JPH11144478A - Information storage method of nonvolatile semiconductor memory and electronic apparatus - Google Patents

Information storage method of nonvolatile semiconductor memory and electronic apparatus

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JPH11144478A
JPH11144478A JP30684497A JP30684497A JPH11144478A JP H11144478 A JPH11144478 A JP H11144478A JP 30684497 A JP30684497 A JP 30684497A JP 30684497 A JP30684497 A JP 30684497A JP H11144478 A JPH11144478 A JP H11144478A
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JP
Japan
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nonvolatile semiconductor
semiconductor memory
information
storage area
fat
Prior art date
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JP30684497A
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Japanese (ja)
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Norio Hidaka
規男 日高
Shinichiro Yamamoto
真一郎 山元
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Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Japan Display Inc
Original Assignee
Hitachi Device Engineering Co Ltd
Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the information storage method of a nonvolatile semiconductor memory by which the number of re-writings of the nonvolatile semiconductor memory can be increased practically. SOLUTION: The information storage method of a nonvolatile semiconductor memory which has a plurality of storage areas and is provided in an electronic apparatus includes a control counter. The storage area 40 of the nonvolatile semiconductor memory is selected in accordance with the count value of the control counter and information is stored in the selected storage area 40. The count value 41 is added every time when information is stored in the storage area 40 of the nonvolatile semiconductor memory.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、不揮発性半導体メ
モリの情報記憶方法および電子機器に係わり、特に、M
S−DOS FATフォーマット形式で情報が記憶され
るフラッシュメモリの情報記憶方法、および当該フラッ
シュメモリを備える電子機器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for storing information in a nonvolatile semiconductor memory and an electronic apparatus, and more particularly, to a method for storing information in a nonvolatile semiconductor memory.
The present invention relates to a method of storing information in a flash memory in which information is stored in an S-DOS FAT format, and an electronic apparatus including the flash memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】情報処理装置、あるいは情報を記憶/再
生可能な情報記憶再生装置等の電子機器において、電源
をOFFにした時点での情報(データ)を記憶する記憶
装置として、不揮発性半導体メモリが使用される。例え
ば、静止画の画像データ(以下、単に、静止画と称す
る。)を記憶するデジタル・スチール・カメラにおいて
は、その静止画を記憶する不揮発性半導体メモリとし
て、フラッシュメモリが使用される。
2. Description of the Related Art In an electronic device such as an information processing device or an information storage / reproduction device capable of storing / reproducing information, a nonvolatile semiconductor memory is used as a storage device for storing information (data) at a time when a power supply is turned off. Is used. For example, in a digital still camera that stores image data of a still image (hereinafter, simply referred to as a still image), a flash memory is used as a nonvolatile semiconductor memory that stores the still image.

【0003】このデジタル・スチール・カメラでは、撮
影・記憶動作を行う場合、まず静止画を取り込み、取り
込んだ静止画をファイルとして取り込める形に変換し、
得られたデータを、フラッシュメモリに恒久データとし
て記憶する。
In this digital still camera, when performing a shooting / storage operation, first, a still image is taken, and the taken still image is converted into a form that can be taken as a file.
The obtained data is stored in the flash memory as permanent data.

【0004】この記憶されるデータは、内部フォーマッ
ト、例えば、MS−DOS FATフォーマット形式に
したがって記憶される。図3に、MS−DOS FAT
フォーマット形式のファイルフォーマットを示す。同図
において、20は実際のデータが記憶されるデータ情報
部、21はファイル名称、時刻等を管理するディレクト
リ部、22はデータ情報部20の使用状況を管理するF
AT(File Allocation Table )部である。
[0004] The stored data is stored according to an internal format, for example, the MS-DOS FAT format. FIG. 3 shows the MS-DOS FAT.
Indicates the file format of the format format. In the figure, reference numeral 20 denotes a data information section in which actual data is stored; 21, a directory section for managing file names and times; and 22, an F for managing the use status of the data information section 20.
It is an AT (File Allocation Table) section.

【0005】ここで、FAT部22およびディレクトリ
部21のサイズの全体に対する割合は、データ情報部2
0の大きさによって決定される。このFAT部22に
は、ファイルの大きさ、データ情報部20に記憶された
ファイルへのポインタ等が記憶される。このFAT部2
2は、データ情報部20の使用可否に関わるため、安全
上2カ所の領域を持ち常に同一の情報で更新を行ってい
る。したがって、内容更新の際は、FAT部22の双方
の領域を同一のタイミングで更新することが必要であ
る。このように、FAT部22は、データ情報部20と
密接な関係があるため、データ情報部20への書き込み
等、その空き情報が変更させる場合には常に更新され
る。
[0005] Here, the ratio of the size of the FAT section 22 and the directory section 21 to the whole size is determined by the data information section 2.
It is determined by the magnitude of zero. The FAT unit 22 stores the size of the file, a pointer to the file stored in the data information unit 20, and the like. This FAT part 2
2 has two areas for security and is always updated with the same information because it relates to the availability of the data information section 20. Therefore, when updating the contents, it is necessary to update both areas of the FAT unit 22 at the same timing. As described above, since the FAT unit 22 has a close relationship with the data information unit 20, the FAT unit 22 is always updated when its free information is changed, for example, by writing to the data information unit 20.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】通常、フラッシュメモ
リの場合、読み出し/書き込みを行う単位は、セクタと
呼ばれるある程度まとまったバイト単位で分けられる。
しかし、各セクタへ書き込みを行うためには、事前に書
き込みを行う部分のセクタがひとまとめにされたブロッ
クと呼ばれる部分の消去処理が必要である。一般に、こ
のセクタ/ブロックの割合は、ブロック1に対しセクタ
1〜8程度である。
Normally, in the case of a flash memory, the unit of reading / writing is divided into a certain unit of byte called a sector.
However, in order to perform writing to each sector, it is necessary to perform an erasing process on a portion called a block in which sectors to be written are grouped in advance. Generally, this sector / block ratio is about 1 to 8 sectors per block 1.

【0007】デジタル・スチール・カメラにおいて、M
S−DOS FATフォーマット形式で、静止画のデー
タをフラッシュメモリに記憶する場合には、複数のセク
タを1ブロックとして、ブロック単位での書き込み/読
み出しを行う必要がある。したがって、フラッシュメモ
リのある1セクタのデータを書き換えようとした場合、
当該セクタが属するブロック全体の消去処理を行い、当
該セクタへの書き込み情報を含むブロック情報で再度書
き込みを行うことが必要となる。このため、同一ブロッ
ク中に存在する個々のセクタの内容を任意に書き換えよ
うとした場合、複数回の消去処理が必要となる。
In a digital still camera, M
When storing still image data in the flash memory in the S-DOS FAT format, it is necessary to perform writing / reading in block units with a plurality of sectors as one block. Therefore, when an attempt is made to rewrite data in one sector of the flash memory,
It is necessary to perform an erasing process on the entire block to which the sector belongs, and to rewrite the block with the block information including the writing information for the sector. Therefore, when the contents of individual sectors existing in the same block are arbitrarily rewritten, multiple erasing processes are required.

【0008】また、フラッシュメモリのメモリ部に使用
されるEEPROMの情報書換え回数には限度があり、
1万回程度である。したがって、同じフラッシュメモリ
内で書き込みが煩雑に発生するブロックが存在した場合
は、フラッシュメモリ全体の寿命が、そのブロックで決
まってしまうという欠点があった。MS−DOS FA
T形式でデータをフラッシュメモリに情報を記憶する場
合には、FAT部22が記憶される記憶エリアへの書き
込みが集中するため、フラッシュメモリの各ブロックの
寿命が均等でなく、フラッシュメモリ全体の寿命は、F
AT部22の寿命で決まってしまうという問題点があっ
た。
Further, there is a limit to the number of times information can be rewritten in an EEPROM used for a memory portion of a flash memory.
It is about 10,000 times. Therefore, when there is a block in the same flash memory in which writing is complicated, the life of the entire flash memory is determined by the block. MS-DOS FA
When data is stored in the flash memory in the T format, writing to the storage area where the FAT unit 22 is stored is concentrated, so that the life of each block of the flash memory is not uniform, and the life of the entire flash memory is not equal. Is F
There is a problem that the life of the AT unit 22 is determined.

【0009】本発明は、前記従来技術の問題点を解決す
るためになされたものであり、本発明の目的は、不揮発
性半導体メモリの情報記憶方法および電子機器におい
て、不揮発性半導体メモリの書き換え回数を実効的に増
大させることが可能となる技術を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a method of storing information in a nonvolatile semiconductor memory and an electronic apparatus, wherein It is an object of the present invention to provide a technology capable of effectively increasing the value.

【0010】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
にする。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.

【0012】複数の記憶エリアを設けた不揮発性半導体
メモリを備える電子機器における不揮発性半導体メモリ
の情報記憶方法において、制御カウンタを設け、前記制
御カウンタのカウント値に基づいて、前記不揮発性半導
体メモリの記憶エリアを選択し、当該選択された記憶エ
リアに情報を記憶し、また、前記不揮発性半導体メモリ
の記憶エリアに情報を記憶する毎に、前記制御カウンタ
のカウント値をカウントアップすることを特徴とする。
In a method of storing information in a nonvolatile semiconductor memory in an electronic device including a nonvolatile semiconductor memory provided with a plurality of storage areas, a control counter is provided, and the nonvolatile semiconductor memory is stored in the nonvolatile semiconductor memory based on a count value of the control counter. Selecting a storage area, storing information in the selected storage area, and counting up the count value of the control counter each time information is stored in the storage area of the nonvolatile semiconductor memory. I do.

【0013】制御装置と、複数の記憶エリアを設けた不
揮発性半導体メモリとを備える電子機器において、その
カウント値に基づいて前記不揮発性半導体メモリの複数
の記憶エリアの中から、前記制御装置が情報を記憶する
記憶エリアを選択し、また、前記不揮発性半導体メモリ
の記憶エリアに情報を記憶する毎に、前記制御装置によ
りカウントアップされる制御カウンタを備えることを特
徴とする。
In an electronic apparatus including a control device and a nonvolatile semiconductor memory provided with a plurality of storage areas, the control device determines information based on a count value from the plurality of storage areas of the nonvolatile semiconductor memory. And a control counter that is incremented by the control device every time information is stored in the storage area of the nonvolatile semiconductor memory.

【0014】前記不揮発性半導体メモリの複数の記憶エ
リアに記憶される情報は、前記不揮発性半導体メモリの
前記複数の記憶エリア以外の記憶エリアに記憶される情
報の管理情報であることを特徴とする。
[0014] The information stored in the plurality of storage areas of the nonvolatile semiconductor memory is management information of information stored in storage areas other than the plurality of storage areas of the nonvolatile semiconductor memory. .

【0015】前記不揮発性半導体メモリは、フラッシュ
メモリであることを特徴とする。
The nonvolatile semiconductor memory is a flash memory.

【0016】前記電子機器は、デジタル・スチール・カ
メラであることを特徴とする。
[0016] The electronic device is a digital still camera.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明をデジタル・スチー
ル・カメラに適用した実施の形態を図面を参照して詳細
に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to a digital still camera will be described below in detail with reference to the drawings.

【0018】なお、実施の形態を説明するための全図に
おいて、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。
In all the drawings for describing the embodiments, those having the same functions are denoted by the same reference numerals, and their repeated description will be omitted.

【0019】図1は、本発明の実施の形態のデジタル・
スチール・カメラにおける不揮発性半導体メモリへの記
憶回路系の概略構成を示すブロック図である。同図にお
いて、10はデータの制御を含め装置全体を制御する制
御部(MPU)、11は静止画を入力する映像入力部、
12は静止画をファイルとして取り込む情報に変換する
データ変換部、13はデータ変換部12で画像圧縮処理
等のさまざまな処理を行う際に使用されるバッファメモ
リ、14はファイルデータを恒久的に記憶・保持する不
揮発性半導体メモリ、15はバスライン、31はカウン
タである。この不揮発性半導体メモリはフラッシュメモ
リで構成される。
FIG. 1 is a block diagram showing a digital audio system according to an embodiment of the present invention.
It is a block diagram which shows schematic structure of the storage circuit system to the non-volatile semiconductor memory in a still camera. In the figure, reference numeral 10 denotes a control unit (MPU) for controlling the entire apparatus including data control, 11 denotes a video input unit for inputting a still image,
Reference numeral 12 denotes a data conversion unit for converting a still image into information to be captured as a file, 13 denotes a buffer memory used when performing various processing such as image compression processing by the data conversion unit 12, and 14 denotes a file memory for storing file data permanently. The nonvolatile semiconductor memory to be held, 15 is a bus line, and 31 is a counter. This nonvolatile semiconductor memory is constituted by a flash memory.

【0020】このデジタル・スチール・カメラにおい
て、撮影・記憶動作を行う場合、まず映像入力部11で
静止画を取り込み、データ変換部12で取り込んだ静止
画をファイルとして取り込める形に変換し、変換された
データをフラッシュメモリ14に恒久データとして記憶
する。この場合に、記憶されるデータは、MS−DOS
FATフォーマット形式にしたがって記憶される。
In this digital still camera, when performing a photographing / storing operation, first, a still image is captured by the video input unit 11, and the still image captured by the data conversion unit 12 is converted into a form that can be captured as a file. The stored data is stored in the flash memory 14 as permanent data. In this case, the stored data is MS-DOS.
It is stored according to the FAT format.

【0021】また、カウンタ31は、J−Qフリップ・
フロップ回路を組み合わせたものを使用し、割り当てた
FAT部22の数(本実施の形態では8個)だけカウン
トした後に、初期値に戻るようにされている。なお、こ
のカウンタ31は、常時内部電源(図示せず)により、
電源が供給されている。また、このカウンタ31は、割
り当てたFAT部22の数だけカウントでき、カウント
した値を保持できるものであれば、どのようなものでも
かまわない。
The counter 31 has a JQ flip-flop.
A combination of flop circuits is used, and after counting the number of assigned FAT units 22 (eight in the present embodiment), the value is returned to the initial value. The counter 31 is always operated by an internal power supply (not shown).
Power is supplied. The counter 31 may be of any type as long as it can count the number of allocated FAT units 22 and can hold the counted value.

【0022】図2は、本実施の形態のフラッシュメモリ
のFAT部が記憶される領域を示す図である。同図にお
いて、22はFAT部、40はフラッシュメモリ14の
FAT部22が記憶される記憶エリア、41は制御カウ
ンタ31のカウント値である。
FIG. 2 is a diagram showing an area where the FAT section of the flash memory according to the present embodiment is stored. In the figure, 22 is a FAT unit, 40 is a storage area of the flash memory 14 where the FAT unit 22 is stored, and 41 is a count value of the control counter 31.

【0023】次に、本実施の形態の不揮発性半導体メモ
リの書き込み方法について、図1、図2を用いて説明す
る。図1において、バッファメモリ13には、FAT部
22と同様のFAT記憶エリアが用意される。カメラ動
作中には、通常、FAT部22への書き込み回数を低減
するため、バッファメモリ13のFAT記憶エリアが使
用される。また、フラッシュメモリ14内の記憶エリア
40としては、複数個のFAT部22が記憶される大き
さの領域(FAT部22の必要セクタ分×相互使用数分
のエリア)が用意される。本実施の形態では、図2の記
憶エリア40に示すように、ブロック0からブロック7
の8個のFAT部22が用意される。
Next, a writing method of the nonvolatile semiconductor memory according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1, an FAT storage area similar to that of the FAT unit 22 is prepared in the buffer memory 13. During the operation of the camera, the FAT storage area of the buffer memory 13 is usually used to reduce the number of times of writing to the FAT unit 22. In addition, as the storage area 40 in the flash memory 14, an area having a size in which a plurality of FAT sections 22 are stored (an area corresponding to a required sector of the FAT section 22 × the number of mutual uses) is prepared. In the present embodiment, as shown in the storage area 40 of FIG.
Are prepared.

【0024】また、前記「従来の技術」で説明したよう
に、FAT部22は通常2つの領域が設けられるが、本
実施の形態のデジタル・スチール・カメラでは、フラッ
シュメモリ14の容量から1FAT部22当たり2セク
タの使用で済み、また、内部フォーマット形式を、8セ
クタ/ブロックとしたため、1ブロック内に2FAT部
を収納することができた。これにより、交代用の記憶エ
リアはブロック単位で用意することができ、したがっ
て、交代用に8ブロックの記憶エリアを用意し、各ブロ
ックが順次変更して使用される。収まらない場合には、
フォーマットおよび管理方法を工夫する必要があるが、
本発明の内容から外れるため、ここでは省略する。
As described in the above section, the FAT section 22 is usually provided with two areas. However, in the digital still camera of the present embodiment, one FAT section is provided based on the capacity of the flash memory 14. Since only two sectors were used per 22 and the internal format was set to 8 sectors / block, 2 FAT sections could be accommodated in one block. As a result, a replacement storage area can be prepared in block units. Therefore, a storage area of 8 blocks is prepared for replacement, and each block is sequentially changed and used. If it does not fit,
It is necessary to devise the format and management method,
Since it deviates from the content of the present invention, it is omitted here.

【0025】新規動作時は、制御カウンタ41のカウン
タ値は0とされ、最初に使用するFAT部22を記憶領
域40のブロック0とする。制御部10は、予め、各ブ
ロックと制御カウンタ31のカウント値41との関連
を、テーブル等を使用して対応づけておく。図2では、
便宜上、制御カウンタ31のカウンタ値41が0の時
に、記憶領域のブロック0を、また、カウンタ値41が
1の時に、記憶領域のブロック1を、以下同様に、カウ
ンタ値41が7の時に、記憶領域のブロック7を割り当
てるようにしたが、この組み合わせは、管理できるもの
であれば、どのような形でもよい。
At the time of a new operation, the counter value of the control counter 41 is set to 0, and the FAT unit 22 to be used first is set to the block 0 of the storage area 40. The control unit 10 previously associates each block with the count value 41 of the control counter 31 using a table or the like. In FIG.
For convenience, when the counter value 41 of the control counter 31 is 0, block 0 of the storage area is set. When the counter value 41 is 1, block 1 of the storage area is set. Although the block 7 of the storage area is allocated, this combination may take any form as long as it can be managed.

【0026】外部からFAT部22への書き込み命令、
またはバッファメモリ13内のFAT記憶エリアへの書
き込み処理が終了した場合、制御部10は、制御カウン
タ31の値を1カウントアップする。その後、制御部1
0は、制御カウンタ31のカウント値41を読み込み、
フラッシュメモリ14の記憶領域40における、当該カ
ウント値41に対応するブロックに、バッファメモリ1
3のFAT記憶エリアの情報を書き込む処理を実行す
る。
A write command to the FAT unit 22 from outside,
Alternatively, when the writing process to the FAT storage area in the buffer memory 13 is completed, the control unit 10 increments the value of the control counter 31 by one. Then, the control unit 1
0 reads the count value 41 of the control counter 31;
The block corresponding to the count value 41 in the storage area 40 of the flash memory 14
A process of writing information in the FAT storage area of No. 3 is executed.

【0027】本実施の形態の場合、制御カウンタ31の
初期値を0と定めたため、カウントアップした場合1が
セットされる。したがって、制御部10は、ブロック1
を新しいFAT部22として使用し、以後、新規のFA
T部22への書き込み処理が発生するまで、このブロッ
クを現在のFAT部22として使用する。この場合に、
現在のFAT部22へのアクセスは、アクセスの度に、
制御カウンタ31のカウント値41を読み込み、当該カ
ウント値41に対応するアドレスを求めることにより行
われる。また、電源がオフとなった場合でも、この制御
カウンタ31は内部電池によりバックアップされている
ため、制御カウンタ31の内容は保証される。そのた
め、次回の電源投入時でも確実に参照することができ
る。また、本実施の形態では、8ブロックをFAT部2
2に割り当てたため、制御カウンタ31は、8カウント
目で最初の状態に戻る。
In the present embodiment, since the initial value of the control counter 31 is set to 0, 1 is set when counting up. Therefore, the control unit 10 controls the block 1
Is used as a new FAT unit 22, and thereafter, a new FA
This block is used as the current FAT unit 22 until a write process to the T unit 22 occurs. In this case,
The current access to the FAT unit 22 is
This is performed by reading the count value 41 of the control counter 31 and obtaining an address corresponding to the count value 41. Even when the power is turned off, the contents of the control counter 31 are guaranteed because the control counter 31 is backed up by the internal battery. Therefore, it can be reliably referred to even when the power is turned on next time. In the present embodiment, eight blocks are assigned to the FAT unit 2.
Since it has been assigned to 2, the control counter 31 returns to the initial state at the eighth count.

【0028】本実施の形態以外に、例えば、フラッシュ
メモリ14の記憶エリア40の各ブロック内に、当該ブ
ロックを使用した使用回数(FAT部22が記憶された
回数)を記憶しておき、制御部10が、当該各ブロック
内に記憶された使用回数を読み出し、使用回数の少ない
ブロックへ情報を書き込む情報記憶方法も考えられる。
しかしながら、この方法では、制御部10は、フラッシ
ュメモリ14の記憶エリア40へFAT部22の書き込
み処理を実行する前に、各ブロックから使用回数を読み
出す必要があり、また、記憶エリア40内の現在使用中
のブロックを記憶する必要があり、制御部10の処理が
複雑化するという欠点がある。
In addition to the present embodiment, for example, the number of times the block has been used (the number of times the FAT unit 22 has been stored) is stored in each block of the storage area 40 of the flash memory 14, and the control unit An information storage method is also conceivable in which the 10 reads out the number of uses stored in each block and writes information to a block with a small number of uses.
However, in this method, the control unit 10 needs to read the number of times of use from each block before executing the writing process of the FAT unit 22 to the storage area 40 of the flash memory 14. It is necessary to store the block in use, and there is a disadvantage that the processing of the control unit 10 is complicated.

【0029】しかしながら、本実施の形態では、制御カ
ウンタ31を設け、この制御カウンタ31のカウント値
41に基づいて、FAT部22を記憶するブロック(フ
ラッシュメモリ14の記憶エリア40内の8個のブロッ
クの中の1つ)を選択すればよく、また、現在のFAT
部22の情報を読み出す場合は、この制御カウンタ31
のカウント値41に基づいて、そのカウント値41に対
応するアドレスでアクセスするだけよい。このように、
本実施の形態では、制御部10は、制御カウンタ31の
カウントアップだけを意識すればよく、その他の制御を
行う必要がないので、制御部10の処理を簡単化するこ
とが可能となる。なお、前記説明では、制御部10は、
制御カウンタ31の値を1カウントアップした後、制御
カウンタ31のカウント値41を読み込み、当該カウン
ト値41に対応するブロックに、情報を書き込むように
したが、これに限定されるものではなく、制御部10
は、制御カウンタ31のカウント値41を読み込み、当
該カウント値41に対応するブロックに、情報を書き込
んだ後、制御カウンタ31の値を1カウントアップする
ようにしてもよい。但し、この場合は、現在のFAT部
22の情報を読み出す場合に、制御カウンタ31のカウ
ント値41から1を引いたカウント値に対応するアドレ
スでアクセスする必要がある。
However, in the present embodiment, the control counter 31 is provided, and a block for storing the FAT section 22 (eight blocks in the storage area 40 of the flash memory 14) is provided based on the count value 41 of the control counter 31. Of the FAT) and the current FAT
When reading the information of the section 22, the control counter 31
Based on the count value 41, it is only necessary to access at an address corresponding to the count value 41. in this way,
In the present embodiment, the control unit 10 only needs to be aware of the count-up of the control counter 31 and does not need to perform any other control, so that the processing of the control unit 10 can be simplified. In the above description, the control unit 10
After incrementing the value of the control counter 31 by one, the count value 41 of the control counter 31 is read, and information is written in a block corresponding to the count value 41. However, the present invention is not limited to this. Part 10
May read the count value 41 of the control counter 31, write information to a block corresponding to the count value 41, and then increment the value of the control counter 31 by one. However, in this case, when reading the current information of the FAT unit 22, it is necessary to access at an address corresponding to a count value obtained by subtracting 1 from the count value 41 of the control counter 31.

【0030】以上説明したように、本実施の形態では、
FAT部22へ書き込み回数(データ更新処理の回数)
は、従来例と比して、1/8に低減することができる。
即ち、本実施の形態では、FAT部22へ書き込み回数
を、従来例と比して実効的に8倍増大させることがで
き、これにより、FAT部22の寿命を、実効的に8倍
増大させることが可能となる。また、フラッシュメモリ
14の各ブロック毎の寿命を均等化することができ、フ
ラッシュメモリ14全体の寿命も増大(延命)すること
が可能となる。
As described above, in the present embodiment,
Number of times of writing to the FAT unit 22 (number of times of data update processing)
Can be reduced to 1/8 of the conventional example.
That is, in the present embodiment, the number of times of writing to the FAT unit 22 can be effectively increased eight times as compared with the conventional example, thereby effectively increasing the life of the FAT unit 22 by eight times. It becomes possible. Further, the life of each block of the flash memory 14 can be equalized, and the life of the entire flash memory 14 can be increased (life prolonged).

【0031】また、本実施の形態では、FAT部22の
割り当ては、2セクタのみであるため、同一ブロックの
管理によりFAT部22間の寿命のばらつきはないが、
FAT部22の領域が複数のブロックにまたがる場合、
FAT部22内で寿命のばらつきが生じる場合がある。
このような場合でも、本実施の形態を、複数回適用する
ことにより、より細かな単位での調整が可能となる。但
し、フラッシュメモリ14の予備領域(記憶エリア4
0)を確保するためには、その分データ情報領域20を
減らす必要があるため、使用環境の兼ね合いにより、ど
の程度の記憶エリア40を確保するかを決定することが
必要である。
In this embodiment, since the FAT unit 22 is allocated to only two sectors, there is no variation in the life between the FAT units 22 by managing the same block.
When the area of the FAT unit 22 extends over a plurality of blocks,
In some cases, the life of the FAT unit 22 varies.
Even in such a case, by applying the present embodiment a plurality of times, it is possible to perform adjustment in smaller units. However, the spare area of the flash memory 14 (storage area 4
In order to secure (0), it is necessary to reduce the data information area 20 by that amount. Therefore, it is necessary to determine how much storage area 40 to secure according to the use environment.

【0032】なお、前記実施の形態では、本発明をデジ
タル・スチール・カメラに適用した場合について説明し
たが、これに限定されるものではなく、例えば、静止画
を記憶する同等の機能を持ち、フラッシュメモリを備え
る情報記憶再生装置等の電子機器一般に適用可能である
ことは言うまでもない。
In the above embodiment, the case where the present invention is applied to a digital still camera has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, the present invention has an equivalent function of storing a still image, It goes without saying that the present invention can be applied to general electronic equipment such as an information storage / reproduction device having a flash memory.

【0033】いずれにしても、本実施の形態は、FAT
部22を複数の領域に記憶し、この複数の領域を順次変
更して使用することで、フラッシュメモリ14に記憶さ
れるFAT部22の更新回数を分散させる方法であり、
記憶エリア40の確保数およびフォーマット構成等は、
各電子機器の構成条件および使用するフラッシュメモリ
のサイズにより、実現できる範囲で本実施の形態を適用
すれば良く、その内容は問わない。
In any case, the present embodiment uses the FAT
A method of distributing the number of updates of the FAT unit 22 stored in the flash memory 14 by storing the unit 22 in a plurality of areas and sequentially using the plurality of areas.
The number of storage areas 40 and the format configuration etc.
The present embodiment may be applied as far as it can be realized, depending on the configuration conditions of each electronic device and the size of the flash memory to be used.

【0034】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明
は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要
旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは
勿論である。
As described above, the invention made by the present inventor is:
Although a specific description has been given based on the above-described embodiment, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it is needless to say that various modifications can be made without departing from the gist of the invention.

【0035】[0035]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
The effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0036】(1)本発明によれば、不揮発性半導体メ
モリに記憶エリアを複数個設け、不揮発性半導体メモリ
に情報を記憶する際に、前記複数個の記憶エリアを順次
変更して使用するようにしたので、不揮発性半導体メモ
リの記憶回数を実効的に増大させることが可能となり、
不揮発性半導体メモリの寿命を増大させることが可能と
なる。
(1) According to the present invention, a plurality of storage areas are provided in a nonvolatile semiconductor memory, and when storing information in the nonvolatile semiconductor memory, the plurality of storage areas are sequentially changed and used. , It is possible to effectively increase the number of storage times of the nonvolatile semiconductor memory,
It is possible to increase the life of the nonvolatile semiconductor memory.

【0037】(2)本発明によれば、各記憶エリアに情
報を記憶する毎にカウントアップされる制御カウンタを
設け、当該制御カウンタのカウント値に基づいて記憶エ
リアを選択し、また、現在使用中の記憶エリアをアクセ
スするようにしたので、制御部の処理を簡単化すること
が可能となる。
(2) According to the present invention, a control counter which counts up each time information is stored in each storage area is provided, and the storage area is selected based on the count value of the control counter. Since the inside storage area is accessed, the processing of the control unit can be simplified.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態のデジタル・スチール・カ
メラにおける不揮発性半導体メモリへの記憶回路系の概
略構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a storage circuit system for a nonvolatile semiconductor memory in a digital still camera according to an embodiment of the present invention.

【図2】本実施の形態のフラッシュメモリのFAT部が
記憶される領域を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing an area where a FAT section of the flash memory according to the embodiment is stored.

【図3】MS−DOS FATフォーマット形式のファ
イルフォーマットを示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a file format of an MS-DOS FAT format.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…制御部(MPU)、11…映像入力部、12…デ
ータ変換部、13…バッファメモリ、14…不揮発性半
導体メモリ(フラッシュメモリ)、15…バスライン、
20…データ情報部、21…ディレクトリ部、22…F
AT部、31…カウンタ、40…記憶エリア、41…制
御カウンタ31のカウント値。
10: control unit (MPU), 11: video input unit, 12: data conversion unit, 13: buffer memory, 14: nonvolatile semiconductor memory (flash memory), 15: bus line,
20: data information section, 21: directory section, 22: F
AT unit, 31 counter, 40 storage area, 41 count value of control counter 31.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の記憶エリアを設けた不揮発性半導
体メモリを備える電子機器における不揮発性半導体メモ
リの情報記憶方法において、 制御カウンタを設け、前記制御カウンタのカウント値に
基づいて、前記不揮発性半導体メモリの記憶エリアを選
択し、当該選択された記憶エリアに情報を記憶し、 また、前記不揮発性半導体メモリの記憶エリアに情報を
記憶する毎に、前記制御カウンタのカウント値をカウン
トアップすることを特徴とする不揮発性半導体メモリの
情報記憶方法。
1. An information storage method for a nonvolatile semiconductor memory in an electronic device including a nonvolatile semiconductor memory provided with a plurality of storage areas, comprising: a control counter; and a nonvolatile semiconductor memory based on a count value of the control counter. Selecting a storage area of the memory, storing information in the selected storage area, and counting up the count value of the control counter each time information is stored in the storage area of the nonvolatile semiconductor memory. A method for storing information in a nonvolatile semiconductor memory.
【請求項2】 前記不揮発性半導体メモリの複数の記憶
エリアに記憶される情報は、前記不揮発性半導体メモリ
の前記複数の記憶エリア以外の記憶エリアに記憶される
情報の管理情報であることを特徴とする請求項1に記載
された不揮発性半導体メモリの情報記憶方法。
2. The information stored in a plurality of storage areas of the nonvolatile semiconductor memory is management information of information stored in a storage area other than the plurality of storage areas of the nonvolatile semiconductor memory. 2. The information storage method for a nonvolatile semiconductor memory according to claim 1, wherein:
【請求項3】 前記不揮発性半導体メモリは、フラッシ
ュメモリであることを特徴とする請求項1または請求項
2に記載された不揮発性半導体メモリの情報記憶方法。
3. The information storage method for a nonvolatile semiconductor memory according to claim 1, wherein said nonvolatile semiconductor memory is a flash memory.
【請求項4】 前記電子機器は、デジタル・スチール・
カメラであることを特徴とする請求項1ないし請求項3
のいずれか1項に記載された不揮発性半導体メモリの情
報記憶方法。
4. The electronic device according to claim 1, wherein the electronic device is a digital still
4. The camera according to claim 1, wherein the camera is a camera.
An information storage method for a nonvolatile semiconductor memory according to any one of the above items.
【請求項5】 制御装置と、複数の記憶エリアを設けた
不揮発性半導体メモリとを備える電子機器において、 そのカウント値に基づいて前記不揮発性半導体メモリの
複数の記憶エリアの中から、前記制御装置が情報を記憶
する記憶エリアを選択し、また、前記不揮発性半導体メ
モリの記憶エリアに情報を記憶する毎に、前記制御装置
によりカウントアップされる制御カウンタを備えること
を特徴とする電子機器。
5. An electronic device, comprising: a control device; and a nonvolatile semiconductor memory provided with a plurality of storage areas, wherein the control device selects one of the plurality of storage areas of the nonvolatile semiconductor memory based on a count value of the control device. An electronic device comprising: a control counter that selects a storage area for storing information and that is incremented by the control device each time information is stored in the storage area of the nonvolatile semiconductor memory.
【請求項6】 前記不揮発性半導体メモリの複数の記憶
エリアに記憶される情報は、前記不揮発性半導体メモリ
の前記複数の記憶エリア以外の記憶エリアに記憶される
情報の管理情報であることを特徴とする請求項5に記載
された電子機器。
6. The information stored in a plurality of storage areas of the nonvolatile semiconductor memory is management information of information stored in a storage area other than the plurality of storage areas of the nonvolatile semiconductor memory. The electronic device according to claim 5, wherein
【請求項7】 前記不揮発性半導体メモリは、フラッシ
ュメモリであることを特徴とする請求項5または請求項
6に記載された電子機器。
7. The electronic device according to claim 5, wherein the nonvolatile semiconductor memory is a flash memory.
【請求項8】 前記電子機器は、デジタル・スチール・
カメラであることを特徴とする請求項5ないし請求項7
のいずれか1項に記載された電子機器。
8. The electronic device according to claim 1, wherein the electronic device is a digital still device.
8. A camera according to claim 5, wherein the camera is a camera.
An electronic device according to any one of the preceding claims.
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