JPH11162004A - Optical pickup device and its manufacture - Google Patents

Optical pickup device and its manufacture

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Publication number
JPH11162004A
JPH11162004A JP10093042A JP9304298A JPH11162004A JP H11162004 A JPH11162004 A JP H11162004A JP 10093042 A JP10093042 A JP 10093042A JP 9304298 A JP9304298 A JP 9304298A JP H11162004 A JPH11162004 A JP H11162004A
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JP
Japan
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heat sink
wiring board
photodetector
optical pickup
pickup device
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Application number
JP10093042A
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Japanese (ja)
Inventor
Masao Segawa
雅雄 瀬川
Masayuki Arakawa
雅之 荒川
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Toshiba Corp
Toshiba AVE Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba AVE Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba AVE Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To stably perform wire-bonding. SOLUTION: A step part 10 is formed on a heat sink 2 and a relay substrate 11 for wire-bonding between a first photodetector 5 and a wiring substrate 1 is provided on this step part 10. When electric connection between the first photodetector 5 and the wiring substrate 1 is performed, these step differences are reduced, the inconvenience that a wire is pulled downward by a bonding capillary at a bonding time, the loop shape of the wire isn't stabilized, the wire is brought in contact with the edge of the first photodetector 5 and adjacent wires are brought in contact with each other, etc., is not generated and the stable wire-bonding is performed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ素子から出
力されたレーザ光を光ディスク等に照射し、その反射レ
ーザ光を光検出素子により受光して光ディスクの情報を
読み取る光ピックアップ装置及びその製造方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical pickup device for irradiating a laser beam output from a laser element onto an optical disk or the like, receiving the reflected laser beam by a photodetector and reading information on the optical disk, and a method of manufacturing the same. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、CD(compact disk)やLD(la
ser disk)等の光記録媒体の普及には目覚ましいものが
あり、それに伴って光ピックアップの重要性というもの
が増大している。最近においては、DVD(digital vi
deo disc)などの大容量かつ高密度な記録媒体も登場
し、従来にも増して高精度な光ピックアップ装置が要求
され、特に光ピックアップ装置におけるレーザ素子や光
検出素子の実装精度に対して高精度なものが要求されて
いる。
2. Description of the Related Art In recent years, CDs (compact disks) and LDs (la
The spread of optical recording media such as ser disks has been remarkable, and the importance of optical pickups has increased accordingly. Recently, DVD (digital vi
With the advent of large-capacity and high-density recording media such as deo discs, optical pickup devices with higher precision than ever are required, especially with respect to the mounting accuracy of laser elements and photodetectors in optical pickup devices. Accurate ones are required.

【0003】又、これらの光記録媒体は、単純に音声や
動画の再生だけでなく、パーソナルコンピュータのRO
Mなどとしても用いられ、様々な機器に組み込まれるよ
うになり、光ピックアップ装置の小型・薄型化というも
のも要求されるようになっている。
[0003] These optical recording media are not only used for reproducing sound and moving images, but also for the RO of personal computers.
It is also used as an M, etc., and is incorporated in various devices, and a demand for a small and thin optical pickup device has been required.

【0004】図10はかかる光ピックアップ装置の構成
図である。配線基板1は、セラミック基板上に導電材を
用いてパターンを形成したものである。この配線基板1
の中央部には、Cuなどで作成されたヒートシンク2が
配線基板1を貫通するように設けられている。このヒー
トシンク2は、光ピックアップ搭載時に熱を筐体側へと
放熱するものである。
FIG. 10 is a configuration diagram of such an optical pickup device. The wiring substrate 1 is formed by forming a pattern on a ceramic substrate using a conductive material. This wiring board 1
A heat sink 2 made of Cu or the like is provided at the center of the wiring board 1 so as to penetrate the wiring board 1. The heat sink 2 radiates heat to the housing when the optical pickup is mounted.

【0005】このヒートシンク2の側面(垂直方向の
面)には、AlNやSiC等で形成されたサブマウント
基板3が接合され、このサブマウント基板3上にレーザ
素子4が搭載されている。
[0005] A submount substrate 3 made of AlN, SiC or the like is joined to a side surface (vertical surface) of the heat sink 2, and a laser element 4 is mounted on the submount substrate 3.

【0006】一方、ヒートシンク2の上面には、第1の
光検出素子5が接合されている。この第1の光検出素子
5は、レーザ素子4から上方に射出され、光ディスク表
面で反射してきたレーザ光を受光して電気信号に変換す
る機能を有している。
On the other hand, a first light detecting element 5 is joined to the upper surface of the heat sink 2. The first light detecting element 5 has a function of receiving laser light emitted upward from the laser element 4 and reflected on the surface of the optical disk, and converting the laser light into an electric signal.

【0007】この場合、レーザ素子4と第1の光検出素
子5との相対的な搭載位置は、光ディスクからの情報の
読み出し精度に関わるので、高精度が要求されている。
例えば、図中Z方向では±40μm、Y方向では±10
μmの範囲内に収めることが要求されている。従って、
第1の光検出素子5の検出面は、レーザ素子4の上方向
へのレーザ光の発光点の高さと同一高さに位置するもの
となり、かつ配線基板1と第1の光検出素子5との段差
は2mm程度にしている。
In this case, since the relative mounting position of the laser element 4 and the first light detecting element 5 is related to the accuracy of reading information from the optical disk, high accuracy is required.
For example, in the figure, ± 40 μm in the Z direction and ± 10 in the Y direction.
It is required to be within the range of μm. Therefore,
The detection surface of the first light detection element 5 is located at the same height as the height of the laser light emitting point of the laser element 4 in the upward direction, and the wiring board 1 and the first light detection element 5 Is about 2 mm.

【0008】又、レーザ素子4の下方のヒートシンク2
上には、第2の光検出素子6が搭載されている。この第
2の光検出素子6は、レーザ素子4から下方に射出され
たレーザ光の出力をモニタするもので、レーザ光の上方
への反射を防ぐために水平面に対して10°程度の角度
を設けて搭載されている。
The heat sink 2 below the laser element 4
The second photodetector 6 is mounted thereon. The second light detecting element 6 monitors the output of the laser light emitted downward from the laser element 4, and is provided with an angle of about 10 ° with respect to a horizontal plane to prevent the laser light from being reflected upward. It is mounted.

【0009】なお、配線基板1上には、レーザ素子4を
動作させるためのドライブIC7や第1の光検出素子5
の出力信号を増幅するためのプリアンプIC8が搭載さ
れている。
A drive IC 7 for operating the laser element 4 and a first light detecting element 5 are provided on the wiring board 1.
A preamplifier IC 8 for amplifying the output signal of the above is mounted.

【0010】そして、これらレーザ素子4と配線基板1
との間及びドライブIC7と配線基板1との間やプリア
ンプIC8と配線基板1との間、第1の光検出素子5と
配線基板1との間などは、それぞれAuワイヤ等を用い
たワイヤボンディング法によってワイヤボンディングさ
れている。
The laser element 4 and the wiring board 1
And between the drive IC 7 and the wiring board 1, between the preamplifier IC 8 and the wiring board 1, between the first photodetector 5 and the wiring board 1, respectively. Wire bonding is performed by the method.

【0011】このような構成であれば、レーザ素子4
は、ドライブIC7にって動作され、レーザ光を上方に
向かって射出する。このレーザ素子4の動作時に発生す
る熱は、ヒートシンク2を通して放熱される。
With such a configuration, the laser element 4
Is operated by the drive IC 7 and emits laser light upward. The heat generated during the operation of the laser element 4 is radiated through the heat sink 2.

【0012】このレーザ素子4から射出されたレーザ光
は、光ディスクに照射され、その表面で反射してきたレ
ーザ光が第1の光検出素子5に入射する。この第1の光
検出素子5は、光ディスク表面で反射してきたレーザ光
を受光して電気信号に変換出力する。この後、第1の光
検出素子5の出力信号は、プリアンプIC8で増幅さ
れ、光ディスクからの情報として読み取られる。
The laser light emitted from the laser element 4 is applied to the optical disk, and the laser light reflected on the surface of the optical disk enters the first light detecting element 5. The first light detection element 5 receives the laser light reflected on the optical disk surface, converts the laser light into an electric signal, and outputs the electric signal. Thereafter, the output signal of the first photodetector 5 is amplified by the preamplifier IC 8 and read as information from the optical disk.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記装
置では、レーザ素子4をヒートシンク2の側面に搭載
し、第1の光検出器5をヒートシンク2の上面に搭載
し、さらに第2の光検出器6をレーザ素子4の下方のヒ
ートシンク2面上に搭載しているというように、これら
レーザ素子4及び第1、第2の光検出器5、6の搭載面
は全て異なり、これらの配置を満足させるために、ヒー
トシンク2の高さも高く形成するものとなってしまう。
However, in the above device, the laser element 4 is mounted on the side surface of the heat sink 2, the first photodetector 5 is mounted on the upper surface of the heat sink 2, and the second photodetector 5 is further mounted. The mounting surfaces of the laser element 4 and the first and second photodetectors 5 and 6 are all different from each other, such that the laser element 6 is mounted on the surface of the heat sink 2 below the laser element 4. Therefore, the height of the heat sink 2 is also increased.

【0014】特に第1の光検出素子5は、ヒートシンク
2の最も高い位置に配置しなければならず、この第1の
光検出素子5と配線基板1との段差は、2mm程度と大
きなものとなってしまう。
In particular, the first light detecting element 5 must be disposed at the highest position of the heat sink 2, and the step between the first light detecting element 5 and the wiring board 1 is as large as about 2 mm. turn into.

【0015】通常、第1の光検出素子5と配線基板1と
の電気的接続には、Au等のワイヤを用いたワイヤボン
ディング法が適用されているが、このワイヤボンディン
グ法では、上記2mmという大きな段差のために、ボン
ディング時にボンディングキャピラリによってワイヤが
下方に引っ張られるため、ワイヤのループ形状が安定せ
ず、ワイヤが第1の光検出素子5のエッジに接触した
り、隣接するワイヤ同士が接触するなどの不具合が生じ
る。
Usually, a wire bonding method using a wire such as Au is applied to the electrical connection between the first photodetecting element 5 and the wiring board 1. In this wire bonding method, the above-mentioned 2 mm is used. Due to the large step, the wire is pulled downward by the bonding capillary at the time of bonding, so that the loop shape of the wire is not stabilized, and the wire comes into contact with the edge of the first light detection element 5 or the adjacent wires come into contact with each other. Troubles such as running.

【0016】その他の素子については、例えばレーザ素
子4に対しては中継ピンを介するなどして配線基板1と
の電気的接続を取ったり、3次元ワイヤボンディング法
などによりレーザ素子4と配線基板1とを直接ワイヤボ
ンディングするなどの方法があり、大きな問題となって
いない。
As for other elements, for example, the laser element 4 is electrically connected to the wiring board 1 through a relay pin or the like, or the laser element 4 is connected to the wiring board 1 by a three-dimensional wire bonding method or the like. There is a method such as direct wire bonding, which is not a major problem.

【0017】又、第2の光検出素子6では段差が1mm
以下であり、ワイヤボンディングに際して大きな問題と
はなっておらず、10°程度の素子の傾きもボールボン
ディング法を用いれば1stボンディング時にワイヤに
形成されたボールが傾きを吸収するために問題にならな
い。
In the second light detecting element 6, the step is 1 mm.
The following is not a serious problem in wire bonding, and the inclination of the element of about 10 ° is not a problem if the ball bonding method is used, because the ball formed on the wire at the time of the first bonding absorbs the inclination.

【0018】以上のように第1の光検出素子5と配線基
板1との段差が2mm程度と大きいため、安定したワイ
ヤボンディングが困難であり、ワイヤが第1の光検出素
子5のエッジに接触したり、ワイヤ同士が接触するなど
の不具合が生じる。そこで本発明は、安定したワイヤボ
ンディグができる光ピックアップ装置及びその製造方法
を提供することを目的とする。
As described above, since the step between the first light detecting element 5 and the wiring board 1 is as large as about 2 mm, stable wire bonding is difficult, and the wire contacts the edge of the first light detecting element 5. Troubles such as rubbing and contact between wires occur. Therefore, an object of the present invention is to provide an optical pickup device capable of performing stable wire bonding and a method of manufacturing the same.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】請求項1によれば、レー
ザ素子及びこのレーザ素子に光学的に位置合わせされた
光検出素子を搭載したヒートシンクを配線基板に設けた
光ピックアップ装置において、配線基板面上よりも高く
形成され、かつ光検出素子と配線基板との間をワイヤに
より電気的に接続する中継用段差手段を形成した光ピッ
クアップ装置である。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an optical pickup device provided with a heat sink on which a laser element and a photodetector optically aligned with the laser element are mounted. An optical pickup device which is formed higher than on a surface and in which a relay step means for electrically connecting a photodetector and a wiring board with a wire is formed.

【0020】請求項2によれば、請求項1記載の光ピッ
クアップ装置において、中継用段差手段は、ヒートシン
クに光検出素子の高さと配線基板の高さと中間の高さの
段差部を少なくとも1つ形成し、この段差部に光検出素
子と配線基板との間をワイヤにより電気的に接続する中
継基板を設けた。
According to a second aspect of the present invention, in the optical pickup device according to the first aspect, the relay step means has at least one step portion having an intermediate height between the height of the photodetector, the height of the wiring board, and the heat sink. A relay board for electrically connecting the photodetector with the wiring board by a wire was provided at the step.

【0021】請求項3によれば、請求項1記載の光ピッ
クアップ装置において、中継用段差手段は、ヒートシン
クに光検出素子の高さと配線基板の高さと中間の高さの
段差部を少なくとも1つ形成し、この段差部に光検出素
子の出力信号を処理する電子部品を設け、この電子部品
を介して光検出素子と配線基板との間をワイヤにより電
気的に接続する。
According to a third aspect of the present invention, in the optical pickup device according to the first aspect, the relay step means has at least one step portion having an intermediate height between the height of the photodetector, the height of the wiring board, and the heat sink. An electronic component for processing the output signal of the photodetector is provided at the step, and the photodetector and the wiring board are electrically connected to each other by wires via the electronic component.

【0022】請求項4によれば、請求項1記載の光ピッ
クアップ装置において、中継用段差手段は、配線基板上
に光検出素子の高さと配線基板の高さと中間の高さを有
する少なくとも1つの電子部品を搭載し、この電子部品
を介して光検出素子と配線基板との間をワイヤにより電
気的に接続した。
According to a fourth aspect of the present invention, in the optical pickup device according to the first aspect, the relay step means has at least one of a height between the height of the photodetector and the height of the wiring substrate on the wiring substrate. Electronic components were mounted, and the photodetector and the wiring board were electrically connected to each other by wires via the electronic components.

【0023】請求項5によれば、請求項1記載の光ピッ
クアップ装置において、中継用段差手段は、配線基板上
に段差部を形成し、この段差部上に光検出素子の出力信
号を処理する電子部品を設け、光検出素子と電子部品と
の間をワイヤにより電気的に接続した。
According to a fifth aspect of the present invention, in the optical pickup device according to the first aspect, the relay step means forms a step on the wiring board and processes an output signal of the photodetector on the step. Electronic components were provided, and the photodetector and the electronic components were electrically connected by wires.

【0024】請求項6によれば、請求項1記載の光ピッ
クアップ装置において、ヒートシンク上に絶縁部材を含
んだ絶縁性接着剤を介して光検出素子を搭載した。請求
項7によれば、請求項6記載の光ピックアップ装置にお
いて、絶縁部材は、大きさが可変である。
According to the sixth aspect, in the optical pickup device according to the first aspect, the light detecting element is mounted on the heat sink via an insulating adhesive containing an insulating member. According to claim 7, in the optical pickup device according to claim 6, the size of the insulating member is variable.

【0025】請求項8によれば、請求項6記載の光ピッ
クアップ装置において、粒子又はバンプである。請求項
9によれば、レーザ素子及びこのレーザ素子に対して光
学的に位置合わせされた光検出素子を備えた光ピックア
ップ装置の製造方法において、配線基板に少なくとも1
つの段差部が形成されたヒートシンクを接合する第1の
工程と、ヒートシンクの段差部上に光検出素子と配線基
板とを電気的に接続するための中継基板をマウントする
第2の工程と、ヒートシンクに対してレーザ素子及び光
検出素子を搭載する第3の工程と、光検出素子と中継基
板との間、及び中継基板と配線基板との間をそれぞれワ
イヤにより電気的に接続する第4の工程と、を有する光
ピックアップ装置の製造方法である。
According to the eighth aspect, in the optical pickup device according to the sixth aspect, the optical pickup device is a particle or a bump. According to a ninth aspect, in the method for manufacturing an optical pickup device including a laser element and a light detection element optically aligned with the laser element, at least one
A first step of joining a heat sink having two step portions, a second step of mounting a relay board for electrically connecting the photodetector and the wiring board on the step portion of the heat sink, and a heat sink. A third step of mounting a laser element and a photodetector on the substrate, and a fourth step of electrically connecting wires between the photodetector and the relay board and between the relay board and the wiring board, respectively. And a method for manufacturing an optical pickup device having:

【0026】請求項10によれば、レーザ素子及びこの
レーザ素子に対して光学的に位置合わせされた光検出素
子を備えた光ピックアップ装置の製造方法において、配
線基板に少なくとも1つの段差部が形成されたヒートシ
ンクを接合する第1の工程と、ヒートシンクの段差部上
に光検出素子の出力信号を処理する電子部品をマウント
する第2の工程と、ヒートシンクに対してレーザ素子及
び光検出素子を搭載する第3の工程と、光検出素子と電
子部品との間、及び電子部品と配線基板との間をそれぞ
れワイヤにより電気的に接続する第4の工程と、を有す
る光ピックアップ装置の製造方法である。
According to a tenth aspect of the present invention, in a method of manufacturing an optical pickup device including a laser element and a photodetector optically aligned with the laser element, at least one step is formed on the wiring board. A first step of joining the heat sink, a second step of mounting an electronic component for processing an output signal of the light detection element on a step of the heat sink, and mounting the laser element and the light detection element on the heat sink. And a fourth step of electrically connecting each of the wires between the photodetector and the electronic component and between the electronic component and the wiring board by wires. is there.

【0027】請求項11によれば、レーザ素子及びこの
レーザ素子に対して光学的に位置合わせされた光検出素
子を備えた光ピックアップ装置の製造方法において、配
線基板にヒートシンクを接合する第1の工程と、配線基
板上におけるヒートシンクの近傍に光検出素子の出力信
号を処理するヒートシンクの高さよりも所定高さ低い電
子部品をマウントする第2の工程と、ヒートシンクに対
してレーザ素子及び光検出素子を搭載する第3の工程
と、光検出素子と電子部品との間、及び電子部品と配線
基板との間をそれぞれワイヤにより電気的に接続する第
4の工程と、を有する光ピックアップ装置の製造方法で
ある。
According to an eleventh aspect of the present invention, in a method for manufacturing an optical pickup device including a laser element and a photodetector optically aligned with the laser element, a first heat sink is joined to the wiring board. A second step of mounting an electronic component having a predetermined height lower than the height of the heat sink for processing an output signal of the light detection element near the heat sink on the wiring board; and a laser element and a light detection element with respect to the heat sink. Manufacturing an optical pickup device, comprising: a third step of mounting the optical pickup; and a fourth step of electrically connecting the photodetector with the electronic component and the electronic component with the wiring board by wires. Is the way.

【0028】請求項12によれば、レーザ素子及びこの
レーザ素子に対して光学的に位置合わせされた光検出素
子を備えた光ピックアップ装置の製造方法において、段
差部が形成された配線基板を備え、この配線基板にヒー
トシンクを接合する第1の工程と、配線基板の段差部上
に光検出素子の出力信号を処理する電子部品をマウント
する第2の工程と、ヒートシンクに対してレーザ素子及
び光検出素子を搭載する第3の工程と、光検出素子と電
子部品との間をワイヤにより電気的に接続する第4の工
程と、を有する光ピックアップ装置の製造方法である。
According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an optical pickup device including a laser element and a photodetector optically aligned with the laser element, comprising a wiring board having a step. A first step of bonding a heat sink to the wiring board, a second step of mounting an electronic component for processing an output signal of the photodetector on a stepped portion of the wiring board, A method for manufacturing an optical pickup device, comprising: a third step of mounting a detection element; and a fourth step of electrically connecting a light detection element and an electronic component with a wire.

【0029】請求項13によれば、請求項9乃至12の
うち1項記載の光ピックアップ装置の製造方法におい
て、ヒートシンク上に絶縁部材を含んだ絶縁性接着剤を
介して光検出素子を搭載する工程を有する。
According to a thirteenth aspect, in the method for manufacturing an optical pickup device according to the first aspect, the light detecting element is mounted on the heat sink via an insulating adhesive containing an insulating member. Having a process.

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】(1) 以下、本発明の第1の実施の
形態について図面を参照して説明する。なお、図10と
同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略す
る。図1は光ピックアップ装置の構成図である。
(1) Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The same parts as those in FIG. 10 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. FIG. 1 is a configuration diagram of the optical pickup device.

【0031】ヒートシンク2には、その中ほどの高さ位
置に中継用段差手段を形成する段差部10が設けられて
いる。この段差部10は、この段差面とヒートシンク2
の上面との高さ位置が1mm程度になるように形成され
ている。
The heat sink 2 is provided with a step portion 10 for forming a relay step means at an intermediate height position. The step portion 10 is provided between the step surface and the heat sink 2.
Is formed so that the height position with respect to the upper surface is about 1 mm.

【0032】この段差部10の面上には、第1の光検出
素子5と配線基板1との間をワイヤにより電気的に接続
するための中継基板(配線基板)11が固着されてい
る。この中継基板11は、ガラエポ基板やセラミック基
板などにより形成されている。
On the surface of the step 10, a relay board (wiring board) 11 for electrically connecting the first photodetector 5 and the wiring board 1 with wires is fixed. The relay substrate 11 is formed of a glass epoxy substrate, a ceramic substrate, or the like.

【0033】なお、段差部10は、上記の如く1mm程
度になるように形成されているが、配線基板1の上面と
中継基板11の上面との段差及び第1の光検出器5の上
面と中継基板11の上面との段差は、1mm程度になる
ように形成すればよい。
The step 10 is formed so as to be about 1 mm as described above, but the step between the upper surface of the wiring substrate 1 and the upper surface of the relay substrate 11 and the upper surface of the first photodetector 5 The step from the upper surface of the relay board 11 may be formed to be about 1 mm.

【0034】一方、第1の光検出素子5と配線基板1と
の間の電気的接続は、AuやAl等の金属ワイヤが用い
られ、中継基板11を介してワイヤボンディング法によ
り行われている。
On the other hand, the electrical connection between the first photodetector 5 and the wiring board 1 is made by a wire bonding method using a metal wire such as Au or Al via the relay board 11. .

【0035】すなわち、先ず、第1の光検出素子5と中
継基板11との間でワイヤボンディングが行われ、続い
て中継基板11と配線基板1との間でワイヤボンディン
グが行われている。
That is, first, wire bonding is performed between the first photodetector 5 and the relay board 11, and subsequently, wire bonding is performed between the relay board 11 and the wiring board 1.

【0036】その他の素子としてレーザ素子4に対して
は、中継ピンにワイヤボンディング又は3次元ワイヤボ
ンディングにより配線基板1との間でボンディングが行
われている。
As another element, the laser element 4 is bonded to the wiring board 1 by wire bonding or three-dimensional wire bonding to the relay pin.

【0037】又、ドライブIC7と配線基板1との間、
プリアンプIC8と配線基板1との間及び第1の光検出
素子5と配線基板1との間も、それぞれAuワイヤ等を
用いた3次元ワイヤボンディング法によってワイヤボン
ディングが行われている。
Further, between the drive IC 7 and the wiring board 1,
Wire bonding is also performed between the preamplifier IC 8 and the wiring board 1 and between the first photodetector 5 and the wiring board 1 by a three-dimensional wire bonding method using an Au wire or the like.

【0038】次に、上記光ピックアップ装置の製造方法
について図2に示す製造フローチャートに従って説明す
る。先ず、配線基板1に対してヒートシンク2が銀ろう
付け等により固着される。
Next, a method of manufacturing the optical pickup device will be described with reference to a manufacturing flowchart shown in FIG. First, the heat sink 2 is fixed to the wiring board 1 by silver brazing or the like.

【0039】次に、ドライブIC7が配線基板1に対し
て銀ペースト等によりマウントされ、続いてプリアンプ
IC8が配線基板1に対して銀ペースト等によりマウン
トされる。
Next, the drive IC 7 is mounted on the wiring board 1 with silver paste or the like, and then the preamplifier IC 8 is mounted on the wiring board 1 with silver paste or the like.

【0040】次に、第2の光検出素子6がヒートシンク
2における10°傾斜面上に銀ペースト等によりマウン
トされる。次に、中継基板11がヒートシンク2の段差
部10上に銀ペースト等によりマウントされる。
Next, the second photodetector 6 is mounted on a 10 ° inclined surface of the heat sink 2 with silver paste or the like. Next, the relay board 11 is mounted on the step portion 10 of the heat sink 2 by using silver paste or the like.

【0041】そして、銀ペーストが150℃程度の加熱
により硬化される。一方、レーザ素子4がAlNやSi
Cなどで形成されたサブマウント基板3上に対して金−
錫共晶半田等により搭載され、この後、サブマウント基
板3を共晶半田等によりヒートシンク2の側面にマウン
トする。このとき、レーザ素子4は、第2の光検出素子
6の上方に位置するようにマウントする。
Then, the silver paste is cured by heating at about 150 ° C. On the other hand, when the laser element 4 is made of AlN or Si
Gold on the submount substrate 3 formed of C or the like.
The submount 3 is mounted on the side surface of the heat sink 2 by eutectic solder or the like. At this time, the laser element 4 is mounted so as to be located above the second light detection element 6.

【0042】次に、第1の光検出素子5がヒートシンク
2の上面にUV(紫外線)樹脂等によりマウントされ、
UV光の数十秒程度の照射により仮硬化し、この後に、
150℃程度の加熱で本硬化する。
Next, the first photodetector 5 is mounted on the upper surface of the heat sink 2 with UV (ultraviolet) resin or the like.
Temporary curing by irradiation of UV light for about several tens of seconds, after this,
The main curing is performed by heating at about 150 ° C.

【0043】最後に3次元ワイヤボンディング工程とな
り、ここでのボンディング温度は、共晶半田による接続
部があるので、150℃程度とする。先ず、ボンディン
グ面の高さ位置がほぼ同じであるドライブIC7、プリ
アンプIC8、第2の光検出素子6と配線基板1との各
間がワイヤボンディングされる。
Finally, a three-dimensional wire bonding step is performed, and the bonding temperature is set to about 150 ° C. because there is a connection portion made of eutectic solder. First, wire bonding is performed between the drive IC 7, the preamplifier IC 8, and the wiring substrate 1 between the drive IC 7, the preamplifier IC 8, and the second photodetector 6, which have substantially the same height position on the bonding surface.

【0044】このうち第2の光検出素子6と配線基板1
との間は、レーザ素子4・サブマウント基板3のボンデ
ィング時にワイヤが第2の光検出素子6の上方を通過す
るので、その前にワイヤボンディングする。
The second light detecting element 6 and the wiring board 1
Since the wire passes above the second photodetector 6 when the laser element 4 and the submount substrate 3 are bonded to each other, wire bonding is performed before that.

【0045】次に、中継基板11と配線基板1との間が
ワイヤボンディングされ、続いて第1の光検出素子5と
中継基板11との間がワイヤボンディングされる。最後
にレーザ素子4から配線基板1の間及びサブマウント基
板3から配線基板1の間がワイヤボンディングされる。
Next, wire bonding is performed between the relay board 11 and the wiring board 1, and then wire bonding is performed between the first photodetector 5 and the relay board 11. Finally, wire bonding is performed between the laser element 4 and the wiring substrate 1 and between the submount substrate 3 and the wiring substrate 1.

【0046】このように上記第1の実施の形態において
は、ヒートシンク2に段差部10を形成し、この段差部
10に第1の光検出素子5と配線基板1との間をワイヤ
ボンディングするための中継基板11を設けたので、第
1の光検出素子5と配線基板1との間の電気的接続を行
う際、これらの段差を従来装置の段差よりも半分程度ま
での1mm程度に抑えることができ、従来のようにボン
ディング時にボンディングキャピラリによってワイヤが
下方に引っ張られて、ワイヤのループ形状が安定せず、
ワイヤが第1の光検出素子5のエッジに接触したり、隣
接するワイヤ同士が接触する等の不具合が生じることな
く、安定したワイヤボンディグができる。 (2) 次に本発明の第2の実施の形態について説明する。
なお、図1と同一部分には同一符号を付してその詳しい
説明は省略する。
As described above, in the first embodiment, the step portion 10 is formed on the heat sink 2, and the first photodetector 5 and the wiring board 1 are wire-bonded to the step portion 10. When the electrical connection between the first photodetector 5 and the wiring board 1 is made, these steps should be reduced to about 1 mm, which is about half of the step of the conventional device. The wire is pulled downward by the bonding capillary at the time of bonding as in the past, and the loop shape of the wire is not stable,
A stable wire bonding can be performed without causing a problem such as a wire contacting the edge of the first light detection element 5 or a contact between adjacent wires. (2) Next, a second embodiment of the present invention will be described.
The same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0047】図3は光ピックアップ装置の構成図であ
る。ヒートシンク2には、2段の高さ位置の異なる各段
差部12、13が設けられている。これら段差部12、
13は、中継用段差手段を構成するもので、ヒートシン
ク2の上面と段差部12の上面との間の高さ位置、各段
差部12、13の各上面間の高さ位置、及び段差部13
の上面と配線基板1と間の高さ位置がそれぞれ1mm程
度になるように形成されている。
FIG. 3 is a configuration diagram of the optical pickup device. The heat sink 2 is provided with stepped portions 12 and 13 having two different height positions. These steps 12,
Reference numeral 13 designates a relay step means, which includes a height position between the upper surface of the heat sink 2 and the upper surface of the step portion 12, a height position between the upper surfaces of the step portions 12, 13;
Are formed so that the height position between the upper surface of the substrate and the wiring substrate 1 is about 1 mm each.

【0048】これら段差部12、13の各面上には、そ
れぞれ中継用段差手段を構成するための中継基板14、
15が固着されている。これら中継基板14、15は、
ガラエポ基板やセラミック基板などにより形成されてお
り、このうち中継基板14は、第1の光検出素子5と中
継基板15との間をAuやAl等の金属ワイヤにより電
気的に接続するためのものであり、中継基板15は、中
継基板15と配線基板1との間を金属ワイヤにより電気
的に接続するためのものである。
On each of the surfaces of these steps 12, 13, a relay board 14, which constitutes a relay step means, is provided.
15 is fixed. These relay boards 14 and 15
The relay substrate 14 is formed of a glass epoxy substrate, a ceramic substrate, or the like, and the relay substrate 14 is for electrically connecting the first photodetector 5 and the relay substrate 15 with a metal wire such as Au or Al. The relay board 15 is for electrically connecting the relay board 15 and the wiring board 1 with metal wires.

【0049】一方、第1の光検出素子5と配線基板1と
の間の電気的接続は、各中継基板14、15を介してワ
イヤボンディング法により行われている。例えば、先
ず、第1の光検出素子5と中継基板14との間でワイヤ
ボンディングが行われ、次に中継基板14と中継基板1
5との間でワイヤボンディングが行われ、次に中継基板
15と配線基板1との間でワイヤボンディングが行われ
ている。
On the other hand, the electrical connection between the first photodetector 5 and the wiring board 1 is made by a wire bonding method via the relay boards 14 and 15. For example, first, wire bonding is performed between the first photodetector 5 and the relay substrate 14, and then the relay substrate 14 and the relay substrate 1
5, and then wire bonding is performed between the relay board 15 and the wiring board 1.

【0050】次に、上記光ピックアップ装置の製造方法
について説明する。先ず、配線基板1に対してヒートシ
ンク2が銀ろう付け等により固着される。次に、ドライ
ブIC7が配線基板1に対して銀ペースト等によりマウ
ントされ、次にプリアンプIC8が配線基板1に対して
銀ペースト等によりマウントされ、続いて第2の光検出
素子6がヒートシンク2における10°傾斜面上に銀ペ
ースト等によりマウントされる。
Next, a method of manufacturing the optical pickup device will be described. First, the heat sink 2 is fixed to the wiring board 1 by silver brazing or the like. Next, the drive IC 7 is mounted on the wiring board 1 with silver paste or the like, and then the preamplifier IC 8 is mounted on the wiring board 1 with silver paste or the like, and then the second photodetector 6 is mounted on the heat sink 2. It is mounted on a 10 ° inclined surface with silver paste or the like.

【0051】次に、中継基板14がヒートシンク2の段
差部12上に銀ペースト等によりマウントされるととも
に、中継基板15がヒートシンク2の段差部13上に銀
ペーストによりマウントされる。
Next, the relay board 14 is mounted on the step 12 of the heat sink 2 with silver paste or the like, and the relay board 15 is mounted on the step 13 of the heat sink 2 with silver paste.

【0052】そして、銀ペーストが150℃程度の加熱
により硬化される。一方、レーザ素子4がサブマウント
基板3上に対して金−錫共晶半田等により搭載され、こ
の後、サブマウント基板3を共晶半田等によりヒートシ
ンク2の側面にマウントする。このとき、レーザ素子4
は、第2の光検出素子6の上方に位置するようにマウン
トする。
Then, the silver paste is cured by heating at about 150 ° C. On the other hand, the laser element 4 is mounted on the sub-mount substrate 3 by gold-tin eutectic solder or the like, and then the sub-mount substrate 3 is mounted on the side surface of the heat sink 2 by eutectic solder or the like. At this time, the laser element 4
Is mounted so as to be located above the second light detecting element 6.

【0053】次に、第1の光検出素子5がヒートシンク
2の上面にUV樹脂等によりマウントされ、UV光の数
十秒程度の照射により仮硬化し、この後に150℃程度
の加熱で本硬化する。
Next, the first photodetecting element 5 is mounted on the upper surface of the heat sink 2 with a UV resin or the like, and is temporarily cured by irradiation of UV light for about several tens of seconds, and thereafter is fully cured by heating at about 150 ° C. I do.

【0054】最後にワイヤボンディング工程となり、こ
こでのボンディング温度は、上記同様に共晶半田による
接続部があるので、150℃程度とする。先ず、ボンデ
ィング面の高さ位置がほぼ同じであるドライブIC7、
プリアンプIC8、第2の光検出素子6と配線基板1と
の各間がワイヤボンディングされる。
Finally, the wire bonding step is performed, and the bonding temperature is set to about 150 ° C. because there is a connection portion made of eutectic solder as described above. First, the drive IC 7 in which the height position of the bonding surface is almost the same,
Wire bonding is performed between the preamplifier IC 8, the second photodetector 6, and the wiring board 1.

【0055】次に、中継基板15と配線基板1との間が
ワイヤボンディングされ、次に中継基板14と中継基板
15との間がワイヤボンディングされ、続いて中継基板
14と第1の光検出素子5との間がワイヤボンディング
される。
Next, wire bonding is performed between the relay board 15 and the wiring board 1, then wire bonding is performed between the relay board 14 and the relay board 15, and then the relay board 14 and the first photodetector are connected. 5 is wire-bonded.

【0056】最後にレーザ素子4とサブマウント基板3
とがワイヤボンディングされる。このように上記第2の
実施の形態においては、ヒートシンク2に2つの段差部
12、13を形成し、これら段差部12、13にそれぞ
れ中継基板14、15を設けたので、第1の光検出素子
5と配線基板1との間の電気的接続を行う際、これらの
段差部12、13をそれぞれ1mm以下に抑えることが
でき、従来のようにボンディング時にボンディングキャ
ピラリによってワイヤが下方に引っ張られて、ワイヤの
ループ形状が安定せず、ワイヤが第1の光検出素子5の
エッジに接触したり、隣接するワイヤ同士が接触する等
の不具合が生じることなく、安定したワイヤボンディグ
ができる。 (3) 次に本発明の第3の実施の形態について説明する。
なお、図1と同一部分には同一符号を付してその詳しい
説明は省略する。
Finally, the laser element 4 and the submount substrate 3
Are wire bonded. As described above, in the second embodiment, the two step portions 12 and 13 are formed on the heat sink 2 and the relay boards 14 and 15 are provided on these step portions 12 and 13, respectively. When making an electrical connection between the element 5 and the wiring board 1, these steps 12 and 13 can be suppressed to 1 mm or less, respectively, and the wire is pulled down by a bonding capillary at the time of bonding as in the related art. In addition, the loop shape of the wire is not stable, and a stable wire bonding can be performed without causing a problem such as the wire contacting the edge of the first light detection element 5 or the contact between adjacent wires. (3) Next, a third embodiment of the present invention will be described.
The same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0057】図4は光ピックアップ装置の構成図であ
る。ヒートシンク2には、中継用段差手段を構成する段
差部16が設けられている。この段差部16は、この段
差上面とヒートシンク2の上面との高さ位置、及び段差
上面と配線基板1との高さ位置がそれぞれ1mm程度に
なるように形成されている。
FIG. 4 is a configuration diagram of the optical pickup device. The heat sink 2 is provided with a step portion 16 that constitutes a relay step means. The step 16 is formed such that the height between the upper surface of the step and the upper surface of the heat sink 2 and the height between the upper surface of the step and the wiring board 1 are each about 1 mm.

【0058】この段差部16の面上には、プリアンプI
C8が搭載されている。なお、実際に段差部16の段差
は、プリアンプIC8とヒートシンク2の上面との高さ
位置、及びプリアンプIC8の上面と配線基板1との高
さ位置がそれぞれ1mm程度になるように形成されてい
る。
The surface of the step 16 has a preamplifier I
C8 is mounted. Note that the steps of the step portion 16 are actually formed so that the height position between the preamplifier IC 8 and the upper surface of the heat sink 2 and the height position between the upper surface of the preamplifier IC 8 and the wiring board 1 are each about 1 mm. .

【0059】プリアンプIC8は、第1の光検出素子5
の出力信号を増幅する機能を有し、かつ第1の光検出素
子5と中継基板15との間をAuやAl等の金属ワイヤ
により電気的に接続する中継用段差手段の一構成として
機能する。
The preamplifier IC 8 is connected to the first photodetector 5
And a function as a configuration of a relay step means for electrically connecting the first photodetector 5 and the relay substrate 15 with a metal wire such as Au or Al. .

【0060】すなわち、第1の光検出素子5と配線基板
1との間の電気的接続は、プリアンプIC8を介してワ
イヤボンディング法により行われている。例えば、先
ず、第1の光検出素子5とプリアンプIC8との間でワ
イヤボンディングが行われ、次にプリアンプIC8と配
線基板1との間でワイヤボンディングが行われている。
That is, the electrical connection between the first photodetector 5 and the wiring board 1 is made by the wire bonding method via the preamplifier IC8. For example, first, wire bonding is performed between the first photodetector 5 and the preamplifier IC 8, and then wire bonding is performed between the preamplifier IC 8 and the wiring board 1.

【0061】次に、上記光ピックアップ装置の製造方法
について説明する。先ず、配線基板1に対してヒートシ
ンク2が銀ろう付け等により固着される。次に、ドライ
ブIC7が配線基板1に対して銀ペースト等によりマウ
ントされ、次に第2の光検出素子6がヒートシンク2に
おける10°傾斜面上に銀ペースト等によりマウントさ
れる。
Next, a method of manufacturing the optical pickup device will be described. First, the heat sink 2 is fixed to the wiring board 1 by silver brazing or the like. Next, the drive IC 7 is mounted on the wiring board 1 with silver paste or the like, and then the second photodetector 6 is mounted on the heat sink 2 with a 10 ° inclined surface using silver paste or the like.

【0062】次に、プリアンプIC8がヒートシンク2
の段差部16上に銀ペーストによりマウントされる。そ
して、銀ペーストが150℃程度の加熱により硬化され
る。
Next, the preamplifier IC 8 is connected to the heat sink 2.
Is mounted on the step portion 16 with silver paste. Then, the silver paste is cured by heating at about 150 ° C.

【0063】一方、レーザ素子4がサブマウント基板3
上に対して金−錫共晶半田等により搭載され、この後、
サブマウント基板3が共晶半田等によりヒートシンク2
の側面にマウントされる。このとき、レーザ素子4は、
第2の光検出素子6の上方に位置するようにマウントす
る。
On the other hand, the laser device 4 is
Mounted on top with gold-tin eutectic solder, etc.
The submount substrate 3 is made of a heat sink 2 by eutectic solder or the like.
Mounted on the side of At this time, the laser element 4
It is mounted so as to be located above the second light detecting element 6.

【0064】次に、第1の光検出素子5がヒートシンク
2の上面にUV樹脂等によりマウントされ、UV光の数
十秒程度の照射により仮硬化し、この後に150℃程度
の加熱で本硬化される。
Next, the first photodetector 5 is mounted on the upper surface of the heat sink 2 with UV resin or the like, and is temporarily cured by irradiation of UV light for about several tens of seconds, and thereafter, is fully cured by heating at about 150 ° C. Is done.

【0065】最後にワイヤボンディング工程となり、こ
こでのボンディング温度は、上記同様に共晶半田による
接続部があるので、150℃程度とする。先ず、ボンデ
ィング面の高さ位置がほぼ同じであるドライブIC7、
第2の光検出素子6と配線基板1との各間がワイヤボン
ディングされる。
Finally, a wire bonding step is performed, and the bonding temperature is set to about 150 ° C. because there is a connection portion made of eutectic solder as described above. First, the drive IC 7 in which the height position of the bonding surface is almost the same,
Wire bonding is performed between the second photodetector 6 and the wiring board 1.

【0066】次に、プリアンプIC8と配線基板1との
間がワイヤボンディングされ、次に続いてプリアンプI
C8と第1の光検出素子5との間がワイヤボンディング
される。
Next, wire bonding is performed between the preamplifier IC 8 and the wiring board 1, and then the preamplifier I
Wire bonding is performed between C8 and the first light detection element 5.

【0067】最後にレーザ素子4から配線基板1の間及
びサブマウント基板3から配線基板1との間がワイヤボ
ンディングされる。このように上記第3の実施の形態に
おいては、ヒートシンク2に段差部16を形成し、この
段差部16にプリアンプIC8をマウントしたので、第
1の光検出素子5とプリアンプIC8との間の電気的接
続を行う際、これら第1の光検出素子5の上面とプリア
ンプIC8の上面との段差及びプリアンプIC8の上面
と配線基板1との段差をそれぞれ1mm以下に抑えるこ
とができ、従来のようにボンディング時にボンディング
キャピラリによってワイヤが下方に引っ張られて、ワイ
ヤのループ形状が安定せず、ワイヤが第1の光検出素子
5のエッジに接触したり、隣接するワイヤ同士が接触す
る等の不具合が生じることなく、安定したワイヤボンデ
ィグができる。 (4) 次に本発明の第4の実施の形態について説明する。
なお、図1と同一部分には同一符号を付してその詳しい
説明は省略する。
Finally, wire bonding is performed between the laser element 4 and the wiring substrate 1 and between the submount substrate 3 and the wiring substrate 1. As described above, in the third embodiment, the step 16 is formed on the heat sink 2 and the preamplifier IC 8 is mounted on the step 16, so that the electrical connection between the first photodetector 5 and the preamplifier IC 8 is made. When making the electrical connection, the step between the upper surface of the first photodetector 5 and the upper surface of the preamplifier IC 8 and the step between the upper surface of the preamplifier IC 8 and the wiring board 1 can be suppressed to 1 mm or less, respectively. At the time of bonding, the wire is pulled downward by the bonding capillary, the loop shape of the wire is not stabilized, and problems such as contact of the wire with the edge of the first photodetector 5 and contact of adjacent wires occur. A stable wire bonding can be performed without any problems. (4) Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
The same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0068】図5は光ピックアップ装置の構成図であ
る。配線基板1上におけるヒートシンク2とプリアンプ
IC8との間には、電子部品17がマウントされてい
る。
FIG. 5 is a configuration diagram of the optical pickup device. An electronic component 17 is mounted between the heat sink 2 and the preamplifier IC 8 on the wiring board 1.

【0069】この電子部品17は、第1の光検出素子5
から出力されてプリアンプIC8に入力する信号に含ま
れるノイズ成分を除去するためのフィルタ素子やバイパ
スコンテンサアレイなどで、配線基板1上の配線パター
ンにより電気的に接続されている。
The electronic component 17 is provided with the first photodetector 5
A filter element or a bypass capacitor array for removing a noise component included in a signal output from and input to the preamplifier IC 8 is electrically connected by a wiring pattern on the wiring board 1.

【0070】又、この電子部品17は、配線基板1上へ
の実装時の高さ1mm程度のものが選択され、第1の光
検出素子5の上面と段差及び配線基板1との段差が1m
m程度になるようにしている。
The electronic component 17 is selected to have a height of about 1 mm when mounted on the wiring board 1, and the step between the upper surface of the first photodetector 5 and the wiring board 1 is 1 m.
m.

【0071】次に、上記光ピックアップ装置の製造方法
について説明する。先ず、配線基板1に対してヒートシ
ンク2が銀ろう付け等により固着される。次に、ドライ
ブIC7が配線基板1に対して銀ペースト等によりマウ
ントされ、次にプリアンプIC8が配線基板1に対して
銀ペースト等によりマウントされ、次に電子部品17が
配線基板1に対して銀ペースト等によりマウントされ、
次に第2の光検出素子6がヒートシンク2における10
°傾斜面上に銀ペースト等によりマウントされる。
Next, a method of manufacturing the optical pickup device will be described. First, the heat sink 2 is fixed to the wiring board 1 by silver brazing or the like. Next, the drive IC 7 is mounted on the wiring board 1 with silver paste or the like, and then the preamplifier IC 8 is mounted on the wiring board 1 with silver paste or the like. Mounted with paste etc.,
Next, the second light detection element 6
° Mounted on an inclined surface with silver paste or the like.

【0072】そして、銀ペーストが150℃程度の加熱
により硬化される。一方、レーザ素子4がサブマウント
基板3上に対して金−錫共晶半田等により搭載され、こ
の後、サブマウント基板3が共晶半田等によりヒートシ
ンク2の側面にマウントされる。このとき、レーザ素子
4は、第2の光検出素子6の上方に位置するようにマウ
ントする。
Then, the silver paste is cured by heating at about 150 ° C. On the other hand, the laser element 4 is mounted on the sub-mount substrate 3 by gold-tin eutectic solder or the like, and thereafter, the sub-mount substrate 3 is mounted on the side surface of the heat sink 2 by eutectic solder or the like. At this time, the laser element 4 is mounted so as to be located above the second light detection element 6.

【0073】次に、第1の光検出素子5がヒートシンク
2の上面にUV樹脂等によりマウントされ、UV光の数
十秒程度の照射により仮硬化し、この後に150℃程度
の加熱で本硬化される。
Next, the first photodetecting element 5 is mounted on the upper surface of the heat sink 2 with a UV resin or the like, and temporarily cured by irradiation of UV light for about several tens of seconds, and thereafter, fully cured by heating at about 150 ° C. Is done.

【0074】最後にワイヤボンディング工程となり、こ
こでのボンディング温度は、上記同様に共晶半田による
接続部があるので、150℃程度とする。先ず、ボンデ
ィング面の高さ位置がほぼ同じであるドライブIC7、
第2の光検出素子6と配線基板1との各間がワイヤボン
ディングされる。
Finally, a wire bonding step is performed, and the bonding temperature is set to about 150 ° C. because there is a connection portion made of eutectic solder as described above. First, the drive IC 7 in which the height position of the bonding surface is almost the same,
Wire bonding is performed between the second photodetector 6 and the wiring board 1.

【0075】次に、プリアンプIC8と配線基板1との
間がワイヤボンディングされ、次にプリアンプIC8と
電子部品17の上面に形成された一方の接続端子との間
がワイヤボンディングされ、次に電子部品17の上面に
形成された他方の接続端子と第1の光検出素子5との間
がワイヤボンディングされる。
Next, wire bonding is performed between the preamplifier IC 8 and the wiring board 1, and then wire bonding is performed between the preamplifier IC 8 and one connection terminal formed on the upper surface of the electronic component 17. The other connection terminal formed on the upper surface of the first photodetector 17 and the first photodetector 5 are wire-bonded.

【0076】最後にレーザ素子4とサブマウント基板3
とがワイヤボンディングされる。このように上記第4の
実施の形態においては、配線基板1上におけるヒートシ
ンク2とプリアンプIC8との間に、配線基板1上への
実装時の高さ1mm程度の電子部品17をマウントした
ので、第1の光検出素子5とプリアンプIC8との間の
電気的接続を行う際、これら第1の光検出素子5の上面
と電子部品17の上面との段差及び電子部品17の上面
と配線基板1との段差をそれぞれ1mm以下に抑えるこ
とができ、従来のようにボンディング時にボンディング
キャピラリによってワイヤが下方に引っ張られて、ワイ
ヤのループ形状が安定せず、ワイヤが第1の光検出素子
5のエッジに接触したり、隣接するワイヤ同士が接触す
る等の不具合が生じることなく、安定したワイヤボンデ
ィグができる。 (5) 次に本発明の第5の実施の形態について説明する。
なお、図1と同一部分には同一符号を付してその詳しい
説明は省略する。
Finally, the laser element 4 and the submount substrate 3
Are wire bonded. As described above, in the fourth embodiment, the electronic component 17 having a height of about 1 mm when mounted on the wiring board 1 is mounted between the heat sink 2 and the preamplifier IC 8 on the wiring board 1. When making an electrical connection between the first photodetector 5 and the preamplifier IC 8, a step between the upper surface of the first photodetector 5 and the upper surface of the electronic component 17 and the upper surface of the electronic component 17 and the wiring board 1 Can be suppressed to 1 mm or less, and the wire is pulled downward by the bonding capillary at the time of bonding as in the related art, so that the loop shape of the wire is not stabilized, and the wire is not connected to the edge of the first photodetector 5. The wire bonding can be stably performed without causing troubles such as contact with the wires and contact between adjacent wires. (5) Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.
The same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0077】図6は光ピックアップ装置の構成図であ
る。配線基板18は、セラミック基板上に導電材を用い
てパターンを形成したもので、その一方側には段差部1
9が形成されている。
FIG. 6 is a configuration diagram of the optical pickup device. The wiring substrate 18 is formed by forming a pattern on a ceramic substrate using a conductive material, and has a step portion 1 on one side.
9 are formed.

【0078】この段差部19は、1mm程度に高さに形
成され、第1の光検出器5との間の段差を1mm程度に
している。この段差部19上には、プリアンプIC8が
マウントされ、かつこのプリアンプIC8と第1の光検
出器5との間が金属ワイヤによりワイヤボンディングさ
れている。
The step 19 is formed to a height of about 1 mm, and the step between the step 19 and the first photodetector 5 is about 1 mm. A preamplifier IC 8 is mounted on the step 19, and the preamplifier IC 8 and the first photodetector 5 are wire-bonded with a metal wire.

【0079】次に、上記光ピックアップ装置の製造方法
について説明する。先ず、配線基板18に対してヒート
シンク2が銀ろう付け等により固着される。
Next, a method of manufacturing the optical pickup device will be described. First, the heat sink 2 is fixed to the wiring board 18 by silver brazing or the like.

【0080】次に、ドライブIC7が配線基板18に対
して銀ペースト等によりマウントされ、次にプリアンプ
IC8が配線基板18の段差部19上に対して銀ペース
ト等によりマウントされ、次に第2の光検出素子6がヒ
ートシンク2における10°傾斜面上に銀ペースト等に
よりマウントされる。
Next, the drive IC 7 is mounted on the wiring board 18 with silver paste or the like, and then the preamplifier IC 8 is mounted on the step 19 of the wiring board 18 with silver paste or the like. The light detecting element 6 is mounted on the inclined surface of the heat sink 2 by a silver paste or the like.

【0081】そして、銀ペーストが150℃程度の加熱
により硬化される。一方、レーザ素子4がサブマウント
基板3上に対して金−錫共晶半田等により搭載され、こ
の後、サブマウント基板3が共晶半田等によりヒートシ
ンク2の側面にマウントされる。このとき、レーザ素子
4は、第2の光検出素子6の上方に位置するようにマウ
ントする。
Then, the silver paste is cured by heating at about 150 ° C. On the other hand, the laser element 4 is mounted on the sub-mount substrate 3 by gold-tin eutectic solder or the like, and thereafter, the sub-mount substrate 3 is mounted on the side surface of the heat sink 2 by eutectic solder or the like. At this time, the laser element 4 is mounted so as to be located above the second light detection element 6.

【0082】次に、第1の光検出素子5がヒートシンク
2の上面にUV樹脂等によりマウントされ、UV光の数
十秒程度の照射により仮硬化し、この後に150℃程度
の加熱で本硬化される。
Next, the first photodetector 5 is mounted on the upper surface of the heat sink 2 with a UV resin or the like, and is temporarily cured by irradiation of UV light for about several tens of seconds, and thereafter is fully cured by heating at about 150 ° C. Is done.

【0083】最後にワイヤボンディング工程となり、こ
こでのボンディング温度は、上記同様に共晶半田による
接続部があるので、150℃程度とする。先ず、ボンデ
ィング面の高さ位置がほぼ同じであるドライブIC7、
第2の光検出素子6と配線基板18との各間がワイヤボ
ンディングされる。
Finally, a wire bonding step is performed, and the bonding temperature is set to about 150 ° C. because there is a connection portion made of eutectic solder as described above. First, the drive IC 7 in which the height position of the bonding surface is almost the same,
Wire bonding is performed between the second photodetector 6 and the wiring board 18.

【0084】次に、段差部19上にあるプリアンプIC
8と配線基板18との間がワイヤボンディングされ、次
にプリアンプIC8と第1の光検出素子5との間がワイ
ヤボンディングされる。
Next, the preamplifier IC on the step 19
8 and the wiring board 18 are wire-bonded, and then the preamplifier IC 8 and the first photodetector 5 are wire-bonded.

【0085】最後にレーザ素子4とサブマウント基板3
とがワイヤボンディングされる。このように上記第5の
実施の形態においては、配線基板18に段差部19を形
成し、この段差部19上にプリアンプIC8をマウント
したので、第1の光検出素子5とプリアンプIC8との
間の電気的接続を行う際、これら第1の光検出素子5の
上面とプリアンプIC8との段差を1mm以下に抑える
ことができ、従来のようにボンディング時にボンディン
グキャピラリによってワイヤが下方に引っ張られて、ワ
イヤのループ形状が安定せず、金属ワイヤが第1の光検
出素子5のエッジに接触したり、隣接するワイヤ同士が
接触する等の不具合が生じることなく、安定したワイヤ
ボンディグができる。 (6) 次に本発明の第6の実施の形態について説明する。
なお、図1と同一部分には同一符号を付してその詳しい
説明は省略する。
Finally, the laser element 4 and the submount substrate 3
Are wire bonded. As described above, in the fifth embodiment, the step 19 is formed on the wiring board 18 and the preamplifier IC 8 is mounted on the step 19, so that the gap between the first photodetector 5 and the preamplifier IC 8 can be reduced. When the electrical connection is made, the step between the upper surface of the first photodetector 5 and the preamplifier IC 8 can be suppressed to 1 mm or less, and the wire is pulled downward by the bonding capillary at the time of bonding as in the conventional case. The wire loop shape is not stable, and a stable wire bonding can be performed without causing a problem such as the metal wire contacting the edge of the first light detection element 5 and the adjacent wires contacting each other. (6) Next, a sixth embodiment of the present invention will be described.
The same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0086】図7は光ピックアップ装置におけるヒート
シンク2上に搭載された第1の光検出素子5を示す構成
図である。銅により形成されたヒートシンク2上には、
UV樹脂等の絶縁性接着剤20を介して第1の光検出素
子5が搭載されている。この絶縁性接着剤20は、例え
ばシリカや樹脂ボール等の絶縁部材としての絶縁性粒子
21が数%添加されている。この絶縁性粒子21は、例
えば粒子径10μm程度に形成されている。
FIG. 7 is a structural view showing the first light detecting element 5 mounted on the heat sink 2 in the optical pickup device. On the heat sink 2 formed of copper,
The first light detection element 5 is mounted via an insulating adhesive 20 such as a UV resin. The insulating adhesive 20 contains several percent of insulating particles 21 as an insulating member such as silica or resin balls. The insulating particles 21 are formed, for example, to have a particle diameter of about 10 μm.

【0087】なお、第1の光検出素子5の裏面には、S
iO2 膜22が形成されている。このような構成であれ
ば、ヒートシンク2上に微小突起23が生じていても、
この微小突起23の高さは例えば5μm程度であるの
で、ヒートシンク2と第1の光検出素子5とのショート
は防止できる。
The back surface of the first photodetector 5 has an S
An iO 2 film 22 is formed. With such a configuration, even if the minute projections 23 are formed on the heat sink 2,
Since the height of the minute projections 23 is, for example, about 5 μm, a short circuit between the heat sink 2 and the first photodetector 5 can be prevented.

【0088】すなわち、従来は図8に示すようにヒート
シンク2上に絶縁性接着剤20を介して第1の光検出素
子5を搭載しているので、ヒートシンク2に微小突起2
3が生じると、これが絶縁性接着剤20を突き破り、第
1の光検出素子5と接触してしまう。この第1の光検出
素子5の裏面には絶縁膜としてSiO2 膜22が形成さ
れているが、素子を加熱して形成するので0.5μm程
度の厚みにしか形成できず、微小突起23に簡単に突き
破られてしまい、ヒートシンク2と第1の光検出素子5
とが電気的に接続(ショート)してしまっていた。
That is, since the first light detecting element 5 is conventionally mounted on the heat sink 2 via the insulating adhesive 20 as shown in FIG.
When 3 occurs, this breaks through the insulating adhesive 20 and comes into contact with the first light detection element 5. An SiO 2 film 22 is formed as an insulating film on the back surface of the first light detecting element 5. However, since the SiO 2 film 22 is formed by heating the element, it can be formed only to a thickness of about 0.5 μm. The heat sink 2 and the first light detecting element 5
Had been electrically connected (short).

【0089】又、本実施の形態において、絶縁性粒子2
1の粒子径は、ヒートシンク2上に発生する微小突起2
3の高さによって変えることにより、微小突起23の高
さに対応してヒートシンク2と第1の光検出素子5との
間のショートを防止できる。
In the present embodiment, the insulating particles 2
The particle diameter of the fine projections 2 on the heat sink 2
By changing the height according to the height of the micro-projection 3, it is possible to prevent a short circuit between the heat sink 2 and the first photodetector 5 in accordance with the height of the minute projection 23.

【0090】又、ヒートシンク2と第1の光検出素子5
との接着時には、絶縁性粒子21が第1の光検出素子5
の裏面に形成されたSiO2 膜22と接触することにな
るが、たとえSiO2 膜22が破壊されたとしても、絶
縁性粒子21との接触になるので電気的には何等問題は
生じない。
The heat sink 2 and the first light detecting element 5
At the time of bonding with the first light detecting element 5,
Will come into contact with the SiO 2 film 22 formed on the back surface of the substrate. However, even if the SiO 2 film 22 is broken, there is no electrical problem since the contact is made with the insulating particles 21.

【0091】絶縁性接着剤20に対する絶縁性粒子21
の添加も数%程度なので、接着強度が著しく低下するこ
とはない。一方、第1の光検出素子5の搭載精度はかな
り高精度が要求されており、例えばZ方向では±40μ
m、Y方向では±10μmなどであるが、このような絶
縁性粒子21を絶縁性接着剤20に添加することによ
り、ヒートシンク2と第1の光検出素子5との接着時の
接着剤厚みを一定にし、第1の光検出素子5の搭載精度
を安定させることができる。
The insulating particles 21 for the insulating adhesive 20
Is also added to the order of several percent, so that the adhesive strength is not remarkably reduced. On the other hand, the mounting accuracy of the first photodetector 5 is required to be quite high, for example, ± 40 μm in the Z direction.
The thickness is ± 10 μm in the m and Y directions, but by adding such insulating particles 21 to the insulating adhesive 20, the adhesive thickness at the time of bonding the heat sink 2 and the first photodetector 5 can be reduced. It is possible to stabilize the mounting accuracy of the first photodetecting element 5 by making it constant.

【0092】なお、この第6の実施の形態では、絶縁部
材として絶縁性粒子21を用いたが、これに限らず例え
ばグラスファイバ等の繊維状のものを用いても同様な効
果を奏することができる。 (7) 次に本発明の第7の実施の形態について説明する。
なお、図1と同一部分には同一符号を付してその詳しい
説明は省略する。
In the sixth embodiment, the insulating particles 21 are used as the insulating member. However, the present invention is not limited to this, and the same effect can be obtained by using a fibrous material such as glass fiber. it can. (7) Next, a seventh embodiment of the present invention will be described.
The same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0093】図9は光ピックアップ装置におけるヒート
シンク2上に搭載された第1の光出素子5を示すの構成
図である。ヒートシンク2上には、UV樹脂等の絶縁性
接着剤24を介して第1の光検出素子5が搭載されてい
る。この第1の光検出素子5の裏面外周部には、エポキ
シ樹脂等による絶縁部材としての絶縁性バンプ25が少
なくとも3点形成されている。これら絶縁性バンプ25
は、スクリーン印刷法等により形成可能であり、これに
より所定の厚さに精度高く形成されている。これら絶縁
性バンプ25は、例えば高さ10μm程度に形成されて
いる。
FIG. 9 is a configuration diagram showing the first light emitting element 5 mounted on the heat sink 2 in the optical pickup device. The first light detection element 5 is mounted on the heat sink 2 via an insulating adhesive 24 such as a UV resin. At least three insulating bumps 25 as insulating members made of epoxy resin or the like are formed on the outer periphery of the back surface of the first photodetector 5. These insulating bumps 25
Can be formed by a screen printing method or the like, and thereby, is formed to a predetermined thickness with high accuracy. These insulating bumps 25 are formed, for example, to a height of about 10 μm.

【0094】このような構成であれば、ヒートシンク2
上に微小突起23が生じていても、この微小突起23の
高さは例えば5μm程度であるので、ヒートシンク2と
第1の光検出素子5とのショートは防止できる。
With such a configuration, the heat sink 2
Even if the fine projections 23 are formed thereon, the height of the fine projections 23 is, for example, about 5 μm, so that a short circuit between the heat sink 2 and the first photodetector 5 can be prevented.

【0095】又、絶縁性バンプ25の高さは、ヒートシ
ンク2上に発生する微小突起23の高さによって変える
ことにより、微小突起23の高さに対応してヒートシン
ク2と第1の光検出素子5との間のショートを防止でき
る。
The height of the insulating bumps 25 is changed according to the height of the minute projections 23 generated on the heat sink 2, so that the height of the minute bumps 23 and the heat sink 2 and the first photodetector are changed in accordance with the height of the minute projections 23. 5 can be prevented.

【0096】又、ヒートシンク2と第1の光検出素子5
との接着時には、絶縁性バンプ25が第1の光検出素子
5の裏面に形成されたSiO2 膜22と接触することに
なるが、たとえSiO2 膜22が破壊されたとしても、
絶縁性粒子21との接触になるので電気的には何等問題
は生じない。
The heat sink 2 and the first light detecting element 5
At the time of bonding, the insulating bump 25 comes into contact with the SiO 2 film 22 formed on the back surface of the first photodetector 5, but even if the SiO 2 film 22 is broken,
Since it comes into contact with the insulating particles 21, there is no electrical problem.

【0097】一方、第1の光検出素子5の搭載精度は上
記同様にかなり高精度が要求されており、例えばZ方向
では±40μm、Y方向では±10μmなどであるが、
スクリーン印刷法等により形成された絶縁性バンプ25
を用いることにより、ヒートシンク2と第1の光検出素
子5との接着時の接着剤厚みを一定にし、第1の光検出
素子5の搭載精度を安定させることができ、さらにZ方
向の接続精度も向上させることができる。
On the other hand, the mounting accuracy of the first photodetecting element 5 is required to be quite high as described above, for example, ± 40 μm in the Z direction and ± 10 μm in the Y direction.
Insulating bump 25 formed by screen printing or the like
Is used, the thickness of the adhesive at the time of bonding the heat sink 2 and the first light detection element 5 can be made constant, the mounting accuracy of the first light detection element 5 can be stabilized, and the connection accuracy in the Z direction can be further improved. Can also be improved.

【0098】なお、上記第7の実施の形態では、第1の
光検出素子5の裏面外周部に絶縁性バンプ25を形成し
ているが、ヒートシンク2上に形成しても同様の効果を
奏することができる。
In the seventh embodiment, the insulating bumps 25 are formed on the outer periphery of the back surface of the first photodetector 5, but the same effect can be obtained by forming them on the heat sink 2. be able to.

【0099】[0099]

【発明の効果】以上詳記したように本発明の請求項1〜
5によれば、安定したワイヤボンディグができる光ピッ
クアップ装置を提供できる。又、本発明の請求項6〜8
によれば、ヒートシンク上に微小突起が生じていてもヒ
ートシンクと光検出素子とのショートを防止できる光ピ
ックアップ装置を提供できる。
As described in detail above, claims 1 to 5 of the present invention.
According to 5, an optical pickup device capable of performing stable wire bonding can be provided. Claims 6 to 8 of the present invention.
According to the above, it is possible to provide an optical pickup device that can prevent a short circuit between the heat sink and the photodetector even if minute projections are formed on the heat sink.

【0100】又、本発明の請求項9〜12によれば、安
定したワイヤボンディグができる光ピックアップ装置の
製造方法を提供できる。又、本発明の請求項13によれ
ば、ヒートシンク上に微小突起が生じていてもヒートシ
ンクと光検出素子とのショートを防止できる光ピックア
ップ方法を提供できる。
Further, according to the ninth to twelfth aspects of the present invention, it is possible to provide a method of manufacturing an optical pickup device capable of performing stable wire bonding. Further, according to the thirteenth aspect of the present invention, it is possible to provide an optical pickup method capable of preventing a short circuit between the heat sink and the photodetector even if minute projections are formed on the heat sink.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係わる光ピックアップ装置の第1の実
施の形態を示す構成図。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of an optical pickup device according to the present invention.

【図2】同装置の製造方法を示す製造フローチャート。FIG. 2 is a manufacturing flowchart showing a manufacturing method of the device.

【図3】本発明に係わる光ピックアップ装置の第2の実
施の形態を示す構成図。
FIG. 3 is a configuration diagram showing a second embodiment of the optical pickup device according to the present invention.

【図4】本発明に係わる光ピックアップ装置の第3の実
施の形態を示す構成図。
FIG. 4 is a configuration diagram showing a third embodiment of the optical pickup device according to the present invention.

【図5】本発明に係わる光ピックアップ装置の第4の実
施の形態を示す構成図。
FIG. 5 is a configuration diagram showing a fourth embodiment of the optical pickup device according to the present invention.

【図6】本発明に係わる光ピックアップ装置の第5の実
施の形態を示す構成図。
FIG. 6 is a configuration diagram showing a fifth embodiment of the optical pickup device according to the present invention.

【図7】本発明に係わる光ピックアップ装置の第6の実
施の形態におけるヒートシンク上に搭載された第1の光
検出素子を示す構成図。
FIG. 7 is a configuration diagram illustrating a first photodetector mounted on a heat sink in an optical pickup device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図8】ヒートシンクと第1の光検出素子との微小突起
によるショート状態を示す図。
FIG. 8 is a view showing a short-circuit state caused by minute projections between the heat sink and the first photodetector.

【図9】本発明に係わる光ピックアップ装置の第7の実
施の形態におけるヒートシンク上に搭載された第1の光
検出素子を示す構成図。
FIG. 9 is a configuration diagram showing a first photodetector mounted on a heat sink in an optical pickup device according to a seventh embodiment of the present invention.

【図10】従来の光ピックアップ装置の構成図。FIG. 10 is a configuration diagram of a conventional optical pickup device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…配線基板、 2…ヒートシンク、 3…サブマウント基板、 4…レーザ素子、 5…第1の光検出素子、 6…第2の光検出素子、 7…ドライブIC、 8…プリアンプIC、 10…段差部、 11…中継基板(配線基板)、 12,13…段差部、 14,15…中継基板、 16…段差部、 17…電子部品、 18…配線基板、 19…段差部、 20:絶縁性接着剤、 21:絶縁性粒子、 22:SiO2 膜、 23:微小突起、 25:絶縁性バンプ。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wiring board, 2 ... Heat sink, 3 ... Submount board, 4 ... Laser element, 5 ... 1st light detection element, 6 ... 2nd light detection element, 7 ... Drive IC, 8 ... Preamplifier IC, 10 ... Step part, 11 ... Relay board (wiring board), 12, 13 ... Step part, 14, 15 ... Relay board, 16 ... Step part, 17 ... Electronic component, 18 ... Wiring board, 19 ... Step part, 20: Insulation Adhesive, 21: insulating particles, 22: SiO 2 film, 23: minute projection, 25: insulating bump.

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レーザ素子及びこのレーザ素子に光学的
に位置合わせされた光検出素子を搭載したヒートシンク
を配線基板に設けた光ピックアップ装置において、 前記配線基板面上よりも高く形成され、かつ前記光検出
素子と前記配線基板との間をワイヤにより電気的に接続
する中継用段差手段を形成したことを特徴とする光ピッ
クアップ装置。
1. An optical pickup device comprising: a wiring board provided with a laser element and a heat sink on which a light detection element optically aligned with the laser element is mounted. An optical pickup device, wherein a relay step means for electrically connecting a photodetector with the wiring board by a wire is formed.
【請求項2】 前記中継用段差手段は、前記ヒートシン
クに前記光検出素子の高さと前記配線基板の高さと中間
の高さの段差部を少なくとも1つ形成し、この段差部に
前記光検出素子と前記配線基板との間を前記ワイヤによ
り電気的に接続する中継基板を設けたことを特徴とする
請求項1記載の光ピックアップ装置。
2. The relay step means, wherein at least one step portion having an intermediate height between the height of the light detecting element and the height of the wiring board is formed on the heat sink, and the light detecting element is formed on the step portion. 2. The optical pickup device according to claim 1, further comprising a relay board for electrically connecting the wiring board and the wiring board by the wire.
【請求項3】 前記中継用段差手段は、前記ヒートシン
クに前記光検出素子の高さと前記配線基板の高さと中間
の高さの段差部を少なくとも1つ形成し、この段差部に
前記光検出素子の出力信号を処理する電子部品を設け、
この電子部品を介して前記光検出素子と前記配線基板と
の間を前記ワイヤにより電気的に接続することを特徴と
する請求項1記載の光ピックアップ装置。
3. The relay step means, wherein at least one step portion having an intermediate height between the height of the light detection element and the height of the wiring board is formed on the heat sink, and the light detection element is formed on the step portion. Electronic components for processing the output signals of
2. The optical pickup device according to claim 1, wherein the light detection element and the wiring board are electrically connected to each other by the wire via the electronic component.
【請求項4】 前記中継用段差手段は、前記配線基板上
に前記光検出素子の高さと前記配線基板の高さと中間の
高さを有する少なくとも1つの電子部品を搭載し、この
電子部品を介して前記光検出素子と前記配線基板との間
を前記ワイヤにより電気的に接続したことを特徴とする
請求項1記載の光ピックアップ装置。
4. The relay step means mounts at least one electronic component having a height intermediate between the height of the photodetector and the height of the wiring substrate on the wiring substrate, and via the electronic component. 2. The optical pickup device according to claim 1, wherein the light detecting element and the wiring board are electrically connected by the wire.
【請求項5】 前記中継用段差手段は、前記配線基板上
に段差部を形成し、この段差部上に前記光検出素子の出
力信号を処理する電子部品を設け、前記光検出素子と前
記電子部品との間を前記ワイヤにより電気的に接続した
ことを特徴とする請求項1記載の光ピックアップ装置。
5. The relay step means forms a step on the wiring board, and on the step, an electronic component for processing an output signal of the photodetector is provided. 2. The optical pickup device according to claim 1, wherein the component and the component are electrically connected by the wire.
【請求項6】 前記ヒートシンク上に絶縁部材を含んだ
絶縁性接着剤を介して前記光検出素子を搭載したことを
特徴とする請求項1記載の光ピックアップ装置。
6. The optical pickup device according to claim 1, wherein the photodetector is mounted on the heat sink via an insulating adhesive containing an insulating member.
【請求項7】 前記絶縁部材は、大きさが可変であるこ
とを特徴とする請求項6記載の光ピックアップ装置。
7. The optical pickup device according to claim 6, wherein the size of the insulating member is variable.
【請求項8】 前記絶縁部材は、粒子又はバンプである
ことを特徴とする請求項6記載の光ピックアップ装置。
8. The optical pickup device according to claim 6, wherein the insulating member is a particle or a bump.
【請求項9】 レーザ素子及びこのレーザ素子に対して
光学的に位置合わせされた光検出素子を備えた光ピック
アップ装置の製造方法において、 配線基板に少なくとも1つの段差部が形成されたヒート
シンクを接合する第1の工程と、 前記ヒートシンクの段差部上に前記光検出素子と前記配
線基板とを電気的に接続するための中継基板をマウント
する第2の工程と、 前記ヒートシンクに対して前記レーザ素子及び前記光検
出素子を搭載する第3の工程と、 前記光検出素子と前記中継基板との間、及び前記中継基
板と前記配線基板との間をそれぞれワイヤにより電気的
に接続する第4の工程と、を有することを特徴とする光
ピックアップ装置の製造方法。
9. A method of manufacturing an optical pickup device comprising a laser element and a photodetector optically aligned with the laser element, wherein a heat sink having at least one step formed on a wiring board is joined. A second step of mounting a relay board for electrically connecting the photodetector and the wiring board on a step portion of the heat sink; and a laser element for the heat sink. And a third step of mounting the photodetector, and a fourth step of electrically connecting the photodetector with the relay board and the relay board with the wiring board by wires. And a method for manufacturing an optical pickup device.
【請求項10】 レーザ素子及びこのレーザ素子に対し
て光学的に位置合わせされた光検出素子を備えた光ピッ
クアップ装置の製造方法において、 配線基板に少なくとも1つの段差部が形成されたヒート
シンクを接合する第1の工程と、 前記ヒートシンクの段差部上に前記光検出素子の出力信
号を処理する電子部品をマウントする第2の工程と、 前記ヒートシンクに対して前記レーザ素子及び前記光検
出素子を搭載する第3の工程と、 前記光検出素子と前記電子部品との間、及び前記電子部
品と前記配線基板との間をそれぞれワイヤにより電気的
に接続する第4の工程と、を有することを特徴とする光
ピックアップ装置の製造方法。
10. A method for manufacturing an optical pickup device comprising a laser element and a photodetector optically aligned with the laser element, wherein a heat sink having at least one step formed on a wiring board is joined. A first step of mounting; a second step of mounting an electronic component for processing an output signal of the light detection element on a step portion of the heat sink; and mounting the laser element and the light detection element on the heat sink. And a fourth step of electrically connecting the photodetector with the electronic component and the electronic component with the wiring board by wires, respectively. Manufacturing method of an optical pickup device.
【請求項11】 レーザ素子及びこのレーザ素子に対し
て光学的に位置合わせされた光検出素子を備えた光ピッ
クアップ装置の製造方法において、 配線基板にヒートシンクを接合する第1の工程と、 前記配線基板上における前記ヒートシンクの近傍に前記
光検出素子の出力信号を処理する前記ヒートシンクの高
さよりも所定高さ低い電子部品をマウントする第2の工
程と、 前記ヒートシンクに対して前記レーザ素子及び前記光検
出素子を搭載する第3の工程と、 前記光検出素子と前記電子部品との間、及び前記電子部
品と前記配線基板との間をそれぞれワイヤにより電気的
に接続する第4の工程と、を有することを特徴とする光
ピックアップ装置の製造方法。
11. A method of manufacturing an optical pickup device including a laser element and a light detection element optically aligned with the laser element, wherein: a first step of bonding a heat sink to a wiring board; A second step of mounting an electronic component having a predetermined height lower than the height of the heat sink for processing an output signal of the photodetector near the heat sink on the substrate; and the laser element and the light with respect to the heat sink. A third step of mounting a detection element; and a fourth step of electrically connecting the photodetection element and the electronic component, and the electronic component and the wiring board with wires, respectively. A method for manufacturing an optical pickup device, comprising:
【請求項12】 レーザ素子及びこのレーザ素子に対し
て光学的に位置合わせされた光検出素子を備えた光ピッ
クアップ装置の製造方法において、 段差部が形成された配線基板を備え、この配線基板にヒ
ートシンクを接合する第1の工程と、 前記配線基板の前記段差部上に前記光検出素子の出力信
号を処理する電子部品をマウントする第2の工程と、 前記ヒートシンクに対して前記レーザ素子及び前記光検
出素子を搭載する第3の工程と、 前記光検出素子と前記電子部品との間をワイヤにより電
気的に接続する第4の工程と、を有することを特徴とす
る光ピックアップ装置の製造方法。
12. A method for manufacturing an optical pickup device comprising a laser element and a photodetector optically aligned with the laser element, comprising: a wiring board having a stepped portion; A first step of bonding a heat sink; a second step of mounting an electronic component for processing an output signal of the photodetector on the step portion of the wiring board; A method of manufacturing an optical pickup device, comprising: a third step of mounting a light detection element; and a fourth step of electrically connecting the light detection element and the electronic component with a wire. .
【請求項13】 前記ヒートシンク上に絶縁部材を含ん
だ絶縁性接着剤を介して前記光検出素子を搭載する工程
を有することを特徴とする請求項9乃至12のうち1項
記載の光ピックアップ装置の製造方法。
13. The optical pickup device according to claim 9, further comprising a step of mounting the light detecting element on the heat sink via an insulating adhesive containing an insulating member. Manufacturing method.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007158180A (en) * 2005-12-07 2007-06-21 Yazaki Corp Substrate unit
JP2011018194A (en) * 2009-07-09 2011-01-27 Shin Etsu Polymer Co Ltd Sensor panel for large-size display

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