JPH1117404A - Filter - Google Patents

Filter

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JPH1117404A
JPH1117404A JP16408697A JP16408697A JPH1117404A JP H1117404 A JPH1117404 A JP H1117404A JP 16408697 A JP16408697 A JP 16408697A JP 16408697 A JP16408697 A JP 16408697A JP H1117404 A JPH1117404 A JP H1117404A
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JP
Japan
Prior art keywords
resonance electrode
electrode
dielectric
resonance
dielectric substrate
Prior art date
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Application number
JP16408697A
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Japanese (ja)
Inventor
Eriko Tono
恵理子 東野
Toshiyuki Abe
敏之 阿部
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
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Publication of JPH1117404A publication Critical patent/JPH1117404A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a filter miniaturized by reducing a plane area and a thickness. SOLUTION: A dielectric base body 1 is constituted by laminating plural dielectric layers 11-13. A first resonance electrode 21 and a second resonance electrode 22 are respectively arranged on both surfaces in the layer thickness direction to one of the dielectric layer 11 for constituting the dielectric base body 1 and provided with the shape of being bent at least once. Bent tip parts are turned to open end parts 211 and 221, only the open end parts 211 and 221 are overlapped with each other through the dielectric layer and an intermediate part is electrically connected to input/output terminals 24 and 25 provided on the side face of the dielectric base body 1. A shield electrode 23 is provided on the other dielectric layers 12 and 13 for covering the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22 and the other end parts of the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22 are connected.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、フィルタに関する。更
に詳しくは、例えば携帯電話機等に用いる通信用の帯域
通過フィルタ特性を有する積層誘電体フィルタに係る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a filter. More specifically, the present invention relates to a laminated dielectric filter having a band-pass filter characteristic for communication used in, for example, a mobile phone.

【0002】[0002]

【従来の技術】携帯電話機などの小型・薄型化に伴い、
携帯電話などに用いられている通信用フィルタは小型で
軽量で良好な特性が得られる積層フィルタが要求されて
いる。従来の積層誘電体フィルタは、誘電体基体の同一
面上に、2本の1/4波長共振器を、間隔を隔てて設
け、共振器の形成された誘電体基体の面上に他の誘電体
基体を積層し、各誘電体基体の外側主面には共振器を覆
うように、シールド電極を形成した構造となっていた。
共振器のそれぞれの一端は側面シールド電極と接続され
る短絡端とされ、他端は開放端になっている。このフィ
ルタの共振周波数は共振器長により決定されるため、共
振周波数によって大きさが決定されてしまい、小型化が
難しかい。
2. Description of the Related Art As mobile phones become smaller and thinner,
2. Description of the Related Art A communication filter used for a mobile phone or the like is required to have a small size, light weight, and a laminated filter capable of obtaining good characteristics. In a conventional laminated dielectric filter, two quarter-wavelength resonators are provided at an interval on the same surface of a dielectric substrate, and another dielectric is provided on the surface of the dielectric substrate on which the resonator is formed. In this structure, the body substrates are stacked, and a shield electrode is formed on the outer main surface of each dielectric substrate so as to cover the resonator.
One end of each of the resonators is a short-circuit end connected to the side shield electrode, and the other end is an open end. Since the resonance frequency of this filter is determined by the resonator length, its size is determined by the resonance frequency, and it is difficult to reduce the size.

【0003】特開平9ー69701号公報は、小型化が
可能で、かつ、小型化してもQ値の低下が少ない1/4
波長共振器を用いたフィルタを開示している。この公知
文献に記載されたフィルタは、板厚方向の一面にうず巻
き状の共振電極を形成した2枚の誘電体基体の間に、結
合制御電極を有する誘電体基体を配置した構造であっ
て、結合制御電極を有する誘電体基体による厚み増大を
回避することができない。
[0003] Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-69701 discloses a 1/4 that can be miniaturized and has a small Q value even if it is miniaturized.
A filter using a wavelength resonator is disclosed. The filter described in this known document has a structure in which a dielectric substrate having a coupling control electrode is arranged between two dielectric substrates each having a spiral-shaped resonance electrode formed on one surface in a plate thickness direction, The increase in thickness due to the dielectric substrate having the coupling control electrode cannot be avoided.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、平面
積および厚みを減少させて小型化を図ったフィルタを提
供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a filter which is reduced in plane area and thickness to reduce its size.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係るフィルタは、誘電体基体と、第1の
共振電極と、第2の共振電極と、シールド電極とを含
む。前記誘電体基体は、複数の誘電体層を積層して構成
されている。前記第1の共振電極および第2の共振電極
のそれぞれは、前記誘電体基体を構成する前記誘電体層
の一つに対し、その層厚方向の両面にそれぞれ配置さ
れ、少なくとも1回折り曲げられた形状を有し、折り曲
げられた先端部が開放端部となっていて、前記開放端部
のみが前記誘電体層を介して互いに重なり、中間部が前
記誘電体基体の側面に設けられた入出力端子に結合され
ている。
In order to solve the above-mentioned problems, a filter according to the present invention includes a dielectric substrate, a first resonance electrode, a second resonance electrode, and a shield electrode. The dielectric substrate is formed by laminating a plurality of dielectric layers. Each of the first resonance electrode and the second resonance electrode is arranged on one of the dielectric layers constituting the dielectric substrate on both sides in the layer thickness direction, and is bent at least once. An input / output device having a shape, a bent end portion serving as an open end portion, only the open end portion overlapping each other via the dielectric layer, and an intermediate portion provided on a side surface of the dielectric substrate. Connected to terminal.

【0006】前記シールド電極は、前記第1の共振電極
および第2の共振電極を覆う他の誘電体層の上に設けら
れ、前記第1の共振電極および第2の共振電極の他端部
が接続されている。
The shield electrode is provided on another dielectric layer covering the first resonance electrode and the second resonance electrode, and the other ends of the first resonance electrode and the second resonance electrode are connected to each other. It is connected.

【0007】上述したように、本発明に係るフィルタに
おいて、第1の共振電極および第2の共振電極のそれぞ
れは、誘電体層の一つに対し、その層厚方向の両面にそ
れぞれ配置されているから、誘電体基体の同一面上に2
本の共振器を間隔を隔てて設ける従来フィルタと比較し
て、平面積が著しく小さくなる。
As described above, in the filter according to the present invention, each of the first resonance electrode and the second resonance electrode is arranged on one of the dielectric layers on both sides in the layer thickness direction. Are on the same surface of the dielectric substrate.
Compared with a conventional filter in which two resonators are provided at intervals, the plane area is significantly reduced.

【0008】第1の共振電極および第2の共振電極のそ
れぞれは、少なくとも1回折り曲げられた形状を有して
いるから、共振周波数を定めるのに必要な電極長(1/
4波長)を確保したままで、誘電体基体または誘電体層
に対する共振電極の実質的長さを縮小することができ
る。このため、誘電体基体を縮小し、小型化を図ること
ができる。
Each of the first resonance electrode and the second resonance electrode has a shape bent at least once, so that the electrode length (1/1) required to determine the resonance frequency is set.
While maintaining (4 wavelengths), the substantial length of the resonance electrode with respect to the dielectric substrate or the dielectric layer can be reduced. For this reason, it is possible to reduce the size of the dielectric substrate and downsize the dielectric substrate.

【0009】第1の共振電極および第2の共振電極のそ
れぞれは、折り曲げられた先端部が開放端部となってい
て、開放端部のみが誘電体層を介して互いに重なるか
ら、開放端部間に第1の共振電極および第2の共振電極
のための結合容量が生じる。この場合、開放端部のみが
誘電体層を介して互いに重なるから、適切な結合容量が
得られ、特開平9ー69701号公報において必須であ
った結合制御電極を有する誘電体基体が不要である。こ
のため、誘電体基体全体としての厚みを薄くし、平面積
の縮小による小型化と合わせて、大幅な体積減少を図
り、小型化することができる。
Each of the first resonance electrode and the second resonance electrode has an open end at the bent end, and only the open ends overlap with each other via the dielectric layer. A coupling capacitance for the first resonance electrode and the second resonance electrode is generated therebetween. In this case, since only the open ends overlap with each other via the dielectric layer, an appropriate coupling capacity can be obtained, and the dielectric substrate having the coupling control electrode which is essential in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-69701 is unnecessary. . For this reason, the thickness of the entire dielectric substrate can be reduced, the size can be significantly reduced, and the size can be reduced, in addition to the size reduction due to the reduction of the plane area.

【0010】シールド電極は、第1の共振電極および第
2の共振電極を覆う他の誘電体層の上に設けられてお
り、第1の共振電極および第2の共振電極の他端部が接
続されているから、シールド電極と第1の共振電極およ
び第2の共振電極との間に、誘電体層の誘電率および共
振電極長等による共振回路が形成される。
[0010] The shield electrode is provided on another dielectric layer covering the first resonance electrode and the second resonance electrode, and the other end of the first resonance electrode and the second resonance electrode are connected to each other. Therefore, a resonance circuit is formed between the shield electrode and the first resonance electrode and the second resonance electrode by the dielectric constant of the dielectric layer, the length of the resonance electrode, and the like.

【0011】第1の共振電極および第2の共振電極のそ
れぞれは、中間部が誘電体基体の側面に設けられた入出
力端子に結合されているので、入出力端子を外部回路に
接続するための端子として用いることができる。
Each of the first resonance electrode and the second resonance electrode has an intermediate portion coupled to an input / output terminal provided on a side surface of the dielectric substrate, so that the input / output terminal is connected to an external circuit. Terminal.

【0012】一つの好ましい態様として、第1の共振電
極および第2の共振電極は、開放端部の幅が、他の部分
に比べて広く形成されている。かかる構造によれば、開
放端部の重なり面積を増やし、容量結合量を増大させる
ことができる。
As one preferred embodiment, the first resonance electrode and the second resonance electrode are formed such that the width of the open end is wider than other portions. According to this structure, the overlapping area of the open ends can be increased, and the amount of capacitive coupling can be increased.

【0013】もう一つの好ましい態様として、シールド
電極は、主シールド部と、側面シールド部とを含み、主
シールド部は、第1の共振電極および第2の共振電極と
面対向し、側面シールド部は、誘電体基体の側面に設け
られている。かかるシールド電極構造において、開放端
部の側辺と側面シールド部との間の距離を、開放端部と
主シールド部との間の距離よりも短かくする。これによ
り、開放端部とシールド電極との間の容量を増やし、フ
ィルタを更に小型化できる。また、開放端部とシールド
電極との間隔を狭くすることにより、開放端部の容量が
増えるため、共振電極の長さが共振周波数の1/4波長
よりも短くなり、フィルタの小型化が可能になる。
In another preferred embodiment, the shield electrode includes a main shield portion and a side shield portion, wherein the main shield portion faces the first resonance electrode and the second resonance electrode, Is provided on the side surface of the dielectric substrate. In such a shield electrode structure, the distance between the side of the open end and the side shield is made shorter than the distance between the open end and the main shield. Thus, the capacitance between the open end and the shield electrode can be increased, and the size of the filter can be further reduced. In addition, by reducing the distance between the open end and the shield electrode, the capacity of the open end is increased, so that the length of the resonant electrode is shorter than 1/4 wavelength of the resonance frequency, and the filter can be downsized. become.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】図1は本発明に係るフィルタの分
解斜視図、図2は図1に示されたフィルタの外観斜視
図、図3は図1および図2に示したフィルタの簡易等価
回路図をそれぞれ示している。図示するように、本発明
に係るフィルタは、誘電体基体1と、第1の共振電極2
1と、第2の共振電極22と、シールド電極23とを含
む。
FIG. 1 is an exploded perspective view of a filter according to the present invention, FIG. 2 is an external perspective view of the filter shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a simplified equivalent of the filter shown in FIGS. The circuit diagrams are respectively shown. As shown in the drawing, the filter according to the present invention includes a dielectric substrate 1 and a first resonance electrode 2.
1, a second resonance electrode 22, and a shield electrode 23.

【0015】誘電体基体1は、複数の誘電体層11、1
2および13を積層して構成されている。誘電体層11
〜13は、有機誘電体材料、セラミック誘電体材料の何
れで構成してもよい。セラミック誘電体材料を用いた場
合は、誘電体基板1は誘電体層11〜13を一体的に焼
結させた構造を取ることができる。
The dielectric substrate 1 includes a plurality of dielectric layers 11, 1
2 and 13 are laminated. Dielectric layer 11
13 to 13 may be made of any of an organic dielectric material and a ceramic dielectric material. When a ceramic dielectric material is used, the dielectric substrate 1 can have a structure in which the dielectric layers 11 to 13 are integrally sintered.

【0016】第1の共振電極21および第2の共振電極
22の形状、構造および相対的な位置関係は、図4に詳
細に示されている。図4では、誘電体層11の一面上に
形成された第1の共振電極21と、誘電体層11の他面
に形成された第2の共振電極22を、誘電体層13の一
面に置き換え、誘電体層11および13を並べて示して
ある。図示するように、第1の共振電極21は、誘電体
基体1を構成する誘電体層11に対し、その層厚方向の
一面に配置され、少なくとも1回折り曲げられた形状を
有する。図示された第1の共振電極21は、誘電体層1
の層厚方向の一面に横方向Wおよび縦方向Lを仮想した
とき、縦方向Lの略中間部に位置する第1の折り曲げ位
置P11において、横方向Wに外略直角に折り曲げら
れ、第2の折り曲げ位置P12において縦方向Lに折り
曲げられ、更に、第3の折り曲げ位置P13で、第1の
折り曲げ位置P11における折り曲げ方向とは逆方向に
折り曲げられている。そして、折り曲げられた先端部が
開放端部211となっている。
The shapes, structures and relative positional relationships of the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22 are shown in detail in FIG. In FIG. 4, the first resonance electrode 21 formed on one surface of the dielectric layer 11 and the second resonance electrode 22 formed on the other surface of the dielectric layer 11 are replaced with one surface of the dielectric layer 13. , Dielectric layers 11 and 13 are shown side by side. As shown in the drawing, the first resonance electrode 21 is disposed on one surface of the dielectric layer 11 constituting the dielectric substrate 1 in the layer thickness direction, and has a shape bent at least once. The illustrated first resonance electrode 21 is provided on the dielectric layer 1.
When the horizontal direction W and the vertical direction L are imagined on one surface in the layer thickness direction, at the first bending position P11 located at a substantially intermediate portion in the vertical direction L, the first bending position P11 is bent at a substantially outer right angle in the horizontal direction W, Is bent in the vertical direction L at a bending position P12, and further, at a third bending position P13, in a direction opposite to the bending direction at the first bending position P11. The bent end forms an open end 211.

【0017】第2の共振電極22は、第1の共振電極2
1と対称的な配置およびパターンを有する。具体的に
は、縦方向Lの略中間部に位置する第1の折り曲げ位置
P21において、横方向Lに略直角に折り曲げられ、第
2の折り曲げ位置P22において縦方向Lに折り曲げら
れ、更に、第3の折り曲げ位置P33で、第1の折り曲
げ位置P21における折り曲げ方向とは逆方向に折り曲
げられている。そして、折り曲げられた先端部が開放端
部221となっている。
The second resonance electrode 22 is connected to the first resonance electrode 2
It has an arrangement and pattern symmetrical to 1. Specifically, at a first bending position P21 located at a substantially middle portion in the vertical direction L, the first bending position P21 is bent at a substantially right angle in the horizontal direction L, and at a second bending position P22, the first bending position P21 is bent in the vertical direction L. The third bending position P33 is bent in a direction opposite to the bending direction at the first bending position P21. The bent end forms an open end 221.

【0018】第1の共振電極21および第2の共振電極
22のそれぞれは、開放端部211および221のみが
誘電体層11を介して、重なり幅△W01を持って互い
に重なる。第1の共振電極21および第2の共振電極2
2のそれぞれは、中間部が誘電体基体1の側面に設けら
れた入出力端子24、25に結合されている。実施例で
は、第1の共振電極21および第2の共振電極22のそ
れぞれの中間部を、リード電極212、222により、
入出力端子24、25に直接接続した構造を示している
が、リード電極212、222を、間隔を置いて、入出
力端子24、25に容量結合あるいは誘導結合する構造
であってもよい。
In each of the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22, only the open ends 211 and 221 overlap each other with the overlap width ΔW01 via the dielectric layer 11. First resonance electrode 21 and second resonance electrode 2
Each of 2 has an intermediate portion coupled to input / output terminals 24 and 25 provided on the side surface of the dielectric substrate 1. In the embodiment, the respective intermediate portions of the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22 are connected by the lead electrodes 212 and 222.
Although a structure in which the lead electrodes 212 and 222 are directly connected to the input / output terminals 24 and 25 is shown, a structure in which the lead electrodes 212 and 222 are capacitively or inductively coupled to the input / output terminals 24 and 25 may be used.

【0019】更に、第1の共振電極21において側面シ
ールド電極233から第1の折り曲げ位置P11に至る
電極部分と、第2の共振電極において側面シールド電極
233から第1の折り曲げ位置P21に至る電極部分と
は、面に平行する方向で見た間隔△W02を介して対向
している。
Further, an electrode portion of the first resonance electrode 21 from the side shield electrode 233 to the first bending position P11, and an electrode portion of the second resonance electrode 21 from the side shield electrode 233 to the first bending position P21. Are opposed to each other with an interval ΔW02 viewed in a direction parallel to the plane.

【0020】再び、図1および図2を参照すると、シー
ルド電極23は、第1の共振電極21および第2の共振
電極22を覆う他の誘電体層12、13の上に設けられ
ている。図示されたシールド電極23は、主シールド部
231、232と、側面シールド部233、234とを
含んでいる。主シールド部231、232は、第1の共
振電極21および第2の共振電極22と面対向する。側
面シールド部233、234は、誘電体層11〜13の
積層体である誘電体基体1の側面に設けられている。更
に具体的には、主シールド部231は、第1の共振電極
21を覆う誘電体層12一面上に、横方向Wの両辺から
ギャップG1、G2をおいて形成されている。主シール
ド部232は、第2の共振電極22を覆う誘電体層13
の一面上に、横方向Wの両辺からギャップG3、G4を
おいて形成されている。側面シールド部233、234
は、誘電体基体1の縦方向Lの両側面において、主シー
ルド部231、232を連続させるように付与されてい
る。第1の共振電極21および第2の共振電極22の他
端部は、側面に導出され、側面電極213に接続され、
短絡端部を構成する。
Referring again to FIGS. 1 and 2, the shield electrode 23 is provided on the other dielectric layers 12 and 13 covering the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22. The illustrated shield electrode 23 includes main shield parts 231 and 232 and side shield parts 233 and 234. The main shield portions 231 and 232 face the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22. The side shield portions 233 and 234 are provided on the side surface of the dielectric substrate 1 which is a laminate of the dielectric layers 11 to 13. More specifically, the main shield part 231 is formed on one surface of the dielectric layer 12 covering the first resonance electrode 21 with gaps G1 and G2 from both sides in the horizontal direction W. The main shield part 232 is formed of the dielectric layer 13 covering the second resonance electrode 22.
Are formed with gaps G3 and G4 from both sides in the horizontal direction W. Side shield parts 233, 234
Are provided so that the main shield portions 231 and 232 are continuous on both side surfaces of the dielectric substrate 1 in the longitudinal direction L. The other end of the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22 is led out to the side surface and connected to the side surface electrode 213,
Configure the short-circuit end.

【0021】入出力端子24、25は、主シールド部2
31との間にギャップG5、G6を保って、誘電体基体
1の互いに異なる側面位置に形成されている。図示はさ
れていないが、入出力端子24、25は裏面側の主シー
ルド部232との間にも同様のギャップを保っている。
The input / output terminals 24 and 25 are connected to the main shield 2
The gaps G5 and G6 are formed between the dielectric bases 1 and 31 at different side positions. Although not shown, a similar gap is maintained between the input / output terminals 24 and 25 and the main shield part 232 on the back side.

【0022】次に、図3の簡易等価回路を参照すると、
第1の共振電極21により、コンデンサC1とインダク
タンスL1との並列回路による共振回路が構成され、第
2の共振電極22によりコンデンサC2とインダクタン
スL2との並列回路による共振回路が構成されている。
コンデンサC1は第1の共振電極21と主シールド部2
31との間において、誘電体層11の誘電率に依存して
発生する分布容量を集中定数として表現したものであ
る。インダクタンスL1は第1の共振電極21のディメ
ンションに依存して発生する。コンデンサC2は第2の
共振電極22と主シールド部232との間において、誘
電体層11の誘電率に依存して発生する分布容量を集中
定数として表現したものである。インダクタンスL2は
第1の共振電極21のディメンションに依存して発生す
る。相互インダクタンスMは、主として、第1の共振電
極21において側面シールド電極233から第1の折り
曲げ位置P11に至る電極部分と、第2の共振電極にお
いて側面シールド電極233から第1の折り曲げ位置P
21に至る電極部分との間で発生する。結合容量Ca
は、開放端部211ー221間において、その対向面
積、誘電体層11の誘電率および層厚に依存して生じ
る。
Next, referring to the simplified equivalent circuit of FIG.
The first resonance electrode 21 forms a resonance circuit by a parallel circuit of the capacitor C1 and the inductance L1, and the second resonance electrode 22 forms a resonance circuit by a parallel circuit of the capacitor C2 and the inductance L2.
The capacitor C1 is composed of the first resonance electrode 21 and the main shield 2
The distribution capacitance generated depending on the dielectric constant of the dielectric layer 11 is expressed as a lumped constant between the reference numeral 31 and the reference numeral 31. The inductance L1 is generated depending on the dimension of the first resonance electrode 21. The capacitor C2 expresses a distributed capacitance generated between the second resonance electrode 22 and the main shield part 232 depending on the dielectric constant of the dielectric layer 11 as a lumped constant. The inductance L2 is generated depending on the dimension of the first resonance electrode 21. The mutual inductance M mainly depends on the electrode portion from the side shield electrode 233 to the first bent position P11 in the first resonance electrode 21 and the first bent position P from the side shield electrode 233 in the second resonance electrode.
It occurs between the electrode portion reaching 21. Coupling capacity Ca
Occurs between the open ends 211 and 221 depending on the facing area thereof, the dielectric constant of the dielectric layer 11, and the layer thickness.

【0023】上述したように、本発明に係るフィルタに
おいて、第1の共振電極21および第2の共振電極22
のそれぞれは、誘電体層11に対し、その層厚方向の両
面にそれぞれ配置されているから、誘電体基体の同一面
上に2本の共振器を間隔を隔てて設ける従来フィルタと
比較して、平面積が著しく小さくなる。
As described above, in the filter according to the present invention, the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22
Are arranged on both sides of the dielectric layer 11 in the thickness direction of the dielectric layer 11, respectively, so that compared with a conventional filter in which two resonators are provided at an interval on the same surface of a dielectric substrate. , The plane area is significantly reduced.

【0024】第1の共振電極21および第2の共振電極
22のそれぞれは、少なくとも1回折り曲げられた形状
を有しているから、共振周波数を定めるのに必要な電極
長(1/4波長)を確保したままで、誘電体基体1また
は誘電体層11〜13に対する共振電極21、22の実
質的長さを縮小することができる。このため、誘電体基
体1を縮小し、小型化を図ることができる。
Since each of the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22 has a shape bent at least once, the electrode length (1/4 wavelength) required to determine the resonance frequency While the length of the resonance electrodes 21 and 22 relative to the dielectric substrate 1 or the dielectric layers 11 to 13 can be reduced. For this reason, the dielectric substrate 1 can be reduced in size and downsized.

【0025】この点について、図4を参照して、更に具
体的に述べると、第1の折り曲げ位置P11〜第3の折
り曲げ位置P13で折り曲げられた実施例の場合、側面
シールド電極233から第1の折り曲げ位置P11まで
の距離D11(電極幅中心で見た平均距離、以下同じ)
と、第1の折り曲げ位置P11から第2の折り曲げ位置
P12までの距離D12、第2の折り曲げ位置P12か
ら第3の折り曲げ位置P13までの距離D13および第
3の折り曲げ位置P13から先端縁までの距離D14の
総和D=D11+D12+D13+D14を、ほぼ、共
振周波数を定めるのに必要な電極長(1/4波長)とみ
なすことができる。誘電体基体1または誘電体層11〜
13に対する共振電極の実質的長さD01は、この電極
長Dよりも小さい。従って、共振周波数を定めるのに必
要な電極長D(1/4波長)を確保したままで、誘電体
基体1または誘電体層11〜13に対する共振電極の実
質的長さD01を縮小することができる。説明は省略す
るけれども、第2の共振電極22においても、同様であ
る。
More specifically, referring to FIG. 4, in this embodiment, in the case of the embodiment bent at the first bending position P11 to the third bending position P13, the first side position is changed from the side shield electrode 233 to the first side position. D11 to the bending position P11 (average distance viewed at the center of the electrode width, the same applies hereinafter)
And a distance D12 from the first bending position P11 to the second bending position P12, a distance D13 from the second bending position P12 to the third bending position P13, and a distance from the third bending position P13 to the leading edge. The sum of D14, D = D11 + D12 + D13 + D14, can be regarded as substantially the electrode length (1/4 wavelength) required to determine the resonance frequency. Dielectric substrate 1 or dielectric layers 11 to
The substantial length D01 of the resonance electrode with respect to 13 is smaller than this electrode length D. Therefore, it is possible to reduce the substantial length D01 of the resonance electrode with respect to the dielectric substrate 1 or the dielectric layers 11 to 13 while securing the electrode length D (1/4 wavelength) necessary for determining the resonance frequency. it can. Although the description is omitted, the same applies to the second resonance electrode 22.

【0026】第1の共振電極21および第2の共振電極
22のそれぞれは、折り曲げられた先端部が開放端部2
11、221となっていて、開放端部211、221の
みが誘電体層11を介して互いに重なるから、開放端部
211ー221間に第1の共振電極21および第2の共
振電極22のための結合容量Ca(図3参照)が生じ
る。この場合、開放端部211、221のみが誘電体層
11を介して互いに重なるから、適切な結合容量Caが
得られ、特開平9ー69701号公報において必須であ
った結合制御電極を有する誘電体基体が不要である。こ
のため、誘電体基体1の全体としての厚みを薄くし、平
面積の縮小による小型化と合わせて、大幅な体積減少を
図り、小型化することができる。
Each of the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22 has an open end 2
11 and 221 and only the open ends 211 and 221 overlap each other with the dielectric layer 11 interposed therebetween, so that the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22 are located between the open ends 211 and 221. (See FIG. 3). In this case, since only the open ends 211 and 221 overlap with each other via the dielectric layer 11, an appropriate coupling capacitance Ca is obtained, and the dielectric having the coupling control electrode which is indispensable in JP-A-9-69701. No substrate is required. For this reason, the thickness of the dielectric substrate 1 as a whole can be reduced, and the size can be significantly reduced, and the size can be reduced, in addition to the size reduction due to the reduction of the plane area.

【0027】シールド電極23は、第1の共振電極21
および第2の共振電極22を覆う誘電体層12、13の
上に設けられており、第1の共振電極21および第2の
共振電極22の他端部が接続されているから、シールド
電極23と第1の共振電極21および第2の共振電極2
2との間に、誘電体層の誘電率および共振電極長等によ
る共振回路が形成される。
The shield electrode 23 is a first resonance electrode 21
And the other end of the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22 are connected to the dielectric layers 12 and 13 covering the second resonance electrode 22. And the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 2
2, a resonance circuit is formed by the dielectric constant of the dielectric layer and the length of the resonance electrode.

【0028】第1の共振電極21および第2の共振電極
22のそれぞれは、中間部が誘電体基体1の側面に設け
られた入出力端子24、25に結合されているので、入
出力端子24、25を外部回路に接続するための端子と
して用いることができる。
Since each of the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22 has an intermediate portion coupled to input / output terminals 24 and 25 provided on the side surface of the dielectric substrate 1, the input / output terminals 24 and 25 are provided. , 25 can be used as terminals for connecting to an external circuit.

【0029】図4を参照すると、第1の共振電極21お
よび第2の共振電極22は、開放端部211、221の
幅W11、W21が、他の部分の幅W12、W22に比
べて広く形成されている。かかる構造によれば、開放端
部211、221の重なり面積を増やし、容量結合量C
a(図3参照)を増大させることができる。
Referring to FIG. 4, the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22 are formed such that the widths W11 and W21 of the open ends 211 and 221 are wider than the widths W12 and W22 of the other portions. Have been. According to this structure, the overlapping area of the open ends 211 and 221 is increased, and the capacitance coupling amount C is increased.
a (see FIG. 3) can be increased.

【0030】更に、図1〜図3に示した実施例では、シ
ールド電極23は、主シールド部231、232と、側
面シールド部233、234とを含み、主シールド部2
31、232は、第1の共振電極21および第2の共振
電極22と面対向している。側面シールド部233、2
34は、誘電体基体1の側面に設けられている。かかる
シールド電極構造において、図4に示すように、開放端
部211の側辺と側面シールド部234との間の距離G
01、G02を、開放端部211、221と主シールド
部231、232との間の距離、すなわち、誘電体層1
2の層厚t1および誘電体層13の層厚t2(図1およ
び図2参照)よりも短かくする。これにより、開放端部
211、221と主シールド部231、232との間の
容量を増やし、フィルタを更に小型化できる。また、開
放端部211、221と主シールド部231、231と
の間隔を狭くすることにより、開放端部211、221
の容量が増えるため、共振電極の長さD01、D02が
共振周波数の1/4波長よりも短くなり、フィルタの小
型化が可能になる。
Further, in the embodiment shown in FIGS. 1 to 3, the shield electrode 23 includes main shield portions 231 and 232 and side shield portions 233 and 234.
Reference numerals 31 and 232 face the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22, respectively. Side shield part 233, 2
Reference numeral 34 is provided on the side surface of the dielectric substrate 1. In such a shield electrode structure, as shown in FIG. 4, the distance G between the side of the open end 211 and the side shield part 234 is determined.
01, G02, the distance between the open ends 211, 221 and the main shield parts 231, 232, that is, the dielectric layer 1
2 and the thickness t2 of the dielectric layer 13 (see FIGS. 1 and 2). Thereby, the capacity between the open ends 211 and 221 and the main shield parts 231 and 232 can be increased, and the size of the filter can be further reduced. Also, by reducing the distance between the open ends 211 and 221 and the main shield parts 231 and 231, the open ends 211 and 221 are reduced.
, The lengths D01 and D02 of the resonance electrodes are shorter than 1 / wavelength of the resonance frequency, and the size of the filter can be reduced.

【0031】次に、実際に比誘電率が90の誘電体材料
を用いて、本発明に係るフィルタを作成し、従来のフィ
ルタと比較した。従来のフィルタは、誘電体基体の同一
面上に、2本の1/4波長共振器を、間隔を隔てて設
け、共振器の形成された誘電体基体の面上に他の誘電体
基体を積層し、各誘電体基体の外側主面には共振器を覆
うように、シールド電極を形成した構造を有する。誘電
体基体は、厚み0.75mm、比誘電率90とした。共振
器の開放端部の間隔は0.15mmとし、中心周波数1.
9GHzとした。このフィルタの外形サイズは、4.5×3.2
×1.5mmとなった。
Next, a filter according to the present invention was prepared using a dielectric material having a relative dielectric constant of 90, and compared with a conventional filter. In a conventional filter, two quarter-wavelength resonators are provided at intervals on the same surface of a dielectric substrate, and another dielectric substrate is provided on the surface of the dielectric substrate on which the resonator is formed. They are laminated and have a structure in which a shield electrode is formed on the outer main surface of each dielectric substrate so as to cover the resonator. The dielectric substrate had a thickness of 0.75 mm and a relative dielectric constant of 90. The distance between the open ends of the resonator was 0.15 mm, and the center frequency was 1.
The frequency was set to 9 GHz. The external size of this filter is 4.5 × 3.2
× 1.5 mm.

【0032】本発明に係るフィルタとして、誘電体層1
1〜13の厚みをそれぞれ0.5mmとし、中心周波数
1.9GHzのフィルタを作成した。第1の共振電極21
の開放端部211と、第2の共振電極22の開放端部2
21との間の間隔は、誘電体層11の厚み0.5mmとな
るため、従来のフィルタ構造に比べて、開放端部211
ー221の間隔が開いている。そこで、開放端部21
1、221の幅W11、W21(図4参照)を、他の部
分の線幅W12、W22=0.2mmの2倍の0.4mmと
し、容量結合Ca(図3参照)を増やした。得られたフ
ィルタのサイズは2.5×3.2×1.5mmとなり、従来のフィ
ルタに対して、約40%の小型化がなされた。
As the filter according to the present invention, the dielectric layer 1
Filters having a center frequency of 1.9 GHz were prepared with thicknesses of 1 to 13 each being 0.5 mm. First resonance electrode 21
Open end 211 of the second resonance electrode 22
Since the distance between the first filter 21 and the first filter 21 is 0.5 mm, the thickness of the dielectric layer 11 is 0.5 mm.
-221 is open. Therefore, the open end 21
The widths W11, W21 of 1,221 (see FIG. 4) were set to 0.4 mm, which is twice the line widths W12, W22 of other portions = 0.2 mm, and the capacitive coupling Ca (see FIG. 3) was increased. The size of the obtained filter was 2.5 × 3.2 × 1.5 mm, which was about 40% smaller than the conventional filter.

【0033】図5は本発明に係るフィルタの別の実施例
を示す分解斜視図、図6は図5に示したフィルタの外観
斜視図である。図において、図1〜図3と同一の構成部
分には同一の参照符号を付してある。第1の共振電極2
1および第2の共振電極22の形状もしくは構造および
相対的な位置関係は、図7に詳細に示されている。図7
を参照すると、第1の共振電極21は、誘電体基体1を
構成する誘電体層11に対し、その層厚方向の一面に配
置され、1回折り曲げられた形状を有する。具体的に
は、第1の共振電極21は、折り曲げ位置P11におい
て、横方向Wに外略直角に折り曲げられ、折り曲げられ
た先端部が開放端部211となっている。
FIG. 5 is an exploded perspective view showing another embodiment of the filter according to the present invention, and FIG. 6 is an external perspective view of the filter shown in FIG. In the drawings, the same components as those in FIGS. 1 to 3 are denoted by the same reference numerals. First resonance electrode 2
The shape or structure of the first and second resonance electrodes 22 and their relative positional relationships are shown in detail in FIG. FIG.
Referring to, the first resonance electrode 21 is disposed on one surface of the dielectric layer 11 constituting the dielectric substrate 1 in the layer thickness direction, and has a shape bent once. Specifically, the first resonance electrode 21 is bent at a bending position P <b> 11 at a substantially outer right angle in the lateral direction W, and the bent end portion is the open end portion 211.

【0034】第2の共振電極22は、第1の共振電極2
1と対称的な配置およびパターンを有する。具体的に
は、折り曲げ位置P21において、横方向Lに略直角に
折り曲げられ、折り曲げられた先端部が開放端部221
となっている。
The second resonance electrode 22 is connected to the first resonance electrode 2
It has an arrangement and pattern symmetrical to 1. More specifically, at the bending position P21, it is bent at a substantially right angle in the lateral direction L, and the bent front end is the open end 221.
It has become.

【0035】第1の共振電極21および第2の共振電極
22のそれぞれは、開放端部211および221のみが
誘電体層11を介して、重なり幅△W01を持って互い
に重なる。第1の共振電極21および第2の共振電極2
2のそれぞれは、中間部が誘電体基体1の側面に設けら
れた入出力端子24、25に結合されている。実施例で
は、第1の共振電極21および第2の共振電極22のそ
れぞれの中間部を、リード電極212、222により、
入出力端子24、25に直接接続した構造を示している
が、リード電極212、222を、間隔を置いて、入出
力端子24、25に容量結合あるいは誘導結合する構造
であってもよいことは、既に述べた通りである。
In each of the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22, only the open ends 211 and 221 overlap each other with the overlap width ΔW01 via the dielectric layer 11. First resonance electrode 21 and second resonance electrode 2
Each of 2 has an intermediate portion coupled to input / output terminals 24 and 25 provided on the side surface of the dielectric substrate 1. In the embodiment, the respective intermediate portions of the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22 are connected by the lead electrodes 212 and 222.
Although the structure in which the lead electrodes 212 and 222 are directly connected to the input / output terminals 24 and 25 is shown, the structure may be such that the lead electrodes 212 and 222 are capacitively or inductively coupled to the input / output terminals 24 and 25 at intervals. As already mentioned.

【0036】更に、図7を参照すると、第1の共振電極
21において側面シールド電極233から第1の折り曲
げ位置P11に至る電極部分と、第2の共振電極におい
て側面シールド電極233から第1の折り曲げ位置P2
1に至る電極部分とは、面方向で見た間隔△W02を介
して対向している。
Further, referring to FIG. 7, in the first resonance electrode 21, an electrode portion from the side shield electrode 233 to the first bending position P11, and in the second resonance electrode, the first bending from the side shield electrode 233 to the first bending position. Position P2
1 is opposed to the electrode portion with an interval ΔW02 viewed in the plane direction.

【0037】他の構成は、図1〜図4に示した実施例
と、実質的に同一であるので、説明は省略する。図5〜
図7に示したフィルタも、図3に示したような簡易等価
回路によって表現できる。
The other structure is substantially the same as that of the embodiment shown in FIGS. 1 to 4, and a description thereof will be omitted. Figure 5
The filter shown in FIG. 7 can also be represented by a simple equivalent circuit as shown in FIG.

【0038】図5〜図7に示したフィルタにおいて、第
1の共振電極21および第2の共振電極22のそれぞれ
は、誘電体層11に対し、その層厚方向の両面にそれぞ
れ配置されているから、誘電体基体の同一面上に2本の
共振器を間隔を隔てて設ける従来フィルタと比較して、
平面積が著しく小さくなる。
In the filters shown in FIGS. 5 to 7, the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22 are respectively disposed on both sides of the dielectric layer 11 in the thickness direction. Thus, compared to a conventional filter in which two resonators are provided at an interval on the same surface of a dielectric substrate,
The plane area is significantly reduced.

【0039】第1の共振電極21および第2の共振電極
22のそれぞれは、1回折り曲げられた形状を有してい
るから、共振周波数を定めるのに必要な電極長(1/4
波長)を確保したままで、誘電体基体1または誘電体層
11〜13に対する共振電極21、22の実質的長さを
縮小することができる。このため、誘電体基体1を縮小
し、小型化を図ることができる。
Since each of the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22 has a shape bent once, the electrode length (1/4) required to determine the resonance frequency is set.
With the wavelength maintained, the substantial length of the resonance electrodes 21 and 22 with respect to the dielectric substrate 1 or the dielectric layers 11 to 13 can be reduced. For this reason, the dielectric substrate 1 can be reduced in size and downsized.

【0040】この点について、図7を参照して、更に具
体的に述べると、側面シールド電極233から第1の折
り曲げ位置P11までの距離D11と、折り曲げ位置P
11から先端縁までの距離D12の総和D=D11+D
12を、ほぼ、共振周波数を定めるのに必要な電極長
(1/4波長)とみなすことができる。誘電体基体1ま
たは誘電体層11〜13に対する共振電極の実質的長さ
D01は、この電極長Dよりも小さい。従って、共振周
波数を定めるのに必要な電極長D(1/4波長)を確保
したままで、誘電体基体1または誘電体層11〜13に
対する共振電極の実質的長さD01を縮小することがで
きる。説明は省略するけれども、第2の共振電極22に
おいても、同様である。
More specifically, referring to FIG. 7, the distance D11 from the side shield electrode 233 to the first bending position P11 and the bending position P11 will be described.
Sum of distances D12 from 11 to the tip edge D = D11 + D
12 can be regarded as approximately the electrode length (1/4 wavelength) required to determine the resonance frequency. The substantial length D01 of the resonance electrode with respect to the dielectric substrate 1 or the dielectric layers 11 to 13 is smaller than the electrode length D. Therefore, it is possible to reduce the substantial length D01 of the resonance electrode with respect to the dielectric substrate 1 or the dielectric layers 11 to 13 while securing the electrode length D (1/4 wavelength) necessary for determining the resonance frequency. it can. Although the description is omitted, the same applies to the second resonance electrode 22.

【0041】第1の共振電極21および第2の共振電極
22のそれぞれは、折り曲げられた先端部が開放端部2
11、221となっていて、開放端部211、221の
みが誘電体層11を介して互いに重なるから、開放端部
211ー221間に第1の共振電極21および第2の共
振電極22のための結合容量Ca(図3参照)が生じ
る。この場合、開放端部211、221のみが誘電体層
11を介して互いに重なるから、適切な結合容量Caが
得られ、特開平9ー69701号公報において必須であ
った結合制御電極を有する誘電体基体が不要である。こ
のため、誘電体基体1の全体としての厚みを薄くし、平
面積の縮小による小型化と合わせて、大幅な体積減少を
図り、小型化することができる。
Each of the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22 has an open end 2
11 and 221 and only the open ends 211 and 221 overlap each other with the dielectric layer 11 interposed therebetween, so that the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22 are located between the open ends 211 and 221. (See FIG. 3). In this case, since only the open ends 211 and 221 overlap with each other via the dielectric layer 11, an appropriate coupling capacitance Ca is obtained, and the dielectric having the coupling control electrode which is indispensable in JP-A-9-69701. No substrate is required. For this reason, the thickness of the dielectric substrate 1 as a whole can be reduced, and the size can be significantly reduced, and the size can be reduced, in addition to the size reduction due to the reduction of the plane area.

【0042】シールド電極23は、第1の共振電極21
および第2の共振電極22を覆う誘電体層12、13の
上に設けられており、第1の共振電極21および第2の
共振電極22の他端部が接続されているから、シールド
電極23と第1の共振電極21および第2の共振電極2
2との間に、誘電体層の誘電率および共振電極長等によ
る共振回路が形成される。
The shield electrode 23 is connected to the first resonance electrode 21
And the other end of the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22 are connected to the dielectric layers 12 and 13 covering the second resonance electrode 22. And the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 2
2, a resonance circuit is formed by the dielectric constant of the dielectric layer and the length of the resonance electrode.

【0043】第1の共振電極21および第2の共振電極
22のそれぞれは、中間部が誘電体基体1の側面に設け
られた入出力端子24、25に結合されているので、入
出力端子24、25を外部回路に接続するための端子と
して用いることができる。
Each of the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22 has an intermediate portion coupled to the input / output terminals 24 and 25 provided on the side surface of the dielectric substrate 1, so that the input / output terminals 24 , 25 can be used as terminals for connecting to an external circuit.

【0044】図7を参照すると、第1の共振電極21お
よび第2の共振電極22は、開放端部211、221の
幅W11、W21が、他の部分の幅W12、W22に比
べて広く形成されている。かかる構造によれば、開放端
部211、221の重なり面積を増やし、容量結合量C
a(図3参照)を増大させることができる。
Referring to FIG. 7, the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22 are formed such that the widths W11 and W21 of the open ends 211 and 221 are wider than the widths W12 and W22 of the other portions. Have been. According to this structure, the overlapping area of the open ends 211 and 221 is increased, and the capacitance coupling amount C is increased.
a (see FIG. 3) can be increased.

【0045】更に、図5〜図7に示した実施例では、シ
ールド電極23は、主シールド部231、232と、側
面シールド部233、234とを含み、主シールド部2
31、232は、第1の共振電極21および第2の共振
電極22と面対向している。側面シールド部233、2
34は、誘電体基体1の側面に設けられている。かかる
シールド電極構造において、図7に示すように、開放端
部211の側辺と側面シールド部234との間の距離G
01、G02を、開放端部211、221と主シールド
部231、232との間の距離、すなわち、誘電体層1
2の層厚t1および誘電体層13の層厚t2(図5およ
び図6参照)よりも短かくする。これにより、開放端部
211、221と主シールド部231、232との間の
容量を増やし、フィルタを更に小型化できる。また、開
放端部211、221と主シールド部231、231と
の間隔を狭くすることにより、開放端部211、221
の容量が増えるため、共振電極の長さD01、D02が
共振周波数の1/4波長よりも短くなり、フィルタの小
型化が可能になる。
Further, in the embodiment shown in FIGS. 5 to 7, the shield electrode 23 includes main shield portions 231 and 232 and side shield portions 233 and 234.
Reference numerals 31 and 232 face the first resonance electrode 21 and the second resonance electrode 22, respectively. Side shield part 233, 2
Reference numeral 34 is provided on the side surface of the dielectric substrate 1. In such a shield electrode structure, as shown in FIG. 7, the distance G between the side of the open end 211 and the side shield part 234 is determined.
01, G02, the distance between the open ends 211, 221 and the main shield parts 231, 232, that is, the dielectric layer 1
2 and the thickness t2 of the dielectric layer 13 (see FIGS. 5 and 6). Thereby, the capacity between the open ends 211 and 221 and the main shield parts 231 and 232 can be increased, and the size of the filter can be further reduced. Also, by reducing the distance between the open ends 211 and 221 and the main shield parts 231 and 231, the open ends 211 and 221 are reduced.
, The lengths D01 and D02 of the resonance electrodes are shorter than 1 / wavelength of the resonance frequency, and the size of the filter can be reduced.

【0046】この実施例に示すフィルタにおいても、そ
の外形サイズが3.1×2.4×1.5mmとなり、上述した4.5×
3.2×1.5mmの外形サイズを持つ従来のフィルタに対し
て、約40%の小型化がなされた。
Also in the filter shown in this embodiment, the outer size is 3.1 × 2.4 × 1.5 mm, and the above-mentioned 4.5 ×
The size of the conventional filter with a size of 3.2 x 1.5 mm was reduced by about 40%.

【0047】図8は本発明に係るフィルタの更に別の実
施例を示す外観斜視図である。図において、先に示した
図と同一の構成部分については、同一の参照符号を付し
てある。この実施例の特徴は、誘電体層12、13の表
面に絶縁層14、15を設けたことである。このような
構造であると、例えば、小型化の進展に伴い、主シール
ド部231、232と入出力端子24、25との間に形
成されるギャップG5、G6(図1、図2、図5、図6
参照)が小さくなった場合でも、ギャップG5、G6を
絶縁層14、15によって埋め、シールド電極23と入
出力端子24、25との間の電気絶縁の信頼性を高める
ことができる。
FIG. 8 is an external perspective view showing still another embodiment of the filter according to the present invention. In the figure, the same components as those shown in the previous figures are denoted by the same reference numerals. A feature of this embodiment is that insulating layers 14 and 15 are provided on the surfaces of the dielectric layers 12 and 13. With such a structure, for example, gaps G5 and G6 formed between the main shield parts 231 and 232 and the input / output terminals 24 and 25 (see FIGS. 1, 2, and , FIG.
(See FIG. 2), the gaps G5 and G6 can be filled with the insulating layers 14 and 15 to increase the reliability of electrical insulation between the shield electrode 23 and the input / output terminals 24 and 25.

【0048】以上、好ましい実施例を参照して、本発明
の内容を具体的に説明したが、本発明は、このような実
施例および図示に限定されるものではない。誘電体基体
を構成する誘電体層、絶縁層の総数は実施例に限定され
ないし、共振電極の対数、形状等も種々変更し得る。
Although the contents of the present invention have been specifically described with reference to the preferred embodiments, the present invention is not limited to such embodiments and illustrations. The total number of dielectric layers and insulating layers constituting the dielectric substrate is not limited to the embodiment, and the number and shape of the resonance electrodes may be variously changed.

【0049】[0049]

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、平
面積および厚みを減少させて小型化を図ったフィルタを
提供することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a filter having a reduced plane area and a reduced thickness.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るフィルタの分解斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view of a filter according to the present invention.

【図2】図1に示されたフィルタの外観斜視図である。FIG. 2 is an external perspective view of the filter shown in FIG.

【図3】図1および図2に示したフィルタの簡易等価回
路図である。
FIG. 3 is a simplified equivalent circuit diagram of the filter shown in FIGS. 1 and 2.

【図4】図1および図2に示されたフィルタの第1の共
振電極および第2の共振電極の形状、構造および相対的
な位置関係を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing shapes, structures, and relative positional relationships of a first resonance electrode and a second resonance electrode of the filter shown in FIGS. 1 and 2;

【図5】本発明に係るフィルタの別の実施例を示す分解
斜視図である。
FIG. 5 is an exploded perspective view showing another embodiment of the filter according to the present invention.

【図6】図5に示したフィルタの外観斜視図である。6 is an external perspective view of the filter shown in FIG.

【図7】図5および図6に示されたフィルタの第1の共
振電極および第2の共振電極の形状もしくは構造および
相対的な位置関係を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing shapes or structures and relative positional relationships of a first resonance electrode and a second resonance electrode of the filter shown in FIGS. 5 and 6;

【図8】本発明に係るフィルタの更に別の実施例を示す
外観斜視図である。
FIG. 8 is an external perspective view showing still another embodiment of the filter according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 誘電体基体 11、12、13 誘電体層 21 第1の共振電極 211 開放端部 22 第2の共振電極 221 開放端部 23 シールド電極 24、25 入出力端子 REFERENCE SIGNS LIST 1 dielectric substrate 11, 12, 13 dielectric layer 21 first resonance electrode 211 open end 22 second resonance electrode 221 open end 23 shield electrode 24, 25 input / output terminal

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 誘電体基体と、第1の共振電極と、第2
の共振電極と、シールド電極とを含むフィルタであっ
て、 前記誘電体基体は、複数の誘電体層を積層して構成され
ており、 前記第1の共振電極および第2の共振電極のそれぞれ
は、前記誘電体基体を構成する前記誘電体層の一つに対
し、その層厚方向の両面にそれぞれ配置され、少なくと
も1回折り曲げられた形状を有し、折り曲げられた先端
部が開放端部となっていて、前記開放端部のみが前記誘
電体層を介して互いに重なり、中間部が前記誘電体基体
の側面に設けられた入出力端子に電気的に結合されてお
り、 前記シールド電極は、前記第1の共振電極および第2の
共振電極を覆う他の誘電体層の上に設けられ、前記第1
の共振電極および第2の共振電極の他端部が接続されて
いるフィルタ。
1. A dielectric substrate, a first resonance electrode, and a second
Wherein the dielectric substrate is formed by laminating a plurality of dielectric layers, wherein each of the first resonance electrode and the second resonance electrode For one of the dielectric layers constituting the dielectric substrate, each of the dielectric layers is disposed on both surfaces in the layer thickness direction, has at least one bent shape, and has a bent end portion having an open end portion. And only the open ends overlap each other via the dielectric layer, and an intermediate portion is electrically coupled to an input / output terminal provided on a side surface of the dielectric substrate. The first resonance electrode is provided on another dielectric layer that covers the first resonance electrode and the second resonance electrode;
A filter to which the other ends of the resonance electrode and the second resonance electrode are connected.
【請求項2】 請求項1に記載された誘電体共振器であ
って、 前記第1の共振電極のための入出力端子および前記第2
の共振電極のための前記入出力電極は、前記誘電体基体
の互いに異なる側面位置に形成されているフィルタ。
2. The dielectric resonator according to claim 1, wherein the input / output terminal for the first resonance electrode and the second input / output terminal.
Wherein the input / output electrodes for the resonance electrodes are formed at different side positions of the dielectric substrate.
【請求項3】 請求項1に記載された誘電体共振器であ
って、 前記第1の共振電極および前記第2の共振電極は、前記
開放端部の幅が、他の部分に比べて広く形成されている
フィルタ。
3. The dielectric resonator according to claim 1, wherein each of the first resonance electrode and the second resonance electrode has a wider width at the open end than at other portions. The filter being formed.
【請求項4】 請求項1に記載された誘電体共振器であ
って、 前記シールド電極は、主シールド部と、側面シールド部
とを含み、前記主シールド部は、前記第1の共振電極お
よび前記第2の共振電極と面対向し、前記側面シールド
部は、前記誘電体基体の側面に設けられており、 前記開放端部の側辺と前記側面シールド部との間の距離
が、前記開放端部と前記主シールド部との間の距離より
も短いフィルタ。
4. The dielectric resonator according to claim 1, wherein the shield electrode includes a main shield part and a side shield part, and the main shield part includes the first resonance electrode and a side shield part. The side shield portion is provided on a side surface of the dielectric substrate, and the distance between the side edge of the open end and the side shield portion is equal to the distance between the side shield portion and the second resonance electrode. A filter that is shorter than the distance between an end and the main shield.
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