JPH11132815A - Sensor with exothermic thin film element - Google Patents
Sensor with exothermic thin film elementInfo
- Publication number
- JPH11132815A JPH11132815A JP9294192A JP29419297A JPH11132815A JP H11132815 A JPH11132815 A JP H11132815A JP 9294192 A JP9294192 A JP 9294192A JP 29419297 A JP29419297 A JP 29419297A JP H11132815 A JPH11132815 A JP H11132815A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- heat
- generating
- thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、発熱状態にある発
熱型薄膜素子の抵抗値の変化から相対湿度や相対流量等
を検出する発熱型薄膜素子を備えたセンサに関するもの
であり、特に湿度センサや流量センサに適用できるもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sensor having a heat-generating thin-film element for detecting relative humidity, relative flow rate, etc. from a change in the resistance of the heat-generating thin-film element in a heat-generating state. Or a flow rate sensor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５は、従来の発熱型薄膜素子を備えた
湿度センサの概略断面図である。図において、１は空洞
部２を有するシリコン基板である。そしてこのシリコン
基板１の空洞部２の上に発熱部６ａが位置するようにシ
リコン基板１の空洞部２を囲む基板面３上に発熱型薄膜
素子４が支持されている。空洞部２の上に発熱型薄膜素
子４の発熱部６ａを位置させるのは、該発熱部６ａから
シリコン基板１に熱が放散するのを防止し、発熱部６ａ
の温度をできるだけ所望の温度に保つためである。そし
て発熱型薄膜素子４は、薄膜により形成された下側絶縁
膜５と、下側絶縁膜５の上に白金の薄膜により形成され
て発熱部６ａを構成する発熱パターン６ａ1 、発熱パタ
ーン６ａ1 に電流を通電する通電パターン６ｂ及び通電
パターン６ｂの端部に位置する電極６ｃ，６ｄを含む導
電膜６と、下側絶縁膜５と共に導電膜６を挟むように薄
膜により形成された上側絶縁膜７とから構成されてい
る。下側絶縁膜５は、空洞部２を図示しないエッチング
窓を通してエッチングにより形成する際のエッチングレ
ジスト膜を構成するパターンでエッチング前の単結晶シ
リコン基板１上に形成される。また上側絶縁膜７は、前
述したエッチング窓に対応して設けられているエッチン
グ窓と、電極６ｃ，６ｄとを除いて導電膜６を覆うよう
に形成されている。2. Description of the Related Art FIG. 5 is a schematic sectional view of a conventional humidity sensor having a heat-generating thin film element. In the figure, reference numeral 1 denotes a silicon substrate having a cavity 2. The heat-generating thin-film element 4 is supported on the substrate surface 3 surrounding the cavity 2 of the silicon substrate 1 so that the heat-generating portion 6a is located above the cavity 2 of the silicon substrate 1. The reason why the heat generating portion 6a of the heat generating type thin film element 4 is located on the cavity 2 is to prevent heat from dissipating from the heat generating portion 6a to the silicon substrate 1 and to prevent the heat generating portion 6a
In order to keep the temperature of the film as desired as possible. The heating type thin-film element 4 includes a lower insulating film 5 formed of a thin film, a heating pattern 6a1 formed of a platinum thin film on the lower insulating film 5 and forming a heating portion 6a, and a current flowing through the heating pattern 6a1. And a conductive film 6 including electrodes 6c and 6d positioned at ends of the conductive pattern 6b, and an upper insulating film 7 formed of a thin film so as to sandwich the conductive film 6 together with the lower insulating film 5. It is composed of The lower insulating film 5 is formed on the single crystal silicon substrate 1 before etching in a pattern constituting an etching resist film when the cavity 2 is formed by etching through an etching window (not shown). The upper insulating film 7 is formed so as to cover the conductive film 6 except for the etching windows provided corresponding to the above-described etching windows and the electrodes 6c and 6d.
【０００３】従来は、下側絶縁膜５と上側絶縁膜７とを
スパッタリングを用いてＴａ2 Ｏ5の膜により形成して
いた。また白金の薄膜からなる導電膜６もスパッタリン
グにより形成していた。Conventionally, the lower insulating film 5 and the upper insulating film 7 have been formed of Ta 2 O 5 using sputtering. The conductive film 6 made of a platinum thin film was also formed by sputtering.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】導電膜６の発熱パター
ン６ａ1 は、通常３００〜３５０℃の温度で発熱してい
る。しかしながら従来の下側絶縁膜５及び上側絶縁膜７
を構成しているＴａ2 Ｏ5 の膜には、導電膜６の発熱パ
ターン６ａ1 が繰り返し発熱した場合に、クラックすな
わち割れが入り易い。絶縁膜５，７にクラックが入る
と、発熱部６ａの温度が変わり、そのことが導電膜６の
抵抗値を変化させることになって、検出精度を低下させ
る。また最悪の場合には、このクラックの発生に伴って
導電膜６も切断される（折れる）問題が発生することも
あった。そこで発明者は、クラックが入り難い絶縁材料
を種々選択した。例えば、Ｓｉ3 Ｎ4 で絶縁膜５，７を
形成すると、クラックが入らないことが確認できた。し
かしながらＳｉ3 Ｎ4 により形成した絶縁膜５，７は、
内部に発生する応力が大きく、発熱型薄膜素子に大きな
撓みが発生して、導電膜６が破損する（折れる）おそれ
があった。The heat generating pattern 6a1 of the conductive film 6 generates heat at a temperature of usually 300 to 350 ° C. However, the conventional lower insulating film 5 and upper insulating film 7
A film of Ta 2 O 5 constituting the, when the heating pattern 6a1 of the conductive film 6 is repeated fever, easy to be cracked i.e. cracking. When cracks occur in the insulating films 5 and 7, the temperature of the heat generating portion 6a changes, which changes the resistance value of the conductive film 6 and lowers the detection accuracy. In the worst case, there is also a problem that the conductive film 6 is cut (broken) with the occurrence of the crack. Therefore, the inventor has selected various insulating materials that are less likely to crack. For example, it was confirmed that when the insulating films 5 and 7 were formed of Si 3 N 4 , no crack was formed. However, the insulating films 5 and 7 formed of Si 3 N 4
There is a possibility that a large stress is generated in the inside and a large bending occurs in the heat-generating thin film element, so that the conductive film 6 may be damaged (broken).
【０００５】またスパッタリングで形成した白金の導電
膜６は、長時間使用すると抵抗値のバラツキが大きくな
る傾向がある。[0005] The platinum conductive film 6 formed by sputtering tends to have a large variation in resistance value when used for a long time.
【０００６】本発明の目的は、寿命の長い発熱型薄膜素
子を備えたセンサを提供することにある。An object of the present invention is to provide a sensor having a heat-generating thin-film element having a long life.
【０００７】本発明の他の目的は、下側絶縁膜及び上側
絶縁膜にクラックが入り難い発熱型薄膜素子を備えたセ
ンサを提供することにある。It is another object of the present invention to provide a sensor having a heat-generating thin film element in which a lower insulating film and an upper insulating film are hardly cracked.
【０００８】本発明の更に他の目的は、導電膜の抵抗値
の経年変化が少い発熱型薄膜素子を備えたセンサを提供
することにある。It is still another object of the present invention to provide a sensor having a heat-generating thin-film element in which the resistance value of the conductive film changes little over time.
【０００９】本発明の他の目的は、撓みの少い発熱型薄
膜素子を備えたセンサを提供することにある。Another object of the present invention is to provide a sensor provided with a heat-generating thin film element having a small deflection.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明が改良の対象とす
るセンサは、空洞部を有するシリコン基板と、空洞部の
上に発熱部が位置するようにシリコン基板の空洞部を囲
む基板面上に支持された発熱型薄膜素子とを具備してい
る。シリコン基板は、好ましくは単結晶シリコン基板で
ある。シリコン基板に形成される空洞部は、異方性エッ
チングにより形成されるものである。そして発熱型薄膜
素子は、薄膜により形成された下側絶縁膜と、該下側絶
縁膜の上に薄膜により形成され発熱部を構成する発熱パ
ターン及び発熱パターンに電流を通電する通電パターン
を含む導電膜と、下側絶縁膜と共に導電膜を挟むように
薄膜により形成された上側絶縁膜とを備えて構成されて
いる。導電膜は通常通電パターンの端部に位置する電極
を含んでいる。この導電膜は、好ましくは白金のように
発熱状態における抵抗値が安定した材料を用いて形成す
るのが好ましい。導電膜は、従来と同様にスパッタリン
グによって形成してもよいが、スパッタリングで導電膜
を形成すると、膜中にＡｒが残留してこれが抵抗値にバ
ラツキを生じさせるおそれがある。したがって蒸着（特
に物理蒸着［電子ビーム蒸着］）により導電膜を形成す
るのが好ましい。SUMMARY OF THE INVENTION A sensor to be improved by the present invention comprises a silicon substrate having a cavity and a substrate surface surrounding the cavity of the silicon substrate such that a heat generating portion is located above the cavity. And a heat-generating thin-film element supported on the substrate. The silicon substrate is preferably a single crystal silicon substrate. The cavity formed in the silicon substrate is formed by anisotropic etching. The heat-generating thin-film element has a conductive structure including a lower insulating film formed of a thin film, a heat-generating pattern formed of a thin film on the lower insulating film and forming a heat-generating portion, and an energizing pattern for applying a current to the heat-generating pattern. It is configured to include a film, and an upper insulating film formed of a thin film so as to sandwich the conductive film together with the lower insulating film. The conductive film usually includes an electrode located at the end of the energization pattern. This conductive film is preferably formed using a material such as platinum, which has a stable resistance value in a heating state. The conductive film may be formed by sputtering in the same manner as in the related art. However, if the conductive film is formed by sputtering, Ar may remain in the film, which may cause variation in the resistance value. Therefore, it is preferable to form the conductive film by vapor deposition (particularly, physical vapor deposition [electron beam vapor deposition]).
【００１１】下側絶縁膜は、通常は、空洞部をエッチグ
窓を通してエッチングにより形成する際のエッチグ窓付
きエッチングレジスト膜を構成するパターンでエッチン
グ前のシリコン基板上に形成される。またその場合、上
側絶縁膜は前述したエッチグ窓に対応して設けられてい
るエッチグ窓と導電膜の電極とを除いて導電膜を覆うよ
うに下側絶縁膜の上にほぼ全面的に形成してもよい。The lower insulating film is usually formed on a silicon substrate before etching in a pattern constituting an etching resist film having an etching window when a hollow portion is formed by etching through an etching window. In that case, the upper insulating film is formed almost entirely on the lower insulating film so as to cover the conductive film except for the etching window provided corresponding to the above-described etching window and the electrode of the conductive film. You may.
【００１２】本発明においては、下側絶縁膜及び上側絶
縁膜をシリコンオキシナイトライト（ＳｉＯx Ｎy ）に
より形成する。種々の絶縁材料について検討した結果、
シリコンオキシナイトライト（ＳｉＯx Ｎy ）により形
成した絶縁膜は、繰り返し加熱されてもクラックが入り
難く、また絶縁膜の内部に発生する応力はＳｉ3 Ｎ4の
絶縁膜の内部に発生する応力と比べて小さいことがわか
った。そのため下側絶縁膜及び上側絶縁膜をシリコンオ
キシナイトライト（ＳｉＯx Ｎy ）により形成すること
が、現状最も好ましいとの結論に至った。なお、ＳｉＯ
x Ｎy のｘ及びｙの値を適宜に選択することにより、よ
り好ましい特性の絶縁膜を得ることができる。発明者の
試験によると、ｘは０．７〜０．８の範囲、ｙは０．７
〜０．８の範囲に入るのが好ましいことが分かった。In the present invention, the lower insulating film and the upper insulating film are formed of silicon oxynitrite (SiO x N y ). As a result of examining various insulating materials,
The insulating film formed of silicon oxynitrite (SiO x N y ) is hardly cracked even when repeatedly heated, and the stress generated inside the insulating film is the stress generated inside the insulating film of Si 3 N 4. It turned out to be smaller than. Therefore, it was concluded that forming the lower insulating film and the upper insulating film with silicon oxynitrite (SiO x N y ) is currently most preferable. Note that SiO
By properly selecting the values of x and y of x N y, it is possible to obtain an insulating film of a more favorable properties. According to the inventors' test, x is in the range of 0.7 to 0.8, and y is 0.7
It has been found preferable to be in the range of ０．８0.8.
【００１３】シリコンオキシナイトライト（ＳｉＯx Ｎ
y ）の薄膜により下側絶縁膜及び上側絶縁膜を形成した
場合には、膜が化学的に安定しており、絶縁膜にクラッ
クが入り難く、また発熱型薄膜素子が極端に撓むことが
ないので、寿命を延ばすことができる。更に寿命を延ば
すためには、発熱型薄膜素子の撓み量を小さくすること
が好ましい。これを実現するためには下側絶縁膜の厚み
を、上側絶縁膜の厚みよりも厚くして、両者の厚みを下
側絶縁膜から導電膜に加わる応力と前記上側絶縁膜から
導電膜に加わる応力の差が、導電膜を破損させない程度
になるように定めるのが好ましい。具体的には、下側絶
縁膜の厚みを１．５〜２μｍの範囲とし、上側絶縁膜の
厚みを１〜１．５μｍの厚みとするのが好ましい。この
ような厚みにすると、発熱型薄膜素子の撓み量を下側絶
縁膜から導電膜に加わる応力と前記上側絶縁膜から導電
膜に加わる応力の差が、導電膜を破損させない程度に小
さくすることが可能である。なお、このような厚みで絶
縁膜を形成した場合には、導電膜の厚みは４０００〜５
０００オングストロームの厚みにすればよい。Silicon oxynitrite (SiO x N)
When the lower insulating film and the upper insulating film are formed by the thin film of y ), the films are chemically stable, the insulating film is hardly cracked, and the heat-generating thin film element is extremely bent. No, the life can be extended. In order to further extend the life, it is preferable to reduce the amount of deflection of the heat-generating thin-film element. In order to realize this, the thickness of the lower insulating film is made larger than the thickness of the upper insulating film, and the thicknesses of both are applied to the conductive film from the lower insulating film and the stress applied to the conductive film from the lower insulating film. It is preferable to determine the difference in stress so that the conductive film is not damaged. Specifically, it is preferable that the thickness of the lower insulating film be in the range of 1.5 to 2 μm and the thickness of the upper insulating film be 1 to 1.5 μm. With such a thickness, the amount of deflection of the heat-generating thin film element is reduced so that the difference between the stress applied to the conductive film from the lower insulating film and the stress applied to the conductive film from the upper insulating film is small enough not to damage the conductive film. Is possible. When the insulating film is formed with such a thickness, the thickness of the conductive film is 4000 to 5
The thickness may be set to 000 angstroms.
【００１４】異方性エッチングによりシリコン基板に形
成される空洞部は、開口部の輪郭形状がほぼ矩形状にな
る。発熱型薄膜素子を空洞部上の中央に配置する態様は
任意であるが、空洞部の開口部の対角線上で対向する一
対の角部間に発熱型薄膜素子を形成するのが好ましい。
このようにする発熱型薄膜素子の長さを最も長くするこ
とができて、発熱部の熱がシリコン基板側に逃げるのを
抑制できる。発熱部の温度変化を抑制するためには、導
電膜の発熱パターンが空洞部の中央部に集中的に形成さ
れているのが好ましい。In the cavity formed in the silicon substrate by the anisotropic etching, the outline of the opening is substantially rectangular. The mode in which the heat-generating thin-film element is arranged at the center of the cavity is arbitrary, but it is preferable to form the heat-generating thin-film element between a pair of corners facing each other diagonally to the opening of the cavity.
The length of the heat-generating thin-film element thus configured can be maximized, and the heat of the heat-generating portion can be prevented from escaping to the silicon substrate side. In order to suppress the temperature change of the heat generating portion, it is preferable that the heat generating pattern of the conductive film is formed intensively at the center of the cavity.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】図１乃至図３（Ａ）及び（Ｂ）
は、本発明に係る発熱型薄膜素子を備えたセンサを湿度
センサに適用した場合の実施の形態の一例を示したもの
である。この湿度センサは、上面の中央に空洞部１０２
を有する単結晶シリコン基板１０１と、空洞部１０２の
上に発熱部１０６ａが位置するように空洞部１０２を囲
む単結晶シリコン基板１０１の基板面１０３上に支持さ
れた発熱型薄膜素子１０４とを具備している。空洞部１
０２は開口部の輪郭形状がほぼ矩形状になっていて、奥
に向かうに従って矩形状の断面積が小さくなるように形
成されている。このような形状の空洞部１０２はエッチ
ングにより自然と形成されるものであり、その原因は単
結晶シリコン基板の結晶面のエッチング速度（腐食速
度）に違いがあることによるものである。発熱型薄膜素
子１０４は空洞部１０２の開口部の対角線上で対向する
一対の角部間に形成されている。このような発熱型薄膜
素子１０４は、下側絶縁膜１０５と、導電膜１０６と、
上側絶縁膜１０７とから構成される。下側絶縁膜１０５
はプラズマ化学蒸着（プラズマＣＶＤ）により形成され
たシリコンオキシナイトライト（ＳｉＯx Ｎy ）の薄膜
により形成されている。また導電膜１０６は、下側絶縁
膜１０５の上に白金の薄膜により形成されており、発熱
部１０６ａを構成する発熱パターン１０６ａ1 と、該発
熱パターン１０６ａ1 に電流を通電する通電パターン１
０６ｂと通電パターン１０６ｂの端部に位置する電極１
０６ｃ，１０６ｄとを含んで構成される。この例では導
電膜１０６を物理蒸着（電子ビーム蒸着）により形成し
ている。電極１０６ｃ，１０６ｄは、矩形状の空洞部１
０２の開口部の対向する２つの辺の外側に、発熱部１０
６ａを間に挟むように形成されている。すなわち電極１
０６ｃ，１０６ｄは、基板１０１の２つの辺の中央部に
それぞれ形成されている。このような電極配置にする
と、これらの電極１０６ｃ，１０６ｄにボンディング線
を接続する場合に、ボンディング線の長さが等しくな
り、ボンディング作業が容易になる。上側絶縁膜１０７
は、下側絶縁膜１０５と共に導電膜１０６を挟むように
プラズマＣＶＤにより形成したシリコンオキシナイトラ
イト（ＳｉＯx Ｎy ）の薄膜により形成されている。1 to 3 (A) and 3 (B).
FIG. 1 shows an example of an embodiment in which a sensor having a heat-generating thin film element according to the present invention is applied to a humidity sensor. This humidity sensor has a hollow portion 102 at the center of the upper surface.
And a heat-generating thin-film element 104 supported on a substrate surface 103 of the single-crystal silicon substrate 101 surrounding the cavity 102 such that the heat-generating portion 106 a is located above the cavity 102. doing. Cavity 1
Reference numeral 02 denotes an opening having a substantially rectangular outline shape, and is formed such that the rectangular cross-sectional area decreases toward the back. The cavity 102 having such a shape is naturally formed by etching, and this is due to a difference in the etching rate (corrosion rate) of the crystal plane of the single crystal silicon substrate. The heat-generating thin-film element 104 is formed between a pair of corners facing each other on a diagonal line of the opening of the cavity 102. Such a heating type thin film element 104 includes a lower insulating film 105, a conductive film 106,
And an upper insulating film 107. Lower insulating film 105
Is formed by a thin film of silicon oxynitrite (SiO x N y ) formed by plasma chemical vapor deposition (plasma CVD). The conductive film 106 is formed of a platinum thin film on the lower insulating film 105, and includes a heat generating pattern 106a1 forming the heat generating portion 106a and an energizing pattern 1 for applying a current to the heat generating pattern 106a1.
06b and the electrode 1 located at the end of the energization pattern 106b
06c and 106d. In this example, the conductive film 106 is formed by physical vapor deposition (electron beam vapor deposition). The electrodes 106c and 106d are formed in the rectangular cavity 1
02, outside the two opposing sides of the opening,
6a is formed therebetween. That is, electrode 1
06c and 106d are formed at the center of two sides of the substrate 101, respectively. With such an electrode arrangement, when connecting the bonding lines to these electrodes 106c and 106d, the lengths of the bonding lines become equal, and the bonding operation is facilitated. Upper insulating film 107
Is formed by a thin film of silicon oxynitrite (SiO x N y ) formed by plasma CVD so as to sandwich the conductive film 106 together with the lower insulating film 105.
【００１６】発熱パターン１０６ａ1 は、空洞部１０２
の中央部に蛇行状態で集中的に形成されている。下側絶
縁膜１０５は、空洞部１０２をエッチング窓１０５ａを
通してエッチングすることによりにより形成する際のエ
ッチング窓付きエッチングレジスト膜を構成するパター
ンでエッチング前の単結晶シリコン基板１０１上に形成
されている。また上側絶縁膜１０７は、エッチング窓１
０５ａに対応して設けられているエッチング窓１０７ａ
と各電極１０６ｃ，１０６ｄを除いて導電膜１０６を覆
うように下側絶縁膜１０５の上に形成されている。The heating pattern 106a1 is
Are formed intensively in a meandering state at the center of the. The lower insulating film 105 is formed on the single-crystal silicon substrate 101 before etching in a pattern constituting an etching resist film with an etching window when the cavity 102 is formed by etching through the etching window 105a. In addition, the upper insulating film 107 has the etching window 1
Etching window 107a provided corresponding to 05a
And on the lower insulating film 105 so as to cover the conductive film 106 except for the electrodes 106c and 106d.
【００１７】特に、下側絶縁膜１０５及び上側絶縁膜１
０７は、シリコンオキシナイトライト（ＳｉＯx Ｎy ）
により形成されている。この場合、シリコンオキシナイ
トライト（ＳｉＯx Ｎy ）の好ましいｘの値は０．７〜
０．８であり、ｙの値は０．７〜０．８である。In particular, the lower insulating film 105 and the upper insulating film 1
07 is silicon oxynitrite (SiO x N y )
Is formed. In this case, the preferable value of x of the silicon oxynitrite (SiO x N y ) is 0.7 to 0.7.
0.8, and the value of y is 0.7 to 0.8.
【００１８】下側絶縁膜１０５の厚みは、上側絶縁膜１
０７の厚みよりも厚く、両者の厚みは下側絶縁膜１０５
から導電膜１０６に加わる応力と上側絶縁膜１０７から
導電膜１０６に加わる応力の差が、導電膜１０６を破損
させない程度になるように定められている。各膜の数値
例を示すと、本例では、下側絶縁膜１０５の厚みは１．
５〜２μｍ、上側絶縁膜１０７の厚みは１〜１．５μ
ｍ、導電膜１０６の厚みは４０００〜５０００オングス
トロームとしている。このような下側絶縁膜１０５及び
上側絶縁膜１０７も、この例ではプラズマ化学蒸着（Ｃ
ＶＤ）によって形成されている。The thickness of the lower insulating film 105 is
07 is thicker than the thickness of the lower insulating film 105.
Therefore, the difference between the stress applied to the conductive film 106 and the stress applied to the conductive film 106 from the upper insulating film 107 is determined so that the conductive film 106 is not damaged. In this example, the thickness of the lower insulating film 105 is 1.
5 to 2 μm, the thickness of the upper insulating film 107 is 1 to 1.5 μm
m, and the thickness of the conductive film 106 is 4000 to 5000 angstroms. Such a lower insulating film 105 and an upper insulating film 107 are also formed by plasma chemical vapor deposition (C
VD).
【００１９】このように下側絶縁膜１０５及び上側絶縁
膜１０７をシリコンオキシナイトライト（ＳｉＯ
x Ｎy ）により形成すると、この絶縁膜は、繰り返し加
熱されてもクラックが入り難く、また絶縁膜の内部に発
生する応力はＳｉ3 Ｎ4 の絶縁膜の内部に発生する応力
と比べて小さい。そのため下側絶縁膜１０５及び上側絶
縁膜１０７をシリコンオキシナイトライト（ＳｉＯx Ｎ
y ）により形成することが、現状最も好ましい。なお、
ＳｉＯx Ｎy のｘ及びｙの値を適宜に選択することによ
り、より好ましい特性の絶縁膜を得ることができる。発
明者の試験によると、ｘは０．７〜０．８の範囲、ｙは
０．７〜０．８の範囲に入るのが好ましいことが分かっ
た。ｘ及びｙの値がこれらの範囲を外れると、応力が大
きくなり、抵抗値が変化するという問題が発生する可能
性が高くなる。As described above, the lower insulating film 105 and the upper insulating film 107 are made of silicon oxynitrite (SiO
xN y ), the insulating film is less likely to crack even if repeatedly heated, and the stress generated inside the insulating film is smaller than the stress generated inside the Si 3 N 4 insulating film. . Therefore, the lower insulating film 105 and the upper insulating film 107 are made of silicon oxynitrite (SiO x N
It is presently most preferable to form by y ). In addition,
By appropriately selecting the values of x and y of SiO x N y , an insulating film having more preferable characteristics can be obtained. According to the inventors' tests, it was found that x was preferably in the range of 0.7 to 0.8 and y was preferably in the range of 0.7 to 0.8. If the values of x and y are out of these ranges, the stress increases, and the possibility of causing a problem that the resistance value changes increases.
【００２０】シリコンオキシナイトライト（ＳｉＯx Ｎ
y ）の薄膜により下側絶縁膜１０５及び上側絶縁膜１０
７を形成した場合には、膜が化学的に安定しており、絶
縁膜にクラックが入り難く、また発熱型薄膜素子１０４
が極端に撓むことがないので、寿命を延ばすことができ
る。更に寿命を延ばすためには、発熱型薄膜素子１０４
の撓み量を小さくすることが好ましい。これを実現する
ためには下側絶縁膜１０５の厚みを、上側絶縁膜１０７
の厚みよりも厚くして、両者の厚みを下側絶縁膜１０５
から導電膜１０６に加わる応力と上側絶縁膜１０７から
導電膜１０６に加わる応力との差が、導電膜１０６を破
損させない程度になるように定めるのが好ましい。具体
的には、前述したように下側絶縁膜１０５の厚みを１．
５〜２μｍの範囲とし、上側絶縁膜１０７の厚みを１〜
１．５μｍの厚みとすると、発熱型薄膜素子１０４の撓
み量を下側絶縁膜１０５から導電膜１０６に加わる応力
と上側絶縁膜１０７から導電膜１０６に加わる応力との
差が、導電膜１０６を破損させない程度に小さくするこ
とが可能である。なお、このような厚みで絶縁膜を形成
した場合には、導電膜１０６の厚みは４０００〜５００
０オングストロームの厚みにすればよい。Silicon oxynitrite (SiO x N)
y ), the lower insulating film 105 and the upper insulating film 10
In the case where No. 7 is formed, the film is chemically stable, the insulating film is hardly cracked, and the heating type thin film element 104 is formed.
Is not extremely bent, so that the life can be extended. In order to further extend the life, the heating type thin film element 104
Is preferably reduced. In order to realize this, the thickness of the lower insulating film 105 is
Of the lower insulating film 105.
It is preferable that the difference between the stress applied to the conductive film 106 and the stress applied to the conductive film 106 from the upper insulating film 107 is determined so that the conductive film 106 is not damaged. Specifically, as described above, the thickness of the lower insulating film 105 is set to 1.
The upper insulating film 107 has a thickness of 1 to 2 μm.
When the thickness is 1.5 μm, the amount of bending of the heating type thin film element 104 is determined by the difference between the stress applied to the conductive film 106 from the lower insulating film 105 and the stress applied to the conductive film 106 from the upper insulating film 107. It is possible to make it small enough not to break it. Note that in the case where the insulating film is formed with such a thickness, the thickness of the conductive film 106 is 4000 to 500
The thickness may be 0 angstrom.
【００２１】この例のように、空洞部１０２の開口部の
対角線上で対向する一対の角部間に発熱型薄膜素子１０
４を形成すると、発熱型薄膜素子１０４の長さを最も長
くすることができて、発熱部１０６ａの熱がシリコン基
板１０１側に逃げるのを抑制できる。すなわち発熱部１
０６ａの温度を所望の高い温度に維持することができ
る。発熱部１０６ａの温度変化及び温度低下を抑制する
ためには、導電膜１０６の発熱パターン１０６ａ1 が空
洞部１０２の中央部に集中的に形成されているのが好ま
しい。As in this example, the heat-generating thin-film element 10 is disposed between a pair of diagonally opposite corners of the opening of the cavity 102.
By forming 4, the length of the heat-generating thin-film element 104 can be maximized, and the heat of the heat-generating portion 106a can be prevented from escaping to the silicon substrate 101 side. That is, the heating section 1
06a can be maintained at a desired high temperature. In order to suppress a change in temperature and a decrease in temperature of the heat generating portion 106a, it is preferable that the heat generating pattern 106a1 of the conductive film 106 be formed intensively at the center of the hollow portion 102.
【００２２】この種の湿度センサでは、発熱部１０６ａ
の温度が３００〜３５０℃の温度になるようにして使用
される。本例の湿度センサを１０００時間使用した後で
も、温度の変化は２％以内であった。この湿度センサで
は、周囲の大気の湿度が変化することにより、大気への
放熱量が変化し、この放熱量の変化に伴う発熱部１０６
ａの温度の低下が導電膜１０６の抵抗値の変化となって
検出される。したがっって湿度の変化は抵抗値の変化と
して検出される。なお検出される湿度は相対湿度であ
る。In this type of humidity sensor, the heat generating portion 106a
Is used in such a manner that the temperature becomes 300 to 350 ° C. Even after using the humidity sensor of this example for 1000 hours, the change in temperature was within 2%. In this humidity sensor, when the humidity of the surrounding atmosphere changes, the amount of heat released to the atmosphere changes.
The decrease in the temperature a is detected as a change in the resistance value of the conductive film 106. Therefore, a change in humidity is detected as a change in resistance value. The detected humidity is a relative humidity.
【００２３】図４は、本発明に係る発熱型薄膜素子を備
えたセンサを流量センサに適用する場合の好適な発熱型
薄膜素子１０４の構造の例を示したものである。この発
熱型薄膜素子１０４においては、下側絶縁膜１０５上に
設けられている導電膜１０６が発熱パターン１０６ａ1
及びこの発熱パターン１０６ａ1 に通電をする通電パタ
ーン１０６ｂの他に、これらのパターン１０６ａ1 ，１
０６ｂの両側に設けられている白金製の抵抗値可変形セ
ンサ本体パターン１０６ｅ，１０６ｆを備えている。こ
れらセンサ本体パターン１０６ｅ，１０６ｆは、同じ温
度の加熱を受けると実質的に同じ抵抗値を示すものが使
用されている。これらセンサ本体パターン１０６ｅ，１
０６ｆの両端にも、電極１０６ｇ，１０６ｈ，１０６
ｉ，１０６ｊが設けられている。FIG. 4 shows an example of the structure of a suitable heat-generating thin film element 104 when a sensor having the heat-generating thin film element according to the present invention is applied to a flow sensor. In this heat-generating thin-film element 104, the conductive film 106 provided on the lower insulating film 105 has a heat-generating pattern 106a1.
In addition to the energizing pattern 106b for energizing the heat generating pattern 106a1, these patterns 106a1, 1
06b are provided with platinum variable resistance value sensor main body patterns 106e and 106f provided on both sides. The sensor body patterns 106e and 106f have substantially the same resistance value when heated at the same temperature. These sensor body patterns 106e, 1
The electrodes 106g, 106h, 106
i, 106j.
【００２４】このように導電膜１０６が発熱パターン１
０６ａ1 の両側にセンサ本体パターン１０６ｅ，１０６
ｆを備えた発熱型薄膜素子１０４においては、通電パタ
ーン１０６ｂを通して発熱パターン１０６ａ1 に通電を
し、発熱パターン１０６ａ1を発熱させてセンサ本体パ
ターン１０６ｅ，１０６ｆを加熱した状態で、この発熱
型薄膜素子１０４に触れながらこの発熱型薄膜素子１０
４を横切って流れる流体の流量の検出を行う。この際に
センサ本体パターン１０６ｅ，１０６ｆは、一方のセン
サ本体パターン１０６ｅが検出すべき流体の流れ方向に
対して上流側に位置し、他方のセンサ本体パターン１０
６ｆが検出すべき流体の流れ方向に対して下流側に位置
するように配置する。As described above, the conductive film 106 has the heat generation pattern 1
06a1 on both sides of the sensor body patterns 106e, 106e.
In the heating type thin-film element 104 provided with the f, the heating pattern 106a1 is energized through the conduction pattern 106b to heat the heating pattern 106a1 and heat the sensor body patterns 106e and 106f. Touching this heating type thin film element 10
The flow rate of the fluid flowing across 4 is detected. At this time, the sensor main body patterns 106e and 106f are located on the upstream side with respect to the flow direction of the fluid to be detected by one of the sensor main body patterns 106e, and the other sensor main body pattern 10e.
6f is disposed so as to be located downstream with respect to the flow direction of the fluid to be detected.
【００２５】センサ本体パターン１０６ｅ，１０６ｆ
は、流体が流れていないときには発熱パターン１０６ａ
1 により同じ温度に加熱されているので、センサ本体パ
ターン１０６ｅ，１０６ｆの抵抗値は同じ値を示してい
る。流体が流れると、上流側のセンサ本体パターン１０
６ｅの温度低下が下流側のセンサ本体パターン１０６ｆ
の温度低下より大きくなり、上流側のセンサ本体パター
ン１０６ｅの抵抗値が下流側のセンサ本体パターン１０
６ｆの抵抗値より小さくなる。これらセンサ本体パター
ン１０６ｅ，１０６ｆの抵抗値の差より流体の流量を測
定する。Sensor body patterns 106e, 106f
Is a heating pattern 106a when no fluid is flowing.
Since they are heated to the same temperature by 1, the resistance values of the sensor body patterns 106 e and 106 f show the same value. When the fluid flows, the upstream sensor body pattern 10
The temperature drop of 6e is caused by the sensor body pattern 106f on the downstream side.
And the resistance value of the upstream sensor body pattern 106e becomes lower than the downstream sensor body pattern 10e.
It becomes smaller than the resistance value of 6f. The flow rate of the fluid is measured from the difference between the resistance values of the sensor body patterns 106e and 106f.
【００２６】以下、本明細書に記載した複数の発明のう
ち、湿度センサを構成する１つの発明の構成を以下に記
載する。Hereinafter, among a plurality of inventions described in this specification, a configuration of one invention constituting a humidity sensor will be described below.
【００２７】（１） 開口部の輪郭形状がほぼ矩形状に
なる空洞部を有する矩形状の単結晶シリコン基板と、前
記空洞部の上に発熱部が位置するように前記単結晶シリ
コン基板の前記空洞部を囲む基板面上に支持された発熱
型薄膜素子とを具備し、前記発熱型薄膜素子が、薄膜に
より形成された下側絶縁膜と、前記下側絶縁膜の上に白
金の薄膜により形成され前記発熱部を構成する発熱パタ
ーン、前記発熱パターンに電流を通電する通電パターン
及び前記通電パターンの端部に位置する一対の電極を含
む導電膜と、前記下側絶縁膜と共に前記導電膜を挟むよ
うに薄膜により形成された上側絶縁膜とから構成され、
前記下側絶縁膜が前記空洞部をエッチングにより形成す
る際のエッチングレジスト膜を構成するパターンでエッ
チング前の前記単結晶シリコン基板上に形成され、前記
上側絶縁膜が前記電極を除いて前記導電膜を覆うように
前記下側絶縁膜の上に形成されている湿度センサであっ
て、前記発熱型薄膜素子は前記空洞部の対角線上に位置
する一対の角部間に跨がって形成されており、前記下側
絶縁膜及び前記上側絶縁膜がプラズマＣＶＤにより形成
されたシリコンオキシナイトライト（ＳｉＯx Ｎy ）の
膜により形成されていることを特徴とする湿度センサ。(1) A rectangular single-crystal silicon substrate having a cavity in which the contour of the opening is substantially rectangular, and the single-crystal silicon substrate is formed such that a heat-generating portion is located above the cavity. A heat-generating thin-film element supported on a substrate surface surrounding the cavity, wherein the heat-generating thin-film element has a lower insulating film formed of a thin film, and a platinum thin film on the lower insulating film. The conductive pattern including the heat generating pattern formed and constituting the heat generating portion, a conductive pattern including a conductive pattern for applying a current to the heat generating pattern, and a pair of electrodes positioned at an end of the conductive pattern, and the conductive film together with the lower insulating film. And an upper insulating film formed by a thin film so as to sandwich it.
The lower insulating film is formed on the single crystal silicon substrate before etching in a pattern constituting an etching resist film when the cavity is formed by etching, and the upper insulating film is the conductive film except for the electrodes. A humidity sensor formed on the lower insulating film so as to cover the lower insulating film, wherein the heat-generating thin film element is formed so as to straddle a pair of corners located on a diagonal line of the cavity. A humidity sensor, wherein the lower insulating film and the upper insulating film are formed of a silicon oxynitrite (SiO x N y ) film formed by plasma CVD.
【００２８】[0028]
【発明の効果】本発明においては、下側絶縁膜及び上側
絶縁膜をシリコンオキシナイトライト（ＳｉＯx Ｎy ）
により形成しているので、この膜は化学的に安定してお
り、絶縁膜にクラックが入り難く、また発熱型薄膜素子
が極端に撓むことがなく、センサの寿命を延ばすことが
できる。According to the present invention, the lower insulating film and the upper insulating film are made of silicon oxynitrite (SiO x N y ).
Since this film is formed chemically, the film is chemically stable, the insulating film is hardly cracked, and the heating type thin film element does not bend extremely, so that the life of the sensor can be extended.
【図１】本発明に係る発熱型薄膜素子を備えたセンサを
湿度センサに適用した場合の実施の形態の第１例を示し
た斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a first example of an embodiment in which a sensor having a heat-generating thin film element according to the present invention is applied to a humidity sensor.
【図２】図１の対角線に沿った縦断面図である。FIG. 2 is a longitudinal sectional view taken along a diagonal line in FIG.
【図３】（Ａ）（Ｂ）は図１の導電膜のパターンの詳細
を示したもので、（Ａ）は正面図、（Ｂ）はその発熱パ
ターンの拡大図である。3A and 3B show details of the pattern of the conductive film of FIG. 1, wherein FIG. 3A is a front view and FIG. 3B is an enlarged view of a heat generation pattern thereof.
【図４】本発明に係る発熱型薄膜素子を備えたセンサを
流量センサに適用する場合の発熱型薄膜素子の構造の一
例を示した平面図である。FIG. 4 is a plan view showing an example of the structure of the heat-generating thin-film element when a sensor having the heat-generating thin-film element according to the present invention is applied to a flow sensor.
【図５】従来の発熱型薄膜素子を備えたセンサにおける
対角線に沿った縦断面図である。FIG. 5 is a vertical cross-sectional view along a diagonal line of a sensor including a conventional heat-generating thin film element.
１０１ シリコン基板 １０２ 空洞部 １０３ 空洞部を囲む基板面 １０４ 発熱型薄膜素子 １０５ 下側絶縁膜 １０６ 導電膜 １０６ａ 発熱部 １０６ａ1 発熱パターン １０６ｂ 通電パターン １０６ｃ，１０６ｄ 電極 １０６ｅ，１０６ｆ 抵抗値可変形センサ本体パターン １０６ｇ，１０６ｈ，１０６ｉ，１０６ｊ 電極 １０７ 上側絶縁膜 Reference Signs List 101 silicon substrate 102 cavity 103 substrate surface surrounding cavity 104 heat-generating thin film element 105 lower insulating film 106 conductive film 106a heat generator 106a1 heat generation pattern 106b conduction pattern 106c, 106d electrode 106e, 106f variable resistance sensor body pattern 106g , 106h, 106i, 106j Electrode 107 Upper insulating film
Claims (9)
洞部の上に発熱部が位置するように前記シリコン基板の
前記空洞部を囲む前記シリコン基板の基板面上に支持さ
れた発熱型薄膜素子とを具備し、 前記発熱型薄膜素子が、薄膜により形成された下側絶縁
膜と、前記下側絶縁膜の上に薄膜により形成され前記発
熱部を構成する発熱パターン及び前記発熱パターンに電
流を通電する通電パターンを含む導電膜と、前記下側絶
縁膜と共に前記導電膜を挟むように薄膜により形成され
た上側絶縁膜とを備えて構成されている発熱型薄膜素子
を備えたセンサであって、 前記下側絶縁膜及び前記上側絶縁膜がシリコンオキシナ
イトライト（ＳｉＯxＮy ）により形成されていること
を特徴とする発熱型薄膜素子を備えたセンサ。A silicon substrate having a cavity, and a heat-generating thin-film element supported on a substrate surface of the silicon substrate surrounding the cavity of the silicon substrate such that a heat-generating portion is located above the cavity. The heat-generating thin-film element comprises: a lower insulating film formed of a thin film; a heating pattern formed of a thin film on the lower insulating film to form the heating portion; What is claimed is: 1. A sensor comprising a heat-generating thin-film element comprising: a conductive film including an energizing pattern for energizing; and an upper insulating film formed of a thin film so as to sandwich the conductive film together with the lower insulating film. A sensor comprising a heat-generating thin-film element, wherein the lower insulating film and the upper insulating film are formed of silicon oxynitrite (SiO x N y ).
前記空洞部の上に発熱部が位置するように前記単結晶シ
リコン基板の前記空洞部を囲む基板面上に支持された発
熱型薄膜素子とを具備し、 前記発熱型薄膜素子が、薄膜により形成された下側絶縁
膜と、前記下側絶縁膜の上に白金の薄膜により形成され
前記発熱部を構成する発熱パターン、前記発熱パターン
に電流を通電する通電パターン及び前記通電パターンの
端部に位置する電極を含む導電膜と、前記下側絶縁膜と
共に前記導電膜を挟むように薄膜により形成された上側
絶縁膜とから構成され、 前記下側絶縁膜が前記空洞部をエッチング窓を通してエ
ッチングすることによりにより形成する際のエッチング
窓付きエッチングレジスト膜を構成するパターンでエッ
チング前の前記単結晶シリコン基板上に形成され、 前記上側絶縁膜が前記エッチング窓に対応して設けられ
ているエッチング窓と前記電極を除いて前記導電膜を覆
うように前記下側絶縁膜の上に形成されている発熱型薄
膜素子を備えたセンサであって、 前記下側絶縁膜及び前記上側絶縁膜がシリコンオキシナ
イトライト（ＳｉＯxＮy ）により形成されていること
を特徴とする発熱型薄膜素子を備えたセンサ。2. A single crystal silicon substrate having a cavity,
A heat-generating thin-film element supported on a substrate surface surrounding the cavity of the single crystal silicon substrate such that a heat-generating part is located above the cavity; and wherein the heat-generating thin-film element is formed of a thin film. A lower insulating film, a heat generating pattern formed of a thin film of platinum on the lower insulating film to form the heat generating portion, an energizing pattern for applying a current to the heat generating pattern, and a position at an end of the energizing pattern. An upper insulating film formed of a thin film so as to sandwich the conductive film together with the lower insulating film, wherein the lower insulating film etches the cavity through an etching window. The upper insulating film is formed on the single crystal silicon substrate before etching in a pattern constituting an etching resist film having an etching window when formed by the method described above. A sensor comprising a heat-generating thin-film element formed on the lower insulating film so as to cover the conductive film except for the etching window and the electrode provided in correspondence with the switching window, A sensor comprising a heat-generating thin film element, wherein the lower insulating film and the upper insulating film are formed of silicon oxynitrite (SiO x N y ).
学蒸着によって形成されている請求項１または２に記載
の発熱型薄膜素子を備えたセンサ。3. The sensor according to claim 1, wherein the lower insulating film and the upper insulating film are formed by chemical vapor deposition.
形成されている請求項３に記載の発熱型薄膜素子を備え
たセンサ。4. The sensor according to claim 3, wherein the at least one conductive film is formed by physical vapor deposition.
膜の厚みよりも厚く、両者の厚みは前記下側絶縁膜から
前記導電膜に加わる応力と前記前記上側絶縁膜から前記
導電膜に加わる応力の差が、前記導電膜を破損させない
程度になるように定められている請求項４に記載の発熱
型薄膜素子を備えたセンサ。5. The thickness of the lower insulating film is greater than the thickness of the upper insulating film, and the thicknesses of both are the stress applied to the conductive film from the lower insulating film and the thickness of the upper insulating film from the upper insulating film. 5. The sensor according to claim 4, wherein a difference in stress applied to the conductive film is determined so as not to damage the conductive film.
を有し、前記上側絶縁膜が１〜１．５μｍの厚みを有
し、前記導電膜が４０００〜５０００オングストローム
の厚みを有している請求項５に記載の発熱型薄膜素子を
備えたセンサ。6. The lower insulating film has a thickness of 1.5 to 2 μm, the upper insulating film has a thickness of 1 to 1.5 μm, and the conductive film has a thickness of 4000 to 5000 angstroms. A sensor comprising the heat-generating thin-film element according to claim 5.
Ｏx Ｎy ）のｘが０．７〜０．８であり、ｙが０．７〜
０．８であることを特徴とする請求項１または２に記載
の発熱型薄膜素子を備えたセンサ。7. The silicon oxynitrite (Si)
O x N y) of x is is 0.7~0.8, y is 0.7
3. The sensor provided with the heat-generating thin-film element according to claim 1, wherein the value is 0.8.
形状になっており、前記発熱型薄膜素子は前記空洞部の
開口部の対角線上で対向する一対の角部間に形成されて
いることを特徴とする請求項１または２に記載の発熱型
薄膜素子を備えたセンサ。8. The hollow part has a substantially rectangular outline shape of the opening, and the heat-generating thin-film element is formed between a pair of corners facing each other on a diagonal line of the opening of the hollow part. A sensor comprising the heat-generating thin-film element according to claim 1.
洞部の中央部に集中的に形成されている請求項８に記載
の発熱型薄膜素子を備えたセンサ。9. The sensor according to claim 8, wherein the heat generation pattern of the conductive film is formed intensively at a central portion of the cavity.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29419297A JP3953156B2 (en) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | Sensor with heat-generating thin film element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29419297A JP3953156B2 (en) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | Sensor with heat-generating thin film element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11132815A true JPH11132815A (en) | 1999-05-21 |
| JP3953156B2 JP3953156B2 (en) | 2007-08-08 |
Family
ID=17804515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29419297A Expired - Lifetime JP3953156B2 (en) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | Sensor with heat-generating thin film element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3953156B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5406674B2 (en) * | 2009-11-06 | 2014-02-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Thermal fluid flow sensor and manufacturing method thereof |
-
1997
- 1997-10-27 JP JP29419297A patent/JP3953156B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3953156B2 (en) | 2007-08-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4130736B2 (en) | Microdevice with thermal actuator | |
| JPH11271123A (en) | Micro-heater, its manufacture, and air flow sensor | |
| JP5108234B2 (en) | Micro heater and sensor | |
| US9476746B2 (en) | Miniaturized sensor comprising a heating element, and associated production method | |
| US6805003B2 (en) | Mass flow sensor and mass flowmeter comprising the same | |
| JPH09205009A (en) | Semiconductor heater and manufacture thereof | |
| Solzbacher et al. | A modular system of SiC-based microhotplates for the application in metal oxide gas sensors | |
| JP2002328053A (en) | Thermal flow sensor | |
| JP4891582B2 (en) | Semiconductor thin film gas sensor | |
| JPH11132815A (en) | Sensor with exothermic thin film element | |
| JP2000002571A (en) | Hot wire type microheater | |
| JP4024368B2 (en) | Sensor with heat-generating thin film element | |
| JP2000009641A (en) | Flow rate detection element for infrared gas analyzer and its manufacture | |
| JP2000249584A (en) | Thermal sensor | |
| KR20090032926A (en) | A micro heater and manufacturing method of the same | |
| JP2019144181A (en) | Thermal detection sensor | |
| JPS622438B2 (en) | ||
| JPH053894B2 (en) | ||
| KR101992022B1 (en) | Semiconductor gas sensor | |
| KR20030080833A (en) | Method for fabricating carbon nano tube gas sensor | |
| JP3724443B2 (en) | Thin film gas sensor | |
| JP2001021401A (en) | Heat type air flowmeter | |
| JPH10160698A (en) | Micro sensor | |
| JP2001194201A (en) | Sensor and its manufacturing method | |
| JPH10221144A (en) | Micro heater and its manufacture |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041022 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061110 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061121 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070119 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070410 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070424 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140511 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |