JPH11142881A - Active matrix type liquid crystal display device, its manufacture and driving method - Google Patents

Active matrix type liquid crystal display device, its manufacture and driving method

Info

Publication number
JPH11142881A
JPH11142881A JP30433697A JP30433697A JPH11142881A JP H11142881 A JPH11142881 A JP H11142881A JP 30433697 A JP30433697 A JP 30433697A JP 30433697 A JP30433697 A JP 30433697A JP H11142881 A JPH11142881 A JP H11142881A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
liquid crystal
scanning
crystal display
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30433697A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Keisuke Tsuda
圭介 津田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP30433697A priority Critical patent/JPH11142881A/en
Publication of JPH11142881A publication Critical patent/JPH11142881A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve a visual angle characteristic by forming two or more areas having respectively different orientation azimuths of liquid crystalline molecules in one pixel area without increasing the step of manufacturing processes. SOLUTION: Auxiliary electrodes 4 each of which divides one pixel electrode 3 into two areas are formed on a substrate 1 and driving voltage is impressed to respective pixel electrodes 3, respective auxiliary electrodes 4 and a counter electrode 6 so that the field strength of a 2nd electric field generated between the counter electrode 6 and each auxiliary electrode 4 is higher than the field strength of an electric field generated between the electrode 6 and each pixel electrode 3 and the direction of the 1st electric field is almost equal to that of the 2nd electric field. Thereby two orientation areas in which the inclinations of liquid crystalline molecules 7 are mutually reversed are formed on both the pixel electrodes 3 with the electrode 4 intervened.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、画像表示を行なう
アクティブマトリクス型液晶表示装置ならびに、その製
造方法および駆動方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device for displaying images, and a method for manufacturing and driving the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置の中で、特に表示品位の高
い画像を得るために、近年、薄膜トランジスタをスイッ
チング素子として用いたアクティブマトリクス駆動方式
の液晶表示装置の開発が盛んである。これは、スイッチ
ング素子のない、単純マトリクス駆動方式に比べて、走
査電極数に関係なく高いコントラスト比が得られるた
め、解像度が高い大容量表示においても、鮮明な画像が
得られるからである。
2. Description of the Related Art Among liquid crystal display devices, in order to obtain an image having particularly high display quality, active matrix driving type liquid crystal display devices using thin film transistors as switching elements have been actively developed in recent years. This is because a higher contrast ratio can be obtained irrespective of the number of scanning electrodes than a simple matrix driving method without a switching element, so that a clear image can be obtained even in a high-capacity display with high resolution.

【0003】このようなアクティブマトリクス型の液晶
表示装置において、広く用いられている液晶表示モード
としてTN(Twisted Nematic)方式がある。TN方式は
液晶層を狭持する電極基板間で液晶分子が90゜捻れた構
造をとるパネルを、2枚の偏光板により挾んだものであ
る。2枚の偏光板は互いの偏光軸方向が直交し、一方の
偏光板はその偏光軸が一方の基板に接している液晶分子
の長軸方向と平行か垂直になるように配置されている。
電圧が印加されていない場合には白表示であるが、2枚
の基板間すなわち液晶パネルに対して垂直方向に電圧を
印加していくと、徐々に光透過率が低下して黒表示とな
る。このような表示特性が得られるのは、液晶パネルに
電圧を印加すると液晶分子は捻れ構造をほどきながら電
界の向きに配列しようとし、この分子の配列状態によ
り、パネルを透過してくる光の偏光状態が変わり、光の
透過率が変調されるからである。しかし同じ分子配列状
態でも、液晶パネルに入射してくる光の入射方向によっ
て透過光の偏光状態は変化するので、入射方向に対応し
て光の透過率は異なってくる。すなわち液晶パネルの特
性は視角依存性を持つ。この視角特性は主視角方向(液
晶層の中間層における液晶分子の長軸方向)に対し視点
を斜めに傾けると輝度の逆転現象を引き起こし、液晶パ
ネルの画質上、重要な課題となっている。
In such an active matrix type liquid crystal display device, there is a TN (Twisted Nematic) system as a widely used liquid crystal display mode. In the TN mode, a panel having a structure in which liquid crystal molecules are twisted by 90 ° between electrode substrates sandwiching a liquid crystal layer is sandwiched between two polarizing plates. The two polarizing plates are arranged so that their polarization axes are orthogonal to each other, and one of the polarizing plates is parallel or perpendicular to the long axis direction of the liquid crystal molecules in contact with one substrate.
When a voltage is not applied, white display is performed. However, when a voltage is applied between two substrates, that is, in a direction perpendicular to the liquid crystal panel, the light transmittance is gradually reduced to black display. . Such display characteristics are obtained because, when a voltage is applied to the liquid crystal panel, the liquid crystal molecules try to align in the direction of the electric field while untwisting the twisted structure. This is because the polarization state changes and the light transmittance is modulated. However, even in the same molecular alignment state, the polarization state of the transmitted light changes depending on the incident direction of the light incident on the liquid crystal panel, so that the light transmittance differs depending on the incident direction. That is, the characteristics of the liquid crystal panel have a viewing angle dependency. This viewing angle characteristic causes an inversion of luminance when the viewpoint is inclined obliquely with respect to the main viewing angle direction (the major axis direction of the liquid crystal molecules in the intermediate layer of the liquid crystal layer), which is an important issue in the image quality of the liquid crystal panel.

【0004】近年、このような視角特性を改善する取り
組みが盛んに行われている。その取り組みの中には、液
晶の配向は上記TN方式を用いながら、位相補償板を積
層する方式や、一つの絵素にその液晶のTN配向の向き
を2つ以上持たせる配向分割方式がある。また、液晶の
配向そのものを変えて視角特性を改善する方式として、
水平配向した液晶分子を基板面内方向の横電界によっ
て、分子を横方向に動かすIn-Plane-Switching(IPS)
方式や、液晶分子を基板面に垂直に配向させ、かつ位相
補償板を積層するVertical-align(VA)方式、さらにV
A方式で配向の向きを2つ以上持たせるVA配向分割方
式などがある(たとえば、K.Ohmuro et al.,SID97 D
igest,p845(1997) 参照)。IPS方式、VA配向分割
方式の視角特性は輝度の逆転現象や、コントラスト低下
もなく非常に広い視角特性が得られる。特にVA配向分
割方式は、従来のTN方式と同じアクティブマトリクス
アレイ構成での動作が可能であるので、設計も容易で有
望視されている。
In recent years, efforts to improve such viewing angle characteristics have been actively made. Among the approaches, there are a method of laminating a phase compensator while using the above-mentioned TN method for the orientation of liquid crystal, and an orientation division method of giving one picture element two or more TN orientations of the liquid crystal. . Also, as a method to improve the viewing angle characteristics by changing the orientation of the liquid crystal itself,
In-Plane-Switching (IPS) to move horizontally aligned liquid crystal molecules by lateral electric field in the direction of the substrate surface.
Vertical-align (VA) method in which liquid crystal molecules are aligned perpendicular to the substrate surface and a phase compensator is laminated,
There is a VA alignment division method in which two or more alignment directions are provided in the A method (for example, K. Ohmuro et al., SID97D).
igest, p845 (1997)). As for the viewing angle characteristics of the IPS method and the VA alignment division method, a very wide viewing angle characteristic can be obtained without a luminance inversion phenomenon and a decrease in contrast. In particular, the VA alignment division system can be operated in the same active matrix array configuration as the conventional TN system, and therefore, its design is easy and promising.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながらVA配向
分割方式では、以下のような課題がある。配向分割方式
は、電界印加によって液晶分子の配向する方位を、1つ
の画素領域で2つ以上設けて、視角特性を対称にするも
のである。通常、液晶分子を配向させる方法には、基板
上に配向膜を塗布し、その上をレーヨンなどの布でこす
り、こすった方向に液晶分子を配向させるラビング法が
ある。このラビング法を使って2つ以上の配向方位をも
つ領域を設けるには、まず配向膜に所定の方向に配向す
るような第1のラビング処理を行い、ついで、配向膜上
にレジストを塗布し、第1のラビング処理を残す部分だ
けレジストが残るようにフォトリソグラフィ法でパター
ニングした後、配向膜の露出した部分を、再度第1のラ
ビング方向と異なる方向に第2のラビング処理を行い、
最後にすべてのレジストを剥離するという方法がとられ
ている。このような処理を上下2つの基板で行う必要が
あり、したがって配向分割方式の液晶表示装置を作成す
るには、非常な手間がかかると同時に、工程増による歩
留まり低下、ひいては製造コストの上昇を招くという課
題が生じていた。
However, the VA alignment division method has the following problems. In the orientation division method, two or more orientations in which liquid crystal molecules are oriented by applying an electric field are provided in one pixel region to make viewing angle characteristics symmetric. In general, as a method for aligning liquid crystal molecules, there is a rubbing method in which an alignment film is applied on a substrate, rubbed with a cloth such as rayon, and the liquid crystal molecules are aligned in the rubbing direction. In order to provide a region having two or more orientations using this rubbing method, first, a first rubbing treatment is performed so that the orientation film is oriented in a predetermined direction, and then a resist is applied on the orientation film. After patterning by a photolithography method so that only the portion where the first rubbing process is left remains, the second rubbing process is performed again on the exposed portion of the alignment film in a direction different from the first rubbing direction.
Finally, a method of removing all the resist is used. It is necessary to perform such processing on the upper and lower substrates. Therefore, it takes a lot of time and effort to produce a liquid crystal display device of the alignment division type, and at the same time, the yield decreases due to an increase in the number of steps, and the manufacturing cost increases. The problem had arisen.

【0006】本発明は、上記VA配向分割方式における
課題を解決するため、製造工程を増加させることなく、
1つの画素領域に液晶分子の配向方位が異なる領域を2
以上設けることを可能にするアクティブマトリクス型液
晶表示装置ならびに、その駆動方法及び製造方法を提供
することを目的とする。
The present invention solves the above problems in the VA alignment division system without increasing the number of manufacturing steps.
One pixel region has two regions in which the liquid crystal molecules have different orientations.
An object is to provide an active matrix liquid crystal display device which can be provided as described above, and a driving method and a manufacturing method thereof.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項1記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、相対向する一対の基板の間に液晶層が充
填され、一方の基板上には、マトリクス状に配置された
信号電極及び走査電極と、前記信号電極に薄膜トランジ
スタを介して電気的に接続された画素電極と、1つの前
記画素電極を2以上の領域に分けるように配置された線
状の補助電極とが設けられ、他方の基板上には、前記一
方の基板に対向して対向電極が設けられたアクティブマ
トリクス型液晶表示装置であって、前記対向電極と前記
画素電極との間に生じる第1の電界の電界強度よりも、
前記対向電極と前記補助電極との間に生じる第2の電界
の電界強度を高くし、かつ前記第1の電界の向きと前記
第2の電界の向きとをほぼ等しくしたことを特徴とす
る。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an active matrix type liquid crystal display device in which a liquid crystal layer is filled between a pair of substrates facing each other. On a substrate, signal electrodes and scanning electrodes arranged in a matrix, pixel electrodes electrically connected to the signal electrodes via thin film transistors, and one pixel electrode is divided into two or more regions. An active matrix type liquid crystal display device provided with a linear auxiliary electrode disposed thereon, and a counter electrode provided on the other substrate so as to face the one substrate, wherein the counter electrode and the pixel are provided. Than the electric field strength of the first electric field generated between the
The electric field strength of a second electric field generated between the counter electrode and the auxiliary electrode is increased, and the directions of the first electric field and the second electric field are made substantially equal.

【0008】また、請求項2記載のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置は、請求項1記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置において、液晶層中の液晶分子を、
電界の非印加時において基板に対し垂直方向に配向した
ことを特徴とする。
Further, according to a second aspect of the present invention, in the active matrix type liquid crystal display device according to the first aspect, the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer are formed by:
It is characterized in that it is oriented in a direction perpendicular to the substrate when no electric field is applied.

【0009】また、請求項3記載のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置は、請求項1又は2記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置において、画素電極には走査
電極の電位変化によりスイッチがオン/オフする第1の
薄膜トランジスタを接続するとともに、補助電極には前
記走査電極の電位変化によりスイッチがオン/オフする
第2の薄膜トランジスタを接続し、前記画素電極と前記
走査電極との間に形成された寄生容量Cgd1と、前記画
素電極あるいは前記画素電極に導通した電荷保持用電極
と前記走査電極に対してその前段に設けられた走査電極
の一部との間に形成された蓄積容量Cst1と、前記画素
電極と対向電極との間に形成された画素容量Cl1と、C
gd1,Cst1及びCl1の和をCt1とするとともに、前記補
助電極と前記走査電極との間に形成された寄生容量Cgd
2と、前記補助電極あるいは前記補助電極に導通した電
荷保持用電極と前記走査電極に対してその前段に設けら
れた走査電極の一部との間に形成された蓄積容量Cst2
と、前記補助電極と前記対向電極との間に形成された容
量Cl2と、Cgd2,Cst2及びCl2の和をCt2としたと
き、(Cst1/Ct1)<(Cst2/Ct2)で、かつ(Cgd1/C
st1)=(Cgd2/Cst2)の関係を満たすことを特徴とす
る。
According to a third aspect of the present invention, there is provided an active matrix type liquid crystal display device according to the first or second aspect, wherein a switch is turned on / off by a potential change of the scanning electrode in the pixel electrode. And a second thin film transistor whose switch is turned on / off by a change in the potential of the scanning electrode, and a parasitic capacitance Cgd formed between the pixel electrode and the scanning electrode. 1 , a storage capacitor Cst 1 formed between the pixel electrode or a charge holding electrode electrically connected to the pixel electrode and a part of a scan electrode provided in a stage preceding the scan electrode, A pixel capacitor Cl 1 formed between the electrode and the counter electrode;
The sum of gd 1 , Cst 1 and Cl 1 is Ct 1, and a parasitic capacitance Cgd formed between the auxiliary electrode and the scan electrode.
2 and a storage capacitor Cst 2 formed between the auxiliary electrode or a charge holding electrode electrically connected to the auxiliary electrode and a part of a scan electrode provided at a stage preceding the scan electrode.
When the sum of the capacitance Cl 2 formed between the auxiliary electrode and the counter electrode and Cgd 2 , Cst 2 and Cl 2 is Ct 2 , (Cst 1 / Ct 1 ) <(Cst 2 / Ct 2 ) and (Cgd 1 / C
st 1) = and satisfies the relation (Cgd 2 / Cst 2).

【0010】本発明の請求項4記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の駆動方法は、請求項3記載のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置において、第1の薄膜
トランジスタ及び第2の薄膜トランジスタをオンするた
めの走査信号に変調信号を重畳するとともに、偶数番目
に配置された走査電極に印加する前記変調信号と奇数番
目に配置された走査電極に印加する前記変調信号との大
きさを変化させ、信号電極から供給される画像信号に前
記変調信号より生じる電圧を重畳させ、この電圧が重畳
された画像信号を画素電極及び補助電極に印加すること
を特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a driving method of the active matrix type liquid crystal display device according to the third aspect, wherein the first thin film transistor and the second thin film transistor are turned on. While superimposing the modulation signal on the signal, the magnitude of the modulation signal applied to the even-numbered scanning electrodes and the modulation signal applied to the odd-numbered scanning electrodes are changed and supplied from the signal electrodes. A voltage generated from the modulation signal is superimposed on the generated image signal, and the image signal on which the voltage is superimposed is applied to the pixel electrode and the auxiliary electrode.

【0011】また、請求項5記載のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の駆動方法は、請求項4記載のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置を駆動する駆動方法にお
いて、補助電極を任意の走査電極と隣合う走査電極との
間で走査電極に対して平行に配置し、信号電極により画
素電極に印加される画像信号を1走査期間毎に反転さ
せ、任意の走査電極に接続された画素電極と対向電極と
の間に形成される電界の向きを、隣合う走査電極に接続
された画素電極と対向電極との間に形成される電界に対
して反対になるようにしたことを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a driving method of the active matrix type liquid crystal display device according to the fourth aspect, wherein the auxiliary electrode is arranged adjacent to an arbitrary scanning electrode. The electrodes are arranged in parallel with the scanning electrodes between the scanning electrodes, and the image signals applied to the pixel electrodes by the signal electrodes are inverted every scanning period. The direction of the electric field formed therebetween is opposite to the electric field formed between the pixel electrode connected to the adjacent scanning electrode and the counter electrode.

【0012】本発明の請求項6記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装の製造方法は、請求項1,2又は3記
載のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、画
素電極が形成された一方の基板上に走査電極及び補助電
極を同時に形成し、その後、薄膜トランジスタ及び信号
電極を順次形成する工程を有することを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an active matrix type liquid crystal display device according to the first, second or third aspect of the present invention, wherein the pixel electrode is formed on one of the substrates. The method is characterized by including a step of simultaneously forming a scanning electrode and an auxiliary electrode, and then sequentially forming a thin film transistor and a signal electrode.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】上記のように本発明のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置の構成は、画素電極のほぼ中
央部に、走査電極に平行となるように補助電極が形成さ
れており、補助電極と対向電極との間の電界強度が、画
素電極と対向電極との間の電界強度よりも高く、かつ電
界の向きがほぼ等しくなっている。また、1つの走査電
極を隔てて隣り合う画素電極間の電界の向きが反対にな
っている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As described above, the active matrix type liquid crystal display device of the present invention has an auxiliary electrode formed substantially at the center of a pixel electrode so as to be parallel to a scanning electrode. The electric field strength between the pixel electrode and the counter electrode is higher than the electric field strength between the pixel electrode and the counter electrode, and the directions of the electric fields are substantially equal. The directions of electric fields between pixel electrodes adjacent to each other with one scanning electrode therebetween are opposite.

【0014】このような構成による電界分布から、液晶
表示装置の等電位線と電界に応じて変化する液晶分子の
向きとを表したものを図1に示す。基板1,2間に充填
された液晶分子7は、VA方式で用いられる誘電率異方
性が負の物性を有するものである。この液晶分子7は、
しきい値電圧以上の電界印加に対して、その強度に応じ
て等電位線に沿って分子長軸を向けようとする。図1で
は画素電極3には4V、走査電極5を隔てて隣接する画
素電極3には−4V、補助電極4には6V、隣合う補助
電極4には−6V、そして対向電極6には0Vが印加さ
れている。図1にはこのような電位分布のときの2V,
−2Vの等電位線8,9が描かれている。等電位線8,
9は、隣合う画素電極3のところでは、隣接する画素電
極3の間に向かって急速に曲がり、補助電極4付近で
は、対向電極6に近づくように歪曲している。
FIG. 1 shows the equipotential lines of the liquid crystal display device and the directions of the liquid crystal molecules which change according to the electric field, from the electric field distribution according to the above configuration. The liquid crystal molecules 7 filled between the substrates 1 and 2 have negative dielectric anisotropy used in the VA method. This liquid crystal molecule 7
When an electric field of a threshold voltage or more is applied, the molecular long axis is directed along the equipotential line according to the intensity. In FIG. 1, 4 V is applied to the pixel electrode 3, -4 V is applied to the pixel electrode 3 adjacent to the scanning electrode 5, 6 V is applied to the auxiliary electrode 4, -6 V is applied to the adjacent auxiliary electrode 4, and 0 V is applied to the counter electrode 6. Is applied. FIG. 1 shows 2 V,
Equipotential lines 8, 9 of -2V are drawn. Equipotential lines 8,
Numeral 9 is rapidly bent between the adjacent pixel electrodes 3 at the adjacent pixel electrodes 3, and distorted near the auxiliary electrode 4 so as to approach the counter electrode 6.

【0015】このような等電位線8,9が歪曲している
ところの液晶分子7は、それぞれその曲がっている等電
位線8,9に沿うように分子長軸を傾けている。そこ
で、図1において補助電極4の左側の画素電極3上で
は、補助電極4近傍の液晶分子7,画素電極3の左端の
液晶分子7ともに画素電極3に対して垂直方向から右回
りに回転するように傾く。そして、これら両端の液晶分
子7に挟まれた画素電極3上の液晶分子7は、これら両
端の液晶分子7と同じ向きに傾く。同様に補助電極4の
右側の液晶分子7は、垂直方向から左回りに回転するよ
うに傾く。以上の原理に従って、補助電極4を挾んで両
側の画素電極3上で、それぞれ液晶分子7の傾きが反対
となる2つの配向領域が形成される。
The liquid crystal molecules 7 where the equipotential lines 8 and 9 are distorted have their major axes tilted along the curved equipotential lines 8 and 9 respectively. Therefore, on the pixel electrode 3 on the left side of the auxiliary electrode 4 in FIG. 1, both the liquid crystal molecules 7 near the auxiliary electrode 4 and the liquid crystal molecules 7 on the left end of the pixel electrode 3 rotate clockwise from a direction perpendicular to the pixel electrode 3. Lean like so. Then, the liquid crystal molecules 7 on the pixel electrode 3 sandwiched between the liquid crystal molecules 7 at both ends are inclined in the same direction as the liquid crystal molecules 7 at these both ends. Similarly, the liquid crystal molecules 7 on the right side of the auxiliary electrode 4 tilt so as to rotate counterclockwise from the vertical direction. According to the above principle, two alignment regions where the inclination of the liquid crystal molecules 7 are opposite to each other are formed on the pixel electrodes 3 on both sides of the auxiliary electrode 4.

【0016】一方、液晶層に長時間同じ極性のDC電圧
を印加すると、表示画像として輝度低下や残像が起こる
いわゆる焼き付け現象が生じてしまうため、交流駆動を
する必要がある。アクティブマトリクス型の液晶表示装
置では、通常、画素電極3に1走査期間に書き込まれた
電位を1フィールド期間である約16msec保持した後、次
の1フィールド期間では画素電極3と対向電極6との間
の電界の向きが逆になるように電位を書き込む。つま
り、画素電極3〜対向電極6間の電圧は略30Hzの交流
駆動をしていることになる。本発明のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置では、補助電極4と対向電極6との
電界の向きも、常に画素電極3と対向電極6との電界の
向きと同じでなければならないので、補助電極4〜対向
電極6間の電圧も、画素電極3〜対向電極6間の電圧と
同位相の略30Hzの交流駆動を行う必要がある。
On the other hand, if a DC voltage of the same polarity is applied to the liquid crystal layer for a long time, a so-called burn-in phenomenon occurs in which a display image suffers from a decrease in luminance and an afterimage, so that it is necessary to perform AC driving. In an active matrix type liquid crystal display device, usually, after the potential written to the pixel electrode 3 during one scanning period is held for about 16 msec, which is one field period, the potential between the pixel electrode 3 and the counter electrode 6 is maintained in the next one field period. The potential is written so that the direction of the electric field between them is reversed. In other words, the voltage between the pixel electrode 3 and the counter electrode 6 is driven by an alternating current of about 30 Hz. In the active matrix type liquid crystal display device of the present invention, the direction of the electric field between the auxiliary electrode 4 and the counter electrode 6 must always be the same as the direction of the electric field between the pixel electrode 3 and the counter electrode 6. As for the voltage between the counter electrodes 6, it is necessary to perform an AC drive of about 30 Hz having the same phase as the voltage between the pixel electrodes 3 to 6.

【0017】次に、本発明の実施の形態によるアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置を図面を参照しながら詳細
に説明する。図2は本発明の実施形態のアクティブマト
リクス型液晶表示装置における要部を示す構成図、図3
は図2に示す本実施形態における要部の等価回路図であ
る。また、図4は本実施形態のアクティブマトリクス型
液晶表示装置に対する駆動電圧の波形を示す特性図であ
り、走査電極5に対する電圧波形Vg(m-1),Vg(m)と、
信号電極10の電圧波形Vs(n)と、対向電極6の電圧波形
Vcと、画素電極3に印加される電圧波形Vp(n)と、補
助電極4に印加される電圧波形Vps(n)とを示したもの
である。
Next, an active matrix type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 2 is a configuration diagram showing a main part of an active matrix type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a main part in the embodiment shown in FIG. FIG. 4 is a characteristic diagram showing the waveform of the drive voltage for the active matrix type liquid crystal display device of the present embodiment. The voltage waveforms Vg (m-1) and Vg (m) for the scan electrode 5 are shown in FIG.
The voltage waveform Vs (n) of the signal electrode 10, the voltage waveform Vc of the counter electrode 6, the voltage waveform Vp (n) applied to the pixel electrode 3, and the voltage waveform Vps (n) applied to the auxiliary electrode 4 It is shown.

【0018】画素電極3には、走査電極5の電位により
スイッチがオン/オフする薄膜トランジスタ11(以下、
TFTという)が接続され、補助電極4には同じ走査電
極5の電位によりスイッチがオン/オフするTFT14が
接続されている。ここで、画素電極3と走査電極5との
間に形成された寄生容量Cgd112と、画素電極3あるい
は画素電極3に導通した電荷保持用電極(図示省略)の何
れかと走査電極5に対して前段に配置された走査電極17
の一部の間に形成された蓄積容量Cst113と、画素電極
3と対向電極6の間に形成された画素容量Cl1との和を
Ct1(すなわち、Ct1=Cl1+Cst1+Cgd1)とするとと
もに、補助電極4と走査電極5の間に形成された寄生容
量Cgd215と、補助電極4あるいは補助電極4に導通し
た電荷保持用電極と前段の走査電極17の一部の間で形成
された蓄積容量Cst216と、補助電極4と対向電極6の
間に形成された容量Cl2との和をCt2(すなわち、Ct2
=Cl2+Cst2+Cgd2)としたとき、本実施形態のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置では、(Cst1/Ct1)
<(Cst2/Ct2)で、かつ(Cgd1/Cst1)=(Cgd2/Cs
t2)の関係を満たすように、各容量Cl2,Cst2,Cg
d2,Cl2,Cst2及びCgd2が設定されている。そして、
このように構成された本実施形態のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置に対しては、容量結合駆動と呼ばれる
駆動方法を採用する(たとえば、E.Takeda et al., P
roc.Japan Display'89,p580(1989) 参照)。
The pixel electrode 3 has a thin film transistor 11 (hereinafter, referred to as a switch) which is turned on / off by a potential of the scanning electrode 5.
The auxiliary electrode 4 is connected to a TFT 14 whose switch is turned on / off by the same potential of the scanning electrode 5. Here, the parasitic capacitance Cgd 112 formed between the pixel electrode 3 and the scanning electrode 5 and any one of the pixel electrode 3 and the charge holding electrode (not shown) connected to the pixel electrode 3 and the scanning electrode 5 Scanning electrode 17
Of the storage capacitor Cst 1 13 formed between the part, the pixel electrode 3 and Ct the sum of the pixel capacitor Cl 1 formed between the counter electrode 6 1 (i.e., Ct 1 = Cl 1 + Cst 1 + Cgd with a 1), the auxiliary electrode 4 and the parasitic capacitance Cgd 2 15 formed between the scan electrodes 5, the portion of the charge holding electrode is electrically connected to the auxiliary electrode 4 or the auxiliary electrode 4 previous scan electrodes 17 and the storage capacitor Cst 2 16 formed between the auxiliary electrodes 4 and Ct the sum of the capacitance Cl 2 formed between the counter electrode 6 2 (i.e., Ct 2
= Cl 2 + Cst 2 + Cgd 2 ), (Cst 1 / Ct 1 ) in the active matrix type liquid crystal display device of the present embodiment.
<In (Cst 2 / Ct 2), and (Cgd 1 / Cst 1) = (Cgd 2 / Cs
t 2 ), each capacitance Cl 2 , Cst 2 , Cg
d 2 , Cl 2 , Cst 2 and Cgd 2 are set. And
For the active matrix type liquid crystal display device of the present embodiment configured as described above, a driving method called capacitive coupling driving is adopted (for example, E. Takeda et al., P.
roc. Japan Display '89, p580 (1989)).

【0019】容量結合駆動は、TFT11,14をオンする
ための走査信号以外に変調信号を印加すると共に、偶数
番目及び奇数番目の走査電極5,17で変調信号の大きさ
を変化させることにより、信号電極10より供給される信
号電圧に加えて、変調信号より生じる電圧を重畳させた
電圧を画素電極3および補助電極4に印加させる駆動方
法である。
In the capacitive coupling drive, a modulation signal is applied in addition to the scanning signal for turning on the TFTs 11 and 14 and the magnitude of the modulation signal is changed by the even-numbered and odd-numbered scanning electrodes 5 and 17. This is a driving method in which a voltage in which a voltage generated from a modulation signal is superimposed on the pixel electrode 3 and the auxiliary electrode 4 in addition to the signal voltage supplied from the signal electrode 10.

【0020】次に、図4に基づいて本実施形態のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置に対する容量結合駆動に
ついて説明すると、走査電圧波形Vg(m-1),Vg(m)は、
TFT11,14のスイッチをオンにするVgon、オフにす
るVgoffに加え、変調信号Vg(+),Vg(-)の4つの電圧
レベルを有する。図示されているように変調信号Vg(+)
とVg(-)とは、それぞれ1走査期間Vgonの電圧が印加
された後に2走査期間印加され、その後Vgoffの電圧が
印加される。また、同一フィールド内では、Vg(m-1)の
変調信号がVg(+)であれば、Vg(m)の変調信号はVg(-)
となっており、Vg(m-1),Vg(m)ともに1フィールド毎
に、変調信号Vg(+)とVg(-)が交互に印加される。ま
た、信号電圧波形Vs(n)は、1走査期間毎に、対向電極
電圧Vcに対してプラスの極性のVs(+)とマイナスの極
性のVs(-)の電圧を印加し、かつ1フィールド毎にVgo
nになる時のプラス、マイナスの極性が反転する。
Next, the capacitive coupling drive for the active matrix type liquid crystal display device of this embodiment will be described with reference to FIG. 4. The scanning voltage waveforms Vg (m-1) and Vg (m) are as follows.
It has four voltage levels of modulation signals Vg (+) and Vg (-) in addition to Vgon for turning on and off Vgoff of the TFTs 11 and 14. As shown, the modulation signal Vg (+)
And Vg (-) are applied for two scanning periods after the voltage of Vgon is applied for one scanning period, and then the voltage of Vgoff is applied. In the same field, if the modulation signal of Vg (m-1) is Vg (+), the modulation signal of Vg (m) is Vg (-).
The modulation signals Vg (+) and Vg (-) are applied alternately for each field in both Vg (m-1) and Vg (m). Further, the signal voltage waveform Vs (n) is such that a voltage of Vs (+) having a positive polarity and a voltage of Vs (-) having a negative polarity are applied to the counter electrode voltage Vc every scanning period, and one field. Vgo every time
The polarity of plus and minus when n becomes reversed.

【0021】ここで、画素電極3に印加される電圧Vp
(n)と補助電極4に印加される電圧Vps(n)は、Vg(m)が
Vgonの時に、あるフィールドではVs(+)が書き込まれ
た後、前段のVg(m-1)の電圧変動とVg(m)の電圧変動に
伴い、書き込まれた時の各容量の電荷の総和が保存され
るように電位が変動する。すなわち、Vg(m-1)、Vg(m)
がともにVgoffとなり、電圧変動がなくなってはじめて
Vp(n),Vps(n)も一定の電圧に落ち着く。このとき
の、Vp(n),Vps(n)の電位は次式のようになる。
Here, the voltage Vp applied to the pixel electrode 3
(n) and the voltage Vps (n) applied to the auxiliary electrode 4 are as follows: when Vg (m) is Vgon, after Vs (+) is written in a certain field, the voltage of the previous stage Vg (m-1) In accordance with the fluctuation and the voltage fluctuation of Vg (m), the potential fluctuates so that the sum of the electric charges of the respective capacitors at the time of writing is preserved. That is, Vg (m-1), Vg (m)
Become Vgoff, and Vp (n) and Vps (n) settle down to a constant voltage only after the voltage fluctuation disappears. At this time, the potentials of Vp (n) and Vps (n) are as follows.

【0022】[0022]

【数1】 (Equation 1)

【0023】[0023]

【数2】 (Equation 2)

【0024】したがって、式(数1)及び(数2)では、そ
れぞれ右辺第2項の電圧分だけVs(+)に重畳されてお
り、さらに、本実施形態のアクティブマトリクス型液晶
表示装置では、(Cst1/Ct1)<(Cst2/Ct2)であるこ
とから、Vps(n)の方が、Vp(n)よりも電位が高くな
り、画素電極3〜対向電極6間の電位差に対して、補助
電極4〜対向電極6間の電位差を大きくすることができ
る。また、次のフィールドでは、
Accordingly, in equations (1) and (2), the voltage of the second term on the right side is superimposed on Vs (+), and in the active matrix type liquid crystal display of this embodiment, Since (Cst 1 / Ct 1 ) <(Cst 2 / Ct 2 ), the potential of Vps (n) is higher than Vp (n), and the potential difference between the pixel electrode 3 and the counter electrode 6 is reduced. On the other hand, the potential difference between the auxiliary electrode 4 and the counter electrode 6 can be increased. Also, in the next field,

【0025】[0025]

【数3】 (Equation 3)

【0026】[0026]

【数4】 (Equation 4)

【0027】となり、やはり画素電極3〜対向電極6間
の電位差に対して、補助電極4〜対向電極6間の電位差
を大きくすることができる。以上のことから、常時、図
1のような等電位線を実現することができる。
Thus, the potential difference between the auxiliary electrode 4 and the counter electrode 6 can be made larger than the potential difference between the pixel electrode 3 and the counter electrode 6. From the above, the equipotential lines as shown in FIG. 1 can be always realized.

【0028】さらに、(Vgd1/Vct1)=(Vgd2/Vct2)
とすることで、画素電極3の電位も補助電極4の電位も
対向電極6の電位に対して対称となる交流駆動をするこ
とができるので、駆動電圧にDC成分が重畳されること
を防止して、液晶層を安定に保つことができる。
[0028] In addition, (Vgd 1 / Vct 1) = (Vgd 2 / Vct 2)
By doing so, it is possible to perform AC drive in which both the potential of the pixel electrode 3 and the potential of the auxiliary electrode 4 are symmetrical with respect to the potential of the counter electrode 6, thereby preventing a DC component from being superimposed on the drive voltage. Thus, the liquid crystal layer can be kept stable.

【0029】次に、本実施形態のアクティブマトリクス
型液晶表示装置の製造方法について説明する。本実施形
態のアクティブマトリクス型液晶表示装置を製造する際
には、まず基板1上にITO(Indium Tin Oxide)を成膜
し、このITOをフォトリソグラフィ法によって基板1
上で所定の形状として画素電極3を形成する。次に、基
板1上面にSiO2膜(図示省略)を成膜した後、走査電極
5及び補助電極4をクロムを用いて、フォトリソグラフ
ィ法によって図2に示すようにそれぞれ所定の間隔を隔
ててパターン形成する。なお、走査電極5及び補助電極
4の材料としてはクロムに限定せず、アルミニウムやア
ルミニウムを主成分とする合金など導電性単層膜または
多層膜を用いても良い。
Next, a method of manufacturing the active matrix type liquid crystal display device of the present embodiment will be described. When manufacturing the active matrix type liquid crystal display device of the present embodiment, first, an ITO (Indium Tin Oxide) is formed on the substrate 1 and the ITO is formed on the substrate 1 by photolithography.
The pixel electrode 3 is formed in a predetermined shape above. Next, after a SiO 2 film (not shown) is formed on the upper surface of the substrate 1, the scanning electrode 5 and the auxiliary electrode 4 are separated from each other by a predetermined distance as shown in FIG. Form a pattern. The material of the scanning electrode 5 and the auxiliary electrode 4 is not limited to chromium, but may be a conductive single-layer film or a multilayer film such as aluminum or an alloy containing aluminum as a main component.

【0030】走査電極5及び補助電極4を基板1上に形
成した後、走査電極5の上には、画素電極3に接続する
TFT11及び補助電極に接続するTFT14の絶縁膜とし
て、例えば窒化シリコン(SiNx)等の絶縁体層(図示省
略)を積層する。更に、この絶縁体層上には、TFT1
1,14のスイッチ機能を司る、例えばアモルファスシリ
コン(α-Si)からなる半導体層を積層する。
After the scanning electrode 5 and the auxiliary electrode 4 are formed on the substrate 1, on the scanning electrode 5, for example, silicon nitride (SiN) is used as an insulating film of the TFT 11 connected to the pixel electrode 3 and the TFT 14 connected to the auxiliary electrode. An insulator layer (not shown) such as SiNx) is laminated. Further, on this insulator layer, TFT1
Semiconductor layers made of, for example, amorphous silicon (α-Si), which perform the switching functions of 1 and 14, are stacked.

【0031】その後、半導体層上にチタン/アルミニウ
ム(Ti/Al)の二層を積層し、信号電極10が、基板1上
において走査電極5に対して略直交し、かつそれぞれ略
平行になるようにパターン形成する。また、半導体層に
一部重なるようにTFT11及びTFT14のドレイン電極
を形成する。これらのドレイン電極は、それぞれコンタ
クトホールを介して画素電極3及び補助電極4に接続さ
れる。このとき、寄生容量Cgd112及び寄生容量Cgd215
は、走査電極5とドレイン電極との間に、所定の容量値
となるような形状で同時に形成される。さらに、蓄積容
量Cst113及び蓄積容量Cst216は、前段の走査電極17の
上に、所定の面積を有するように積層することで、所定
の容量値となるように形成する。これらの蓄積容量Cst
113及びCst216は、それぞれコンタクトホールを介して
画素電極3及び補助電極4に接続されている。なお、材
料としてはチタン/アルミニウム(Ti/Al)に限定され
ず、導電性金属の単層膜または多層膜を用いても良い。
Thereafter, two layers of titanium / aluminum (Ti / Al) are laminated on the semiconductor layer so that the signal electrodes 10 are substantially orthogonal to the scanning electrodes 5 on the substrate 1 and are substantially parallel to each other. To form a pattern. Further, drain electrodes of the TFT 11 and the TFT 14 are formed so as to partially overlap the semiconductor layer. These drain electrodes are respectively connected to the pixel electrode 3 and the auxiliary electrode 4 via contact holes. At this time, the parasitic capacitances Cgd 1 12 and Cgd 2 15
Are simultaneously formed between the scanning electrode 5 and the drain electrode in a shape having a predetermined capacitance value. Further, the storage capacitor Cst 1 13 and the storage capacitance Cst 2 16 is on the front of the scanning electrodes 17, by stacking so as to have a predetermined area, is formed so as to have a predetermined capacitance value. These storage capacities Cst
1 13 and Cst 2 16 is connected to the pixel electrode 3 and the auxiliary electrode 4, respectively, via the contact hole. The material is not limited to titanium / aluminum (Ti / Al), and a single-layer film or a multilayer film of a conductive metal may be used.

【0032】最後に、画素電極3及び補助電極4上の絶
縁体層(SiNxとSiO2の二層)を弗化水素によりエッチ
ングして、画素電極3及び補助電極4を露出させること
により、アクティブマトリクスアレイ基板が作成され
る。
Finally, the insulator layer (two layers of SiNx and SiO 2 ) on the pixel electrode 3 and the auxiliary electrode 4 is etched with hydrogen fluoride to expose the pixel electrode 3 and the auxiliary electrode 4, thereby making the active layer active. A matrix array substrate is created.

【0033】そして、アクティブマトリクスアレイ基板
及び対向電極6が形成された基板2には、それぞれ電極
側の面に液晶分子を垂直配向させるための配向膜(チッ
ソ社製ODS−E)を塗布し、これら2枚の基板を貼り
合わせた後、基板間に負の誘電率異方性を有する液晶分
子を含む液晶層を充填し、アクティブマトリクス型液晶
表示装置を得た。
Then, an alignment film (ODS-E manufactured by Chisso Corporation) for vertically aligning liquid crystal molecules is applied to the electrode-side surface of the active matrix array substrate and the substrate 2 on which the counter electrode 6 is formed, respectively. After bonding these two substrates, a liquid crystal layer containing liquid crystal molecules having negative dielectric anisotropy was filled between the substrates, and an active matrix liquid crystal display device was obtained.

【0034】なお、本実施形態のアクティブマトリクス
型液晶表示装置において、各容量値は、Cgd1=0.1p
F、Cst1=0.5pF、Cl1=0.4pF、Cgd2=0.06pF、C
st2=0.3pF、Cl2=0.04pFとなるように設計した。し
たがって、(Cgd1/Cst1)=(Cgd2/Cst2)=0.2とな
り、同時に(Cst1/Ct1)=0.5,(Cst2/Ct2)=0.75
であり、(Cst1/Ct1)<(Cst2/Ct2)を満たすことが
できた。
In the active matrix type liquid crystal display device of this embodiment, each capacitance value is Cgd 1 = 0.1 p
F, Cst 1 = 0.5 pF, Cl 1 = 0.4 pF, Cgd 2 = 0.06 pF, C
It was designed so that st 2 = 0.3 pF and Cl 2 = 0.04 pF. Therefore, (Cgd 1 / Cst 1) = (Cgd 2 / Cst 2) = 0.2 , and the same time (Cst 1 / Ct 1) = 0.5, (Cst 2 / Ct 2) = 0.75
And (Cst 1 / Ct 1 ) <(Cst 2 / Ct 2 ) was satisfied.

【0035】また、走査電極5,17には、Vgon=15
V、Vgoff=−15V、Vg(+)=−10V、Vg(-)=−26V
の走査信号を、信号電極10にはVs(+)=2V、Vs(-)=
−2Vの画像信号を、対向電極6にはVc=0Vをそれ
ぞれ印加することにより、画素電極3の電位はVp(n)=
±6V、補助電極4の電位Vps(n)=±8Vと算出さ
れ、画素電極3〜対向電極6間の電位差6Vに対して、
補助電極4〜対向電極6間の電位差は8Vと高くなるよ
うに設計することができた。
The scanning electrodes 5 and 17 have Vgon = 15
V, Vgoff = -15V, Vg (+) =-10V, Vg (-) =-26V
Is applied to the signal electrode 10 with Vs (+) = 2V and Vs (-) =
By applying an image signal of −2 V and Vc = 0 V to the counter electrode 6, the potential of the pixel electrode 3 becomes Vp (n) =
± 6 V and the potential Vps (n) of the auxiliary electrode 4 are calculated as ± 8 V. For a potential difference of 6 V between the pixel electrode 3 and the counter electrode 6,
The potential difference between the auxiliary electrode 4 and the counter electrode 6 could be designed to be as high as 8V.

【0036】このような駆動条件で液晶表示装置を駆動
し、画素電極3上の液晶分子7の配向を観察したとこ
ろ、補助電極4を境界として二つの配向領域が出現して
いた。さらに、液晶表示装置を傾斜させながらクロスニ
コル下の偏光顕微鏡で観察したところ、2つの配向領域
は、消光位の得られる傾斜角が、基板法線方向に対して
対称な角度になっていることが確認され、2つの配向領
域の中の液晶分子7は図1に模式的に示すように基板法
線方向に対して対称な方向に傾いていることを検証でき
た。
When the liquid crystal display was driven under such driving conditions and the alignment of the liquid crystal molecules 7 on the pixel electrode 3 was observed, two alignment regions appeared with the auxiliary electrode 4 as a boundary. Furthermore, when observing with a polarizing microscope under crossed Nicols while tilting the liquid crystal display device, the tilt angle at which the extinction position can be obtained is symmetrical with respect to the normal direction of the substrate in the two alignment regions. It was confirmed that the liquid crystal molecules 7 in the two alignment regions were inclined in a direction symmetric to the normal direction of the substrate as schematically shown in FIG.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置によれば、1つの画素領域
に液晶分子の配向方位が異なる領域が2以上設けられる
ことにより、広視角特性を有する液晶表示装置を提供す
ることができる。
As described above, according to the active matrix type liquid crystal display device of the present invention, two or more regions having different orientations of the liquid crystal molecules are provided in one pixel region, thereby having a wide viewing angle characteristic. A liquid crystal display device can be provided.

【0038】また、本発明のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の駆動方法によれば、1つの画素領域に設け
られた2以上の領域におけるそれぞれの液晶分子の配向
方位を異ならせることができるので、画像表示時におけ
る広視角特性を向上させることができる。
Further, according to the driving method of the active matrix type liquid crystal display device of the present invention, since the orientation of each liquid crystal molecule in two or more regions provided in one pixel region can be made different, an image can be displayed. Wide viewing angle characteristics during display can be improved.

【0039】また、本発明のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の製造方法によれば、製造工程を増やすこと
なく、1つの画素領域にそれぞれ液晶分子の配向が異な
る2以上の領域を設けることができる。
According to the method of manufacturing an active matrix type liquid crystal display device of the present invention, two or more regions having different alignments of liquid crystal molecules can be provided in one pixel region without increasing the number of manufacturing steps.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態によるアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の構成を示す断面図
FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of an active matrix type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施形態のアクティブマトリクス型液
晶表示装置における要部を示す構成図
FIG. 2 is a configuration diagram illustrating a main part of an active matrix liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図3】図2に示す本実施形態における要部の等価回路
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a main part in the embodiment shown in FIG. 2;

【図4】本発明の実施の形態のアクティブマトリクス型
液晶表示装置に対する駆動電圧の波形を示す特性図
FIG. 4 is a characteristic diagram showing a drive voltage waveform for the active matrix type liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,2 基板 3 画素電極 4 補助電極 5,17 走査電極 6 対向電極 7 液晶分子 8,9 等電位線 10 信号電極 11,14 TFT 12 寄生容量Cgd1 13 蓄積容量Cst1 15 寄生容量Cgd2 16 蓄積容量Cst 1, 2 Substrate 3 Pixel electrode 4 Auxiliary electrode 5, 17 Scan electrode 6 Counter electrode 7 Liquid crystal molecule 8, 9 Equipotential line 10 Signal electrode 11, 14 TFT 12 Parasitic capacitance Cgd 1 13 Storage capacitance Cst 1 15 Parasitic capacitance Cgd 2 16 Storage capacity Cst 2

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 相対向する一対の基板の間に液晶層が充
填され、 一方の基板上には、マトリクス状に配置された信号電極
及び走査電極と、前記信号電極に薄膜トランジスタを介
して電気的に接続された画素電極と、1つの前記画素電
極を2以上の領域に分けるように配置された線状の補助
電極とが設けられ、 他方の基板上には、前記一方の基板に対向して対向電極
が設けられたアクティブマトリクス型液晶表示装置であ
って、 前記対向電極と前記画素電極との間に生じる第1の電界
の電界強度よりも、前記対向電極と前記補助電極との間
に生じる第2の電界の電界強度を高くし、かつ前記第1
の電界の向きと前記第2の電界の向きとをほぼ等しくし
たことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
置。
1. A liquid crystal layer is filled between a pair of substrates opposed to each other. On one substrate, signal electrodes and scanning electrodes arranged in a matrix are electrically connected to the signal electrodes via thin film transistors. And a linear auxiliary electrode disposed so as to divide one pixel electrode into two or more regions. On the other substrate, the pixel electrode is opposed to the one substrate. An active matrix liquid crystal display device provided with a counter electrode, wherein the voltage is generated between the counter electrode and the auxiliary electrode than the electric field strength of a first electric field generated between the counter electrode and the pixel electrode. Increasing the electric field strength of the second electric field,
An active matrix liquid crystal display device, wherein the direction of the electric field is substantially equal to the direction of the second electric field.
【請求項2】 液晶層中の液晶分子を、電界の非印加時
において基板に対し垂直方向に配向したことを特徴とす
る請求項1記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。
2. The active matrix liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer are oriented in a direction perpendicular to the substrate when no electric field is applied.
【請求項3】 画素電極には走査電極の電位変化により
スイッチがオン/オフする第1の薄膜トランジスタを接
続するとともに、補助電極には前記走査電極の電位変化
によりスイッチがオン/オフする第2の薄膜トランジス
タを接続し、 前記画素電極と前記走査電極との間に形成された寄生容
量Cgd1と、前記画素電極あるいは前記画素電極に導通
した電荷保持用電極と前記走査電極に対してその前段に
設けられた走査電極の一部との間に形成された蓄積容量
Cst1と、前記画素電極と対向電極との間に形成された
画素容量Cl1との和をCt1(Ct1=Cl1+Cst1+Cgd1)
とするとともに、 前記補助電極と前記走査電極との間に形成された寄生容
量Cgd2と、前記補助電極あるいは前記補助電極に導通
した電荷保持用電極と前記走査電極に対してその前段に
設けられた走査電極の一部との間に形成された蓄積容量
Cst2と、前記補助電極と前記対向電極との間に形成さ
れた容量Cl2との和をCt2(Ct2=Cl2+Cst2+Cgd2)
としたとき、 (Cst1/Ct1)<(Cst2/Ct2)で、かつ(Cgd1/Cst1)
=(Cgd2/Cst2)の関係を満たすことを特徴とする請求
項1又は2記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。
3. A first thin film transistor whose switch is turned on / off by a potential change of a scanning electrode is connected to a pixel electrode, and a second thin film transistor whose switch is turned on / off by a potential change of the scanning electrode is connected to an auxiliary electrode. connect the thin film transistor, a parasitic capacitance Cgd 1 formed between the scan electrode and the pixel electrode is provided on the previous stage to the pixel electrode or the pixel electrode and the scanning electrode and the charge holding electrode electrically connected to part of the resulting scan electrodes and the storage capacitor Cst 1 formed between the pixel electrode and Ct the sum of the pixel capacitor Cl 1 formed between the counter electrode 1 (Ct 1 = Cl 1 + Cst 1 + Cgd 1 )
With a, and the parasitic capacitance Cgd 2 formed between the scan electrode and the auxiliary electrode, disposed in the preceding stage with respect to the auxiliary electrode or the and the charge holding electrode electrically connected to the auxiliary electrode and the scan electrode Ct 2 (Ct 2 = Cl 2 + Cst 2) which is the sum of the storage capacitance Cst 2 formed between the scanning electrode and a part of the scanning electrode and the capacitance Cl 2 formed between the auxiliary electrode and the counter electrode. + Cgd 2 )
When a, (Cst 1 / Ct 1) < In (Cst 2 / Ct 2), and (Cgd 1 / Cst 1)
= Active matrix liquid crystal display device according to claim 1 or 2, wherein the satisfying (Cgd 2 / Cst 2) relationship.
【請求項4】 請求項3記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置を駆動する駆動方法において、 第1の薄膜トランジスタ及び第2の薄膜トランジスタを
オンするための走査信号に変調信号を重畳するととも
に、偶数番目に配置された走査電極に印加する前記変調
信号と奇数番目に配置された走査電極に印加する前記変
調信号との大きさを変化させ、信号電極から供給される
画像信号に前記変調信号より生じる電圧を重畳させ、こ
の電圧が重畳された画像信号を画素電極及び補助電極に
印加することを特徴とするアクティブマトリクス型液晶
表示装置の駆動方法。
4. A driving method for driving an active matrix type liquid crystal display device according to claim 3, wherein a modulation signal is superimposed on a scanning signal for turning on the first thin film transistor and the second thin film transistor, and the modulation signal is superposed on an even number. By changing the magnitude of the modulation signal applied to the arranged scanning electrodes and the modulation signal applied to the odd-numbered scanning electrodes, a voltage generated from the modulation signal is applied to an image signal supplied from the signal electrode. A method for driving an active matrix liquid crystal display device, comprising superimposing and applying an image signal on which this voltage is superimposed to a pixel electrode and an auxiliary electrode.
【請求項5】 補助電極を、任意の走査電極と隣合う走
査電極との間で走査電極に対して平行に配置し、 信号電極により画素電極に印加される画像信号を1走査
期間毎に反転させ、任意の走査電極に接続された画素電
極と対向電極との間に形成される電界の向きを、隣合う
走査電極に接続された画素電極と対向電極との間に形成
される電界に対して反対になるようにしたことを特徴と
する請求項4記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置の駆動方法。
5. An auxiliary electrode is arranged between an arbitrary scanning electrode and an adjacent scanning electrode in parallel with the scanning electrode, and an image signal applied to the pixel electrode by the signal electrode is inverted every scanning period. And the direction of the electric field formed between the pixel electrode connected to an arbitrary scan electrode and the counter electrode with respect to the electric field formed between the pixel electrode connected to the adjacent scan electrode and the counter electrode. 5. The driving method of an active matrix type liquid crystal display device according to claim 4, wherein the driving method is reversed.
【請求項6】 画素電極が形成された一方の基板上に走
査電極及び補助電極を同時に形成し、その後、薄膜トラ
ンジスタ及び信号電極を順次形成する工程を有すること
を特徴とする請求項1,2又は3記載のアクティブマト
リクス型液晶表示装置の製造方法。
6. The method according to claim 1, further comprising a step of simultaneously forming a scanning electrode and an auxiliary electrode on one of the substrates on which the pixel electrodes are formed, and thereafter sequentially forming a thin film transistor and a signal electrode. 4. The method for manufacturing an active matrix type liquid crystal display device according to item 3.
JP30433697A 1997-11-06 1997-11-06 Active matrix type liquid crystal display device, its manufacture and driving method Pending JPH11142881A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30433697A JPH11142881A (en) 1997-11-06 1997-11-06 Active matrix type liquid crystal display device, its manufacture and driving method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30433697A JPH11142881A (en) 1997-11-06 1997-11-06 Active matrix type liquid crystal display device, its manufacture and driving method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11142881A true JPH11142881A (en) 1999-05-28

Family

ID=17931785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30433697A Pending JPH11142881A (en) 1997-11-06 1997-11-06 Active matrix type liquid crystal display device, its manufacture and driving method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11142881A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8115896B2 (en) * 2007-02-12 2012-02-14 Au Optronics Corporation Liquid crystal display and driving method thereof
US8723773B2 (en) 2006-09-25 2014-05-13 Japan Display West Inc. Electro-optical device and electronic apparatus
US10217425B2 (en) 2013-11-08 2019-02-26 Seiko Epson Corporation Driving method of electro-optical device, electro-optical device and electronic apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8723773B2 (en) 2006-09-25 2014-05-13 Japan Display West Inc. Electro-optical device and electronic apparatus
US8115896B2 (en) * 2007-02-12 2012-02-14 Au Optronics Corporation Liquid crystal display and driving method thereof
US10217425B2 (en) 2013-11-08 2019-02-26 Seiko Epson Corporation Driving method of electro-optical device, electro-optical device and electronic apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8159429B2 (en) Liquid crystal display and method thereof
JP3831863B2 (en) Liquid crystal display
JP3567183B2 (en) Liquid crystal display
KR100246980B1 (en) Active matrix type liquid crystal display elements
JP3296426B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US7830487B2 (en) Liquid crystal display with pixel electrodes having interdigitated portions
US8259278B2 (en) Liquid crystal display
US20030227580A1 (en) Liquid crystal display device
JP3127640B2 (en) Active matrix type liquid crystal display
KR101122002B1 (en) Liquid Crystal Display Panel and Method of Driving The Same
RU2516578C1 (en) Substrate of active matrix and liquid-crystal display device
JPH10293286A (en) Driving method for liquid crystal display device
JP3194873B2 (en) Active matrix type liquid crystal display device and driving method thereof
KR100430376B1 (en) Liquid crystal display
WO2008018235A1 (en) Tft substrate, liquid crystal display panel and liquid crystal display device having the substrate, and method of manufacturing tft substrate
JPH11212107A (en) Active matrix type liquid crystal display device, its driving method and manufacture
JPH0973064A (en) Liquid crystal display device
JP2005010721A (en) Liquid crystal display device
JPH11142881A (en) Active matrix type liquid crystal display device, its manufacture and driving method
JP2000241830A (en) Liquid crystal display device
JP3164987B2 (en) Active matrix type liquid crystal display
US10754207B2 (en) Liquid crystal display device
JP2000162627A (en) Liquid crystal display device
JP2000035593A (en) Active matrix type liquid crystal display device and its driving method
CN1312513C (en) Liquid crystal device, method for producing the liquid crystal device, and electronic apparatus