JPH1114561A - Apparatus and method for measurement of x-rays - Google Patents
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- JPH1114561A JPH1114561A JP9308339A JP30833997A JPH1114561A JP H1114561 A JPH1114561 A JP H1114561A JP 9308339 A JP9308339 A JP 9308339A JP 30833997 A JP30833997 A JP 30833997A JP H1114561 A JPH1114561 A JP H1114561A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、X線を試料に入
射し、試料で反射したX線を検出することにより、試料
を非破壊で分析するためのX線測定装置およびその方法
に関し、例えば、X線反射率測定やロッキングカーブ測
定に好適なX線測定装置およびその方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an X-ray measuring apparatus for non-destructively analyzing a sample by irradiating the sample with X-rays and detecting the X-rays reflected by the sample. The present invention relates to an X-ray measuring apparatus and a method suitable for X-ray reflectivity measurement and rocking curve measurement.
【0002】[0002]
【従来の技術】X線反射率測定 X線を用いた測定方法として、X線の鏡面反射現象を利
用して試料の物性を評価するX線反射率測定方法があ
る。このX線反射率測定方法は、特に薄膜の厚さや、薄
膜表面の粗さ、薄膜と基材との間の界面の粗さ、薄膜の
密度等を測定するのに適している。このX線反射率測定
方法の原理は、以下のとおりである(図7〜図10参
照)。2. Description of the Related Art X-ray reflectivity measurement As a measurement method using X-rays, there is an X-ray reflectivity measurement method for evaluating the physical properties of a sample by utilizing the specular reflection phenomenon of X-rays. This X-ray reflectivity measuring method is particularly suitable for measuring the thickness of the thin film, the roughness of the thin film surface, the roughness of the interface between the thin film and the substrate, the density of the thin film, and the like. The principle of the X-ray reflectivity measuring method is as follows (see FIGS. 7 to 10).
【0003】図7において、表面が平坦な物質101の
表面すれすれにX線を入射、すなわち低角度θからX線
を入射すると、臨界角度以下では全反射を生じる。この
臨界角度は非常に小さく、例えばCuKαのX線に対
し、Siやガラス板では0.22°、Niでは0.42
°、そしてAuでは0.57°である。In FIG. 7, when X-rays are incident on a very small surface of a substance 101 having a flat surface, that is, when X-rays are incident from a low angle θ, total reflection occurs below a critical angle. This critical angle is very small, for example, for X-rays of CuKα, 0.22 ° for Si or a glass plate, and 0.42 ° for Ni.
°, and 0.57 ° for Au.
【0004】この臨界角度は、物質の電子密度に依存し
て変化する。X線の入射角度がこの臨界角度よりも大き
くなるにしたがって、X線は次第に物質中へ深く入り込
んでいく。そして、理想的な平面をもった物質では、図
8に曲線Aで示すように、臨界角度をθc以上の角度
で、X線反射率がθ~4(θはX線入射角)に比例して急
激に減少する。さらに、物質の表面が粗れていると、減
少の程度は破線Bで示すように一層大きくなる。図の縦
軸において、I0は入射X線強度であり、Iは反射X線
強度である。This critical angle changes depending on the electron density of the substance. As the incident angle of the X-rays becomes larger than this critical angle, the X-rays gradually penetrate deeper into the material. In a material having an ideal plane, as shown by a curve A in FIG. 8, when the critical angle is an angle equal to or more than θc, the X-ray reflectivity is proportional to θ ~ 4 (θ is the X-ray incident angle). And decrease sharply. In addition, if the surface of the material is rough, the degree of the reduction will be even greater, as indicated by the dashed line B. On the vertical axis of the figure, I 0 is the incident X-ray intensity, and I is the reflected X-ray intensity.
【0005】図9に示すように、このような物質を基板
101として、その基板101上に電子密度の異なる別
の物質を均一に積層して薄膜102を形成する。そし
て、X線を低角度で入射すると、基板101と薄膜10
2との間の界面、および薄膜102の表面で反射したX
線が、互いに強めあったり弱めあったりする。その結
果、図10に示すように、反射率曲線にX線の干渉によ
る振動パターンCが現れる。[0005] As shown in FIG. 9, such a substance is used as a substrate 101, and another substance having a different electron density is uniformly laminated on the substrate 101 to form a thin film 102. When X-rays are incident at a low angle, the substrate 101 and the thin film 10
2 and X reflected at the surface of the thin film 102.
The lines are stronger or weaker each other. As a result, as shown in FIG. 10, a vibration pattern C due to X-ray interference appears on the reflectance curve.
【0006】この振動パターンCの周期から、薄膜10
2の厚さを決定でき、また振動パターンCの振幅の角度
依存性から、表面および界面の情報が得られる。さら
に、振動パターンの周期と振幅の両方を併せて検討する
ことにより、薄膜102の密度が求められる。通常のX
線反射率測定では、図8および図10において、横軸2
θに関しては、0°〜5°程度、広い範囲の場合で0°
〜10°の範囲で測定される。From the period of the vibration pattern C, the thin film 10
2 can be determined, and surface and interface information can be obtained from the angular dependence of the amplitude of the vibration pattern C. Further, the density of the thin film 102 can be obtained by considering both the period and the amplitude of the vibration pattern. Normal X
In the line reflectance measurement, the horizontal axis 2 in FIGS.
θ is about 0 ° to 5 °, and 0 ° in a wide range.
It is measured in the range of 〜1010 °.
【0007】図11は、上述したX線反射率測定の原理
を用いた従来のX線測定装置(X線反射率測定装置)を
示す平面図である。このX線反射率測定装置では、X線
源110から放射されたX線を、モノクロメータ111
により単色平行X線に変換し、試料Sに低角度で入射さ
せる。試料Sに入射したX線は、その入射角θに応じて
2θの角度に反射する。このように試料Sで反射したX
線をX線検出器112で検出して、入射角θ毎の反射率
を求める構造となっている。FIG. 11 is a plan view showing a conventional X-ray measuring apparatus (X-ray reflectivity measuring apparatus) using the above-described principle of X-ray reflectivity measurement. In this X-ray reflectometer, the X-rays emitted from the X-ray source
Is converted into monochromatic parallel X-rays, and is incident on the sample S at a low angle. The X-rays incident on the sample S are reflected at an angle of 2θ according to the incident angle θ. Thus, X reflected by the sample S
The X-ray detector 112 detects a line and obtains the reflectance for each incident angle θ.
【0008】この種のX線反射率測定装置は、入射角度
θを微小単位で変更しながら反射率の測定を行なってい
く。このため、同装置はゴニオメータ113を備えてお
り、このゴニオメータ113により試料Sを微小角度単
位で回転し、試料Sに対するX線の入射角度θを変更し
ている。This type of X-ray reflectometer measures the reflectivity while changing the incident angle θ in minute units. For this reason, the apparatus is provided with a goniometer 113, and the sample S is rotated by a minute angle unit by the goniometer 113 to change the incident angle θ of the X-ray with respect to the sample S.
【0009】ロッキングカーブ測定 また、X線を利用した他の測定方法に、ロッキングカー
ブ測定がある。このロッキングカーブ測定は、例えば、
基板結晶にエピタキシャル層等の混晶膜を成長させた試
料や、基板結晶上に異種の単結晶薄膜の組を周期的に積
層させた構造(超格子構造)の試料について、基板結晶
上に成長させた混晶膜や超格子構造の格子定数等を分析
する方法として知られている。 Rocking Curve Measurement Another measuring method using X-rays is rocking curve measurement. This rocking curve measurement, for example,
Samples with a mixed crystal film such as an epitaxial layer grown on a substrate crystal and samples with a structure in which a set of different types of single-crystal thin films are periodically laminated on the substrate crystal (superlattice structure) are grown on the substrate crystal It is known as a method for analyzing a lattice constant of a mixed crystal film or a superlattice structure that has been made.
【0010】図12は、ロッキングカーブ測定に用いら
れている従来のX線測定装置を示す図である。このX線
測定装置では、X線源210から放射されたX線を、第
一結晶と称するモノクロメータ211により単色平行X
線に変換し、試料Sに入射させる。そして、試料Sを入
射X線に対して微小角度ωだけ揺動させて、この微小角
度ωの範囲で試料Sに対するX線の入射角度を変化させ
る。FIG. 12 is a diagram showing a conventional X-ray measuring device used for rocking curve measurement. In this X-ray measuring apparatus, X-rays emitted from an X-ray source 210 are converted into monochromatic parallel X-rays by a monochromator 211 called a first crystal.
The light is converted into a line and is incident on the sample S. Then, the sample S is swung by a small angle ω with respect to the incident X-ray, and the incident angle of the X-ray to the sample S is changed within the range of the small angle ω.
【0011】このように試料Sに対するX線の入射角度
を変化させると、入射角度が基板結晶のブラック角と一
致したときにその基板結晶でX線が反射(回折)し、一
方、入射角度が混晶膜や超格子構造のブラック角と一致
したときにその混晶膜や超格子構造でX線が反射(回
折)する。これら基板結晶および混晶膜や超格子構造か
ら反射したX線をX線検出器212で検出し、X線の入
射角対強度のプロファイルを求めることにより、図13
に示したようなロッキングカーブが得られる。When the incident angle of the X-rays on the sample S is changed as described above, the X-rays are reflected (diffracted) by the substrate crystal when the incident angle matches the black angle of the substrate crystal. When the black angle of the mixed crystal film or the superlattice structure coincides with the black angle, X-rays are reflected (diffracted) by the mixed crystal film or the superlattice structure. The X-ray detector 212 detects X-rays reflected from the substrate crystal, the mixed crystal film, and the superlattice structure, and obtains a profile of the incident angle versus the intensity of the X-ray, thereby obtaining FIG.
A rocking curve as shown in FIG.
【0012】このロッキングカーブには、基板結晶のピ
ークプロファイルIoと混晶膜や超格子構造のピークプ
ロファイルIpとがそれぞれ分離して現れる。このう
ち、基板結晶に関するピークプロファイルIoの現れる
X線入射角度(ブラッグ角)が既知であるとすると、そ
の基板結晶に関するピークプロファイルIoの現れるX
線入射角度と、混晶膜や超格子構造に関するピークプロ
ファイルIpの現れるX線入射角度との差Δθにより、
相対的に混晶膜や超格子構造の格子定数を求めることが
できる。In this rocking curve, the peak profile Io of the substrate crystal and the peak profile Ip of the mixed crystal film or the superlattice structure appear separately from each other. If the X-ray incident angle (Bragg angle) at which the peak profile Io of the substrate crystal appears is known, X at which the peak profile Io of the substrate crystal appears
The difference Δθ between the X-ray incident angle and the X-ray incident angle at which the peak profile Ip relating to the mixed crystal film or the superlattice structure appears appears.
The lattice constant of a mixed crystal film or a superlattice structure can be relatively determined.
【0013】[0013]
【発明が解決しようとする課題】X線反射率測定 上述したように、従来のX線反射率測定装置は、試料S
に対するX線の入射角度θを変更するために、ゴニオメ
ータ113を備えていた。このゴニオメータ113は、
非常に狭い角度範囲の中で試料Sを微小角度単位で高精
度に回転させなければならず、例えば、10~4°程度の
精度が要求される。このようなゴニオメータ113は、
構造的に極めて高精度な加工が要求され、製作コストが
高価格となる。しかも、そのように微小角度単位で駆動
制御するには、煩雑な制御プログラムが必要となるた
め、操作にもある程度の習熟が必要であった。SUMMARY OF THE INVENTION X-Ray Reflectance Measurement As described above, the conventional X-ray reflectance measurement apparatus uses the sample S
A goniometer 113 is provided to change the incident angle θ of X-rays with respect to. This goniometer 113
The sample S must be rotated in a very narrow angle range with a high degree of precision in minute angle units, and for example, an accuracy of about 10 to 4 ° is required. Such a goniometer 113
Extremely high-precision processing is required structurally, and the manufacturing cost is high. In addition, a complicated control program is required to perform drive control in such a small angle unit, so that the operation requires some skill.
【0014】また、試料Sに対するX線の入射角度θを
微小角度単位で変更し、各入射角度毎に反射X線を検出
する操作を繰り返していくので、測定時間が長くなると
いう欠点があった。例えば、本出願人は同様な構造のX
線反射率測定装置を従来より製造しているが、同装置
(商品名:GXR2)でX線反射率測定を実施した場
合、20分〜2時間の測定時間を必要とする。Further, since the incident angle θ of the X-rays to the sample S is changed in small angle units and the operation of detecting the reflected X-rays is repeated at each incident angle, there is a disadvantage that the measurement time becomes long. . For example, the Applicant believes that a similarly structured X
While manufactures conventionally linear reflectance measuring apparatus, the apparatus (trade name: GXR 2) when carrying out the X-ray reflectance measurement, it requires a measurement time of 20 minutes to 2 hours.
【0015】ロッキングカーブ測定 上述したように、ロッキングカーブ測定を実施する従来
のX線測定装置は、入射X線に対して試料Sを微小角度
ωだけ揺動させるために、精密な揺動機構を備える必要
があり、製作コストが高価格となる欠点があった。ま
た、試料Sを揺動させながら測定を行なうために、その
動作時間(すなわち試料をスキャンする時間)として、
少なくとも数分の測定時間が必要であった。 Rocking Curve Measurement As described above, the conventional X-ray measuring apparatus for performing the rocking curve measurement uses a precise rocking mechanism to rock the sample S by a small angle ω with respect to the incident X-ray. There is a drawback in that it is necessary to provide the device and the production cost is high. In addition, in order to perform measurement while oscillating the sample S, its operation time (that is, time for scanning the sample) is defined as:
A measurement time of at least several minutes was required.
【0016】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたもので、構造が簡易で設備コストの低価格化を実現
するとともに、測定時間を大幅に短縮することができる
X線測定装置の提供を目的とする。また、測定時間を大
幅に短縮することができるX線測定方法の提供を目的と
する。The present invention has been made in view of such circumstances, and provides an X-ray measurement apparatus which has a simple structure, realizes a reduction in equipment cost, and can greatly reduce the measurement time. With the goal. It is another object of the present invention to provide an X-ray measurement method that can significantly reduce the measurement time.
【0017】[0017]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にX線測定装置に係る本発明は、X線を試料に入射し、
試料で反射したX線を検出するX線測定装置において、
発散X線を放射するX線源と、X線源から放射された発
散X線を平行化することなく単色化して反射する湾曲モ
ノクロメータと、該湾曲モノクロメータで反射したX線
のほぼ収束点に試料を配置する試料配置手段と、試料で
反射したX線を検出するX線検出手段とを備えている。Means for Solving the Problems To achieve the above object, the present invention relates to an X-ray measuring apparatus, wherein X-rays are incident on a sample,
In an X-ray measurement device that detects X-rays reflected by a sample,
An X-ray source that emits divergent X-rays, a curved monochromator that monochromatically reflects the divergent X-rays emitted from the X-ray source without collimating, and a substantially convergent point of the X-rays reflected by the curved monochromator And a X-ray detector for detecting X-rays reflected by the sample.
【0018】また、X線測定方法に係る本発明は、発散
X線を湾曲モノクロメータに入射させて平行化すること
なく単色化するとともに、湾曲モノクロメータから反射
したX線を、該X線のほぼ収束点上で試料へ入射し、か
つ試料で反射したX線を検出することを特徴としてい
る。Further, according to the present invention relating to the X-ray measuring method, the divergent X-rays are made incident on the curved monochromator to be monochromatic without being parallelized, and the X-rays reflected from the curved monochromator are converted to the X-rays of the X-ray. It is characterized in that X-rays that are incident on the sample substantially at the convergence point and are reflected by the sample are detected.
【0019】湾曲モノクロメータに発散X線を入射させ
ると、平行化させることなく単色化したX線が反射して
くることが知られている。本発明は、この湾曲モノクロ
メータの特性をX線測定に利用したものである。すなわ
ち、湾曲モノクロメータから反射してきたX線を、該X
線のほぼ収束点上で試料に入射させると、ある角度範囲
のX線を同時に試料へ入射させることができる。したが
って、試料からはX線の入射角度範囲に応じて、ある角
度範囲にX線が反射する。このように試料から反射して
きたある角度範囲内のX線を検出することにより、X線
反射率測定やロッキングカーブ測定を短時間で行なうこ
とができる。It is known that when divergent X-rays enter a curved monochromator, monochromatic X-rays are reflected without collimation. The present invention utilizes the characteristics of the curved monochromator for X-ray measurement. That is, the X-rays reflected from the curved monochromator are
X-rays in a certain angle range can be simultaneously incident on the sample when the X-rays are incident on the sample substantially at the convergence point of the line. Therefore, the X-rays are reflected from the sample in a certain angle range according to the incident angle range of the X-rays. By detecting X-rays within a certain angle range reflected from the sample in this way, X-ray reflectivity measurement and rocking curve measurement can be performed in a short time.
【0020】この発明のX線測定装置を用いて、X線反
射率測定を実施する場合には、湾曲モノクロメータから
試料に入射させるX線の入射角度を、X線反射率測定に
必要な低角度範囲に設定すればよい。また、ブラッグ角
が既知の基板結晶上に成長させた混晶膜または超格子構
造を有する試料を測定対象として、ロッキングカーブ測
定を実施する場合は、湾曲モノクロメータから試料に入
射させるX線の平均入射角度を、上記既知のブラッグ角
付近に設定することが好ましい。このように設定するこ
とにより、ブラッグ角が既知の結晶から反射(回折)し
てきたX線のピークプロファイルを基準として、混晶膜
や超格子構造から反射(回折)してきたX線のピークプ
ロファイルを同時に得ることができる。なお、ブラッグ
角とは、結晶格子面でX線の回折現象が生じる角度(X
線の入射角度)をいう。When measuring the X-ray reflectivity using the X-ray measuring apparatus of the present invention, the incident angle of the X-rays to be incident on the sample from the curved monochromator is adjusted to the low angle required for the X-ray reflectivity measurement. What is necessary is just to set to an angle range. When a rocking curve measurement is performed on a sample having a mixed crystal film or a superlattice structure grown on a substrate crystal having a known Bragg angle, the average of X-rays incident on the sample from a curved monochromator is measured. It is preferable to set the incident angle near the known Bragg angle. With this setting, the peak profile of the X-ray reflected (diffracted) from the mixed crystal film or the superlattice structure can be determined based on the peak profile of the X-ray reflected (diffracted) from a crystal having a known Bragg angle. Can be obtained at the same time. The Bragg angle is an angle (X at which the X-ray diffraction phenomenon occurs on the crystal lattice plane).
(Angle of incidence of line).
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して詳細に説明する。図1はこの発明の
実施形態に係るX線測定装置の平面構成図である。同図
に示すように、本実施形態のX線測定装置は、X線源
1、湾曲モノクロメータ2、試料配置手段としての試料
台(図示せず)、およびX線検出器3を備えている。な
お、4はX線源1から放射された発散X線の発散角を調
整するスリットである。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan configuration diagram of an X-ray measurement apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in the figure, the X-ray measuring apparatus of the present embodiment includes an X-ray source 1, a curved monochromator 2, a sample stage (not shown) as a sample placement unit, and an X-ray detector 3. . Reference numeral 4 denotes a slit for adjusting the divergence angle of the divergent X-ray radiated from the X-ray source 1.
【0022】湾曲モノクロメータ2は、入射したX線を
単色化して反射する機能を有している。すなわち、湾曲
モノクロメータ2にX線を入射させると、同モノクロメ
ータ2を構成する結晶材料に応じた特性X線(例えば、
Kα1)が反射して得られる。この湾曲モノクロメータ
2は、例えばα−水晶,Si,Geなどのほぼ完全な結
晶材料を薄くスライスした後、表面を鏡面研磨し、かつ
所定の曲率に湾曲成形して製作することができる。湾曲
モノクロメータ2は、一般にヨハンソン型とヨハン型の
2種類が知られている。The curved monochromator 2 has a function of making incident X-rays monochromatic and reflecting them. That is, when X-rays are incident on the curved monochromator 2, characteristic X-rays (for example,
Kα 1 ) is obtained by reflection. The curved monochromator 2 can be manufactured by thinly slicing a substantially perfect crystal material such as α-quartz, Si, Ge or the like, polishing the surface to a mirror surface, and forming a curved surface at a predetermined curvature. In general, two types of curved monochromator 2 are known: a Johansson type and a Johans type.
【0023】図2はヨハンソン型湾曲モノクロメータを
示す平面構成図である。ヨハンソン型湾曲モノクロメー
タ2′は、同図に示すように半径Rのローランド円(集
中円)10に沿って表面を湾曲させるとともに、結晶内
部の格子面が半径2Rの曲率で湾曲した構造となってい
る。このヨハンソン型湾曲モノクロメータ2′は、ロー
ランド円10上に設定した任意の地点に発散X線の焦点
Pを配置して該発散X線を表面に照射すると、単色化さ
れた発散X線を所定の角度で反射する。そして、反射し
たX線は、ローランド円10上の所定地点(収束点Q)
に収束する。FIG. 2 is a plan view showing a Johansson type curved monochromator. The Johansson-type curved monochromator 2 'has a structure in which the surface is curved along a Rowland circle (concentrated circle) 10 having a radius R and the lattice plane inside the crystal is curved with a radius 2R as shown in FIG. ing. The Johansson-type curved monochromator 2 ′ arranges a focal point P of divergent X-rays at an arbitrary point set on the Roland circle 10 and irradiates the divergent X-rays on the surface, and converts monochromatic divergent X-rays into a predetermined color. Reflect at an angle. Then, the reflected X-ray is a predetermined point (convergence point Q) on the Roland circle 10
Converges to
【0024】一方、図3はヨハン型湾曲モノクロメータ
を示す平面構成図である。ヨハン型湾曲モノクロメータ
2″は、同図に示すように半径Rのローランド円10に
対し、表面を半径2Rの曲率で湾曲させた構成となって
いる。結晶内部の格子面は、表面と平行に配置してあ
り、したがって格子面も半径2Rの曲率で湾曲してい
る。このヨハン型湾曲モノクロメータ2″は、ローラン
ド円10上に設定した任意の地点に発散X線の焦点Pを
配置して該発散X線を表面に照射すると、単色化された
発散X線を所定の角度で反射する。反射したX線は、所
定地点(収束点Q)に収束するが、一点には収束せず広
がりをもつ。しかし、この広がりはX線発散角の小さな
範囲では僅かであり、実用上何ら障害とはならない。FIG. 3 is a plan view showing a Johann type curved monochromator. The Johann type curved monochromator 2 ″ has a configuration in which the surface is curved at a radius of 2R with respect to a Rowland circle 10 having a radius R as shown in the figure. The lattice plane inside the crystal is parallel to the surface. The Johann-type curved monochromator 2 ″ has a focal point P for divergent X-rays at an arbitrary point set on the Roland circle 10. When the surface is irradiated with the divergent X-rays, the monochromatic divergent X-rays are reflected at a predetermined angle. The reflected X-ray converges at a predetermined point (convergence point Q), but does not converge at one point but has a spread. However, this spread is small in a small range of the X-ray divergence angle, and does not hinder practically any problem.
【0025】上述した湾曲モノクロメータ2において、
入射X線と反射X線の光路長が等しい配置の場合は対称
反射となるが、湾曲モノクロメータ2を入射X線の焦点
Pに近づけ、反射X線の光路長を長くとりたいこともあ
る。このような非対称反射を得るためには、図4に示す
ように、結晶格子面2aを表面に対しδ(δ<θ)だけ
傾斜させればよい。なお、θは結晶格子面に対するX線
の入射角である。このように構成することで、焦点Pか
ら湾曲モノクロメータ2の入射点Oまでの距離PO、お
よび入射点Oから収束点Qまでの距離OQは、それぞれ
次式のようになる。 PO=2Rsin(θ−δ) OQ=2Rsin(θ+δ)In the above-described curved monochromator 2,
When the arrangement is such that the optical path lengths of the incident X-rays and the reflected X-rays are equal, symmetrical reflection occurs. However, there is a case where it is desired to bring the curved monochromator 2 closer to the focal point P of the incident X-rays and increase the optical path length of the reflected X-rays. In order to obtain such asymmetric reflection, the crystal lattice plane 2a may be inclined by δ (δ <θ) with respect to the surface, as shown in FIG. Θ is the angle of incidence of X-rays on the crystal lattice plane. With this configuration, the distance PO from the focal point P to the incident point O of the curved monochromator 2 and the distance OQ from the incident point O to the convergence point Q are expressed by the following equations, respectively. PO = 2R sin (θ−δ) OQ = 2R sin (θ + δ)
【0026】X線源1には、発散X線を放射するX線管
を用いる。このX線源1は、例えば0.1mm程度以下
の微小焦点のものが好ましい。X線源1から放射される
発散X線の焦点Pは、上述したように湾曲モノクロメー
タ2のローランド円10上に配置する。なお、X線源1
から放射される発散X線の焦点Pが大きい場合は、同X
線源1の前方にスリットを配置して、微小焦点を形成し
てもよい。この場合、スリットを湾曲モノクロメータ2
のローランド円10上に配置する。As the X-ray source 1, an X-ray tube that emits divergent X-rays is used. The X-ray source 1 preferably has a fine focus of, for example, about 0.1 mm or less. The focal point P of the divergent X-ray radiated from the X-ray source 1 is arranged on the Rowland circle 10 of the curved monochromator 2 as described above. X-ray source 1
When the focal point P of the divergent X-ray radiated from
A micro focus may be formed by disposing a slit in front of the source 1. In this case, the slit is curved monochromator 2
Are arranged on the Roland circle 10.
【0027】試料Sは、図示しない試料台に装着し、湾
曲モノクロメータ2で反射したX線の収束点Qに試料面
を配置する。図5の(a)に示すように、湾曲モノクロ
メータ2から反射してきたX線光路の一側縁に対し、試
料表面Saを平行に配置した場合は、試料表面Saから
入射X線の収束角Ωまでの低角度領域(0°〜Ω)で、
X線反射率測定を同時に行なうことができる。また、図
5の(b)に示すように、湾曲モノクロメータ2から反
射してきたX線光路の一側縁に対し、試料表面Saをε
だけ傾斜させた場合は、試料表面Saを原点(0°)と
してε〜Ωの低角度領域で、X線反射率測定を同時に行
なうことができる。The sample S is mounted on a sample table (not shown), and the sample surface is arranged at a convergence point Q of the X-ray reflected by the curved monochromator 2. As shown in FIG. 5A, when the sample surface Sa is arranged parallel to one side edge of the X-ray optical path reflected from the curved monochromator 2, the convergence angle of the incident X-ray from the sample surface Sa In the low angle range up to Ω (0 ° to Ω),
X-ray reflectivity measurement can be performed simultaneously. In addition, as shown in FIG. 5B, the sample surface Sa is shifted by ε with respect to one side edge of the X-ray optical path reflected from the curved monochromator 2.
When the sample surface is tilted only by X, the X-ray reflectivity can be measured simultaneously in a low angle region of ε to Ω with the sample surface Sa as the origin (0 °).
【0028】既述したように、物質にX線を入射させた
とき全反射を生じる臨界角度は非常に小さく、例えばC
uKαのX線に対し、Siやガラス板では0.22°、
Niでは0.42°、そしてAuでは0.57°であ
る。したがって、試料Sに照射するX線の収束角Ωは、
1°程度あれば充分にX線反射率測定を実施できる。湾
曲モノクロメータ2で反射したX線の収束角Ωは、同モ
ノクロメータ2の大きさ、曲率半径、X線の入射角など
に依存するが、1°程度の収束角ΩをもつX線を得るの
は容易である。As described above, the critical angle at which total reflection occurs when X-rays are incident on a substance is very small.
For uKα X-ray, 0.22 ° for Si or glass plate,
It is 0.42 ° for Ni and 0.57 ° for Au. Therefore, the convergence angle Ω of the X-ray irradiating the sample S is
When the angle is about 1 °, the X-ray reflectivity can be sufficiently measured. The convergence angle Ω of the X-rays reflected by the curved monochromator 2 depends on the size of the monochromator 2, the radius of curvature, the incident angle of the X-rays, etc., but an X-ray having a convergence angle Ω of about 1 ° is obtained. It's easy.
【0029】また、上述したX線測定装置により、ブラ
ッグ角が既知の基板結晶上に成長させた混晶膜または超
格子構造を有する試料を測定対象として、ロッキングカ
ーブ測定を実施するには、図5の(c)に示すように、
湾曲モノクロメータ2から反射してきたX線の試料表面
Saに対する平均入射角度λを、上記既知のブラッグ角
θ付近に設定すればよい。このように設定すれば、ブラ
ッグ角θが既知の基板結晶から反射(回折)してきたX
線のピークプロファイルを基準として、混晶膜や超格子
構造から反射してきたX線のピークプロファイルを同時
に得ることができる。In order to measure the rocking curve of a sample having a mixed crystal film or a superlattice structure grown on a substrate crystal having a known Bragg angle by the above-mentioned X-ray measuring apparatus, As shown in FIG. 5 (c),
The average incident angle λ of the X-rays reflected from the curved monochromator 2 with respect to the sample surface Sa may be set near the known Bragg angle θ. With this setting, X reflected and diffracted from the substrate crystal whose Bragg angle θ is known
The X-ray peak profile reflected from the mixed crystal film or the superlattice structure can be simultaneously obtained based on the X-ray peak profile.
【0030】X線検出器3としては、X線強度を一次元
または2次元で検出することができる各種のものが利用
できる。例えば、イメージングプレート(IP)、X線
検出用CCD、一次元PSDなどがX線検出器3として
適用可能である。さて、X線反射率測定においては、X
線検出器3で検出されるX線強度Iは、Imin=1c
ps/sからImax=106cps/s程度の強度差
がある。したがって、ダイナミックレンジの狭いX線検
出器3では、測定不能となるおそれがある。As the X-ray detector 3, various detectors capable of detecting the X-ray intensity in one or two dimensions can be used. For example, an imaging plate (IP), a CCD for X-ray detection, a one-dimensional PSD, or the like can be applied as the X-ray detector 3. Now, in the X-ray reflectivity measurement, X
The X-ray intensity I detected by the line detector 3 is Imin = 1c
There is an intensity difference from ps / s to Imax = 10 6 cps / s. Therefore, the X-ray detector 3 having a narrow dynamic range may not be able to measure.
【0031】その場合は、図6に示すように試料Sで反
射してきたX線の光路上に、X線吸収材料からなるX線
吸収体5を挿入することが好ましい。試料Sで反射して
きたX線は、反射角度が大きくなるにしたがい強度が小
さくなる。そこで、X線吸収体5は、低い角度で反射し
てきたX線が透過する部分の幅を広く、反射角度の大き
なX線が透過する部分の幅を小さく形成してある。これ
により、強度の大きなX線の減衰率を大きく、小さな強
度のX線の減衰率を小さくすることができるので、X線
の強度差を小さくすることができる。X線吸収体5の具
体的形状としては、例えば楔状や段付き形状などが考え
られる。このようにX線吸収体5を挿入した場合は、同
吸収体5によるX線の減衰率に応じて測定結果を補正
し、真のX線強度を算出すればよい。In this case, it is preferable to insert an X-ray absorber 5 made of an X-ray absorbing material into the optical path of the X-ray reflected by the sample S as shown in FIG. The intensity of the X-ray reflected from the sample S decreases as the reflection angle increases. Therefore, the X-ray absorber 5 is formed such that the width of the portion through which the X-ray reflected at a low angle is transmitted is wide and the width of the portion through which the X-ray having a large reflection angle is transmitted is small. This makes it possible to increase the attenuation rate of the X-rays having a high intensity and to decrease the attenuation rate of the X-rays having a low intensity, thereby reducing the difference in the intensity of the X-rays. As a specific shape of the X-ray absorber 5, for example, a wedge shape or a stepped shape can be considered. When the X-ray absorber 5 is inserted as described above, the true X-ray intensity may be calculated by correcting the measurement result according to the X-ray attenuation rate of the absorber 5.
【0032】上述したX線測定装置によれば、X線源1
から放射された発散X線は、湾曲モノクロメータ2に入
射して単色化され、例えばKα1のみが表面から反射し
てくる。湾曲モノクロメータ2から反射してきたX線は
収束角Ωの角度範囲を有しており、該収束角ΩのX線が
試料Sに入射する。試料SからはX線の入射角度に応じ
てX線が反射する。According to the X-ray measuring apparatus described above, the X-ray source 1
Emitted divergent X-rays from is monochromatic incident on the curved monochromator 2, for example only K [alpha 1 is reflected from the surface. The X-rays reflected from the curved monochromator 2 have an angle range of the convergence angle Ω, and the X-rays with the convergence angle Ω enter the sample S. X-rays are reflected from the sample S according to the incident angle of the X-rays.
【0033】そして、試料Sから反射してきたX線の反
射角度およびX線強度を、X線検出器3で検出すること
により、必要とされる全ての角度について、X線反射率
測定やロッキングカーブ測定を同時に行なうことができ
る。このように、必要とされる全ての角度について、X
線反射率測定やロッキングカーブ測定を同時に行なうこ
とができるため、例えば、薄膜製造工程中に本実施形態
のX線測定装置を配設し、薄膜製造と並行してX線反射
率測定やロッキングカーブ測定を実行することも可能と
なる。なお、この発明は上述した実施形態に限定される
ものではなく、種々の変形または応用が可能なことは勿
論である。Then, the X-ray detector 3 detects the reflection angle and the X-ray intensity of the X-ray reflected from the sample S, thereby measuring the X-ray reflectivity and the rocking curve for all necessary angles. Measurements can be taken simultaneously. Thus, for all required angles, X
Since the X-ray reflectivity measurement and the rocking curve measurement can be performed simultaneously, for example, the X-ray measurement apparatus of the present embodiment is provided during the thin film manufacturing process, and the X-ray reflectivity measurement and the rocking curve measurement are performed in parallel with the thin film manufacture. Measurement can also be performed. Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it is needless to say that various modifications or applications are possible.
【0034】[0034]
【発明の効果】以上説明したように本発明のX線測定装
置によれば、構造が簡易で設備コストの低価格化を図る
ことができ、しかも測定時間を大幅に短縮することがで
きる。また、本発明のX線測定方法によれば、試料に対
し必要とされる全ての測定角度について同時にX線測定
が行なえるので、測定時間を大幅に短縮することができ
る。As described above, according to the X-ray measuring apparatus of the present invention, the structure is simple, the equipment cost can be reduced, and the measuring time can be greatly reduced. Further, according to the X-ray measurement method of the present invention, X-ray measurement can be performed simultaneously for all measurement angles required for the sample, so that the measurement time can be greatly reduced.
【図1】この発明の実施形態に係るX線測定装置を示す
平面構成図である。FIG. 1 is a plan view showing an X-ray measurement apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】同装置に適用されるヨハンソン型湾曲モノクロ
メータを示す平面構成図である。FIG. 2 is a plan view showing a Johansson type curved monochromator applied to the apparatus.
【図3】同装置に適用されるヨハン型湾曲モノクロメー
タを示す平面構成図である。FIG. 3 is a plan view showing a Johann type curved monochromator applied to the apparatus.
【図4】湾曲モノクロメータによる非対称反射を実現さ
せるための構成を示す平面構成図である。FIG. 4 is a plan view showing a configuration for realizing asymmetrical reflection by a curved monochromator.
【図5】試料に対するX線の入射角と反射角の関係を示
す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a relationship between an incident angle and a reflection angle of an X-ray with respect to a sample.
【図6】X線吸収体を挿入したX線測定装置の構成を示
す平面構成図である。FIG. 6 is a plan view showing a configuration of an X-ray measuring apparatus in which an X-ray absorber is inserted.
【図7】X線反射率測定の原理を説明するための模式図
である。FIG. 7 is a schematic diagram for explaining the principle of X-ray reflectivity measurement.
【図8】X線反射率曲線の一例を示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing an example of an X-ray reflectance curve.
【図9】X線反射率測定の原理を説明するための他の模
式図である。FIG. 9 is another schematic diagram for explaining the principle of X-ray reflectivity measurement.
【図10】X線反射率曲線の他の一例を示すグラフであ
る。FIG. 10 is a graph showing another example of the X-ray reflectance curve.
【図11】X線反射率測定に用いられる従来のX線測定
装置を示す平面構成図である。FIG. 11 is a plan view showing a conventional X-ray measuring device used for measuring X-ray reflectivity.
【図12】ロッキングカーブ測定に用いられる従来のX
線測定装置の概要を示す平面構成図である。FIG. 12 shows a conventional X used for rocking curve measurement.
It is a top view showing the outline of a line measuring device.
【図13】ロッキングカーブの一例を示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a rocking curve.
1:X線源 2:湾曲モノクロメータ 3:X線検出器 4:スリット 5:X線吸収体 S:試料 1: X-ray source 2: curved monochromator 3: X-ray detector 4: slit 5: X-ray absorber S: sample
Claims (6)
線を検出するX線測定装置において、 発散X線を放射するX線源と、前記X線源から放射され
た発散X線を平行化することなく単色化して反射する湾
曲モノクロメータと、該湾曲モノクロメータで反射した
X線のほぼ収束点に試料を配置する試料配置手段と、前
記試料で反射したX線を検出するX線検出手段とを備え
たことを特徴とするX線測定装置。1. X-rays incident on a sample and reflected by the sample
An X-ray measuring device for detecting X-rays, comprising: an X-ray source that emits divergent X-rays; a curved monochromator that monochromatically reflects the divergent X-rays emitted from the X-ray source without collimating the reflected X-rays; An X-ray measuring apparatus comprising: a sample arranging means for arranging a sample at a substantially converging point of X-rays reflected by a monochromator; and an X-ray detecting means for detecting X-rays reflected by the sample.
射角度を、X線反射率測定に必要な低角度範囲に設定し
たことを特徴とするX線測定装置。2. The X-ray measuring apparatus according to claim 1, wherein an incident angle of the X-ray to be incident on the sample from the curved monochromator is set to a low angle range necessary for measuring the X-ray reflectivity. X-ray measurement device.
せた混晶膜または超格子構造を有する試料を測定対象と
して、ロッキングカーブ測定を実施するための請求項1
記載のX線測定装置において、 前記湾曲モノクロメータから試料に入射させるX線の平
均入射角度を、前記既知のブラッグ角付近に設定したこ
とを特徴とするX線測定装置。3. A rocking curve measurement for a sample having a mixed crystal film or a superlattice structure grown on a substrate crystal having a known Bragg angle, as a measurement target.
The X-ray measuring apparatus according to claim 1, wherein an average incident angle of X-rays to be incident on the sample from the curved monochromator is set near the known Bragg angle.
線を検出するX線測定方法において、 発散X線を湾曲モノクロメータに入射させて平行化する
ことなく単色化するとともに、前記湾曲モノクロメータ
から反射したX線を、該X線のほぼ収束点上で試料へ入
射し、かつ前記試料で反射したX線を検出することを特
徴とするX線測定方法。4. An X-ray incident on a sample and reflected by the sample.
In the X-ray measurement method for detecting X-rays, the divergent X-rays are made incident on a curved monochromator to be monochromatic without being parallelized, and the X-rays reflected from the curved monochromator are substantially converged on the X-ray. Detecting an X-ray incident on the sample and reflected by the sample.
射角度を、X線反射率測定に必要な低角度範囲に設定し
たことを特徴とするX線測定方法。5. The X-ray measuring method according to claim 4, wherein an incident angle of the X-ray to be incident on the sample from the curved monochromator is set to a low angle range necessary for measuring the X-ray reflectivity. X-ray measurement method.
は超格子構造を有する試料を測定対象とし、 前記湾曲モノクロメータから試料に入射させるX線の平
均入射角度を、前記既知のブラッグ角付近に設定したこ
とを特徴とするX線測定方法。6. The X-ray measurement method according to claim 4, wherein a sample having a mixed crystal film or a superlattice structure grown on a substrate crystal having a known Bragg angle is set as a measurement target, and the sample is transferred from the curved monochromator to the sample. An X-ray measuring method, wherein an average incident angle of X-rays to be incident is set near the known Bragg angle.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9308339A JPH1114561A (en) | 1997-04-30 | 1997-11-11 | Apparatus and method for measurement of x-rays |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH1114561A true JPH1114561A (en) | 1999-01-22 |
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---|---|
JP (1) | JPH1114561A (en) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0171571U (en) * | 1988-05-02 | 1989-05-12 | ||
WO2000073773A1 (en) * | 1999-05-28 | 2000-12-07 | Japan Science And Technology Corporation | Combinatorial x-ray diffractor |
JP2003510621A (en) * | 1999-09-29 | 2003-03-18 | ジョーダン・バレー・アプライド・ラディエーション・リミテッド | X-ray array detector |
JP2003529047A (en) * | 1999-08-02 | 2003-09-30 | サーマ‐ウェイブ・インク | X-ray reflectivity measurement on patterned wafer |
US6970532B2 (en) | 2000-05-10 | 2005-11-29 | Rigaku Corporation | Method and apparatus for measuring thin film, and thin film deposition system |
US7068753B2 (en) | 2004-07-30 | 2006-06-27 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Enhancement of X-ray reflectometry by measurement of diffuse reflections |
US7551719B2 (en) | 2004-09-21 | 2009-06-23 | Jordan Valley Semiconductord Ltd | Multifunction X-ray analysis system |
JP2011117741A (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-16 | Canon Inc | X-ray monochromator, method of manufacturing the same, and x-ray spectrometer |
US8243878B2 (en) | 2010-01-07 | 2012-08-14 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | High-resolution X-ray diffraction measurement with enhanced sensitivity |
US8437450B2 (en) | 2010-12-02 | 2013-05-07 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Fast measurement of X-ray diffraction from tilted layers |
US8693635B2 (en) | 2010-07-13 | 2014-04-08 | Jordan Valley Semiconductor Ltd. | X-ray detector assembly with shield |
US9726624B2 (en) | 2014-06-18 | 2017-08-08 | Bruker Jv Israel Ltd. | Using multiple sources/detectors for high-throughput X-ray topography measurement |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4976570A (en) * | 1972-10-18 | 1974-07-24 | ||
JPH04175645A (en) * | 1990-11-08 | 1992-06-23 | Rigaku Corp | X-ray diffraction goniometer and x-ray diffraction method |
JPH05322804A (en) * | 1992-05-15 | 1993-12-07 | Hitachi Ltd | Method and device for measuring reflected profile of x ray |
JPH0954050A (en) * | 1995-08-14 | 1997-02-25 | Rigaku Corp | X-ray small-angle scattering device |
US5619548A (en) * | 1995-08-11 | 1997-04-08 | Oryx Instruments And Materials Corp. | X-ray thickness gauge |
JPH09281061A (en) * | 1996-04-17 | 1997-10-31 | Fujitsu Ltd | Apparatus for evaluating crystal orientation properties |
-
1997
- 1997-11-11 JP JP9308339A patent/JPH1114561A/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4976570A (en) * | 1972-10-18 | 1974-07-24 | ||
JPH04175645A (en) * | 1990-11-08 | 1992-06-23 | Rigaku Corp | X-ray diffraction goniometer and x-ray diffraction method |
JPH05322804A (en) * | 1992-05-15 | 1993-12-07 | Hitachi Ltd | Method and device for measuring reflected profile of x ray |
US5619548A (en) * | 1995-08-11 | 1997-04-08 | Oryx Instruments And Materials Corp. | X-ray thickness gauge |
JPH0954050A (en) * | 1995-08-14 | 1997-02-25 | Rigaku Corp | X-ray small-angle scattering device |
JPH09281061A (en) * | 1996-04-17 | 1997-10-31 | Fujitsu Ltd | Apparatus for evaluating crystal orientation properties |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03135Y2 (en) * | 1988-05-02 | 1991-01-07 | ||
JPH0171571U (en) * | 1988-05-02 | 1989-05-12 | ||
WO2000073773A1 (en) * | 1999-05-28 | 2000-12-07 | Japan Science And Technology Corporation | Combinatorial x-ray diffractor |
JP2003529047A (en) * | 1999-08-02 | 2003-09-30 | サーマ‐ウェイブ・インク | X-ray reflectivity measurement on patterned wafer |
JP4824888B2 (en) * | 1999-08-02 | 2011-11-30 | サーマ‐ウェイブ・インク | X-ray reflectivity measurement on patterned wafer |
JP4796254B2 (en) * | 1999-09-29 | 2011-10-19 | ジョーダン・バレー・セミコンダクターズ・リミテッド | X-ray array detector |
JP2003510621A (en) * | 1999-09-29 | 2003-03-18 | ジョーダン・バレー・アプライド・ラディエーション・リミテッド | X-ray array detector |
US6970532B2 (en) | 2000-05-10 | 2005-11-29 | Rigaku Corporation | Method and apparatus for measuring thin film, and thin film deposition system |
US7068753B2 (en) | 2004-07-30 | 2006-06-27 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Enhancement of X-ray reflectometry by measurement of diffuse reflections |
US7231016B2 (en) | 2004-07-30 | 2007-06-12 | Jordan Valley Applied Radiation, Ltd. | Efficient measurement of diffuse X-ray reflections |
US7551719B2 (en) | 2004-09-21 | 2009-06-23 | Jordan Valley Semiconductord Ltd | Multifunction X-ray analysis system |
JP2011117741A (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-16 | Canon Inc | X-ray monochromator, method of manufacturing the same, and x-ray spectrometer |
US8243878B2 (en) | 2010-01-07 | 2012-08-14 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | High-resolution X-ray diffraction measurement with enhanced sensitivity |
US8693635B2 (en) | 2010-07-13 | 2014-04-08 | Jordan Valley Semiconductor Ltd. | X-ray detector assembly with shield |
US8437450B2 (en) | 2010-12-02 | 2013-05-07 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Fast measurement of X-ray diffraction from tilted layers |
US9726624B2 (en) | 2014-06-18 | 2017-08-08 | Bruker Jv Israel Ltd. | Using multiple sources/detectors for high-throughput X-ray topography measurement |
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