JPH11135586A - シリコンウエハのドーパント濃度測定方法 - Google Patents
シリコンウエハのドーパント濃度測定方法Info
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- JPH11135586A JPH11135586A JP31155397A JP31155397A JPH11135586A JP H11135586 A JPH11135586 A JP H11135586A JP 31155397 A JP31155397 A JP 31155397A JP 31155397 A JP31155397 A JP 31155397A JP H11135586 A JPH11135586 A JP H11135586A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウエハに非接触でドーパント濃度を
求めることができるシリコンウエハのドーパント濃度測
定方法を提供する。 【解決手段】 ドーパントを含む厚さｄのサンプルシリ
コンウエハと、実質的に同じ厚さｄでドーパントを含ま
ないリファレンスシリコンウエハとの赤外線差吸光度Ａ
を測定し、式αe ＝Ａ／ｌｏｇｅ／ｄ、（ｌｏｇｅ＝
０．４３４３）によってキャリア吸収係数αe （ｃ
ｍ-1）を算出し、キャリア吸収係数αe （ｃｍ-1）に関
する分散理論の式 【数１】と、ドーパント濃度Ｎと抵抗率Ｒの関係を与え
るアーヴィンカーブ（Ｉｒｖｉｎｃｕｒｖｅ）に基づい
て、ドーパント濃度Ｎ（ｃｍ-3）を求めるシリコンウエ
ハのドーパント濃度測定方法。
求めることができるシリコンウエハのドーパント濃度測
定方法を提供する。 【解決手段】 ドーパントを含む厚さｄのサンプルシリ
コンウエハと、実質的に同じ厚さｄでドーパントを含ま
ないリファレンスシリコンウエハとの赤外線差吸光度Ａ
を測定し、式αe ＝Ａ／ｌｏｇｅ／ｄ、（ｌｏｇｅ＝
０．４３４３）によってキャリア吸収係数αe （ｃ
ｍ-1）を算出し、キャリア吸収係数αe （ｃｍ-1）に関
する分散理論の式 【数１】と、ドーパント濃度Ｎと抵抗率Ｒの関係を与え
るアーヴィンカーブ（Ｉｒｖｉｎｃｕｒｖｅ）に基づい
て、ドーパント濃度Ｎ（ｃｍ-3）を求めるシリコンウエ
ハのドーパント濃度測定方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＣＺシリコンウ
エハのドーパント濃度を非接触で測定する方法に関する
ものである。
エハのドーパント濃度を非接触で測定する方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＺシリコンウエハのドーパント
濃度は、４探針法を用いて測定している。
濃度は、４探針法を用いて測定している。
【０００３】４探針法では、４本の針を１直線上に並べ
てウエハに接触させ、外側の２本の針から直流電流を流
し、内側の２本の針の間に生じる電位差を測定する。そ
して、得られた電位差から抵抗率を算出し、アーヴィン
カーブに従ってドーパント濃度を求める。
てウエハに接触させ、外側の２本の針から直流電流を流
し、内側の２本の針の間に生じる電位差を測定する。そ
して、得られた電位差から抵抗率を算出し、アーヴィン
カーブに従ってドーパント濃度を求める。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】４探針法では、４本の
針をウエハ表面に接触させるため、表面に傷が付き易い
難点があった。
針をウエハ表面に接触させるため、表面に傷が付き易い
難点があった。
【０００５】また、針の先端部とウエハの表面との接触
状態によって、測定値にばらつきが出易い欠点もあっ
た。複数回測定して平均をとっても良いが、その場合に
は、それだけ傷が付く可能性が増大する。
状態によって、測定値にばらつきが出易い欠点もあっ
た。複数回測定して平均をとっても良いが、その場合に
は、それだけ傷が付く可能性が増大する。
【０００６】このような４探針法の問題点に鑑み、本発
明は、シリコンウエハに非接触でドーパント濃度を求め
ることができるドーパント濃度測定方法を提供すること
を目的としている。
明は、シリコンウエハに非接触でドーパント濃度を求め
ることができるドーパント濃度測定方法を提供すること
を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願発明は、ドーパント
を含む厚さｄのサンプルシリコンウエハと、実質的に同
じ厚さｄでドーパントを含まないリファレンスシリコン
ウエハとの赤外線差吸光度Ａを測定し、式αe ＝Ａ／ｌ
ｏｇｅ／ｄ、（ｌｏｇｅ＝０．４３４３）によってキャ
リア吸収係数αe （ｃｍ-1）を算出し、キャリア吸収係
数αe （ｃｍ-1）に関する分散理論の式
を含む厚さｄのサンプルシリコンウエハと、実質的に同
じ厚さｄでドーパントを含まないリファレンスシリコン
ウエハとの赤外線差吸光度Ａを測定し、式αe ＝Ａ／ｌ
ｏｇｅ／ｄ、（ｌｏｇｅ＝０．４３４３）によってキャ
リア吸収係数αe （ｃｍ-1）を算出し、キャリア吸収係
数αe （ｃｍ-1）に関する分散理論の式
【０００８】
【数１】と、ドーパント濃度Ｎと抵抗率Ｒの関係を与え
るアーヴィンカーブ（Ｉｒｖｉｎｃｕｒｖｅ）に基づい
て、ドーパント濃度Ｎ（ｃｍ-3）を求めるシリコンウエ
ハのドーパント濃度測定方法を要旨としている。
るアーヴィンカーブ（Ｉｒｖｉｎｃｕｒｖｅ）に基づい
て、ドーパント濃度Ｎ（ｃｍ-3）を求めるシリコンウエ
ハのドーパント濃度測定方法を要旨としている。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明のシリコンウエハのドーパ
ント濃度測定方法は、ドーパントを含む厚さｄのサンプ
ルシリコンウエハと、実質的に同じ厚さｄでドーパント
を含まないリファレンスシリコンウエハとの赤外線差吸
光度Ａを測定し、式αe ＝Ａ／ｌｏｇｅ／ｄ、（ｌｏｇ
ｅ＝０．４３４３）によってキャリア吸収係数αe （ｃ
ｍ-1）を算出し、キャリア吸収係数αe （ｃｍ-1）に関
する分散理論の式
ント濃度測定方法は、ドーパントを含む厚さｄのサンプ
ルシリコンウエハと、実質的に同じ厚さｄでドーパント
を含まないリファレンスシリコンウエハとの赤外線差吸
光度Ａを測定し、式αe ＝Ａ／ｌｏｇｅ／ｄ、（ｌｏｇ
ｅ＝０．４３４３）によってキャリア吸収係数αe （ｃ
ｍ-1）を算出し、キャリア吸収係数αe （ｃｍ-1）に関
する分散理論の式
【００１０】
【数１】と、ドーパント濃度Ｎと抵抗率Ｒの関係を与え
るアーヴィンカーブ（Ｉｒｖｉｎｃｕｒｖｅ）に基づい
て、ドーパント濃度Ｎ（ｃｍ-3）を求めるものである。
るアーヴィンカーブ（Ｉｒｖｉｎｃｕｒｖｅ）に基づい
て、ドーパント濃度Ｎ（ｃｍ-3）を求めるものである。
【００１１】予め、キャリア吸収係数αe （ｃｍ-1）に
関する前記分散理論の式とアーヴィンカーブ（Ｉｒｖｉ
ｎ ｃｕｒｖｅ）に基づいて、吸収係数αe （ｃｍ-1）
対抵抗率Ｒ（Ωｃｍ）の換算表（表１、表４）、また
は、吸収係数αe （ｃｍ-1）対ドーパント濃度Ｎ（ｃｍ
-3）の換算表を作成しておき、この換算表を利用してド
ーパント濃度Ｎ（ｃｍ-3）を求めることができる。
関する前記分散理論の式とアーヴィンカーブ（Ｉｒｖｉ
ｎ ｃｕｒｖｅ）に基づいて、吸収係数αe （ｃｍ-1）
対抵抗率Ｒ（Ωｃｍ）の換算表（表１、表４）、また
は、吸収係数αe （ｃｍ-1）対ドーパント濃度Ｎ（ｃｍ
-3）の換算表を作成しておき、この換算表を利用してド
ーパント濃度Ｎ（ｃｍ-3）を求めることができる。
【００１２】前記換算表（表１、表４）をグラフ化して
おき、このグラフを利用してドーパント濃度Ｎ（ｃ
ｍ-3）を求めることも可能である。
おき、このグラフを利用してドーパント濃度Ｎ（ｃ
ｍ-3）を求めることも可能である。
【００１３】本発明方法では、例えば、波数が６５０／
ｃｍにおける赤外線差吸光度Ａを測定することができ
る。
ｃｍにおける赤外線差吸光度Ａを測定することができ
る。
【００１４】本発明方法では、抵抗率が０．１〜１６Ω
ｃｍのボロンドープウエハのドーパント濃度を測定する
ことができる。
ｃｍのボロンドープウエハのドーパント濃度を測定する
ことができる。
【００１５】本発明方法では、抵抗率が０．１〜１．６
Ωｃｍのリンドープウエハのドーパント濃度を測定する
ことができる。これらの範囲をはずれると、赤外線吸光
度の値とドーパント濃度との相関が少なくなり、測定誤
差など種々の要因から１対１対応が正確にできなくな
る。
Ωｃｍのリンドープウエハのドーパント濃度を測定する
ことができる。これらの範囲をはずれると、赤外線吸光
度の値とドーパント濃度との相関が少なくなり、測定誤
差など種々の要因から１対１対応が正確にできなくな
る。
【００１６】
【実施例】アーヴィンカーブ（Ｉｒｖｉｎ ｃｕｒｖ
ｅ）は、ＡＳＴＭ Ｆ７２３−８１にも規定されてお
り、「抵抗率Ｒ」と「ドーパント濃度（キャリア濃度）
Ｎ」の関係を与えるものである。一般に、アーヴィンカ
ーブは、表及びグラフとして利用されるが、そのグラフ
を図１に示す。
ｅ）は、ＡＳＴＭ Ｆ７２３−８１にも規定されてお
り、「抵抗率Ｒ」と「ドーパント濃度（キャリア濃度）
Ｎ」の関係を与えるものである。一般に、アーヴィンカ
ーブは、表及びグラフとして利用されるが、そのグラフ
を図１に示す。
【００１７】また、古典的分散理論によれば、「キャリ
ア吸収係数αe 」、「キャリア濃度（ドーパント濃度）
Ｎ」、及び、「電気伝導度δ0 （＝１／Ｒ）」の間に
は、次の数式１の関係がある。
ア吸収係数αe 」、「キャリア濃度（ドーパント濃度）
Ｎ」、及び、「電気伝導度δ0 （＝１／Ｒ）」の間に
は、次の数式１の関係がある。
【００１８】
【数１】数式１において、κ、ｍ* 、ε0 、ｃは定数で
あり、移動度μは数式μ＝１／（Ｎ・ｅ・δ0 ）によ
り、「ドーパント濃度Ｎ」と「電気伝導度δ0 」から求
められる。
あり、移動度μは数式μ＝１／（Ｎ・ｅ・δ0 ）によ
り、「ドーパント濃度Ｎ」と「電気伝導度δ0 」から求
められる。
【００１９】従って、「赤外線差吸光度Ａ」を測定し、
式αe ＝Ａ／ｌｏｇｅ／ｄ、（ｌｏｇｅ＝０．４３４
３）によって「キャリア吸収係数αe 」を算出すること
によって、非接触で「抵抗率Ｒ」、すなわち「ドーパン
ト濃度（キャリア濃度）Ｎ」を求めることが可能であ
る。
式αe ＝Ａ／ｌｏｇｅ／ｄ、（ｌｏｇｅ＝０．４３４
３）によって「キャリア吸収係数αe 」を算出すること
によって、非接触で「抵抗率Ｒ」、すなわち「ドーパン
ト濃度（キャリア濃度）Ｎ」を求めることが可能であ
る。
【００２０】その際、予め、「抵抗率Ｒ」の値をいろい
ろと振って（アーヴィンカーブに従って「ドーパント濃
度Ｎ」も変わる）、「抵抗率Ｒ」対「キャリア吸収係数
αe」の対応表を作っておくと良い。
ろと振って（アーヴィンカーブに従って「ドーパント濃
度Ｎ」も変わる）、「抵抗率Ｒ」対「キャリア吸収係数
αe」の対応表を作っておくと良い。
【００２１】表１は、ボロンドープの場合の「抵抗率
Ｒ」対「キャリア吸収係数αe 」の対応表である。ただ
し、真空誘電率ε0 ＝８．８５４×１０-12 Ｓ4 Ａ2 ／
ｍ3 ｋｇ、Ｓｉの比誘電率ε＝１１．６８、電子の電荷
ｅ＝１．６０２×１０-19 ＳＡ、キャリアの有効質量ｍ
* ＝１．７８×１０-31 ｋｇとした。
Ｒ」対「キャリア吸収係数αe 」の対応表である。ただ
し、真空誘電率ε0 ＝８．８５４×１０-12 Ｓ4 Ａ2 ／
ｍ3 ｋｇ、Ｓｉの比誘電率ε＝１１．６８、電子の電荷
ｅ＝１．６０２×１０-19 ＳＡ、キャリアの有効質量ｍ
* ＝１．７８×１０-31 ｋｇとした。
【００２２】また、表４は、リンドープの場合の「抵抗
率Ｒ」対「キャリア吸収係数αe 」の対応表である。た
だし、真空誘電率ε0 ＝８．８５４１８×１０-12 Ｓ4
Ａ2／ｍ3 ｋｇ、Ｓｉの比誘電率ε＝１１．６８、電子
の電荷ｅ＝１．６０２１９×１０-19 ＳＡ、キャリアの
有効質量ｍ* ＝２．６４２×１０-31 ｋｇとした。
率Ｒ」対「キャリア吸収係数αe 」の対応表である。た
だし、真空誘電率ε0 ＝８．８５４１８×１０-12 Ｓ4
Ａ2／ｍ3 ｋｇ、Ｓｉの比誘電率ε＝１１．６８、電子
の電荷ｅ＝１．６０２１９×１０-19 ＳＡ、キャリアの
有効質量ｍ* ＝２．６４２×１０-31 ｋｇとした。
【００２３】表１及び表４からも分るように、キャリア
による赤外吸収は、ドーパント濃度が高くなるほど強く
なる。また、低波数ほど、強くなる。
による赤外吸収は、ドーパント濃度が高くなるほど強く
なる。また、低波数ほど、強くなる。
【００２４】表１及び表４は、グラフ化しておくと便利
である。
である。
【００２５】また、表１及び表４の替わりに、「ドーパ
ント濃度Ｎ」の値をいろいろと振って（アーヴィンカー
ブに従って「抵抗率Ｒ」も変わる）、「ドーパント濃度
Ｎ」対「キャリア吸収係数αe 」の対応表又はグラフを
作成しておいても良い。
ント濃度Ｎ」の値をいろいろと振って（アーヴィンカー
ブに従って「抵抗率Ｒ」も変わる）、「ドーパント濃度
Ｎ」対「キャリア吸収係数αe 」の対応表又はグラフを
作成しておいても良い。
【００２６】測定対象のウエハの厚さは、例えば６００
μｍ〜２ｍｍ程度とする。
μｍ〜２ｍｍ程度とする。
【００２７】波数は、フリーキャリア以外の赤外吸収が
比較的小さい６５０ｃｍ-1を用いることができる。
比較的小さい６５０ｃｍ-1を用いることができる。
【００２８】図２に示すように、６５０ｃｍ-1近傍で
は、シリコンの格子振動の影響、炭素の影響を少なくで
きる。ただし、その場合には、炭素や他の不純物（存在
する場合）のレベルをレファレンスとサンプルとで同じ
にしなければならない。また、厚さの差による誤差の影
響も大きくでるので、注意を要する。
は、シリコンの格子振動の影響、炭素の影響を少なくで
きる。ただし、その場合には、炭素や他の不純物（存在
する場合）のレベルをレファレンスとサンプルとで同じ
にしなければならない。また、厚さの差による誤差の影
響も大きくでるので、注意を要する。
【００２９】もちろん、波数は６５０ｃｍ-1以外でも良
い。
い。
【００３０】実施例１ 抵抗率の異なる３種類のボロンドープシリコンウエハ
（サンプル１〜３、厚さ２ｍｍ）と、ノンドープのレフ
ァレンスシリコンウエハ（厚さ２ｍｍ）を用意し、赤外
分光器により垂直入射赤外吸収測定を行い、６５０ｃｍ
-1の吸収係数を求めた。
（サンプル１〜３、厚さ２ｍｍ）と、ノンドープのレフ
ァレンスシリコンウエハ（厚さ２ｍｍ）を用意し、赤外
分光器により垂直入射赤外吸収測定を行い、６５０ｃｍ
-1の吸収係数を求めた。
【００３１】サンプル１〜３の差吸光度の実測値、吸収
係数の算出値、及び、その算出値から表１に基づいて求
めたドーパント濃度を表２に示す。また、図２〜図４に
は、サンプル１〜３の赤外吸収スペクトルを示す。
係数の算出値、及び、その算出値から表１に基づいて求
めたドーパント濃度を表２に示す。また、図２〜図４に
は、サンプル１〜３の赤外吸収スペクトルを示す。
【００３２】一方、４探針抵抗率測定法によりサンプル
１〜３の抵抗率を測定し、アーヴィンカーブからドーパ
ント濃度を求めた。その結果を表３に示す。
１〜３の抵抗率を測定し、アーヴィンカーブからドーパ
ント濃度を求めた。その結果を表３に示す。
【００３３】そして、吸収係数から調べたドーパント濃
度と、抵抗率の実測値から求めたドーパント濃度の相関
を求めた。図５は、その相関図である。Ｒ2 ＝０．９９
で非常に良い相関が得られた。
度と、抵抗率の実測値から求めたドーパント濃度の相関
を求めた。図５は、その相関図である。Ｒ2 ＝０．９９
で非常に良い相関が得られた。
【００３４】実施例２ 抵抗率の異なる４種類のリンドープシリコンウエハ（サ
ンプル４〜７、厚さ２ｍｍ）と、ノンドープのレファレ
ンスシリコンウエハ（厚さ２ｍｍ）を用意し、赤外分光
器により、波数６５０ｃｍ-1の吸収係数を求めた。
ンプル４〜７、厚さ２ｍｍ）と、ノンドープのレファレ
ンスシリコンウエハ（厚さ２ｍｍ）を用意し、赤外分光
器により、波数６５０ｃｍ-1の吸収係数を求めた。
【００３５】サンプル４〜７の差吸光度の実測値、吸収
係数の算出値、及び、その算出値から表４に基づいて求
めたドーパント濃度を表５に示す。また、図５には、測
定した赤外吸収スペクトルを示す。
係数の算出値、及び、その算出値から表４に基づいて求
めたドーパント濃度を表５に示す。また、図５には、測
定した赤外吸収スペクトルを示す。
【００３６】一方、４探針抵抗率測定法によりサンプル
４〜７の抵抗率を測定し、アーヴィンカーブからドーパ
ント濃度を求めた。その結果を表６に示す。
４〜７の抵抗率を測定し、アーヴィンカーブからドーパ
ント濃度を求めた。その結果を表６に示す。
【００３７】そして、吸収係数から求めたドーパント濃
度と、抵抗率の実測値から求めたドーパント濃度の相関
を調べた。図５は、その相関図である。Ｒ2 ＝０．９９
で非常に良い相関が得られた。
度と、抵抗率の実測値から求めたドーパント濃度の相関
を調べた。図５は、その相関図である。Ｒ2 ＝０．９９
で非常に良い相関が得られた。
【００３８】抵抗率の実測値から求めたドーパント濃度
は、吸収係数から求めたドーパント濃度の約０．０６３
倍＋３×１０15倍の値となっている。従って、両者を自
由に換算することが可能である。
は、吸収係数から求めたドーパント濃度の約０．０６３
倍＋３×１０15倍の値となっている。従って、両者を自
由に換算することが可能である。
【００３９】
【表１】
【００４０】
【表２】
【００４１】
【表３】
【００４２】
【表４】
【００４３】
【表５】
【００４４】
【表６】
【００４５】
【発明の効果】本発明のシリコンウエハのドーパント濃
度測定方法によれば、シリコンウエハに非接触でドーパ
ント濃度を求めることができる。
度測定方法によれば、シリコンウエハに非接触でドーパ
ント濃度を求めることができる。
【図１】アーヴィンカーブを示すグラフ。
【図２】波数と吸収係数の関係を示すグラフ。
【図３】実施例１におけるサンプル１の赤外吸収スペク
トルを示すグラフ。
トルを示すグラフ。
【図４】実施例１におけるサンプル２の赤外吸収スペク
トルを示すグラフ。
トルを示すグラフ。
【図５】実施例１におけるサンプル３の赤外吸収スペク
トルを示すグラフ。
トルを示すグラフ。
【図６】実施例１における吸収係数より求めたドーパン
ト濃度と抵抗率より求めたドーパント濃度の相関図。
ト濃度と抵抗率より求めたドーパント濃度の相関図。
【図７】実施例２におけるサンプル４〜７の赤外吸収ス
ペクトルを示すグラフ。
ペクトルを示すグラフ。
【図８】実施例２における吸収係数より求めたドーパン
ト濃度と抵抗率より求めたドーパント濃度の相関図。
ト濃度と抵抗率より求めたドーパント濃度の相関図。
Claims (5)
- 【請求項１】 ドーパントを含む厚さｄのサンプルシリ
コンウエハと、実質的に同じ厚さｄでドーパントを含ま
ないリファレンスシリコンウエハとの赤外線差吸光度Ａ
を測定し、式αe ＝Ａ／ｌｏｇｅ／ｄ、（ｌｏｇｅ＝
０．４３４３）によってキャリア吸収係数αe （ｃ
ｍ-1）を算出し、キャリア吸収係数αe （ｃｍ-1）に関
する分散理論の式 【数１】 と、ドーパント濃度Ｎと抵抗率Ｒの関係を与えるアーヴ
ィンカーブ（Ｉｒｖｉｎｃｕｒｖｅ）に基づいて、ドー
パント濃度Ｎ（ｃｍ-3）を求めるシリコンウエハのドー
パント濃度測定方法。 - 【請求項２】 予め、キャリア吸収係数αe （ｃｍ-1）
に関する前記分散理論の式とアーヴィンカーブ（Ｉｒｖ
ｉｎ ｃｕｒｖｅ）に基づいて、吸収係数αe （ｃ
ｍ-1）対抵抗率Ｒ（Ωｃｍ）の換算表（表１、表４）、
または、吸収係数αe （ｃｍ-1）対ドーパント濃度Ｎ
（ｃｍ-3）の換算表を作成しておき、この換算表を利用
してドーパント濃度Ｎ（ｃｍ-3）を求めることを特徴と
する請求項１に記載のシリコンウエハのドーパント濃度
測定方法。 - 【請求項３】 波数が６５０／ｃｍにおける赤外線差吸
光度Ａを測定することを特徴とする請求項１又は２に記
載のシリコンウエハのドーパント濃度測定方法。 - 【請求項４】 抵抗率が０．１〜１６Ωｃｍのボロンド
ープウエハのドーパント濃度を測定することを特徴とす
る請求項１〜３のいずれか１項に記載のシリコンウエハ
のドーパント濃度測定方法。 - 【請求項５】 抵抗率が０．１〜１．６Ωｃｍのリンド
ープウエハのドーパント濃度を測定することを特徴とす
る請求項１〜３のいずれか１項に記載のシリコンウエハ
のドーパント濃度測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31155397A JP3685356B2 (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | シリコンウエハのドーパント濃度測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31155397A JP3685356B2 (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | シリコンウエハのドーパント濃度測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135586A true JPH11135586A (ja) | 1999-05-21 |
| JP3685356B2 JP3685356B2 (ja) | 2005-08-17 |
Family
ID=18018629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31155397A Expired - Fee Related JP3685356B2 (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | シリコンウエハのドーパント濃度測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3685356B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012129530A (ja) * | 2008-03-14 | 2012-07-05 | Applied Materials Inc | プラズマイオン注入中にドーパント濃度を測定するための方法 |
| JP2012199299A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ライフタイム値の測定方法及びこれを用いたウエーハの選別方法 |
| WO2016098868A1 (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動子及び圧電振動装置 |
| JP2019125763A (ja) * | 2018-01-19 | 2019-07-25 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| JP2021005720A (ja) * | 2016-10-26 | 2021-01-14 | グローバルウェーハズ カンパニー リミテッドＧｌｏｂａｌＷａｆｅｒｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 向上した電荷捕獲効率を有する高抵抗率シリコンオンインシュレータ基板 |
| US11598023B2 (en) | 2020-06-29 | 2023-03-07 | Sumco Corporation | Low resistivity wafer and method of manufacturing thereof |
-
1997
- 1997-10-29 JP JP31155397A patent/JP3685356B2/ja not_active Expired - Fee Related
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