JPH1115185A - Electrophotographic photoreceptor, process cartridge having the photoreceptor and image forming device - Google Patents
Electrophotographic photoreceptor, process cartridge having the photoreceptor and image forming deviceInfo
- Publication number
- JPH1115185A JPH1115185A JP11561298A JP11561298A JPH1115185A JP H1115185 A JPH1115185 A JP H1115185A JP 11561298 A JP11561298 A JP 11561298A JP 11561298 A JP11561298 A JP 11561298A JP H1115185 A JPH1115185 A JP H1115185A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- organosilicon
- hole transporting
- modified
- transporting compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、特定の表面層を有
する電子写真感光体、及び該電子写真感光体を有するプ
ロセスカートリッジ及び画像形成装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrophotographic photosensitive member having a specific surface layer, a process cartridge having the electrophotographic photosensitive member, and an image forming apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】電子写真感光体の表面には、帯電手段、
現像手段、転写手段及びクリーニング手段等により電気
的あるいは機械的な外力が直接に加えられるために、そ
れらに対する耐久性が要求される。2. Description of the Related Art A charging means,
Since an electrical or mechanical external force is directly applied by the developing unit, the transferring unit, the cleaning unit, and the like, durability against them is required.
【0003】具体的には、摺擦による感光体表面の摩耗
や傷の発生、及び高湿下におけるコロナ放電時に発生し
易いオゾンによる感光体表面の劣化等に対する耐久性が
要求される。また、現像とクリーニングの繰り返し等に
起因した、感光体表面へのトナーの付着という問題もあ
り、これに対しては感光体表面のクリーニング性の向上
が求められている。More specifically, the photoreceptor is required to have durability against abrasion and scratches on the surface of the photoreceptor due to rubbing and deterioration of the surface of the photoreceptor due to ozone which is likely to be generated during corona discharge under high humidity. In addition, there is a problem that toner adheres to the surface of the photoconductor due to repetition of development and cleaning. For this purpose, improvement in the cleaning property of the surface of the photoconductor is required.
【0004】上記のような感光体表面に要求される様々
な特性を満たすために、感光層上に樹脂を主成分とする
種々の表面保護層を設ける試みがなされている。例え
ば、特開昭57−30843号公報には、導電性粒子と
して金属酸化物粒子を添加することによって抵抗を制御
した保護層が提案されている。Attempts have been made to provide various surface protective layers containing a resin as a main component on the photosensitive layer in order to satisfy the various characteristics required on the surface of the photosensitive member as described above. For example, JP-A-57-30843 proposes a protective layer in which resistance is controlled by adding metal oxide particles as conductive particles.
【0005】また、表面層中に種々の物質を添加するこ
とで感光体表面の物性を改善することも検討されてい
る。例えば、シリコーンの低表面エネルギーに注目した
添加物としては、シリコーンオイル(特開昭61−13
2954号公報)、ポリジメチルシロキサン、シリコー
ン樹脂粉体(特開平4−324454号公報)、架橋シ
リコーン樹脂、ポリ(カーボネートシリコーン)ブロッ
ク共重合体、シリコーン変成ポリウレタン及びシリコー
ン変成ポリエステルが報告されている。It has also been studied to improve the physical properties of the photoreceptor surface by adding various substances to the surface layer. For example, as an additive focused on low surface energy of silicone, silicone oil (JP-A-61-13)
2954), polydimethylsiloxane, silicone resin powder (JP-A-4-324454), cross-linked silicone resin, poly (carbonate silicone) block copolymer, silicone-modified polyurethane and silicone-modified polyester.
【0006】低表面エネルギーの代表的なポリマーとて
はフッ素系高分子があり、該フッ素系高分子としては、
ポリテトラフルオロエチレン粉体及びフッ化カーボン粉
末等が挙げられる。A typical polymer having a low surface energy is a fluorinated polymer.
Examples include polytetrafluoroethylene powder and carbon fluoride powder.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属酸
化物等を含む表面保護層は高い硬度を有するものが得ら
れるが、表面エネルギーは大きくなり易いためにクリー
ニング性等に問題がある。シリコーン系樹脂は表面エネ
ルギーが小さい点で優れているが他の樹脂に対して十分
な相溶性を示さないため、添加系では凝集し易く光散乱
を生じたり、ブリードして表面に偏析するために安定し
た特性を示さない等の問題があった。また、低表面エネ
ルギーのポリマーであるフッ素系高分子は一般に溶媒に
不溶であり、分散性も不良であることから、平滑な感光
体表面を得ることが困難であり、屈折率も小さいことか
ら光散乱が生じ易く、それによる透明性の劣化を生じる
問題点があった。また、フッ素系高分子は一般的に柔ら
かいために傷がつき易い問題点があった。However, although a surface protective layer containing a metal oxide or the like can have high hardness, it has a problem in cleaning properties and the like because the surface energy is easily increased. Silicone resins are excellent in that they have low surface energy, but do not show sufficient compatibility with other resins, so they tend to agglomerate in the additive system, causing light scattering or bleeding and segregating on the surface. There were problems such as not exhibiting stable characteristics. In addition, fluoropolymers, which are low surface energy polymers, are generally insoluble in solvents and poor in dispersibility, so it is difficult to obtain a smooth photoreceptor surface, and the refractive index is small. There is a problem that scattering is liable to occur, which causes deterioration of transparency. Further, there is a problem that the fluorine-based polymer is generally soft and easily damaged.
【0008】本発明の目的は、上記の問題点を解決する
ことのできる、即ち、光散乱やブリードがなく、均一な
状態の表面層であって低表面エネルギーと機械的、電気
的耐久性を両立する電子写真感光体、及び該電子写真感
光体を有するプロセスカートリッジ及び画像形成装置を
提供することにある。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, that is, to provide a uniform surface layer without light scattering or bleed, and to achieve low surface energy and mechanical and electrical durability. An object of the present invention is to provide a compatible electrophotographic photosensitive member, and a process cartridge and an image forming apparatus having the electrophotographic photosensitive member.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、支持体
及び該支持体上の感光層を有する電子写真感光体におい
て、該電子写真感光体の表面層が下記式(1)That is, the present invention provides an electrophotographic photosensitive member having a support and a photosensitive layer on the support, wherein the surface layer of the electrophotographic photosensitive member has the following formula (1):
【0010】[0010]
【化7】 (Aは正孔輸送性基を示し、Qは加水分解性基または水
酸基を示し、R2 は置換もしくは無置換の一価炭化水素
基を示し、R3 は置換もしくは無置換のアルキレン基ま
たはアリーレン基を示し、mは1〜3の整数を示し、l
は正の整数を示し、m×lは3以上である。)で示され
る有機ケイ素変成正孔輸送性化合物をモノマー成分とし
て重縮合することによって得られる樹脂を含有すること
を特徴とする電子写真感光体である。Embedded image (A represents a hole transporting group, Q represents a hydrolyzable group or a hydroxyl group, R 2 represents a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, and R 3 represents a substituted or unsubstituted alkylene group or arylene. M represents an integer of 1 to 3;
Represents a positive integer, and m × l is 3 or more. An electrophotographic photoreceptor comprising a resin obtained by polycondensing the organosilicon-modified hole-transporting compound represented by the formula (1) as a monomer component.
【0011】また、本発明は、上記電子写真感光体を有
するプロセスカートリッジ及び画像形成装置である。Further, the present invention is a process cartridge and an image forming apparatus having the above electrophotographic photosensitive member.
【0012】本発明においては、樹脂が、上記式(1)
で示される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物のみをモノ
マー成分として重縮合することによって得られることが
好ましい。なぜならば、樹脂の全てのモノマーが正孔輸
送性基を有するので、残留電位が非常に小さい電子写真
感光体を得ることができるからである。In the present invention, the resin is represented by the above formula (1)
Is preferably obtained by polycondensing only the organosilicon-modified hole-transporting compound represented by the following formula as a monomer component. This is because all monomers of the resin have a hole transporting group, so that an electrophotographic photosensitive member having a very low residual potential can be obtained.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】上記式(1)において、Qは加水
分解性基または水酸基を示し、加水分解性基としては、
メトキシ基、エトキシ基、メチルエチルケトオキシム
基、ジエチルアミノ基、アセトキシ基、プロペノキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基及びメトキシエチル基等
が挙げられ、より好ましくは−OR1 で示される。R1
は加水分解性基であるアルコキシ基あるいはアルコキシ
アルコキシ基を形成する基であり、炭素数が1〜6であ
ることが好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基及びメトキシ
エチル基等が挙げられる。Qとしては、式−OR1 であ
るアルコキシ基が好ましい。一般にケイ素原子に結合し
ている加水分解性基の数mが1または2のときは有機ケ
イ素化合物自体での縮合は起こりにくく高分子化反応は
抑制されるが、mが3のときは縮合反応が生じ易く高度
に架橋反応を行うことが可能であることから、得られる
硬化物の硬度等の改善が期待できる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the above formula (1), Q represents a hydrolyzable group or a hydroxyl group.
Methoxy group, an ethoxy group, a methyl ethyl ketoxime group, a diethylamino group, an acetoxy group, a propenoxy group, a propoxy group, a butoxy group and a methoxyethyl group, more preferably represented by -OR 1. R 1
Is a group that forms an alkoxy group or an alkoxyalkoxy group that is a hydrolyzable group, and preferably has 1 to 6 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, and a hexyl group. And a methoxyethyl group. As Q, an alkoxy group represented by the formula —OR 1 is preferable. In general, when the number m of the hydrolyzable groups bonded to the silicon atom is 1 or 2, condensation by the organosilicon compound itself hardly occurs and the polymerization reaction is suppressed, but when m is 3, the condensation reaction is performed. Since the crosslinking reaction can easily occur and the crosslinking reaction can be performed to a high degree, improvement in the hardness and the like of the obtained cured product can be expected.
【0014】従って、本発明においてはmが3であるこ
とが好ましい。Therefore, in the present invention, m is preferably 3.
【0015】R2 はケイ素原子に直接結合した一価炭化
水素基であり、炭素数が1〜15であることが好まし
く、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基
及びペンチル基等が挙げられる。この他に、ビニル基及
びアリル基等のアルケニル基、フェニル基及びトリル基
等のアリール基が挙げられる。また、R2 が有してもよ
い置換基としてはフッ素等のハロゲン原子が挙げられ、
ハロゲン置換一価炭化水素基としては、例えばトリフル
オロプロピル基、ヘプタフルオロペンチル基及びノナフ
ルオロヘキシル基等で代表されるフロロ炭化水素基等が
挙げられる。R 2 is a monovalent hydrocarbon group directly bonded to a silicon atom and preferably has 1 to 15 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group and a pentyl group. Can be Other examples include alkenyl groups such as vinyl group and allyl group, and aryl groups such as phenyl group and tolyl group. Examples of the substituent that R 2 may have include a halogen atom such as fluorine.
Examples of the halogen-substituted monovalent hydrocarbon group include a fluorohydrocarbon group represented by a trifluoropropyl group, a heptafluoropentyl group, a nonafluorohexyl group, and the like.
【0016】R3 はアルキレン基またはアリーレン基を
示し、炭素数が1〜18であることが好ましく、例え
ば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、シクロヘ
キシリデン基、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチ
レン基、更にはこれらが結合した基等が挙げられる。ま
た、R3 が有してもよい置換基としてはメチル基及びエ
チル基等のアルキル基、フェニル基等のアリール基、フ
ッ素原子及び塩素原子等のハロゲン原子が挙げられる。R 3 represents an alkylene group or an arylene group and preferably has 1 to 18 carbon atoms, for example, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a cyclohexylidene group, a phenylene group, a biphenylene group, a naphthylene group And a group to which these are bonded. Examples of the substituent which R 3 may have include an alkyl group such as a methyl group and an ethyl group, an aryl group such as a phenyl group, and a halogen atom such as a fluorine atom and a chlorine atom.
【0017】これらの中ではR3 が式−(CH2 )n −
(nは正の整数)で示されることが好ましい。nは1〜
18であることが更に好ましいが、必ずしも直鎖状であ
る必要はない。nが19以上では正孔輸送性基Aが運動
し易いため硬度が低下し、ケイ素原子に直接正孔輸送性
基が結合していると立体障害等で安定性及び物性に悪影
響を与え易い。nはより好ましくは2〜8である。In these, R 3 is represented by the formula — (CH 2 ) n −
(N is a positive integer). n is 1 to
More preferably, it is not necessary to be 18. When n is 19 or more, the hole transporting group A easily moves, so that the hardness is lowered. When the hole transporting group is directly bonded to the silicon atom, stability and physical properties are easily adversely affected due to steric hindrance or the like. n is more preferably 2 to 8.
【0018】また、mは1〜3の整数を示し、lは正の
整数を示すが、m×lは3以上である。更に、lは1〜
5であることが好ましい。lが6以上では重縮合反応に
おいて未反応基が残り易いため電子写真特性等が低下し
易い。Further, m represents an integer of 1 to 3, 1 represents a positive integer, and m × l is 3 or more. Further, l is 1 to
It is preferably 5. When 1 is 6 or more, unreacted groups tend to remain in the polycondensation reaction, so that electrophotographic properties and the like are apt to be reduced.
【0019】また、本発明における正孔輸送性とは正孔
を輸送する能力のことであり、イオン化ポテンシャルで
6.2eV以下であることが好ましい。つまり、前記式
(1)で示される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物及び
Aの水素付加物は、イオン化ポテンシャルが6.2eV
以下であることが好ましく、特には4.5〜6.2eV
であることが好ましい。イオン化ポテンシャルが6.2
eVを超えると正孔注入が起こりにくく帯電し易くな
る。また、4.5eV未満では化合物が容易に酸化され
るために劣化し易くなる。イオン化ポテンシャルは大気
下、光電子分析器(理研計器製、表面分析装置AC−
1)によって測定される。The hole transporting property in the present invention refers to the ability to transport holes, and preferably has an ionization potential of 6.2 eV or less. That is, the hydrogenated product of the modified organosilicon hole transporting compound represented by the above formula (1) and A has an ionization potential of 6.2 eV.
Or less, particularly 4.5 to 6.2 eV.
It is preferred that The ionization potential is 6.2
If it exceeds eV, hole injection is unlikely to occur and charging becomes easy. If it is less than 4.5 eV, the compound is easily oxidized and thus easily deteriorates. The ionization potential is measured by a photoelectron analyzer (manufactured by Riken Keiki Co., surface analyzer AC-
It is measured by 1).
【0020】また、上記有機ケイ素変成正孔輸送性化合
物は正孔輸送能として1×10-7cm2 /Vsec以上
のドリフト移動度を有しているものが好ましい。1×1
0-7cm2 /Vsec未満では電子写真感光体として露
光後、現像までに正孔が十分に移動できないために見か
け上感度が低減し、残留電位も高くなってしまう問題が
発生する場合がある。It is preferable that the modified organosilicon hole transporting compound has a hole mobility of 1 × 10 −7 cm 2 / Vsec or more. 1x1
If it is less than 0 -7 cm 2 / Vsec, holes may not move sufficiently before development after exposure as an electrophotographic photoreceptor, which may cause a problem that apparently sensitivity is reduced and residual potential is increased. .
【0021】上記式(1)の正孔輸送性基Aとしては、
正孔輸送性を示すものであればいずれのものでもよく、
その水素付加化合物(正孔輸送性化合物)として示せ
ば、例えばオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導
体、イミダゾール誘導体及びトリフェニルアミン等のト
リアリールアミン誘導体、9−(p−ジエチルアミノス
チリル)アントラセン、1,1−ビス−(4−ジベンジ
ルアミノフェニル)プロパン、スチリルアントラセン、
スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェ
ニルスチルベン誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾー
ル誘導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベン
ゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェ
ン誘導体、及びN−フェニルカルバゾール誘導体等が挙
げられる。As the hole transporting group A in the above formula (1),
Any material may be used as long as it exhibits hole transportability.
As the hydrogenation compound (hole transporting compound), for example, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, triarylamine derivatives such as triphenylamine, 9- (p-diethylaminostyryl) anthracene, 1,1 -Bis- (4-dibenzylaminophenyl) propane, styrylanthracene,
Examples include styrylpyrazolin, phenylhydrazones, α-phenylstilbene derivatives, thiazole derivatives, triazole derivatives, phenazine derivatives, acridine derivatives, benzofuran derivatives, benzimidazole derivatives, thiophene derivatives, and N-phenylcarbazole derivatives.
【0022】正孔輸送性基Aとしては、構造が下記式
(2)で示されるものが好ましい。As the hole transporting group A, those having a structure represented by the following formula (2) are preferable.
【0023】[0023]
【化8】 (R4 、R5 及びR6 は有機基であり、そのうちの少な
くとも1つは芳香族炭化水素環基または複素環基を示
し、R4 、R5 及びR6 は同一であっても異なっていて
もよい。) このように正孔輸送性基AはR4 、R5 及びR6 のうち
の1つの基の水素原子が除かれて形成された基である。Embedded image (R 4 , R 5 and R 6 are organic groups, at least one of which represents an aromatic hydrocarbon ring group or a heterocyclic group, and R 4 , R 5 and R 6 are the same or different. Thus, the hole transporting group A is a group formed by removing the hydrogen atom of one of R 4 , R 5 and R 6 .
【0024】R4 、R5 及びR6 の構造の好ましい具体
例を以下に示す。Preferred specific examples of the structure of R 4 , R 5 and R 6 are shown below.
【0025】[0025]
【化9】 Embedded image
【0026】[0026]
【化10】 Embedded image
【0027】[0027]
【化11】 Embedded image
【0028】上記式(1)の有機ケイ素変成正孔輸送性
化合物の合成方法としては、公知の方法、例えば、芳香
族環にビニル基を有する化合物と置換基を有する水素化
ケイ素化合物とから白金系触媒、あるいは有機過酸化物
等を触媒にヒドロシリル化反応を行うものが好適に用い
られる。この場合に使用される白金触媒については特に
限定するものではなく、通常のヒドロシリル化反応、付
加型シリコーンゴムに用いられている白金触媒であれば
よく、塩化白金、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体及
び白金−フォスフィン錯体等が挙げられる。白金触媒の
添加量に関しては特に制限するものではないが、残留触
媒が特性に悪影響を与えないようにできる限り少量で用
いることが望ましい。芳香族環にビニル基を有する化合
物と置換基を有する水素化ケイ素化合物とから白金系触
媒等により、付加反応により本発明の化合物を合成する
場合にはビニル基のα位と反応する場合とβ位と反応す
る場合があり、一般には混合物が生じる。本発明におい
てはα位、β位のどちらに反応したものも用いられる
が、ケイ素原子と正孔輸送性基を結合している炭化水素
基の炭素数が少ない場合には立体障害からはβ位に反応
したものが好ましい。As a method for synthesizing the organosilicon-modified hole-transporting compound of the above formula (1), there are known methods, for example, a method in which a compound having a vinyl group on an aromatic ring and a silicon hydride compound having a substituent are converted into platinum. A catalyst which performs a hydrosilylation reaction using a system catalyst or an organic peroxide as a catalyst is suitably used. The platinum catalyst used in this case is not particularly limited, and may be any platinum catalyst used in ordinary hydrosilylation reactions and addition-type silicone rubbers, such as platinum chloride, chloroplatinic acid, and a platinum-olefin complex. And a platinum-phosphine complex. The amount of the platinum catalyst to be added is not particularly limited, but it is preferable to use the platinum catalyst in the smallest possible amount so that the residual catalyst does not adversely affect the properties. When the compound of the present invention is synthesized by an addition reaction from a compound having a vinyl group on an aromatic ring and a silicon hydride compound having a substituent with a platinum-based catalyst or the like, when the compound reacts with the α-position of the vinyl group, And may form a mixture. In the present invention, those reacted at either the α-position or the β-position may be used. However, when the number of carbon atoms in the hydrocarbon group bonding the silicon atom and the hole-transporting group is small, the β-position may be sterically hindered. Are preferred.
【0029】有機過酸化物としては室温以上に半減期を
示すものであればよく、特に、ラウリルパーオキシド等
のアルキル過酸化物が水素引き抜きを起こしにくいこと
から好適に用いることができる。ビニル基を有しないも
のについては、芳香族環をホルミル化し、還元、脱水す
るか直接Wittig反応によりビニル基を導入する方
法等により、本発明の合成原料として用いることが可能
である。As the organic peroxide, any organic peroxide having a half-life at room temperature or higher can be used. In particular, an alkyl peroxide such as lauryl peroxide can be suitably used because hydrogen extraction hardly occurs. Those having no vinyl group can be used as a raw material for synthesis of the present invention by, for example, a method of formylating an aromatic ring, reducing and dehydrating or directly introducing a vinyl group by Wittig reaction.
【0030】上記有機ケイ素変成正孔輸送性化合物の加
水分解及び重縮合には、必ずしも触媒が必要ではない
が、通常ケイ素樹脂の加水分解及び重縮合に用いられる
触媒の使用を妨げるものではなく、加水分解及び重縮合
に要する時間、硬化温度等を考慮してジブチル錫ジアセ
テート、ジブチル錫ジラウレート及びジブチル錫オクト
エート等のアルキル錫有機酸塩等もしくはノルマルブチ
ルチタネート等の有機チタン酸エステルから適宜選択さ
れる。A catalyst is not always required for the hydrolysis and polycondensation of the modified organosilicon hole transporting compound, but it does not hinder the use of a catalyst usually used for hydrolysis and polycondensation of a silicon resin. In consideration of the time required for hydrolysis and polycondensation, the curing temperature, etc., it is appropriately selected from alkyltin organic acid salts such as dibutyltin diacetate, dibutyltin dilaurate and dibutyltin octoate or organic titanates such as normal butyl titanate. You.
【0031】本発明においては、有機ケイ素変成正孔輸
送性化合物の重縮合時に3次元架橋構造が形成されるこ
とにより、各元素間の運動や外部からの化合物の侵入が
困難になることから、硬度や機械的強度が増大し、耐摩
耗性が向上するのみでなく、帯電時に発生するアーク放
電等の電気的な障害や化学物質等に対する耐久性も向上
させることが可能となる。In the present invention, a three-dimensional crosslinked structure is formed at the time of polycondensation of the modified organosilicon hole transporting compound, which makes it difficult to move between the elements and to invade the compound from the outside. The hardness and the mechanical strength are increased, and not only the wear resistance is improved, but also the durability against electric obstacles such as arc discharge generated at the time of charging and chemical substances is improved.
【0032】本発明においては、モノマー溶液により塗
布膜を形成した後に硬化しても、前もって正孔輸送性化
合物を部分的に重縮合してから塗布膜を形成し、硬化さ
せてもよい。前もって正孔輸送性化合物を部分的に重縮
合する場合には感光体への塗布に支障のない溶液もしく
は分散液であれば用いることができる。In the present invention, the coating may be formed and then cured, or the coating may be formed and cured after partially polycondensing the hole transporting compound in advance. When the hole transporting compound is partially polycondensed in advance, any solution or dispersion that does not hinder application to the photoreceptor can be used.
【0033】硬化の条件としては100〜200℃で加
熱することが好ましい。100℃未満では硬化反応に時
間がかかるため、未反応の加水分解性基が残存する可能
性もある。200℃を超えると正孔輸送性基が酸化劣化
し易くなり、悪影響が発生し易い。より望ましくは、1
20〜160℃で加熱硬化して用いられる。As a curing condition, it is preferable to heat at 100 to 200 ° C. If the temperature is lower than 100 ° C., the curing reaction takes a long time, so that an unreacted hydrolyzable group may remain. When the temperature exceeds 200 ° C., the hole transporting group is liable to be oxidized and deteriorated, and adverse effects are apt to occur. More preferably, 1
It is used after being cured by heating at 20 to 160 ° C.
【0034】本発明の正孔輸送能を有する硬化性化合物
を用いて電子写真感光体を製造する例を下記に示す。An example of producing an electrophotographic photosensitive member using the curable compound having a hole transporting ability of the present invention will be described below.
【0035】電子写真感光体の支持体(図1及び2中の
1)としては支持体自体が導電性を有するもの、例え
ば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステ
ンレス、クロム、チタン、ニッケル、マグネシウム、イ
ンジウム、金、白金、銀及び鉄等を用いることができ
る。その他にアルミニウム、酸化インジウム、酸化スズ
及び金等を蒸着等によりプラスチック等の誘導体支持体
に被膜形成したものや、導電性微粒子をプラスチックや
紙に混合したもの等を用いることができる。これらの導
電性支持体は均一な導電性が求められるとともに平滑な
表面であることが重要である。表面の平滑性はその上層
に形成される下引層、電荷発生層及び正孔輸送層の均一
性に大きな影響を与えることから、その表面粗さは0.
3μm以下で用いられることが好ましい。0.3μmを
超える凹凸は下引層や電荷発生層のような薄い層に印加
される局所電場を大きく変化させてしまうためにその特
性が大きく変化してしまい電荷注入や残留電位のむら等
の欠陥を生じ易いことから好ましくない。As the support (1 in FIGS. 1 and 2) of the electrophotographic photosensitive member, the support itself has conductivity, for example, aluminum, aluminum alloy, copper, zinc, stainless steel, chromium, titanium, nickel, Magnesium, indium, gold, platinum, silver, iron and the like can be used. In addition, a material in which aluminum, indium oxide, tin oxide, gold, or the like is formed on a derivative support such as a plastic by vapor deposition or the like, a material in which conductive fine particles are mixed with plastic or paper, or the like can be used. It is important that these conductive supports have uniform conductivity and have a smooth surface. Since the surface smoothness greatly affects the uniformity of the undercoat layer, the charge generation layer and the hole transport layer formed thereon, the surface roughness is set to 0.1.
It is preferably used at 3 μm or less. Irregularities exceeding 0.3 μm greatly change the local electric field applied to a thin layer such as an undercoat layer or a charge generation layer, so that its characteristics are greatly changed, and defects such as charge injection and uneven residual potential are caused. This is not preferable because it is liable to occur.
【0036】特に導電性微粒子をポリマーバインダー中
に分散して塗布することにより得られる導電層(図1及
び2中の2)は形成が容易であり、均質な表面を形成す
ることに適している。このとき用いられる導電性微粒子
の1次粒径は100nm以下であり、より好ましくは5
0nm以下のものが用いられる。導電性微粒子として
は、導電性酸化亜鉛、導電性酸化チタン、Al、Au、
Cu、Ag、Co、Ni、Fe、カーボンブラック、I
TO、酸化スズ、酸化インジウム及びインジウム等が用
いられ、これらを絶縁性微粒子の表面にコーティングし
て用いてもよい。前記導電性微粒子の含有量は体積抵抗
が十分に低くなるように使用され、好ましくは1×10
10Ωcm以下の抵抗となるように添加される。より好ま
しくは1×108 Ωcm以下で用いられる。In particular, the conductive layer (2 in FIGS. 1 and 2) obtained by dispersing and applying conductive fine particles in a polymer binder is easy to form and is suitable for forming a uniform surface. . The primary particle size of the conductive fine particles used at this time is 100 nm or less, and more preferably 5 nm or less.
Those having a thickness of 0 nm or less are used. As the conductive fine particles, conductive zinc oxide, conductive titanium oxide, Al, Au,
Cu, Ag, Co, Ni, Fe, carbon black, I
TO, tin oxide, indium oxide, indium and the like are used, and these may be used by coating the surface of the insulating fine particles. The content of the conductive fine particles is used so that the volume resistance is sufficiently low.
It is added so as to have a resistance of 10 Ωcm or less. More preferably, it is used at 1 × 10 8 Ωcm or less.
【0037】レーザー等のコヒーレントな光源を用いて
露光する場合は、干渉による画像劣化を防止するため
に、上記導電性支持体の表面に凹凸を形成することも可
能である。このときは電荷注入や残留電位のむら等の欠
陥が生じにくいように使用する波長の1/2λ程度の凹
凸を数μm以下の直径のシリカビーズ等の絶縁物を分散
することにより、10μm以下の周期で形成して用いる
ことが可能である。When exposure is performed using a coherent light source such as a laser, it is also possible to form irregularities on the surface of the conductive support in order to prevent image deterioration due to interference. In this case, irregularities such as about 1 / 2λ of the wavelength used are dispersed with an insulator such as silica beads having a diameter of several μm or less so that defects such as charge injection and unevenness of the residual potential do not easily occur. It can be formed and used.
【0038】本発明においては、支持体と感光層の中間
に、注入阻止機能と接着機能を持つ下引層(図1及び2
中の3)を設けることもできる。下引層の材料としては
カゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、
エチレン−アクリル酸コポリマー、ポリビニルブチラー
ル、フェノール樹脂、ポリアミド、ポリウレタン及びゼ
ラチン等が挙げられる。下引層の膜厚は0.1〜10μ
mであることが好ましく、特には0.3〜3μmである
ことが好ましい。In the present invention, an undercoat layer having an injection inhibiting function and an adhesive function is provided between the support and the photosensitive layer (FIGS. 1 and 2).
3) can be provided. Casein, polyvinyl alcohol, nitrocellulose,
Examples include ethylene-acrylic acid copolymer, polyvinyl butyral, phenolic resin, polyamide, polyurethane and gelatin. The thickness of the undercoat layer is 0.1 to 10 μm
m, more preferably 0.3 to 3 μm.
【0039】感光層としては電荷発生物質を含有する電
荷発生層(図1及び2中の4)と正孔輸送性化合物を含
有する電荷輸送層(図1及び2中の5)からなる機能分
離タイプのものや電荷発生物質と正孔輸送性化合物を同
一の層に含有する単層タイプ(不図示)が用いられる。The photosensitive layer comprises a charge generating layer containing a charge generating substance (4 in FIGS. 1 and 2) and a charge transporting layer containing a hole transporting compound (5 in FIGS. 1 and 2). A single-layer type (not shown) containing a charge-generating substance and a hole-transporting compound in the same layer is used.
【0040】電荷発生物質としては、例えば、セレン−
テルル、ピリリウム系染料、チオピリリウム系染料、フ
タロシアニン系顔料、アントアントロン系顔料、ジベン
ズピレンキノン系顔料、ピラントロン系顔料、トリスア
ゾ系顔料、ジスアゾ系顔料、アゾ系顔料、インジゴ系顔
料、キナクリドン系顔料及びシアニン系顔料等を用いる
ことができる。As the charge generating material, for example, selenium
Tellurium, pyrylium dye, thiopyrylium dye, phthalocyanine pigment, anthantrone pigment, dibenzopyrenequinone pigment, pyranthrone pigment, trisazo pigment, disazo pigment, azo pigment, indigo pigment, quinacridone pigment and Cyanine pigments and the like can be used.
【0041】本発明の正孔輸送性化合物を重縮合した樹
脂は電荷輸送層(図1中の5)もしくは正孔輸送能を有
する表面保護層(図2中の6)として用いることが可能
である。The resin obtained by polycondensing the hole transporting compound of the present invention can be used as a charge transporting layer (5 in FIG. 1) or a surface protective layer having a hole transporting ability (6 in FIG. 2). is there.
【0042】単層感光体として用いる場合は前記電荷発
生物質と本発明の正孔輸送性化合物と組み合わせて用い
ることにより良好な特性が得られる。When used as a single-layer photoreceptor, good characteristics can be obtained by using the charge generating substance in combination with the hole transporting compound of the present invention.
【0043】本発明の正孔輸送性化合物は他の正孔輸送
性化合物と組み合わせて用いることが可能であるが、か
かる正孔輸送性化合物としては、ポリ−N−ビニルカル
バゾール及びポリスチリルアントラセン等の複素環や縮
合多環芳香族を有する高分子化合物や、ピラゾリン、イ
ミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、トリア
ゾール及びカルバゾール等の複素環化合物、トリフェニ
ルメタン等のトリアリールアルカン誘導体、トリフェニ
ルアミン等のトリアリールアミン誘導体、フェニレンジ
アミン誘導体、N−フェニルカルバゾール誘導体、スチ
ルベン誘導体、及びヒドラゾン誘導体等の低分子化合物
を用いることができる。The hole transporting compound of the present invention can be used in combination with other hole transporting compounds. Examples of such hole transporting compounds include poly-N-vinylcarbazole and polystyrylanthracene. Polymer compounds having a heterocyclic or condensed polycyclic aromatic compound, such as pyrazoline, imidazole, oxazole, oxadiazole, heterocyclic compounds such as triazole and carbazole, triarylalkane derivatives such as triphenylmethane, and triphenylamine. Low molecular compounds such as a triarylamine derivative, a phenylenediamine derivative, an N-phenylcarbazole derivative, a stilbene derivative, and a hydrazone derivative can be used.
【0044】上記電荷発生物質や正孔輸送性化合物は必
要に応じてバインダーポリマーが用いられる。バインダ
ーポリマーの例としては、スチレン、酢酸ビニル、塩化
ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、
フッ化ビニリデン及びトリフルオロエチレン等のビニル
化合物の重合体及び共重合体、ポリビニルアルコール、
ポリビニルアセタール、ポリカーボネート、ポリエステ
ル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリウ
レタン、セルロース樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹
脂、ケイ素樹脂及びエポキシ樹脂等が挙げられる。As the charge generating substance and the hole transporting compound, a binder polymer is used if necessary. Examples of binder polymers include styrene, vinyl acetate, vinyl chloride, acrylates, methacrylates,
Polymers and copolymers of vinyl compounds such as vinylidene fluoride and trifluoroethylene, polyvinyl alcohol,
Examples include polyvinyl acetal, polycarbonate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polyurethane, cellulose resin, phenol resin, melamine resin, silicon resin, and epoxy resin.
【0045】感光層及び保護層には前記化合物以外にも
機械的特性の改良や耐久性向上のために添加剤を用いる
ことができる。このような添加剤としては、酸化防止
剤、紫外線吸収剤、安定化剤、架橋剤、潤滑剤及び導電
性制御剤等が用いられる。In addition to the above compounds, additives can be used in the photosensitive layer and the protective layer in order to improve mechanical properties and durability. As such additives, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a stabilizer, a crosslinking agent, a lubricant, a conductivity control agent, and the like are used.
【0046】本発明における電荷発生層の膜厚は3μm
以下であることが好ましく、特には0.01〜1μmで
あることが好ましい。また、電荷輸送層の膜厚は1〜4
0μmであることが好ましく、特には3〜30μmであ
ることが好ましい。The thickness of the charge generation layer in the present invention is 3 μm
It is preferable that it is below, and it is especially preferable that it is 0.01-1 micrometer. The charge transport layer has a thickness of 1 to 4.
It is preferably 0 μm, and particularly preferably 3 to 30 μm.
【0047】感光層が単層タイプである場合は、その膜
厚は1〜40μmであることが好ましく、特には3〜3
0μmであることが好ましい。When the photosensitive layer is of a single-layer type, its thickness is preferably from 1 to 40 μm, particularly preferably from 3 to 3 μm.
It is preferably 0 μm.
【0048】本発明における表面保護層の厚みは、1〜
15μmであることが好ましい。1μm未満では保護効
果が十分ではなく、15μmを超えると感光層全体の膜
厚が増加することにより、画像劣化が生じ易くなってし
まうことから好ましくない。The thickness of the surface protective layer in the present invention is from 1 to
It is preferably 15 μm. If it is less than 1 μm, the protective effect is not sufficient, and if it exceeds 15 μm, the film thickness of the entire photosensitive layer increases, which is not preferable since image deterioration is likely to occur.
【0049】本発明においては、更に、露光手段が照射
する光ビームのスポット面積と電子写真感光体が有する
感光層の膜厚の積が2×104 μm3 以下であることが
好ましい。また、この積は現像コントラストの大きさ
(現像時の感光体上の電位差)の点で2×103 μm3
以上であることが好ましい。2×103 μm3 に満たな
いと十分な現像コントラストは得にくくなる傾向にな
る。In the present invention, the product of the spot area of the light beam irradiated by the exposure means and the thickness of the photosensitive layer of the electrophotographic photosensitive member is preferably 2 × 10 4 μm 3 or less. This product is 2 × 10 3 μm 3 in terms of the magnitude of the development contrast (the potential difference on the photoconductor during development).
It is preferable that it is above. If it is less than 2 × 10 3 μm 3 , it tends to be difficult to obtain a sufficient development contrast.
【0050】この場合、本発明に用いられる露光方法
は、光をドット状に照射することによって感光体上に静
電潜像を形成する物である。その光源は特に制限される
ものではないが、より小さなスポット面積をより容易に
得ることができるという点でレーザー光及びLED光で
あることが好ましい。In this case, the exposure method used in the present invention forms an electrostatic latent image on a photoreceptor by irradiating light in the form of dots. The light source is not particularly limited, but is preferably laser light and LED light in that a smaller spot area can be more easily obtained.
【0051】図3に光の強度分布、スポット径及びスポ
ット面積(S)と感光層の厚さの積の関係を示す。光ス
ポットは一般的には図1に示すように主走査スポット径
(ab)と副走査スポット径(cd)を有する楕円形の
形状を有しており、本発明におけるスポット面積と感光
層の厚さの積は、該光スポットが感光層へ照射されてい
る部分の体積(V)であるといえる。FIG. 3 shows the relationship between the light intensity distribution, the spot diameter and the product of the spot area (S) and the thickness of the photosensitive layer. The light spot generally has an elliptical shape having a main scanning spot diameter (ab) and a sub-scanning spot diameter (cd) as shown in FIG. The product of the heights can be said to be the volume (V) of the portion where the light spot is irradiated on the photosensitive layer.
【0052】該光のスポット面積(S)は感光層上の面
積であり、光の強度がピーク強度(A)の1/e
2 (B)以上である部分の面積で表される。用いられる
光源としては半導体レーザーやLED等が挙げられ、光
強度分布についてもガウス分布やローレンツ分布等があ
るが、いずれの場合もピーク強度(A)の1/e
2 (B)以上の強度の部分をスポット面積(S)とす
る。なお、スポット面積(S)は、感光体の位置にCC
Dカメラを設置することにより測定することができる。The light spot area (S) is the area on the photosensitive layer, and the light intensity is 1 / e of the peak intensity (A).
2 (B) It is represented by the area of the portion that is equal to or greater than (B). Examples of the light source used include a semiconductor laser and an LED. The light intensity distribution includes a Gaussian distribution and a Lorentz distribution. In each case, 1 / e of the peak intensity (A) is used.
2 A portion having an intensity higher than (B) is defined as a spot area (S). In addition, the spot area (S) is the position of the photoconductor at CC.
It can be measured by installing a D camera.
【0053】本発明における光のスポット面積は4×1
03 μm2 以下であることが好ましく、特には3×10
3 μm2 以下であることが好ましい。4×103 μm2
を超えると隣接画素の光と重複し易くなり、階調再現性
が不安定となり易い。また、コストの点から1×103
μm2 以上であることが好ましい。In the present invention, the light spot area is 4 × 1.
0 3 μm 2 or less, especially 3 × 10
It is preferably 3 μm 2 or less. 4 × 10 3 μm 2
When the value exceeds, light of an adjacent pixel easily overlaps, and the tone reproducibility tends to be unstable. In addition, 1 × 10 3
It is preferably at least 2 μm 2 .
【0054】上記観点からは、本発明における感光層の
厚さは12μm以下であることが好ましく、特には10
μm以下であることが好ましい。From the above viewpoint, the thickness of the photosensitive layer in the present invention is preferably 12 μm or less, more preferably 10 μm or less.
It is preferably not more than μm.
【0055】本発明の電子写真感光体は、極めて優れた
機械的強度及び表面潤滑性を有しているので、このよう
な系に用いられる感光体として非常に好ましい。The electrophotographic photoreceptor of the present invention has extremely excellent mechanical strength and surface lubricity, and is therefore very preferable as a photoreceptor used in such a system.
【0056】図4に本発明のプロセスカートリッジを有
する画像形成装置の第1の例の概略構成を示す。FIG. 4 shows a schematic configuration of a first example of an image forming apparatus having the process cartridge of the present invention.
【0057】図において7はドラム状の本発明の電子写
真感光体であり、軸8を中心に矢印方向に所定の周速度
で回転駆動される。感光体7は、回転過程において、一
次帯電手段9によりその周面に正または負の所定電位の
均一帯電を受け、次いで、レーザービーム走査露光等の
像露光手段(不図示)からの画像露光10を受ける。こ
うして感光体7の周面に静電潜像が順次形成されてい
く。In FIG. 7, reference numeral 7 denotes a drum-shaped electrophotographic photosensitive member of the present invention, which is driven to rotate around a shaft 8 at a predetermined peripheral speed in a direction indicated by an arrow. In the rotation process, the photosensitive member 7 is uniformly charged on its peripheral surface with a predetermined positive or negative potential by the primary charging means 9, and then the image exposure 10 from an image exposure means (not shown) such as laser beam scanning exposure. Receive. Thus, an electrostatic latent image is sequentially formed on the peripheral surface of the photoconductor 7.
【0058】形成された静電潜像は、現像手段11によ
りトナー現像され、現像されたトナー現像像は不図示の
給紙部から感光体7と転写手段12との間に感光体7の
回転と同期取り出されて給紙された転写材13に、転写
手段12により順次転写されていく。The formed electrostatic latent image is developed with toner by the developing means 11, and the developed toner developed image is rotated between the photosensitive member 7 and the transfer means 12 from a paper feeding unit (not shown). The recording medium 13 is sequentially transferred to the transfer material 13 taken out and fed in synchronism with the above.
【0059】像転写を受けた転写材13は、感光体面か
ら分離されて像定着手段14へ導入されて像定着を受け
ることにより複写物(コピー)として装置外にプリント
アウトされる。The transfer material 13 having undergone the image transfer is separated from the surface of the photoreceptor, introduced into the image fixing means 14 and subjected to image fixing to be printed out as a copy (copy) outside the apparatus.
【0060】像転写後の感光体7の表面は、クリーニン
グ手段15によって転写残りトナーの除去を受けて清浄
面化され、更に前露光手段(不図示)からの前露光光1
6により除電処理された後、繰り返し像形成に使用され
る。なお、一次帯電手段9が帯電ローラー等を用いた接
触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではな
い。The surface of the photoreceptor 7 after the image transfer is cleaned and cleaned by removing the untransferred toner by the cleaning means 15, and the pre-exposure light 1 from the pre-exposure means (not shown).
After being subjected to the static elimination processing by 6, it is repeatedly used for image formation. When the primary charging unit 9 is a contact charging unit using a charging roller or the like, the pre-exposure is not necessarily required.
【0061】本発明においては、上述の電子写真感光体
7、一次帯電手段9、現像手段11及びクリーニング手
段15等の構成要素のうち、複数のものをプロセスカー
トリッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカ
ートリッジを複写機やレーザービームプリンタ等の画像
形成装置本体に対して着脱可能に構成してもよい。例え
ば、一次帯電手段9と共に一体に支持してカートリッジ
化して、装置本体のレール18等の案内手段を用いて装
置本体に着脱可能なプロセスカートリッジ17とするこ
とができる。In the present invention, a plurality of components such as the above-described electrophotographic photosensitive member 7, primary charging means 9, developing means 11 and cleaning means 15 are integrally connected as a process cartridge. The process cartridge may be configured to be detachable from an image forming apparatus main body such as a copying machine or a laser beam printer. For example, the process cartridge 17 may be integrally supported with the primary charging means 9 and formed into a cartridge, and the process cartridge 17 may be attached to and detached from the apparatus main body by using guide means such as rails 18 of the apparatus main body.
【0062】図5に本発明の画像形成装置の第2の例で
あるカラー複写機の概略構成を示す。FIG. 5 shows a schematic configuration of a color copying machine which is a second example of the image forming apparatus of the present invention.
【0063】図において201はイメージスキャナ部で
あり、原稿を読み取り、デジタル信号処理を行う部分で
ある。また、202はプリンタ部であり、イメージスキ
ャナ201に読み取られた原稿画像に対応した画像を用
紙にフルカラーでプリント出力する部分である。In the figure, reference numeral 201 denotes an image scanner, which reads a document and performs digital signal processing. Reference numeral 202 denotes a printer unit which prints out an image corresponding to the document image read by the image scanner 201 on a sheet in full color.
【0064】イメージスキャナ部201において、20
0は原稿厚板であり、原稿台ガラス203上の原稿20
4を固定するために用いられる。原稿204は、赤外カ
ットフィルタ208を通したハロゲンランプ205の光
で照射される。原稿204からの反射光はミラー20
6、207に導かれ、レンズ209により3本のCCD
ラインセンサで構成される3ラインセンサ(以下CCD
という)210上に像を結ぶ。CCD210は原稿から
の光情報を色分解して、フルカラー情報のうちレッド
(R)、グリーン(G)、ブルー(B)成分として信号
処理部211に送られる。なお、205、206は速度
vで、207は1/2vでラインセンサの電気的走査方
向(以下、主走査方向)に対して垂直方向(以下、副走
査方向)に機械的に動くことにより、原稿全面を走査す
る。In the image scanner unit 201, 20
Reference numeral 0 denotes an original plate, and the original 20 on the original platen glass 203
4 is used for fixing. The document 204 is irradiated with light from a halogen lamp 205 passing through an infrared cut filter 208. The reflected light from the document 204 is reflected on the mirror 20.
6, 207, and three CCDs by lens 209
3-line sensor (hereinafter referred to as CCD)
) Is formed on the image 210. The CCD 210 separates the light information from the document into colors and sends it to the signal processing unit 211 as red (R), green (G), and blue (B) components of the full color information. Note that 205 and 206 are speeds v and 207 is 1 / v by mechanically moving in a direction perpendicular to the electrical scanning direction (hereinafter, main scanning direction) of the line sensor (hereinafter, sub-scanning direction). Scans the entire original.
【0065】信号処理部211では読み取られた信号を
電気的に処理し、マゼンタ(M)、シアン(C)、イエ
ロー(Y)及びブラック(BK)の各成分に分解し、プ
リンタ部200に送られ、計4回の原稿走査により一回
のプリントアウトが完成する。The signal processor 211 electrically processes the read signal, decomposes the signals into magenta (M), cyan (C), yellow (Y), and black (BK) components, and sends them to the printer unit 200. Thus, one printout is completed by scanning the document four times in total.
【0066】イメージスキャナ部201より送られてく
るM,C,Y及びBKの画像信号は、レーザードライバ
212に送られる。レーザードライバ212は画像信号
に応じ、半導体レーザー213を変調駆動する。レーザ
ー光はポリゴンミラー214、f−θレンズ215、ミ
ラー216を介し、感光体ドラム217上を走査する。The M, C, Y and BK image signals sent from the image scanner unit 201 are sent to the laser driver 212. The laser driver 212 modulates and drives the semiconductor laser 213 according to the image signal. The laser beam scans on the photosensitive drum 217 via the polygon mirror 214, the f-θ lens 215, and the mirror 216.
【0067】218は回転現像器であり、マゼンタ現像
器219、シアン現像器220、イエロー現像器221
及びブラック現像器222より構成され、4つの現像器
が交互に感光体ドラムに接し、感光体ドラム217上に
形成されたM,C,Y,BKの静電潜像を対応するトナ
ーで現像する。Reference numeral 218 denotes a rotary developing device, which includes a magenta developing device 219, a cyan developing device 220, and a yellow developing device 221.
And a black developing device 222. The four developing devices alternately contact the photosensitive drum, and develop the electrostatic latent images of M, C, Y, and BK formed on the photosensitive drum 217 with the corresponding toner. .
【0068】223は転写ドラムで、用紙カセット22
4または225より給紙された用紙をこの転写ドラム2
23に巻付け、感光体ドラム217上に現像されたトナ
ー像を用紙に転写する。Reference numeral 223 denotes a transfer drum.
4 or 225 to the transfer drum 2
23, and the toner image developed on the photosensitive drum 217 is transferred to a sheet.
【0069】このようにしてM,C,Y及びBKの4色
が順次転写された後に、用紙は定着ユニット226を通
過して定着後、排紙される。After the four colors M, C, Y and BK are sequentially transferred in this manner, the sheet passes through the fixing unit 226 and is discharged after being fixed.
【0070】[合成例1] 4−[2−(トリエトキシシリル)エチル]トリフェニ
ルアミンの合成 〈4−(N,N−ジフェニルアミノ)ベンズアルデヒド
の合成〉三つ口フラスコにトリフェニルアミン101.
4gとDMF35.5mlを入れ、氷水冷却下、撹拌し
ながらオキシ塩化リン84.4mlを滴下し、温度を9
5℃に上げて5時間反応させた。反応液を4リットルの
温水へ注ぎ1時間撹拌した。その後、沈殿物を濾取し、
エタノール/水(1:1)の混合溶液で洗浄し、4−
(N,N−ジフェニルアミノ)ベンズアルデヒドを得
た。収量91.5g(収率81.0%)。[Synthesis Example 1] Synthesis of 4- [2- (triethoxysilyl) ethyl] triphenylamine <Synthesis of 4- (N, N-diphenylamino) benzaldehyde>
4 g and 35.5 ml of DMF were added, and 84.4 ml of phosphorus oxychloride was added dropwise with stirring under ice-water cooling.
The mixture was heated to 5 ° C. and reacted for 5 hours. The reaction solution was poured into 4 liters of warm water and stirred for 1 hour. Then, the precipitate is collected by filtration,
After washing with a mixed solution of ethanol / water (1: 1),
(N, N-diphenylamino) benzaldehyde was obtained. Yield 91.5 g (81.0% yield).
【0071】〈4−ビニルトリフェニルアミンの合成〉
水素化ナトリウム14.6g及び1,2−ジメトキシエ
タン700mlを三つ口フラスコに取り、室温で撹拌し
ながらトリメチルホスフォニウムブロマイド130.8
gを加えた。次に、無水エタノールを一滴加えた後、7
0℃で4時間反応させた。これに4−(N,N−ジフェ
ニルアミノ)ベンズアルデヒド100gを加え、70℃
に温度を上げ5時間反応させた。反応液を濾過し、濾液
と沈殿物のエーテル抽出液を一緒にし水洗した。次い
で、エーテル液を塩化カルシウムで脱水後、エーテルを
除去し、反応混合物を得た。これをエタノールから再結
晶を行い、針状、淡黄色のビニルトリフェニルアミンを
得た。収量83.4g(収率84.0%)。<Synthesis of 4-vinyltriphenylamine>
14.6 g of sodium hydride and 700 ml of 1,2-dimethoxyethane were placed in a three-necked flask, and stirred at room temperature while adding 130.8 g of trimethylphosphonium bromide.
g was added. Next, after adding a drop of absolute ethanol, 7
The reaction was performed at 0 ° C. for 4 hours. To this was added 100 g of 4- (N, N-diphenylamino) benzaldehyde,
And the reaction was carried out for 5 hours. The reaction solution was filtered, and the filtrate and the ether extract of the precipitate were combined and washed with water. Next, the ether solution was dehydrated with calcium chloride, and the ether was removed to obtain a reaction mixture. This was recrystallized from ethanol to obtain acicular, pale yellow vinyltriphenylamine. Yield 83.4 g (84.0% yield).
【0072】〈4−ビニルトリフェニルアミンのヒドロ
シリル化〉トルエン40ml、トリエトキシシラン9.
9g(60mmol)及びトリス(テトラメチルジビニ
ルジシロキサン)二白金(0)のトルエン溶液0.01
8mmolを三つ口フラスコに取り、室温で撹拌しなが
ら4−ビニルトリフェニルアミン8.2gのトルエン溶
液20mlを滴下した。滴下終了後、70℃で3時間撹
拌を行った後、溶媒を減圧下で除き、淡黄色油状の4−
[2−(トリエトキシシリル)エチル]トリフェニルア
ミンを得た。収量12.1g(収率91.7%)。<Hydrosilylation of 4-vinyltriphenylamine> Toluene 40 ml, triethoxysilane 9.
9 g (60 mmol) and 0.01 solution of tris (tetramethyldivinyldisiloxane) diplatinum (0) in toluene
8 mmol was placed in a three-necked flask, and 20 ml of a toluene solution of 8.2 g of 4-vinyltriphenylamine was added dropwise with stirring at room temperature. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at 70 ° C. for 3 hours, and then the solvent was removed under reduced pressure.
[2- (Triethoxysilyl) ethyl] triphenylamine was obtained. Yield 12.1 g (91.7% yield).
【0073】H−NMRスペクトルを図6に示す(ブル
カー社製、APC300 NMRスペクトロメータ)。
この化合物のイオン化ポテンシャルを大気下光電子分析
器(理研計器製、表面分析装置AC−1)にて測定した
ところ、5.68eVであった。The H-NMR spectrum is shown in FIG. 6 (APC300 NMR spectrometer manufactured by Bruker).
The ionization potential of this compound was 5.68 eV as measured by a photoelectron analyzer under atmospheric pressure (manufactured by Riken Keiki Co., Ltd., surface analyzer AC-1).
【0074】この化合物を銅基板上にワイヤーバーコー
ト法により塗布し、120℃にて12時間熱硬化し、約
8μmの膜を作成した。次に、蒸着により半透明金電極
を形成した。This compound was applied on a copper substrate by a wire bar coating method, and thermally cured at 120 ° C. for 12 hours to form a film of about 8 μm. Next, a translucent gold electrode was formed by vapor deposition.
【0075】このサンプルに対してパルス幅3nsec
の波長337nmの窒素レーザーを用いてTime−o
f−flight法にてドリフト移動度を測定したとこ
ろ1×10-7cm2 /Vsecであった。The pulse width of this sample is 3 nsec.
Time-o using a 337 nm wavelength nitrogen laser
When the drift mobility was measured by the f-flight method, it was 1 × 10 −7 cm 2 / Vsec.
【0076】[合成例2] 4,4′−ビス[2−(トリエトキシシリル)エチル]
トリフェニルアミンの合成 〈N,N−ビス(4−ホルミルフェニル)アミノベンゼ
ンの合成〉三つ口フラスコにトリフェニルアミン50.
7gとDMF35.5mlを入れ、氷水冷却下、撹拌し
ながらオキシ塩化リン84.4mlを滴下した。滴下終
了後、混合溶液を95℃で5時間反応させ、5リットル
の温水へ注ぎ1時間撹拌した。その後、沈殿物を濾取
し、エタノール/水(1:1)の混合溶液で洗浄し、
N,N−ビス(4−ホルミルフェニル)アミノベンゼン
を得た。収量65.3g(収率95.9%)。[Synthesis Example 2] 4,4'-bis [2- (triethoxysilyl) ethyl]
Synthesis of triphenylamine <Synthesis of N, N-bis (4-formylphenyl) aminobenzene> Triphenylamine was placed in a three-necked flask.
7 g and 35.5 ml of DMF were added, and 84.4 ml of phosphorus oxychloride was added dropwise with stirring under ice-water cooling. After completion of the dropwise addition, the mixed solution was reacted at 95 ° C. for 5 hours, poured into 5 L of warm water, and stirred for 1 hour. Thereafter, the precipitate was collected by filtration, washed with a mixed solution of ethanol / water (1: 1),
N, N-bis (4-formylphenyl) aminobenzene was obtained. 65.3 g (95.9% yield).
【0077】〈N,N−ビス(4−ビニルフェニル)ア
ミノベンゼンの合成〉水素化ナトリウム4.8g及び
1,2−ジメトキシエタン700mlを三つ口フラスコ
に取り、室温で撹拌しながらメチルトリホスフォニウム
ブロマイド73.2gを加えた。次に、無水エタノール
を一滴加えた後、70℃で4時間反応させた。以上のよ
うにして得られた反応混合液にN,N−ビス(4−ホル
ミルフェニル)アミノベンゼン30.0gを加え、70
℃で5時間反応させた後、水洗し、トルエン抽出した。
次いで、トルエン溶液を塩化カルシウムで脱水後、溶媒
を除去し、淡黄色のN,N−ビス(4−ビニルフェニ
ル)アミノベンゼンを得た。収量18.4g(収率6
2.2%)。<Synthesis of N, N-bis (4-vinylphenyl) aminobenzene> 4.8 g of sodium hydride and 700 ml of 1,2-dimethoxyethane were placed in a three-necked flask, and methyltriphospho was stirred at room temperature. 73.2 g of nickel bromide were added. Next, after a drop of absolute ethanol was added, the mixture was reacted at 70 ° C. for 4 hours. 30.0 g of N, N-bis (4-formylphenyl) aminobenzene was added to the reaction mixture thus obtained,
After reacting at 5 ° C. for 5 hours, the mixture was washed with water and extracted with toluene.
Next, the toluene solution was dehydrated with calcium chloride, and the solvent was removed to obtain pale yellow N, N-bis (4-vinylphenyl) aminobenzene. Yield 18.4 g (yield 6
2.2%).
【0078】〈N,N−ビス(4−ビニルフェニル)ア
ミノベンゼンのヒドロシリル化〉トルエン40ml、ト
リエトキシシラン9.9g(60mmol)及びトリス
(テトラメチルジビニルジシロキサン)二白金(0)の
トルエン溶液0.018mmolを三つ口フラスコに取
り、室温で撹拌しながらN,N−ビス(4−ビニルフェ
ニル)アミノベンゼン2.6g(8.7mmol)のト
ルエン溶液20mlを滴下した。滴下終了後、70℃で
3時間撹拌を行った後、溶媒を減圧下で除去し、淡黄色
油状の4,4′−ビス[2−(トリエトキシシリル)エ
チル]トリフェニルアミンを得た。収量4.4g(収率
80.6%)。<Hydrosilylation of N, N-bis (4-vinylphenyl) aminobenzene> A toluene solution of 40 ml of toluene, 9.9 g (60 mmol) of triethoxysilane and diplatinum (0) of tris (tetramethyldivinyldisiloxane) 0.018 mmol was placed in a three-necked flask, and 20 ml of a toluene solution of 2.6 g (8.7 mmol) of N, N-bis (4-vinylphenyl) aminobenzene was added dropwise with stirring at room temperature. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at 70 ° C. for 3 hours, and the solvent was removed under reduced pressure to obtain pale yellow oily 4,4′-bis [2- (triethoxysilyl) ethyl] triphenylamine. Yield 4.4 g (80.6% yield).
【0079】この化合物のイオン化ポテンシャルを大気
下光電子分析器(理研計器製、表面分析装置AC−1)
にて測定したところ、5.67eVであった。The ionization potential of this compound was measured using a photoelectron analyzer under atmospheric pressure (manufactured by Riken Keiki Co., surface analyzer AC-1).
Was 5.67 eV.
【0080】この化合物を銅基板上にワイヤーバーコー
ト法により塗布し、120℃にて12時間熱硬化し、約
5μmの膜を作成した。次に蒸着により半透明金電極を
形成した。This compound was applied on a copper substrate by a wire bar coating method and thermally cured at 120 ° C. for 12 hours to form a film of about 5 μm. Next, a translucent gold electrode was formed by vapor deposition.
【0081】このサンプルに対してパルス幅3nsec
の波長337nmの窒素レーザーを用いてTime−o
f−flight法にてドリフト移動度を測定したとこ
ろ3×10-7cm2 /Vsecであった。For this sample, the pulse width is 3 nsec.
Time-o using a 337 nm wavelength nitrogen laser
The drift mobility measured by the f-flight method was 3 × 10 −7 cm 2 / Vsec.
【0082】[合成例3] 4−[N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)アミ
ノ]−[2−(トリエトキシシリル)エチル]ベンゼン
の合成 〈N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)アミノベ
ンゼンの合成〉4−ヨード−o−キシレン38.5g
(166mmol)、無水炭酸カリウム22.9g(1
66mmol)及び銅粉7.0gをニトロベンゼン20
mlに加え、撹拌下加熱還流を8時間行った。冷却後濾
過し、沈殿を除去した。得られた反応混合物をシリカゲ
ルカラムを通しN,N−ビス(3,4−ジメチルフェニ
ル)アミノベンゼンを得た。収量15.7g(収率69
%)。[Synthesis Example 3] Synthesis of 4- [N, N-bis (3,4-dimethylphenyl) amino]-[2- (triethoxysilyl) ethyl] benzene <N, N-bis (3,4 Synthesis of -dimethylphenyl) aminobenzene> 38.5 g of 4-iodo-o-xylene
(166 mmol), 22.9 g of anhydrous potassium carbonate (1
66 mmol) and 7.0 g of copper powder in nitrobenzene 20
Then, the mixture was heated under reflux with stirring for 8 hours. After cooling, the precipitate was removed by filtration. The obtained reaction mixture was passed through a silica gel column to obtain N, N-bis (3,4-dimethylphenyl) aminobenzene. Yield 15.7 g (yield 69
%).
【0083】〈4−[N,N−ビス(3,4−ジメチル
フェニル)アミノ]ベンズアルデヒドの合成〉三つ口フ
ラスコに[N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)
アミノ]ベンゼン124.6g及びDMF35.5ml
を入れ、氷水冷却下、撹拌しながらオキシ塩化リン8
4.4mlを滴下した。滴下終了後、混合溶液を95℃
で5時間反応させ、4リットルの温水へ注ぎ1時間撹拌
した。その後、沈殿物を濾取し、エタノール/水(1:
1)の混合溶液で洗浄し、4−[N,N−ビス(3,4
−ジメチルフェニル)アミノ]ベンズアルデヒドを得
た。収量107.6g(収率79.0%)。<Synthesis of 4- [N, N-bis (3,4-dimethylphenyl) amino] benzaldehyde> [N, N-bis (3,4-dimethylphenyl)
Amino] benzene 124.6 g and DMF 35.5 ml
And add phosphorus oxychloride 8 with stirring under ice-water cooling.
4.4 ml were added dropwise. After completion of dropping, the mixed solution is heated to 95 ° C.
For 5 hours and poured into 4 liters of warm water and stirred for 1 hour. Thereafter, the precipitate was collected by filtration, and ethanol / water (1:
After washing with the mixed solution of 1), 4- [N, N-bis (3,4
-Dimethylphenyl) amino] benzaldehyde was obtained. Yield 107.6 g (79.0% yield).
【0084】〈4−[N,N−ビス(3,4−ジメチル
フェニル)アミノ]スチレンの合成〉水素化ナトリウム
12.1g及び1,2−ジメトキシエタン580mlを
三つ口フラスコに取り、室温で撹拌しながらトリメチル
ホスフォニウムブロマイド108.5gを加えた。次
に、無水エタノールを一滴加えた後、70℃で4時間反
応させた。以上のようにして得られた反応混合液に4−
[N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)アミノ]
ベンズアルデヒド100.0gを加え、70℃で5時間
反応させた後、濾別し、濾取したケーキをエーテル抽出
しロ液と一緒にし水洗した。次いで、エーテル液を塩化
カルシウムで脱水後、エーテルを除去し、反応混合物を
得た。これをエタノールで再結晶二回行い、針状、4−
[N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)アミノ]
スチレンを得た。収量84.5g(収率85.0%)。<Synthesis of 4- [N, N-bis (3,4-dimethylphenyl) amino] styrene> 12.1 g of sodium hydride and 580 ml of 1,2-dimethoxyethane were placed in a three-necked flask and allowed to stand at room temperature. While stirring, 108.5 g of trimethylphosphonium bromide was added. Next, after a drop of absolute ethanol was added, the mixture was reacted at 70 ° C. for 4 hours. The reaction mixture obtained as described above was added to 4-
[N, N-bis (3,4-dimethylphenyl) amino]
After adding 100.0 g of benzaldehyde and reacting at 70 ° C. for 5 hours, the mixture was separated by filtration, and the cake collected by filtration was extracted with ether, combined with the filtrate, and washed with water. Next, the ether solution was dehydrated with calcium chloride, and the ether was removed to obtain a reaction mixture. This was recrystallized twice with ethanol to give a needle-shaped, 4-
[N, N-bis (3,4-dimethylphenyl) amino]
Styrene was obtained. The yield was 84.5 g (85.0% yield).
【0085】〈4−[N,N−ビス(3,4−ジメチル
フェニル)アミノ]スチレンのヒドロシリル化〉トルエ
ン40ml、トリエトキシシラン6.0g及びトリス
(テトラメチルジビニルジシロキサン)二白金(0)の
トルエン溶液0.54mmolを三つ口フラスコに取
り、室温で撹拌しながら4−[N,N−ビス(3,4−
ジメチルフェニル)アミノ]スチレン9.9gのトルエ
ン溶液20mlを滴下した。滴下終了後、70℃で3時
間撹拌を行った後、溶媒を減圧下で除去し、淡黄色油状
の4−[N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)ア
ミノ]−[2−(トリエトキシシリル)エチル]ベンゼ
ンを得た。収量13.4g(収率90.1%)。<Hydrosilylation of 4- [N, N-bis (3,4-dimethylphenyl) amino] styrene> 40 ml of toluene, 6.0 g of triethoxysilane and tris (tetramethyldivinyldisiloxane) diplatinum (0) 0.54 mmol of toluene solution was placed in a three-necked flask, and 4- [N, N-bis (3,4-
20 ml of a toluene solution of 9.9 g of dimethylphenyl) amino] styrene was added dropwise. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at 70 ° C. for 3 hours, and then the solvent was removed under reduced pressure, and 4- [N, N-bis (3,4-dimethylphenyl) amino]-[2- ( [Triethoxysilyl) ethyl] benzene was obtained. Yield 13.4 g (90.1% yield).
【0086】H−NMRスペクトルを図7に示す(ブル
カー社製、APC300 NMRスペクトロメータ)。
C−NMRスペクトルを図8に示す(ブルカー社製、A
PC300 NMRスペクトロメータ)。The H-NMR spectrum is shown in FIG. 7 (APC300 NMR spectrometer manufactured by Bruker).
The C-NMR spectrum is shown in FIG.
PC300 NMR spectrometer).
【0087】この化合物のイオン化ポテンシャルを大気
下光電子分析器(理研計器製、表面分析装置AC−1)
にて測定したところ、5.26eVであった。The ionization potential of this compound was measured using a photoelectron analyzer under atmospheric pressure (manufactured by Riken Keiki Co., surface analyzer AC-1).
Was 5.26 eV.
【0088】この化合物を銅基板上にワイヤーバーコー
ト法により塗布し、120℃にて12時間熱硬化し、約
5μmの膜を作成した。次に蒸着により半透明金電極を
形成した。This compound was applied on a copper substrate by a wire bar coating method, and thermally cured at 120 ° C. for 12 hours to form a film of about 5 μm. Next, a translucent gold electrode was formed by vapor deposition.
【0089】このサンプルに対してパルス幅3nsec
の波長337nmの窒素レーザーを用いてTime−o
f−flight法にてドリフト移動度を測定したとこ
ろ9×10-7cm2 /Vsecであった。The pulse width of this sample is 3 nsec.
Time-o using a 337 nm wavelength nitrogen laser
When the drift mobility was measured by the f-light method, it was 9 × 10 −7 cm 2 / Vsec.
【0090】[合成例4] 4−[N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)アミ
ノ]−[2−(トリエトキシシリル)エチル]ベンゼン
の合成 〈4−[N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)ア
ミノ]スチレンのヒドロシリル化〉トルエン40ml、
トリエトキシシラン6.0g(37mmol)及びジク
ロロ(h−シクロオクタ−1,5−ジエン)白金(II)
0.34mmolを三つ口フラスコに取り、室温で撹拌
しながら4−[N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニ
ル)アミノ]スチレン9.9gのトルエン溶液20ml
を滴下した。滴下終了後、70℃で3時間撹拌を行った
後、溶媒を減圧下で除去し、淡黄色油状の4−[N,N
−ビス(3,4−ジメチルフェニル)アミノ]−[2−
(トリエトキシシリル)エチル]ベンゼンを得た。収量
14.0g(収率94.2%)。Synthesis Example 4 Synthesis of 4- [N, N-bis (3,4-dimethylphenyl) amino]-[2- (triethoxysilyl) ethyl] benzene <4- [N, N-bis ( 3,4-Dimethylphenyl) amino] styrene hydrosilylation> toluene 40 ml,
6.0 g (37 mmol) of triethoxysilane and dichloro (h-cycloocta-1,5-diene) platinum (II)
0.34 mmol was placed in a three-necked flask and stirred at room temperature while stirring 20 ml of a toluene solution of 9.9 g of 4- [N, N-bis (3,4-dimethylphenyl) amino] styrene.
Was added dropwise. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at 70 ° C. for 3 hours, and then the solvent was removed under reduced pressure to give 4- [N, N
-Bis (3,4-dimethylphenyl) amino]-[2-
(Triethoxysilyl) ethyl] benzene was obtained. Yield 14.0 g (94.2% yield).
【0091】この化合物のイオン化ポテンシャルを大気
下光電子分析器(理研計器製、表面分析装置AC−1)
にて測定したところ、5.31eVであった。The ionization potential of this compound was measured using a photoelectron analyzer under atmospheric pressure (manufactured by Riken Keiki Co., Ltd., surface analyzer AC-1).
Was 5.31 eV.
【0092】この化合物を銅基板上にワイヤーバーコー
ト法により塗布し、120℃にて12時間熱硬化し、約
5μmの膜を作成した。次に、蒸着により半透明金電極
を形成した。This compound was applied on a copper substrate by a wire bar coating method, and thermally cured at 120 ° C. for 12 hours to form a film of about 5 μm. Next, a translucent gold electrode was formed by vapor deposition.
【0093】このサンプルに対してパルス幅3nsec
の波長337nmの窒素レーザーを用いてTime−o
f−flight法にてドリフト移動度を測定したとこ
ろ7×10-7cm2 /Vsecであった。The pulse width of this sample is 3 nsec.
Time-o using a 337 nm wavelength nitrogen laser
When the drift mobility was measured by the f-light method, it was 7 × 10 −7 cm 2 / Vsec.
【0094】[合成例5] 4−[3−(トリエトキシシリル)プロピル]トリフェ
ニルアミンの合成 〈4−ブロモトリフェニルアミンの合成〉N−ブロモス
クシンイミド8.0g(45mmol)及びトリフェニ
ルアミン10.0g(41mmol)を200ml三つ
口フラスコに入れ、N,N−ジメチルホルムアミド15
0mlを加えた後、室温下で一晩撹拌した。次いで、
N,N−ジメチルホルムアミドを除去し、得られた固形
物を四塩化炭素で抽出した。その後、四塩化炭素を除去
し、得られた反応混合物をエタノールで二回再結晶を行
い、白色固体の4−ブロモトリフェニルアミンを得た。
収量8.2g(収率61.7%)。Synthesis Example 5 Synthesis of 4- [3- (triethoxysilyl) propyl] triphenylamine <Synthesis of 4-bromotriphenylamine> 8.0 g (45 mmol) of N-bromosuccinimide and triphenylamine 10 2.0 g (41 mmol) was placed in a 200 ml three-necked flask, and N, N-dimethylformamide 15 was added.
After adding 0 ml, the mixture was stirred overnight at room temperature. Then
The N, N-dimethylformamide was removed and the resulting solid was extracted with carbon tetrachloride. Thereafter, carbon tetrachloride was removed, and the obtained reaction mixture was recrystallized twice with ethanol to obtain 4-bromotriphenylamine as a white solid.
The yield was 8.2 g (61.7% yield).
【0095】〈4−N,N−ジフェニルアミノアリルベ
ンゼンの合成〉300ml四つ口フラスコにマグネシウ
ム金属1.0g(40mmol)を入れ窒素置換を行っ
た。次いで、ジエチルエーテル100mlを加え撹拌を
開始した。そこへ4−ブロモトリフェニルアミン8.6
g(27mmol)を溶解したジエチルエーテル溶液3
0mlをゆっくり滴下した。約3ml滴下したところで
ゆるやかに還流が始まった。還流させながら、更にジエ
チルエーテル溶液の滴下を続け、滴下終了後、更に1時
間還流を行った。以上のようにして得られたグリニャー
ル試薬溶液を室温まで戻し、次にアリルクロライド2.
1g(27mmol)のジエチルエーテル溶液40ml
を氷冷しながらゆっくり滴下した。滴下終了後、反応混
合物を2時間還流し反応を熟成した。その後、水50m
lを氷冷しながら加え加水分解を行った。次に、エーテ
ル層を抽出し飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で1回、水
で2回洗浄し、次いで無水硫酸ナトリウムで乾燥した。
乾燥後、ジエチルエーテルを除去し白色固体の4−N,
N−ジフェニルアミノアリルベンゼンを得た。収量4.
9g(収率63.2%)。<Synthesis of 4-N, N-diphenylaminoallylbenzene> 1.0 g (40 mmol) of magnesium metal was placed in a 300 ml four-necked flask, and the atmosphere was replaced with nitrogen. Next, 100 ml of diethyl ether was added and stirring was started. There 4-bromotriphenylamine 8.6
g (27 mmol) dissolved in diethyl ether 3
0 ml was slowly added dropwise. Approximately 3 ml was added dropwise, and reflux started slowly. While refluxing, the dropwise addition of the diethyl ether solution was further continued, and after the completion of the dropwise addition, reflux was further performed for 1 hour. The Grignard reagent solution obtained as described above is returned to room temperature, and then allyl chloride
40 ml of 1 g (27 mmol) of diethyl ether solution
Was slowly added dropwise while cooling with ice. After the dropwise addition, the reaction mixture was refluxed for 2 hours to mature the reaction. After that, 50m of water
1 was added while cooling with ice to effect hydrolysis. Next, the ether layer was extracted, washed once with a saturated aqueous solution of sodium hydrogen carbonate and twice with water, and then dried over anhydrous sodium sulfate.
After drying, the diethyl ether was removed and 4-N,
N-diphenylaminoallylbenzene was obtained. Yield 4.
9 g (63.2% yield).
【0096】〈4−N,N−ジフェニルアミノアリルベ
ンゼンのヒドロシリル化〉トルエン40ml、トリエト
キシシラン6.0g(37mmol)及びトリス(テト
ラメチルジビニルジシロキサン)二白金(0)のトルエ
ン溶液0.54mmolを三つ口フラスコに取り、室温
で撹拌しながら4−N,N−ジフェニルアミノアリルベ
ンゼン9.7g(34mmol)のトルエン溶液20m
lを滴下した。滴下終了後、70℃で3時間撹拌を行っ
た後、溶媒を減圧下で除去し、淡黄色油状の4−[3−
(トリエトキシシリル)プロピル]トリフェニルアミン
を得た。収量10.7g(収率70.1%)。<Hydrosilylation of 4-N, N-diphenylaminoallylbenzene> 40 ml of toluene, 6.0 g (37 mmol) of triethoxysilane and 0.54 mmol of a toluene solution of tris (tetramethyldivinyldisiloxane) diplatinum (0) In a three-necked flask, and stirring at room temperature, a solution of 9.7 g (34 mmol) of 4-N, N-diphenylaminoallylbenzene in toluene (20 m) was prepared.
1 was added dropwise. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at 70 ° C. for 3 hours, and then the solvent was removed under reduced pressure.
(Triethoxysilyl) propyl] triphenylamine was obtained. Yield 10.7 g (70.1% yield).
【0097】この化合物のイオン化ポテンシャルを大気
下光電子分析器(理研計器製、表面分析装置AC−1)
にて測定したところ、5.72eVであった。The ionization potential of this compound was measured using a photoelectron analyzer under atmospheric pressure (manufactured by Riken Keiki Co., Ltd., surface analyzer AC-1).
Was 5.72 eV.
【0098】この化合物を銅基板上にワイヤーバーコー
ト法により塗布し、120℃にて12時間熱硬化し、約
9μmの膜を作成した。次に、蒸着により半透明金電極
を形成した。This compound was applied on a copper substrate by a wire bar coating method and thermally cured at 120 ° C. for 12 hours to form a film having a thickness of about 9 μm. Next, a translucent gold electrode was formed by vapor deposition.
【0099】このサンプルに対してパルス幅3nsec
の波長337nmの窒素レーザーを用いてTime−o
f−flight法にてドリフト移動度を測定したとこ
ろ1.4×10-7cm2 /Vsecであった。The pulse width of this sample is 3 nsec.
Time-o using a 337 nm wavelength nitrogen laser
When the drift mobility was measured by the f-flight method, it was 1.4 × 10 −7 cm 2 / Vsec.
【0100】[合成例6] 4−[4−(トリエトキシシリル)ブチル]トリフェニ
ルアミンの合成 〈4−メチルトリフェニルアミンの合成〉ジフェニルア
ミン4.5g(27mmol)、p−ヨードトルエン1
1.0g(51mmol)、無水炭酸カリウム5.5g
(40mmol)及び銅粉1.1gをo−ジクロロベン
ゼン30mlに加え、撹拌下加熱還流を7時間行った。
反応終了後、反応溶液を濾過し、濾液を3〜5%チオ硫
酸ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、有機
層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を除去した。得
られた反応混合物をエタノールを用いて再結晶を行い4
−メチルトリフェニルアミンを得た。収量5.7g(収
率81.4%)。Synthesis Example 6 Synthesis of 4- [4- (triethoxysilyl) butyl] triphenylamine <Synthesis of 4-methyltriphenylamine> 4.5 g (27 mmol) of diphenylamine, p-iodotoluene 1
1.0 g (51 mmol), 5.5 g of anhydrous potassium carbonate
(40 mmol) and 1.1 g of copper powder were added to 30 ml of o-dichlorobenzene, and the mixture was heated under reflux with stirring for 7 hours.
After completion of the reaction, the reaction solution was filtered, and the filtrate was washed successively with a 3 to 5% aqueous solution of sodium thiosulfate and saturated saline, and the organic layer was dried over anhydrous sodium sulfate and the solvent was removed. The obtained reaction mixture was recrystallized using ethanol to obtain 4
-Methyltriphenylamine was obtained. Yield: 5.7 g (81.4% yield).
【0101】〈4−ブロモメチルトリフェニルアミンの
合成〉N−ブロモスクシンイミド6.9g(39mmo
l)及び4−メチルトリフェニルアミン9.1g(35
mmol)を300ml三つ口フラスコに入れ、四塩化
炭素100mlを加えた後、撹拌下加熱還流を一晩行っ
た。反応終了後、反応溶液を冷却した。次いで、反応溶
液を濾過し、溶媒を除去して、得られた反応混合物をエ
タノールを用いて再結晶を行い4−ブロモメチルトリフ
ェニルアミンを得た。収量10.8g(収率91.2
%)。<Synthesis of 4-bromomethyltriphenylamine> N-bromosuccinimide (6.9 g, 39 mmol)
l) and 9.1 g of 4-methyltriphenylamine (35
mmol) was placed in a 300 ml three-necked flask, 100 ml of carbon tetrachloride was added, and the mixture was heated under reflux with stirring overnight. After the completion of the reaction, the reaction solution was cooled. Next, the reaction solution was filtered, the solvent was removed, and the obtained reaction mixture was recrystallized using ethanol to obtain 4-bromomethyltriphenylamine. Yield 10.8 g (Yield 91.2)
%).
【0102】〈4−N,N−ジフェニルアミノフェニル
−1−ブテンの合成〉200ml四つ口フラスコにマグ
ネシウム金属1.0g(40mmol)を入れ窒素置換
を行った。次いで、ジエチルエーテル100mlを加え
撹拌を開始した。そこへ4−ブロモメチルトリフェニル
アミン9.1g(27mmol)を溶解したジエチルエ
ーテル溶液20mlをゆっくり滴下した。約5ml滴下
したところでゆるやかに還流が始まった。還流させなが
ら、更にジエチルエーテル溶液の滴下を続け、滴下終了
後、更に1時間還流を行った。以上のようにして得られ
たグリニャール試薬溶液を室温まで戻し、次にアリルク
ロライド2.1g(27mmol)のジエチルエーテル
溶液20mlを氷冷しながらゆっくり滴下した。滴下終
了後、反応混合物を2時間還流し反応を熟成した。その
後、水50mlを氷冷しながら加え加水分解を行った。
次に、エーテル層を抽出し飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液で1回、水で2回洗浄し、次いで無水硫酸ナトリウム
で乾燥した。乾燥後、ジエチルエーテルを除去し白色固
体の4−N,N−ジフェニルアミノフェニル−1−ブテ
ンを得た。収量5.5g(収率66.7%)。<Synthesis of 4-N, N-diphenylaminophenyl-1-butene> 1.0 g (40 mmol) of magnesium metal was placed in a 200 ml four-necked flask, and the atmosphere was replaced with nitrogen. Next, 100 ml of diethyl ether was added and stirring was started. Thereto was slowly added dropwise 20 ml of a diethyl ether solution in which 9.1 g (27 mmol) of 4-bromomethyltriphenylamine was dissolved. Approximately 5 ml was added dropwise, and the reflux started slowly. While refluxing, the dropwise addition of the diethyl ether solution was further continued, and after the completion of the dropwise addition, reflux was further performed for 1 hour. The Grignard reagent solution thus obtained was returned to room temperature, and then a solution of 2.1 g (27 mmol) of allyl chloride in 20 ml of diethyl ether was slowly added dropwise while cooling with ice. After the dropwise addition, the reaction mixture was refluxed for 2 hours to mature the reaction. Thereafter, 50 ml of water was added while cooling with ice to effect hydrolysis.
Next, the ether layer was extracted, washed once with a saturated aqueous solution of sodium hydrogen carbonate and twice with water, and then dried over anhydrous sodium sulfate. After drying, diethyl ether was removed to obtain 4-N, N-diphenylaminophenyl-1-butene as a white solid. 5.5 g (66.7% yield).
【0103】〈4−N,N−ジフェニルアミノフェニル
−1−ブテンのヒドロシリル化〉トルエン40ml、ト
リエトキシシラン9.9g(60mmol)及びトリス
(テトラメチルジビニルジシロキサン)二白金(0)の
トルエン溶液0.018mmolを三つ口フラスコに取
り、室温で撹拌しながら4−N,N−ジフェニルアミノ
フェニル−1−ブテン16.7g(54.7mmol)
のトルエン溶液20mlを滴下した。滴下終了後、70
℃で3時間撹拌を行った後、溶媒を減圧下で除去し、淡
黄色油状の4−[4−(トリエトキシシリル)ブチル]
トリフェニルアミンを得た。収量13.9g(収率8
3.2%)。<Hydrosilylation of 4-N, N-diphenylaminophenyl-1-butene> A toluene solution of 40 ml of toluene, 9.9 g (60 mmol) of triethoxysilane and diplatinum (0) of tris (tetramethyldivinyldisiloxane) 0.018 mmol is placed in a three-necked flask, and 16.7 g (54.7 mmol) of 4-N, N-diphenylaminophenyl-1-butene is stirred at room temperature.
Of toluene solution was added dropwise. After dropping, 70
After stirring at 3 ° C. for 3 hours, the solvent was removed under reduced pressure, and 4- [4- (triethoxysilyl) butyl] as a pale yellow oil was obtained.
Triphenylamine was obtained. Yield 13.9 g (yield 8
3.2%).
【0104】この化合物のイオン化ポテンシャルを大気
下光電子分析器(理研計器製、表面分析装置AC−1)
にて測定したところ、5.69eVであった。The ionization potential of this compound was measured using a photoelectron analyzer under atmospheric pressure (manufactured by Riken Keiki Co., Ltd., surface analyzer AC-1).
Was 5.69 eV.
【0105】この化合物を銅基板上にワイヤーバーコー
ト法により塗布し、120℃にて12時間熱硬化し、約
5μmの膜を作成した。次に蒸着により半透明金電極を
形成した。This compound was applied on a copper substrate by a wire bar coating method, and thermally cured at 120 ° C. for 12 hours to form a film of about 5 μm. Next, a translucent gold electrode was formed by vapor deposition.
【0106】このサンプルに対してパルス幅3nsec
の波長337nmの窒素レーザーを用いてTime−o
f−flight法にてドリフト移動度を測定したとこ
ろ2×10-7cm2 /Vsecであった。The pulse width of this sample is 3 nsec.
Time-o using a 337 nm wavelength nitrogen laser
When the drift mobility was measured by the f-flight method, it was 2 × 10 −7 cm 2 / Vsec.
【0107】[合成例7] 4−[2−(トリエトキシシリル)エチル]トリフェニ
ルアミン(合成例1)10gをトルエン16.7gに溶
解し、ジブチル錫ジアセテート0.2gを加え混合し
た。これをガラス板にバーコートを用いて塗布し、14
0℃で15時間乾燥した。顕微鏡で観察したところ均一
フィルムが形成されたことが判明した。[Synthesis Example 7] 10 g of 4- [2- (triethoxysilyl) ethyl] triphenylamine (Synthesis Example 1) was dissolved in 16.7 g of toluene, and 0.2 g of dibutyltin diacetate was added and mixed. This was applied to a glass plate using a bar coat, and 14
Dry at 0 ° C. for 15 hours. Observation with a microscope revealed that a uniform film was formed.
【0108】[比較合成例1]メチルトリエトキシシラ
ン10gをトルエン16.7gに溶解し、正孔輸送性化
合物としてトリフェニルアミンをメチルトリエトキシシ
ランに対して30重量%溶解し、ジブチル錫ジアセテー
ト0.2gを加え混合した。合成例7と同様に混合硬化
させてフィルムを形成した。フィルムは白濁し、顕微鏡
ではトリフェニルアミンの析出が観測された。[Comparative Synthesis Example 1] 10 g of methyltriethoxysilane was dissolved in 16.7 g of toluene, and triphenylamine as a hole-transporting compound was dissolved at 30% by weight in methyltriethoxysilane, and dibutyltin diacetate was dissolved. 0.2 g was added and mixed. The mixture was mixed and cured in the same manner as in Synthesis Example 7 to form a film. The film became cloudy, and the precipitation of triphenylamine was observed under a microscope.
【0109】[比較合成例2]メチルトリエトキシシラ
ンに代えてフェニルトリエトキシシランを用いた他は比
較合成例1と同様にフィルムを形成した。生成したフィ
ルムは不透明性は低下したものの、顕微鏡観測ではトリ
フェニルアミンの結晶が析出した。[Comparative Synthesis Example 2] A film was formed in the same manner as in Comparative Synthesis Example 1 except that phenyltriethoxysilane was used instead of methyltriethoxysilane. Although the opacity of the formed film was reduced, triphenylamine crystals were precipitated by microscopic observation.
【0110】[比較合成例3]ヒドロシリル化にトリメ
チルシラン6g(60mmol)を使用した他は合成例
1と同様に反応させ、4−[2−(トリメチルシリル)
エチル]トリフェニルアミンを得た。これを電荷輸送性
化合物として比較合成例1と同様にしてフィルムを生成
したところ、不透明であり、4−[2−(トリメチルシ
リル)エチル]トリフェニルアミンの分離が認められ
た。[Comparative Synthesis Example 3] 4- [2- (trimethylsilyl) was reacted in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 6 g (60 mmol) of trimethylsilane was used for hydrosilylation.
[Ethyl] triphenylamine was obtained. When this was used as a charge transporting compound to form a film in the same manner as in Comparative Synthesis Example 1, it was opaque and separation of 4- [2- (trimethylsilyl) ethyl] triphenylamine was observed.
【0111】[比較合成例4]メチルトリエトキシシラ
ン10gをトルエン16.7gに溶解し、溶液に電荷輸
送性化合物として後述の実施例1にて使用したトリアリ
ールアミン化合物をメチルトリエトキシシランに対して
30重量%溶解し、合成例7と同様に混合硬化させてフ
ィルムを形成した。フィルムは白濁し、顕微鏡ではトリ
アリールアミン化合物の析出が観測された。[Comparative Synthesis Example 4] 10 g of methyltriethoxysilane was dissolved in 16.7 g of toluene, and the triarylamine compound used in Example 1 described later as a charge transporting compound was dissolved in 16.7 g of toluene with respect to methyltriethoxysilane. And dissolved and mixed and cured in the same manner as in Synthesis Example 7 to form a film. The film became cloudy, and precipitation of a triarylamine compound was observed under a microscope.
【0112】[合成例8] 4−(N−エチル−N−フェニルアミノ)−[2−(ト
リエトキシシリル)エチル]ベンゼンの合成 〈4−(N−エチル−N−フェニルアミノ)ベンズアル
デヒドの合成〉三つ口フラスコにジフェニルエチルアミ
ン82gとDMF35.5mlを加え、氷水冷却下、撹
拌しながらオキシ塩化リン84.4mlを滴下し、滴下
終了後、温度を95℃に昇温して5時間反応させた。そ
の後、沈殿物を濾取し、エタノール/水(1:1)の混
合溶液で洗浄し、4−(N−フェニルアミノ)エチルベ
ンズアルデヒドを得た。収量62g。[Synthesis Example 8] Synthesis of 4- (N-ethyl-N-phenylamino)-[2- (triethoxysilyl) ethyl] benzene Synthesis of <4- (N-ethyl-N-phenylamino) benzaldehyde > 82 g of diphenylethylamine and 35.5 ml of DMF were added to a three-necked flask, and 84.4 ml of phosphorus oxychloride was added dropwise with stirring under cooling with ice water, and after completion of the addition, the temperature was raised to 95 ° C. and reacted for 5 hours. Was. Thereafter, the precipitate was collected by filtration and washed with a mixed solution of ethanol / water (1: 1) to obtain 4- (N-phenylamino) ethylbenzaldehyde. Yield 62 g.
【0113】〈4−(N−エチル−N−フェニルアミ
ノ)スチレンの合成〉水素化ナトリウム14.6g及び
1,2−ジメトキシエタン700mlを三つ口フラスコ
に取り、室温で撹拌しながらトリメチルホスフォニウム
ブロマイド130.8gを加えた。次に、無水エタノー
ルを一滴加えた後、70℃に温度を昇温し、5時間反応
させた。反応液を濾過し、濾液と沈殿物のエーテル抽出
液を一緒にして水洗した。次いで、エーテル液を塩化カ
ルシウムで脱水後、エーテルを除去し、反応混合物を得
た。これをエタノールから再結晶を行い、針状、淡黄色
の結晶を得た。収量62.4g。<Synthesis of 4- (N-ethyl-N-phenylamino) styrene> 14.6 g of sodium hydride and 700 ml of 1,2-dimethoxyethane were placed in a three-necked flask, and trimethylphosphonate was stirred at room temperature. 130.8 g ofium bromide was added. Next, after adding one drop of absolute ethanol, the temperature was raised to 70 ° C., and the reaction was performed for 5 hours. The reaction solution was filtered, and the filtrate and the ether extract of the precipitate were combined and washed with water. Next, the ether solution was dehydrated with calcium chloride, and the ether was removed to obtain a reaction mixture. This was recrystallized from ethanol to obtain acicular, pale yellow crystals. Yield 62.4 g.
【0114】〈4−(N−エチル−N−フェニルアミ
ノ)スチレンのヒドロシリル化〉トルエン40ml、ト
リエトキシシラン9.9g(60mmol)及びトリス
(テトラメチルジビニルジシロキサン)二白金(0)の
トルエン溶液0.018mmolを三つ口フラスコに取
り、室温で撹拌しながら4−ビニルフェニル(N−フェ
ニル,N−エチル)アミン7.6gのトルエン溶液20
mlを滴下した。滴下終了後、70℃で3時間撹拌を行
った後、溶媒を減圧下で除去して、淡黄色油状の4−
(N−エチル−N−フェニルアミノ)−[2−(トリエ
トキシシリル)エチル]ベンゼンを得た。収量7.8
g。<Hydrosilylation of 4- (N-ethyl-N-phenylamino) styrene> A toluene solution of 40 ml of toluene, 9.9 g (60 mmol) of triethoxysilane and diplatinum (0) of tris (tetramethyldivinyldisiloxane) 0.018 mmol is placed in a three-necked flask, and stirred at room temperature while stirring a toluene solution of 7.6 g of 4-vinylphenyl (N-phenyl, N-ethyl) amine 20.
ml was added dropwise. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at 70 ° C. for 3 hours, and then the solvent was removed under reduced pressure.
(N-ethyl-N-phenylamino)-[2- (triethoxysilyl) ethyl] benzene was obtained. Yield 7.8
g.
【0115】この化合物のイオン化ポテンシャルを大気
下光電子分析器(理研計器製、表面分析装置AC−1)
にて測定したところ、6.3eVであった。The ionization potential of this compound was measured using a photoelectron analyzer under atmospheric pressure (manufactured by Riken Keiki Co., Ltd., surface analyzer AC-1).
Was 6.3 eV.
【0116】この化合物を銅基板上にワイヤーバーコー
ト法により塗布し、120℃にて12時間熱硬化し、約
5μmの膜を作成した。次に、蒸着により半透明金電極
を形成した。This compound was applied on a copper substrate by a wire bar coating method and thermally cured at 120 ° C. for 12 hours to form a film of about 5 μm. Next, a translucent gold electrode was formed by vapor deposition.
【0117】このサンプルに対してパルス幅3nsec
の波長337nmの窒素レーザーを用いてTime−o
f−flight法にてドリフト移動度を測定したとこ
ろ2×10-8cm2 /Vsecであった。The pulse width of this sample is 3 nsec.
Time-o using a 337 nm wavelength nitrogen laser
When the drift mobility was measured by the f-flight method, it was 2 × 10 −8 cm 2 / Vsec.
【0118】[0118]
[実施例1]鏡面加工により作成した外径80mmのア
ルミニウムシリンダー上に、アルコール可溶性共重合ナ
イロン(商品名 アミランCM−8000、東レ(株)
製)5部(重量部、以下同じ)をメタノール95部に溶
解した溶液を浸漬コーティング法により塗工した。80
℃で10分間乾燥して、膜厚が1μmの下引層を形成し
た。[Example 1] An alcohol-soluble copolymerized nylon (trade name: Amilan CM-8000, manufactured by Toray Industries, Inc.) was placed on an aluminum cylinder having an outer diameter of 80 mm created by mirror finishing.
A solution prepared by dissolving 5 parts (by weight, hereinafter the same) in 95 parts of methanol was applied by dip coating. 80
After drying at 10 ° C. for 10 minutes, an undercoat layer having a thickness of 1 μm was formed.
【0119】次に、電荷発生層用分散液として下記のビ
スアゾ顔料5部をシクロヘキサノン95部にポリビニル
ベンザール(ベンザール化度75%以上)2部を溶解し
た液に加え、サンドミルで20時間分散した。この分散
液を先に形成した下引層の上に乾燥後の膜厚が0.2μ
mとなるように浸漬コーティング法により塗工した。Next, as a dispersion for the charge generation layer, 5 parts of the following bisazo pigment was added to a solution prepared by dissolving 2 parts of polyvinyl benzal (a degree of benzalization of 75% or more) in 95 parts of cyclohexanone, and dispersed by a sand mill for 20 hours. . The thickness of the dispersion after drying was 0.2 μm on the undercoat layer formed earlier.
m by dip coating.
【0120】[0120]
【化12】 Embedded image
【0121】次いで、下記の構造式を有するトリアリー
ルアミン化合物5部とポリカーボネート樹脂(商品名
Z−200、三菱瓦斯化学(株)製)5部をクロロベン
ゼン70部に溶解した電荷輸送層用の液に平均粒径2μ
mのシリコーン樹脂微粒子0.3部を添加したものを前
記の電荷発生層の上に浸漬コーティング法により乾燥後
の膜厚が10μmとなるように塗工した。Next, 5 parts of a triarylamine compound having the following structural formula and a polycarbonate resin (trade name)
Z-200, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) was dissolved in 70 parts of chlorobenzene, and the solution for the charge transport layer was dissolved in 70 parts of chlorobenzene.
Then, 0.3 parts of silicone resin fine particles of m was added onto the above-mentioned charge generating layer by a dip coating method so that the film thickness after drying was 10 μm.
【0122】[0122]
【化13】 Embedded image
【0123】次に、合成例3で合成した4−[N,N−
ビス(3,4−ジメチルフェニル)アミノ]−[2−
(トリエトキシシリル)エチル]ベンゼン100部をト
ルエン167部に溶解し、ジブチル錫ジアセテート2部
を加え混合した溶液をスプレーコーティング法により塗
工した。Next, the 4- [N, N-
Bis (3,4-dimethylphenyl) amino]-[2-
(Triethoxysilyl) ethyl] benzene (100 parts) was dissolved in toluene (167 parts), and dibutyltin diacetate (2 parts) was added and mixed, and a solution was applied by spray coating.
【0124】140℃で4時間乾燥、熱硬化することで
2μmの表面保護層を形成した。By drying at 140 ° C. for 4 hours and heat curing, a 2 μm surface protective layer was formed.
【0125】この電子写真感光体を−700Vに帯電し
て波長680nmの光で電子写真特性を測定したとこ
ろ、E1/2 (−350Vまで帯電電位が減少するために
必要な露光量)が1.2μJ/cm2 、残留電位が−1
6Vと良好であった。When the electrophotographic photosensitive member was charged to -700 V and the electrophotographic characteristics were measured with light having a wavelength of 680 nm, E 1/2 (the amount of exposure necessary for decreasing the charging potential to -350 V) was 1 0.2 μJ / cm 2 , residual potential −1
It was as good as 6V.
【0126】本電子写真感光体をキヤノン製デジタルフ
ルカラー複写機CLC−500を副走査方向で63.5
μm、主走査方向で20μmの照射スポット径(1/e
2 )となるように改造した評価機を用いて初期帯電−4
00Vに設定して画像評価を行ったところ、初期及び1
0万枚耐久試験後も黒ポチ等の電荷注入もなく、感光体
の摩耗量も1.5μmと少なく、均一性の優れた画像出
力が得られ、階調再現性も400dpiで256階調と
きわめて良好であった。The electrophotographic photoreceptor was transferred to a Canon digital full-color copying machine CLC-500 at 63.5 in the sub-scanning direction.
μm, irradiation spot diameter of 20 μm in the main scanning direction (1 / e
2 ) Initial charging using an evaluator modified to become -4
When the image was evaluated by setting to 00V, the initial and 1
After the endurance test of 100,000 sheets, there was no charge injection such as black spots, the abrasion amount of the photoreceptor was as small as 1.5 μm, an image output with excellent uniformity was obtained, and the gradation reproducibility was 256 gradations at 400 dpi. Very good.
【0127】[比較例1]実施例1において保護層を塗
工しないこと以外は同様にして作製した電子写真感光体
の画像評価を行ったところ、2万枚の耐久試験後に黒ポ
チ等が大量に発生したために良好な画像は得られなかっ
た。感光体の摩耗量は2万枚で5μmときわめて大きか
った。[Comparative Example 1] An image of an electrophotographic photosensitive member produced in the same manner as in Example 1 except that the protective layer was not coated was evaluated. And no good image was obtained. The amount of wear of the photoreceptor was as large as 5 μm on 20,000 sheets.
【0128】[実施例2]引き抜き加工により得られた
外径30mmのアルミニウムシリンダー上に、フェノー
ル樹脂(商品名 プライオーフェン、大日本インキ化学
工業(株)製)167部をメチルセロソルブ100部に
溶解したものへ導電性硫酸バリウム超微粒子(1次粒径
50nm)200部及び平均粒径2μmのシリコーン樹
脂粒子3部を分散したものを浸漬コーティング法により
塗工し、乾燥後の膜厚が15μmの導電層を形成した。Example 2 167 parts of a phenolic resin (trade name: Plyofen, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) were dissolved in 100 parts of methyl cellosolve on an aluminum cylinder having an outer diameter of 30 mm obtained by drawing. A dispersion obtained by dispersing 200 parts of conductive barium sulfate ultrafine particles (primary particle diameter: 50 nm) and 3 parts of silicone resin particles having an average particle diameter of 2 μm by dip coating, and then drying to have a film thickness of 15 μm. A conductive layer was formed.
【0129】上記導電層上にアルコール可溶性共重合ナ
イロン(商品名 アミランCM−8000、東レ(株)
製)5部をメタノール95部に溶解した溶液を浸漬コー
ティング法により塗工した。80℃で10分間乾燥し
て、膜厚が1μmの下引層を形成した。On the conductive layer, an alcohol-soluble copolymerized nylon (trade name: Amilan CM-8000, manufactured by Toray Industries, Inc.)
(5 parts) in 95 parts of methanol was applied by dip coating. After drying at 80 ° C. for 10 minutes, an undercoat layer having a thickness of 1 μm was formed.
【0130】次に、電荷発生層用分散液としてCuKα
特性X線回折におけるブラッグ角(2θ±0.2°)の
9.0°、14.2°、23.9°及び27.1°に強
いピークを有するオキシチタニウムフタロシアニン顔料
5部をシクロヘキサン95部にポリビニルベンザール
(ベンザール化度75%以上)2部を溶解した液に加
え、サンドミルで2時間分散した。Next, CuKα was used as the dispersion for the charge generation layer.
5 parts of an oxytitanium phthalocyanine pigment having strong peaks at 9.0 °, 14.2 °, 23.9 ° and 27.1 ° in characteristic X-ray diffraction at Bragg angles (2θ ± 0.2 °) of 95 parts of cyclohexane Was added to a solution prepared by dissolving 2 parts of polyvinyl benzal (degree of benzalization of 75% or more), and dispersed by a sand mill for 2 hours.
【0131】この分散液を先に形成した下引層の上に乾
燥後の膜厚が0.2μmとなるように浸漬コーティング
法により塗工した。This dispersion was applied by dip coating on the previously formed undercoat layer so that the film thickness after drying was 0.2 μm.
【0132】次いで、合成例4で合成した有機ケイ素変
成トリアリールアミン化合物100部をトルエン167
部に溶解し、ジブチル錫ジアセテート2部を加え混合し
た溶液を前記の電荷発生層の上に浸漬コーティング法に
より塗工した。120℃で5時間乾燥、熱硬化して膜厚
10μmの透明で均一な電荷輸送層を形成した。Then, 100 parts of the organosilicon-modified triarylamine compound synthesized in Synthesis Example 4 was added to toluene 167
The mixture was dissolved in 2 parts, and a solution obtained by adding 2 parts of dibutyltin diacetate and mixing was applied onto the charge generation layer by a dip coating method. After drying at 120 ° C. for 5 hours and heat curing, a transparent and uniform charge transport layer having a thickness of 10 μm was formed.
【0133】鉛筆硬度は5Hであり、水の接触角は10
5度であった。The pencil hardness is 5H and the contact angle of water is 10
5 degrees.
【0134】この電子写真感光体を−700Vに帯電
し、露光しないで1秒後の表面電位を測定したところ、
暗減衰は40Vであった。The electrophotographic photosensitive member was charged to -700 V, and the surface potential after one second without exposure was measured.
The dark decay was 40V.
【0135】また、波長680nmの光を用いて電子写
真特性を測定したところ、E1/2 (−350Vまで帯電
電位が減少するために必要な露光量)が0.2μJ/c
m2、残留電位が−22Vと良好であった。When the electrophotographic characteristics were measured using light having a wavelength of 680 nm, E 1/2 (exposure required for decreasing the charging potential to −350 V) was 0.2 μJ / c.
m 2, the residual potential was good and -22V.
【0136】本電子写真感光体をキヤノン製レーザービ
ームプリンタLBP−8IVの改造機(スポット径(1/
e2 )を副走査方向で63.5μm、主走査方向で20
μmに改造)を用い初期帯電−500Vに設定して画像
評価を行ったところ、4000枚の耐久試験後の感光体
の摩耗量は0.1μm以下と極めて少なく、耐久後の水
の接触角も100度と良好で、画像の劣化もなく、60
0dpi相当の入力信号においてのハイライト部の1画
素再現性も十分であった。This electrophotographic photoreceptor was used with a modified laser beam printer LBP-8IV (a spot diameter (1/1)).
e 2 ) is 63.5 μm in the sub-scanning direction and 20 in the main scanning direction.
The image was evaluated by setting the initial charge to -500 V using a remodeling of μm, and the abrasion loss of the photoreceptor after the durability test of 4000 sheets was extremely small at 0.1 μm or less. Good at 100 degrees, no image degradation, 60
One-pixel reproducibility of a highlight portion in an input signal corresponding to 0 dpi was also sufficient.
【0137】[比較例2]実施例1において用いたトリ
アリールアミン化合物5部とポリカーボネート樹脂(商
品名 Z−200、三菱瓦斯化学(株)製)5部をクロ
ロベンゼン70部に溶解した電荷輸送層用の液を実施例
2の電荷発生層の上に浸漬コーティング法により塗工す
ることによって、乾燥後の膜厚が10μmの電荷輸送層
を形成した。得られた電子写真感光体を実施例2と同様
に評価したところ、4000枚の耐久試験後は干渉縞及
び黒ポチが認められ、摩耗量が1.8μmと大きく、水
の接触角も72度と小さいために不良であり、600d
piでのハイライト部の1画素再現性も不十分でムラが
あった。Comparative Example 2 A charge transport layer in which 5 parts of the triarylamine compound used in Example 1 and 5 parts of a polycarbonate resin (trade name: Z-200, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) were dissolved in 70 parts of chlorobenzene. A charge transport layer having a thickness of 10 μm after drying was formed by applying a liquid for use on the charge generation layer of Example 2 by a dip coating method. When the obtained electrophotographic photosensitive member was evaluated in the same manner as in Example 2, after 4000 sheets of the durability test, interference fringes and black spots were recognized, the abrasion amount was as large as 1.8 μm, and the contact angle of water was 72 degrees. 600d
The reproducibility of one pixel of the highlight part in pi was also insufficient and there was unevenness.
【0138】[実施例3]実施例2と同様のアルミニウ
ムシリンダー上に、フェノール樹脂(商品名 プライオ
ーフェン、大日本インキ化学工業(株)製)167部を
メチルセロソルブ100部に溶解したものへ導電性硫酸
バリウム超微粒子(1次粒径50nm)200部を分散
したものを浸漬コーティング法により、乾燥後の膜厚が
10μmとなるように塗工した。この導電性支持体に実
施例2と同様にして膜厚1μmの下引層及び膜厚0.2
μmの電荷発生層を形成した。Example 3 A phenol resin (trade name: Pryofen, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) was dissolved in 167 parts of methylcellosolve in 100 parts of methylcellosolve on the same aluminum cylinder as in Example 2. A dispersion in which 200 parts of ultra-fine barium sulfate particles (primary particle diameter: 50 nm) were dispersed was applied by a dip coating method so that the film thickness after drying was 10 μm. The undercoat layer having a thickness of 1 μm and the thickness of 0.2 were formed on this conductive support in the same manner as in Example 2.
A μm charge generation layer was formed.
【0139】次いで、合成例3で合成した有機ケイ素変
成トリアリールアミン化合物100部をトルエン167
部に溶解し、ジブチル錫ジアセテート2部を加え混合し
た溶液に更に平均粒径3μmのSiO2 微粒子1.25
部を添加したものを前記の電荷発生層の上に浸漬コーテ
ィング法により塗工した。120℃で5時間乾燥、熱硬
化して膜厚10μmの電荷輸送層を形成した。顕微鏡で
観察したところSiO 2 粒子以外は透明で均一であっ
た。Then, the organosilicon compound synthesized in Synthesis Example 3 was synthesized.
100 parts of the synthesized triarylamine compound was dissolved in toluene 167
In 2 parts, add 2 parts of dibutyltin diacetate and mix.
Solution with an average particle size of 3 μmTwoFine particles 1.25
Of the charge generating layer was added to the charge generating layer.
Coating was performed by the coating method. Dry at 120 ° C for 5 hours, heat hardened
To form a charge transport layer having a thickness of 10 μm. With a microscope
Observed SiO TwoExcept for the particles, they are transparent and uniform.
Was.
【0140】鉛筆硬度は4Hであり、水の接触角は11
0度であった。The pencil hardness was 4H and the contact angle of water was 11
It was 0 degrees.
【0141】この電子写真感光体を−700Vに帯電
し、波長680nmの光を用いて電子写真特性を測定し
たところ、E1/2 (−350Vまで帯電電位が減少する
ために必要な露光量)が0.23μJ/cm2 、残留電
位−21Vと良好であった。This electrophotographic photosensitive member was charged to -700 V, and the electrophotographic characteristics were measured using light having a wavelength of 680 nm. E 1/2 (exposure amount required to reduce the charging potential to -350 V) Was 0.23 μJ / cm 2 and the residual potential was −21 V.
【0142】本電子写真感光体を実施例2と同様のキヤ
ノン製レーザービームプリンタを用い、初期帯電−50
0Vに設定して画像評価を行ったところ、1万枚の耐久
試験後の感光体の摩耗量は0.2μmと少なく、水の接
触角は102度と良好で黒ポチ等の電荷注入及び干渉縞
による画像の劣化もなく、600dpi相当の入力信号
においてのハイライト部の1画素再現性も十分であっ
た。The electrophotographic photoreceptor was charged with an initial charge of -50 using the same Canon laser beam printer as in Example 2.
When the image was evaluated at 0 V, the abrasion of the photoreceptor after the durability test of 10,000 sheets was as small as 0.2 μm, the contact angle of water was as good as 102 °, and the injection of charge such as black spots and interference. There was no deterioration of the image due to the stripes, and the reproducibility of one pixel of the highlight portion in an input signal equivalent to 600 dpi was sufficient.
【0143】[実施例4]実施例1と同様にして、電荷
発生層まで形成した。Example 4 In the same manner as in Example 1, a charge generation layer was formed.
【0144】次いで、実施例1で用いた電荷輸送層用の
液に平均粒径2μmのシリコーン樹脂微粒子0.1部を
添加したものを前記の電荷発生層の上に浸漬コーティン
グ法により乾燥後の膜厚が9μmとなるように塗工し
た。Next, a solution prepared by adding 0.1 parts of silicone resin fine particles having an average particle size of 2 μm to the liquid for the charge transport layer used in Example 1 was dried on the charge generation layer by a dip coating method. Coating was performed so that the film thickness became 9 μm.
【0145】次に、表面保護層として合成例3で合成し
た4−[N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)ア
ミノ]−[2−(トリエトキシシリル)エチル]ベンゼ
ン100部をトルエン167部溶解し、ジブチル錫ジア
セテート2部を加え混合した溶液をスプレーコーティン
グ法により塗工した。Next, 100 parts of 4- [N, N-bis (3,4-dimethylphenyl) amino]-[2- (triethoxysilyl) ethyl] benzene synthesized in Synthesis Example 3 was used as a surface protective layer in toluene. 167 parts were dissolved, and 2 parts of dibutyltin diacetate was added and mixed, and a mixed solution was applied by a spray coating method.
【0146】140℃で4時間乾燥、熱硬化することで
透明で均一な膜厚が3μmの表面保護層を形成した。鉛
筆硬度は2Hであり、水の接触角は115度であった。By drying and heat curing at 140 ° C. for 4 hours, a transparent and uniform surface protective layer having a thickness of 3 μm was formed. The pencil hardness was 2H and the contact angle of water was 115 degrees.
【0147】この電子写真感光体の電子写真特性を実施
例1と同様にして評価したところ、E1/2 が1.0μJ
/cm2 で、残留電位が−25Vと良好であった。When the electrophotographic characteristics of this electrophotographic photosensitive member were evaluated in the same manner as in Example 1, the E1 / 2 was 1.0 μJ.
/ Cm 2 , the residual potential was as good as −25V.
【0148】また、この電子写真感光体を実施例1と同
様のデジタルフルカラー複写機を用いて初期帯電−40
0Vに設定して画像評価を行ったところ、1万枚の耐久
試験後の摩耗量は0.13μmときわめて少なく、水の
接触角は109度であり、ハイライト部、高濃度部の再
現性の優れた画像が得られた。Further, the electrophotographic photosensitive member was initially charged to -40 using the same digital full-color copying machine as in Example 1.
When the image was evaluated at 0 V, the abrasion loss after the durability test of 10,000 sheets was extremely small at 0.13 μm, the contact angle of water was 109 degrees, and the reproducibility of the highlight portion and the high density portion was obtained. Excellent image was obtained.
【0149】[実施例5]実施例2と同様にして、電荷
発生層まで形成した。Example 5 In the same manner as in Example 2, a charge generation layer was formed.
【0150】次いで、合成例8で合成した有機ケイ素変
成トリアリールアミン化合物100部をトルエン167
部に溶解し、ジブチル錫ジアセテート2部を加え混合し
た溶液を前記の電荷発生層の上に浸漬コーティング法に
より塗工した。120℃にて5時間乾燥、熱硬化して電
荷輸送層の膜厚が10μmの本発明の感光体を作製し
た。Subsequently, 100 parts of the organosilicon-modified triarylamine compound synthesized in Synthesis Example 8 was added to toluene 167
The mixture was dissolved in 2 parts, and a solution obtained by adding 2 parts of dibutyltin diacetate and mixing was applied onto the charge generation layer by a dip coating method. After drying at 120 ° C. for 5 hours and heat curing, the photoreceptor of the present invention having a charge transport layer having a thickness of 10 μm was prepared.
【0151】鉛筆硬度は5Hであり、水の接触角は10
7度であった。The pencil hardness is 5H and the contact angle of water is 10
7 degrees.
【0152】実施例2と同様にして電子写真特性を測定
したところ、E1/2 が0.20μJ/cm2 、残留電位
が−25Vであった。When the electrophotographic characteristics were measured in the same manner as in Example 2, the E 1/2 was 0.20 μJ / cm 2 and the residual potential was -25 V.
【0153】本電子写真感光体を実施例2と同様のレー
ザービームプリンタを用いて、初期帯電−500Vに設
定して画像評価を行ったところ、1万枚の耐久試験後の
摩耗量は0.28μmときわめて少なく、水の接触角は
98度であり良好で黒ポチ等の電荷注入及び干渉縞によ
る画像の劣化もなく、600dpi相当の入力信号にお
いてのハイライト部の1画素再現性も十分であった。The image of this electrophotographic photosensitive member was evaluated at an initial charge of -500 V using the same laser beam printer as in Example 2. The abrasion loss after a 10,000-sheet endurance test was 0. The contact angle of water is 98 degrees, which is extremely small, and is 98 degrees, which is good. There is no deterioration of the image due to charge injection such as black spots and interference fringes. there were.
【0154】[0154]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、光散乱や
ブリードがなく、均一な状態の表面層であって低表面エ
ネルギーと機械的、電気的耐久性を両立した電子写真感
光体、及び該電子写真感光体を有するプロセスカートリ
ッジ及び画像形成装置を提供することができた。As described above, according to the present invention, an electrophotographic photoreceptor having a uniform surface layer without light scattering or bleed and having both low surface energy and mechanical and electrical durability. And a process cartridge and an image forming apparatus having the electrophotographic photosensitive member.
【図1】本発明の電子写真感光体の第1の例の層構成を
示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a layer configuration of a first example of an electrophotographic photosensitive member of the present invention.
【図2】本発明の電子写真感光体の第1の例の層構成を
示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a layer configuration of a first example of the electrophotographic photosensitive member of the present invention.
【図3】光の強度分布、スポット径及び光のスポット面
積と感光層の厚さの積の関係を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a light intensity distribution, a spot diameter, and a product of a light spot area and a thickness of a photosensitive layer.
【図4】本発明の画像形成装置の第1の例の概略構成を
示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a schematic configuration of a first example of the image forming apparatus of the present invention.
【図5】本発明の画像形成装置の第2の例の概略構成を
示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a schematic configuration of a second example of the image forming apparatus of the present invention.
【図6】合成例1の4−[2−(トリエトキシシリル)
エチル]トリフェニルアミンのH−NMRスペクトルで
ある。FIG. 6 shows 4- [2- (triethoxysilyl) of Synthesis Example 1.
1 is an H-NMR spectrum of [ethyl] triphenylamine.
【図7】合成例3の4−[N,N−ビス(3,4−ジメ
チルフェニル)アミノ]−[2−(トリエトキシシリ
ル)エチル]ベンゼンのH−NMRスペクトルである。FIG. 7 is an H-NMR spectrum of 4- [N, N-bis (3,4-dimethylphenyl) amino]-[2- (triethoxysilyl) ethyl] benzene of Synthesis Example 3.
【図8】合成例3の4−[N,N−ビス(3,4−ジメ
チルフェニル)アミノ]−[2−(トリエトキシシリ
ル)エチル]ベンゼンのC−NMRスペクトルである。8 is a C-NMR spectrum of 4- [N, N-bis (3,4-dimethylphenyl) amino]-[2- (triethoxysilyl) ethyl] benzene of Synthesis Example 3. FIG.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平岡 敬子 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 青木 活水 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 ▲吉▼永 和夫 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Keiko Hiraoka, Inventor 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. Incorporated (72) Inventor ▲ Yoshi ▼ Kazuo Naga 3-10-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc.
Claims (18)
電子写真感光体において、該電子写真感光体の表面層が
下記式(1) 【化1】 (Aは正孔輸送性基を示し、Qは加水分解性基または水
酸基を示し、R2 は置換もしくは無置換の一価炭化水素
基を示し、R3 は置換もしくは無置換のアルキレン基ま
たはアリーレン基を示し、mは1〜3の整数を示し、l
は正の整数を示し、m×lは3以上である。)で示され
る有機ケイ素変成正孔輸送性化合物をモノマー成分とし
て重縮合することによって得られる樹脂を含有すること
を特徴とする電子写真感光体。An electrophotographic photoreceptor having a support and a photosensitive layer on the support, wherein the surface layer of the electrophotographic photoreceptor has the following formula (1): (A represents a hole transporting group, Q represents a hydrolyzable group or a hydroxyl group, R 2 represents a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, and R 3 represents a substituted or unsubstituted alkylene group or arylene. M represents an integer of 1 to 3;
Represents a positive integer, and m × l is 3 or more. An electrophotographic photoreceptor comprising a resin obtained by polycondensing the organosilicon-modified hole transporting compound represented by the formula (1) as a monomer component.
感光体。2. The electrophotographic photoreceptor according to claim 1, wherein m is 3.
ケイ素変成正孔輸送性化合物のみである請求項1または
2に記載の電子写真感光体。3. The electrophotographic photoreceptor according to claim 1, wherein the monomer component is only the organosilicon-modified hole transporting compound represented by the formula (1).
くとも1つは芳香族炭化水素環基または複素環基を示
し、R4 、R5 及びR6 は同一であっても異なっていて
もよい。)で示される請求項1乃至3のいずれかに記載
の電子写真感光体。4. A is represented by the following formula (2). (R 4 , R 5 and R 6 are organic groups, at least one of which represents an aromatic hydrocarbon ring group or a heterocyclic group, and R 4 , R 5 and R 6 are the same or different. The electrophotographic photoreceptor according to any one of claims 1 to 3, wherein
5〜6.2eVのイオン化ポテンシャルを有する請求項
1乃至4のいずれかに記載の電子写真感光体。5. The modified organosilicon hole-transporting compound.
5. The electrophotographic photoreceptor according to claim 1, which has an ionization potential of 5 to 6.2 eV.
10-7cm2 /Vsec以上のドリフト移動度を有する
請求項1乃至5のいずれかに記載の電子写真感光体。6. The modified organosilicon hole transporting compound is 1 ×
The electrophotographic photosensitive member according to any one of claims 1 to 5 with a 10 -7 cm 2 / Vsec or more drift mobility.
段及びクリーニング手段からなる群より選ばれる少なく
ともひとつの手段を有し、該電子写真感光体及び該少な
くともひとつの手段を一体に支持するプロセスカートリ
ッジにおいて、該電子写真感光体が支持体及び該支持体
上の感光層を有する電子写真感光体であって、該電子写
真感光体の表面層が下記式(1) 【化3】 (Aは正孔輸送性基を示し、Qは加水分解性基または水
酸基を示し、R2 は置換もしくは無置換の一価炭化水素
基を示し、R3 は置換もしくは無置換のアルキレン基ま
たはアリーレン基を示し、mは1〜3の整数を示し、l
は正の整数を示し、m×lは3以上である。)で示され
る有機ケイ素変成正孔輸送性化合物をモノマー成分とし
て重縮合することによって得られる樹脂を含有すること
を特徴とするプロセスカートリッジ。7. A process comprising: an electrophotographic photosensitive member; and at least one unit selected from the group consisting of a charging unit, a developing unit, and a cleaning unit, and integrally supporting the electrophotographic photosensitive member and the at least one unit. In the cartridge, the electrophotographic photosensitive member is an electrophotographic photosensitive member having a support and a photosensitive layer on the support, and the surface layer of the electrophotographic photosensitive member has the following formula (1): (A represents a hole transporting group, Q represents a hydrolyzable group or a hydroxyl group, R 2 represents a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, and R 3 represents a substituted or unsubstituted alkylene group or arylene. M represents an integer of 1 to 3;
Represents a positive integer, and m × l is 3 or more. A process cartridge comprising a resin obtained by polycondensing the organosilicon-modified hole-transporting compound represented by the formula (1) as a monomer component.
カートリッジ。8. The process cartridge according to claim 7, wherein m is 3.
ケイ素変成正孔輸送性化合物のみである請求項7または
8に記載のプロセスカートリッジ。9. The process cartridge according to claim 7, wherein the monomer component is only the organosilicon-modified hole transporting compound represented by the formula (1).
くとも1つは芳香族炭化水素環基または複素環基を示
し、R4 、R5 及びR6 は同一であっても異なっていて
もよい。)で示される請求項7乃至9のいずれかに記載
のプロセスカートリッジ。10. A is a compound represented by the following formula (2). (R 4 , R 5 and R 6 are organic groups, at least one of which represents an aromatic hydrocarbon ring group or a heterocyclic group, and R 4 , R 5 and R 6 are the same or different. The process cartridge according to any one of claims 7 to 9, wherein:
4.5〜6.2eVのイオン化ポテンシャルを有する請
求項7乃至10のいずれかに記載のプロセスカートリッ
ジ。11. The process cartridge according to claim 7, wherein the modified organosilicon hole transporting compound has an ionization potential of 4.5 to 6.2 eV.
×10-7cm2 /Vsec以上のドリフト移動度を有す
る請求項7乃至11のいずれかに記載のプロセスカート
リッジ。12. The modified silicon-transporting hole-transporting compound is one of
The process cartridge according to claim 7, having a drift mobility of × 10 −7 cm 2 / Vsec or more.
段、現像手段及び転写手段を有する画像形成装置におい
て、該電子写真感光体が支持体及び該支持体上の感光層
を有する電子写真感光体であって、該電子写真感光体の
表面層が下記式(1) 【化5】 (Aは正孔輸送性基を示し、Qは加水分解性基または水
酸基を示し、R2 は置換もしくは無置換の一価炭化水素
基を示し、R3 は置換もしくは無置換のアルキレン基ま
たはアリーレン基を示し、mは1〜3の整数を示し、l
は正の整数を示し、m×lは3以上である。)で示され
る有機ケイ素変成正孔輸送性化合物をモノマー成分とし
て重縮合することによって得られる樹脂を含有すること
を特徴とする画像形成装置。13. An image forming apparatus having an electrophotographic photosensitive member, a charging unit, an exposing unit, a developing unit and a transferring unit, wherein the electrophotographic photosensitive member has a support and a photosensitive layer on the support. Wherein the surface layer of the electrophotographic photoreceptor has the following formula (1): (A represents a hole transporting group, Q represents a hydrolyzable group or a hydroxyl group, R 2 represents a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, and R 3 represents a substituted or unsubstituted alkylene group or arylene. M represents an integer of 1 to 3;
Represents a positive integer, and m × l is 3 or more. An image forming apparatus comprising a resin obtained by polycondensing the organosilicon-modified hole transporting compound represented by the formula (1) as a monomer component.
形成装置。14. The image forming apparatus according to claim 13, wherein m is 3.
機ケイ素変成正孔輸送性化合物のみである請求項13ま
たは14に記載の電子写真装置。15. The electrophotographic apparatus according to claim 13, wherein the monomer component is only the organosilicon-modified hole transporting compound represented by the formula (1).
くとも1つは芳香族炭化水素環基または複素環基を示
し、R4 、R5 及びR6 は同一であっても異なっていて
もよい。)で示される請求項13乃至15のいずれかに
記載の画像形成装置。16. A is represented by the following formula (2): (R 4 , R 5 and R 6 are organic groups, at least one of which represents an aromatic hydrocarbon ring group or a heterocyclic group, and R 4 , R 5 and R 6 are the same or different. The image forming apparatus according to any one of claims 13 to 15, wherein
4.5〜6.2eVのイオン化ポテンシャルを有する請
求項13乃至16のいずれかに記載の画像形成装置。17. The image forming apparatus according to claim 13, wherein the modified organosilicon hole transporting compound has an ionization potential of 4.5 to 6.2 eV.
×10-7cm2 /Vsec以上のドリフト移動度を有す
る請求項13乃至17のいずれかに記載の画像形成装
置。18. The modified organosilicon hole transporting compound is one of
The image forming apparatus according to claim 13, wherein the image forming apparatus has a drift mobility of × 10 −7 cm 2 / Vsec or more.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11561298A JP4040165B2 (en) | 1997-04-30 | 1998-04-24 | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge having the electrophotographic photosensitive member, and image forming apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11263997 | 1997-04-30 | ||
JP9-112639 | 1997-04-30 | ||
JP11561298A JP4040165B2 (en) | 1997-04-30 | 1998-04-24 | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge having the electrophotographic photosensitive member, and image forming apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1115185A true JPH1115185A (en) | 1999-01-22 |
JP4040165B2 JP4040165B2 (en) | 2008-01-30 |
Family
ID=26451755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11561298A Expired - Fee Related JP4040165B2 (en) | 1997-04-30 | 1998-04-24 | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge having the electrophotographic photosensitive member, and image forming apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4040165B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001092162A (en) * | 1999-09-27 | 2001-04-06 | Konica Corp | Electrophotographic photoreceptor, image forming device using same, image forming method and process cartrige |
JP2015098459A (en) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 信越化学工業株式会社 | Nitrogen-containing organoxy silane compound-containing composition, and preparation method thereof |
-
1998
- 1998-04-24 JP JP11561298A patent/JP4040165B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001092162A (en) * | 1999-09-27 | 2001-04-06 | Konica Corp | Electrophotographic photoreceptor, image forming device using same, image forming method and process cartrige |
JP2015098459A (en) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 信越化学工業株式会社 | Nitrogen-containing organoxy silane compound-containing composition, and preparation method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4040165B2 (en) | 2008-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3267519B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge having the electrophotographic photosensitive member, and image forming apparatus | |
EP0772091B1 (en) | An electrophotographic photosensitive member, a process-cartridge inclusive thereof, and an image forming apparatus | |
US6296978B1 (en) | Electrophotographic photosensitive member, a process-cartridge inclusive thereof, and an image forming apparatus | |
JP4136238B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus | |
JP3684068B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus | |
JP2019200274A (en) | Method for manufacturing electrophotographic photoreceptor, coating liquid for forming photosensitive layer, electrophotographic photoreceptor, and image forming apparatus | |
US7358016B2 (en) | Electrophotographic photoreceptor and electrophoto-graphic apparatus equipped with the same | |
JP2000206723A (en) | Electrophotographic photoreceptor and process cartridge and electrophotographic device | |
JP5737051B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member and method for manufacturing the same, image forming method, image forming apparatus, and process cartridge | |
JP4040165B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge having the electrophotographic photosensitive member, and image forming apparatus | |
JP3618962B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, electrophotographic apparatus and process cartridge using the electrophotographic photosensitive member | |
JP3854895B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge having the electrophotographic photosensitive member, and electrophotographic apparatus | |
KR101483894B1 (en) | Electrophotographic photoconductor, image forming method, image forming apparatus, and process cartridge | |
JPH10301318A (en) | Electrophotographic photoreceptor, process cartridge and image forming device | |
JP2748736B2 (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JP2006076894A (en) | Hydrazone compound and electrophotographic photo-sensitive body using the hydrazone compound, and image forming apparatus equipped with the electrophotographic photo-sensitive body | |
JP2000122320A (en) | Electrophotographic photoreceptor, process cartridge and electrophotographic device | |
JP3937955B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge having the electrophotographic photosensitive member, and image forming apparatus | |
JP2004053912A (en) | Electrophotographic photoreceptor and process cartridge and image forming apparatus having the electrophotographic photoreceptor | |
JPH10301305A (en) | Electrophotographic photoreceptor, process cartridge and image forming device | |
JP4227381B2 (en) | Method for producing electrophotographic photosensitive member | |
JP2004037834A (en) | Electrophotographic photoreceptor, process cartridge having the electrophotographic photoreceptor, and image forming device | |
JP2004045992A (en) | Electrophotographic photoreceptor, process cartridge having electrophotographic photoreceptor, and image forming apparatus | |
JP2000131860A (en) | Electrophotographic photoreceptor, its manufacture, process cartridge and electrophotographic apparatus | |
JP3944028B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050303 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050413 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051101 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051201 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060113 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20060203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071107 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111116 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121116 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131116 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |