JPH11153642A - Test device and method for semiconductor device - Google Patents

Test device and method for semiconductor device

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JPH11153642A
JPH11153642A JP9321809A JP32180997A JPH11153642A JP H11153642 A JPH11153642 A JP H11153642A JP 9321809 A JP9321809 A JP 9321809A JP 32180997 A JP32180997 A JP 32180997A JP H11153642 A JPH11153642 A JP H11153642A
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JP
Japan
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power supply
circuit
voltage
power source
supply line
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP9321809A
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Japanese (ja)
Inventor
Takahiro Nagata
孝弘 永田
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Ando Electric Co Ltd
Original Assignee
Ando Electric Co Ltd
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Publication date
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  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To stabilize settling time regardless of the capacity of low frequency capacitor, by impressing a first direct current via a power source line of semiconductor device, impressing a second direct current with the same characteristics as the first direct current to the power source line via a capacitor for frequency suppressing voltage fluctuation, and measuring the direct current flowing the power source line. SOLUTION: When a device to be measured is tested, a power source circuit 2 and a power source circuit 6 are simultaneously turned on at a specified time. Therefore, an electric potential difference between the terminal on a power source line 3 side of a capacitor 5 for low frequency and the terminal of the power source circuit 6 side is made 0. Then, output voltages of the circuit 2 and the circuit 6 elevate together. After passing a settling time from a specific time, the voltage of an input terminal 1a becomes stable. So no ringing occurs. The settling time is constant. In circuit 2, after conducting functional test such as source current (load current) measurement, the circuit 2 and the circuit 6 are turned off and the test is terminated.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
試験に用いられる半導体デバイス試験装置および方法に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device test apparatus and method used for testing semiconductor devices.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4は、従来の半導体デバイス試験装置
の構成を示す回路図である。この図において、1は、半
導体デバイス等の被測定デバイスであり、入力端子1a
を有している。2は、電源ライン3を介して被測定デバ
イス1の入力端子1aへ直流電圧を供給する電源回路で
ある。4は、電源ライン3とGND(接地)との間に介
挿された高周波用コンデンサであり、電源ライン3にお
ける高周波ノイズを除去する。この高周波用コンデンサ
4としては、負荷容量が0.1〜1.0[μF]のもの
が用いられる。5は、電源ライン3とGNDとの間に介
挿された低周波用コンデンサであり、電源ライン3にお
ける電圧変動を抑制する。この低周波用コンデンサ5と
しては、負荷容量が数[μF]〜数10[μF]とい
う、高周波用コンデンサ4に比して大容量のものが用い
られる。
2. Description of the Related Art FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional semiconductor device test apparatus. In this figure, reference numeral 1 denotes a device to be measured such as a semiconductor device, and an input terminal 1a
have. Reference numeral 2 denotes a power supply circuit that supplies a DC voltage to the input terminal 1a of the device under test 1 via the power supply line 3. Reference numeral 4 denotes a high-frequency capacitor inserted between the power supply line 3 and GND (ground), and removes high-frequency noise in the power supply line 3. As the high-frequency capacitor 4, a capacitor having a load capacity of 0.1 to 1.0 [μF] is used. Reference numeral 5 denotes a low-frequency capacitor interposed between the power supply line 3 and GND, which suppresses voltage fluctuations in the power supply line 3. As the low-frequency capacitor 5, a capacitor having a load capacity of several [μF] to several tens [μF] and a larger capacity than the high-frequency capacitor 4 is used.

【0003】次に、上述した従来の半導体デバイス試験
装置を用いた試験手順を図5に示すフローチャートを参
照して説明する。まず、被測定デバイス1の電源電流を
測定する場合、図5に示すステップSA1では、電源回
路2がオンとされる。すなわち、図6(a)に示す時刻
t0において、電源回路2がオンとされると、電源回路
2からは、電源電流(負荷電流)が出力される。そし
て、この電源電流は、高周波用コンデンサ4および低周
波用コンデンサ5に各々充電される。
Next, a test procedure using the above-described conventional semiconductor device test apparatus will be described with reference to a flowchart shown in FIG. First, when measuring the power supply current of the device under test 1, in step SA1 shown in FIG. 5, the power supply circuit 2 is turned on. That is, when the power supply circuit 2 is turned on at time t0 shown in FIG. 6A, a power supply current (load current) is output from the power supply circuit 2. Then, this power supply current is charged in the high frequency capacitor 4 and the low frequency capacitor 5, respectively.

【0004】そして、図6(a)に示す時刻t0からセ
ットリング時間Ts1経過後、同図に示す波形H1のごと
く、入力端子1aの電圧は、過渡状態を経て定常状態と
される。ここで、過渡状態においては、同図に示すよう
にリンギングが生じている。図6(b)は、GNDの電
圧波形を示す波形図であり、この図からわかるように、
GND電圧は、0[V]である。
After the settling time Ts1 has elapsed from the time t0 shown in FIG. 6A, the voltage at the input terminal 1a is brought into a steady state through a transient state as shown by a waveform H1 shown in FIG. Here, in the transient state, ringing occurs as shown in FIG. FIG. 6B is a waveform diagram showing the voltage waveform of GND. As can be seen from FIG.
The GND voltage is 0 [V].

【0005】ここで、セットリング時間Ts1とは、図6
(a)に示す時刻t0から時刻t2までの時間をいい、電
源回路2がオンとされてから、入力端子1a(電源ライ
ン3)の電圧が、予め設定されている設定値に落ちつく
までの時間をいう。ステップSA2では、電源回路2に
おいては、上記電源電流(負荷電流)の測定等の機能試
験が行われた後、ステップSA3では、電源回路2がオ
フとされ試験が終了する。
Here, the settling time Ts1 is defined as
The time from time t0 to time t2 shown in (a), which is the time from when the power supply circuit 2 is turned on until the voltage of the input terminal 1a (power supply line 3) falls to a preset value. Say. In step SA2, the power supply circuit 2 performs a functional test such as measurement of the power supply current (load current), and then in step SA3, the power supply circuit 2 is turned off and the test ends.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の半導
体デバイス試験装置においては、図6(a)に示す波形
H1からわかるように、入力端子1aの電圧が立ち上が
ってから定常状態となるまでのセットリング時間Ts1
が、低周波用コンデンサ5が接続されていないときの入
力端子1aの電圧波形H0におけるセットリング時間Ts
0(時刻t0〜時刻t1)に比して長くなってしまうとい
う問題があった。これは、低周波用コンデンサ5として
大容量のものを用いなければならないためである。ま
た、上記セットリング時間Ts1は、低周波用コンデンサ
5の容量が大きい程長くなる。また、従来の半導体デバ
イス試験装置においては、図6(a)に示す波形H1か
らわかるようにリンギングが生じている。従って、従来
の半導体デバイス試験装置においては、低周波用コンデ
ンサ5の負荷容量によってセットリング時間Ts1に変動
が生じるという問題があった。本発明はこのような背景
の下になされたもので、低周波用コンデンサの負荷容量
にかかわらず、セットリング時間を一定にすることがで
きる半導体デバイス試験装置および方法を提供すること
を目的とする。
By the way, in the conventional semiconductor device test apparatus, as can be seen from the waveform H1 shown in FIG. 6 (a), the setting from the rising of the voltage of the input terminal 1a to the steady state. Ring time Ts1
Is the settling time Ts in the voltage waveform H0 of the input terminal 1a when the low-frequency capacitor 5 is not connected.
There is a problem that the length is longer than 0 (time t0 to time t1). This is because a large-capacity low-frequency capacitor 5 must be used. The settling time Ts1 becomes longer as the capacitance of the low-frequency capacitor 5 increases. Moreover, in the conventional semiconductor device test apparatus, ringing occurs as can be seen from the waveform H1 shown in FIG. Therefore, the conventional semiconductor device test apparatus has a problem that the settling time Ts1 varies depending on the load capacitance of the low-frequency capacitor 5. The present invention has been made under such a background, and it is an object of the present invention to provide a semiconductor device test apparatus and method capable of keeping a settling time constant regardless of the load capacitance of a low-frequency capacitor. .

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、半導体デバイスへ電源ラインを介して第1の直流電
圧を印加する第1の電源と、一端が前記電源ラインに接
続れ、前記電源ラインの電圧変動を抑制する低周波用コ
ンデンサと、前記低周波用コンデンサの他端に接続さ
れ、該低周波用コンデンサを介して前記電源ラインへ前
記第1の直流電圧と同一特性の第2の直流電圧を印加
し、かつ前記第1の電源と同時にオンとされる第2の電
源と、前記第1の電源の出力電流の測定を行う測定手段
とを具備することを特徴とする。また、請求項2に記載
の発明は、半導体デバイスへ電源ラインを介して、第1
の直流電圧を印加すると同時に、前記電源ラインの電圧
変動を抑制する周波用コンデンサを介して、前記電源ラ
インへ前記第1の直流電圧と同一特性の第2の直流電圧
を印加する第1の過程と、前記電源ラインを流れる直流
電流を測定する第2の過程とからなることを特徴とす
る。
According to a first aspect of the present invention, a first power supply for applying a first DC voltage to a semiconductor device via a power supply line, one end of which is connected to the power supply line, A low-frequency capacitor that suppresses voltage fluctuations in the power supply line; a second capacitor connected to the other end of the low-frequency capacitor and having the same characteristics as the first DC voltage to the power supply line via the low-frequency capacitor. And a measuring means for measuring an output current of the first power supply, the second power supply being turned on simultaneously with the first power supply. Further, according to the invention described in claim 2, the first device is connected to the semiconductor device via the power line.
A first step of applying a second DC voltage having the same characteristics as the first DC voltage to the power supply line via a frequency capacitor for suppressing voltage fluctuation of the power supply line at the same time as applying the DC voltage of And a second step of measuring a DC current flowing through the power supply line.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明する。図1は本発明の第一実施形態
による半導体デバイス試験装置の構成を示すブロック図
である。この図において、図4の各部に対応する部分に
は同一の符号を付けその説明を省略する。図1において
は、電源回路6が新たに設けられているとともに、低周
波用コンデンサ5が電源回路6と電源ライン3との間に
介挿されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the semiconductor device test apparatus according to the first embodiment of the present invention. In this figure, parts corresponding to the respective parts in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. In FIG. 1, a power supply circuit 6 is newly provided, and a low-frequency capacitor 5 is interposed between the power supply circuit 6 and the power supply line 3.

【0009】図1に示す電源回路6は、電源回路2に併
設されており、低周波用コンデンサ5を介して電源ライ
ン3へ電源電圧を供給する。
A power supply circuit 6 shown in FIG. 1 is provided in parallel with the power supply circuit 2 and supplies a power supply voltage to the power supply line 3 via a low-frequency capacitor 5.

【0010】次に、上述した一実施形態による半導体デ
バイス試験装置を用いた試験手順を図2に示すフローチ
ャートを参照して説明する。まず、被測定デバイス1を
試験する場合、図2に示すステップSB1では、図3
(b)に示す時刻t0において電源回路2および電源回
路6が同時にオンとされる。すなわち、従って、時刻t
0においては、低周波用コンデンサ5の電源ライン3側
の端子と電源回路6側の端子との電位差がゼロとなる。
従って、今の場合には、低周波用コンデンサ5に過渡電
流が流れ込まないため、見かけ上、低周波用コンデンサ
5の負荷容量をゼロとみなすことができる。以後、電源
回路2および電源回路6の出力電圧が共に上昇する。
Next, a test procedure using the semiconductor device test apparatus according to the embodiment will be described with reference to a flowchart shown in FIG. First, when testing the device under test 1, in step SB1 shown in FIG.
At time t0 shown in (b), power supply circuit 2 and power supply circuit 6 are simultaneously turned on. That is, at time t
At 0, the potential difference between the terminal on the power supply line 3 side of the low-frequency capacitor 5 and the terminal on the power supply circuit 6 side becomes zero.
Therefore, in this case, since the transient current does not flow into the low-frequency capacitor 5, the load capacitance of the low-frequency capacitor 5 can be apparently regarded as zero. Thereafter, the output voltages of power supply circuit 2 and power supply circuit 6 both increase.

【0011】そして、図3(b)に示す時刻t0からセ
ットリング時間Ts3経過した時刻t1においては、波形
H3に示すように入力端子1aの電圧は、定常状態とな
る。ここで、図3(b)に示す波形H3からわかるよう
に、入力端子1aの電圧に従来のようなリンギングが生
じていない。
At time t1 when settling time Ts3 has elapsed from time t0 shown in FIG. 3B, the voltage at input terminal 1a is in a steady state as shown by waveform H3. Here, as can be seen from the waveform H3 shown in FIG. 3B, the ringing does not occur in the voltage of the input terminal 1a as in the related art.

【0012】さらに、図3(b)に示すセットリング時
間Ts3は、図3(a)に示す、低周波用コンデンサ5が
接続されていないときの入力端子1aの電圧の波形H2
におけるセットリング時間Ts2とほぼ同値である。これ
は、上述したように低周波用コンデンサ5の負荷容量が
ゼロと見なされるからである。
Further, the settling time Ts3 shown in FIG. 3B corresponds to the waveform H2 of the voltage at the input terminal 1a when the low-frequency capacitor 5 is not connected, as shown in FIG.
Is almost the same value as the settling time Ts2. This is because the load capacitance of the low-frequency capacitor 5 is regarded as zero as described above.

【0013】ステップSB2では、電源回路2において
は、上記電源電流(負荷電流)の測定等の機能試験が行
われた後、ステップSA3では、電源回路2および電源
回路6がオフとされ試験が終了する。
In step SB2, the power supply circuit 2 performs a function test such as measurement of the power supply current (load current). In step SA3, the power supply circuit 2 and the power supply circuit 6 are turned off to end the test. I do.

【0014】以上説明したように、本発明の一実施形態
による半導体デバイス試験装置によれば、電源回路2お
よび電源回路6を同時にオンとして、低周波用コンデン
サ5の負荷容量を見かけ上ゼロとみなすことができるの
で、低周波用コンデンサの負荷容量にかかわらず、セッ
トリング時間を一定にすることができる。
As described above, according to the semiconductor device test apparatus of one embodiment of the present invention, the power supply circuit 2 and the power supply circuit 6 are simultaneously turned on, and the load capacitance of the low-frequency capacitor 5 is regarded as apparently zero. Therefore, the settling time can be constant regardless of the load capacitance of the low-frequency capacitor.

【0015】[0015]

【発明の効果】本発明によれば、低周波用コンデンサの
両端の電位差がゼロとされるので、低周波用コンデンサ
の負荷容量が見かけ上ゼロとされ、低周波用コンデンサ
には過渡電流が流れない。従って、本発明によれば、低
周波用コンデンサの負荷容量にかかわらず、電源ライン
の電圧が定常値になるまでに要するセットリング時間を
一定にすることができるという効果が得られる。
According to the present invention, since the potential difference between both ends of the low-frequency capacitor is made zero, the load capacitance of the low-frequency capacitor is apparently made zero, and a transient current flows through the low-frequency capacitor. Absent. Therefore, according to the present invention, an effect is obtained that the settling time required until the voltage of the power supply line becomes a steady value can be constant regardless of the load capacitance of the low-frequency capacitor.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の一実施形態による半導体デバイス試
験装置の構成を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor device test apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図2】 同一実施形態による半導体デバイス試験装置
を用いた試験手順を示すフローチャートである。
FIG. 2 is a flowchart illustrating a test procedure using the semiconductor device test apparatus according to the same embodiment.

【図3】 同一実施形態による半導体デバイス試験装置
の各部の電圧波形を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing voltage waveforms at various parts of the semiconductor device test apparatus according to the same embodiment.

【図4】 従来の半導体デバイス試験装置の構成を示す
回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional semiconductor device test apparatus.

【図5】 従来の半導体デバイス試験装置を用いた試験
手順を示すフローチャートである。
FIG. 5 is a flowchart showing a test procedure using a conventional semiconductor device test apparatus.

【図6】 従来の半導体デバイス試験装置の各部の電圧
波形を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing voltage waveforms at various parts of a conventional semiconductor device test apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 被測定デバイス 1a 入力端子 2 電源回路 3 電源ライン 4 高周波用コンデンサ 5 低周波用コンデンサ 6 電源回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Device under test 1a Input terminal 2 Power supply circuit 3 Power supply line 4 High frequency capacitor 5 Low frequency capacitor 6 Power supply circuit

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体デバイスへ電源ラインを介して第
1の直流電圧を印加する第1の電源と、 一端が前記電源ラインに接続され、前記電源ラインの電
圧変動を抑制する低周波用コンデンサと、 前記低周波用コンデンサの他端に接続され、該低周波用
コンデンサを介して前記電源ラインへ前記第1の直流電
圧と同一特性の第2の直流電圧を印加し、かつ前記第1
の電源と同時にオンとされる第2の電源と、 前記第1の電源の出力電流の測定を行う測定手段と、 を具備することを特徴とする半導体デバイス試験装置。
1. A first power supply for applying a first DC voltage to a semiconductor device via a power supply line, a low-frequency capacitor having one end connected to the power supply line and suppressing voltage fluctuation of the power supply line. A second DC voltage having the same characteristic as the first DC voltage is applied to the power supply line via the low frequency capacitor, and the second DC voltage is connected to the other end of the low frequency capacitor;
A second power supply that is turned on at the same time as the first power supply; and a measuring unit that measures an output current of the first power supply.
【請求項2】 半導体デバイスへ電源ラインを介して、
第1の直流電圧を印加すると同時に、前記電源ラインの
電圧変動を抑制する周波用コンデンサを介して、前記電
源ラインへ前記第1の直流電圧と同一特性の第2の直流
電圧を印加する第1の過程と、 前記電源ラインを流れる直流電流を測定する第2の過程
とからなることを特徴とする半導体デバイス試験方法。
2. A power supply line to a semiconductor device,
Simultaneously applying the first DC voltage, applying a second DC voltage having the same characteristics as the first DC voltage to the power supply line via a frequency capacitor for suppressing voltage fluctuations of the power supply line; And a second step of measuring a direct current flowing through the power supply line.
JP9321809A 1997-11-21 1997-11-21 Test device and method for semiconductor device Withdrawn JPH11153642A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009044486A (en) * 2007-08-09 2009-02-26 Nikon Corp Solid-state imaging apparatus, and electronic camera

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