JPH11126573A - 試料の高さ計測手段を備えた電子ビーム装置 - Google Patents

試料の高さ計測手段を備えた電子ビーム装置

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JPH11126573A
JPH11126573A JP24300398A JP24300398A JPH11126573A JP H11126573 A JPH11126573 A JP H11126573A JP 24300398 A JP24300398 A JP 24300398A JP 24300398 A JP24300398 A JP 24300398A JP H11126573 A JPH11126573 A JP H11126573A
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秀男 戸所
Tadashi Otaka
正 大高
Tatsuya Maeda
達哉 前田
Katsuhiro Sasada
勝弘 笹田
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株式会社日立製作所
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 試料高さ計測装置の配置と対物レンズの最大
収束磁場中への試料の配置を容易に実現する。 【解決手段】 対物レンズの第1の磁極12と第2の磁
極13を、試料6を介してレーザ光線11を発生する光
源及び光検出手段の反対側に配置する。両磁極12,1
3間の間隙は少なくとも試料6側に開放されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は電子ビーム装置に関
し、特にステージに載置された試料の高さを計測する手
段を備えた電子ビーム装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路は、その高密度化
に伴って回路パターンの微細化が著しく進み、シリコン
ウエハに塗布されたレジストへの微細回路パターン描画
や寸法測定に当たっても光学装置に代って電子線描画装
置や電子線測長機等の電子ビーム装置が用いられるよう
になっている。シリコンウエハは、最近では8インチの
大きさのものが使用されているが、その表面は完全な平
坦ではない。このため、ウエハ上の電子線描画位置又は
測定位置が変わるとき、各位置においてウエハの高さ変
化を検知し、電子ビームの焦点を再調整したりウエハを
載せているステージの高さを調整したりして、電子ビー
ムの焦点ぼけが生じたり電子顕微鏡像の倍率に変化が生
じたりするのを回避する必要がある。
【0003】図4に、高さ検出器を備えた電子ビーム装
置の一例である電子線測長機の従来例を示す(特開昭6
3−254649号公報)。電子ビーム1は、対物レン
ズ2によってステージ10に載置された試料であるウエ
ハ6上に収束される。図4では、電子ビーム1の発生源
と走査及び寸法の測定機能部分については省略した。ウ
エハ6の高さを検出する手段は、レーザ発光素子9、真
空の試料室5にレーザビームを通すウィンドー4A、ミ
ラー7A、集光レンズ8A、反射光集光レンズ8B、ミ
ラー7B、ウィンドー4B、ポジションセンサ3で構成
されている。ウエハ6に対して斜めにレーザビーム11
を照射すると、ウエハ6で反射されてポジションセンサ
3で検知されるレーザビームの位置はウエハ6の高さに
応じて変化する。そこで、ポジションセンサ3を用いて
反射レーザビームの位置変化を測定することにより、ウ
エハ6の高さ変化を測定する。得られたウエハの高さ情
報は、ステージ10の高さ調整機構又は対物レンズ2の
焦点調整機構にフィードバックされる。このようにし
て、測定開始時にはオペレータにより電子ビーム1の焦
点合わせ等の測定準備が行われるが、その後はウエハ6
の高さ変化に対して電子ビーム1の焦点位置が自動的に
補正され、全ウエハ領域の寸法測定が自動的に行われ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】半導体集積回路の高集
積化はさらに進み、より細い電子ビームを用いた測長又
は描画が望まれるようになっている。電子ビームを細く
絞るためには、対物レンズの焦点距離を短くすることが
必須である。最も短焦点で細く絞った電子ビームが得ら
れる条件は、図4に示した対物レンズ2の下面とウエハ
6をぎりぎりまで接近させることである。ところが、対
物レンズ2とウエハ6を接近させると、レーザ光11を
通す空間がなくなり高さ計測ができなくなる。これが電
子ビーム装置の高集積化対応と自動化の両立を困難にし
ている問題である。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明では、試料を載置
するステージと、該ステージを2次元的又は3次元的に
駆動可能なステージ駆動手段と、電子ビーム発生手段
と、電子ビーム走査手段と、第1の磁極、第2の磁極、
第1の磁極と第2の磁極を磁気的に接続する磁路及び励
磁コイルからなり電子ビームをステージに載置された試
料上に収束するための磁界形対物レンズと、電子ビーム
を走査している試料面に対して斜め方向から光ビームを
照射する光源と、試料面で反射した光ビームを受光して
その受光位置を検知する光検出手段とを含む試料の高さ
計測手段を備えた電子ビーム装置において、光源から試
料面で反射されて光検出手段に至る光ビームの光路が試
料面への光ビーム入射点に立てた法線を軸として作る回
転円錐面にて2分される空間のうち試料が含まれる方の
空間に磁界形対物レンズの第1の磁極及び第2の磁極の
少なくとも一方を設けることによって前記目的を達成す
る。
【0006】特に、本発明による電子ビーム装置は、電
子ビーム発生手段と、第1の磁極と第2の磁極を有し、
当該両磁極間に発生する磁場によって前記電子ビーム発
生手段で発生した電子ビームを収束する対物レンズと、
試料ステージに配置される試料に対して斜め方向から光
ビームを照射する光源と、試料面で反射した光ビームを
受光してこの受光位置を検知する光検出手段を含む試料
の高さ計測手段を備えた電子ビーム装置であって、第1
の磁極と第2の磁極は、試料を介して光源及び光検出手
段の反対側に配置されると共に、両磁極間の間隙は少な
くとも試料側に開放されていることを特徴とする。
【0007】図1(a)〜(e)によって、本発明の構
成をさらに具体的に説明する。図1(a)は、図4に示
した従来の構成の模式図である。12、13は、それぞ
れ図4に示した対物レンズ2の上磁極と下磁極で、この
両磁極間に磁場が形成される。この磁場が電子ビーム1
に対してレンズ作用をし、試料であるウエハ6上に電子
ビーム1が収束される。高さを検知するためのレーザ光
線11は、磁極13の下の空間を通りウエハ6に照射さ
れる。電子ビーム1をより細く絞るために対物レンズ2
の焦点距離を短くすると、磁極13とウエハ6の間にレ
ーザ光線11を通す空間が無くなる。これが従来技術の
問題点であった。
【0008】図1(b)〜(e)は、上述の問題を解決
するための基本構成を示す模式図である。(b)はレー
ザ光線11を上磁極12と下磁極13の間を通し、下磁
極13をウエハ6に接近させることができるように構成
するものである。(c)はウエハ6を上磁極12と下磁
極13の間に置き、レーザ光線11を上磁極12の開口
から入射、反射させるように構成するものである。
(d)は上磁極12と下磁極13の両者がウエハ6の下
方にあり、レーザ光線11の通る空間を充分に取るもの
である。(e)はウエハ6とレーザ光線11の光路を共
に上磁極12と下磁極13の間に置くものである。
【0009】試料の高さ計測用のレーザ光線の光路と磁
界形対物レンズの磁極との位置関係を上記のように設定
することにより、対物レンズの短焦点距離化による電子
ビームの微小化とレーザ光線による試料の高さ検出を両
立させることができ、より高性能な電子ビーム装置を実
現できる。図1(b)又は(d)に示した配置の場合に
は、対物レンズによって試料6の大きさが制限されるこ
とがないので、大きな試料6を取り扱うことができる。
すなわち、本構成によれば、試料高さ計測装置の光学装
置等に制限されることなく、対物レンズの第1磁極と第
2磁極間のギャップを試料に近接させることができ、試
料の高さ計測装置の配置と対物レンズの最大収束磁場中
への試料の配置を容易に実現することができる。これに
対して、図1(c)又は(e)に示した配置の場合に
は、対物レンズ2の第1の磁極と第2の磁極を接続する
磁路の一部に開口を設けてそこから試料を出し入れしな
ければならないため、試料の大きさが制限され、試料の
取扱いが複雑になるが、対物レンズの焦点距離を短くし
て電子ビームを非常に細く絞ることが可能になる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て説明する。 〔実施例1〕図2に、本発明の一実施例の断面図を示
す。本実施例の基本の構成は、図1(b)の構成であ
る。ウエハ6はウエハホールダ12に固定され、ステー
ジ10により電子ビーム1の照射下で水平移動される。
電子ビーム1は、上走査コイル14及び下走査コイル1
5によりウエハ6上を走査される。上走査コイル14と
下走査コイル15の2段の走査コイルを用いることで、
電子ビーム1は常に対物レンズ2のレンズ中心16を通
るように調整され、レンズ中心16から電子ビームが外
れることによる電子ビーム1のぼけを防いでいる。対物
レンズ2のレンズ中心16を通るように走査された電子
ビーム1は、上磁極28、下磁極29、磁路30及び励
磁コイル31で構成される対物レンズ2によってウエハ
6上に収束される。
【0011】本実施例の対物レンズ2の特徴は、ウエハ
6に面した下磁極29を平板状としウエハ6にできる限
り接近させていることである。上走査コイル14と下走
査コイル15の外側にはフェライトコア17が置かれ、
走査コイルで発生した磁場が外にもれることを防いでい
る。また上走査コイル14、下走査コイル15及びフェ
ライトコア17はコイルケース18に納められ、電子ビ
ーム1が通る真空の空間とは分離され、大気圧に保たれ
ている。
【0012】電子ビーム1がウエハ6を照射することで
発生した二次電子20は、加速電極19で加速され、さ
らに偏向板22A,22Bで構成される静電偏向器の作
る電場Eによって偏向される。偏向板22Bはメッシュ
で作られ、偏向された二次電子20が透過できるように
なっている。静電偏向器で電子ビーム1も偏向されるこ
とになるが、本実施例では偏向板22A,22Bと同位
置に偏向コイル21を置くことで電子ビーム1の偏向を
防いでいる。すなわち、偏向コイル21の作る磁界B
は、電子ビーム1を静電偏向器による偏向とは逆向き
で、しかもそれを打ち消す大きさに偏向するように調整
されている。メッシュ22Bを通過した二次電子20
は、高電圧(例えば10kV)が印加されたシンチレー
タ24に吸引され、シンチレータ24に衝突して発光さ
せる。発光した光はライトガイド25でホトマル27に
導かれ、そこで検出され増幅される。33は金属円筒
で、ここに導入端子26から高電圧が導入され、シンチ
レータ24に高電圧を供給している。23は接地電位の
保護円筒である。ホトマル27で増幅された二次電子2
0はさらに増幅されて図示しない陰極線管の輝度変調信
号となり、陰極線管上に走査像を形成する。
【0013】対物レンズの磁路30にはレーザ発光素子
9が固定されており、発光素子9から発射されたレーザ
光線11は上磁極28と下磁極29の間を通ってウエハ
6を照射している。この際、レーザ光線11は集光レン
ズ8Aによってウエハ6に収束される。ウエハ6で反射
したレーザ光線11は集光レンズ8Bによってポジショ
ンセンサ3に収束入射され、ポジションセンサ3への入
射位置の変化が検出される。このようにして検出された
ウエハ6の高さ変化は、対物レンズ2の焦点補正用又は
ステージ10の高さ補正用のデータとしてフィードバッ
クされる。集光レンズ8A、8Bは非磁性のリング状隔
壁部材36に真空シールを介して固定され、リング状隔
壁部材36より内側の電子ビーム通路に連通する部分の
みが真空に維持されている。レーザ発光素子9及びポジ
ションセンサ3はネジ等によって磁路30に取り付けら
れており、その光軸方向あるいは視野をオペレータが調
整できるようになっている。
【0014】発光素子9及び検出器3は、対物レンズ2
の内部に収納することも可能であるが、光軸調整等を簡
便に行うことができるようにし、対物レンズを必要以上
に大型化しないためには、本実施例のように対物レンズ
2の磁路30に露出させて取り付けるのが有利である。
また、本実施例では対物レンズ2の下磁極29を平板状
としたため、上磁極28、下磁極29及び磁路30で囲
まれる空間を広く取ることができ、レーザ発光素子9、
ポジションセンサ3、集光レンズ8A,8B等の設置を
容易に行うことができる。
【0015】〔実施例2〕図3は、図2に示した高さ計
測手段にさらに光学顕微鏡を付加した実施例の断面図で
ある。図3には対物レンズ2の部分のみ図2に示した断
面と直交した断面が示されており、レーザ発光素子9及
びポジションセンサ3は紙面垂直方向に位置するため図
示されていない。対物磁路30のウエハ6に対向した面
にウィンドー37が設けられ、像ミラー38を介して光
学顕微鏡39がウエハ6の一部分を見込んでいる。光学
顕微鏡39によって拡大された像は固体撮像素子40で
電気信号に変換され、図示しない陰極線管上に表示され
る。この光学像は、電子ビームによる走査像では得るの
が困難な低倍率でウエハ6内の観察位置を確認するのに
用いられる。電子ビーム1による観察位置と光学顕微鏡
39による観察位置の差は、あらかじめその観察位置差
を測定しておきステージ10を用いて補正する。焦点の
調整は、例えばステージ10の高さ調整で行う。
【0016】この場合、光学顕微鏡39による光学像を
電子ビームの焦点調整のために利用することも可能であ
る。すなわち、まず光学顕微鏡像のコントラストが最大
になるようにステージ10を上下動することによって粗
調整を行い、その後、図3に示したレーザ光線を用いる
方法によって電子ビーム1の焦点合わせを行うようにす
る。斜め入射するレーザ光線とポジションセンサを用い
る焦点合わせの方法は電子ビーム1の入射位置でのウエ
ハ6の高さ変化を高精度に計測できる利点を有するがダ
イナミックレンジが狭いので、このようにしてダイナミ
ックレンジが比較的広い光学顕微鏡による光学像のコン
トラストを利用する方法と組み合わせると、測定開始時
の最初の焦点合わせの操作が容易になる。なお、図3に
はウィンドー37を一つしか設けていないが、対物レン
ズ2の磁気特性が非対称になるのを防ぐために複数個の
ウィンドー、通常は4個のウィンドーを対物レンズの軸
に対して軸対称な位置に設ける。
【0017】
【発明の効果】本発明によると、試料高さ計測装置の光
学装置等に制限されることなく、対物レンズの第1磁極
と第2磁極間のギャップを試料に近接させることがで
き、試料の高さ計測装置の配置と対物レンズの最大収束
磁場中への試料の配置を容易に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による高さ検出法の概略説明図。
【図2】本発明の一実施例の説明図。
【図3】高さ検出器と光学顕微鏡の両者を備えた本発明
の他の実施例の説明図。
【図4】高さ検出器を備えた従来の電子ビーム装置の説
明図。
【符号の説明】
1:電子ビーム、2:対物レンズ、3:ポジションセン
サ、4A,4B:ウィンドー、5:試料室、6:ウエ
ハ、7A,7B:ミラー、8A,8B:集光レンズ、
9:発光素子、10:ステージ、11:レーザ光線、1
2:ウエハホールダ、14:上走査コイル、15:下走
査コイル、16:対物レンズ中心、17:フェライトコ
ア、18:コイルケース、19:加速電極、20:二次
電子、21:偏向コイル、22A,22B:偏向板、2
3:保護円筒、24:シンチレータ、25:ライトガイ
ド、26:導入端子、27:ホトマル、28:上磁極、
29:下磁極、30:磁路、31:励磁コイル、33:
金属円筒で、36:リング状隔壁部材、37:ウィンド
ー、38:像ミラー、39:光学顕微鏡、40:固体撮
像素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笹田 勝弘 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株 式会社日立製作所計測器事業部内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子ビーム発生手段と、第1の磁極と第
    2の磁極を有し、当該両磁極間に発生する磁場によって
    前記電子ビーム発生手段で発生した電子ビームを収束す
    る対物レンズと、試料ステージに配置される試料に対し
    て斜め方向から光ビームを照射する光源と、試料面で反
    射した光ビームを受光してこの受光位置を検知する光検
    出手段を含む試料の高さ計測手段を備えた電子ビーム装
    置であって、 前記第1の磁極と第2の磁極は、前記試料を介して前記
    光源及び光検出手段の反対側に配置されると共に、両磁
    極間の間隙は少なくとも前記試料側に開放されているこ
    とを特徴とする試料の高さ計測手段を備えた電子ビーム
    装置。
  2. 【請求項2】 前記光源はレーザ発光光源であることを
    特徴とする請求項1記載の試料の高さ計測手段を備えた
    電子ビーム装置。
  3. 【請求項3】 前記光検出手段の出力信号によって前記
    磁界形対物レンズの励磁コイルへ流す電流を制御する手
    段を含むことを特徴とする請求項1又は2記載の試料の
    高さ計測手段を備えた電子ビーム装置。
  4. 【請求項4】 前記光検出手段の出力信号によって前記
    ステージ駆動手段を制御する手段を含むことを特徴とす
    る請求項1、2又は3記載の試料の高さ計測手段を備え
    た電子ビーム装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6946656B2 (en) 2001-07-12 2005-09-20 Hitachi, Ltd. Sample electrification measurement method and charged particle beam apparatus
JP2005338096A (ja) * 2001-07-12 2005-12-08 Hitachi Ltd パターン測定方法、及び荷電粒子線装置
US7514683B2 (en) 2006-01-20 2009-04-07 Hitachi High-Technologies Corporation Scanning electron microscope
JP2016011896A (ja) * 2014-06-30 2016-01-21 株式会社ホロン 荷電粒子線装置における高さ測定装置およびオートフォーカス装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6946656B2 (en) 2001-07-12 2005-09-20 Hitachi, Ltd. Sample electrification measurement method and charged particle beam apparatus
JP2005338096A (ja) * 2001-07-12 2005-12-08 Hitachi Ltd パターン測定方法、及び荷電粒子線装置
US7087899B2 (en) 2001-07-12 2006-08-08 Hitachi, Ltd. Sample electrification measurement method and charged particle beam apparatus
US7372028B2 (en) 2001-07-12 2008-05-13 Hitachi, Ltd. Sample electrification measurement method and charged particle beam apparatus
US7700918B2 (en) 2001-07-12 2010-04-20 Hitachi, Ltd. Sample electrification measurement method and charged particle beam apparatus
JP4506588B2 (ja) * 2001-07-12 2010-07-21 株式会社日立製作所 荷電粒子線照射方法、及び荷電粒子線装置
US8835844B2 (en) 2001-07-12 2014-09-16 Hitachi, Ltd. Sample electrification measurement method and charged particle beam apparatus
US7514683B2 (en) 2006-01-20 2009-04-07 Hitachi High-Technologies Corporation Scanning electron microscope
JP2016011896A (ja) * 2014-06-30 2016-01-21 株式会社ホロン 荷電粒子線装置における高さ測定装置およびオートフォーカス装置

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