JPH11135904A - Thick film electrode - Google Patents
Thick film electrodeInfo
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- JPH11135904A JPH11135904A JP10202465A JP20246598A JPH11135904A JP H11135904 A JPH11135904 A JP H11135904A JP 10202465 A JP10202465 A JP 10202465A JP 20246598 A JP20246598 A JP 20246598A JP H11135904 A JPH11135904 A JP H11135904A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、サーキットボー
ド、多層配線基板やLCD等の各種ディスプレイ基板に
パターン状に配される厚膜電極の構造に係り、特にプラ
ズマディスプレイパネル(以下、PDPと記す)の電極
に好適な厚膜電極に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure of a thick-film electrode arranged in a pattern on various display substrates such as a circuit board, a multilayer wiring substrate and an LCD, and more particularly to a plasma display panel (hereinafter referred to as a PDP). And a thick-film electrode suitable for the above-mentioned electrode.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般にPDPは、2枚の対向するガラス
基板にそれぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、そ
の間にNe、Xe等を主体とするガスを封入した構造に
なっている。そして、これらの電極間に電圧を印加し、
電極周辺の微小なセル内で放電を発生させることによ
り、各セルを発光させて表示を行うようにしている。情
報表示をするためには、規則的に並んだセルを選択的に
放電発光させる。このPDPには、電極が放電空間に露
出している直流型(DC型)と絶縁層で覆われている交
流型(AC型)の2タイプがあり、双方とも表示機能や
駆動方法の違いによって、さらにリフレッシュ駆動方式
とメモリー駆動方式とに分類される。2. Description of the Related Art In general, a PDP has a structure in which a pair of electrodes arranged regularly on two opposite glass substrates are provided, and a gas mainly composed of Ne, Xe, or the like is sealed between the electrodes. Then, a voltage is applied between these electrodes,
By generating a discharge in a minute cell around the electrode, each cell emits light to perform display. In order to display information, regularly arranged cells are selectively caused to emit light. There are two types of PDPs, a direct current type (DC type) in which the electrodes are exposed to the discharge space, and an alternating current type (AC type) in which the electrodes are covered with an insulating layer. And a refresh driving method and a memory driving method.
【0003】図1にAC型PDPの一構成例を示してあ
る。この図は前面板と背面板を離した状態で示したもの
で、図示のように2枚のガラス基板1,2が互いに平行
に且つ対向して配設されており、両者は背面板となるガ
ラス基板2上に互いに平行に設けられた障壁3により一
定の間隔に保持されるようになっている。前面板となる
ガラス基板1の背面側には透明電極である維持電極4と
金属電極であるバス電極5とで構成される複合電極が互
いに平行に形成され、これを覆って誘電体層6が形成さ
れており、さらにその上に保護層7(MgO層)が形成
されている。また、背面板となるガラス基板2の前面側
には前記複合電極と直交するように障壁3の間に位置し
てアドレス電極8が互いに平行に形成されており、その
上に誘電体層9が形成され、さらに障壁3の壁面とセル
底面を覆うようにして蛍光体10が設けられている。こ
のAC型PDPは面放電型であって、前面板上の複合電
極間に交流電圧を印加し、空間に漏れた電界で放電させ
る構造である。この場合、交流をかけているために電界
の向きは周波数に対応して変化する。そしてこの放電に
より生じる紫外線により蛍光体10を発光させ、前面板
を透過する光を観察者が視認するようになっている。FIG. 1 shows a configuration example of an AC type PDP. This figure shows the front plate and the back plate separated from each other. As shown in the figure, two glass substrates 1 and 2 are arranged in parallel and opposed to each other, and both become the back plate. The barriers 3 provided on the glass substrate 2 in parallel to each other are held at a constant interval. On the back side of the glass substrate 1 serving as a front plate, composite electrodes composed of a sustain electrode 4 which is a transparent electrode and a bus electrode 5 which is a metal electrode are formed in parallel with each other, and a dielectric layer 6 is covered thereover. The protective layer 7 (MgO layer) is further formed thereon. On the front side of the glass substrate 2 serving as a back plate, address electrodes 8 are formed parallel to each other and located between the barriers 3 so as to be orthogonal to the composite electrodes, and a dielectric layer 9 is formed thereon. The phosphor 10 is provided so as to cover the wall surface of the barrier 3 and the cell bottom surface. The AC type PDP is of a surface discharge type, and has a structure in which an AC voltage is applied between composite electrodes on a front panel to discharge by an electric field leaking into a space. In this case, since the alternating current is applied, the direction of the electric field changes according to the frequency. Then, the phosphor 10 emits light by the ultraviolet light generated by the discharge, and the light transmitted through the front plate is visually recognized by the observer.
【0004】上記の如きPDPにおける背面板は、ガラ
ス基板2の上にアドレス電極8を形成し、必要に応じて
それを覆うように誘電体層9を形成した後、障壁3を形
成してその障壁3の間に蛍光体10を設けることで製造
される。アドレス電極8の形成方法としては、真空蒸着
法、スパッタリング法、メッキ法、厚膜法等によってガ
ラス基板2上に電極材料の膜を形成し、これをフォトリ
ソグラフィー法によってパターニングする方法と、厚膜
ペーストを用いたスクリーン印刷によりパターニングす
る方法とが知られている。また、誘電体層9はスクリー
ン印刷、フィルムラミネート等により形成される。そし
て、障壁3はスクリーン印刷による重ね刷り、或いはサ
ンドブラスト法等によって形成され、蛍光体10による
蛍光面はスクリーン印刷等により障壁3の間に赤
(R)、緑(G)、青(B)の3色の蛍光体ペーストを
選択的に充填するか、若しくは感光性の蛍光体ペースト
を用いたフォトリソグラフィー法により形成される。In the back plate of the PDP as described above, an address electrode 8 is formed on a glass substrate 2, a dielectric layer 9 is formed so as to cover the electrode 8 if necessary, and then a barrier 3 is formed. It is manufactured by providing a phosphor 10 between the barriers 3. As a method of forming the address electrode 8, a method of forming an electrode material film on the glass substrate 2 by a vacuum evaporation method, a sputtering method, a plating method, a thick film method, and the like, and patterning the film by a photolithography method, A method of patterning by screen printing using a paste is known. The dielectric layer 9 is formed by screen printing, film lamination, or the like. The barrier 3 is formed by overprinting by screen printing or a sand blast method, and the fluorescent surface of the phosphor 10 is formed of red (R), green (G), and blue (B) between the barriers 3 by screen printing or the like. It is formed by selectively filling a phosphor paste of three colors or by a photolithography method using a photosensitive phosphor paste.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記の如きPDPにお
けるアドレス電極は5〜15μm程度の厚みを有してい
る。従来、この種の厚膜電極をパターン状に形成する場
合、主としてスクリーン印刷法が利用されてきた。スク
リーン印刷法は、使用できるペースト材料の制約が少な
い上に、他の印刷法では得られにくい厚膜パターンを形
成しやすいという利点を有している。しかしながら、形
成パターンの大型化や高精細化を考えると、スクリーン
印刷法では寸法精度が低く、複数種類の厚膜パターンを
形成する場合に各パターンの整合性に問題があり、さら
にスクリーンメッシュを用いるため解像度についても限
界がある。そこで、寸法精度の高いフォトリソグラフィ
ー法による厚膜パターン形成法が注目されている。この
方法では、感光性材料を含むペーストをコートされた面
がパターンマスクで覆われ、露光が行われる。そして、
現像液への浸漬により未露光部が除去され、電極パター
ンが形成される。しかしながら、パターン状に形成され
た電極の端部がカールする問題がある。これは、露光時
に厚膜電極材料中の無機粉体によりUV光の透過が阻害
され、膜厚方向に進むに従い感光性樹脂の硬化が不充分
となり、その未硬化部分が現像時に削り落とされ、断面
形状が逆台形状になってしまうからである。そして、こ
の削り落とされた部分が、焼成により反り上がるために
カールが生じる。カールした電極端部は、わずかな外力
によって欠けやすい問題があり、またその使用方法によ
っては、カールした部分に電流集中や電界集中が起きや
すいので、電極としての信頼性を損なう原因となってい
る。The address electrodes in the above-mentioned PDP have a thickness of about 5 to 15 μm. Conventionally, when such a thick film electrode is formed in a pattern, a screen printing method has been mainly used. The screen printing method has an advantage that a paste material that can be used is less restricted and a thick film pattern that is difficult to obtain by other printing methods is easily formed. However, in view of the enlargement and high definition of the formed pattern, the screen printing method has low dimensional accuracy, and when forming a plurality of types of thick film patterns, there is a problem in the consistency of each pattern, and further, a screen mesh is used. Therefore, there is a limit in the resolution. Therefore, a thick film pattern forming method by a photolithography method with high dimensional accuracy has been attracting attention. In this method, a surface coated with a paste containing a photosensitive material is covered with a pattern mask, and exposure is performed. And
Unexposed portions are removed by immersion in a developing solution to form an electrode pattern. However, there is a problem that the ends of the electrodes formed in a pattern are curled. This is because UV light transmission is hindered by inorganic powder in the thick film electrode material during exposure, curing of the photosensitive resin becomes insufficient as the film proceeds in the film thickness direction, and the uncured portion is scraped off during development, This is because the cross-sectional shape becomes an inverted trapezoidal shape. Then, since the shaved portion is warped up by firing, curling occurs. The curled electrode end has a problem that it is easily chipped by a slight external force, and depending on the method of use, current concentration and electric field concentration are likely to occur on the curled portion, which is a cause of impairing the reliability as an electrode .
【0006】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、端部のカールを
低減できる厚膜電極を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a thick-film electrode capable of reducing the curl at the end.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の厚膜電極は、導電性粉体とガラスフリット
とを少なくとも含む厚膜導電体材料で形成された電極で
あって、導電性粉体を主成分とする上層とガラスフリッ
トを主成分とする下層とからなる2層構造を有すること
を特徴とする。In order to achieve the above object, a thick film electrode of the present invention is an electrode formed of a thick film conductor material containing at least a conductive powder and a glass frit, It has a two-layer structure comprising an upper layer mainly composed of conductive powder and a lower layer mainly composed of glass frit.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】本発明で使用する厚膜導電体材料
は最終的にガラスフリットの軟化点以上の温度で焼成す
るので、導電体材料に含まれる導電性粉体は焼成工程で
安定している必要がある。この導電性粉体として使用可
能な材料としては、Au、Ag、Pt、Pd、Ni、A
l、Cr、Ag−Pd等を列挙できる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Since the thick-film conductor material used in the present invention is finally fired at a temperature higher than the softening point of the glass frit, the conductive powder contained in the conductor material is stable in the firing step. Need to be. Materials that can be used as the conductive powder include Au, Ag, Pt, Pd, Ni, and A.
l, Cr, Ag-Pd and the like can be listed.
【0009】厚膜導電体材料に含まれるガラスフリット
は、使用する基板に応じて選択する必要がある。すなわ
ち、基板がガラスの場合は軟化点が300〜600℃の
範囲のものから選択し、基板がアルミナの場合は軟化点
が300〜800℃の範囲のものから選択すればよい。
これは、ガラスフリットの軟化点が当範囲を越えると焼
成温度もこれ以上に高くする必要があり、焼成工程にお
いて基板の許容範囲を越えた熱変形を導きやすくなるの
で好ましくない。また、ガラスフリットの軟化点が30
0℃以下の場合は熱可塑性樹脂等が分解、揮発する前に
ガラスフリットが融着し、層中に空隙等の欠陥が発生す
るので好ましくない。[0009] The glass frit contained in the thick film conductor material must be selected according to the substrate to be used. That is, when the substrate is glass, the softening point is selected from the range of 300 to 600 ° C, and when the substrate is alumina, the softening point is selected from the range of 300 to 800 ° C.
If the softening point of the glass frit exceeds the above range, it is necessary to increase the baking temperature more than this range, and it is easy to induce thermal deformation exceeding the allowable range of the substrate in the baking step, which is not preferable. The glass frit has a softening point of 30.
A temperature of 0 ° C. or less is not preferable because the glass frit is fused before the thermoplastic resin or the like decomposes and volatilizes, causing defects such as voids in the layer.
【0010】導電体材料に感光性を持たせるために使用
する感光性樹脂はアルカリ現像型バインダーポリマーと
反応性ポリマーと光重合開始剤からなる。必要に応じ
て、増感剤、重合停止剤、連鎖移動剤、消泡剤、レベリ
ング剤、分散剤、可塑剤、安定剤などを加える。The photosensitive resin used for imparting photosensitivity to the conductive material comprises an alkali developing type binder polymer, a reactive polymer and a photopolymerization initiator. If necessary, a sensitizer, a polymerization terminator, a chain transfer agent, an antifoaming agent, a leveling agent, a dispersant, a plasticizer, a stabilizer and the like are added.
【0011】アルカリ現像型バインダーポリマーとして
は、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸の二量体、
イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、ビニ
ル酢酸、これらの酸無水物の1種以上と、メチルアクリ
レート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、
エチルメタクリレート、n−プロピルアクリレート、n
−プロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレー
ト、イソプロピルメタクリレート、sec−ブチルアク
リレート、sec−ブチルメタクリレート、イソブチル
アクリレート、イソブチルメタクリレート、tert−
ブチルアクリレート、tert−ブチルメタクリレー
ト、n−ペンチルアクリレート、n−ペンチルメタクリ
レート、n−ヘキシルアクリレート、n−ヘキシルメタ
クリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、2−エ
チルヘキシルメタクリレート、n−オクチルアクリレー
ト、n−オクチルメタクリレート、2−オクチルアクリ
レート、2−オクチルメタクリレート、n−デシルアク
リレート、n−デシルメタクリレート、ヒドロキシエチ
ルアクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒ
ドロキシプロピルアクリレート、ヒドロキシプロピルメ
タクリレート、スチレン、α−メチルスチレン、N−ビ
ニル−2−ピロリドン等の1種以上からなるコポリマー
で、酸価が50〜200mgKOH/gのポリマーなど
が挙げられるが、これらに限定されるものではない(2
種以上混合してもよい)。また、上記コポリマーにグリ
シジル基又は水酸基を有するエチレン性不飽和化合物を
付加させたポリマーで酸価が50〜200mgKOH/
gのポリマーなどが挙げられる(2種以上混合してもよ
い)。また、これらのポリマーに非アルカリ現像型のポ
リマーを1種又は2種以上ブレンドしてもよい。非アル
カリ現像型のポリマーとしては、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルブチラール、アクリル酸エステル共重合
体、メタクリル酸エステル共重合体、ポリエチレン、α
−メチルスチレン重合体、1−ビニル−2−ピロリドン
重合体、これらの共重合体などが挙げられる。As the alkali-developable binder polymer, acrylic acid, methacrylic acid, a dimer of acrylic acid,
Itaconic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, vinyl acetic acid, one or more of these acid anhydrides, methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate,
Ethyl methacrylate, n-propyl acrylate, n
-Propyl methacrylate, isopropyl acrylate, isopropyl methacrylate, sec-butyl acrylate, sec-butyl methacrylate, isobutyl acrylate, isobutyl methacrylate, tert-
Butyl acrylate, tert-butyl methacrylate, n-pentyl acrylate, n-pentyl methacrylate, n-hexyl acrylate, n-hexyl methacrylate, 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, n-octyl acrylate, n-octyl methacrylate, 2- Octyl acrylate, 2-octyl methacrylate, n-decyl acrylate, n-decyl methacrylate, hydroxyethyl acrylate, hydroxyethyl methacrylate, hydroxypropyl acrylate, hydroxypropyl methacrylate, styrene, α-methylstyrene, N-vinyl-2-pyrrolidone and the like Copolymers of at least one kind having an acid value of 50 to 200 mgKOH / g, and the like. It is not limited to al (2
Or more species may be mixed). Further, a polymer obtained by adding an ethylenically unsaturated compound having a glycidyl group or a hydroxyl group to the above copolymer, and having an acid value of 50 to 200 mgKOH /
g of polymer (two or more of them may be mixed). Further, one or more kinds of non-alkali developing type polymers may be blended with these polymers. Examples of the non-alkali developing type polymer include polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, acrylate copolymer, methacrylate copolymer, polyethylene, α
-Methylstyrene polymer, 1-vinyl-2-pyrrolidone polymer, and copolymers thereof.
【0012】反応性モノマーとしては少なくとも一つの
重合可能な炭素−炭素不飽和結合を含有する化合物を用
いることができ、その具体例としては、アリルアクリレ
ート、ベンジルアクリレート、ブトキシエチルアクリレ
ート、ブトキシエチレングリコールアクリレート、シク
ロヘキシルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレ
ート、ジシクロペンテニルアクリレート、2−エチルヘ
キシルアクリレート、グリセロールアクリレート、グリ
シジルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレー
ト、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソボニル
アクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオクチ
ルアクリレート、ラウリルアクリレート、2−メトキシ
エチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアク
リレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリル
アクリレート、エチレングリコールジアクリレート、
1,4ブタンジオールジアクリレート、1,5−ペンタ
ンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオール
ジアクリレート、1,3−プロパンジオールジアクリレ
ート、1,4−シクロヘキサンジオールジアクリレー
ト、2,2−ジメチロールプロパンジアクリレート、グ
リセロールジアクリレート、トリプロピレングリコール
ジアクリレート、グリセロールトリアクリレート、トリ
メチロールプロパントリアクリレート、ポリオキシエチ
ル化トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタ
エリトリトールトリアクリレート、ペンタエリトリトー
ルテトラアクリレート、トリエチレングリコールジアク
リレート、ポリオキシプロピルトリメチロールプロパン
トリアクリレート、ブチレングリコールジアクリレー
ト、1,2,4−ブタントリオールトリアクリレート、
2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオールジ
アクリレート、ジアリルフマレート、1,10−デカン
ジオールジメチルアクリレート、ジペンタエリスリトー
ルヘキサアクリレート、および上記のアクリレートをメ
タクリレートに変えたもの、γ−メタクリロキシプロピ
ルトリメトキシシラン、1−ビニル−2−ピロリドンな
どが挙げられる。本発明ではこれらのモノマーを1種又
は2種以上の混合物としてまたはその他の化合物として
使用することができる。As the reactive monomer, a compound containing at least one polymerizable carbon-carbon unsaturated bond can be used, and specific examples thereof include allyl acrylate, benzyl acrylate, butoxyethyl acrylate, and butoxyethylene glycol acrylate. , Cyclohexyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, glycerol acrylate, glycidyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, isobonyl acrylate, isodexyl acrylate, isooctyl acrylate , Lauryl acrylate, 2-methoxyethyl acrylate, methoxyethylene glycol acrylate, pheno Phenoxyethyl acrylate, stearyl acrylate, ethylene glycol diacrylate,
1,4 butanediol diacrylate, 1,5-pentanediol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,3-propanediol diacrylate, 1,4-cyclohexanediol diacrylate, 2,2-dimethylol Propane diacrylate, glycerol diacrylate, tripropylene glycol diacrylate, glycerol triacrylate, trimethylolpropane triacrylate, polyoxyethylated trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, triethylene glycol diacrylate, Polyoxypropyltrimethylolpropane triacrylate, butylene glycol diacrylate, 1,2,4-buta Triol triacrylate,
2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol diacrylate, diallyl fumarate, 1,10-decanediol dimethyl acrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, and the above acrylate changed to methacrylate, γ-methacrylate Roxypropyltrimethoxysilane, 1-vinyl-2-pyrrolidone, and the like. In the present invention, these monomers can be used as one kind or a mixture of two or more kinds or as other compounds.
【0013】光重合開始剤としては、ベンゾフェノン、
o−ベンゾイル安息香酸メチル、4,4−ビス(ジメチ
ルアミン)ベンゾフェノン、4,4−ビス(ジエチルア
ミン)ベンゾフェノン、α−アミノ・アセトフェノン、
4,4−ジクロロベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4
−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオ
レノン、2,2−ジエトキシアセトフォノン、2,2−
ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2−ヒドロ
キシ−2−メチルプロピオフェノン、p−tert−ブチル
ジクロロアセトフェノン、チオキサントン、2−メチル
チオキサントン、2−クロロチオキサントン、2−イソ
プロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベ
ンジルジメチルケタール、ベンジルメトキシエチルアセ
タール、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチル
エーテル、アントラキノン、2−tert−ブチルアントラ
キノン、2−アミルアントラキノン、β−クロロアント
ラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンズス
ベロン、メチレンアントロン、4−アジドベンジルアセ
トフェノン、2,6−ビス(p−アジドベンジリデン)
シクロヘキサン、2,6−ビス(p−アジドベンジリデ
ン)−4−メチルシクロヘキサノン、2−フェニル−
1,2−ブタジオン−2−(o−メトキシカルボニル)
オキシム、1−フェニル−プロパンジオン−2−(o−
エトキシカルボニル)オキシム、1,3−ジフェニル−
プロパントリオン−2−(o−エトキシカルボニル)オ
キシム、1−フェニル−3−エトキシ−プロパントリオ
ン−2−(o−ベンゾイル)オキシム、ミヒラーケト
ン、2−メチル−〔4−(メチルチオ)フェニル〕−2
−モルフォリノ−1−プロパン、2−ベンジル−2−ジ
メチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブ
タノン−1、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリ
ンスルホニルクロライド、n−フェニルチオアクリド
ン、4,4−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニル
ジスルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフ
ェニルホスフィン、カンファーキノン、四臭素化炭素、
トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイン、エオ
シン、メチレンブルー等の光還元性の色素とアスコルビ
ン酸、トリエタノールアミン等の還元剤の組み合わせ等
が挙げられる。本発明では、これらの光重合開始剤を1
種または2種以上使用することができる。As the photopolymerization initiator, benzophenone,
methyl o-benzoylbenzoate, 4,4-bis (dimethylamine) benzophenone, 4,4-bis (diethylamine) benzophenone, α-amino acetophenone,
4,4-dichlorobenzophenone, 4-benzoyl-4
-Methyldiphenyl ketone, dibenzyl ketone, fluorenone, 2,2-diethoxyacetophonone, 2,2-
Dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, p-tert-butyldichloroacetophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, diethylthioxanthone, benzyldimethylketal, Benzylmethoxyethyl acetal, benzoin methyl ether, benzoin butyl ether, anthraquinone, 2-tert-butylanthraquinone, 2-amylanthraquinone, β-chloroanthraquinone, anthrone, benzanthrone, dibensuberone, methyleneanthrone, 4-azidobenzylacetophenone, 2,6 -Bis (p-azidobenzylidene)
Cyclohexane, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) -4-methylcyclohexanone, 2-phenyl-
1,2-butadione-2- (o-methoxycarbonyl)
Oxime, 1-phenyl-propanedione-2- (o-
Ethoxycarbonyl) oxime, 1,3-diphenyl-
Propanetrione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-3-ethoxy-propanetrione-2- (o-benzoyl) oxime, Michler's ketone, 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2
-Morpholino-1-propane, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1, naphthalenesulfonyl chloride, quinoline sulfonyl chloride, n-phenylthioacridone, 4,4-azo Bisisobutyronitrile, diphenyl disulfide, benzothiazole disulfide, triphenylphosphine, camphorquinone, carbon tetrabromide,
Examples include a combination of a photoreducing dye such as tribromophenyl sulfone, benzoin peroxide, eosin, and methylene blue with a reducing agent such as ascorbic acid and triethanolamine. In the present invention, these photopolymerization initiators are
Species or two or more can be used.
【0014】厚膜導電体材料における無機成分(導電性
粉体、ガラスフリット等)と感光性樹脂成分(ネガ型)
の比率は、無機成分100重量部に対して感光性樹脂成
分は5〜100重量部で、好ましくは5〜40重量部で
ある。これより少ないとパターニングできず、逆に多い
と焼成後に緻密にならず特性がでない。Inorganic component (conductive powder, glass frit, etc.) and photosensitive resin component (negative type) in thick film conductor material
Is 5 to 100 parts by weight, preferably 5 to 40 parts by weight of the photosensitive resin component based on 100 parts by weight of the inorganic component. If the amount is less than this, patterning cannot be performed. On the other hand, if the amount is too large, the film does not become dense after firing and has no characteristics.
【0015】有機溶剤としては、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケト
ン、トルエン、キシレン、シクロヘキサンのようなアノ
ン類、塩化メチレン、3−メトキシブチルアセテート、
エチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレン
グリコールジアルキルエーテル類、ジエチレングリコー
ルモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールモノ
アルキルエーテルアセテート類、α−もしくはβ−テル
ピネオールのようなテルペン類等が挙げられる(2種以
上混合してもよい)。Examples of the organic solvent include anones such as methanol, ethanol, isopropanol, acetone, methyl ethyl ketone, toluene, xylene and cyclohexane, methylene chloride, 3-methoxybutyl acetate,
Examples include ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, and terpenes such as α- or β-terpineol (two or more types may be mixed). ).
【0016】[0016]
(実施例1)本実施例ではガラス基板としてソーダライ
ムガラスを使用した。そして、その基板上にスクリーン
印刷法で下記組成Aの導電体材料を全面的に2度塗布
し、所定のマスクを介して紫外線を照射した後、1%炭
酸ナトリウム水溶液で現像してから、ガラスフリットの
軟化点より20〜150℃高い温度で焼成し、乾燥膜厚
25μmの厚膜電極を形成した。焼成温度は、ガラスフ
リットの軟化点より20℃以下だけ高いのでは2層構造
が形成されず、150℃以上になると基板の変形を招く
ため、ガラスフリットの軟化点より20〜150℃高い
温度範囲内で焼成する必要がある。(Example 1) In this example, soda lime glass was used as a glass substrate. Then, a conductive material having the following composition A is applied twice on the entire surface of the substrate by a screen printing method, irradiated with ultraviolet rays through a predetermined mask, and developed with a 1% aqueous solution of sodium carbonate. Baking was performed at a temperature 20 to 150 ° C. higher than the softening point of the frit to form a thick film electrode having a dry film thickness of 25 μm. If the firing temperature is higher than the softening point of the glass frit by 20 ° C. or less, a two-layer structure is not formed. If the firing temperature is higher than 150 ° C., the substrate is deformed. It is necessary to bake inside.
【0017】 <組成A> 導電体粉体:Ag(平均粒径1μm、球形) 65重量部 ガラスフリット:Bi2 O3 ,B2 O3 ,SiO2 を主成分とするガラスフリ ット(軟化点500℃) 5重量部 バインダーポリマー:n−ブチルメタクリレート/2−ヒドロキシプロピルメ タクリレート/メタクリル酸共重合体(6/2/2(モル比)) 9重量部 モノマー:ペンタエリスリトールトリ/テトラアクリレート 8重量部 光重合開始剤:イルガキュア−369(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社 製) 1重量部 有機溶剤:3−メトキシブチルアセテート 20重量部<Composition A> Conductive powder: 65 parts by weight Ag (average particle diameter: 1 μm, spherical) Glass frit: Glass frit containing Bi 2 O 3 , B 2 O 3 , SiO 2 as a main component (softening point) 500 ° C.) 5 parts by weight Binder polymer: 9 parts by weight of n-butyl methacrylate / 2-hydroxypropyl methacrylate / methacrylic acid copolymer (6/2/2 (molar ratio)) Monomer: 8 parts by weight of pentaerythritol tri / tetraacrylate Part Photopolymerization initiator: Irgacure-369 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals) 1 part by weight Organic solvent: 3-methoxybutyl acetate 20 parts by weight
【0018】以上のように作製した厚膜電極は図2に示
されるような2層構造となった。すなわち、ガラス基板
11上の電極は、ガラスフリットを主成分とする下層1
2と、導電性粉体を主成分とする上層13とに分かれ
た。このような厚膜電極は、下層12に含まれるガラス
フリットの張力により電極端部のカールが低減され、電
極が外力により欠けにくくなった。また、電極補修用の
ハンダの密着性を調べたところ、上層13のガラスフリ
ット含有量が通常の1層構造よりも低下するためハンダ
の塗れ性が向上した。The thick film electrode manufactured as described above has a two-layer structure as shown in FIG. That is, the electrode on the glass substrate 11 is a lower layer 1 mainly composed of glass frit.
2 and an upper layer 13 mainly composed of conductive powder. In such a thick film electrode, the curl at the end of the electrode was reduced by the tension of the glass frit included in the lower layer 12, and the electrode was not easily chipped by an external force. Further, when the adhesion of the electrode repair solder was examined, the glass frit content of the upper layer 13 was lower than that of a normal one-layer structure, so that the solder coatability was improved.
【0019】(実施例2)本実施例ではガラス基板とし
てソーダライムガラスを使用した。そして、まず図3
(a)に示すように、その基板11上にスクリーン印刷
法で下記組成Bのガラスフリットを主成分とするペース
トをパターン印刷した後、600℃で焼成して下地層2
1を形成した。続いて、図3(b)に示すように、下地
層21がパターニングされた基板11上に実施例1で使
用したのと同じ組成Aの導電体材料をスクリーン印刷法
により全面印刷して導電体層22を形成した後、図3
(c)に示すように、所定のマスクMを介して紫外線を
照射した。本実施例では導電体層22の線幅が下地層2
1と同じになるようにしたが下地層21より狭くても構
わない。その後、図3(d)に示すように1%炭酸ナト
リウム水溶液で現像してから、600℃で焼成して図3
(e)に示すような厚膜電極23を形成した。Embodiment 2 In this embodiment, soda lime glass was used as a glass substrate. And first, FIG.
As shown in (a), a paste mainly composed of glass frit having the following composition B is pattern-printed on the substrate 11 by a screen printing method, and then baked at 600 ° C.
1 was formed. Subsequently, as shown in FIG. 3B, a conductive material having the same composition A as that used in Example 1 was printed on the entire surface of the substrate 11 on which the underlayer 21 was patterned by a screen printing method. After forming the layer 22, FIG.
As shown in (c), ultraviolet light was irradiated through a predetermined mask M. In this embodiment, the line width of the conductor layer 22 is
1, but may be smaller than the underlayer 21. Thereafter, as shown in FIG. 3 (d), the film is developed with a 1% aqueous solution of sodium carbonate, and baked at 600 ° C.
A thick film electrode 23 as shown in FIG.
【0020】 <組成B> ガラスフリット:ホウケイ酸鉛ガラス(軟化点500℃) 70重量部 骨材:Al2 O3 15重量部 熱可塑性樹脂:エチルセルロース 3重量部 有機溶剤:ブチルカルビトールアセテート 12重量部<Composition B> Glass frit: lead borosilicate glass (softening point: 500 ° C.) 70 parts by weight Aggregate: Al 2 O 3 15 parts by weight Thermoplastic resin: ethyl cellulose 3 parts by weight Organic solvent: butyl carbitol acetate 12 parts by weight Department
【0021】以上のように作製した厚膜電極23も図2
に示したような2層構造となった。すなわち、下地層が
下層24になり導電体層が上層25になる。このような
2層構造を有する厚膜電極23は、下層24に含まれる
ガラスフリットの張力により電極端部のカールが低減さ
れ、さらに電極が外力により欠けにくくなった。また、
電極補修用のハンダの密着性を調べたところ、上層25
のガラスフリット含有量が通常の1層構造よりも低下す
るためハンダの塗れ性が向上した。The thick film electrode 23 manufactured as described above is also shown in FIG.
Has a two-layer structure as shown in FIG. That is, the underlying layer becomes the lower layer 24 and the conductor layer becomes the upper layer 25. In the thick-film electrode 23 having such a two-layer structure, the curl at the electrode end is reduced by the tension of the glass frit included in the lower layer 24, and the electrode is hardly chipped by an external force. Also,
When the adhesion of the solder for electrode repair was examined, the upper layer 25
Has a lower glass frit content than a normal one-layer structure, so that the solder coatability has been improved.
【0022】(実施例3)本実施例ではガラス基板とし
てソーダライムガラスを使用した。そして、まず図4
(a)に示すように、その基板11上に実施例1で使用
したのと同じ組成Aの導電体材料をダイコート法で塗布
して乾燥させ導電体層31を形成した。続いて、図4
(b)に示すように、所定のマスクMを介して紫外線を
照射した。その後、図4(c)に示すように1%炭酸ナ
トリウム水溶液で現像してから、600℃で焼成して図
4(d)に示すような厚膜電極32を形成した。この焼
成温度は、ガラスフリットの軟化点より20〜150℃
高い温度とする。すなわち、ガラスフリットの軟化点よ
り20℃以下だけ高いのでは2層構造が形成されず、1
50℃以上になると基板の変形を招くため、ガラスフリ
ットの軟化点より20〜150℃高い温度範囲内で焼成
する必要がある。Embodiment 3 In this embodiment, soda lime glass was used as a glass substrate. And first, FIG.
As shown in (a), a conductive material having the same composition A as that used in Example 1 was applied on the substrate 11 by a die coating method and dried to form a conductive layer 31. Subsequently, FIG.
As shown in (b), ultraviolet light was irradiated through a predetermined mask M. Thereafter, as shown in FIG. 4C, the film was developed with a 1% aqueous solution of sodium carbonate, and then fired at 600 ° C. to form a thick film electrode 32 as shown in FIG. 4D. The firing temperature is 20 to 150 ° C. from the softening point of the glass frit.
Use a high temperature. That is, if the temperature is higher than the softening point of the glass frit by 20 ° C. or less, a two-layer structure is not formed, and
If the temperature is higher than 50 ° C., the substrate is deformed. Therefore, it is necessary to perform firing in a temperature range higher by 20 to 150 ° C. than the softening point of the glass frit.
【0023】以上のように作製した厚膜電極32も図2
に示したような2層構造となった。すなわち、ガラス基
板11上の厚膜電極32は、ガラスフリットを主成分と
する下層33と導電性粉体を主成分とする上層34とに
分かれた。このような厚膜電極32は、下層33に含ま
れるガラスフリットの張力により電極端部のカールが低
減され、電極が外力により欠けにくくなった。また、電
極補修用のハンダの密着性を調べたところ、上層34の
ガラスフリット含有量が通常の1層構造よりも低下する
ためハンダの塗れ性が向上した。The thick film electrode 32 manufactured as described above is also shown in FIG.
Has a two-layer structure as shown in FIG. That is, the thick film electrode 32 on the glass substrate 11 was divided into a lower layer 33 mainly composed of glass frit and an upper layer 34 mainly composed of conductive powder. In such a thick film electrode 32, the curl at the end of the electrode was reduced by the tension of the glass frit included in the lower layer 33, and the electrode was not easily chipped by an external force. Further, when the adhesion of the electrode repair solder was examined, the glass frit content of the upper layer 34 was lower than that of a normal single-layer structure, so that the solder coatability was improved.
【0024】(実施例4)本実施例ではガラス基板とし
てソーダライムガラスを使用した。そして、まず図5
(a)に示すように、その基板11上に実施例2で使用
したのと同じ組成Bのガラスペーストを主成分とするペ
ーストをダイコート法で全面塗布した後、600℃で焼
成して下地層41を形成した。続いて、図5(b)に示
すように、下地層41がパターニングされた基板11上
に実施例1で使用したのと同じ組成Aの導電体材料をス
クリーン印刷法により全面印刷して導電体層42を形成
した後、図5(c)に示すように、所定のマスクMを介
して紫外線を照射した。その後、図5(d)に示すよう
に1%炭酸ナトリウム水溶液で現像してから、600℃
で焼成して図5(e)に示すような厚膜電極43を形成
した。Embodiment 4 In this embodiment, soda lime glass was used as a glass substrate. And first, FIG.
As shown in (a), a paste mainly composed of a glass paste having the same composition B as that used in Example 2 is applied on the entire surface of the substrate 11 by a die coating method, and then baked at 600 ° C. to form an underlayer. 41 was formed. Subsequently, as shown in FIG. 5B, a conductive material having the same composition A as used in Example 1 was printed on the entire surface of the substrate 11 on which the underlayer 41 was patterned by a screen printing method. After the formation of the layer 42, as shown in FIG. 5C, ultraviolet rays were irradiated through a predetermined mask M. After that, as shown in FIG.
To form a thick film electrode 43 as shown in FIG.
【0025】以上のように作製した厚膜電極43も図2
に示したような2層構造となった。すなわち、ガラス基
板11上の厚膜電極43は、ガラスフリットを主成分と
する下層44と導電性粉体を主成分とする上層45とに
分かれた。このような厚膜電極43は、下層44に含ま
れるガラスフリットの張力により電極端部のカールが低
減され、電極が外力により欠けにくくなった。また、電
極補修用のハンダの密着性を調べたところ、上層45の
ガラスフリット含有量が通常の1層構造よりも低下する
ためハンダの塗れ性が向上した。The thick film electrode 43 manufactured as described above is also shown in FIG.
Has a two-layer structure as shown in FIG. That is, the thick film electrode 43 on the glass substrate 11 was divided into a lower layer 44 mainly composed of glass frit and an upper layer 45 mainly composed of conductive powder. In such a thick film electrode 43, the curl of the electrode end was reduced by the tension of the glass frit included in the lower layer 44, and the electrode was hardly chipped by an external force. Further, when the adhesiveness of the solder for electrode repair was examined, the glass frit content of the upper layer 45 was lower than that of a normal single-layer structure, so that the solder coatability was improved.
【0026】(実施例5)本実施例では、ガラス基板1
1上に前記組成Bのペーストをダイコート法で全面塗布
した後、焼成することなく単に乾燥させて下地層41を
形成した以外は実施例4と同じ工程で同様な2層構造の
厚膜電極を作製した。すなわち、パターニングされた導
電体層42を焼成するのと同時に下地層41も焼成する
ようにした。この実施例の方法は実施例4と比べると、
焼成工程が1回分減るので省エネの点で好ましい。(Embodiment 5) In this embodiment, the glass substrate 1
A paste having the same two-layer structure was formed in the same manner as in Example 4 except that the paste of the composition B was applied over the entire surface by a die coating method, and was then simply dried without baking to form the underlayer 41. Produced. That is, the base layer 41 is fired simultaneously with the firing of the patterned conductor layer 42. The method of this embodiment is different from that of the fourth embodiment in that
The number of firing steps is reduced by one, which is preferable in terms of energy saving.
【0027】なお、上記の各実施例では感光性を有する
電極材料を使用したが、通常の印刷タイプの電極材料で
もハンダの密着性向上が確認された。したがって、本発
明は、感光性を有する電極材料に限定するものではな
く、通常の印刷ペーストにも適用することができる。In each of the above embodiments, a photosensitive electrode material was used. However, it was confirmed that solder adhesion was improved even with a normal printing type electrode material. Therefore, the present invention is not limited to the electrode material having photosensitivity, but can be applied to ordinary printing pastes.
【0028】[0028]
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、導電
性粉体を主成分とする上層とガラスフリットを主成分と
する下層の2層構造にすることにより、電極端部のカー
ルを低減でき、電極が欠けにくくなるため、歩留まりを
向上することができる。また、上層のガラスフリット含
有量が少ないため、電極補修用のハンダの塗れ性が向上
する。As described above, according to the present invention, the curl at the edge of the electrode is reduced by forming a two-layer structure of an upper layer mainly composed of conductive powder and a lower layer mainly composed of glass frit. Since the electrodes are less likely to be chipped, the yield can be improved. In addition, since the glass frit content of the upper layer is small, the wettability of the electrode repair solder is improved.
【図1】AC型プラズマディスプレイパネルの一構成例
をその前面板と背面板を離間した状態で示す構造図であ
る。FIG. 1 is a structural diagram showing an example of a configuration of an AC type plasma display panel in a state where a front plate and a back plate are separated from each other.
【図2】本発明に係る厚膜電極の一例を示す断面図であ
る。FIG. 2 is a sectional view showing an example of a thick film electrode according to the present invention.
【図3】本発明に係る厚膜電極の製造手順の一例を示す
工程図である。FIG. 3 is a process chart showing an example of a procedure for manufacturing a thick film electrode according to the present invention.
【図4】本発明に係る厚膜電極の製造手順の他の例を示
す工程図である。FIG. 4 is a process chart showing another example of a procedure for manufacturing a thick film electrode according to the present invention.
【図5】本発明に係る厚膜電極の製造手順のさらに他の
例を示す工程図である。FIG. 5 is a process chart showing still another example of a procedure for manufacturing a thick film electrode according to the present invention.
1 前面板 2 背面板 3 障壁 4 維持電極 5 バス電極 6 誘電体層 7 保護層 8 アドレス電極 9 誘電体層 10 蛍光体 11 ガラス基板 12 下層 13 上層 21 下地層 22 導電体層 23 厚膜電極 24 下層 25 上層 31 導電体層 32 厚膜電極 33 下層 34 上層 41 下地層 42 導電体層 43 厚膜電極 44 下層 45 上層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Front plate 2 Back plate 3 Barrier 4 Sustain electrode 5 Bus electrode 6 Dielectric layer 7 Protective layer 8 Address electrode 9 Dielectric layer 10 Phosphor 11 Glass substrate 12 Lower layer 13 Upper layer 21 Underlayer 22 Conductor layer 23 Thick film electrode 24 Lower layer 25 Upper layer 31 Conductor layer 32 Thick film electrode 33 Lower layer 34 Upper layer 41 Underlayer 42 Conductor layer 43 Thick film electrode 44 Lower layer 45 Upper layer
Claims (2)
とも含む厚膜導電体材料で形成された電極であって、導
電性粉体を主成分とする上層とガラスフリットを主成分
とする下層からなる2層構造を有することを特徴とする
厚膜電極。1. An electrode formed of a thick-film conductive material containing at least a conductive powder and a glass frit, comprising: an upper layer mainly composed of a conductive powder and a lower layer mainly composed of a glass frit. A thick-film electrode having a two-layer structure.
板に形成される厚膜電極であって、導電性粉体とガラス
フリットとを少なくとも含む厚膜導電体材料で形成さ
れ、導電性粉体を主成分とする上層とガラスフリットを
主成分とする下層からなる2層構造を有することを特徴
とするプラズマディスプレイパネルの厚膜電極。2. A thick-film electrode formed on a glass substrate of a plasma display panel, comprising a thick-film conductor material containing at least a conductive powder and a glass frit, and comprising a conductive powder as a main component. A thick-film electrode for a plasma display panel, which has a two-layer structure including an upper layer to be formed and a lower layer mainly composed of glass frit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10202465A JPH11135904A (en) | 1997-08-29 | 1998-07-17 | Thick film electrode |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9-233739 | 1997-08-29 | ||
JP23373997 | 1997-08-29 | ||
JP10202465A JPH11135904A (en) | 1997-08-29 | 1998-07-17 | Thick film electrode |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11135904A true JPH11135904A (en) | 1999-05-21 |
Family
ID=26513392
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10202465A Pending JPH11135904A (en) | 1997-08-29 | 1998-07-17 | Thick film electrode |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11135904A (en) |
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