JPH11145328A - Flip-chip mounting substrate and flip-chip mounting inspection method - Google Patents

Flip-chip mounting substrate and flip-chip mounting inspection method

Info

Publication number
JPH11145328A
JPH11145328A JP9308800A JP30880097A JPH11145328A JP H11145328 A JPH11145328 A JP H11145328A JP 9308800 A JP9308800 A JP 9308800A JP 30880097 A JP30880097 A JP 30880097A JP H11145328 A JPH11145328 A JP H11145328A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flip
chip
wiring
image
chip mounting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9308800A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2997232B2 (en
Inventor
Akira Fujii
明 藤井
Kazuhisa Kadoi
和久 角井
Yoshinobu Maeno
善信 前野
Hidehiko Kira
秀彦 吉良
Shunji Baba
俊二 馬場
Norio Kainuma
則夫 海沼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP9308800A priority Critical patent/JP2997232B2/en
Publication of JPH11145328A publication Critical patent/JPH11145328A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2997232B2 publication Critical patent/JP2997232B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/17Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/17Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/11Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3431Leadless components
    • H05K3/3436Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は突起電極が千鳥状に配設された被実装
素子がフリップチップ実装されるフリップチップ実装用
基板及びフリップチップ実装検査方法に関し、被実装素
子の高密度化及び小型化に対応しつつ、かつ実装検査の
精度向上を図ることを課題とする。 【解決手段】千鳥状に配設された複数のバンプ52を有す
る半導体チップ50が、これに対応する複数の配線34にフ
リップチップ実装されるフリップチップ実装用基板にお
いて、配線34にパッド部36及び第1及び第2の延出部3
8,40を形成する。また、パッド部36はバンプ52に対応
するよう千鳥状に配置され、かつバンプ52がフリップチ
ップ実装されるに足る十分な面積及び形状を有するよう
構成される。また、第1の延出部38は、隣接する配線間
で干渉しないようパッド部36の幅寸法より幅狭な形状と
する。更に、第2の延出部40は、パッド部36の幅方向外
周縁から連続的に延出する直線状の基準側縁42を有し
た構成とする。
(57) Abstract: The present invention relates to a flip-chip mounting board and a flip-chip mounting inspection method in which a mounted element in which projecting electrodes are arranged in a staggered manner is flip-chip mounted, and a high density of the mounted element. It is an object to improve the accuracy of mounting inspection while coping with miniaturization and miniaturization. A flip-chip mounting substrate in which a semiconductor chip having a plurality of bumps arranged in a staggered manner is flip-chip mounted on a plurality of wirings corresponding to the semiconductor chip, a pad portion is provided on the wiring. 1st and 2nd extension part 3
Form 8,40. The pad portions 36 are arranged in a zigzag pattern so as to correspond to the bumps 52, and are configured to have a sufficient area and shape to allow the bumps 52 to be flip-chip mounted. In addition, the first extension portion 38 has a shape narrower than the width of the pad portion 36 so as not to interfere between adjacent wirings. Further, the second extending portion 40 has a linear reference side edge 42 continuously extending from the outer peripheral edge of the pad portion 36 in the width direction.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はフリップチップ実装
用基板及びフリップチップ実装検査方法に係り、特に突
起電極が千鳥状に配設された被実装素子がフリップチッ
プ実装されるフリップチップ実装用基板及びフリップチ
ップ実装検査方法に関する。近年、半導体チップの高密
度化及び小型化は急速に進んでおり、これに伴い半導体
チップに設けられる接続端子数は増大し、よって端子間
ピッチは狭ピッチ化する傾向にある。このため、接続端
子を千鳥状に配設することにより、隣接する接続端子の
ピッチを比較的広く維持しつつ多ピン化に対応すること
が行なわれている。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flip-chip mounting board and a flip-chip mounting inspection method, and more particularly, to a flip-chip mounting board on which elements to be mounted having projecting electrodes arranged in a staggered manner are flip-chip mounted. The present invention relates to a flip chip mounting inspection method. 2. Description of the Related Art In recent years, the density and size of semiconductor chips have been rapidly increasing, and accordingly, the number of connection terminals provided on a semiconductor chip has increased, and the pitch between terminals has tended to be narrower. For this reason, by arranging the connection terminals in a staggered manner, it has been practiced to cope with the increase in the number of pins while maintaining a relatively wide pitch between adjacent connection terminals.

【0002】また、半導体チップが搭載される電子機器
の小型化を図るためには、半導体チップを実装用基板に
実装する際の実装スペースを小さくすることが必要とな
る。このため、半導体チップの接続端子として突起電極
(バンプ)を用い、半導体チップを実装用基板に対しフ
リップチップ実装することが行なわれている。また、上
記半導体チップが実装される実装基板においては、バン
プが接合される配線の狭ピッチ化を図る必要があり、ま
た確実なフリップチップ実装を可能とするためには、バ
ンプの接合位置においては所定の接合領域を確保する必
要がある。
Further, in order to reduce the size of an electronic device on which a semiconductor chip is mounted, it is necessary to reduce a mounting space when mounting the semiconductor chip on a mounting substrate. For this reason, bump electrodes (bumps) are used as connection terminals of the semiconductor chip, and the semiconductor chip is flip-chip mounted on a mounting substrate. Further, in the mounting substrate on which the semiconductor chip is mounted, it is necessary to reduce the pitch of the wiring to which the bumps are bonded, and in order to enable reliable flip-chip mounting, the bonding positions of the bumps must be reduced. It is necessary to secure a predetermined bonding area.

【0003】更に、バンプを実装用基板に接合した後、
バンプが実装用基板に適正にフリップチップ実装された
か否かを検査する必要があるが、フリップチップ実装の
場合には半導体チップの外部にリードが延出しない構成
であるため、X線を用いた透視検査が行なわれている。
よって、フリップチップ実装の信頼性を高めるために
は、このX線を用いた透視検査を精度良く行なう必要が
ある。
Further, after bonding the bump to the mounting substrate,
It is necessary to inspect whether or not the bumps are properly flip-chip mounted on the mounting substrate. However, in the case of flip-chip mounting, since the leads do not extend outside the semiconductor chip, X-rays are used. A fluoroscopic examination is being performed.
Therefore, in order to increase the reliability of flip-chip mounting, it is necessary to perform a fluoroscopic inspection using this X-ray with high accuracy.

【0004】[0004]

【従来の技術】図4は、従来のフリップチップ実装用基
板2に半導体チップ8をフリップチップ実装した状態を
示している。半導体チップ8は、図5に示すように、そ
の実装面に複数のバンプ10をペリフェラル状に配設し
ている。このバンプ10はスタッドバンプであり、ワイ
ヤボンディング技術を利用して形成されている。
FIG. 4 shows a state in which a semiconductor chip 8 is flip-chip mounted on a conventional flip-chip mounting substrate 2. As shown in FIG. 5, the semiconductor chip 8 has a plurality of bumps 10 arranged on its mounting surface in a peripheral shape. The bump 10 is a stud bump and is formed using a wire bonding technique.

【0005】また、フリップチップ実装用基板2は、樹
脂或いはセラミック製の基板本体上に配線6が所定のパ
ターンで形成されている。この配線6のバンプ10と接
合される部位を含む所定範囲は、直線状のパターンとさ
れている。よって、その側縁は直線状の側縁となってい
る(以下、この側縁を基準側縁14という)。図2に示
されるように、半導体チップ8はフリップチップ実装用
基板2にフリップチップ実装されるが、この実装状態に
おいてバンプ10は導電性を有した接着剤12により配
線6に固定される。これにより、半導体チップ8はフリ
ップチップ実装用基板2に電気的及び機械的に接続され
た構成となる。
The flip-chip mounting substrate 2 has a wiring 6 formed in a predetermined pattern on a resin or ceramic substrate main body. A predetermined range including a portion of the wiring 6 to be joined to the bump 10 is a linear pattern. Therefore, the side edge is a straight side edge (hereinafter, this side edge is referred to as a reference side edge 14). As shown in FIG. 2, the semiconductor chip 8 is flip-chip mounted on the flip-chip mounting substrate 2. In this mounted state, the bumps 10 are fixed to the wiring 6 by a conductive adhesive 12. Thus, the semiconductor chip 8 is electrically and mechanically connected to the flip-chip mounting substrate 2.

【0006】ところで、半導体チップ8の高密度化が近
年程進んでいない従来では、半導体チップ8に配設され
るバンプ数は少なく、よって隣接するバンプ間のピッチ
P1は広く取ることができた。よって、このバンプ間ピ
ッチP1に対応して形成される配線6も広いピッチP1
を有して形成することができ、各配線6の幅寸法W1も
バンプ10の径寸法に対して十分に広く取ることができ
た。
By the way, in the related art where the density of the semiconductor chips 8 has not been increased in recent years, the number of bumps provided on the semiconductor chip 8 is small, and the pitch P1 between adjacent bumps can be widened. Therefore, the wiring 6 formed corresponding to the pitch P1 between the bumps also has a large pitch P1.
The width W1 of each wiring 6 can be set sufficiently large with respect to the diameter of the bump 10.

【0007】このように、バンプ10の径寸法に対して
配線6の幅寸法W1を広く取るのは次の理由による。即
ち、半導体チップ8をフリップチップ実装用基板2にフ
リップチップ実装する際、半導体チップ8とフリップチ
ップ実装用基板2との位置決めを行なった上で実装処理
を行なうが、この位置決めには必然的に誤差が発生して
しまう。
The reason why the width W1 of the wiring 6 is made wider than the diameter of the bump 10 is as follows. That is, when the semiconductor chip 8 is flip-chip mounted on the flip-chip mounting substrate 2, the mounting process is performed after positioning the semiconductor chip 8 and the flip-chip mounting substrate 2, but this positioning is necessarily performed. An error occurs.

【0008】従って、配線6の幅寸法W1をバンプ10
の径寸法と同一とすると、実装不良となる確率が高くな
り実装の信頼性の低下してしまう。そこで、上記の誤差
を吸収するためにバンプ10の径寸法に対して配線6の
幅寸法W1を広く取り、これにより誤差範囲においては
バンプ10と配線6とが確実に接合しうる構成としてい
る。また、従来では、上記のようにバンプ間ピッチP1
が広かったため、配線6をその全体にわたり上記の誤差
を吸収するに足る十分な幅寸法W1で形成しても、隣接
する配線間で干渉が発生するようなことはなかった。
Accordingly, the width W1 of the wiring 6 is
If the diameter is the same, the probability of mounting failure increases and the reliability of mounting decreases. Therefore, in order to absorb the above error, the width dimension W1 of the wiring 6 is set to be larger than the diameter dimension of the bump 10, so that the bump 10 and the wiring 6 can be securely joined in the error range. Further, conventionally, as described above, the pitch P1 between the bumps is used.
Therefore, even if the wiring 6 is formed with a width W1 sufficient to absorb the above error over the entire wiring, no interference occurs between adjacent wirings.

【0009】しかるに、外乱の影響等により、稀ではあ
るが半導体チップ8が誤差範囲を越えてフリップチップ
実装用基板2に実装されてしまう場合がある。このた
め、従来より半導体チップ8が適正(即ち、誤差範囲
内)にフリップチップ実装用基板2に実装されたか否か
を検査することが行なわれている。ここで、従来より行
なわれているフリップチップ実装検査方法について、図
7を用いて説明する。
However, due to the influence of disturbance or the like, the semiconductor chip 8 may be rarely mounted on the flip-chip mounting substrate 2 beyond the error range due to the influence of disturbance or the like. For this reason, conventionally, it has been inspected whether the semiconductor chip 8 is mounted on the flip-chip mounting substrate 2 properly (that is, within the error range). Here, a conventional flip chip mounting inspection method will be described with reference to FIG.

【0010】フリップチップ実装では、半導体チップ8
の実装面に配設されたバンプ10をフリップチップ実装
用基板2に接合し実装する構造であるため、実装状態に
おいては半導体チップ8の周囲にリード等は存在しな
い。このため、フリップチップ実装における実装検査で
は、X線を用いて配線6とバンプ10との接合位置を透
視撮像し、この透視画像から実装の良否を判定すること
が行なわれている。またこの良否の判定は、検査者が透
視撮像を観察することにより行なわれている。
In the flip chip mounting, the semiconductor chip 8
In this structure, the bumps 10 provided on the mounting surface are bonded to the flip-chip mounting substrate 2 and mounted, so that no leads or the like exist around the semiconductor chip 8 in the mounted state. For this reason, in the mounting inspection in flip-chip mounting, the bonding position between the wiring 6 and the bump 10 is perspectively imaged using X-rays, and the quality of the mounting is determined from the fluoroscopic image. In addition, the quality is determined by the inspector observing the fluoroscopic imaging.

【0011】図7(A)〜(D)は、配線6とバンプ1
0との各種実装態様を示している。図7(A)は、バン
プ10が配線6に最も適正に実装(接合)された状態を
示している。この実装状態における透視画像では、バン
プ10の透視画像(以下、バンプ映像10Aという)が
配線6の透視画像(以下、配線映像6Aという)の中央
に位置しており、よってバンプ10が確実に配線6に接
合されていることが判定できる。
FIGS. 7A to 7D show the wiring 6 and the bump 1.
0 shows various implementation modes. FIG. 7A shows a state in which the bump 10 is most appropriately mounted (joined) to the wiring 6. In the perspective image in this mounting state, the perspective image of the bump 10 (hereinafter, referred to as a bump image 10A) is located at the center of the perspective image of the wiring 6 (hereinafter, referred to as the wiring image 6A). 6 can be determined.

【0012】図7(B)は、図7(A)の最適状態に比
べ、バンプ10が図中矢印X方向に若干変位して配線6
に接合された状態を示している。この状態では、バンプ
10の一部は配線6からはみ出した状態となっている。
一般に、配線6とバンプ10との接合状態は、バンプ映
像10Aと配線映像6Aとの重畳面積がバンプ映像10
Aの面積に対し半分以上であれば、適正と判断すること
が行なわれている。よって、検査者は透視画像より、バ
ンプ映像10Aと配線映像6Aとの重畳面積がバンプ映
像10Aの面積の半分以上であるか否かを判定する。
FIG. 7B shows that the bumps 10 are slightly displaced in the direction of arrow X in FIG.
3 shows a state in which they are joined. In this state, a part of the bump 10 protrudes from the wiring 6.
In general, the bonding state between the wiring 6 and the bump 10 is determined by the overlapping area of the bump image 10A and the wiring image 6A.
If the area of A is half or more, it is determined that the area is appropriate. Therefore, the inspector determines from the perspective image whether or not the overlapping area of the bump image 10A and the wiring image 6A is at least half the area of the bump image 10A.

【0013】具体的には、検査者は配線6の基準側縁1
4の透視画像(以下、基準側縁映像14Aという)を基
準とし、この基準側縁映像14Aに対しバンプ映像10
Aがどれほどはみ出しているかを観察することにより良
否の判定を行なっている。従って、図7(B)に示す場
合には、配線6とバンプ10との接合状態は適正である
と判定することができる。
Specifically, the inspector determines the reference side edge 1 of the wiring 6.
4 (hereinafter, referred to as a reference side image 14A), and the bump image 10
The quality is determined by observing how much A protrudes. Therefore, in the case shown in FIG. 7B, it can be determined that the bonding state between the wiring 6 and the bump 10 is appropriate.

【0014】図7(C)は、図7(B)の適正状態に比
べ、更にバンプ10が図中矢印X方向に若干変位して配
線6に接合された状態を示している。この状態では、バ
ンプ10は配線6から大きくはみ出した状態となってい
る。この図7(C)に示す例では、基準側縁映像14A
に対しバンプ映像10Aは半分以上はみ出しており、よ
って検査者は配線6とバンプ10との接合状態は不良で
あると判定することができる。
FIG. 7C shows a state in which the bumps 10 are further displaced slightly in the direction of the arrow X in the figure and are joined to the wiring 6 as compared with the proper state in FIG. 7B. In this state, the bump 10 protrudes greatly from the wiring 6. In the example shown in FIG. 7C, the reference side edge image 14A
On the other hand, the bump image 10A protrudes more than half, so that the inspector can determine that the bonding state between the wiring 6 and the bump 10 is defective.

【0015】更に、図7(D)は、図7(C)の適正状
態に比べ、更にバンプ10が図中矢印X方向に若干変位
した状態を示している。この状態では、バンプ10は配
線6から完全に離間しており、よって検査者は配線6と
バンプ10との接合状態は不良であると判定することが
できる。上記のようにフリップチップ実装検査は、検査
者が透視画像に基づき良否の判定を行なうが、この際、
判定の基準となる基準側縁映像14Aが透視画像内に存
在するため、例えば図7(B),(C)等の基準側縁映
像14Aに対しバンプ映像10Aがはみ出した状態にお
いても性格に良否の判定を行なうことができた。
FIG. 7D shows a state in which the bumps 10 are slightly displaced in the direction of the arrow X in the figure, compared to the proper state in FIG. 7C. In this state, the bump 10 is completely separated from the wiring 6, so that the inspector can determine that the bonding state between the wiring 6 and the bump 10 is defective. As described above, in the flip chip mounting inspection, the inspector makes a pass / fail judgment based on the fluoroscopic image.
Since the reference side edge image 14A serving as a criterion for determination is present in the perspective image, the quality is good even in the state where the bump image 10A protrudes from the reference side edge image 14A, for example, in FIGS. 7B and 7C. Was able to be determined.

【0016】ところで、近年の半導体チップの急激な高
密度化及び小型化に伴い、半導体チップに設けられる接
続端子数は増大し、よって端子間ピッチは狭ピッチ化す
る傾向にある。このため、図5に示すような一列にバン
プ10を配設する構造では、バンプ間ピッチが狭くな
り、隣接するバンプ間で干渉(例えば、実装時に隣接す
るバンプ同志がブリッジしてしまう等)を生じるように
なった。よって、これを解決する構造として、図8に示
される半導体チップ16が提案され、また実用されてい
る。
With the rapid increase in the density and miniaturization of semiconductor chips in recent years, the number of connection terminals provided on the semiconductor chip has increased, and the pitch between terminals has tended to be reduced. For this reason, in the structure in which the bumps 10 are arranged in a line as shown in FIG. 5, the pitch between the bumps is narrowed, and interference between adjacent bumps (for example, adjacent bumps bridge at the time of mounting). Began to occur. Therefore, as a structure for solving this, the semiconductor chip 16 shown in FIG. 8 has been proposed and put to practical use.

【0017】図8に示す半導体チップ16は、バンプ1
8を千鳥状に配設した構成とさてれいる。この構成とす
ることにより、バンプ18の列設方向に対するバンプ間
ピッチP2は図5に示した半導体チップ8のバンプ間ピ
ッチP1に対して狭くするこができる(P2<P1)。
よって、バンプ18を高密度に配設することが可能とな
り、半導体装置16の多ピン化及び小型化を図ることが
できる。また、隣接するバンプ間の離間距離は図中矢印
P3に示す距離となり、バンプ間ピッチP2に対して広
くすることができる(P3<P2)。よって、バンプ1
8を千鳥状に配設することにより、バンプ間ピッチP1
を狭ピッチ化を図れると共に、隣接するバンプ間で干渉
が発生することを防止することができる。
The semiconductor chip 16 shown in FIG.
It is said that 8 are arranged in a staggered manner. With this configuration, the pitch P2 between the bumps in the row direction of the bumps 18 can be narrower than the pitch P1 between the bumps of the semiconductor chip 8 shown in FIG. 5 (P2 <P1).
Therefore, the bumps 18 can be arranged at a high density, and the number of pins and the size of the semiconductor device 16 can be reduced. Further, the separation distance between the adjacent bumps is the distance indicated by the arrow P3 in the figure, and can be made wider than the pitch P2 between the bumps (P3 <P2). Therefore, bump 1
8 are arranged in a staggered manner, so that the pitch P1 between the bumps is obtained.
Can be narrowed, and the occurrence of interference between adjacent bumps can be prevented.

【0018】上記のように、バンプ18を千鳥状とする
ことにより、この半導体チップ16を実装するフリップ
チップ実装基板もこれに対応させる必要がある。図9
は、バンプ18を千鳥状に配設した半導体チップ16を
実装するフリップチップ実装基板20を示している。同
図に示されるように、フリップチップ実装基板20の基
板本体4上には、バンプ18のバンプ間ピッチP2に対
応するよう配線22が形成されている。また、バンプ間
ピッチP2は図5に示した半導体チップ8のバンプ間ピ
ッチP1に比べて小さくなっているため(P2<P
1)、配線22の幅寸法W3は図6に示したフリップチ
ップ実装基板2に設けられた配線6の幅寸法W1ほど幅
広に設定することができず幅狭のパターンとされている
(W3<W1)。
As described above, by forming the bumps 18 in a zigzag pattern, the flip-chip mounting substrate on which the semiconductor chip 16 is mounted needs to correspond to this. FIG.
Shows a flip chip mounting substrate 20 on which the semiconductor chips 16 in which the bumps 18 are arranged in a staggered manner are mounted. As shown in the figure, wirings 22 are formed on the substrate body 4 of the flip-chip mounting substrate 20 so as to correspond to the pitch P2 between the bumps 18. Also, since the pitch P2 between the bumps is smaller than the pitch P1 between the bumps of the semiconductor chip 8 shown in FIG. 5, (P2 <P
1) The width dimension W3 of the wiring 22 cannot be set as wide as the width dimension W1 of the wiring 6 provided on the flip-chip mounting board 2 shown in FIG. 6 and is a narrow pattern (W3 < W1).

【0019】しかるに前記したと同様に、半導体チップ
16をフリップチップ実装用基板20にフリップチップ
実装する際に必然的に発生する誤差を吸収するため、配
線22にもバンプ18の径寸法に対して配線22の幅寸
法を広く取る必要がある。このため、配線22にはバン
プ18の径寸法に対して大きな幅寸法W2を有するパッ
ド部24が形成されており、上記の誤差を吸収しうる構
成とされている。このパッド部24は、上記誤差に起因
した様々の方向に対するバンプ18の変位を吸収するた
め、略楕円形状とされている。
However, as described above, in order to absorb an error that is inevitably generated when the semiconductor chip 16 is flip-chip mounted on the flip-chip mounting substrate 20, the wiring 22 is also required to have a size corresponding to the diameter of the bump 18. It is necessary to increase the width of the wiring 22. For this reason, a pad portion 24 having a width dimension W2 larger than the diameter dimension of the bump 18 is formed on the wiring 22, so that the above-described error can be absorbed. The pad portion 24 has a substantially elliptical shape in order to absorb the displacement of the bump 18 in various directions due to the error.

【0020】この構成とすることにより、隣接する配線
22の離間距離を狭ピッチ化したバンプ間ピッチP2に
対応させつつ、かつ実装時における位置決め誤差を吸収
することができる。尚、上記のようにパッド部24が形
成されることにより、配線22はパッド部24の一方か
ら延出する部分(以下、第1の延出部26という)と、
パッド部24の他方から第1の延出部26の延出方向と
逆方向に延出する部分(以下、第2の延出部28)とを
有した形状となる。
With this configuration, the distance between the adjacent wirings 22 can be made to correspond to the pitch P2 between the bumps, which is reduced in pitch, and the positioning error at the time of mounting can be absorbed. By forming the pad portion 24 as described above, the wiring 22 has a portion extending from one of the pad portions 24 (hereinafter, referred to as a first extending portion 26),
It has a portion extending from the other side of the pad portion 24 in a direction opposite to the extending direction of the first extending portion 26 (hereinafter, a second extending portion 28).

【0021】[0021]

【発明が解決しようとする課題】続いて、上記構成とさ
れた半導体チップ16をフリップチップ実装用基板20
に実装した後に実施されるフリップチップ実装検査につ
いて説明する。このフリップチップ実装検査において
も、X線を用いて配線22とバンプ18との接合位置を
透視撮像し、この透視画像から実装の良否を判定するこ
とが行なわれている。またこの良否の判定は、検査者が
透視撮像を観察することにより行なっている。
Subsequently, the semiconductor chip 16 having the above-described structure is mounted on the flip-chip mounting substrate 20.
A flip-chip mounting inspection performed after mounting on a semiconductor device will be described. Also in this flip chip mounting inspection, the bonding position between the wiring 22 and the bump 18 is perspectively imaged using X-rays, and the quality of the mounting is determined from the fluoroscopic image. In addition, the quality is determined by the inspector observing the fluoroscopic imaging.

【0022】図10(A)〜(D)は、配線22とバン
プ18との各種実装態様を示している。図10(A)
は、バンプ18が配線22に最も適正に実装(接合)さ
れた状態を示している。この実装状態における透視画像
では、バンプ18の透視画像(以下、バンプ映像18A
という)が配線22の透視画像(以下、配線映像22A
という)の中央に位置しており、よってバンプ18が確
実に配線22に接合されていることが判定できる。
FIGS. 10A to 10D show various mounting modes of the wiring 22 and the bump 18. FIG. 10 (A)
Shows a state in which the bump 18 is most appropriately mounted (joined) to the wiring 22. In the perspective image in this mounting state, a perspective image of the bump 18 (hereinafter, bump image 18A)
Is a perspective image of the wiring 22 (hereinafter referred to as a wiring image 22A).
Therefore, it can be determined that the bump 18 is securely joined to the wiring 22.

【0023】また、図10(D)は、バンプ18が図中
矢印X方向に大きく変位した状態を示しており、バンプ
18は配線22から完全に離間している。よって、検査
者はこの透視画像より、配線22とバンプ18との接合
状態は不良であると判定することができる。これに対
し、図10(B)は、図10(A)の最適状態に比べて
バンプ18が図中矢印X方向に変位して配線22に接合
された状態を示しており、図10(C)は図10(B)
の状態に比べて更にバンプ18が図中矢印X方向に若干
変位して配線22に接合された状態を示している。
FIG. 10D shows a state in which the bump 18 is largely displaced in the arrow X direction in the figure, and the bump 18 is completely separated from the wiring 22. Therefore, the inspector can determine from the perspective image that the bonding state between the wiring 22 and the bump 18 is defective. On the other hand, FIG. 10B shows a state in which the bump 18 is displaced in the direction of the arrow X in the figure and is bonded to the wiring 22 as compared with the optimum state in FIG. ) Is for FIG.
3 shows a state in which the bump 18 is further displaced in the direction of the arrow X in the figure and is further joined to the wiring 22.

【0024】この各状態では、バンプ18の一部はパッ
ド部24の透視画像(以下、パッド部映像24Aとい
う)からはみ出した状態となっている。従って、検査者
はこの各透視画像を観察することにより、バンプ映像1
8Aとパッド部映像24A(配線映像22A)との重畳
面積がバンプ映像18Aの面積に対し半分以上であるか
否かの判断を行なう。
In each of these states, a part of the bump 18 protrudes from a see-through image of the pad portion 24 (hereinafter, referred to as a pad portion image 24A). Therefore, the inspector observes each of the fluoroscopic images to obtain the bump image 1.
It is determined whether or not the overlapping area of the pad image 8A and the pad image 24A (wiring image 22A) is at least half the area of the bump image 18A.

【0025】しかるに、配線22にパッド部24が形成
された構成では、パッド部24の幅寸法W2に対して第
1及び第2の延出部26,28の幅寸法W3が小さいた
め、第1及び第2の延出部26,28の側縁29の透視
画像(以下、側縁映像29Aという)を基準として良否
の判定をすることはできない。即ち、良否の判定は、パ
ッド部24の外周縁25の透視画像(以下、パッド外周
縁映像25Aという)に基づき行なう必要がある。しか
るに、パッド外周縁映像25Aの形状は略楕円形状とな
っており、このように曲線状のパッド外周縁映像25A
を基準としてバンプ映像18Aと配線映像22Aとの重
畳面積を判定するのは困難であり、よって検査の精度が
低下してしまうという問題点があった。
However, in the configuration in which the pad portion 24 is formed on the wiring 22, the width dimension W3 of the first and second extension portions 26 and 28 is smaller than the width dimension W2 of the pad portion 24. In addition, the quality cannot be determined based on the perspective image of the side edge 29 of the second extending portions 26 and 28 (hereinafter, referred to as a side edge image 29A). That is, the pass / fail judgment needs to be performed based on a perspective image of the outer peripheral edge 25 of the pad portion 24 (hereinafter, referred to as a pad outer peripheral image 25A). However, the shape of the pad outer edge image 25A is substantially elliptical, and thus the pad outer edge image 25A having a curved shape is thus obtained.
It is difficult to determine the overlapping area of the bump image 18A and the wiring image 22A on the basis of the above, and there is a problem that the accuracy of the inspection is reduced.

【0026】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、被実装素子の高密度化及び小型化に対応しつつ、
かつ実装検査の精度向上を図りうるフリップチップ実装
用基板及びフリップチップ実装検査方法を提供すること
を目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned points, and has been made to cope with high density and miniaturization of mounted elements.
It is another object of the present invention to provide a flip-chip mounting substrate and a flip-chip mounting inspection method capable of improving the accuracy of the mounting inspection.

【0027】[0027]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、次の手段を講じたことを特徴とするもの
である。請求項1記載の発明では、千鳥状に配設された
複数の突起電極を有する被実装素子が、基板本体に形成
された前記突起電極に対応するよう形成された複数の配
線にフリップチップ実装されるフリップチップ実装用基
板において、前記配線は、前記突起電極に対応して千鳥
状に配置されると共に、前記突起電極がフリップチップ
実装されるに足る十分な面積及び形状とされたパッド部
と、前記パッド部の一方から延出し、隣接する配線間で
干渉しないよう前記パッド部の幅寸法より幅狭な形状と
された第1の延出部と、前記パッド部の他方から前記第
1の延出部と対向するよう延出し、前記パッド部の幅方
向外周縁から連続的に延出する直線状の基準側縁を有し
た第2の延出部とを有することを特徴とするものであ
る。
Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present invention is characterized by taking the following means. According to the first aspect of the present invention, a mounted element having a plurality of projecting electrodes arranged in a staggered manner is flip-chip mounted on a plurality of wirings formed so as to correspond to the projecting electrodes formed on the substrate body. In the flip-chip mounting substrate, the wiring is arranged in a staggered manner corresponding to the protruding electrodes, and a pad portion having a sufficient area and shape for the protruding electrodes to be flip-chip mounted, A first extending portion extending from one of the pad portions and having a shape narrower than a width dimension of the pad portion so as not to interfere between adjacent wirings; and a first extending portion extending from the other of the pad portions. And a second extension having a linear reference side edge extending continuously from the widthwise outer peripheral edge of the pad portion and facing the extension portion. .

【0028】また、請求項2記載の発明では、前記請求
項1記載のフリップチップ実装用基板に形成された前記
パッド部に対する前記被実装素子に設けられた突起電極
の実装状態を放射線透視画像から検査するフリップチッ
プ実装検査方法において、前記放射線透視画像における
前記基準側縁の位置を基準とし、前記突起電極の映像と
前記配線の映像との重なり状態を判定することにより、
前記突起電極と前記パッド部との接合の良否を判定する
ことを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, the mounting state of the bump electrode provided on the mounted element with respect to the pad formed on the flip-chip mounting substrate according to the first aspect is determined from a radiographic image. In the flip-chip mounting inspection method to inspect, based on the position of the reference side edge in the radiographic image, by determining the overlapping state of the image of the projecting electrode and the image of the wiring,
It is characterized in that the quality of the connection between the bump electrode and the pad portion is determined.

【0029】上記の各手段は、次のように作用する。請
求項1記載の発明によれば、配線にパッド部を形成し、
このパッド部を突起電極に対応して千鳥状に配置される
と共に突起電極がフリップチップ実装されるに足る十分
な面積及び形状を有した構成とすることにより、被実装
素子をフリップチップ実装用基板に実装する際に発生す
る位置決め誤差をパッド部で吸収することができる。よ
って、被実装素子をフリップチップ実装用基板に実装す
る際のスループットを向上させることができる。
Each of the above means operates as follows. According to the first aspect of the present invention, the pad portion is formed on the wiring,
The pads are arranged in a zigzag pattern corresponding to the protruding electrodes, and the protruding electrodes have a sufficient area and shape to be flip-chip mounted. The positioning error that occurs when mounting on a board can be absorbed by the pad section. Therefore, it is possible to improve the throughput when the mounted element is mounted on the flip-chip mounting substrate.

【0030】また、パッド部を挟んで対向するよう第1
及び第2の延出部を形成し、第1の延出部を隣接する配
線間で干渉が発生しないようパッド部の幅寸法より幅狭
な形状とすることにより、配線間の離間距離を短くで
き、よって高密度化及び多ピン化された被実装素子に対
応することが可能となる。また、第2の延出部にパッド
部の幅方向外周縁から連続的に延出する直線状の基準側
縁を設けたことにより、第2の延出部の幅寸法はパッド
部の幅寸法と同一となる。よって、フリップチップ実装
検査を行なう際、この基準側縁を基準としてパッド部に
対する突起電極の位置関係を判定することが可能とな
り、実装の良否を容易に判断することが可能となる。
Also, the first portion is opposed to the pad portion.
And forming a second extending portion, and making the first extending portion narrower than the width of the pad portion so as not to cause interference between adjacent wires, thereby shortening a separation distance between the wires. Accordingly, it is possible to cope with a mounted element having a high density and a high pin count. In addition, since the linear reference side edge continuously extending from the width direction outer peripheral edge of the pad portion is provided in the second extending portion, the width dimension of the second extending portion is the width size of the pad portion. Is the same as Therefore, when performing the flip chip mounting inspection, it is possible to determine the positional relationship of the protruding electrode with respect to the pad portion with reference to the reference side edge, and it is possible to easily determine the quality of the mounting.

【0031】即ち、請求項2記載のように、放射線透視
画像における基準側縁の位置を基準とし、突起電極の映
像と配線の映像との重なり状態を判定することにより、
突起電極とパッド部との接合の良否を判定することが可
能ととなり、精度の高い判定処理を行なうことができ
る。
That is, based on the position of the reference side edge in the radiographic image as a reference, the overlapping state between the image of the projecting electrode and the image of the wiring is determined.
It is possible to determine the quality of bonding between the protruding electrode and the pad portion, and it is possible to perform highly accurate determination processing.

【0032】[0032]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図1は、本発明の一実施例であ
るフリップチップ実装用基板30の部分拡大図であり、
図2はフリップチップ実装用基板30に半導体チップ5
0(被実装素子)がフリップチップ実装された状態を示
す側面図である。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a partially enlarged view of a flip-chip mounting substrate 30 according to one embodiment of the present invention.
FIG. 2 shows a semiconductor chip 5 mounted on a flip-chip mounting substrate 30.
FIG. 7 is a side view showing a state in which 0 (device to be mounted) is flip-chip mounted.

【0033】本実施例に係るフリップチップ実装用基板
30は、図8に示した基板本体4にバンプ18が千鳥状
に配設されることにより、高密度化及び多ピン化を図っ
た半導体チップ16をフリップチップ実装する構成とさ
れている。尚、半導体チップ16については先に説明し
たため、ここでは半導体チップ16の説明は省略するも
のとする。
The flip-chip mounting board 30 according to the present embodiment has a semiconductor chip with a high density and a high pin count by arranging the bumps 18 in a staggered manner on the board body 4 shown in FIG. 16 is flip-chip mounted. Since the semiconductor chip 16 has been described above, the description of the semiconductor chip 16 is omitted here.

【0034】図1に示されるように、フリップチップ実
装基板30の基板本体32上には、バンプ18のバンプ
間ピッチP2に対応するよう配線34が形成されてい
る。この配線34は、大略するとパッド部36,第1の
延出部38,及び第2の延出部40等により構成されて
いる。パッド部36は半導体チップ16に形成されたバ
ンプ18に対応して千鳥状に配置されており、またバン
プ18がフリップチップ実装されるに足る十分な面積及
び形状とされている。具体的には、パッド部36の幅寸
法W4は、バンプ18の径寸法に対し、半導体チップ1
6をフリップチップ実装基板30に位置決めして実装す
る際に発生する誤差寸法分だけ幅広とされた構成となっ
ており、またその形状は略半円形状とされている。
As shown in FIG. 1, wirings 34 are formed on the substrate main body 32 of the flip-chip mounting substrate 30 so as to correspond to the inter-bump pitch P2 of the bumps 18. The wiring 34 is roughly composed of a pad portion 36, a first extension portion 38, a second extension portion 40, and the like. The pad portions 36 are arranged in a staggered manner corresponding to the bumps 18 formed on the semiconductor chip 16 and have a sufficient area and shape to allow the bumps 18 to be flip-chip mounted. Specifically, the width dimension W4 of the pad portion 36 is larger than the diameter dimension of the bump 18 by the semiconductor chip 1.
6 is configured to be wider by an error dimension generated when positioning and mounting the circuit board 6 on the flip-chip mounting board 30, and its shape is substantially semicircular.

【0035】尚、後述するように、パッド部36は第2
の延出部40と連続した構成となっているため、パッド
部36と第2の延出部40との明確な境は存在しない構
成となっている。このように、パッド部36の構成をバ
ンプ18がフリップチップ実装されるに足る十分な面積
及び形状とすることにより、半導体チップ50をフリッ
プチップ実装用基板30に実装する際に発生する位置決
め誤差をパッド部36で吸収することができる。よっ
て、半導体チップ50をフリップチップ実装用基板30
に実装する際のスループットを向上させることができ
る。
As will be described later, the pad portion 36 is
And the second extended portion 40, there is no clear boundary between the pad portion 36 and the second extended portion 40. As described above, by setting the configuration of the pad portion 36 to have a sufficient area and shape for the bump 18 to be flip-chip mounted, a positioning error generated when the semiconductor chip 50 is mounted on the flip-chip mounting substrate 30 can be reduced. It can be absorbed by the pad portion 36. Therefore, the semiconductor chip 50 is mounted on the flip-chip mounting substrate 30.
Can be improved when mounted on a computer.

【0036】また、第1の延出部38はパッド部36の
一方から延出し、隣接する配線間で干渉しないようパッ
ド部36の幅寸法W4より狭い幅寸法W5を有する構成
とされている。また、第2の延出部40は、パッド部3
6の他方から第1の延出部38と対向するよう延出して
いる。即ち、第2の延出部40は、パッド部36を挟ん
で第1の延出部38の延出方向と反対方向に延出するよ
う形成されている。
The first extending portion 38 extends from one of the pad portions 36 and has a width W5 smaller than the width W4 of the pad portion 36 so as not to interfere between adjacent wirings. Further, the second extending portion 40 is provided with the pad portion 3.
6 extend so as to face the first extending portion 38. That is, the second extending portion 40 is formed to extend in the direction opposite to the extending direction of the first extending portion 38 with the pad portion 36 interposed therebetween.

【0037】ここで、パッド部36と第2の延出部40
との境界部分に注目すると、第2の延出部40はパッド
部36の幅方向外周縁から連続的に延出した直線状の基
準側縁42を有した構成となっている。即ち、第2の延
出部40はパッド部36の幅寸法W4と同一寸法を有し
た構成となっている。この構成により、第2の延出部4
0の幅寸法は図9に示した従来構成に比べて広くなる。
しかるに、図1に示されるように、第1の延出部38及
び第2の延出部40の延出方向は隣接する配線34にお
いて交互に異ならせているため、隣接する配線34同志
が干渉するようなことはない。また、この構成とするこ
とにより、隣接する配線間の離間距離を短くでき、よっ
て狭ピッチ化されたバンプ18を有した半導体チップ1
6であっても、確実にフリップチップ実装することが可
能となる。
Here, the pad portion 36 and the second extension portion 40
Paying attention to the boundary portion between the two, the second extending portion 40 has a linear reference side edge 42 continuously extending from the widthwise outer peripheral edge of the pad portion 36. That is, the second extending portion 40 has the same size as the width W4 of the pad portion 36. With this configuration, the second extension 4
The width dimension of 0 is wider than the conventional configuration shown in FIG.
However, as shown in FIG. 1, the extending directions of the first extending portion 38 and the second extending portion 40 are alternately different in the adjacent wirings 34, so that the adjacent wirings 34 interfere with each other. There is nothing to do. Further, with this configuration, the distance between the adjacent wirings can be reduced, and thus the semiconductor chip 1 having the bumps 18 with a reduced pitch can be obtained.
Even if it is 6, flip-chip mounting can be ensured.

【0038】更に、上記のように本実施例では、第2の
延出部40にパッド部36の幅方向外周縁から連続的に
延出する直線状の基準側縁40が形成されており、よっ
て第2の延出部40の幅寸法はパッド部の幅寸法W4と
同一となっている。この構成とすることにより、半導体
チップ16をフリップチップ実装用基板30に実装した
後に実施されるフリップチップ実装検査において、この
基準側縁40を基準としてパッド部36に対するバンプ
52の位置関係を判定することが可能となる。
Further, as described above, in the present embodiment, the linear reference side edge 40 continuously extending from the widthwise outer peripheral edge of the pad portion 36 is formed in the second extending portion 40, Therefore, the width of the second extension 40 is the same as the width W4 of the pad. With this configuration, in the flip chip mounting inspection performed after mounting the semiconductor chip 16 on the flip chip mounting substrate 30, the positional relationship of the bump 52 with respect to the pad portion 36 is determined with reference to the reference side edge 40. It becomes possible.

【0039】尚、図2において、54で示すのは導電性
の接着剤であり、この接着剤54によりバンプ52は配
線34のパッド部36に電気的にかつ機械的に接続され
た構成となる。続いて、上記構成とされたフリップチッ
プ実装用基板30に半導体チップ18を実装した後に実
施されるフリップチップ実装検査について、図3を用い
て以下説明する。
In FIG. 2, reference numeral 54 denotes a conductive adhesive, and the bump 52 is electrically and mechanically connected to the pad 36 of the wiring 34 by the adhesive 54. . Next, a flip-chip mounting inspection performed after mounting the semiconductor chip 18 on the flip-chip mounting substrate 30 having the above configuration will be described below with reference to FIG.

【0040】本実施例に係るフリップチップ実装検査に
おいても、X線を用いて配線34とバンプ36との接合
位置を透視撮像し、この透視画像から実装の良否を判定
する方法が採用されている。またこの良否の判定は、検
査者が透視撮像を観察することにより行なう。図3
(A)〜(D)は、配線34とバンプ52との各種実装
態様を示す透視画像である。図3(A)は、バンプ52
が配線34に最も適正に実装(接合)された状態を示し
ている。この実装状態における透視画像では、バンプ5
2の透視画像(以下、バンプ映像52Aという)が配線
34の透視画像(以下、配線映像34Aという)の中央
に位置しており、よってバンプ52が確実に配線34に
接合されていることが判定できる。
In the flip-chip mounting inspection according to the present embodiment, a method is adopted in which the bonding position between the wiring 34 and the bump 36 is perspectively imaged using X-rays, and the quality of the mounting is determined from the perspective image. . In addition, the determination of the quality is performed by the inspector observing the fluoroscopic imaging. FIG.
(A) to (D) are perspective images showing various mounting modes of the wiring 34 and the bump 52. FIG. 3A shows the state of the bump 52.
Indicates a state where it is most appropriately mounted (joined) to the wiring 34. In the perspective image in this mounting state, bump 5
2 is located at the center of the perspective image of the wiring 34 (hereinafter referred to as the wiring image 34A), and thus it is determined that the bump 52 is securely joined to the wiring 34. it can.

【0041】また、図3(D)は、バンプ52が図中矢
印X方向に大きく変位した状態を示しており、バンプ5
2は配線34から完全に離間している。よって、検査者
はこの透視画像より、配線34とバンプ52との接合状
態は不良であると容易に判定することができる。これに
対し、図3(B)は、図3(A)の最適状態に比べてバ
ンプ52が図中矢印X方向に変位して配線34に接合さ
れた状態を示しており、図3(C)は図3(B)の状態
に比べて更にバンプ52が図中矢印X方向に若干変位し
て配線34に接合された状態を示している。
FIG. 3D shows a state in which the bump 52 is largely displaced in the direction of arrow X in FIG.
2 is completely separated from the wiring 34. Accordingly, the inspector can easily determine from the perspective image that the bonding state between the wiring 34 and the bump 52 is defective. On the other hand, FIG. 3B shows a state in which the bump 52 is displaced in the direction of the arrow X in the figure and is joined to the wiring 34 as compared with the optimum state in FIG. 3) shows a state in which the bumps 52 are slightly displaced in the direction of the arrow X in the figure and are joined to the wiring 34 as compared with the state of FIG.

【0042】この各状態では、バンプ52の一部はパッ
ド部36の透視画像(以下、パッド部映像36Aとい
う)からはみ出した状態となっている。従って、検査者
はこの各透視画像を観察することにより、バンプ映像5
2Aとパッド部映像36A(配線映像34A)との重畳
面積がバンプ映像52Aの面積に対し半分以上であるか
否かの判断を行なう。
In each of these states, a part of the bump 52 protrudes from a perspective image of the pad section 36 (hereinafter referred to as a pad section image 36A). Therefore, the inspector observes each of the fluoroscopic images to obtain the bump image 5.
It is determined whether or not the overlapping area of the 2A and the pad image 36A (the wiring image 34A) is at least half the area of the bump image 52A.

【0043】この際、本実施例では第2の延出部40に
パッド部36の幅方向外周縁から連続的に延出する直線
状の基準側縁40が形成されているため、この基準側縁
40を基準としてバンプ映像52Aとパッド部映像36
Aとの位置関係(重畳面積)を判断することが可能とな
る。従って、図10を用い説明した曲線状のパッド外周
縁映像25Aを基準としてバンプ映像18Aと配線映像
22Aとの重畳面積を判定する従来の構成に比べ、直線
状の基準側縁40を基準としてバンプ映像52Aとパッ
ド部映像36Aとの位置関係(重畳面積)を判断できる
ため、良否の判定を容易に行なうことができる。
In this case, in the present embodiment, since the linear reference side edge 40 continuously extending from the outer peripheral edge in the width direction of the pad portion 36 is formed in the second extension portion 40, the reference side Bump image 52A and pad portion image 36 with reference to edge 40
It is possible to determine the positional relationship with A (overlapping area). Therefore, as compared with the conventional configuration in which the overlapping area of the bump image 18A and the wiring image 22A is determined based on the curved pad outer edge image 25A described with reference to FIG. Since the positional relationship (superimposed area) between the video 52A and the pad portion video 36A can be determined, the quality can be easily determined.

【0044】よって、図3(B)に示す場合には、検査
者はパッド部36とバンプ52との接合状態は適正であ
ると判定することができる。同様に、図3(C)に示す
場合には、検査者はパッド部36とバンプ52との接合
状態は不良であると容易に判定することができる。この
ように、本実施例によれば、パッド部36とバンプ52
との接合状態を容易に判定することができるため、精度
の高い判定処理を行なうことが可能となる。
Accordingly, in the case shown in FIG. 3B, the inspector can determine that the bonding state between the pad portion 36 and the bump 52 is proper. Similarly, in the case shown in FIG. 3C, the inspector can easily determine that the bonding state between the pad portion 36 and the bump 52 is defective. As described above, according to the present embodiment, the pad portion 36 and the bump 52
Since it is possible to easily determine the bonding state with the above, it is possible to perform highly accurate determination processing.

【0045】[0045]

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、パッド部を
挟んで対向するよう第1及び第2の延出部を形成し、第
1の延出部を隣接する配線間で干渉が発生しないようパ
ッド部の幅寸法より幅狭な形状とすることにより、配線
間の離間距離を短くでき、よって高密度化及び多ピン化
された被実装素子に対応することが可能となる。
As described above, according to the present invention, the first and second extending portions are formed so as to face each other with the pad portion interposed therebetween, and interference occurs between the first extending portion and the adjacent wiring. By making the shape narrower than the width of the pad portion so as not to cause the gap, the separation distance between the wirings can be shortened, so that it is possible to cope with a mounted element having a high density and a multi-pin structure.

【0046】また、第2の延出部にパッド部の幅方向外
周縁から連続的に延出する直線状の基準側縁を設けたこ
とにより、フリップチップ実装検査を行なう際にこの基
準側縁を基準としてパッド部に対する突起電極の位置関
係を判定することが可能となる。このため、実装の良否
を容易に判断することが可能となると共に精度の高い判
定処理を行なうことができる。
Further, since the linear reference side edge continuously extending from the outer peripheral edge in the width direction of the pad portion is provided in the second extension portion, this reference side edge is used when performing flip-chip mounting inspection. It is possible to determine the positional relationship of the protruding electrode with respect to the pad portion with reference to. For this reason, it is possible to easily determine the quality of the mounting, and it is possible to perform highly accurate determination processing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例であるフリップチップ実装用
基板の部分拡大図である。
FIG. 1 is a partially enlarged view of a flip-chip mounting substrate according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例であるフリップチップ実装用
基板に半導体チップを実装した状態を示す側面図であ
る。
FIG. 2 is a side view showing a state in which a semiconductor chip is mounted on a flip-chip mounting substrate according to one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例であるフリップチップ実装方
法を説明するための図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining a flip chip mounting method according to one embodiment of the present invention.

【図4】従来の一例であるフリップチップ実装用基板に
半導体チップを実装した状態を示す側面図である。
FIG. 4 is a side view showing a state in which a semiconductor chip is mounted on a flip-chip mounting substrate, which is an example of the related art.

【図5】従来の半導体チップを説明するための図であ
る。
FIG. 5 is a diagram for explaining a conventional semiconductor chip.

【図6】従来の一例であるフリップチップ実装用基板の
部分拡大図である。
FIG. 6 is a partially enlarged view of a flip-chip mounting substrate as an example of the related art.

【図7】図5に示す半導体チップを図6に示すフリップ
チップ実装用基板に実装した際に実施されるフリップチ
ップ実装検査を説明するための図である。
7 is a diagram for explaining a flip chip mounting inspection performed when the semiconductor chip shown in FIG. 5 is mounted on the flip chip mounting substrate shown in FIG. 6;

【図8】高密度化及び多ピン化を図るためにバンプを千
鳥状に配設した構成の半導体チップを説明するための図
である。
FIG. 8 is a diagram for explaining a semiconductor chip having a configuration in which bumps are arranged in a staggered manner in order to increase the density and increase the number of pins.

【図9】千鳥状にバンプが配設さたれ半導体チップを実
装する従来のフリップチップ実装用基板の部分拡大図で
ある。
FIG. 9 is a partial enlarged view of a conventional flip-chip mounting substrate on which bumps are arranged in a staggered manner and a semiconductor chip is mounted.

【図10】図8に示す半導体チップを図9に示すフリッ
プチップ実装用基板に実装した際に実施されるフリップ
チップ実装検査を説明するための図である。
10 is a diagram for explaining a flip chip mounting inspection performed when the semiconductor chip shown in FIG. 8 is mounted on the flip chip mounting substrate shown in FIG. 9;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

30 フリップチップ実装用基板 32 基板本体 34 配線 34A 配線映像 36 パッド部 36A パッド部映像 38 第1の延出部 38A 第1の延出部映像 40 第2の延出部40 40A 第2の延出部映像 42 基準側縁 42A 基準側縁映像 50 半導体チップ 52 バンプ 52A バンプ映像 54 接着剤 Reference Signs List 30 Flip chip mounting substrate 32 Substrate body 34 Wiring 34A Wiring image 36 Pad portion 36A Pad portion image 38 First extension portion 38A First extension portion image 40 Second extension portion 40 40A Second extension Part image 42 Reference side edge 42A Reference side edge image 50 Semiconductor chip 52 Bump 52A Bump image 54 Adhesive

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前野 善信 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 (72)発明者 吉良 秀彦 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 (72)発明者 馬場 俊二 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 (72)発明者 海沼 則夫 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Yoshinobu Maeno 4-1-1, Uedanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside Fujitsu Limited (72) Inventor Hidehiko Kira 4-1-1, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa No. 1 Fujitsu Co., Ltd. (72) Inventor Shunji Baba 4-1-1, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture No. 1 Fujitsu Co., Ltd. No. 1 Inside Fujitsu Limited

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 千鳥状に配設された複数の突起電極を有
する被実装素子が、基板本体に形成された前記突起電極
に対応するよう形成された複数の配線にフリップチップ
実装されるフリップチップ実装用基板において、 前記配線は、 前記突起電極に対応して千鳥状に配置されると共に、前
記突起電極がフリップチップ実装されるに足る十分な面
積及び形状とされたパッド部と、 前記パッド部の一方から延出し、隣接する配線間で干渉
しないよう前記パッド部の幅寸法より幅狭な形状とされ
た第1の延出部と、 前記パッド部の他方から前記第1の延出部と対向するよ
う延出し、前記パッド部の幅方向外周縁から連続的に延
出する直線状の基準側縁を有した第2の延出部とを有す
ることを特徴とするフリップチップ実装用基板。
1. A flip chip in which an element to be mounted having a plurality of projecting electrodes arranged in a staggered manner is flip-chip mounted on a plurality of wirings formed corresponding to the projecting electrodes formed on a substrate body. In the mounting substrate, the wiring is arranged in a staggered manner corresponding to the protruding electrodes, and a pad portion having an area and a shape sufficient to mount the protruding electrodes on a flip chip; A first extension portion extending from one of the first and second portions and having a shape narrower than a width dimension of the pad portion so as not to interfere between adjacent wirings; and a first extension portion from the other of the pad portions. A second extending portion having a linear reference side edge extending so as to be opposed to the pad portion and continuously extending from the outer peripheral edge in the width direction of the pad portion.
【請求項2】 請求項1記載のフリップチップ実装用基
板に形成された前記パッド部に対する、前記被実装素子
に設けられた突起電極の実装状態を放射線透視画像から
検査するフリップチップ実装検査方法において、 前記放射線透視画像における前記基準側縁の位置を基準
とし、前記突起電極の映像と前記配線の映像との重なり
状態を判定することにより、前記突起電極と前記パッド
部との接合の良否を判定することを特徴とするフリップ
チップ実装検査方法。
2. A flip-chip mounting inspection method for inspecting a mounting state of a bump electrode provided on an element to be mounted on a pad portion formed on a flip-chip mounting substrate according to claim 1 from a radiographic image. By using the position of the reference side edge in the radiographic image as a reference, by judging the state of overlap between the image of the projecting electrode and the image of the wiring, it is possible to determine the quality of bonding between the projecting electrode and the pad portion. A flip-chip mounting inspection method.
JP9308800A 1997-11-11 1997-11-11 Flip-chip mounting substrate and flip-chip mounting inspection method Expired - Fee Related JP2997232B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9308800A JP2997232B2 (en) 1997-11-11 1997-11-11 Flip-chip mounting substrate and flip-chip mounting inspection method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9308800A JP2997232B2 (en) 1997-11-11 1997-11-11 Flip-chip mounting substrate and flip-chip mounting inspection method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11145328A true JPH11145328A (en) 1999-05-28
JP2997232B2 JP2997232B2 (en) 2000-01-11

Family

ID=17985469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9308800A Expired - Fee Related JP2997232B2 (en) 1997-11-11 1997-11-11 Flip-chip mounting substrate and flip-chip mounting inspection method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2997232B2 (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0966031A3 (en) * 1998-06-16 2000-05-10 Shinko Electric Industries Co. Ltd. Substrate for mounting a semiconductor chip
JP2001085826A (en) * 1999-09-14 2001-03-30 Mitsubishi Electric Corp Wiring board
JP2002134642A (en) * 2000-10-20 2002-05-10 Keihin Corp Wire bonding terminal structure
US6700208B1 (en) 1999-10-28 2004-03-02 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Surface mounting substrate having bonding pads in staggered arrangement
US6720636B2 (en) 2002-05-14 2004-04-13 Renesas Technology Corp. Semiconductor device with a staggered pad arrangement
JP2009289999A (en) * 2008-05-29 2009-12-10 Renesas Technology Corp Semiconductor device and method for manufacturing it
JP2011146489A (en) * 2010-01-14 2011-07-28 Renesas Electronics Corp Semiconductor device
JP2016086196A (en) * 2016-02-19 2016-05-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0966031A3 (en) * 1998-06-16 2000-05-10 Shinko Electric Industries Co. Ltd. Substrate for mounting a semiconductor chip
US6281567B1 (en) 1998-06-16 2001-08-28 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Substrate for mounting semiconductor chip with parallel conductive lines
JP2001085826A (en) * 1999-09-14 2001-03-30 Mitsubishi Electric Corp Wiring board
US6700208B1 (en) 1999-10-28 2004-03-02 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Surface mounting substrate having bonding pads in staggered arrangement
JP2002134642A (en) * 2000-10-20 2002-05-10 Keihin Corp Wire bonding terminal structure
US6720636B2 (en) 2002-05-14 2004-04-13 Renesas Technology Corp. Semiconductor device with a staggered pad arrangement
JP2009289999A (en) * 2008-05-29 2009-12-10 Renesas Technology Corp Semiconductor device and method for manufacturing it
JP2011146489A (en) * 2010-01-14 2011-07-28 Renesas Electronics Corp Semiconductor device
US8729709B2 (en) 2010-01-14 2014-05-20 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
US9171791B2 (en) 2010-01-14 2015-10-27 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
US9818679B2 (en) 2010-01-14 2017-11-14 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
US10134663B2 (en) 2010-01-14 2018-11-20 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
JP2016086196A (en) * 2016-02-19 2016-05-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2997232B2 (en) 2000-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7525201B2 (en) Semiconductor chip having solder bumps and dummy bumps
JP2825085B2 (en) Semiconductor device mounting structure, mounting board, and mounting state inspection method
JP3294740B2 (en) Semiconductor device
CN1189691A (en) Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of testing the same
JP3843624B2 (en) Semiconductor integrated circuit device and method for assembling semiconductor integrated circuit device
US20080158839A1 (en) Printed Wiring Board, Printed Circuit Board, and Method of Inspecting Joint of Printed Circuit Board
JP2997232B2 (en) Flip-chip mounting substrate and flip-chip mounting inspection method
US9035442B2 (en) Semiconductor module
US20050248011A1 (en) Flip chip semiconductor package for testing bump and method of fabricating the same
US6130110A (en) Film carrier tape, tape carrier semiconductor device assembly, semiconductor device, and method of making the same, mounted board, and electronic device
US8233288B2 (en) Electronic component package, electronic component mounted apparatus, method of inspecting bonding portion therein, and circuit board
US7576551B2 (en) Test socket and test board for wafer level semiconductor testing
JP3990679B2 (en) Semiconductor device provided with circuit board for semiconductor mounting
JPH0951017A (en) Semiconductor module
JP3555828B2 (en) Semiconductor device provided with circuit board for semiconductor mounting
US20080083923A1 (en) Semiconductor device
US20060091535A1 (en) Fine pitch bonding pad layout and method of manufacturing same
JPH08222571A (en) Flip chip ic and its manufacture
JP4488073B2 (en) Electrical connection device
JP2004311535A (en) Chip-size package semiconductor device
JP3471208B2 (en) Electronic components
TW200420887A (en) Semiconductor device
JP2004260033A (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI870981B (en) Integrated package and method for making the same
JP2005064218A (en) Semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19991019

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071029

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081029

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081029

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091029

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091029

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101029

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101029

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111029

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111029

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121029

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121029

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131029

Year of fee payment: 14

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees