JPH11146635A - Direct current power supply - Google Patents

Direct current power supply

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JPH11146635A
JPH11146635A JP9307608A JP30760897A JPH11146635A JP H11146635 A JPH11146635 A JP H11146635A JP 9307608 A JP9307608 A JP 9307608A JP 30760897 A JP30760897 A JP 30760897A JP H11146635 A JPH11146635 A JP H11146635A
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JP
Japan
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load
output
power supply
fet
voltage
Prior art date
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Application number
JP9307608A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Usui
浩 臼井
Seiya Fukumoto
征也 福本
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Sanken Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanken Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To protect a direct current power supply against overloading and load short-circuiting through a simple circuit. SOLUTION: An n-channel MOS-FET 21 for overcurrent protection which is kept in ON state with a normal load, and brought into OFF state to interrupt an output current supplied to a load 6 when overloading or load short-circuiting occurs is connected between an output capacitor 5 and the load 6. With a normal load, the n-channel MOS-FET 21 is kept in ON state. Therefore, direct current output VOUT of constant voltage output from the output capacitor 5 is supplied to the load 6 through the n-channel MOS-FET 21 by the on/off operation of the MOS-FET 3. If the load 6 is overloaded or short-circuited the n-channel MOS-FET 21 is shifted from ON state to OFF state, and the output current VOUT supplied from the output capacitor 5 to the load 6 is interrupted. For the reason, the direct current power supply can be protected against overloading and load short-circuiting with reliability through a simple circuit.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、簡素な回路構成で
確実に電源装置の過電流保護が可能な直流電源装置に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a DC power supply capable of reliably protecting a power supply from overcurrent with a simple circuit configuration.

【0002】[0002]

【従来の技術】直流電源の直流入力をオン・オフ動作に
より断続して高周波電力に変換するスイッチング素子
と、高周波電力を負荷に供給する直流出力に変換する直
流変換回路とを備え、負荷に供給される直流出力に応じ
てスイッチング素子をオン・オフ制御することにより負
荷に定電圧の直流出力を供給する直流電源装置は、従来
から電子機器等の電源回路に広く使用されている。例え
ば、図8に示す従来の直流電源装置としての昇圧チョッ
パ型コンバータは、バッテリ又は整流回路等の直流電源
1と、直流電源1の両端に直列に接続されるリアクトル
2及びスイッチング素子としてのMOS-FET3と、
MOS-FET3の両端に直列に接続される出力ダイオ
ード4及び出力コンデンサ5と、出力コンデンサ5の両
端に接続される負荷6と、負荷6に供給される直流出力
電圧VOUTに応じてMOS-FET3のゲート端子に付与
するオン・オフ制御信号VGを発生する制御回路7とを
備えている。この昇圧チョッパ型コンバータでは、MO
S-FET3のオン・オフ動作により直流電源1からの
直流入力電流が断続されて高周波電力に変換され、この
高周波電力がリアクトル2及び出力コンデンサ5から成
る直流変換回路により負荷6に供給する直流出力電圧V
OUTに変換される。出力コンデンサ5及び負荷6間の負
側のラインには、負荷6に流れる出力電流IOUTをそれ
に対応する電圧として検出する電流検出用抵抗8が接続
されている。制御回路7は、直流出力電圧VOUTの基準
電圧VR1を発生する基準電源9、及び負荷6に供給され
る直流出力電圧VOUTと基準電源9の基準電圧VR1とを
比較するコンパレータ10から成る出力電圧検出回路1
1と、負荷6に流れる出力電流IOUTの制限値に対応す
る基準電圧VB2を発生する基準電源12、及び電流検出
用抵抗8の検出電圧と基準電源12の基準電圧VB2とを
比較するコンパレータ13から成る過電流検出回路14
と、ダイオード15を通して出力される出力電圧検出回
路11のコンパレータ10の比較出力とダイオード16
を通して出力される過電流検出回路14のコンパレータ
13の比較出力との論理和信号に基づいてパルス幅可変
のPWM(パルス幅変調)信号を発生すると共にこのP
WM信号をオン・オフ制御信号VGとしてMOS-FET
3のゲート端子に付与するPWM信号発生回路17とか
ら構成されている。
2. Description of the Related Art A switching element for intermittently converting a DC input of a DC power supply by an on / off operation to convert to a high frequency power, and a DC conversion circuit for converting a high frequency power to a DC output for supplying to a load are provided to the load. 2. Description of the Related Art A DC power supply device that supplies a constant-voltage DC output to a load by controlling on / off of a switching element according to a DC output to be performed has been widely used in power supply circuits of electronic devices and the like. For example, a boost chopper type converter as a conventional DC power supply device shown in FIG. 8 includes a DC power supply 1 such as a battery or a rectifier circuit, a reactor 2 connected in series to both ends of the DC power supply 1, and a MOS-type switching element. FET3,
The output diode 4 and the output capacitor 5 connected in series to both ends of the MOS-FET 3, the load 6 connected to both ends of the output capacitor 5, and the MOS-FET 3 according to the DC output voltage V OUT supplied to the load 6. and a control circuit 7 for generating an on-off control signal V G to be applied to the gate terminal of the. In this boost chopper type converter, MO
The DC input current from the DC power supply 1 is intermittently converted by the ON / OFF operation of the S-FET 3 to be converted into high frequency power, and this high frequency power is supplied to the load 6 by the DC conversion circuit including the reactor 2 and the output capacitor 5. Voltage V
Converted to OUT . A current detecting resistor 8 for detecting an output current I OUT flowing through the load 6 as a corresponding voltage is connected to a negative line between the output capacitor 5 and the load 6. Control circuit 7, the comparator 10 for comparing the reference voltage V R1 of the DC output voltage V OUT of the reference power source 9 for generating a reference voltage V R1, and the DC output voltage V OUT and the reference power source 9 to be supplied to the load 6 Output voltage detection circuit 1
Compare 1, reference power source 12 generates a reference voltage V B2 corresponding to the limit value of the output current I OUT flowing through the load 6, and a reference voltage V B2 of the detected voltage and the reference power source 12 of the current detection resistor 8 Overcurrent detection circuit 14 comprising comparator 13
And the comparison output of the comparator 10 of the output voltage detection circuit 11 output through the diode 15 and the diode 16
A PWM (pulse width modulation) signal having a variable pulse width is generated based on a logical sum signal with the comparison output of the comparator 13 of the overcurrent detection circuit 14 output through
MOS-FET a WM signal as an on-off control signal V G
3 and a PWM signal generating circuit 17 provided to the gate terminal.

【0003】図8に示す昇圧チョッパ型コンバータにお
いて、MOS-FET3がオン状態のときは直流電源1
からリアクトル2及びMOS-FET3に電流が流れ、
リアクトル2にエネルギが蓄積される。MOS-FET
3がオン状態からオフ状態になると、リアクトル2に蓄
積されたエネルギが放出され、出力ダイオード4及び出
力コンデンサ5を介して負荷6に直流出力電圧VOUT
供給される。負荷6に供給される直流出力電圧V
OUTは、出力電圧検出回路11のコンパレータ10によ
り基準電源9の基準電圧VR1と比較される。一方、負荷
6に流れる出力電流IOUTは電流検出用抵抗8によりそ
れに対応する電圧として検出され、過電流検出回路14
のコンパレータ13により基準電源12の基準電圧VB2
と比較される。出力電圧検出回路11のコンパレータ1
0の比較出力と過電流検出回路14のコンパレータ13
の比較出力は、それぞれダイオード15、16により論
理和信号としてPWM信号発生回路17に入力される。
負荷6が通常の状態であるときは、電流検出用抵抗8の
検出電圧が基準電源12の基準電圧VB2よりも低く、過
電流検出回路14のコンパレータ13の比較出力が低レ
ベルとなるので、過電流検出回路14の出力信号は略0
となる。したがって、通常負荷時は、出力電圧検出回路
11の出力信号に基づいてPWM信号発生回路17から
出力されるPWM信号のパルス幅が制御され、制御回路
7からMOS-FET3のゲート端子に付与されるオン
・オフ制御信号VGのオン幅が制御される。これによ
り、負荷6に供給される直流出力電圧VOUTに応じてM
OS-FET3がオン・オフ制御され、負荷6に定電圧
の直流出力が供給される。
In the boost chopper type converter shown in FIG. 8, when the MOS-FET 3 is on,
Current flows through the reactor 2 and the MOS-FET 3 from the
Energy is stored in reactor 2. MOS-FET
When the switch 3 is turned off from the on state, the energy stored in the reactor 2 is released, and the DC output voltage V OUT is supplied to the load 6 via the output diode 4 and the output capacitor 5. DC output voltage V supplied to the load 6
OUT is compared with the reference voltage V R1 of the reference power supply 9 by the comparator 10 of the output voltage detection circuit 11. On the other hand, the output current I OUT flowing through the load 6 is detected by the current detection resistor 8 as a corresponding voltage, and the
The reference voltage V B2 of the reference power supply 12
Is compared to Comparator 1 of output voltage detection circuit 11
0 comparison output and comparator 13 of overcurrent detection circuit 14
Are output to the PWM signal generation circuit 17 as OR signals by the diodes 15 and 16, respectively.
When the load 6 is in a normal state, the detection voltage of the current detection resistor 8 is lower than the reference voltage V B2 of the reference power supply 12, and the comparison output of the comparator 13 of the overcurrent detection circuit 14 becomes low. The output signal of the overcurrent detection circuit 14 is substantially zero.
Becomes Therefore, at the time of a normal load, the pulse width of the PWM signal output from the PWM signal generation circuit 17 is controlled based on the output signal of the output voltage detection circuit 11, and is applied from the control circuit 7 to the gate terminal of the MOS-FET 3. oN width of the on-off control signal V G is controlled. As a result, according to the DC output voltage V OUT supplied to the load 6, M
The on / off control of the OS-FET 3 is performed, and a DC output of a constant voltage is supplied to the load 6.

【0004】負荷6が過負荷状態又は短絡状態になる
と、電流検出用抵抗8の検出電圧が基準電源12の基準
電圧VB2よりも高くなるので、過電流検出回路14のコ
ンパレータ13の比較出力が高レベルとなり、過電流検
出回路14から過電流検出信号が出力される。したがっ
て、過負荷又は負荷短絡時は、出力電圧検出回路11の
出力信号と過電流検出回路14の過電流検出信号との論
理和信号に基づいてPWM信号発生回路17から出力さ
れるPWM信号のパルス幅が狭められ、制御回路7から
MOS-FET3のゲート端子に付与されるオン・オフ
制御信号VGのオン幅が狭くなる。これにより、MOS-
FET3のオン期間が短くなり、負荷6に流れる出力電
流IOUTが一定値に制限される。
When the load 6 is overloaded or short-circuited, the detection voltage of the current detection resistor 8 becomes higher than the reference voltage V B2 of the reference power supply 12, so that the comparison output of the comparator 13 of the overcurrent detection circuit 14 It becomes high level, and the overcurrent detection circuit 14 outputs an overcurrent detection signal. Therefore, at the time of overload or load short-circuit, the pulse of the PWM signal output from the PWM signal generation circuit 17 based on the logical sum signal of the output signal of the output voltage detection circuit 11 and the overcurrent detection signal of the overcurrent detection circuit 14 width is narrowed, the oN width of the on-off control signal V G applied to the gate terminal of the MOS-FET 3 is narrowed from the control circuit 7. With this, MOS-
The ON period of the FET 3 is shortened, and the output current I OUT flowing through the load 6 is limited to a constant value.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、図8に示す
昇圧チョッパ型コンバータでは、過負荷又は負荷短絡時
においてMOS-FET3がオフ状態となっても、出力
コンデンサ5からの放電電流により比較的大きな出力電
流IOUTが流れる。このため、過負荷又は負荷短絡時に
おいて出力電流IOUTを大幅に制限することが困難とな
る。したがって、図8に示す昇圧チョッパ型コンバータ
において負荷6が短絡された場合、出力電流IOUTを十
分に制限することができず、そのときに流れる過大な電
流により昇圧チョッパ型コンバータが破壊される問題点
があった。
By the way, in the boost chopper type converter shown in FIG. 8, even when the MOS-FET 3 is turned off at the time of overload or load short-circuit, the discharge current from the output capacitor 5 causes a relatively large current. The output current I OUT flows. For this reason, it is difficult to significantly limit the output current I OUT at the time of overload or load short-circuit. Therefore, when the load 6 is short-circuited in the boost chopper type converter shown in FIG. 8, the output current I OUT cannot be limited sufficiently, and the excessive current flowing at that time destroys the boost chopper type converter. There was a point.

【0006】そこで、本発明では回路構成が簡素でかつ
電源装置を過負荷又は負荷短絡から確実に保護できる直
流電源装置を提供することを目的とする。
It is an object of the present invention to provide a DC power supply having a simple circuit configuration and capable of reliably protecting the power supply from overload or load short-circuit.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明による直流電源装
置は、直流電源の直流入力をオン・オフ動作により断続
して高周波電力に変換する少なくとも1つのスイッチン
グ素子と、前記高周波電力を負荷に供給する直流出力に
変換する直流変換回路とを備え、前記直流出力に応じて
前記スイッチング素子をオン・オフ制御することにより
前記負荷に定電圧の直流出力を供給する。この直流電源
装置では、前記直流変換回路と前記負荷との間に過電流
保護用スイッチング素子を接続し、該過電流保護用スイ
ッチング素子は通常負荷時においてオン状態を保持しか
つ過負荷又は負荷短絡時にオフ状態となり前記負荷に供
給する出力電流を遮断する。本発明の他の実施形態で
は、前記直流電源装置は前記直流電源の直流入力電圧よ
り高い直流出力電圧を前記負荷に供給する昇圧コンバー
タであり、前記過電流保護用スイッチング素子は前記負
荷に供給される直流出力電圧が前記直流電源の直流入力
電圧より低下したときにオフ状態となる。
SUMMARY OF THE INVENTION A DC power supply according to the present invention supplies at least one switching element for intermittently converting a DC input of a DC power supply into an RF power by ON / OFF operation, and supplies the RF power to a load. A DC conversion circuit for converting the switching element into a DC output to supply a constant-voltage DC output to the load by controlling ON / OFF of the switching element according to the DC output. In this DC power supply device, a switching element for overcurrent protection is connected between the DC conversion circuit and the load, and the switching element for overcurrent protection keeps an ON state during a normal load and overloads or short-circuits a load. At this time, it is turned off, and the output current supplied to the load is cut off. In another embodiment of the present invention, the DC power supply is a boost converter that supplies a DC output voltage higher than a DC input voltage of the DC power supply to the load, and the overcurrent protection switching element is supplied to the load. When the DC output voltage falls below the DC input voltage of the DC power supply, the power supply is turned off.

【0008】通常の負荷の場合、過電流保護用スイッチ
ング素子がオン状態を保持しているため、電力変換部の
スイッチング素子のオン・オフ動作により直流変換回路
から出力される定電圧の直流出力が過電流保護用スイッ
チング素子を通して負荷に供給される。負荷が過負荷状
態又は短絡状態になると、過電流保護用スイッチング素
子がオン状態からオフ状態となり、電力変換部のスイッ
チング素子のオン・オフ動作により直流変換回路から負
荷に供給される出力電流が遮断される。これにより、過
負荷又は負荷短絡状態における出力電流が十分に制限さ
れるので、簡素な回路構成で電源装置を過負荷又は負荷
短絡から確実に保護できる。また、直流電源の直流入力
電圧より高い直流出力電圧を負荷に供給する昇圧コンバ
ータにおいて、負荷に供給される直流出力電圧が直流電
源の直流入力電圧より低下したときにオフ状態となる過
電流保護用スイッチング素子を設けた場合は、過負荷又
は負荷短絡による直流出力電圧の著しい低下を迅速に検
知して出力電流を遮断することができるので、昇圧コン
バータを迅速に過負荷又は負荷短絡から確実に保護する
ことが可能となる。
In the case of a normal load, the switching element for overcurrent protection keeps the ON state, so that the DC output of the constant voltage output from the DC conversion circuit by the ON / OFF operation of the switching element of the power conversion unit. It is supplied to the load through the overcurrent protection switching element. When the load becomes overloaded or short-circuited, the switching element for overcurrent protection changes from the on state to the off state, and the output current supplied from the DC conversion circuit to the load is cut off by the on / off operation of the switching element of the power conversion unit. Is done. As a result, the output current in the overload or load short-circuit state is sufficiently limited, so that the power supply device can be reliably protected from overload or load short-circuit with a simple circuit configuration. In addition, in a boost converter that supplies a DC output voltage higher than the DC input voltage of the DC power supply to the load, the over-current protection is turned off when the DC output voltage supplied to the load falls below the DC input voltage of the DC power supply. If a switching element is provided, the output current can be cut off by detecting a significant drop in the DC output voltage due to an overload or load short-circuit, so that the boost converter can be quickly and reliably protected from overload or load short-circuit. It is possible to do.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明による直流電源装置
を昇圧チョッパ型コンバータに適用した場合の一実施形
態を図1に基づいて説明する。但し、図1では図8に示
す箇所と実質的に同一の部分には同一の符号を付し、そ
の説明を省略する。本実施形態の昇圧チョッパ型コンバ
ータは、図1に示すように、図8に示す昇圧チョッパ型
コンバータにおいて、出力コンデンサ5及び負荷6間の
正側のラインに過電流保護用スイッチング素子としての
Nチャネル型MOS-FET21を接続し、リアクトル
2を2巻線形の複巻線リアクトル22に変更し、複巻線
リアクトル22の補助巻線22aとNチャネル型MOS-
FET21のゲート端子との間にダイオード23及びコ
ンデンサ24から成る整流平滑回路と直列抵抗25を接
続し、負荷6とNチャネル型MOS-FET21のゲー
ト端子との間に基準電源26及びコンパレータ27から
成る出力電流制限回路28を接続し、電流検出用抵抗8
と基準電源12及びコンパレータ13から成る過電流検
出回路14を省略したものである。ここで、出力電流制
限回路28を構成する基準電源26は直流出力電圧V
OUTの下限値に対応する基準電圧VR3を発生し、コンパ
レータ27は直流出力電圧VOUTを基準電源26の基準
電圧VR3と比較して直流出力電圧VO UTが基準電圧VR3
よりも低下したときにその比較出力が高レベルから低レ
ベルとなる。なお、本実施形態では、起動時においてN
チャネル型MOS-FET21をオン状態にするため、
負荷6として例えばバッテリ等の二次電池が接続され
る。その他の構成は、図8に示す昇圧チョッパ型コンバ
ータと略同様である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which a DC power supply according to the present invention is applied to a boost chopper type converter will be described below with reference to FIG. However, in FIG. 1, substantially the same parts as those shown in FIG. 8 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. As shown in FIG. 1, the boost chopper type converter according to the present embodiment has an N-channel as an overcurrent protection switching element in the positive side line between the output capacitor 5 and the load 6 in the boost chopper type converter shown in FIG. 8. Type MOS-FET 21, the reactor 2 is changed to a two-winding type double winding reactor 22, and the auxiliary winding 22 a of the double winding reactor 22 and an N-channel type MOS-FET 21 are connected.
A rectifying / smoothing circuit including a diode 23 and a capacitor 24 and a series resistor 25 are connected between the gate terminal of the FET 21 and a reference power supply 26 and a comparator 27 between the load 6 and the gate terminal of the N-channel MOS-FET 21. The output current limiting circuit 28 is connected, and the current detecting resistor 8
And an overcurrent detection circuit 14 comprising a reference power supply 12 and a comparator 13 are omitted. Here, the reference power supply 26 constituting the output current limiting circuit 28 has a DC output voltage V
Generates a reference voltage V R3 corresponding to the lower limit value of the OUT, the comparator 27 is a DC output voltage V DC output voltage is compared with a reference voltage V R3 of the OUT reference power 26 V O UT reference voltage V R3
The comparison output goes from a high level to a low level when the voltage falls below the threshold. Note that in the present embodiment, N
In order to turn on the channel type MOS-FET 21,
As the load 6, for example, a secondary battery such as a battery is connected. Other configurations are substantially the same as those of the boost chopper type converter shown in FIG.

【0010】次に、図1に示す昇圧チョッパ型コンバー
タの動作について説明する。負荷6が正常な場合は、出
力電流制限回路28内の基準電源26の基準電圧VR3
りも直流出力電圧VOUTが高いため、出力電流制限回路
28内のコンパレータ27からNチャネル型MOS-F
ET21のゲート端子に高レベル信号が出力される。こ
のとき、電力変換部のMOS-FET3のオン・オフ動
作により、複巻線リアクトル22の補助巻線22aから
ダイオード23、コンデンサ24及び直列抵抗25を介
してNチャネル型MOS-FET21のゲート端子に駆
動用の直流電圧が印加されるので、Nチャネル型MOS
-FET21はオン状態を保持する。したがって、この
ときの図1に示す昇圧チョッパ型コンバータの主回路の
動作は、先述の図8に示す昇圧チョッパ型コンバータの
通常負荷時の動作と略同様であるので説明は省略する。
Next, the operation of the boost chopper type converter shown in FIG. 1 will be described. When the load 6 is normal, since the DC output voltage V OUT is higher than the reference voltage V R3 of the reference power supply 26 in the output current limiting circuit 28, the comparator 27 in the output current limiting circuit 28 outputs the N-channel MOS-F
A high level signal is output to the gate terminal of ET21. At this time, by the on / off operation of the MOS-FET 3 of the power conversion unit, the auxiliary winding 22a of the multiple winding reactor 22 is connected to the gate terminal of the N-channel type MOS-FET 21 via the diode 23, the capacitor 24 and the series resistor 25. Since a DC voltage for driving is applied, an N-channel MOS
-The FET 21 keeps the ON state. Therefore, the operation of the main circuit of the boost chopper type converter shown in FIG. 1 at this time is substantially the same as the operation of the boost chopper type converter shown in FIG.

【0011】負荷6が過負荷状態又は負荷6間が略短絡
状態となり、負荷6のインピーダンスが極めて低くなる
と、直流出力電圧VOUTが出力電流制限回路28内の基
準電源26の基準電圧VR3よりも低くなる。このため、
出力電流制限回路28内のコンパレータ27からNチャ
ネル型MOS-FET21のゲート端子に出力される信
号の電圧レベルが高レベルから低レベルとなる。このと
き、Nチャネル型MOS-FET21がオン状態からオ
フ状態となり、出力コンデンサ5から負荷6に供給され
る出力電流IOUTが遮断される。これによって、過負荷
又は負荷短絡状態における出力電流IOUTが十分に制限
されるので、簡素な回路構成で昇圧チョッパ型コンバー
タを過負荷又は負荷短絡から確実に保護することができ
る。また、本実施形態では、Nチャネル型MOS-FE
T21の駆動用の直流電圧を複巻線リアクトル22の補
助巻線22aに誘起される電圧から整流平滑して得るた
め、過電流状態を検知していち早く電力変換部のMOS
-FET3をオフ状態にした場合に、Nチャネル型MO
S-FET21の駆動用の直流電圧が略0Vとなり、N
チャネル型MOS-FET21がオフ状態となるので、
より確実に昇圧チョッパ型コンバータを過負荷又は負荷
短絡から保護することが可能である。
When the load 6 is overloaded or the load 6 is substantially short-circuited and the impedance of the load 6 becomes extremely low, the DC output voltage V OUT becomes higher than the reference voltage V R3 of the reference power supply 26 in the output current limiting circuit 28. Will also be lower. For this reason,
The voltage level of the signal output from the comparator 27 in the output current limiting circuit 28 to the gate terminal of the N-channel type MOS-FET 21 changes from a high level to a low level. At this time, the N-channel MOS-FET 21 changes from the on state to the off state, and the output current I OUT supplied from the output capacitor 5 to the load 6 is cut off. As a result, the output current I OUT in the overload or load short-circuit state is sufficiently limited, so that the boost chopper type converter can be reliably protected from overload or load short-circuit with a simple circuit configuration. In this embodiment, the N-channel MOS-FE
Since the DC voltage for driving T21 is obtained by rectifying and smoothing the voltage induced in the auxiliary winding 22a of the multiple winding reactor 22, the overcurrent state is detected and the MOS of the power conversion unit is promptly obtained.
-When the FET3 is turned off, the N-channel type MO
The DC voltage for driving the S-FET 21 becomes approximately 0 V, and N
Since the channel type MOS-FET 21 is turned off,
It is possible to more reliably protect the boost chopper type converter from overload or load short circuit.

【0012】図1に示す実施形態の昇圧チョッパ型コン
バータは変更が可能である。例えば、図2に示す実施形
態の昇圧チョッパ型コンバータは、図1に示す昇圧チョ
ッパ型コンバータにおいて、基準電源26及びコンパレ
ータ27から成る出力電流制限回路28の代わりに、直
流電源1の正極端子とNチャネル型MOS-FET21
のゲート端子との間にダイオード29、分圧抵抗30、
31及びNPN型トランジスタ32から成る出力電流制
限回路33を接続したものである。その他の構成は、図
1に示す昇圧チョッパ型コンバータと略同様である。図
2に示す昇圧チョッパ型コンバータにおいて、負荷6が
正常な場合は負荷6に供給される直流出力電圧VOUT
直流電源1の直流入力電圧VINよりも高いため、出力電
流制限回路33内のダイオード29が逆バイアスされて
非導通状態となる。このため、出力電流制限回路33内
のNPN型トランジスタ32がオフ状態となるので、N
チャネル型MOS-FET21はオン状態を保持する。
負荷6が過負荷状態又は負荷6間が略短絡状態となり、
負荷6のインピーダンスが極めて低くなると、直流出力
電圧VOUTが直流電源1の直流入力電圧VINよりも低く
なるので、出力電流制限回路33内のダイオード29が
順バイアスされて導通状態となる。このとき、出力電流
制限回路33内の分圧抵抗30、31の分圧点に高レベ
ルの電圧が発生し、NPN型トランジスタ32がオン状
態となるので、Nチャネル型MOS-FET21がオン
状態からオフ状態となり、出力コンデンサ5から負荷6
に供給される出力電流IOUTが遮断される。したがっ
て、図2に示す実施形態の昇圧チョッパ型コンバータに
おいても、図1の場合と同様の過電流保護効果が得られ
る。更に、図2に示す昇圧チョッパ型コンバータでは、
過負荷又は負荷短絡による直流出力電圧VOUTの著しい
低下を迅速に検知して出力電流IOUTを遮断することが
できるので、昇圧チョッパ型コンバータを迅速に過負荷
又は負荷短絡から確実に保護することが可能となる。
The boost chopper type converter of the embodiment shown in FIG. 1 can be changed. For example, the boost chopper type converter of the embodiment shown in FIG. 2 is different from the boost chopper type converter shown in FIG. 1 in that the positive terminal of the DC power source 1 Channel type MOS-FET21
Diode 29, voltage dividing resistor 30,
An output current limiting circuit 33 comprising an NPN transistor 31 and an NPN transistor 32 is connected. Other configurations are substantially the same as those of the boost chopper type converter shown in FIG. In the boost chopper type converter shown in FIG. 2, when the load 6 is normal, the DC output voltage V OUT supplied to the load 6 is higher than the DC input voltage V IN of the DC power supply 1. The diode 29 is reverse-biased and becomes non-conductive. As a result, the NPN transistor 32 in the output current limiting circuit 33 is turned off.
The channel type MOS-FET 21 maintains the ON state.
The load 6 is overloaded or the load 6 is substantially short-circuited,
When the impedance of the load 6 becomes extremely low, the DC output voltage V OUT becomes lower than the DC input voltage V IN of the DC power supply 1, so that the diode 29 in the output current limiting circuit 33 is forward-biased and becomes conductive. At this time, a high-level voltage is generated at the voltage dividing point of the voltage dividing resistors 30 and 31 in the output current limiting circuit 33, and the NPN transistor 32 is turned on. In the off state, load 6
Output current I OUT to be supplied is blocked. Therefore, in the boost chopper type converter of the embodiment shown in FIG. 2, the same overcurrent protection effect as in FIG. 1 can be obtained. Furthermore, in the boost chopper type converter shown in FIG.
Since the output current I OUT can be cut off quickly by detecting a significant drop in the DC output voltage V OUT due to an overload or load short circuit, the boost chopper converter can be quickly and reliably protected from overload or load short circuit. Becomes possible.

【0013】また、図3に示す実施形態の昇圧チョッパ
型コンバータは、2つのMOS-FET3と、3つの中
間タップ34a、34b、34cを有する単巻線形のリア
クトル34と、2つの出力ダイオード4を使用して図1
に示す昇圧チョッパ型コンバータの電力変換部をプッシ
ュプル型の回路構成に変更したものである。図4に示す
実施形態の昇圧チョッパ型コンバータは、電力変換部が
図3に示す実施形態と同様のプッシュプル型の回路構成
であるが、図3に示すリアクトル34の代わりに中間タ
ップ35a及び補助巻線35bを有する2巻線形の複巻線
リアクトル35を使用し、Nチャネル型MOS-FET
21の駆動用の電源を複巻線リアクトル35の補助巻線
35bより得ている点が図3に示す実施形態の回路と相
違する。また、図5は、図1の昇圧チョッパ型コンバー
タにおける複巻線リアクトル22を1次及び2次巻線3
6a、36bと補助巻線36cを有するトランス36に変
更し、主回路の構成をトランス36の2次巻線36bか
ら出力ダイオード4、出力コンデンサ5及びNチャネル
型MOS-FET21を介して負荷6に供給する直流出
力を得る絶縁型のフライバック・コンバータとした実施
形態を示す。図5に示す絶縁型のフライバック・コンバ
ータでは、Nチャネル型MOS-FET21の駆動用の
電源をトランス36の補助巻線36cより得ている。図
3〜図5に示す各実施形態の何れの場合においても、負
荷6が過負荷又は短絡状態となったときの過電流保護作
用は図1に示す実施形態の場合と略同様であるため、図
1に示す実施形態と略同様の効果が得られる。
The boost chopper type converter of the embodiment shown in FIG. 3 includes two MOS-FETs 3, a single-winding type reactor 34 having three intermediate taps 34a, 34b, 34c, and two output diodes 4. Using Figure 1
The power converter of the boost chopper type converter shown in FIG. 1 is changed to a push-pull type circuit configuration. In the boost chopper type converter of the embodiment shown in FIG. 4, the power converter has the same push-pull type circuit configuration as that of the embodiment shown in FIG. 3, but instead of the reactor 34 shown in FIG. An N-channel MOS-FET using a two-winding double winding reactor 35 having a winding 35b
The difference from the circuit of the embodiment shown in FIG. 3 is that the power for driving 21 is obtained from the auxiliary winding 35b of the multiple winding reactor 35. FIG. 5 shows the double winding reactor 22 in the step-up chopper type converter of FIG.
6a and 36b and a transformer 36 having an auxiliary winding 36c, and the main circuit configuration is changed from the secondary winding 36b of the transformer 36 to the load 6 via the output diode 4, the output capacitor 5 and the N-channel type MOS-FET 21. An embodiment of an isolated flyback converter for obtaining a DC output to be supplied is shown. In the isolated flyback converter shown in FIG. 5, a power supply for driving the N-channel MOS-FET 21 is obtained from the auxiliary winding 36c of the transformer 36. In any of the embodiments shown in FIGS. 3 to 5, the overcurrent protection effect when the load 6 is overloaded or short-circuited is substantially the same as that of the embodiment shown in FIG. Almost the same effects as those of the embodiment shown in FIG. 1 can be obtained.

【0014】図1〜図5に示す各実施形態では、過電流
保護用スイッチング素子としてNチャネル型のMOS-
FETを使用したが、Pチャネル型のMOS-FETも
使用可能である。例えば、図6に示す実施形態の昇圧チ
ョッパ型コンバータは、図1に示す実施形態におけるN
チャネル型MOS-FET21をPチャネル型MOS-F
ET37に変更し、Pチャネル型MOS-FET37の
ゲート端子と負側の出力ラインとの間に直列抵抗38を
接続し、出力電流制限回路28のコンパレータ27の出
力端子と正側の出力ラインとの間に分圧抵抗39、40
を接続し、Pチャネル型MOS-FET37のソース端
子とゲート端子との間にPNP型トランジスタ41を接
続し、PNP型トランジスタ41のベース端子を分圧抵
抗39、40の分圧点に接続したものである。図6に示
す実施形態の昇圧チョッパ型コンバータでは、正常負荷
時において出力電流制限回路28内のコンパレータ27
から高レベル信号が出力され、分圧抵抗39、40の分
圧点に電圧が発生する。このとき、PNP型トランジス
タ41がオン状態となり、Pチャネル型MOS-FET
37はオン状態を保持するので、このときの図6に示す
昇圧チョッパ型コンバータの主回路の動作は、先述の図
1に示す昇圧チョッパ型コンバータの通常負荷時の動作
と略同様となる。また、過負荷又は負荷短絡時において
は、出力電流制限回路28内のコンパレータ27から低
レベル信号が出力され、PNP型トランジスタ41がオ
フ状態となるので、Pチャネル型MOS-FET37の
ゲート端子が直列抵抗38を通して接地電位となる。こ
のとき、Pチャネル型MOS-FET37がオフ状態と
なり、出力コンデンサ5から負荷6に供給される出力電
流IOUTが遮断される。したがって、図6に示す実施形
態の昇圧チョッパ型コンバータにおいても、図1の場合
と同様の過電流保護効果が得られる。
In each of the embodiments shown in FIGS. 1 to 5, an N-channel MOS-type switching element is used as an overcurrent protection switching element.
Although the FET is used, a P-channel type MOS-FET can also be used. For example, the boost chopper type converter of the embodiment shown in FIG.
Channel-type MOS-FET 21 is replaced with P-channel type MOS-F
ET37, a series resistor 38 is connected between the gate terminal of the P-channel type MOS-FET 37 and the negative output line, and the output terminal of the comparator 27 of the output current limiting circuit 28 is connected to the positive output line. Voltage dividing resistors 39 and 40 between
, A PNP transistor 41 is connected between the source terminal and the gate terminal of the P-channel MOS-FET 37, and the base terminal of the PNP transistor 41 is connected to the voltage dividing points of the voltage dividing resistors 39 and 40. It is. In the boost chopper type converter of the embodiment shown in FIG. 6, the comparator 27 in the output current limiting circuit 28 at the time of normal load.
Outputs a high-level signal, and a voltage is generated at the voltage dividing points of the voltage dividing resistors 39 and 40. At this time, the PNP transistor 41 is turned on, and the P-channel MOS-FET
Since 37 maintains the ON state, the operation of the main circuit of the boost chopper converter shown in FIG. 6 at this time is substantially the same as the operation of the boost chopper converter shown in FIG. 1 at the time of a normal load. Further, when an overload or a load short-circuit occurs, a low-level signal is output from the comparator 27 in the output current limiting circuit 28 and the PNP transistor 41 is turned off, so that the gate terminal of the P-channel MOS-FET 37 is connected in series. It goes to the ground potential through the resistor 38. At this time, the P-channel MOS-FET 37 is turned off, and the output current I OUT supplied from the output capacitor 5 to the load 6 is cut off. Therefore, also in the boost chopper type converter of the embodiment shown in FIG. 6, the same overcurrent protection effect as in FIG. 1 can be obtained.

【0015】ところで、図1〜図6に示す実施形態で
は、負荷6として例えばバッテリ等の二次電池をコンバ
ータ出力端子に接続し、起動時においてNチャネル型M
OS-FET21又はPチャネル型MOS-FET37を
オン状態にしている。これらの実施形態において、バッ
テリ等の二次電池の極性を逆にしてコンバータ出力端子
に接続した場合は、起動時においてNチャネル型MOS
-FET21又はPチャネル型MOS-FET37がオフ
状態のままとなるので、バッテリ等の逆接続からコンバ
ータを保護することが可能である。但し、図1〜図6に
示す実施形態において、コンバータ出力端子に負荷6を
接続しない場合は、起動時にNチャネル型MOS-FE
T21又はPチャネル型MOS-FET37をオン状態
にすることができないため、コンバータを動作させるこ
とができない。このため、例えば図7に示す実施形態の
昇圧チョッパ型コンバータでは、図6に示す昇圧チョッ
パ型コンバータにおいて、正側及び負側の出力ライン間
に分圧抵抗42、43を接続し、分圧抵抗42、43の
分圧点と正側の出力ラインとの間に起動用抵抗44を接
続し、出力電流制限回路28内の基準電源26と直列に
直列抵抗45を接続し、基準電源26及び直列抵抗45
の直列回路と並列にコンデンサ46を接続し、出力電流
制限回路28内のコンパレータ27の非反転入力端子を
分圧抵抗42、43の分圧点に接続している。図7に示
す昇圧チョッパ型コンバータでは、起動時において起動
用抵抗44を介して分圧抵抗42、43の分圧点に電圧
が発生し、出力電流制限回路28のコンパレータ27か
ら高レベル信号が出力されてPNP型トランジスタ41
がオン状態となり、Pチャネル型MOS-FET37が
オン状態となる。したがって、起動時においてPチャネ
ル型MOS-FET37をオン状態にできるので、コン
バータ出力端子に負荷6を接続しない場合でも昇圧コン
バータを動作させることが可能である。通常負荷時及び
過負荷又は負荷短絡時における図7の昇圧チョッパ型コ
ンバータの動作については、図6に示す場合と略同様で
あるので説明は省略する。
In the embodiment shown in FIGS. 1 to 6, by way of example, a secondary battery such as a battery is connected to the converter output terminal as the load 6, and the N-channel type M
The OS-FET 21 or the P-channel type MOS-FET 37 is turned on. In these embodiments, when the secondary battery such as a battery is connected to the converter output terminal with the polarity reversed, an N-channel MOS
-Since the FET 21 or the P-channel type MOS-FET 37 remains in the off state, it is possible to protect the converter from reverse connection of a battery or the like. However, in the embodiment shown in FIGS. 1 to 6, when the load 6 is not connected to the converter output terminal, the N-channel MOS-FE
Since the T21 or P-channel type MOS-FET 37 cannot be turned on, the converter cannot be operated. For this reason, for example, in the boost chopper converter of the embodiment shown in FIG. 7, in the boost chopper converter shown in FIG. 6, the voltage dividing resistors 42 and 43 are connected between the positive and negative output lines, A starting resistor 44 is connected between the voltage dividing points 42 and 43 and the positive output line, a series resistor 45 is connected in series with the reference power source 26 in the output current limiting circuit 28, and the reference power source 26 and the series Resistance 45
And a non-inverting input terminal of the comparator 27 in the output current limiting circuit 28 is connected to a voltage dividing point of the voltage dividing resistors 42 and 43. In the boost chopper type converter shown in FIG. 7, a voltage is generated at the voltage dividing points of the voltage dividing resistors 42 and 43 via the starting resistor 44 at the time of starting, and a high level signal is output from the comparator 27 of the output current limiting circuit 28. PNP transistor 41
Is turned on, and the P-channel type MOS-FET 37 is turned on. Therefore, since the P-channel type MOS-FET 37 can be turned on at the time of startup, the boost converter can be operated even when the load 6 is not connected to the converter output terminal. The operation of the boost chopper type converter shown in FIG. 7 at the time of normal load and at the time of overload or load short circuit is substantially the same as that shown in FIG.

【0016】本発明の実施態様は上記の各実施形態に限
定されず、更に種々の変更が可能である。例えば、図6
及び図7に示す実施形態では図1の昇圧チョッパ型コン
バータにおけるNチャネル型MOS-FET21をPチ
ャネル型MOS-FET37に変更した形態を示した
が、図2〜図5の各実施形態の昇圧コンバータにおいて
も前記と同様の変更が可能である。また、図5に示す実
施形態では図1に示す非絶縁型の昇圧チョッパ型コンバ
ータを絶縁型のフライバック・コンバータに変更した形
態を示したが、フォワード型、ハーフブリッジ型又はフ
ルブリッジ型等の他方式の絶縁型コンバータに変更する
ことも可能である。また、上記の各実施形態ではスイッ
チング素子としてMOS-FETを使用する形態を示し
たが、バイポーラ形トランジスタ、接合型電界効果トラ
ンジスタ(J-FET)等の他のスイッチング素子も使
用可能である。更に、昇圧型コンバータに限定すること
なく、降圧型コンバータ、昇降圧型コンバータ又は極性
反転型コンバータ等の他の直流電源装置にも本発明を適
用できることは容易に理解できよう。
The embodiments of the present invention are not limited to the above embodiments, and various modifications are possible. For example, FIG.
Also, in the embodiment shown in FIG. 7, the embodiment in which the N-channel type MOS-FET 21 in the step-up chopper type converter of FIG. 1 is changed to the P-channel type MOS-FET 37 is shown. In the above, the same change as described above is possible. In the embodiment shown in FIG. 5, the non-insulated boost chopper converter shown in FIG. 1 is changed to an insulated flyback converter. However, a forward bridge, a half bridge bridge, a full bridge bridge or the like is used. It is also possible to change to another type of isolated converter. In each of the above embodiments, a mode in which a MOS-FET is used as a switching element has been described. However, other switching elements such as a bipolar transistor and a junction field effect transistor (J-FET) can be used. Further, it is easily understood that the present invention can be applied to other DC power supply devices such as a buck converter, a buck-boost converter, and a polarity inversion converter without being limited to the boost converter.

【0017】[0017]

【発明の効果】本発明によれば、過負荷又は負荷短絡時
において負荷に供給される出力電流を遮断して出力電流
を十分に制限できるので、出力側に過電流保護用のスイ
ッチング素子を追加する程度の簡素な回路構成で直流電
源装置を過負荷又は負荷短絡から確実に保護することが
可能となる。したがって、過負荷又は負荷短絡時におい
て過大な電流が流れることがなく、過電流による直流電
源装置の破壊を未然に防止することが可能となる。
According to the present invention, the output current supplied to the load can be cut off when the load is overloaded or short-circuited, and the output current can be sufficiently limited. Therefore, a switching element for overcurrent protection is added to the output side. With this simple circuit configuration, the DC power supply can be reliably protected from overload or load short-circuit. Therefore, an excessive current does not flow at the time of overload or load short circuit, and it is possible to prevent the DC power supply device from being destroyed due to the overcurrent.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の一実施形態を示す直流電源装置の電
気回路図
FIG. 1 is an electric circuit diagram of a DC power supply device showing an embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の他の実施形態を示す直流電源装置の
電気回路図
FIG. 2 is an electric circuit diagram of a DC power supply device showing another embodiment of the present invention.

【図3】 図1の回路の第1の変更実施形態を示す電気
回路図
FIG. 3 is an electric circuit diagram showing a first modified embodiment of the circuit of FIG. 1;

【図4】 図1の回路の第2の変更実施形態を示す電気
回路図
FIG. 4 is an electric circuit diagram showing a second modified embodiment of the circuit of FIG. 1;

【図5】 図1の回路の第3の変更実施形態を示す電気
回路図
FIG. 5 is an electric circuit diagram showing a third modified embodiment of the circuit of FIG. 1;

【図6】 図1の回路の第4の変更実施形態を示す電気
回路図
FIG. 6 is an electric circuit diagram showing a fourth modified embodiment of the circuit of FIG. 1;

【図7】 図1の回路の第5の変更実施形態を示す電気
回路図
FIG. 7 is an electric circuit diagram showing a fifth modified embodiment of the circuit of FIG. 1;

【図8】 従来の直流電源装置を示す電気回路図FIG. 8 is an electric circuit diagram showing a conventional DC power supply device.

【符号の説明】 1...直流電源、2...リアクトル、3...MO
S-FET(スイッチング素子)、4...出力ダイオ
ード、5...出力コンデンサ、6...負荷、
7...制御回路、8...電流検出用抵抗、9...
基準電源、10...コンパレータ、11...出力電
圧検出回路、12...基準電源、13...コンパレ
ータ、14...過電流検出回路、15,16...ダ
イオード、17...PWM信号発生回路、21...
Nチャネル型MOS-FET(過電流保護用スイッチン
グ素子)、22...複巻線リアクトル、22a...
補助巻線、23...ダイオード、24...コンデン
サ、25...直列抵抗、26...基準電源、2
7...コンパレータ、28...出力電流制限回路、
29...ダイオード、30,31...分圧抵抗、3
2...NPN型トランジスタ、33...出力電流制
限回路、34...リアクトル、34a,34b,34
c...中間タップ、35...複巻線リアクトル、3
5a...中間タップ、35b...補助巻線、3
6...トランス、36a...1次巻線、36b...
2次巻線、36c...補助巻線、37...Pチャネ
ル型MOS-FET(過電流保護用スイッチング素
子)、38...直列抵抗、39,40...分圧抵
抗、41...PNP型トランジスタ、42,4
3...分圧抵抗、44...起動用抵抗、45...
直列抵抗、46...コンデンサ
[Explanation of Codes] . . DC power supply, 2. . . Reactor, 2. . . MO
3. S-FET (switching element); . . Output diode, 5. . . Output capacitor, 6. . . load,
7. . . Control circuit, 8. . . 8. current detection resistor; . .
Reference power supply, 10. . . Comparator, 11. . . 11. output voltage detection circuit; . . Reference power supply, 13. . . Comparator, 14. . . Overcurrent detection circuit, 15, 16. . . Diode, 17. . . 21. PWM signal generation circuit . .
12. N-channel MOS-FET (switching element for overcurrent protection); . . Double winding reactor, 22a. . .
Auxiliary winding, 23. . . Diode, 24. . . Capacitor, 25. . . Series resistance, 26. . . Reference power supply, 2
7. . . Comparator, 28. . . Output current limiting circuit,
29. . . Diodes, 30, 31. . . Voltage dividing resistor, 3
2. . . NPN transistor, 33. . . Output current limiting circuit, 34. . . Reactor, 34a, 34b, 34
c. . . Middle tap, 35. . . Double winding reactor, 3
5a. . . Middle tap, 35b. . . Auxiliary winding, 3
6. . . Transformer, 36a. . . Primary winding, 36b. . .
Secondary winding, 36c. . . Auxiliary winding, 37. . . 38. P-channel type MOS-FET (switching element for overcurrent protection), . . Series resistance, 39, 40. . . Voltage dividing resistor, 41. . . PNP transistor, 42, 4
3. . . Voltage dividing resistor, 44. . . Starting resistor, 45. . .
Series resistance, 46. . . Capacitor

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 直流電源の直流入力をオン・オフ動作に
より断続して高周波電力に変換する少なくとも1つのス
イッチング素子と、前記高周波電力を負荷に供給する直
流出力に変換する直流変換回路とを備え、前記直流出力
に応じて前記スイッチング素子をオン・オフ制御するこ
とにより前記負荷に定電圧の直流出力を供給する直流電
源装置において、 前記直流変換回路と前記負荷との間に過電流保護用スイ
ッチング素子を接続し、該過電流保護用スイッチング素
子は通常負荷時においてオン状態を保持しかつ過負荷又
は負荷短絡時にオフ状態となり前記負荷に供給する出力
電流を遮断することを特徴とする直流電源装置。
1. A power supply comprising: at least one switching element for intermittently converting a DC input of a DC power supply by an on / off operation to convert to a high frequency power; and a DC conversion circuit for converting the high frequency power to a DC output to be supplied to a load. A DC power supply that supplies a constant-voltage DC output to the load by controlling on / off of the switching element in accordance with the DC output; switching for overcurrent protection between the DC conversion circuit and the load; DC power supply device, wherein the switching element for overcurrent protection keeps the on state at the time of normal load and turns off at the time of overload or short circuit of the load to cut off the output current supplied to the load. .
【請求項2】 前記直流電源装置は前記直流電源の直流
入力電圧より高い直流出力電圧を前記負荷に供給する昇
圧コンバータであり、前記過電流保護用スイッチング素
子は前記負荷に供給される直流出力電圧が前記直流電源
の直流入力電圧より低下したときにオフ状態となる「請
求項1」に記載の直流電源装置。
2. The DC power supply device is a boost converter that supplies a DC output voltage higher than a DC input voltage of the DC power supply to the load, and the overcurrent protection switching element is a DC output voltage supplied to the load. 2. The DC power supply according to claim 1, wherein the DC power supply is turned off when the voltage of the DC power supply falls below the DC input voltage of the DC power supply.
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