JPH1117074A - Semiconductor device and sealing compsn. therefor - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置および半導体
封止用樹脂組成物に係り、特に半導体集積回路が形成し
てなるチップと，該チップの搭載される素子基板と，該
基板と前記チップとの対向する電極端子間に形成された
電気的な接続部と，該電気的な接続部周囲の空隙部を充
填するように形成されてなる樹脂層とを有する半導体装
置およびこの半導体装置に使用される半導体封止用樹脂
組成物に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device and a resin composition for encapsulating a semiconductor, and more particularly to a chip on which a semiconductor integrated circuit is formed, an element substrate on which the chip is mounted, the substrate and the chip. A semiconductor device having an electrical connection formed between electrode terminals facing each other and a resin layer formed so as to fill a void around the electrical connection; The present invention relates to a resin composition for semiconductor encapsulation to be performed.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、ダイオード、トランジスタ、
ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩなど半導体装置の封止方法は、
樹脂封止が主流である。樹脂封止に用いられる封止樹脂
としては、エポキシ樹脂組成物が一般に他の熱硬化性樹
脂に比べて成形性、接着性、電気特性、機械特性、耐湿
性等に優れているため、広く用いられてきた。しかし、
最近においては、これらの半導体装置の集積度は益々大
きくなり、これに応じて半導体チップの寸法も大きくな
ってきている。一方、これに対して電子機器の小型化、
軽量化の要求の為、半導体チップが大きくなってもパッ
ケージ（半導体チップを収容する容器）の外形寸法を大
きくすることはできず、従来のパッケージ形態では、半
導体チップを収容できなくなっている。このような状況
に究極的に対応しようとする半導体チップの実装方法
が、裸の（ベア）状態の半導体チップを直接プリント回
路基板に接続するチップ・オン・ボード（ＣＯＢ）実
装、フリップチップ実装である。フリップチップ実装
は、ベア・チップの素子形成面の金属バンプ電極をプリ
ント回路基板上の一主面に形成されている電極パッドに
溶融接続（フリップチップボンディング）するものであ
る。これは、ワイヤーボンディングを必要とするＣＯＢ
実装よりも実装密度が優れているものの、基板の熱膨脹
などに起因する応力が基板・チップの接続部に加わって
接続の信頼性を損なうという問題があった。この為、上
記フリップチップ実装の改良例として、ベア・チップと
基板との間に封止樹脂を介在させることにより応力を低
減させ信頼性を向上させた片面樹脂封止型パッケージと
呼ばれる構造が例えば特公平２−７１８０号などにより
見い出されている。このような片面樹脂封止型パッケー
ジは、現在ではＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）,ＣＳ
Ｐ（チップサイズパッケージ）などと呼ばれる、より高
密度の半導体チップの実装方法に利用され始めている。
片面樹脂封止型のパッケージ構造では、特開平８−１５
３７３８号等のごとく、流動性の封止樹脂をベア・チッ
プと基板との隙間に対して毛細管現象を利用して流し込
むこと（アンダーフィル）により、ベア・チップとパッ
ケージ基板間に封止樹脂を介在させることができる。即
ち、封止樹脂をベア・チップと基板に流し込むには、該
隙間が一般に３０乃至１００μｍと狭く、また接続端子
として多数設けられたバンプが流動の障害となるため、
該樹脂組成物の粘度を低下させ流動性を増加させる必要
があり、ベア・チップを実装後のパッケージ基板をホッ
トプレートなどで加熱しながら、ディスペンサーなどで
ベア・チップの一辺に封止樹脂組成物を供給することに
より成しとげられている。このように片面樹脂封止型パ
ッケージには、流動性を有する封止樹脂組成物が要求さ
れるが、広く封止樹脂用樹脂組成物に用いられているノ
ボラックエポキシ樹脂またはノボラックフェノールなど
の固形樹脂を、硬化剤および硬化促進剤とともに溶媒に
溶解し、充填剤などを配合したものを用いると、硬化後
の耐湿特性は優れているものの、用いた溶媒の除去のた
めに複雑な工程が必要となり、また、硬化後の残留溶媒
のためにプリント回路基板への実装時のはんだリフロー
などの熱履歴により、パッケージクラックを引き起こす
と考えられる。たとえば特開平３−２７５７１３号公報
には、エポキシ樹脂、レゾール型フェノール樹脂および
シラノール基含有有機ケイ素化合物からなる樹脂組成物
が、フィルムキャリヤ半導体素子の封止剤として有用な
ことが開示されている。しかし、この組成物は、実施例
に示されるように、多量の溶媒に溶解して厚膜状に塗布
し、硬化させており、無溶媒では本発明の目的に適した
流動性を示すものではない。また、特開平４−２３６２
１８号公報は、エポキシ樹脂、フェノール系硬化剤およ
び溶融シリカを含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
開示している。この組成物は溶媒は用いていないが、ト
ランスファー成形を目的とした固形のものであり、特開
平３−２７５７１３号公報同様、本発明の目的に適した
流動性を示すものではない。さらに、特開平４−６８０
１９号公報では、液状エポキシ樹脂、３核体を主成分と
するノボラック型フェノール化合物、酸無水物系硬化剤
および無機粉末充填剤を含む無溶媒の流動性樹脂封止剤
を開示している。しかし、この封止剤は固形のフェノー
ル樹脂を用いているために流動性が十分でなく、また硬
化剤として酸無水物を併用しているため、耐湿性も十分
なものではないとされている。2. Description of the Related Art Conventionally, diodes, transistors,
The sealing method of semiconductor devices such as IC, LSI, and VLSI is
Resin sealing is the mainstream. As an encapsulating resin used for resin encapsulation, epoxy resin compositions are widely used because they are generally superior in moldability, adhesion, electrical properties, mechanical properties, moisture resistance, etc., compared to other thermosetting resins. I have been. But,
In recent years, the degree of integration of these semiconductor devices has been increasing, and the dimensions of semiconductor chips have been increasing accordingly. On the other hand, on the other hand, downsizing of electronic equipment,
Due to the demand for weight reduction, the outer dimensions of a package (a container for accommodating a semiconductor chip) cannot be increased even if the semiconductor chip becomes large, and the semiconductor package cannot be accommodated in a conventional package form. Semiconductor chip mounting methods that ultimately attempt to cope with such a situation include chip-on-board (COB) mounting and flip-chip mounting, in which a bare semiconductor chip is directly connected to a printed circuit board. is there. Flip chip mounting involves melting connection (flip chip bonding) of metal bump electrodes on the element forming surface of a bare chip to electrode pads formed on one main surface of a printed circuit board. This is a COB that requires wire bonding
Although the mounting density is higher than that of the mounting, there is a problem that the stress due to the thermal expansion of the substrate is applied to the connecting portion between the substrate and the chip and the reliability of the connection is impaired. For this reason, as an improved example of the flip chip mounting, a structure called a single-sided resin-encapsulated package in which a sealing resin is interposed between a bare chip and a substrate to reduce stress and improve reliability is known, for example. It is found in Japanese Patent Publication No. 2-7180. Such single-sided resin-sealed packages are currently available in BGA (ball grid array), CS
It has begun to be used for a method of mounting a higher density semiconductor chip called P (chip size package) or the like.
In the single-sided resin-sealed package structure, Japanese Patent Application Laid-Open No.
As described in No. 3738 and the like, a flowable sealing resin is poured into the gap between the bare chip and the substrate by using a capillary phenomenon (underfill), whereby the sealing resin is filled between the bare chip and the package substrate. It can be interposed. That is, in order to pour the sealing resin into the bare chip and the substrate, the gap is generally as narrow as 30 to 100 μm, and a large number of bumps provided as connection terminals become obstacles to the flow.
It is necessary to decrease the viscosity of the resin composition to increase the fluidity, and while the package substrate after mounting the bare chip is heated with a hot plate or the like, a sealing resin composition is applied to one side of the bare chip with a dispenser or the like. Is achieved by supplying As described above, a single-sided resin-sealed type package requires a sealing resin composition having fluidity, but a solid resin such as a novolak epoxy resin or a novolak phenol widely used in a resin composition for a sealing resin. Is dissolved in a solvent together with a curing agent and a curing accelerator, and a compounding agent such as a filler is used, but although the moisture resistance after curing is excellent, a complicated process is required to remove the solvent used. In addition, it is considered that a package crack is caused by heat history such as solder reflow at the time of mounting on a printed circuit board due to a residual solvent after curing. For example, JP-A-3-275713 discloses that a resin composition comprising an epoxy resin, a resol type phenol resin and a silanol group-containing organosilicon compound is useful as a sealant for a film carrier semiconductor element. However, as shown in the Examples, this composition is dissolved in a large amount of solvent, applied in a thick film form, and cured, and without a solvent, it does not show fluidity suitable for the purpose of the present invention. Absent. In addition, Japanese Patent Application Laid-Open No.
No. 18 discloses an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation containing an epoxy resin, a phenolic curing agent and fused silica. Although this composition does not use a solvent, it is a solid for transfer molding and does not exhibit fluidity suitable for the purpose of the present invention as in JP-A-3-275713. Further, JP-A-4-680
No. 19 discloses a solvent-free fluid resin sealant containing a liquid epoxy resin, a novolak-type phenol compound having a nucleus as a main component, an acid anhydride-based curing agent, and an inorganic powder filler. However, since this sealant uses a solid phenol resin, the fluidity is not sufficient, and since an acid anhydride is used as a curing agent, it is said that the moisture resistance is not sufficient. .
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】公知の半導体封止用樹
脂組成物を片面樹脂封止型パッケージのアンダーフィル
用として用いた場合、流動性（又は充填性）が不足し、
硬化も遅く、信頼性を同時に満たすことは困難であっ
た。特に従来のエポキシ系樹脂組成物では、高流動性、
速硬化性及び高信頼性が同時に要求される場合に、満足
のいくものが得難いという不都合があった。本発明は、
上記のような事情に鑑みなされたもので、流動性に優れ
硬化時間が短く、信頼性に優れた半導体装置および半導
体封止用樹脂組成物の提供を目的とする。When a known resin composition for semiconductor encapsulation is used for underfill of a single-sided resin encapsulation type package, the fluidity (or filling property) is insufficient.
The curing was slow, and it was difficult to satisfy the reliability at the same time. Particularly in the conventional epoxy resin composition, high fluidity,
When fast curing and high reliability are required at the same time, there is a disadvantage that it is difficult to obtain a satisfactory product. The present invention
In view of the above circumstances, it is an object of the present invention to provide a semiconductor device and a resin composition for semiconductor encapsulation which have excellent fluidity, short curing time, and excellent reliability.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明は、オキセタン化
合物を含有してなることを特徴とする半導体封止用組成
物ならびにオキセタン化合物を含有してなる組成物の硬
化物であることを特徴とする半導体装置を提供するもの
である。According to the present invention, there is provided a composition for encapsulating a semiconductor comprising an oxetane compound and a cured product of the composition comprising the oxetane compound. A semiconductor device is provided.
【０００５】まず本発明の半導体装置について説明す
る。本発明の半導体装置は、図１に示す様な基本構造を
有し、基板との電気的な接続を行なうためのバンプを形
成した半導体チップを回路基板又はパッケージ基板上に
フリップチップ法で接続実装したあと、半田バンプ周辺
の間隙を樹脂組成物で充填された半導体チップ実装構造
体を主な対象としている。これをさらに説明すると、回
路基板２には配線層８の配線パターンが形成されてい
る。チップ１は、接続電極として用いられるＡｌなどの
パッド電極７と、このパッド電極７の上に接続され、高
さ３０〜１００μｍ程度のはんだバンプなどの突起電極
３を備えている。チップ上の複数の突起電極３は、回路
基板２の表面に形成された配線層８の配線パターンに電
気的に接続されることによって回路基板２に搭載され
る。一般に、半導体装置はその使用に際してチップから
発生する熱によって温度上昇する。チップから発生した
熱は、前記突起電極を通して回路基板に伝わり、回路基
板をも高温にする。この時チップと回路基板が熱膨張す
る。図１に示すようなフリップチップ接続では、チップ
１と回路基板２の熱膨張係数に違いがあると、それによ
り発生する熱応力は突起電極３に集中する。図１では、
このような応力を緩和し、かつ絶縁封止する目的で、チ
ップ１と回路基板２との間に本発明の樹脂組成物４を充
填する。回路基板にチップを取り付けてから樹脂封止す
るまでを図２を参照して説明する。チップ１のパッド電
極７に接続された突起電極３は、回路基板２の配線層８
の配線パターン上に載置されて仮止めされる（図２
ａ）。次に突起電極３をリフローすることによって、こ
れを配線パターンの端子部分に溶融接続する（図２
ｂ）。次にチップ１と回路基板２との間に樹脂組成物４
を流し込み、次いで流し込まれた樹脂を硬化させてチッ
プ１を回路基板２への実装が完了する（図２ｃ）。First, a semiconductor device according to the present invention will be described. The semiconductor device according to the present invention has a basic structure as shown in FIG. 1, and a semiconductor chip formed with bumps for electrical connection with a substrate is connected and mounted on a circuit substrate or a package substrate by a flip chip method. After that, the main object is a semiconductor chip mounting structure in which a gap around a solder bump is filled with a resin composition. To explain this further, the wiring pattern of the wiring layer 8 is formed on the circuit board 2. The chip 1 includes a pad electrode 7 made of Al or the like used as a connection electrode, and a bump electrode 3 connected to the pad electrode 7 such as a solder bump having a height of about 30 to 100 μm. The plurality of protruding electrodes 3 on the chip are mounted on the circuit board 2 by being electrically connected to a wiring pattern of a wiring layer 8 formed on the surface of the circuit board 2. Generally, the temperature of a semiconductor device rises due to heat generated from a chip when used. The heat generated from the chip is transmitted to the circuit board through the protruding electrodes, and the temperature of the circuit board is also increased. At this time, the chip and the circuit board thermally expand. In the flip-chip connection as shown in FIG. 1, if there is a difference in the thermal expansion coefficient between the chip 1 and the circuit board 2, the resulting thermal stress concentrates on the protruding electrodes 3. In FIG.
The resin composition 4 of the present invention is filled between the chip 1 and the circuit board 2 for the purpose of alleviating such stress and sealing for insulation. The process from attaching a chip to a circuit board to resin sealing will be described with reference to FIG. The protruding electrode 3 connected to the pad electrode 7 of the chip 1 is connected to the wiring layer 8 of the circuit board 2.
(See FIG. 2)
a). Next, the protruding electrode 3 is melted and connected to the terminal portion of the wiring pattern by reflowing (FIG. 2).
b). Next, a resin composition 4 is provided between the chip 1 and the circuit board 2.
Then, the poured resin is cured to complete the mounting of the chip 1 on the circuit board 2 (FIG. 2C).
【０００６】次に、本発明の半導体封止用組成物（以
下、「本組成物」という）について説明する。本発明に
用いられるオキセタン化合物は、分子中に少なくとも１
個のオキセタン環を有する化合物であれば種々のものが
使用できるが、好ましい化合物としては、下記一般式１
で表される構造を少なくとも１つ含む化合物（以下、
「オキセタン化合物」という）を挙げることができる。Next, the composition for semiconductor encapsulation of the present invention (hereinafter referred to as “the present composition”) will be described. The oxetane compound used in the present invention has at least one oxetane compound in the molecule.
As long as the compound has two oxetane rings, various compounds can be used.
A compound containing at least one structure represented by
"Oxetane compound").
【０００７】[0007]
【化１】一般式１ [Formula 1]
【０００８】オキセタン化合物としては、例えば３，３
−ビス（クロルメチル）オキセタン、３，３−ビス（ヨ
ードメチル）オキセタン、３，３−ビス（メトキシメチ
ル）オキセタン、３，３−ビス（フェノキシメチル）オ
キセタン、３−メチル−３−クロルメチルオキセタン、
３，３−ビス（アセトキシメチル）オキセタン、３，３
−ビス（フルオロメチル）オキセタン、３，３−ビス
（ブロモメチル）オキセタン、３，３−ジメチルオキセ
タン、１，４−ビス〔（３−エチル−３−オキセタニル
メトキシ）メチル〕ベンゼン、３−メチル−３−ヒドロ
キシメチルオキセタン、３−エチル−３−ヒドロキシメ
チルオキセタン、３−エチル−３−ヘキシロキシメチル
オキセタンなどを挙げることができる。これらのうち、
１，４−ビス〔（３−エチル−３−オキセタニルメトキ
シ）メチル〕ベンゼン、３−メチル−３−ヒドロキシメ
チルオキセタン、３−エチル−３−ヒドロキシメチルオ
キセタン、３−エチル−３−ヘキロキシメチルオキセタ
ンが取扱い易さ、組成物として用いるときの他の成分と
の相溶性の点で好ましい。Oxetane compounds include, for example, 3,3
-Bis (chloromethyl) oxetane, 3,3-bis (iodomethyl) oxetane, 3,3-bis (methoxymethyl) oxetane, 3,3-bis (phenoxymethyl) oxetane, 3-methyl-3-chloromethyloxetane,
3,3-bis (acetoxymethyl) oxetane, 3,3
-Bis (fluoromethyl) oxetane, 3,3-bis (bromomethyl) oxetane, 3,3-dimethyloxetane, 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, 3-methyl-3 -Hydroxymethyloxetane, 3-ethyl-3-hydroxymethyloxetane, 3-ethyl-3-hexyloxymethyloxetane, and the like. Of these,
1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, 3-methyl-3-hydroxymethyloxetane, 3-ethyl-3-hydroxymethyloxetane, 3-ethyl-3-hexyloxymethyloxetane Is preferred in terms of ease of handling and compatibility with other components when used as a composition.
【０００９】オキセタン化合物としては、前記一般式１
で表される構造を２個有する２官能性オキセタン化合
物、例えば、１，４−ビス〔（３−エチル−３−オキセ
タニルメトキシ）メチル〕ベンゼンが、硬化性の点で好
ましい。本発明では２種類以上のオキセタン化合物を併
用することができ、２官能性オキセタン化合物と単官能
性化合物とを併用することもできる。また、本組成物
は、オキセタン化合物の他に硬化触媒、硬化剤を含むこ
とができる。また、充填材としての無機質フィラー、反
応性希釈剤、さらに通常用いられるエポキシ樹脂などを
含むこともできる。以下、それらの添加可能な成分につ
いて説明する。本発明で用いる硬化触媒としては、三級
アミン、四級アンモニウム塩、イミダゾ−ル化合物、ホ
ウ素化合物、リン化合物およびオニウム塩化合物などが
挙げられる。The oxetane compound is represented by the general formula 1
A bifunctional oxetane compound having two structures represented by the following formulas, for example, 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene is preferable in terms of curability. In the present invention, two or more oxetane compounds can be used in combination, and a bifunctional oxetane compound and a monofunctional compound can be used in combination. In addition, the present composition can include a curing catalyst and a curing agent in addition to the oxetane compound. Further, it may also contain an inorganic filler as a filler, a reactive diluent, and a commonly used epoxy resin. Hereinafter, the components that can be added will be described. Examples of the curing catalyst used in the present invention include tertiary amines, quaternary ammonium salts, imidazole compounds, boron compounds, phosphorus compounds and onium salt compounds.
【００１０】三級アミンとしては、トリエタノ−ルアミ
ン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレンジア
ミン、ジメチルアニリン、ジメチルアミノエタノ−ル、
ジエチルアミノエタノ−ル、２，４，６−トリス（ジメ
チルアミノメチル）フェノ−ル、Ｎ，Ｎ’−ジメチルピ
ペラジン、ピリジン、ピコリン、１，８−ジアザ−ビシ
クロ（５，４，０）ウンデセン−７、ベンジルジメチル
アミンおよび２−（ジメチルアミノ）メチルフェノ−ル
等がある。四級アンモニウム塩としては、ドデシルトリ
メチルアンモニウムクロライド、セチルトリメチルアン
モニウムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシルア
ンモニウムクロライドおよびステアリルトリメチルアン
モニウムクロライド等がある。イミダゾ−ル類として
は、２−メチルイミダゾ−ル、２−ウンデシルイミダゾ
−ル、２−エチルイミダゾ−ル、１−ベンジル−２−メ
チルイミダゾ−ルおよび１−シアノエチル−２−ウンデ
シルイミダゾ−ル等がある。ホウ素化合物としては、テ
トラフェニルボロン塩類、例えば、トリエチレンアミン
テトラフェニルボレ−ト、Ｎ−メチルモルホリンテトラ
フェニルボレ−ト等がある。リン化合物としては、例え
ば、トリフェニルホスフィン、トリス−２，６ジメトキ
シフェニルホスフィン、トリ−ｐトリルホスフィン、亜
リン酸トリフェニル、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム
−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエ−トおよびテトラ
−ｎ−ブチルホスホニウムブロマイド等がある。オニウ
ム塩化合物としては、下記一般式２で表される化合物を
挙げることができる。The tertiary amines include triethanolamine, tetramethylhexanediamine, triethylenediamine, dimethylaniline, dimethylaminoethanol,
Diethylaminoethanol, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol, N, N'-dimethylpiperazine, pyridine, picoline, 1,8-diaza-bicyclo (5,4,0) undecene-7 Benzyldimethylamine and 2- (dimethylamino) methylphenol. Examples of the quaternary ammonium salt include dodecyltrimethylammonium chloride, cetyltrimethylammonium chloride, benzyldimethyltetradecylammonium chloride, and stearyltrimethylammonium chloride. Examples of imidazoles include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-ethylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole and 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole. And so on. Examples of the boron compound include tetraphenylboron salts such as triethyleneamine tetraphenylborate and N-methylmorpholine tetraphenylborate. Examples of the phosphorus compound include triphenylphosphine, tris-2,6-dimethoxyphenylphosphine, tri-p tolylphosphine, triphenyl phosphite, tetra-n-butylphosphonium-o, o-diethylphosphorodithioate. And tetra-n-butylphosphonium bromide. Examples of the onium salt compound include compounds represented by the following general formula 2.
【００１１】[0011]
【化２】一般式２ 〔Ｒ3 a Ｒ4 b Ｒ5 c Ｒ6 d Ｚ〕+m〔ＭＸn+m 〕-m Embedded image General formula 2 [R 3 a R 4 b R 5 c R 6 d Z] + m [MX n + m ] -m
【００１２】〔式中、カチオンはオニウムであり、Ｚは
Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｏ、Ｉ、Ｂ
ｒ、ＣｌまたはＮ≡Ｎであり、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 および
Ｒ6 は同一または異なる有機基である。ａ、ｂ、ｃ、ｄ
は、それぞれ０〜３の整数であって（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）
は、Ｚの価数に等しい。Ｍは、ハロゲン化物錯体の中心
原子を構成する金属またはメタロイドであり、例えば
Ｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｃａ、
Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏなどで
ある。Ｘはハロゲン原子である。ｍはハロゲン化物錯体
イオンの正味の電荷であり、ｎはハロゲン化物錯体イオ
ン中の原子の数である。〕 上記一般式（２）中における陰イオン（ＭＸn+m ）の具
体例としては、テトラフルオロボレート（ＢＦ4 - ）、
ヘキサフルオロホスフェート（ＰＦ6 - ）、ヘキサフル
オロアンチモネート（ＳｂＦ6 - ）、ヘキサフルオロア
ルセネート（ＡｓＦ6 - ）、ヘキサクロロアンチモネー
ト（ＳｂＣｌ6 - ）などが挙げられる。Wherein the cation is onium and Z is S, Se, Te, P, As, Sb, Bi, O, I, B
r, Cl or N≡N, and R 3 , R 4 , R 5 and R 6 are the same or different organic groups. a, b, c, d
Is an integer of 0 to 3 and (a + b + c + d)
Is equal to the valence of Z. M is a metal or metalloid constituting the central atom of the halide complex, and is, for example, B, P, As, Sb, Fe, Sn, Bi, Al, Ca,
In, Ti, Zn, Sc, V, Cr, Mn, Co and the like. X is a halogen atom. m is the net charge of the halide complex ion and n is the number of atoms in the halide complex ion. Specific examples of the anion (MX n + m ) in the general formula (2) include tetrafluoroborate (BF 4 − ),
Examples include hexafluorophosphate (PF 6 − ), hexafluoroantimonate (SbF 6 − ), hexafluoroarsenate (AsF 6 − ), and hexachloroantimonate (SbCl 6 − ).
【００１３】また、一般式２において陰イオンが、一般
式〔ＭＸn （ＯＨ）- 〕で表される陰イオンを有するオ
ニウム塩を用いることができ、さらに、過塩素酸イオン
（ＣｌＯ4 - ）、トリフルオロメタンスルフォン酸イオ
ン（ＣＦ3 ＳＯ3-）、フルオロスルフォン酸イオン（Ｆ
ＳＯ3 - ）、トルエンスルフォン酸イオン、トリニトロ
ベンゼンスルフォン酸陰イオン、トリニトロトルエンス
ルフォン酸陰イオンなどの他の陰イオンを有するオニウ
ム塩を用いることもできる。これらのオニウム塩化合物
は、単独でまたは２種以上のものを組み合わせて（Ｂ）
成分として用いることができる。このようなオニウム塩
のうち、（Ｂ）成分として特に有効なオニウム塩は芳香
族オニウム塩である。中でも、特開昭５０−１５１９９
６号公報、特開昭５０−１５８６８０号公報などに記載
の芳香族ハロニウム塩、特開昭５０−１５１９９７号公
報、特開昭５２−３０８９９号公報、特開昭５６−５５
４２０号公報、特開昭５５−１２５１０５号公報などに
記載のVIA族芳香族オニウム塩、特開昭５０−１５８６
９８号公報などに記載のVA族芳香族オニウム塩、特開昭
５６−８４２８号公報、特開昭５６−１４９４０２号公
報、特開昭５７−１９２４２９号公報などに記載のオキ
ソスルホキソニウム塩、特開昭４９−１７０４０号公報
などに記載の芳香族ジアゾニウム塩、米国特許第４，１
３９，６５５号明細書に記載のチオビリリウム塩などが
好ましい。また、鉄／アレン錯体、アルミニウム錯体／
光分解ケイ素化合物系開始剤なども挙げることができ
る。これらのうちで、下記一般式３で表されるオニウム
塩化合物が好ましい。Further, an onium salt having an anion represented by the general formula [MX n (OH) − ] in the general formula 2 can be used, and a perchlorate ion (ClO 4 − ) can be used. , Trifluoromethanesulfonate ion (CF 3 SO 3− ), fluorosulfonate ion (F
Onium salts having other anions such as SO 3 − ), toluenesulfonic acid ion, trinitrobenzenesulfonic acid anion, and trinitrotoluenesulfonic acid anion can also be used. These onium salt compounds may be used alone or in combination of two or more (B)
It can be used as a component. Among such onium salts, an onium salt particularly effective as the component (B) is an aromatic onium salt. Above all, Japanese Patent Application Laid-Open No. 50-15199
No. 6, JP-A-50-158680, aromatic halonium salts described in JP-A-50-151997, JP-A-52-30899, JP-A-56-55.
No. 420, JP-A-55-125105 and the like.
98-group aromatic aromatic onium salts described in, for example, JP-A-56-8428, JP-A-56-149402, and oxosulfoxonium salts described in JP-A-57-192429. Aromatic diazonium salts described in JP-A-49-17040, U.S. Pat.
Thiobirylium salts described in JP-A-39,655 are preferred. In addition, iron / allene complex, aluminum complex /
Photolytic silicon compound-based initiators can also be mentioned. Among these, an onium salt compound represented by the following general formula 3 is preferable.
【００１４】一般式３ Formula 3
【００１５】（式中、Ｒ１〜Ｒ３はアルキル基、アリー
ル基であり同一であっても良い。Ｍはハロゲン化合物錯
体の中心原子である金属または半金属であり、Ｂ，Ｐ，
Ａｓ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ａｌ，Ｃａ，Ｉｎ，Ｔｉ，Ｚ
ｎ，Ｓｅ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏなどである。Ｘはハロ
ゲンであり、ｎはＭとＸの種類によって決まる６までの
自然数である。） さらに、陰イオンＭＸｎ−の代わりとして一般式ＭＸｎ
（ＯＨ）−の陰イオンも用いることができる。また、そ
の他の陰イオンＭＸｎ−の代わりの陰イオンとしては過
塩素酸イオン（ＣｌＯ４−）、トリフルオロメチル亜硫
酸イオン（ＣＦ３ＳＯ３−）、フルオロスルホン酸イオ
ン（ＦＳＯ３−）などを挙げることができる。これらの
中で、下記一般式４の構造を有するものが市販され、有
用である。(Wherein, R1 to R3 are an alkyl group and an aryl group and may be the same. M is a metal or metalloid which is the central atom of the halogen compound complex, and B, P,
As, Fe, Sn, Bi, Al, Ca, In, Ti, Z
n, Se, V, Cr, Mn, Co and the like. X is a halogen, and n is a natural number up to 6 determined by the types of M and X. ) Further, instead of the anion MXn-, the general formula MXn
(OH)-anions can also be used. In addition, examples of other anions in place of the anions MXn- include perchlorate ion (ClO4-), trifluoromethyl sulfite ion (CF3SO3-), and fluorosulfonic acid ion (FSO3-). Among these, those having the structure of the following general formula 4 are commercially available and useful.
【００１６】[0016]
【化３】一般式４ （式中、Ｒ１〜Ｒ３はアリール基を示す。）[Formula 3] (In the formula, R1 to R3 represent an aryl group.)
【００１７】市販品の具体例としては、サンエイドＳＩ
シリーズ（三新化学）などを挙げることができる。硬化
触媒の添加量は特に限定されないが、通常オキセタン化
合物１００重量部に対し、０．０１〜１０重量部であ
る。本発明で用いる硬化剤としては、アミン系、酸無水
物系、フェノ−ル系硬化剤など、オキセタン化合物と硬
化触媒存在下に硬化するものであれば特に限定しない。
アミン系硬化剤の例としては、脂肪族ポリアミン、ポリ
アミドポリアミン、脂環族ポリアミン、芳香族ポリアミ
ンおよびその他があるが、脂肪族ポリアミンとしては、
ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テト
ラエチレンペンタミンおよびジエチルアミノプロピルア
ミン等が挙げられる。ポリアミドポリアミンとしては、
ポリアミドポリアミンが挙げられる。脂環族ポリアミン
としては、メンセンジアミン、イソホロンジアミン、Ｎ
−アミノエチルピペラジン、３，９−ビス（３−アミノ
プロピル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ
（５，５）ウンデカンアダクト、ビス（４−アミノ−３
−メチルシクロヘキシル）メタンおよびビス（４−アミ
ノシクロヘキシル）メタン等が挙げられる。芳香族ポリ
アミンとしては、メタキシレンジアミン、ジアミノジフ
ェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンおよびｍ−
フェニレンジアミン等が挙げられる。その他としては、
ジシアンジアミドおよびアジピン酸ジヒラシドが挙げら
れる。酸無水物系硬化剤の例としてはヘキサヒドロ無水
フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸およびメチルヘキ
サヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。Examples of commercially available products include Sun Aid SI
Series (Sanshin Chemical). The addition amount of the curing catalyst is not particularly limited, but is usually 0.01 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the oxetane compound. The curing agent used in the present invention is not particularly limited as long as it cures in the presence of an oxetane compound and a curing catalyst, such as an amine-based, acid anhydride-based, and phenol-based curing agent.
Examples of amine-based curing agents include aliphatic polyamines, polyamide polyamines, alicyclic polyamines, aromatic polyamines, and others.
Examples include diethylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylenepentamine and diethylaminopropylamine. As polyamide polyamine,
Polyamide polyamines are mentioned. Examples of alicyclic polyamines include mensendiamine, isophoronediamine, N
-Aminoethylpiperazine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraoxaspiro (5,5) undecane adduct, bis (4-amino-3
-Methylcyclohexyl) methane and bis (4-aminocyclohexyl) methane. Examples of aromatic polyamines include metaxylenediamine, diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone, and m-
Phenylenediamine and the like. Others include
Dicyandiamide and adipic dihalide are mentioned. Examples of the acid anhydride-based curing agent include hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, and methylhexahydrophthalic anhydride.
【００１８】フェノ−ル系硬化剤の例としては、分子中
に２個以上、好ましくは３個以上のフェノ−ル性水酸基
を有するものである。具体的には、フェノ−ルや置換フ
ェノ−ル、例えば、ｏ−クレゾ−ル、ｐ−クレゾ−ル、
ｔ−ブチルフェノ−ル、クミルフェノ−ル、フェニルフ
ェノ−ルとホルムアルデヒドを酸やアルカリで反応した
ものが挙げられる。ホルムアルデヒドの替わりに、ほか
のアルデヒド、例えば、ベンズアルデヒド、クロトンア
ルデヒド、サリチルアルデヒド、ヒドロキシベンズアル
デヒド、グリオキザ−ルおよびテレフタルアルデヒドを
用いたものも利用できる。レゾルシンとアルデヒドの反
応物やポリビニルフェノ−ルも本発明の硬化剤として用
いることができる。これら硬化剤の配合割合は、オキセ
タン化合物１００重量部に対し、１０〜１００重量部の
範囲が好ましい。本組成物にはさらにフィラーを配合す
ることもできる。フィラーを配合させる場合、配合量は
本組成物総量の５０重量％以上が好ましいが、耐湿性や
機械的強度向上の観点から６０重量％以上が特に好まし
い。フィラーとしては、シリカ、アルミナ、窒化珪素、
炭化珪素、タルク、ケイ酸カルシウム、炭酸カルシウ
ム、マイカ、クレー、チタンホワイト等の粉体、ガラ
ス、カーボン等の短繊維が例示される。これらの中で熱
膨張率と熱伝導率の点から、シリカ、アルミナ、窒化珪
素、炭化珪素が好ましい。さらに、本組成物の成形時の
流動性を考えるとその形状は球形、または球形と不定型
の混合物が好ましい。Examples of phenolic curing agents include those having two or more, preferably three or more phenolic hydroxyl groups in the molecule. Specifically, phenol and substituted phenols such as o-cresol, p-cresol,
Examples thereof include those obtained by reacting t-butylphenol, cumylphenol, and phenylphenol with formaldehyde with an acid or alkali. Instead of formaldehyde, other aldehydes such as those using benzaldehyde, crotonaldehyde, salicylaldehyde, hydroxybenzaldehyde, glyoxal and terephthalaldehyde can be used. A reaction product of resorcinol and aldehyde or polyvinyl phenol can also be used as the curing agent of the present invention. The mixing ratio of these curing agents is preferably in the range of 10 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the oxetane compound. The composition may further contain a filler. When a filler is compounded, the compounding amount is preferably 50% by weight or more of the total amount of the present composition, and particularly preferably 60% by weight or more from the viewpoint of improving moisture resistance and mechanical strength. As the filler, silica, alumina, silicon nitride,
Examples thereof include powders such as silicon carbide, talc, calcium silicate, calcium carbonate, mica, clay, and titanium white, and short fibers such as glass and carbon. Among them, silica, alumina, silicon nitride, and silicon carbide are preferable from the viewpoint of the coefficient of thermal expansion and the coefficient of thermal conductivity. Further, considering the fluidity during molding of the present composition, the shape is preferably spherical, or a mixture of spherical and amorphous.
【００１９】また、アンダーフィルとして用いるなど微
細な空間（隙間）に流動させて充填する場合に、フィラ
ーの粒径が大きいと未充填の原因となるので、隙間の間
隔にあった粒径のものを選択することが好ましい。ま
た、本組成物は、反応性希釈剤を配合することもでき
る。反応性希釈剤としては、オキセタン化合物と反応
し、本組成物を希釈せしめるものであれば特に限定され
るものではないが、２−エチルヘキシルグリシジルエー
テル、アリルグリシジルエーテル、フェニルグリシジル
エーテル、ｐ−tert−ブチルフェニルグリシジルエーテ
ル、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３
−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、１−
（３−グリシドキシプロピル）−１，１，３，３，３−
ペンタメチルジシロキサン、Ｎ−グリシジル−Ｎ，Ｎ−
ビス［３−（トリメトキシシリル）プロピル］アミンな
どのモノグリシジル化合物；２−（３，４−エポキシシ
クロヘキシル）エチルトリメトキシシランなどのモノ脂
環式エポキシ化合物；ならびにジメチルトリフェニルト
リメトキシトリシロキサン、フェニルシラントリオール
の部分縮合体またはフェニルシラントリオールとメタン
シラントリオールもしくはプロピルシラントリオールと
の部分共縮合体などのケイ素官能性基含有シロキサンオ
リゴマーが例示される。When filling and flowing into a fine space (gap) such as used as an underfill, if the particle size of the filler is large, it causes unfilling. It is preferable to select The composition may also include a reactive diluent. The reactive diluent is not particularly limited as long as it reacts with the oxetane compound and dilutes the present composition. 2-ethylhexyl glycidyl ether, allyl glycidyl ether, phenyl glycidyl ether, p-tert- Butylphenyl glycidyl ether, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3
-Glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 1-
(3-glycidoxypropyl) -1,1,3,3,3-
Pentamethyldisiloxane, N-glycidyl-N, N-
Monoglycidyl compounds such as bis [3- (trimethoxysilyl) propyl] amine; monoalicyclic epoxy compounds such as 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane; and dimethyltriphenyltrimethoxytrisiloxane; Examples thereof include siloxane oligomers containing a silicon functional group such as a partial condensate of phenylsilanetriol or a partial cocondensate of phenylsilanetriol and methanesilanetriol or propylsilanetriol.
【００２０】また、本発明では、オキセタン化合物以外
にさらに反応性希釈剤を添加することもできる。なお、
本発明の樹脂組成物には、場合によって通常のエポキシ
樹脂などをさらに含むこともできる。通常のエポキシ樹
脂としては、例えば、フェノールノボラック型エポキシ
樹脂、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を始め
とするフェノール類とアルデヒド類から得られるノボラ
ック樹脂をエポキシ化したもの、フェノール、ナフトー
ル類のキシリレン結合によるアラルキル樹脂のエポキシ
化物、フェノール−ジシクロペンタジエン樹脂のエポキ
シ化物、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフ
ェノールＳ、チオジフェノール、ビスフェノール、置換
ビスフェノール、ジヒドロキシナフタレンなどのジグリ
シジルエーテル、フタル酸、ダイマー酸などの多塩基酸
とエピクロルヒドリンの反応によって得られるグリシジ
ルエステル型エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメタ
ン、ジアミノジフェニルスルホン、イソシアヌル酸など
のポリアミンとエピクロルヒドリンの反応によって得ら
れるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、ε−カプロラク
トン変性３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−
３‘，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレー
ト、トリメチルカプロラクトン変性３，４−エポキシシ
クロヘキシルメチル−３‘，４’−エポキシシクロヘキ
サンカルボキシレート、β−メチルδバレロラクトン変
性３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３‘，４’
−エポキシシクロヘキサンカルボキレートなどのシクロ
ヘキセンオキサイド構造を有するエポキシ化合物などを
挙げることができ、これらを適宜何種類でも併用するこ
ともできる。In the present invention, a reactive diluent can be further added in addition to the oxetane compound. In addition,
In some cases, the resin composition of the present invention may further include a normal epoxy resin or the like. As a normal epoxy resin, for example, phenol novolak type epoxy resin, epoxidized novolak resin obtained from phenols and aldehydes including o-cresol novolak type epoxy resin, phenol, by xylylene bond of naphthols Epoxidized aralkyl resin, epoxidized phenol-dicyclopentadiene resin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, thiodiphenol, bisphenol, substituted bisphenol, diglycidyl ether such as dihydroxynaphthalene, phthalic acid, dimer acid, etc. Glycidyl ester type epoxy resin obtained by the reaction of basic acid with epichlorohydrin, diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone, isocyanuric acid, etc. Glycidylamine epoxy resins obtained by reacting Riamin with epichlorohydrin, .epsilon.-caprolactone-modified 3,4-epoxycyclohexylmethyl -
3 ′, 4′-Epoxycyclohexanecarboxylate, trimethylcaprolactone-modified 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexanecarboxylate, β-methylδvalerolactone-modified 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3 ′ , 4 '
-Epoxy compounds having a cyclohexene oxide structure such as epoxycyclohexanecarboxylate, and the like, and any number of these can be used in combination.
【００２１】本組成物は、オキセタン化合物に必要に応
じて、硬化触媒、硬化剤、フィラーおよび反応性希釈
剤、エポキシ樹脂などを、三本ロール、ニーダー、乳
鉢、ディゾルバーまたはらいかい機を用いて均一に混合
することによって得ることができる。本組成物は、片面
樹脂封止型パッケージにおけるアンダーフィル用の封止
樹脂組成物などに好適な流動性を示す。本組成物は、デ
ィスペンサー、スクリーン印刷、孔版印刷、転写などの
印刷により、所望の位置に塗布することができ、さらに
加温し流動性をさらに増加せしめ、容易に毛細管現象な
どにより半導体チップと基板間の微細な隙間に充填させ
ることができる。また、本組成物の充填性を補うため
に、充填時に半導体チップと接続された基板を傾けた
り、真空中で充填させることもできる。本組成物の充填
時の加熱は、半導体チップと接続された基板をホットプ
レート上に置くことでなされるが、加熱の温度は５０〜
１００℃が好ましい。この加熱温度が５０℃未満では加
温による流動性の増加効果に乏しく、１００℃を超える
と組成物の硬化が始まってしまうので好ましくない。充
填後の本組成物は、熱循環式オーブン、赤外線ヒータ、
ホットプレートなどにより熱硬化させる。ここで、硬化
温度は、通常７５〜１５０℃、硬化時間は０．２〜３時
間程度である。本組成物の好ましい実施態様としては、
オキセタン化合物に硬化触媒を添加してなる半導体封止
用組成物、オキセタン化合物に硬化触媒と硬化剤を添加
してなる半導体封止用組成物、オキセタン化合物が、分
子中に少なくとも１つの前記一般式１で表される構造を
有する化合物である半導体封止用組成物、オキセタン化
合物が、１，４−ビス〔（３−エチル−３−オキセタニ
ルメトキシ）メチル〕ベンゼン、３−メチル−３−ヒド
ロキシメチルオキセタン、３−エチル−３−ヒドロキシ
メチルオキセタンのうち、少なくとも一つを含む半導体
封止用組成物、半導体集積回路が形成してなるチップ
と，該チップの搭載される素子基板と，該基板と前記チ
ップとの対向する電極端子間に形成された電気的な接続
部と，該電気的な接続部周囲の空隙部を充填するために
使用される半導体封止用樹成物、を挙げることができ
る。また、半導体装置の好ましい実施態様としては、半
導体集積回路が形成してなるチップと，該チップの搭載
される素子基板と，該基板と前記チップとの対向する電
極端子間に形成された電気的な接続部と，該電気的な接
続部周囲の空隙部を充填するように形成されてなる樹脂
層とを有する半導体装置において，前記樹脂がオキセタ
ン化合物を含有してなる半導体封止用樹脂組成物である
ことを特徴とする半導体装置、を挙げることができる。The present composition is prepared by adding a curing catalyst, a curing agent, a filler and a reactive diluent, an epoxy resin, and the like to the oxetane compound as required using a three-roll, kneader, mortar, dissolver, or mill. It can be obtained by mixing uniformly. The present composition exhibits fluidity suitable for a sealing resin composition for underfill in a single-sided resin-sealed package. The composition can be applied to a desired position by printing such as dispenser, screen printing, stencil printing, and transfer, and further heated to further increase the fluidity. It can be filled in minute gaps between them. Further, in order to supplement the filling property of the present composition, the substrate connected to the semiconductor chip at the time of filling may be tilted or filled in a vacuum. Heating at the time of filling the composition is performed by placing a substrate connected to a semiconductor chip on a hot plate, and the heating temperature is 50 to
100 ° C. is preferred. If the heating temperature is lower than 50 ° C., the effect of increasing the fluidity by heating is poor, and if it is higher than 100 ° C., curing of the composition starts, which is not preferable. The composition after filling is a heat-circulating oven, an infrared heater,
Heat-cured with a hot plate or the like. Here, the curing temperature is usually 75 to 150 ° C., and the curing time is about 0.2 to 3 hours. As a preferred embodiment of the present composition,
An oxetane compound comprising a curing catalyst added to a oxetane compound, a semiconductor sealing composition comprising a oxetane compound added with a curing catalyst and a curing agent, and an oxetane compound having at least one of the above general formulas The semiconductor sealing composition and the oxetane compound which are compounds having the structure represented by 1 are 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, 3-methyl-3-hydroxymethyl A semiconductor encapsulating composition containing at least one of oxetane and 3-ethyl-3-hydroxymethyloxetane, a chip on which a semiconductor integrated circuit is formed, an element substrate on which the chip is mounted, and a substrate. An electrical connection formed between the electrode terminals facing the chip; and a semiconductor seal used to fill a void around the electrical connection. Use tree Narubutsu, it can be mentioned. In a preferred embodiment of the semiconductor device, a chip on which a semiconductor integrated circuit is formed, an element substrate on which the chip is mounted, and an electrical device formed between electrode terminals of the substrate and the chip facing each other. Semiconductor device having a solid connection portion and a resin layer formed so as to fill a void around the electric connection portion, wherein the resin contains an oxetane compound. A semiconductor device characterized by the following.
【００２２】[0022]
【実施例】次に具体的実施例に基づいて本発明の実施態
様および効果を詳しく説明するが、本発明はこれに限定
されるものではない。 実施例１〜８および比較例１ 表２に示す化合物を表１に示す割合で、らいかい機を用
いて均一に混合した。Next, embodiments and effects of the present invention will be described in detail with reference to specific examples, but the present invention is not limited to these examples. Examples 1 to 8 and Comparative Example 1 The compounds shown in Table 2 were uniformly mixed at the ratios shown in Table 1 using a grinder.
【００２３】[0023]
【表１】 [Table 1]
【００２４】[0024]
【表２】 [Table 2]
【００２５】〔評価１〕組成物の特性評価 １）ゲル化時間の測定 実施例１〜８および比較例１で得られた各組成物のゲル
化時間を、表３に示す温度においてＪＩＳ Ｃ−２１０
４に準じて測定した。結果を表３に示す。[Evaluation 1] Evaluation of Characteristics of Composition 1) Measurement of Gelation Time The gelation time of each composition obtained in Examples 1 to 8 and Comparative Example 1 was measured at the temperature shown in Table 3 according to JIS C- 210
4 was measured. Table 3 shows the results.
【００２６】[0026]
【表３】 [Table 3]
【００２７】２）流動性の評価 ２０×２５ｍｍに切断したガラス板の長辺の両端に、短
辺に沿って厚さ２５μｍ，幅２．５ｍｍ，厚さ２５μｍ
の接着剤付きの耐熱テープを、スペーサとして貼り付
け、温度調節可能なホットプレート上のガラス基板上に
前記スペーサを介して固定することで、ガラス基板と切
断せしめたガラス板の間に高さ５０μｍ，面積２０×２
０ｍｍの空隙を形成した。該ガラス板の一辺の近傍に、
ガラス板の縁と接触するように実施例１〜７および比較
例１で得られた組成物１ｃｃをそれぞれスポイトでディ
スペンスし、毛細管現象により組成物を前記空隙に充填
させ、ディスペンスした縁から１０ｍｍ，２０ｍｍの距
離に組成物が到達するまでの浸透時間を測定し流動性の
評価とした。流動性の評価は、ホットプレートの温度を
７５℃に一定に保って行った。なお、本評価では、前記
浸透時間の短いものを流動性が高く、長いものを流動性
が低いものと判定した。結果を表４に示す。2) Evaluation of fluidity The glass plate cut into a size of 20 × 25 mm has a thickness of 25 μm, a width of 2.5 mm, and a thickness of 25 μm along the short side at both ends of the long side.
A heat-resistant tape with an adhesive is adhered as a spacer and fixed on a glass substrate on a hot plate whose temperature can be adjusted via the spacer, so that a height of 50 μm and an area between the glass substrate and the cut glass plate are obtained. 20 × 2
A gap of 0 mm was formed. Near one side of the glass plate,
1 cc of each of the compositions obtained in Examples 1 to 7 and Comparative Example 1 was dispensed with a dropper so as to be in contact with the edge of the glass plate, and the composition was filled into the space by capillary action, and 10 mm from the dispensed edge. The permeation time until the composition reached a distance of 20 mm was measured and evaluated as fluidity. The fluidity was evaluated while keeping the temperature of the hot plate constant at 75 ° C. In this evaluation, those having a short permeation time were judged to have high fluidity, and those having a long permeation time were judged to have low fluidity. Table 4 shows the results.
【００２８】３）粘度の測定 実施例１〜８および比較例１で得られた組成物を、ブル
ックフィールド型粘度計を用いて７５℃、６０ｒｐｍに
て測定を行った。結果を表４に示す。3) Measurement of Viscosity The compositions obtained in Examples 1 to 8 and Comparative Example 1 were measured at 75 ° C. and 60 rpm using a Brookfield viscometer. Table 4 shows the results.
【００２９】[0029]
【表４】 [Table 4]
【００３０】〔評価２〕：ＤＳＣ（示差走査型熱量分
析）による必要硬化時間の測定 実施例１〜８および比較例１で得られた組成物の適切な
硬化温度を選択し、その硬化温度まで組成物を昇温した
後温度一定とし、発熱ピークがなくなるまでの時間を求
め、これを必要硬化時間とした。結果を表５に示す。[Evaluation 2]: Measurement of Required Curing Time by DSC (Differential Scanning Calorimetry) An appropriate curing temperature of each of the compositions obtained in Examples 1 to 8 and Comparative Example 1 was selected, and up to the curing temperature. After raising the temperature of the composition, the temperature was kept constant, and the time until the exothermic peak disappeared was determined, and this was defined as a required curing time. Table 5 shows the results.
【００３１】〔評価３〕：硬化物のＴＭＡ（熱機械的性
質）測定 実施例１〜８および比較例１で得られた組成物を１２５
℃で３時間加熱硬化し、２×２×５ｍｍの大きさに切り
出し、セイコー電子工業ＴＭＡ−ＳＳ１２０で、昇温速
度５℃／ｍｉｎにて室温から２５０℃の範囲で測定し、
線膨張係数、ガラス転移温度（Ｔｇ）を求めた。Ｔｇよ
り低温側の線膨張係数をα１、Ｔｇより高温側の線膨張
係数をα２とした。結果を表５に示す。[Evaluation 3]: Measurement of TMA (Thermo-mechanical Properties) of Cured Product The compositions obtained in Examples 1 to 8 and Comparative Example 1 were used in 125
C. for 3 hours under heating, cut out to a size of 2 × 2 × 5 mm, and measured at a temperature rising rate of 5 ° C./min in a range from room temperature to 250 ° C. with a Seiko Electronics Industries TMA-SS120.
The linear expansion coefficient and the glass transition temperature (Tg) were determined. The linear expansion coefficient on the lower temperature side than Tg was α1, and the linear expansion coefficient on the higher temperature side than Tg was α2. Table 5 shows the results.
【００３２】[0032]
【表５】 [Table 5]
【００３３】[0033]
【発明の効果】本発明によれば、オキセタン化合物を用
いることで、従来のエポキシ樹脂を用いた半導体封止用
樹脂組成物が有していた耐熱性と信頼性を維持しつつ、
従来のエポキシ樹脂を用いた半導体封止用樹脂組成物で
は成し遂げ得なかった、微細な空隙へ充填しうる高い流
動性と速硬化性を有する半導体封止用樹脂組成物及び係
る組成物を用いて高密度実装に適した半導体装置を得る
ことができる。According to the present invention, by using an oxetane compound, it is possible to maintain the heat resistance and reliability of a conventional resin composition for semiconductor encapsulation using an epoxy resin while maintaining the same.
Using a resin composition for semiconductor encapsulation having high fluidity and quick-curing properties that can be filled into fine voids, which could not be achieved with a conventional resin composition for semiconductor encapsulation using an epoxy resin, and such a composition A semiconductor device suitable for high-density mounting can be obtained.
【００３４】[0034]
【図１】FIG.
【図２】説明する図である。FIG. 2 is an explanatory diagram.
１…半導体チップ ２…回路基板 ３…突起電極（はんだバンプ） ４…半導体封止用樹脂組成物 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor chip 2 ... Circuit board 3 ... Protruding electrode (solder bump) 4 ... Resin composition for semiconductor encapsulation
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 穂積 東京都中央区築地二丁目11番24号 日本合 成ゴム株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Hozumi Sato 2--11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo Inside Nippon Gosei Rubber Co., Ltd.
Claims (2)
徴とする半導体封止用組成物。1. A composition for encapsulating a semiconductor, comprising an oxetane compound.
硬化物で封止されたことを特徴とする半導体装置。2. A semiconductor device sealed with a cured product of a composition containing an oxetane compound.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18582297A JPH1117074A (en) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | Semiconductor device and sealing compsn. therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18582297A JPH1117074A (en) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | Semiconductor device and sealing compsn. therefor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1117074A true JPH1117074A (en) | 1999-01-22 |
Family
ID=16177492
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP18582297A Pending JPH1117074A (en) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | Semiconductor device and sealing compsn. therefor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1117074A (en) |
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- 1997-06-26 JP JP18582297A patent/JPH1117074A/en active Pending
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