JPH11127065A - Short-circuit fault detection circuit - Google Patents

Short-circuit fault detection circuit

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JPH11127065A
JPH11127065A JP9292723A JP29272397A JPH11127065A JP H11127065 A JPH11127065 A JP H11127065A JP 9292723 A JP9292723 A JP 9292723A JP 29272397 A JP29272397 A JP 29272397A JP H11127065 A JPH11127065 A JP H11127065A
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JP
Japan
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circuit
short
terminal
power supply
switch
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP9292723A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fumiaki Mizuno
史章 水野
Takashi Hoshino
孝志 星野
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Sumitomo Wiring Systems Ltd
AutoNetworks Technologies Ltd
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Wiring Systems Ltd
Sumitomo Electric Industries Ltd
Harness System Technologies Research Ltd
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Publication date
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Publication of JPH11127065A publication Critical patent/JPH11127065A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To surely detect faults in the short-circuit mode caused in a semiconductor switching element that turns on/off power supply regardless of a simple configuration. SOLUTION: One terminal of a resistor R9 connects to a power supply Vcc and the other terminal connects to ground via a series circuit consisting of a transistor(TR) Q5 that is conductive when no voltage is applied to a gate of a FET 1 and a TR Q3 that is conductive when a source level of the FET 1 rises. Furthermore, a normally closed contact RS connects between a positive terminal of a battery B and a drain of the FET 1, one terminal of an exciting coil RC connects to the positive terminal of the battery B and the other terminal connects to ground via a TR Q6. On the occurrence of a short-circuit fault in the FET 1, the level of a signal at the other terminal of the resistor R9 goes to low level, the normally closed contact RS is open to stop continuous power supply to a lamp L.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電源から負荷に電
力を供給する電力供給回路に係り、特に、電力供給をオ
ンオフする半導体スイッチング素子に発生する短絡モー
ドの故障を検知する短絡故障検知回路に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power supply circuit for supplying power from a power supply to a load, and more particularly to a short-circuit failure detection circuit for detecting a short-circuit mode failure occurring in a semiconductor switching element for turning on and off power supply. Things.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、自動車に装備されるモータやラン
プ等の負荷にバッテリーから電力を供給する電力供給回
路において、電力供給をオンオフするスイッチ手段とし
て、従来の機械式の電磁リレーに代えて無接点の半導体
スイッチング素子を用いたものが提案されており(例え
ば特公平8−14598号公報など)、これによって回
路の小型化や低コスト化が図られている。
2. Description of the Related Art In recent years, in a power supply circuit for supplying power from a battery to a load such as a motor or a lamp mounted on an automobile, a switch means for turning on / off the power supply has been replaced with a conventional mechanical electromagnetic relay. A device using a semiconductor switching element at the contact point has been proposed (for example, Japanese Patent Publication No. Hei 8-14598), whereby the circuit size and cost have been reduced.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところが、半導体スイ
ッチング素子を用いると短絡モードの故障が生じる虞れ
があるが、この場合には負荷への電力供給が継続したま
まとなってしまう。
However, when a semiconductor switching element is used, a short-circuit mode failure may occur. In this case, power supply to the load is continued.

【0004】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、
電力供給をオンオフする半導体スイッチング素子に発生
する短絡モードの故障を簡易な構成で確実に検知する短
絡故障検知回路を提供することを目的とする。
[0004] The present invention has been made in view of the above,
An object of the present invention is to provide a short-circuit failure detection circuit that reliably detects a short-circuit mode failure that occurs in a semiconductor switching element that turns on and off power supply with a simple configuration.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、制御端子、電
源に接続された第1端子及び負荷を介して接地された第
2端子を有し、上記制御端子に入力される制御信号によ
って上記第1端子と上記第2端子との間の接続がオンオ
フされる半導体スイッチング素子を備えた電力供給回路
において、上記制御端子に上記制御信号が入力されてい
ないときにオンになる第1スイッチ手段と、上記第2端
子の電位が上昇するとオンになる第2スイッチ手段と、
上記第1スイッチ手段及び上記第2スイッチ手段がとも
にオンのときに故障検知信号を出力する故障検知信号出
力部とを備えたものである(請求項1)。
The present invention has a control terminal, a first terminal connected to a power supply, and a second terminal grounded via a load. In a power supply circuit including a semiconductor switching element for turning on / off a connection between a first terminal and the second terminal, a first switch means that is turned on when the control signal is not input to the control terminal; Second switch means that is turned on when the potential of the second terminal rises;
A failure detection signal output unit that outputs a failure detection signal when both the first switch means and the second switch means are on (claim 1).

【0006】この構成によれば、制御端子に制御信号が
入力されていないときにオンになる第1スイッチ手段及
び第2端子の電位が上昇するとオンになる第2スイッチ
手段が双方ともにオンのときに故障検知信号が出力され
ることにより、半導体スイッチング素子が短絡故障にな
ると故障検知信号が出力されることとなり、これによっ
て短絡故障が確実に検知される。
According to this configuration, when both the first switch means which is turned on when the control signal is not input to the control terminal and the second switch means which is turned on when the potential of the second terminal rises are both turned on. As a result, a failure detection signal is output when the semiconductor switching element has a short-circuit failure, whereby the short-circuit failure is reliably detected.

【0007】また、請求項1記載の短絡故障検知回路に
おいて、ハイレベル信号出力手段と、抵抗素子とを備
え、上記抵抗素子の一端は上記ハイレベル信号出力手段
に接続され、上記抵抗素子の他端は上記第1スイッチ手
段及び上記第2スイッチ手段からなる直列回路を介して
接地されており、上記故障検知信号出力部は、上記抵抗
素子の他端から上記故障検知信号を出力するように構成
されている(請求項2)。
The short-circuit fault detecting circuit according to claim 1, further comprising high-level signal output means, and a resistance element, one end of said resistance element being connected to said high-level signal output means, and being connected to the other end of said resistance element. An end is grounded via a series circuit including the first switch means and the second switch means, and the failure detection signal output section is configured to output the failure detection signal from the other end of the resistance element. (Claim 2).

【0008】この構成によれば、抵抗素子の一端はハイ
レベル信号出力手段に接続され、抵抗素子の他端は第1
スイッチ手段及び第2スイッチ手段からなる直列回路を
介して接地されていることにより、抵抗素子の他端から
出力される信号レベルは、半導体スイッチング素子が短
絡故障になると第1スイッチ手段及び第2スイッチ手段
の双方がオンになるのでローレベルになり、それ以外の
ときはハイレベルになるので、半導体スイッチング素子
が短絡故障になると抵抗素子の他端からローレベルの故
障検知信号が出力されることとなり、これによって短絡
故障が確実に検知される。
According to this configuration, one end of the resistance element is connected to the high-level signal output means, and the other end of the resistance element is connected to the first level.
The signal level output from the other end of the resistive element is grounded via the series circuit including the switch means and the second switch means, and the signal level output from the other end of the resistive element becomes the first switch means and the second switch means when the semiconductor switching element is short-circuited. Since both of the means are turned on, the level is low, and otherwise, the level is high. Therefore, when a short circuit fault occurs in the semiconductor switching element, a low level fault detection signal is output from the other end of the resistor element. Thus, a short-circuit failure is reliably detected.

【0009】また、請求項1又は2記載の短絡故障検知
回路において、上記電源と上記第1端子との間に接続さ
れ、通電を許容する通電許容状態と通電を制限する通電
制限状態とに切替可能な回路素子と、上記故障検知信号
出力部から上記故障検知信号が出力されると上記回路素
子を上記通電制限状態に制御する回路素子制御回路とを
備えたものである(請求項3)。
Further, in the short-circuit fault detection circuit according to claim 1 or 2, the circuit is connected between the power supply and the first terminal, and is switched between an energization permitting state for permitting energization and an energization restriction state for restricting energization. And a circuit element control circuit for controlling the circuit element to the power supply restriction state when the failure detection signal is output from the failure detection signal output unit (claim 3).

【0010】この構成によれば、故障検知信号出力部か
ら故障検知信号が出力されると、電源と第1端子との間
に接続され、通電許容状態と通電制限状態とに切替可能
な回路素子が通電制限状態に制御されることにより、半
導体スイッチング素子が短絡故障になると、電源から負
荷に流れる電流が低減することとなり、負荷が保護され
る。
According to this configuration, when the failure detection signal is output from the failure detection signal output unit, the circuit element is connected between the power supply and the first terminal, and can be switched between the energized state and the energized state. Is controlled to be in the power supply restriction state, when a short circuit fault occurs in the semiconductor switching element, the current flowing from the power supply to the load is reduced, and the load is protected.

【0011】また、請求項3記載の短絡故障検知回路に
おいて、常閉接点及び励磁コイルを有する電磁リレーを
備え、上記常閉接点により上記回路素子が構成され、上
記回路素子制御回路は、上記故障検知信号出力部から上
記故障検知信号が出力されるとオンになる第3スイッチ
手段を備え、上記励磁コイルの一端が上記電源に接続さ
れ、上記励磁コイルの他端が上記第3スイッチ手段を介
して接地されて構成されている(請求項4)。
The short-circuit fault detecting circuit according to claim 3, further comprising an electromagnetic relay having a normally closed contact and an exciting coil, wherein the normally closed contact forms the circuit element, and the circuit element control circuit includes the fault. A third switch unit that is turned on when the failure detection signal is output from the detection signal output unit, one end of the excitation coil is connected to the power supply, and the other end of the excitation coil is connected via the third switch unit; It is configured to be grounded (claim 4).

【0012】この構成によれば、電磁リレーの常閉接点
により回路素子が構成され、電磁リレーの励磁コイルの
一端は電源に接続され、励磁コイルの他端は故障検知信
号出力部から故障検知信号が出力されるとオンになる第
3スイッチ手段を介して接地されていることにより、半
導体スイッチング素子が短絡故障になると第3スイッチ
手段がオンになり、これによって励磁コイルに励磁電流
が流れて常閉接点が開放されて、電源から負荷への電力
供給が停止され、負荷が確実に保護される。
According to this configuration, a circuit element is formed by the normally closed contact of the electromagnetic relay, one end of the exciting coil of the electromagnetic relay is connected to the power supply, and the other end of the exciting coil is connected to the failure detection signal output unit from the failure detection signal output unit. When the semiconductor switching element is short-circuited, the third switch is turned on, so that the exciting current flows through the exciting coil, so that the exciting current flows normally. The closed contact is opened, the power supply from the power supply to the load is stopped, and the load is reliably protected.

【0013】また、請求項3記載の短絡故障検知回路に
おいて、上記回路素子は正特性サーミスタであり、上記
抵抗制御回路は、上記正特性サーミスタに近接して配設
されたヒータと、上記故障検知信号出力部から上記故障
検知信号が出力されるとオンになる第3スイッチ手段と
を備え、上記ヒータの一端が上記電源に接続され、上記
ヒータの他端が上記第3スイッチ手段を介して接地され
て構成されている(請求項5)。
Further, in the short-circuit fault detecting circuit according to claim 3, the circuit element is a positive temperature coefficient thermistor, and the resistance control circuit is provided with a heater disposed close to the positive temperature coefficient thermistor, and the fault detecting circuit. A third switch unit that is turned on when the failure detection signal is output from the signal output unit, one end of the heater is connected to the power supply, and the other end of the heater is grounded via the third switch unit. (Claim 5).

【0014】この構成によれば、回路素子は正特性サー
ミスタで、正特性サーミスタに近接して配設されたヒー
タの一端は電源に接続され、ヒータの他端は故障検知信
号出力部から故障検知信号が出力されるとオンになる第
3スイッチ手段を介して接地されていることにより、半
導体スイッチング素子が短絡故障になると第3スイッチ
手段がオンになり、これによってヒータに電流が流れて
発熱し、このヒータの熱によって正特性サーミスタの抵
抗値が上昇して、電源から負荷に流れる電流が低減する
こととなり、負荷が保護される。
According to this configuration, the circuit element is a positive temperature coefficient thermistor, and one end of the heater disposed close to the positive temperature coefficient thermistor is connected to the power source, and the other end of the heater is detected by the failure detection signal output unit from the failure detection signal output unit. Since the third switching means is turned on when a signal is output and grounded via the third switching means, the third switching means is turned on when the semiconductor switching element is short-circuited, thereby causing a current to flow through the heater to generate heat. The resistance of the positive temperature coefficient thermistor is increased by the heat of the heater, and the current flowing from the power supply to the load is reduced, thereby protecting the load.

【0015】また、請求項1〜5のいずれかに記載の短
絡故障検知回路において、通電されると動作して運転者
に報知する報知手段と、上記抵抗素子の他端の信号レベ
ルがローレベルになるとオンになる第4スイッチ手段と
を備え、上記ハイレベル信号出力手段とアースとの間
に、上記報知手段及び上記第4スイッチ手段からなる直
列回路が接続されている(請求項6)。
Further, in the short-circuit failure detecting circuit according to any one of claims 1 to 5, an informing means which operates when energized and informs a driver, and a signal level at the other end of the resistance element is low. And a fourth switch means that is turned on when the power supply is turned on. A series circuit including the notification means and the fourth switch means is connected between the high-level signal output means and the ground (claim 6).

【0016】この構成によれば、抵抗素子の他端の信号
レベルがローレベルになると第4スイッチ手段がオンに
なり、これによってハイレベル信号出力手段から報知手
段に通電されることにより、半導体スイッチング素子が
短絡故障になると、報知手段が動作して運転者にその旨
が報知されることとなる。
According to this configuration, when the signal level at the other end of the resistance element becomes low, the fourth switch is turned on, whereby the high-level signal output is energized to the notifying means, whereby the semiconductor switching is performed. When a short-circuit fault occurs in the element, the notifying means operates to notify the driver of that.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】図1は本発明に係る短絡故障検知
回路が適用されるランプ制御回路の第1実施形態の回路
図である。このランプ制御回路は、自動車のバッテリー
BからランプLへの電力供給を制御するもので、半導体
スイッチング素子としてのNチャネルMOS−FET
(以下単に「FET」という。)1、電源回路2、スイ
ッチ駆動回路3、スイッチ制御部4、電磁リレーRL、
ランプスイッチSW、抵抗R1〜R10、コンデンサC
1、NPNトランジスタQ1,Q3〜Q5、PNPトラ
ンジスタQ2,Q6及びツェナーダイオードZDを備え
ている。
FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of a lamp control circuit to which a short-circuit fault detection circuit according to the present invention is applied. This lamp control circuit controls the power supply from the battery B of the automobile to the lamp L, and includes an N-channel MOS-FET as a semiconductor switching element.
(Hereinafter simply referred to as “FET”) 1, power supply circuit 2, switch drive circuit 3, switch control unit 4, electromagnetic relay RL,
Lamp switch SW, resistors R1 to R10, capacitor C
1, NPN transistors Q1, Q3 to Q5, PNP transistors Q2, Q6, and a Zener diode ZD.

【0018】そして、FET1のゲート電位がローレベ
ルのときにFET1のソース電位の上昇を検知すること
によって、FET1に短絡故障が発生したことを検知す
るものである。
Then, by detecting an increase in the source potential of the FET 1 when the gate potential of the FET 1 is at a low level, it is detected that a short-circuit fault has occurred in the FET 1.

【0019】バッテリーBは、例えばDC12Vの電圧を出
力する鉛蓄電池で、電源を構成している。ランプLは、
ヘッドランプ、テールランプやストップランプその他の
自動車に装備されるランプが適用され、負荷を構成して
いる。電磁リレーRLは、常閉接点RS及び励磁コイル
RCを有する。
The battery B is a lead storage battery that outputs a voltage of, for example, 12 VDC, and constitutes a power supply. Lamp L is
Headlamps, tail lamps, stop lamps, and other lamps mounted on vehicles are applied and constitute the load. The electromagnetic relay RL has a normally closed contact RS and an exciting coil RC.

【0020】バッテリーBの正極端子は、常閉接点RS
を介してFET1のドレイン(第1端子)に接続され、
FET1のソース(第2端子)は、ランプLを介して接
地されている。バッテリーBの正極端子と電磁リレーR
Lの常閉接点RSとを接続するラインには、電磁リレー
RLの励磁コイルRCの一端、電源回路2及びスイッチ
駆動回路3が接続されている。
The positive terminal of the battery B is a normally closed contact RS
Is connected to the drain (first terminal) of FET1 through
The source (second terminal) of the FET 1 is grounded via a lamp L. Positive terminal of battery B and electromagnetic relay R
One end of the exciting coil RC of the electromagnetic relay RL, the power supply circuit 2 and the switch drive circuit 3 are connected to a line connecting the normally closed contact RS of L.

【0021】電源回路2は、例えば三端子レギュレータ
又はツェナーダイオードを備え、バッテリーBの出力電
圧から定電圧VCC(本実施形態では例えば5V)を生成
して出力端子から出力するもので、ハイレベル信号出力
手段を構成している。スイッチ駆動回路3は、例えばチ
ャージポンプ回路からなり、バッテリーBの出力電圧か
ら20V程度、すなわちFET1を低いオン抵抗でオンに
させるのに十分な動作電圧を生成してFET1のゲート
(制御端子)に印加するものである。
The power supply circuit 2 is provided with, for example, a three-terminal regulator or a zener diode, generates a constant voltage V cc (for example, 5 V in this embodiment) from the output voltage of the battery B, and outputs it from the output terminal. It constitutes signal output means. The switch drive circuit 3 is composed of, for example, a charge pump circuit, and generates an operating voltage of about 20 V from the output voltage of the battery B, that is, an operating voltage sufficient to turn on the FET 1 with a low on-resistance, and supplies the operating voltage to the gate (control terminal) of the FET 1 To be applied.

【0022】ランプスイッチSWは、外部から操作され
てオンオフされることにより、ランプLの点灯消灯を指
示するためのもので、オンのときはローレベル信号が、
オフのときはハイレベル信号がスイッチ制御部4に入力
される。
The lamp switch SW is used to instruct the turning on and off of the lamp L by being externally operated and turned on and off.
When the switch is off, a high level signal is input to the switch control unit 4.

【0023】スイッチ制御部4は、CPU等からなり、
ランプLの点灯消灯を制御するもので、ランプスイッチ
SWがオンにされるとスイッチ駆動回路3により動作電
圧をFET1のゲートに印加させてFET1をオンにし
てランプLを点灯させ、ランプスイッチSWがオフのと
きは動作電圧の印加を停止させてFET1をオフにして
ランプLを消灯するものである。
The switch control section 4 comprises a CPU and the like.
When the lamp switch SW is turned on, the operating voltage is applied to the gate of the FET 1 by the switch driving circuit 3 to turn on the FET 1 to turn on the lamp L, and the lamp switch SW is turned on. When it is off, the application of the operating voltage is stopped, the FET1 is turned off, and the lamp L is turned off.

【0024】FET1のソースは、更に、抵抗R1,R
2からなる直列回路を介して接地されている。抵抗R2
と並列に、ツェナー電圧が5V程度のツェナーダイオー
ドZDが接続されている。抵抗R1,R2の接続点は、
抵抗R3を介してトランジスタQ1のベースに接続され
ている。
The source of FET1 further includes resistors R1, R
2 are grounded through a series circuit of two. Resistance R2
Is connected in parallel with a Zener diode ZD having a Zener voltage of about 5V. The connection point of the resistors R1 and R2 is
It is connected to the base of the transistor Q1 via the resistor R3.

【0025】トランジスタQ1のベースは、更にコンデ
ンサC1を介して接地され、エミッタは接地され、コレ
クタは、抵抗R4を介して電源回路3の出力端子(以下
「電源VCC」という。)に接続されるとともに、トラン
ジスタQ2のベースに接続されている。
The base of the transistor Q1 is further grounded via a capacitor C1, the emitter is grounded, and the collector is connected to an output terminal of the power supply circuit 3 (hereinafter referred to as "power supply Vcc ") via a resistor R4. And is connected to the base of the transistor Q2.

【0026】トランジスタQ2のエミッタは電源VCC
接続され、コレクタはトランジスタQ3のベースに接続
されるとともに、抵抗R5を介して接地されている。
The emitter of the transistor Q2 is connected to the power supply Vcc , the collector is connected to the base of the transistor Q3, and is grounded via the resistor R5.

【0027】一方、FET1のゲートは、抵抗R6,R
7からなる直列回路を介して接地されている。抵抗R
6,R7の接続点はトランジスタQ4のベースに接続さ
れ、トランジスタQ4のエミッタは接地され、コレクタ
は、抵抗R8を介して電源VCCに接続されるとともに、
トランジスタQ5のベースに接続されている。トランジ
スタQ5のエミッタは接地され、コレクタはトランジス
タQ3のエミッタに接続されている。
On the other hand, the gate of FET1 is connected to resistors R6, R
7 is grounded via a series circuit composed of 7 elements. Resistance R
6 and R7 are connected to the base of transistor Q4, the emitter of transistor Q4 is grounded, and the collector is connected to power supply V CC via resistor R8.
It is connected to the base of transistor Q5. The emitter of the transistor Q5 is grounded, and the collector is connected to the emitter of the transistor Q3.

【0028】抵抗R9の一端は電源VCCに接続され、抵
抗R9の他端(図中、X点)は、トランジスタQ3のコ
レクタに接続されるとともに、トランジスタQ6のベー
スに接続されている。トランジスタQ6のコレクタは接
地され、エミッタは抵抗R10を介して電磁リレーRL
の励磁コイルRCの他端に接続されている。
[0028] One end of the resistor R9 is connected to the power supply V CC, the other end of the resistor R9 (in the figure, X point) is connected to the collector of the transistors Q3, is connected to the base of the transistor Q6. The collector of the transistor Q6 is grounded, and the emitter is an electromagnetic relay RL via a resistor R10.
Is connected to the other end of the exciting coil RC.

【0029】このような回路において、トランジスタQ
5は第1スイッチ手段を構成し、トランジスタQ3は第
2スイッチ手段を構成し、トランジスタQ6は第3スイ
ッチ手段を構成し、抵抗R9は抵抗素子を構成し、電源
CC、抵抗R9、トランジスタQ3,Q5の直列回路は
故障検知信号出力部を構成している。
In such a circuit, the transistor Q
5 constitutes a first switch means, transistor Q3 constitutes a second switch means, transistor Q6 constitutes a third switch means, resistor R9 constitutes a resistance element, power supply V CC , resistor R9, transistor Q3 , Q5 constitute a failure detection signal output unit.

【0030】次に、動作について説明する。ランプスイ
ッチSWがオフの定常状態では、FET1のゲートに電
圧が印加されていないので抵抗R6を介してベース電流
が供給されず、トランジスタQ4がオフになっている。
従って、電源VCCから抵抗R8を介してベース電流が供
給されてトランジスタQ5がオンになっている。そし
て、ランプスイッチSWのオンによりFET1にゲート
電圧が印加されると、このゲート電圧によって抵抗R6
を介してベース電流が供給されてトランジスタQ4がオ
ンになり、このトランジスタQ4のオンによってベース
電流がバイパスされてトランジスタQ5がオフになる。
Next, the operation will be described. In the steady state in which the lamp switch SW is off, no voltage is applied to the gate of the FET1, so that no base current is supplied via the resistor R6, and the transistor Q4 is off.
Therefore, the base current is supplied from the power supply V CC via the resistor R8, and the transistor Q5 is turned on. When a gate voltage is applied to the FET 1 by turning on the lamp switch SW, the resistance R6 is applied by the gate voltage.
, A base current is supplied to turn on the transistor Q4. By turning on the transistor Q4, the base current is bypassed and the transistor Q5 is turned off.

【0031】一方、FET1がオン、すなわちFET1
のソース電位が上昇しているときには、抵抗R1,R3
を介してベース電流が供給されてトランジスタQ1がオ
ンになり、トランジスタQ1のオンによって、電源VCC
から抵抗R4を介してベース電流が供給されてトランジ
スタQ2がオンになり、トランジスタQ2のオンにより
電源VCCからベース電流が供給されてトランジスタQ3
がオンになる。
On the other hand, FET1 is on, that is, FET1
When the source potentials of the resistors R1 and R3
Transistor Q1 is turned on base current is supplied through the, by the on of the transistor Q1, the power supply V CC
Supplies a base current via a resistor R4 to turn on the transistor Q2. When the transistor Q2 is turned on, a base current is supplied from the power supply V CC and the transistor Q3 is turned on.
Turns on.

【0032】従って、FET1にゲート電圧が印加され
ていないにも拘らずFET1がオンになっているとき、
すなわちFET1に短絡モードの故障が発生したとき
に、トランジスタQ3,Q5が双方ともオンになる。
Therefore, when the FET1 is on even though no gate voltage is applied to the FET1,
That is, when a short-circuit mode failure occurs in FET1, both transistors Q3 and Q5 are turned on.

【0033】これによって、トランジスタQ3のコレク
タ(図中、X点)は、FET1に短絡モードの故障が発
生するとローレベルになり、それ以外のときはハイレベ
ルになるので、X点のレベルに基づいて、FET1の短
絡故障を検知することができる。
As a result, the collector (point X in the figure) of the transistor Q3 goes low when a short-circuit mode fault occurs in the FET1, and goes high otherwise, so that the collector at the point X is based on the level at point X. Thus, a short-circuit failure of the FET 1 can be detected.

【0034】そして、トランジスタQ3,Q5が双方と
もオンになると、電源VCCから抵抗R9を介してベース
電流が流れてトランジスタQ6がオンになり、これによ
って励磁電流が流れて常閉接点RSが開き、ランプLへ
の通電が停止される。
[0034] When the transistors Q3, Q5 are turned on both, the transistor Q6 is turned on by the base current flows from the power supply V CC through a resistor R9, thereby to exciting current flows opens the normally closed contact RS , The current supply to the lamp L is stopped.

【0035】このように、第1実施形態によれば、抵抗
R9の一端を電源VCCに接続し、他端をFET1のゲー
トに電圧が印加されていないときにオンになるトランジ
スタQ5及びFET1のソース電位が上昇しているとき
にオンになるトランジスタQ3からなる直列回路を介し
て接地するようにしたので、簡易な構成で確実に、抵抗
R9の他端の信号レベルに基づいてFET1の短絡故障
を検知することができる。
As described above, according to the first embodiment, one end of the resistor R9 is connected to the power supply V cc , and the other end is turned on when no voltage is applied to the gate of the FET R1. Since the grounding is performed via the series circuit including the transistor Q3 which is turned on when the source potential is rising, the short-circuit failure of the FET1 based on the signal level at the other end of the resistor R9 is ensured with a simple configuration. Can be detected.

【0036】また、バッテリーBの正極端子とFET1
のドレインとの間に常閉接点RSを接続し、励磁コイル
RCの一端をバッテリーBの正極端子に接続し、他端を
トランジスタQ6を介して接地するようにしたので、F
ET1に短絡故障が生じると抵抗R9の他端の信号レベ
ルがローレベルになり、これによって常閉接点RSが開
放されて、FET1の短絡故障によるランプLへの通電
の継続を簡易な構成で確実に停止させることができる。
The positive terminal of battery B and FET1
And the other end of the exciting coil RC is connected to the positive terminal of the battery B, and the other end is grounded via the transistor Q6.
When a short-circuit fault occurs in the ET1, the signal level at the other end of the resistor R9 becomes low level, thereby opening the normally closed contact RS. Can be stopped.

【0037】図2は本発明に係る短絡故障検知回路が適
用されるランプ制御回路の第2実施形態の回路図であ
る。第2実施形態は、第1実施形態の電磁リレーRL、
抵抗R10及びトランジスタQ6に代えて、抵抗R1
1、PNPトランジスタQ7(第4スイッチ手段)及び
発光ダイオードLEDを備えている。
FIG. 2 is a circuit diagram of a second embodiment of the lamp control circuit to which the short-circuit failure detection circuit according to the present invention is applied. The second embodiment is the electromagnetic relay RL of the first embodiment,
Instead of the resistor R10 and the transistor Q6, a resistor R1
1. It has a PNP transistor Q7 (fourth switch means) and a light emitting diode LED.

【0038】トランジスタQ7のエミッタは抵抗R11
を介して電源VCCに接続され、ベースにトランジスタQ
3のコレクタに接続され、コレクタは発光ダイオードL
EDのアノードに接続されており、発光ダイオードLE
Dのカソードは接地されている。
The emitter of the transistor Q7 is connected to a resistor R11.
Is connected to the power supply V CC through the
3 and the collector is a light emitting diode L
Connected to the anode of the ED, the light emitting diode LE
The cathode of D is grounded.

【0039】発光ダイオードLEDは、例えば自動車の
計器パネルに配設され、FET1に短絡故障が生じると
その旨を運転者に報知するためのもので、報知手段を構
成している。
The light emitting diode LED is disposed, for example, on an instrument panel of an automobile, and informs a driver of a short-circuit failure occurring in the FET 1 and constitutes a notifying means.

【0040】第2実施形態の動作について説明する。F
ET1に短絡故障が生じてトランジスタQ3,Q5の双
方がオンになり、X点がローレベルになると、トランジ
スタQ7がオンになり、発光ダイオードLEDが通電さ
れて発光し、これによって運転者にFET1の短絡故障
が報知される。
The operation of the second embodiment will be described. F
When a short-circuit fault occurs in ET1 and both transistors Q3 and Q5 are turned on and point X goes to a low level, transistor Q7 is turned on and the light emitting diode LED is energized and emits light. A short-circuit fault is reported.

【0041】このように、第2実施形態によれば、抵抗
R9の他端の信号レベルがローレベルになるとオンにな
るトランジスタQ7及び発光ダイオードLEDからなる
直列回路を、ハイレベル信号出力手段とアースとの間に
接続するようにしたので、FET1に短絡故障が生じる
と発光ダイオードLEDを発光させることができ、これ
によって運転者にFET1の短絡故障を報知することが
でき、運転者がFET1の故障に対する対応策を講じる
ことができる。
As described above, according to the second embodiment, a series circuit including the transistor Q7 and the light emitting diode LED which is turned on when the signal level at the other end of the resistor R9 becomes low level is connected to the high level signal output means and the ground. When a short-circuit fault occurs in the FET1, the light-emitting diode LED can be caused to emit light, whereby the driver can be notified of the short-circuit fault in the FET1, and the driver can detect the fault in the FET1. Can take countermeasures.

【0042】図3は本発明に係る短絡故障検知回路が適
用されるランプ制御回路の第3実施形態の回路図であ
る。第3実施形態は、第1実施形態の抵抗R10及びト
ランジスタQ6に代えて発光ダイオードLEDを備えて
いる。
FIG. 3 is a circuit diagram of a third embodiment of a lamp control circuit to which the short-circuit failure detection circuit according to the present invention is applied. The third embodiment includes a light emitting diode LED instead of the resistor R10 and the transistor Q6 of the first embodiment.

【0043】第3実施形態では、励磁コイルRCの他端
は、スイッチ制御部4の出力端子P1に接続されてお
り、トランジスタQ3のコレクタは、スイッチ制御部4
の入力端子P2に接続されている。また、発光ダイオー
ドLEDのアノードは抵抗を介してスイッチ制御部4の
出力端子P3に接続されており、発光ダイオードLED
のカソードは接地されている。
In the third embodiment, the other end of the exciting coil RC is connected to the output terminal P1 of the switch controller 4, and the collector of the transistor Q3 is connected to the switch controller 4.
Is connected to the input terminal P2. The anode of the light emitting diode LED is connected to the output terminal P3 of the switch control unit 4 via a resistor.
Are grounded.

【0044】また、スイッチ制御部4は、次の〜の
機能を有する。 入力端子P2のレベルを判別することにより、FET
1に短絡故障が生じたか否かを判別する。 FET1に短絡故障が生じたと判別したときに、出力
端子P1からローレベル信号を出力する。 FET1に短絡故障が生じたと判別したときに、出力
端子P3からハイレベル信号を出力する。
The switch control section 4 has the following functions (1) to (4). By determining the level of the input terminal P2, the FET
It is determined whether or not a short circuit fault has occurred in 1. When it is determined that a short circuit fault has occurred in the FET1, a low level signal is output from the output terminal P1. When it is determined that a short-circuit fault has occurred in the FET1, a high-level signal is output from the output terminal P3.

【0045】第3実施形態の動作について説明する。F
ET1に短絡故障が生じてトランジスタQ3,Q5の双
方がオンになり、X点がローレベルになると、スイッチ
制御部4によってFET1に短絡故障が生じたことが判
別される。
The operation of the third embodiment will be described. F
When a short-circuit fault occurs in ET1 and both the transistors Q3 and Q5 are turned on and the point X goes low, the switch controller 4 determines that a short-circuit fault has occurred in the FET1.

【0046】そして、スイッチ制御部4によって、励磁
コイルRCに励磁電流が流されて常閉接点RSが開か
れ、FET1の短絡によるランプLへの通電の継続が停
止されるとともに、発光ダイオードLEDが通電されて
発光し、これによって運転者にFET1の短絡故障が報
知される。
Then, the switch controller 4 applies an exciting current to the exciting coil RC to open the normally closed contact RS, thereby stopping the power supply to the lamp L due to the short-circuit of the FET 1 and turning off the light emitting diode LED. It emits light when energized, thereby informing the driver of the short-circuit failure of FET1.

【0047】このように、第3実施形態によれば、スイ
ッチ制御部4を用いてFET1の短絡故障を検知するこ
とができるとともに、ランプLへの通電を停止し、運転
者に短絡故障の発生を報知することができる。
As described above, according to the third embodiment, the short-circuit failure of the FET 1 can be detected using the switch control unit 4, and the power supply to the lamp L is stopped, and the short-circuit failure occurs to the driver. Can be reported.

【0048】図4は本発明に係る短絡故障検知回路が適
用されるランプ制御回路の第4実施形態の回路図であ
る。第4実施形態は、第1実施形態の電磁リレーRLに
代えて、ヒータHE、微量の火薬IG及びヒューズFU
を備えている。
FIG. 4 is a circuit diagram of a fourth embodiment of the lamp control circuit to which the short-circuit failure detection circuit according to the present invention is applied. In the fourth embodiment, a heater HE, a small amount of explosive IG and a fuse FU are used instead of the electromagnetic relay RL of the first embodiment.
It has.

【0049】第4実施形態では、バッテリーBの正極端
子は、ヒューズFUを介してFET1のドレイン(第1
端子)に接続され、バッテリーBの正極端子とヒューズ
FUとを接続するラインには、ヒータHEの一端、電源
回路2及びスイッチ駆動回路3が接続され、ヒータHE
の他端は、抵抗R10を介してトランジスタQ6のエミ
ッタに接続されている。
In the fourth embodiment, the positive terminal of the battery B is connected to the drain (first
Terminal, and one end of the heater HE, a power supply circuit 2 and a switch drive circuit 3 are connected to a line connecting the positive terminal of the battery B and the fuse FU.
Is connected to the emitter of the transistor Q6 via the resistor R10.

【0050】そして、火薬IGはヒータHEに近接して
配置され、ヒューズFUは火薬IGに近接して配置され
ている。
The explosive IG is arranged close to the heater HE, and the fuse FU is arranged close to the explosive IG.

【0051】第4実施形態の動作について説明する。F
ET1に短絡故障が生じてトランジスタQ3,Q5の双
方がオンになり、X点がローレベルになると、トランジ
スタQ6がオンになり、ヒータHEが通電されて発熱
し、ヒータHEの熱により微量の火薬IGが瞬時に発熱
し、火薬IGの熱によりヒューズFUが溶断して、ラン
プLへの通電が停止される。
The operation of the fourth embodiment will be described. F
When a short-circuit fault occurs in ET1 and both transistors Q3 and Q5 are turned on and point X goes low, transistor Q6 is turned on and heater HE is energized to generate heat. The IG generates heat instantaneously, and the heat of the explosive IG blows the fuse FU, so that the power supply to the lamp L is stopped.

【0052】このように、第4実施形態によれば、バッ
テリーBの正極端子とFET1のドレインとの間にヒュ
ーズFUを接続し、ヒータHEの一端をバッテリーBの
正極端子に接続し、他端をトランジスタQ6を介して接
地するようにしたので、FET1に短絡故障が生じると
抵抗R9の他端の信号レベルがローレベルになり、これ
によってヒューズFUが溶断して、FET1の短絡故障
によるランプLへの通電の継続を簡易な構成で確実に停
止させることができる。
As described above, according to the fourth embodiment, the fuse FU is connected between the positive terminal of the battery B and the drain of the FET 1, one end of the heater HE is connected to the positive terminal of the battery B, and the other end is connected. Is grounded via the transistor Q6, so that when a short-circuit fault occurs in the FET1, the signal level at the other end of the resistor R9 becomes low, thereby blowing the fuse FU and causing the lamp L due to the short-circuit fault in the FET1. It is possible to reliably stop the continuation of the power supply to the device with a simple configuration.

【0053】なお、火薬IGを備えることなく、ヒータ
HEの熱により直接ヒューズFUを溶断するようにして
もよいが、微量な火薬IGを備えることによって、素速
く確実にヒューズFUのエレメント部を溶断することが
できる。
The fuse FU may be blown directly by the heat of the heater HE without the explosive IG. However, by providing a small amount of explosive IG, the element portion of the fuse FU can be quickly and reliably blown. can do.

【0054】図5は本発明に係る短絡故障検知回路が適
用されるランプ制御回路の第5実施形態の回路図であ
る。第5実施形態は、第1実施形態の電磁リレーRLに
代えて、ヒータHE2及び正特性(PTC(Positive Te
mperature Coefficient))サーミスタT1を備えてい
る。
FIG. 5 is a circuit diagram of a fifth embodiment of a lamp control circuit to which the short-circuit failure detection circuit according to the present invention is applied. In the fifth embodiment, instead of the electromagnetic relay RL of the first embodiment, a heater HE2 and a positive characteristic (PTC) are used.
mperature Coefficient)) is provided.

【0055】第5実施形態では、バッテリーBの正極端
子は、正特性サーミスタT1を介してFET1のドレイ
ンに接続され、バッテリーBの正極端子と正特性サーミ
スタT1を接続するラインには、ヒータHE2の一端、
電源回路2及びスイッチ駆動回路3が接続され、ヒータ
HE2の他端は、抵抗R10を介してトランジスタQ6
のエミッタに接続されている。
In the fifth embodiment, the positive terminal of the battery B is connected to the drain of the FET 1 via the positive characteristic thermistor T1, and the line connecting the positive terminal of the battery B and the positive characteristic thermistor T1 is connected to the heater HE2. one end,
The power supply circuit 2 and the switch drive circuit 3 are connected, and the other end of the heater HE2 is connected to a transistor Q6 via a resistor R10.
Connected to the emitter.

【0056】第5実施形態の動作について説明する。通
常の状態では、正特性サーミスタT1の周囲温度は-40
℃〜120℃であり、そのときの正特性サーミスタT1の
抵抗値は0.05Ω〜0.1Ωであるので、正特性サーミスタ
T1によってランプLへの電力供給に支障をきたすこと
はない。
The operation of the fifth embodiment will be described. Under normal conditions, the ambient temperature of the PTC thermistor T1 is -40.
C. to 120.degree. C., and the resistance value of the positive temperature coefficient thermistor T1 at that time is 0.05 .OMEGA. To 0.1 .OMEGA., So that the power supply to the lamp L is not hindered by the positive temperature coefficient thermistor T1.

【0057】一方、FET1に短絡故障が生じてトラン
ジスタQ3,Q5の双方がオンになり、X点がローレベ
ルになると、トランジスタQ6がオンになり、ヒータH
E2が通電されて発熱し、ヒータHE2の熱により正特
性サーミスタT1の温度が約140℃〜160℃に上昇し、こ
れによって正特性サーミスタT1の抵抗値が10kΩ〜10
0kΩに上昇して、ランプLへの通電がほぼ遮断され
る。
On the other hand, when a short-circuit fault occurs in the FET 1 and both the transistors Q3 and Q5 are turned on and the point X goes low, the transistor Q6 is turned on and the heater H
E2 is energized to generate heat, and the heat of the heater HE2 raises the temperature of the positive temperature coefficient thermistor T1 to about 140 ° C. to 160 ° C., thereby increasing the resistance value of the positive temperature coefficient thermistor T1 to 10 kΩ to 10 ° C.
The current rises to 0 kΩ, and the current to the lamp L is almost cut off.

【0058】このように、第5実施形態によれば、バッ
テリーBの正極端子とFET1のドレインとの間に正特
性サーミスタT1を接続し、ヒータHE2の一端をバッ
テリーBの正極端子に接続し、他端をトランジスタQ6
を介して接地するようにしたので、FET1に短絡故障
が生じると抵抗R9の他端の信号レベルがローレベルに
なり、これによって正特性サーミスタT1の抵抗値が高
くなることにより、FET1の短絡故障によるランプL
への通電の継続を簡易な構成で停止させることができ
る。
As described above, according to the fifth embodiment, the positive temperature coefficient thermistor T1 is connected between the positive terminal of the battery B and the drain of the FET1, and one end of the heater HE2 is connected to the positive terminal of the battery B. The other end is transistor Q6
When the short-circuit fault occurs in the FET1, the signal level at the other end of the resistor R9 becomes low level, thereby increasing the resistance value of the positive temperature coefficient thermistor T1. Lamp L by
It is possible to stop the continuation of power supply to the power supply with a simple configuration.

【0059】[0059]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
制御端子に制御信号が入力されていないときにオンにな
る第1スイッチ手段及び第2端子の電位が上昇するとオ
ンになる第2スイッチ手段が双方ともにオンのときに故
障検知信号を出力するようにしたので、半導体スイッチ
ング素子が短絡故障になると故障検知信号を出力するこ
とができ、これによって、簡易な構成で確実に半導体ス
イッチング素子の短絡故障を検知することができる。
As described above, according to the present invention,
A failure detection signal is output when both the first switch that turns on when no control signal is input to the control terminal and the second switch that turns on when the potential of the second terminal rises are both on. Therefore, when a short-circuit fault occurs in the semiconductor switching element, a fault detection signal can be output, whereby a short-circuit fault of the semiconductor switching element can be reliably detected with a simple configuration.

【0060】また、抵抗素子の一端をハイレベル信号出
力手段に接続し、抵抗素子の他端を第1スイッチ手段及
び第2スイッチ手段からなる直列回路を介して接地し
て、抵抗素子の他端から故障検知信号を出力することに
より、通常時は抵抗素子の他端からハイレベル信号が出
力され、半導体スイッチング素子が短絡故障になるとロ
ーレベルの故障検知信号が出力されることとなり、これ
によって確実に半導体スイッチング素子の短絡故障を検
知することができる。
Further, one end of the resistance element is connected to the high-level signal output means, and the other end of the resistance element is grounded via a series circuit comprising the first switch means and the second switch means. Output a failure detection signal from the other end, a high-level signal is output from the other end of the resistance element in normal times, and a low-level failure detection signal is output when the semiconductor switching element has a short-circuit failure. Thus, a short-circuit failure of the semiconductor switching element can be detected.

【0061】また、通電許容状態と通電制限状態とに切
替可能な回路素子を電源と第1端子との間に接続し、故
障検知信号出力部から故障検知信号が出力されると回路
素子を通電制限状態に制御することにより、半導体スイ
ッチング素子に短絡故障が生じると、電源から負荷に流
れる電流を低減させることができ、これによって負荷を
保護することができる。
A circuit element which can be switched between an energized state and an energized state is connected between the power supply and the first terminal. When a failure detection signal is output from the failure detection signal output section, the circuit element is energized. By controlling to the limit state, when a short circuit fault occurs in the semiconductor switching element, the current flowing from the power supply to the load can be reduced, thereby protecting the load.

【0062】また、電磁リレーの常閉接点により回路素
子を構成し、電磁リレーの励磁コイルの一端を電源に接
続し、励磁コイルの他端を故障検知信号出力部から故障
検知信号が出力されるとオンになる第3スイッチ手段を
介して接地することにより、半導体スイッチング素子に
短絡故障が生じると第3スイッチ手段がオンになり、こ
れによって励磁コイルに励磁電流が流れて常閉接点が開
放されるので、電源から負荷への電力供給を停止させる
ことができ、これによって負荷を確実に保護することが
できる。
A normally closed contact of the electromagnetic relay forms a circuit element, one end of an exciting coil of the electromagnetic relay is connected to a power supply, and the other end of the exciting coil outputs a failure detection signal from a failure detection signal output unit. When the short circuit fault occurs in the semiconductor switching element, the third switch is turned on, and the exciting current flows through the exciting coil to open the normally closed contact. Therefore, the power supply from the power supply to the load can be stopped, whereby the load can be reliably protected.

【0063】また、回路素子を正特性サーミスタとし、
正特性サーミスタに近接して配設されたヒータの一端を
電源に接続し、ヒータの他端を故障検知信号出力部から
故障検知信号が出力されるとオンになる第3スイッチ手
段を介して接地することにより、半導体スイッチング素
子に短絡故障が生じると第3スイッチ手段がオンにな
り、これによってヒータに電流が流れて発熱し、このヒ
ータの熱によって正特性サーミスタの抵抗値が上昇する
ので、電源から負荷に流れる電流を低減させることがで
き、これによって負荷を保護することができる。
Further, the circuit element is a positive temperature coefficient thermistor,
One end of the heater disposed close to the positive temperature coefficient thermistor is connected to a power supply, and the other end of the heater is grounded via third switch means which is turned on when a failure detection signal is output from a failure detection signal output unit. As a result, when a short-circuit fault occurs in the semiconductor switching element, the third switch means is turned on, whereby a current flows through the heater to generate heat, and the heat of the heater increases the resistance value of the positive temperature coefficient thermistor. Current flowing from the load to the load can be reduced, thereby protecting the load.

【0064】また、ハイレベル信号出力手段とアースと
の間に、通電されると動作して運転者に報知する報知手
段及び抵抗素子の他端の信号レベルがローレベルになる
とオンになる第4スイッチ手段からなる直列回路を接続
することにより、半導体スイッチング素子に短絡故障が
生じると、報知手段が動作して使用者などにその旨を報
知することができる。
Further, between the high-level signal output means and the ground, the power supply is activated when the power is supplied, and is turned on when the signal level at the other end of the resistance element becomes low. By connecting the series circuit including the switch means, when a short circuit fault occurs in the semiconductor switching element, the notifying means operates to notify a user or the like of the short-circuit fault.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る短絡故障検知回路が適用されるラ
ンプ制御回路の第1実施形態の回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of a lamp control circuit to which a short-circuit failure detection circuit according to the present invention is applied.

【図2】本発明に係る短絡故障検知回路が適用されるラ
ンプ制御回路の第2実施形態の回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram of a second embodiment of the lamp control circuit to which the short-circuit failure detection circuit according to the present invention is applied.

【図3】本発明に係る短絡故障検知回路が適用されるラ
ンプ制御回路の第3実施形態の回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram of a third embodiment of a lamp control circuit to which a short-circuit failure detection circuit according to the present invention is applied.

【図4】本発明に係る短絡故障検知回路が適用されるラ
ンプ制御回路の第4実施形態の回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram of a fourth embodiment of the lamp control circuit to which the short-circuit failure detection circuit according to the present invention is applied.

【図5】本発明に係る短絡故障検知回路が適用されるラ
ンプ制御回路の第5実施形態の回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram of a fifth embodiment of a lamp control circuit to which a short-circuit failure detection circuit according to the present invention is applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 FET 2 電源回路 3 スイッチ駆動回路 4 スイッチ制御部 RL 電磁リレー SW ランプスイッチ R1〜R10 抵抗 C1 コンデンサ FU ヒューズ HE,HE2 ヒータ IG 火薬 LED 発光ダイオード T1 正特性サーミスタ Q1〜Q6 トランジスタ ZD ツェナーダイオード Reference Signs List 1 FET 2 power supply circuit 3 switch drive circuit 4 switch control section RL electromagnetic relay SW lamp switch R1 to R10 resistor C1 capacitor FU fuse HE, HE2 heater IG gunpowder LED light emitting diode T1 positive temperature coefficient thermistor Q1 to Q6 transistor ZD zener diode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H03K 17/08 H03K 17/08 C (72)発明者 星野 孝志 愛知県名古屋市南区菊住1丁目7番10号 株式会社ハーネス総合技術研究所内──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H03K 17/08 H03K 17/08 C (72) Inventor Takashi Hoshino 1-7-10 Kikuzumi, Minami-ku, Nagoya-shi, Aichi Harness Co., Ltd. Within the Research Institute of Technology

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 制御端子、電源に接続された第1端子及
び負荷を介して接地された第2端子を有し、上記制御端
子に入力される制御信号によって上記第1端子と上記第
2端子との間の接続がオンオフされる半導体スイッチン
グ素子を備えた電力供給回路において、上記制御端子に
上記制御信号が入力されていないときにオンになる第1
スイッチ手段と、上記第2端子の電位が上昇するとオン
になる第2スイッチ手段と、上記第1スイッチ手段及び
上記第2スイッチ手段がともにオンのときに故障検知信
号を出力する故障検知信号出力部とを備えたことを特徴
とする短絡故障検知回路。
1. A control terminal, a first terminal connected to a power supply, and a second terminal grounded via a load, wherein the first terminal and the second terminal are controlled by a control signal input to the control terminal. A power supply circuit including a semiconductor switching element whose connection between the control terminal and the control terminal is turned on when the control signal is not input to the control terminal.
A switch, a second switch which is turned on when a potential of the second terminal rises, and a failure detection signal output unit which outputs a failure detection signal when both the first switch and the second switch are on. And a short-circuit failure detection circuit.
【請求項2】 請求項1記載の短絡故障検知回路におい
て、ハイレベル信号出力手段と、抵抗素子とを備え、上
記抵抗素子の一端は上記ハイレベル信号出力手段に接続
され、上記抵抗素子の他端は上記第1スイッチ手段及び
上記第2スイッチ手段からなる直列回路を介して接地さ
れており、上記故障検知信号出力部は、上記抵抗素子の
他端から上記故障検知信号を出力するように構成されて
いることを特徴とする短絡故障検知回路。
2. The short-circuit fault detection circuit according to claim 1, further comprising a high-level signal output means, and a resistance element, wherein one end of said resistance element is connected to said high-level signal output means, An end is grounded via a series circuit including the first switch means and the second switch means, and the failure detection signal output section is configured to output the failure detection signal from the other end of the resistance element. A short-circuit fault detection circuit characterized by being performed.
【請求項3】 請求項1又は2記載の短絡故障検知回路
において、上記電源と上記第1端子との間に接続され、
通電を許容する通電許容状態と通電を制限する通電制限
状態とに切替可能な回路素子と、上記故障検知信号出力
部から上記故障検知信号が出力されると上記回路素子を
上記通電制限状態に制御する回路素子制御回路とを備え
たことを特徴とする短絡故障検知回路。
3. The short-circuit fault detection circuit according to claim 1, wherein the short-circuit fault detection circuit is connected between the power supply and the first terminal.
A circuit element that can be switched between an energized state that permits energization and an energized state that restricts energization, and the circuit element is controlled to the energized state when the failure detection signal is output from the failure detection signal output unit. A short-circuit fault detection circuit, comprising:
【請求項4】 請求項3記載の短絡故障検知回路におい
て、常閉接点及び励磁コイルを有する電磁リレーを備
え、上記常閉接点により上記回路素子が構成され、上記
回路素子制御回路は、上記故障検知信号出力部から上記
故障検知信号が出力されるとオンになる第3スイッチ手
段を備え、上記励磁コイルの一端が上記電源に接続さ
れ、上記励磁コイルの他端が上記第3スイッチ手段を介
して接地されて構成されていることを特徴とする短絡故
障検知回路。
4. The short-circuit fault detection circuit according to claim 3, further comprising an electromagnetic relay having a normally closed contact and an exciting coil, wherein the normally closed contact forms the circuit element, and the circuit element control circuit includes the fault. A third switch unit that is turned on when the failure detection signal is output from the detection signal output unit, one end of the excitation coil is connected to the power supply, and the other end of the excitation coil is connected via the third switch unit; A short-circuit fault detection circuit characterized by being configured to be grounded.
【請求項5】 請求項3記載の短絡故障検知回路におい
て、上記回路素子は正特性サーミスタであり、上記抵抗
制御回路は、上記正特性サーミスタに近接して配設され
たヒータと、上記故障検知信号出力部から上記故障検知
信号が出力されるとオンになる第3スイッチ手段とを備
え、上記ヒータの一端が上記電源に接続され、上記ヒー
タの他端が上記第3スイッチ手段を介して接地されて構
成されていることを特徴とする短絡故障検知回路。
5. The short-circuit fault detection circuit according to claim 3, wherein said circuit element is a positive temperature coefficient thermistor, and said resistance control circuit is provided with a heater disposed close to said positive temperature coefficient thermistor, and said fault detection circuit. A third switch unit that is turned on when the failure detection signal is output from the signal output unit, one end of the heater is connected to the power supply, and the other end of the heater is grounded via the third switch unit. A short-circuit fault detection circuit characterized by being configured.
【請求項6】 請求項1〜5のいずれかに記載の短絡故
障検知回路において、通電されると動作して運転者に報
知する報知手段と、上記抵抗素子の他端の信号レベルが
ローレベルになるとオンになる第4スイッチ手段とを備
え、上記ハイレベル信号出力手段とアースとの間に、上
記報知手段及び上記第4スイッチ手段からなる直列回路
が接続されていることを特徴とする短絡故障検知回路。
6. The short-circuit fault detecting circuit according to claim 1, wherein the notifying means which operates when energized and notifies the driver, and the signal level at the other end of the resistance element is low. And a fourth circuit, which is turned on when the power is turned on, wherein a series circuit comprising the notification means and the fourth switch is connected between the high-level signal output means and the ground. Failure detection circuit.
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