JPH11145057A - 窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH11145057A JPH11145057A JP32213397A JP32213397A JPH11145057A JP H11145057 A JPH11145057 A JP H11145057A JP 32213397 A JP32213397 A JP 32213397A JP 32213397 A JP32213397 A JP 32213397A JP H11145057 A JPH11145057 A JP H11145057A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- compound semiconductor
- gallium nitride
- substrate
- based compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】結晶性の良い窒化ガリウム系化合物半導体基板
を得ること。 【解決手段】サファイア基板１の上にZnO の第１層２
が、その上にGa0.8In0.2Nの第２層の下層３１と、その
上にGaN の第２層の上層３２が形成されている。層３２
の上には、SiO2の膜厚約2000Åの第３層４がストライプ
状又は格子状に形成されている。第３層４の上部領域Ａ
及び第２層の上層３２の露出領域Ｂ上にGaNの第４層５
を成長させる。GaN は、層３２の露出領域ＢのGaN を核
として、面に垂直方向に成長する。第３層４の上部領域
Ａでは、層３２の露出領域Ｂ上に成長したGaN を核とし
て、GaN が横方向にエピタキシャル成長する。GaN がGa
N を核として縦方向にも横方向にもエピタキシャル成長
するので、第３層４の上部領域Ａである横方向成長領域
では無転位の窒化ガリウム系化合物半導体を得ることが
できる。この後、第１層２を湿式エッチングして、基板
１から剥離させる。
を得ること。 【解決手段】サファイア基板１の上にZnO の第１層２
が、その上にGa0.8In0.2Nの第２層の下層３１と、その
上にGaN の第２層の上層３２が形成されている。層３２
の上には、SiO2の膜厚約2000Åの第３層４がストライプ
状又は格子状に形成されている。第３層４の上部領域Ａ
及び第２層の上層３２の露出領域Ｂ上にGaNの第４層５
を成長させる。GaN は、層３２の露出領域ＢのGaN を核
として、面に垂直方向に成長する。第３層４の上部領域
Ａでは、層３２の露出領域Ｂ上に成長したGaN を核とし
て、GaN が横方向にエピタキシャル成長する。GaN がGa
N を核として縦方向にも横方向にもエピタキシャル成長
するので、第３層４の上部領域Ａである横方向成長領域
では無転位の窒化ガリウム系化合物半導体を得ることが
できる。この後、第１層２を湿式エッチングして、基板
１から剥離させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は窒化ガリウム系化合物半
導体のエピタキシャル基板を得るための方法に関する。
導体のエピタキシャル基板を得るための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明は、一般式Alx Gay In1-x-y N(0
≦x ≦1,0 ≦y ≦1,0 ≦x+y ≦1)の窒化ガリウム系化合
物半導体基板の製造方法に関する。
≦x ≦1,0 ≦y ≦1,0 ≦x+y ≦1)の窒化ガリウム系化合
物半導体基板の製造方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】窒化ガリウム系化合物半導体は、発光ス
ペクトルが紫外から赤色の広範囲に渡る直接遷移型の半
導体であり、発光ダイオード(LED) やレーザダイオード
(LD)等の発光素子に応用されている。この窒化ガリウム
系化合物半導体では、通常、サファイア上に形成してい
る。
ペクトルが紫外から赤色の広範囲に渡る直接遷移型の半
導体であり、発光ダイオード(LED) やレーザダイオード
(LD)等の発光素子に応用されている。この窒化ガリウム
系化合物半導体では、通常、サファイア上に形成してい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術では、サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物
半導体を形成すると、サファイアと窒化ガリウム系化合
物半導体との熱膨張係数差により、半導体層にクラッ
ク、そりが発生し、ミスフットにより転位が発生し、こ
のため素子特性が良くないという問題がある。さらに、
サファイアは絶縁性であるので、基板に対して同一面側
に両電極を形成する必要があり、そのために基板に近い
側にあるｎ層までのエッチングをする必要があるために
製造効率がよくないという問題がある。又、同一面側に
両電極を形成するために、素子サイズが増大する。ま
た、両電極に対してワイヤボンディングを必要とすると
共に、ｎ層において横方向の電流路が形成され電流路が
長くなるため駆動電圧が若干増加するという問題があ
る。加えて、基板と半導体層とが異種の物質で構成され
ているので、レーザダイオードでは良好なへき開が困難
である。
来技術では、サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物
半導体を形成すると、サファイアと窒化ガリウム系化合
物半導体との熱膨張係数差により、半導体層にクラッ
ク、そりが発生し、ミスフットにより転位が発生し、こ
のため素子特性が良くないという問題がある。さらに、
サファイアは絶縁性であるので、基板に対して同一面側
に両電極を形成する必要があり、そのために基板に近い
側にあるｎ層までのエッチングをする必要があるために
製造効率がよくないという問題がある。又、同一面側に
両電極を形成するために、素子サイズが増大する。ま
た、両電極に対してワイヤボンディングを必要とすると
共に、ｎ層において横方向の電流路が形成され電流路が
長くなるため駆動電圧が若干増加するという問題があ
る。加えて、基板と半導体層とが異種の物質で構成され
ているので、レーザダイオードでは良好なへき開が困難
である。
【０００５】従って、本発明の目的は、上記課題に鑑
み、結晶性の良い窒化ガリウム系半導体基板を容易に得
ることである。また、その良質な基板を用いることで、
素子特性を向上させることである。
み、結晶性の良い窒化ガリウム系半導体基板を容易に得
ることである。また、その良質な基板を用いることで、
素子特性を向上させることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用効果】請求項１の
発明は、基板上にウエットエッチング可能な第１層を形
成し、第１層上に、第１の窒化ガリウム系化合物半導体
から成る第２層を形成し、その第２層の上に、第２層の
露出部が散在するように、点状、ストライプ状又は格子
状等の島状態に、窒化ガリウム系化合物半導体がその上
にエピタキシャル成長しない第３層を形成し、第３層で
覆われていない第２層の露出部を核として、エピタキシ
ャル成長させ、第３層の上部では、横方向にエピタキシ
ャル成長させることで第２の窒化ガリウム系化合物半導
体から成る第４層を形成し、第１層をエッチングする溶
液を用いた湿式エッチングにより、基板から剥離させて
窒化ガリウム系化合物半導体基板を形成することを特徴
とする。
発明は、基板上にウエットエッチング可能な第１層を形
成し、第１層上に、第１の窒化ガリウム系化合物半導体
から成る第２層を形成し、その第２層の上に、第２層の
露出部が散在するように、点状、ストライプ状又は格子
状等の島状態に、窒化ガリウム系化合物半導体がその上
にエピタキシャル成長しない第３層を形成し、第３層で
覆われていない第２層の露出部を核として、エピタキシ
ャル成長させ、第３層の上部では、横方向にエピタキシ
ャル成長させることで第２の窒化ガリウム系化合物半導
体から成る第４層を形成し、第１層をエッチングする溶
液を用いた湿式エッチングにより、基板から剥離させて
窒化ガリウム系化合物半導体基板を形成することを特徴
とする。
【０００７】尚、ここでいう横方向とは、基板の面方向
を意味する。第４層として、第２の窒化ガリウム系化合
物半導体を成長させる時、第３層の上部領域にはエピタ
キシャル成長せず、第２層の露出領域における第１の窒
化ガリウム系化合物半導体を核として上方向及び横方向
に成長する。この結果、第１の窒化ガリウム系化合物半
導体内に存在する貫通転位は第２の窒化ガリウム系化合
物半導体において第２層の露出領域の上にだけ存在し、
横方向に成長した第３層の上部では縦方向の貫通転位が
存在しない。よって、第２の窒化ガリウム系化合物半導
体の縦方向の貫通転位の面密度が極めて小さくなり、結
晶性が向上する。また、第３層とその上の第４層を形成
する第２の窒化ガリウム系化合物半導体とは化学的に接
合していないので、第４層のそりが防止されると共に応
力歪みがその層に入ることが抑制される。
を意味する。第４層として、第２の窒化ガリウム系化合
物半導体を成長させる時、第３層の上部領域にはエピタ
キシャル成長せず、第２層の露出領域における第１の窒
化ガリウム系化合物半導体を核として上方向及び横方向
に成長する。この結果、第１の窒化ガリウム系化合物半
導体内に存在する貫通転位は第２の窒化ガリウム系化合
物半導体において第２層の露出領域の上にだけ存在し、
横方向に成長した第３層の上部では縦方向の貫通転位が
存在しない。よって、第２の窒化ガリウム系化合物半導
体の縦方向の貫通転位の面密度が極めて小さくなり、結
晶性が向上する。また、第３層とその上の第４層を形成
する第２の窒化ガリウム系化合物半導体とは化学的に接
合していないので、第４層のそりが防止されると共に応
力歪みがその層に入ることが抑制される。
【０００８】このようにして、窒化ガリウム系化合物半
導体が形成された後に、第１層を湿式エッチングにより
除去して、窒化ガリウム系化合物半導体基板を得ること
ができる。
導体が形成された後に、第１層を湿式エッチングにより
除去して、窒化ガリウム系化合物半導体基板を得ること
ができる。
【０００９】請求項２の発明は、第１層を、酸化亜鉛
（ZnO)としたことである。酸化亜鉛の格子定数はサファ
イアと窒化ガリウム系化合物半導体との格子定数に近
い。よって、酸化亜鉛はサファイア基板上に形成でき、
その酸化亜鉛の上に結晶性の良い第２層としての第１の
窒化ガリウム系化合物半導体を形成することができる。
また、酸化亜鉛のみ、フッ酸によりエッチングすること
ができ、基板の剥離が容易である。
（ZnO)としたことである。酸化亜鉛の格子定数はサファ
イアと窒化ガリウム系化合物半導体との格子定数に近
い。よって、酸化亜鉛はサファイア基板上に形成でき、
その酸化亜鉛の上に結晶性の良い第２層としての第１の
窒化ガリウム系化合物半導体を形成することができる。
また、酸化亜鉛のみ、フッ酸によりエッチングすること
ができ、基板の剥離が容易である。
【００１０】請求項３の発明は、第３層を、二酸化シリ
コン(SiO2)としたことである。この場合には、第４層を
Alを含まない窒化ガリウム系化合物半導体とすること
で、第４層は第３層の上にはエピタキシャルせずに、横
方向のエピタキシャル成長により第４層を結晶性良く得
ることができる。
コン(SiO2)としたことである。この場合には、第４層を
Alを含まない窒化ガリウム系化合物半導体とすること
で、第４層は第３層の上にはエピタキシャルせずに、横
方向のエピタキシャル成長により第４層を結晶性良く得
ることができる。
【００１１】請求項４の発明は、第３層を、高融点を有
した金属又は非晶質のシリコン(Si)としたことを特徴と
する。これらの層を用いても、第４層としての第２の窒
化ガリウム系化合物半導体を第３層の上に直接エピタキ
シャル成長させずに、横方向のエピタキシャル成長によ
り得ることができる。また、第３層が導電性を有するの
で、第３層を残した窒化ガリウム系化合物半導体基板に
おいて面に垂直方向に電流を流すことができる。よっ
て、素子の電極を両端面に形成することが可能となる。
尚、高融点を有した金属とは2000℃以上の融点を有する
金属であり、例えば、Nb,Mo,Ru,Hf,Ta,Wが上げられる。
した金属又は非晶質のシリコン(Si)としたことを特徴と
する。これらの層を用いても、第４層としての第２の窒
化ガリウム系化合物半導体を第３層の上に直接エピタキ
シャル成長させずに、横方向のエピタキシャル成長によ
り得ることができる。また、第３層が導電性を有するの
で、第３層を残した窒化ガリウム系化合物半導体基板に
おいて面に垂直方向に電流を流すことができる。よっ
て、素子の電極を両端面に形成することが可能となる。
尚、高融点を有した金属とは2000℃以上の融点を有する
金属であり、例えば、Nb,Mo,Ru,Hf,Ta,Wが上げられる。
【００１２】請求項５の発明は、基板を、サファイア、
シリコン、又は、炭化珪素としたことである。そられの
基板上で得られる第４層としての第２の窒化ガリウム系
化合物半導体の結晶性を向上させることができる。
シリコン、又は、炭化珪素としたことである。そられの
基板上で得られる第４層としての第２の窒化ガリウム系
化合物半導体の結晶性を向上させることができる。
【００１３】請求項６の発明は、第４層の厚さを、50〜
100 μｍとしたことである。この厚さとすることで、面
に垂直な方向に成長する転位が消失し、無転位の結晶を
得ることができる。
100 μｍとしたことである。この厚さとすることで、面
に垂直な方向に成長する転位が消失し、無転位の結晶を
得ることができる。
【００１４】請求項７の発明は、第４層の上に、素子を
形成する第３の窒化ガリウム系化合物半導体からなる複
数の層を形成し、その後に、第１層をエッチングして素
子の形成された基板を得ることを特徴とする。これによ
り、第４層を基底層とし、その上の層を機能層とするこ
とができ、結晶性の良い素子を得ることができる。
形成する第３の窒化ガリウム系化合物半導体からなる複
数の層を形成し、その後に、第１層をエッチングして素
子の形成された基板を得ることを特徴とする。これによ
り、第４層を基底層とし、その上の層を機能層とするこ
とができ、結晶性の良い素子を得ることができる。
【００１５】請求項８の発明は、基板上の各層を、基板
の両面に形成し、基板の両面に形成された第１層をエッ
チングして除去することで、１枚の基板を用いて２枚の
窒化ガリウム系化合物半導体基板を得ることを特徴とす
る。基板の両面に窒化ガリウム系化合物半導体を成長さ
せるので、そりがなく、また、一度に、２枚の窒化ガリ
ウム系化合物半導体基板が得られるので、生産効率が高
くなる。
の両面に形成し、基板の両面に形成された第１層をエッ
チングして除去することで、１枚の基板を用いて２枚の
窒化ガリウム系化合物半導体基板を得ることを特徴とす
る。基板の両面に窒化ガリウム系化合物半導体を成長さ
せるので、そりがなく、また、一度に、２枚の窒化ガリ
ウム系化合物半導体基板が得られるので、生産効率が高
くなる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的な実施例に
基づいて説明する。図１〜図４は、本発明はGaN 基板を
製造する方法を示した工程図である。図１に示すよう
に、(0001)方向の面方位を有するサファイア基板１を準
備し、そのサファイア基板１をメタノール等の有機薬品
で洗浄した。その後、サファイア基板１をＲＦスパッタ
リング装置のチャンバー内にセットして、チャンバーを
真空に排気した。その後、アルゴン・酸素の混合ガスに
より図１に示すように、サファイア基板１の上面に厚さ
100 ｎｍで、ZnO から成る第１層２を形成した。この第
１層２はｃ軸方向への配向度が強いものであった。
基づいて説明する。図１〜図４は、本発明はGaN 基板を
製造する方法を示した工程図である。図１に示すよう
に、(0001)方向の面方位を有するサファイア基板１を準
備し、そのサファイア基板１をメタノール等の有機薬品
で洗浄した。その後、サファイア基板１をＲＦスパッタ
リング装置のチャンバー内にセットして、チャンバーを
真空に排気した。その後、アルゴン・酸素の混合ガスに
より図１に示すように、サファイア基板１の上面に厚さ
100 ｎｍで、ZnO から成る第１層２を形成した。この第
１層２はｃ軸方向への配向度が強いものであった。
【００１７】次に、この第１層２の上に、次の方法によ
り窒化ガリウム系化合物半導体を成長させた。この半導
体は、スパッタリング法及び有機金属気相成長法（以下
「MOVPE 」と略す）により製造された。MOVPE で用いら
れたガスは、アンモニア(NH3) 、キャリアガス(H2,N2)
、トリメチルガリウム(Ga(CH3)3)（以下「TMG 」と記
す）、トリメチルアルミニウム(Al(CH3)3)（以下「TMA
」と記す) 、トリメチルインジウム（In(CH3)3）（以
下「TMI 」と記す) である。
り窒化ガリウム系化合物半導体を成長させた。この半導
体は、スパッタリング法及び有機金属気相成長法（以下
「MOVPE 」と略す）により製造された。MOVPE で用いら
れたガスは、アンモニア(NH3) 、キャリアガス(H2,N2)
、トリメチルガリウム(Ga(CH3)3)（以下「TMG 」と記
す）、トリメチルアルミニウム(Al(CH3)3)（以下「TMA
」と記す) 、トリメチルインジウム（In(CH3)3）（以
下「TMI 」と記す) である。
【００１８】まず、第１層２の表面をフッ酸系溶液(HF:
H2O=1:1)を用いて洗浄した後、基板１をＭＯＶＰＥ装置
の反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、常圧
でH2を流速2 liter/分で約10分間反応室に流しながら温
度1150℃で第１層２をベーキングした。
H2O=1:1)を用いて洗浄した後、基板１をＭＯＶＰＥ装置
の反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、常圧
でH2を流速2 liter/分で約10分間反応室に流しながら温
度1150℃で第１層２をベーキングした。
【００１９】この後、基板１の温度を500 ℃に保持し、
N2又はH2を10liter/分、NH3 を10liter/分、TMG を1.0
×10-4モル／分、TMI を5.0 ×10-4モル／分、図２に示
すように、膜厚約500 Å、Ga0.8In0.2N から成る第２層
の下層３１を形成した。この層は、低温成長によりアモ
ルファス又は微結晶が混在した状態のバッファ層、即
ち、ZnO とGaN との格子定数を緩和する層として機能す
る。
N2又はH2を10liter/分、NH3 を10liter/分、TMG を1.0
×10-4モル／分、TMI を5.0 ×10-4モル／分、図２に示
すように、膜厚約500 Å、Ga0.8In0.2N から成る第２層
の下層３１を形成した。この層は、低温成長によりアモ
ルファス又は微結晶が混在した状態のバッファ層、即
ち、ZnO とGaN との格子定数を緩和する層として機能す
る。
【００２０】層３１の形成後、層３１上にMOVPE 法によ
り基板１の温度を1100℃にしてN2又はH2を20liter/分、
NH3 を10liter/分、TMG を2.0 ×10-4モル／分、H2ガス
により0.86ppm に希釈されたシランを20×10-8モル／分
で供給して、GaN を形成し、膜厚約３μｍの第２層の上
層３２を形成した。本実施例では、層３１と層３２の２
層構造により第２層３を形成している。
り基板１の温度を1100℃にしてN2又はH2を20liter/分、
NH3 を10liter/分、TMG を2.0 ×10-4モル／分、H2ガス
により0.86ppm に希釈されたシランを20×10-8モル／分
で供給して、GaN を形成し、膜厚約３μｍの第２層の上
層３２を形成した。本実施例では、層３１と層３２の２
層構造により第２層３を形成している。
【００２１】次に、層３２上にSiO2をスパッタリングに
より膜厚約2000Åに形成した後、レジストの塗布、及
び、フォトリソグラフィにより、図３に示すように、幅
ａが約５μｍ、露出領域Ｂの間隔ｂが約５μｍのストラ
イプ状（図５）又は格子状（図６）の第３層４を形成し
た。
より膜厚約2000Åに形成した後、レジストの塗布、及
び、フォトリソグラフィにより、図３に示すように、幅
ａが約５μｍ、露出領域Ｂの間隔ｂが約５μｍのストラ
イプ状（図５）又は格子状（図６）の第３層４を形成し
た。
【００２２】次に、第２層の上層３２の露出領域Ｂ上及
び第３層４の上部領域Ａ上に膜厚約80μｍのGaN から成
る第４層５を形成する。このとき、GaN は、層３２の露
出部ＢのGaN を核として、面に垂直方向に成長する。そ
して、SiO2の第３層４の上部領域Ａでは、層３２の露出
部Ｂ上に成長したGaN を核として、GaN が横方向にエピ
タキシャル成長する。このようにして、本実施例では、
GaN がGaN を核として縦方向にも横方向にもエピタキシ
ャル成長するので、結晶性の高いGaN が得られる。
び第３層４の上部領域Ａ上に膜厚約80μｍのGaN から成
る第４層５を形成する。このとき、GaN は、層３２の露
出部ＢのGaN を核として、面に垂直方向に成長する。そ
して、SiO2の第３層４の上部領域Ａでは、層３２の露出
部Ｂ上に成長したGaN を核として、GaN が横方向にエピ
タキシャル成長する。このようにして、本実施例では、
GaN がGaN を核として縦方向にも横方向にもエピタキシ
ャル成長するので、結晶性の高いGaN が得られる。
【００２３】次に、このように各層の形成されたサファ
イア基板１を塩酸系エッチャントに浸し、エッチャント
の温度を６０℃にした。そして、約１０分間超音波洗浄
器にかけて、第１層２のエッチングを行った。これによ
り、主として、GaN の第４層５から成る窒化ガリウム系
化合物半導体基板を得ることができた。
イア基板１を塩酸系エッチャントに浸し、エッチャント
の温度を６０℃にした。そして、約１０分間超音波洗浄
器にかけて、第１層２のエッチングを行った。これによ
り、主として、GaN の第４層５から成る窒化ガリウム系
化合物半導体基板を得ることができた。
【００２４】尚、上記実施例において、ストライプ状又
は格子状に形成された第３層４の幅ａを約５μｍとした
が、第３層４の幅ａが10μｍを超えると横方向の成長に
長時間必要となり、第３層４の幅ａが１μｍ未満になる
と、後にフッ酸等でのSiO2膜の除去が困難となるので、
望ましくは１〜10μｍの範囲が良い。又、上記実施例で
は第２層の上層３２の露出領域Ｂの間隔ｂを５μｍとし
たが、露出領域Ｂの間隔ｂが10μｍを超えると転位発生
の確率が増大し、露出領域Ｂの間隔ｂが１μｍ未満にな
ると良好なGaN から成る第４層５の形成が困難となるの
で、望ましくは１〜10μｍの範囲が良い。また、第４層
５の結晶性の点から幅の割合ａ／ｂは１〜10が望まし
い。
は格子状に形成された第３層４の幅ａを約５μｍとした
が、第３層４の幅ａが10μｍを超えると横方向の成長に
長時間必要となり、第３層４の幅ａが１μｍ未満になる
と、後にフッ酸等でのSiO2膜の除去が困難となるので、
望ましくは１〜10μｍの範囲が良い。又、上記実施例で
は第２層の上層３２の露出領域Ｂの間隔ｂを５μｍとし
たが、露出領域Ｂの間隔ｂが10μｍを超えると転位発生
の確率が増大し、露出領域Ｂの間隔ｂが１μｍ未満にな
ると良好なGaN から成る第４層５の形成が困難となるの
で、望ましくは１〜10μｍの範囲が良い。また、第４層
５の結晶性の点から幅の割合ａ／ｂは１〜10が望まし
い。
【００２５】上記実施例において、第４層５の厚さは、
50〜100 μｍとすると、無転位の結晶が得られるので望
ましい。Ga0.8In0.2N から成る第２層の下層３１を低温
成長によるバッファ層にしているが、さらに、この層の
上に、高温成長による単結晶のAl0.15Ga0.85N を形成し
て、その層の上にGaN の層３２を形成しても良い。
50〜100 μｍとすると、無転位の結晶が得られるので望
ましい。Ga0.8In0.2N から成る第２層の下層３１を低温
成長によるバッファ層にしているが、さらに、この層の
上に、高温成長による単結晶のAl0.15Ga0.85N を形成し
て、その層の上にGaN の層３２を形成しても良い。
【００２６】尚、本実施例では、第２層の下層３１の組
成をGa0.8In0.2N としたが、任意組成比の一般式Alx Ga
y In1-x-y N(0 ≦x ≦1,0 ≦y ≦1,0 ≦x+y ≦1)の窒化
ガリウム系化合物半導体を用いることができる。また、
第２層の上層３２をGaN としたが、これも一般式Alx Ga
y In1-x-y N(0 ≦x ≦1,0 ≦y ≦1,0 ≦x+y ≦1)の窒化
ガリウム系化合物半導体を用いることができる。また、
第２層を２層構造としたが、１層、３層以上としても良
い。
成をGa0.8In0.2N としたが、任意組成比の一般式Alx Ga
y In1-x-y N(0 ≦x ≦1,0 ≦y ≦1,0 ≦x+y ≦1)の窒化
ガリウム系化合物半導体を用いることができる。また、
第２層の上層３２をGaN としたが、これも一般式Alx Ga
y In1-x-y N(0 ≦x ≦1,0 ≦y ≦1,0 ≦x+y ≦1)の窒化
ガリウム系化合物半導体を用いることができる。また、
第２層を２層構造としたが、１層、３層以上としても良
い。
【００２７】また、第４層５をGaN としているが、任意
組成比のGaInN を用いても良い。Alが含まれる窒化ガリ
ウム系化合物半導体は、SiO2層上に堆積するので、Alを
含まない方が望ましい。しかし、ストライプ状又は格子
状に形成される第３層４をSiO2に代えて、タングステン
(W) など高融点の金属や、アモルファスSiなどを用いて
もよい。このように、第３層４を金属又は非晶質Siで構
成することにより、第３層４に電流が流れるので、GaN
化合物半導体の厚さ方向に均一に電流をより良好に流す
ことができる。タングステン(W) など高融点の金属や、
アモルファスSiを用いた場合には、任意組成比の一般式
Alx Gay In1-x-y N(0 ≦x ≦1,0 ≦y ≦1,0 ≦x+y ≦1)
の窒化ガリウム系化合物半導体は、その上にエピタキシ
ャル成長しないので、一般式Alx Gay In1-x-y N を第４
層５として用いることができる。第４層５と第２層３と
は、同一組成比であっても、異なる組成比であっても良
い。
組成比のGaInN を用いても良い。Alが含まれる窒化ガリ
ウム系化合物半導体は、SiO2層上に堆積するので、Alを
含まない方が望ましい。しかし、ストライプ状又は格子
状に形成される第３層４をSiO2に代えて、タングステン
(W) など高融点の金属や、アモルファスSiなどを用いて
もよい。このように、第３層４を金属又は非晶質Siで構
成することにより、第３層４に電流が流れるので、GaN
化合物半導体の厚さ方向に均一に電流をより良好に流す
ことができる。タングステン(W) など高融点の金属や、
アモルファスSiを用いた場合には、任意組成比の一般式
Alx Gay In1-x-y N(0 ≦x ≦1,0 ≦y ≦1,0 ≦x+y ≦1)
の窒化ガリウム系化合物半導体は、その上にエピタキシ
ャル成長しないので、一般式Alx Gay In1-x-y N を第４
層５として用いることができる。第４層５と第２層３と
は、同一組成比であっても、異なる組成比であっても良
い。
【００２８】又、図７に示すように層４と層５の形成を
２回繰り替えしても良い。この時、層４を構成する下層
４１と上層４２のパターンは、上から見て層３２が見え
ないようなパターンに形成されている。即ち、層４２は
層４１が存在しない上部領域に形成される。これによ
り、層５を構成する下層５１において、下層４１の形成
されていない部分Ｂ１の縦方向の貫通転位がその上方に
存在する上層４２により遮断され、上層４２の上部領域
Ａ２は横方向成長のため層５を構成する上層５２の縦方
向貫通転位は存在しない。又、上層５２の上層４２の存
在しない領域Ｂ２は、下層４１の上部領域Ａ１の延長領
域であるので、縦方向の貫通転位は存在しない。よっ
て、上層５２の貫通転位は極めて減少し、これにより、
層５の結晶性を無転位結晶とすることができ、結晶性を
著しく改善することができる。尚、層４と層５の繰り返
し回数は２回の他、任意回数繰り返しても良い。その時
に、複数の層４のパターンをずらせて、全体として、上
から見た時に、層３２が見えない状態にすれば良い。勿
論、層４を複数段に形成する場合にも、タングステン
(W) など高融点の金属や、アモルファスSi等を用いるこ
とができ、各段毎にSiO2を含めてその材料を変化させて
も良い。
２回繰り替えしても良い。この時、層４を構成する下層
４１と上層４２のパターンは、上から見て層３２が見え
ないようなパターンに形成されている。即ち、層４２は
層４１が存在しない上部領域に形成される。これによ
り、層５を構成する下層５１において、下層４１の形成
されていない部分Ｂ１の縦方向の貫通転位がその上方に
存在する上層４２により遮断され、上層４２の上部領域
Ａ２は横方向成長のため層５を構成する上層５２の縦方
向貫通転位は存在しない。又、上層５２の上層４２の存
在しない領域Ｂ２は、下層４１の上部領域Ａ１の延長領
域であるので、縦方向の貫通転位は存在しない。よっ
て、上層５２の貫通転位は極めて減少し、これにより、
層５の結晶性を無転位結晶とすることができ、結晶性を
著しく改善することができる。尚、層４と層５の繰り返
し回数は２回の他、任意回数繰り返しても良い。その時
に、複数の層４のパターンをずらせて、全体として、上
から見た時に、層３２が見えない状態にすれば良い。勿
論、層４を複数段に形成する場合にも、タングステン
(W) など高融点の金属や、アモルファスSi等を用いるこ
とができ、各段毎にSiO2を含めてその材料を変化させて
も良い。
【００２９】上記実施例では、基板１にサファイアを用
いたが、シリコン、炭化珪素等の他の基板を用いること
ができる。また、基板１の上面にだけ各層を形成した
が、基板の上面と下面の両側に対称に各層を形成するこ
とで、基板のそりが防止できると共に、一度に２枚の窒
化ガリウム系化合物半導体基板が得られるので製造効率
が向上する。
いたが、シリコン、炭化珪素等の他の基板を用いること
ができる。また、基板１の上面にだけ各層を形成した
が、基板の上面と下面の両側に対称に各層を形成するこ
とで、基板のそりが防止できると共に、一度に２枚の窒
化ガリウム系化合物半導体基板が得られるので製造効率
が向上する。
【００３０】このようにして得られた窒化ガリウム系化
合物半導体基板上に、さらに、良く知られたように、窒
化ガリウム系化合物半導体から成る、ガイド層、クラッ
ド層、ＭＱＷ又はＳＱＷ構造の活性層がヘテロ接合され
た発光ダイオード、レーザ素子を形成しても良い。これ
らの素子を構成する各機能層は、第４層５を基底層とし
て、その上に形成した後、第４層５等の基板を第１層２
のエッチングにより基板１から剥離させても良い。この
ような方法により、レーザダイオードを形成した場合に
は、第４層５の基底層から素子の各機能層までが、窒化
ガリウム系化合物半導体で形成されているので、共振器
の端面が容易にへき開により形成できる。これによりレ
ーザの発振効率を向上させることができる。また、第４
層５を導電性に形成することで、基板面に垂直な方向に
電流を流すことかでき、電極形成工程が簡略化されると
共に、電流路の断面積が広く且つ長さが短くなるので駆
動電圧を低下させることができる。
合物半導体基板上に、さらに、良く知られたように、窒
化ガリウム系化合物半導体から成る、ガイド層、クラッ
ド層、ＭＱＷ又はＳＱＷ構造の活性層がヘテロ接合され
た発光ダイオード、レーザ素子を形成しても良い。これ
らの素子を構成する各機能層は、第４層５を基底層とし
て、その上に形成した後、第４層５等の基板を第１層２
のエッチングにより基板１から剥離させても良い。この
ような方法により、レーザダイオードを形成した場合に
は、第４層５の基底層から素子の各機能層までが、窒化
ガリウム系化合物半導体で形成されているので、共振器
の端面が容易にへき開により形成できる。これによりレ
ーザの発振効率を向上させることができる。また、第４
層５を導電性に形成することで、基板面に垂直な方向に
電流を流すことかでき、電極形成工程が簡略化されると
共に、電流路の断面積が広く且つ長さが短くなるので駆
動電圧を低下させることができる。
【００３１】また、第１層２としてZnO を用いたが、窒
化ガリウム系化合物半導体のバッファ層が形成でき、第
１層２のみをエッチングできれば良い。上記の実施例に
おいて、MOVPE 法は常圧雰囲気中で行われたが、減圧成
長下で行っても良い。また、常圧、減圧の組み合わせで
行なって良い。本発明で得られたGaN 系化合物半導体
は、ＬＥＤやＬＤの発光素子に利用可能であると共に受
光素子及び電子ディバイスにも利用することができる。
化ガリウム系化合物半導体のバッファ層が形成でき、第
１層２のみをエッチングできれば良い。上記の実施例に
おいて、MOVPE 法は常圧雰囲気中で行われたが、減圧成
長下で行っても良い。また、常圧、減圧の組み合わせで
行なって良い。本発明で得られたGaN 系化合物半導体
は、ＬＥＤやＬＤの発光素子に利用可能であると共に受
光素子及び電子ディバイスにも利用することができる。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係るGaN 基板の製
造方法を示した断面図。
造方法を示した断面図。
【図２】同じく製造工程を示した断面図。
【図３】同じく製造工程を示した断面図。
【図４】同じく製造工程を示した断面図。
【図５】第３層の形状を示した平面図。
【図６】第３層の他の形状を示した平面図。
【図７】第３層を複数回用いた他の実施例に係る製造工
程を示した断面図。
程を示した断面図。
１…サファイア基板 ２…第１層(ZnO) ３…第２層 ３１…第２層の下層(Ga0.8In0.2N) ３２…第２層の上層(GaN) ４…第３層(SiO2) ５…第４層(GaN)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 手銭 雄太 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 山崎 史郎 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】基板上に湿式エッチング可能な第１層を形
成し、 前記第１層上に、第１の窒化ガリウム系化合物半導体か
ら成る第２層を形成し、その第２層の上に、第２層の露
出部が散在するように、点状、ストライプ状又は格子状
等の島状態に、窒化ガリウム系化合物半導体がその上に
エピタキシャル成長しない第３層を形成し、 前記第３層で覆われていない前記第２層の露出部を核と
して、エピタキシャル成長させ、前記第３層の上部で
は、横方向にエピタキシャル成長させることで第２の窒
化ガリウム系化合物半導体から成る第４層を形成し、 前記第１層をエッチングする溶液を用いた湿式エッチン
グにより、前記基板から剥離させて窒化ガリウム系化合
物半導体基板を形成することを特徴とする窒化ガリウム
系化合物半導体基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記第１層は、酸化亜鉛（ZnO)であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物
半導体基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記第３層は、二酸化シリコン(SiO2)か
ら成ることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の
窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法。 - 【請求項４】 前記第３層は、高融点を有した金属又は
非晶質のシリコン(Si)から成ることを特徴とする請求項
１又は請求項２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体基
板の製造方法。 - 【請求項５】 前記基板は、サファイア、シリコン、又
は、炭化珪素であることを特徴とする請求項１乃至請求
項４のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導
体基板の製造方法。 - 【請求項６】 前記第４層の厚さは、50〜100 μｍであ
ることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１
項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方
法。 - 【請求項７】 前記第４層の上に、素子を形成する第３
の窒化ガリウム系化合物半導体からなる複数の層を形成
し、その後に、前記第１層をエッチングして素子の形成
された基板を得ることを特徴とする請求項１乃至請求項
６のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体
基板の製造方法。 - 【請求項８】 前記基板上の各層を、基板の両面に形成
し、基板の両面に形成された前記第１層をエッチングし
て除去することで、１枚の基板を用いて２枚の窒化ガリ
ウム系化合物半導体基板を得ることを特徴とする請求項
１乃至請求項７のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系
化合物半導体基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32213397A JP3744155B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32213397A JP3744155B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145057A true JPH11145057A (ja) | 1999-05-28 |
| JP3744155B2 JP3744155B2 (ja) | 2006-02-08 |
Family
ID=18140306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32213397A Expired - Fee Related JP3744155B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3744155B2 (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000068559A (ja) * | 1998-08-24 | 2000-03-03 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | ＧａＮ系結晶基材およびその製造方法 |
| JP2001053056A (ja) * | 1999-06-07 | 2001-02-23 | Agilent Technol Inc | エピタキシャル層を１つの基板から分離して他の基板に移し替えるための方法 |
| JP2001223386A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
| US6475882B1 (en) | 1999-12-20 | 2002-11-05 | Nitride Semiconductors Co., Ltd. | Method for producing GaN-based compound semiconductor and GaN-based compound semiconductor device |
| JP2003101149A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-04-04 | Toshiba Corp | 半導体素子及びその製造方法 |
| US6610606B2 (en) | 2001-03-27 | 2003-08-26 | Shiro Sakai | Method for manufacturing nitride compound based semiconductor device using an RIE to clean a GaN-based layer |
| JP2004047762A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体の製造方法および半導体ウェハならびに半導体デバイス |
| JP2004047763A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体の製造方法および半導体ウェハならびに半導体デバイス |
| WO2004083499A1 (ja) * | 2003-03-19 | 2004-09-30 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | ＧａＮ基板作製方法 |
| US6861270B2 (en) | 2000-06-01 | 2005-03-01 | Shiro Sakai | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor and light emitting element |
| US6884647B2 (en) | 2000-09-22 | 2005-04-26 | Shiro Sakai | Method for roughening semiconductor surface |
| US7005685B2 (en) | 2002-02-28 | 2006-02-28 | Shiro Sakai | Gallium-nitride-based compound semiconductor device |
| US7015511B2 (en) | 2001-06-29 | 2006-03-21 | Nitride Semiconductors Co., Ltd. | Gallium nitride-based light emitting device and method for manufacturing the same |
| JP2009023909A (ja) * | 2005-02-22 | 2009-02-05 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物単結晶基板の製造方法及びこれを利用した窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2010212461A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Oki Data Corp | 半導体複合装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP2011530179A (ja) * | 2008-08-06 | 2011-12-15 | エス． オー． アイ． テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ | 歪み層の弛緩及び転写 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008162855A (ja) | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体基板 |
-
1997
- 1997-11-07 JP JP32213397A patent/JP3744155B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000068559A (ja) * | 1998-08-24 | 2000-03-03 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | ＧａＮ系結晶基材およびその製造方法 |
| JP2001053056A (ja) * | 1999-06-07 | 2001-02-23 | Agilent Technol Inc | エピタキシャル層を１つの基板から分離して他の基板に移し替えるための方法 |
| JP4570733B2 (ja) * | 1999-06-07 | 2010-10-27 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | エピタキシャル層を１つの基板から分離して他の基板に移し替えるための方法 |
| US6475882B1 (en) | 1999-12-20 | 2002-11-05 | Nitride Semiconductors Co., Ltd. | Method for producing GaN-based compound semiconductor and GaN-based compound semiconductor device |
| JP2001223386A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
| US6861270B2 (en) | 2000-06-01 | 2005-03-01 | Shiro Sakai | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor and light emitting element |
| US6884647B2 (en) | 2000-09-22 | 2005-04-26 | Shiro Sakai | Method for roughening semiconductor surface |
| US6610606B2 (en) | 2001-03-27 | 2003-08-26 | Shiro Sakai | Method for manufacturing nitride compound based semiconductor device using an RIE to clean a GaN-based layer |
| US7015511B2 (en) | 2001-06-29 | 2006-03-21 | Nitride Semiconductors Co., Ltd. | Gallium nitride-based light emitting device and method for manufacturing the same |
| JP2003101149A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-04-04 | Toshiba Corp | 半導体素子及びその製造方法 |
| US7005685B2 (en) | 2002-02-28 | 2006-02-28 | Shiro Sakai | Gallium-nitride-based compound semiconductor device |
| JP2004047763A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体の製造方法および半導体ウェハならびに半導体デバイス |
| JP2004047762A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体の製造方法および半導体ウェハならびに半導体デバイス |
| WO2004083499A1 (ja) * | 2003-03-19 | 2004-09-30 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | ＧａＮ基板作製方法 |
| US7479188B2 (en) | 2003-03-19 | 2009-01-20 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Process for producing GaN substrate |
| JP2009023909A (ja) * | 2005-02-22 | 2009-02-05 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物単結晶基板の製造方法及びこれを利用した窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| US7811902B2 (en) | 2005-02-22 | 2010-10-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method for manufacturing nitride based single crystal substrate and method for manufacturing nitride based light emitting diode using the same |
| JP2011530179A (ja) * | 2008-08-06 | 2011-12-15 | エス． オー． アイ． テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ | 歪み層の弛緩及び転写 |
| JP2010212461A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Oki Data Corp | 半導体複合装置の製造方法及び半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3744155B2 (ja) | 2006-02-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3036495B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 | |
| JP4055304B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 | |
| US7176497B2 (en) | Group III nitride compound semiconductor | |
| JP3587081B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 | |
| JP5187610B2 (ja) | 窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH11135832A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法 | |
| JP3620269B2 (ja) | ＧａＮ系半導体素子の製造方法 | |
| JP3744155B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法 | |
| KR20000035610A (ko) | 반도체 박막, 반도체 소자와 반도체 장치, 및 이들의 제조방법 | |
| JP3841537B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法 | |
| JP4406999B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子 | |
| JP2000223417A (ja) | 半導体の成長方法、半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 | |
| US7619261B2 (en) | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor | |
| JP2002280314A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法、及びそれに基づくｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子 | |
| JPH11274082A (ja) | Ｉｉｉ 族窒化物半導体およびその製造方法、およびｉｉｉ 族窒化物半導体装置 | |
| JP2005064204A (ja) | ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子及びそれに用いる窒化ガリウム（ＧａＮ）基板の製造方法 | |
| JP4743989B2 (ja) | 半導体素子およびその製造方法ならびに半導体基板の製造方法 | |
| JP4055303B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体及び半導体素子 | |
| JP4140595B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体 | |
| JP2004158500A (ja) | 窒化物半導体、窒化物半導体基板、窒化物半導体素子及びそれらの製造方法 | |
| JP3906739B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
| JP4172444B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 | |
| JP4055763B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体及び半導体基板 | |
| JP2005060227A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体及び半導体基板 | |
| JP2002094111A (ja) | 窒素−３族元素化合物半導体発光素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050426 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050609 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051101 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051114 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091202 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091202 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101202 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101202 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111202 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111202 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121202 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121202 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131202 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |