JPH11135326A - 磁性薄膜を有する誘導性要素を含む物品 - Google Patents
磁性薄膜を有する誘導性要素を含む物品Info
- Publication number
- JPH11135326A JPH11135326A JP10214697A JP21469798A JPH11135326A JP H11135326 A JPH11135326 A JP H11135326A JP 10214697 A JP10214697 A JP 10214697A JP 21469798 A JP21469798 A JP 21469798A JP H11135326 A JPH11135326 A JP H11135326A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- article
- magnetic
- inductive element
- magnetic strip
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 104
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 title claims abstract description 39
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 13
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 8
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005350 ferromagnetic resonance Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/04—Fixed inductances of the signal type with magnetic core
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、薄膜インダクタに関し、より詳細
には、無線周波数での使用に適した薄膜インダクタを含
む物品を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明は、上部に薄膜誘導性要素を有す
る主表面を有する基板からなる物品であって、該誘導性
要素は、細長い導体（１５）と、該主表面に配置された
長さｌm を有する離間された多数の導電性の下部磁性ス
トリップ（１１)と、長さｌm を有する対応する離間さ
れた多数の導電性上部磁性ストリップ（１２）とからな
り、該細長い導体が該下部磁性ストリップと上部磁性ス
トリップの間に配置されており、該誘導性要素はさら
に、該離間された下部磁性ストリップと該細長い導体と
の間、および該細長い導体と該離間された上部磁性スト
リップとの間に配置された厚さｔi の誘電体材料（１
３、１４）からなり、該細長い導体と該磁性ストリップ
の間を直流電流が実質上流れないことを特徴とする。
には、無線周波数での使用に適した薄膜インダクタを含
む物品を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明は、上部に薄膜誘導性要素を有す
る主表面を有する基板からなる物品であって、該誘導性
要素は、細長い導体（１５）と、該主表面に配置された
長さｌm を有する離間された多数の導電性の下部磁性ス
トリップ（１１)と、長さｌm を有する対応する離間さ
れた多数の導電性上部磁性ストリップ（１２）とからな
り、該細長い導体が該下部磁性ストリップと上部磁性ス
トリップの間に配置されており、該誘導性要素はさら
に、該離間された下部磁性ストリップと該細長い導体と
の間、および該細長い導体と該離間された上部磁性スト
リップとの間に配置された厚さｔi の誘電体材料（１
３、１４）からなり、該細長い導体と該磁性ストリップ
の間を直流電流が実質上流れないことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の分野】本発明は、薄膜インダクタに関し、より
詳細には、無線周波数での使用に適した薄膜インダクタ
を含む物品に関する。
詳細には、無線周波数での使用に適した薄膜インダクタ
を含む物品に関する。
【０００２】
【発明の背景】インダクタは多くの無線周波（ＲＦ）シ
ステムの重要な構成要素である。インダクタの重要な用
途は移動通信システムである。これおよび他の用途で
は、集積回路も含む半導体チップ上に、できればコンデ
ンサのような他の受動構成部分と共に誘導性要素を形成
することがきわめて望ましい。ＩＣチップ上に面積を確
保することは費用がかかるので、誘導性要素について
は、単位あたりのインダクタンスが高いことがきわめて
望ましいことは明らかである。
ステムの重要な構成要素である。インダクタの重要な用
途は移動通信システムである。これおよび他の用途で
は、集積回路も含む半導体チップ上に、できればコンデ
ンサのような他の受動構成部分と共に誘導性要素を形成
することがきわめて望ましい。ＩＣチップ上に面積を確
保することは費用がかかるので、誘導性要素について
は、単位あたりのインダクタンスが高いことがきわめて
望ましいことは明らかである。
【０００３】高透磁率材料を導体の近くに配置すると電
流を伝える導体のインダクタンスが増大することは周知
である。そこで、磁気材料で覆うか、または磁気材料の
間にはさんだ平面導体（例えば、螺旋導体）を含む誘導
性要素が従来技術に存在する。例えば、M.Yamaguchi他
の「米国電気電子学会磁気学部会会報(IEEE Transactio
n on Magnetics)」（第２８（５）巻、1992年９月、第3
015頁）を参照されたい。
流を伝える導体のインダクタンスが増大することは周知
である。そこで、磁気材料で覆うか、または磁気材料の
間にはさんだ平面導体（例えば、螺旋導体）を含む誘導
性要素が従来技術に存在する。例えば、M.Yamaguchi他
の「米国電気電子学会磁気学部会会報(IEEE Transactio
n on Magnetics)」（第２８（５）巻、1992年９月、第3
015頁）を参照されたい。
【０００４】螺旋導体を磁性体層の間に挟むことによっ
て実質上インダクタンスを増大することができる。しか
し、この組み合わせは欠点も有している。例えば、磁性
体層にバイアスをかけてそれらを単一のドメイン状態に
維持することが困難である。さらに、ＲＦ電界の大きな
平面外成分が、金属磁性膜中の大きな面内渦電流を必然
的に発生する。またさらに、大きく増大されたインダク
タンスを得るために、磁性膜の厚さは、螺旋の横の寸法
と同等、すなわち、通常０．１乃至１ｍｍでなければな
らない。
て実質上インダクタンスを増大することができる。しか
し、この組み合わせは欠点も有している。例えば、磁性
体層にバイアスをかけてそれらを単一のドメイン状態に
維持することが困難である。さらに、ＲＦ電界の大きな
平面外成分が、金属磁性膜中の大きな面内渦電流を必然
的に発生する。またさらに、大きく増大されたインダク
タンスを得るために、磁性膜の厚さは、螺旋の横の寸法
と同等、すなわち、通常０．１乃至１ｍｍでなければな
らない。
【０００５】比較的高い単位あたりのインダクタンスを
有する平面誘導性要素の重要性を考慮すると、高い自己
インダクタンスを有する利用可能な導体を有することが
望ましい。こうした導体は、直線、曲折または螺旋等の
任意の望ましい形状で使用することができる。本出願は
こうした導体を開示する。
有する平面誘導性要素の重要性を考慮すると、高い自己
インダクタンスを有する利用可能な導体を有することが
望ましい。こうした導体は、直線、曲折または螺旋等の
任意の望ましい形状で使用することができる。本出願は
こうした導体を開示する。
【０００６】M.Senda 他の「化学計器概観(Review of S
cientific Instruments)」（第６４（４）巻、1993年４
月、第1034頁）は、磁性材料の間隔の開いた「スリーブ
(sleeve)」によって取り囲まれる細長い導体を含む試験
サンプルの提供を含む、柔らかい磁性膜の透磁率を測定
する技術を開示している。例示的には、このスリーブは
５０μｍの長さｗm を有していた。
cientific Instruments)」（第６４（４）巻、1993年４
月、第1034頁）は、磁性材料の間隔の開いた「スリーブ
(sleeve)」によって取り囲まれる細長い導体を含む試験
サンプルの提供を含む、柔らかい磁性膜の透磁率を測定
する技術を開示している。例示的には、このスリーブは
５０μｍの長さｗm を有していた。
【０００６】M.Senda 他の「米国電気電子学会磁気学部
会会報(IEEE Transactions on Magnetics)」（第３０
巻、1994年、第１５５頁）は、ＣｏＦｅ／ＳｉＯ2 多層
膜の高周波磁性特性の測定を報告している。この試料の
外形は実質上上記で説明したものであった。上記の参照
文献の図１を参照されたい。
会会報(IEEE Transactions on Magnetics)」（第３０
巻、1994年、第１５５頁）は、ＣｏＦｅ／ＳｉＯ2 多層
膜の高周波磁性特性の測定を報告している。この試料の
外形は実質上上記で説明したものであった。上記の参照
文献の図１を参照されたい。
【０００７】
【発明の概要】広範な態様では、本発明は、適当な範囲
０．１乃至２ＧＨｚの動作周波数ｆoで、単位長さあた
りで高インダクタンスを含む改善された特性を生じるよ
う選択された構造の誘導性要素を含む物品において実現
される。
０．１乃至２ＧＨｚの動作周波数ｆoで、単位長さあた
りで高インダクタンスを含む改善された特性を生じるよ
う選択された構造の誘導性要素を含む物品において実現
される。
【０００８】より詳細には、本発明は上部に誘導性要素
を有する主表面を有する基板（例えば、Ｓｉチップ）を
含む物品（例えば、集積受動構成部分を有するＩＣチッ
プ）において実現されるが、この誘導性要素は細長い導
体（例えば、ＣｕまたはＡｌのストリップ）、主表面に
配置された多数の間隔の開いた下部磁性ストリップ（一
般にあるストリップの長手方向が細長い導体の軸に平行
になるように配置される）および対応する多数の間隔の
開いた上部磁性ストリップ（一般に下部磁性ストリップ
と同じ方向に向けられる）を含み、細長い導体が上部お
よび下部磁性ストリップの間に配置される。磁性ストリ
ップは通常等しい長さｌm を有するが、必ずしもそうで
ある必要はない。
を有する主表面を有する基板（例えば、Ｓｉチップ）を
含む物品（例えば、集積受動構成部分を有するＩＣチッ
プ）において実現されるが、この誘導性要素は細長い導
体（例えば、ＣｕまたはＡｌのストリップ）、主表面に
配置された多数の間隔の開いた下部磁性ストリップ（一
般にあるストリップの長手方向が細長い導体の軸に平行
になるように配置される）および対応する多数の間隔の
開いた上部磁性ストリップ（一般に下部磁性ストリップ
と同じ方向に向けられる）を含み、細長い導体が上部お
よび下部磁性ストリップの間に配置される。磁性ストリ
ップは通常等しい長さｌm を有するが、必ずしもそうで
ある必要はない。
【０００９】重要にも、本物品はさらに、間隔の離れた
下部磁性最長片と細長い導体の間、および細長い導体と
間隔の離れた上部磁性ストリップの間に配置された誘電
体材料を含む。磁性ストリップの材料は通常強磁性体ま
たは強磁性体であり、比較的低い導電率を有する。細長
い導体と磁性ストリップの間に配置された誘電体材料
は、導体から磁性ストリップへの低周波電流の漏れを防
止する。しかし、高い周波数では、磁性ストリップが容
量的に細長い導体に結合され、変位電流が磁性ストリッ
プを流れる。この望ましくない変位電流は、磁性ストリ
ップの長さｌm と、細長い導体と磁性ストリップの間の
誘電層の厚さｔi を適当に選択することによって最小に
することができる。
下部磁性最長片と細長い導体の間、および細長い導体と
間隔の離れた上部磁性ストリップの間に配置された誘電
体材料を含む。磁性ストリップの材料は通常強磁性体ま
たは強磁性体であり、比較的低い導電率を有する。細長
い導体と磁性ストリップの間に配置された誘電体材料
は、導体から磁性ストリップへの低周波電流の漏れを防
止する。しかし、高い周波数では、磁性ストリップが容
量的に細長い導体に結合され、変位電流が磁性ストリッ
プを流れる。この望ましくない変位電流は、磁性ストリ
ップの長さｌm と、細長い導体と磁性ストリップの間の
誘電層の厚さｔi を適当に選択することによって最小に
することができる。
【００１０】好ましい実施例では、磁性ストリップの厚
さは磁性材料のｆo での表皮厚さより小さくなるように
選択され、細長い導体の厚さは好適にはやはり導体の表
皮厚さより小さく、それによって損失が低減される。細
長い導体および／または磁性ストリップは、各導体層が
材料の表皮厚さより小さい厚さを有し、誘電体材料が隣
接する導体層の間にある多層構造となりうることが理解
されるだろう。
さは磁性材料のｆo での表皮厚さより小さくなるように
選択され、細長い導体の厚さは好適にはやはり導体の表
皮厚さより小さく、それによって損失が低減される。細
長い導体および／または磁性ストリップは、各導体層が
材料の表皮厚さより小さい厚さを有し、誘電体材料が隣
接する導体層の間にある多層構造となりうることが理解
されるだろう。
【００１１】望ましい磁性材料は、比較的高い抵抗率
（例示的には、＞３０μΩ・ｃｍ）を有し、かつ材料の
強磁性共鳴周波数がｆo より大きくなるように選択され
た透磁率μを有するアモルファスＦｅ、ＣｏまたはＦｅ
とＣｏをベースにした強磁性材料である。他の好適実施
形態では、磁性材料は、例示的には、Ｆｅ0.878Ｃｒ
0.046Ｔａ0.002Ｎ0.074の組成のナノ結晶（平均結晶寸
法≦１０ｎｍ）強磁性合金である。こうした合金は高い
磁化、高い透磁率、低い磁気歪みおよび比較的低い導電
率を有する。
（例示的には、＞３０μΩ・ｃｍ）を有し、かつ材料の
強磁性共鳴周波数がｆo より大きくなるように選択され
た透磁率μを有するアモルファスＦｅ、ＣｏまたはＦｅ
とＣｏをベースにした強磁性材料である。他の好適実施
形態では、磁性材料は、例示的には、Ｆｅ0.878Ｃｒ
0.046Ｔａ0.002Ｎ0.074の組成のナノ結晶（平均結晶寸
法≦１０ｎｍ）強磁性合金である。こうした合金は高い
磁化、高い透磁率、低い磁気歪みおよび比較的低い導電
率を有する。
【００１２】誘電体材料は、例示的には、ＡｌＮ、Ｓｉ
Ｏx （ｘ≦２）またはＡｌ2 Ｏ3 であり、細長い導体
は、例示的には、Ｃｕ、Ａｌ、ＡｇまたはＡｕを含む。
Ｏx （ｘ≦２）またはＡｌ2 Ｏ3 であり、細長い導体
は、例示的には、Ｃｕ、Ａｌ、ＡｇまたはＡｕを含む。
【００１３】
【発明の詳細な記述】ＲＦに適用する平面誘導性要素の
理論的調査の過程で、比較的簡単な変更によって、大き
く改善された特性を有する誘導性要素が得られることを
発見した。
理論的調査の過程で、比較的簡単な変更によって、大き
く改善された特性を有する誘導性要素が得られることを
発見した。
【００１４】図１は、本発明による例示としての誘導性
要素の一部の概略図を斜視図で示すが、そこでは参照番
号１０は基板（例えば、Ｓｉ）を示し、参照番号１１お
よび１２はそれぞれ下部および上部磁性ストリップを示
し、参照番号１３および１４はそれぞれ下部および上部
誘電体層（例えば、ＳｉＯ2 ）を示し、参照番号１５は
細長い導体を示し、参照番号１６は隣接する磁性ストリ
ップ間の間隔を示す。
要素の一部の概略図を斜視図で示すが、そこでは参照番
号１０は基板（例えば、Ｓｉ）を示し、参照番号１１お
よび１２はそれぞれ下部および上部磁性ストリップを示
し、参照番号１３および１４はそれぞれ下部および上部
誘電体層（例えば、ＳｉＯ2 ）を示し、参照番号１５は
細長い導体を示し、参照番号１６は隣接する磁性ストリ
ップ間の間隔を示す。
【００１５】容易に明らかなように、図１の構造は、電
流が細長い導体を流れる場合、対応する上部および下部
磁性ストリップ間のギャップのために、磁性材料の閉磁
束通路を提供しない。そのため、図１の構造（「空気ギ
ャップ）構造と呼ぶ）は一般に同等のギャップのない構
造ほど高いインダクタンスを達成しないので、一般に好
適ではない。他方、空気ギャップ構造は製造が容易なの
で、その理由のために使用されることがある。
流が細長い導体を流れる場合、対応する上部および下部
磁性ストリップ間のギャップのために、磁性材料の閉磁
束通路を提供しない。そのため、図１の構造（「空気ギ
ャップ）構造と呼ぶ）は一般に同等のギャップのない構
造ほど高いインダクタンスを達成しないので、一般に好
適ではない。他方、空気ギャップ構造は製造が容易なの
で、その理由のために使用されることがある。
【００１６】図２は、磁性材料の閉磁束通路を提供する
例示としての誘導性要素の一部の概略図を斜視図で示
す。参照番号２１および２２はそれぞれ下部および上部
磁性ストリップを示す。参照番号２３および２４はそれ
ぞれ下部および上部誘電体層を示し、参照番号２５は細
長い導体を示す。参照番号２６は隣接する磁性ストリッ
プ間の間隔を示す。
例示としての誘導性要素の一部の概略図を斜視図で示
す。参照番号２１および２２はそれぞれ下部および上部
磁性ストリップを示す。参照番号２３および２４はそれ
ぞれ下部および上部誘電体層を示し、参照番号２５は細
長い導体を示す。参照番号２６は隣接する磁性ストリッ
プ間の間隔を示す。
【００１７】図１および図２の構造は、上部および下部
磁性ストリップの間の垂直距離より小さいかまたは等し
い空気ギャップを有するより一般的な構造の限度を示
す。
磁性ストリップの間の垂直距離より小さいかまたは等し
い空気ギャップを有するより一般的な構造の限度を示
す。
【００１８】実際には、細長い導体は通常、明瞭にする
ために図１および図２で示したように、隣接する磁性ス
トリップ間のギャップに浮遊しているわけではない。む
しろ、細長い導体は通常完全に平面ではなく、本発明に
よる誘導性要素の一部を断面側面図で示す図３によって
例示されるように、高さが変化している。参照番号３０
１および３０２は隣接する下部磁性ストリップを示し、
参照番号３１および３３は誘電体層を示し、参照番号３
２は細長い導体を示し、参照番号３４１および３４２は
隣接する上部磁性ストリップを示す。図３は空気ギャッ
プ構造またはギャップのない構造を示す。
ために図１および図２で示したように、隣接する磁性ス
トリップ間のギャップに浮遊しているわけではない。む
しろ、細長い導体は通常完全に平面ではなく、本発明に
よる誘導性要素の一部を断面側面図で示す図３によって
例示されるように、高さが変化している。参照番号３０
１および３０２は隣接する下部磁性ストリップを示し、
参照番号３１および３３は誘電体層を示し、参照番号３
２は細長い導体を示し、参照番号３４１および３４２は
隣接する上部磁性ストリップを示す。図３は空気ギャッ
プ構造またはギャップのない構造を示す。
【００１９】薄膜の形態に蒸着でき、ここで問題になる
周波数、例えば０．１乃至２ＧＨｚで使用可能な高抵抗
率磁性材料が現在存在しないことは経験的事実である。
従って、下部および上部磁性ストリップの磁性材料は金
属材料（例えば、Ｎｉ0.8 Ｆｅ0.2 、アモルファスＣｏ
0.86Ｎｂ0.09Ｚｒ0.05すなわち「ＣＮＺ」）であるが、
それはこれらの材料が低い温度でもっとも適切な表面に
薄膜の形態で蒸着でき、蒸着物が通常０．１乃至２μｍ
の厚さを有し、面内磁気異方性磁界が通常１０乃至100
Ｏｅの範囲内であるためである。異方性磁界は、強磁性
共鳴周波数を望ましい動作周波数の上に維持するため、
望ましい特徴である。従って磁性薄膜は、（磁壁運動と
反対の）スピンの干渉性回転によって、100 乃至1000の
範囲の透磁率μを有する。磁性膜の抵抗率はできる限り
大きいことが望ましい。一例として、アモルファス薄膜
形態のＣＮＺの抵抗率は約１００μΩ・ｃｍであり、銅
の抵抗率の約５０倍である。
周波数、例えば０．１乃至２ＧＨｚで使用可能な高抵抗
率磁性材料が現在存在しないことは経験的事実である。
従って、下部および上部磁性ストリップの磁性材料は金
属材料（例えば、Ｎｉ0.8 Ｆｅ0.2 、アモルファスＣｏ
0.86Ｎｂ0.09Ｚｒ0.05すなわち「ＣＮＺ」）であるが、
それはこれらの材料が低い温度でもっとも適切な表面に
薄膜の形態で蒸着でき、蒸着物が通常０．１乃至２μｍ
の厚さを有し、面内磁気異方性磁界が通常１０乃至100
Ｏｅの範囲内であるためである。異方性磁界は、強磁性
共鳴周波数を望ましい動作周波数の上に維持するため、
望ましい特徴である。従って磁性薄膜は、（磁壁運動と
反対の）スピンの干渉性回転によって、100 乃至1000の
範囲の透磁率μを有する。磁性膜の抵抗率はできる限り
大きいことが望ましい。一例として、アモルファス薄膜
形態のＣＮＺの抵抗率は約１００μΩ・ｃｍであり、銅
の抵抗率の約５０倍である。
【００２０】図１および図２の構造は、導電性磁性スト
リップに近接し、相互間に誘電体材料を有する導体を含
む。直流条件では、導体と磁性ストリップの間を流れる
電流は本質的に存在しない。しかし、本構造は分布静電
容量を提供するので、交流条件では変位電流が導体と磁
性ストリップの間を流れる。磁性ストリップを流れる電
流はすべて有害なので、分布静電容量は、比較的厚い誘
電体層を選択することによって小さな値に維持すること
が望ましい。他方、比較的厚い誘電体層（例えば、≧２
μｍ）は蒸着が困難であり、本構造の磁性効率を低下さ
せる。従って、誘電体材料の厚さｔi は通常これらの矛
盾する要求の妥協の産物となるが、０．５μｍ≦ｔi ≦
２μｍが有益な範囲であることが多い。
リップに近接し、相互間に誘電体材料を有する導体を含
む。直流条件では、導体と磁性ストリップの間を流れる
電流は本質的に存在しない。しかし、本構造は分布静電
容量を提供するので、交流条件では変位電流が導体と磁
性ストリップの間を流れる。磁性ストリップを流れる電
流はすべて有害なので、分布静電容量は、比較的厚い誘
電体層を選択することによって小さな値に維持すること
が望ましい。他方、比較的厚い誘電体層（例えば、≧２
μｍ）は蒸着が困難であり、本構造の磁性効率を低下さ
せる。従って、誘電体材料の厚さｔi は通常これらの矛
盾する要求の妥協の産物となるが、０．５μｍ≦ｔi ≦
２μｍが有益な範囲であることが多い。
【００２１】我々の理論的な分析によって、図２に示す
種類の誘導性要素の場合、細長い導体と磁性ストリップ
の間の容量性結合が有効な因数になる周波数ｆRCは、
種類の誘導性要素の場合、細長い導体と磁性ストリップ
の間の容量性結合が有効な因数になる周波数ｆRCは、
【００２２】 ｆRC＝（ｔmｔiσm）／（２πεｌm 2） （式１） ここで、ｔm は磁性ストリップの厚さであり、ｔi は誘
電体層の厚さであり、σm は磁性ストリップの導電率で
あり、εは誘電体の誘電率であり、ｌm は磁性ストリッ
プの長さである。
電体層の厚さであり、σm は磁性ストリップの導電率で
あり、εは誘電体の誘電率であり、ｌm は磁性ストリッ
プの長さである。
【００２３】通常、ｆRCが動作周波数ｆo より大きいこ
とが望ましい。従って、望ましい値ｆo と、所与の値ｔ
m 、σm およびεについて、パラメータｌm とｔi は次
式のようになるように選択される。 ｌm＜（ｔmｔiσm／２πεｆo）1/2 （式２） 我々の理論的分析は、満たされるべきさらに次の条件、
すなわち ｌm＜１／２πｆo（μεｔm／ｔi）1/2 （式３） を示したが、ここで、μは磁性ストリップの透磁率であ
り、他の記号はすべて上記で定義されたものである。
とが望ましい。従って、望ましい値ｆo と、所与の値ｔ
m 、σm およびεについて、パラメータｌm とｔi は次
式のようになるように選択される。 ｌm＜（ｔmｔiσm／２πεｆo）1/2 （式２） 我々の理論的分析は、満たされるべきさらに次の条件、
すなわち ｌm＜１／２πｆo（μεｔm／ｔi）1/2 （式３） を示したが、ここで、μは磁性ストリップの透磁率であ
り、他の記号はすべて上記で定義されたものである。
【００２４】実際には、設計者は、通常、式２および式
３によってｌm の上限を決定し、小さい方の数値によっ
てｌm およびｔi を選択する。
３によってｌm の上限を決定し、小さい方の数値によっ
てｌm およびｔi を選択する。
【００２５】上記の式は実質上図２に示す、ギャップの
ない直線誘導性要素について得られる。派生物は他の構
造にも及ぶが、考慮すべき事項は同様である。すなわ
ち、我々の発明による誘導性要素においては、望ましい
動作周波数ｆo で磁性ストリップの電流が全電流の比較
的小さい電流になるように磁性ストリップの長さと誘電
体層の厚さを選択するのが一般的な設計の基準である。
例えば、磁性ストリップの電流が全電流の１０％であれ
ば、本構造のインダクタンスは約５％しか低下しない。
しかし、多くの適用業務では誘導性要素は低い損失を有
する必要がある。例えば、磁性ストリップの導電率が細
長い導体の導電率の２％しかない場合（前者がＣＮＺの
ようなアモルファス金属磁性材料で後者が銅である場合
等）、本構造の損失は主として磁性ストリップの（比較
的小さい）電流に依存し、本誘導性要素はかなり大きな
損失と、ひいては比較的低いＱを有する。これは明らか
に望ましくないので、ｆo で磁性ストリップの電流が許
容できる低さで、低い損失となるようにｌm とｔi を選
択することが望ましい。通常、ｆo での磁性ストリップ
の電流は全電流のせいぜい１０％である。
ない直線誘導性要素について得られる。派生物は他の構
造にも及ぶが、考慮すべき事項は同様である。すなわ
ち、我々の発明による誘導性要素においては、望ましい
動作周波数ｆo で磁性ストリップの電流が全電流の比較
的小さい電流になるように磁性ストリップの長さと誘電
体層の厚さを選択するのが一般的な設計の基準である。
例えば、磁性ストリップの電流が全電流の１０％であれ
ば、本構造のインダクタンスは約５％しか低下しない。
しかし、多くの適用業務では誘導性要素は低い損失を有
する必要がある。例えば、磁性ストリップの導電率が細
長い導体の導電率の２％しかない場合（前者がＣＮＺの
ようなアモルファス金属磁性材料で後者が銅である場合
等）、本構造の損失は主として磁性ストリップの（比較
的小さい）電流に依存し、本誘導性要素はかなり大きな
損失と、ひいては比較的低いＱを有する。これは明らか
に望ましくないので、ｆo で磁性ストリップの電流が許
容できる低さで、低い損失となるようにｌm とｔi を選
択することが望ましい。通常、ｆo での磁性ストリップ
の電流は全電流のせいぜい１０％である。
【００２６】一例として、ｔm ＝ｔi ＝ｔc ＝１μｍ、
σm ＝１０4 Ｓ／ｃｍで、誘電体がＳｉＯ2 であり、ε
が約３５・１０-14 Ｆ／ｃｍ、μ＝５００でｆo ＝２Ｇ
Ｈｚである場合、式２は、ｌm ＜２．１ｍｍを生じ、式
３は、ｌm ＜１．１ｍｍを生じる。従って、誘導性要素
はｌm ＜１．１ｍｍ、例えば、ｌm ＝０．５ｍｍで設計
される。
σm ＝１０4 Ｓ／ｃｍで、誘電体がＳｉＯ2 であり、ε
が約３５・１０-14 Ｆ／ｃｍ、μ＝５００でｆo ＝２Ｇ
Ｈｚである場合、式２は、ｌm ＜２．１ｍｍを生じ、式
３は、ｌm ＜１．１ｍｍを生じる。従って、誘導性要素
はｌm ＜１．１ｍｍ、例えば、ｌm ＝０．５ｍｍで設計
される。
【００２７】ｌm は常にゼロより大きく、例示的および
好適には、＞５０μｍであることが理解される。達成さ
れるインダクタンスを最大にするためには、隣接する磁
性ストリップ間のギャップは一般にｌm より小さく、
０．２５ｌm またはさらに０．１ｌm より小さいことが
望ましい。通常、ある誘導性要素の多数の磁性ストリッ
プのすべての部材は同じ長さｌm を有し、隣接する磁性
ストリップ間のすべてのギャップは同じ長さを有する
が、必ずしもそうである必要はない。
好適には、＞５０μｍであることが理解される。達成さ
れるインダクタンスを最大にするためには、隣接する磁
性ストリップ間のギャップは一般にｌm より小さく、
０．２５ｌm またはさらに０．１ｌm より小さいことが
望ましい。通常、ある誘導性要素の多数の磁性ストリッ
プのすべての部材は同じ長さｌm を有し、隣接する磁性
ストリップ間のすべてのギャップは同じ長さを有する
が、必ずしもそうである必要はない。
【００２８】本発明による誘導性要素の基本的構造は直
線であり、本発明による直線誘導性要素の使用が企図さ
れる。しかし、本発明は必ずしも直線構造において実現
されるものではなく、曲折パターンまたは螺旋といった
任意の望ましい形態をとりうる。こうした実施形態はす
べて本基本構造の比較的高い自己インダクタンスから利
益を受ける。
線であり、本発明による直線誘導性要素の使用が企図さ
れる。しかし、本発明は必ずしも直線構造において実現
されるものではなく、曲折パターンまたは螺旋といった
任意の望ましい形態をとりうる。こうした実施形態はす
べて本基本構造の比較的高い自己インダクタンスから利
益を受ける。
【００２９】本発明による誘導性要素は、例示的には、
例えば、無線通信装置で使用するＩＣチップに提供され
る。ＩＣチップに本発明による誘導性要素が存在する点
を除いては、この装置は従来のものである。
例えば、無線通信装置で使用するＩＣチップに提供され
る。ＩＣチップに本発明による誘導性要素が存在する点
を除いては、この装置は従来のものである。
【００３０】本発明による誘導性要素は、従来の薄膜蒸
着技術、リソグラフィーおよびエッチングによって製造
できることが理解されるだろう。例えば、磁性および導
体層はスパッタリングによって蒸着され、誘電体層は化
学蒸着または蒸発作用によって蒸着される。標準ホトリ
ソグラフィーがパターンを描くために使用され、各層が
反応性イオン・エッチングによってパターン化される。
着技術、リソグラフィーおよびエッチングによって製造
できることが理解されるだろう。例えば、磁性および導
体層はスパッタリングによって蒸着され、誘電体層は化
学蒸着または蒸発作用によって蒸着される。標準ホトリ
ソグラフィーがパターンを描くために使用され、各層が
反応性イオン・エッチングによってパターン化される。
【００３１】図４は、例示的には無線通信装置で使用す
るＩＣチップ４０である、本発明による物品の関連部分
の概略図を示す。参照番号４２は従来の集積回路（図示
せず）を含むチップの領域を示す。参照番号４３および
４４はそれぞれ曲折形態の本発明による誘導性要素とコ
ンデンサを示し、誘導性要素とコンデンサが接続されて
フィルタ機能を提供する。参照番号４１１および４１２
は従来の接点を示す。
るＩＣチップ４０である、本発明による物品の関連部分
の概略図を示す。参照番号４２は従来の集積回路（図示
せず）を含むチップの領域を示す。参照番号４３および
４４はそれぞれ曲折形態の本発明による誘導性要素とコ
ンデンサを示し、誘導性要素とコンデンサが接続されて
フィルタ機能を提供する。参照番号４１１および４１２
は従来の接点を示す。
【００３２】
【例】本発明による直線インダクタが以下のように製造
される。従来のＳｉウェーハが従来の熱酸化によって厚
さ６００ｎｍのＳｉＯ2 層で被覆される。これに、Ｃｏ
0.85Ｎｂ0.09Ｎｒ0.06（ＣＮＺ）の厚さ１μｍの層のス
パッタリング蒸着（室温、圧力５ｍＴｏｒｒ、１０ Ｏ
ｅの磁界を基板の表面に適用）が続く。適用される磁界
の方向はＣＮＺ層に「磁化容易軸」を確立する。次いで
ＣＮＺ層は５０μｍずつ離れた、（各矩形が０．５ｍｍ
×３５μｍの）１６の矩形の列にパターン化される。こ
のパターン化は、ホトリソグラフィーとイオンビーム・
エッチング（ビーム電圧５００Ｖ、ビーム電流密度２ｍ
Ａ／ｃｍ2 、３時間）を使用して、従来の方法で行われ
る。長さ約８．８ｍｍの矩形の列がＣＮＺ層の「磁化容
易軸」に沿って整列する。この矩形は、例えば、ここで
は図２の２１に対応する導電体下部磁性最長片になるこ
とになっている。次に、厚さ１μｍのＳｉＯ2 の層が蒸
着され（２５０℃、市販のプラズマＣＶＤ装置を使
用）、このＳｉＯ2 層が、従来の湿式エッチングを使用
して、ＣＮＺ矩形の中心と一致する８．７５ｍｍ×３０
μｍの矩形にパターン化する。これに、厚さ１μｍの銅
の層のスパッタリング蒸着（室温、圧力５ｍトール）が
続く。ホトリソグラフィーと従来の化学エッチングを使
用して、この銅の層は、前に形成されたＳｉＯ2 の矩形
の中心と一致する、幅２５μｍ、長さ８．７ｍｍ（プラ
ス各端部の接点パッド）の列にパターン化される。これ
に厚さ１μｍのＳｉＯ2 層の蒸着（２５０℃、市販のプ
ラズマＣＶＤ装置を使用）が続く。このＳｉＯ2 層はそ
の後従来の化学エッチングによって、ＣＮＺ矩形の中心
と一致する矩形（８．７５ｍｍ×３０μｍ）にパターン
化される。これに、ＣＮＺ矩形の列に沿った方向で基板
の平面に適用された１０Ｏｅの磁界でスパッタリング
（室温、圧力５ｍトール）することによる厚さ１μｍの
ＣＮＺ膜の蒸着が続く。次いでこのＣＮＺ膜はホトリソ
グラフィーとイオンビーム・エッチング（ビーム電圧５
００Ｖ、ビーム電流密度２ｍＡ／ｃｍ2 、３時間）によ
って矩形（０．５ｍｍ×３５μｍ、間隔５０μｍ）の列
にパターン化される。これらの矩形は（例えば、ここで
は図２の２２に対応する）導電性上部磁性ストリップを
形成する。これで、空気ギャップなし、ｔm ＝ｔi ＝ｔ
c ＝１μｍ、ｌm ＝０．５ｍｍ、隣接する磁性ストリッ
プ間の間隔５０μｍの直線インダクタの形成が完了す
る。
される。従来のＳｉウェーハが従来の熱酸化によって厚
さ６００ｎｍのＳｉＯ2 層で被覆される。これに、Ｃｏ
0.85Ｎｂ0.09Ｎｒ0.06（ＣＮＺ）の厚さ１μｍの層のス
パッタリング蒸着（室温、圧力５ｍＴｏｒｒ、１０ Ｏ
ｅの磁界を基板の表面に適用）が続く。適用される磁界
の方向はＣＮＺ層に「磁化容易軸」を確立する。次いで
ＣＮＺ層は５０μｍずつ離れた、（各矩形が０．５ｍｍ
×３５μｍの）１６の矩形の列にパターン化される。こ
のパターン化は、ホトリソグラフィーとイオンビーム・
エッチング（ビーム電圧５００Ｖ、ビーム電流密度２ｍ
Ａ／ｃｍ2 、３時間）を使用して、従来の方法で行われ
る。長さ約８．８ｍｍの矩形の列がＣＮＺ層の「磁化容
易軸」に沿って整列する。この矩形は、例えば、ここで
は図２の２１に対応する導電体下部磁性最長片になるこ
とになっている。次に、厚さ１μｍのＳｉＯ2 の層が蒸
着され（２５０℃、市販のプラズマＣＶＤ装置を使
用）、このＳｉＯ2 層が、従来の湿式エッチングを使用
して、ＣＮＺ矩形の中心と一致する８．７５ｍｍ×３０
μｍの矩形にパターン化する。これに、厚さ１μｍの銅
の層のスパッタリング蒸着（室温、圧力５ｍトール）が
続く。ホトリソグラフィーと従来の化学エッチングを使
用して、この銅の層は、前に形成されたＳｉＯ2 の矩形
の中心と一致する、幅２５μｍ、長さ８．７ｍｍ（プラ
ス各端部の接点パッド）の列にパターン化される。これ
に厚さ１μｍのＳｉＯ2 層の蒸着（２５０℃、市販のプ
ラズマＣＶＤ装置を使用）が続く。このＳｉＯ2 層はそ
の後従来の化学エッチングによって、ＣＮＺ矩形の中心
と一致する矩形（８．７５ｍｍ×３０μｍ）にパターン
化される。これに、ＣＮＺ矩形の列に沿った方向で基板
の平面に適用された１０Ｏｅの磁界でスパッタリング
（室温、圧力５ｍトール）することによる厚さ１μｍの
ＣＮＺ膜の蒸着が続く。次いでこのＣＮＺ膜はホトリソ
グラフィーとイオンビーム・エッチング（ビーム電圧５
００Ｖ、ビーム電流密度２ｍＡ／ｃｍ2 、３時間）によ
って矩形（０．５ｍｍ×３５μｍ、間隔５０μｍ）の列
にパターン化される。これらの矩形は（例えば、ここで
は図２の２２に対応する）導電性上部磁性ストリップを
形成する。これで、空気ギャップなし、ｔm ＝ｔi ＝ｔ
c ＝１μｍ、ｌm ＝０．５ｍｍ、隣接する磁性ストリッ
プ間の間隔５０μｍの直線インダクタの形成が完了す
る。
【００３３】こうして製造された、ＣＮＺの相対透磁率
μr ＝５００、ＳｉＯ2 の相対誘電率εr ＝４、導体幅
２５μｍの、本発明によるインダクタは、１ＧＨｚで、
計算合計導電率１０６ｎＨ、合計インピーダンスＺT ＝
（１６＋ｉ６６７）ΩおよびＱ＝４０を有する。これら
の数値は、集中ＲＬＣ直列／並列等価回路を使用して計
算された。
μr ＝５００、ＳｉＯ2 の相対誘電率εr ＝４、導体幅
２５μｍの、本発明によるインダクタは、１ＧＨｚで、
計算合計導電率１０６ｎＨ、合計インピーダンスＺT ＝
（１６＋ｉ６６７）ΩおよびＱ＝４０を有する。これら
の数値は、集中ＲＬＣ直列／並列等価回路を使用して計
算された。
【００３４】例示としてのインダクタとは分割に関して
だけ異なっている（すなわち、導電性磁性ストリップが
インダクタの長さ全体にわたって連続している）従来技
術の比較用インダクタは、１ＧＨｚで、計算合計インダ
クタンス３２ｎＨ、ＺT ＝（７６＋ｉ２０２）Ω、Ｑ＝
２．６を有する。
だけ異なっている（すなわち、導電性磁性ストリップが
インダクタの長さ全体にわたって連続している）従来技
術の比較用インダクタは、１ＧＨｚで、計算合計インダ
クタンス３２ｎＨ、ＺT ＝（７６＋ｉ２０２）Ω、Ｑ＝
２．６を有する。
【００３５】分割されておらず、絶縁層を有さない（す
なわち、ｔi ＝０）ことが上記で説明した本発明による
インダクタと異なっている、別の従来技術のインダクタ
は、１ＧＨｚで、合計インダクタンス３５ｎＨ、ＺT ＝
（６９＋ｉ２２２）ΩおよびＱ＝３．２を有する。
なわち、ｔi ＝０）ことが上記で説明した本発明による
インダクタと異なっている、別の従来技術のインダクタ
は、１ＧＨｚで、合計インダクタンス３５ｎＨ、ＺT ＝
（６９＋ｉ２２２）ΩおよびＱ＝３．２を有する。
【００３６】上記のデータは、分割されていない、従来
技術の導体と比較する場合、本発明のインダクタの改善
された特性を明らかに示している。
技術の導体と比較する場合、本発明のインダクタの改善
された特性を明らかに示している。
【図１】それぞれ空気ギャップがあるものとないもの
の、本発明の実施例としての誘導性要素の一部の概略図
を示す。
の、本発明の実施例としての誘導性要素の一部の概略図
を示す。
【図２】それぞれ空気ギャップがあるものとないもの
の、本発明の実施例としての誘導性要素の一部の概略図
を示す。
の、本発明の実施例としての誘導性要素の一部の概略図
を示す。
【図３】本発明の実施例としての誘導性要素の一部の概
略図を側断面図で示す。
略図を側断面図で示す。
【図４】本発明による物品、すなわち集積誘導性要素を
有するＩＣの概略図を示す。
有するＩＣの概略図を示す。
１０ 基板 １１ 下部磁性ストリップ １２ 上部磁性ストリップ １３ 下部誘電体層 １４ 上部誘電体層 １５ 細長い導体 １６ 磁性ストリップ間の間隔 ２１ 下部磁性ストリップ ２２ 上部磁性ストリップ ２３ 下部誘電体層 ２４ 上部誘電体層 ２５ 細長い導体 ２６ 磁性ストリップ間の間隔 ３１ 誘電体層 ３２ 細長い導体 ３３ 誘電体層 ４０ ＩＣチップ ４３ 誘導性要素 ４４ コンデンサ ３０１ 下部磁性ストリップ ３０２ 上部磁性ストリップ ３４１ 上部磁性ストリップ ３４２ 上部磁性ストリップ ４１１ 接点 ４１２ 接点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート ブルース ヴァン ドーヴァー アメリカ合衆国 07040 ニュージャーシ ィ，メイプルウッド，ジェファーソン ア ヴェニュー 58
Claims (11)
- 【請求項１】 上部に薄膜誘導性要素を有する主表面を
有する基板からなる物品であって、該誘導性要素は、細
長い導体と、該主表面に配置された長さｌmを有する離
間された多数の導電性の下部磁性ストリップと、長さｌ
m を有する対応する離間された多数の導電性上部磁性ス
トリップとからなり、該細長い導体が該下部磁性ストリ
ップと上部磁性ストリップの間に配置されており、 該誘導性要素はさらに、該離間された下部磁性ストリッ
プと該細長い導体との間、および該細長い導体と該離間
された上部磁性ストリップとの間に配置された厚さｔi
の誘電体材料（１３、１４）からなり、該細長い導体と
該磁性ストリップの間を直流電流が実質上流れないこと
を特徴とする物品。 - 【請求項２】 請求項１に記載の物品において、ｔi
が、 ｌm＜（ｔmｔiσm／２πεｆo）1/2および ｌm＜１／２πｆo（μεｔm／ｔi）1/2 （ｔm は該磁性ストリップの厚さであり、σm は該磁性
ストリップの導電率であり、εは該誘電体材料の誘電率
であり、ｆo は所定の動作周波数であり、μは該磁性ス
トリップの透磁率である）となるように選択されること
を特徴とする物品。 - 【請求項３】 請求項１に記載の物品において、ｆo が
０．１乃至２．０ＧＨｚの範囲内にあることを特徴とす
る物品。 - 【請求項４】 請求項１に記載の物品において、該磁性
ストリップの少なくとも１つが、磁性材料の隣接する層
の間に誘電体層を有する、２つ以上の磁性材料の層から
なることを特徴とする物品。 - 【請求項５】 請求項１に記載の物品において、該細長
い導体の厚さが、ｆo で該細長い導体の表皮厚さより小
さくなるように選択されることを特徴とする物品。 - 【請求項６】 請求項１に記載の物品において、該磁性
ストリップの厚さが、ｆo で該磁性ストリップの表皮厚
さより小さくなるように選択されることを特徴とする物
品。 - 【請求項７】 請求項１に記載の物品において、ｌm ＞
５０μｍであり、隣接する磁性ストリップの間隔がｌm
より小さいことを特徴とする物品。 - 【請求項８】 請求項７に記載の物品において、隣接す
る磁性ストリップの該間隔が０．２５ｌm より小さいこ
とを特徴とする物品。 - 【請求項９】 請求項１に記載の物品において、該磁性
ストリップが３０μΩ・ｃｍより大きい抵抗率を有する
よう選択されることを特徴とする物品。 - 【請求項１０】 請求項１に記載の物品において、該誘
導性要素が曲折形状を有することを特徴とする物品。 - 【請求項１１】 請求項１に記載の物品において、該基
板がＳｉ本体であり、集積電子回路が該本体上にあり、
該誘導性要素が該回路に接続されることを特徴とする物
品。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/902686 | 1997-07-30 | ||
| US08/902,686 US5847634A (en) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | Article comprising an inductive element with a magnetic thin film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135326A true JPH11135326A (ja) | 1999-05-21 |
| JP3538326B2 JP3538326B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=25416237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21469798A Expired - Fee Related JP3538326B2 (ja) | 1997-07-30 | 1998-07-30 | 磁性薄膜を有する誘導性要素を含む物品 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5847634A (ja) |
| EP (1) | EP0895256B1 (ja) |
| JP (1) | JP3538326B2 (ja) |
| DE (1) | DE69805247T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100465233B1 (ko) * | 2002-03-05 | 2005-01-13 | 삼성전자주식회사 | 저손실 인덕터소자 및 그의 제조방법 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6268786B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-07-31 | Harrie R. Buswell | Shielded wire core inductive devices |
| US6522231B2 (en) | 1998-11-30 | 2003-02-18 | Harrie R. Buswell | Power conversion systems utilizing wire core inductive devices |
| DE10144380A1 (de) * | 2001-09-10 | 2003-03-27 | Infineon Technologies Ag | Magnetisches Bauelement |
| US6700472B2 (en) * | 2001-12-11 | 2004-03-02 | Intersil Americas Inc. | Magnetic thin film inductors |
| US7061359B2 (en) * | 2003-06-30 | 2006-06-13 | International Business Machines Corporation | On-chip inductor with magnetic core |
| DE102005026410B4 (de) * | 2005-06-08 | 2007-06-21 | Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg | Anordnung mit einem induktiven Bauelement |
| US8106739B2 (en) * | 2007-06-12 | 2012-01-31 | Advanced Magnetic Solutions United | Magnetic induction devices and methods for producing them |
| US8102236B1 (en) * | 2010-12-14 | 2012-01-24 | International Business Machines Corporation | Thin film inductor with integrated gaps |
| US8754500B2 (en) * | 2012-08-29 | 2014-06-17 | International Business Machines Corporation | Plated lamination structures for integrated magnetic devices |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS531468B2 (ja) * | 1972-08-30 | 1978-01-19 | ||
| JP3141562B2 (ja) * | 1992-05-27 | 2001-03-05 | 富士電機株式会社 | 薄膜トランス装置 |
| KR970000027B1 (ko) * | 1992-10-21 | 1997-01-04 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 역학량센서 |
-
1997
- 1997-07-30 US US08/902,686 patent/US5847634A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-07-21 DE DE69805247T patent/DE69805247T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-21 EP EP98305808A patent/EP0895256B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-30 JP JP21469798A patent/JP3538326B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100465233B1 (ko) * | 2002-03-05 | 2005-01-13 | 삼성전자주식회사 | 저손실 인덕터소자 및 그의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69805247T2 (de) | 2002-10-24 |
| DE69805247D1 (de) | 2002-06-13 |
| EP0895256B1 (en) | 2002-05-08 |
| US5847634A (en) | 1998-12-08 |
| EP0895256A1 (en) | 1999-02-03 |
| JP3538326B2 (ja) | 2004-06-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6440750B1 (en) | Method of making integrated circuit having a micromagnetic device | |
| Korenivski et al. | Magnetic film inductors for radio frequency applications | |
| US6822548B2 (en) | Magnetic thin film inductors | |
| Yamaguchi et al. | Sandwich-type ferromagnetic RF integrated inductor | |
| JP3600415B2 (ja) | 分布定数素子 | |
| US7829979B2 (en) | High permeability layered films to reduce noise in high speed interconnects | |
| US20060220776A1 (en) | Thin film device | |
| US6542060B2 (en) | Microcomponent of the microinductor or microtransformer type | |
| US6621141B1 (en) | Out-of-plane microcoil with ground-plane structure | |
| JP3538326B2 (ja) | 磁性薄膜を有する誘導性要素を含む物品 | |
| TW202131357A (zh) | 奈米磁性電感器核心、電感器和包括此核心的裝置以及相關的製造方法 | |
| JP2007273802A (ja) | 薄膜デバイス | |
| Yun et al. | Microfabrication and characteristics of low-power high-performance magnetic thin-film transformers | |
| CN100407342C (zh) | 高频用磁性薄膜、复合磁性薄膜和利用这些磁性薄膜的磁性元件 | |
| US10586918B2 (en) | Magnetic field effect transconductors | |
| US20070202359A1 (en) | Magnetic Thin Film For High Frequency, and Method of Manufacturing Same, and Magnetic Device | |
| TW552597B (en) | Magnetic component | |
| Yamaguchi et al. | Magnetic RF integrated thin-film inductors | |
| JP2001119082A (ja) | 磁気抵抗素子 | |
| JPH04196601A (ja) | 酸化物超伝導マイクロ波受動素子およびその製造方法 | |
| JP4287020B2 (ja) | 高周波電流抑制型放熱板 | |
| Ryu et al. | Characteristics of twin spiral type thin film inductor with Fe-based nanocrystalline core | |
| Shin et al. | Effect of magnetic anisotropy on the current capability of thin film inductor | |
| JP2002093624A (ja) | 微小インダクタや微小変圧器といったタイプの微小素子 | |
| Chao et al. | NiFe-AAO nanocomposite for performance enhancement of on-chip spiral inductors |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040130 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040225 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040319 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080326 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090326 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090326 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100326 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100326 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110326 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140326 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |