JPH11121893A - Method and structure for connecting circuit - Google Patents

Method and structure for connecting circuit

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JPH11121893A
JPH11121893A JP30336797A JP30336797A JPH11121893A JP H11121893 A JPH11121893 A JP H11121893A JP 30336797 A JP30336797 A JP 30336797A JP 30336797 A JP30336797 A JP 30336797A JP H11121893 A JPH11121893 A JP H11121893A
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JP
Japan
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substrate
liquid crystal
wiring pattern
electrode terminal
semiconductor device
Prior art date
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Pending
Application number
JP30336797A
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Japanese (ja)
Inventor
Tsuneki Nukanobu
恒樹 糠信
Yasuyuki Watabe
泰之 渡部
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Canon Inc
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Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Publication of JPH11121893A publication Critical patent/JPH11121893A/en
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/361Assembling flexible printed circuits with other printed circuits

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance bondability of an anisotropic conductive adhesive being employed for bonding an electrode terminal formed on a board to a wiring board connected with a semiconductor device by setting the contact angle of the electrode terminal on the board to the water on the connecting surface at a specified value or below or setting the surface energy at a specified level or above. SOLUTION: The structure at the TCP connecting part of a liquid crystal is shown as an example of circuit connection structure. The liquid crystal 1 comprises a liquid crystal element P. Electrode terminals 4 are arranged on the inner surface at the end part of boards 2, 3 (only the board 2 is shown) and, a TCP 6 provided with a semiconductor device and a wiring circuit pattern 8 on a flexible basic material incorporating an IC circuit 5 is bonded through an anisotropic conductive adhesive 7. Since the contact angle θw on the surface of the electrode terminal 4 is set at 70 deg. or the surface energy θ is set at 37 dyne/cm, adhesion of the anisotropic conductive adhesive to the surface of the electrode terminal 4 can be enhanced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、回路接続構造およ
び回路接続方法に関し、特に光学変調装置や液晶装置等
の基板に形成された電極端子と、半導体装置に接続した
配線パターンを備えた配線基板とを接続するのに用いる
異方性導電性接着剤の接着性を高めた回路接続構造およ
び回路接続方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit connection structure and a circuit connection method, and more particularly, to a wiring board having an electrode terminal formed on a substrate of an optical modulator or a liquid crystal device, and a wiring pattern connected to a semiconductor device. The present invention relates to a circuit connection structure and a circuit connection method in which the adhesiveness of an anisotropic conductive adhesive used for connection between the circuit connection structure is improved.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5は液晶装置のTCP接続部分の一般
的な構造を示す説明図である。同図において、液晶装置
1は液晶素子Pを備えている。この液晶素子Pは、間隙
を有した状態で平行に配置された一対のガラス板からな
る基板2,3を備えており、これらの基板2,3の内面
には走査電極や情報電極が形成されている(不図示)。
また、これらの基板2,3は不図示のシール材によって
貼り合わされており、これら基板2,3の間隙には液晶
(不図示)が注入封止されている。さらに、これら基板
2,3の端部の内表面にはそれぞれ電極端子4が配置さ
れており(図には基板2の場合のみを表示)、IC回路
5を組み込んだ、可撓性基材上に半導体装置及び配線パ
ターン8が設けられているTCP(配線基板)6が異方
性導電性接着剤7を介して接着されている。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is an explanatory view showing a general structure of a TCP connection portion of a liquid crystal device. In the figure, the liquid crystal device 1 includes a liquid crystal element P. The liquid crystal element P includes a pair of substrates 2 and 3 formed of a pair of glass plates arranged in parallel with a gap. Scan electrodes and information electrodes are formed on the inner surfaces of these substrates 2 and 3. (Not shown).
The substrates 2 and 3 are bonded together by a sealing material (not shown), and a liquid crystal (not shown) is injected and sealed in a gap between the substrates 2 and 3. Further, electrode terminals 4 are arranged on the inner surfaces of the ends of the substrates 2 and 3 (only the case of the substrate 2 is shown in the figure). A TCP (wiring substrate) 6 on which a semiconductor device and a wiring pattern 8 are provided is bonded via an anisotropic conductive adhesive 7.

【0003】この液晶素子Pの製造方法は、一対の基板
2,3を貼り合わせ、基板間隙に液晶を注入し、液晶素
子の電極端子4部を洗浄し電極端子表面の汚染物質を除
き、さらに電極端子4の表面に異方性導電性接着剤を貼
付し、TCPを接着することにより製造されていた。
In the method of manufacturing the liquid crystal element P, a pair of substrates 2 and 3 are attached to each other, a liquid crystal is injected into a gap between the substrates, and the electrode terminals 4 of the liquid crystal element are washed to remove contaminants on the surface of the electrode terminals. It has been manufactured by attaching an anisotropic conductive adhesive to the surface of the electrode terminal 4 and attaching TCP.

【0004】この様に、異方性導電性接着剤を貼付する
前の工程では、電極端子4の表面に汚染物質が付着する
ことが確認されているが、この汚染物質は、異方性導電
性接着剤貼付前の洗浄だけでは完全には除去されずに、
異方性導電性接着剤を貼付する際に電極端子4の表面に
残留する事が確認されている。
As described above, it is confirmed that a contaminant adheres to the surface of the electrode terminal 4 in a step before the anisotropic conductive adhesive is applied. It is not completely removed only by washing before applying the adhesive,
It has been confirmed that the adhesive remains on the surface of the electrode terminal 4 when the anisotropic conductive adhesive is applied.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、異方性導電
性接着剤は厚さ15〜30μmの接着性フィルム21中
に導電性粒子22(直径3〜15μmの粒子)を分散さ
せたものである。図2(b)に示す様に、この異方性導
電性接着剤7を接続しようとするTCP6の電極端子9
と基板の電極端子4間に挟み、上下の電極端子を位置合
わせをし、加熱、加圧(熱圧着)する。これにより異方
性導電性接着剤7の接着性フィルム21の接着剤が溶解
し、上下の電極端子間が狭まることにより、導電性粒子
22が上下の電極端子4,9と接触し導通する。熱圧着
の条件は150〜200℃、20〜40kg/cm2
10〜20secが望ましい。
The anisotropic conductive adhesive is obtained by dispersing conductive particles 22 (particles having a diameter of 3 to 15 μm) in an adhesive film 21 having a thickness of 15 to 30 μm. . As shown in FIG. 2B, an electrode terminal 9 of the TCP 6 to which the anisotropic conductive adhesive 7 is to be connected.
And the upper and lower electrode terminals are positioned between the substrate and the electrode terminals 4 of the substrate, and heated and pressed (thermocompression bonding). As a result, the adhesive of the adhesive film 21 of the anisotropic conductive adhesive 7 is melted, and the space between the upper and lower electrode terminals is narrowed, so that the conductive particles 22 come into contact with the upper and lower electrode terminals 4 and 9 to conduct electricity. The conditions of thermocompression bonding are 150 to 200 ° C, 20 to 40 kg / cm 2 ,
10-20 sec is desirable.

【0006】ところが、前記基板の電極端子の表面に付
着している残留汚染物質が原因で、異方性導電性接着剤
貼付直後に異方性導電性接着剤が電極端子から剥がれる
といった異方性導電性接着剤貼付不良、また熱圧着直後
にも液晶素子の電極端子表面から剥離し易いという問題
があった。
However, due to residual contaminants adhering to the surface of the electrode terminal of the substrate, the anisotropic conductive adhesive is peeled off from the electrode terminal immediately after the anisotropic conductive adhesive is applied. There was a problem that the conductive adhesive was poorly adhered and that it was easily peeled off from the electrode terminal surface of the liquid crystal element immediately after thermocompression bonding.

【0007】本発明は、この様な従来技術の欠点を改善
するためになされたものであり、基板に形成された電極
端子と、半導体装置に接続した配線パターンを備えた配
線基板とを接続するのに用いる異方性導電性接着剤の接
着性を高めた回路接続構造および回路接続方法を提供す
ることを目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to improve such disadvantages of the prior art, and connects an electrode terminal formed on a substrate to a wiring substrate having a wiring pattern connected to a semiconductor device. It is an object of the present invention to provide a circuit connection structure and a circuit connection method in which the adhesiveness of the anisotropic conductive adhesive used in the above is improved.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、半導体
装置と該半導体装置と一端で接続した配線パターンを備
えた配線基板の該配線パターンがその他端において基板
上に形成された電極端子と接続される回路接続構造であ
って、該基板の電極端子の接続表面における水に対する
接触角θwが70°以下であり、或いは表面エネルギー
γが37dyne/cm以上であることを特徴とする回
路接続構造である。
That is, the present invention relates to a wiring board provided with a semiconductor device and a wiring pattern connected at one end to the semiconductor device, wherein the wiring pattern is formed at the other end with an electrode terminal formed on the substrate. a circuit connection structure connected, contact angle theta w to water at connection surfaces of the electrode terminals of the substrate is at 70 ° or less, or a circuit connected to the surface energy γ is equal to or is 37 dyne / cm or more Structure.

【0009】また、本発明は、電極を備えると共に該電
極の端子が周縁部に形成された基板の少なくとも一つを
有する光学変調パネルと、入力電極及び出力電極を備え
該光学変調パネルの電極に駆動波形を供給する半導体装
置及び該半導体装置に接続する配線パターンを備えた配
線基板とを有する光学変調装置であって、該配線基板の
配線パターンが光学変調パネルの基板上に形成された電
極端子と接続され、該光学変調パネルの電極端子の接続
表面における水に対する接触角θwが70°以下であ
り、或いは表面エネルギーγが37dyne/cm以上
であることを特徴とする光学変調装置である。
Further, the present invention provides an optical modulation panel having an electrode and having at least one of substrates on which a terminal of the electrode is formed on a peripheral portion, and an electrode of the optical modulation panel having an input electrode and an output electrode. What is claimed is: 1. An optical modulation device comprising: a semiconductor device for supplying a drive waveform; and a wiring substrate having a wiring pattern connected to the semiconductor device, wherein the wiring pattern of the wiring substrate is formed on a substrate of the optical modulation panel. is connected to the contact angle theta w to water at connection surfaces of the electrode terminals of the optical modulation panel is not less 70 ° or less, or surface energy γ is an optical modulator, characterized in that it is 37 dyne / cm or more.

【0010】また、本発明は、一対の基板間に液晶を挟
持し、少なくとも一方の基板において電極を備えると共
に該電極の端子が周縁部に形成された液晶パネルと、入
力電極及び出力電極を備え該液晶パネルの電極に駆動波
形を供給する半導体装置及び該半導体装置に接続する配
線パターンを備えた配線基板とを有する液晶装置であっ
て、配線基板の配線パターンが液晶パネルの少なくとも
一方の基板上に形成された電極端子と接続され、該液晶
パネルの電極端子の接続表面における水に対する接触角
θwが70°以下であり、或いは表面エネルギーγが3
7dyne/cm以上であることを特徴とする液晶装置
である。
Further, the present invention comprises a liquid crystal panel having a liquid crystal sandwiched between a pair of substrates, electrodes provided on at least one of the substrates, and terminals of the electrodes formed on a peripheral portion, and input electrodes and output electrodes. A liquid crystal device comprising: a semiconductor device that supplies a drive waveform to an electrode of the liquid crystal panel; and a wiring substrate having a wiring pattern connected to the semiconductor device, wherein the wiring pattern of the wiring substrate is formed on at least one substrate of the liquid crystal panel. is connected to the electrodes formed terminal, or less contact angle theta w is 70 ° to water in the connection surfaces of the electrode terminals of the liquid crystal panel, or the surface energy γ is 3
It is a liquid crystal device characterized by being 7 dyne / cm or more.

【0011】本発明の上記の回路接続構造において、前
記配線基板が、可撓性基材上に半導体装置及び配線パタ
ーンが設けられているTCP構造体であるのが好まし
い。また、前記配線パターンの他端と、基板上の電極端
子が異方性導電性接着剤を介して接続されているのが好
ましい。
In the above circuit connection structure of the present invention, it is preferable that the wiring substrate is a TCP structure in which a semiconductor device and a wiring pattern are provided on a flexible base material. Further, it is preferable that the other end of the wiring pattern and the electrode terminal on the substrate are connected via an anisotropic conductive adhesive.

【0012】さらに、本発明は、半導体装置と該半導体
装置と一端で接続した配線パターンを備えた配線基板の
該配線パターンがその他端において基板上に形成された
電極端子と接続する回路接続方法であって、該基板の電
極端子の接続表面における水に対する接触角θwが70
°以下であり、或いは表面エネルギーγが37dyne
/cm以上として、配線基板の配線パターンと基板の電
極端子を接続することを特徴とする回路接続方法であ
る。
Further, the present invention relates to a circuit connecting method for connecting a wiring pattern of a wiring board having a semiconductor device and a wiring pattern connected to the semiconductor device at one end to an electrode terminal formed on the substrate at the other end. there are, contact angle theta w to water at the connection surface of the electrode terminals of the substrate 70
° or less, or the surface energy γ is 37 dyne
/ Cm or more, and connecting the wiring pattern of the wiring board to the electrode terminal of the board.

【0013】本発明の上記の回路接続方法において、前
記基板の電極端子の接続表面に対して、UV照射及びオ
ゾンの暴露を行い水に対する接触角θwを70°以下と
し、或いは表面エネルギーγが37dyne/cm以上
とするのが好ましい。前記電極端子を有する基板を加熱
して処理を行うのが好ましい。基板の加熱温度を120
〜200℃の範囲で行うのが好ましい。
[0013] In the above circuit connecting method of the present invention, with respect to the connecting surface of the electrode terminals of the substrate, and less contact angle theta w 70 ° with respect to water subjected to UV irradiation and exposure of ozone or the surface energy γ is It is preferably at least 37 dyne / cm. Preferably, the treatment is performed by heating the substrate having the electrode terminals. Substrate heating temperature 120
It is preferable to carry out in the range of -200 ° C.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明の回路接続構造は、例えば
光学変調装置の周縁部における電極端子の接続、特に液
晶装置の基板周縁部における電極端子とTCP構造体の
接続において、電極端子の接続表面の汚染物質を除去
し、表面エネルギーを最適な設定とし、接続力(接着
力)を高めるものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The circuit connection structure of the present invention is used for connection of electrode terminals, for example, in connection of electrode terminals on the periphery of an optical modulator, particularly connection between electrode terminals and the TCP structure on the periphery of a substrate of a liquid crystal device. It removes surface contaminants, optimizes the surface energy, and enhances the connection strength (adhesion).

【0015】すなわち、本発明の回路接続構造は、半導
体装置と該半導体装置と一端で接続した配線パターンを
備えた配線基板の該配線パターンがその他端において基
板上に形成された電極端子と接続される回路接続構造で
あって、該基板の電極端子の接続表面における水に対す
る接触角θwが70°以下であり、或いは表面エネルギ
ーγが37dyne/cm以上であることを特徴とす
る。
That is, in the circuit connection structure of the present invention, the wiring pattern of a wiring board having a semiconductor device and a wiring pattern connected to the semiconductor device at one end is connected to an electrode terminal formed on the substrate at the other end. a circuit connection structure that the contact angle theta w to water at the connection surface of the electrode terminal of the substrate is at 70 ° or less, or surface energy γ is equal to or is 37 dyne / cm or more.

【0016】図1は本発明の回路接続構造の一例として
液晶装置のTCP接続部分の構造を示す説明図である。
同図において、液晶装置1は液晶素子Pを備えている。
この液晶素子Pは、間隙を有した状態で平行に配置され
た一対のガラス板からなる基板2,3を備えており、こ
れらの基板2,3の内面には走査電極や情報電極が形成
されている(不図示)。また、これらの基板2,3は不
図示のシール材によって貼り合わされており、これら基
板2,3の間隙には液晶(不図示)が注入封止されてい
る。さらに、これら基板2,3の端部の内表面にはそれ
ぞれ電極端子4が配置されており(図には基板2の場合
のみを表示)、IC回路5を組み込んだ、可撓性基材上
に半導体装置及び配線パターン8が設けられているTC
P6が異方性導電性接着剤7を介して接着されている。
以上の電極端子4表面での水の接触角θwが70°以下
であり、或は表面エネルギーγが37dyne/cm以
上であることにより、前記電極端子4の表面に貼付され
る異方性導電性接着剤7の接着力を高めることができ
る。
FIG. 1 is an explanatory view showing the structure of a TCP connection portion of a liquid crystal device as an example of the circuit connection structure of the present invention.
In the figure, the liquid crystal device 1 includes a liquid crystal element P.
The liquid crystal element P includes a pair of substrates 2 and 3 formed of a pair of glass plates arranged in parallel with a gap. Scan electrodes and information electrodes are formed on the inner surfaces of these substrates 2 and 3. (Not shown). The substrates 2 and 3 are bonded together by a sealing material (not shown), and a liquid crystal (not shown) is injected and sealed in a gap between the substrates 2 and 3. Further, electrode terminals 4 are arranged on the inner surfaces of the ends of the substrates 2 and 3 (only the case of the substrate 2 is shown in the figure). In which a semiconductor device and a wiring pattern 8 are provided
P6 is bonded via an anisotropic conductive adhesive 7.
Or more electrode terminals 4 contact angle theta w of water on the surface is not more 70 ° or less, or by the surface energy γ is 37 dyne / cm or more, the anisotropic conductive to be attached to the surface of the electrode terminal 4 The adhesive force of the adhesive 7 can be increased.

【0017】本発明における表面エネルギーγの測定法
について説明する。図3は、接触角の測定法を説明する
ための模式図である。表面エネルギーγは界面の性質や
汚れ具合などを判断するのに重要な量である。つまり、
表面のぬれ性は接触角を測定することで調べることがで
きる。接触角測定法として広く用いられている方法に
は、液滴法、傾板法、毛管上昇法などがあげられるが、
本発明では液滴法を用いた。この方法においては、試料
となる液晶素子Pの電極端子4の表面に液滴を置き、低
倍率の顕微鏡を用いて、図3に示すように、その液滴3
0を拡大像とする。そして、その視野中にある直線31
を液滴30の接点を中心に回転させ、接線の位置での角
度を読みとる。本発明では、3種類の液体(α−ブロモ
ナフタレン、ヨウ化メチレン、水)の接触角を液滴法で
測定し、表面エネルギーγを算出した。なお、図中の符
号Dは電極端子表面を示す。
The method of measuring the surface energy γ in the present invention will be described. FIG. 3 is a schematic diagram for explaining a method of measuring a contact angle. The surface energy γ is an important amount for judging the properties of the interface and the degree of contamination. That is,
The wettability of the surface can be determined by measuring the contact angle. Droplet method, inclined plate method, capillary rise method and the like are widely used as contact angle measurement methods,
In the present invention, the droplet method was used. In this method, a droplet is placed on the surface of an electrode terminal 4 of a liquid crystal element P to be a sample, and the droplet 3
0 is an enlarged image. And the straight line 31 in the field of view
Is rotated about the contact point of the droplet 30, and the angle at the position of the tangent is read. In the present invention, the contact angles of three types of liquids (α-bromonaphthalene, methylene iodide, and water) were measured by a droplet method, and the surface energy γ was calculated. In addition, the code | symbol D in a figure shows an electrode terminal surface.

【0018】表面エネルギーγを算出は下記の方法によ
り求めた。Fowkesの式を拡張した式(1)
The surface energy γ was calculated by the following method. Formula (1) obtained by expanding Fowkes' formula

【0019】[0019]

【数1】 γ d L、γ p L、γ h Lはそれぞれ液体の分散項、極性
項、水素結合項成分 γ d S、γ p S、γ h Sはそれぞれ検体(固体)の分散
項、極性項、水素結合項成分 θはそれぞれの液体の接触角 を用いて3種類の液体それぞれのθとγ Lを代入して得
られた3つの方程式からγ Sを算出し、その総和γ d S
γ p S+γ h S=γとした。
(Equation 1)γd L, Γp L, Γh LIs the dispersion term of the liquid and the polarity
Term, hydrogen bond term component γd S, Γp S, Γh SIs the dispersion of the sample (solid)
Term, polar term, and hydrogen bond term component θ are calculated by using the contact angle of each liquid and LBy substituting
From the three equations obtained, γ SAnd the sum γd S+
γp S+ Γh S= Γ.

【0020】[0020]

【表1】 [Table 1]

【0021】本発明においては、電極端子4の表面での
水の接触角θwが70°以下であり、或は表面エネルギ
ーγが37dyne/cm以上とする方法として、基板
の電極端子の接続表面に対して、UV照射及びオゾンの
暴露を行うのが好ましい。
In the present invention has a contact angle theta w of water on the surface of the electrode terminal 4 is 70 ° or less, or as a method of surface energy γ is to 37 dyne / cm or more, the connection surfaces of the electrode terminals of the substrate It is preferable to perform UV irradiation and exposure to ozone.

【0022】以下に、UV光照射とオゾンの暴露につい
て説明する。電極端子表面の接触角θw と表面エネルギ
ーγの範囲を広くとるため液晶注入前に、UV光の照射
とオゾンの暴露を行う。UV光の照射とオゾンの暴露と
は図4に示すセル表面処理装置40を用いて行った。該
装置40はホットプレート41を備えており、このホッ
トプレート41上に液晶素子Pを載置するとともに、載
置された液晶素子Pが加熱されるようになっている。
Hereinafter, UV light irradiation and ozone exposure will be described. Before liquid crystal injection for a wider range of contact angle theta w and the surface energy γ of the electrode terminal surfaces, performs exposure radiation and ozone of the UV light. Irradiation with UV light and exposure with ozone were performed using the cell surface treatment apparatus 40 shown in FIG. The device 40 includes a hot plate 41, on which the liquid crystal element P is mounted, and the mounted liquid crystal element P is heated.

【0023】加熱温度は、汚れ除去の点からは高い方が
よいが、例えば液晶素子に設けられる配向制御膜の配向
処理効果が影響を受ける場合もあることから、120℃
〜200℃の温度が好ましい。また、このホットプレー
ト41の上方には、遮蔽部材としての石英ガラス42が
配置されて液晶素子Pがこの石英ガラス42によって囲
まれるようになっており、該石英ガラス42の上方には
UVランプ43が載置されている。さらに、石英ガラス
42とホットプレート41の間の空間にはオゾン供給ノ
ズル45が開口されて、石英ガラス42と液晶素子Pと
の間にオゾンが供給されるようになっている。なお、こ
のオゾンの供給量は、50g/cm3 で行った。UVラ
ンプ43は500Wのものを使用した。UV光の照射時
間を変えて、電極端子表面の接触角θw と表面エネルギ
ーγの値をコントロールした。この処理後、液晶を注入
し、その後接触角を測定した。
The heating temperature is preferably higher from the viewpoint of removing dirt. However, since the effect of the alignment treatment of the alignment control film provided on the liquid crystal element may be affected, for example, the heating temperature is set to 120 ° C.
Temperatures of ~ 200 ° C are preferred. Above the hot plate 41, a quartz glass 42 as a shielding member is disposed so that the liquid crystal element P is surrounded by the quartz glass 42. Above the quartz glass 42, a UV lamp 43 is provided. Is placed. Further, an ozone supply nozzle 45 is opened in a space between the quartz glass 42 and the hot plate 41 so that ozone is supplied between the quartz glass 42 and the liquid crystal element P. The supply of ozone was performed at 50 g / cm 3 . The UV lamp 43 used was 500 W. By changing the irradiation time of the UV light was controlled to the value of the contact angle theta w and the surface energy γ of the electrode terminal surface. After this treatment, liquid crystal was injected, and then the contact angle was measured.

【0024】[0024]

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples.

【0025】参考例1 液晶素子として、上下ストライプにパターニングしたI
TO電極を有し、その電極上に無機の絶縁膜(Ta
25)を付与し、その上にポリイミド配向膜をラビング
処理した素子を用いて、電極端子表面に液晶注入前に、
図4に示す方法で、基板を温度150℃で加熱し、オゾ
ンの供給量は、50g/cm3 で、UVランプ43は5
00Wのものを使用して、UV光の照射とオゾンの暴露
を行った。
Reference Example 1 As a liquid crystal element, I was patterned into upper and lower stripes.
It has a TO electrode, and an inorganic insulating film (Ta
2 O 5 ), and using a device in which a polyimide alignment film was rubbed thereon, before injecting liquid crystal into the electrode terminal surface,
4, the substrate is heated at a temperature of 150 ° C., the supply amount of ozone is 50 g / cm 3 , and the UV lamp 43 is
UV light irradiation and ozone exposure were performed using a 00 W laser.

【0026】電極端子と異方性導電性接着剤貼付直前
に、電極端子表面の接触角を測定し、表面エネルギーγ
を測定した。そして貼付した異方性導電性接着剤を観察
し、剥がれの有無を調べた。表2は、測定した表面エネ
ルギーγと、剥がれ状況をまとめたものであり、表3
は、測定した水の接触角θw と、剥がれ状況とをまとめ
たものである。なお、本実験は80個の電極端子に対し
て行った。
Immediately before attaching the electrode terminal and the anisotropic conductive adhesive, the contact angle of the electrode terminal surface was measured, and the surface energy γ
Was measured. Then, the attached anisotropic conductive adhesive was observed, and the presence or absence of peeling was examined. Table 2 summarizes the measured surface energy γ and the peeling state.
Summarizes the contact angle theta w of the measured water, a situation peeling. This experiment was performed on 80 electrode terminals.

【0027】[0027]

【表2】 [Table 2]

【0028】[0028]

【表3】 [Table 3]

【0029】本実験によれば、30dyne/cm≦γ
<35dyne/cm、80°≦θw ≦90°で、異方
性導電性接着剤剥がれが観察され、γ≧35dyne/
cm、θw <80°では剥がれは観察されなかった。つ
まり、異方性導電性接着剤貼付直後に異方性導電性接着
剤が電極端子表面Dから剥離しない表面Dの条件は、γ
≧35dyne/cm、θw <80°である。
According to this experiment, 30 dyne / cm ≦ γ
At <35 dyne / cm, 80 ° ≦ θ w ≦ 90 °, peeling of the anisotropic conductive adhesive was observed, and γ ≧ 35 dyne /
In cm and θ w <80 °, no peeling was observed. That is, the condition of the surface D where the anisotropic conductive adhesive does not peel off from the electrode terminal surface D immediately after the application of the anisotropic conductive adhesive is γ
≧ 35 dyne / cm, θ w <80 °.

【0030】実施例1 次に参考例1において剥がれがみられなかった異方性導
電性接着剤について、熱圧着後の剥がれの状況を調べ
た。表4は、測定した表面エネルギーγと、剥がれ状況
をまとめたものであり、表5は、測定した水の接触角θ
w と、剥がれ状況とをまとめたものである。
Example 1 Next, with respect to the anisotropic conductive adhesive in which no peeling was observed in Reference Example 1, the state of peeling after thermocompression bonding was examined. Table 4 summarizes the measured surface energy γ and the peeling status, and Table 5 shows the measured water contact angle θ.
It is a summary of w and the peeling status.

【0031】[0031]

【表4】 [Table 4]

【0032】[0032]

【表5】 [Table 5]

【0033】本実験によれば、35dyne/cm≦γ
<37dyne/cm、70°<θw <80°のもので
は、異方性導電性接着剤剥がれが観察され、γ≧37d
yne/cm、θw ≦70°では剥がれは観察されなか
った。なお、35dyne/cm≦γ<37dyne/
cmでも剥離が見られなかったものが4つあったが、こ
れらはθw ≦70°であり、70°<θw <80°でも
剥離が発生しなかったものが6つあったが、これらはγ
≧37dyne/cmであった。
According to this experiment, 35 dyne / cm ≦ γ
In the case of <37 dyne / cm, 70 ° <θ w <80 °, peeling of the anisotropic conductive adhesive was observed, and γ ≧ 37d
At yne / cm and θ w ≦ 70 °, no peeling was observed. Note that 35 dyne / cm ≦ γ <37 dyne /
cm did not show peeling, but these were θ w ≦ 70 °, and 6 did not show peeling even at 70 ° <θ w <80 °. Is γ
≧ 37 dyne / cm.

【0034】つまり、熱圧着後でも異方性導電性接着剤
の液晶素子電極端子表面からの剥離が生じない条件は、
γ≧37dyne/cm、θw ≦70°である。電極端
子表面のθw が70°以下またはγが37dyne/c
m以上であれば、異方性導電性接着剤は液晶素子の電極
端子表面から剥離せず、本来の異方性導電性接着剤の機
能を果たすことができる。
That is, the conditions under which the anisotropic conductive adhesive does not peel off from the liquid crystal element electrode terminal surface even after thermocompression bonding are as follows:
γ ≧ 37 dyne / cm and θ w ≦ 70 °. Θ w of the electrode terminal surface is 70 ° or less or γ is 37 dyne / c
If m or more, the anisotropic conductive adhesive does not peel off from the electrode terminal surface of the liquid crystal element, and can fulfill the function of the original anisotropic conductive adhesive.

【0035】実施例2 次に、実施例1で、剥離しなかった素子を備えた液晶装
置について、適正な表示ができるか駆動評価を行った。
素子はカイラルスメクチック液晶を注入したものを用い
た。評価は、図6に示す双極波形を順次印加して行った
ところ、すべての装置で良好なスイッチングを示した。
Example 2 Next, in Example 1, a drive evaluation was performed on a liquid crystal device having an element that was not peeled to determine whether proper display was possible.
The device used was one into which chiral smectic liquid crystal was injected. The evaluation was performed by sequentially applying the bipolar waveforms shown in FIG. 6, and all the devices showed good switching.

【0036】上記の評価はカイラルスメクチック液晶を
用いた素子で行ったが、ネマチック液晶を用いた素子で
同様の評価を行った場合でも同様に良好なスイッチング
特性が得られた。
Although the above evaluation was performed on a device using a chiral smectic liquid crystal, good switching characteristics were similarly obtained when the same evaluation was performed on a device using a nematic liquid crystal.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
回路接続構造、特に光学変調装置や液晶装置等の基板に
形成された電極端子と、半導体装置に接続した配線パタ
ーンを備えた配線基板とを接続するのに用いる異方性導
電性接着剤を、前記電極端子表面での水の接触角θw
70°以下であり、或は表面エネルギーγが37dyn
e/cm以上とすることにより、前記電極端子表面に貼
付される異方性導電性接着剤の接着力を高めることがで
きる。
As described above, according to the present invention,
A circuit connection structure, particularly an anisotropic conductive adhesive used to connect an electrode terminal formed on a substrate such as an optical modulation device or a liquid crystal device with a wiring substrate having a wiring pattern connected to a semiconductor device, wherein is the contact angle theta w of water in the electrode terminal surface 70 ° or less, or surface energy gamma 37Dyn
By setting it to e / cm or more, the adhesive strength of the anisotropic conductive adhesive stuck to the electrode terminal surface can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の回路接続構造の一例として液晶装置の
TCP接続部分の構造を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a structure of a TCP connection part of a liquid crystal device as an example of a circuit connection structure of the present invention.

【図2】異方性導電性接着剤を用いた回路接続構造を示
す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a circuit connection structure using an anisotropic conductive adhesive.

【図3】接触角の測定法を説明するための模式図であ
る。
FIG. 3 is a schematic diagram for explaining a method of measuring a contact angle.

【図4】UV光照射とオゾンの暴露を示す説明図であ
る。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing UV light irradiation and ozone exposure.

【図5】液晶装置のTCP接続部分の一般的な構造を示
す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a general structure of a TCP connection part of a liquid crystal device.

【図6】液晶装置の駆動評価をするための駆動波形を示
す図である。
FIG. 6 is a diagram showing driving waveforms for evaluating driving of the liquid crystal device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 液晶装置 2,3 基板 4,9 電極端子 5 IC回路 6 TCP 7 異方性導電性接着剤 8 配線パタ−ン P 液晶素子 21 接着性フィルム 22 導電性粒子 30 液滴 31 直線(視野中央部での液滴接線) 40 セル表面処理装置 41 ホットプレート 42 石英ガラス 43 UVランプ 44 UV光 45 オゾン供給ノズル 46 オゾン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Liquid crystal device 2,3 Substrate 4,9 Electrode terminal 5 IC circuit 6 TCP 7 Anisotropic conductive adhesive 8 Wiring pattern P Liquid crystal element 21 Adhesive film 22 Conductive particle 30 Droplet 31 Straight line (central part of visual field) 40 Cell surface treatment device 41 Hot plate 42 Quartz glass 43 UV lamp 44 UV light 45 Ozone supply nozzle 46 Ozone

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体装置と該半導体装置と一端で接続
した配線パターンを備えた配線基板の該配線パターンが
その他端において基板上に形成された電極端子と接続さ
れる回路接続構造であって、該基板の電極端子の接続表
面における水に対する接触角θwが70°以下であり、
或いは表面エネルギーγが37dyne/cm以上であ
ることを特徴とする回路接続構造。
1. A circuit connection structure in which a wiring pattern of a wiring board provided with a semiconductor device and a wiring pattern connected to the semiconductor device at one end is connected to an electrode terminal formed on the substrate at the other end. A contact angle θ w of water on the connection surface of the electrode terminal of the substrate to 70 ° or less;
Alternatively, the circuit connection structure, wherein the surface energy γ is 37 dyne / cm or more.
【請求項2】 前記配線基板が、可撓性基材上に半導体
装置及び配線パターンが設けられているTCP構造体で
ある請求項1記載の回路接続構造。
2. The circuit connection structure according to claim 1, wherein the wiring substrate is a TCP structure in which a semiconductor device and a wiring pattern are provided on a flexible base material.
【請求項3】 前記配線パターンの他端と、基板上の電
極端子が異方性導電性接着剤を介して接続されている請
求項1記載の回路接続構造。
3. The circuit connection structure according to claim 1, wherein the other end of the wiring pattern and an electrode terminal on the substrate are connected via an anisotropic conductive adhesive.
【請求項4】 電極を備えると共に該電極の端子が周縁
部に形成された基板の少なくとも一つを有する光学変調
パネルと、入力電極及び出力電極を備え該光学変調パネ
ルの電極に駆動波形を供給する半導体装置及び該半導体
装置に接続する配線パターンを備えた配線基板とを有す
る光学変調装置であって、該配線基板の配線パターンが
光学変調パネルの基板上に形成された電極端子と接続さ
れ、該光学変調パネルの電極端子の接続表面における水
に対する接触角θwが70°以下であり、或いは表面エ
ネルギーγが37dyne/cm以上であることを特徴
とする光学変調装置。
4. An optical modulation panel having electrodes and having at least one of substrates on which terminals of the electrodes are formed on a peripheral portion, and a drive waveform is provided to the electrodes of the optical modulation panel having input electrodes and output electrodes. An optical modulator having a semiconductor device and a wiring substrate having a wiring pattern connected to the semiconductor device, wherein the wiring pattern of the wiring substrate is connected to an electrode terminal formed on the substrate of the optical modulation panel, optical modulator, wherein the contact angle theta w to water at the connection surface of the electrode terminals of the optical modulation panel is at 70 ° or less, or surface energy γ is 37 dyne / cm or more.
【請求項5】 前記配線基板が、可撓性基材上に半導体
装置及び配線パターンが設けられているTCP構造体で
ある請求項4記載の光学変調装置。
5. The optical modulation device according to claim 4, wherein the wiring substrate is a TCP structure in which a semiconductor device and a wiring pattern are provided on a flexible base material.
【請求項6】 前記配線パターンと前記光学変調パネル
の基板上の電極端子が異方性導電性接着剤を介して接続
されている請求項4記載の光学変調装置。
6. The optical modulation device according to claim 4, wherein the wiring pattern and an electrode terminal on the substrate of the optical modulation panel are connected via an anisotropic conductive adhesive.
【請求項7】 一対の基板間に液晶を挟持し、少なくと
も一方の基板において電極を備えると共に該電極の端子
が周縁部に形成された液晶パネルと、入力電極及び出力
電極を備え該液晶パネルの電極に駆動波形を供給する半
導体装置及び該半導体装置に接続する配線パターンを備
えた配線基板とを有する液晶装置であって、配線基板の
配線パターンが液晶パネルの少なくとも一方の基板上に
形成された電極端子と接続され、該液晶パネルの電極端
子の接続表面における水に対する接触角θwが70°以
下であり、或いは表面エネルギーγが37dyne/c
m以上であることを特徴とする液晶装置。
7. A liquid crystal panel comprising a liquid crystal panel having a liquid crystal sandwiched between a pair of substrates, electrodes provided on at least one substrate, and terminals of the electrodes formed on a peripheral portion, and an input electrode and an output electrode. What is claimed is: 1. A liquid crystal device comprising: a semiconductor device for supplying a drive waveform to an electrode; and a wiring substrate having a wiring pattern connected to the semiconductor device, wherein the wiring pattern of the wiring substrate is formed on at least one substrate of the liquid crystal panel. is connected to the electrode terminal, the contact angle theta w to water at connection surfaces of the electrode terminals of the liquid crystal panel is not less 70 ° or less, or surface energy γ is 37 dyne / c
m or more.
【請求項8】 前記配線基板が、可撓性基材上に半導体
装置及び配線パターンが設けられているTCP構造体で
ある請求項7記載の液晶装置。
8. The liquid crystal device according to claim 7, wherein the wiring substrate is a TCP structure in which a semiconductor device and a wiring pattern are provided on a flexible base material.
【請求項9】 前記配線パターンと前記液晶パネルの基
板上の電極端子が異方性導電性接着剤を介して接続され
ている請求項7記載の液晶装置。
9. The liquid crystal device according to claim 7, wherein the wiring pattern and an electrode terminal on the substrate of the liquid crystal panel are connected via an anisotropic conductive adhesive.
【請求項10】 半導体装置と該半導体装置と一端で接
続した配線パターンを備えた配線基板の該配線パターン
がその他端において基板上に形成された電極端子と接続
する回路接続方法であって、該基板の電極端子の接続表
面における水に対する接触角θwが70°以下であり、
或いは表面エネルギーγが37dyne/cm以上とし
て、配線基板の配線パターンと基板の電極端子を接続す
ることを特徴とする回路接続方法。
10. A circuit connection method in which a wiring pattern of a wiring board having a semiconductor device and a wiring pattern connected to the semiconductor device at one end is connected to an electrode terminal formed on the substrate at the other end. the contact angle theta w to water at the connection surface of the substrate of the electrode terminals is not more 70 ° or less,
Alternatively, a circuit connection method comprising connecting a wiring pattern of a wiring board to an electrode terminal of the board by setting the surface energy γ to 37 dyne / cm or more.
【請求項11】 前記基板の電極端子の接続表面に対し
て、UV照射及びオゾンの暴露を行い水に対する接触角
θwを70°以下とし、或いは表面エネルギーγが37
dyne/cm以上とする請求項10記載の回路接続方
法。
Respect 11. The connection surfaces of the electrode terminals of the substrate, and less contact angle theta w 70 ° with respect to water subjected to UV irradiation and exposure of ozone or the surface energy γ of 37
The circuit connection method according to claim 10, wherein dyne / cm or more is set.
【請求項12】 前記電極端子を有する基板を加熱する
請求項11記載の回路接続方法。
12. The circuit connection method according to claim 11, wherein the substrate having the electrode terminals is heated.
【請求項13】 基板の加熱温度を120〜200℃の
範囲で行う請求項12記載の回路接続方法。
13. The circuit connection method according to claim 12, wherein the heating temperature of the substrate is in a range of 120 to 200 ° C.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100517877B1 (en) * 2001-02-28 2005-09-29 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 Liquid crystal display device
KR100735988B1 (en) * 2004-08-27 2007-07-06 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Electro-optical device and electronic apparatus
KR100788531B1 (en) 2006-12-08 2007-12-24 엘에스전선 주식회사 Anisotropic conductive adhesive and anisotropic conductive film using the same
WO2013030925A1 (en) * 2011-08-29 2013-03-07 日立化成株式会社 Light control film

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