JPH11163225A - Relay board, connection body between ic mounting board relay board, and structure composed of ic mounting board, relay board, and mounting board - Google Patents

Relay board, connection body between ic mounting board relay board, and structure composed of ic mounting board, relay board, and mounting board

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JPH11163225A
JPH11163225A JP32357897A JP32357897A JPH11163225A JP H11163225 A JPH11163225 A JP H11163225A JP 32357897 A JP32357897 A JP 32357897A JP 32357897 A JP32357897 A JP 32357897A JP H11163225 A JPH11163225 A JP H11163225A
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JP
Japan
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board
mounting
relay board
main body
relay
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Application number
JP32357897A
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Japanese (ja)
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Toru Matsuura
松浦  徹
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Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
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Publication date
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K3/3478Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns

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  • Wire Bonding (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a relay board and a connection body between an IC mounting board and the relay board, which are capable of canceling nonuiformity in thermal expansion coefficients caused by a thermal expansion coefficient difference between the IC mounting board mounted with an IC chip and a mounting board, so as to be enhanced in connection reliability and furthermore to obtain a structure which is high in connection reliability and composed of an IC mounting board, a relay board, and a mounting board. SOLUTION: A relay board consists of a nearly plate-like relay board body 1 which is formed of a glass-epoxy resin composite material and possesses a first surface 1a and a second surface 1b, a first surface terminal 6 formed on the first surface 1a, and a second surface terminal 7 formed on the second surface 1b at a position corresponding to the first terminal 6, so as to be electrically connected to the first surface terminal 6. A part of the relay board body 1 corresponding to an IC chip is set lower in glass fiber content than the other part of the relay board body so as to be larger in thermal expansion coefficient than the other part.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路チップを
実装したIC実装基板、特にガラス−エポキシ樹脂複合
材料等の樹脂を含む材質からなるIC実装基板と取付基
板との間に介在させる中継基板、IC実装基板と中継基
板との接続体、およびIC実装基板と中継基板と取付基
板とからなる構造体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an IC mounting board on which an integrated circuit chip is mounted, and more particularly, to a relay board interposed between an IC mounting board made of a resin-containing material such as a glass-epoxy resin composite material and a mounting board. The present invention relates to a connection body between an IC mounting board and a relay board, and a structure including an IC mounting board, a relay board, and a mounting board.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、一方の基板の主面に形成され
たパッドと、熱膨張率の異なる他方の基板の主面に形成
されたパッドとを接続する場合に、この2つの基板の間
に、中継基板を介在させ、熱膨張率の差によって生じる
応力を緩和するものが知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, when a pad formed on the main surface of one substrate and a pad formed on the main surface of the other substrate having a different coefficient of thermal expansion are connected to each other, the distance between the two substrates is increased. In addition, there is known a device in which a relay board is interposed to reduce stress caused by a difference in thermal expansion coefficient.

【0003】例えば、特公平2−45357号に開示さ
れている基板の接続構造においては、図22(a) に示す
ような中継基板215が開示されている。この中継基板
215は、アルミナからなる中継基板本体210に穿孔
したスルーホール内に、メッキにより銅導体219を形
成し、さらにPb95%−Sn5%の高温ハンダからな
るハンダ電極212形成して、両者からなるスルーホー
ル電極214を形成してなるものである。この中継基板
215を、図22(b) に示すように、シリコン基板(シ
リコンチップ)211とガラスエポキシ製のプリント基
板218との間に介在させて、シリコンとプリント基板
の熱膨張率の違いによる接続部の破壊を防止するのであ
る。
For example, in the connection structure of boards disclosed in Japanese Patent Publication No. 2-45357, a relay board 215 as shown in FIG. 22A is disclosed. The relay substrate 215 has a copper conductor 219 formed by plating in a through hole formed in the relay substrate main body 210 made of alumina, and a solder electrode 212 made of high-temperature solder of Pb 95% -Sn 5%. The through-hole electrode 214 is formed. This relay board 215 is interposed between a silicon board (silicon chip) 211 and a printed board 218 made of glass epoxy as shown in FIG. The connection is prevented from being destroyed.

【0004】このような中継基板は、シリコンチップと
樹脂製のプリント基板とを接続する場合に用いられるだ
けでなく、例えば、特開昭61−3497号公報に開示
されているように、セラミック製基板と有機プリント板
等との間に介在させる例もある。即ち、特開昭61−3
497号公報には、図23に示すように、セラミック基
板222と有機プリント板221との間に、ポリウレタ
ン樹脂等からなる接合フレーム(中継基板本体)225
を介在させ、セラミック基板222のパッド229と有
機プリント基板221のパッド226との間をIn−P
b等の低融点金属227で接続するものが開示されてい
る。上記で説明した従来技術においては、シリコンチッ
プや配線基板とガラスエポキシ製などの有機プリント基
板との熱膨張率の違いを緩和するために中継基板を用い
ており、しかも、プリント基板と接続するのは、シリコ
ンチップやセラミック製の配線基板など、剛性が高く変
形しにくいものであった。
Such a relay board is used not only for connecting a silicon chip to a printed board made of resin, but also for example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-3497. There is also an example in which it is interposed between a substrate and an organic printed board. That is, JP-A-61-3
No. 497 discloses a joining frame (relay substrate main body) 225 made of polyurethane resin or the like between a ceramic substrate 222 and an organic printed board 221 as shown in FIG.
Between the pad 229 of the ceramic substrate 222 and the pad 226 of the organic printed circuit board 221.
A connection using a low melting point metal 227 such as b is disclosed. In the prior art described above, a relay board is used to reduce the difference in coefficient of thermal expansion between a silicon chip or a wiring board and an organic printed board made of glass epoxy or the like. Were highly rigid and hardly deformed, such as a silicon chip or a ceramic wiring board.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、近年の技術
進歩により高性能の樹脂あるいは樹脂とガラス繊維等と
の複合材を用いた配線基板が現れており、集積回路チッ
プ(以下、単にICチップともいう)をこのような配線
基板に実装した、IC実装基板が用いられるようになっ
てきた。このような樹脂を用いた配線基板においては、
一般に樹脂の有する誘電率が、セラミック等に比較して
小さく高周波信号の伝送に都合がよいことや、加工が容
易で、高温での焼成加工が不要である等の利点がある。
However, due to the recent technological progress, a wiring board using a high-performance resin or a composite material of a resin and glass fiber has appeared, and an integrated circuit chip (hereinafter simply referred to as an IC chip) has been developed. ) Is mounted on such a wiring board, and an IC mounting board has been used. In a wiring board using such a resin,
In general, there are advantages that the dielectric constant of the resin is smaller than that of ceramics or the like, which is convenient for transmitting a high-frequency signal, and that processing is easy and baking at a high temperature is unnecessary.

【0006】また、熱膨張率も、ガラスエポキシ製等の
有機プリント基板とほぼ同程度の熱膨張率を有している
ので、両者を接続しても、熱膨張率の違いによる応力
は、あまり大きくならない。従って、このようなIC実
装基板と有機プリント板との間に中継基板を介在させる
のは、不要であると考えられていた。
Also, since the thermal expansion coefficient is almost the same as that of an organic printed circuit board made of glass epoxy or the like, even if both are connected, the stress due to the difference in the thermal expansion coefficient is very small. Does not grow. Therefore, it was considered unnecessary to interpose a relay board between such an IC mounting board and the organic printed board.

【0007】しかし、例えば、図24(a)に示すよう
に、配線基板本体301をガラス−エポキシ樹脂複合材
料等の樹脂を含む材料で構成した場合、その上面(第1
面)に実装するICチップ311は、Si製であるた
め、熱膨張率が小さく(α=3〜4×10-6/℃)、α
=10〜数10×10-6/℃の値を持つ樹脂を含む材料
の熱膨張率と大きく異なる。さらに、樹脂を含む材料
は、セラミック等に比較して柔らかい(剛性が低い)た
め、例えば、加熱時には、図24(a)に示すように、I
Cチップ311の実装されている領域が、下に凸となる
ような反り変形をしようとし、各ハンダボール303は
上下方向に伸縮する応力を受ける。なお、図24(a)に
示す変形は、変形量を大きく強調したもので、実際に
は、共晶ハンダボール303は変形しにくいため、その
変形量はごく僅かである。このため、このような変形を
引き起こす応力は、ハンダボール303を疲労させる。
そして、ついには、図24(b)に示すように、ICチッ
プ311が実装されている場所に対応する位置(ICチ
ップ対応位置)に形成されたハンダボール303のう
ち、接続パッド302や取付パッド322近傍の部分
に、破線で示すようなクラックK1あるいはK2が発生
して、選択的に破断する不具合を生じることが判明し
た。
However, for example, as shown in FIG. 24A, when the wiring board main body 301 is made of a material containing a resin such as a glass-epoxy resin composite material, the upper surface (first
Since the IC chip 311 mounted on the (surface) is made of Si, the coefficient of thermal expansion is small (α = 3 to 4 × 10 −6 / ° C.).
= 10 to several tens × 10 −6 / ° C. It is significantly different from the coefficient of thermal expansion of a material containing a resin. Further, since a material containing a resin is softer (lower in rigidity) than a ceramic or the like, for example, as shown in FIG.
The area where the C chip 311 is mounted tends to be warped so as to be convex downward, and each solder ball 303 receives stress that expands and contracts in the vertical direction. Note that the deformation shown in FIG. 24 (a) emphasizes the amount of deformation, and in practice, the eutectic solder ball 303 is hard to deform, so the amount of deformation is very small. Therefore, the stress causing such deformation causes the solder ball 303 to fatigue.
Finally, as shown in FIG. 24B, of the solder balls 303 formed at positions (IC chip corresponding positions) corresponding to the positions where the IC chips 311 are mounted, the connection pads 302 and the mounting pads It has been found that a crack K1 or K2 as shown by a broken line occurs in a portion near 322, which causes a failure to be selectively broken.

【0008】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであって、樹脂を含む材質からなるIC実装基板と
取付基板との間に介在させて、ICチップとこれを実装
するIC実装基板との熱膨張率の違いによって生じる、
熱膨張率の不均一をキャンセルし、取付基板との高い接
続信頼性を得られる中継基板、IC実装基板と中継基板
の接続体、さらには、接続信頼性の高いIC実装基板と
中継基板と取付基板とからなる構造体を提供することに
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has an IC chip and an IC mounting board for mounting the IC chip between a mounting board and an IC mounting board made of a material containing resin. Caused by the difference in the coefficient of thermal expansion between
A relay board that cancels non-uniformity of the coefficient of thermal expansion and obtains high connection reliability with the mounting board, a connection body between the IC mounting board and the relay board, and a mounting with the IC mounting board and the relay board with high connection reliability An object of the present invention is to provide a structure including a substrate.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段及び効果】まず、請求項1
に記載の解決手段は、主面と裏面を有する略板形状をな
し樹脂を含む材質からなるIC実装基板本体と、上記主
面側に実装された集積回路チップと、上記裏面側のうち
少なくとも上記集積回路チップに対応する位置に形成さ
れた接続パッドと、を備えるIC実装基板と、取付基板
本体と、該取付基板本体の主面のうち上記IC実装基板
の接続パッドに対応する位置に形成された取付パッド
と、を備える取付基板と、の間に介在させ、第1面側で
上記接続パッドと接続させ、第2面側で上記取付パッド
と接続させることにより上記IC実装基板と上記取付基
板とを接続させるための中継基板であって、上記第1面
と第2面とを有する略板形状をなし、樹脂を含む材質か
らなる中継基板本体と、上記第1面側に形成された第1
面側端子と、上記第2面側のうち第1面側端子と対応す
る位置に形成され、該第1面側端子と電気的に接続する
第2面側端子と、を有し、上記中継基板本体のうち、上
記集積回路チップに対応する部分の熱膨張率よりも、他
の部分の熱膨張率が小さいことを特徴とする中継基板で
ある。
Means and effects for solving the problems First, claim 1
The present invention provides an IC mounting substrate body having a substantially plate shape having a main surface and a back surface and made of a material containing a resin, an integrated circuit chip mounted on the main surface side, and at least the An IC mounting substrate including a connection pad formed at a position corresponding to the integrated circuit chip; a mounting substrate body; and a main surface of the mounting substrate body formed at a position corresponding to the connection pad of the IC mounting substrate. Between the IC mounting board and the mounting board by connecting the connecting pad on the first surface side and connecting to the mounting pad on the second surface side. A relay board body having a substantially plate shape having the first surface and the second surface, the relay board body being made of a material including a resin, and a relay board formed on the first surface side. 1
A surface side terminal, and a second surface side terminal formed at a position corresponding to the first surface side terminal of the second surface side and electrically connected to the first surface side terminal; A relay board characterized in that the other part of the board body has a smaller coefficient of thermal expansion than the part corresponding to the integrated circuit chip.

【0010】IC実装基板本体は、集積回路チップ(以
下、ICチップともいう)が実装される部分(以下、I
C実装部分ともいう)では、低熱膨張率のICチップに
拘束されるため、ICチップが実装されない部分(以
下、IC非実装部分ともいう)に比較して相対的に熱膨
張率が小さく見える(引き下げられる)。このため、上
記したように反り変形が生じる。これに対して、上記構
成を有する本発明の中継基板では、中継基板本体のう
ち、集積回路チップに対応する部分(以下、ICチップ
対応部分ともいう)の熱膨張率よりも、他の部分(以
下、ICチップ非対応部分ともいう)の熱膨張率が小さ
い。
[0010] The IC mounting substrate main body has a portion (hereinafter, referred to as an IC) on which an integrated circuit chip (hereinafter, also referred to as an IC chip) is mounted.
C), the thermal expansion coefficient is relatively small compared to a part where the IC chip is not mounted (hereinafter, also referred to as an IC non-mounting part) because it is constrained by an IC chip having a low thermal expansion coefficient (hereinafter also referred to as an IC non-mounting part). Lowered). For this reason, warpage deformation occurs as described above. On the other hand, in the relay board of the present invention having the above configuration, the thermal expansion coefficient of a portion (hereinafter, also referred to as an IC chip corresponding portion) corresponding to the integrated circuit chip in the relay substrate body is different from that of the other portion ( (Hereinafter, it is also referred to as an IC chip non-corresponding portion.)

【0011】ここで、IC実装基板と中継基板とを接続
した場合、IC実装基板本体のIC実装部分と、中継基
板本体のICチップ対応部分とが対応するように接続さ
れる。また、IC実装基板本体のIC非実装部分と、中
継基板本体のICチップ非対応部分とが対応するように
接続される。このIC実装基板と中継基板との接続体の
熱膨張率についてみると、IC実装部分は小さく、IC
チップ対応部分は大きい。このため、IC実装部分の熱
膨張率は、ICチップ対応部分の熱膨張率の影響を受け
て大きくされる。一方、IC非実装部分は大きく、IC
チップ非対応部分は小さい。このため、IC非実装部分
の熱膨張率は、ICチップ非対応部分の熱膨張率の影響
を受けて小さくされる。
Here, when the IC mounting board and the relay board are connected, the IC mounting portion of the IC mounting board main body and the IC chip corresponding portion of the relay board main body are connected so as to correspond to each other. In addition, the non-IC mounting portion of the IC mounting substrate body and the non-IC chip corresponding portion of the relay substrate main body are connected so as to correspond to each other. Looking at the coefficient of thermal expansion of the connection body between the IC mounting board and the relay board, the IC mounting portion is small,
The part corresponding to the chip is large. Therefore, the coefficient of thermal expansion of the IC mounting portion is increased by the influence of the coefficient of thermal expansion of the portion corresponding to the IC chip. On the other hand, the part without IC is large,
The portion that does not correspond to the chip is small. Therefore, the coefficient of thermal expansion of the non-IC-mounted portion is reduced by the influence of the coefficient of thermal expansion of the non-IC chip-corresponding portion.

【0012】即ち、いずれの部分においても、熱膨張率
は互いに逆の関係となっており、IC実装基板と中継基
板を接続した全体でみると、互いに拘束し合って、IC
実装基板内あるいは中継基板内での熱膨張率の違いは、
互いにキャンセルされる状態となる。従って、このよう
な中継基板をIC実装基板と接続した場合(IC実装基
板と中継基板との接続体とした場合)には、これをさら
に取付基板と接続しても、ICチップの影響による反り
変形を生じたり、接続部分で破断するなどの不具合を生
じず、高い接続信頼性を得ることができる。
That is, in any part, the coefficients of thermal expansion are in opposite relations to each other.
The difference in the coefficient of thermal expansion in the mounting board or relay board is
It will be in the state canceled mutually. Therefore, when such a relay board is connected to the IC mounting board (when the connecting body between the IC mounting board and the relay board is used), even if this is further connected to the mounting board, the warpage due to the influence of the IC chip. Defects such as deformation and breakage at the connection portion do not occur, and high connection reliability can be obtained.

【0013】ここで、樹脂を含む材質としては、エポキ
シ、ポリイミド、BT、ポリウレタン等の樹脂、あるい
はこれらの樹脂との複合材を用いるものが挙げられる。
また、この複合材としては、ガラス−エポキシ樹脂複合
材料に代表される樹脂とガラスやポリエチレン等の繊維
との複合材や、樹脂とセラミック粉末との複合材等が挙
げられる。また、IC実装基板本体の主面側に実装され
る集積回路チップの材質は、シリコンが多いが、ガリウ
ム砒素等であっても良い。
Here, examples of the material containing a resin include those using a resin such as epoxy, polyimide, BT, polyurethane, or a composite material with these resins.
Examples of the composite include a composite of a resin represented by a glass-epoxy resin composite and a fiber such as glass or polyethylene, a composite of a resin and a ceramic powder, and the like. Further, the material of the integrated circuit chip mounted on the main surface side of the IC mounting substrate main body is mostly silicon, but may be gallium arsenide or the like.

【0014】集積回路チップのIC実装基板本体への実
装方法としては、フリップチップ法によってIC実装基
板と接続するほか、ダイアタッチ法により接続しても良
い。またさらに、フリップチップ法により集積回路チッ
プを接続した場合は、その後に、IC実装基板本体と集
積回路チップとの間に樹脂を注入して固定するアンダー
フィルを施しても良い。また、このIC実装基板本体の
裏面には、取付基板と接続するための接続パッドが形成
されている。この接続パッドの配列の例としては、格子
状にすることが挙げられるが、必ずしも格子状に配列さ
れていなくとも良い。また、接続パッド上にハンダを盛
り上げる等してバンプとする場合もある。
As a method of mounting the integrated circuit chip on the main body of the IC mounting substrate, the connection with the IC mounting substrate may be performed by a flip-chip method or by a die attach method. Further, when the integrated circuit chips are connected by the flip chip method, an underfill for injecting and fixing a resin between the IC mounting substrate body and the integrated circuit chips may be performed thereafter. In addition, connection pads for connecting to the mounting board are formed on the back surface of the IC mounting board body. As an example of the arrangement of the connection pads, a lattice shape can be cited, but the connection pads need not necessarily be arranged in a lattice shape. Further, bumps may be formed by raising solder on the connection pads.

【0015】また、取付基板は、IC実装基板を取付け
るための基板であって、マザーボード等のプリント基板
が挙げられる。取付基板本体の材質としては、ガラス−
エポキシ樹脂複合材料に代表されるエポキシ、ポリイミ
ド、BT、ポリウレタン等の樹脂とガラスやポリエステ
ル等の繊維との複合材や、これらの樹脂とセラミック粉
末との複合材、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウム
等のセラミックが挙げられる。この取付基板本体の主面
には、IC実装基板を取付けるための取付パッドが形成
されている。この取付パッドは、IC実装基板との電気
的接続のために取付基板本体上に設けられるパッドであ
る。この取付基板の具体例としては、取付パッドを格子
状に配列したプリント基板が挙げられるが、必ずしも取
付パッドが格子状に配列されていなくとも良いし、複数
の配線基板を取付けるためにそれぞれの配線基板に対応
する取付パッド群を複数有していても良い。また、各取
付パッド上にハンダを盛り上げる等してバンプとする場
合もある。
The mounting board is a board for mounting an IC mounting board, and includes a printed board such as a motherboard. The material of the mounting board body is glass
Composite materials of resins such as epoxy, polyimide, BT, and polyurethane and fibers such as glass and polyester, represented by epoxy resin composite materials, and composite materials of these resins and ceramic powder, alumina, mullite, aluminum nitride, etc. Ceramic. Mounting pads for mounting the IC mounting board are formed on the main surface of the mounting board body. This mounting pad is a pad provided on the mounting substrate body for electrical connection with the IC mounting substrate. A specific example of the mounting board is a printed circuit board in which mounting pads are arranged in a grid pattern. However, the mounting pads may not necessarily be arranged in a grid pattern. A plurality of mounting pad groups corresponding to the substrate may be provided. In addition, bumps may be formed by raising solder on each mounting pad.

【0016】なお、本発明において、中継基板本体は、
略板形状をなす2つの面のうち、便宜的に、IC実装基
板と接続する側を第1面とし、取付基板と接続する側を
第2面として両者を区別することとする。
In the present invention, the relay board main body is
Of the two substantially plate-shaped surfaces, the side connected to the IC mounting board is referred to as a first surface, and the side connected to the mounting board is referred to as a second surface for convenience.

【0017】また、第1面側端子は、中継基板本体の第
1面側に形成された端子であって、IC実装基板の接続
パッドと接続するための端子を指す。なお、第1面側端
子の具体的な形成場所として、本体部の第1面上に形成
されているものが挙げられるが、これに限定されない。
例えば、第1面より低位(中継基板本体内部側に低位)
の凹部底面に形成されていても、また、このような凹部
から第1面を越えて盛り上がって形成されていてもよ
い。さらには、本体部に形成した貫通孔に挿通して形成
された軟質金属体の第1面側部分を第1面側端子として
も良い。
The first surface side terminal is a terminal formed on the first surface side of the relay board main body, and indicates a terminal for connecting to a connection pad of the IC mounting board. In addition, as a specific formation place of the first surface side terminal, a terminal formed on the first surface of the main body may be cited, but is not limited thereto.
For example, lower than the first surface (lower inside the relay board body)
May be formed on the bottom surface of the concave portion, or may be formed so as to rise from such a concave portion beyond the first surface. Further, the first surface side portion of the soft metal body formed by being inserted into the through hole formed in the main body may be used as the first surface side terminal.

【0018】同様に、第2面側端子は、中継基板本体の
第2面側に形成された端子であって、取付基板の取付パ
ッドと接続するための端子を指す。なお、第2面側端子
の具体的な形成場所として、本体部の第2面上に形成さ
れているものが挙げられるが、これに限定されない。例
えば、第2面より低位(中継基板本体内部側に低位)の
凹部底面に形成されていても、また、このような凹部か
ら第2面を越えて盛り上がって形成されていてもよい。
さらには、本体部に形成した貫通孔に挿通して形成され
た軟質金属体の第2面側部分を第2面側端子としても良
い。また、第1面側端子と第2面側端子とは、電気的に
接続されており、具体的には、中継基板本体に形成した
スルーホール導体やビアで両者を導通する。また、中継
基板本体に形成した貫通孔に軟質金属体を挿通した場合
にも電気的接続ができる。
Similarly, the second surface side terminal is a terminal formed on the second surface side of the relay board main body and refers to a terminal for connecting to a mounting pad of the mounting board. In addition, as a specific formation place of the second surface side terminal, there is one formed on the second surface of the main body, but it is not limited to this. For example, it may be formed on the bottom surface of the concave portion lower than the second surface (lower inside the relay board main body), or may be formed so as to rise from such a concave portion beyond the second surface.
Further, the second surface side portion of the soft metal body formed to pass through the through hole formed in the main body may be used as the second surface side terminal. Further, the first surface side terminal and the second surface side terminal are electrically connected, and specifically, both are electrically connected by a through-hole conductor or a via formed in the relay board main body. Also, electrical connection can be made when a soft metal body is inserted into a through hole formed in the relay board main body.

【0019】中継基板本体のうち、集積回路チップに対
応する部分(ICチップ対応部分)とは、中継基板本体
のうち、中継基板本体の厚さ方向で第1面側上方に、I
C実装基板の集積回路チップが位置する部分を指す。こ
の部分は、通常は中継基板本体の略中央部に位置するこ
とが多いが、中央部に限定されるものではない。また、
複数のICチップを実装するIC実装基板と接続する場
合などには、それぞれのICチップに対応してICチッ
プ対応部分が複数できる場合もある。
The portion of the relay substrate body corresponding to the integrated circuit chip (portion corresponding to the IC chip) is defined as a portion of the relay substrate body above the first surface in the thickness direction of the relay substrate body.
Refers to a portion of the C mounting board where the integrated circuit chip is located. This part is usually located almost at the center of the relay board main body, but is not limited to the center. Also,
For example, when connecting to an IC mounting board on which a plurality of IC chips are mounted, there may be a case where a plurality of IC chip corresponding portions can be provided corresponding to each IC chip.

【0020】なお、さらに中継基板本体のうち、他の部
分(ICチップ非対応部分)の熱膨張率が、IC実装基
板のうち、集積回路チップが実装されない部分(IC非
実装部分)の熱膨張率よりも小さいとよい。IC非実装
部分の熱膨張率が、ICチップ非対応部分により引き下
げられるので、IC実装部分の熱膨張率との違いが小さ
く、あるいは無くなり、熱膨張率の不均一による反り変
形が抑制される。従って、さらに高い接続信頼性を得る
ことができるからである。
Further, the thermal expansion coefficient of the other portion (the portion not supporting the IC chip) of the relay substrate body is the thermal expansion coefficient of the portion of the IC mounting substrate on which the integrated circuit chip is not mounted (the non-IC mounting portion). It should be smaller than the rate. Since the coefficient of thermal expansion of the non-IC-mounted portion is reduced by the non-IC chip-corresponding portion, the difference from the coefficient of thermal expansion of the IC-mounted portion is small or eliminated, and warpage due to uneven thermal expansion coefficient is suppressed. Therefore, higher connection reliability can be obtained.

【0021】さらに、請求項2に記載の解決手段は、請
求項1に記載の中継基板であって、前記中継基板本体
は、樹脂と、上記樹脂よりも熱膨張率の小さい繊維であ
って、ガラス繊維および有機繊維の少なくともいずれか
からなる本体用繊維と、を主成分とし、上記中継基板本
体のうち、前記他の部分は、前記集積回路チップに対応
する部分よりも、上記本体用繊維の含有率が高いことを
特徴とする中継基板である。
Further, a solution according to a second aspect is the relay board according to the first aspect, wherein the relay board main body is made of a resin and fibers having a smaller coefficient of thermal expansion than the resin. A main body fiber made of at least one of glass fiber and organic fiber, and the other portion of the relay substrate main body is more of the main body fiber than the portion corresponding to the integrated circuit chip. A relay board characterized by having a high content.

【0022】上記構成を有する本発明の中継基板によれ
ば、中継基板本体は、樹脂と本体用繊維とを主成分とす
る。このような複合材の熱膨張率は、樹脂の熱膨張率と
本体用繊維の熱膨張率とが複合された値となる。互いに
熱膨張率の違いによる変形を拘束し合うからである。即
ち、樹脂よりも本体用繊維の熱膨張率が小さい場合に
は、本体用繊維の含有率が増えると、複合材全体の熱膨
張率が低下する。本体用繊維の含有率が高いほど、樹脂
の熱膨張を繊維が拘束するからである。従って、本体用
繊維を、集積回路チップに対応する部分(ICチップ対
応部分)よりも他の部分(ICチップ非対応部分)で多
く含ませると、このICチップ非対応部分で、相対的に
熱膨張率が小さくなる。
According to the relay board of the present invention having the above structure, the main body of the relay board mainly includes the resin and the fibers for the main body. The thermal expansion coefficient of such a composite material is a composite value of the thermal expansion coefficient of the resin and the thermal expansion coefficient of the body fibers. This is because the deformation due to the difference in the coefficient of thermal expansion is mutually restricted. That is, when the thermal expansion coefficient of the fiber for the main body is smaller than that of the resin, when the content of the fiber for the main body increases, the thermal expansion coefficient of the entire composite material decreases. This is because the higher the content of the main body fiber, the more the fiber restricts the thermal expansion of the resin. Therefore, if the fiber for the main body is included more in the other part (the part not corresponding to the IC chip) than in the part corresponding to the integrated circuit chip (the part corresponding to the IC chip), the heat is relatively increased in the part corresponding to the IC chip. The coefficient of expansion decreases.

【0023】ここで、本体用繊維としては、ガラス繊維
の他、有機繊維としてポリエステル、ナイロン等の繊維
が挙げられる。
The fibers for the main body include glass fibers and organic fibers such as polyester and nylon.

【0024】さらに、請求項3に記載の解決手段は、請
求項1または請求項2に記載の中継基板であって、前記
中継基板本体のうち、前記他の部分は、前記集積回路チ
ップに対応する部分の熱膨張率よりも小さい熱膨張率を
有する低熱膨張板を備えることを特徴とする中継基板で
ある。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a relay board according to the first or second aspect, wherein the other portion of the relay board body corresponds to the integrated circuit chip. And a low-thermal-expansion plate having a lower coefficient of thermal expansion than the coefficient of thermal expansion of the portion to be connected.

【0025】上記構成を有する本発明の中継基板は、中
継基板本体が、樹脂を含む材質からなり、中継基板本体
のうちICチップ非対応部分に、低熱膨張板を備えるの
で、ICチップ非対応部分では、低熱膨張板に拘束され
て熱膨張率が相対的に小さくされ、これに対して、IC
チップ対応部分は熱膨張率が変化せず、相対的に大きく
できる。
In the relay board of the present invention having the above structure, the relay board main body is made of a material containing a resin, and the non-IC chip non-corresponding portion of the relay board main body is provided with the low thermal expansion plate. In this case, the thermal expansion coefficient is relatively reduced by being restrained by the low thermal expansion plate.
The portion corresponding to the chip can be made relatively large without changing the coefficient of thermal expansion.

【0026】ここで、低熱膨張板としては、集積回路チ
ップに対応する部分(ICチップ対応部分)の熱膨張率
よりも小さい熱膨張率を有するものであればいずれのも
のでも良いが、具体的には、セラミックまたは低熱膨張
率の金属等が挙げられる。セラミックとしては、アルミ
ナの他、窒化アルミニウム、ムライト、サイアロンなど
が挙げられる。一方、金属を用いると、打ち抜きあるい
はドリル加工等で加工できるので、加工が容易である。
低熱膨張率の金属の具体例としては、42合金、コバー
ル、インバー、モリブデン、タングステン、CIC(銅
/インバー/銅クラッド材)等が挙げられる。
Here, as the low thermal expansion plate, any plate may be used as long as it has a lower coefficient of thermal expansion than the portion corresponding to the integrated circuit chip (the portion corresponding to the IC chip). Examples include ceramics and metals having a low coefficient of thermal expansion. Examples of the ceramic include aluminum nitride, mullite, sialon, and the like, in addition to alumina. On the other hand, when metal is used, it can be processed by punching or drilling, and so processing is easy.
Specific examples of the metal having a low coefficient of thermal expansion include 42 alloy, Kovar, Invar, molybdenum, tungsten, CIC (copper / invar / copper clad material), and the like.

【0027】さらに、請求項4に記載の解決手段は、請
求項3に記載の中継基板であって、前記低熱膨張板が、
絶縁性セラミックからなることを特徴とする中継基板で
ある。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the relay board according to the third aspect, wherein the low thermal expansion plate comprises:
A relay board made of an insulating ceramic.

【0028】上記構成を有する本発明の中継基板は、低
熱膨張板に、絶縁性セラミックを用いる。絶縁性セラミ
ックを用いる場合は、第1,第2面側端子と低熱膨張板
との間、あるいは、第1面側端子−第2面側端子間の配
線と低熱膨張板との間で短絡する心配が無く、絶縁を保
つことができるので、端子や端子間の配線との絶縁を考
慮した構造とする必要が無く、簡単で製造容易な構造と
することができる。
In the relay board of the present invention having the above-described structure, an insulating ceramic is used for the low thermal expansion plate. When using an insulating ceramic, a short circuit occurs between the first and second surface side terminals and the low thermal expansion plate, or between the wiring between the first surface side terminal and the second surface side terminal and the low thermal expansion plate. Since there is no need to worry and the insulation can be maintained, there is no need to adopt a structure that takes into consideration the insulation between the terminals and the wiring between the terminals, and the structure can be simple and easy to manufacture.

【0029】さらに、中継基板を、請求項1〜請求項4
のいずれかに記載の中継基板であって、前記第2面側端
子が、軟質金属からなり、その最大径よりも軸方向高さ
の高い略柱状とされていることを特徴とする中継基板と
するとよい。このようにすると、第2面側端子が、略柱
状とされているので、この中継基板をIC実装基板と接
続した後にも、加熱・冷却時に発生する変形を、この第
2面側端子の伸縮変形や屈曲変形で吸収できるため、よ
り高い接続信頼性を得ることができる。
[0029] Further, the relay board may be formed as follows.
The relay substrate according to any one of the above, wherein the second surface side terminal is made of a soft metal, and has a substantially columnar shape having a height in the axial direction higher than a maximum diameter thereof, Good to do. In this case, since the second surface side terminal is substantially columnar, even after connecting the relay board to the IC mounting board, the deformation occurring at the time of heating / cooling is prevented by the expansion and contraction of the second surface side terminal. Since it can be absorbed by deformation or bending deformation, higher connection reliability can be obtained.

【0030】軟質金属とは、柔らかい金属を指し、応力
を受けた場合に、容易に変形して応力を解放する。具体
的な材質としては、鉛(Pb)やスズ(Sn)、亜鉛
(Zn)やこれらを主体とする合金、例えば、Pb−S
n系高温ハンダ(例えば、Pb90%−Sn10%合
金、Pb95%−Sn5%合金等)やPb−Sn共晶ハ
ンダ(Pb36%−Sn64%合金)、ホワイトメタル
などが挙げられる。なお、鉛、スズ等は再結晶温度が常
温にあるので、塑性変形をしても再結晶する。したがっ
て、繰り返し応力がかかっても容易に破断(破壊)に至
らないので都合がよい。
The soft metal refers to a soft metal, and when subjected to stress, easily deforms to release the stress. Specific materials include lead (Pb), tin (Sn), zinc (Zn), and alloys containing these as main components, for example, Pb-S
Examples include n-based high-temperature solder (for example, Pb 90% -Sn 10% alloy, Pb 95% -Sn 5% alloy, etc.), Pb-Sn eutectic solder (Pb 36% -Sn 64% alloy), white metal, and the like. Since lead, tin and the like have a recrystallization temperature of room temperature, they recrystallize even if they undergo plastic deformation. Therefore, even if repeated stress is applied, it does not easily break (break), which is convenient.

【0031】さらに、略柱状とされた端子は、その最大
径よりも高さの高い略柱状とされていればよく、その外
形は、その径が高さ方向にわたって変化しているもので
も良い。例えば、中央部が径大とされた樽状の形状や、
中央部を径小とした(中央部がくびれた)形状、先細り
形状としても良い。また、四角柱や三角柱などの角柱状
でもよい。ただし、応力が角部に集中するのを避けるた
めに、その中では六角柱や八角柱など角数の多いものが
良く、さらには円柱状とするのが好ましい。さらにいえ
ば、柱状端子の高さが、最大径の2倍以上とされている
と、さらに変形容易となり好ましい。また、その先端面
は、半球面でも良いが、取付パッドとの接続時にずれを
生じ難くするため、平坦面あるいは凹部を有する面にし
ても良い。
Furthermore, the substantially columnar terminal only needs to have a substantially columnar shape whose height is higher than its maximum diameter, and its outer shape may be such that its diameter varies in the height direction. For example, a barrel-like shape with a large diameter at the center,
The central portion may have a small diameter (the central portion is constricted) or a tapered shape. Further, it may have a prismatic shape such as a quadrangular prism or a triangular prism. However, in order to avoid concentration of stress at the corners, among them, those having a large number of corners such as a hexagonal prism and an octagonal prism are preferable, and a cylindrical shape is more preferable. Furthermore, it is preferable that the height of the columnar terminal be twice or more the maximum diameter, because the columnar terminal can be easily deformed. Further, the tip surface may be a hemispherical surface, but may be a flat surface or a surface having a concave portion in order to prevent a shift from occurring when connected to the mounting pad.

【0032】さらに、請求項5に記載の解決手段は、請
求項1〜請求項4のいずれかに記載の中継基板と、前記
IC実装基板と、を接続してなることを特徴とするIC
実装基板と中継基板との接続体である。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an IC wherein the relay board according to any one of the first to fourth aspects is connected to the IC mounting board.
It is a connection body between the mounting board and the relay board.

【0033】上記構成を有する本発明の接続体は、IC
実装基板及び中継基板の熱膨張率についてみると、IC
実装部分(ICチップが実装される部分)は小さく、I
Cチップ対応部分(集積回路チップに対応する部分)は
大きい。一方、IC非実装部分(ICチップが実装され
ない部分)は大きく、ICチップ非対応部分(他の部
分)は小さい。即ち、熱膨張率は互いに逆の関係となっ
ており、IC実装基板と中継基板を接続した接続体全体
でみると、互いに拘束し合って、熱膨張率の大小は互い
にキャンセルされる状態となり、略一定とすることがで
きる。従って、このような接続体は、全体としては反り
変形等を生じない、あるいは小さくできることになり、
取付基板との接続において高い接続信頼性を得ることが
できる。
The connection body of the present invention having the above structure is an IC
Looking at the coefficient of thermal expansion of the mounting board and relay board, IC
The mounting part (the part on which the IC chip is mounted) is small.
The portion corresponding to the C chip (the portion corresponding to the integrated circuit chip) is large. On the other hand, the non-IC mounted portion (the portion on which the IC chip is not mounted) is large, and the non-IC chip compatible portion (the other portion) is small. That is, the coefficients of thermal expansion are in a relationship opposite to each other, and when viewed as a whole of the connected body connecting the IC mounting board and the relay board, they are constrained to each other, and the magnitudes of the coefficients of thermal expansion are canceled each other. It can be substantially constant. Therefore, such a connection body does not cause warpage deformation or the like as a whole, or can be reduced.
High connection reliability can be obtained in connection with the mounting board.

【0034】さらに、請求項6に記載の解決手段は、請
求項5に記載のIC実装基板と中継基板との接続体であ
って、前記IC実装基板本体と中継基板本体との間に、
両者を接続する絶縁性樹脂が充填されていることを特徴
とするIC実装基板と中継基板との接続体である。
Further, a solution according to a sixth aspect of the present invention is a connecting body between the IC mounting board and the relay board according to the fifth aspect, wherein:
A connection body between an IC mounting board and a relay board, characterized by being filled with an insulating resin for connecting the two.

【0035】上記構成を有する本発明の接続体は、IC
実装基板本体と中継基板本体との間に絶縁性樹脂が充填
されて、両者が接続されている。このため、絶縁性樹脂
によりIC実装基板本体と中継基板本体とは、より強固
に一体とされるので、IC実装基板と中継基板との接続
体全体の変形が防止され、取付基板とのより高い接続信
頼性を得ることができる。
The connecting body of the present invention having the above-described structure is an IC
An insulating resin is filled between the mounting board main body and the relay board main body, and both are connected. For this reason, since the IC mounting board main body and the relay board main body are more firmly integrated by the insulating resin, deformation of the whole connection body between the IC mounting board and the relay board is prevented, and the height of the mounting board is higher. Connection reliability can be obtained.

【0036】さらに、請求項7に記載のIC実装基板と
中継基板と取付基板とからなる構造体は、請求項1〜請
求項4のいずれかに記載の中継基板を、前記IC実装基
板と前記取付基板との間に介在させて接続してなること
を特徴とするIC実装基板と中継基板と取付基板とから
なる構造体である。
Further, the structure comprising the IC mounting board, the relay board and the mounting board according to claim 7 is the same as the structure described above, wherein the relay board according to any one of claims 1 to 4 is mounted on the IC mounting board and the mounting board. A structure comprising an IC mounting substrate, a relay substrate, and a mounting substrate, wherein the structure is formed by being interposed between the mounting substrate and the mounting substrate.

【0037】上記構成を有する本発明の構造体は、IC
実装基板における熱膨張率の不均一を、中継基板を介在
させることでキャンセルしているので、ICチップの影
響による破断が生じない、信頼性の高い構造体となる。
The structure of the present invention having the above structure is an IC
Since the uneven thermal expansion coefficient of the mounting board is canceled by the interposition of the relay board, a highly reliable structure free from breakage due to the influence of the IC chip is obtained.

【0038】[0038]

【発明の実施の形態】(実施形態1)つぎに、発明の実
施の形態を、図と共に説明する。図1は、本実施形態に
かかる中継基板10の平面図であり、図3は、この中継
基板10の部分拡大断面図である。また、図2は、この
中継基板10を、図4に示すIC実装基板20とプリン
ト基板30との間に介在させて接続した構造体50の断
面図である。中継基板10は、図1に示すように、略正
方形の平板形状の中継基板本体1を有する。この中継基
板本体(以下、単に本体ともいう)1は、主としてエポ
キシ樹脂をガラス繊維に含浸させたガラス−エポキシ樹
脂複合材料からなる。
(Embodiment 1) Next, an embodiment of the invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of a relay board 10 according to the present embodiment, and FIG. 3 is a partially enlarged cross-sectional view of the relay board 10. FIG. 2 is a sectional view of a structure 50 in which the relay board 10 is connected and connected between the IC mounting board 20 and the printed board 30 shown in FIG. As shown in FIG. 1, the relay board 10 has a substantially square flat board-shaped relay board body 1. The relay board main body (hereinafter also simply referred to as the main body) 1 is mainly made of a glass-epoxy resin composite material in which an epoxy resin is impregnated into glass fibers.

【0039】ただし、図2に示すように、中継基板本体
1の略中央部は、集積回路チップ(以下、ICチップと
もいう)11に対応する部分、即ち、IC実装基板20
(図4(a)参照)と接続したときに、上方にICチップ
11が位置する部分(以下、ICチップ対応部分ともい
う)1iとされている。しかも、この部分と、その周囲
をロ字状に取り囲む、ICチップ11に対応しない部分
(以下、ICチップ非対応部分ともいう)1nとは、熱
膨張率が異なるようにされている。即ち、中継基板本体
1のうち、ICチップ対応部分1iは、相対的にガラス
繊維の含有率が低く、そのために、熱膨張率が比較的大
きくされている。一方、ICチップ非対応部分1nは、
逆にガラス繊維の含有率が高く、そのために、この部分
の熱膨張率が小さくされている。ガラス繊維の熱膨張率
(α=5.6ppm程度)は、エポキシ樹脂の熱膨張率
(α=80〜90ppm)よりも小さいので、両者を複
合した場合に、ガラス繊維が多く含有されているほど、
熱膨張率が小さくなるからである。つまり、本実施形態
の中継基板では、中継基板本体1の熱膨張率が、中央部
(ICチップ対応部分1i)に対して周囲部(ICチッ
プ非対応部分1n)で小さくされている。また、ICチ
ップ対応部分1nの熱膨張率は、後述するIC実装基板
本体21の熱膨張率、従って、このうちのIC実装部分
21nの熱膨張率よりも小さくされている。
However, as shown in FIG. 2, a substantially central portion of the relay board main body 1 is a portion corresponding to the integrated circuit chip (hereinafter, also referred to as an IC chip) 11, that is, the IC mounting board 20.
When connected to (see FIG. 4 (a)), it is a portion 1i where the IC chip 11 is located above (hereinafter, also referred to as an IC chip corresponding portion) 1i. In addition, the thermal expansion coefficient is different between this portion and a portion that surrounds the periphery thereof in a square shape and does not correspond to the IC chip 11 (hereinafter, also referred to as a non-IC chip corresponding portion) 1n. That is, the IC chip corresponding portion 1i of the relay substrate body 1 has a relatively low content of glass fiber, and therefore has a relatively large coefficient of thermal expansion. On the other hand, the IC chip non-compliant portion 1n is
Conversely, the glass fiber content is high, and therefore, the coefficient of thermal expansion in this portion is reduced. Since the coefficient of thermal expansion of glass fiber (α = about 5.6 ppm) is smaller than the coefficient of thermal expansion of epoxy resin (α = 80 to 90 ppm), when both are combined, the more glass fiber contained, ,
This is because the coefficient of thermal expansion becomes smaller. That is, in the relay board of the present embodiment, the thermal expansion coefficient of the relay board main body 1 is smaller in the peripheral portion (the IC chip non-corresponding portion 1n) than in the central portion (the IC chip corresponding portion 1i). Further, the coefficient of thermal expansion of the IC chip corresponding portion 1n is smaller than the coefficient of thermal expansion of the IC mounting substrate main body 21 described later, and therefore, is smaller than the coefficient of thermal expansion of the IC mounting portion 21n.

【0040】中継基板本体1には、図3に示すように、
その上下面である第1面1aと第2面1bとの間を貫通
する複数の貫通孔Hを有する。この貫通孔Hは、所定ピ
ッチで格子状に穿孔されており、図1に示すように、中
継基板本体1のほぼ全面に配置されている。また、中継
基板本体1の貫通穴Hの内周および貫通穴縁には、メッ
キによって形成されたCuメッキ層2(厚さ約15μ
m)およびその上に形成されたNi−Bメッキ層3(厚
さ約5μm)からなる金属層4が形成され、このNi−
Bメッキ層3(金属層4)に軟質金属体5が溶着してい
る。なお、図3からも判るように、ICチップ対応部分
1i(図中右側半分)とICチップ非対応部分1n(図
中左側半分)とは、中継基板本体1の材質に違いがある
(ガラス繊維の含有量が異なる)のみで、金属層4、軟
質金属体5、第1,第2面側端子6,7等に違いはな
い。
As shown in FIG. 3, the relay board main body 1
It has a plurality of through holes H penetrating between the first and second surfaces 1a and 1b. The through holes H are perforated in a lattice pattern at a predetermined pitch, and are arranged on almost the entire surface of the relay board main body 1 as shown in FIG. Further, a Cu plating layer 2 (having a thickness of about 15 μm) formed by plating is formed on the inner periphery of the through hole H and the edge of the through hole of the relay substrate body 1.
m) and a metal layer 4 composed of a Ni-B plating layer 3 (about 5 μm thick) formed thereon.
The soft metal body 5 is welded to the B plating layer 3 (metal layer 4). As can be seen from FIG. 3, there is a difference in the material of the relay substrate body 1 between the IC chip corresponding portion 1i (the right half in the drawing) and the non-IC chip corresponding portion 1n (the left half in the drawing) (glass fiber). ), There is no difference in the metal layer 4, the soft metal body 5, the first and second surface side terminals 6, 7, and the like.

【0041】この軟質金属体5は、Pb−Sn共晶ハン
ダ(Pb36%−Sn64%)からなり、貫通孔H内に
挿通・固着され、さらに、本体1の第1面1a(図中上
面)を越えて図中上方に突出した半球状の第1面側端子
6、および第2面1bを越えて図中下方に突出した半球
状の第2面側端子7を備えている。
This soft metal body 5 is made of Pb-Sn eutectic solder (Pb 36% -Sn 64%), is inserted and fixed in the through hole H, and further, the first surface 1a of the main body 1 (the upper surface in the figure). And a hemispherical first surface side terminal 6 protruding upward in the figure beyond the first surface, and a hemispherical second surface side terminal 7 protruding downward in the figure beyond the second surface 1b.

【0042】次いで、この中継基板10を、例えば以下
のようにしてIC実装基板および取付基板と接続する。
まず、中継基板10と接続するIC実装基板として、図
4(a)に示すようなLGA型IC実装基板20を用意し
た。このLGA型IC実装基板20は、平面寸法が中継
基板本体1と略同一の、平面視略正方形状のIC実装基
板本体21を有する。このIC実装基板本体21は、主
として中継基板本体1と同様のエポキシ樹脂とガラス繊
維の複合材を絶縁材料とし、その内部には、図示しない
が、主にCuからなる内部配線が形成されている。この
IC実装基板本体1の裏面(図中下面)21b上(図中
下方)には、後述する取付基板と接続するため、従っ
て、中継基板10の第1面側端子6と接続するために、
Cuからなる接続パッド22が形成されている。この接
続パッド22も、中継基板本体1の貫通孔Hと同じピッ
チで格子状に、ほぼ下面21b全体に拡がって形成され
ている。
Next, the relay board 10 is connected to an IC mounting board and a mounting board as follows, for example.
First, as an IC mounting board connected to the relay board 10, an LGA type IC mounting board 20 as shown in FIG. 4A was prepared. The LGA type IC mounting board 20 has an IC mounting board main body 21 having substantially the same planar dimensions as the relay substrate main body 1 and having a substantially square shape in plan view. The IC mounting board main body 21 is mainly made of the same epoxy resin and glass fiber composite material as the relay board main body 1 as an insulating material, and an internal wiring mainly made of Cu (not shown) is formed therein. . On the back surface (lower surface in the figure) 21b (lower surface in the figure) 21b of this IC mounting substrate body 1, in order to connect to a mounting substrate described later, and therefore to connect to the first surface side terminal 6 of the relay substrate 10,
A connection pad 22 made of Cu is formed. The connection pads 22 are also formed in a grid pattern at the same pitch as the through holes H of the relay board main body 1 so as to extend substantially over the entire lower surface 21b.

【0043】また、このIC実装基板本体21の主面
(図中上面)21aには、Cuからなるフリップチップ
パッド23が、所定ピッチで縦横格子状に正方形状の領
域にわたって形成されている。このフリップチップパッ
ド23には、ICチップ11が、フリップチップ接続に
より、ハンダバンプ13を介して実装されている。実装
されるICチップ11は、シリコン製で、正方板形状で
あり、ICチップ11の下面11bに形成されたIC接
続パッド12と、フリップチップパッド23との間を、
Pb−Sn共晶ハンダ(Pb36%−Sn64%)から
なるハンダバンプ13によって接続されている。なお、
ICチップ11とIC実装基板本体21との接続を強固
にし、ハンダバンプ13の破断を防止するため、あるい
は、ICチップ下面11b側に形成された集積回路を保
護するため、図4(a)に破線で示すように、ICチップ
11と IC実装基板本体21との間にエポキシ樹脂を
注入するアンダーフィルFを施しておいても良い。
On the main surface (upper surface in the figure) 21a of the IC mounting substrate main body 21, flip chip pads 23 made of Cu are formed at a predetermined pitch in a vertical and horizontal lattice form over a square area. The IC chip 11 is mounted on the flip chip pad 23 via the solder bump 13 by flip chip connection. The mounted IC chip 11 is made of silicon and has a square plate shape. The IC chip 11 is formed between the IC connection pad 12 formed on the lower surface 11 b of the IC chip 11 and the flip chip pad 23.
They are connected by solder bumps 13 made of Pb-Sn eutectic solder (Pb 36% -Sn 64%). In addition,
In order to strengthen the connection between the IC chip 11 and the IC mounting substrate main body 21 and prevent the solder bumps 13 from breaking, or to protect the integrated circuit formed on the IC chip lower surface 11b side, a broken line in FIG. As shown by, an underfill F for injecting epoxy resin may be provided between the IC chip 11 and the IC mounting substrate body 21.

【0044】さらに、図4(a)に示すように、このIC
実装基板本体21を、便宜的に、 IC実装部分21i
とIC非実装部分21nとに分ける。IC実装部分21
iは、IC実装基板本体21のうち、主面21a側にI
Cチップ11が実装される部分を指し、逆に、IC非実
装部分21nは、IC実装基板本体21のうち、主面2
1a側にICチップ11が実装されない部分を指す。従
って、本実施形態においては、図4(a)に示すように、
IC実装基板本体21の中央部がIC実装部分 21i
に、その周囲部がIC非実装部分21nに相当する。
Further, as shown in FIG.
For convenience, the mounting substrate body 21 is mounted on an IC mounting portion 21i.
And the IC non-mounting portion 21n. IC mounting part 21
i is I on the main surface 21a side of the IC mounting board main body 21.
On the other hand, the IC non-mounting portion 21n is a portion on which the main surface 2 of the IC mounting substrate main body 21 is mounted.
1a indicates a portion where the IC chip 11 is not mounted. Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG.
The center of the IC mounting substrate body 21 is the IC mounting portion 21i.
The peripheral portion corresponds to the IC non-mounting portion 21n.

【0045】また、この中継基板10と接続する取付基
板として、図4(b)に示すような プリント基板30を用
意した。このプリント基板30は、略正方形板状で、ガ
ラス−エポキシ樹脂複合材料(JIS:FR−4)から
なるプリント基板本体31を備え、さらに、このプリン
ト基板本体31の主面(上面)31a上には、IC実装
基板20の接続パッド22と、従って、中継基板10の
第2面側端子7と対応する位置に形成された取付パッド
32を備える。この取付パッド32は、Cu(銅)から
なり、所定ピッチで、第2面側端子7と対応するように
形成されている。
Further, a printed board 30 as shown in FIG. 4B was prepared as a mounting board connected to the relay board 10. The printed circuit board 30 has a substantially square plate shape, includes a printed circuit board main body 31 made of a glass-epoxy resin composite material (JIS: FR-4), and is further provided on a main surface (upper surface) 31 a of the printed circuit board main body 31. Includes a mounting pad 32 formed at a position corresponding to the connection pad 22 of the IC mounting board 20 and, accordingly, the second surface side terminal 7 of the relay board 10. The attachment pad 32 is made of Cu (copper) and is formed at a predetermined pitch so as to correspond to the second surface side terminal 7.

【0046】次いで、この中継基板10を、例えば以下
のようにしてIC実装基板20と接続する。まず、図5
(a)に示すように、このIC実装基板20の接続パッド
22上に、予め融点117℃の低融点ハンダペースト
(ハンダ組成:Sn48%−In52%)Pを塗布して
おき、中継基板10上に、IC実装基板20をセットす
る。このとき、各接続パッド22がそれぞれ第1面側端
子6上に位置するようにする。その後、IC実装基板2
0を下降させて、第1面側端子6の先端部(上端部)を
接続パッド22と位置を合わせるようにして突き当て
て、IC実装基板20を中継基板10上に載置する。つ
いで、これらを最高温度150℃のリフロー炉を通過さ
せて加熱することにより、接続パッド22上の低融点ハ
ンダペーストPを溶融させて第1ハンダ層24とし、図
5(b)に示すように、IC実装基板20と中継基板10
とをハンダ付けにより接続した接続体40を形成した。
なお、上記加熱によっては、Pb−Sn共晶ハンダから
なる軟質金属体5(第1、第2面側端子6,7)および
ハンダバンプ13は、溶融しない。
Next, the relay board 10 is connected to the IC mounting board 20, for example, as follows. First, FIG.
As shown in (a), a low-melting-point solder paste (solder composition: Sn 48% -In 52%) P having a melting point of 117 ° C. is applied on the connection pads 22 of the IC mounting board 20 in advance. Then, the IC mounting board 20 is set. At this time, each connection pad 22 is located on the first surface side terminal 6. After that, the IC mounting substrate 2
The IC mounting board 20 is placed on the relay board 10 by lowering 0 and abutting the front end (upper end) of the first surface side terminal 6 so as to be aligned with the connection pad 22. Then, by passing them through a reflow furnace having a maximum temperature of 150 ° C. and heating, the low-melting solder paste P on the connection pads 22 is melted to form a first solder layer 24, as shown in FIG. 5 (b). , IC mounting board 20 and relay board 10
Is connected by soldering to form a connection body 40.
Note that the soft metal body 5 (first and second side terminals 6, 7) and the solder bumps 13 made of Pb-Sn eutectic solder do not melt by the above heating.

【0047】これにより、図5(b)に示すように、IC
実装基板本体21のIC実装部分 21iと、中継基板
本体1のICチップ対応部分1iとが、対応するように
接続される。また、IC実装基板本体21のIC非実装
部分21nと、中継基板本体1のICチップ非対応部分
1nとが対応するように接続される。
As a result, as shown in FIG.
The IC mounting portion 21i of the mounting substrate main body 21 and the IC chip corresponding portion 1i of the relay substrate main body 1 are connected so as to correspond to each other. Further, the IC non-mounting portion 21n of the IC mounting substrate main body 21 and the IC chip non-corresponding portion 1n of the relay substrate main body 1 are connected so as to correspond to each other.

【0048】次いで、この接続体40を、例えば以下の
ようにしてプリント基板30と接続する。図6に示すよ
うに、取付パッド32上に、予め融点117℃の低融点
ハンダペースト(ハンダ組成:Sn48%−In52
%)Pを塗布しておき、このプリント基板30上に、接
続体40をセットする。このとき、各第2面側端子7が
取付パッド32上に位置するようにする。その後、接続
体40を下降させて、第2面側端子7の先端(下端)を
取付パッド32と位置を合わせるようにして突き当て
て、接続体40をプリント基板30上に載置する。つい
で、これらを最高温度150℃のリフロー炉を通過させ
て加熱することにより、取付パッド32上の低融点ハン
ダペーストPを溶融させて第2ハンダ層33とする。こ
れにより、図2に示すように、接続体40とプリント基
板30とを、従って、IC実装基板20と中継基板10
とプリント基板30とをハンダ付けにより接続した構造
体50を完成した。
Next, the connection body 40 is connected to the printed circuit board 30 as follows, for example. As shown in FIG. 6, a low melting point solder paste having a melting point of 117 ° C. (solder composition: Sn 48% -In 52
%) P is applied, and the connection body 40 is set on the printed circuit board 30. At this time, each second surface side terminal 7 is positioned on the mounting pad 32. Thereafter, the connecting body 40 is lowered, and the front end (lower end) of the second surface side terminal 7 is abutted so as to be aligned with the mounting pad 32, and the connecting body 40 is mounted on the printed circuit board 30. Next, these are passed through a reflow furnace having a maximum temperature of 150 ° C. and heated to melt the low-melting-point solder paste P on the mounting pad 32 to form the second solder layer 33. As a result, as shown in FIG. 2, the connection body 40 and the printed circuit board 30, and therefore, the IC mounting board 20 and the relay board 10
And the printed circuit board 30 were connected by soldering to complete the structure 50.

【0049】ここで、本実施形態における構造体50を
加熱あるいは冷却する場合を考える。すると、本実施形
態のIC実装基板20において、主面21a上にICチ
ップ11が実装されており、しかもIC実装基板本体2
1は、比較的剛性の小さいエポキシ樹脂とガラス繊維の
複合材から主として構成されているため、従来では、熱
膨張率の小さいICチップ11の実装されている領域
で、IC実装基板本体21が反り変形をしようとする
(図24(a)参照)。このため、中継基板を介さないで
直接プリント基板とハンダボールで接続した従来技術の
場合には、図24(b)に示すように、チップ対応位置に
ある ハンダボールが選択的に破断することがあった。
Here, the case where the structure 50 in the present embodiment is heated or cooled will be considered. Then, in the IC mounting board 20 of the present embodiment, the IC chip 11 is mounted on the main surface 21a, and the IC mounting board main body 2
1 is mainly composed of a composite material of epoxy resin and glass fiber having relatively small rigidity. Therefore, conventionally, the IC mounting substrate main body 21 is warped in a region where the IC chip 11 having a small coefficient of thermal expansion is mounted. Attempt to deform (see FIG. 24 (a)). For this reason, in the case of the related art in which the solder ball is directly connected to the printed circuit board without using the relay board, as shown in FIG. 24B, the solder ball at the chip-corresponding position may be selectively broken. there were.

【0050】ところが、本実施形態においては、図5
(b)に示すように、IC実装基板本体21のIC実装部
分21iと、中継基板本体1のICチップ対応部分1i
とが、対応するように接続される。ここで、IC実装部
分21iは、その主面21a側に、熱膨張率の小さいシ
リコンからなるICチップ11が実装されているので、
ICチップ11に拘束されて、IC非実装部分21nに
比べて熱膨張率が相対的に小さくされる。これに対し、
ICチップ対応部分1iは、比較的ガラス繊維の含有率
が低いため熱膨張率が大きくされている。従って、この
両者(IC実装部分21iとICチップ対応部分1i)
が接続されることで、互いに拘束し合って、全体として
両者を眺めると、両者の中間の熱膨張率となる。
However, in this embodiment, FIG.
As shown in (b), the IC mounting portion 21i of the IC mounting substrate main body 21 and the IC chip corresponding portion 1i of the relay substrate main body 1
Are connected correspondingly. Here, the IC chip 11 made of silicon having a low coefficient of thermal expansion is mounted on the main surface 21a side of the IC mounting portion 21i.
Restrained by the IC chip 11, the coefficient of thermal expansion is relatively reduced as compared to the IC non-mounted portion 21n. In contrast,
The portion 1i corresponding to the IC chip has a relatively large glass fiber content, and thus has a large coefficient of thermal expansion. Therefore, both (the IC mounting portion 21i and the IC chip corresponding portion 1i)
Are connected to each other, and when they are viewed as a whole, they have an intermediate coefficient of thermal expansion between them.

【0051】また、IC実装基板本体21のIC非実装
部分21nと、中継基板本体1のICチップ非対応部分
1nとが対応するように接続される。ここで、IC非実
装部分21nは、その主面21a側に、ICチップ11
は実装されていないので、熱膨張がICチップ11に拘
束されることはなく、従って、熱膨張率がIC実装部分
21iに比して相対的に大きい。これに対し、ICチッ
プ非対応部分1nは、比較的ガラス繊維の含有率が高い
ため、ICチップ対応部分に比べて熱膨張率が小さくさ
れている。また、IC実装基板本体21のIC非実装部
分21nの熱膨張率よりも小さくされている。従って、
この両者(IC非実装部分21nとICチップ非対応部
分1n)が接続されることで、互いに拘束し合って、全
体として両者を眺めると、両者の中間の熱膨張率とな
る。
Further, the IC non-mounting portion 21n of the IC mounting substrate main body 21 and the IC chip non-corresponding portion 1n of the relay substrate main body 1 are connected so as to correspond to each other. Here, the IC non-mounting portion 21n has an IC chip 11 on its main surface 21a side.
Is not mounted, the thermal expansion is not restricted by the IC chip 11, and therefore, the thermal expansion coefficient is relatively large as compared with the IC mounting portion 21i. On the other hand, since the non-IC chip corresponding portion 1n has a relatively high glass fiber content, the coefficient of thermal expansion is smaller than that of the IC chip corresponding portion. In addition, the thermal expansion coefficient of the non-IC-mounted portion 21n of the IC mounting substrate main body 21 is smaller than the thermal expansion coefficient. Therefore,
By connecting these two parts (the IC non-mounting part 21n and the IC chip non-corresponding part 1n), they are mutually restrained, and when both are viewed as a whole, the coefficient of thermal expansion is intermediate between the two.

【0052】つまり、IC実装基板本体21についてみ
ると、中継基板10を接続したことにより、IC実装部
分21iは、ICチップ対応部分1iの影響を受けて、
熱膨張率が大きくされる。逆に、IC非実装部分21n
は、ICチップ非対応部分1nの影響を受けて、熱膨張
率が小さくされる。即ち、中継基板10を接続すること
は、IC実装基板本体21の熱膨張率の部分的な違いを
小さくするように働く。 また、中継基板本体1につい
てみると、IC実装基板20と接続したことにより、I
Cチップ対応部分1iは、IC実装部分21iの影響を
受けて、熱膨張率が小さくされる。逆に、ICチップ非
対応部分1nは、IC非実装部分21nの影響を受け
て、熱膨張率が大きくされる。即ち、IC実装基板20
とを接続することは、中継基板本体1の熱膨張率の部分
的な違いを小さくするように働く。従って、IC実装基
板20と中継基板10との接続体40についてみれば、
熱膨張率の部分的な差が解消され、あるいは小さくされ
るため、接続体40全体としての反り変形は解消あるい
は小さくされる。従って、プリント基板30とこの接続
体40とを接続した構造体50においては、従来のよう
な破断を生じることはなく、高い接続信頼性を得ること
ができる。
That is, regarding the IC mounting board main body 21, the connection of the relay board 10 causes the IC mounting portion 21i to be affected by the IC chip corresponding portion 1i.
The coefficient of thermal expansion is increased. Conversely, the IC non-mounting portion 21n
Is affected by the IC chip non-corresponding portion 1n, and the coefficient of thermal expansion is reduced. That is, connecting the relay board 10 works to reduce a partial difference in the coefficient of thermal expansion of the IC mounting board main body 21. Further, regarding the relay board main body 1, the connection with the IC mounting board 20 causes
The C-chip corresponding portion 1i is affected by the IC mounting portion 21i and has a small coefficient of thermal expansion. Conversely, the IC chip non-corresponding portion 1n is affected by the IC non-mounting portion 21n and has a large coefficient of thermal expansion. That is, the IC mounting substrate 20
Is connected so as to reduce a partial difference in the coefficient of thermal expansion of the relay board main body 1. Therefore, regarding the connection body 40 between the IC mounting board 20 and the relay board 10,
Since the partial difference in the coefficient of thermal expansion is eliminated or reduced, the warpage deformation of the entire connection body 40 is eliminated or reduced. Therefore, in the structure 50 in which the printed circuit board 30 and the connection body 40 are connected, high connection reliability can be obtained without causing breakage unlike the related art.

【0053】なお、IC実装基板本体21と中継基板本
体1との接続を強固にし、第1面側端子6あるいは、第
1ハンダ層24での破断を防止するため、図2、図5
(b)、図6にそれぞれ破線で示すように、IC実装基板
20と中継基板10の間、即ち、IC実装基板本体21
と中継基板本体1との間に絶縁性のエポキシ樹脂を注
入、充填して充填樹脂層F2を形成するのが好ましい。
このようにすると、IC実装部分21iとICチップ対
応部分1iとが、充填樹脂層F2によってより強固に拘
束し合い、IC非実装部分21nとICチップ非対応部
分1nとが、同様に充填樹脂層F2によってより強固に
拘束し合う。また、第1面側端子6や第1ハンダ層24
に掛かる応力を、充填樹脂層F2に分散させることもで
きる。
In order to strengthen the connection between the IC mounting substrate main body 21 and the relay substrate main body 1 and prevent breakage at the first surface side terminal 6 or the first solder layer 24, FIGS.
(b) As shown by broken lines in FIG. 6, between the IC mounting board 20 and the relay board 10, that is, the IC mounting board main body 21.
It is preferable to inject and fill an insulating epoxy resin between the substrate and the relay board main body 1 to form a filling resin layer F2.
By doing so, the IC mounting portion 21i and the IC chip corresponding portion 1i are more strongly bound by the filling resin layer F2, and the IC non-mounting portion 21n and the IC chip non-corresponding portion 1n are similarly They are more strongly bound by F2. Also, the first surface side terminal 6 and the first solder layer 24
Can be dispersed in the filling resin layer F2.

【0054】なお、上記した実施形態1では、中継基板
10を、いったんLGA型IC実装基板20と接続して
IC実装基板と中継基板との接続体(中継基板付基板)
40とした後に、さらにプリント基板30に接続して構
造体50とした例を示したが、一挙に製作する方法を採
ることもできる。即ち、予め取付パッド32および接続
パッド22に低融点ハンダペーストPを塗布しておき、
プリント基板30と中継基板10とLGA型IC実装基
板20とをこの順に重ね、リフローして、基板20と中
継基板10、および中継基板10とプリント基板40と
を一挙に接続(ハンダ付け)しても良い。また、中継基
板10とプリント基板30とを先に接続しておいても良
い。
In the first embodiment, the relay substrate 10 is once connected to the LGA type IC mounting substrate 20 to connect the IC mounting substrate to the relay substrate (substrate with relay substrate).
Although an example is shown in which the structure 50 is further connected to the printed circuit board 30 after the formation of the structure 40, a method of manufacturing the structure 50 at once can be adopted. That is, the low-melting solder paste P is applied to the mounting pad 32 and the connection pad 22 in advance,
The printed board 30, the relay board 10, and the LGA type IC mounting board 20 are stacked in this order, reflowed, and the board 20 and the relay board 10, and the relay board 10 and the printed board 40 are connected (soldered) at once. Is also good. Further, the relay board 10 and the printed board 30 may be connected first.

【0055】ついで、この中継基板10の製造方法につ
いて説明する。まず、両面銅張り絶縁板を以下の手順で
形成する。即ち、図7(a)に示すように、ガラス繊維の
不織布GSを用意し、その一部は、後にICチップ対応
部分1iに相当する中央部のガラス繊維を除去した不織
布GS’としておく。具体的には、プレスにより打ち抜
いて除去し、この不織布GS、GS’を交互に重ねる。
その後、流動状態の未硬化エポキシ樹脂を塗布・含浸さ
せ、両面から銅箔FLで挟んで、真空熱プレスする。こ
れにより、図7(b)に示すように、中央部は、ガラス繊
維が少なく、周囲部はガラス繊維が多くされたガラス−
エポキシ樹脂複合材料を絶縁材Gとする両面銅張り絶縁
板G0が形成される。なお、図7(a)において示すよう
に、中央部を打ち抜いた不織布GS’と打ち抜いていな
い不織布GSとを交互に重ねたのは、中央部のガラス繊
維の分布をできるだけ均一にするためである。また、図
7においては、ガラス繊維の量を模式的に記載したが、
他の図においては、省略して記載する。また、中央部
(ICチップ対応部分)も周囲部(ICチップ非対応部
分)も同じ手法で以降の工程を進めるので、特に区別し
ないで説明をする。
Next, a method of manufacturing the relay board 10 will be described. First, a double-sided copper-clad insulating plate is formed by the following procedure. That is, as shown in FIG. 7A, a non-woven fabric GS made of glass fiber is prepared, and a part of the non-woven fabric GS is made of a non-woven fabric GS ′ from which the glass fiber at the center corresponding to the IC chip corresponding portion 1i is removed later. Specifically, the nonwoven fabrics GS and GS 'are punched and removed by a press, and the nonwoven fabrics GS and GS' are alternately stacked.
Thereafter, an uncured epoxy resin in a fluidized state is applied and impregnated, and is sandwiched by copper foils FL from both sides and vacuum hot pressed. As a result, as shown in FIG. 7 (b), the central portion has a small amount of glass fiber and the peripheral portion has a large amount of glass fiber.
The double-sided copper-clad insulating plate G0 using the epoxy resin composite material as the insulating material G is formed. As shown in FIG. 7 (a), the reason why the non-woven fabric GS 'punched at the center and the non-woven fabric GS not punched were alternately overlapped is to make the distribution of the glass fibers at the center as uniform as possible. . Also, in FIG. 7, the amount of glass fiber is schematically illustrated,
In other drawings, they are omitted. Further, since the subsequent steps are performed by the same method for the central portion (portion corresponding to the IC chip) and the peripheral portion (portion not corresponding to the IC chip), description will be made without particular distinction.

【0056】ついで、この両面銅張り絶縁板G0に、ド
リルによって所定ピッチで貫通孔Hを形成する(図8
(a)参照)。その後、無電解Cuメッキおよび電解Cu
メッキ(厚さ15μm)を施して、貫通孔H内にもCu
メッキ層FL2を形成する(図8(b)参照)。さらに、
エッチングレジストとなるドライフィルムを貫通孔Hを
塞ぐようにして貼り付け、露光現像して、貫通孔Hの端
部周縁に若干掛かるようにドライフィルムDR1,DR
2を残す(図8(c)参照)。
Next, through holes H are formed in the double-sided copper-clad insulating plate G0 at a predetermined pitch by a drill (FIG. 8).
(a)). Then, electroless Cu plating and electrolytic Cu
Plating (15 μm thickness)
The plating layer FL2 is formed (see FIG. 8B). further,
A dry film serving as an etching resist is adhered so as to cover the through hole H, and is exposed and developed to dry films DR1 and DR so as to slightly cover the peripheral edge of the end of the through hole H.
2 (see FIG. 8 (c)).

【0057】ついで、不要な銅(銅箔FL)をエッチン
グにより除去し、ドライフィルムDR1,DR2を剥が
して、貫通孔H内および貫通孔周縁に銅メッキ層2を形
成し、さらにその上に図示しないNi−Bメッキ層3を
無電解メッキにより形成して、金属層4とし、所定形状
に切断する(図8(d)参照)。これにより、ガラス−エ
ポキシ樹脂複合材料からなる中継基板本体1(1iまた
は1n)に穿孔した貫通孔Hに金属層4が形成できた。
なお、Ni−Bメッキ層3は、後述する共晶ハンダ(軟
質金属体)に銅メッキ層2が溶食されるのを防止する役
割を果たす。
Then, unnecessary copper (copper foil FL) is removed by etching, the dry films DR1 and DR2 are peeled off, and a copper plating layer 2 is formed in the through hole H and on the periphery of the through hole. An Ni—B plating layer 3 is formed by electroless plating to form a metal layer 4 and cut into a predetermined shape (see FIG. 8D). As a result, the metal layer 4 was formed in the through hole H formed in the relay board main body 1 (1i or 1n) made of the glass-epoxy resin composite material.
The Ni-B plating layer 3 plays a role in preventing the copper plating layer 2 from being eroded by eutectic solder (soft metal body) described later.

【0058】つぎに、貫通孔H内に軟質金属体5を挿通
して金属層4に固着させる。本実施形態では、ハンダボ
ールを用いて軟質金属体5を形成する。即ち、図9に示
すように、金属層4,即ち、貫通孔Hの第1面1a側端
部にPb−Sn共晶ハンダボールDを載置する。なお、
このボールDを中継基板本体1に載置するには、本体1
の上方にボール規制板Rの透孔RHが位置するようにセ
ットし、この規制板R上にボールDを散播いて揺動し、
透孔RHにボールDを落とし込む方法によると容易に載
置できる。
Next, the soft metal member 5 is inserted into the through hole H and fixed to the metal layer 4. In the present embodiment, the soft metal body 5 is formed using a solder ball. That is, as shown in FIG. 9, the Pb-Sn eutectic solder ball D is placed on the metal layer 4, that is, on the end of the through hole H on the first surface 1a side. In addition,
To place the ball D on the relay board main body 1, the main body 1
Is set so that the through hole RH of the ball regulating plate R is located above the ball, and the ball D is scattered on the regulating plate R and rocked,
According to the method of dropping the ball D into the through hole RH, the ball D can be easily placed.

【0059】しかる後、窒素雰囲気下で、最高温度22
0℃、最高温度保持時間1分のリフロー炉にこれらを投
入し、共晶ハンダボールDを溶融させる。溶融した共晶
ハンダは、金属層4に濡れて拡がり、貫通孔H内にも充
填され、第1面1aおよび第2面1b側において、表面
張力によっていずれも半球状にされ、冷却して凝固させ
ることで、第1面側端子6および第2面側端子7となる
(図3参照)。これにより、図1および図3に示すよう
に、中継基板本体1の第1面1a(図中上方)側には、
略半球状となった第1面側端子6を有し、第2面1b側
には、略半球状とされた第2面側端子7を有するPb−
Sn共晶ハンダからなる軟質金属体5が形成される。ま
た、このような軟質金属体5が、貫通孔Hに挿通、固着
された中継基板10が完成した。この軟質金属体5、第
1面側端子6および第2面側端子7は、共晶ハンダボー
ルDの体積が一定に規制されているので、一定量(体
積)となり、高さも均一にすることができる。
Thereafter, under nitrogen atmosphere, the maximum temperature 22
These are charged into a reflow furnace at 0 ° C. and a maximum temperature holding time of 1 minute to melt the eutectic solder balls D. The molten eutectic solder spreads by wetting on the metal layer 4 and filling the through holes H. On the first surface 1a and the second surface 1b, both are made hemispherical by surface tension and cooled to solidify. By doing so, the first surface side terminal 6 and the second surface side terminal 7 are obtained (see FIG. 3). Thereby, as shown in FIGS. 1 and 3, on the first surface 1 a (upper side in the figure) of the relay board main body 1,
A Pb− having a substantially hemispherical first surface side terminal 6 and a substantially hemispherical second surface side terminal 7 on the second surface 1b side.
A soft metal body 5 made of Sn eutectic solder is formed. In addition, the relay board 10 in which such a soft metal body 5 is inserted into and fixed to the through hole H is completed. Since the volume of the eutectic solder ball D is regulated to be constant, the soft metal body 5, the first surface side terminal 6, and the second surface side terminal 7 have a constant amount (volume) and a uniform height. Can be.

【0060】ついで、IC実装基板20の製造方法につ
いて説明する。図10(a)に示すICチップ11は、周
知の集積回路形成技術によって、シリコンウェーハに集
積回路を形成し、さらに、チップ下面11bとなる面に
形成したIC接続パッド12上に、蒸着および加熱によ
りPb−Sn共晶ハンダのハンダバンプ13を形成し、
ダイシングして形成する。また、図10(b)に示すよう
に、周知の樹脂製配線基板の製造技術により、 ガラス
−エポキシ樹脂複合材料や、エポキシ樹脂およびガラス
不織布を絶縁層として用い、メッキやエッチングによっ
てCu配線を形成して、LGA型IC実装基板本体21
を形成する。このIC実装基板本体21の主面(上面)
21aには、ICチップ11のハンダバンプ13と接続
するためのフリップチップパッド23が形成され、一
方、裏面(下面)21bには、中継基板10と接続する
ための接続パッド22が形成されている。
Next, a method of manufacturing the IC mounting board 20 will be described. The IC chip 11 shown in FIG. 10A has an integrated circuit formed on a silicon wafer by a well-known integrated circuit forming technique, and is further subjected to vapor deposition and heating on an IC connection pad 12 formed on a surface serving as a chip lower surface 11b. To form solder bumps 13 of Pb-Sn eutectic solder,
It is formed by dicing. Further, as shown in FIG. 10B, a Cu-wiring is formed by plating or etching using a glass-epoxy resin composite material, an epoxy resin and a glass non-woven fabric as an insulating layer by a well-known resin wiring board manufacturing technique. And the LGA type IC mounting substrate body 21
To form Main surface (upper surface) of this IC mounting substrate body 21
Flip chip pads 23 for connecting to the solder bumps 13 of the IC chip 11 are formed on 21a, and connection pads 22 for connecting to the relay board 10 are formed on the back surface (lower surface) 21b.

【0061】このICチップ11とIC実装基板本体2
1とを、図10(c)に示すように、各ハンダバンプ13
がフリップチップパッド23に対応するように位置決め
して重ねる。ついで、両者を加熱してハンダバンプ13
を溶融させ、フリップチップパッド23に溶着させ、I
Cチップ11をIC実装基板本体21に実装する(図4
(a)参照)。なお、図4(a)に破線で示すように、ICチ
ップ11とIC実装基板本体21との間にエポキシ樹脂
を注入するアンダーフィルFを施しても良いことは既に
述べた。
The IC chip 11 and the IC mounting board main body 2
1 and each solder bump 13 as shown in FIG.
Are positioned so as to correspond to the flip chip pads 23 and are overlaid. Then, both are heated to form the solder bumps 13.
Is melted and welded to the flip chip pad 23, and I
The C chip 11 is mounted on the IC mounting substrate main body 21 (FIG. 4).
(a)). Note that an underfill F for injecting an epoxy resin between the IC chip 11 and the IC mounting substrate main body 21 may be provided as shown by a broken line in FIG.

【0062】さらに、プリント基板30の製造方法つい
て説明する。プリント基板30には、図11(a)に示す
ように、ガラス−エポキシ樹脂複合材料(JIS:FR
−4)からなる絶縁材Jの片面(図中上面)に、銅箔F
L4を貼り付けた、片面銅張り絶縁板J0を用いる。こ
の絶縁板J0の銅箔FL4上に、エッチングレジストと
なるドライフィルムを貼り付け、所定パターンに露光・
現像して、取付パッドを形成したい部分にドライフィル
ムDR3を残す(図11(b)参照)。ついで、露出した
銅箔FL4をエッチングにより除去し、ドライフィルム
DR3を剥がし、所定形状に切断することにより、図1
1(c)に示すような、 プリント基板本体31の主面31
aに取付パッド32が形成されたプリント基板30が完
成する。
Further, a method of manufacturing the printed circuit board 30 will be described. As shown in FIG. 11A, a glass-epoxy resin composite material (JIS: FR)
-4) on one side (upper surface in the figure) of the insulating material J, a copper foil F
A single-sided copper-clad insulating plate J0 to which L4 is attached is used. A dry film serving as an etching resist is attached on the copper foil FL4 of the insulating plate J0, and is exposed to a predetermined pattern.
After the development, the dry film DR3 is left in a portion where the mounting pad is to be formed (see FIG. 11B). Next, the exposed copper foil FL4 is removed by etching, the dry film DR3 is peeled off, and cut into a predetermined shape, thereby obtaining the structure shown in FIG.
The main surface 31 of the printed circuit board main body 31 as shown in FIG.
The printed board 30 in which the mounting pads 32 are formed on a is completed.

【0063】(実施形態2)つぎに、第2の実施形態を
説明するが、本実施形態においては、中継基板本体に形
成した軟質金属体のうち、第2面側端子の形状、および
その製造工程が異なるのみであるので、同様な部分は省
略し、異なる部分のみ説明する。図12に、実施形態2
にかかる中継基板10Bの部分拡大断面図を示す。この
中継基板10Bは、上記実施形態1と同様に、ガラス−
エポキシ樹脂複合材料からなり、しかもICチップ対応
部分1iに比較してICチップ非対応部分1nでガラス
繊維の含有量が多くされた中継基板本体1を有してい
る。また、この本体1には、実施形態1と同様に貫通孔
Hおよび金属層4が形成されている。
(Embodiment 2) Next, a second embodiment will be described. In this embodiment, among the soft metal bodies formed on the relay board main body, the shape of the second surface side terminal and the manufacturing thereof are described. Since only the steps are different, similar parts are omitted, and only different parts will be described. FIG. 12 shows a second embodiment.
Is a partially enlarged cross-sectional view of the relay board 10B according to FIG. This relay board 10B is made of glass, similar to the first embodiment.
The relay board main body 1 is made of an epoxy resin composite material, and has a glass fiber content greater in the IC chip non-corresponding portion 1n than in the IC chip corresponding portion 1i. Further, a through hole H and a metal layer 4 are formed in the main body 1 as in the first embodiment.

【0064】また、この貫通孔H(金属層4)には、P
b−Sn共晶ハンダからなる軟質金属体5Bが挿通・固
着されており、その第1面側は第1面側端子6Bを、第
2面側は第2面側端子7Bを構成している。この第1面
側端子6Bは、実施形態1の第1面側端子6と同様に、
半球状とされている。一方、第2面側端子7Bは、先端
部を除き、高さ方向(軸方向、図中上下方向)にわたっ
てほぼ一定の直径CBD(従って最大径ABD=CB
D)を有する略円柱状で、その先端部(図中下端)が半
球状とされ、第2面1bからの高さCBHがその最大径
ABDよりも大きい略柱状とされている。
The through hole H (metal layer 4) has P
A soft metal body 5B made of b-Sn eutectic solder is inserted and fixed, and the first surface side constitutes the first surface side terminal 6B and the second surface side constitutes the second surface side terminal 7B. . The first surface side terminal 6B is similar to the first surface side terminal 6 of the first embodiment.
It is hemispherical. On the other hand, the second surface side terminal 7B has a substantially constant diameter CBD (hence the maximum diameter ABD = CB) in the height direction (axial direction, vertical direction in the drawing) except for the tip end.
D), the tip (the lower end in the figure) is hemispherical, and the height CBH from the second surface 1b is larger than the maximum diameter ABD.

【0065】この中継基板10Bを、実施形態1におい
て示した中継基板10と同様にして(図2、図5、図6
参照)、IC実装基板20およびプリント基板30と接
続して構造体50B(図示しない)を形成した場合に
も、ICチップ11とIC実装基板本体21との熱膨張
率の違いによって、IC実装基板本体21が反り変形を
しようとする。しかし、上記実施形態1で説明したのと
同様に、IC実装基板本体21のIC実装部分21iと
中継基板本体1のICチップ対応部分1i、および、I
C実装基板本体21のIC非実装部分21nと中継基板
本体1のICチップ非対応部分1nが、それぞれ互いに
熱膨張を拘束しあう。従って、IC実装基板20と中継
基板10Bとの接続体40B(図示しない)についてみ
れば、熱膨張率の部分的な差が解消され、あるいは小さ
くされるため、接続体40B全体としての反り変形は解
消あるいは小さくされる。つまり、この中継基板10B
を介してIC実装基板20とプリント基板30とを接続
すると、高い接続信頼性を得ることができる。
This relay board 10B is similar to the relay board 10 shown in the first embodiment (FIGS. 2, 5, and 6).
Also, when the structure 50B (not shown) is formed by connecting to the IC mounting board 20 and the printed board 30, the difference in the coefficient of thermal expansion between the IC chip 11 and the IC mounting board main body 21 causes the IC mounting board to be different. The main body 21 is going to warp and deform. However, as described in the first embodiment, the IC mounting portion 21i of the IC mounting substrate main body 21 and the IC chip corresponding portions 1i of the relay substrate main body 1 and I
The IC non-mounting portion 21n of the C mounting substrate main body 21 and the IC chip non-corresponding portion 1n of the relay substrate main body 1 mutually restrain thermal expansion. Therefore, regarding the connection body 40B (not shown) between the IC mounting board 20 and the relay board 10B, since the partial difference in the coefficient of thermal expansion is eliminated or reduced, the warpage deformation of the connection body 40B as a whole is reduced. Eliminate or reduce. That is, the relay board 10B
When the IC mounting board 20 and the printed circuit board 30 are connected via the interface, high connection reliability can be obtained.

【0066】さらに、本実施形態の中継基板10Bで
は、第2面側端子7Bが、軟質金属(Pb−Sn共晶ハ
ンダ)からなり、その最大径ABDよりも高さCBHの
高い略柱状とされている。このため、接続体40Bに反
り変形が残ったとしても、図13(a)に示すように、中
継基板10Bの第2面側端子7Bが高さ方向(中継基板
の厚さ方向:図中上下方向)に伸縮し(本図では伸
長)、反り変形に追従して応力を解放するので、破断し
ない。
Further, in the relay board 10B of the present embodiment, the second surface side terminal 7B is made of a soft metal (Pb-Sn eutectic solder) and has a substantially columnar shape having a height CBH higher than its maximum diameter ABD. ing. For this reason, even if the warping deformation remains in the connection body 40B, as shown in FIG. 13A, the second surface side terminal 7B of the relay board 10B is moved in the height direction (the thickness direction of the relay board: Direction) (elongation in this drawing) and release the stress following the warping deformation, so that it does not break.

【0067】また、構造体50Bを加熱あるいは冷却す
ると、中継基板本体1とプリント基板本体31との間
に、熱膨張差によって第2面1bに沿う方向(図中横方
向)に変形が生じる場合がある。これは、中継基板本体
1とプリント基板本体31とは略同じ材質(ガラス−エ
ポキシ樹脂複合材料)であるが、完全に同材質ではない
ためである。このような、熱膨張差が発生すると、中継
基板本体1とプリント基板本体31とは、第2面1bに
沿う方向において相対的に逆方向に変位しようとする。
その場合にも、本実施形態にかかる中継基板10Bで
は、略柱状の第2面側端子7Bが形成されているので、
例えば、図13(b)に示すように、プリント基板本体3
1が図中左方向に変位しても、実線で示すように第2面
側端子7Bが屈曲変形して応力を吸収するため、破断し
ない。以上のように、本実施形態においては、第2面側
端子7Bが、軟質金属からなり略柱状とされているの
で、伸縮変形、屈曲変形により応力を解放するため、さ
らに高い接続信頼性を得ることができる。
Further, when the structure 50B is heated or cooled, deformation occurs in the direction (lateral direction in the drawing) along the second surface 1b due to the difference in thermal expansion between the relay board main body 1 and the printed board main body 31. There is. This is because the relay board main body 1 and the printed board main body 31 are substantially the same material (glass-epoxy resin composite material), but are not completely the same. When such a thermal expansion difference occurs, the relay board main body 1 and the printed circuit board main body 31 tend to be displaced in the directions opposite to each other in the direction along the second surface 1b.
Also in that case, since the substantially columnar second surface side terminal 7B is formed in the relay board 10B according to the present embodiment,
For example, as shown in FIG.
Even if 1 is displaced to the left in the drawing, the second surface side terminal 7B is bent and deformed to absorb the stress as shown by the solid line, so that it does not break. As described above, in the present embodiment, since the second surface side terminal 7B is made of a soft metal and has a substantially columnar shape, stress is released by expansion and contraction deformation and bending deformation, so that higher connection reliability is obtained. be able to.

【0068】なお、このような軟質金属体5B(第2面
側端子7B)を形成するには、例えば、柱状端子形成治
具Nと荷重治具Mを用いて、以下の方法で形成できる。
即ち、図14(a)に示すように、カーボンからなる柱状
端子形成治具Nの上面N3には、中継基板本体1の貫通
孔Hにそれぞれ対応する位置に、所定の直径と深さを有
し、先端が円錐状の凹部N1が形成されている。また、
柱状端子形成治具Nの凹部N1の頂部(図中最下部)に
は、柱状端子形成治具Nを下方に貫通する小径のガス抜
き孔N2がそれぞれ形成されている。なお、カーボン
(黒鉛)は、耐熱性があり、溶融したPb−Sn共晶ハ
ンダに濡れない材質である。
In order to form such a soft metal body 5B (second surface side terminal 7B), it can be formed by the following method using, for example, a columnar terminal forming jig N and a load jig M.
That is, as shown in FIG. 14 (a), the upper surface N3 of the columnar terminal forming jig N made of carbon has a predetermined diameter and depth at positions corresponding to the through holes H of the relay board main body 1, respectively. A concave portion N1 having a conical tip is formed. Also,
A small-diameter gas vent hole N2 penetrating the columnar terminal forming jig N downward is formed at the top (the lowermost portion in the figure) of the concave portion N1 of the columnar terminal forming jig N. Note that carbon (graphite) is a material that has heat resistance and does not wet the molten Pb-Sn eutectic solder.

【0069】まず、この柱状端子形成治具Nの各凹部N
1に、この直径より小径のPb−Sn共晶ハンダ(Pb
36%−Sn64%)ボールD1を投入しておく。本例
では、各凹部にそれぞれ2ヶ投入した。次いで、凹部N
1の端部(上端)に、この直径よりも大径のPb−Sn
共晶ハンダボールD2を載置する。このとき、凹部N1
内に既に投入されているボールD1とボールD2とが接
触しないで、かつ後述する共晶ハンダの溶融時には両者
が接触するように、間隔をわずかに空けておくのが好ま
しい。このようにするとボールD2が凹部N1の上端縁
にぴったりと接触して動かなくなり(あるいは動き難く
なり)、後述する中継基板本体1を載せるときの位置合
わせが容易になるからである。
First, each concave portion N of this columnar terminal forming jig N
First, a Pb—Sn eutectic solder (Pb
(36% -Sn64%) The ball D1 is thrown in. In this example, two pieces were put into each recess. Next, the concave portion N
1 at the end (upper end), a Pb-Sn having a diameter larger than this diameter.
The eutectic solder ball D2 is placed. At this time, the concave portion N1
It is preferable that the distance between the balls D1 and D2, which have already been charged, be kept small so that they do not come into contact with each other and come into contact with each other when the eutectic solder described later is melted. In this case, the ball D2 comes into close contact with the upper end edge of the concave portion N1 and does not move (or hardly moves), so that the positioning when the relay board main body 1 described later is mounted becomes easy.

【0070】その後、図14(b)に示すように、ボール
D2の図中上方に、第2面1bが下になるようにして中
継基板本体1を載置する。このとき、貫通孔Hにボール
D2がはまるように位置決めをする。さらに、中継基板
本体1の第2面1b上(図中上方)に、荷重治具Mを載
せる。この荷重治具Mもカーボンからなり、下面M2に
は、貫通孔Hに対応する位置に、半球状の凹部M1が形
成されている。
Thereafter, as shown in FIG. 14 (b), the relay board main body 1 is placed above the ball D2 with the second surface 1b facing down. At this time, the positioning is performed so that the ball D2 fits into the through hole H. Further, the load jig M is placed on the second surface 1b (upper side in the figure) of the relay board main body 1. The load jig M is also made of carbon, and a hemispherical concave portion M1 is formed on the lower surface M2 at a position corresponding to the through hole H.

【0071】次いで、窒素雰囲気下で、最高温度210
℃、183℃以上の保持時間2分のリフロー炉にこれら
を投入し、共晶ハンダボールD1、D2を溶融させる。
すると、溶融した共晶ハンダD2は、荷重治具Mおよび
中継基板本体1の自重により図中下方に押し下げられ、
本体1の貫通孔H内に貫挿されるとともに、貫通孔Hの
内周の金属層4と溶着する。一方、貫通孔Hの上端部で
は、共晶ハンダD2は第1面1a(図中上面)を越え、
凹部M1に倣って半球状に盛り上がる。また、共晶ハン
ダD2は、柱状端子形成治具Nの凹部N1内にも注入さ
れる。すると、溶融した共晶ハンダD1と接触し、両者
は表面張力により一体となろうとする。ところが、共晶
ハンダD2は、金属層4と溶着し本体1と一体となって
いるので、本体1から離れて下方に落下することができ
ないため、重力に抗して共晶ハンダD1を上方に引き上
げる形で一体化する。なお、本体1は、荷重治具Mによ
り柱状端子形成治具Nの上面N3に近接した状態まで押
し下げられる。
Next, the maximum temperature 210
These are put into a reflow furnace at a holding temperature of 183 ° C. or more for 2 minutes to melt the eutectic solder balls D1 and D2.
Then, the molten eutectic solder D2 is pushed down in the figure by the weight of the load jig M and the relay substrate main body 1, and
It is inserted into the through hole H of the main body 1 and is welded to the metal layer 4 on the inner periphery of the through hole H. On the other hand, at the upper end of the through hole H, the eutectic solder D2 exceeds the first surface 1a (the upper surface in the figure),
It bulges in a hemispherical shape following the concave portion M1. The eutectic solder D2 is also injected into the concave portion N1 of the columnar terminal forming jig N. Then, it comes into contact with the molten eutectic solder D1, and both tend to be united by surface tension. However, since the eutectic solder D2 is welded to the metal layer 4 and is integrated with the main body 1, the eutectic solder D2 cannot separate from the main body 1 and fall down. Integrate by pulling up. The main body 1 is pushed down by the load jig M to a state close to the upper surface N3 of the columnar terminal forming jig N.

【0072】また、ガス抜き孔N2は、共晶ハンダボー
ルD1、D2を溶融させるときに、凹部N1内に閉じこ
められた空気を逃がす役割をする。ただし、柱状端子形
成治具Nがハンダに濡れず、ガス抜き孔N2が小径であ
るので、ハンダがガス抜き孔N2に浸入することはな
い。
The gas vent hole N2 plays a role of releasing air trapped in the concave portion N1 when melting the eutectic solder balls D1 and D2. However, since the pillar-shaped terminal forming jig N does not wet the solder and the gas vent hole N2 has a small diameter, the solder does not enter the gas vent hole N2.

【0073】その後、冷却して共晶ハンダを凝固させ
る。これにより、図12に示すように、中継基板本体1
の第2面1b側(図中下方)には、側面は凹部N1の側
壁の形状に倣い、先端部は略半球状となった第2面側端
子7Bを有し、第1面1a側(図中上方)には、凹部M
1に倣って略半球状とされた第1面側端子6Bを有する
Pb−Sn共晶ハンダからなる軟質金属体5Bが形成さ
れる。また、このような軟質金属体5Bが、貫通孔Hに
挿通、固着された中継基板10Bが完成した。
Then, the eutectic solder is solidified by cooling. As a result, as shown in FIG.
On the second surface 1b side (lower side in the figure), the side surface follows the shape of the side wall of the concave portion N1, and the distal end portion has a substantially hemispherical second surface side terminal 7B, and the first surface 1a side ( The concave M
A soft metal body 5B made of Pb-Sn eutectic solder having a first surface side terminal 6B which is substantially hemispherical in accordance with 1 is formed. Further, the relay board 10B in which such a soft metal body 5B is inserted and fixed in the through hole H is completed.

【0074】(実施形態3)ついで、第3の実施形態を
説明する。この実施形態は、実施形態2と同様に、略柱
状の第2面側端子を備えている。但し、実施形態1,2
と異なり、中継基板本体のうち、ICチップ非対応部分
には、この部分の熱膨張率を低下させるため、低熱膨張
板を備えている。また第1面側端子が、貫通孔内に挿通
された軟質金属体よりも低融点のハンダから構成されて
いる。図15の部分拡大断面図を参照して説明すると、
本実施形態にかかる中継基板10Cは、比較的熱膨張率
の大きいICチップ対応部分1Ciと、比較的熱膨張率
の小さいICチップ非対応部分1Cnとを備える中継基
板本体1Cを有する。この本体1Cには、実施形態1,
2と同様に、貫通孔Hが形成されており、この貫通孔H
の内周および端部周縁には、実施形態1、2と同様に、
Cuメッキ層2およびNi−Bメッキ層3からなる金属
層4が形成されている。
(Embodiment 3) Next, a third embodiment will be described. This embodiment includes a substantially columnar second surface side terminal, as in the second embodiment. However, Embodiments 1 and 2
Unlike the relay board main body, a portion not corresponding to the IC chip is provided with a low thermal expansion plate in order to reduce the thermal expansion coefficient of this portion. Further, the first surface side terminal is formed of solder having a lower melting point than the soft metal body inserted into the through hole. Referring to the partially enlarged cross-sectional view of FIG.
The relay substrate 10C according to the present embodiment has a relay substrate main body 1C including an IC chip corresponding portion 1Ci having a relatively large coefficient of thermal expansion and an IC chip non-corresponding portion 1Cn having a relatively small coefficient of thermal expansion. Embodiment 1 and Embodiment 1
2, a through hole H is formed.
The inner periphery and the end periphery of are similar to the first and second embodiments,
A metal layer 4 including a Cu plating layer 2 and a Ni—B plating layer 3 is formed.

【0075】また、この貫通孔Hには、Pb−Sn共晶
ハンダからなる軟質金属体5Cが挿通・固着されてお
り、その第1面1Ca側は、第1面1Caと略面一のほ
ぼ平坦面とされ、一方、第2面1Cb側は第2面側端子
7Cを構成している。この第2面側端子7Cは、先端部
を除き、高さ方向(軸方向、図中上下方向)にわたって
ほぼ一定の直径CCD(従って、最大径ACD=CC
D)を有する略円柱状で、その先端部(図中下端)が半
球状とされ、第2面1Cbからの高さCCHがその最大
径ACDよりも大きい略柱状とされている。さらに、軟
質金属体5Cの第1面1Ca側には、Sn48%−In
52%の低融点ハンダからなり、略半球状に盛り上がっ
た第1面側端子6Cが形成されている。
A soft metal body 5C made of Pb-Sn eutectic solder is inserted into and fixed to the through hole H. The first surface 1Ca side is substantially flush with the first surface 1Ca. On the other hand, the second surface 1Cb side constitutes a second surface side terminal 7C. The second surface side terminal 7C has a substantially constant diameter CCD (hence the maximum diameter ACD = CC) in the height direction (axial direction, vertical direction in the figure) except for the tip end.
D), the tip (the lower end in the figure) is hemispherical, and the height CCH from the second surface 1Cb is larger than the maximum diameter ACD. Further, on the first surface 1Ca side of the soft metal body 5C, Sn48% -In
A first surface side terminal 6C made of 52% low melting point solder and raised substantially in a hemispherical shape is formed.

【0076】中継基板本体1Cのうち、ICチップ対応
部分1Ciは、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させた
ガラス−エポキシ樹脂複合材料(α=15〜20ppm
程度:平面方向)からなる。一方、ICチップ非対応部
分1Cnは、同様にガラス−エポキシ樹脂複合材料から
なるが、これよりも熱膨張率の小さい低熱膨張板8、具
体的には、窒化アルミニウム(AlN)セラミック板8
(α=4.5ppm)を備える。なお、本実施形態で
は、厚み方向の略中央にセラミック板8を位置させ、ガ
ラス−エポキシ樹脂複合材料からなる絶縁層で、セラミ
ック板8の両面を挟むようにされている。このため、I
Cチップ非対応部分1Cnの熱膨張率は、セラミック板
8の影響で小さくされる。
The portion 1Ci corresponding to the IC chip in the relay board main body 1C is made of a glass-epoxy resin composite material (α = 15 to 20 ppm) in which glass fiber is impregnated with epoxy resin.
(Degree: planar direction). On the other hand, the IC chip non-corresponding portion 1Cn is also made of a glass-epoxy resin composite material, but has a lower coefficient of thermal expansion than this, specifically, an aluminum nitride (AlN) ceramic plate 8
(Α = 4.5 ppm). In the present embodiment, the ceramic plate 8 is positioned substantially at the center in the thickness direction, and both surfaces of the ceramic plate 8 are sandwiched between insulating layers made of a glass-epoxy resin composite material. Therefore, I
The coefficient of thermal expansion of the non-C chip corresponding portion 1Cn is reduced by the influence of the ceramic plate 8.

【0077】このような中継基板10Cを用いて、IC
実装基板20およびプリント基板30と接続した場合
も、実施形態1において説明したのと同様になる。即
ち、IC実装基板本体21のIC実装部分21iと中継
基板本体1CのICチップ対応部分1Ci、および、I
C実装基板本体21のIC非実装部分21nと中継基板
本体1CのICチップ非対応部分1Cnが、それぞれ互
いに熱膨張を拘束しあう。従って、IC実装基板20と
中継基板10Cとの接続体40C(図示しない)につい
てみれば、熱膨張率の部分的な差が解消され、あるいは
小さくされるため、接続体40C全体としての反り変形
は解消あるいは小さくされる。つまり、この中継基板1
0Cを介してIC実装基板20とプリント基板30とを
接続すると、高い接続信頼性を得ることができる。
Using such a relay board 10C, an IC
The connection with the mounting board 20 and the printed board 30 is the same as that described in the first embodiment. That is, the IC mounting portion 21i of the IC mounting substrate main body 21 and the IC chip corresponding portion 1Ci of the relay substrate main body 1C, and I
The IC non-mounting portion 21n of the C mounting substrate main body 21 and the IC chip non-corresponding portion 1Cn of the relay substrate main body 1C restrain thermal expansion with each other. Therefore, regarding the connection body 40C (not shown) between the IC mounting board 20 and the relay board 10C, the partial difference in the coefficient of thermal expansion is eliminated or reduced, so that the warpage deformation of the connection body 40C as a whole is reduced. Eliminate or reduce. That is, this relay board 1
If the IC mounting board 20 and the printed board 30 are connected via the OC, high connection reliability can be obtained.

【0078】さらに、本実施形態の中継基板10Cで
は、第2面側端子7Cが、実施形態2と同様に、その最
大径ACDよりも高さCCHの高い略柱状とされてい
る。このため、接続体40Cに反り変形が残ったとして
も、中継基板10Cの第2面側端子7Cが高さ方向(中
継基板の厚さ方向)に伸縮し、反り変形に追従して応力
を解放するので、破断しない(図13(a)参照)。ま
た、中継基板本体1Cとプリント基板本体31との熱膨
張差により、第2面1Cbに沿う方向において、両者が
相対的に逆方向に変位しようとした場合にも、実施形態
2の場合と同様に、略柱状の第2面側端子7Cが屈曲変
形して応力を吸収するため、破断しない(図13(b)参
照)。従って、第2面側端子7Cを軟質金属で構成し、
しかも略柱状としたことで、さらに、接続信頼性を高め
ることができる。
Further, in the relay board 10C of the present embodiment, the second surface side terminal 7C has a substantially columnar shape having a height CCH higher than its maximum diameter ACD, as in the second embodiment. For this reason, even if the warpage deformation remains in the connection body 40C, the second surface side terminals 7C of the relay board 10C expand and contract in the height direction (thickness direction of the relay board), and release the stress following the warp deformation. Therefore, it does not break (see FIG. 13A). Also, when the relay board body 1C and the printed board body 31 are displaced relatively in opposite directions in the direction along the second surface 1Cb due to the difference in thermal expansion between the relay board body 1C and the printed board body 31, the same as in the second embodiment. In addition, since the substantially columnar second surface side terminal 7C bends and deforms to absorb the stress, it does not break (see FIG. 13B). Therefore, the second surface side terminal 7C is made of a soft metal,
In addition, the connection reliability can be further improved due to the substantially columnar shape.

【0079】またさらに、本実施形態においては、第1
面側端子6Cが、軟質金属体5C(Pb−Sn共晶ハン
ダ)よりも低融点のハンダ(Sn48%−In52%)
からなる。従って、IC実装基板20と中継基板10C
とを接続する場合に、実施形態1において説明したよう
に、接続パッド22に低融点ハンダペーストPを予め塗
布しておく必要はなく(図5(a)参照)、中継基板10
CとIC実装基板20とを重ねて加熱すれば、両者を接
続することができる。
Further, in the present embodiment, the first
The surface side terminal 6C has a lower melting point solder (Sn 48% -In 52%) than the soft metal body 5C (Pb-Sn eutectic solder).
Consists of Therefore, the IC mounting board 20 and the relay board 10C
As described in the first embodiment, it is not necessary to apply the low-melting solder paste P to the connection pads 22 in advance (see FIG. 5A).
If C and IC mounting substrate 20 are overlaid and heated, both can be connected.

【0080】ついで、本実施形態の中継基板10Cの製
造方法について、上記実施形態1または2と異なる点を
中心に説明する。まず、図16(a)に示すように、Al
Nセラミックからなるセラミック板8を用意する。この
セラミック板8は、その中央にICチップ対応部分1C
iに相当する大きさの方形状の開口8opが形成され
て、略ロ字形状とされており、さらに、格子状に貫通孔
8hが形成されている。ついで、図16(b)に示すよう
に、このセラミック板8を、上下から、ガラス繊維にエ
ポキシ樹脂を含浸させて半硬化状態としたプリプレグP
P、および銅箔FLで挟む。なお、開口8op内にちょ
うどはいる大きさに切断したプリプレグPP’を、開口
8op内に入れるようにすると良い。開口8op内にも
ガラス繊維が他の部分と同程度含有されるようにするた
めである。さらにこれを真空熱プレスして、プリプレグ
PP,PP’を溶融させ、貫通孔8h内にもエポキシ樹
脂を流動させ、さらに、エポキシ樹脂を硬化させる。す
ると、図16(c)に示すように、中央部(ICチップ対
応部分1Ciとなる部分)は、セラミック板8がなく、
周囲部(ICチップ非対応部分1Cnとなる部分)に
は、セラミック板8が挟まれた、ガラス−エポキシ樹脂
複合材料からなる絶縁層Gを持つ両面銅張り絶縁板G3
が形成される。
Next, a method of manufacturing the relay board 10C according to the present embodiment will be described, focusing on the differences from the first or second embodiment. First, as shown in FIG.
A ceramic plate 8 made of N ceramic is prepared. This ceramic plate 8 has an IC chip corresponding portion 1C at its center.
A rectangular opening 8op having a size corresponding to i is formed to have a substantially rectangular shape, and further, through holes 8h are formed in a lattice shape. Next, as shown in FIG. 16 (b), the prepreg P was placed in a semi-cured state by impregnating glass fiber with epoxy resin from above and below, as shown in FIG.
P and the copper foil FL. It is preferable that the prepreg PP ′ cut into a size that just fits into the opening 8op is put into the opening 8op. This is because the glass fibers are contained in the opening 8op to the same extent as the other parts. This is further hot-pressed in a vacuum to melt the prepregs PP and PP ', to flow the epoxy resin into the through holes 8h, and to further cure the epoxy resin. Then, as shown in FIG. 16C, the central portion (the portion that becomes the IC chip corresponding portion 1Ci) does not have the ceramic plate 8,
A double-sided copper-clad insulating plate G3 having an insulating layer G made of a glass-epoxy resin composite material with a ceramic plate 8 interposed therebetween is provided in a peripheral portion (a portion to be an IC chip non-corresponding portion 1Cn).
Is formed.

【0081】ついで、貫通孔Hを、実施形態1の場合と
同様に所定ピッチで格子状に形成する(図8(a)参
照)。但し、図16(d)に示すように、周囲部におい
て、貫通孔8h内に貫通孔Hが位置するように、位置決
めして貫通孔Hを穿孔する。以降は、実施形態1の場合
と同様にして貫通孔H内に金属層4を形成する(図8参
照)。
Next, the through holes H are formed in a grid pattern at a predetermined pitch as in the first embodiment (see FIG. 8A). However, as shown in FIG. 16 (d), the through hole H is positioned and drilled so that the through hole H is positioned within the through hole 8h in the peripheral portion. Thereafter, the metal layer 4 is formed in the through hole H in the same manner as in the first embodiment (see FIG. 8).

【0082】また、略柱状の第2面側端子7Bを備える
軟質金属体5Cを、貫通孔Hに挿通・固着するには、実
施形態2において用いた柱状端子形成治具Nを用いれば
よい。但し、軟質金属体5Cを、第1面1Ca側には盛
り上がらないで、平坦にするため、実施形態2において
用いた半球状凹部M1を有する荷重治具Mに代えて、下
面Q2が平面とされたカーボン製荷重治具Qを用いる
(図17(b)参照)。この柱状端子形成治具Nに、実施
形態2と同様に、共晶ハンダボールD1を凹部N1内に
投入、さらに凹部N1端部に共晶ハンダボールD2を載
置し(図17(a)参照)、その後、中継基板本体1Cを
載せ、下面Q2が平坦にされた荷重治具Qで押圧しつつ
加熱して、共晶ハンダボールD1,D2を溶融させる。
これにより、本体1Cの第2面(図中下面)1Cb側に
は、側面は凹部N1の側壁の形状に倣い、先端部は略半
球状となった第2面側端子7Cを、有する軟質金属体5
Cが貫通孔Hに挿通・固着される。一方、この軟質金属
体5Cの第1面1Ca側(図中上方)は、荷重治具Qの
下面Q2に倣って、第1面1Caと略面一の平坦面5C
aとされる。
In order to insert and fix the soft metal body 5C having the substantially columnar second surface side terminal 7B into the through hole H, the columnar terminal forming jig N used in the second embodiment may be used. However, in order to flatten the soft metal body 5C without rising on the first surface 1Ca side, the lower surface Q2 is made flat instead of the load jig M having the hemispherical concave portion M1 used in the second embodiment. A carbon load jig Q is used (see FIG. 17B). As in the second embodiment, the eutectic solder ball D1 is put into the concave portion N1, and the eutectic solder ball D2 is placed on the end of the concave portion N1 (see FIG. 17A). Then, the relay board main body 1C is placed, and the lower surface Q2 is heated while being pressed by the flattened load jig Q to melt the eutectic solder balls D1, D2.
Thereby, on the second surface (lower surface in the figure) 1Cb side of the main body 1C, a soft metal having a second surface side terminal 7C whose side surface follows the shape of the side wall of the concave portion N1 and whose tip portion is substantially hemispherical. Body 5
C is inserted and fixed in the through hole H. On the other hand, the first surface 1Ca side (upper side in the figure) of the soft metal body 5C follows the lower surface Q2 of the load jig Q, and is substantially flush with the first surface 1Ca.
a.

【0083】さらに、第1面側端子6Cを形成するた
め、図18に示すように、軟質金属体5Cの第1面1C
a側上端5Caに低融点ハンダボールE(Sn48%−
In52%)を載置する。なお、このボールEを載置す
るには、軟質金属体5Cの上方にボール規制板RCの透
孔RCHが位置するようにセットし、この規制板RC上
にボールEを散播いて揺動し、透孔RCHにボールEを
落とし込む方法によると容易に載置できる。なお、本例
においては、図18に示すように、柱状第2面側端子7
Cの先端部7Caがそれぞれはまりこむ凹部U1を有す
る軟質金属体保持治具Uを用い、この治具Uの凹部U1
に先端部7Caをそれぞれ嵌め込んだ状態で行うと都合
がよい。軟質金属体5C(柱状第2面側端子6C)は柔
らかく変形しやすいPb−Sn共晶ハンダから形成され
ているからである。
Further, as shown in FIG. 18, the first surface 1C of the soft metal body 5C is formed to form the first surface side terminal 6C.
A low melting point solder ball E (Sn 48%-
In 52%). In order to place the ball E, the ball E is set so that the through hole RCH of the ball regulating plate RC is located above the soft metal body 5C, and the ball E is scattered and rocked on the regulating plate RC. According to the method of dropping the ball E into the through hole RCH, the ball E can be easily placed. In the present example, as shown in FIG.
A soft metal body holding jig U having a concave portion U1 into which the tip portion 7Ca of C fits is used, and the concave portion U1 of the jig U is used.
It is convenient to perform the process with the tip portions 7Ca fitted in the respective portions. This is because the soft metal body 5C (the column-shaped second surface side terminal 6C) is made of a soft and easily deformable Pb-Sn eutectic solder.

【0084】しかる後、窒素雰囲気下で、最高温度15
0℃、最高温度保持時間1分のリフロー炉にこれらを投
入し、低融点ハンダボールEを溶融させる。なお、この
温度条件では軟質金属体5Cは溶融しない。溶融した低
融点ハンダは、軟質金属体上面5Caに濡れて拡がり、
略半球状の第1面側端子7Cとなり、中継基板10Cが
完成する(図15参照)。なお、体積が一定に規制され
た低融点ハンダボールEを用いたので、この第1面側端
子7Cは、一定量(体積)となり、高さも均一にするこ
とができた。
Thereafter, under a nitrogen atmosphere, a maximum temperature of 15
These are charged into a reflow furnace at 0 ° C. and a maximum temperature holding time of 1 minute to melt the low melting point solder balls E. Under this temperature condition, the soft metal body 5C does not melt. The molten low melting point solder spreads wet on the upper surface 5Ca of the soft metal body,
The first surface side terminal 7C is substantially hemispherical, and the relay board 10C is completed (see FIG. 15). Since the low melting point solder ball E whose volume was regulated to be constant was used, the first surface side terminal 7C had a constant amount (volume) and could have a uniform height.

【0085】上記実施形態3においては、低熱膨張板と
してAlNセラミック板8を用いたが、他のセラミック
を用いても良い。例えば、アルミナ、ムライト、窒化珪
素、サイアロン等が挙げられる。特に、これらのセラミ
ックのうち、AlN、アルミナ、ムライト、窒化珪素等
は、いずれも絶縁性であり、貫通孔Hの位置が若干ずれ
ても、貫通孔Hの内周面に形成した金属層4と低熱膨張
板とが短絡することが無いので、さらに好ましい。一
方、低熱膨張板には、低膨張金属板を用いても良く、具
体的には、42アロイ(42%Ni-Fe合金)、コバール、モ
リブデン、タングステン、CIC(Cu/インハ゛ー/Cuクラッ
ド材)等が挙げられる。これらの低膨張金属板を用いた
場合には、貫通孔8hを、ドリルやパンチング等によっ
て形成することができるので、製造が容易となる点で好
ましい。
In the third embodiment, the AlN ceramic plate 8 is used as the low thermal expansion plate, but another ceramic may be used. For example, alumina, mullite, silicon nitride, sialon and the like can be mentioned. In particular, among these ceramics, AlN, alumina, mullite, silicon nitride, etc. are all insulating, and even if the position of the through hole H is slightly shifted, the metal layer 4 formed on the inner peripheral surface of the through hole H This is more preferable because there is no short circuit between the and the low thermal expansion plate. On the other hand, as the low thermal expansion plate, a low expansion metal plate may be used. Specifically, 42 alloy (42% Ni-Fe alloy), Kovar, molybdenum, tungsten, CIC (Cu / invar / Cu clad material) And the like. When these low expansion metal plates are used, the through holes 8h can be formed by drilling, punching or the like, which is preferable in that the production becomes easy.

【0086】(実施形態4)ついで、第4の実施形態に
かかる中継基板70について説明する。本実施形態の中
継基板70は、実施形態1〜3に示した中継基板とは異
なり、貫通孔に軟質金属体を挿通・固着させることなく
形成したものである。なお、この中継基板70と接続す
るIC実装基板20やプリント基板30は、実施形態1
等と同様であるので、説明を省略する。
(Embodiment 4) Next, a relay board 70 according to a fourth embodiment will be described. The relay board 70 of the present embodiment is different from the relay boards of the first to third embodiments in that a soft metal body is not inserted into and fixed to a through hole. The IC mounting board 20 and the printed board 30 connected to the relay board 70 are the same as those of the first embodiment.
The description is omitted because it is similar to the above.

【0087】図19に、本実施形態にかかる中継基板7
0の部分拡大断面図を示す。この中継基板70は、本体
コア基板71Aと、第1絶縁層71B、第2絶縁層71
Cと、充填ビア78と、配線層79A、79Bとからな
る中継基板本体71を有する。この中継基板本体71の
本体コア基板71Aは、ガラス−エポキシ樹脂複合材料
からなり、この本体コア基板71Aに所定ピッチで穿孔
された貫通孔H7には、エポキシ樹脂と銅粉末の混合物
からなる導電性樹脂が充填されて充填ビア78が形成さ
れている。また、本体コア基板71Aの図中上面71A
aおよび下面71Abには、銅からなる配線層79A,
79Bが充填ビア78の上下端をも覆って形成されてい
る。
FIG. 19 shows a relay board 7 according to this embodiment.
0 shows a partially enlarged sectional view. The relay board 70 includes a main body core board 71A, a first insulating layer 71B, and a second insulating layer 71B.
C, a filling via 78, and a relay board main body 71 composed of wiring layers 79A and 79B. The main body core substrate 71A of the relay substrate main body 71 is made of a glass-epoxy resin composite material, and a through hole H7 formed at a predetermined pitch in the main body core substrate 71A has a conductive material made of a mixture of epoxy resin and copper powder. Filled vias 78 are formed by filling with resin. In addition, the upper surface 71A of the main body core substrate 71A in the drawing.
a and a lower surface 71Ab are provided with a wiring layer 79A made of copper,
79B is formed so as to cover the upper and lower ends of the filling via 78 as well.

【0088】さらに、本体コア基板71Aの上面71A
a上から配線層79A上にかけて、配線層79Aの一部
を第1面側パッド79AOとして露出させつつ、エポキ
シ樹脂からなる第1絶縁層71Bが形成されている。ま
た、同様に、本体コア基板71Aの下面71Ab上から
配線層79B上にかけて、配線層79Bの一部を第2面
側パッド79BOとして露出させつつ、エポキシ樹脂か
らなる第2絶縁層71Cが形成されている。
Further, the upper surface 71A of the main body core substrate 71A
A first insulating layer 71B made of epoxy resin is formed from above a to the wiring layer 79A while exposing a part of the wiring layer 79A as a first surface side pad 79AO. Similarly, from the lower surface 71Ab of the main body core substrate 71A to the wiring layer 79B, a second insulating layer 71C made of an epoxy resin is formed while a part of the wiring layer 79B is exposed as a second surface pad 79BO. ing.

【0089】さらに、Pb−Sn共晶ハンダからなり、
略半球状の第1面側端子76が、上記配線層79Aの露
出部79AOに溶着し、第1面71aを越えて、図中上
方に突出している。また、Pb−Sn共晶ハンダからな
り、先端部が半球状で、最大径よりも高さの高い略柱状
の第1面側端子77が、上記配線層79Bの露出部79
BOに溶着し、第1面71bを越えて、図中下方に突出
している。この第1面側端子76と第2面側端子77
は、互いに対応する位置で、しかも、前記したIC実装
基板20の接続パッド22およびプリント基板30の取
付パッド32に対応する位置に形成されている。
Further, it is composed of Pb—Sn eutectic solder,
A substantially hemispherical first surface side terminal 76 is welded to the exposed portion 79AO of the wiring layer 79A and protrudes upward in the figure beyond the first surface 71a. A substantially columnar first surface side terminal 77 made of Pb-Sn eutectic solder and having a hemispherical tip and a height higher than the maximum diameter is provided on the exposed portion 79 of the wiring layer 79B.
It is welded to the BO and protrudes downward in the figure beyond the first surface 71b. The first side terminal 76 and the second side terminal 77
Are formed at positions corresponding to each other and at positions corresponding to the connection pads 22 of the IC mounting board 20 and the mounting pads 32 of the printed board 30.

【0090】なお、この中継基板本体71の本体コア基
板71Aは、上記実施形態1において用いた中継基板本
体1と同様に、ガラス繊維の含有率が中央部より周囲部
で多くされている。従って、この本体コア基板71Aの
中央部よりも周囲部の熱膨張率が、ひいては、中継基板
本体71のICチップ対応部分71iよりも、ICチッ
プ非対応部分71nの熱膨張率が小さくされている。こ
の中継基板本体71を持つ中継基板70と、IC実装基
板20とを接続すれば、実施形態1、2と同様になる。
即ち、IC実装基板本体21のIC実装部分21iと中
継基板本体71のICチップ対応部分71i、および、
IC実装基板本体21のIC非実装部分21nと中継基
板本体1CのICチップ非対応部分71nが、それぞれ
互いに熱膨張を拘束しあう。従って、IC実装基板20
と中継基板70との接続体40D(図示しない)につい
てみれば、熱膨張率の部分的な差が解消され、あるいは
小さくされるため、接続体40D全体としての反り変形
は解消あるいは小さくされる。つまり、この中継基板7
0を介してIC実装基板20とプリント基板30とを接
続すると、高い接続信頼性を得ることができる。
In the main body core board 71A of the relay board main body 71, the content of glass fiber is larger in the peripheral part than in the central part, similarly to the relay substrate main body 1 used in the first embodiment. Accordingly, the thermal expansion coefficient of the peripheral portion of the main body core substrate 71A is lower than that of the central portion, and the thermal expansion coefficient of the non-IC chip corresponding portion 71n is smaller than that of the IC chip corresponding portion 71i of the relay substrate main body 71. . When the relay board 70 having the relay board main body 71 and the IC mounting board 20 are connected, the same as in the first and second embodiments.
That is, the IC mounting portion 21i of the IC mounting substrate main body 21, the IC chip corresponding portion 71i of the relay substrate main body 71, and
The IC non-mounting portion 21n of the IC mounting substrate main body 21 and the IC chip non-corresponding portion 71n of the relay substrate main body 1C mutually restrain thermal expansion. Therefore, the IC mounting substrate 20
With respect to the connector 40D (not shown) between the connector 40D and the relay board 70, the partial difference in the coefficient of thermal expansion is eliminated or reduced, so that the warpage deformation of the entire connector 40D is eliminated or reduced. That is, this relay board 7
When the IC mounting board 20 and the printed circuit board 30 are connected via the “0”, high connection reliability can be obtained.

【0091】さらに、本実施形態の中継基板70では、
第2面側端子77が、実施形態2と同様に、その最大径
よりも高さの高い略柱状とされている。このため、接続
体40Dに反り変形が残ったとしても、実施形態2にお
ける第2面側端子7Bと同様に、中継基板70の第2面
側端子77が高さ方向(中継基板の厚さ方向)に伸縮
し、反り変形に追従して応力を解放するので、破断しな
い(図13(a)参照)。また、中継基板本体71とプリ
ント基板本体31との熱膨張差により、第2面71bに
沿う方向において、両者が相対的に逆方向に変位しよう
とした場合にも、実施形態2の場合と同様に、略柱状の
第2面側端子77が屈曲変形して応力を吸収するため、
破断しない(図13(b)参照)。従って、第2面側端子
を軟質金属で構成し、しかも略柱状としたことで、さら
に、接続信頼性を高めることができる。
Further, in the relay board 70 of the present embodiment,
The second surface side terminal 77 has a substantially columnar shape having a height higher than its maximum diameter, as in the second embodiment. For this reason, even if the warping deformation remains in the connection body 40D, the second surface side terminal 77 of the relay board 70 is moved in the height direction (thickness direction of the relay board) similarly to the second surface side terminal 7B in the second embodiment. ), And does not break because the stress is released following the warping deformation (see FIG. 13A). The same as in the second embodiment, when the relay board body 71 and the printed circuit board body 31 are displaced relatively in opposite directions in the direction along the second surface 71b due to the difference in thermal expansion between the two. In addition, since the substantially columnar second surface side terminal 77 is bent and deformed to absorb stress,
Does not break (see FIG. 13 (b)). Therefore, since the second surface side terminal is made of a soft metal and has a substantially columnar shape, the connection reliability can be further improved.

【0092】ついで、本実施形態の中継基板70の製造
方法について、簡単に説明する。後に本体コア基板71
Aとなるガラス−エポキシ樹脂複合材料を絶縁材とし、
銅箔を両面に貼り付けた両面銅張り絶縁板を用意し、貫
通孔H7を穿孔する。なお、この両面銅張り絶縁板は、
実施形態1で説明したのと同様な工程により、中央部に
比較して周囲部でガラス繊維の含有率が多くされている
(図7参照)。さらに、エポキシ樹脂と銅粉末の混合物
からなる導電性樹脂を貫通孔H7内に充填し、加熱して
硬化させ充填ビア78を形成する。その後、電解Cuメ
ッキを施し、絶縁層の両面に貼り付けられた銅箔および
充填ビア78の上下端面にCuメッキ層を堆積させる。
これにより、銅箔はより厚くなり、充填ビア78の上下
端面にもCuメッキ層が形成される。なお、充填ビア7
8は導電性を有しているので、直接電解メッキが可能で
ある。
Next, a method of manufacturing the relay board 70 of the present embodiment will be briefly described. Later the main body core board 71
The glass-epoxy resin composite material serving as A is used as an insulating material,
A double-sided copper-clad insulating plate having copper foils attached to both sides is prepared, and a through hole H7 is formed. In addition, this double-sided copper-clad insulation board
By the same process as described in the first embodiment, the content of the glass fiber is increased in the peripheral portion as compared with the central portion (see FIG. 7). Further, a conductive resin made of a mixture of an epoxy resin and a copper powder is filled in the through-hole H7, and is cured by heating to form a filled via 78. Thereafter, electrolytic Cu plating is performed, and a Cu plating layer is deposited on the copper foil adhered to both surfaces of the insulating layer and the upper and lower end surfaces of the filling via 78.
As a result, the copper foil becomes thicker, and a Cu plating layer is formed on the upper and lower end surfaces of the filling via 78. The filling via 7
Since 8 has conductivity, direct electrolytic plating is possible.

【0093】ついで、ドライフィルムレジストを貼り付
け、露光現像して所定パターンを形成し、エッチングに
より不要の銅(銅メッキ層および銅箔)を除去し、ドラ
イフィルムも除去する。これにより、配線層79A,7
9Bが本体コア基板71Aの上下面71Aa,71Ab
に形成できた。さらに、本体コア基板71Aの上下面7
1Aa,71Ab、および配線層79A,79B上に、
エポキシ樹脂からなる感光性ソルダーレジストを塗布
し、露光現像して、第1面側パッド79AOおよび第2
面側パッド79BOとする部分を露出させ、その後加熱
してソルダーレジストを硬化させて、第1、第2絶縁層
71B、71Cを形成する。このようにして、中継基板
本体71が形成できた。
Next, a dry film resist is attached, exposed and developed to form a predetermined pattern, unnecessary copper (copper plating layer and copper foil) is removed by etching, and the dry film is also removed. Thereby, the wiring layers 79A, 7A
9B is upper and lower surfaces 71Aa, 71Ab of the main body core substrate 71A.
Could be formed. Furthermore, the upper and lower surfaces 7 of the main body core board 71A
1Aa, 71Ab and the wiring layers 79A, 79B,
A photosensitive solder resist made of an epoxy resin is applied, exposed and developed, and the first surface side pad 79AO and the second
A portion to be the surface-side pad 79BO is exposed, and then heated to cure the solder resist, thereby forming the first and second insulating layers 71B and 71C. Thus, the relay board main body 71 was formed.

【0094】つぎに、第1,第2面側端子76,77を
以下のようにして形成する。第2面側端子77は、実施
形態2,3においても用いた柱状端子形成治具Nを用い
る。即ち、この柱状端子形成治具Nに、実施形態2と同
様に、共晶ハンダボールD1を凹部N1内に投入、さら
に凹部N1端部に共晶ハンダボールD2を載置し(図2
0(a)参照)、その後、中継基板本体71を載せ、さら
に、中継基板本体71が次述する工程において、確実に
下降するように、第1面71a上に、図示しないが、適
度な荷重をかけ、あるいは錘を載せる。一方、図示しな
いが、予め、中継基板本体71の第1面側パッド79A
O上には、共晶ハンダペーストを塗布しておく。
Next, the first and second surface side terminals 76 and 77 are formed as follows. As the second surface side terminal 77, the columnar terminal forming jig N used in the second and third embodiments is used. That is, the eutectic solder ball D1 is put into the columnar terminal forming jig N similarly to the second embodiment, and the eutectic solder ball D2 is placed at the end of the concave portion N1 (FIG. 2).
0 (a)), and then place the relay board main body 71 on the first surface 71a (not shown) so that the relay board main body 71 will surely descend in the following process. Or put a weight. On the other hand, although not shown, the first surface side pad 79A
Eutectic solder paste is applied on O.

【0095】ついで、窒素雰囲気下で、最高温度210
℃、183℃以上の保持時間2分としたリフロー炉にこ
れらを投入し、共晶ハンダボールD1,D2及び図示し
ない共晶ハンダペーストを溶融させる。これにより、本
体71の第2面(図中下面)71b側には、側面は凹部
N1の側壁の形状に倣い、先端部は略半球状となった、
略柱状の第2面側端子77が形成される。一方、図示し
ない第1面71a側は、塗布した共晶ハンダペーストが
溶融して第1面側パッド79AOに溶着し、表面張力に
より略半球状とされた第1面側端子76が形成される。
その後、冷却して共晶ハンダを凝固させると、配線基板
70が完成する(図19参照)。
Then, in a nitrogen atmosphere, a maximum temperature of 210
The eutectic solder balls D1 and D2 and a eutectic solder paste (not shown) are charged into a reflow furnace having a holding time of 2 minutes at a temperature of 183 ° C. or higher. As a result, on the second surface (lower surface in the figure) 71b side of the main body 71, the side surface follows the shape of the side wall of the concave portion N1, and the front end portion becomes substantially hemispherical.
A substantially columnar second surface side terminal 77 is formed. On the other hand, on the first surface 71a side (not shown), the applied eutectic solder paste is melted and welded to the first surface side pad 79AO to form a first surface side terminal 76 which is made substantially hemispherical by surface tension. .
Thereafter, when the eutectic solder is solidified by cooling, the wiring substrate 70 is completed (see FIG. 19).

【0096】なお、上記実施形態4では、第1面側端子
76を共晶ハンダで構成したが、低融点ハンダペースト
を塗布し、溶融させることにより、第1面側端子76を
低融点ハンダ(例えば、Sn48%−In52%)で構
成しても良い。
In the fourth embodiment, the first surface side terminal 76 is formed of eutectic solder. However, the first surface side terminal 76 is formed by applying and melting a low melting point solder paste. For example, it may be constituted by (Sn 48% -In 52%).

【0097】上記実施形態2〜4においては、第2面側
端子として、先端部を除き同径の円柱状のものを示し
た。しかし、さらに好ましくは、第2面側端子の第2面
付近の基端部において、先端から基端側に向かって徐々
に径大となる形状とすると良い。具体的には、例えば、
第2面側端子87の先端部87aと基端部87cの間の
中間部87bを、あるいは先端部87aとこの中間部8
7bをやや小径とし、基端部87cをスカート状(図2
1(a)参照)、あるいはメニスカス状(図21(a)参照)
に徐々に径大とすると良い。このようにすると、略柱状
とされた第2面側端子87が伸縮、あるいは屈曲変形す
る場合に、基端部87近傍にかかる応力を分散し、さら
に破断しにくくでき、接続信頼性をより向上させること
ができるからである。なお、第2面側端子をこのように
するには、例えば、上記した柱状端子形成治具Nのう
ち、凹部N1を若干細径とし、さらにこの上面N3側端
部をC面取り状あるいはR面取り状にしておくことによ
り形成できる。
In the second to fourth embodiments, as the second surface side terminal, a columnar terminal having the same diameter except for the tip is shown. However, more preferably, the shape of the base end near the second surface of the second surface side terminal is such that the diameter gradually increases from the front end toward the base end. Specifically, for example,
The intermediate portion 87b between the distal end portion 87a and the proximal end portion 87c of the second surface side terminal 87, or the distal end portion 87a and the intermediate portion 8
7b has a slightly smaller diameter, and the base end portion 87c has a skirt shape (FIG. 2).
1 (a)) or meniscus shape (see FIG. 21 (a))
It is good to gradually increase the diameter. In this way, when the substantially columnar second surface side terminal 87 expands and contracts or bends and deforms, the stress applied to the vicinity of the base end portion 87 can be dispersed, and it can be harder to break, thereby further improving connection reliability. This is because it can be done. In order to form the second surface side terminal in this manner, for example, in the columnar terminal forming jig N described above, the concave portion N1 has a slightly smaller diameter, and the upper end N3 side end portion is C-chamfered or R-chamfered. It can be formed by keeping the shape.

【0098】以上において、本発明を各実施形態に即し
て説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるもの
ではなく、発明の範囲を逸脱しない限度において、適宜
変更して適用できることは言うまでもない。
In the above, the present invention has been described with reference to the respective embodiments. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and may be appropriately modified and applied without departing from the scope of the invention. Needless to say.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態1にかかる中継基板の平面図である。FIG. 1 is a plan view of a relay board according to a first embodiment.

【図2】実施形態1にかかるIC実装基板と中継基板と
取付基板とからなる構造体の断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a structure including an IC mounting board, a relay board, and a mounting board according to the first embodiment.

【図3】実施形態1にかかる中継基板の部分拡大断面図
である。
FIG. 3 is a partially enlarged cross-sectional view of the relay board according to the first embodiment.

【図4】(a)は中継基板と接続するIC実装基板の断面
図、(b)は取付基板の断面図である。
4A is a cross-sectional view of an IC mounting board connected to a relay board, and FIG. 4B is a cross-sectional view of a mounting board.

【図5】(a)は実施形態1にかかる中継基板とIC実装
基板とを接続する様子を示す説明図、(b)は両者を接続
した接続体の断面図である。
FIG. 5A is an explanatory view showing a state in which the relay board and the IC mounting board according to the first embodiment are connected, and FIG. 5B is a cross-sectional view of a connection body connecting the both.

【図6】接続体をプリント基板に接続する様子を示す説
明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing a state in which a connection body is connected to a printed circuit board.

【図7】実施形態1にかかる中継基板の製造方法のう
ち、両面銅張り絶縁板を形成するまでを示す説明図であ
る。
FIG. 7 is an explanatory view showing a process until a double-sided copper-clad insulating plate is formed in the method of manufacturing the relay board according to the first embodiment.

【図8】実施形態1にかかる中継基板の製造方法のう
ち、貫通孔内に金属層を形成するまでを示す説明図であ
る。
FIG. 8 is an explanatory diagram illustrating a process until a metal layer is formed in the through hole in the method of manufacturing the relay board according to the first embodiment.

【図9】実施形態1にかかる中継基板の製造方法のう
ち、貫通孔内に軟質金属体を挿通する工程を示す説明図
である。
FIG. 9 is an explanatory view showing a step of inserting a soft metal body into the through hole in the method of manufacturing the relay board according to the first embodiment.

【図10】IC実装基板の製造方法を説明する説明図で
ある。
FIG. 10 is an explanatory diagram illustrating a method for manufacturing an IC mounting substrate.

【図11】プリント基板の製造方法を説明する説明図で
ある。
FIG. 11 is an explanatory diagram illustrating a method for manufacturing a printed circuit board.

【図12】実施形態2にかかる中継基板の部分拡大断面
図である。
FIG. 12 is a partially enlarged cross-sectional view of the relay board according to the second embodiment.

【図13】応力を受けた場合の第1面側端子の変形の様
子を示す説明図であり、(a) は高さ方向の応力を受けた
場合、(b)は横方向(径方向)の応力を受けた場合であ
る。
13A and 13B are explanatory views showing a state of deformation of the first surface side terminal when stress is applied, where FIG. 13A is a case where a stress is applied in a height direction, and FIG. 13B is a lateral direction (a radial direction). In this case.

【図14】実施形態2にかかる中継基板の製造方法のう
ち、貫通孔内に軟質金属体を挿通する工程を示す説明図
である。
FIG. 14 is an explanatory view showing a step of inserting a soft metal body into a through hole in the method of manufacturing the relay board according to the second embodiment.

【図15】実施形態3にかかる中継基板の部分拡大断面
図である。
FIG. 15 is a partially enlarged cross-sectional view of a relay board according to a third embodiment.

【図16】実施形態3にかかる中継基板の製造方法のう
ち、一部に低熱膨張板を備える両面銅張り絶縁板を形成
し、貫通孔を形成するまでの工程を説明する説明図であ
る。
FIG. 16 is an explanatory diagram illustrating steps of forming a double-sided copper-clad insulating plate partially including a low-thermal-expansion plate and forming a through hole in the method of manufacturing the relay board according to the third embodiment.

【図17】実施形態3にかかる中継基板の製造方法のう
ち、第2面側端子を形成する工程を説明する説明図であ
る。
FIG. 17 is an explanatory diagram illustrating a step of forming a second surface side terminal in the method of manufacturing the relay board according to the third embodiment.

【図18】実施形態3にかかる中継基板の製造方法のう
ち、第1面側端子を形成する工程を説明する説明図であ
る。
FIG. 18 is an explanatory diagram illustrating a step of forming a first surface side terminal in the method of manufacturing the relay board according to the third embodiment.

【図19】実施形態4にかかる中継基板の部分拡大断面
図である。
FIG. 19 is a partially enlarged cross-sectional view of a relay board according to a fourth embodiment.

【図20】実施形態4にかかる中継基板の製造方法のう
ち、第2面側端子を形成する工程を説明する説明図であ
る。
FIG. 20 is an explanatory diagram illustrating a step of forming a second surface side terminal in the method of manufacturing a relay board according to the fourth embodiment.

【図21】第2面側端子の基端部の形状例を示す部分拡
大断面図であり、(a)は基端部をスカート状、(b)はメニ
スカス状としたものである。
FIGS. 21A and 21B are partial enlarged cross-sectional views showing examples of the shape of the base end of the second surface side terminal, where FIG. 21A shows the base end in a skirt shape and FIG. 21B shows a meniscus shape.

【図22】従来例の中継基板について、(a)は中継基板
の構造を、(b)は2つの基板間に中継基板を介在させた
状態を示す説明図である。
22 (a) is an explanatory view showing a structure of a relay board, and FIG. 22 (b) is a view showing a state in which a relay board is interposed between two boards.

【図23】他の従来例の中継基板を、2つの基板間に介
在させた状態を示す説明図である。
FIG. 23 is an explanatory diagram showing a state in which another conventional relay board is interposed between two boards.

【図24】集積回路チップを実装し、樹脂を含む材料か
らなる配線基板本体を有するIC実装基板をプリント基
板に接続したものにおいて、(a)は、これを加熱したと
きの変形を強調して示す模式図、(b)は接続端子の破断
場所を説明する説明図である。
24A and 24B show an integrated circuit chip mounted thereon, in which an IC mounting board having a wiring board body made of a material containing a resin is connected to a printed board, in which FIG. 24A emphasizes deformation when the board is heated. FIG. 4B is a schematic diagram illustrating a location where a connection terminal is broken.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,10B,10C,70 中継基板 1,1B,1C,71 中継基板本体 1a,1Ca,71a 第1面 1b,1Cb,71b 第2面 1i,1Ci,71i ICチップ対応部分 1n,1Cn,71n ICチップ非対応部分 2 Cuメッキ層 3 Ni−Bメッキ層 4 金属層 5,5B,5C 軟質金属体 6,6B,6C,76 第1面側端子 7,7B,7C,77 第2面側端子 8 低熱膨張板 8op 開口 11 ICチップ 12 IC接続パッド 13 ハンダバンプ 20 IC実装基板 21 IC実装基板本体 21i IC実装部分 21n IC非実装部分 22 接続パッド 23 フリップチップパッド 24 第1ハンダ層 30 プリント基板(取付基
板) 31 プリント基板本体 32 取付パッド 33 第2ハンダ層 40 接続体 50 構造体 H、H7 貫通孔 F アンダーフィル F2 充填樹脂層
10, 10B, 10C, 70 Relay substrate 1, 1B, 1C, 71 Relay substrate main body 1a, 1Ca, 71a First surface 1b, 1Cb, 71b Second surface 1i, 1Ci, 71i IC chip corresponding portion 1n, 1Cn, 71n IC Chip non-corresponding part 2 Cu plating layer 3 Ni-B plating layer 4 Metal layer 5, 5B, 5C Soft metal body 6, 6B, 6C, 76 First surface side terminal 7, 7B, 7C, 77 Second surface side terminal 8 Low thermal expansion plate 8 op opening 11 IC chip 12 IC connection pad 13 solder bump 20 IC mounting board 21 IC mounting board main body 21 i IC mounting portion 21 n IC non-mounting portion 22 connection pad 23 flip chip pad 24 first solder layer 30 printed board (mounting board) 31) Printed circuit board main body 32 Mounting pad 33 Second solder layer 40 Connection body 50 Structure H, H Holes F underfill F2 filled resin layer

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 主面と裏面を有する略板形状をなし樹脂
を含む材質からなるIC実装基板本体と、上記主面側に
実装された集積回路チップと、上記裏面側のうち少なく
とも上記集積回路チップに対応する位置に形成された接
続パッドと、を備えるIC実装基板と、取付基板本体
と、該取付基板本体の主面のうち上記IC実装基板の接
続パッドに対応する位置に形成された取付パッドと、を
備える取付基板と、の間に介在させ、第1面側で上記接
続パッドと接続させ、第2面側で上記取付パッドと接続
させることにより上記IC実装基板と上記取付基板とを
接続させるための中継基板であって、 上記第1面と第2面とを有する略板形状をなし、樹脂を
含む材質からなる中継基板本体と、 上記第1面側に形成された第1面側端子と、 上記第2面側のうち第1面側端子と対応する位置に形成
され、該第1面側端子と電気的に接続する第2面側端子
と、を有し、 上記中継基板本体のうち、上記集積回路チップに対応す
る部分の熱膨張率よりも、他の部分の熱膨張率が小さい
ことを特徴とする中継基板。
1. An IC mounting substrate main body made of a material including a resin and having a substantially plate shape having a main surface and a back surface, an integrated circuit chip mounted on the main surface side, and at least the integrated circuit out of the back surface side An IC mounting substrate including a connection pad formed at a position corresponding to the chip, a mounting substrate body, and a mounting formed at a position on the main surface of the mounting substrate body corresponding to the connection pad of the IC mounting substrate. And a mounting board provided with the pad, and connected to the connection pad on the first surface side and connected to the mounting pad on the second surface side, thereby connecting the IC mounting board and the mounting board. A relay board for connection, having a substantially plate shape having the first surface and the second surface, a relay substrate body made of a material containing resin, and a first surface formed on the first surface side Side terminal and the second surface side And a second surface side terminal formed at a position corresponding to the first surface side terminal, and electrically connected to the first surface side terminal. A relay board, wherein the thermal expansion coefficients of other parts are smaller than the thermal expansion coefficients of the corresponding parts.
【請求項2】 請求項1に記載の中継基板であって、 前記中継基板本体は、樹脂と、上記樹脂よりも熱膨張率
の小さい繊維であって、ガラス繊維および有機繊維の少
なくともいずれかからなる本体用繊維と、を主成分と
し、 上記中継基板本体のうち、前記他の部分は、前記集積回
路チップに対応する部分よりも、上記本体用繊維の含有
率が高いことを特徴とする中継基板。
2. The relay board according to claim 1, wherein the relay board body is made of a resin and a fiber having a smaller coefficient of thermal expansion than the resin, and is made of at least one of a glass fiber and an organic fiber. And a main body fiber, wherein the other portion of the relay substrate main body has a higher content of the main body fiber than a portion corresponding to the integrated circuit chip. substrate.
【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の中継基
板であって、 前記中継基板本体のうち、前記他の部分は、前記集積回
路チップに対応する部分の熱膨張率よりも小さい熱膨張
率を有する低熱膨張板を備えることを特徴とする中継基
板。
3. The relay board according to claim 1, wherein the other portion of the relay board body has a smaller thermal expansion coefficient than a portion corresponding to the integrated circuit chip. A relay board comprising a low thermal expansion plate having an expansion coefficient.
【請求項4】 請求項3に記載の中継基板であって、前
記低熱膨張板が、絶縁性セラミックからなることを特徴
とする中継基板。
4. The relay board according to claim 3, wherein the low thermal expansion plate is made of an insulating ceramic.
【請求項5】 請求項1〜請求項4のいずれかに記載の
中継基板と、前記IC実装基板と、を接続してなること
を特徴とするIC実装基板と中継基板との接続体。
5. A connection body between an IC mounting board and a relay board, wherein the relay board according to claim 1 and the IC mounting board are connected to each other.
【請求項6】 請求項5に記載のIC実装基板と中継基
板との接続体であって、前記IC実装基板本体と中継基
板本体との間に、両者を接続する絶縁性樹脂が充填され
ていることを特徴とするIC実装基板と中継基板との接
続体。
6. A connection body between the IC mounting board and the relay board according to claim 5, wherein an insulating resin for connecting the IC mounting board body and the relay board main body is filled between the IC mounting board body and the relay board body. A connection body between the IC mounting board and the relay board.
【請求項7】 請求項1〜請求項4のいずれかに記載の
中継基板を、前記IC実装基板と前記取付基板との間に
介在させて接続してなることを特徴とするIC実装基板
と中継基板と取付基板とからなる構造体。
7. An IC mounting board, wherein the relay board according to claim 1 is interposed and connected between the IC mounting board and the mounting board. A structure consisting of a relay board and a mounting board.
JP32357897A 1997-11-25 1997-11-25 Relay board, connection body between ic mounting board relay board, and structure composed of ic mounting board, relay board, and mounting board Pending JPH11163225A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018535551A (en) * 2015-11-20 2018-11-29 レイセオン カンパニー Stress suppression interposer for ceramic no-lead surface mount electronic devices.

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