JPH11154483A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH11154483A JPH11154483A JP9321545A JP32154597A JPH11154483A JP H11154483 A JPH11154483 A JP H11154483A JP 9321545 A JP9321545 A JP 9321545A JP 32154597 A JP32154597 A JP 32154597A JP H11154483 A JPH11154483 A JP H11154483A
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- ion
- ions
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- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 119
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 20
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 13
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【課題】 メンテナンスが簡単であり、しかもソースチ
ャンバ内の汚染を防止することができるイオン注入装置
を提供すること。 【解決手段】 イオンを通流させる通流路を備えたソー
スチャンバと、ソースチャンバに直接取り付けられてお
り、内部にガスを供給することができ、その内部でガス
をイオン化して、通流路にイオンを供給するイオンソー
ス本体と、を有するイオンソースを備えることを特徴と
している。
ャンバ内の汚染を防止することができるイオン注入装置
を提供すること。 【解決手段】 イオンを通流させる通流路を備えたソー
スチャンバと、ソースチャンバに直接取り付けられてお
り、内部にガスを供給することができ、その内部でガス
をイオン化して、通流路にイオンを供給するイオンソー
ス本体と、を有するイオンソースを備えることを特徴と
している。
Description
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
基板に対してイオンを照射することにより基板内にイオ
ンを注入するイオン注入装置に関する。
基板に対してイオンを照射することにより基板内にイオ
ンを注入するイオン注入装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいては、半導体
ウエハ等の基板内に拡散領域を形成したり、膜中にドー
パントをドーピングする場合に、イオン注入装置が使用
されている。
ウエハ等の基板内に拡散領域を形成したり、膜中にドー
パントをドーピングする場合に、イオン注入装置が使用
されている。
【0003】イオン注入装置は、基板を収容するチャン
バと、イオンを出射するイオンソースと、イオンソース
から出射されたイオンをチャンバ内に引き込むイオン引
き込み領域と、から主に構成されている。
バと、イオンを出射するイオンソースと、イオンソース
から出射されたイオンをチャンバ内に引き込むイオン引
き込み領域と、から主に構成されている。
【0004】イオン注入装置において、イオンを出射す
る従来のイオンソースは、例えば図5に示す構成を有す
る。図中1はイオンソース本体を示す。イオンソース本
体1の一方の端部には、ネジ穴1bを有するフランジ部
1aが取り付けられている。
る従来のイオンソースは、例えば図5に示す構成を有す
る。図中1はイオンソース本体を示す。イオンソース本
体1の一方の端部には、ネジ穴1bを有するフランジ部
1aが取り付けられている。
【0005】このイオンソース本体1は、フランジ部1
aと反対側の端部を中空部を有するソースチャンバ4に
内挿されるようになっている。ソースチャンバ4のイオ
ンソース本体挿入側には、ブッシング3が形成されてお
り、イオンソース本体1を挿入した時に、フランジ部1
aがガスケット2を介してブッシング3に当接するよう
になっている。そして、フランジ部1aおよびブッシン
グ3は、ネジ穴1bを介してネジ8によりネジ止めされ
ている。
aと反対側の端部を中空部を有するソースチャンバ4に
内挿されるようになっている。ソースチャンバ4のイオ
ンソース本体挿入側には、ブッシング3が形成されてお
り、イオンソース本体1を挿入した時に、フランジ部1
aがガスケット2を介してブッシング3に当接するよう
になっている。そして、フランジ部1aおよびブッシン
グ3は、ネジ穴1bを介してネジ8によりネジ止めされ
ている。
【0006】また、イオンソース本体1の挿入側には、
支持部1cが延出しており、この支持部1cの内側にア
ークチャンバ6が配置されている。イオンソース本体1
の中央部には、その軸方向に沿ってガス配管5がフラン
ジ部1aを貫通して延出しており、ガス配管5はアーク
チャンバ6に連通している。また、支持部1cからアー
クチャンバ6内にフィラメント7が挿入されている。し
たがって、ガス配管5からアークチャンバ6内にガスが
供給され、アークチャンバ6内でフィラメント7から発
生する熱電子でガスがイオン化され、そのイオンがソー
スチャンバ4に通流するようになっている。
支持部1cが延出しており、この支持部1cの内側にア
ークチャンバ6が配置されている。イオンソース本体1
の中央部には、その軸方向に沿ってガス配管5がフラン
ジ部1aを貫通して延出しており、ガス配管5はアーク
チャンバ6に連通している。また、支持部1cからアー
クチャンバ6内にフィラメント7が挿入されている。し
たがって、ガス配管5からアークチャンバ6内にガスが
供給され、アークチャンバ6内でフィラメント7から発
生する熱電子でガスがイオン化され、そのイオンがソー
スチャンバ4に通流するようになっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】近年、イオン注入装置
は、大電流化の傾向にあり、これに伴って装置自体が大
きくなってきている。したがって、当然にイオンソース
部の大きさも大きくなってきている。その結果、イオン
ソース部のメンテナンスも複雑になり、工数が増加して
いる。例えば、図5に示すイオンソース部1おいて、フ
ィラメント7の交換する場合、イオンソース部1をソー
スチャンバ4から取り外し、フィラメント7を交換する
ので作業が煩雑である。また、図5に示す構成によれ
ば、イオンソース本体1がソースチャンバ4に挿入され
る構成であるので、ソースチャンバ4内が汚染するとい
う問題もある。
は、大電流化の傾向にあり、これに伴って装置自体が大
きくなってきている。したがって、当然にイオンソース
部の大きさも大きくなってきている。その結果、イオン
ソース部のメンテナンスも複雑になり、工数が増加して
いる。例えば、図5に示すイオンソース部1おいて、フ
ィラメント7の交換する場合、イオンソース部1をソー
スチャンバ4から取り外し、フィラメント7を交換する
ので作業が煩雑である。また、図5に示す構成によれ
ば、イオンソース本体1がソースチャンバ4に挿入され
る構成であるので、ソースチャンバ4内が汚染するとい
う問題もある。
【0008】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、メンテナンスが簡単であり、しかもソースチャン
バ内の汚染を防止することができるイオン注入装置を提
供することを目的とする。
あり、メンテナンスが簡単であり、しかもソースチャン
バ内の汚染を防止することができるイオン注入装置を提
供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は以下の手段を講じた。本発明は、基板に対
してイオンを照射することにより基板内にイオンを注入
するイオン注入装置であって、前記基板を収容するチャ
ンバと、イオンを出射するイオンソースと、前記イオン
ソースから出射されたイオンを前記チャンバ内に引き込
むイオン引き込み手段と、を具備し、前記イオンソース
は、イオンを通流させる通流路を備えたソースチャンバ
と、前記ソースチャンバに取り付けられており、内部に
ガスを供給することができ、その内部で前記ガスをイオ
ン化して、前記通流路にイオンを供給するイオンソース
本体と、を有することを特徴とするイオン注入装置であ
る。
に、本発明は以下の手段を講じた。本発明は、基板に対
してイオンを照射することにより基板内にイオンを注入
するイオン注入装置であって、前記基板を収容するチャ
ンバと、イオンを出射するイオンソースと、前記イオン
ソースから出射されたイオンを前記チャンバ内に引き込
むイオン引き込み手段と、を具備し、前記イオンソース
は、イオンを通流させる通流路を備えたソースチャンバ
と、前記ソースチャンバに取り付けられており、内部に
ガスを供給することができ、その内部で前記ガスをイオ
ン化して、前記通流路にイオンを供給するイオンソース
本体と、を有することを特徴とするイオン注入装置であ
る。
【0010】この構成によれば、イオンソース本体内が
そのままアークチャンバを構成するので、イオンソース
本体を小型化することができる。これにより、真空のブ
レーク容量を小さくすることができ、アウトガスを低減
することができる。その結果、メンテナンス後の真空の
立ち上がりを早くすることができる。また、イオンソー
ス本体をソースチャンバ内に挿入すること無く、直接取
り付けるので、ソースチャンバ内の汚染を防止すること
ができる。
そのままアークチャンバを構成するので、イオンソース
本体を小型化することができる。これにより、真空のブ
レーク容量を小さくすることができ、アウトガスを低減
することができる。その結果、メンテナンス後の真空の
立ち上がりを早くすることができる。また、イオンソー
ス本体をソースチャンバ内に挿入すること無く、直接取
り付けるので、ソースチャンバ内の汚染を防止すること
ができる。
【0011】本発明のイオン注入装置においては、イオ
ンソース本体が、ソースチャンバに取り付けられた状態
でイオン化用フィラメントを内部に挿入できる挿入部を
有することが好ましい。
ンソース本体が、ソースチャンバに取り付けられた状態
でイオン化用フィラメントを内部に挿入できる挿入部を
有することが好ましい。
【0012】この構成によれば、イオンソース本体をソ
ースチャンバから取り外すこと無く、フィラメント交換
を行うことができる。したがって、メンテナンスが非常
に簡易となる。
ースチャンバから取り外すこと無く、フィラメント交換
を行うことができる。したがって、メンテナンスが非常
に簡易となる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明
のイオン注入装置を示す全体構成図である。図中11
は、イオンを出射するイオンソース部を示す。イオンソ
ース部11の後段には、イオンソース部11からイオン
を引き出す引き出し電極12が配置されている。引き出
し電極12の後段には、所望のイオンを抽出する質量分
析部13が配置されている。
て添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明
のイオン注入装置を示す全体構成図である。図中11
は、イオンを出射するイオンソース部を示す。イオンソ
ース部11の後段には、イオンソース部11からイオン
を引き出す引き出し電極12が配置されている。引き出
し電極12の後段には、所望のイオンを抽出する質量分
析部13が配置されている。
【0014】また、質量分析部13の後段には、イオン
を所定のエネルギーに加速するか側部14が配置されて
いる。加速部14の後段には、レンズ部15および偏向
部16が配置されている。さらに、偏向部16の後段に
は、チャンバであるエンドステーション部17が配置さ
れている。このエンドステーション17内に基板である
ウエハ18が載置されている。
を所定のエネルギーに加速するか側部14が配置されて
いる。加速部14の後段には、レンズ部15および偏向
部16が配置されている。さらに、偏向部16の後段に
は、チャンバであるエンドステーション部17が配置さ
れている。このエンドステーション17内に基板である
ウエハ18が載置されている。
【0015】このような構成のイオン注入装置において
は、イオンソース部11でイオン化されたイオンは、イ
オンビームとして引き出し電極12によりイオンソース
部11から引き出され、質量分析部13に入射する。質
量分析部13において、目的のイオンを分離して抽出す
る。抽出されたイオンは、加速部14で所定のエネルギ
ーまで加速されて、レンズ部15を通過する。レンズ部
15では、イオンビームが整形され、さらにレンズ部1
5の後段の偏向部16でX/Y方向に走査されて、エン
ドステーション部17内のウエハ18に向けられる。こ
れにより、イオンがウエハ18に注入される。
は、イオンソース部11でイオン化されたイオンは、イ
オンビームとして引き出し電極12によりイオンソース
部11から引き出され、質量分析部13に入射する。質
量分析部13において、目的のイオンを分離して抽出す
る。抽出されたイオンは、加速部14で所定のエネルギ
ーまで加速されて、レンズ部15を通過する。レンズ部
15では、イオンビームが整形され、さらにレンズ部1
5の後段の偏向部16でX/Y方向に走査されて、エン
ドステーション部17内のウエハ18に向けられる。こ
れにより、イオンがウエハ18に注入される。
【0016】図2は、本発明のイオン注入装置のイオン
ソース部のイオンソース本体を示す上面図である。図中
30はイオンソース本体を示す。このイオンソース本体
30は、略円筒形状を有している。イオンソース本体3
0の一方の主面には、フィラメントを固定する案内具で
あるフィラメントプレート28が取り付けられている。
このフィラメントプレート28のほぼ中央には、フィラ
メント挿入穴(図2においては2つ)が形成されてお
り、そのフィラメント挿入穴に熱電子を発生するフィラ
メント21が挿入されている。また、このフィラメント
挿入穴近傍のフィラメント21には、絶縁材料であるフ
ィラメントインシュレータ26が包被されている。
ソース部のイオンソース本体を示す上面図である。図中
30はイオンソース本体を示す。このイオンソース本体
30は、略円筒形状を有している。イオンソース本体3
0の一方の主面には、フィラメントを固定する案内具で
あるフィラメントプレート28が取り付けられている。
このフィラメントプレート28のほぼ中央には、フィラ
メント挿入穴(図2においては2つ)が形成されてお
り、そのフィラメント挿入穴に熱電子を発生するフィラ
メント21が挿入されている。また、このフィラメント
挿入穴近傍のフィラメント21には、絶縁材料であるフ
ィラメントインシュレータ26が包被されている。
【0017】イオンソース本体30の一方の主面であっ
て、フィラメントプレート28の反対側には、フィラメ
ントプレート28と対向するようにリフレクタープレー
ト29が取り付けられている。リクレクタープレート2
9には、リフレクターインシュレータ27が立設されて
おり、このリフレクターインシュレータ27の先端に、
熱電子を反射するリフレクター22が取り付けられてい
る。なお、フィラメントプレート28およびリフレクタ
ープレート29は、それぞれイオンソース本体30にメ
タルシール等のO−リング24を介して取り付けられて
いる。また、イオンソース本体30内には、冷却水ライ
ンが周設されている。また、イオンソース本体の中空部
中央には、ガス導入口25が配置されている。
て、フィラメントプレート28の反対側には、フィラメ
ントプレート28と対向するようにリフレクタープレー
ト29が取り付けられている。リクレクタープレート2
9には、リフレクターインシュレータ27が立設されて
おり、このリフレクターインシュレータ27の先端に、
熱電子を反射するリフレクター22が取り付けられてい
る。なお、フィラメントプレート28およびリフレクタ
ープレート29は、それぞれイオンソース本体30にメ
タルシール等のO−リング24を介して取り付けられて
いる。また、イオンソース本体30内には、冷却水ライ
ンが周設されている。また、イオンソース本体の中空部
中央には、ガス導入口25が配置されている。
【0018】図3は、本発明のイオン注入装置のイオン
ソース部のイオンソース本体を示す分解斜視図である。
イオンソース本体30の周面には、略矩形形状であるフ
ィラメント挿入部46が形成されており、このフィラメ
ント挿入部46にフィラメントプレート28がメタルシ
ール等のO−リング24を介して嵌合するようになって
いる。
ソース部のイオンソース本体を示す分解斜視図である。
イオンソース本体30の周面には、略矩形形状であるフ
ィラメント挿入部46が形成されており、このフィラメ
ント挿入部46にフィラメントプレート28がメタルシ
ール等のO−リング24を介して嵌合するようになって
いる。
【0019】イオンソース本体30のソースチャンバ側
には、スリットプレート31が配置される。このスリッ
トプレート31の中央には、長穴31aが形成されてお
り、この長穴31aを通ってソースチャンバにイオンが
通流される。一方、イオンソース本体30のスリットプ
レート31と反対側には、バックプレート32が配置さ
れる。このバックプレート32の中央には、ガスをアー
クチャンバであるイオンソース本体30内に導入するた
めのガス導入口25が形成されている。なお、バックプ
レート32のイオンソース本体30側と反対側には、ガ
ス導入口25を介してガスをイオンソース本体30内に
導入するガス配管が接続される。これらのスリットプレ
ート31およびバックプレート32は、イオンソース本
体30にメタルシール等のO−リング24を介して接続
されている。
には、スリットプレート31が配置される。このスリッ
トプレート31の中央には、長穴31aが形成されてお
り、この長穴31aを通ってソースチャンバにイオンが
通流される。一方、イオンソース本体30のスリットプ
レート31と反対側には、バックプレート32が配置さ
れる。このバックプレート32の中央には、ガスをアー
クチャンバであるイオンソース本体30内に導入するた
めのガス導入口25が形成されている。なお、バックプ
レート32のイオンソース本体30側と反対側には、ガ
ス導入口25を介してガスをイオンソース本体30内に
導入するガス配管が接続される。これらのスリットプレ
ート31およびバックプレート32は、イオンソース本
体30にメタルシール等のO−リング24を介して接続
されている。
【0020】上記構成を有するイオンソース本体30に
おいては、ガス導入口25からアークチャンバであるイ
オンソース本体30内に導入されたガスが、フィラメン
ト21から発生する熱電子と衝突することにより放電が
発生し、これによりガスがイオン化される。このとき、
磁界を印加することにより、熱電子のガス分子への衝突
確率が上がり効率良くガスをイオン化することができ
る。
おいては、ガス導入口25からアークチャンバであるイ
オンソース本体30内に導入されたガスが、フィラメン
ト21から発生する熱電子と衝突することにより放電が
発生し、これによりガスがイオン化される。このとき、
磁界を印加することにより、熱電子のガス分子への衝突
確率が上がり効率良くガスをイオン化することができ
る。
【0021】また、アークチャンバであるイオンソース
本体30内は、ガスのイオン化の際に高温のプラズマが
発生しており、かなりの高温になっている。上記構成に
おいては、冷却水ライン23の外側にシール材であるO
−リング24が配置されているので、O−リングの熱劣
化を防止することができる。
本体30内は、ガスのイオン化の際に高温のプラズマが
発生しており、かなりの高温になっている。上記構成に
おいては、冷却水ライン23の外側にシール材であるO
−リング24が配置されているので、O−リングの熱劣
化を防止することができる。
【0022】図4は、上記構成を有するイオンソース本
体30とソースチャンバ43との間の接続状態を説明す
るための図である。イオンソース本体30周縁部には、
複数(図4においては4つ)のネジ穴30aが形成され
ている。このネジ穴30aは、イオンソース本体30の
軸方向に貫通して形成されている。
体30とソースチャンバ43との間の接続状態を説明す
るための図である。イオンソース本体30周縁部には、
複数(図4においては4つ)のネジ穴30aが形成され
ている。このネジ穴30aは、イオンソース本体30の
軸方向に貫通して形成されている。
【0023】このイオンソース本体30は、ソースチャ
ンバ43と当接するようになっている。ソースチャンバ
43のイオンソース本体30側には、磁界を印加するの
でイオンソース本体30とソースチャンバ43とを絶縁
するブッシング42形成されている。ブッシング42に
は、イオンソース本体30のネジ穴30aに対応する位
置にネジ穴42aが形成されており、イオンソース本体
30とブッシング42とをガスケット41を介して当接
させ、ネジ穴30a,42aを通して固定用ネジ45で
ネジ止めすることにより、イオンソース本体30とブッ
シング42とをガスケット41を接続するように構成さ
れている。
ンバ43と当接するようになっている。ソースチャンバ
43のイオンソース本体30側には、磁界を印加するの
でイオンソース本体30とソースチャンバ43とを絶縁
するブッシング42形成されている。ブッシング42に
は、イオンソース本体30のネジ穴30aに対応する位
置にネジ穴42aが形成されており、イオンソース本体
30とブッシング42とをガスケット41を介して当接
させ、ネジ穴30a,42aを通して固定用ネジ45で
ネジ止めすることにより、イオンソース本体30とブッ
シング42とをガスケット41を接続するように構成さ
れている。
【0024】また、イオンソース本体30の周面には、
フィラメント挿入部46が形成されており、フィラメン
ト挿入部46には、フィラメントをイオンソース本体3
0内に案内する案内具(フィラメントプレート)46a
が取り付けられている。この案内具46aの中央部に
は、フィラメント挿入穴46bが形成されている。ま
た、イオンソース本体30のソースチャンバ43と反対
側には、イオンソース本体30内にガスを導入するガス
配管44が接続されている。
フィラメント挿入部46が形成されており、フィラメン
ト挿入部46には、フィラメントをイオンソース本体3
0内に案内する案内具(フィラメントプレート)46a
が取り付けられている。この案内具46aの中央部に
は、フィラメント挿入穴46bが形成されている。ま
た、イオンソース本体30のソースチャンバ43と反対
側には、イオンソース本体30内にガスを導入するガス
配管44が接続されている。
【0025】したがって、ガス配管44からアークチャ
ンバであるイオンソース本体30内にガスが供給され、
イオンソース本体30内でフィラメントが発生する熱電
子でガスがイオン化され、そのイオンがソースチャンバ
43に通流するようになっている。
ンバであるイオンソース本体30内にガスが供給され、
イオンソース本体30内でフィラメントが発生する熱電
子でガスがイオン化され、そのイオンがソースチャンバ
43に通流するようになっている。
【0026】上記構成によれば、消耗品であるフィラメ
ント交換等のメンテナンスにおいては、フィラメント挿
入部46がイオンソース本体30の周面に設けられてい
るので、イオンソース本体30とソースチャンバ43と
を接続した状態でフィラメント交換を簡単に行うことが
できる。
ント交換等のメンテナンスにおいては、フィラメント挿
入部46がイオンソース本体30の周面に設けられてい
るので、イオンソース本体30とソースチャンバ43と
を接続した状態でフィラメント交換を簡単に行うことが
できる。
【0027】また、イオンソース本体内がそのままアー
クチャンバを構成するので、イオンソース本体を小型化
することができる。これにより、真空のブレーク容量を
小さくすることができ、アウトガスを低減することがで
きる。その結果、メンテナンス後の真空の立ち上がりを
早くすることができる。また、イオンソース本体をソー
スチャンバ内に挿入すること無く、直接取り付けるの
で、ソースチャンバ内の汚染を防止することができる。
クチャンバを構成するので、イオンソース本体を小型化
することができる。これにより、真空のブレーク容量を
小さくすることができ、アウトガスを低減することがで
きる。その結果、メンテナンス後の真空の立ち上がりを
早くすることができる。また、イオンソース本体をソー
スチャンバ内に挿入すること無く、直接取り付けるの
で、ソースチャンバ内の汚染を防止することができる。
【0028】本発明は上記実施形態に限定されることな
く、種々変更して実施することができる。したがって、
本発明は、イオンソース本体内がそのままアークチャン
バを構成し、かつ、イオンソース本体とソースチャンバ
とを接続した状態でフィラメント交換を簡単に行うこと
ができれば、材質や寸法等の設計事項が異なる場合も含
む。
く、種々変更して実施することができる。したがって、
本発明は、イオンソース本体内がそのままアークチャン
バを構成し、かつ、イオンソース本体とソースチャンバ
とを接続した状態でフィラメント交換を簡単に行うこと
ができれば、材質や寸法等の設計事項が異なる場合も含
む。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように本発明のイオン注入
装置は、イオンを通流させる通流路を備えたソースチャ
ンバと、ソースチャンバに直接取り付けられており、内
部にガスを供給することができ、その内部でガスをイオ
ン化して、通流路にイオンを供給するイオンソース本体
と、を有するイオンソースを備えるので、メンテナンス
が簡単であり、しかもソースチャンバ内の汚染を防止す
ることができる。
装置は、イオンを通流させる通流路を備えたソースチャ
ンバと、ソースチャンバに直接取り付けられており、内
部にガスを供給することができ、その内部でガスをイオ
ン化して、通流路にイオンを供給するイオンソース本体
と、を有するイオンソースを備えるので、メンテナンス
が簡単であり、しかもソースチャンバ内の汚染を防止す
ることができる。
【図1】イオン注入装置の概略構成図である。
【図2】本発明のイオン注入装置のイオンソース本体を
説明するための上面図である。
説明するための上面図である。
【図3】本発明のイオン注入装置のイオンソース本体を
説明するための分解斜視図である。
説明するための分解斜視図である。
【図4】本発明のイオン注入装置のイオンソース本体と
ソースチャンバとの連結状態を説明するための図であ
る。
ソースチャンバとの連結状態を説明するための図であ
る。
【図5】従来のイオン注入装置のイオンソース部を説明
するための構成図である。
するための構成図である。
11…イオンソース部、12…引き出し電極、13…質
量分析部、14…加速部、15…レンズ部、16…偏向
部、17…エンドステーション部、18…ウエハ、21
…フィラメント、22…リフレクター、23…冷却水ラ
イン、24…O−リング、25…ガス導入口、26…フ
ィラメントインシュレータ、27…リフレクターインシ
ュレータ、28…フィラメントプレート、29…リフレ
クタープレート、30…イオンソース本体、30a,4
2a…ネジ穴、31…スプリットプレート、31a…長
穴、32…バックプレート、41…ガスケット、42…
ブッシング、43…ソースチャンバ、44…ガス配管、
45…固定用ネジ、46…フィラメント挿入部、46a
…案内具、46b…フィラメント挿入穴。
量分析部、14…加速部、15…レンズ部、16…偏向
部、17…エンドステーション部、18…ウエハ、21
…フィラメント、22…リフレクター、23…冷却水ラ
イン、24…O−リング、25…ガス導入口、26…フ
ィラメントインシュレータ、27…リフレクターインシ
ュレータ、28…フィラメントプレート、29…リフレ
クタープレート、30…イオンソース本体、30a,4
2a…ネジ穴、31…スプリットプレート、31a…長
穴、32…バックプレート、41…ガスケット、42…
ブッシング、43…ソースチャンバ、44…ガス配管、
45…固定用ネジ、46…フィラメント挿入部、46a
…案内具、46b…フィラメント挿入穴。
Claims (2)
- 【請求項1】 基板に対してイオンを照射することによ
り基板内にイオンを注入するイオン注入装置であって、 前記基板を収容するチャンバと、 イオンを出射するイオンソースと、 前記イオンソースから出射されたイオンを前記チャンバ
内に引き込むイオン引き込み手段と、を具備し、 前記イオンソースは、イオンを通流させる通流路を備え
たソースチャンバと、前記ソースチャンバに取り付けら
れており、内部にガスを供給することができ、その内部
で前記ガスをイオン化して、前記通流路にイオンを供給
するイオンソース本体と、を有することを特徴とするイ
オン注入装置。 - 【請求項2】 前記イオンソース本体は、前記ソースチ
ャンバに取り付けられた状態でイオン化用フィラメント
を内部に挿入できる挿入部を有することを特徴とする請
求項1に記載のイオン注入装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9321545A JPH11154483A (ja) | 1997-11-21 | 1997-11-21 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9321545A JPH11154483A (ja) | 1997-11-21 | 1997-11-21 | イオン注入装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11154483A true JPH11154483A (ja) | 1999-06-08 |
Family
ID=18133765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9321545A Pending JPH11154483A (ja) | 1997-11-21 | 1997-11-21 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11154483A (ja) |
-
1997
- 1997-11-21 JP JP9321545A patent/JPH11154483A/ja active Pending
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