JPH11174691A - Resist washing agent - Google Patents
Resist washing agentInfo
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- JPH11174691A JPH11174691A JP34800997A JP34800997A JPH11174691A JP H11174691 A JPH11174691 A JP H11174691A JP 34800997 A JP34800997 A JP 34800997A JP 34800997 A JP34800997 A JP 34800997A JP H11174691 A JPH11174691 A JP H11174691A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はレジスト洗浄剤に関
するものであり、さらに詳しくは、液晶パネルのガラス
基材または半導体のシリコンウエハ等の基材上に微細加
工に使用されるレジストの周縁部分及び裏面部分の不要
レジストを洗浄除去するためのレジスト洗浄剤に関する
ものであり、液晶パネル及び半導体を歩留まり良く、効
率的に製造するために使用される。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist cleaning agent, and more particularly, to a peripheral portion of a resist used for fine processing on a substrate such as a glass substrate of a liquid crystal panel or a silicon wafer of a semiconductor. The present invention relates to a resist cleaning agent for cleaning and removing unnecessary resist on the back surface, and is used for efficiently producing a liquid crystal panel and a semiconductor with high yield.
【０００２】[0002]
【従来の技術】基材上にスピンコーターでレジストを塗
布した場合、液晶パネルガラス基材では周縁部分に、シ
リコンウエハ等では周縁部分と裏面部分に不要のレジス
トが付着したり盛り上がりができたりしていた。このよ
うな不要部分のレジストは次工程の熱処理の後、搬送等
により剥離し易くなる。このようにして剥離したレジス
トは塵埃になり、基材上に付着したりして歩留まりを落
とす原因になっていた。2. Description of the Related Art When a resist is applied on a substrate by a spin coater, unnecessary resist adheres or bulges to a peripheral portion of a liquid crystal panel glass substrate and to a peripheral portion and a back surface of a silicon wafer or the like. I was Such unnecessary portions of the resist are easily peeled off by transportation or the like after the heat treatment in the next step. The resist peeled off in this way becomes dust and adheres to the base material, causing a reduction in yield.
【０００３】このような問題を解決するために基材の周
縁部分又は裏面部分の不要レジストを予め除去すること
が行われている。除去するための溶剤としてはエチルセ
ロソルブアセテート、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン等が使用されていた。また、特公平４−４
９９３８号公報には、１−アルコキシ−２−プロパノー
ルおよび酢酸１−アルコキシ−２−プロピルを所定量含
有する剥離組成物が提案されており、特開平４−４２５
２３号公報には、３−メトキシプロピオン酸メチル、４
−メトキシ酪酸メチルなどのエステルを含有する溶剤が
提案されている。In order to solve such a problem, an unnecessary resist on a peripheral portion or a back surface of a base material has been removed in advance. As a solvent for removal, ethyl cellosolve acetate, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, or the like has been used. In addition, 4-4
Japanese Unexamined Patent Publication No. 9938 proposes a release composition containing predetermined amounts of 1-alkoxy-2-propanol and 1-alkoxy-2-propyl acetate.
No. 23 discloses methyl 3-methoxypropionate,
-Solvents containing esters such as methyl methoxybutyrate have been proposed.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、エチルセロ
ソルブアセテートは毒性に問題があり、ケトン類はアメ
リカ合衆国での使用制限により日本国においても使用を
抑える動きが出てきた。また、使用する洗浄剤によって
は洗浄部の盛り上がりができたり、染みや垂れが残る等
の問題もあった。本発明は、このような事情に鑑み、安
全性に優れ、染みや垂れの出ない良好なレジスト洗浄剤
の提供を目的とするものである。However, ethyl cellosolve acetate has a problem in toxicity, and the use of ketones has been restricted in Japan due to restrictions on use in the United States. Further, depending on the cleaning agent used, there are also problems such as the swelling of the cleaning portion and the remaining of stains and sags. The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a good resist cleaning agent which is excellent in safety and does not cause stains or sagging.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的に
対して種々検討したところ、グリコールジアルキルエー
テルを含有する溶剤が効果のあることを見いだし、本発
明に至った。すなわち、上記課題を解決するため請求項
１の発明のレジスト洗浄剤は、下記の一般式（１）で表
されるグリコールジアルキルエーテルを含有することを
特徴とするものである。Means for Solving the Problems The present inventors have conducted various studies on the above object, and found that a solvent containing a glycol dialkyl ether is effective, and have reached the present invention. That is, in order to solve the above-mentioned problems, the resist cleaning agent according to the first aspect of the present invention is characterized by containing a glycol dialkyl ether represented by the following general formula (1).
【０００６】[0006]
【化２】 Embedded image
【０００７】（式中Ｒ1 及びＲ3 は、それぞれ低級アル
キル基であり、同一であっても異なっていても良い。Ｒ
2 は水素若しくはメチル基を示す。ｎは１又は２であ
る。）(Wherein R 1 and R 3 are each a lower alkyl group and may be the same or different.
2 represents hydrogen or a methyl group. n is 1 or 2. )
【０００８】本発明の請求項２の発明は、請求項１に記
載のレジスト洗浄剤において、さらに第２成分として炭
素数８以下のアルコール系溶剤を含有することを特徴と
するものである。According to a second aspect of the present invention, there is provided the resist cleaning agent according to the first aspect, further comprising an alcohol solvent having 8 or less carbon atoms as a second component.
【０００９】本発明の請求項３の発明は、請求項２に記
載のレジスト洗浄剤において、アルコール系溶剤がエタ
ノール、イソプロパノール、１−メトキシ−２−プロパ
ノールから選ばれる少なくとも１つであることを特徴と
する。According to a third aspect of the present invention, in the resist cleaning agent according to the second aspect, the alcohol solvent is at least one selected from ethanol, isopropanol and 1-methoxy-2-propanol. And
【００１０】本発明の請求項４の発明は、請求項２また
は請求項３に記載のレジスト洗浄剤において、さらに第
３成分としてエステルを含有することを特徴とする。A fourth aspect of the present invention is the resist cleaning agent according to the second or third aspect, further comprising an ester as the third component.
【００１１】本発明の請求項５の発明は、請求項４に記
載のレジスト洗浄剤において、エステルが酢酸エチルで
あることを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, in the resist cleaning agent according to the fourth aspect, the ester is ethyl acetate.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下に本発明をさらに詳しく説明
する。本発明のレジスト洗浄剤には上記一般式（１）で
表されるグリコールジアルキルエーテルが含有されてい
る必要がある。このグリコールジアルキルエーテルとし
ては、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレン
グリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブ
チルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコール
ジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエ
ーテル等が挙げられる。これらグリコールジアルキルエ
ーテルは単独で用いても良いし、二種以上を混合して用
いても良い。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in more detail. The resist cleaning agent of the present invention needs to contain the glycol dialkyl ether represented by the general formula (1). Examples of the glycol dialkyl ether include ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol dibutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, and the like. These glycol dialkyl ethers may be used alone or as a mixture of two or more.
【００１３】本発明においては、上記一般式（１）のグ
リコールジアルキルエーテルにさらに第２成分としてア
ルコール系溶剤を添加することにより、第１成分のグリ
コールジアルキルエーテルによってはレジストを構成す
る基材樹脂である、ノボラック樹脂等の溶解性を著しく
向上させることができる。このアルコール系溶剤として
は、低級アルコール系溶剤が好ましく、具体的には、例
えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプ
ロパノール、ブタノール、イソブタノール、ｔｅｒｔ−
ブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エ
トキシ−２−プロパノールなどを挙げることができる。
これらアルコール系溶剤は単独で用いても良いし、二種
以上を混合して用いても良い。炭素数の多いアルコール
系溶剤は、一般的に蒸発速度が遅く、基材上に残る可能
性があるので、炭素数８以下のアルコール系溶剤が望ま
しい。In the present invention, by adding an alcohol-based solvent as the second component to the glycol dialkyl ether of the above general formula (1), depending on the glycol dialkyl ether of the first component, the base resin constituting the resist may be used. Certainly, the solubility of a novolak resin or the like can be significantly improved. As the alcohol-based solvent, a lower alcohol-based solvent is preferred. Specifically, for example, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol, isobutanol, tert-
Butanol, 1-methoxy-2-propanol, 1-ethoxy-2-propanol and the like can be mentioned.
These alcohol solvents may be used alone or as a mixture of two or more. Alcohol-based solvents having a large number of carbon atoms generally have a low evaporation rate and may remain on the substrate. Therefore, alcohol-based solvents having a carbon number of 8 or less are desirable.
【００１４】アルコール系溶剤の添加量は極わずか添加
しても効果はあるが、通常、１０〜９５％の範囲で混合
される。アルコール系溶剤がエタノール、イソプロパノ
ール、ブタノールの場合にはアルコールの量が多いと感
光剤等の溶解力が低下するので望ましい添加量は２０〜
６０％である。アルコール系溶剤が１−メトキシ−２−
プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール等の場
合にはエチルアルコール等の場合に比較して感光剤の溶
解力が低下しないことから望ましい添加量は６０〜９５
％である。Although the effect of adding the alcohol-based solvent is extremely small, it is usually mixed in the range of 10 to 95%. When the alcohol-based solvent is ethanol, isopropanol, or butanol, a large amount of the alcohol decreases the dissolving power of the photosensitizer and the like, so the preferable addition amount is 20 to
60%. The alcohol solvent is 1-methoxy-2-
In the case of propanol, 1-ethoxy-2-propanol, etc., the dissolving power of the photosensitizer does not decrease as compared with the case of ethyl alcohol, etc., so the preferable addition amount is 60 to 95.
%.
【００１５】さらに、本発明においては、総合的な洗浄
力及び染みや垂れを無くすために、一般式（１）で示さ
れる第１成分のグリコールジアルキルエーテルと第２成
分のアルコール系溶剤との混合物に、さらに第３成分と
してエステルを添加する。このエステルとしては、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピ
ル、酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸３−メチル−３−メ
トキシブチル、酢酸３−メトキシブチル、プロピオン酸
メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、
酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸プロピル、３−メトキシ
プロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチ
ル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプ
ロピオン酸エチル、２−メチル−３−メトキシプロピオ
ン酸メチル、乳酸メチル、乳酸エチル、ピルビン酸メチ
ル、ピルビン酸エチル等を挙げることができる。第３成
分のエステルの混合量は、少量でも良いが５〜９０％の
範囲で混合することができる。望ましい、混合範囲は第
３成分のエステルが５０〜８０％、第２成分のアルコー
ル系溶剤が１０〜３０％、第１成分のグリコールジアル
キルエーテルが５〜２０％である。Further, in the present invention, a mixture of a glycol dialkyl ether of the first component represented by the general formula (1) and an alcoholic solvent of the second component represented by the general formula (1) is used in order to eliminate the overall detergency and stains and dripping. And an ester as a third component. Examples of the ester include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, isopropyl acetate, butyl acetate, amyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, methyl propionate, ethyl propionate, and propyl propionate. ,
Methyl butyrate, ethyl butyrate, propyl butyrate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, methyl 2-methyl-3-methoxypropionate, methyl lactate , Ethyl lactate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate and the like. The amount of the third component ester may be small, but may be mixed in the range of 5 to 90%. Desirable mixing ranges are that the ester of the third component is 50 to 80%, the alcohol solvent of the second component is 10 to 30%, and the glycol dialkyl ether of the first component is 5 to 20%.
【００１６】本発明で除去されるレジストは特に制限さ
れるものではないが、一般的にポジ型フォトレジストが
有用である。ポジ型レジストとしては感光剤としてナフ
トキノンジアジド化合物、被膜形成物質としてフェノー
ル、クレゾール等をアルデヒド等で縮合したノボラック
樹脂等から成るレジスト組成物または酸発生剤とポリビ
ニルフェノールをｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル化変成
した樹脂から成る、いわゆる、化学増幅型ポジ型レジス
ト組成物が挙げられる。また、化学増幅型ポジ型レジス
トを使用する場合には微細加工を行うために、ポリイミ
ド、ポリメラミン、ポリビニルフェノール等の反射防止
膜を併用して使用される。本発明のレジスト洗浄剤はこ
の反射防止膜の基材周縁部分の洗浄にも有用である。Although the resist to be removed in the present invention is not particularly limited, a positive photoresist is generally useful. As a positive resist, a resist composition comprising a naphthoquinonediazide compound as a photosensitive agent, a novolak resin obtained by condensing phenol, cresol, or the like with an aldehyde as a film-forming substance, or a resin obtained by denaturing an acid generator and polyvinylphenol with tert-butoxycarbonyl , A so-called chemically amplified positive resist composition. When a chemically amplified positive resist is used, it is used in combination with an antireflection film such as polyimide, polymelamine, or polyvinylphenol for fine processing. The resist cleaning agent of the present invention is also useful for cleaning the peripheral part of the substrate of the antireflection film.
【００１７】本発明のレジスト洗浄剤は、スピンコータ
ーで塗布された基材周縁部分及び裏面部分の洗浄に使用
されるものである。レジストはスピンコーターで回転さ
れたガラス基材、シリコンウエハ基材上に滴下され、遠
心力により塗布されるが、この時、周辺部分にはレジス
トの盛り上がりができ、縁部分及び裏面には次工程の熱
処理により剥離する不要なレジストが付着する。このよ
うな、周縁部分及び裏面部分のレジストを洗浄するため
に本発明のレジスト洗浄剤が使用される。The resist cleaning agent of the present invention is used for cleaning the peripheral portion and the back surface of a substrate applied by a spin coater. The resist is dropped on a glass substrate or a silicon wafer substrate rotated by a spin coater and applied by centrifugal force. At this time, the resist swells around the periphery, and the next step is applied to the edge and the back surface. Unnecessary resist that is peeled off by the heat treatment is attached. The resist cleaning agent of the present invention is used for cleaning such a peripheral portion and a resist on the back surface.
【００１８】尚、本発明のレジスト洗浄剤は、スピンコ
ーターでレジストを基材に塗布したときに飛び散り、カ
ップ等に付着するが、このレジストの洗浄にも有効に使
用することができる。The resist cleaning agent of the present invention scatters when a resist is applied to a substrate by a spin coater and adheres to a cup or the like, and can be effectively used for cleaning the resist.
【００１９】[0019]
【実施例】以下実施例により本発明を更に具体的に説明
するが、本発明は以下の実施例にのみ制限されるもので
はない。EXAMPLES The present invention will be described more specifically with reference to the following examples, but the present invention is not limited to the following examples.
【００２０】（実施例１〜８）レジストを構成する樹脂
であるノボラック樹脂（ＣＫＭ−９５７ 昭和高分子社
製）の溶解テストを実施した。第１成分のグリコールジ
アルキルエーテル単独若しくは第２成分のアルコール系
溶剤を表１に示す割合で添加して評価した。溶解テスト
は以下のように実施した。本発明のレジスト洗浄剤（実
施例１〜８）２０ｇを５０ｍｌ三角フラスコにとり、マ
グネティックスターラーで攪拌しながら３０℃の恒温槽
につけ３０分間放置した。これに、ノボラック樹脂４ｇ
を添加、すばやくふたをし、完全に溶解するまでの時間
を測定した。そのテスト結果を表１に示した。Examples 1 to 8 A dissolution test was conducted on a novolak resin (CKM-957, manufactured by Showa Polymer Co., Ltd.) as a resin constituting the resist. The evaluation was made by adding the glycol dialkyl ether of the first component alone or the alcohol solvent of the second component at the ratio shown in Table 1. The dissolution test was performed as follows. 20 g of the resist cleaning agent of the present invention (Examples 1 to 8) was placed in a 50 ml Erlenmeyer flask, placed in a thermostat at 30 ° C. for 30 minutes while stirring with a magnetic stirrer. 4g of novolak resin
Was added, the lid was quickly closed, and the time until complete dissolution was measured. Table 1 shows the test results.
【００２１】[0021]
【表１】 [Table 1]
【００２２】表１から第１成分のグリコールジアルキル
エーテル単独でも十分溶解するが、第１成分のグリコー
ルジアルキルエーテルがジプロピレングリコールジメチ
ルエーテル（ＤＰＧＤＭ）の場合は、第２成分のアルコ
ール系溶剤を混合すると（実施例４〜８）、ジプロピレ
ングリコールジメチルエーテル（ＤＰＧＤＭ）単独の場
合（実施例３）よりも著しく溶解時間が短くなることが
判る。According to Table 1, the glycol dialkyl ether of the first component alone is sufficiently dissolved, but when the glycol dialkyl ether of the first component is dipropylene glycol dimethyl ether (DPGDM), the alcohol solvent of the second component is mixed ( Examples 4 to 8) show that the dissolution time is significantly shorter than in the case of dipropylene glycol dimethyl ether (DPGDM) alone (Example 3).
【００２３】（実施例９〜１０）表２に示す割合で第１
成分のグリコールジアルキルエーテルおよび第２成分の
アルコール系溶剤を配合した本発明のレジスト洗浄剤
（実施例９〜１０）を用いて、４インチシリコンウエハ
上でのレジストの周縁部分の洗浄を行った。スピンコー
ター上でノボラック樹脂、ナフトキノンジアジド感光
剤、酢酸１−メトキシ−２−プロピルから成るレジスト
を２μｍに均一に塗った後、回転数を２０００ｒｐｍに
保った。これに、本発明のレジスト洗浄剤（実施例９〜
１０）を用いて内径０．２１ｍｍのノズルから流量４ｍ
ｌ／分で上部から５秒間シリコンウエハの周縁部分を洗
浄した。このシリコンウエハを熱処理した後、周縁部分
を顕微鏡で拡大し洗浄性評価を行った。レジスト部分の
盛り上がりや、また、シリコンウエハ被洗浄部分のレジ
ストの垂れまたは染みがあるとその後の工程においてそ
れらは剥離され、塵埃になるので、周縁部分の洗浄工程
において全くなくなることが望ましい。洗浄前は著しく
周縁部分にレジストの盛り上がりがあるが、洗浄後には
どのようになったのかを次のような基準で評価した。(Examples 9 to 10)
Using the resist cleaning agent of the present invention (Examples 9 to 10) in which the glycol dialkyl ether of the component and the alcohol solvent of the second component were blended, the peripheral portion of the resist was cleaned on a 4-inch silicon wafer. After a resist composed of a novolak resin, a naphthoquinonediazide photosensitizer, and 1-methoxy-2-propyl acetate was uniformly applied to a thickness of 2 μm on a spin coater, the rotation speed was maintained at 2,000 rpm. In addition, the resist cleaning agent of the present invention (Examples 9 to 9)
4) Flow rate 4m from nozzle with inner diameter 0.21mm using 10)
The peripheral portion of the silicon wafer was cleaned from the top at 1 / min for 5 seconds. After the silicon wafer was heat-treated, the peripheral portion was enlarged under a microscope to evaluate the cleaning property. If swelling of the resist portion or dripping or bleeding of the resist in the portion to be cleaned of the silicon wafer is removed in a subsequent process and becomes dust, it is desirable that the resist is completely eliminated in the cleaning process of the peripheral portion. Before the cleaning, there was a significant swelling of the resist at the peripheral portion, but after cleaning, the condition was evaluated according to the following criteria.
【００２４】◎：レジスト部分に盛り上がりが全くな
く、またシリコンウエハ被洗浄部分にレジストの染みあ
るいは垂れも全くない。洗浄性は非常に良い。 ○：レジスト部分の盛り上がりがわずかにあるか、シリ
コンウエハ被洗浄部分へのレジストの染みあるいは垂れ
がわずかにある。洗浄性に問題はない。 △：レジスト部分の盛り上がりがあり、シリコンウエハ
被洗浄部分へのレジストの染みあるいは垂れがある。場
合によっては塵埃の原因になる。 洗浄性評価の結果を表２に示す。A: There is no swelling in the resist portion, and there is no stain or dripping of the resist in the portion to be cleaned of the silicon wafer. Detergency is very good. ：: The swelling of the resist portion is slight, or the stain or dripping of the resist on the portion to be cleaned of the silicon wafer is slight. There is no problem in cleaning performance. Δ: There is a swelling of the resist portion, and there is a stain or dripping of the resist on the portion to be cleaned of the silicon wafer. May cause dust. Table 2 shows the results of the cleaning evaluation.
【００２５】（比較例１〜２）１−メトキシ−２−プロ
パノール単独の場合（比較例１）および酢酸エチル単独
の場合（比較例２）を用いて実施例９〜１０と同様にし
て、４インチシリコンウエハ上でのレジストの周縁部分
の洗浄を行い、洗浄性評価を行った。洗浄性評価の結果
を表２に示す。(Comparative Examples 1-2) In the same manner as in Examples 9 to 10 using 1-methoxy-2-propanol alone (Comparative Example 1) and ethyl acetate alone (Comparative Example 2), The periphery of the resist on the inch silicon wafer was cleaned, and the cleaning property was evaluated. Table 2 shows the results of the cleaning evaluation.
【００２６】[0026]
【表２】 [Table 2]
【００２７】表２から、第１成分のグリコールジアルキ
ルエーテルおよび第２成分のアルコール系溶剤を配合し
た本発明のレジスト洗浄剤（実施例９）より、本発明の
レジスト洗浄剤（実施例９）にさらに第３成分のエステ
ルを添加した本発明のレジスト洗浄剤（実施例１０）は
洗浄性が向上し、また、本発明のレジスト洗浄剤（実施
例９）および本発明のレジスト洗浄剤（実施例９）は、
アルコール単独の場合（比較例１）及びエステル単独の
場合（比較例２）に比べて著しく洗浄結果が良く、良好
なレジスト洗浄剤であることが判る。From Table 2, it can be seen that the resist cleaning agent of the present invention (Example 9) was changed from the resist cleaning agent of the present invention (Example 9) containing the glycol dialkyl ether of the first component and the alcoholic solvent of the second component. Furthermore, the resist cleaning agent of the present invention (Example 10) to which the ester of the third component was added improved the cleaning properties, and the resist cleaning agent of the present invention (Example 9) and the resist cleaning agent of the present invention (Example 9) 9)
The cleaning results are remarkably better as compared with the case of using only the alcohol (Comparative Example 1) and the case of using the ester alone (Comparative Example 2), and it is understood that the resist cleaning agent is a good resist cleaning agent.
【００２８】[0028]
【発明の効果】本発明は、エチルセロソルブアセテー
ト、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなど
に変わる、新規なレジスト洗浄剤を提供するものであ
り、本発明のレジスト洗浄剤を用いると洗浄後の基材に
染みや垂れを残さず、良好な洗浄を行うことができる。According to the present invention, there is provided a novel resist cleaning agent which is replaced with ethyl cellosolve acetate, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, etc. When the resist cleaning agent of the present invention is used, the substrate after cleaning is stained. Good cleaning can be performed without leaving sagging.
Claims (5)
ルジアルキルエーテルを含有することを特徴とするレジ
スト洗浄剤。 【化１】 （式中Ｒ1 及びＲ3 は、それぞれ低級アルキル基であ
り、同一であっても異なっていても良い。Ｒ2 は水素若
しくはメチル基を示す。ｎは１又は２である。）1. A resist cleaning agent comprising a glycol dialkyl ether represented by the following general formula (1). Embedded image (In the formula, R 1 and R 3 are each a lower alkyl group and may be the same or different. R 2 represents hydrogen or a methyl group. N is 1 or 2.)
ルコール系溶剤を含有することを特徴とする請求項１に
記載のレジスト洗浄剤。2. The resist cleaning agent according to claim 1, further comprising an alcohol solvent having 8 or less carbon atoms as the second component.
ロパノール、１−メトキシ−２−プロパノールから選ば
れる少なくとも１つであることを特徴とする請求項２に
記載のレジスト洗浄剤。3. The resist cleaning agent according to claim 2, wherein the alcohol solvent is at least one selected from ethanol, isopropanol, and 1-methoxy-2-propanol.
ることを特徴とする請求項２または請求項３に記載のレ
ジスト洗浄剤。4. The resist cleaning agent according to claim 2, further comprising an ester as a third component.
とする請求項４に記載のレジスト洗浄剤。5. The resist cleaning agent according to claim 4, wherein the ester is ethyl acetate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34800997A JPH11174691A (en) | 1997-12-17 | 1997-12-17 | Resist washing agent |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34800997A JPH11174691A (en) | 1997-12-17 | 1997-12-17 | Resist washing agent |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11174691A true JPH11174691A (en) | 1999-07-02 |
Family
ID=18394129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34800997A Pending JPH11174691A (en) | 1997-12-17 | 1997-12-17 | Resist washing agent |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11174691A (en) |
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