JPH11162898A - Scrubber cleaning equipment of wafer and cleaning method - Google Patents

Scrubber cleaning equipment of wafer and cleaning method

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JPH11162898A
JPH11162898A JP9327897A JP32789797A JPH11162898A JP H11162898 A JPH11162898 A JP H11162898A JP 9327897 A JP9327897 A JP 9327897A JP 32789797 A JP32789797 A JP 32789797A JP H11162898 A JPH11162898 A JP H11162898A
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JP
Japan
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wafer
cleaning
pure water
supplying
rinsing
Prior art date
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Application number
JP9327897A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Kobayashi
哲哉 小林
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent generation of a wafer mark on a cleaned surface, and prevent generation of particles, by drying the back of a wafer without rotating the wafer at a high speed when the back of the wafer is cleaned, in scrub cleaning a wafer. SOLUTION: A wafer surface cleaning part 10 is provided with a cleaning brush 11, a rotation/moving mechanism of the cleaning brush, a pure water supply nozzle 12, an IPA(isopropyl alcohol) supplying nozzle 13 and a wafer rotating mechanism 14. A wafer back cleaning part 20 is provided similarly with a cleaning brush 21, a wafer rotating mechanism 24, etc. The wafer rotating mechanism 24 is provided with a wafer holding part 26 which holds a wafer W just above the upper end portion of a rotation axis 25, making a proper gap, and a back rinse nozzle 27. In the case of cleaning the surface and the back of the wafer, a treatment is performed in the order of pure water rinsing, brush cleaning by pure water, pure water rinsing, IPA rinsing and drying. In the case of cleaning the back of the wafer, IPA liquid is always supplied to the surface of the wafer from the back rinse nozzle 27.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエーハの
スクラバ洗浄技術に関し、詳しくは、ウエーハの表面、
裏面のいずれにもウォータマークが残らないよう洗浄す
ることができる、ウエーハのスクラバ洗浄装置および洗
浄方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a scrubber cleaning technique for a semiconductor wafer, and more particularly, to a semiconductor wafer scrubber cleaning technique.
The present invention relates to a wafer scrubber cleaning apparatus and a wafer cleaning method capable of cleaning so that a watermark is not left on any of the back surfaces.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体ウエーハ(以下、ウエーハ
という)のスクラバ装置として、ウエーハの洗浄面を上
側に向けて、かつ水平方向に沿わせてウエーハを高速回
転させ操作と、洗浄ブラシのウエーハ洗浄面への押し当
てと、回転およびウエーハ直径方向の移動とを並行して
行いながら、ウエーハの洗浄面中心部または洗浄ブラシ
に洗浄液を供給することによりウエーハを洗浄するもの
が知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a scrubber device for a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer), an operation of rotating a wafer at a high speed so that a cleaning surface of the wafer is directed upward and along a horizontal direction, and cleaning a wafer with a cleaning brush. It is known that a wafer is cleaned by supplying a cleaning liquid to a central portion of a cleaning surface of a wafer or a cleaning brush while performing pressing against a surface, rotation and movement in a wafer diameter direction in parallel.

【0003】前記従来のスクラバ装置によるウエーハの
洗浄は通常、(1)ウエーハ面上のパーティクル除去の
ために行う純水リンス工程、(2)ウエーハ面への純水
供給と、ウエーハ面への回転ブラシの押圧とを並行して
行う、純水によるブラシ洗浄工程(スクラバ洗浄:スク
ラビング)、(3)前記ブラシ洗浄工程後のウエーハ面
上に残留するパーティクルを除去するために行う純水リ
ンス工程の順に行われる。これら(1)〜(3)の工程
は、まずウエーハ表面について行われ、ついで、ウエー
ハ裏面について同様の形態で行われる。ただし、ウエー
ハ裏面の洗浄では、該洗浄時に剥離されたパーティクル
がウエーハ表面側に回り込むのを防止するために、ウエ
ーハ表面へ純水を供給すること(バックリンス)が行わ
れる。
[0003] The cleaning of a wafer by the conventional scrubber apparatus is usually (1) a pure water rinsing step for removing particles on the wafer surface, (2) a pure water supply to the wafer surface, and a rotation to the wafer surface. A brush cleaning step using pure water (scrubber cleaning: scrubbing) in which the pressing of the brush is performed in parallel; and (3) a pure water rinsing step performed to remove particles remaining on the wafer surface after the brush cleaning step. It is performed in order. These steps (1) to (3) are first performed on the front surface of the wafer, and then performed in the same manner on the rear surface of the wafer. However, in the cleaning of the back surface of the wafer, pure water is supplied to the wafer surface (back rinsing) in order to prevent particles peeled off during the cleaning from going around the wafer surface side.

【0004】洗浄後のウエーハは乾燥工程で処理される
が、この乾燥方法としては、ウエーハを高速回転させる
ことで、ウエーハ面に付着した水を遠心力で飛ばすスピ
ンドライ方法が主に採用されてきた。
The wafer after cleaning is treated in a drying step. As a drying method, a spin drying method in which water attached to the wafer surface is spun by centrifugal force by rotating the wafer at a high speed has been mainly adopted. Was.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ウエーハ表面をこのス
ピンドライ法で乾燥させる場合、ウエーハを真空チャッ
クで保持して高速回転させるが、ウエーハ中心部の遠心
力が、したがって水の振り切り力がウエーハ周辺部に比
べて小さいため、ウエーハ中心部では、水の表面張力
(これはウエーハの表面状態すなわち、つまり親水性で
あるか、疎水性であるかによって異なる)が遠心力より
大きいため、乾燥後のウエーハ表面中心部に、ここに残
る水滴に起因して直径が数μmの、いわゆるウォータマ
ークが発生しやすかった。そして、ウエーハ表面にウォ
ータマークが存在すると、後工程の半導体製造装置にお
いて、ウエーハ表面にSiO2 の異常成長や、パターン
崩れなどが発生するという問題があった。
When the wafer surface is dried by the spin-dry method, the wafer is held at a vacuum chuck and rotated at a high speed. However, the centrifugal force at the center of the wafer, and therefore the water shaking-off force is reduced around the wafer. At the center of the wafer, the surface tension of water (which depends on the surface state of the wafer, ie, whether it is hydrophilic or hydrophobic) is greater than the centrifugal force, At the center of the wafer surface, a so-called water mark having a diameter of several μm was easily generated due to water droplets remaining on the wafer. If the watermark is present on the wafer surface, there is a problem that abnormal growth of SiO 2 or pattern collapse occurs on the wafer surface in a semiconductor manufacturing apparatus in a later process.

【0006】また、ウエーハ裏面をこのスピンドライ法
で乾燥させる場合、ウエーハ外周部をフッ素樹脂製また
はポリエーテルエーテルケトン製の多数のピンで保持し
てウエーハを回転させる。この場合、遠心力を大きくし
て水の乾燥を早めることで、ウォータマークの発生を抑
えようとして回転速度を上げると、前記ピンとウエーハ
との摩擦によりピンからパーティクルが発生し、これが
ウエーハ面に付着するうえ、ピンの寿命が短くなるとい
う問題があった。このため、ウエーハ裏面の乾燥では、
ウォータマークの防止とパーティクル防止とを同時に達
成することは困難であった。
When the back surface of the wafer is dried by the spin dry method, the wafer is rotated while holding the outer periphery of the wafer with a large number of pins made of fluororesin or polyetheretherketone. In this case, by increasing the centrifugal force to accelerate the drying of the water and increasing the rotation speed in order to suppress the generation of the watermark, particles are generated from the pins due to friction between the pins and the wafer, which adhere to the wafer surface. In addition, there is a problem that the life of the pin is shortened. For this reason, when drying the back of the wafer,
It has been difficult to achieve both watermark prevention and particle prevention at the same time.

【0007】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は簡単な構成、簡便な操作により、乾燥
処理後のウエーハ面にウォータマークが発生することな
いようにウエーハ表面およびウエーハ裏面を能率良く洗
浄することができるウエーハ洗浄装置および、これを使
用するウエーハ洗浄方法を提供することにある。また、
本発明の目的は、洗浄後のウエーハを高速回転させるこ
となく、ウエーハ裏面を能率良く乾燥させることであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has as its object a simple structure and a simple operation so that a watermark is not generated on a wafer surface after a drying process. An object of the present invention is to provide a wafer cleaning apparatus capable of efficiently cleaning the back surface and a wafer cleaning method using the same. Also,
An object of the present invention is to efficiently dry the back surface of a wafer without rotating the washed wafer at a high speed.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るウエーハのスクラバ洗浄装置は、洗浄
面を上側に向けて、かつ水平方向に沿わせてウエーハを
高速回転させる操作と、洗浄ブラシの前記ウエーハ洗浄
面への押し当て、回転およびウエーハ直径方向の移動と
を並行して行いながら、ウエーハの前記洗浄面の中心部
または前記洗浄ブラシに洗浄液を供給することにより前
記ウエーハ洗浄面を洗浄する装置において、ウエーハ洗
浄部を2段に設けてなり、前段のウエーハ洗浄部はウエ
ーハ表面(素子形成面)を洗浄するものであって、ウエ
ーハを回転軸と同心状に真空吸着して高速回転させるウ
エーハ高速回転機構と、前記洗浄ブラシの回転・移動機
構と、前記洗浄液として純水を供給する純水供給機構
と、前記洗浄液としてイソプロピルアルコールを供給す
るIPA供給機構とを備えており、後段のウエーハ洗浄
部はウエーハ裏面を洗浄するものであって、ウエーハを
保持して回転させるウエーハ回転機構と、洗浄ブラシの
回転・移動機構と、前記洗浄液として純水を供給する純
水供給機構と、前記洗浄液としてイソプロピルアルコー
ルを供給するIPA供給機構とを備え、前記ウエーハ回
転機構は、ウエーハを回転軸の上端部直上に適宜間隔を
あけて、ウエーハ外周部を当接させて、かつ前記回転軸
と同心状に保持するウエーハ保持部と、ウエーハの下面
(洗浄面と反対側の面、すなわちウエーハ表面)にイソ
プロピルアルコール液を供給するIPA供給機構とを備
えていることを特徴とするものである。
In order to solve the above-mentioned problems, a wafer scrubber cleaning apparatus according to the present invention comprises an operation of rotating a wafer at a high speed so that a cleaning surface is directed upward and along a horizontal direction; The wafer cleaning surface is supplied by supplying a cleaning liquid to the center of the cleaning surface of the wafer or the cleaning brush while pressing the cleaning brush against the wafer cleaning surface, rotating and moving the wafer in the diameter direction in parallel. In the apparatus for cleaning the wafer, a wafer cleaning section is provided in two stages, and the wafer cleaning section in the preceding stage is for cleaning the wafer surface (element forming surface), and vacuum-adsorbs the wafer concentrically with the rotation axis. A wafer high-speed rotation mechanism for high-speed rotation, a rotation / movement mechanism of the cleaning brush, a pure water supply mechanism for supplying pure water as the cleaning liquid, and An IPA supply mechanism for supplying isopropyl alcohol; a wafer cleaning section at a later stage for cleaning the back surface of the wafer; a wafer rotating mechanism for holding and rotating the wafer; and a rotating / moving mechanism for the cleaning brush. A pure water supply mechanism for supplying pure water as the cleaning liquid, and an IPA supply mechanism for supplying isopropyl alcohol as the cleaning liquid, wherein the wafer rotation mechanism appropriately positions the wafer directly above the upper end of the rotation shaft. A wafer holding portion for bringing the outer peripheral portion of the wafer into contact with the wafer and holding the wafer concentrically with the rotating shaft; and an IPA for supplying an isopropyl alcohol liquid to the lower surface of the wafer (the surface opposite to the cleaning surface, ie, the wafer surface). And a supply mechanism.

【0009】また、本発明に係るウエーハのスクラバ洗
浄方法は、前記洗浄装置を使用してウエーハをスクラバ
洗浄する方法であって、前段のウエーハ洗浄部では、ウ
エーハ表面を洗浄ブラシを用いて純水により洗浄し、つ
いで純水をウエーハ表面の中心部に供給しながらリンス
した後、IPA液をウエーハ表面の中心部に供給しなが
らリンスし、後段のウエーハ洗浄部では、ウエーハ裏面
を洗浄ブラシを用いて純水により洗浄し、ついで純水を
ウエーハ裏面の中心部に供給しながらリンスした後、I
PA液をウエーハ裏面の中心部に供給しながらリンスす
るとともに、これら純水洗浄、純水リンスおよびIPA
リンスの全工程中、継続してウエーハ表面の中心部にI
PA液を供給しながらリンスすることを特徴とする。
Further, a wafer scrubber cleaning method according to the present invention is a method of scrubber cleaning a wafer using the above-described cleaning apparatus. In a wafer cleaning section at a preceding stage, a wafer surface is cleaned with pure water using a cleaning brush. After rinsing while supplying pure water to the center of the wafer surface, rinsing while supplying the IPA solution to the center of the wafer surface, and using a cleaning brush for the back surface of the wafer in the subsequent wafer cleaning section. After washing with pure water and rinsing while supplying pure water to the center of the back surface of the wafer,
While rinsing while supplying the PA solution to the center of the back surface of the wafer, washing with pure water, rinsing with pure water and IPA
During the entire rinsing process, I
Rinsing is performed while supplying the PA solution.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的構成および
作用を、図面に示す実施の形態をもとに説明する。図1
(a)(b)はスクラバ洗浄装置および、これによる洗
浄方法の説明図であり、(a)はウエーハ表面を洗浄す
るための前段のウエーハ洗浄部10を、(b)はウエー
ハ裏面を洗浄するための後段のウエーハ洗浄部20をそ
れぞれ示している。以下、まずこの洗浄装置の構成につ
いて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The specific structure and operation of the present invention will be described below with reference to the embodiments shown in the drawings. FIG.
(A) and (b) are illustrations of a scrubber cleaning device and a cleaning method using the scrubber cleaning device, (a) cleaning a wafer cleaning section 10 at a front stage for cleaning a wafer surface, and (b) cleaning a wafer back surface. Wafer cleaning units 20 at the subsequent stage are shown. Hereinafter, the configuration of the cleaning device will be described first.

【0011】図1(a)に示すウエーハ表面洗浄部10
は、洗浄ブラシ11の回転・移動機構(図示せず)と、
ウエーハ表面Waに純水を供給する純水供給ノズル12
と、ウエーハ表面Waに液状のイソプロピルアルコール
(IPA)を供給するIPA供給ノズル13と、ウエー
ハWを回転軸15と同心状に真空吸着して高速回転させ
るウエーハ回転機構14とを設けて構成する。このウエ
ーハ回転機構14は、前記回転軸15と、その上端部に
設けたバキュームチャック(真空吸着盤)16とを設け
て構成する。前記洗浄ブラシの回転・移動機構は、洗浄
ブラシ11の自転と、図1(a)の破線で示す移動軌跡
を描いての移動とを並行して行えるものとする。符号1
7は、洗浄ブラシ11の移動軌跡を示している。
The wafer surface cleaning unit 10 shown in FIG.
A mechanism for rotating and moving the cleaning brush 11 (not shown);
Pure water supply nozzle 12 for supplying pure water to wafer surface Wa
And an IPA supply nozzle 13 that supplies liquid isopropyl alcohol (IPA) to the wafer surface Wa, and a wafer rotation mechanism 14 that vacuum-adsorbs the wafer W concentrically with the rotation shaft 15 and rotates the wafer W at high speed. The wafer rotating mechanism 14 includes the rotating shaft 15 and a vacuum chuck (vacuum suction disk) 16 provided at an upper end thereof. The rotation / movement mechanism of the cleaning brush is capable of performing the rotation of the cleaning brush 11 and the movement along a movement locus indicated by a broken line in FIG. Sign 1
Reference numeral 7 denotes a movement locus of the cleaning brush 11.

【0012】図1(b)に示すウエーハ裏面洗浄部20
は、洗浄ブラシ21の回転・移動機構(図示せず)と、
ウエーハ裏面Wbに純水を供給する純水供給ノズル22
と、ウエーハ裏面Wbに液状のIPAを供給するIPA
供給ノズル23と、ウエーハWを保持して回転させなが
らウエーハ表面WaをIPA液でリンスするウエーハ回
転機構24とを設けて構成する。前記洗浄ブラシの回転
・移動機構は、洗浄ブラシ21の自転と、図1(b)の
破線で示す移動軌跡を描いての移動とを並行して行える
ものとする。符号28は、洗浄ブラシ21の移動軌跡を
示している。
The wafer back surface cleaning section 20 shown in FIG.
A rotating and moving mechanism (not shown) of the cleaning brush 21;
Pure water supply nozzle 22 for supplying pure water to wafer back surface Wb
And IPA for supplying liquid IPA to wafer back surface Wb
A supply nozzle 23 and a wafer rotation mechanism 24 for rinsing the wafer surface Wa with the IPA liquid while holding and rotating the wafer W are provided. The rotating / moving mechanism of the cleaning brush is capable of performing the rotation of the cleaning brush 21 and the movement along a movement locus indicated by a broken line in FIG. 1B in parallel. Reference numeral 28 indicates a movement locus of the cleaning brush 21.

【0013】このウエーハ回転機構24は、ウエーハを
回転軸25の上端部直上に適宜間隔をあけて、ウエーハ
外周部を当接させて、かつ回転軸25と同心状に保持す
るプラスチック製(フッ素樹脂など)のウエーハ保持部
26と、ウエーハ表面WaにIPA液を供給するバック
リンスノズル27(IPA供給ノズル)とを備えて構成
する。ウエーハ保持部26は、回転軸25の上端部に同
心状に固着した円板26aと、該円板の上面外周部に、
かつ該円板の同一ピッチ円上に突設した複数のウエーハ
保持ピン26bとで構成し、該ウエーハ保持ピン26b
は円柱状の本体26cと、該本体上面に同心状に突設し
た小径の丸棒26dとからなるものとする。バックリン
スノズル27は、円板26aの中心部に設けるととも
に、回転軸25に形成した流路を介してIPA供給源
(図示せず)に連絡する。
The wafer rotating mechanism 24 is made of plastic (fluororesin) that holds the wafer directly above the upper end of the rotating shaft 25 at appropriate intervals, abuts the outer peripheral portion of the wafer, and holds the wafer concentrically with the rotating shaft 25. And the like, and a back rinse nozzle 27 (IPA supply nozzle) for supplying an IPA solution to the wafer surface Wa. The wafer holding portion 26 has a disk 26a concentrically fixed to the upper end of the rotating shaft 25, and an outer peripheral portion on the upper surface of the disk,
And a plurality of wafer holding pins 26b projecting on the same pitch circle of the disk.
Is composed of a cylindrical main body 26c and a small-diameter round bar 26d protruding concentrically on the upper surface of the main body. The back rinse nozzle 27 is provided at the center of the disk 26a and communicates with an IPA supply source (not shown) via a flow path formed in the rotating shaft 25.

【0014】このウエーハ表面洗浄部10によるウエー
ハ表面Waの洗浄では、あらかじめウエーハWをバキュ
ームチャック16に吸着保持してウエーハ表面を上側に
向け、(1)純水リンス工程、(2)純水によるブラシ
洗浄工程、(3)純水リンス工程、(4)IPAリンス
工程、(5)乾燥工程の順に処理を行う。乾燥工程後の
ウエーハは、ついでウエーハ裏面洗浄部20で処理す
る。
In the cleaning of the wafer surface Wa by the wafer surface cleaning unit 10, the wafer W is previously suction-held on the vacuum chuck 16 so that the wafer surface is turned upward, and (1) a pure water rinsing step, and (2) pure water Processing is performed in the order of a brush cleaning step, (3) a pure water rinsing step, (4) an IPA rinsing step, and (5) a drying step. The wafer after the drying step is then processed in the wafer back surface cleaning unit 20.

【0015】(1)の純水リンス工程は、ウエーハ表面
上のパーティクル(当該洗浄工程より前の工程で発生
し、ウエーハ表面に付着したもの)のうち、簡単に剥離
できるものを除去するための工程であり、ここでは、ウ
エーハ回転機構14でウエーハを高速回転させながら、
純水供給ノズル12からウエーハ表面中心部に純水を供
給する。ウエーハ表面から剥離したパーティクルは、水
と共に遠心力で飛散除去される。
The pure water rinsing step (1) is for removing particles on the wafer surface (particles generated in a step before the cleaning step and adhered to the wafer surface) that can be easily peeled off. Here, while rotating the wafer at a high speed by the wafer rotating mechanism 14,
Pure water is supplied from the pure water supply nozzle 12 to the center of the wafer surface. Particles separated from the wafer surface are scattered and removed together with water by centrifugal force.

【0016】(2)のブラシ洗浄工程は、ウエーハ表面
に比較的強固に付着したパーティクルを除去するための
ものである。この工程では洗浄ブラシ11の、ウエーハ
表面への押し当て・回転(自転)・ウエーハの直径方向
への移動と、ウエーハ表面の中心部または洗浄ブラシ1
1への純水供給とを並行して行う。この場合、前記回転
・移動機構により洗浄ブラシ11を図1(a)中、移動
軌跡17で示すようにウエーハの直径方向に移動させる
操作を適宜回数だけ繰り返す。ウエーハ表面から剥離し
たパーティクルは、水と一緒に遠心力で飛散除去され
る。
The brush cleaning step (2) is for removing particles relatively firmly attached to the wafer surface. In this step, the cleaning brush 11 is pressed against the wafer surface, rotated (rotated), moved in the diameter direction of the wafer, and the center of the wafer surface or the cleaning brush 1 is rotated.
1 and the supply of pure water to 1 is performed in parallel. In this case, the operation of moving the cleaning brush 11 in the diameter direction of the wafer by the rotation / movement mechanism as shown by a movement locus 17 in FIG. Particles separated from the wafer surface are scattered and removed together with water by centrifugal force.

【0017】(3)の純水リンス工程は、ブラシ洗浄工
程後のウエーハ表面上に残留するパーティクルを除去す
るために行うもので、その操作方法および作用は(1)
の純水リンス工程と同様である。
The pure water rinsing step (3) is performed to remove particles remaining on the wafer surface after the brush cleaning step, and the operation method and operation are (1).
This is the same as the pure water rinsing step.

【0018】(4)のIPAリンス工程は、(3)の純
水リンス工程後のウエーハ表面上に残留する水をIPA
液に置換することにより水を除去するためのもので、I
PA供給ノズル13からウエーハ表面中心部にIPA液
を供給すること以外は、(1)の純水リンス工程と同様
である。
In the IPA rinsing step (4), water remaining on the wafer surface after the pure water rinsing step (3) is removed by IPA.
It is for removing water by replacing with liquid.
It is the same as the pure water rinsing step (1) except that the IPA liquid is supplied from the PA supply nozzle 13 to the center of the wafer surface.

【0019】(5)の乾燥工程は、(4)のIPAリン
ス工程後のウエーハ表面上に残留するIPA液を除去す
るために行う工程であって、ウエーハWを単に高速回転
させてウエーハ表面のIPA液を遠心力で飛散させるも
のである。
The drying step (5) is a step performed to remove the IPA solution remaining on the wafer surface after the IPA rinsing step (4), and simply rotates the wafer W at a high speed to remove the wafer surface. The IPA liquid is scattered by centrifugal force.

【0020】これら(1)〜(5)の工程では、従来法
と同様にウエーハを高速回転させることが好ましく、よ
り短時間に能率良くウエーハ表面の洗浄・乾燥処理を行
うことができる。この場合、ウエーハWはバキュームチ
ャック16に吸着保持されているため、ウエーハ保持ピ
ンで保持した場合と違って、ウエーハを高速回転させて
もピンの寿命が短くなるという問題はありえず、また、
ウエーハからパーティクルが発生することもない。
In these steps (1) to (5), it is preferable to rotate the wafer at a high speed similarly to the conventional method, and the washing and drying of the wafer surface can be efficiently performed in a shorter time. In this case, since the wafer W is sucked and held by the vacuum chuck 16, unlike the case where the wafer W is held by the wafer holding pin, there is no problem that the life of the pin is shortened even when the wafer is rotated at a high speed.
No particles are generated from the wafer.

【0021】一方、ウエーハ裏面Wbの洗浄では、ウエ
ーハ表面の場合とそれぞれ同じ目的で、かつ同様の要領
で(i)純水リンス工程、(ii)純水によるブラシ洗
浄工程、(iii)純水リンス工程、(iv)IPAリ
ンス工程、(v)乾燥工程の順に処理を行う。
On the other hand, in the cleaning of the wafer back surface Wb, for the same purpose as in the case of the wafer front surface and in the same manner, (i) a pure water rinsing step, (ii) a brush cleaning step with pure water, and (iii) a pure water The treatment is performed in the order of a rinsing step, (iv) an IPA rinsing step, and (v) a drying step.

【0022】この場合、図1(b)に示すように、あら
かじめ、ウエーハWの外周部をウエーハ保持ピン26b
の本体26c上面に載せてウエーハを回転軸25と同心
状に保持してウエーハ裏面Wbを上に向ける。これによ
り、円板26aとウエーハWとの間に適切な大きさの空
間が形成されるため、円板26aに設けたバックリンス
ノズル27からウエーハ表面中心部へのIPA液の供給
が可能となる。ウエーハWの外周端と丸棒26dとの間
隔は、これらの間に大きなガタがない程度とする。ガタ
が大きいとウエーハ回転時にウエーハ外周端と丸棒26
dとが衝突し、この丸棒からパーティクルが発生しやす
くなるし、前記間隔が小さすぎるとウエーハの保持操作
が難しくなる。
In this case, as shown in FIG. 1B, the outer peripheral portion of the wafer W is
Is placed on the upper surface of the main body 26c, and the wafer is held concentrically with the rotating shaft 25, and the wafer back surface Wb is directed upward. As a result, a space of an appropriate size is formed between the disk 26a and the wafer W, so that the back rinse nozzle 27 provided on the disk 26a can supply the IPA liquid to the center of the wafer surface. . The distance between the outer peripheral end of the wafer W and the round bar 26d is set so that there is no large play between them. If the backlash is large, the outer peripheral edge of the wafer and the round bar 26 during wafer rotation
When the distance d is too small, the operation of holding the wafer becomes difficult.

【0023】このウエーハ裏面の洗浄方法がウエーハ表
面の洗浄方法と著しく異なる点は、これら(i)〜
(v)の全ての工程中、常にウエーハ表面Wa(下面
側)にIPA液を供給してバックリンスすることであ
る。洗浄工程中にウエーハ裏面Wbに供給された水の一
部がウエーハ表面Wa側に流れ込んだり、純水リンス工
程やブラシ洗浄工程でウエーハ裏面から剥離されたパー
ティクルの一部がウエーハ表面側に回り込むのが、この
バックリンスを行うことにより防止され、したがって、
ウエーハ表面を前記(4)のIPAリンス工程直後の清
浄な状態に維持することができる。
The method of cleaning the back surface of the wafer is significantly different from the method of cleaning the front surface of the wafer.
During the entire process (v), the IPA solution is always supplied to the wafer surface Wa (lower surface side) to perform back rinsing. Part of the water supplied to the wafer back surface Wb during the cleaning process flows into the wafer front surface Wa, and some of the particles separated from the wafer back surface in the pure water rinsing process or the brush cleaning process flow around to the wafer front surface. Is prevented by performing this back-rinsing,
The wafer surface can be maintained in a clean state immediately after the IPA rinsing step (4).

【0024】ところで、従来のウエーハ表面の洗浄方法
では純水リンス、純水によるブラシ洗浄、純水リンス、
乾燥の順に行っていた。また、ウエーハ裏面の洗浄では
純水リンス、純水によるブラシ洗浄、純水リンス、乾燥
の順に行うとともに、これら前段の純水リンス工程から
後段の純水リンス工程までの全工程中、純水によるウエ
ーハ表面のリンス(バックリンス)を行っていた。しか
し、従来方法ではウエーハ表面、ウエーハ裏面のいずれ
の場合も、水を遠心力で振り切ることで乾燥させるもの
であったため、ウエーハを高速回転させる必要があっ
た。
By the way, in the conventional method of cleaning a wafer surface, pure water rinsing, brush cleaning with pure water, pure water rinsing,
It was done in the order of drying. In addition, in cleaning the backside of the wafer, pure water rinsing, brush cleaning with pure water, pure water rinsing, and drying are performed in this order, and pure water is used during the entire process from the preceding pure water rinsing process to the subsequent pure water rinsing process. The wafer surface was rinsed (back rinsed). However, in the conventional method, in both the case of the wafer front surface and the case of the wafer back surface, water is shaken off and dried by centrifugal force, so that it is necessary to rotate the wafer at high speed.

【0025】これに対し本発明は、ウエーハ表面の乾燥
およびウエーハ裏面の乾燥を、遠心力でIPA液を振り
切ることで行うものであるから、高速回転させる必要が
なくなる。このため、ウエーハ裏面の乾燥では、ウエー
ハとウエーハ保持ピン26bとの摩擦に起因する、該保
持ピンからのパーティクルの発生が抑えられる。ウエー
ハを高速回転させない場合、ウエーハ面に多少のIPA
液が残るが、このIPA液は水と違ってウォータマーク
の原因にはならないし、この残留IPA液は水に比べて
迅速に揮発除去されるからである。
On the other hand, in the present invention, since the drying of the wafer front surface and the drying of the wafer back surface are performed by shaking off the IPA liquid by centrifugal force, it is not necessary to rotate the wafer at a high speed. Therefore, in drying the back surface of the wafer, the generation of particles from the holding pin 26b due to the friction between the wafer and the wafer holding pin 26b is suppressed. If the wafer is not rotated at high speed, some IPA
Although the liquid remains, this IPA liquid does not cause a watermark unlike water, and the residual IPA liquid is volatilized and removed more quickly than water.

【0026】このように本発明は、ウエーハ表面の洗浄
において純水リンス、純水によるブラシ洗浄、純水リン
ス、IPAリンス、乾燥の順に行うものである。また、
本発明はウエーハ裏面の洗浄において純水リンス、純水
によるブラシ洗浄、純水リンス、IPAリンス、乾燥の
順に行うとともに、これら純水リンス工程からIPAリ
ンスまでの全工程中、IPAによるウエーハ表面のリン
ス(バックリンス)を継続して行うものである。
As described above, in the present invention, the cleaning of the wafer surface is performed in the order of pure water rinsing, brush cleaning with pure water, pure water rinsing, IPA rinsing, and drying. Also,
In the present invention, the cleaning of the back surface of the wafer is performed in the order of pure water rinsing, brush cleaning with pure water, pure water rinsing, IPA rinsing, and drying. Rinse (back rinse) is performed continuously.

【0027】したがって本発明によれば、ウエーハ表面
の洗浄工程では、ウエーハ表面でのウォータマークの発
生が抑えられるとともに、IPAは水より迅速に蒸発す
るから乾燥工程を従来方法に比べて短時間に行うことが
できる。また、ウエーハ裏面の洗浄工程ではウエーハ表
面および裏面についてウォータマークの発生が抑えられ
るうえ、ウエーハを比較的低速回転させることで、ウエ
ーハ保持ピンからのパーティクルの発生を防止すること
ができるという利点がある。
Therefore, according to the present invention, in the step of cleaning the surface of the wafer, the generation of a watermark on the surface of the wafer is suppressed, and the IPA evaporates more quickly than water. It can be carried out. Further, in the step of cleaning the back surface of the wafer, the generation of watermarks on the front surface and the back surface of the wafer is suppressed, and the generation of particles from the wafer holding pins can be prevented by rotating the wafer at a relatively low speed. .

【0028】[0028]

【実施例】つぎに本発明の実施例を、図2〜図5を参照
して説明する。図2はスクラバ洗浄装置の全体構成を示
す概略斜視図、図3〜図5はその構成要素を示すもの
で、図3は表面スクラバユニット(前段のウエーハ洗浄
部)の斜視図、図4は裏面スクラバユニット(後段のウ
エーハ洗浄部)の斜視図、図5はウエーハ反転ユニット
の斜視図である。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a schematic perspective view showing the entire configuration of the scrubber cleaning apparatus, FIGS. 3 to 5 show the components thereof, FIG. 3 is a perspective view of a front surface scrubber unit (wafer cleaning section in the former stage), and FIG. FIG. 5 is a perspective view of a scrubber unit (a wafer cleaning section at a later stage), and FIG. 5 is a perspective view of a wafer reversing unit.

【0029】このスクラバ洗浄装置は、図2に示すよう
にウエーハ検出アーム31、カセットステージ32、イ
ンデクサユニット33、搬送ユニット34、表面スクラ
バユニット35、反転ユニット36、裏面スクラバユニ
ット37、反転ユニット38および、これらを自動的に
作動させるための自動制御装置(図示せず)を備えてい
る。
As shown in FIG. 2, the scrubber cleaning apparatus includes a wafer detection arm 31, a cassette stage 32, an indexer unit 33, a transport unit 34, a front scrubber unit 35, a reversing unit 36, a back scrubber unit 37, a reversing unit 38, And an automatic control device (not shown) for automatically operating these.

【0030】ウエーハ検出アーム31は、カセットステ
ージ32上に複数、互いに適宜間隔を開けて設けられて
いる。カセットステージ32は、多数枚のウエーハを収
納したキャリア(図示せず)をセットするためのもので
あり、ウエーハ検出アーム31はキャリア内のウエーハ
の収納枚数を検出するためのものである。インデクサユ
ニット33は、キャリア内のウエーハを一枚ずつ取り出
して搬送ユニット34に受け渡す操作と、搬送ユニット
34からウエーハを一枚ずつ受け取ってキャリアに収納
する操作とを行うものである。このインデクサユニット
33は、ウエーハを真空吸着して保持するインデクサア
ーム33aを備えており、このインデクサアームは昇降
自在、かつカセットステージ32の長手方向に沿って前
後動し、所定位置で停止できるようになっている。イン
デクサアーム33aは互いに対向する一対の真空吸着部
材からなり、これらの部材は互いに接近・離間自在とな
っている。
A plurality of wafer detection arms 31 are provided on the cassette stage 32 at appropriate intervals. The cassette stage 32 is for setting a carrier (not shown) storing a large number of wafers, and the wafer detection arm 31 is for detecting the number of stored wafers in the carrier. The indexer unit 33 performs an operation of taking out wafers in the carrier one by one and transferring them to the transport unit 34, and an operation of receiving wafers one by one from the transport unit 34 and storing them in the carrier. The indexer unit 33 is provided with an indexer arm 33a for holding the wafer by vacuum suction. The indexer arm can be moved up and down, and can move back and forth along the longitudinal direction of the cassette stage 32 so that it can be stopped at a predetermined position. Has become. The indexer arm 33a includes a pair of vacuum suction members opposed to each other, and these members can freely approach and separate from each other.

【0031】搬送ユニット34は昇降自在であり、かつ
表面スクラバユニット35および裏面スクラバユニット
37に沿って前後動し、所定位置で停止できるようにな
っている。この搬送ユニット34は、互いに対向する一
対のアームを備えており、これらのアームは一体的に回
動自在、かつアームの長手方向に前後動自在であり、し
かも、互いに接近・離間自在であり、ウエーハをこれら
のアーム上に載せることで保持できるように構成されて
いる。
The transport unit 34 is vertically movable, moves back and forth along a front scrubber unit 35 and a back scrubber unit 37, and can be stopped at a predetermined position. The transport unit 34 includes a pair of arms facing each other, these arms are rotatable integrally, and are movable back and forth in the longitudinal direction of the arms, and are movable toward and away from each other. It is configured such that the wafer can be held by placing it on these arms.

【0032】表面スクラバユニット35は、図3に示す
ように回動自在のブラシアーム41と、その一端部に設
けられた円筒型の洗浄ブラシ42と、純水供給ノズル4
3と、IPA供給ノズル44と、ウエーハ保持用のバキ
ュームチャック(スピンチャック)45と、洗浄液回収
筒46と、外筒47と、洗浄液排出部材48とを備えて
いる。洗浄液回収筒46は、ウエーハ面から飛散する洗
浄液(水、IPA)を回収するとともに、該洗浄液がウ
エーハ面に跳ね返るのを防止するためのもので、バキュ
ームチャック45を包囲してこれと同心状に設けられて
いる。バキュームチャック45は回転機構(図示せず)
により高速回転自在である。外筒47は、洗浄液回収筒
46の外側に同心状に設けられている。洗浄液回収筒4
6と外筒47との間には、洗浄液を導出するための環状
溝が形成され、この環状溝の端部が洗浄液排出部材48
に連なっている。
As shown in FIG. 3, the surface scrubber unit 35 includes a rotatable brush arm 41, a cylindrical cleaning brush 42 provided at one end thereof, and a pure water supply nozzle 4.
3, an IPA supply nozzle 44, a vacuum chuck (spin chuck) 45 for holding a wafer, a cleaning liquid collecting cylinder 46, an outer cylinder 47, and a cleaning liquid discharging member 48. The cleaning liquid collecting cylinder 46 is for collecting the cleaning liquid (water, IPA) scattered from the wafer surface and for preventing the cleaning liquid from splashing on the wafer surface, and surrounds the vacuum chuck 45 and is concentric with the vacuum chuck 45. Is provided. The vacuum chuck 45 is a rotating mechanism (not shown)
It can rotate at high speed. The outer cylinder 47 is provided concentrically outside the cleaning liquid recovery cylinder 46. Cleaning liquid recovery cylinder 4
An annular groove is formed between the outer tube 6 and the outer cylinder 47 for leading out the cleaning liquid.
It is connected to.

【0033】裏面スクラバユニット37は、図4に示す
ように回動自在のブラシアーム51と、その一端部に設
けられた円筒型の洗浄ブラシ52と、純水供給ノズル5
3と、IPA供給ノズル54と、ウエーハ保持用のメカ
ニカルチャック55(ウエーハ保持部)と、洗浄液回収
筒56と、洗浄液排出部材(図示せず)とを備えてい
る。メカニカルチャック55は回転機構(図示せず)に
より比較的高速で回転自在であって、上述の実施の形態
で説明したウエーハ保持部26と同様に構成されたもの
であり、円板55aと、その上面に同心状に突設された
複数のウエーハ保持ピン55bとを備えている。洗浄液
回収筒56は、ウエーハ面から飛散する洗浄液を回収す
るとともに、該洗浄液がウエーハ面に跳ね返るのを防止
するためのもので、メカニカルチャック55を包囲して
前記円板55aと同心状に設けられている。洗浄液回収
筒56の下方部には洗浄液の排出路(図示せず)が形成
されている。
As shown in FIG. 4, the back side scrubber unit 37 includes a rotatable brush arm 51, a cylindrical cleaning brush 52 provided at one end thereof, and a pure water supply nozzle 5
3, an IPA supply nozzle 54, a mechanical chuck 55 (wafer holding unit) for holding a wafer, a cleaning liquid collecting cylinder 56, and a cleaning liquid discharging member (not shown). The mechanical chuck 55 is rotatable at a relatively high speed by a rotating mechanism (not shown), and has the same configuration as the wafer holding unit 26 described in the above embodiment. A plurality of wafer holding pins 55b concentrically projecting from the upper surface are provided. The cleaning liquid collecting cylinder 56 is for collecting the cleaning liquid scattered from the wafer surface and for preventing the cleaning liquid from bouncing off to the wafer surface, and is provided concentrically with the disk 55a surrounding the mechanical chuck 55. ing. A cleaning liquid discharge path (not shown) is formed below the cleaning liquid collecting cylinder 56.

【0034】反転ユニット36,38は構造・機能が同
一で、図5に示す構造を有するものであり、反転ユニッ
ト36は、表面スクラバユニット35と裏面スクラバユ
ニット37との間に配備され、反転ユニット38は、裏
面スクラバユニット37の真正面に配置されている。す
なわち、昇降テーブル62と、その上面の同一ピッチ円
上に突設された複数のウエーハ支持ピン63と、反転チ
ャック61と、この反転チャックの作動機構64とを備
えている。反転チャック61は、互いに対向する一対の
チャック部材61a,61bからなり、これらのチャッ
ク部材は作動機構64により相互に接近・離間自在、か
つ一体的に反転自在である。また、これらのチャック部
材61a,61bの相互に対向する先端部には、ウエー
ハ外周部を挿入してこれを保持する凹部が形成されてい
る。さらに、これらのチャック部材の対向間隙に前記昇
降テーブル62のウエーハ支持ピン63が位置してい
る。
The reversing units 36 and 38 have the same structure and function and have the structure shown in FIG. 5. The reversing unit 36 is disposed between the front surface scrubber unit 35 and the back surface scrubber unit 37. 38 is arranged in front of the back side scrubber unit 37. That is, it includes a lifting table 62, a plurality of wafer support pins 63 protruding on the same pitch circle on the upper surface thereof, a reversing chuck 61, and an operation mechanism 64 for the reversing chuck. The reversing chuck 61 is composed of a pair of chuck members 61a and 61b facing each other, and these chuck members can be approached / separated from each other by an operation mechanism 64 and can be reversed integrally. In addition, a concave portion for inserting and holding the outer peripheral portion of the wafer is formed at the distal end portion of the chuck members 61a and 61b facing each other. Further, a wafer support pin 63 of the elevating table 62 is located in a gap between the chuck members.

【0035】つぎに、このスクラバ洗浄装置によるウエ
ーハ洗浄方法および作用について説明する。 ステップ1:複数枚のウエーハを収納した、適宜個数の
キャリア(図示せず)をカセットステージ32に載せ
る。このカセットには、ウエーハが上下多段に、かつ水
平方向に収納されている。 ステップ2:ウエーハ検出アーム31により、キャリア
内のウエーハ枚数が検出され、この検出結果が前記自動
制御装置に入力される。この自動制御装置は、前記入力
信号に基づいて、このスクラバ洗浄装置を構成するそれ
ぞれの機構を自動制御する。
Next, a description will be given of a wafer cleaning method and operation of the scrubber cleaning apparatus. Step 1: An appropriate number of carriers (not shown) containing a plurality of wafers are placed on the cassette stage 32. In this cassette, wafers are stored in multiple stages vertically and horizontally. Step 2: The number of wafers in the carrier is detected by the wafer detection arm 31, and the detection result is input to the automatic control device. The automatic control device automatically controls each mechanism constituting the scrubber cleaning device based on the input signal.

【0036】ステップ3:インデクサユニット33がカ
セットステージ32に沿って移動し、所定のキャリアの
前で停止する。インデクサアーム33aが上昇し、つい
でキャリア内に前進したのち後退することで、キャリア
の最上段にあるウエーハを真空吸着により取り出す。 ステップ4:インデクサユニット33がカセットステー
ジ32に沿って移動して搬送ユニット34の直前で停止
する。ついで、搬送ユニット34に対するインデクサユ
ニット33の高さ方向の位置決めが行われる。 ステップ5:搬送ユニット34の2本のアームが、イン
デクサアーム33aの直下に侵入した後、インデクサア
ーム33aを構成する前記一対の部材間の間隔が拡大す
ることにより、ウエーハが前記アーム上に移載される
(ウエーハの受渡し)。
Step 3: The indexer unit 33 moves along the cassette stage 32 and stops before a predetermined carrier. The indexer arm 33a moves up, then advances into the carrier and then retreats, so that the wafer at the top of the carrier is taken out by vacuum suction. Step 4: The indexer unit 33 moves along the cassette stage 32 and stops immediately before the transport unit 34. Next, positioning of the indexer unit 33 with respect to the transport unit 34 in the height direction is performed. Step 5: After the two arms of the transport unit 34 enter directly below the indexer arm 33a, the distance between the pair of members constituting the indexer arm 33a is increased, so that the wafer is transferred onto the arm. (Wafer delivery).

【0037】ステップ6:搬送ユニット34が移動し、
表面スクラバユニット35の直前で停止する。搬送ユニ
ット34の前記アームが90°回動し、表面スクラバユ
ニット35に向かって前進し、所定の位置で停止したの
ち下降することにより、ウエーハがバキュームチャック
45に真空吸着される。前記アームが後退し、90°回
動して待機する。 ステップ7:ウエーハ表面の洗浄が行われる。
Step 6: The transport unit 34 moves,
It stops just before the surface scrubber unit 35. The arm of the transfer unit 34 rotates 90 °, advances toward the surface scrubber unit 35, stops at a predetermined position, and then descends, so that the wafer is vacuum-sucked to the vacuum chuck 45. The arm retreats, rotates 90 ° and stands by. Step 7: The wafer surface is cleaned.

【0038】ステップ8:搬送ユニット34は、ステッ
プ7と逆の順序で洗浄後のウエーハを回収保持した後、
移動して反転ユニット36の直前で停止する。前記アー
ムが所定高さに設定され、ついで90°回動し、反転ユ
ニット36に向かって前進し、所定の位置で停止したの
ち下降することにより、ウエーハが反転ユニット36の
ウエーハ保持ピン63上に載せられる。前記アームが後
退し、90°回動して待機する。 ステップ9:反転チャック61a,61bが互いに接近
し、ウエーハを保持する。昇降テーブル62が下降した
後、反転チャック61a,61bが180°回動する
(ウエーハ反転)。ついで、上記と逆の順序でウエーハ
が、搬送ユニット34に回収される。
Step 8: The transport unit 34 collects and holds the washed wafer in the reverse order of Step 7,
It moves and stops just before the reversing unit 36. The arm is set at a predetermined height, then rotates 90 °, advances toward the reversing unit 36, stops at a predetermined position and then descends, so that the wafer is placed on the wafer holding pins 63 of the reversing unit 36. Put on. The arm retreats, rotates 90 ° and stands by. Step 9: The reversing chucks 61a and 61b approach each other to hold the wafer. After the elevating table 62 is lowered, the reversing chucks 61a and 61b rotate by 180 ° (wafer reversal). Next, the wafers are collected in the transport unit 34 in the reverse order.

【0039】ステップ10:搬送ユニット34が移動
し、裏面スクラバユニット37の直前で停止する。前記
アームが所定高さに設定され、ついで90°回動し、裏
面スクラバユニット37に向かって前進し、所定の位置
で停止したのち下降することにより、ウエーハが保持ピ
ン55b上に載せられる。前記アームが後退し、90°
回動して待機する。 ステップ11:ウエーハ裏面の洗浄が行われる。 ステップ12:搬送ユニット34は、ステップ7と逆の
順序で洗浄後のウエーハを回収保持し、反転ユニット3
8に受け渡す。反転ユニット38で反転されたウエーハ
を搬送ユニット34が受け取る。 ステップ13:搬送ユニット34がインテグサユニット
33まで移動し、そのアームが所定高さに設定される。
Step 10: The transport unit 34 moves and stops immediately before the back side scrubber unit 37. The arm is set at a predetermined height, then rotates 90 °, advances toward the back surface scrubber unit 37, stops at a predetermined position, and then descends, whereby the wafer is placed on the holding pin 55b. The arm retreats, 90 °
It turns and waits. Step 11: The back surface of the wafer is cleaned. Step 12: The transport unit 34 collects and holds the washed wafer in the reverse order of step 7, and
Hand over to 8. The transport unit 34 receives the wafer inverted by the reversing unit 38. Step 13: The transport unit 34 moves to the integrator unit 33, and its arm is set at a predetermined height.

【0040】ステップ14:上記と逆の順序で、ウエー
ハがインテグサアーム33aに受け渡され、ついでウエ
ーハがキャリア内に回収される。以上のステップによ
り、キャリア内の最上段ウエーハの洗浄が終了する。 ステップ15:以下、同様操作によってキャリア内の2
段目、3段目…のウエーハが、上記と同様にして洗浄さ
れる。 ステップ16:ついで2個目、3個目…のキャリアにつ
いてウエーハの洗浄が行われる。
Step 14: The wafer is delivered to the integrator arm 33a in the reverse order, and then the wafer is collected in the carrier. With the above steps, the cleaning of the uppermost wafer in the carrier is completed. Step 15: Hereinafter, the same operation is performed on the 2
The wafers in the third, third,... Stages are cleaned in the same manner as described above. Step 16: Next, the wafers are cleaned for the second, third,... Carriers.

【0041】[0041]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係るウエーハ表面および裏面のスクラバ洗浄装置および
洗浄方法では、純水洗浄ののちにIPA液でリンスする
ように構成したので簡単な構成、簡便な操作によって、
ウエーハの表面状態(親水性、疎水性)に関係なくウエ
ーハ表面および裏面についてウォータマークの発生が抑
えられる。したがって、後工程でのSiO2 の異常成長
やパターン崩れなどの問題が解決される。また、IPA
リンス後にウエーハ面に残るIPAは水より迅速に蒸発
するから、乾燥工程を従来方法に比べて短時間に行うこ
とができる。さらに、本発明に係るウエーハのスクラバ
洗浄装置および洗浄方法によれば、ウエーハ裏面の洗浄
を、ウエーハを比較的低速回転させることで行うことが
できるから、ウエーハ保持ピンからのパーティクルの発
生が抑えられ、したがってウエーハの汚染が防止できる
という効果がある。
As described in detail above, the apparatus and method for cleaning scrubbers on the front and back surfaces of a wafer according to the present invention are constructed such that they are rinsed with an IPA solution after cleaning with pure water, so that the structure is simple. , By simple operation,
Regardless of the surface state (hydrophilicity, hydrophobicity) of the wafer, generation of watermarks on the front and back surfaces of the wafer is suppressed. Therefore, problems such as abnormal growth of SiO 2 and pattern collapse in a later step are solved. Also, IPA
Since IPA remaining on the wafer surface after rinsing evaporates more quickly than water, the drying step can be performed in a shorter time than in the conventional method. Furthermore, according to the wafer scrubber cleaning device and the cleaning method according to the present invention, the back surface of the wafer can be cleaned by rotating the wafer at a relatively low speed, so that generation of particles from the wafer holding pins is suppressed. Therefore, there is an effect that contamination of the wafer can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態を示す説明図であって、
(a)は前段のウエーハ洗浄部を、(b)は後段のウエ
ーハ洗浄部をそれぞれ示している。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an embodiment of the present invention,
(A) shows a wafer cleaning section at the former stage, and (b) shows a wafer cleaning section at the latter stage.

【図2】本発明に係るスクラバ洗浄装置の実施例を示す
概略斜視図である。
FIG. 2 is a schematic perspective view showing an embodiment of a scrubber cleaning device according to the present invention.

【図3】図2の装置を構成する表面スクラバユニット
(前段のウエーハ洗浄部)の斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view of a surface scrubber unit (a front-stage wafer cleaning unit) constituting the apparatus of FIG. 2;

【図4】図2の装置を構成する裏面スクラバユニット
(後段のウエーハ洗浄部)の斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view of a back side scrubber unit (a wafer cleaning unit at a later stage) constituting the apparatus of FIG. 2;

【図5】図2の装置を構成するウエーハ反転ユニットの
斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view of a wafer reversing unit constituting the apparatus of FIG. 2;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…ウエーハ表面洗浄部(前段のウエーハ洗浄部)、
11…洗浄ブラシ、12…純水供給ノズル、13…IP
A供給ノズル、14…ウエーハ回転機構、15…回転
軸、16…バキュームチャック、17…(洗浄ブラシ
の)移動軌跡、20…ウエーハ裏面洗浄部(後段のウエ
ーハ洗浄部)、21…洗浄ブラシ、22…純水供給ノズ
ル、23…IPA供給ノズル、24…ウエーハ回転機
構、25…回転軸、26…ウエーハ保持部、26a…円
板、26b…ウエーハ保持ピン、26c…本体、26d
…丸棒、27…バックリンスノズル(IPA供給ノズ
ル)、28…(洗浄ブラシの)移動軌跡、31…ウエー
ハ検出アーム、32…カセットステージ、33…インデ
クサユニット、33a…インデクサアーム、34…搬送
ユニット、35…表面スクラバユニット、36…反転ユ
ニット、37…裏面スクラバユニット、38…反転ユニ
ット、41…ブラシアーム、42…洗浄ブラシ、43…
純水供給ノズル、44…IPA供給ノズル、45…バキ
ュームチャック(真空吸着盤)、46…洗浄液回収筒、
47…外筒、48…洗浄液排出部材、51…ブラシアー
ム、52…洗浄ブラシ、53…純水供給ノズル、54…
IPA供給ノズル、55…メカニカルチャック(ウエー
ハ保持部)、55a…円板、55b…ウエーハ保持ピ
ン、56…洗浄液回収筒、61…反転チャック、61
a,61b…チャック部材、62…昇降テーブル、63
…ウエーハ保持ピン、64…作動機構、W…ウエーハ、
Wa…ウエーハ表面、Wb…ウエーハ裏面。
10: Wafer surface cleaning unit (wafer cleaning unit at the preceding stage),
11 cleaning brush, 12 pure water supply nozzle, 13 IP
A supply nozzle, 14: wafer rotating mechanism, 15: rotating shaft, 16: vacuum chuck, 17: movement trajectory (of the cleaning brush), 20: wafer back surface cleaning section (subsequent wafer cleaning section), 21: cleaning brush, 22 ... pure water supply nozzle, 23 ... IPA supply nozzle, 24 ... wafer rotating mechanism, 25 ... rotating shaft, 26 ... wafer holding part, 26a ... disk, 26b ... wafer holding pin, 26c ... body, 26d
... Round bar, 27 ... Back rinse nozzle (IPA supply nozzle), 28 ... Moving locus (of the cleaning brush), 31 ... Wafer detection arm, 32 ... Cassette stage, 33 ... Indexer unit, 33a ... Indexer arm, 34 ... Transport unit , 35 ... Surface scrubber unit, 36 ... Reversing unit, 37 ... Backside scrubber unit, 38 ... Reversing unit, 41 ... Brush arm, 42 ... Cleaning brush, 43 ...
Pure water supply nozzle, 44: IPA supply nozzle, 45: Vacuum chuck (vacuum suction disk), 46: Cleaning liquid collection cylinder,
47 ... outer cylinder, 48 ... cleaning liquid discharge member, 51 ... brush arm, 52 ... cleaning brush, 53 ... pure water supply nozzle, 54 ...
IPA supply nozzle, 55: mechanical chuck (wafer holding portion), 55a: disk, 55b: wafer holding pin, 56: cleaning liquid collecting cylinder, 61: reversing chuck, 61
a, 61b: chuck member, 62: elevating table, 63
… Wafer holding pin, 64… operation mechanism, W… wafer,
Wa: wafer front surface; Wb: wafer back surface.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 洗浄面を上側に向けて、かつ水平方向に
沿わせてウエーハを高速回転させる操作と、洗浄ブラシ
の前記ウエーハ洗浄面への押し当て、回転およびウエー
ハ直径方向の移動とを並行して行いながら、ウエーハの
前記洗浄面の中心部または前記洗浄ブラシに洗浄液を供
給することにより前記ウエーハ洗浄面を洗浄する装置に
おいて、 ウエーハ洗浄部を2段に設けてなり、 前段のウエーハ洗浄部は、ウエーハを回転軸と同心状に
真空吸着して高速回転させるウエーハ高速回転機構と、
前記洗浄ブラシの回転・移動機構と、前記洗浄液として
純水を供給する純水供給機構と、前記洗浄液としてイソ
プロピルアルコールを供給するIPA供給機構とを備
え、 後段のウエーハ洗浄部は、ウエーハを保持して回転させ
るウエーハ回転機構と、洗浄ブラシの回転・移動機構
と、前記洗浄液として純水を供給する純水供給機構と、
前記洗浄液としてイソプロピルアルコールを供給するI
PA供給機構とを備え、前記ウエーハ回転機構は、ウエ
ーハを回転軸の上端部直上に適宜間隔をあけて、ウエー
ハ外周部を当接させて、かつ前記回転軸と同心状に保持
するウエーハ保持部と、ウエーハの下面にイソプロピル
アルコール液を供給するIPA供給機構とを備えている
ことを特徴とするウエーハのスクラバ洗浄装置。
1. An operation of rotating a wafer at a high speed with a cleaning surface facing upward and along a horizontal direction, and pressing, rotating, and moving the wafer in the wafer diametric direction in parallel with the cleaning brush against the wafer cleaning surface. In the apparatus for cleaning the wafer cleaning surface by supplying a cleaning liquid to the central part of the cleaning surface of the wafer or the cleaning brush, a wafer cleaning unit is provided in two stages, Is a high-speed wafer rotation mechanism that vacuum-adsorbs the wafer concentrically with the rotation axis and rotates the wafer at high speed.
A rotating / moving mechanism for the cleaning brush, a pure water supply mechanism for supplying pure water as the cleaning liquid, and an IPA supply mechanism for supplying isopropyl alcohol as the cleaning liquid; and a wafer cleaning section at a later stage holds the wafer. A wafer rotation mechanism for rotating the wafer, a cleaning brush rotation / movement mechanism, a pure water supply mechanism for supplying pure water as the cleaning liquid,
I. Supplying isopropyl alcohol as the cleaning liquid
A wafer supply mechanism, wherein the wafer rotation mechanism comprises a wafer holding mechanism for holding the wafer at an appropriate interval directly above the upper end of the rotation shaft, abutting the outer periphery of the wafer, and holding the wafer concentrically with the rotation shaft. A scrubber cleaning device for a wafer, comprising: an IPA supply mechanism for supplying an isopropyl alcohol solution to a lower surface of the wafer.
【請求項2】 請求項1に記載の装置を使用してウエー
ハをスクラバ洗浄する方法であって、 前段のウエーハ洗浄部では、ウエーハ表面を洗浄ブラシ
を用いて純水により洗浄し、ついで純水をウエーハ表面
の中心部に供給しながらリンスした後、IPA液をウエ
ーハ表面の中心部に供給しながらリンスし、 後段のウエーハ洗浄部では、ウエーハ裏面を洗浄ブラシ
を用いて純水により洗浄し、ついで純水をウエーハ裏面
の中心部に供給しながらリンスした後、IPA液をウエ
ーハ裏面の中心部に供給しながらリンスするとともに、
これら純水洗浄、純水リンスおよびIPAリンスの全工
程中、継続してウエーハ表面の中心部にIPA液を供給
しながらリンスすることを特徴とするウエーハのスクラ
バ洗浄方法。
2. A method for scrubbing a wafer using the apparatus according to claim 1, wherein in the wafer cleaning section at the first stage, the wafer surface is cleaned with pure water using a cleaning brush, and then the pure water is cleaned. After rinsing while supplying the wafer to the center of the wafer surface, rinsing while supplying the IPA liquid to the center of the wafer surface. In the subsequent wafer cleaning section, the back of the wafer is cleaned with pure water using a cleaning brush, Then, after rinsing while supplying pure water to the center of the wafer back surface, rinsing while supplying the IPA liquid to the center of the wafer back surface,
A wafer scrubber cleaning method characterized by continuously rinsing while supplying the IPA liquid to the center of the wafer surface during all the steps of pure water cleaning, pure water rinsing and IPA rinsing.
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