JPH11163041A - Manufacture of semiconductor integrated circuit device and bonder used therefor - Google Patents

Manufacture of semiconductor integrated circuit device and bonder used therefor

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JPH11163041A
JPH11163041A JP9343956A JP34395697A JPH11163041A JP H11163041 A JPH11163041 A JP H11163041A JP 9343956 A JP9343956 A JP 9343956A JP 34395697 A JP34395697 A JP 34395697A JP H11163041 A JPH11163041 A JP H11163041A
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carrier
bonded
bonding
semiconductor chip
roller
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Takanori Ishiguro
敬規 石黒
Kazunori Higuchi
和範 樋口
Tomiji Suda
富司 須田
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Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
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Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a carrier from the lateral deviation with reduced bonding time. SOLUTION: In the bonder 20 for bonding a chip 12 to designated position on a tape carrier 2 being carried with rollers R1-R6, these rollers are instantaneously opened/closed to eliminate lateral deviation owing to recovery force of the tape carrier 2. The carrier 2 is fed to form alternately slacks between the rollers R2, R3 and between the rollers R4, R5 and then alternately eliminate the formed slacks. The tape carrier may be fed fast to eliminate the slacks, and hence the total carrying time can be reduced to ensure a long bonding time. A chip 12 is fed to a position off from a designated point on the carrier 2, the electrode pad position on the chip is recognized to correct the position and the chip 12 is set again to the very designated point, thus accurately bonding the chip to the carrier quickly.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置(semiconductor integrated circuit device。以
下、ICという。)の製造技術、特に、半導体チップ
(chip of semiconductor 。能動素子、受動素子、これ
らを電気的に接続する回路を含む集積回路が作り込まれ
たチップ。以下、チップという。)をキャリア(carrie
r )に機械的接続(bond。原子間力が働く程度に密着し
ていない機械的接続。以下、ボンディングという。)す
るボンディング技術に関し、例えば、チップのサイズと
同等または略同等のサイズのチップ・サイズ・パッケー
ジ(chip size package または、chip scale package以
下、CSPという。)を備えているICの製造方法に利
用して有効なものに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for manufacturing a semiconductor integrated circuit device (hereinafter, referred to as an IC), and more particularly, to a semiconductor chip (chip of semiconductor, active element, passive element, and an electric element for these elements). A chip in which an integrated circuit including a circuit to be connected is built. A chip is hereinafter referred to as a carrier.
r) Mechanical bonding (bond. Mechanical connection that is not in close contact with the force of the atomic force. Hereafter referred to as bonding). Regarding bonding technology, for example, a chip having a size equal to or substantially equal to the size of the chip. The present invention relates to an IC that is effective for a method of manufacturing an IC having a size package (chip size package or chip scale package, hereinafter referred to as CSP).

【0002】[0002]

【従来の技術】ICを使用する電子機器の小型薄形化に
伴って、ICのパッケージの縮小が要望されている。こ
の要望に応ずるために各種のCSPが開発されており、
その一例として、次のように構成されているマイクロ・
ボール・グリッド・アレイパッケージ(micro ball gri
d array package 。以下、μBGAという。)がある。
すなわち、チップの電極(electrode 。部品の特定の領
域から電気的機能を取り出し、他との電気的接続を行う
導体的構成部分。以下、電極パッドという。)側の主面
にはテープキャリアが絶縁材料(insulating materia)
が使用されて形成されたボンド(bond)によってボンデ
ィングされているとともに、テープキャリアに敷設され
た各インナリードがチップの各電極パッドに電気的接続
(bond。非導電金属部間の電気的接続を確実にするか、
または、電位を等しくするために行う接続)されてお
り、各アウタリードに各外部端子としてのバンプ(bum
p)がそれぞれ半田付け(sodering) されている。
2. Description of the Related Art As electronic devices using ICs have become smaller and thinner, there has been a demand for smaller IC packages. Various CSPs have been developed to meet this demand,
As an example, a micro
Ball grid array package (micro ball gri
d array package. Hereinafter, it is referred to as μBGA. ).
That is, a tape carrier is insulated on the main surface of the chip on the side of the electrode (electrode: a conductive component for extracting an electrical function from a specific region of the component and electrically connecting to other components. Materials (insulating materia)
Is used to form a bond, and each inner lead laid on the tape carrier is electrically connected to each electrode pad of the chip (bond. Make sure
Or, connection is made to equalize the potential, and each outer lead is connected to a bump (bum) as each external terminal.
p) are each soldered.

【0003】このμBGAにおけるボンディング方法と
して、テープ状に形成されたキャリアを一方向に走行さ
せてキャリアの指定された位置にチップを順次ボンディ
ングさせて行くボンディング方法の適用が、考えられ
る。
As a bonding method in the μBGA, it is conceivable to apply a bonding method in which a carrier formed in a tape shape is moved in one direction and chips are sequentially bonded to designated positions of the carrier.

【0004】従来のこの種のボンディング方法として
は、TCP・IC(tape career package IC)の製造
方法におけるインナリードボンディング(inner lead b
onding)方法が知られている。このインナリードボンデ
ィング方法においては、キャリアは供給側リールから繰
り出され、テンションローラおよびガイドローラを通
り、ボンディング位置まで搬送され、このボンディング
位置においてキャリアのリードとチップとのインナリー
ドボンディング(TCP・ICの製造方法においては機
械的かつ電気的接続となる。)が実施される。
As a conventional bonding method of this type, there is an inner lead bonding (inner lead bending) in a method of manufacturing a TCP · IC (tape career package IC).
onding) methods are known. In this inner lead bonding method, a carrier is fed out from a supply side reel, passed through a tension roller and a guide roller, and transported to a bonding position. At this bonding position, the inner lead bonding (leading of TCP / IC) between the carrier lead and the chip is performed. In the manufacturing method, mechanical and electrical connection are performed).

【0005】なお、インナリードボンディング方法およ
び装置を述べている例としては、日本国特許庁公開特許
公報特開平3−58440号がある。
[0005] As an example describing the inner lead bonding method and apparatus, there is Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 3-58440.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
たボンディング方法においては、キャリアの厚さが薄く
なると、スプロケットによる搬送やピン挿入による位置
決めを行うことは、パーフォレーション(perforation
)の変形や破損を発生することになるため、確実な搬
送や正確な位置決めが不可能になるという問題点があ
る。
However, in the above-mentioned bonding method, when the thickness of the carrier is reduced, it is difficult to carry out positioning by sprocket or pin insertion.
) May be deformed or damaged, so that there is a problem that reliable transport and accurate positioning are impossible.

【0007】そこで、摩擦ローラによる摩擦駆動力を利
用する搬送技術をキャリアの搬送に採用することが提案
されている。ところが、摩擦駆動力を利用する搬送技術
においては、キャリアの幅方向への位置ずれ(以下、横
ずれという。)、すなわち、偏向や蛇行が発生し易いと
いう問題点がある。
[0007] Therefore, it has been proposed to adopt a transport technique using a friction driving force of a friction roller for transporting a carrier. However, the transport technique using the friction driving force has a problem that the carrier is likely to be displaced in the width direction (hereinafter, referred to as a lateral displacement), that is, to be easily deflected or meandered.

【0008】このようなキャリアの位置ずれを防止する
搬送技術を述べている例としては、日本国特許庁公開特
許公報特開平5−241247号がある。すなわち、こ
こに述べられたフィルム搬送機構は、フィルムの横ずれ
が検出された時に搬送ユニットを移動させてフィルムを
基準位置に戻すように構成されている。
As an example describing a transport technique for preventing such a displacement of the carrier, there is JP-A-5-241247. That is, the film transport mechanism described here is configured to return the film to the reference position by moving the transport unit when the lateral displacement of the film is detected.

【0009】しかしながら、キャリアにおけるチップの
ボンディング位置のピッチが小さくなる前記したボンデ
ィング方法においては、ボンディング時間がきわめて短
くなるため、搬送ユニットによってキャリアを基準位置
に戻す横ずれ防止技術は採用することができない。
However, in the above-mentioned bonding method in which the pitch of the bonding position of the chip on the carrier is small, the bonding time is extremely short, so that the technique of preventing the carrier from returning to the reference position by the transport unit cannot be adopted.

【0010】本発明の目的は、ボンディング時間の増加
を回避しつつキャリアの横ずれを防止することができる
ボンディング技術を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a bonding technique capable of preventing a lateral shift of a carrier while avoiding an increase in bonding time.

【0011】本発明の目的は、ボンディング時間を短縮
することができるボンディング技術を提供することにあ
る。
An object of the present invention is to provide a bonding technique capable of shortening a bonding time.

【0012】本発明の目的は、チップをキャリアの指定
された位置に正確にボンディングすることができるボン
ディング技術を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a bonding technique capable of accurately bonding a chip to a specified position on a carrier.

【0013】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
The outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application is as follows.

【0015】すなわち、テープ状に形成されたキャリア
が摩擦ローラによって搬送されキャリアの指定された位
置に半導体チップがボンディングされるボンディング装
置において、前記摩擦ローラが瞬間的に開閉されること
によって前記キャリアの横ずれが解消されることを特徴
とする。
That is, in a bonding apparatus in which a carrier formed in a tape shape is conveyed by a friction roller and a semiconductor chip is bonded to a designated position of the carrier, the friction roller is instantaneously opened and closed so that the carrier of the carrier is opened. It is characterized in that lateral displacement is eliminated.

【0016】また、テープ状に形成されたキャリアが摩
擦ローラによって搬送され、キャリアの指定された位置
に半導体チップがボンディングされるボンディング装置
において、前記キャリアに対して前記半導体チップがボ
ンディングされるステージの上流側および下流側に弛み
が、前記キャリアの送りによって交互に形成され、双方
の弛みが前記キャリアの送りにより交互に解消されるこ
とを特徴とする。
In a bonding apparatus in which a carrier formed in a tape shape is conveyed by a friction roller and a semiconductor chip is bonded to a designated position of the carrier, a stage for bonding the semiconductor chip to the carrier is provided. The slack is formed alternately on the upstream side and the downstream side by the feed of the carrier, and both slacks are alternately eliminated by the feed of the carrier.

【0017】また、キャリアの指定された位置に半導体
チップがボンディングされるボンディング装置におい
て、前記半導体チップが前記キャリアの指定された位置
に対して予め設定された値だけずらされて配置された後
に、指定された位置に配置され直してボンディングされ
ることを特徴とする。
In a bonding apparatus for bonding a semiconductor chip to a specified position of a carrier, after the semiconductor chip is displaced by a predetermined value from the specified position of the carrier, It is characterized by being relocated to a designated position and bonded.

【0018】前記した第1の手段によれば、キャリア自
体の復元力によってキャリアの横ずれが解消されるた
め、ボンディング時間の増加を回避しつつキャリアの横
ずれを防止することができる。
According to the first means, the lateral displacement of the carrier is eliminated by the restoring force of the carrier itself, so that it is possible to prevent the lateral displacement of the carrier while avoiding an increase in the bonding time.

【0019】前記した第2の手段によれば、交互に形成
される弛みが解消される間にキャリアを早く送ることが
できるため、全体としてのキャリア搬送時間を短く設定
しつつ、長いボンディング時間を確保することができ
る。
According to the above-mentioned second means, the carrier can be sent quickly while the slack formed alternately is eliminated, so that the overall carrier transport time is set short and the long bonding time is reduced. Can be secured.

【0020】前記した第3の手段によれば、半導体チッ
プを認識し易い位置に配置することにより、半導体チッ
プの位置を観測することができるため、半導体チップを
キャリアの指定位置に正確にボンディングすることがで
きる。
According to the third means, since the semiconductor chip can be observed by arranging the semiconductor chip at a position where it can be easily recognized, the semiconductor chip is accurately bonded to the specified position of the carrier. be able to.

【0021】本願において開示される発明のうち代表的
なその他の概要を説明すれば、次の通りである。
Other typical aspects of the invention disclosed in the present application will be described as follows.

【0022】1.テープ状に形成されたキャリアが摩擦
ローラによって搬送され、キャリアの指定された位置に
半導体チップがボンディングされるボンディング工程を
備えている半導体集積回路装置の製造方法において、前
記摩擦ローラが瞬間的に開閉されることによって前記キ
ャリアの横ずれが解消されることを特徴とする半導体集
積回路装置の製造方法。
1. In a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device, wherein a carrier formed in a tape shape is transported by a friction roller and a semiconductor chip is bonded to a specified position of the carrier, the friction roller is instantaneously opened and closed. The method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the lateral displacement of the carrier is eliminated.

【0023】2.前記摩擦ローラの瞬間的な開閉が、前
記キャリアに対して区間を分けて実施されることを特徴
とする項1に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
2. 2. The method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the instantaneous opening and closing of the friction roller is performed in sections with respect to the carrier.

【0024】3.前記摩擦ローラの瞬間的な開閉が、前
記キャリアに対して前記半導体チップがボンディングさ
れるステージの上流側と下流側とに分けて実施されるこ
とを特徴とする項1または2に記載の半導体集積回路装
置の製造方法。
3. 3. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the instantaneous opening and closing of the friction roller is performed separately on an upstream side and a downstream side of a stage where the semiconductor chip is bonded to the carrier. A method for manufacturing a circuit device.

【0025】4.テープ状に形成されたキャリアが摩擦
ローラによって搬送され、キャリアの指定された位置に
半導体チップがボンディングされるボンディング装置に
おいて、前記摩擦ローラが瞬間的に開閉されることによ
って前記キャリアの横ずれが解消されることを特徴とす
るボンディング装置。
4. In a bonding apparatus in which a carrier formed in a tape shape is transported by a friction roller and a semiconductor chip is bonded to a designated position of the carrier, the friction roller is momentarily opened and closed to eliminate lateral displacement of the carrier. A bonding apparatus.

【0026】5.前記摩擦ローラが複数組、前記キャリ
アの搬送方向に間隔が置かれて配列されており、前記摩
擦ローラの瞬間的な開閉が隣合う摩擦ローラ間にて同時
に実施されることを特徴とする項4に記載のボンディン
グ装置。
[5] A plurality of sets of the friction rollers are arranged at intervals in the transport direction of the carrier, and instantaneous opening and closing of the friction rollers are simultaneously performed between adjacent friction rollers. 3. The bonding apparatus according to claim 1.

【0027】6.前記摩擦ローラが複数組、前記キャリ
アの搬送方向に間隔が置かれて配列されており、前記摩
擦ローラの瞬間的な開閉が前記キャリアに対して前記半
導体チップがボンディングされるステージの上流側と下
流側とに分けて実施されることを特徴とする項4または
5に記載のボンディング装置。
6. A plurality of sets of the friction rollers are arranged at intervals in the transport direction of the carrier, and the instantaneous opening and closing of the friction rollers is performed on an upstream side and a downstream side of a stage where the semiconductor chip is bonded to the carrier. Item 6. The bonding device according to item 4 or 5, wherein the bonding device is implemented separately from the side.

【0028】7.テープ状に形成されたキャリアが摩擦
ローラによって搬送され、キャリアの指定された位置に
半導体チップがボンディングされるボンディング工程を
備えている半導体集積回路装置の製造方法において、前
記キャリアに対して前記半導体チップがボンディングさ
れるステージの上流側および下流側に弛みが、前記キャ
リアの送りによって交互に形成され、双方の弛みが前記
キャリアの送りにより交互に解消されることを特徴とす
る半導体集積回路装置の製造方法。
7. A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device, comprising a bonding step in which a carrier formed in a tape shape is transported by a friction roller and a semiconductor chip is bonded to a specified position of the carrier, wherein the semiconductor chip is mounted on the carrier. Wherein the slack is formed alternately on the upstream side and the downstream side of the stage to which the bonding is performed by the feed of the carrier, and both slacks are alternately eliminated by the feed of the carrier. Method.

【0029】8.前記上流側の弛みが形成されている期
間に前記キャリアに対して前記チップがボンディングさ
れることを特徴とする項7に記載の半導体集積回路装置
の製造方法。
8. 8. The method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to claim 7, wherein the chip is bonded to the carrier during a period in which the slack on the upstream side is formed.

【0030】9.前記弛みの高さが規制されることを特
徴とする項7または8に記載の半導体集積回路装置の製
造方法。
9. 9. The method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to item 7 or 8, wherein the height of the slack is regulated.

【0031】10.テープ状に形成されたキャリアが摩
擦ローラによって搬送され、キャリアの指定された位置
に半導体チップがボンディングされるボンディング装置
において、前記キャリアに対して前記半導体チップがボ
ンディングされるステージの上流側および下流側に弛み
が、前記キャリアの送りによって交互に形成され、双方
の弛みが前記キャリアの送りにより交互に解消されるこ
とを特徴とするボンディング装置。
10. In a bonding apparatus in which a carrier formed in a tape shape is transported by a friction roller and a semiconductor chip is bonded to a specified position of the carrier, an upstream side and a downstream side of a stage where the semiconductor chip is bonded to the carrier. The bonding apparatus is characterized in that slacks are formed alternately by feeding the carrier, and both slacks are alternately eliminated by feeding the carrier.

【0032】11.前記上流側の弛みが形成されている
期間に前記キャリアに対して前記チップがボンディング
されることを特徴とする項10に記載のボンディング装
置。
11. 11. The bonding apparatus according to claim 10, wherein the chip is bonded to the carrier during a period in which the slack on the upstream side is formed.

【0033】12.前記弛みの高さが規制されることを
特徴とする項10または11に記載のボンディング装
置。
12. Item 12. The bonding apparatus according to item 10 or 11, wherein a height of the slack is regulated.

【0034】13.テープ状に形成されたキャリアが摩
擦ローラによって搬送され、キャリアの指定された位置
に半導体チップがボンディングされるボンディング工程
を備えている半導体集積回路装置の製造方法において、
前記摩擦ローラが瞬間的に開閉されることによって前記
キャリアの横ずれが解消され、前記キャリアに対して前
記半導体チップがボンディングされるステージの上流側
および下流側に弛みが、前記キャリアの送りによって交
互に形成され、双方の弛みが前記キャリアの送りにより
交互に解消されることを特徴とする半導体集積回路装置
の製造方法。
13. A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device, comprising a bonding step in which a carrier formed in a tape shape is transported by a friction roller and a semiconductor chip is bonded to a specified position of the carrier,
The lateral displacement of the carrier is eliminated by the instantaneous opening and closing of the friction roller, and the slack on the upstream side and the downstream side of the stage on which the semiconductor chip is bonded to the carrier is alternately caused by the feeding of the carrier. The method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device, wherein the slacks are formed and both slacks are alternately eliminated by feeding the carrier.

【0035】14.前記弛みが形成されている期間に前
記摩擦ローラが瞬間的に開閉されることを特徴とする項
13に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
14. 14. The method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to claim 13, wherein the friction roller is momentarily opened and closed during the period in which the slack is formed.

【0036】15.テープ状に形成されたキャリアが摩
擦ローラによって搬送され、キャリアの指定された位置
に半導体チップがボンディングされるボンディング装置
において、前記摩擦ローラが瞬間的に開閉されることに
よって前記キャリアの横ずれが解消され、前記キャリア
に対して前記半導体チップがボンディングされるステー
ジの上流側および下流側に弛みが前記キャリアの送りに
よって交互に形成され、双方の弛みが前記キャリアの送
りにより交互に解消されることを特徴とするボンディン
グ装置。
15. In a bonding apparatus in which a carrier formed in a tape shape is transported by a friction roller and a semiconductor chip is bonded to a designated position of the carrier, the friction roller is momentarily opened and closed to eliminate lateral displacement of the carrier. A slack is formed alternately on the upstream side and the downstream side of the stage where the semiconductor chip is bonded to the carrier by feeding the carrier, and both slacks are alternately eliminated by feeding the carrier. Bonding equipment.

【0037】16.前記弛みが形成されている期間に前
記摩擦ローラが瞬間的に開閉されることを特徴とする項
15に記載のボンディング装置。
16. 16. The bonding apparatus according to claim 15, wherein the friction roller is momentarily opened and closed during the period in which the slack is formed.

【0038】17.キャリアの指定された位置に半導体
チップがボンディングされるボンディング工程を備えて
いる半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導
体チップが前記キャリアの指定された位置に対して予め
設定された値だけずらされて配置された後に、指定され
た位置に配置され直してボンディングされることを特徴
とする半導体集積回路装置の製造方法。
17. In a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including a bonding step of bonding a semiconductor chip to a specified position of a carrier, the semiconductor chip is shifted by a preset value with respect to the specified position of the carrier. A semiconductor integrated circuit device, wherein the semiconductor integrated circuit device is placed again at a designated position and then bonded.

【0039】18.前記配置し直される際に、ずらされ
て配置された前記半導体チップの位置が測定されて誤差
を求められ、求められた誤差が解消されるように指定さ
れた位置に配置され直されることを特徴とする項17に
記載の半導体集積回路装置の製造方法。
18. When the rearrangement is performed, the position of the semiconductor chip shifted and disposed is measured to determine an error, and the semiconductor chip is rearranged at a designated position so that the determined error is eliminated. Item 18. The method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to Item 17.

【0040】19.キャリアの指定された位置に半導体
チップがボンディングされるボンディング装置におい
て、前記半導体チップが前記キャリアの指定された位置
に対して予め設定された値だけずらされて配置された後
に、指定された位置に配置され直してボンディングされ
ることを特徴とするボンディング装置。
19. In a bonding apparatus in which a semiconductor chip is bonded to a specified position of a carrier, after the semiconductor chip is arranged by being shifted by a predetermined value with respect to the specified position of the carrier, the semiconductor chip is moved to a specified position. A bonding apparatus, wherein the bonding apparatus is repositioned and bonded.

【0041】20.前記配置し直される際に、ずらされ
て配置された前記半導体チップの位置が測定されて誤差
を求められ、求められた誤差が解消されるように指定さ
れた位置に配置され直されることを特徴とする項19に
記載のボンディング装置。
20. When the rearrangement is performed, the position of the semiconductor chip shifted and disposed is measured to determine an error, and the semiconductor chip is rearranged at a designated position so that the determined error is eliminated. 20. The bonding apparatus according to item 19, wherein

【0042】[0042]

【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施形態である
ボンディング装置のボンディング部を示す斜視図であ
る。図2はその一部切断正面図である。図3はその平面
図である。図4はその側面断面図である。図5は本発明
の一実施形態であるボンディング装置の全体を示す正面
図である。図6はその平面図である。図7はボンド付テ
ープキャリアを示す一部省略平面図である。図8の
(a)は同じく一部切断正面図、(b)は一部切断側面
図である。図9はチップを示しており、(a)は平面
図、(b)は一部切断正面図、(c)は拡大した一部切
断側面図である。図10はボンディング後を示す一部省
略平面図であり、図11は同じくボンディング後を示し
ており、(a)は一部切断正面図、(b)は一部切断側
面図である。図12はローラ群によるボンド付テープキ
ャリアのステージへの供給作動を示す説明図である。図
13は被ボンディング部とチップとのアライメントを示
す説明図である。図14は製造されたμBGA・ICを
示す正面断面図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a bonding portion of a bonding apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a partially cut front view thereof. FIG. 3 is a plan view thereof. FIG. 4 is a side sectional view thereof. FIG. 5 is a front view showing the entire bonding apparatus according to one embodiment of the present invention. FIG. 6 is a plan view thereof. FIG. 7 is a partially omitted plan view showing the tape carrier with a bond. FIG. 8A is a partially cut front view, and FIG. 8B is a partially cut side view. 9A and 9B show a chip, wherein FIG. 9A is a plan view, FIG. 9B is a partially cut front view, and FIG. 9C is an enlarged partially cut side view. FIG. 10 is a partially omitted plan view showing the state after bonding, and FIG. 11 also shows the state after bonding. (A) is a partially cut front view, and (b) is a partially cut side view. FIG. 12 is an explanatory view showing an operation of supplying a tape carrier with a bond to a stage by a group of rollers. FIG. 13 is an explanatory view showing the alignment between the bonded portion and the chip. FIG. 14 is a front sectional view showing the manufactured μBGA · IC.

【0043】本実施形態において、本発明に係る半導体
集積回路装置の製造方法は、μBGA・ICを製造する
方法として構成されており、その主要工程であるボンデ
ィング工程は図1〜図6に示されているボンディング装
置によって実施される。
In the present embodiment, the method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the present invention is configured as a method for manufacturing a μBGA IC, and the bonding step, which is the main step, is shown in FIGS. Is performed by the bonding apparatus.

【0044】μBGA・ICの製造方法においては、ボ
ンド付テープキャリア1がリールに巻かれた状態で、ボ
ンディング方法が実施されるボンディング装置に供給さ
れる。すなわち、ボンディング装置における一方のワー
クであるボンド付テープキャリア1は、図7および図8
に示されているように構成され、リールに巻かれた状態
でボンディング装置に供給される。ボンド付テープキャ
リア1はテープキャリア2とボンド10とを備えてい
る。テープキャリア2はTCP・ICの製造方法に使用
されているTAB(tape automatede bonding)テープに
相当するものである。テープキャリア2は同一パターン
が長手方向に繰り返されるように構成されているため、
その構成の説明および図示は一単位だけについて行われ
ている。
In the method of manufacturing the μBGA · IC, the tape carrier 1 with the bond wound on a reel is supplied to a bonding apparatus for performing the bonding method. That is, the tape carrier with bond 1 as one of the works in the bonding apparatus is shown in FIGS.
And supplied to the bonding apparatus in a state of being wound on a reel. The bonded tape carrier 1 includes a tape carrier 2 and a bond 10. The tape carrier 2 corresponds to a TAB (tape automated tape) tape used in a method of manufacturing a TCP / IC. Since the tape carrier 2 is configured such that the same pattern is repeated in the longitudinal direction,
The description and illustration of the configuration is made for only one unit.

【0045】テープキャリア2はキャリア本体3を備え
ており、キャリア本体3はポリイミド等の絶縁性能(in
sulation performance)が高い樹脂が用いられて同一パ
ターンが長手方向に連続するテープ形状に一体成形され
ている。キャリア本体3の両端辺部には規則的に配列さ
れたパーフォレーション3Aが多数個、長さ方向に等間
隔にそれぞれ配列されて開設されており、各パーフォレ
ーション3Aは正方形の孔形状に形成されている。キャ
リア本体3にはバンプ形成部4が長手方向に一列横隊に
整列されている。バンプ形成部4にはバンプホール5が
多数個、4本の平行線上において整列されて穿たれてい
る。各バンプホール5には後の工程においてバンプがア
ウタリードに電気的に接続するように形成される。バン
プ形成部4の中心線上には長孔形状に形成された窓孔6
が、バンプホール5の列と平行に開口されている。ま
た、バンプ形成部4の外周辺部には切断を補助するため
の長孔6Aが4本、長方形の枠形状に配されて穿たれて
いる。
The tape carrier 2 has a carrier body 3, and the carrier body 3 has an insulating property (in
The same pattern is integrally formed into a tape shape continuous in the longitudinal direction using a resin having high sulation performance. A large number of perforations 3A regularly arranged are arranged at both ends of the carrier body 3 and arranged at equal intervals in the length direction, and each perforation 3A is formed in a square hole shape. . Bump forming parts 4 are arranged in a row in the carrier body 3 in the longitudinal direction. A large number of bump holes 5 are drilled in the bump forming section 4 in alignment on four parallel lines. In each bump hole 5, a bump is formed so as to be electrically connected to the outer lead in a later step. A window hole 6 formed in a long hole shape is formed on the center line of the bump forming portion 4.
Are opened in parallel with the rows of the bump holes 5. Further, four long holes 6A for assisting the cutting are formed in the outer peripheral portion of the bump forming portion 4 in a rectangular frame shape.

【0046】キャリア本体3の片側主面(以下、下面と
する。)にはインナリード7が複数本、窓孔6に短手方
向に突き出すようにそれぞれ配線されている。各インナ
リード7のバンプ形成部4側に位置する一端(以下、外
側端とする。)には、各アウタリード8がそれぞれ一連
に連設されており、互いに一連になったインナリード7
とアウタリード8とは機械的かつ電気的に一体の状態に
なっている。各アウタリード8のバンプホール5に対向
する部位は、バンプ形成部4から露出した状態になって
おり、各アウタリード8の外側端は長孔6Aの外側まで
伸びた状態になっている。インナリード7群およびアウ
タリード8群は、銅や金等の導電性を有する材料が使用
されて形成されている。インナリード7群およびアウタ
リード8群の形成方法としては、キャリア本体3に接着
(adhesion。化学的もしくは物理的な力またはその両者
によって二つの面が結合した状態)等の手段によって固
着させた銅箔や金箔をリソグラフィー処理およびエッチ
ング処理によってパターニングする方法や、キャリア本
体3にリソグラフィー処理によって選択的に金めっき処
理する方法等がある。
A plurality of inner leads 7 are wired on one main surface (hereinafter, referred to as a lower surface) of the carrier body 3 so as to protrude into the window 6 in the lateral direction. At one end (hereinafter, referred to as an outer end) of each of the inner leads 7 located on the side of the bump forming portion 4, each of the outer leads 8 is connected in series, and the inner leads 7 are connected in series.
The outer lead 8 is mechanically and electrically integrated with the outer lead 8. The portion of each outer lead 8 facing the bump hole 5 is exposed from the bump forming portion 4, and the outer end of each outer lead 8 extends to the outside of the elongated hole 6A. The group of inner leads 7 and the group of outer leads 8 are formed using a conductive material such as copper or gold. As a method of forming the inner lead 7 group and the outer lead 8 group, a copper foil fixed to the carrier main body 3 by means of adhesion (adhesion; a state in which two surfaces are bonded by chemical or physical force or both) is used. And a method of patterning gold foil by lithography and etching, and a method of selectively plating gold on the carrier body 3 by lithography.

【0047】インナリード7群は各窓孔6の長手方向に
間隔を置かれて互いに平行に配線されている。各インナ
リード7の窓孔6に突き出た部分は窓孔6の中心線を跨
いだ位置で切断された状態になっている。すなわち、イ
ンナリード7の窓孔6に突き出た部分の長さは窓孔6の
幅よりも短く幅の半分よりも長く設定されている。
The inner leads 7 are wired in parallel with each other at intervals in the longitudinal direction of each window hole 6. The portion of each inner lead 7 projecting into the window hole 6 is cut at a position straddling the center line of the window hole 6. That is, the length of the portion of the inner lead 7 protruding into the window hole 6 is set shorter than the width of the window hole 6 and longer than half the width.

【0048】キャリア本体3の下面にはエラストマやシ
リコンゴム製のボンド10が接着されており、インナリ
ード7群およびアウタリード8群はボンド10によって
被覆されている。ボンド10におけるキャリア本体3の
窓孔6に対向する部位には、長方形孔形状の窓孔11が
インナリード7群を外部に露出させるようにキャリア本
体3の窓孔6よりも若干大きめに形成されている。した
がって、ボンド付テープキャリア1はキャリア本体3、
インナリード7群、アウタリード8群およびボンド10
によって構成されている。
A bond 10 made of an elastomer or silicone rubber is adhered to the lower surface of the carrier body 3, and the inner leads 7 and the outer leads 8 are covered with the bond 10. At a portion of the bond 10 facing the window hole 6 of the carrier body 3, a rectangular hole-shaped window hole 11 is formed slightly larger than the window hole 6 of the carrier body 3 so as to expose the inner leads 7 to the outside. ing. Therefore, the bonded tape carrier 1 is a carrier body 3,
Inner lead 7 group, outer lead 8 group and bond 10
It is constituted by.

【0049】チップ12は図9に示されているように長
方形の平板形状に形成されており、その一主面側(以
下、アクティブエリア側という。)には、能動素子や受
動素子、これらを電気的に接続する回路を含む所望の半
導体集積回路が作り込まれている。すなわち、チップ1
2は多数個がマトリックス状に配列されて、所謂IC製
造の前工程において半導体ウエハ(wafer of semicondu
ctor。以下、ウエハという。)の状態でアクティブエリ
ア側に半導体集積回路を作り込まれる。各チップ12の
アクティブエリア側の表面はパッシベーション膜13に
よって被覆されており、パッシベーション膜(passivat
ion film)13に形成されたスルーホール(through ha
ll)には電極パッド14が外部に露出する状態に形成さ
れている。電極パッド14は複数形成されており、テー
プキャリア2における各インナリード7に対応されてい
る。
The chip 12 is formed in the shape of a rectangular flat plate as shown in FIG. 9, and has an active element or a passive element, 2. Description of the Related Art A desired semiconductor integrated circuit including a circuit to be electrically connected has been manufactured. That is, chip 1
2 has a large number of semiconductor elements arranged in a matrix, and is a semiconductor wafer (wafer of semicondu
ctor. Hereinafter, it is called a wafer. In this state, a semiconductor integrated circuit is built on the active area side. The surface on the active area side of each chip 12 is covered with a passivation film 13, and the passivation film (passivat
ion film) 13 formed through holes (through ha)
In ll), the electrode pad 14 is formed so as to be exposed to the outside. A plurality of electrode pads 14 are formed and correspond to the respective inner leads 7 of the tape carrier 2.

【0050】図1に示されているように、ウエハ15の
アクティブエリア側と反対側の主面にはウエハシート1
6が貼付され、ウエハシート16の外周辺部にはウエハ
リング17が貼付される。ウエハシート16が貼付され
た状態で、ウエハ15はダイシング工程においてスクラ
イビイングラインに沿って長方形の平板形状に分断さ
れ、多数個のチップ12が製造された状態になる。分断
されたチップ12はウエハ15にウエハシート16が貼
付されているため、ばらばらになることはない。そし
て、チップ12群はウエハシート16およびウエハリン
グ17に保持された状態で、ボンディング装置20のピ
ックアップ装置50に供給される。
As shown in FIG. 1, the main surface of the wafer 15 opposite to the active area side has a wafer sheet 1
6 is attached, and a wafer ring 17 is attached to an outer peripheral portion of the wafer sheet 16. In a state where the wafer sheet 16 is stuck, the wafer 15 is cut into a rectangular flat plate shape along a scribing line in a dicing process, and a state in which many chips 12 are manufactured is obtained. Since the divided chips 12 have the wafer sheet 16 attached to the wafer 15, they do not fall apart. The group of chips 12 is supplied to the pickup device 50 of the bonding device 20 while being held by the wafer sheet 16 and the wafer ring 17.

【0051】ちなみに、図10および図11に示されて
いるように、ボンディング作業が実施された後におい
て、チップ12はテープキャリア2に機械的接続(ボン
ディング)されている。すなわち、チップ12はテープ
キャリア2に各電極パッド14が各インナリード7にそ
れぞれ向かい合うように配された状態で、パッシベーシ
ョン膜13とボンド10との境界で接着されている。こ
の状態において、インナリード7は電極パッド14にボ
ンド10の厚さ分だけ上方に離れた位置で対向した状態
になっており、インナリード7の先端部は電極パッド1
4の真上に位置した状態になっている。
By the way, as shown in FIGS. 10 and 11, after the bonding operation is performed, the chip 12 is mechanically connected (bonded) to the tape carrier 2. That is, the chip 12 is bonded to the tape carrier 2 at the boundary between the passivation film 13 and the bond 10 in a state where the respective electrode pads 14 are arranged so as to face the respective inner leads 7. In this state, the inner lead 7 faces the electrode pad 14 at a position separated upward by the thickness of the bond 10, and the tip of the inner lead 7 is
4 is located directly above.

【0052】図5および図6に示されているように、ボ
ンディング装置20はボンド付テープキャリア1を搬送
するためのローディングリール21およびアンローディ
ングリール22を左右の両端部に備えており、ボンド付
テープキャリア1はローディングリール21とアンロー
ディングリール22との間に張られている。ローディン
グリール21の下側にはスペーサテープ巻取りリール2
3が支持されており、スペーサテープ巻取りリール23
はローディングリール21がボンド付テープキャリア1
を繰り出した後のスペーサテープ24を巻き取るように
構成されている。アンローディングリール22の下側に
はスペーサテープ繰出しリール25が支持されており、
スペーサテープ繰出しリール25はアンローディングリ
ール22がボンド付テープキャリア1を巻き取る際にス
ペーサテープ26を繰り出して行くように構成されてい
る。
As shown in FIGS. 5 and 6, the bonding apparatus 20 has a loading reel 21 and an unloading reel 22 for transporting the tape carrier 1 with bonds at both left and right ends. The tape carrier 1 is stretched between a loading reel 21 and an unloading reel 22. Spacer tape take-up reel 2 is located below loading reel 21.
3 is supported, and the spacer tape take-up reel 23
Is the loading reel 21 with the bonded tape carrier 1
Is wound up. A spacer tape pay-out reel 25 is supported below the unloading reel 22.
The spacer tape payout reel 25 is configured so that the spacer tape 26 is paid out when the unloading reel 22 winds up the bonded tape carrier 1.

【0053】ローディングリール21の下流側には複数
個のローラ28を有するプリベーク炉27が設備されて
おり、ボンド付テープキャリア1はプリベーク炉27を
通過してボンディング装置20の中央部に設定されたボ
ンディングステージ(以下、ステージという。)31に
供給されるようになっている。プリベーク炉27を通過
する際に、ボンド付テープキャリア1の絶縁層10は所
定の温度(約150℃)に加熱されることによって水分
を蒸発される。アンローディングリール22の上流側に
は複数個のローラ30を有するアフタベーク炉29が設
備されており、ステージ31を通過したボンド付テープ
キャリア1はアフタベーク炉29を通過してアンローデ
ィングリール22に巻き取られるようになっている。ア
フタベーク炉29を通過する際に、ボンド付テープキャ
リア1のチップ12を接着したボンド10の接着層は所
定の温度(約250℃)に加熱されることによって硬化
される。
A pre-bake furnace 27 having a plurality of rollers 28 is provided downstream of the loading reel 21. The tape carrier with bond 1 passes through the pre-bake furnace 27 and is set at the center of the bonding apparatus 20. It is supplied to a bonding stage (hereinafter, referred to as a stage) 31. When passing through the pre-baking furnace 27, the insulating layer 10 of the tape carrier with bond 1 is heated to a predetermined temperature (about 150 ° C.) to evaporate water. An afterbake furnace 29 having a plurality of rollers 30 is provided upstream of the unloading reel 22. The tape carrier with bond 1 having passed through the stage 31 passes through the afterbake furnace 29 and is wound on the unloading reel 22. It is supposed to be. When passing through the after-bake furnace 29, the adhesive layer of the bond 10 to which the chip 12 of the bonded tape carrier 1 has been bonded is cured by being heated to a predetermined temperature (about 250 ° C.).

【0054】図1〜図4に詳しく図示されているよう
に、ボンディング装置20の中央部に設定されたステー
ジ31におけるボンド付テープキャリア1の両側(以
下、前側および後側とする。)端部には、前後で一対の
ガイドレール32、32が左右方向に平行で水平にそれ
ぞれ敷設されている。ボンド付テープキャリア1はパー
フォレーション3A群が配列されたキャリア本体3の両
端部を両ガイドレール32、32によって滑ることがで
きるように挟まれた状態で水平に案内されて、ローディ
ングリール21側からアンローディングリール22の方
向に送られるようになっている。
As shown in detail in FIGS. 1 to 4, both ends (hereinafter, referred to as front and rear sides) of the tape carrier with bond 1 on a stage 31 set at the center of the bonding apparatus 20. A pair of guide rails 32, 32 are laid horizontally in the front and rear in parallel with the left-right direction. The tape carrier with bond 1 is horizontally guided with both ends of the carrier body 3 on which the perforations 3A are arranged so as to be slidable by the two guide rails 32, 32, and is unloaded from the loading reel 21 side. The paper is sent in the direction of the loading reel 22.

【0055】ステージ31の左右両脇には第1ローラR
1、第2ローラR2、第3ローラR3、第4ローラR
4、第5ローラR5および第6ローラR6がステージ3
1を中心にして略左右対称形に配置されている。但し、
図6に示されているように、第1ローラR1はプリベー
ク炉27の上流側に配置されており、第6ローラR6は
アフタベーク炉29の下流側に配置されている。これら
ローラR1〜R6は上下で一対のローラによって構成さ
れており、上下で一対のローラがボンド付テープキャリ
ア1を上下から挟んで摩擦駆動力によって搬送する摩擦
ローラとして構成されている。また、各ローラは前後に
分割されて前後のガイドレール32、32にそれぞれ配
置され、ボンド付テープキャリア1の両端部に接触して
搬送するようになっている。つまり、分割された前後の
ローラはボンド付テープキャリア1の中央部に配置され
たボンド10やチップ12等に干渉しない状態で、ボン
ド付テープキャリア1を搬送し得るように構成されてい
る。
A first roller R is provided on both left and right sides of the stage 31.
1, second roller R2, third roller R3, fourth roller R
4. The fifth roller R5 and the sixth roller R6 are in the stage 3
1 are arranged substantially symmetrically with respect to the center. However,
As shown in FIG. 6, the first roller R1 is disposed upstream of the pre-bake furnace 27, and the sixth roller R6 is disposed downstream of the after-bake furnace 29. The rollers R1 to R6 are constituted by a pair of upper and lower rollers, and the pair of upper and lower rollers are constituted as friction rollers which convey the bonded tape carrier 1 from above and below by a friction driving force. In addition, each roller is divided into front and rear portions, and is arranged on the front and rear guide rails 32, 32, respectively, so as to contact and transport both ends of the tape carrier 1 with a bond. In other words, the divided front and rear rollers are configured to be able to transport the bonded tape carrier 1 in a state where they do not interfere with the bond 10 and the chip 12 arranged at the center of the bonded tape carrier 1.

【0056】図2に示されているように、ステージ31
の左脇に配置された第3ローラR3の下側ローラR3a
は、キャリア本体3の両端部下面に接する状態で回転す
ることができるように支持されており、モータR3bに
駆動されるベルトR3cが巻き掛けられている。第3ロ
ーラR3の上側ローラR3dは下側ローラR3aと協働
してキャリア本体3を挟むように配設されており、上側
ローラR3dは他端部をピンR3eによって上下方向に
揺動することができるように支持されたアームR3fの
一端部に回転することができるように支持されている。
アームR3fのピンR3e寄りの位置にはスプリングR
3gがアームR3fを下方に押し下げるように取り付け
られており、アームR3fのスプリングR3gよりも上
側ローラR3d寄りの位置には電磁プランジャR3hが
アームR3fを上下動させるように取り付けられてい
る。
As shown in FIG. 2, the stage 31
Lower roller R3a of the third roller R3 arranged on the left side of
Is supported so as to be rotatable in contact with the lower surfaces of both ends of the carrier body 3, and a belt R3c driven by a motor R3b is wound therearound. The upper roller R3d of the third roller R3 is disposed so as to sandwich the carrier body 3 in cooperation with the lower roller R3a, and the upper roller R3d can swing the other end in the vertical direction by a pin R3e. The arm R3f is supported so as to be rotatable at one end thereof.
A spring R is provided at a position near the pin R3e of the arm R3f.
3g is attached so as to push down the arm R3f, and an electromagnetic plunger R3h is attached at a position closer to the upper roller R3d than the spring R3g of the arm R3f so as to move the arm R3f up and down.

【0057】ステージ31の右脇の第4ローラR4の右
方に配置された第5ローラR5の下側ローラR5aは、
キャリア本体3の両端部下面に接する状態で回転するこ
とができるように支持されており、モータR5bに駆動
されるベルトR5cが巻き掛けられている。第5ローラ
R5の上側ローラR5dは下側ローラR5aと協働して
キャリア本体3を挟むように配設されており、上側ロー
ラR5dは他端部をピンR5eによって上下方向に揺動
することができるように支持されたアームR5fの一端
部に回転することができるように支持されている。アー
ムR5fのピンR5e寄りの位置にはスプリングR5g
がアームR5fを下方に押し下げるように取り付けられ
ており、アームR5fのスプリングR5gよりも上側ロ
ーラR5d寄りの位置には電磁プランジャR5hがアー
ムR5fを上下動させるように取り付けられている。
The lower roller R5a of the fifth roller R5 disposed on the right side of the fourth roller R4 on the right side of the stage 31 is:
The carrier R3 is supported so as to be rotatable in contact with the lower surfaces of both ends of the carrier body 3, and a belt R5c driven by a motor R5b is wound therearound. The upper roller R5d of the fifth roller R5 is disposed so as to sandwich the carrier body 3 in cooperation with the lower roller R5a, and the upper roller R5d can swing the other end in the vertical direction by a pin R5e. The arm R5f is supported so as to be rotatable at one end thereof. A spring R5g is located on the arm R5f near the pin R5e.
Is mounted so as to push down the arm R5f, and an electromagnetic plunger R5h is mounted at a position closer to the upper roller R5d than the spring R5g of the arm R5f so as to move the arm R5f up and down.

【0058】第2ローラR2と第3ローラR3との間に
は第2ローラR2と第3ローラR3との間に形成される
弛みを検出する第1センサS1が配置されており、第4
ローラR4と第5ローラR5との間には第4ローラR4
と第5ローラR5との間に形成される弛みを検出する第
2センサS2が配置されている。
A first sensor S1 for detecting a slack formed between the second roller R2 and the third roller R3 is disposed between the second roller R2 and the third roller R3.
A fourth roller R4 is provided between the roller R4 and the fifth roller R5.
A second sensor S2 for detecting a slack formed between the second roller S5 and the fifth roller R5 is provided.

【0059】第3ローラR3および第5ローラR5に限
らず、第1ローラR1、第2ローラR2、第4ローラR
4および第6ローラR6もモータによって正逆回転駆動
されるように構成されている。そして、第1ローラR1
〜第6ローラR6のモータや電磁プランジャの制御部お
よび第1センサS1、第2センサS2は、メインコント
ローラ47に交信するように接続されており、後述する
通り、メインコントローラ47は第1ローラR1〜第6
ローラR6を図12に示されているように制御する。
The first roller R1, the second roller R2, and the fourth roller R are not limited to the third roller R3 and the fifth roller R5.
The fourth and sixth rollers R6 are also configured to be driven forward and reverse by a motor. Then, the first roller R1
The motor of the sixth roller R6, the control unit of the electromagnetic plunger, the first sensor S1, and the second sensor S2 are connected to communicate with the main controller 47. As described later, the main controller 47 is connected to the first roller R1. ~ 6th
The roller R6 is controlled as shown in FIG.

【0060】ボンディング装置20のステージ31が設
定された場所には、下側押さえ33が昇降装置によって
昇降されるように設備されており、下側押さえ33はキ
ャリア本体3におけるボンド10の外側領域を押さえる
長方形の枠形状に形成されている。下側押さえ33の真
上には下側押さえ33と同形の長方形枠形状に形成され
た上側押さえ34が設備されており、上側押さえ34は
ロータリーアクチュエータ35によって上下方向に往復
揺動されるように支持されている。上側押さえ34は下
側に移動してボンド付テープキャリア1におけるチップ
12の周囲を下側押さえ33に押さえ付けることによ
り、ボンド付テープキャリア1をステージ31に固定す
るようになっている。
At the place where the stage 31 of the bonding apparatus 20 is set, the lower presser 33 is provided so as to be moved up and down by an elevating device, and the lower presser 33 moves the outer region of the bond 10 in the carrier body 3. It is formed in a rectangular frame shape to hold down. Right above the lower holder 33, there is provided an upper holder 34 formed in the same rectangular frame shape as the lower holder 33, and the upper holder 34 is reciprocated vertically by a rotary actuator 35. Supported. The upper retainer 34 moves downward and presses the periphery of the chip 12 in the bonded tape carrier 1 against the lower retainer 33, thereby fixing the bonded tape carrier 1 to the stage 31.

【0061】図4に示されているように、ステージ31
の後脇にはXYテーブル36が設けられており、XYテ
ーブル36はその上に搭載されたボンディングヘッド3
7 をXY方向に移動させるように構成されている。ボン
ディングヘッド37には先端にボンディング工具39を
取り付けられたボンディングアーム38の一端部が支持
されており、ボンディングヘッド37はボンディングア
ーム38を操作することによりボンディング工具39を
上下動させるように構成されている。ボンディング工具
39にはヒータが内蔵されている。
As shown in FIG.
An XY table 36 is provided at the rear side of the XY table 36. The XY table 36 is mounted on the bonding head 3 mounted thereon.
7 is moved in the XY directions. The bonding head 37 supports one end of a bonding arm 38 with a bonding tool 39 attached to the tip. The bonding head 37 is configured to move the bonding tool 39 up and down by operating the bonding arm 38. I have. The bonding tool 39 has a built-in heater.

【0062】XYテーブル36には位置認識装置40を
構成するための画像取り込み装置としての工業用テレビ
カメラ(以下、カメラという。)41がスタンド42に
よって設けられており、カメラ41はステージ31上の
ボンド付テープキャリア1を撮映するようになってい
る。カメラ41にはインナリード認識用測定線を設定す
るインナリード認識用測定線設定部(以下、設定部とい
う。)43が接続されており、設定部43には輝度測定
部44が接続されている。輝度測定部44には加算輝度
分布波形を形成する形成部45が接続され、形成部45
にはインナリードの中心線を判定する判定部46が接続
されている。判定部46はメインコントローラ47に接
続されており、判定結果をメインコントローラ47に送
信するようになっている。ちなみに、メインコントロー
ラ47の一入力端にはXYテーブル36のコントローラ
48が接続されており、メインコントローラ47の出力
端にはモニタ49が接続されている。
The XY table 36 is provided with an industrial television camera (hereinafter, referred to as a camera) 41 as an image capturing device for constituting the position recognition device 40 by a stand 42. The tape carrier 1 with a bond is photographed. An inner lead recognition measurement line setting unit (hereinafter, referred to as a setting unit) 43 for setting an inner lead recognition measurement line is connected to the camera 41, and a luminance measurement unit 44 is connected to the setting unit 43. . The forming unit 45 that forms the added luminance distribution waveform is connected to the luminance measuring unit 44, and the forming unit 45
Is connected to a determination unit 46 for determining the center line of the inner lead. The determination unit 46 is connected to the main controller 47, and transmits a determination result to the main controller 47. Incidentally, a controller 48 of the XY table 36 is connected to one input terminal of the main controller 47, and a monitor 49 is connected to an output terminal of the main controller 47.

【0063】ステージ31の前脇にはウエハシート16
からチップ12を1個ずつピックアップするピックアッ
プ装置50が設けられている。ピックアップ装置50は
ウエハリング17を保持してウエハ15をXY方向に移
動させるXYテーブル51を備えている。XYテーブル
51の真下にはウエハシート16に粘着(水や溶剤、熱
等を使用せずに常温でわずかな圧力を加えるだけで接
着)されたチップ12を1個ずつ突き上げる突き棒52
が設けられている。XYテーブル51の真上にはチップ
10の良否を検出する視覚観測系53が設けられてい
る。
At the front side of the stage 31, the wafer sheet 16
A pickup device 50 is provided for picking up the chips 12 one by one. The pickup device 50 has an XY table 51 that holds the wafer ring 17 and moves the wafer 15 in the XY directions. Immediately below the XY table 51, a push rod 52 for pushing up the chips 12 adhered to the wafer sheet 16 (bonded by applying a slight pressure at room temperature without using water, solvent, heat, etc.) one by one.
Is provided. Right above the XY table 51, there is provided a visual observation system 53 for detecting the quality of the chip 10.

【0064】ピックアップ装置50の片脇にはアライメ
ント装置54が設けられており、アライメント装置54
はXテーブル55、Yテーブル56、Zテーブル57お
よびΘテーブル58を備えており、Θテーブル58がア
ライメントステーション59とステージ31との間を往
復移動し得るように構成されている。アライメントステ
ーション59の真上には視覚観測系60が設けられてお
り、視覚観測系60はメインコントローラ47に交信す
るように接続されている。メインコントローラ47は視
覚観測系60からの観測データに基づいて後述する作動
を制御するようになっている。Θテーブル58の上面は
チップ12を真空力によって吸着して保持することがで
きるように構成されており、保持したチップ12を加熱
し得るように構成されている。
An alignment device 54 is provided on one side of the pickup device 50.
Has an X table 55, a Y table 56, a Z table 57, and a Θ table 58. The Θ table 58 is configured to be able to reciprocate between the alignment station 59 and the stage 31. A visual observation system 60 is provided directly above the alignment station 59, and the visual observation system 60 is connected to communicate with the main controller 47. The main controller 47 controls an operation to be described later based on observation data from the visual observation system 60. The upper surface of the table 58 is configured so that the chips 12 can be suctioned and held by the vacuum force, and the held chips 12 can be heated.

【0065】ピックアップ装置50とアライメントステ
ーション59との間にはハンドリング装置61が設けら
れている。ハンドリング装置61はガイドレール62を
備えており、ガイドレール62にはX軸モータ63によ
って往復移動される移動ブロック64が跨がるように設
けられており、移動ブロック64にはアーム65が支持
されている。アーム65の先端部にはZ軸モータ67に
よって上下動されるコレット66が取り付けられてい
る。コレット66はチップ12を真空力によって吸着し
て保持することができるように構成されている。
A handling device 61 is provided between the pickup device 50 and the alignment station 59. The handling device 61 includes a guide rail 62, and a moving block 64 that is reciprocated by an X-axis motor 63 is provided on the guide rail 62 so as to straddle, and an arm 65 is supported on the moving block 64. ing. A collet 66 that is moved up and down by a Z-axis motor 67 is attached to the distal end of the arm 65. The collet 66 is configured to be able to hold the chip 12 by suction by a vacuum force.

【0066】次に、前記構成に係るボンディング装置に
よる本発明の一実施形態であるμBGA・ICの製造方
法のボンディング方法を説明する。
Next, a description will be given of a bonding method of a method of manufacturing a μBGA IC according to an embodiment of the present invention using the bonding apparatus having the above configuration.

【0067】図12は第1ローラR1〜第6ローラR6
によるボンド付テープキャリア1のステージ31への供
給作動を示している。
FIG. 12 shows a first roller R1 to a sixth roller R6.
Shows the operation of supplying the tape carrier with bond 1 to the stage 31 by the following method.

【0068】図12(a)において、ボンド付テープキ
ャリア1の中間部が上側押さえ34と下側押さえ33と
により拘束された状態で、第1ローラR1および第2ロ
ーラR2がボンド付テープキャリア1の送り方向に対し
て正方向に回転(以下、正回転という。)されると、第
3ローラR3は停止しているため、図12(b)に示さ
れているように、ボンド付テープキャリア1の第2ロー
ラR2と第3ローラR3との間には弛み部が形成され
る。
In FIG. 12A, the first roller R1 and the second roller R2 are connected to the bonded tape carrier 1 while the intermediate portion of the bonded tape carrier 1 is restrained by the upper presser 34 and the lower presser 33. When the third roller R3 is stopped when it is rotated in the forward direction (hereinafter, referred to as forward rotation) with respect to the feeding direction of the tape carrier, as shown in FIG. A slack portion is formed between the first second roller R2 and the third roller R3.

【0069】図12(c)において、上側押さえ34と
下側押さえ33とによる拘束および第3ローラR3によ
る拘束が解除され、続いて、図12(d)に示されてい
るように、第4ローラR4が正回転されると、図12
(e)に示されているように、ボンド付テープキャリア
1の第2ローラR2と第3ローラR3との間の弛みが減
少されるとともに、第4ローラR4と第5ローラR5と
の間に弛みが形成される。
In FIG. 12C, the restraint by the upper presser 34 and the lower presser 33 and the restraint by the third roller R3 are released, and then, as shown in FIG. When the roller R4 is rotated forward, FIG.
As shown in (e), the slack between the second roller R2 and the third roller R3 of the bonded tape carrier 1 is reduced, and the distance between the fourth roller R4 and the fifth roller R5 is reduced. A slack is formed.

【0070】図12(f)において、上側押さえ34と
下側押さえ33との拘束が解除された状態で第3ローラ
R3が閉じられ、第5ローラR5および第6ローラR6
が瞬間的に開閉される。例えば、図2において、メイン
コントローラ47は第5ローラR5の電磁プランジャR
5hを短時間のうちに伸長させた後に短縮させる。
In FIG. 12 (f), the third roller R3 is closed in a state where the restraint between the upper presser 34 and the lower presser 33 is released, and the fifth roller R5 and the sixth roller R6 are closed.
Is momentarily opened and closed. For example, in FIG. 2, the main controller 47 controls the electromagnetic plunger R of the fifth roller R5.
5h is expanded after a short time and then shortened.

【0071】この瞬間的な開閉により、ボンド付テープ
キャリア1は自由状態になるため、ボンド付テープキャ
リア1に発生している偏向や蛇行等の横ずれはボンド付
テープキャリア1自体の復元力によって解消される。こ
のようにして、ボンド付テープキャリア1におけるステ
ージ31よりも下流側区間の横ずれは第5ローラR5お
よび第6ローラR6の瞬間的な開閉に伴うボンド付テー
プキャリア1自体の自己制御機能によって解消されるた
め、ボンド付テープキャリア1を強制的に横移動させて
横ずれを解消させる場合に必要な高精度の制御は必要が
なく、しかも、横ずれの解消に時間が浪費されることは
ない。
The instantaneous opening and closing of the tape carrier with bond 1 is in a free state, and the lateral displacement such as deflection and meandering occurring in the tape carrier with bond 1 is eliminated by the restoring force of the tape carrier with bond 1 itself. Is done. In this manner, the lateral displacement in the section downstream of the stage 31 in the bonded tape carrier 1 is eliminated by the self-control function of the bonded tape carrier 1 itself accompanying the instantaneous opening and closing of the fifth roller R5 and the sixth roller R6. Therefore, it is not necessary to perform the high-precision control necessary when the tape carrier with bond 1 is forcibly moved laterally to eliminate the lateral displacement, and no time is wasted in eliminating the lateral displacement.

【0072】図12(g)において、第3ローラR3が
ボンド付テープキャリア1の送り方向に対して逆方向に
回転(以下、逆回転という。)されると、第4ローラR
4は停止されているため、ボンド付テープキャリア1の
第3ローラR3と第4ローラR4との間は一直線状態に
緊張された状態になる。また、第5ローラR5および第
6ローラR6が正回転されると、第4ローラR4と第5
ローラR5との間の弛みは減少される。
In FIG. 12 (g), when the third roller R3 is rotated in a direction opposite to the feeding direction of the bonded tape carrier 1 (hereinafter, referred to as reverse rotation), the fourth roller R3 is rotated.
Since the roller 4 is stopped, the third roller R3 and the fourth roller R4 of the tape carrier with bond 1 are in tension in a straight line. When the fifth roller R5 and the sixth roller R6 are rotated forward, the fourth roller R4 and the fifth
The slack with the roller R5 is reduced.

【0073】図12(h)において、第3ローラR3が
逆回転されると、上側押さえ34と下側押さえ33とが
閉じられボンド付テープキャリア1が拘束される。この
際、第3ローラR3によってボンド付テープキャリア1
にバックテンションが付与されるため、ボンド付テープ
キャリア1は一直線状に緊張した状態で、上側押さえ3
4と下側押さえ33とによって押さえられた状態にな
る。
In FIG. 12H, when the third roller R3 is rotated in the reverse direction, the upper holder 34 and the lower holder 33 are closed, and the bonded tape carrier 1 is restrained. At this time, the tape carrier 1 with the bond is driven by the third roller R3.
The back-tension is applied to the tape carrier 1 with the bond.
4 and the lower presser 33.

【0074】図12(i)において、第3ローラR3が
閉じられて回転が停止された状態で、第1ローラR1お
よび第2ローラR2が瞬間的に開閉される。例えば、図
2において、メインコントローラ47は第2ローラR2
の電磁プランジャR2hを短時間のうちに伸長させた後
に短縮させる。
In FIG. 12 (i), the first roller R1 and the second roller R2 are momentarily opened and closed with the third roller R3 closed and the rotation stopped. For example, in FIG. 2, the main controller 47 includes a second roller R2.
The electromagnetic plunger R2h of the above is shortened after being extended in a short time.

【0075】この瞬間的な開閉により、ボンド付テープ
キャリア1は自由状態になるため、ボンド付テープキャ
リア1に発生している偏向や蛇行等の横ずれはボンド付
テープキャリア1自体の復元力によって解消される。こ
のようにして、ボンド付テープキャリア1におけるステ
ージ31よりも上流側区間の横ずれは第1ローラR1お
よび第2ローラR2の瞬間的な開閉に伴うボンド付テー
プキャリア1自体の自己制御機能によって解消されるた
め、ボンド付テープキャリア1を強制的に横移動させて
横ずれを解消させる場合に必要な厳格な精度の制御は必
要がなく、しかも、横ずれの解消に時間が浪費されるこ
とはない。
Since the bonded tape carrier 1 is in a free state by this momentary opening and closing, the lateral displacement such as deflection and meandering occurring in the bonded tape carrier 1 is eliminated by the restoring force of the bonded tape carrier 1 itself. Is done. In this manner, the lateral displacement in the section upstream of the stage 31 in the bonded tape carrier 1 is eliminated by the self-control function of the bonded tape carrier 1 itself accompanying the instantaneous opening and closing of the first roller R1 and the second roller R2. Therefore, it is not necessary to perform strict control of the precision required when the tape carrier with bond 1 is forcibly moved laterally to eliminate the lateral displacement, and no time is wasted in eliminating the lateral displacement.

【0076】図12(j)において、ボンド付テープキ
ャリア1が上側押さえ34と下側押さえ33とにより拘
束された状態で、第1ローラR1および第2ローラR2
が正回転されると、第3ローラR3は停止しているた
め、図12(k)に示されているように、ボンド付テー
プキャリア1の第2ローラR2と第3ローラR3との間
には弛み部が形成される。
In FIG. 12 (j), the first roller R1 and the second roller R2 are held in a state where the tape carrier 1 with a bond is restrained by the upper holding member 34 and the lower holding member 33.
Is rotated forward, the third roller R3 is stopped. As shown in FIG. 12 (k), the third roller R3 is moved between the second roller R2 and the third roller R3 of the bonded tape carrier 1. The slack is formed.

【0077】図12(l)において、上側押さえ34と
下側押さえ33とによる拘束および第3ローラR3によ
る拘束が解除され、続いて、図12(m)に示されてい
るように、第4ローラR4が正回転されると、ボンド付
テープキャリア1の第2ローラR2と第3ローラR3と
の間の弛みは減少されるとともに、図12(e)に示さ
れているように、第4ローラR4と第5ローラR5との
間に弛みが形成される。
In FIG. 12 (l), the restraint by the upper presser 34 and the lower presser 33 and the restraint by the third roller R3 are released, and then, as shown in FIG. When the roller R4 is rotated forward, the slack between the second roller R2 and the third roller R3 of the bonded tape carrier 1 is reduced, and the fourth rotation is performed as shown in FIG. A slack is formed between the roller R4 and the fifth roller R5.

【0078】以降、図12(e)からの作動が繰り返さ
れる。そして、図12(h)から図12(k)の間にお
ける上側押さえ34と下側押さえ33とによるボンド付
テープキャリア1の拘束期間において、チップ12のボ
ンド付テープキャリア1へのボンディング作業が実施さ
れる。
Thereafter, the operation from FIG. 12E is repeated. Then, the bonding operation of the chip 12 to the bonded tape carrier 1 is performed during the restraining period of the bonded tape carrier 1 by the upper holder 34 and the lower holder 33 between FIGS. 12 (h) to 12 (k). Is done.

【0079】以上のように、本実施形態においては、チ
ップ12のボンド付テープキャリア1へのボンディング
作業中に、左右両脇においてボンド付テープキャリア1
に弛みを形成させることより、ボンド付テープキャリア
1を予め送っておくことができるため、ボンド付テープ
キャリア1の全体としての搬送時間を短縮することがで
きる。すなわち、ボンド付テープキャリア1を予め送っ
ておかない場合には、全体としての搬送時間はチップ1
2のボンド付テープキャリア1へのボンディング作業時
間によって規定されてしまうが、ボンド付テープキャリ
ア1を予め送って弛みを形成しておけば、その弛みを高
速度で搬送することができるため、その分、全体として
の搬送時間を短縮することができる。
As described above, in the present embodiment, during the bonding operation of the chip 12 to the bonded tape carrier 1, the bonded tape carrier 1
The tape carrier 1 with a bond can be sent in advance by forming a slack on the tape carrier, so that the entire transport time of the tape carrier 1 with a bond can be reduced. In other words, if the tape carrier with bond 1 is not sent in advance, the entire transport time is one chip.
2 is determined by the bonding operation time to the bonded tape carrier 1, but if the bonded tape carrier 1 is sent in advance to form slack, the slack can be conveyed at a high speed. Minutes and the overall transport time can be reduced.

【0080】なお、第2ローラR2と第3ローラR3と
の間に形成される弛みの高さは第1センサS1によって
監視されることより、所定の範囲内に規制される。ま
た、第4ローラR4と第5ローラR5との間に形成され
る弛みの高さは第2センサS2によって監視されること
より、所定の範囲内に規制される。過度の弛みが形成さ
れることによる種々の弊害が、この高さ規制によって防
止される。また、弛みが形成されない状態でボンド付テ
ープキャリア1が高速度で送られてしまうことによるボ
ンド付テープキャリア1の切断が防止される。
The height of the slack formed between the second roller R2 and the third roller R3 is regulated within a predetermined range by being monitored by the first sensor S1. Further, the height of the slack formed between the fourth roller R4 and the fifth roller R5 is regulated within a predetermined range by being monitored by the second sensor S2. Various adverse effects due to the formation of excessive slack are prevented by this height regulation. Further, it is possible to prevent the bonded tape carrier 1 from being cut due to the high-speed feeding of the bonded tape carrier 1 in a state where no slack is formed.

【0081】以上のようにしてステージ31に供給され
たボンド付テープキャリア1に対するチップ12のボン
ディング作業について説明する。
The bonding operation of the chip 12 to the bonded tape carrier 1 supplied to the stage 31 as described above will be described.

【0082】前述した供給作業によってステージ31に
供給されたボンド付テープキャリア1がステージ31に
おいて上側押さえ34と下側押さえ33とによって拘束
されると、ボンド付テープキャリア1におけるインナリ
ード7の位置が位置認識装置40によって図13(a)
に示されているように測定される。
When the bonded tape carrier 1 supplied to the stage 31 by the above-described supply operation is restrained by the upper holder 34 and the lower holder 33 on the stage 31, the position of the inner lead 7 in the bonded tape carrier 1 is changed. FIG.
Is measured as shown in FIG.

【0083】図13(a)において、位置認識装置40
のカメラ41の中心はボンド付テープキャリア1のこれ
からボンディングする領域(以下、被ボンディング部と
いう。)9の座標の原点Oであると仮定すると、被ボン
ディング部9内の各インナリード7をカメラ41によっ
て認識して座標位置を観測することにより、各インナリ
ード7の座標位置と座標原点との位置関係、すなわち、
実際のインナリード7の位置と予め登録されたインナリ
ード7の基準位置との誤差値を求めることができる。
In FIG. 13A, the position recognition device 40
Assuming that the center of the camera 41 is the origin O of the coordinates of a region 9 to be bonded (hereinafter referred to as a bonded portion) 9 of the bonded tape carrier 1, each of the inner leads 7 in the bonded portion 9 is connected to the camera 41. By recognizing and observing the coordinate position, the positional relationship between the coordinate position of each inner lead 7 and the coordinate origin, that is,
An error value between the actual position of the inner lead 7 and a reference position of the inner lead 7 registered in advance can be obtained.

【0084】チップ12はダイシングされてウエハシー
ト16およびウエハリング17に保持されたウエハ15
の状態で、ボンディング装置20におけるピックアップ
装置50に供給されることは、前述した通りである。
The chip 12 is diced and the wafer 15 held on the wafer sheet 16 and the wafer ring 17 is diced.
Is supplied to the pickup device 50 in the bonding device 20 in the state described above.

【0085】ピックアップ装置50において、視覚観測
系53の観測に基づいて、XYテーブル51はウエハシ
ート16の上における良品のチップ12を突き棒52の
真上に位置させる。突き棒52はウエハシート16を下
から突いて良品のチップ12を突き上げる。ウエハシー
ト16から突き上げられたチップ12はハンドリング装
置61のコレット66に真空力によって吸着されてピッ
クアップされる。
In the pickup device 50, based on the observation of the visual observation system 53, the XY table 51 positions the non-defective chips 12 on the wafer sheet 16 directly above the push rod 52. The push rod 52 pushes the wafer sheet 16 from below to push up a good chip 12. The chips 12 pushed up from the wafer sheet 16 are sucked by the collet 66 of the handling device 61 by a vacuum force and picked up.

【0086】コレット66に保持されたチップ12はハ
ンドリング装置61によってアライメント装置54のア
ライメントステーション59に搬送され、チップ保持台
を兼用するΘテーブル58に移載される。アライメント
装置54のアライメントステーション59において、チ
ップ12は視覚観測系60によって観測される。視覚観
測系60はその観測データをメインコントローラ47に
送信する。メインコントローラ47は送信されて来たチ
ップ12の電極パッド14の位置に関するデータを基準
データと比較して、その誤差値を解消する補正値を図1
3(b)に示されているように求める。メインコントロ
ーラ47はその補正値に基づいてテーブル55、Yテー
ブル56およびΘテーブル57を制御することにより、
チップ12のXY方向およびΘ方向の位置ずれを補正し
てアライメントする。
The chips 12 held by the collet 66 are conveyed by the handling device 61 to the alignment station 59 of the alignment device 54, and are transferred to the Θ table 58 which also serves as a chip holding table. At the alignment station 59 of the alignment device 54, the chip 12 is observed by the visual observation system 60. The visual observation system 60 transmits the observation data to the main controller 47. The main controller 47 compares the transmitted data on the position of the electrode pad 14 of the chip 12 with the reference data, and determines a correction value for eliminating the error value in FIG.
3 (b). The main controller 47 controls the table 55, the Y table 56, and the Θ table 57 based on the correction value,
The misalignment of the chip 12 in the XY and Θ directions is corrected and alignment is performed.

【0087】図13(b)において、視覚観測系60の
中心はチップ12の座標の原点であると仮定すると、電
極パッド14を視覚観測系60によって認識して座標位
置を観測することにより、各電極パッド14の座標位置
と座標原点との位置関係、すなわち、各電極パッド14
の実際の位置と各電極パッド14の予め登録された基準
位置との誤差値を求めることができるため、チップ12
の中心の座標原点に対する誤差値は求めることができ
る。
In FIG. 13B, assuming that the center of the visual observation system 60 is the origin of the coordinates of the chip 12, the visual observation system 60 recognizes the electrode pad 14 and observes the coordinate position. The positional relationship between the coordinate position of the electrode pad 14 and the coordinate origin, that is, each electrode pad 14
Error value between the actual position of the chip 12 and the pre-registered reference position of each electrode pad 14 can be obtained.
The error value with respect to the coordinate origin of the center of can be obtained.

【0088】以上のようにしてアライメントステーショ
ン59において基準位置に対する誤差値を補正されたチ
ップ12はステージ31に、アライメント装置54のX
テーブル55およびYテーブル56によって予め設定さ
れた基準量だけ平行移動される。この平行移動により、
チップ12はステージ31の被ボンディング部9の真下
に配置されるが、図13(c)に示されているように、
チップ12の電極パッド14が被ボンディング部9のイ
ンナリード7に重ならないように予め設定された値だけ
オフセットされた状態に配置される。
The chip 12 whose error value with respect to the reference position has been corrected in the alignment station 59 as described above is placed on the stage 31 by the X
The table 55 and the Y table 56 are translated by a reference amount set in advance. With this translation,
The chip 12 is disposed directly below the bonded portion 9 of the stage 31. As shown in FIG.
The electrode pads 14 of the chip 12 are arranged so as to be offset by a preset value so as not to overlap the inner leads 7 of the bonded portion 9.

【0089】ステージ31に被ボンディング部9にオフ
セットされた状態で配置されたチップ12の電極パッド
14が、位置認識装置40によって被ボンディング部9
の窓孔6を通して測定される。この際、図13(c)に
示されているように、電極パッド14はインナリード7
に重ならないようにオフセットされているため、位置認
識装置40はインナリード7の影響を受けずに電極パッ
ド14の中心を正確に求めることができる。
The electrode pads 14 of the chip 12 arranged on the stage 31 in an offset state with respect to the bonding portion 9 are moved by the position recognition device 40 to the bonding portion 9.
Is measured through the window hole 6. At this time, as shown in FIG. 13C, the electrode pad 14 is
The position recognition device 40 can accurately determine the center of the electrode pad 14 without being affected by the inner lead 7 because it is offset so as not to overlap.

【0090】ところで、電極パッド14がインナリード
7に対してオフセットされずに配置された場合におい
て、例えば、電極パッド14が上側に位置するインナリ
ード7と図13(d)に示されているように重なり合っ
ていると、位置認識装置40は電極パッド14の中心が
O’であると、誤判定してしまう。このように電極パッ
ド14の中心が誤判定されると、電極パッド14とイン
ナリード7との位置が補正によって合わせ込まれる際
に、誤差が発生してしまうため、電極パッド14に対す
るインナリード7のシングルポイントボンディングに誤
差が発生してしまうことになる。
By the way, when the electrode pads 14 are arranged without being offset with respect to the inner leads 7, for example, as shown in FIG. , The position recognition device 40 erroneously determines that the center of the electrode pad 14 is O ′. If the center of the electrode pad 14 is erroneously determined as described above, an error occurs when the positions of the electrode pad 14 and the inner lead 7 are adjusted by correction, and thus the inner lead 7 An error will occur in single point bonding.

【0091】しかし、本実施形態においては、電極パッ
ド14がインナリード7に対して図13(c)に示され
ているようにオフセットされて配置されることにより、
電極パッド14が上側に位置するインナリード7と重な
り合わないため、位置認識装置40は電極パッド14の
中心を正確に判定することができる。また、位置認識を
するためのカメラ41の視野を電極パッド14の領域に
絞り込むことも可能であるため、認識精度をより一層高
めることができる。このように電極パッド14の中心O
が正確に判定されると、電極パッド14とインナリード
7との位置を補正によって正確に合わせ込むことができ
るため、電極パッド14に対してインナリード7を精密
にシングルポイントボンディングすることができる。
However, in this embodiment, the electrode pads 14 are arranged offset from the inner leads 7 as shown in FIG.
Since the electrode pad 14 does not overlap the inner lead 7 located on the upper side, the position recognition device 40 can accurately determine the center of the electrode pad 14. Further, since the field of view of the camera 41 for position recognition can be narrowed down to the area of the electrode pad 14, the recognition accuracy can be further improved. Thus, the center O of the electrode pad 14 is
Is accurately determined, the positions of the electrode pads 14 and the inner leads 7 can be accurately adjusted by correction, so that the inner leads 7 can be precisely single-point bonded to the electrode pads 14.

【0092】ステージ31におけるチップ12の電極パ
ッド14の実際の位置が認識されると、メインコントロ
ーラ47は前述した実際のインナリード7の位置と照合
することにより、誤差値を算出してその補正値を求め
る。そして、メインコントローラ47はアライメント装
置54のXテーブル55、Yテーブル56およびΘテー
ブル57を制御することにより、この補正値によってチ
ップ12の位置を補正するとともに、チップ12をオフ
セット位置から正規の位置へ配置する。すなわち、チッ
プ12は予め設定されたオフセット値および補正値分だ
けオフセット位置から配置し直される。
When the actual position of the electrode pad 14 of the chip 12 on the stage 31 is recognized, the main controller 47 calculates an error value by comparing the actual position of the inner lead 7 with the above-mentioned position, and corrects the error value. Ask for. The main controller 47 controls the X table 55, the Y table 56, and the Θ table 57 of the alignment device 54 to correct the position of the chip 12 with the correction value and move the chip 12 from the offset position to the normal position. Deploy. That is, the chip 12 is rearranged from the offset position by the offset value and the correction value set in advance.

【0093】以上のようにしてチップ12がボンド付テ
ープキャリア1の被ボンディング部9に正確にアライメ
ントされると、チップ12がZテーブル57によって上
昇されるとともに、ボンディング工具39がボンディン
グヘッド37によって下降される。これにより、チップ
12が被ボンディング部9のボンド10の下面に押し付
けられるとともに、チップ12およびボンド10が加熱
されるため、チップ12はボンド10に熱圧着され、チ
ップ12はボンド付テープキャリア1の被ボンディング
部9にボンド10の接着層によってボンディングされた
状態になる。
When the chip 12 is correctly aligned with the bonded portion 9 of the bonded tape carrier 1 as described above, the chip 12 is raised by the Z table 57 and the bonding tool 39 is lowered by the bonding head 37. Is done. As a result, the chip 12 is pressed against the lower surface of the bond 10 of the portion 9 to be bonded, and the chip 12 and the bond 10 are heated. Therefore, the chip 12 is thermocompression-bonded to the bond 10, and the chip 12 is attached to the bonded tape carrier 1. The bonding portion 9 is bonded to the bonding portion 9 by the adhesive layer of the bond 10.

【0094】チップ12がボンド付テープキャリア1の
被ボンディング部9にボンディングされると、ボンド付
テープキャリア1が前述したボンド付テープキャリア1
のステージへの供給および位置決め方法によって1ピッ
チp分だけ送られる。以降、前述した作動が繰り返し実
行されることにより、ローディングリール21から繰り
出されるボンド付テープキャリア1についてボンディン
グ方法が順次実行されて行く。
When the chip 12 is bonded to the bonded portion 9 of the tape carrier with bond 1, the tape carrier with bond 1 is connected to the tape carrier 1 with bond as described above.
Is sent by one pitch p according to the supply and positioning method of the stage. Thereafter, the bonding method is sequentially performed on the bonded tape carrier 1 fed from the loading reel 21 by repeatedly performing the above-described operation.

【0095】その後、μBGA・ICの製造方法におけ
るインナリードボンディング工程において、図14に示
されているように、チップ12の電極パッド14にボン
ド付テープキャリア1のインナリード7がインナリード
ボンディングされ、同じく樹脂封止体成形工程におい
て、テープキャリア2の各窓孔6の内部にエラストマや
シリコンゴム等の絶縁材料がポッティングされることに
よって、インナリード7群および電極パッド14群が樹
脂封止部によって樹脂封止される。
Thereafter, in the inner lead bonding step in the method of manufacturing the μBGA IC, as shown in FIG. 14, the inner lead 7 of the tape carrier 1 with the bond is inner lead bonded to the electrode pad 14 of the chip 12, Similarly, in the resin sealing body forming step, an insulating material such as an elastomer or silicon rubber is potted inside each window hole 6 of the tape carrier 2 so that the inner leads 7 and the electrode pads 14 are formed by the resin sealing portion. It is sealed with resin.

【0096】また、μBGA・ICの製造方法における
バンプ形成工程において、テープキャリア2の各アウタ
リード8における各バンプホール5の底で露出した部位
に半田ボールが半田付けされることにより、バンプ形成
部4の上面から突出したバンプがテープキャリア2に形
成される。
In the bump forming step in the method of manufacturing the μBGA IC, the solder balls are soldered to the portions of each outer lead 8 of the tape carrier 2 which are exposed at the bottom of each bump hole 5, so that the bump forming section 4 is formed. Are formed on the tape carrier 2.

【0097】以上、説明した製造方法により、図14に
示されているμBGA・IC19が製造されたことにな
る。
The μBGA IC 19 shown in FIG. 14 has been manufactured by the manufacturing method described above.

【0098】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment, the invention is not limited to the embodiment, and various changes can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say.

【0099】例えば、ステージの上流側および下流側に
弛みをボンド付テープキャリアの送りによって交互に形
成させ、双方の弛みをボンド付テープキャリアの送りに
より交互に解消させる方法および構成は、ボンディング
時間に余裕を設定することができる場合等においては省
略してもよい。
For example, a method and a structure in which slacks are formed alternately on the upstream side and the downstream side of the stage by feeding a tape carrier with a bond and both slacks are alternately eliminated by feeding the tape carrier with a bond are described below. This may be omitted when a margin can be set.

【0100】また、ローラを瞬間的に開閉させることに
よってボンド付テープキャリアの横ずれを解消させる方
法および構成は、ボンド付テープキャリアをスプロケッ
トによって搬送することができる場合等においては省略
してもよい。
The method and structure for eliminating the lateral displacement of the bonded tape carrier by instantaneously opening and closing the rollers may be omitted when the bonded tape carrier can be transported by a sprocket.

【0101】チップをキャリアの指定された位置に対し
て予め設定された値だけずらされて配置した後に、指定
された位置に配置し直してボンディングする方法および
構成は、チップをキャリアにボンドを介してボンディン
グする場合に限らず、TCP・ICのインナリードボン
ディング方法のように、チップをキャリアのインナリー
ドに機械的かつ電気的に接続(インナリードボンディン
グ)する場合等に適用することができる。
A method and a configuration for bonding a chip by disposing a chip at a predetermined value with respect to a specified position of a carrier, and then re-arranging the chip at a specified position and bonding the chip to the carrier via a bond. The present invention can be applied not only to the case where the chip is bonded by bonding but also to the case where the chip is mechanically and electrically connected to the inner lead of the carrier (inner lead bonding) as in the case of the inner lead bonding method of TCP / IC.

【0102】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるμBG
A・ICの製造技術に適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではなく、その他のCSP・
ICやTCP・IC等の半導体集積回路装置の製造技術
全般に適用することができる。
In the above description, the invention made mainly by the present inventor is described in terms of the application field μBG which is the background of the invention.
A case where the present invention is applied to A / IC manufacturing technology has been described, but the present invention is not limited to this case.
The present invention can be applied to all manufacturing technologies for semiconductor integrated circuit devices such as ICs and TCP / ICs.

【0103】[0103]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
The effects obtained by typical aspects of the invention disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0104】摩擦ローラを瞬間的に開閉させることによ
り、キャリアの横ずれを解消させることができるため、
ボンディング時間の増加を回避しつつキャリアの横ずれ
を防止することができる。
The lateral displacement of the carrier can be eliminated by instantaneously opening and closing the friction roller.
The lateral displacement of the carrier can be prevented while avoiding an increase in the bonding time.

【0105】ステージの上流側および下流側に弛みをキ
ャリアの送りによって交互に形成させ、双方の弛みをキ
ャリアの送りにより交互に解消させることにより、交互
に形成される弛みを解消される間にキャリアを早く送る
ことができるため、キャリアの全体としての搬送時間を
短く設定しつつ、長いボンディング時間を確保すること
ができる。
The slack is alternately formed on the upstream and downstream sides of the stage by feeding the carrier, and both slacks are alternately eliminated by feeding the carrier, so that the slack formed alternately is eliminated. , It is possible to secure a long bonding time while shortening the transport time of the entire carrier.

【0106】半導体チップをキャリアの指定された位置
に対して予め設定された値だけずらされて配置した後
に、指定された位置に配置し直してボンディングするこ
とにより、半導体チップを認識し易い位置に配置して半
導体チップの位置を観測することができるため、半導体
チップをキャリアの指定位置に正確にボンディングする
ことができる。
After the semiconductor chip is displaced by a predetermined value from the designated position of the carrier, the semiconductor chip is relocated to the designated position and bonded, so that the semiconductor chip can be easily recognized. Since the position of the semiconductor chip can be observed by arranging the semiconductor chip, the semiconductor chip can be accurately bonded to the specified position of the carrier.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態であるボンディング装置の
ボンディング部を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a bonding section of a bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】その一部切断正面図である。FIG. 2 is a partially cut front view thereof.

【図3】その平面図である。FIG. 3 is a plan view thereof.

【図4】その側面断面図である。FIG. 4 is a side sectional view thereof.

【図5】本発明の一実施形態であるボンディング装置の
全体を示す正面図である。
FIG. 5 is a front view showing the entirety of a bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図6】その平面図である。FIG. 6 is a plan view thereof.

【図7】ボンド付テープキャリアを示す一部省略平面図
である。
FIG. 7 is a partially omitted plan view showing a tape carrier with a bond.

【図8】(a)は同じく一部切断正面図、(b)は一部
切断側面図である。
8 (a) is a partially cut front view and FIG. 8 (b) is a partially cut side view.

【図9】チップを示しており、(a)は平面図、(b)
は一部切断正面図、(c)は拡大した一部切断側面図で
ある。
9A and 9B show a chip, wherein FIG. 9A is a plan view and FIG.
Is a partially cut front view, and (c) is an enlarged partially cut side view.

【図10】ボンディング後を示す一部省略平面図であ
る。
FIG. 10 is a partially omitted plan view showing a state after bonding.

【図11】同じくボンディング後を示しており、(a)
は一部切断正面図、(b)は一部切断側面図である。
FIG. 11 also shows a state after bonding, and (a)
Is a partially cut front view, and (b) is a partially cut side view.

【図12】ローラ群によるボンド付テープキャリアのス
テージへの供給作動を示す説明図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram showing an operation of supplying a tape carrier with a bond to a stage by a group of rollers.

【図13】被ボンディング部とチップとのアライメント
を示す説明図である。
FIG. 13 is an explanatory diagram showing alignment between a bonded portion and a chip.

【図14】製造されたμBGA・ICを示す正面断面図
である。
FIG. 14 is a front sectional view showing the manufactured μBGA · IC.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ボンド付テープキャリア、2…テープキャリア、3
…キャリア本体、3A…パーフォレーション、4…バン
プ形成部、5…バンプホール、6…窓孔、7…インナリ
ード、8…アウタリード、9…被ボンディング部、10
…絶縁膜、11…窓孔、12…チップ、13…パッシベ
ーション膜、14…電極パッド、15…ウエハ、16…
ウエハシート、17…ウエハリング、19…μBGA・
IC、20…ボンディング装置、21…ローディングリ
ール、22…アンローディングリール、23…スペーサ
テープ巻取りリール、24…スペーサテープ、25…ス
ペーサテープ繰出しリール、26…スペーサテープ、2
7…プリベーク炉、28…ローラ、29…アフタベーク
炉、30…ローラ、31…ボンディングステージ、32
…ガイドレール、R1…第1ローラ、R2…第2ロー
ラ、R3…第3ローラ、R4…第4ローラ、R5…第5
ローラ、R6…第6ローラ、33…下側押さえ、34…
上側押さえ、35…ロータリーアクチュエータ、36…
XYテーブル、37…ボンディングヘッド、38…ボン
ディングアーム、39…ボンディング工具、40…位置
認識装置、41…カメラ、42…スタンド、43…イン
ナリード認識用測定線設定部、44…輝度測定部、45
…加算輝度分布波形成部、46…判定部、47…メイン
コントローラ、48…コントローラ、49…モニタ、5
0…ピックアップ装置、51…XYテーブル、52…突
き棒、53…視覚観測系、54…アライメント装置、5
5…Xテーブル、56…Yテーブル、57…Zテーブ
ル、58…Θテーブル、59…アライメントステーショ
ン、60…視覚観測系、61…ハンドリング装置、62
…ガイドレール、63…X軸モータ、64…移動ブロッ
ク、65…アーム、66…コレット、67…Z軸モー
タ。
1. Tape carrier with bond 2. Tape carrier 3,
... Carrier body, 3A ... Perforation, 4 ... Bump forming part, 5 ... Bump hole, 6 ... Window hole, 7 ... Inner lead, 8 ... Outer lead, 9 ... Part to be bonded, 10
... insulating film, 11 ... window hole, 12 ... chip, 13 ... passivation film, 14 ... electrode pad, 15 ... wafer, 16 ...
Wafer sheet, 17: Wafer ring, 19: μBGA ・
IC, 20: bonding apparatus, 21: loading reel, 22: unloading reel, 23: spacer tape take-up reel, 24: spacer tape, 25: spacer tape feeding reel, 26: spacer tape, 2
7: Pre-bake furnace, 28: Roller, 29: After-bake furnace, 30: Roller, 31: Bonding stage, 32
... Guide rail, R1 ... First roller, R2 ... Second roller, R3 ... Third roller, R4 ... Fourth roller, R5 ... Fifth
Roller, R6 ... Sixth roller, 33 ... Lower presser, 34 ...
Upper retainer, 35 ... Rotary actuator, 36 ...
XY table, 37 bonding head, 38 bonding arm, 39 bonding tool, 40 position recognition device, 41 camera, 42 stand, 43 measurement line setting unit for inner lead recognition, 44 luminance measurement unit, 45
... addition luminance distribution wave forming unit, 46 ... determining unit, 47 ... main controller, 48 ... controller, 49 ... monitor, 5
0: pickup device, 51: XY table, 52: stick, 53: visual observation system, 54: alignment device, 5
5 X table, 56 Y table, 57 Z table, 58 Θ table, 59 alignment station, 60 visual observation system, 61 handling device, 62
... Guide rail, 63 ... X-axis motor, 64 ... Move block, 65 ... Arm, 66 ... Collet, 67 ... Z-axis motor.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 須田 富司 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Tomoji Suda 3-3-2 Fujibashi, Ome-shi, Tokyo Inside Hitachi Tokyo Electronics Corporation

Claims (20)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 テープ状に形成されたキャリアが摩擦ロ
ーラによって搬送され、キャリアの指定された位置に半
導体チップがボンディングされるボンディング工程を備
えている半導体集積回路装置の製造方法において、 前記摩擦ローラが瞬間的に開閉されることによって前記
キャリアの横ずれが解消されることを特徴とする半導体
集積回路装置の製造方法。
1. A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device comprising a bonding step in which a carrier formed in a tape shape is transported by a friction roller and a semiconductor chip is bonded to a specified position of the carrier. Wherein the lateral shift of the carrier is eliminated by instantaneously opening and closing the semiconductor integrated circuit device.
【請求項2】 前記摩擦ローラの瞬間的な開閉が、前記
キャリアに対して区間を分けて実施されることを特徴と
する請求項1に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
2. The method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the instantaneous opening and closing of the friction roller is performed in sections with respect to the carrier.
【請求項3】 前記摩擦ローラの瞬間的な開閉が、前記
キャリアに対して前記半導体チップがボンディングされ
るステージの上流側と下流側とに分けて実施されること
を特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置の製
造方法。
3. The method according to claim 1, wherein the instantaneous opening and closing of the friction roller is performed separately on an upstream side and a downstream side of a stage where the semiconductor chip is bonded to the carrier. A manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device according to the above.
【請求項4】 テープ状に形成されたキャリアが摩擦ロ
ーラによって搬送され、キャリアの指定された位置に半
導体チップがボンディングされるボンディング装置にお
いて、 前記摩擦ローラが瞬間的に開閉されることによって前記
キャリアの横ずれが解消されることを特徴とするボンデ
ィング装置。
4. A bonding apparatus in which a carrier formed in a tape shape is conveyed by a friction roller and a semiconductor chip is bonded to a specified position of the carrier. The carrier is opened and closed instantaneously by the friction roller. A bonding apparatus characterized in that the lateral displacement of the bonding is eliminated.
【請求項5】 前記摩擦ローラが複数組、前記キャリア
の搬送方向に間隔が置かれて配列されており、前記摩擦
ローラの瞬間的な開閉が隣合う摩擦ローラ間にて同時に
実施されることを特徴とする請求項4に記載のボンディ
ング装置。
5. A method according to claim 1, wherein a plurality of sets of the friction rollers are arranged at intervals in a carrier conveying direction, and the instantaneous opening and closing of the friction rollers is simultaneously performed between adjacent friction rollers. The bonding apparatus according to claim 4, wherein
【請求項6】 前記摩擦ローラが複数組、前記キャリア
の搬送方向に間隔が置かれて配列されており、前記摩擦
ローラの瞬間的な開閉が前記キャリアに対して前記半導
体チップがボンディングされるステージの上流側と下流
側とに分けて実施されることを特徴とする請求項4に記
載のボンディング装置。
6. A stage in which a plurality of sets of the friction rollers are arranged at intervals in a carrier conveying direction, and the semiconductor chip is bonded to the carrier by instantaneous opening and closing of the friction rollers. The bonding apparatus according to claim 4, wherein the bonding is performed separately for an upstream side and a downstream side.
【請求項7】 テープ状に形成されたキャリアが摩擦ロ
ーラによって搬送され、キャリアの指定された位置に半
導体チップがボンディングされるボンディング工程を備
えている半導体集積回路装置の製造方法において、 前記キャリアに対して前記半導体チップがボンディング
されるステージの上流側および下流側に弛みが、前記キ
ャリアの送りによって交互に形成され、双方の弛みが前
記キャリアの送りにより交互に解消されることを特徴と
する半導体集積回路装置の製造方法。
7. A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device, comprising a bonding step in which a carrier formed in a tape shape is transported by a friction roller and a semiconductor chip is bonded to a specified position of the carrier. On the other hand, slack is formed alternately on the upstream and downstream sides of the stage to which the semiconductor chip is bonded by feeding the carrier, and both slacks are alternately eliminated by feeding the carrier. A method for manufacturing an integrated circuit device.
【請求項8】 前記上流側の弛みが形成されている期間
に前記キャリアに対して前記チップがボンディングされ
ることを特徴とする請求項7に記載の半導体集積回路装
置の製造方法。
8. The method according to claim 7, wherein the chip is bonded to the carrier while the slack on the upstream side is formed.
【請求項9】 前記弛みの高さが規制されることを特徴
とする請求項7に記載の半導体集積回路装置の製造方
法。
9. The method according to claim 7, wherein the height of the slack is regulated.
【請求項10】 テープ状に形成されたキャリアが摩擦
ローラによって搬送され、キャリアの指定された位置に
半導体チップがボンディングされるボンディング装置に
おいて、 前記キャリアに対して前記半導体チップがボンディング
されるステージの上流側および下流側に弛みが、前記キ
ャリアの送りによって交互に形成され、双方の弛みが前
記キャリアの送りにより交互に解消されることを特徴と
するボンディング装置。
10. A bonding apparatus in which a carrier formed in a tape shape is conveyed by a friction roller and a semiconductor chip is bonded to a designated position of the carrier, wherein a stage on which the semiconductor chip is bonded to the carrier is provided. A bonding apparatus wherein slacks are formed alternately on the upstream side and the downstream side by feeding the carrier, and both slacks are alternately eliminated by feeding the carrier.
【請求項11】 前記上流側の弛みが形成されている期
間に前記キャリアに対して前記チップがボンディングさ
れることを特徴とする請求項10に記載のボンディング
装置。
11. The bonding apparatus according to claim 10, wherein the chip is bonded to the carrier during a period in which the slack on the upstream side is formed.
【請求項12】 前記弛みの高さが規制されることを特
徴とする請求項10に記載のボンディング装置。
12. The bonding apparatus according to claim 10, wherein a height of the slack is regulated.
【請求項13】 テープ状に形成されたキャリアが摩擦
ローラによって搬送され、キャリアの指定された位置に
半導体チップがボンディングされるボンディング工程を
備えている半導体集積回路装置の製造方法において、 前記摩擦ローラが瞬間的に開閉されることによって前記
キャリアの横ずれが解消され、 前記キャリアに対して前記半導体チップがボンディング
されるステージの上流側および下流側に弛みが、前記キ
ャリアの送りによって交互に形成され、双方の弛みが前
記キャリアの送りにより交互に解消されることを特徴と
する半導体集積回路装置の製造方法。
13. A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device, comprising a bonding step in which a carrier formed in a tape shape is transported by a friction roller and a semiconductor chip is bonded to a specified position of the carrier. The lateral displacement of the carrier is eliminated by instantaneously opening and closing, and slack is formed on the upstream side and the downstream side of the stage on which the semiconductor chip is bonded to the carrier, and the slack is alternately formed by feeding the carrier, A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device, wherein both slacks are alternately eliminated by feeding the carrier.
【請求項14】 前記弛みが形成されている期間に前記
摩擦ローラが瞬間的に開閉されることを特徴とする請求
項13に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
14. The method according to claim 13, wherein the friction roller is opened and closed instantaneously during the period in which the slack is formed.
【請求項15】 テープ状に形成されたキャリアが摩擦
ローラによって搬送され、キャリアの指定された位置に
半導体チップがボンディングされるボンディング装置に
おいて、 前記摩擦ローラが瞬間的に開閉されることによって前記
キャリアの横ずれが解消され、 前記キャリアに対して前記半導体チップがボンディング
されるステージの上流側および下流側に弛みが前記キャ
リアの送りによって交互に形成され、双方の弛みが前記
キャリアの送りにより交互に解消されることを特徴とす
るボンディング装置。
15. A bonding apparatus in which a carrier formed in a tape shape is conveyed by a friction roller and a semiconductor chip is bonded to a designated position of the carrier. The carrier is opened and closed instantaneously by the friction roller. And the slack is alternately formed on the upstream side and the downstream side of the stage where the semiconductor chip is bonded to the carrier by sending the carrier, and both slacks are alternately eliminated by sending the carrier. A bonding apparatus characterized by being performed.
【請求項16】 前記弛みが形成されている期間に前記
摩擦ローラが瞬間的に開閉されることを特徴とする請求
項15に記載のボンディング装置。
16. The bonding apparatus according to claim 15, wherein the friction roller is opened and closed instantaneously during the period in which the slack is formed.
【請求項17】 キャリアの指定された位置に半導体チ
ップがボンディングされるボンディング工程を備えてい
る半導体集積回路装置の製造方法において、 前記半導体チップが前記キャリアの指定された位置に対
して予め設定された値だけずらされて配置された後に、
指定された位置に配置され直してボンディングされるこ
とを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
17. A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device comprising a bonding step of bonding a semiconductor chip to a specified position of a carrier, wherein the semiconductor chip is set in advance to a specified position of the carrier. After being shifted by
A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device, wherein the semiconductor integrated circuit device is repositioned at a designated position and bonded.
【請求項18】 前記配置し直される際に、ずらされて
配置された前記半導体チップの位置が測定されて誤差を
求められ、求められた誤差が解消されるように指定され
た位置に配置され直されることを特徴とする請求項17
に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
18. The semiconductor device according to claim 1, wherein the position of the semiconductor chip shifted is measured at the time of the rearrangement, an error is obtained, and the semiconductor chip is arranged at a designated position so as to eliminate the obtained error. 18. The method according to claim 17, wherein the correction is performed.
3. The method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to 1.
【請求項19】 キャリアの指定された位置に半導体チ
ップがボンディングされるボンディング装置において、 前記半導体チップが前記キャリアの指定された位置に対
して予め設定された値だけずらされて配置された後に、
指定された位置に配置され直してボンディングされるこ
とを特徴とするボンディング装置。
19. A bonding apparatus for bonding a semiconductor chip to a specified position of a carrier, wherein the semiconductor chip is arranged by being shifted by a preset value with respect to the specified position of the carrier,
A bonding apparatus, wherein the bonding apparatus is repositioned at a designated position and bonded.
【請求項20】 前記配置し直される際に、ずらされて
配置された前記半導体チップの位置が測定されて誤差を
求められ、求められた誤差が解消されるように指定され
た位置に配置され直されることを特徴とする請求項19
に記載のボンディング装置。
20. At the time of the rearrangement, the position of the semiconductor chip shifted and measured is measured to determine an error, and the semiconductor chip is arranged at a designated position so as to eliminate the determined error. 20. The method of claim 19, wherein
3. The bonding apparatus according to claim 1.
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