JPH11162915A - 洗浄装置、及びウエハ形状材料の洗浄方法 - Google Patents
洗浄装置、及びウエハ形状材料の洗浄方法Info
- Publication number
- JPH11162915A JPH11162915A JP27170198A JP27170198A JPH11162915A JP H11162915 A JPH11162915 A JP H11162915A JP 27170198 A JP27170198 A JP 27170198A JP 27170198 A JP27170198 A JP 27170198A JP H11162915 A JPH11162915 A JP H11162915A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cleaning
- liquid
- shaped material
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来技術に比べて改良された特徴を有し、か
つ従来技術の欠点を持たず、そして特に、種々のウエハ
を同様に迅速かつ周到に洗浄し、更に、同様に揮発性洗
浄液の使用も可能にする洗浄装置及び洗浄方法を提供す
ることにある。 【解決手段】 ウエハ形状材料用保持装置と、液体収集
装置と、薄層状の流れを形成させるノズル装置とを備え
ている洗浄装置。そして、該洗浄装置を利用した洗浄方
法。
つ従来技術の欠点を持たず、そして特に、種々のウエハ
を同様に迅速かつ周到に洗浄し、更に、同様に揮発性洗
浄液の使用も可能にする洗浄装置及び洗浄方法を提供す
ることにある。 【解決手段】 ウエハ形状材料用保持装置と、液体収集
装置と、薄層状の流れを形成させるノズル装置とを備え
ている洗浄装置。そして、該洗浄装置を利用した洗浄方
法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ形状材料の
洗浄装置及び洗浄方法に関する。
洗浄装置及び洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス、石英、石、グラファイト、セラ
ミック、または、例えばルビー若しくはガリウム−ガド
リニウムガーネットのごとき酸化材料、または、例えば
ガリウム−砒素若しくは燐化インジウム若しくはゲルマ
ニウム若しくはシリコンのごとき半導体材料からなるロ
ッド形状材料から、ウエハ形状材料を製造するために、
これらの材料は、ワイヤウェブを用いる設計のなされた
ワイヤソーによって切断される。例えば、電子部品の製
造に必要とされるシリコンウエハはワイヤウェブを備え
る鋸引き機械によってロッド形状の単結晶材料から鋸引
きされる。前記機械は、シリコンロッドから、例えば１
００μｍ以上の非常に薄いシリコンウエハを鋸引きする
ことができる。ワイヤソーは、張力を加えられている１
０００本以上のワイヤが互いに一定の距離をおいて並列
形成されているワイヤウェブを有し、前記ワイヤは、所
望のウエハ厚さを達成すること、及びワークプレートに
付着しつつ支持体に固定されているロッド形状材料が単
一通路を通って鋸引きされることを目的としてウェブま
わりを走行している。そのようにすることで、ワイヤソ
ーのワイヤとほぼ同一の厚さである溝が、ロッド形状の
材料内に鋸引きされ、２つの溝の間にウエハが形成され
る。
ミック、または、例えばルビー若しくはガリウム−ガド
リニウムガーネットのごとき酸化材料、または、例えば
ガリウム−砒素若しくは燐化インジウム若しくはゲルマ
ニウム若しくはシリコンのごとき半導体材料からなるロ
ッド形状材料から、ウエハ形状材料を製造するために、
これらの材料は、ワイヤウェブを用いる設計のなされた
ワイヤソーによって切断される。例えば、電子部品の製
造に必要とされるシリコンウエハはワイヤウェブを備え
る鋸引き機械によってロッド形状の単結晶材料から鋸引
きされる。前記機械は、シリコンロッドから、例えば１
００μｍ以上の非常に薄いシリコンウエハを鋸引きする
ことができる。ワイヤソーは、張力を加えられている１
０００本以上のワイヤが互いに一定の距離をおいて並列
形成されているワイヤウェブを有し、前記ワイヤは、所
望のウエハ厚さを達成すること、及びワークプレートに
付着しつつ支持体に固定されているロッド形状材料が単
一通路を通って鋸引きされることを目的としてウェブま
わりを走行している。そのようにすることで、ワイヤソ
ーのワイヤとほぼ同一の厚さである溝が、ロッド形状の
材料内に鋸引きされ、２つの溝の間にウエハが形成され
る。
【０００３】ただし、これらのウエハは、例えば、グラ
ファイト、ガラス、プラスチツク等からなるワークプレ
ートに付着しているので、該ウエハは櫛歯形の形状、す
なわちコームを成す。これは、ロッド形状材料が、長手
方向軸線に対して完全に垂直をなして鋸引きされ、更に
該ロッド形状材料自体の鋸引きが終了しても、該ロッド
形状材料はワークプレートに付着し、かつ該ワークプレ
ートへの継続した鋸引きは小さな範囲であるので、ウエ
ハが個々に分割されるまでには十分な距離があることを
意味している。ワイヤソーの鋸引き作業は、研磨剤を用
いて材料が研磨されることにより達成される。該研磨剤
は、その中に懸濁された研磨砥粒を有する担体液からな
る。そして、該研磨剤は、研磨をされた材料と共に粘着
材として作用し、すなわちウエハに対して付着し、ま
た、ウエハ同士を互いに付着させる。したがって、これ
らの洗浄が必要となる。従来技術においては、ワークプ
レートに付着しているスロット付きのロッド形状材料
は、鋸引きされた直後のスロットを通してワイヤウェブ
が上方に動かされ、かつコームが除去されることによっ
て、機械から取り除かれる。コームは次いで、例えばバ
レル中で、場合によっては上昇運動と共に、洗浄液が充
填された浴槽中に浸漬されることによって洗浄される。
ファイト、ガラス、プラスチツク等からなるワークプレ
ートに付着しているので、該ウエハは櫛歯形の形状、す
なわちコームを成す。これは、ロッド形状材料が、長手
方向軸線に対して完全に垂直をなして鋸引きされ、更に
該ロッド形状材料自体の鋸引きが終了しても、該ロッド
形状材料はワークプレートに付着し、かつ該ワークプレ
ートへの継続した鋸引きは小さな範囲であるので、ウエ
ハが個々に分割されるまでには十分な距離があることを
意味している。ワイヤソーの鋸引き作業は、研磨剤を用
いて材料が研磨されることにより達成される。該研磨剤
は、その中に懸濁された研磨砥粒を有する担体液からな
る。そして、該研磨剤は、研磨をされた材料と共に粘着
材として作用し、すなわちウエハに対して付着し、ま
た、ウエハ同士を互いに付着させる。したがって、これ
らの洗浄が必要となる。従来技術においては、ワークプ
レートに付着しているスロット付きのロッド形状材料
は、鋸引きされた直後のスロットを通してワイヤウェブ
が上方に動かされ、かつコームが除去されることによっ
て、機械から取り除かれる。コームは次いで、例えばバ
レル中で、場合によっては上昇運動と共に、洗浄液が充
填された浴槽中に浸漬されることによって洗浄される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記の従来型装置は、
洗浄を実施し、そして、ウエハが上方に動いていると
き、該ウエハがワイヤソーによって擦り取られるまでに
長い時間が掛かるという、欠点を有している。ウエハが
前もって分離され、かつマガジン内に配置されるなら
ば、個々のウエハが互いに付着していしまい、更に、分
離作業の間に破損してしまう危険がある。別の装置とし
て、国際特許出願ＷＯ９７／０２９０５号に記載された
ように、多数のノズルを有するノズル配置を使用して水
の乱流噴射をコームに受けさせる装置がある。この装置
は、噴霧形態である揮発性洗浄液がエアゾールを形成し
ており、よって爆発の危険性がある。結果として水性洗
浄液及び水溶性担体液を有する潤滑剤を使用できるのみ
であるので、通常のコールド洗浄液のような洗浄液は使
用できないという欠点を有している。加えて、この種の
装置においては、鋸引きされたロッド形状材料はコーム
の状態でのみ洗浄可能、すなわち、予め分離されること
なく洗浄されることしかできない。材料が分離される
と、乱流によって、ウェハが互いに投げ出されるので損
傷を受ける可能性がある。
洗浄を実施し、そして、ウエハが上方に動いていると
き、該ウエハがワイヤソーによって擦り取られるまでに
長い時間が掛かるという、欠点を有している。ウエハが
前もって分離され、かつマガジン内に配置されるなら
ば、個々のウエハが互いに付着していしまい、更に、分
離作業の間に破損してしまう危険がある。別の装置とし
て、国際特許出願ＷＯ９７／０２９０５号に記載された
ように、多数のノズルを有するノズル配置を使用して水
の乱流噴射をコームに受けさせる装置がある。この装置
は、噴霧形態である揮発性洗浄液がエアゾールを形成し
ており、よって爆発の危険性がある。結果として水性洗
浄液及び水溶性担体液を有する潤滑剤を使用できるのみ
であるので、通常のコールド洗浄液のような洗浄液は使
用できないという欠点を有している。加えて、この種の
装置においては、鋸引きされたロッド形状材料はコーム
の状態でのみ洗浄可能、すなわち、予め分離されること
なく洗浄されることしかできない。材料が分離される
と、乱流によって、ウェハが互いに投げ出されるので損
傷を受ける可能性がある。
【０００５】本発明の目的は、従来技術に比べて改良さ
れた特徴を有し、かつ従来技術の欠点を持たず、そして
特に、種々のウエハを同様に迅速かつ周到に洗浄し、更
に、揮発性洗浄液の使用も可能にする洗浄装置及び洗浄
方法を提供することにある。
れた特徴を有し、かつ従来技術の欠点を持たず、そして
特に、種々のウエハを同様に迅速かつ周到に洗浄し、更
に、揮発性洗浄液の使用も可能にする洗浄装置及び洗浄
方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、本発明
によって開示される、ウエハ形状材料用保持装置と、液
体収集装置と、薄層状の流れを形成させるノズル装置と
を備えることを特徴とする洗浄装置によって、また、前
記ウエハ形状材料が、前記薄層状の流れを有する液体に
よって洗浄されることを特徴とする方法によって達成さ
れる。
によって開示される、ウエハ形状材料用保持装置と、液
体収集装置と、薄層状の流れを形成させるノズル装置と
を備えることを特徴とする洗浄装置によって、また、前
記ウエハ形状材料が、前記薄層状の流れを有する液体に
よって洗浄されることを特徴とする方法によって達成さ
れる。
【０００７】
【発明の実施の形態】鋸引き機械において、ロッド形状
の材料は、担体液及び研磨砥粒からなる研磨剤を添加し
ながらワイヤソーを使用することによって鋸引きされ、
その結果、材料自体は、ワークプレートがグラファイト
から作られる限り、ロッド形状材料の長手方向に対して
垂直に鋸引きされる。製造されたコームは、洗浄される
ために単一体として取り除かれ、また、好ましくは、ワ
イヤウェブが、コーム内に形成されている切断隙間から
引き出されることなく、該コームが鋸引き機械にある間
に分離される。
の材料は、担体液及び研磨砥粒からなる研磨剤を添加し
ながらワイヤソーを使用することによって鋸引きされ、
その結果、材料自体は、ワークプレートがグラファイト
から作られる限り、ロッド形状材料の長手方向に対して
垂直に鋸引きされる。製造されたコームは、洗浄される
ために単一体として取り除かれ、また、好ましくは、ワ
イヤウェブが、コーム内に形成されている切断隙間から
引き出されることなく、該コームが鋸引き機械にある間
に分離される。
【０００８】このことは、コーム及びワークプレートを
パケット形状のウエハに切り離し、かつそれらをウエハ
形状材料用保持装置に挿入することによりなされる。前
記保持装置は、ウエハが分離される場合に、ウエハ形状
材料を収納するための装置である。これは、好ましく
は、所望される程に多数の別個の仕切り室を有する矩形
または丸形マガジンであり、これらの仕切り室は、好ま
しくは２０〜３０個のウエハからなるパケットを収納す
ることができる。しかしながら、ウエハは更に洗浄さ
れ、かつ扇形に拡げられ得るように互いに十分に距離が
置かれねばならない。原則として、空間に存在するより
も収納装置内に配置されるウエハが幾つか存在する。
パケット形状のウエハに切り離し、かつそれらをウエハ
形状材料用保持装置に挿入することによりなされる。前
記保持装置は、ウエハが分離される場合に、ウエハ形状
材料を収納するための装置である。これは、好ましく
は、所望される程に多数の別個の仕切り室を有する矩形
または丸形マガジンであり、これらの仕切り室は、好ま
しくは２０〜３０個のウエハからなるパケットを収納す
ることができる。しかしながら、ウエハは更に洗浄さ
れ、かつ扇形に拡げられ得るように互いに十分に距離が
置かれねばならない。原則として、空間に存在するより
も収納装置内に配置されるウエハが幾つか存在する。
【０００９】ウエハがコームの形、すなわち分離されず
に洗浄されるならば、それらはコームを収納することが
できる保持装置に挿入される。
に洗浄されるならば、それらはコームを収納することが
できる保持装置に挿入される。
【００１０】この保持装置、好ましくは個々のウエハ用
のマガジンは、薄層状の流れを形成することができるよ
うになっているノズル装置から距離を置くような方法
で、液体収集装置、洗浄容器、好ましくは商業的に入手
可能なバレル内に挿入される。薄層状の流れを有する洗
浄液は、コームの形態すなわち未だワークプレートに付
着しているか、または、完全に若しくは部分的に浸漬さ
れているウエハが除かれたマガジン内の個々のウエハの
形で、または、洗浄液中に完全に浸漬された好適な状況
において鋸引きされたウエハのまわりを流れることがで
きる。このことは、例えば、揮発性の洗浄液の場合で
は、エアゾールの形成を回避するために必要である。更
に、ウエハの表面の継続した湿潤は、ウエハの表面上の
汚損の形成を不可能にする。ただし、ウエハはもっぱら
洗浄液の外に配置され、そして、勢いのよい薄層状の流
れがウエハのまわりに流されている。
のマガジンは、薄層状の流れを形成することができるよ
うになっているノズル装置から距離を置くような方法
で、液体収集装置、洗浄容器、好ましくは商業的に入手
可能なバレル内に挿入される。薄層状の流れを有する洗
浄液は、コームの形態すなわち未だワークプレートに付
着しているか、または、完全に若しくは部分的に浸漬さ
れているウエハが除かれたマガジン内の個々のウエハの
形で、または、洗浄液中に完全に浸漬された好適な状況
において鋸引きされたウエハのまわりを流れることがで
きる。このことは、例えば、揮発性の洗浄液の場合で
は、エアゾールの形成を回避するために必要である。更
に、ウエハの表面の継続した湿潤は、ウエハの表面上の
汚損の形成を不可能にする。ただし、ウエハはもっぱら
洗浄液の外に配置され、そして、勢いのよい薄層状の流
れがウエハのまわりに流されている。
【００１１】洗浄液は、例えば、無極性炭化水素溶媒の
ごとき、商業的に入手可能なコールド洗浄剤である。ま
た表面活性剤を含有し得る水性洗浄液が使用され得る。
ごとき、商業的に入手可能なコールド洗浄剤である。ま
た表面活性剤を含有し得る水性洗浄液が使用され得る。
【００１２】液体の薄層状の流れは、少なくとも１つの
ノズルを有するノズル装置によって供給され、そのノズ
ルの出口開口は、それが形成する薄層状の流れが、洗浄
されるべきウエハの大きさ、数及び配置並びに洗浄液の
粘性と適合するように設計される。原則として、出口開
口はスロットとして設計されるが、円形にすることもで
きる。ただし、その流れはそれほど幅広く流れないよう
にすべきである。スロットを有する単一のノズルが提供
されるのが好ましいが、また、複数のノズルにすること
もでき、かつ洗浄液が、いわゆる「カーテン」形状の薄
層状の流れを成すノズル装置から流れるならば、ノズル
出口開口はまた異なって設計されることも可能である。
ただし、どの場合でもノズルの全長にわたって一定であ
るように放出される液体量が好ましい。このノズル装置
は洗浄装置のどのような所望の点にも、例えば側壁に配
置され得るが、洗浄容器の底部の中心に配置されるのが
好ましい。薄層状の流れが保証されることが重要であ
る。ノズル装置は、好ましくは、ポンプ装置によって洗
浄容器に内包された洗浄液を供給する。
ノズルを有するノズル装置によって供給され、そのノズ
ルの出口開口は、それが形成する薄層状の流れが、洗浄
されるべきウエハの大きさ、数及び配置並びに洗浄液の
粘性と適合するように設計される。原則として、出口開
口はスロットとして設計されるが、円形にすることもで
きる。ただし、その流れはそれほど幅広く流れないよう
にすべきである。スロットを有する単一のノズルが提供
されるのが好ましいが、また、複数のノズルにすること
もでき、かつ洗浄液が、いわゆる「カーテン」形状の薄
層状の流れを成すノズル装置から流れるならば、ノズル
出口開口はまた異なって設計されることも可能である。
ただし、どの場合でもノズルの全長にわたって一定であ
るように放出される液体量が好ましい。このノズル装置
は洗浄装置のどのような所望の点にも、例えば側壁に配
置され得るが、洗浄容器の底部の中心に配置されるのが
好ましい。薄層状の流れが保証されることが重要であ
る。ノズル装置は、好ましくは、ポンプ装置によって洗
浄容器に内包された洗浄液を供給する。
【００１３】洗浄液の流れの方向は、好ましくは、ウエ
ハの表面に対して平行である。洗浄液は、予め定めた
量、予め定めた圧力及び温度でウエハ上へ流動される。
ノズル装置とウエハとの間の距離、洗浄液の圧力、温度
及び量は薄層状の流れが形成される方法において互いに
整合され得る。洗浄パラメータはウエハの厚さに依存し
て互いに整合され得る。原則として、好ましくは０．５
バール〜５バールの圧力、好ましくは１０°Ｃ〜８０°
Ｃの温度範囲が適当と認められる。揮発性洗浄液の場合
でも、温度が引火点以下の１０°Ｃ〜１５°Ｃの範囲に
入らなければ、爆発の危険性はない。ノズル装置からの
距離は、好ましくは、１ｍｍ〜５０ｍｍ、特に５ｍｍ〜
１０ｍｍにすべきである。
ハの表面に対して平行である。洗浄液は、予め定めた
量、予め定めた圧力及び温度でウエハ上へ流動される。
ノズル装置とウエハとの間の距離、洗浄液の圧力、温度
及び量は薄層状の流れが形成される方法において互いに
整合され得る。洗浄パラメータはウエハの厚さに依存し
て互いに整合され得る。原則として、好ましくは０．５
バール〜５バールの圧力、好ましくは１０°Ｃ〜８０°
Ｃの温度範囲が適当と認められる。揮発性洗浄液の場合
でも、温度が引火点以下の１０°Ｃ〜１５°Ｃの範囲に
入らなければ、爆発の危険性はない。ノズル装置からの
距離は、好ましくは、１ｍｍ〜５０ｍｍ、特に５ｍｍ〜
１０ｍｍにすべきである。
【００１４】使用される洗浄液及び据え付けまたはポン
プ装置の寸法に依存して、加熱及び／または冷却が必要
とされてもよい。本方法は搬送回路に取り付けられる圧
力、温度及び流量を測定する器具によって最適化及び監
視がされ得る。
プ装置の寸法に依存して、加熱及び／または冷却が必要
とされてもよい。本方法は搬送回路に取り付けられる圧
力、温度及び流量を測定する器具によって最適化及び監
視がされ得る。
【００１５】洗浄容器は、取り外しを行ない易い容器、
好ましくはバレルに接続される。こうすることで、洗浄
液が処理された後、扱い難い非常に磨滅した、汚れた研
磨剤の取り出しが可能となる。この静止領域において、
浮いていた粒子は底に沈むことができる。充填限界に到
達した後、洗浄液は汲み出され、固体を含有する商業的
に入手可能な容器が洗浄設備から切り離され、そして処
理される。汲み出された洗浄液は工程に戻され、回収さ
れるかまたは廃棄される。
好ましくはバレルに接続される。こうすることで、洗浄
液が処理された後、扱い難い非常に磨滅した、汚れた研
磨剤の取り出しが可能となる。この静止領域において、
浮いていた粒子は底に沈むことができる。充填限界に到
達した後、洗浄液は汲み出され、固体を含有する商業的
に入手可能な容器が洗浄設備から切り離され、そして処
理される。汲み出された洗浄液は工程に戻され、回収さ
れるかまたは廃棄される。
【００１６】本発明による装置において、鋸引きされる
ロッド形状の材料はガラス、石英、石、グラファイト、
セラミック、または、例えばルビー若しくはガリウム−
ガドリニウムガーネットのごとき酸化材料、また例えば
ガリウム−砒素または燐化インジウム、かつ特にゲルマ
ニウムまたはシリコンのごとき半導体材料のごとき脆い
材料であってもよい。本発明による装置は、特に好まし
くは単結晶シリコンから派生された好ましくはロッド形
状である半導体材料を鋸引きするのに使用される。
ロッド形状の材料はガラス、石英、石、グラファイト、
セラミック、または、例えばルビー若しくはガリウム−
ガドリニウムガーネットのごとき酸化材料、また例えば
ガリウム−砒素または燐化インジウム、かつ特にゲルマ
ニウムまたはシリコンのごとき半導体材料のごとき脆い
材料であってもよい。本発明による装置は、特に好まし
くは単結晶シリコンから派生された好ましくはロッド形
状である半導体材料を鋸引きするのに使用される。
【００１７】本発明は更に、ウエハ形状材料を洗浄する
ための方法に関し、この材料は薄層状の流れを有する液
体によって洗浄される。
ための方法に関し、この材料は薄層状の流れを有する液
体によって洗浄される。
【００１８】ウエハ形状材料を洗浄するための方法にお
いて、薄層状の流れを有する液体は、好ましくは上述さ
れた装置を使用して発生される。これは、好ましくは少
なくとも１本のノズルを有するノズル装置を通って汲み
出されている液体、すなわち洗浄液によって引き起こさ
れ、ノズルの出口開口は、薄層状の流れが前記ノズルか
ら流れ出る液体に付与されるように設計される。このこ
とは、ウエハ形状材料の表面に対して平行である、好ま
しくはスロットの形状である、出口開口を通って流れて
いる洗浄液によって達成される。
いて、薄層状の流れを有する液体は、好ましくは上述さ
れた装置を使用して発生される。これは、好ましくは少
なくとも１本のノズルを有するノズル装置を通って汲み
出されている液体、すなわち洗浄液によって引き起こさ
れ、ノズルの出口開口は、薄層状の流れが前記ノズルか
ら流れ出る液体に付与されるように設計される。このこ
とは、ウエハ形状材料の表面に対して平行である、好ま
しくはスロットの形状である、出口開口を通って流れて
いる洗浄液によって達成される。
【００１９】本発明による装置及び本発明による方法の
利点は、分離されたウエハが驚く程均一に扇形に拡げら
れるということである。更に他の利点は、液体がどのよ
うな力もなしにウエハのまわりを洗い流すので、洗浄作
業中破損率が低いことである。残留物なしの研磨剤の除
去が、ウエハの相対的な動きを容易に許容し、その結果
ウエハは分離し易いので、ウエハの分離作業の間の破損
率は、多いに減少される。ノズル装置が液体で被覆され
るならば、本発明による方法は好ましくは可燃液体が適
する。
利点は、分離されたウエハが驚く程均一に扇形に拡げら
れるということである。更に他の利点は、液体がどのよ
うな力もなしにウエハのまわりを洗い流すので、洗浄作
業中破損率が低いことである。残留物なしの研磨剤の除
去が、ウエハの相対的な動きを容易に許容し、その結果
ウエハは分離し易いので、ウエハの分離作業の間の破損
率は、多いに減少される。ノズル装置が液体で被覆され
るならば、本発明による方法は好ましくは可燃液体が適
する。
【００２０】以下に、本発明の実施の形態を要約列挙す
る。
る。
【００２１】 ウエハ形状材料用保持装置と、液体収
集装置と、薄層状の流れを形成させるノズル装置とを有
する洗浄装置。
集装置と、薄層状の流れを形成させるノズル装置とを有
する洗浄装置。
【００２２】 前記ウエハ形状材料が脆い材料であ
る、前記に記載の洗浄装置。
る、前記に記載の洗浄装置。
【００２３】 前記ウエハ形状材料がシリコン材料で
ある、前記または前記に記載の洗浄装置。
ある、前記または前記に記載の洗浄装置。
【００２４】 前記ノズル装置が少なくとも１本のノ
ズルである、前記〜前記の１つまたはそれ以上に記
載の洗浄装置。
ズルである、前記〜前記の１つまたはそれ以上に記
載の洗浄装置。
【００２５】 少なくとも１本のノズルがスロットで
ある、前記〜前記の１つまたはそれ以上に記載の洗
浄装置。
ある、前記〜前記の１つまたはそれ以上に記載の洗
浄装置。
【００２６】 脆い材料からなるウエハ形状材料が、
薄層状の流れを有する液体によって洗浄されるウエハ形
状材料の洗浄方法。
薄層状の流れを有する液体によって洗浄されるウエハ形
状材料の洗浄方法。
【００２７】 前記脆い材料がシリコンである、前記
に記載のウエハ形状材料の洗浄方法。
に記載のウエハ形状材料の洗浄方法。
【００２８】 液体の薄層状の流れがスロットを備え
る少なくとも１本のノズルによって発生される、前記
及び前記に記載のウエハ形状材料の洗浄装置。
る少なくとも１本のノズルによって発生される、前記
及び前記に記載のウエハ形状材料の洗浄装置。
【００２９】
【発明の効果】叙上のごとく、本発明は、ウエハ形状材
料用保持装置と、液体収集装置と、薄層状の流れを形成
させるノズル装置を有する構成としたので、従来技術に
比して改良された特性を有しかつ従来技術の欠点持た
ず、そして特に、個々のウエハも同様に迅速かつ周到に
洗浄しかつ同様に揮発性洗浄液の使用も可能にする洗浄
装置及び洗浄方法を提供することができる。
料用保持装置と、液体収集装置と、薄層状の流れを形成
させるノズル装置を有する構成としたので、従来技術に
比して改良された特性を有しかつ従来技術の欠点持た
ず、そして特に、個々のウエハも同様に迅速かつ周到に
洗浄しかつ同様に揮発性洗浄液の使用も可能にする洗浄
装置及び洗浄方法を提供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴァルター・フランク ドイツ連邦共和国 ブルクキルヘン，ヴァ ツマンリンク 25 (72)発明者 ロタール・フーベル ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン，ミッ ターガッセ 12 (72)発明者 マクシミリアン・ケーゼル ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン，リリ ーンヴェク 34
Claims (2)
- 【請求項１】 ウエハ形状材料用保持装置と、液体収集
装置と、薄層状の流れを形成させるノズル装置とを備え
ることを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項２】 ウエハ形状材料が、薄層状の流れを有す
る液体によって洗浄されることを特徴とするウエハ形状
材料の洗浄方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE197-42-680-8 | 1997-09-26 | ||
| DE1997142680 DE19742680B4 (de) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | Reinigungsverfahren für scheibenförmiges Material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11162915A true JPH11162915A (ja) | 1999-06-18 |
| JP3199685B2 JP3199685B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=7843811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27170198A Expired - Lifetime JP3199685B2 (ja) | 1997-09-26 | 1998-09-25 | 洗浄装置、及びウエハ形状材料の洗浄方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3199685B2 (ja) |
| DE (1) | DE19742680B4 (ja) |
| DK (1) | DK177059B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008045990A1 (de) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | Wacker Schott Solar Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Behandlung eines Waferkamms |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62190729A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-20 | Nec Corp | 水洗装置 |
| JPH0744170B2 (ja) * | 1988-03-11 | 1995-05-15 | 信越半導体株式会社 | 精密洗浄方法 |
| JP2549735B2 (ja) * | 1989-07-14 | 1996-10-30 | 株式会社東芝 | 流液式超音波洗浄装置 |
| JPH0442530A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-02-13 | Fujitsu Ltd | 超音波洗浄装置 |
| KR0163362B1 (ko) * | 1992-03-05 | 1999-02-01 | 이노우에 아키라 | 세정장치용 처리조 |
| JPH06196466A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-07-15 | Sony Corp | ウェハ洗浄装置 |
| JPH06349800A (ja) * | 1993-06-11 | 1994-12-22 | Hitachi Ltd | 半導体ウェーハ洗浄装置 |
| US5520205A (en) * | 1994-07-01 | 1996-05-28 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus for wafer cleaning with rotation |
| US6074442A (en) * | 1994-10-28 | 2000-06-13 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of separating slice base mounting member from wafer and jig adapted therefor |
| JPH0936080A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-02-07 | Toray Eng Co Ltd | 加工済シリコンインゴットの洗浄方法 |
| DE19655219C2 (de) * | 1996-04-24 | 2003-11-06 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter |
-
1997
- 1997-09-26 DE DE1997142680 patent/DE19742680B4/de not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-09-01 DK DKPA199801097A patent/DK177059B1/da not_active IP Right Cessation
- 1998-09-25 JP JP27170198A patent/JP3199685B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DK177059B1 (da) | 2011-04-11 |
| DE19742680A1 (de) | 1999-04-08 |
| JP3199685B2 (ja) | 2001-08-20 |
| DE19742680B4 (de) | 2006-03-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2390391C2 (ru) | Устройство и способ очистки объектов, в частности тонких дисков | |
| KR970005944B1 (ko) | 중첩 웨이퍼의 자동개별화 장치 및 그 개별화 방법 | |
| ES2238769T3 (es) | Metodo fluorometrico para aumentar la eficacia del proceso de lavado y recuperacion del agua en la fabricacion de chips de semiconductores. | |
| US20120118320A1 (en) | Methods for Isolated Bevel Edge Clean | |
| US20060281326A1 (en) | Washing apparatus, washing stystem, and washing method | |
| JP3191304U (ja) | 遠心分離機 | |
| KR20120086873A (ko) | 웨이퍼 분리 장치 | |
| JPH11162915A (ja) | 洗浄装置、及びウエハ形状材料の洗浄方法 | |
| JP2666436B2 (ja) | ワイヤソーによる切断加工方法 | |
| JPH11111652A (ja) | ウェハー状ワーク洗浄方法並びに当該洗浄方法に用いる洗浄バスケット及び洗浄ハウジング | |
| JP6319941B2 (ja) | 基板処理装置および吐出ヘッド待機方法 | |
| KR20140046465A (ko) | 톱의 와이어로부터 오염물을 제거하기 위한 방법 및 시스템 | |
| KR20020048911A (ko) | 화학 필름의 세정 및 건조 방법과 그 장치 | |
| JP2000288488A (ja) | スリットノズルの洗浄装置 | |
| JP2011511702A (ja) | ウェーハスタック洗浄 | |
| US20090126761A1 (en) | Cleaning apparatus and cleaning method | |
| JPH06114828A (ja) | ワイヤソーによる切断方法 | |
| US20140150826A1 (en) | Wafer cleaning apparatus and methods | |
| JP2009027030A (ja) | ウエーハの切削方法 | |
| JP2995394B2 (ja) | 被洗浄物の洗浄方法 | |
| JP2010131524A (ja) | 流水式洗浄方法及び流水式洗浄装置 | |
| JPH06124933A (ja) | 固体表面に付着する微粒子の除去方法 | |
| JPH03231427A (ja) | 板状体の洗浄方法 | |
| JP3013032B2 (ja) | 被洗浄物の洗浄方法 | |
| JPS59208718A (ja) | 反応管の洗浄装置及び洗浄方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080615 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080615 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090615 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120615 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130615 Year of fee payment: 12 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |