JPH11176155A - Dram-refreshing circuit - Google Patents

Dram-refreshing circuit

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Publication number
JPH11176155A
JPH11176155A JP9362862A JP36286297A JPH11176155A JP H11176155 A JPH11176155 A JP H11176155A JP 9362862 A JP9362862 A JP 9362862A JP 36286297 A JP36286297 A JP 36286297A JP H11176155 A JPH11176155 A JP H11176155A
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JP
Japan
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refresh
dram
address
circuit
output
Prior art date
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Pending
Application number
JP9362862A
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Japanese (ja)
Inventor
Akinori Sakurai
昭典 櫻井
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve a data transfer rate by performing control so that a refreshing operation is prohibited based on a signal for indicating whether a DRAM is being accessed or not. SOLUTION: An address in one sector and each sector are specified by an offset address and a pointer address, respectively, and the 7-bit row address out of 8-bit row address is accessed by data writing of one sector. Therefore, only the row address that cannot be accessed may be refreshed while data are being buffered to a DRAM. A write control circuit 4 outputs a write request to a DRAM 1 and also stops outputting it. A command from the CPU is controlled in sector units and the output/non-output of the write request are also made in sector units. With the B-side input of a sector 8, a request (refresh request) is outputted only in the case of an address that cannot be accessed when writing data to a DRAM from a second decoder 9.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体記憶装置に関
し、特にダイナミックランダムアクセスメモリ(DRA
M)のリフレッシュ回路に関する。
The present invention relates to a semiconductor memory device, and more particularly to a dynamic random access memory (DRA).
M).

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種のDRAMリフレッシュ回
路は、DRAMの全ロウアドレスに対し、常に一定周期
ごとにリフレッシュを行っていた。また、不要なリフレ
ッシュを削減する目的で、DRAMにアクセスが行われ
たときにどのアドレスにアクセスが行われたかを記憶す
るRAMを用意し、そのアドレスに対して次回のリフレ
ッシュを行わないようにした構成が特開昭60−322
00号公報等に提案されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, this type of DRAM refresh circuit always refreshes all row addresses of a DRAM at regular intervals. Also, in order to reduce unnecessary refresh, a RAM for storing which address was accessed when the DRAM was accessed was prepared, and the next refresh was not performed for that address. Structure is Japanese Patent Laid-Open No. 60-322.
No. 00 publication.

【0003】同様な方式として特開昭59−12169
2号公報には、通常のメモリアクセス時のアドレスが次
回にリフレッシュしようとしているアドレスに一致して
いる場合次回のリフレッシュ動作を省略するリフレッシ
ュ制御方式が提案されており、また特開昭63−191
397号公報には、過去にアクセスされたDRAMのア
ドレスに対応するアドレス情報を記憶する手段と、該記
憶手段に記憶された全アドレス情報を一定時間毎に一斉
に消去する手段と、前記アドレス情報に基づいて前記リ
フレッシュアドレスがすでにアクセスされているか否か
を判定し、アクセスされていないと判定されたときにリ
フレッシュアクセス信号を送出する手段と、リフレッシ
ュアクセス信号と通常のメモリアクセス信号によるDR
AMの使用権を調停するアービタ回路と、を有する情報
処理装置が提案されている。
A similar method is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 59-12169.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-191 proposes a refresh control method for omitting the next refresh operation when the address at the time of normal memory access matches the address to be refreshed next time.
Japanese Patent No. 397 discloses a means for storing address information corresponding to an address of a DRAM accessed in the past, a means for simultaneously erasing all address information stored in the storage means at predetermined time intervals, Means for determining whether or not the refresh address has already been accessed, and sending a refresh access signal when it is determined that the refresh address has not been accessed; and a DR based on the refresh access signal and a normal memory access signal.
An information processing device having an arbiter circuit for arbitrating the right to use AM has been proposed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術
は、次のような問題点を有している。
However, the prior art has the following problems.

【0005】第一の問題点は、一定周期でリフレッシュ
されるアドレスに対して、アクセスされたアドレスにつ
いては1回リフレッシュを行わないため、あるアドレス
に対してリフレッシュされた直後にアクセスされ、それ
以降そのアドレスに対してアクセスされない場合、約2
サイクル分リフレッシュが行われないことになるため、
DRAMのリフレッシュサイクルを満たせなくなる可能
性がある、ということである。
[0005] The first problem is that an address that is refreshed at a fixed cycle is not refreshed once for an accessed address. Therefore, an address is accessed immediately after a certain address is refreshed. If the address is not accessed, about 2
Because refresh will not be performed for the cycle,
This means that the refresh cycle of the DRAM may not be satisfied.

【0006】第二の問題点は、アクセスされたアドレス
を記憶するための記憶手段(RAM)が必要となるた
め、ハードウエアの規模が大きくなる、ということであ
る。
A second problem is that a storage means (RAM) for storing an accessed address is required, so that the scale of hardware is increased.

【0007】したがって本発明は、上記問題点を解消す
るためになされたものであって、その目的は、データ転
送速度を向上し、消費電力を低減するとともに、DRA
Mのリフレッシュサイクルを確実に満たし、且つ、ハー
ドウエア規模の増大を抑止低減するDRAMリフレッシ
ュ回路を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to improve the data transfer speed, reduce the power consumption, and reduce the DRA.
An object of the present invention is to provide a DRAM refresh circuit that reliably satisfies M refresh cycles and suppresses and reduces an increase in hardware scale.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明のDRAMリフレッシュ回路は、DRAMの
記憶内容を一定時間毎にリフレッシュするリフレッシュ
回路において、前記DRAMにアクセス中であるか否か
を示す信号に基づきリフレッシュ動作を禁止するように
制御する手段を備えたことを特徴とする。以下、本発明
をその好ましい実施の形態に即して説明する。
In order to achieve the above object, a DRAM refresh circuit according to the present invention is a refresh circuit for refreshing the stored contents of a DRAM at regular time intervals to determine whether or not the DRAM is being accessed. A means for controlling so as to inhibit the refresh operation based on the signal shown is provided. Hereinafter, the present invention will be described in accordance with preferred embodiments.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明のDRAMリフレッシュ回
路は、その好ましい実施の形態において、不要なリフレ
ッシュを行わないように、リフレッシュサイクル内に1
回もアクセスされないアドレスをデコードするデコード
回路と、リフレッシュサイクル内に、ある一定のアドレ
スがアクセスされるタイミングを生成する回路と、リフ
レッシュを要求する信号を必要な全リフレッシュアドレ
スに対して出力するか、または、リフレッシュサイクル
内に1回もアクセスされないアドレスのみに対してリフ
レッシュ要求を出力するかを選択する選択手段と、を備
える。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In a preferred embodiment, a DRAM refresh circuit according to the present invention includes one DRAM in a refresh cycle so that unnecessary refresh is not performed.
A decode circuit for decoding an address which is never accessed, a circuit for generating a timing at which a certain address is accessed in a refresh cycle, and outputting a signal requesting refresh to all necessary refresh addresses, Alternatively, there is provided a selecting means for selecting whether to output a refresh request only to an address which is never accessed in a refresh cycle.

【0010】より詳細には、本発明のDRAMリフレッ
シュ回路は、その好ましい実施の形態において、リフレ
ッシュアドレス生成手段と、前記リフレッシュアドレス
生成手段のアドレス出力を入力としDRAMのリフレッ
シュサイクルを満たすようにDRAMへのリフレッシュ
要求を出力する第1のデコーダと、前記リフレッシュア
ドレス生成手段のアドレス出力を入力としある一定のア
ドレスに対してのみリフレッシュを行うようにリフレッ
シュ要求を出力する第2のデコーダと、書き込み制御回
路からの前記DRAMへのデータを書き込むモードを示
す信号を選択信号として入力し、前記第1または第2の
デコーダの出力のいずれかを選択してリフレッシュ要求
としてアービタ回路に出力する選択手段と、を含み、前
記DRAM書き込み時には、前記第2のデコーダが選択
され、アクセスされないアドレスにのみリフレッシュ要
求が出力され、前記DRAMに書き込みを行わない期間
には、前記第1のデコーダの出力に基づき、全ロウアド
レスに対してリフレッシュ動作を行う。
More specifically, in a preferred embodiment of the DRAM refresh circuit of the present invention, a refresh address generation means and an address output of the refresh address generation means are input to the DRAM so as to satisfy a DRAM refresh cycle. A first decoder for outputting a refresh request, a second decoder for receiving an address output of the refresh address generation means as an input, and outputting a refresh request to refresh only a certain address, and a write control circuit. And selecting means for inputting a signal indicating a mode in which data is written to the DRAM from the memory as a selection signal, selecting one of the outputs of the first and second decoders, and outputting to the arbiter circuit as a refresh request. Including the DRAM write Sometimes, the second decoder is selected, a refresh request is output only to an address that is not accessed, and during a period in which writing to the DRAM is not performed, a refresh is performed for all row addresses based on the output of the first decoder. Perform the operation.

【0011】本発明の実施の形態によれば、DRAMの
バスへの不要なアクセスが減少し、データ転送のスピー
ドが向上し、また消費電力が削減される。
According to the embodiment of the present invention, unnecessary access to the DRAM bus is reduced, data transfer speed is improved, and power consumption is reduced.

【0012】[0012]

【実施例】上記した本発明の実施の形態について更に詳
細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照し
て以下に説明する。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention;

【0013】図1は、本発明の一実施例のDRAMリフ
レッシュ回路の構成を示す図である。図1を参照する
と、本発明の一実施例において、リフレッシュの対象と
なるDRAM1、カウンタ2と、第1、および第2のデ
コーダ3、9と、DRA書き込み制御回路(ライトコン
トロール)4と、DRAM読み出し制御回路(リードコ
ントロール)5と、バスアービター(調停回路)6と、
アドレスセレクタ7と、セレクタ8と、を備えて構成さ
れている。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a DRAM refresh circuit according to one embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, in one embodiment of the present invention, a DRAM 1 to be refreshed, a counter 2, first and second decoders 3 and 9, a DRA write control circuit (write control) 4, and a DRAM A read control circuit (read control) 5, a bus arbiter (arbitration circuit) 6,
An address selector 7 and a selector 8 are provided.

【0014】DRAM1は、アドレスセレクタ7より選
択され出力されたアドレスが接続される。アドレスセレ
クタ7は、DRAM1への書き込みアドレス、読みだし
アドレス、リフレッシュアドレスを生成する回路(カウ
ンタ2)からのアドレス出力が接続され、バスアービタ
6でバス使用許可されたブロックのアドレスを選択す
る。
The DRAM 1 is connected to an address selected and output from the address selector 7. The address selector 7 is connected to an address output from a circuit (counter 2) for generating a write address, a read address, and a refresh address for the DRAM 1, and selects an address of a block for which the bus arbiter 6 is permitted to use the bus.

【0015】バスアービタ6は、各ブロックからのバス
使用要求を受け、優先順位をつけてアドレスセレクタ7
に選択信号を出力する。
The bus arbiter 6 receives a bus use request from each block, assigns a priority order, and assigns an address to the address selector 7.
Output the selection signal to

【0016】カウンタ2は、リフレッシュサイクルをカ
ウントするカウンタで、アドレスセレクタ7へリフレッ
シュアドレスを出力するとともに、第1、第2のデコー
ダ3、9に対してもカウント値を出力する。
The counter 2 is a counter for counting refresh cycles, and outputs a refresh address to the address selector 7 and also outputs a count value to the first and second decoders 3 and 9.

【0017】第1のデコーダ3は、DRAM1のリフレ
ッシュサイクルを満たすようにDRAM1へのリフレッ
シュ要求をセレクタ8に出力し、第2のデコーダ9は、
ある一定のアドレスに対してのみリフレッシュを行うよ
うにリフレッシュ要求をセレクタ8に出力する。
The first decoder 3 outputs a refresh request to the DRAM 1 to the selector 8 so as to satisfy the refresh cycle of the DRAM 1, and the second decoder 9
A refresh request is output to the selector 8 so as to refresh only a certain address.

【0018】セレクタ8は、DRAM書き込み制御回路
4からの、DRAM1へ入力データを書き込むモードか
を示す信号RFSELを受け、第1のデコーダ3と第2
のデコーダ9の出力を切り替えてバスアービター6に出
力する。
The selector 8 receives a signal RFSEL from the DRAM write control circuit 4 indicating whether the mode is a mode for writing input data to the DRAM 1, and receives the first decoder 3 and the second decoder 3.
The output of the decoder 9 is switched and output to the bus arbiter 6.

【0019】バスアービター6は、セレクタ8、DRA
M書き込み制御回路4、及びDRAM読み出し制御回路
5からの出力を受け、これらに優先順位をつける。
The bus arbiter 6 has a selector 8, a DRA
Outputs from the M write control circuit 4 and the DRAM read control circuit 5 are received, and these are prioritized.

【0020】本発明の一実施例の動作について説明す
る。ここでは、CD−ROMコントローラで、1M(メ
ガ)ビットのDRAMを用いる場合に本発明を適用した
例について説明する。CD−ROMのフォーマットは、
2352バイトで1セクタである。1セクタ内のアドレ
スをオフセットアドレス、各セクタをポインタアドレス
で指定するものとして、図3に示すようなアドレス構成
とすると、1セクタのデータ書き込みで、8ビットある
ロウ(row)アドレスのうち7ビットのロウアドレス
をアクセスすることになる。するとDRAMにデータを
バッファリングしている最中には、アクセスされないロ
ウアドレスのみリフレッシュ動作を行えば良いことにな
る。
The operation of one embodiment of the present invention will be described. Here, an example in which the present invention is applied to a case where a 1-M (mega) -bit DRAM is used as a CD-ROM controller will be described. The format of the CD-ROM is
One sector is 2352 bytes. Assuming that an address in one sector is designated by an offset address and each sector is designated by a pointer address, if an address configuration as shown in FIG. 3 is used, 7 bits out of an 8-bit row address can be written by one sector of data. Will be accessed. Then, while data is being buffered in the DRAM, only the row address that is not accessed needs to be refreshed.

【0021】この考えをもとに、図1を用いて本実施例
を説明する。書き込み制御回路4は、CPU(不図示)
からの命令に従って、DRAM1への書き込み要求を出
力し、また出力を止める。CPUからの命令では、セク
タ単位で制御されるため、書き込み要求の出力、非出力
もセクタ単位となる。
Based on this idea, this embodiment will be described with reference to FIG. The write control circuit 4 includes a CPU (not shown)
And outputs a write request to the DRAM 1 and stops the output in accordance with the instruction from the CPU. Since instructions from the CPU are controlled on a sector-by-sector basis, the output and non-output of write requests are also on a sector-by-sector basis.

【0022】書き込み要求を出力するセクタに対して
は、RFSEL信号が“1”になりRFSEL信号を選
択制御信号として入力するセレクタ8ではB側が選択さ
れる。セレクタ8のB側の入力は、第2のデコーダ9か
らDRAM書き込み時にアクセスされないアドレスの時
のみリクエスト(リフレッシュ要求)が出力される。
For a sector that outputs a write request, the RFSEL signal becomes "1", and the selector 8 which inputs the RFSEL signal as a selection control signal selects the B side. The input (B side) of the selector 8 outputs a request (refresh request) only when the address is not accessed by the second decoder 9 during DRAM writing.

【0023】一方、DRAM1への書き込みを行わない
セクタが入力されている時は(すなわちDRAMに書き
込みを行わない時間)、RFSEL信号が“0”にな
り、セレクタ8ではA側が選択され、第1のデコーダ3
の出力に基づき、全ロウアドレスに対してリフレッシュ
動作を行う。
On the other hand, when a sector in which writing to the DRAM 1 is not performed is input (that is, a period in which writing to the DRAM is not performed), the RFSEL signal becomes “0”, the selector 8 selects the A side, and Decoder 3
, A refresh operation is performed for all the row addresses.

【0024】図2は、上記した動作をタイミングチャー
トにて示したものである。図2を参照すると、SYNC
Iは、CD−ROMの同期パターン検出信号である。D
RAMへの書き込み信号(DRAMWRITE)が出力さ
れているときは、00hから49h(hはヘキサデシマ
ル表記を示す)までデータ書き込みでアクセスするの
で、リフレッシュは、4AhからFFhまでのロウアド
レスに対して行う。
FIG. 2 is a timing chart showing the above operation. Referring to FIG.
I is a synchronization pattern detection signal of the CD-ROM. D
When a write signal (DRAM WRITE) to the RAM is output, access is made by writing data from 00h to 49h (h indicates hexadecimal notation), so that refresh is performed on row addresses from 4Ah to FFh. .

【0025】一方、 DRAMへの書き込み信号(DR
AMWRITE)が出力されていないときは、RFSE
L信号は“0”となり、全ロウアドレス00hからFF
hに対してリフレッシュ動作を行う。
On the other hand, a write signal (DR) to the DRAM
AMWRITE) is not output, RFSE
The L signal becomes “0”, and all row addresses 00h to FF are output.
h to perform a refresh operation.

【0026】次に、本発明の第2の実施例について説明
する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described.

【0027】ここでは、CD−ROMコントローラで、
1Mビット16ビット幅のDRAMを用いる場合に本発
明を適用した例について説明する。CD−ROMのフォ
ーマットは、2352バイトで1セクタである。1セク
タ内のアドレスをオフセットアドレス、各セクタをポイ
ンタアドレスで指定することとすると、図6に示すよう
なアドレス構成とすることにより、1セクタのデータ書
き込みで11ビットのロウアドレスを全てアクセスする
ことになる。すると、DRAMにデータをバッファリン
グしている最中には、リフレッシュ動作が必要ないこと
になる。
Here, a CD-ROM controller is used.
An example in which the present invention is applied to a case where a DRAM having a width of 1M bits and 16 bits is used will be described. The format of the CD-ROM is 2352 bytes and one sector. Assuming that an address in one sector is designated by an offset address and each sector is designated by a pointer address, an address configuration as shown in FIG. 6 is employed, so that all 11-bit row addresses are accessed by writing data in one sector. become. Then, the refresh operation is not required while data is buffered in the DRAM.

【0028】この考えをもとに、図4を参照して、本発
明の第2の実施例を説明をする。図4を参照すると、本
発明の第2の実施例においては、 図1のデコーダ9と
選択回路8の代わりに、DRAM1のリフレッシュサイ
クルを満たすようDRAM1へのリフレッシュ要求を出
力するデコーダ3の出力と、書き込み制御回路4からの
信号REFENBの反転値 ̄ REFENBを入力とす
るANDゲート8を備えている。
Based on this concept, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Referring to FIG. 4, in the second embodiment of the present invention, instead of the decoder 9 and the selection circuit 8 of FIG. 1, the output of the decoder 3 for outputting a refresh request to the DRAM 1 so as to satisfy the refresh cycle of the DRAM 1 And an AND gate 8 to which an inverted value  ̄ REFENB of the signal REFENB from the write control circuit 4 is input.

【0029】書き込み制御回路4は、CPU(不図示)
からの命令に従って、DRAMへの書き込み要求を出力
し、また出力を止める。CPUからの命令ではセクタ単
位で制御されるため、書き込み要求の出力、非出力もセ
クタ単位になる。書き込み要求を出力するセクタに対し
ては、REFENB信号が“1”となり、ANDゲート
8の出力であるリフレッシュ要求が“0”となり、リフ
レッシュが止まる。しかし、前述したように、DRAM
に対してデータ出力を行う場合には、全てのロウアドレ
スに対してアクセスされるため、リフレッシュが止まっ
ても問題無い。
The write control circuit 4 includes a CPU (not shown).
And outputs a write request to the DRAM and stops the output in accordance with the instruction from the CPU. Since instructions from the CPU are controlled in sector units, the output and non-output of write requests are also in sector units. For the sector that outputs the write request, the REFENB signal becomes "1", the refresh request output from the AND gate 8 becomes "0", and the refresh stops. However, as mentioned earlier, DRAM
In the case of performing data output to, since all row addresses are accessed, there is no problem even if refreshing stops.

【0030】一方、書き込み要求を出力したいセクタが
入力されてきている時は(DRAMに書き込みを行わな
い時間)、REFENB信号が“0”になり、リフレッ
シュ動作を行う。
On the other hand, when a sector to which a write request is to be output is being input (time during which writing to the DRAM is not performed), the REFENB signal becomes "0" and the refresh operation is performed.

【0031】この様子を図5のタイミングチャートに示
す。図5において、SYNCIは、CD−ROMの同期
パターン検出信号である。DRAMへの書き込み信号が
出力されているときは、リフレッシュが停止し、DRA
Mの書き込みを行わないときにはリフレッシュが行われ
ている。
This situation is shown in the timing chart of FIG. In FIG. 5, SYNCI is a CD-ROM synchronization pattern detection signal. When the write signal to the DRAM is being output, the refresh stops and the DRA
Refresh is performed when M is not written.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
下記記載の効果を奏する。
As described above, according to the present invention,
The following effects are obtained.

【0033】本発明の第1の効果は、転送スピードが上
がる、ということである。
The first effect of the present invention is that the transfer speed is increased.

【0034】その理由は、本発明においては、不要なリ
フレッシュを削減したことにより、DRAMのデータバ
スにおいてデータ転送に使用できる時間が増加したため
である。
The reason is that, in the present invention, unnecessary refresh is reduced, so that the time available for data transfer on the data bus of the DRAM is increased.

【0035】本発明の第2効果は、消費電流を低減でき
る、ということである。
A second effect of the present invention is that current consumption can be reduced.

【0036】その理由は、本発明においては、不要なリ
フレッシュを削減したことによりDRAMのリフレッシ
ュ電流および制御信号の充放電が減少するためである。
The reason is that, in the present invention, unnecessary refresh is reduced, so that the charge and discharge of the refresh current and the control signal of the DRAM are reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a first exemplary embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施例の動作を説明するための
タイミングチャートである。
FIG. 2 is a timing chart for explaining the operation of the first exemplary embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1の実施例を説明するための図であ
り、DRAMのアドレス構成を示す図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining the first embodiment of the present invention, and is a diagram showing an address configuration of a DRAM.

【図4】本発明の第2の実施例の構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a second exemplary embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2の実施例の動作を説明するための
タイミングチャートである。
FIG. 5 is a timing chart for explaining the operation of the second exemplary embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第2の実施例を説明するための図であ
り、DRAMのアドレス構成を示す図である。
FIG. 6 is a diagram for explaining a second embodiment of the present invention, and is a diagram showing an address configuration of a DRAM.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 DRAM 2 カウンタ 7 アドレスセレクタ 3 デコーダ 4 書き込み制御回路 5 読み出し制御回路 6 バスアービタ 8 セレクタ 9 デコーダ 1 DRAM 2 Counter 7 Address Selector 3 Decoder 4 Write Control Circuit 5 Read Control Circuit 6 Bus Arbiter 8 Selector 9 Decoder

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ダイナミックランダムアクセスメモリ
(「DRAM」という)の記憶内容を一定時間毎にリフ
レッシュするリフレッシュ回路において、前記DRAM
にアクセス中であるか否かを示す信号に基づきリフレッ
シュ動作を禁止するように制御する手段を備えたことを
特徴とするDRAMリフレッシュ回路。
1. A refresh circuit for refreshing storage contents of a dynamic random access memory (hereinafter referred to as "DRAM") at regular intervals.
A means for controlling a refresh operation to be inhibited based on a signal indicating whether or not access is being performed.
【請求項2】DRAMの記憶内容を一定時間毎にリフレ
ッシュするリフレッシュ回路において、前記DRAMに
アクセス中であるか否かを示す信号に基づき、リフレッ
シュを要求する信号を必要な全リフレッシュアドレスに
対して出力するか、または、リフレッシュサイクル内に
1回もアクセスされないアドレスのみに対してリフレッ
シュ要求を出力するかを選択する手段を備えことを特徴
とするDRAMリフレッシュ回路。
2. A refresh circuit for refreshing stored contents of a DRAM at predetermined time intervals, wherein a refresh request signal is issued to all necessary refresh addresses based on a signal indicating whether or not the DRAM is being accessed. A DRAM refresh circuit comprising means for selecting whether to output a refresh request or to output a refresh request only to an address which is never accessed in a refresh cycle.
【請求項3】リフレッシュアドレス生成手段と、 前記リフレッシュアドレス生成手段のアドレス出力を入
力としダイナミックランダムアクセスメモリ(「DRA
M」という)のリフレッシュサイクルを満たすようにD
RAMへのリフレッシュ要求を出力する第1のデコーダ
と、 前記リフレッシュアドレス生成手段のアドレス出力を入
力としある一定のアドレスに対してのみリフレッシュを
行うようにリフレッシュ要求を出力する第2のデコーダ
と、 書き込み制御回路からの前記DRAMへのデータを書き
込むモードを示す信号を選択信号として入力し、前記第
1または第2のデコーダの出力のいずれかを選択してリ
フレッシュ要求として出力する選択手段と、 を含み、 前記DRAMへの書き込みモード時には、前記第2のデ
コーダが選択され、アクセスされないアドレスにのみリ
フレッシュ要求が出力され、 前記DRAMに書き込みを行わない期間には、前記第1
のデコーダの出力に基づき、全ロウアドレスに対してリ
フレッシュ動作を行う、ことを特徴とするDRAMリフ
レッシュ回路。
3. A dynamic random access memory (“DRA”) having a refresh address generating means as an input and an address output of the refresh address generating means as an input.
M ”) to satisfy the refresh cycle
A first decoder that outputs a refresh request to the RAM, a second decoder that receives an address output of the refresh address generation unit as an input, and outputs a refresh request so as to refresh only a certain address. Selecting means for inputting a signal indicating a mode for writing data to the DRAM from a control circuit as a selection signal, selecting one of the outputs of the first and second decoders, and outputting the selected signal as a refresh request. In a write mode to the DRAM, the second decoder is selected, a refresh request is output only to an address that is not accessed, and during a period in which writing to the DRAM is not performed, the first decoder is selected.
A refresh operation for all row addresses based on the output of the decoder.
【請求項4】リフレッシュアドレス生成手段と、 前記リフレッシュアドレス生成手段のアドレス出力を入
力としダイナミックランダムアクセスメモリ(「DRA
M」という)のリフレッシュサイクルを満たすようにD
RAMへのリフレッシュ要求を出力するデコーダと、 書き込み制御回路からの前記DRAMへのデータを書き
込みを示す信号と前記デコーダの出力を入力とし、前記
DRAMへのデータを書き込みを示す信号がインアクテ
ィブの時リフレッシュ要求を出力し、前記DRAMへの
データを書き込みを示す信号がアクティブのとき、前記
DRAMのリフレッシュ動作を停止するように制御する
ゲート回路からなる選択手段と、 を備えたことを特徴とするDRAMリフレッシュ回路。
4. A dynamic random access memory ("DRA") having a refresh address generating means as an input and an address output of said refresh address generating means as an input.
M ”) to satisfy the refresh cycle
A decoder for outputting a refresh request to the RAM; a signal from the write control circuit indicating writing of data to the DRAM and an output of the decoder as inputs; and a signal indicating writing of data to the DRAM is inactive. Selecting means comprising a gate circuit for outputting a refresh request and controlling to stop the refresh operation of the DRAM when a signal indicating writing of data to the DRAM is active, the DRAM comprising: Refresh circuit.
【請求項5】前記書き込み制御回路、読み出し制御回
路、および前記選択手段の出力を入力としてこれらに優
先順位をつけ前記DRAMの使用権の調停を行うアービ
タ回路と、 前記DRAMへの書き込みアドレス、読みだしアドレ
ス、および前記リフレッシュアドレス生成手段のアドレ
スのうち前記アービタ回路でバス使用許可されたものの
アドレスを選択するアドレス選択回路を備えた請求項4
または5記載のDRAMリフレッシュ回路。
5. An arbiter circuit which receives outputs of the write control circuit, the read control circuit, and the selecting means, and prioritizes them to arbitrate the right to use the DRAM; 5. An address selection circuit for selecting an address for which a bus use is permitted by the arbiter circuit, out of an address of the refresh address and an address of the refresh address generation means.
Or the DRAM refresh circuit according to 5.
【請求項6】請求項1乃至5のいずれか一に記載のDR
AMリフレッシュ回路を備えたCD−ROMコントロー
ラ。
6. The DR according to any one of claims 1 to 5,
CD-ROM controller provided with an AM refresh circuit.
JP9362862A 1997-12-12 1997-12-12 Dram-refreshing circuit Pending JPH11176155A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009043337A (en) * 2007-08-08 2009-02-26 Hitachi Ltd Information recording/reproducing apparatus and method of controlling memory

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