JPH11135434A - バレル型気相成長用サセプタ - Google Patents

バレル型気相成長用サセプタ

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JPH11135434A
JPH11135434A JP31274897A JP31274897A JPH11135434A JP H11135434 A JPH11135434 A JP H11135434A JP 31274897 A JP31274897 A JP 31274897A JP 31274897 A JP31274897 A JP 31274897A JP H11135434 A JPH11135434 A JP H11135434A
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groove
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barrel
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Hirotaka Hagiwara
博隆 萩原
Masami Amano
正実 天野
Shunichi Suzuki
俊一 鈴木
Eiichi Sotodani
栄一 外谷
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Toshiba Ceramics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐用寿命を大幅に向上させ得るバレル型気相
成長用サセプタを提供する。 【解決手段】 半導体ウェーハを収容する座ぐり凹部３
の底面にその周縁に沿う溝４を有するバレル型気相成長
用サセプタにおいて、前記溝における少なくとも外側の
入隅が斜面又は凹曲面状に形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハに
半導体デバイスを気相成長させる際に用いるバレル型気
相成長用サセプタに関する。
【０００２】
【従来の技術】バレル型気相成長用サセプタは、例えば
図４に示すように、等方性炭素からなる台形状の複数の
板材を用いて截頭角錐筒状に形成したサセプタ本体３１
の外側面に、半導体ウェーハを収容する複数の座ぐり凹
部３２を設け、かつ成膜後の半導体ウェーハとサセプタ
本体３１が密着するのを防止したり、あるいは半導体ウ
ェーハの裏面周辺に成膜されるのを防止するため、図５
に示すように、座ぐり凹部３２の底面にその周縁に沿う
溝３３を設けると共に、サセプタ本体３１の表面をＣＶ
Ｄ法等による炭化珪素（ＳｉＣ）被膜（図示せず）で覆
って構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のバレル
型気相成長用サセプタでは、座ぐり凹部３２の底面周縁
に断面矩形状の溝３３があるので、その溝３３の入隅に
不純物が溜まり易く、入隅部分からサセプタ本体３１に
ピンホールが発生して、サセプタが短ライフになる不具
合がある。これは、サセプタ本体３１を被覆するＳｉＣ
の性質により、金属不純物が存在した場合、その部分が
不均一に浸食されるからである。そこで、本発明は、座
ぐり凹部の溝に対する金属不純物等の滞留を防止し、も
って耐用寿命を大幅に向上させ得るバレル型気相成長用
サセプタを提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明のバレル型気相成長用サセプタは、半導体ウ
ェーハを収容する座ぐり凹部の底面にその周縁に沿う溝
を有するバレル型気相成長用サセプタにおいて、前記溝
における少なくとも外側の入隅が斜面又は凹曲面状に形
成されていることを特徴とする。
【０００５】ループ状をなす溝における外側と内側の入
隅は、共に斜面又は凹曲面状であってもよく、又はいず
れか一方が斜面状で他方が凹曲面状であってもよい。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は本発明に係るバレル
型気相成長用サセプタの第１の実施の形態を示す要部の
断面図である。このバレル型気相成長用サセプタ１は、
等方性炭素からなる台形状の複数の板材を用いて截頭角
錐筒状に形成したサセプタ本体２の外側面に、半導体ウ
ェーハ（図示せず）を収容する複数の座ぐり凹部３を設
け、かつ座ぐり凹部３の底面にその周縁に沿う溝４を設
けると共に、このループ状をなす溝４の外側の入隅を底
面と側面に対して約４５°の角度の斜面状に形成し、更
にサセプタ本体１の表面をＣＶＤ法等によるＳｉＣ被膜
で覆って構成されている。
【０００７】上記構成のバレル型気相成長用サセプタに
おいては、半導体ウェーハに対する例えば１２０μｍ程
度の厚いエピ膜の成膜に際し、半導体ウェーハとサセプ
タ本体２の密着が防止され、かつ半導体ウェーハの裏面
周辺への成膜が防止されると共に、外側の入隅が斜面状
に形成されているので、溝４に対する不純物の滞留が防
止される。
【０００８】図２、図３はそれぞれ本発明に係るバレル
型気相成長用サセプタの第２、第３の実施の形態を示す
要部の断面図である。図２のバレル型気相成長用サセプ
タ５は、ループ状をなす溝６の外側の入隅を凹曲面状に
形成し、又、図３のバレル型気相成長用サセプタ７は、
ループ状をなす溝８の両側の入隅を凹曲面状に形成した
ものである。他の構成及び作用効果は、第１の実施の形
態のものとほぼ同様であるので、同一の構成部材等には
同一の符号を付してその説明を省略する。
【０００９】ここで、第１の実施の形態のもの（本発明
品Ａ）、第２の実施の形態のもの（本発明品Ｂ）及び従
来のもの（従来品）を用いて半導体ウェーハに対する気
相成長による成膜を繰り返したところ、耐用寿命及び耐
用寿命に至った理由は、表１に示すようになった。
【００１０】
【表１】
【００１１】表１から、ループ状の溝の外側の入隅を斜
面又は凹曲面状に形成することにより耐用寿命を従来の
ものの２倍以上に延長し得ることがわかる。
【００１２】なお、上述した各実施の形態においては、
ループ状をなす溝における外側の入隅を斜面状、外側の
入隅を凹曲面状及び内、外両側の入隅を凹曲面状とする
場合について説明したが、これらに限定されるものでは
なく、内側のみ又は両側の入隅を斜面状としたり、ある
いは内側のみの入隅を凹曲面状としたり、又は両側の入
隅のいずれか一方を斜面状とし、他方を凹曲面状として
もよく、ほぼ同様の作用効果が得られる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のバレル型
気相成長用サセプタによれば、座ぐり凹部の底面周縁の
溝に対する金属不純物等の滞留が防止され、ピンホール
の発生が防止されるので、耐用寿命を大幅に向上させる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るバレル型気相成長用サセプタの第
１の実施の形態を示す要部の断面図である。
【図２】本発明に係るバレル型気相成長用サセプタの第
２の実施の形態を示す要部の断面図である。
【図３】本発明に係るバレル型気相成長用サセプタの第
３の実施の形態を示す要部の断面図である。
【図４】従来のバレル型気相成長用サセプタの斜視図で
ある。
【図５】図４のサセプタの要部の断面図である。
【符号の説明】
２ サセプタ本体 ３ 座ぐり凹部 ４ 溝 ６ 溝 ８ 溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 外谷 栄一 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地 東芝セラミックス株式会社小国製造所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ウェーハを収容する座ぐり凹部の
    底面にその周縁に沿う溝を有するバレル型気相成長用サ
    セプタにおいて、前記溝における少なくとも外側の入隅
    が斜面又は凹曲面状に形成されていることを特徴とする
    バレル型気相成長用サセプタ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009111296A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Sumco Corp エピタキシャル膜形成装置用のサセプタ、エピタキシャル膜形成装置、エピタキシャルウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009111296A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Sumco Corp エピタキシャル膜形成装置用のサセプタ、エピタキシャル膜形成装置、エピタキシャルウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法

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