Then, the capacitor Ca charges faster than discharge, the voltage Vca applied to the capacitor Ca eventually becomes higher than the reference voltage Vzda, and the comparator Qa2 becomes “active”. Thereby, the thyristor Qf
Is turned on and the transistor Qe is turned off,
ETQg is turned off, and power supply is cut off. At this time,
Once turned on, thyristor Qf maintains that state.

【0025】上記のようにして、過電流に対する保護が
可能となる。また、部品破損以外でたまたま過電流が流
れてしまった場合は、REM信号をオフ/オンすること
によって再び通常動作が可能となる。
As described above, protection against overcurrent can be achieved. If an overcurrent happens to occur due to a reason other than component damage, the normal operation can be performed again by turning off / on the REM signal.

【0026】このように、本実施例においては、従来の
ようにヒューズ等を交換することなく、過電流保護の後
の復帰に時間がかかることはない。
As described above, in the present embodiment, it is not necessary to replace the fuse or the like as in the related art, and it takes no time to recover after the overcurrent protection.

【0027】(実施例2)図3は本発明の実施例2の構
成を示す回路図であり、図1と同一符号は同一構成要素
を示している。
(Embodiment 2) FIG. 3 is a circuit diagram showing the configuration of Embodiment 2 of the present invention. The same reference numerals as in FIG. 1 denote the same components.

【0028】本実施例では、複写機における帯電器E1
を負荷とする高圧出力回路X1が接続されている。この
場合も、電源電圧Vpの立ち上がり時の動作やショート
保護に関する動作は実施例1で説明したものと同様であ
る。しかし、ここでは実施例1で用いた保護回路をその
まま用いて帯電器E1がリークした場合の保護も行える
ような構成になっている。
In this embodiment, the charger E1 in the copying machine is used.
Is connected to a high voltage output circuit X1. Also in this case, the operation at the time of rising of the power supply voltage Vp and the operation related to the short-circuit protection are the same as those described in the first embodiment. However, here, the protection circuit used in the first embodiment is used as it is, so that the protection in the case where the charger E1 leaks can be performed.

【0029】その構成として、本実施例ではリーク検出
回路B1を設け、帯電器E1においてリークが発生した
と判断した場合は“active”となるように構成さ
れている。
In this embodiment, a leak detection circuit B1 is provided in the present embodiment, and when it is determined that a leak has occurred in the charger E1, the output becomes "active".

【0030】図3のサイリスタQfのゲートにはコンパ
レータQa2の出力側とリーク検出回路B1の出力側が
それぞれダイオードD11,D12を通して接続されて
いる。このような構成をとることによって、入力の過電
流と帯電器E1のリークのどちらか一方が発生した場合
に保護をかけることができる。
The output side of the comparator Qa2 and the output side of the leak detection circuit B1 are connected to the gate of the thyristor Qf of FIG. 3 through diodes D11 and D12, respectively. By adopting such a configuration, protection can be applied when either one of the input overcurrent and the leakage of the charger E1 occurs.

【0031】(実施例3)実施例1,2では高圧出力回
路X1は1つしか接続されていないが、図4に示すよう
に同一の保護回路で複数の高圧出力回路が接続されてい
る場合の保護も同時に可能となり、その他の異常事態に
対しても、異常時に“active”となるような構成
の異常検出回路(1)F1〜(n)Fnを設けてそれぞ
れダイオードD21〜D2nを介してサイリスタQfの
ゲートに接続すれば、この回路1つで様々な保護が可能
となる。
(Embodiment 3) In Embodiments 1 and 2, only one high-voltage output circuit X1 is connected. However, as shown in FIG. 4, a plurality of high-voltage output circuits are connected by the same protection circuit. At the same time, and even in the case of other abnormal situations, abnormality detecting circuits (1) F1 to (n) Fn which are configured to be "active" in the event of an abnormality are provided and provided via diodes D21 to D2n, respectively. If this circuit is connected to the gate of the thyristor Qf, various protections can be achieved with this single circuit.

【0032】(実施例4)図5に示すように、サイリス
タQfのゲート電圧をエラー信号ERとして取り出せ
ば、保護がかけられたことを知らせることもできる。
(Embodiment 4) As shown in FIG. 5, if the gate voltage of the thyristor Qf is taken out as an error signal ER, it can be notified that protection has been applied.

【0033】以上、本発明の各実施例について説明した
が、上述のように電力供給ラインにFETQgを挿入
し、入力電流検出回路で短時間ある一定以上過電流を検
出した場合は一瞬だけ上記FETQgをオフし、一定時
間以上過電流を検出した場合や、高圧出力のリーク等の
異常を検出した場合には上記FETQgをオフ状態で維
持して電力の供給を絶ち、REM信号をオフ/オンする
ことによって復帰することが可能となっている。
While the embodiments of the present invention have been described above, when the FET Qg is inserted into the power supply line as described above and the overcurrent is detected for a short period of time by the input current detection circuit, the FET Qg is momentarily output. Is turned off, and when an overcurrent is detected for a predetermined time or more, or when an abnormality such as leakage of a high voltage output is detected, the FET Qg is kept in the off state to cut off the power supply and turn off / on the REM signal. This makes it possible to return.

【0034】すなわち、入力時には電源供給ラインに挿
入したFETQgによって過電流を抑え、異常時には上
記FETQgを完全にオフして電力供給ラインを絶つこ
とで保護をかけることができる。
That is, at the time of input, overcurrent can be suppressed by the FET Qg inserted into the power supply line, and at the time of abnormality, the FET Qg can be completely turned off to cut off the power supply line, thereby providing protection.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
過電流保護の後の復帰に時間がかかることなく、また、
同一の回路で様々な場合の保護を行うことができるとい
う効果がある。
As described above, according to the present invention,
It takes no time to recover after overcurrent protection, and
There is an effect that protection in various cases can be performed by the same circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施例1の構成を示す回路図FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a first embodiment of the present invention.

【図2】 高圧出力回路の構成を示す回路図FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a high-voltage output circuit.

【図3】 本発明の実施例2の構成を示す回路図FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of a second embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の実施例3の構成を示す回路図FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a third embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の実施例4の構成を示す回路図FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a fourth embodiment of the present invention.

【図6】 従来例の構成を示す回路図FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Qa1 コンパレータ(入力電流検出回路) Qa2 コンパレータ(過電流検出回路) Qf サイリスタ(制御素子) Qg FET(スイッチ素子) X1 高圧出力回路(被保護装置) B1 リーク検出回路(異常検出回路) F1 異常検出回路 Fn 異常検出回路 D11 ダイオード D12 ダイオード D21 ダイオード D2n ダイオード Qa1 comparator (input current detection circuit) Qa2 comparator (overcurrent detection circuit) Qf thyristor (control element) Qg FET (switch element) X1 high voltage output circuit (protected device) B1 leak detection circuit (abnormality detection circuit) F1 abnormality detection circuit Fn abnormality detection circuit D11 Diode D12 Diode D21 Diode D2n Diode

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被保護装置への電力供給ラインに介装さ
れたスイッチ素子と、その電力供給ラインに流れる過電
流を検出する過電流検出回路と、この過電流検出回路の
出力に応じて前記スイッチ素子を制御する制御素子を有
することを特徴とする保護回路装置。
A switch element interposed in a power supply line to the device to be protected, an overcurrent detection circuit for detecting an overcurrent flowing through the power supply line, and an output terminal of the overcurrent detection circuit. A protection circuit device having a control element for controlling a switch element.
【請求項2】 被保護装置の異常を検出する異常検出回
路を有し、制御素子は過電流検出回路とこの異常検出回
路の出力に従ってスイッチ素子を制御することを特徴と
する請求項1記載の保護回路装置。
2. An apparatus according to claim 1, further comprising an abnormality detection circuit for detecting an abnormality of the device to be protected, wherein the control element controls the switch element according to an output of the overcurrent detection circuit and the abnormality detection circuit. Protection circuit device.
【請求項3】 制御素子はサイリスタであり、過電流検
出回路と異常検出回路の出力側がそれぞれダイオードを
介して前記サイリスタのゲートに接続されていることを
特徴とする請求項2記載の保護回路装置。
3. The protection circuit device according to claim 2, wherein the control element is a thyristor, and the output sides of the overcurrent detection circuit and the abnormality detection circuit are respectively connected to the gate of the thyristor via diodes. .
【請求項4】 スイッチ素子はサイリスタのオン,オフ
によりオン,オフする素子であることを特徴とする請求
項3記載の保護回路装置。
4. The protection circuit device according to claim 3, wherein the switch element is an element that is turned on and off by turning on and off the thyristor.
【請求項5】 過電流検出回路により過電流が検出され
たときにある一定時間までは高周波でスイッチ素子をオ
ン,オフし、一定時間以上連続で過電流が検出された場
合はスイッチ素子をオフすることを特徴とする請求項4
記載の保護回路装置。
5. A switch element is turned on and off at a high frequency until a certain time when an overcurrent is detected by an overcurrent detection circuit, and the switch element is turned off when an overcurrent is detected continuously for a certain time or more. 5. The method according to claim 4, wherein
The protection circuit device according to the above.
JP9334296A 1997-12-04 1997-12-04 Protective circuit Withdrawn JPH11178194A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011152003A (en) * 2010-01-22 2011-08-04 Nec Access Technica Ltd Circuit and method for protecting overvoltage

Cited By (1)

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JP2011152003A (en) * 2010-01-22 2011-08-04 Nec Access Technica Ltd Circuit and method for protecting overvoltage

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