JPH11121365A - Aligner and exposing method - Google Patents
Aligner and exposing methodInfo
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- JPH11121365A JPH11121365A JP9303410A JP30341097A JPH11121365A JP H11121365 A JPH11121365 A JP H11121365A JP 9303410 A JP9303410 A JP 9303410A JP 30341097 A JP30341097 A JP 30341097A JP H11121365 A JPH11121365 A JP H11121365A
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
や半導体集積回路等の製造に使用される露光装置及び露
光方法に関する。The present invention relates to an exposure apparatus and an exposure method used for manufacturing a liquid crystal display, a semiconductor integrated circuit, and the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】液晶ディスプレイや半導体集積回路等の
製造は、レチクルやマスク等の投影原版(本明細書にお
いてレチクルと総称する。)上に形成された回路パター
ンを照明光学系で照明し、このパターンを投影光学系で
レジスト等の感光剤を塗布したガラスプレートやウエハ
等の感光性基板(本明細書において被露光基板と総称す
る。)に結像転写することによって行われているが、近
年液晶ディスプレイ等の大型化に伴い、大型の被露光基
板上に回路パターンを投影露光する要求がますます高ま
っている。大型の被露光基板上に回路パターンを投影露
光する方法としては、被露光基板を前後左右4つの露光
領域に分割し、被露光基板を載置した被露光基板ステー
ジを前後左右に移動させて、4つの露光領域を順次露光
する方法が知られている。すなわち、まず例えば前側左
部分の露光領域を投影光学系の結像位置に置いて第1の
露光を行い、さらに被露光基板ステージを左右方向に平
行移動させて前側右部分の露光領域を投影光学系の結像
位置に置いて第2の露光を行う。つぎに被露光基板ステ
ージを前後方向に平行移動させ、後側右部分の露光領域
を投影光学系の結像位置に置いて第3の露光を行い、さ
らに被露光基板ステージを左右方向に平行移動させて後
側左部分を投影光学系の結像位置に置いて第4の露光を
行う。2. Description of the Related Art In the manufacture of liquid crystal displays, semiconductor integrated circuits, and the like, a circuit pattern formed on a projection original (such as a reticle in this specification) such as a reticle or a mask is illuminated by an illumination optical system. It is performed by image-transferring a pattern onto a photosensitive substrate (collectively referred to as a substrate to be exposed in this specification) such as a glass plate or a wafer coated with a photosensitive agent such as a resist by a projection optical system. With the increase in size of liquid crystal displays and the like, there is an increasing demand for projecting and exposing a circuit pattern on a large-sized substrate to be exposed. As a method of projecting and exposing a circuit pattern on a large substrate to be exposed, the substrate to be exposed is divided into four front, rear, left and right exposure regions, and a substrate stage on which the substrate to be exposed is mounted is moved back and forth, left and right, A method of sequentially exposing four exposure regions is known. That is, first, for example, the first left exposure area is placed at the image forming position of the projection optical system to perform the first exposure, and further, the substrate stage to be exposed is moved in the left and right direction to project the front right exposure area to the projection optical system. The second exposure is performed at the imaging position of the system. Next, the substrate stage to be exposed is moved in parallel in the front-rear direction, and the third exposure is performed with the exposure area in the rear right portion positioned at the image forming position of the projection optical system. Then, a fourth exposure is performed with the rear left portion at the image forming position of the projection optical system.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、被露光
基板の大型化に対して被露光基板ステージを平行移動す
る構成とした場合、その平行移動量分だけ被露光基板ス
テージのストロークを延長する必要がある。そのため
に、被露光基板ステージそのものが大型化し、重量が増
加するという不都合があった。また、例えばレーザ干渉
計を用いて大型の被露光基板ステージの位置制御を行う
場合には長尺の移動鏡が必要となるが、製造上の理由か
ら移動鏡の長さには一定の制限があり、また長尺の移動
鏡の端面部分では面精度が劣化するため一定以上の長さ
の移動鏡を位置制御に用いる場合には精度が低下する等
の問題もあった。そこで、本発明は、被露光基板ステー
ジのストロークを延長することなく被露光基板の大型化
に対応できると共に、高精度な位置制御が可能な露光装
置を提供することを課題とする。However, when the substrate stage to be exposed is configured to move in parallel with the enlargement of the substrate to be exposed, it is necessary to extend the stroke of the substrate stage to be exposed by the amount of the parallel movement. is there. For this reason, there has been a disadvantage that the exposure target substrate stage itself becomes large and the weight increases. In addition, for example, when controlling the position of a large substrate stage to be exposed using a laser interferometer, a long moving mirror is required, but there are certain restrictions on the length of the moving mirror for manufacturing reasons. There is also a problem that the accuracy of the surface is deteriorated at the end face of the long movable mirror, and the accuracy is reduced when a movable mirror having a length longer than a certain length is used for position control. Therefore, an object of the present invention is to provide an exposure apparatus that can cope with an increase in the size of a substrate to be exposed without extending the stroke of the substrate stage to be exposed and that can perform high-precision position control.
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1記載の発明は、一実施例を表す図1に対応
つけて説明すると、レチクル(20a)のパターンを基
板(9)に露光する露光装置において、基板(9)を載
置して、90°毎と180°毎とのいずれか一方の回転
量で回転可能な基板ステージ(10)を備えたことを特
徴とする露光装置である。請求項2記載の発明は、請求
項1記載の露光装置において、レチクル(20a)を載
置して、基板ステージ(10)と同じ回転量で回転可能
なレチクルステージ(4)を備えたことを特徴とする露
光装置である。請求項3記載の発明は、請求項1記載の
露光装置において、レチクル(20a)のパターンを基
板(9)に投影する、正立正像系の投影光学系を備えた
ことを特徴とする露光装置である。請求項4記載の発明
は、請求項2記載の露光装置において、基板ステージ
(10)とレチクルステージ(4)とを制御する制御装
置(18)を備えたことを特徴とする露光装置である。
請求項5記載の発明は、請求項4記載の露光装置におい
て、制御装置(18)は、レチクル(20a)のパター
ンの露光後に、少なくとも基板ステージ(10)を90
°毎と180°毎とのいずれか一方の回転量で回転させ
ることを特徴とする露光装置である。請求項6記載の発
明は、請求項4記載の露光装置において、レチクルステ
ージ(4)は複数のレチクル(20a)〜(20d)を
保持しており、制御装置(18)は、複数のレチクル
(20a)〜(20d)のパターンを合成した合成パタ
ーンを基板(9)に形成するように、基板ステージ(1
0)とレチクルステージ(4)とを制御することを特徴
とする露光装置である。Means for Solving the Problems To solve the above problems, the invention according to claim 1 will be described with reference to FIG. 1 showing an embodiment. The pattern of a reticle (20a) is formed on a substrate (9). An exposure apparatus, comprising: a substrate stage (10) on which a substrate (9) is mounted and which can be rotated by any one of rotation amounts of 90 ° and 180 °. Device. According to a second aspect of the present invention, in the exposure apparatus of the first aspect, a reticle stage (4) is provided, the reticle (20a) being mounted thereon and being rotatable by the same rotation amount as the substrate stage (10). This is a feature of the exposure apparatus. According to a third aspect of the present invention, there is provided the exposure apparatus of the first aspect, further comprising a projection optical system of an erect image system for projecting a pattern of the reticle (20a) onto the substrate (9). It is. A fourth aspect of the present invention is the exposure apparatus according to the second aspect, further comprising a control device (18) for controlling the substrate stage (10) and the reticle stage (4).
According to a fifth aspect of the present invention, in the exposure apparatus according to the fourth aspect, the control device (18) controls at least the substrate stage (10) by at least 90 after exposing the pattern of the reticle (20a).
The exposure apparatus is characterized in that the exposure apparatus is rotated by any one of the rotation amounts of every ° and every 180 °. According to a sixth aspect of the present invention, in the exposure apparatus of the fourth aspect, the reticle stage (4) holds a plurality of reticles (20a) to (20d), and the control device (18) controls the plurality of reticles (20). The substrate stage (1) is formed so that a combined pattern obtained by combining the patterns of 20a) to (20d) is formed on the substrate (9).
0) and a reticle stage (4).
【0005】請求項7記載の発明は、レチクル(20
a)のパターンを基板(9)に露光する露光方法におい
て、レチクル(20a)のパターンを基板(9)に露光
するステップと、基板(9)を90°毎と180°毎と
のいずれか一方の回転量で回転するステップと、を含む
ことを特徴とする露光方法である。請求項8記載の発明
は、請求項7記載の露光方法において、レチクル(20
a)を基板(9)と同じ回転量で回転させるステップを
含むことを特徴とする露光方法である。請求項9記載の
発明は、請求項8記載の露光方法において、レチクル
(20a)が回転する向きと、基板(9)が回転する向
きとは同じであることを特徴とする露光方法である。[0005] A reticle (20)
a) exposing the pattern of the reticle (20a) to the substrate (9); and exposing the substrate (9) to the substrate (9) at every 90 ° or at every 180 °. And a step of rotating by an amount of rotation. According to an eighth aspect of the present invention, in the exposure method of the seventh aspect, the reticle (20
An exposure method comprising the step of rotating a) by the same amount of rotation as the substrate (9). A ninth aspect of the present invention is the exposure method according to the eighth aspect, wherein the direction in which the reticle (20a) rotates is the same as the direction in which the substrate (9) rotates.
【0006】[0006]
【発明の実施の形態】本発明の一実施例に係る露光装置
の断面図を図1に示す。光源1からの照明光束2は照明
光学系3に入射し、照明光学系3を通過した照明光束2
はレチクルテーブル5上に載置されたレチクル20aを
照明する。レチクル20a上には回路パターンが描画さ
れており、レチクル20a上の回路パターンは等倍かつ
正立正像系の投影光学系8により被露光基板ステージ1
0に載置された被露光基板9上に露光される。本実施例
において、被露光基板9は、角形のガラスプレートであ
り、大きさが約500mm×600mm、厚さが約1.
1mmである。レチクルテーブル5はレチクルテーブル
5の外縁部がレチクルステージ4に固定され、レチクル
ステージ4はXY方向に移動可能に構成されている。本
実施例のレチクルテーブル5には4つの開口5a〜5d
が設けられ、レチクルテーブル5の上面のそれぞれの開
口5a〜5d部にはリング状のレチクルターンテーブル
6a〜6dが設けられている。レチクルターンテーブル
6a〜6dの内径は開口5a〜5dよりも大きく形成さ
れ、それぞれ開口5a〜5dの周囲を囲うように構成さ
れている。レチクルターンテーブル6a〜6dの外縁部
にはそれぞれラックが形成され、ピニオンギアを介して
モータ7a〜7dによってそれぞれ独立に回転可能に構
成されている。FIG. 1 is a sectional view of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. The illumination light beam 2 from the light source 1 enters the illumination optical system 3 and passes through the illumination optical system 3.
Illuminates the reticle 20a placed on the reticle table 5. A circuit pattern is drawn on the reticle 20a, and the circuit pattern on the reticle 20a is exposed by the projection optical system 8 of the same size and the erect image system.
Exposure is performed on the substrate 9 to be exposed placed on the substrate 9. In the present embodiment, the substrate 9 to be exposed is a square glass plate having a size of about 500 mm × 600 mm and a thickness of about 1.
1 mm. The reticle table 5 has an outer edge fixed to the reticle stage 4 and the reticle stage 4 is configured to be movable in the XY directions. The reticle table 5 of this embodiment has four openings 5a to 5d.
Are provided, and ring-shaped reticle turntables 6a to 6d are provided at openings 5a to 5d on the upper surface of reticle table 5, respectively. Reticle turntables 6a to 6d have inner diameters larger than openings 5a to 5d, and are configured to surround openings 5a to 5d, respectively. Racks are respectively formed on the outer edges of the reticle turntables 6a to 6d, and are configured to be independently rotatable by motors 7a to 7d via pinion gears.
【0007】レチクルターンテーブル6a〜6d上には
レチクル20a〜20dがレチクルターンテーブル6a
〜6dの回転中心とレチクル20a〜20dの中心Ca
〜Cdとが一致するように載置され、レチクルターンテ
ーブル6a〜6dの回転に伴って、レチクル20a〜2
0dを180°毎に回転させることが可能である。また
レチクル20a〜20d上に描画された回路パターン
は、被露光基板9上でパターンの一部がオーバーラップ
して画面合成される様にオーバーラップ部を有してい
る。Reticles 20a to 20d are mounted on reticle turntables 6a to 6d.
6d rotation center and center Ca of reticles 20a to 20d
CCd coincide with each other, and with rotation of reticle turntables 6a〜6d, reticles 20a〜2
0d can be rotated every 180 °. The circuit pattern drawn on the reticles 20a to 20d has an overlap portion so that a part of the pattern is overlapped on the substrate 9 to be exposed and the screen is synthesized.
【0008】レチクルステージ4には移動鏡17が配設
されている。レーザ干渉計16は移動鏡17にレーザビ
ームを照射してレチクルステージ4のY方向の位置を検
出する。なお、図1では不図示であるがレチクルステー
ジ4のX方向の位置を検出するレーザ干渉計も配置され
ている。レチクルアライメント顕微鏡14は、レチクル
20a〜20dにそれぞれ形成されたレチクルアライメ
ントマークを検出してレチクル20a〜20dの位置を
決めるものである。A movable mirror 17 is provided on the reticle stage 4. The laser interferometer 16 irradiates the movable mirror 17 with a laser beam to detect the position of the reticle stage 4 in the Y direction. Although not shown in FIG. 1, a laser interferometer for detecting the position of the reticle stage 4 in the X direction is also provided. The reticle alignment microscope 14 detects reticle alignment marks formed on the reticles 20a to 20d, respectively, and determines the positions of the reticles 20a to 20d.
【0009】一方、被露光基板ステージ10は、図1中
のX、Y、Z方向に移動可能なXYZステージ10aと
XYZステージ10a上に配置された被露光基板ターン
テーブル10bとから構成され、被露光基板ターンテー
ブル10bはモータ11によって回転可能に構成されて
いる。被露光基板9は、被露光基板ターンテーブル10
b上に被露光基板9の中心Csと被露光基板ターンテー
ブル10bの回転中心とが一致するように載置され、被
露光基板ターンテーブル10bの回転に伴って、被露光
基板9を180°毎に回転させることが可能である。On the other hand, the exposed substrate stage 10 comprises an XYZ stage 10a movable in the X, Y, and Z directions in FIG. 1 and an exposed substrate turntable 10b arranged on the XYZ stage 10a. The exposure substrate turntable 10b is configured to be rotatable by a motor 11. The substrate to be exposed 9 is a turntable 10 for the substrate to be exposed.
b, the center Cs of the substrate 9 to be exposed is aligned with the rotation center of the substrate turntable 10b, and the substrate 9 is rotated by 180 ° with the rotation of the substrate turntable 10b. Can be rotated.
【0010】XYZステージ10aには、移動鏡13が
配設されている。レーザ干渉計12は移動鏡13にレー
ザビームを照射してXYZステージ10aのY方向の位
置を検出する。なお、図1では不図示であるがXYZス
テージ10aのX方向の位置を検出するレーザ干渉計1
2も配設されている。被露光基板アライメント顕微鏡1
5は、投影光学系8の光軸から一定距離離れて配設され
た、いわゆるオフアクシスのアライメント顕微鏡であ
り、被露光基板9に形成された基板アライメントマーク
を検出する。制御装置18は、露光装置全体を制御する
ものであり、本実施例においては特にレチクルステージ
4、レチクルターンテーブル6a〜6d、XYZステー
ジ10a、被露光基板ターンテーブル10bを制御して
いる。A moving mirror 13 is provided on the XYZ stage 10a. The laser interferometer 12 irradiates the movable mirror 13 with a laser beam to detect the position of the XYZ stage 10a in the Y direction. Although not shown in FIG. 1, the laser interferometer 1 detects the position of the XYZ stage 10a in the X direction.
Two are also provided. Exposed substrate alignment microscope 1
Reference numeral 5 denotes a so-called off-axis alignment microscope which is disposed at a predetermined distance from the optical axis of the projection optical system 8 and detects a substrate alignment mark formed on the substrate 9 to be exposed. The controller 18 controls the entire exposure apparatus. In this embodiment, the controller 18 particularly controls the reticle stage 4, the reticle turntables 6a to 6d, the XYZ stage 10a, and the substrate to be exposed turntable 10b.
【0011】つぎに本発明に係る露光装置を用いてガラ
ス基板に液晶回路パターンを露光する制御装置18の制
御について説明する。本実施例において被露光基板9は
前後左右の4つの露光領域に分割され、制御装置18は
まず左半分の露光領域を露光する。露光に先立ち、図2
に示したように、液晶回路パターンが描画されたレチク
ル20a〜20dをレチクルターンテーブル6a〜6d
上に方向を揃えて載置する。第1のステップにおいて、
制御装置18は、被露光基板アライメント光学系15に
よって被露光基板9上のアライメントマークの位置を検
出し、その位置検出値とレーザ干渉計12の出力とに基
づいてXYZステージ10aを移動させ、被露光基板9
の左側後部第1領域A1を投影光学系8の投影領域に移
動させる。また制御装置18は、レチクルアライメント
顕微鏡14によってレチクル20a上のアライメントマ
ークの位置を検出し、その位置検出値とレーザ干渉計1
6の出力とに基づいてレチクルステージ4を移動させ、
レチクル20aの中心が光軸Lと一致するように制御す
る。制御装置18は、レチクル20a上の回路パターン
を被露光基板9上の左側後部第1領域A1に回路パター
ン像21aを露光する。さらに制御装置18は、レーザ
干渉計12の出力に基づいてXYZステージ10aをX
方向に平行移動させて被露光基板9の左側前部第1領域
A2を投影光学系8の投影領域に移動し、回路パターン
像22aを露光する。Next, the control of the controller 18 for exposing a liquid crystal circuit pattern on a glass substrate using the exposure apparatus according to the present invention will be described. In the present embodiment, the substrate 9 to be exposed is divided into four front, rear, left and right exposure regions, and the controller 18 first exposes the left half of the exposure region. Prior to exposure,
The reticle 20a-20d on which the liquid crystal circuit pattern is drawn is connected to the reticle turntables 6a-6d as shown in FIG.
Place it on top with the direction aligned. In the first step,
The control device 18 detects the position of the alignment mark on the substrate 9 to be exposed by the substrate alignment optical system 15, moves the XYZ stage 10 a based on the detected position value and the output of the laser interferometer 12, Exposure substrate 9
Is moved to the projection area of the projection optical system 8. The control device 18 detects the position of the alignment mark on the reticle 20 a by the reticle alignment microscope 14, and detects the position detection value and the laser interferometer 1.
6, the reticle stage 4 is moved based on the output of
Control is performed so that the center of the reticle 20a coincides with the optical axis L. The control device 18 exposes the circuit pattern on the reticle 20a to the circuit pattern image 21a on the left rear first area A1 on the substrate 9 to be exposed. Further, the control device 18 sets the XYZ stage 10a to X based on the output of the laser interferometer 12.
The first region A2 on the left front side of the substrate 9 to be exposed is moved to the projection region of the projection optical system 8 by parallel movement in the direction, and the circuit pattern image 22a is exposed.
【0012】第2のステップにおいて、制御装置18
は、レーザ干渉計16の出力に基づいてレチクルステー
ジ4をX方向に平行移動させてレチクル20bの中心が
光軸Lと一致するように制御する。また制御装置18
は、光軸L上へのレチクル20bの移動に同期させてレ
チクルターンテーブル6aを回転し、レチクル20aを
180°回転させておく。一方、制御装置18は、レー
ザ干渉計12の出力に基づいてXYZステージ10aを
X方向に移動させ、左側前部第2領域B2を投影光学系
8の投影領域に置く。制御装置18は、回路パターン像
22aのオーバーラップ部と回路パターン像22bのオ
ーバーラップ部とを重複して露光して画像合成する。さ
らに同様にXYZステージ10aを−X方向に平行移動
させて左側後部第2領域B1を投影光学系8の投影領域
に置き、回路パターン像21bを露光して回路パターン
像21aに画像合成する。In the second step, the controller 18
Controls the reticle stage 4 in parallel in the X direction based on the output of the laser interferometer 16 so that the center of the reticle 20b coincides with the optical axis L. Control device 18
Rotates the reticle turntable 6a in synchronization with the movement of the reticle 20b on the optical axis L, and rotates the reticle 20a by 180 °. On the other hand, the control device 18 moves the XYZ stage 10 a in the X direction based on the output of the laser interferometer 12, and places the left front second area B 2 in the projection area of the projection optical system 8. The control device 18 overlaps and exposes the overlap portion of the circuit pattern image 22a and the overlap portion of the circuit pattern image 22b to synthesize the images. Further, similarly, the XYZ stage 10a is moved in parallel in the -X direction, the left rear second area B1 is placed in the projection area of the projection optical system 8, the circuit pattern image 21b is exposed, and the image is synthesized with the circuit pattern image 21a.
【0013】第3、第4のステップにおいて制御装置1
8は、同様の動作を繰り返し、回路パターン像21c、
22c、22d、21dを順次形成し、4つの回路パタ
ーン像が画面合成された2組の回路パターン像21、2
2を被露光基板9上の左半分の露光領域に形成する。2
組の回路パターン像21、22が形成された際には、す
べてのレチクルターンテーブル6a〜6dは180°の
回転動作が完了し、レチクル20a〜20dは図3に示
したように配置される。In the third and fourth steps, the control device 1
8, the same operation is repeated, and the circuit pattern image 21c,
22c, 22d, and 21d are sequentially formed, and two sets of circuit pattern images 21, 2 in which four circuit pattern images are synthesized on a screen.
2 is formed in the left half exposure area on the substrate 9 to be exposed. 2
When the set of circuit pattern images 21 and 22 are formed, all the reticle turntables 6a to 6d complete the 180 ° rotation operation, and the reticles 20a to 20d are arranged as shown in FIG.
【0014】つぎに被露光基板9上の右半分の露光領域
を露光する。第5のステップにおいて、制御装置18
は、被露光基板ターンテーブル10bを被露光基板9の
中心Csを回転中心としてモータ14によって180°
回転させ、残りの右半分の露光領域を投影光学系8の投
影領域側に移動させる。その後、前述したのと同様の動
作を繰り返して、図3に示したように右半分の露光領域
に回路パターン像23及び24を露光する。Next, the right half exposure area on the substrate 9 to be exposed is exposed. In the fifth step, the controller 18
Is rotated by 180 ° about the center Cs of the substrate 9 to be exposed by the motor 14.
By rotating, the remaining right half exposure area is moved to the projection area side of the projection optical system 8. Thereafter, the same operation as described above is repeated to expose the circuit pattern images 23 and 24 to the right half exposure area as shown in FIG.
【0015】従来のように、被露光基板9の前後左右の
4つの露光領域を露光するに際して被露光基板ステージ
10をそれぞれの露光領域間で平行移動させるように構
成した場合には、被露光基板ステージ10をX方向にも
Y方向にも平行移動させる分だけのストロークが必要と
なり、被露光基板ステージ10の設置面積は被露光基板
ステージ10自体の面積よりも大幅に広くなっていた。
これに対し、本実施例では被露光基板ステージ10を被
露光基板9の中心Csを回転中心として180°毎に回
転させるように構成したことによってX方向のストロー
クは従来と同じではあるがY方向のストロークは大幅に
減らすことが可能である。これによって、被露光基板ス
テージ10の設置面積を大幅に小さくすることができ、
装置の小型化、軽量化が可能となる。また、特に液晶デ
バイスを製造する場合、液晶の向きはラビング工程によ
って一方向に揃えられているため、被露光基板9上にお
いて液晶の向きに合わせてデバイスの向きを揃えること
は重要である。本発明においては、被露光基板9の回転
ステップと同一の回転ステップでレチクル20a〜20
dも回転させることで、被露光基板9上においてデバイ
スの向きを液晶の向きに揃えて形成することが可能とな
る。As described above, when exposing four stages of exposure to the front, rear, left and right of the substrate 9 to be exposed, the substrate stage 10 to be exposed is moved in parallel between the respective exposure regions. A stroke is required to move the stage 10 in parallel in both the X and Y directions, and the installation area of the substrate stage 10 to be exposed is much larger than the area of the substrate stage 10 itself.
On the other hand, in the present embodiment, since the exposure target substrate stage 10 is configured to be rotated every 180 ° about the center Cs of the exposure target substrate 9 as a rotation center, the stroke in the X direction is the same as that in the related art, but in the Y direction. Can be greatly reduced. Thereby, the installation area of the substrate stage 10 to be exposed can be significantly reduced,
The device can be reduced in size and weight. In particular, when manufacturing a liquid crystal device, the direction of the liquid crystal is aligned in one direction by a rubbing process. Therefore, it is important to align the direction of the device on the substrate 9 to be exposed according to the direction of the liquid crystal. In the present invention, the reticles 20a to 20
By rotating d, it becomes possible to form the device on the substrate 9 to be exposed with the orientation of the device aligned with the orientation of the liquid crystal.
【0016】つぎに、本実施例の露光装置を用いてウエ
ハ上に回路パターンを露光する第2の実施例について説
明する。本第2の実施例においては被露光基板9として
ウエハを用いている。被露光基板9は左右の2つの画像
領域に分割される。図4及び図5に示したように、制御
装置18は、回路パターンが描画されたレチクル20を
用いて、まず被露光基板9上の左半分の露光領域に繰り
返し露光する。制御装置18は、被露光基板9上の左半
分の露光領域を露光した後、レチクルターンテーブル6
と被露光基板ターンテーブル10bとをそれぞれ制御し
て、図5に示したように被露光基板9を被露光基板9の
中心Csを回転中心として、レチクル20をレチクル2
0の中心Ceを回転中心として180°回転させる。そ
の後同様にして、被露光基板7上の右半分の露光領域を
露光する。なお、レチクル20の回路パターンが例えば
半導体素子用の場合には、被露光基板9上でのデバイス
の向きを揃えることは必ずしも必要ではない。そのた
め、第3の実施例として、図6に示したように、制御装
置18は、被露光基板9の左半分を露光した後、レチク
ル20は回転させず、被露光基板9だけを180°回転
させている。Next, a description will be given of a second embodiment in which a circuit pattern is exposed on a wafer by using the exposure apparatus of the present embodiment. In the second embodiment, a wafer is used as the substrate 9 to be exposed. The substrate 9 to be exposed is divided into two left and right image areas. As shown in FIGS. 4 and 5, the control device 18 first repeatedly exposes the left half of the exposure area on the substrate 9 using the reticle 20 on which the circuit pattern is drawn. After exposing the left half of the exposure area on the substrate 9 to be exposed, the controller 18 controls the reticle turntable 6.
And the substrate to be exposed turntable 10b, respectively, so that the substrate to be exposed 9 is rotated around the center Cs of the substrate to be exposed 9 as shown in FIG.
The rotation is made 180 ° with the center Ce of 0 as the rotation center. Thereafter, similarly, the right half exposure region on the substrate 7 is exposed. When the circuit pattern of the reticle 20 is, for example, for a semiconductor element, it is not always necessary to align the device orientation on the substrate 9 to be exposed. Therefore, as a third embodiment, as shown in FIG. 6, after exposing the left half of the substrate 9 to be exposed, the control device 18 rotates the reticle 20 by 180 ° without rotating the reticle 20. Let me.
【0017】つぎに、第4の実施例を説明する。本第4
の実施例では被露光基板9として角形のガラス基板を用
いている。前述した第1の実施例では、被露光基板9及
びレチクル4の回転角度を180°ステップに設定した
が、本実施例では回転角度を90°ステップに設定して
いる。例えば、図7に示したように、被露光基板9を前
後左右の露光領域に4等分割されている。制御装置18
は、回路パターン像21を露光した後、被露光基板9及
びレチクル20をそれぞれ同じ向きに90°回転して回
路パターン像22を露光する。さらに制御装置18は、
被露光基板9及びレチクル20をそれぞれ90°回転し
て回路パターン像23の露光を行う。なお図7では3回
目の露光までを示しているが、さらに被露光基板9及び
レチクル20を90°回転して露光を行い、被露光基板
9上に4つの回路パターン像を完成させる。このように
本実施例では回転角度を90°ステップに設定すること
によって、Y方向のストロークを半減することができる
のみならず、X方向のストロークも半減させることでき
るので、被露光基板ステージ10の設置面積をさらに小
さく構成することが可能となる。Next, a fourth embodiment will be described. Book 4
In this embodiment, a square glass substrate is used as the substrate 9 to be exposed. In the first embodiment described above, the rotation angles of the substrate 9 to be exposed and the reticle 4 are set in 180 ° steps, but in the present embodiment, the rotation angles are set in 90 ° steps. For example, as shown in FIG. 7, the substrate 9 to be exposed is divided into four equal regions of front, rear, left and right. Control device 18
After exposing the circuit pattern image 21, the substrate 9 to be exposed and the reticle 20 are each rotated by 90 ° in the same direction to expose the circuit pattern image 22. Further, the control device 18
The circuit pattern image 23 is exposed by rotating the substrate 9 and the reticle 20 by 90 °. Although FIG. 7 shows up to the third exposure, the exposure is performed by further rotating the substrate 9 and the reticle 20 by 90 ° to complete four circuit pattern images on the substrate 9. As described above, in the present embodiment, by setting the rotation angle to 90 ° steps, not only the stroke in the Y direction can be halved, but also the stroke in the X direction can be halved. It is possible to further reduce the installation area.
【0018】また、前述した実施例の露光装置ではレチ
クル20a〜20dの回転に際し、レチクル20a〜2
0dを載置したレチクルターンテーブル6a〜6dをモ
ータ7a〜7dで回転させたが、モータを用いない構成
も可能である。すなわち、レチクル20a〜20d及び
レチクルターンテーブル6a〜6dを載置したレチクル
テーブル5を一旦レチクルステージ4から取り出し、レ
チクル20の設置角度を変えて再度レチクルステージ4
に載置してもよい。またレチクルターンテーブル6a〜
6dをそれぞれ回転させる構成だけでなく、レチクルテ
ーブル5全体をレチクルテーブル5の中心Crを回転中
心として回転させるように構成することも可能である。
なお、本発明の露光装置は、プロキシミティ露光装置、
走査型露光方式及び静止型露光方式のいずれも適用可能
であり、また縮小光学系及び等倍光学系のいずれも使用
することが可能である。さらには正立光学系及び倒立光
学系のいずれもが適用可能である。また、露光装置の光
源としても、I線、g線、レーザ光源、X線、電子線等
の光源を用いても構わない。In the exposure apparatus of the above-described embodiment, when the reticles 20a to 20d are rotated, the reticles 20a to 20d are rotated.
Although reticle turntables 6a to 6d on which 0d is mounted are rotated by motors 7a to 7d, a configuration without a motor is also possible. That is, the reticle table 5 on which the reticles 20a to 20d and the reticle turntables 6a to 6d are placed is once taken out of the reticle stage 4, and the reticle stage 4 is changed again by changing the installation angle of the reticle 20.
May be placed on Also, reticle turntable 6a ~
In addition to the configuration for rotating each of the reticle tables 5d, the entire reticle table 5 can be configured to rotate about the center Cr of the reticle table 5 as a rotation center.
Incidentally, the exposure apparatus of the present invention is a proximity exposure apparatus,
Either the scanning type exposure system or the stationary type exposure system can be applied, and both the reduction optical system and the equal magnification optical system can be used. Further, both the erecting optical system and the inverted optical system are applicable. Further, as a light source of the exposure apparatus, a light source such as an I-ray, a g-ray, a laser light source, an X-ray, and an electron beam may be used.
【0019】[0019]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、基板を9
0°毎と180°毎とのいずれか一方の回転量で回転さ
せるように構成することで基板ステージの移動ストロー
クを延長することなく露光装置を構成できるので、基板
の大型化に対応して基板ステージを大型化しても、装置
は必要最小限の設置面積及び重量で構成できる。それに
よって通常使用される移動鏡を用いることもできる。さ
らに基板の回転ステップと同一の回転ステップでレチク
ルをも回転させることで、方向性を有したパターンでも
露光することができる。As described above, according to the present invention, the substrate is 9
The exposure apparatus can be configured without extending the movement stroke of the substrate stage by rotating the substrate at a rotation amount of either 0 ° or 180 °. Even if the stage is enlarged, the apparatus can be configured with a minimum required installation area and weight. Thereby, a commonly used moving mirror can be used. Further, by rotating the reticle in the same rotation step as the rotation step of the substrate, it is possible to expose even a directional pattern.
【図1】本発明の一実施例に係る露光装置の断面図FIG. 1 is a sectional view of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】第1の実施例の左半分の露光領域への露光を説
明する図FIG. 2 is a view for explaining exposure to a left half exposure area in the first embodiment.
【図3】第1の実施例の右半分の露光領域への露光を説
明する図FIG. 3 is a view for explaining exposure to an exposure area on the right half of the first embodiment.
【図4】第2の実施例の左半分の露光領域への露光を説
明する図FIG. 4 is a view for explaining exposure to the left half exposure area in the second embodiment.
【図5】第2の実施例の右半分の露光領域への露光を説
明する図FIG. 5 is a view for explaining exposure to an exposure area on the right half of the second embodiment.
【図6】第3の実施例を説明する図FIG. 6 is a diagram illustrating a third embodiment.
【図7】第4の実施例を説明する図FIG. 7 is a diagram illustrating a fourth embodiment.
1…光源 2…照明光束 3…照明光学系 4…レチクルステー
ジ 5…レチクルテーブル 5a〜5d…レチク
ルテーブル開口 6a〜6d…レチクルターンテーブル 7a〜7d…モータ 8…投影光学系 9…被露光基板 10…被露光基板ス
テージ 10a…XYZステージ 10b…被露光基板
ターンテーブル 11…モータ 12、16…レーザ
干渉計 13、17…移動鏡 14…レチクルアラ
イメント顕微鏡 15…被露光基板アライメント顕微鏡 18…制御装置 20、20a〜20
d…レチクル 21、22、23、24、21a、21b、22a、2
2b、21c、22c、21d、22d…回路パターン
像 Ca〜Ce…レチクル中心 Cs…被露光基板中
心 Cr…レチクルテーブル中心 L…光軸REFERENCE SIGNS LIST 1 light source 2 illuminating light beam 3 illuminating optical system 4 reticle stage 5 reticle table 5 a to 5 d reticle table opening 6 a to 6 d reticle turntable 7 a to 7 d motor 8 projection optical system 9 substrate to be exposed 10 ... Substrate to be exposed 10a ... XYZ stage 10b ... Turntable to be exposed substrate 11 ... Motor 12, 16 ... Laser interferometer 13,17 ... Movable mirror 14 ... Reticle alignment microscope 15 ... Substrate to be exposed alignment microscope 18 ... Control device 20, 20a-20
d: reticle 21, 22, 23, 24, 21a, 21b, 22a, 2
2b, 21c, 22c, 21d, 22d: Circuit pattern image Ca to Ce: Center of reticle Cs: Center of substrate to be exposed Cr: Center of reticle table L: Optical axis
Claims (9)
装置において、 前記基板を載置して、90°毎と180°毎とのいずれ
か一方の回転量で回転可能な基板ステージを備えたこと
を特徴とする露光装置。1. An exposure apparatus for exposing a pattern of a reticle onto a substrate, comprising: a substrate stage on which the substrate is placed and which can be rotated by any one of rotation amounts of 90 ° and 180 °. Exposure apparatus characterized by the above-mentioned.
量で回転可能なレチクルステージを備えたことを特徴と
する露光装置。2. An exposure apparatus according to claim 1, further comprising a reticle stage on which said reticle is mounted and which can rotate by the same amount of rotation as said substrate stage.
像系の投影光学系を備えたことを特徴とする露光装置。3. The exposure apparatus according to claim 1, further comprising an erecting image system projection optical system for projecting the reticle pattern onto the substrate.
制御装置を備えたことを特徴とする露光装置。4. An exposure apparatus according to claim 2, further comprising a control device for controlling said substrate stage and said reticle stage.
少なくとも前記基板ステージを前記回転量で回転させる
ことを特徴とする露光装置。5. The exposure apparatus according to claim 4, wherein the control device is configured to: after exposing the pattern of the reticle,
An exposure apparatus wherein at least the substrate stage is rotated by the rotation amount.
り、 前記制御装置は、前記複数のレチクルのパターンを合成
した合成パターンを前記基板に形成するように、前記基
板ステージと前記レチクルステージとを制御することを
特徴とする露光装置。6. The exposure apparatus according to claim 4, wherein the reticle stage holds a plurality of reticles, and the control device forms a combined pattern obtained by combining the patterns of the plurality of reticles on the substrate. An exposure apparatus for controlling the substrate stage and the reticle stage.
方法において、 前記レチクルのパターンを前記基板に露光するステップ
と、 前記基板を90°毎と180°毎とのいずれか一方の回
転量で回転するステップと、を含むことを特徴とする露
光方法。7. An exposure method for exposing a reticle pattern onto a substrate, comprising: exposing the reticle pattern onto the substrate; and rotating the substrate by any one of rotations of 90 ° and 180 °. An exposure method.
ップを含むことを特徴とする露光方法。8. The exposure method according to claim 7, further comprising the step of rotating said reticle by the same amount of rotation as said substrate.
きとは同じであることを特徴とする露光方法。9. The exposure method according to claim 8, wherein the direction in which the reticle rotates and the direction in which the substrate rotates are the same.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9303410A JPH11121365A (en) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | Aligner and exposing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9303410A JPH11121365A (en) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | Aligner and exposing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11121365A true JPH11121365A (en) | 1999-04-30 |
Family
ID=17920693
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JP9303410A Pending JPH11121365A (en) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | Aligner and exposing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11121365A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008060576A (en) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method |
JP2009212515A (en) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method |
JP2011048209A (en) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Hitachi High-Technologies Corp | Proximity exposure apparatus, method for changing exposure region of proximity exposure apparatus, and method for manufacturing display panel substrate |
-
1997
- 1997-10-17 JP JP9303410A patent/JPH11121365A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009212515A (en) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method |
JP2011048209A (en) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Hitachi High-Technologies Corp | Proximity exposure apparatus, method for changing exposure region of proximity exposure apparatus, and method for manufacturing display panel substrate |
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