JPH11120906A - Plasma display electrode, its manufacture, and plasma display - Google Patents

Plasma display electrode, its manufacture, and plasma display

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JPH11120906A
JPH11120906A JP9285585A JP28558597A JPH11120906A JP H11120906 A JPH11120906 A JP H11120906A JP 9285585 A JP9285585 A JP 9285585A JP 28558597 A JP28558597 A JP 28558597A JP H11120906 A JPH11120906 A JP H11120906A
Authority
JP
Japan
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electrode
glass frit
weight
plasma display
photosensitive
Prior art date
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Pending
Application number
JP9285585A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akiko Okino
暁子 沖野
Yoshiki Masaki
孝樹 正木
Junji Sanada
淳二 真多
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Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Publication date
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Publication of JPH11120906A publication Critical patent/JPH11120906A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance the fineness and reliability of an electrode by setting the line width, pitch, thickness, specific resistance and adhesive strength to a substrate of the electrode to be formed on the substrate to specified values, respectively. SOLUTION: A photosensitive conductive paste containing a conductive powder, glass frit and a photosensitive organic component is applied onto a substrate to form a pattern by photolithography, and the resulting substrate is baked to form an electrode having a line width of 15-60 μm, a pitch of 80-200 μm, a thickness of 1-10 μm, a specific resistance of 2.5-5.0 μmΩ.cm, an adhesive to substrate of 5 N or more. As the glass flit, a glass frit having a thermal softening point (Ts) of 450-550 deg.C, an average grain size of 0.5-1.4 μm and a thermal expansion coefficient at 50-400 deg.C (α)50-400 of 75-90×10<-7> /K is preferably used. The electrode preferably contains at least one metal component selected from the group consisting of Ag, Ni and Pt.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高精細で、低抵抗
かつ高接着強度を有するプラズマディスプレイ用電極と
その製造方法、並びにその電極を用いたプラズマディス
プレイに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma display electrode having high definition, low resistance and high adhesive strength, a method for manufacturing the same, and a plasma display using the electrode.

【0002】[0002]

【従来の技術】プラズマディスプレイパネル(PDP)
は、液晶パネルに比べて高速の表示が可能であり、かつ
大型化が容易であることから、OA機器および情報表示
装置などの分野に浸透してきている。また、高品位テレ
ビジョンの分野などでの進展が非常に期待されている。
2. Description of the Related Art Plasma display panels (PDPs)
Since they can display at a higher speed than a liquid crystal panel and can be easily made larger, they have permeated OA equipment and information display devices. Further, progress in the field of high-definition television is highly expected.

【0003】このようなPDPの用途の拡大に伴って、
微細で多数の表示セルを有するカラーPDPが注目され
ている。PDPは、前面ガラス基板と背面ガラス基板と
の間に備えられた放電空間内で対向するアノードおよび
カソード電極間にプラズマ放電を生じさせ、上記放電空
間内に封入されているガスから発光させることにより表
示を行なうものである。この場合、ガラス基板上のアノ
ードおよびカソード電極は、複数本の線状電極を平行に
配置され、互いの電極が僅小な間隙を介して対向し、か
つ互いの線状電極が交差する方向を向くように重ね合わ
せて構成されている。
[0003] With the expansion of applications of such PDPs,
Attention has been focused on color PDPs having a large number of fine display cells. A PDP generates a plasma discharge between an anode and a cathode facing each other in a discharge space provided between a front glass substrate and a rear glass substrate, and emits light from a gas sealed in the discharge space. The display is performed. In this case, the anode and cathode electrodes on the glass substrate are arranged in parallel with a plurality of linear electrodes, and the electrodes face each other with a small gap therebetween, and the direction in which the linear electrodes cross each other. It is configured so as to face each other.

【0004】さらにPDPの中でも、蛍光体によるカラ
ー表示に適した3電極構造の面放電型PDPは、互いに
平行に隣接した一対の表示電極からなる複数の電極対
と、各電極対と直交する複数のアドレス電極とを有して
いる。
Further, among the PDPs, a surface discharge type PDP having a three-electrode structure suitable for color display using a phosphor has a plurality of pairs of display electrodes which are adjacent to each other in parallel and a plurality of pairs which are orthogonal to each pair of electrodes. Address electrodes.

【0005】上記のアドレス電極は、通常、スクリーン
印刷法でアドレス電極に対応するマスクパターンを有し
た印刷マスクを用いて、ガラス基板上に銀ペーストなど
を印刷した後焼成して形成される。しかしながら、スク
リーン印刷法ではマスクパターン精度、スクイーズ硬
さ、印刷速度および分散性などの最適化を図っても電極
パターンの幅を100μm以下に細くすることができ
ず、ファインパターン化には限界があった。また、スク
リーン印刷による方法では、印刷マスクの精度は、マス
ク製版の精度に依存するので印刷マスクが大きくなると
マスクパターンの寸法誤差が大きくなってしまう。この
ため30インチ以上の大面積のPDPの場合に、高精細
のPDP作製がますます技術的に困難となっている。
The above-mentioned address electrode is usually formed by printing a silver paste or the like on a glass substrate by using a printing mask having a mask pattern corresponding to the address electrode by a screen printing method, followed by firing. However, in the screen printing method, the width of the electrode pattern cannot be reduced to 100 μm or less even if the mask pattern accuracy, squeeze hardness, printing speed, and dispersibility are optimized. Was. In the screen printing method, the accuracy of the print mask depends on the accuracy of the mask plate making. Therefore, when the print mask is large, the dimensional error of the mask pattern becomes large. Therefore, in the case of a PDP having a large area of 30 inches or more, it is increasingly technically difficult to produce a high-definition PDP.

【0006】さらに、PDPには透過型と反射型があ
り、反射型の場合、背面ガラスの発光層側にアドレス電
極および絶縁層の隔壁(リブ)が設けられ、その後に蛍
光体が形成されている。アドレス電極を銀ペーストで印
刷し、乾燥させた後、隔壁用の印刷マスクによって絶縁
ガラスペーストを、高さ、幅によって異なるものの、例
えば焼成前の高さ200μmの隔壁を得るためには、1
0数回以上重ねて印刷する必要がある。その後、銀ペ−
ストおよび絶縁ペーストを一括に焼成してアドレス電極
および隔壁を形成する。しかしながら、大型のPDPに
なればなるほど、ガラス基板の一端を基準として、隔壁
用の位置合わせを行うと、ガラス基板の他端では、すで
に銀ペーストのパターンピッチ(印刷マスクの寸法精度
に依存する)と隔壁用の印刷マスクのパターンピッチと
が累積されることから、アドレス電極と隔壁との間に大
きな位置ずれが生じてしまう。このため高精細な電極パ
ターンが得られず、大型化も非常に制限されるようにな
り、問題点の解決が必要となっている。
Further, PDPs are classified into a transmission type and a reflection type. In the case of the reflection type, an address electrode and a partition (rib) of an insulating layer are provided on the light emitting layer side of the back glass, and then a phosphor is formed. I have. After the address electrodes are printed with a silver paste and dried, the insulating glass paste is changed by a print mask for the partition, depending on the height and width. For example, in order to obtain a partition with a height of 200 μm before firing, 1
0 It is necessary to print over and over several times. After that, silver paper
The address electrodes and the partition walls are formed by baking the paste and the insulating paste at once. However, as the size of the PDP becomes larger, the pattern pitch of the silver paste is already at the other end of the glass substrate (depending on the dimensional accuracy of the print mask) when the alignment for the partition is performed with reference to one end of the glass substrate. And the pattern pitch of the print mask for the partition are accumulated, so that a large displacement occurs between the address electrode and the partition. For this reason, a high-definition electrode pattern cannot be obtained, and enlargement of the electrode is also very limited, and it is necessary to solve the problem.

【0007】これらスクリーン印刷の欠点を改良する方
法として、特開平1−206538号公報、特開平1−
296534号公報および特開昭63−205255号
公報に記載されているように絶縁ペーストを焼成後、導
電ペーストを印刷し、焼成して電極形状の改良を図った
もの、アノードの電極形成にフォトリソグラフィ技術を
用いたものおよびフォトレジストを用いてフォトリソグ
ラフィ技術による導電ペーストを用いたものが提案され
ているが、微細パターン形成に加えて低抵抗と大型化を
同時に満足する電極を得る技術としては、十分ではなか
った。
As a method for improving the disadvantages of the screen printing, Japanese Patent Application Laid-Open Nos.
As described in JP-A-296534 and JP-A-63-205255, an insulating paste is baked, a conductive paste is printed and baked to improve the electrode shape, and photolithography is used for forming an anode electrode. Technologies that use technology and those that use a conductive paste by photolithography using a photoresist have been proposed.However, in order to obtain an electrode that simultaneously satisfies low resistance and large size in addition to forming a fine pattern, Was not enough.

【0008】また、特開昭63−292504号公報、
特開平2−268870号公報、特開平3−17169
0号公報および特開平3−180092号公報では、導
電ペーストの組成を検討したり、導電ペースト中の有機
成分として感光性樹脂を添加したいわゆる感光性導電ペ
ーストを用いて、フォトリソグラフィ技術により微細パ
ターン化を図ったり、金属粉末粒子径の最適化を図った
ものが提案されているが、微細パターン形成と低抵抗お
よび大型化を同時に満足する電極としては、十分ではな
かった。
Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 63-292504,
JP-A-2-268870, JP-A-3-17169
No. 0 and Japanese Patent Application Laid-Open No. HEI 3-180092 discuss the composition of a conductive paste or use a so-called photosensitive conductive paste in which a photosensitive resin is added as an organic component in the conductive paste to form a fine pattern by photolithography. Although there has been proposed an electrode having an improved size or an optimized particle diameter of the metal powder, it has not been sufficient as an electrode that simultaneously satisfies formation of a fine pattern and low resistance and large size.

【0009】特開平3−163727号公報および特開
平5−271576号公報では、プラズマデスプレイパ
ネル用の電極として、感光性導電ペースト法で形成した
ものが提案されているが、低抵抗に加えて基板との接着
強度を高める電極としては十分でなかった。
In JP-A-3-163727 and JP-A-5-271576, electrodes formed by a photosensitive conductive paste method are proposed as electrodes for a plasma display panel. It was not sufficient as an electrode to increase the adhesive strength with the electrode.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、プラ
ズマディスプレイの電極の高精細化と高信頼性を図ると
ともに、狭ピッチでの線幅の縮小によって高精細ディス
プレイでの放電空間の拡大および開口率を向上したプラ
ズマディスプレイ用電極とその製造方法を提供すること
にある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to increase the definition and reliability of the electrodes of a plasma display, and to increase the discharge space in a high definition display by reducing the line width at a narrow pitch. An object of the present invention is to provide a plasma display electrode having an improved aperture ratio and a method of manufacturing the same.

【0011】本発明の他の目的は、上記電極を用いてな
る、ハイビジョン対応の高品位・高精細・高輝度のプラ
ズマディスプレイを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a high-definition, high-definition, high-brightness plasma display using the above-mentioned electrodes, which is compatible with high definition.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】前記した本発明の目的
は、基板上に形成された電極であって、線幅(L)が1
5〜60μm、ピッチ(P)が80〜200μm、厚み
(T)が1〜10μm、比抵抗値が2.5〜5.0μΩ
・cm、基板に対する接着強度が5N以上であることを
特徴とするプラズマディスプレイ用電極によって達成さ
れる。そして、本発明のプラズマディスプレイ用電極
は、次の好ましい実施態様を有している。
An object of the present invention is to provide an electrode formed on a substrate and having a line width (L) of one.
5 to 60 μm, pitch (P) 80 to 200 μm, thickness (T) 1 to 10 μm, specific resistance 2.5 to 5.0 μΩ
Cm, the bonding strength to the substrate is 5 N or more, which is achieved by an electrode for a plasma display. The electrode for a plasma display of the present invention has the following preferred embodiments.

【0013】・前記電極の上面幅(Lt)、半値幅(L
h)および下面幅(Lb)の関係が次式(1)および
(2)を同時に満足すること。
The upper surface width (Lt) and the half-value width (L
h) and the lower surface width (Lb) simultaneously satisfy the following expressions (1) and (2).

【0014】 0.8≦Lt/Lh≦1.0 (1) 1.0≦Lb/Lh≦1.3 (2) ・Ag、NiおよびPtの群から選ばれた少なくとも1
種の金属成分を含有すること。
0.8 ≦ Lt / Lh ≦ 1.0 (1) 1.0 ≦ Lb / Lh ≦ 1.3 (2) At least one selected from the group consisting of Ag, Ni and Pt
Contain certain metal components.

【0015】・前記電極がガラスフリットを含有するこ
と。
The electrode contains a glass frit;

【0016】・前記ガラスフリットが酸化物換算表記で
Bi23を30〜95重量%含有すること。
The glass frit contains 30 to 95% by weight of Bi 2 O 3 in terms of oxide.

【0017】・前記ガラスフリットが酸化物換算表記
で、 Bi23 30〜85重量% SiO2 5〜30重量% B23 5〜20重量% ZrO3 3〜10重量% Al23 1〜 5重量% の組成範囲からなる成分を80重量%以上含有し、かつ
Na2O 、K2Oおよび Li2Oを実質的に含有しない
こと。
The glass frit is expressed in terms of oxide, 30 to 85% by weight of Bi 2 O 3 5 to 30% by weight of SiO 2 5 to 20% by weight of B 2 O 3 3 to 10% by weight of ZrO 3 Al 2 O 3 1 component composed of 5% by weight of the composition range containing 80 wt% or more, and Na 2 O, K 2 O and Li 2 O substantially contains no.

【0018】・前記ガラスフリットのガラス転移点(T
g)が400〜500℃、熱軟化点(Ts)が450〜
550℃であり、平均粒子径が0.5〜1.4μm、ト
ップサイズが4.5μm以下、かつ50〜400℃の熱
膨張係数(α)50400が7 5〜90×10-7/Kであ
ること また、本発明のプラズマディスプレイ用電極の製造方法
は、導電性粉末とガラスフリットと感光性有機成分とを
含有する感光性導電ペーストを基板上に塗布し、フォト
リソグラフィ法でパターン形成した後、焼成し、線幅
(L)が15〜60μm、ピッチ(P)が80〜200
μm、厚み(T)が1〜10μm、比抵抗値が2.5〜
5.0μΩ・cm、基板に対する接着強度が5N以上の
電極を形成することを特徴とするものであり、本発明に
おいては、上記ガラスフリットとして、熱軟化点(T
s)が450〜550℃であり、平均粒子径が0.5〜
1.4μm、かつ50〜400℃の熱膨張係数(α)50
400が75〜90×10-7/Kのガラスフリットを用い
ることが好ましい。
The glass transition point (T) of the glass frit
g) is 400 to 500 ° C. and the thermal softening point (Ts) is 450 to
550 ° C, average particle size of 0.5 to 1.4 µm, top size of 4.5 µm or less, and thermal expansion coefficient (α) of 50 to 400 ° C of 50 to 400 of 75 to 90 × 10 -7 / In addition, the method for producing an electrode for a plasma display of the present invention comprises applying a photosensitive conductive paste containing a conductive powder, a glass frit and a photosensitive organic component onto a substrate, and forming a pattern by photolithography. After firing, the line width (L) is 15 to 60 μm and the pitch (P) is 80 to 200.
μm, thickness (T) is 1 to 10 μm, and specific resistance is 2.5 to
An electrode having a bond strength of 5.0 μΩ · cm and a substrate of 5 N or more is formed. In the present invention, the glass frit has a heat softening point (T
s) is from 450 to 550 ° C., and the average particle size is from 0.5 to
1.4 μm and a coefficient of thermal expansion (α) of 50 to 400 ° C. 50 to
It is preferable to use a glass frit of 400 to 75 to 90 × 10 −7 / K.

【0019】さらに、本発明のプラズマディスプレイ
は、上記の電極を配してなものである。
Further, the plasma display of the present invention is provided with the above-mentioned electrodes.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】本発明のプラズマディスプレイ用
電極の線幅(L)は、15〜60μmの範囲にある必要
があり、好ましくは20〜50μmである。15μm未
満では、比抵抗が大きくなり接着強度も低下するように
なる。また、60μmを越えると電極上に誘電体層を形
成した場合に、電極の凹凸や熱膨張係数の違いによる熱
応力が生じ、誘電体層亀裂が発生する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The line width (L) of the electrode for a plasma display of the present invention must be in the range of 15 to 60 μm, and preferably 20 to 50 μm. If it is less than 15 μm, the specific resistance increases and the adhesive strength also decreases. On the other hand, when the thickness exceeds 60 μm, when a dielectric layer is formed on the electrode, thermal stress occurs due to unevenness of the electrode and a difference in thermal expansion coefficient, and a dielectric layer crack occurs.

【0021】またプラズマディスプレイ用電極のピッチ
(P)は、80〜200μmの範囲にある必要があり、
好ましくは80〜150μmである。80μm未満で
は、線幅を狭くする必要があり、比抵抗が大きくなり接
着強度も低下するようになる。また、200μmを越え
ると高精細のプラズマディスプレイを提供する本発明の
目的にそぐわなくなる。
The pitch (P) of the electrodes for the plasma display must be in the range of 80 to 200 μm.
Preferably it is 80 to 150 μm. If it is less than 80 μm, the line width needs to be reduced, and the specific resistance increases and the bonding strength decreases. On the other hand, when the thickness exceeds 200 μm, the purpose of the present invention to provide a high-definition plasma display is not satisfied.

【0022】さらに厚み(T)は、1〜10μmである
必要があり、好ましくは、1〜6μmである。1μm未
満では、導体膜が薄くなり過ぎて、しろ抜けやピンホー
ルが発生する。また、比抵抗が大きくなり接着強度も低
下するようになる。10μmを越えると電極上に誘電体
層を形成した場合に、電極の凹凸や熱膨張係数の違いに
よるによる熱応力が生じ、誘電体に亀裂が発生する。
Further, the thickness (T) needs to be 1 to 10 μm, and preferably 1 to 6 μm. If the thickness is less than 1 μm, the conductor film becomes too thin, so that a hole or a pinhole occurs. In addition, the specific resistance increases and the adhesive strength also decreases. If the thickness exceeds 10 μm, when a dielectric layer is formed on the electrode, thermal stress occurs due to unevenness of the electrode and a difference in thermal expansion coefficient, and a crack occurs in the dielectric.

【0023】比抵抗値は、2.5〜5.0μΩ・cmで
あることが必要であり、好ましくは2.5〜4.0μΩ
・cmである。比抵抗値が2.5μΩ・cm未満では、
放電特性の制御が難しくなる。また、5.0μΩ・cmを
越えると駆動電圧が高くなり好ましくない。比抵抗値が
この範囲にあると、電極厚みを10μm以下に薄くする
ことができる。また、線幅を細くすることができ、20
0μm以下の狭ピッチにおいての放電空間が確保できて
高精細なプラズマディスプレイパネルが得られる。 さ
らに、接着強度は、5N以上であることが必要であり、
10N以上であることが好ましい。5N未満では、電極
はがれや断線が生じる。また、パネルを大型化した場合
の歩留まり、信頼性が低下する。接着強度は強ければ強
いほど好ましいが、電極自体の破断強度を考慮し30N
以下が好ましい。
The specific resistance value must be in the range of 2.5 to 5.0 μΩ · cm, preferably 2.5 to 4.0 μΩ.
・ Cm. If the specific resistance is less than 2.5 μΩcm,
It becomes difficult to control the discharge characteristics. On the other hand, if it exceeds 5.0 μΩ · cm, the driving voltage becomes high, which is not preferable. When the specific resistance is within this range, the electrode thickness can be reduced to 10 μm or less. Further, the line width can be reduced, and
A discharge space at a narrow pitch of 0 μm or less can be secured, and a high-definition plasma display panel can be obtained. Further, the adhesive strength needs to be 5N or more,
It is preferably 10 N or more. If it is less than 5N, the electrode will peel off or break. Further, the yield and reliability when the size of the panel is increased are reduced. The higher the bonding strength, the better, but 30 N in consideration of the breaking strength of the electrode itself.
The following is preferred.

【0024】さらに本発明のプラズマディスプレイ用電
極は、Ltを上面幅、Lhを半値幅、Lbを下面幅とし
たとき、 0.8≦Lt/Lh≦1.0 1.0≦Lb/Lh≦1.3 の範囲にあることが好ましい。
Further, in the electrode for a plasma display of the present invention, when Lt is an upper surface width, Lh is a half width, and Lb is a lower surface width, 0.8 ≦ Lt / Lh ≦ 1.0 1.0 ≦ Lb / Lh ≦ It is preferably in the range of 1.3.

【0025】これを図面により例示すると図1のとおり
である。(図中、Lt:上面幅、Lh:半値幅、Lb:
下面幅である。) Lt/Lhが1.0を越えると、電極中央にくびれが生
じる形状や逆台形の形状となり、また電極端部が盛り上
がった(端部に角が発生した)り、比抵抗が大きくなる
傾向がある。また、電極上に誘電体ガラスを形成する
が、電極と誘電体層との熱膨張係数の違いにより誘電体
層に熱応力が発生し、亀裂が生じやすくなったり、パネ
ルサイズが21インチ以上になるとストライプ状電極の
断線発生が生じることがある。さらに、電極のガラス基
板に対する接着面積が小さくなり接着強度が低下し、電
極剥がれが起こりやすくなり好ましくない。また0.8
未満では上面が細くなりすぎ、放電空間の割合、すなわ
ち開口率が小さくなるため、輝度が低下する点で好まし
くない。
This is illustrated in FIG. 1 as an example. (In the figure, Lt: upper surface width, Lh: half width, Lb:
The lower surface width. When Lt / Lh exceeds 1.0, constriction occurs in the center of the electrode or an inverted trapezoidal shape, and the electrode ends protrude (corners occur at the ends) and the specific resistance tends to increase. There is. In addition, a dielectric glass is formed on the electrode, but thermal stress is generated in the dielectric layer due to a difference in thermal expansion coefficient between the electrode and the dielectric layer, so that cracks are easily generated or the panel size becomes 21 inches or more. Then, disconnection of the stripe-shaped electrode may occur. Further, the bonding area of the electrode to the glass substrate is reduced, the bonding strength is reduced, and the electrode is liable to peel off, which is not preferable. 0.8
If it is less than 1, the upper surface becomes too thin and the ratio of the discharge space, that is, the aperture ratio becomes small, which is not preferable in that the luminance is reduced.

【0026】また、Lb/Lhが1.0未満では、電極
の基板に対する接着面積が減少し、接着強度が低下し、
電極はがれが起こったり、断線の原因となることがあ
る。また1.3を越えると狭ピッチでは、放電空間が減
少すなわち開口率が小さくなり、プラズマディスプレイ
の輝度が低下する点で好ましくない。これらの値は、よ
り好ましくは、Lt/Lh=0.9〜1.0、Lb/L
h=1.0〜1.2の範囲である。
On the other hand, if Lb / Lh is less than 1.0, the bonding area of the electrode to the substrate decreases, and the bonding strength decreases.
The electrode may come off or cause disconnection. On the other hand, if it exceeds 1.3, a narrow pitch is not preferable because the discharge space decreases, that is, the aperture ratio decreases, and the brightness of the plasma display decreases. These values are more preferably Lt / Lh = 0.9 to 1.0, Lb / L
h = 1.0 to 1.2.

【0027】プラズマディスプレイ用電極の断面形状と
しては、矩形形状が、誘電体層を形成した場合の亀裂発
生が少なく、電極の回路抵抗が計算・設計できることか
ら好ましい。
The cross-sectional shape of the electrode for a plasma display is preferably a rectangular shape because cracks are less likely to occur when a dielectric layer is formed, and the circuit resistance of the electrode can be calculated and designed.

【0028】本発明の電極各部の形状は、ピッチをP、
線幅をLおよび厚みをTとした場合、次のような関係が
あることが、特にパネルの輝度、放電寿命の点で優れて
いることから好ましい。
In the shape of each part of the electrode of the present invention, the pitch is P,
When the line width is L and the thickness is T, it is preferable that the following relationship be established, particularly in view of the panel brightness and discharge life.

【0029】・P=80〜150μmのとき、 L=15〜40μm、T=1〜5μm ・P=150〜200μmのとき、 L=30〜60μm、T=1〜7μm 本発明のプラズマディスプレイ用電極は、Ag、Niお
よびPtの群から選ばれた少なくとも1種の金属成分を
含むことが好ましく、電極形成時にガラス基板上に60
0℃以下の温度で焼き付けできる低抵抗の導電性粉末を
使用するとよい。例えばAg(97−99.5)−Pd
(3−1.5)、Ag(97−99.5)−Pd(2−
0.5)−Pt(0.5−2)、Ag(97−99.
5)−Pt(3−0.5)(以上( )内は重量%を表
わす)などの3元系あるいは2元系の混合貴金属粉末が
用いられる。
When P = 80-150 μm, L = 15-40 μm, T = 1-5 μm. When P = 150-200 μm, L = 30-60 μm, T = 1-7 μm. Electrode for plasma display of the present invention. Preferably contains at least one metal component selected from the group consisting of Ag, Ni and Pt.
It is preferable to use a low-resistance conductive powder that can be baked at a temperature of 0 ° C. or lower. For example, Ag (97-99.5) -Pd
(3-1.5), Ag (97-99.5) -Pd (2-
0.5) -Pt (0.5-2), Ag (97-99.
5) A ternary or binary mixed noble metal powder such as -Pt (3-0.5) (where parentheses indicate weight%) is used.

【0030】これらの導電性粉末の平均粒子径は、好ま
しくは0.6〜4.5μm、より好ましくは0.8〜
3.5μmである。粒子径が0.6μm以上であると紫
外線の露光時に光が印刷後の膜中をスム−ズに透過し、
微細パタ−ンを形成できる点で好ましい。また粒子径が
4.5μm以下であると、印刷後の電極パタ−ンの表面
が平滑となり、10μm以下の薄膜導体のパタ−ン精度
や厚み・寸法精度が向上する。
The average particle size of these conductive powders is preferably 0.6 to 4.5 μm, more preferably 0.8 to 4.5 μm.
3.5 μm. When the particle diameter is 0.6 μm or more, light smoothly passes through the printed film during exposure to ultraviolet light,
This is preferable in that a fine pattern can be formed. When the particle diameter is 4.5 μm or less, the surface of the electrode pattern after printing becomes smooth, and the pattern accuracy, thickness and dimensional accuracy of the thin film conductor of 10 μm or less are improved.

【0031】導電性粉末の比表面積は、0.3〜2.5
2 /gの範囲が好ましい。より好ましくは、比表面積
0.35〜2.0m2 /gである。0.3m2 /g以上
であると電極パタ−ンの精度に優れる点で好ましい。ま
た2.5m2 /g以下であると粉末の表面積が小さく、
紫外線が散乱されることなく下部まで露光硬化が十分行
われるため、現像時に剥がれ等の欠点が生じることがな
い。
The specific surface area of the conductive powder is 0.3 to 2.5.
A range of m 2 / g is preferred. More preferably, the specific surface area is 0.35 to 2.0 m 2 / g. When it is at least 0.3 m 2 / g, it is preferred in that the accuracy of the electrode pattern is excellent. When the surface area is less than 2.5 m 2 / g, the surface area of the powder is small,
Since exposure curing is sufficiently performed to the lower portion without scattering of ultraviolet rays, defects such as peeling during development do not occur.

【0032】また、導電性粉末のタップ密度は3〜6g
/cm2であることが好ましい。より好ましくは、3.5
〜5g/cm2の範囲である。タップ密度がこの範囲にあ
ると紫外線透過性が良く、電極パターン精度が向上す
る。さらに、ペーストの印刷後の塗布膜でレベリング性
の良い緻密な膜が得られる。
The tap density of the conductive powder is 3 to 6 g.
/ Cm 2 . More preferably, 3.5
55 g / cm 2 . When the tap density is in this range, the ultraviolet ray transmittance is good, and the electrode pattern accuracy is improved. Further, a dense film having good leveling property can be obtained in the coating film after printing the paste.

【0033】導電性粉末の形状は、粒状(粒子状)、多
面体状、球状のものが使用できるが、単分散粒子で、凝
集がなく、球状であることが好ましい。この場合、球形
率が90個数%以上が好ましい。球形率は、粉末を光学
顕微鏡で300倍の倍率にて撮影し、このうち計数可能
な粒子を計数した時の球形のものの比率を意味する。球
状であると露光時に紫外線の散乱が非常に少なくなり、
高精度のパタ−ンが得られ、照射エネルギ−が少なくて
済む。
The conductive powder may be in the form of particles (particles), polyhedron, or sphere, but is preferably a monodisperse particle, without agglomeration, and spherical. In this case, the sphericity is preferably 90% by number or more. The sphericity means the ratio of spherical particles when powder is photographed with an optical microscope at a magnification of 300 times and countable particles are counted. If it is spherical, scattering of ultraviolet light during exposure will be very small,
A highly accurate pattern can be obtained, and irradiation energy can be reduced.

【0034】また本発明においては、プラズマディスプ
レイ用電極中にガラスフリットを含有させることが好ま
しい。これは導電性粉末をガラス基板上に焼き付けるた
め、または、導電性粉末を焼結するための焼結助剤の導
体抵抗を下げる効果があるためである。
In the present invention, it is preferable to include a glass frit in the electrode for the plasma display. This is because the conductive powder is baked on the glass substrate or the sintering aid for sintering the conductive powder has an effect of reducing the conductor resistance.

【0035】またこのとき、ガラスフリットのガラス転
移温度(Tg)および熱軟化点(Ts)は、それぞれ4
00〜500℃、450〜550℃であることが好まし
い。より好ましくは、TgおよびTsがそれぞれ440
〜500℃、460〜530℃である。Tg、Tsがそ
れぞれ400℃、450℃以上であると、ポリマーやモ
ノマーなどの感光性有機化合物が蒸発した後ガラスの焼
結が始まり、有機化合物の脱バインダー性に優れ、電極
剥がれが生じず、緻密かつ低抵抗の導体膜が得られる点
で好ましい。またTgとTsがそれぞれ500℃、55
0℃以下であると、600℃以下の温度で焼き付けたと
きに、導体膜とガラス基板とで充分な接着強度や緻密な
膜が得られる点で好ましい。
At this time, the glass transition temperature (Tg) and the thermal softening point (Ts) of the glass frit are 4
The temperature is preferably from 00 to 500 ° C and from 450 to 550 ° C. More preferably, Tg and Ts are each 440
500500 ° C., 460-530 ° C. When Tg and Ts are respectively 400 ° C. and 450 ° C. or more, the sintering of the glass starts after the photosensitive organic compound such as a polymer or a monomer evaporates, the debinding property of the organic compound is excellent, and the electrode does not peel off. This is preferable because a dense and low-resistance conductive film can be obtained. Tg and Ts are 500 ° C and 55 ° C, respectively.
The temperature of 0 ° C. or less is preferable in that sufficient adhesion strength and a dense film can be obtained between the conductive film and the glass substrate when the film is baked at a temperature of 600 ° C. or less.

【0036】さらにガラスフリットの組成としては、B
23を30〜95重量%の範囲で含有することが好ま
しい。30重量%以上であると、感光性導電ペーストを
ガラス基板上に焼き付けするときに、ガラス転移点や熱
軟化点を制御しやすく、ガラス基板に対する導体膜(焼
成後の電極)の接着強度を高める効果が高い。また95
重量%を越えると、ガラスフリットの熱軟化点が好まし
い範囲となり、感光性導電ペースト中のバインダーが蒸
発する前にガラスフリットが溶融することがない。この
ため、感光性導電ペーストの脱バインダ性に優れ、導体
膜の焼結性が良好で、基板との接着強度が高くなる。
Further, the composition of the glass frit is B
It is preferable that the i 2 O 3 is contained in a range of 30 to 95 wt%. When the content is 30% by weight or more, when the photosensitive conductive paste is baked on a glass substrate, the glass transition point and the thermal softening point are easily controlled, and the adhesive strength of the conductive film (the fired electrode) to the glass substrate is increased. High effect. Also 95
When the content is more than 10% by weight, the thermal softening point of the glass frit is in a preferable range, and the glass frit does not melt before the binder in the photosensitive conductive paste evaporates. For this reason, the photosensitive conductive paste is excellent in binder removal properties, the sinterability of the conductive film is good, and the adhesive strength to the substrate is high.

【0037】さらに、ガラスフリットは、酸化物換算表
記で、 Bi23 30〜85重量% SiO2 5〜30重量% B23 5〜20重量% ZrO2 3〜10重量% Al23 1〜 5重量% の組成範囲からなる成分を80重量%以上含有し、かつ
Na2O、K2O、Li2Oを 実質的に含有しないアルカ
リフリーガラスフリットであることが好ましい。前記条
件を満足することにより、550〜600℃で導体膜を
ガラス基板上に強固に焼き付けできるガラスフリットが
得られる。
Further, the glass frit is expressed in terms of oxide as 30 to 85% by weight of Bi 2 O 3 5 to 30% by weight of SiO 2 5 to 20% by weight of B 2 O 3 3 to 10% by weight of ZrO 2 Al 2 O 3 1 containing 5 wt% of 80% by weight or more components having the composition range and Na 2 O, K 2 O, is preferably an alkali-free glass frit that does not substantially contain Li 2 O. By satisfying the above conditions, a glass frit capable of firmly baking a conductive film on a glass substrate at 550 to 600 ° C. is obtained.

【0038】SiO2は、5〜30重量%の範囲で配合
することが好ましく、5重量%以上であると、ガラス基
板上に焼き付けたときの接着強度が高く、ガラスフリッ
トの安定性に優れる。また30重量%以下であると耐熱
温度が適度に保たれ、600℃以下でガラス基板上に焼
き付けを容易に行なうことができる。
[0038] SiO 2 is preferably added in amounts of 5 to 30 wt%, if it is 5 wt% or more, the adhesion strength when baked on a glass substrate is high, excellent stability of the glass frit. When the content is 30% by weight or less, the heat-resistant temperature is appropriately maintained, and baking on a glass substrate at 600 ° C. or less can be easily performed.

【0039】B23は、5〜20重量%の範囲で配合す
ることが好ましい。B23は、導電ペーストの電気絶縁
性、接着強度、熱膨張係数などの電気、機械および熱的
特性を損なうことの無いように焼き付け温度を550〜
600℃の範囲に抑制するために配合される。5重量%
以上であると密着強度に優れ、また20重量%以下であ
るとガラスフリットの安定性の点で好ましい。
B 2 O 3 is preferably blended in a range of 5 to 20% by weight. B 2 O 3 is an electrically insulating conductive paste, adhesive strength, electric and thermal expansion coefficient, the baking temperature so as not to impair the mechanical and thermal properties 550
It is blended in order to suppress the temperature within the range of 600 ° C. 5% by weight
When the content is more than the above, the adhesive strength is excellent, and when the content is 20% by weight or less, it is preferable in terms of stability of the glass frit.

【0040】ZrO2は、3〜10重量%の範囲で配合
することが好ましい。ZrO2は、ガラスフリットの耐
酸性を向上できるので好ましい。すなわち、ガラスフリ
ットの組成によってはガラスフリットが感光性有機成分
と反応し、ペーストがゲル化反応を起こしやすくなる
が、ZrO2を添加するとゲル化が抑制される。3重量
%以上であることがゲル化抑制効果の点で好ましく、1
0重量%以下であることがガラスの耐熱温度が適度とな
り、ガラス基板上への焼き付けの点で好ましい。
It is preferable that ZrO 2 is blended in a range of 3 to 10% by weight. ZrO 2 is preferable because it can improve the acid resistance of the glass frit. That is, depending on the composition of the glass frit, the glass frit reacts with the photosensitive organic component, and the paste tends to cause a gelling reaction. However, when ZrO 2 is added, the gelation is suppressed. It is preferably at least 3% by weight in view of the effect of suppressing gelation.
The amount of 0% by weight or less is preferable in terms of baking on a glass substrate since the heat resistance temperature of the glass becomes appropriate.

【0041】Al23は、1〜5重量%の範囲で配合す
るのが好ましい。Al23の配合量がこの範囲にある
と、ガラスフリットの熱安定性、熱膨張係数、ガラス転
移点、熱軟化点を抑制できるので好ましい。
It is preferable that Al 2 O 3 is blended in a range of 1 to 5% by weight. When the amount of Al 2 O 3 is in this range, the thermal stability, coefficient of thermal expansion, glass transition point, and thermal softening point of the glass frit can be suppressed, which is preferable.

【0042】ガラスフリットには、プラズマの放電特性
を劣化させ、アルカリ成分と銀粉末が反応し、ガラス基
板が黄色化する問題が生じる恐れのあるNa2O、Li2
OおよびK2Oなどのアルカリ金属酸化物を実質的に含
まないことが好ましい。含有した場合にも0.5重量%
以下であることが好ましく、より好ましくは、0.1重
量%以下である。
The glass frit may contain Na 2 O, Li 2 , which may degrade the discharge characteristics of the plasma, react with an alkali component and silver powder, and cause a problem that the glass substrate turns yellow.
It is preferable that alkali metal oxides such as O and K 2 O are not substantially contained. 0.5% by weight when contained
It is preferably at most 0.1% by weight, more preferably at most 0.1% by weight.

【0043】また、ガラスフリット中にBaO,Ti
2、ZnO、CaOおよびZrO2などを含有すること
によって熱膨張係数、ガラス転移点、ガラス軟化点を抑
制できるが、その量は10重量%未満であることが好ま
しい。
In the glass frit, B a O, Ti
By including O 2 , ZnO, CaO, and ZrO 2 , the thermal expansion coefficient, glass transition point, and glass softening point can be suppressed, but the amount is preferably less than 10% by weight.

【0044】電極中のガラスフリット含有量としては、
電極に対して(焼成後の電極重量に対する重量%)1〜
5重量%であることが好ましい。より好ましくは1.5
〜3.5重量%である。PDPの前面板および背面板の
電極の低抵抗化・薄膜化を図るには、ガラスフリットの
量が少ない方が好ましい。ガラスフリットは、電気絶縁
性があり、ガラスフリットが多くなると電極の抵抗が大
きくなる傾向があり、8μm以下の薄膜導体では、導電
性粉末とガラスフリットの熱膨張係数の違いによる膜剥
がれが起こることがあるので、5重量%以下が好まし
い。また、1重量%以上であることが電極膜とガラス基
板との強固な接着強度が得られる点で好ましい。
The glass frit content in the electrode is as follows:
(% By weight based on electrode weight after firing)
Preferably it is 5% by weight. More preferably 1.5
~ 3.5% by weight. In order to reduce the resistance and the thickness of the electrodes on the front and back plates of the PDP, it is preferable that the amount of glass frit is small. Glass frit has electrical insulation properties, and as the glass frit increases, the resistance of the electrode tends to increase. With a thin film conductor of 8 μm or less, film peeling occurs due to the difference in the thermal expansion coefficient between the conductive powder and the glass frit. Therefore, the content is preferably 5% by weight or less. Further, the content is preferably 1% by weight or more from the viewpoint that a strong adhesive strength between the electrode film and the glass substrate can be obtained.

【0045】本発明のプラズマディスプレイ用電極の製
造方法は、工程が少なく、微細なパターンが形成が可能
である感光性導電ペースト法で作製することが好まし
い。感光性導電ペースト法は、主として導電性粉末、ガ
ラスフリットからなる金属・無機成分と感光性有機成分
からなる感光性導電ペーストを用いて、フォトマスクの
パターンを露光により焼き付け、現像により電極パター
ンを形成し、その後焼成して電極を得る方法である。
The method of manufacturing an electrode for a plasma display of the present invention is preferably manufactured by a photosensitive conductive paste method which has few steps and can form a fine pattern. In the photosensitive conductive paste method, a photomask pattern is baked by exposure using a conductive powder mainly composed of conductive powder, metal / inorganic components composed of glass frit, and photosensitive organic components, and an electrode pattern is formed by development. Then, firing is performed to obtain an electrode.

【0046】具体的には、導電性粉末とガラスフリット
と感光性有機成分とを含有する感光性導電ペーストを基
板上に塗布し、フォトリソグラフィ法でパターン形成し
た後、焼成し、線幅(L)が15〜60μm、ピッチ
(P)が80〜200μm、厚み(T)が1〜10μ
m、比抵抗値が2.5〜5.0μΩ・cm、基板に対す
る接着強度が5N以上の電極を形成する方法が、本発明
の目的とする、狭ピッチでの線幅の縮小によって高精細
ディスプレイでの放電空間の拡大・開口率を向上し、ハ
イビジョン対応の高品位・高精細・高輝度ディスプレイ
を容易に製造することができる点で好ましく挙げること
ができる。
Specifically, a photosensitive conductive paste containing a conductive powder, a glass frit, and a photosensitive organic component is applied onto a substrate, patterned by photolithography, baked, and then baked to obtain a line width (L). ) Is 15 to 60 μm, pitch (P) is 80 to 200 μm, and thickness (T) is 1 to 10 μm.
m, a method of forming an electrode having a specific resistance of 2.5 to 5.0 μΩ · cm and an adhesive strength to a substrate of 5 N or more is a high-definition display by reducing a line width at a narrow pitch, which is an object of the present invention. It is preferable because the discharge space can be enlarged and the aperture ratio can be improved, and a high-definition, high-definition, high-luminance display compatible with HDTV can be easily manufactured.

【0047】本発明において、感光性導電ペーストを構
成する感光性有機成分とは、感光性化合物を含む有機成
分のことであり、感光性化合物の含有率が感光性有機成
分の10重量%以上であることが光に対する感度の点で
好ましい。さらには30重量%以上であることが好まし
い。
In the present invention, the photosensitive organic component constituting the photosensitive conductive paste is an organic component containing a photosensitive compound, and the content of the photosensitive compound is 10% by weight or more of the photosensitive organic component. It is preferable in terms of sensitivity to light. More preferably, it is at least 30% by weight.

【0048】感光性化合物としては、光不溶化型のもの
と光可溶化型のものがある。光不溶化型のものとして
は、(1)分子内に不飽和基などを1つ以上有する官能
性のモノマー、オリゴマー、ポリマー含有するもの、
(2)芳香族ジアゾ化合物、芳香族アジド化合物、有機
ハロゲン化合物などの感光性化合物含有するもの、
(3)ジアゾ系アミンとホルムアルデヒドとの縮合物な
どいわゆるジアゾ樹脂といわれるもの等がある。
The photosensitive compound includes a photo-insoluble type and a photo-solubilized type. Examples of the photo-insolubilized type include (1) those containing a functional monomer, oligomer, or polymer having at least one unsaturated group in the molecule,
(2) those containing photosensitive compounds such as aromatic diazo compounds, aromatic azide compounds, and organic halogen compounds;
(3) There is a so-called diazo resin such as a condensate of a diazo-based amine and formaldehyde.

【0049】また、光可溶型のものとしては、(4)ジ
アゾ化合物の無機塩や有機酸とのコンプレックス、キノ
ンジアゾ類を含有するもの、(5)キノンジアゾ類を適
当なポリマーバインダーと結合させた、例えばフェノー
ル、ノボラック樹脂のナフトキノン1、2−ジアジド−
5−スルフォン酸エステル等が挙げられる。
The photo-soluble type includes (4) a complex of a diazo compound with an inorganic salt or an organic acid, a compound containing quinone diazos, and (5) a quinone diazo compound bonded to an appropriate polymer binder. For example, phenol, naphthoquinone 1,2-diazide of novolak resin
5-sulfonic acid ester and the like.

【0050】本発明においては、上記のすべてを用いる
ことができるが、取扱いの容易性や品質設計の容易性に
おいては、上記(1)が好ましい。
In the present invention, all of the above can be used, but the above (1) is preferred in terms of ease of handling and quality design.

【0051】分子内に官能基を有する感光性モノマーの
具体的な例としては、メチルアクリレート、エチルアク
リレート、n−プロピルアクリレート、イソプロピルア
クリレート、n−ブチルアクリレート、sec−ブチル
アクリレート、イソ−ブチルアクリレート、tert−
ブチルアクリレート、n−ペンチルアクリレート、アリ
ルアクリレート、ベンジルアクリレート、ブトキシエチ
ルアクリレート、ブトキシトリエチレングリコールアク
リレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシクロペン
タニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレー
ト、2−エチルヘキシルアクリレート、グリセロールア
クリレート、グリシジルアクリレート、ヘプタデカフロ
ロデシルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレ
ート、イソボニルアクリレート、2−ヒドロキシプロピ
ルアクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオク
チルアクリレート、ラウリルアクリレート、2−メトキ
シエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールア
クリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレー
ト、オクタフロロペンチルアクリレート、フェノキシエ
チルアクリレート、ステアリルアクリレート、トリフロ
ロエチルアクリレート、アリル化シクロヘキシルジアク
リレート、1,4−ブタンジオールジアクリレート、
1,3−ブチレングリコールジアクリレート、エチレン
グリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジア
クリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、
ポリエチレングリコールジアクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトー
ルモノヒドロキシペンタアクリレート、ジトリメチロー
ルプロパンテトラアクリレート、グリセロールジアクリ
レート、メトキシ化シクロヘキシルジアクリレート、ネ
オペンチルグリコールジアクリレート、プロピレングリ
コールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジア
クリレート、トリグリセロールジアクリレート、トリメ
チロールプロパントリアクリレート、アクリルアミド、
アミノエチルアクリレートおよび上記化合物の分子内の
アクリレートを一部もしくはすべてをメタクリレートに
変えたもの、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシ
シラン、1−ビニル−2−ピロリドンなどが挙げられ
る。
Specific examples of the photosensitive monomer having a functional group in the molecule include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-propyl acrylate, isopropyl acrylate, n-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, iso-butyl acrylate, tert-
Butyl acrylate, n-pentyl acrylate, allyl acrylate, benzyl acrylate, butoxyethyl acrylate, butoxytriethylene glycol acrylate, cyclohexyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, glycerol acrylate, glycidyl acrylate, hepta Decafluorodecyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, isobonyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, isodexyl acrylate, isooctyl acrylate, lauryl acrylate, 2-methoxyethyl acrylate, methoxyethylene glycol acrylate, methoxydiethylene glycol acrylate, octafluorope Chill acrylate, phenoxyethyl acrylate, stearyl acrylate, trifluoroethyl acrylate, allylated cyclohexyl diacrylate, 1,4-butanediol diacrylate,
1,3-butylene glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate,
Polyethylene glycol diacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, ditrimethylolpropane tetraacrylate, glycerol diacrylate, methoxylated cyclohexyl diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, propylene glycol diacrylate, polypropylene glycol diacrylate , Triglycerol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, acrylamide,
Aminoethyl acrylate and those obtained by partially or entirely changing acrylate in the molecule of the above compound to methacrylate, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 1-vinyl-2-pyrrolidone and the like can be mentioned.

【0052】また、フェニル(メタ)アクリレート、フ
ェノキシエチル(メタ)アクリレート、ベンジル(メ
タ)アクリレート、1−ナフチル(メタ)アクリレー
ト、2−ナフチル(メタ)アクリレート、ビスフェノー
ルAジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールA−エチ
レンオキサイド付加物のジ(メタ)アクリレート、ビス
フェノールA−プロピレンオキサイド付加物のジ(メ
タ)アクリレート、1−ナフチル(メタ)アクリレー
ト、2−ナフチル(メタ)アクリレート、チオフェノー
ル(メタ)アクリレート、ベンジルメルカプタン(メ
タ)アクリレートなどのアクリレート類、スチレン、p
−メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メチルス
チレン、α−メチルスチレン、クロロメチルスチレン、
ヒドロキシメチルスチレンなどのスチレン類、またこれ
らの芳香環中の水素原子の一部もしくはすべてを塩素、
臭素原子、ヨウ素あるいはフッ素に置換したしたもの、
および上記化合物の分子内のアクリレートの一部もしく
はすべてをメタクリレートに変えたものを用いることが
できる。その他γ−メタクリロキシプロピルトリメトキ
シシラン、1−ビニル−2−ピロリドンなどが挙げられ
る。
Further, phenyl (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, 1-naphthyl (meth) acrylate, 2-naphthyl (meth) acrylate, bisphenol A di (meth) acrylate, bisphenol A -Di (meth) acrylate of ethylene oxide adduct, di (meth) acrylate of bisphenol A-propylene oxide adduct, 1-naphthyl (meth) acrylate, 2-naphthyl (meth) acrylate, thiophenol (meth) acrylate, benzyl Acrylates such as mercaptan (meth) acrylate, styrene, p
-Methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, α-methylstyrene, chloromethylstyrene,
Styrenes such as hydroxymethylstyrene, and some or all of the hydrogen atoms in these aromatic rings are chlorine,
Those substituted with bromine atoms, iodine or fluorine,
Further, methacrylate in which part or all of the acrylate in the molecule of the above compound is used can be used. Other examples include γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane and 1-vinyl-2-pyrrolidone.

【0053】本発明では、これらを1種または2種以上
使用することができる。これら以外に、不飽和カルボン
酸等の不飽和酸を加えることによって、感光後の現像性
をさらに向上させることができる。
In the present invention, one or more of these can be used. In addition to these, the developability after exposure can be further improved by adding an unsaturated acid such as an unsaturated carboxylic acid.

【0054】不飽和カルボン酸の具体的な例としては、
アクリル酸、メタアクリル酸、イタコン酸、クロトン
酸、マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸およびこれらの
酸無水物などが挙げられる。
Specific examples of unsaturated carboxylic acids include:
Examples include acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, vinyl acetic acid, and acid anhydrides thereof.

【0055】一方、分子内に官能基を有するオリゴマー
やポリマーの例としては、前述のモノマーの内、少なく
とも1種類を重合して得られたオリゴマーやポリマーの
側鎖または分子末端に官能基を付加させたものなどを用
いることができる。少なくともアクリル酸アルキルある
いはメタクリル酸アルキルを含むこと、より好ましく
は、少なくともメタクリル酸メチルを含むことによっ
て、熱分解性の良好な重合体を得ることができる。
On the other hand, examples of the oligomer or polymer having a functional group in the molecule include a functional group added to a side chain or a molecular terminal of an oligomer or polymer obtained by polymerizing at least one of the above-mentioned monomers. What was made can be used. By containing at least an alkyl acrylate or an alkyl methacrylate, and more preferably containing at least methyl methacrylate, a polymer having good thermal decomposability can be obtained.

【0056】好ましい官能基は、エチレン性不飽和基を
有するものである。エチレン性不飽和基としては、ビニ
ル基、アリル基、アクリル基、メタクリル基などが挙げ
られる。
Preferred functional groups are those having an ethylenically unsaturated group. Examples of the ethylenically unsaturated group include a vinyl group, an allyl group, an acryl group, and a methacryl group.

【0057】このような官能基をオリゴマーやポリマー
に付加させる方法は、ポリマー中のメルカプト基、アミ
ノ基、水酸基やカルボキシル基に対して、グリシジル基
やイソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物や
アクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライドまたは
アリルクロライドを付加反応させて作る方法がある。
A method for adding such a functional group to an oligomer or a polymer is based on a method in which an ethylenically unsaturated compound having a glycidyl group or an isocyanate group or an acrylic acid is added to a mercapto group, an amino group, a hydroxyl group or a carboxyl group in the polymer. There is a method in which chloride, methacrylic chloride or allyl chloride is added to make an addition reaction.

【0058】グリシジル基を有するエチレン性不飽和化
合物としては、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グ
リシジル、アリルグリシジルエーテル、エチルアクリル
酸グリシジル、クロトニルグリシジルエーテル、クロト
ン酸グリシジルエーテルおよびイソクロトン酸グリシジ
ルエーテルなどが挙げられる。
Examples of the ethylenically unsaturated compound having a glycidyl group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, glycidyl ethyl acrylate, crotonyl glycidyl ether, glycidyl ether crotonic acid and glycidyl ether isocrotonic acid. .

【0059】イソシアネート基を有するエチレン性不飽
和化合物としては、(メタ)アクリロイルイソシアネー
ト、(メタ)アクリロイルエチルイソシアネート等があ
る。
Examples of the ethylenically unsaturated compound having an isocyanate group include (meth) acryloyl isocyanate and (meth) acryloylethyl isocyanate.

【0060】また、グリシジル基やイソシアネート基を
有するエチレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライ
ド、メタクリル酸クロライドまたはアリルクロライド
は、ポリマー中のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカ
ルボキシル基に対して0.05〜1モル当量付加させる
ことが好ましい。また、不飽和カルボン酸等の不飽和酸
を共重合することによって、感光後の現像性を向上する
ことができる。不飽和カルボン酸の具体的な例として
は、前記したものと同様、アクリル酸、メタアクリル
酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、
ビニル酢酸およびこれらの酸無水物などが挙げられる。
The ethylenically unsaturated compound having a glycidyl group or an isocyanate group, acrylic acid chloride, methacrylic acid chloride or allyl chloride is used in an amount of 0.05 to 0.05 with respect to the mercapto group, amino group, hydroxyl group and carboxyl group in the polymer. It is preferable to add one molar equivalent. Further, by copolymerizing an unsaturated acid such as an unsaturated carboxylic acid, the developability after exposure can be improved. Specific examples of the unsaturated carboxylic acid, as described above, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid,
Vinyl acetic acid and acid anhydrides thereof.

【0061】こうようにして得られた側鎖にカルボキシ
ル基等の酸性基を有するポリマーもしくはオリゴマーの
酸価(AV)は、50〜180、さらには70〜140
の範囲が好ましい。酸価が50未満であると、現像許容
幅が狭くなる。また、酸価が180を越えると未露光部
の現像液に対する溶解性が低下するようになるため、現
像液濃度を濃くすると露光部まで剥がれが発生し、高精
細なパターンが得られないことがある。
The acid value (AV) of the thus obtained polymer or oligomer having an acidic group such as a carboxyl group in the side chain is 50 to 180, more preferably 70 to 140.
Is preferable. When the acid value is less than 50, the allowable development width becomes narrow. Further, when the acid value exceeds 180, the solubility of the unexposed portion in the developing solution is reduced, so that when the developing solution concentration is high, peeling occurs to the exposed portion, and a high-definition pattern may not be obtained. is there.

【0062】さらにバインダーとしては、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルブチラール、メタクリル酸エステ
ル重合体、アクリル酸エステル重合体、アクリル酸エス
テル−メタクリル酸エステル共重合体、α−メチルスチ
レン重合体、ブチルメタクリレート樹脂などに非感光性
のポリマーを加えてもよい。
Further, as a binder, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, methacrylate polymer, acrylate polymer, acrylate-methacrylate copolymer, α-methylstyrene polymer, butyl methacrylate resin, etc. Photosensitive polymers may be added.

【0063】感光性モノマーをオリゴマーやポリマーに
対して0.05〜10倍量用いることが好ましい。より
好ましくは0.1〜3倍量である。10倍量を越えると
ペーストの粘度が小さくなり、ペースト中での分散性の
点で好ましくない。0.05倍量未満では、未露光部の
現像液への溶解性の点で好ましくない。
It is preferable to use the photosensitive monomer in an amount of 0.05 to 10 times the amount of the oligomer or the polymer. More preferably, the amount is 0.1 to 3 times. If the amount exceeds 10 times, the viscosity of the paste becomes small, which is not preferable in terms of dispersibility in the paste. If the amount is less than 0.05 times, the unexposed portion is not preferable in terms of solubility in a developing solution.

【0064】その他、感光性有機成分には、必要に応じ
て光重合開始剤、増感剤、増感助剤、重合禁止剤、可塑
剤、増粘剤、有機溶媒、酸化防止剤、分散剤、有機ある
いは無機の沈殿防止剤などの添加剤成分が含まれていて
もよい。
In addition, if necessary, a photopolymerization initiator, a sensitizer, a sensitizing aid, a polymerization inhibitor, a plasticizer, a thickener, an organic solvent, an antioxidant, a dispersant Further, an additive component such as an organic or inorganic suspending agent may be contained.

【0065】光重合開始剤としての具体的な例として、
ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、4、
4−ビス(ジメチルアミン)ベンゾフェノン、4、4−
ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、α−アミノ・
アセトフェノン、4、4−ジクロロベンゾフェノン、4
−ベンゾイル−4−メチルジフェニルケトン、ジベンジ
ルケトン、フルオレノン、2、2−ジエトキシアセトフ
ェノン、2、2−ジメトキシ−2−フェニル−2−フェ
ニルアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロ
ピオフェノン、p−t−ブチルジクロロアセトフェノ
ン、チオキサントン、2−メチルチオキサントン、2−
クロロチオキサントン、2−イソプロピルチオキサント
ン、ジエチルチオキサントン、ベンジル、ベンジルジメ
チルケタノ−ル、ベンジル−−メトキシエチルアセタ−
ル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエ−テル、ベンゾイ
ンブチルエ−テル、アントラキノン、2−t−ブチルア
ントラキノン、2−アミルアントラキノン、β−クロル
アントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベ
ンゾスベロン、メチレンアントロン、4−アジドベンザ
ルアセトフェノン、2、6−ビス(p−アジドベンジリ
デン)シクロヘキサノン、2、6−ビス(p−アジドベ
ンジリデン)−4−メチルシクロヘキサノン、2−フェ
ニル−1、2−ブタジオン−2−(o−メトキシカルボ
ニル)オキシム、1−フェニル−プロパンジオン−2−
(o−エトキシカルボニル)オキシム、1、3−ジフェ
ニル−プロパントリオン−2−(o−エトキシカルボニ
ル)オキシム、1−フェニル−3−エトキシ−プロパン
トリオン−2−(o−ベンゾイル)オキシム、ミヒラ−
ケトン、2−メチル−[4−(メチルチオ)フェニル]
−2−モルフォリノ−1−プロパノン、ナフタレンスル
ホニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、N
−フェニルチオアクリドン、4、4−アゾビスイソブチ
ロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズチアゾ−
ルジスルフィド、トリフェニルホルフィン、カンファ−
キノン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスルホン、
過酸化ベンゾイン及びエオシン、メチレンブル−などの
光還元性の色素とアスコルビン酸、トリエタノ−ルアミ
ンなどの還元剤の組合せなどが挙げられる。本発明では
これらを1種または2種以上使用することができる。
As specific examples of the photopolymerization initiator,
Benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4,
4-bis (dimethylamine) benzophenone, 4,4-
Bis (diethylamino) benzophenone, α-amino
Acetophenone, 4,4-dichlorobenzophenone, 4
-Benzoyl-4-methyldiphenyl ketone, dibenzyl ketone, fluorenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenyl-2-phenylacetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, p -T-butyldichloroacetophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-
Chlorothioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, diethylthioxanthone, benzyl, benzyldimethylketanol, benzyl-methoxyethylacetate
Benzoin, benzoin methyl ether, benzoin butyl ether, anthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, 2-amylanthraquinone, β-chloroanthraquinone, anthrone, benzanthrone, dibenzosuberone, methyleneanthrone, 4-azido Benzalacetophenone, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) cyclohexanone, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) -4-methylcyclohexanone, 2-phenyl-1,2-butadione-2- (o-methoxy) Carbonyl) oxime, 1-phenyl-propanedione-2-
(O-ethoxycarbonyl) oxime, 1,3-diphenyl-propanetrione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-3-ethoxy-propanetrione-2- (o-benzoyl) oxime, Michler-
Ketone, 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl]
-2-morpholino-1-propanone, naphthalenesulfonyl chloride, quinoline sulfonyl chloride, N
-Phenylthioacridone, 4,4-azobisisobutyronitrile, diphenyldisulfide, benzthiazo-
Rudisulfide, triphenylphorphine, camphor
Quinone, carbon tetrabromide, tribromophenylsulfone,
Examples include a combination of a photoreducing dye such as benzoin peroxide, eosin, and methylene blue with a reducing agent such as ascorbic acid and triethanolamine. In the present invention, one or more of these can be used.

【0066】さらに、光重合開始剤は、感光性有機成分
に対して、0.1〜30重量%含まれることが好まし
く、より好ましくは2〜20重量%である。光重合開始
剤の量が少なすぎると、光感度が不良となり、光重合開
始剤の量が多すぎれば、露光部の残存率が小さくなりす
ぎるおそれがある。
Further, the photopolymerization initiator is preferably contained in an amount of 0.1 to 30% by weight, more preferably 2 to 20% by weight, based on the amount of the photosensitive organic component. If the amount of the photopolymerization initiator is too small, the photosensitivity becomes poor, and if the amount of the photopolymerization initiator is too large, the residual ratio of the exposed portion may be too small.

【0067】増感剤は、感度を向上させるために添加さ
れる。増感剤の具体例としては、2,3−ビス(4−ジ
エチルアミノベンザル)シクロペンタノン、2,6−ビ
ス(4−ジメチルアミニベンザル)シクロヘキサノン、
26−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)−4−メチ
ルシクロヘキサノン、ジエチルチオキサントン、ミヒラ
−ケトン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)−ベンゾフ
ェノン、4,4−ビス(ジメチルアミノ)カルコン、
4,4−ビス(ジエチルアミノ)カルコン、p−ジメチ
ルアミノシンナミリデンインダノン、p−ジメチルアミ
ノベンジリデンインダノン、2−(p−ジメチルアミノ
フェニルビニレン)−イソナフトチアゾ−ル、1、3−
ビス(4−ジメチルアミノベンザル)アセトン、1,3
−カルボニル−ビス(4−ジエチルアミノベンザル)ア
セトン、3,3−カルボニル−ビス(7−ジエチルアミ
ノクマリン)、N−フェニル−N−エチルエタノ−ルア
ミン、N−フェニルエタノ−ルアミン、N−トリルジエ
タノ−ルアミン、N−フェニルエタノ−ルアミン、ジメ
チルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香
酸イソアミル、3−フェニル−5−ベンゾイルチオ−テ
トラゾ−ラゾ−ル、1−フェニル−5−エトキシカルボ
ニルチオ−テトラゾ−ルなどが挙げられる。本発明では
これらを1種または2種以上使用することができる。な
お、増感剤の中には光重合開始剤としても使用できるも
のがある。
A sensitizer is added to improve the sensitivity. Specific examples of the sensitizer include 2,3-bis (4-diethylaminobenzal) cyclopentanone, 2,6-bis (4-dimethylaminibenzal) cyclohexanone,
26-bis (4-dimethylaminobenzal) -4-methylcyclohexanone, diethylthioxanthone, Michler's ketone, 4,4-bis (diethylamino) -benzophenone, 4,4-bis (dimethylamino) chalcone,
4,4-bis (diethylamino) chalcone, p-dimethylaminocinnamylidene indanone, p-dimethylaminobenzylidene indanone, 2- (p-dimethylaminophenylvinylene) -isonaphthothiazole, 1,3-
Bis (4-dimethylaminobenzal) acetone, 1,3
-Carbonyl-bis (4-diethylaminobenzal) acetone, 3,3-carbonyl-bis (7-diethylaminocoumarin), N-phenyl-N-ethylethanolamine, N-phenylethanolamine, N-tolyldiethanolamine, N-phenylethanolamine, isoamyl dimethylaminobenzoate, isoamyl diethylaminobenzoate, 3-phenyl-5-benzoylthio-tetrazo-lazole, 1-phenyl-5-ethoxycarbonylthio-tetrazole and the like can be mentioned. . In the present invention, one or more of these can be used. Some sensitizers can also be used as photopolymerization initiators.

【0068】増感剤を感光性導電性ペ−ストに添加する
場合、その添加量は反応性成分(感光性成分)に対して
0.1〜10重量%、より好ましくは0.2〜5重量%
である。増感剤の量が少なすぎれば光感度を向上させる
効果が発揮されず、増感剤の量が多すぎれば露光部の残
存率が小さくなりすぎるおそれがある。
When the sensitizer is added to the photosensitive conductive paste, the amount added is 0.1 to 10% by weight, more preferably 0.2 to 5% by weight, based on the reactive component (photosensitive component). weight%
It is. If the amount of the sensitizer is too small, the effect of improving the photosensitivity is not exhibited, and if the amount of the sensitizer is too large, the residual ratio of the exposed portion may be too small.

【0069】感光性導電性ペ−ストにおいて保存時の熱
安定性を向上させるため、熱重合禁止剤を添加すると良
い。熱重合禁止剤の具体的な例としては、ヒドロキノ
ン、N−ニトロソジフェニルアミン、フェノチアジン、
p−t−ブチルカテコ−ル、N−フェニルナフチルアミ
ン、2,6−ジ−t−ブチル−p−メチルフェノ−ル、
クロラニ−ル、ピロガロ−ルなどが挙げられる。熱重合
禁止剤を添加する場合、その添加量は、感光性導電ペー
スト中に、通常、0.1〜5重量%、より好ましくは、
0.2〜3重量%である。熱重合禁止剤の量が少なすぎ
れば、保存時の熱的な安定性を向上させる効果が発揮さ
れず、熱重合禁止剤の量が多すぎれば、露光部の残存率
が小さくなりすぎるおそれがある。
In order to improve the thermal stability during storage in the photosensitive conductive paste, a thermal polymerization inhibitor is preferably added. Specific examples of the thermal polymerization inhibitor include hydroquinone, N-nitrosodiphenylamine, phenothiazine,
pt-butylcatechol, N-phenylnaphthylamine, 2,6-di-tert-butyl-p-methylphenol,
Chloranyl, pyrogallol and the like can be mentioned. When a thermal polymerization inhibitor is added, its amount is usually 0.1 to 5% by weight in the photosensitive conductive paste, more preferably,
0.2 to 3% by weight. If the amount of the thermal polymerization inhibitor is too small, the effect of improving the thermal stability during storage is not exhibited, and if the amount of the thermal polymerization inhibitor is too large, the residual ratio of the exposed portion may be too small. is there.

【0070】可塑剤としては、例えばジフチルフタレ−
ト(DBP)、ジオクチルフタレ−ト(DOP)、ポリ
エチレングリコ−ル、グリセリンなどが用いられる。
As the plasticizer, for example, diphthyl phthalate
(DBP), dioctyl phthalate (DOP), polyethylene glycol, glycerin and the like are used.

【0071】また感光性導電性ペ−ストには保存時にお
けるアクリル系共重合物の酸化を防ぐために酸化防止剤
を添加できる。酸化防止剤の具体的な例として2,6−
ジ−t−ブチル−p−クレゾ−ル、ブチル化ヒドロキシ
アニソ−ル、2、6−ジ−t−4−エチルフェノ−ル、
2,2−メチレン−ビス−(4−メチル−6−t−ブチ
ルフェノ−ル)、2,2−メチレン−ビス−(4−エチ
ル−6−t−ブチルフェノ−ル)、4,4−チビス−
(3−メチル−6−t−ブチルフェノ−ル)、1,1,
3−トリス−(2−メチル−6−t−ブチルフェノ−
ル)、1,1,3−トリス−(2−メチル−4−ヒドロ
キシ−t−ブチルフェニル)ブタン、ビス[3,3−ビ
ス−(4−ヒドロキシ−3−t−ブチルフェニル)ブチ
リックアッシッド]グリコ−ルエステル、ジラウリルチ
オジプロピオナ−トおよびトリフェニルホスファイトな
どが挙げられる。酸化防止剤を添加する場合、その添加
量は通常、感光性導電ペースト中に、0.01〜5重量
%、より好ましくは0.1〜1重量%である。酸化防止
剤の量が少なければ保存時のアクリル系共重合物の酸化
を防ぐ効果が得られず、酸化防止剤の量が多すぎると露
光部の残存率が小さくなりすぎる恐れがある。
An antioxidant can be added to the photosensitive conductive paste in order to prevent oxidation of the acrylic copolymer during storage. Specific examples of antioxidants include 2,6-
Di-tert-butyl-p-cresol, butylated hydroxyanisole, 2,6-di-tert-4-ethylphenol,
2,2-methylene-bis- (4-methyl-6-t-butylphenol), 2,2-methylene-bis- (4-ethyl-6-t-butylphenol), 4,4-thibis-
(3-methyl-6-t-butylphenol), 1,1,
3-tris- (2-methyl-6-t-butylpheno-
), 1,1,3-tris- (2-methyl-4-hydroxy-t-butylphenyl) butane, bis [3,3-bis- (4-hydroxy-3-t-butylphenyl) butyric acid Sid] glycol ester, dilauryl thiodipropionate and triphenyl phosphite. When an antioxidant is added, its amount is usually 0.01 to 5% by weight, more preferably 0.1 to 1% by weight, in the photosensitive conductive paste. If the amount of the antioxidant is small, the effect of preventing oxidation of the acrylic copolymer during storage cannot be obtained, and if the amount of the antioxidant is too large, the residual ratio of the exposed portion may be too small.

【0072】さらに、感光性導電ペーストには、溶液の
粘度を調整したい場合、有機溶媒を加えてよい。このと
き使用される有機溶媒としては、メチルセルソルブ、エ
チルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルエチルケト
ン、ジオキサン、アセトン、シクロヘキサノン、シクロ
ペンタノン、イソブチルアルコ−ル、イソプロピルアル
コ−ル、テトラヒドロフラン、ジメチルスルフォキシド
およびγ−ブチロラクトンなどが挙げられる。これらの
有機溶媒は、単独あるいは2種以上併用して用いられ
る。
Further, when it is desired to adjust the viscosity of the solution, an organic solvent may be added to the photosensitive conductive paste. Examples of the organic solvent used at this time include methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl ethyl ketone, dioxane, acetone, cyclohexanone, cyclopentanone, isobutyl alcohol, isopropyl alcohol, tetrahydrofuran, dimethyl sulfoxide, and γ-solvent. Butyrolactone and the like. These organic solvents are used alone or in combination of two or more.

【0073】また、感光性導電ペースト中に、ガラスフ
リットを含有することが好ましいがこれは、ガラスフリ
ットは導電性粉末をガラス基板上に焼き付け、また導電
性粉末を焼結するための焼結助剤の導体抵抗を下げる効
果があるためである。
It is preferable that the photosensitive conductive paste contains a glass frit. The glass frit is used for baking conductive powder on a glass substrate and for sintering for sintering the conductive powder. This is because there is an effect of lowering the conductor resistance of the agent.

【0074】ガラスフリットのガラス転移温度(Tg)
および熱軟化点(Ts)は、それぞれ400〜500
℃、450〜550℃であることが好ましい。より好ま
しくはTgおよびTsがそれぞれ440〜500℃、4
60〜530℃である。Tg、Tsがそれぞれ400
℃、450℃以上であると、ポリマーやモノマーなどの
感光性有機化合物が蒸発した後ガラスの焼結が始まり、
有機化合物の脱バインダー性に優れ、電極剥がれが生じ
ず、緻密かつ低抵抗の導体膜が得られる点で好ましい。
またTg、Tsがそれぞれ500℃、550℃以下であ
ると、600℃以下の温度で焼き付けたときに、導体膜
とガラス基板とで充分な接着強度や緻密な膜が得られる
点で好ましい。
Glass transition temperature (Tg) of glass frit
And the thermal softening point (Ts) is 400 to 500, respectively.
And 450 to 550 ° C. More preferably, Tg and Ts are 440 to 500 ° C., respectively.
60-530 ° C. Tg and Ts are each 400
If the temperature is higher than 450 ° C, the sintering of the glass starts after the photosensitive organic compounds such as polymers and monomers evaporate,
It is preferable in that it is excellent in the debinding property of the organic compound, does not peel off the electrode, and provides a dense and low-resistance conductor film.
Further, when Tg and Ts are respectively 500 ° C. and 550 ° C. or less, it is preferable that when the film is baked at a temperature of 600 ° C. or less, a sufficient adhesive strength and a dense film can be obtained between the conductor film and the glass substrate.

【0075】ガラスフリットの粉末粒子径は、平均粒子
径が0.5〜1.4μm、90%粒子径が1〜2μmお
よびトップサイズが4.5μm以下であることが好まし
い。平均粒子径、90%粒子径がそれぞれ0.5μm、
1μm未満では、ガラスフリットの粒子サイズが小さく
なり紫外線が未露光部まで散乱されやすく、現像時に残
膜が残ることがある。平均粒子径、90%粒子径および
トップサイズがそれぞれ1.4μm、2μm、4.5μ
mをそれぞれ越えると、粗大なガラスフリットと導電粉
末との熱膨張係数が異なることにより、特に10μm以
下の薄膜では、導体膜の接着強度が低下し膜はがれが起
こることがある。また、粗大ガラスフリットが導体膜中
に残留し、接着強度が低下する傾向がみられる。
The glass frit preferably has an average particle diameter of 0.5 to 1.4 μm, a 90% particle diameter of 1 to 2 μm, and a top size of 4.5 μm or less. The average particle diameter and the 90% particle diameter are each 0.5 μm,
If it is less than 1 μm, the particle size of the glass frit becomes small, ultraviolet rays are easily scattered to unexposed portions, and a residual film may remain during development. The average particle diameter, 90% particle diameter, and top size are 1.4 μm, 2 μm, and 4.5 μm, respectively.
If each of them exceeds m, the thermal expansion coefficients of the coarse glass frit and the conductive powder are different from each other. In particular, in the case of a thin film having a thickness of 10 μm or less, the adhesive strength of the conductive film may be reduced and the film may peel off. Also, there is a tendency that the coarse glass frit remains in the conductive film and the adhesive strength is reduced.

【0076】ガラスフリットの50〜400℃での熱膨
張係数(α)50400が75〜90×10-7/Kである
と、ガラス基板上に焼き付けた導体膜が基板とガラスフ
リットの熱膨張係数の違いによる膜剥がれ抑制の点で好
ましい。
When the coefficient of thermal expansion (α) at 50 to 400 ° C. of the glass frit is 75 to 90 × 10 −7 / K, the conductive film baked on the glass substrate causes the thermal expansion of the substrate and the glass frit. It is preferable in terms of suppressing film peeling due to a difference in expansion coefficient.

【0077】ガラスフリットの組成としては、Bi23
は30〜95重量%の範囲で配合することが好ましい。
30重量%以上であると、感光性導電ペーストをガラス
基板上に焼き付けするときに、ガラス転移点や熱軟化点
を制御する点で好ましく、基板に対する導体膜の接着強
度を高めるのに効果がある。また95重量%以下である
とガラスフリットの軟化点が適度となり、感光性導電ペ
ースト中のバインダーが蒸発する前にガラスフリットが
溶融することがない。このためペーストの脱バインダ性
が良好であり、導体膜の焼結性や、基板との接着強度に
優れたものとなる。
The composition of the glass frit is Bi 2 O 3
Is preferably blended in the range of 30 to 95% by weight.
When the content is 30% by weight or more, when the photosensitive conductive paste is baked on a glass substrate, it is preferable in controlling the glass transition point and the thermal softening point, and is effective in increasing the adhesive strength of the conductive film to the substrate. . When the content is 95% by weight or less, the softening point of the glass frit becomes appropriate, and the glass frit does not melt before the binder in the photosensitive conductive paste evaporates. For this reason, the paste has good binder removal properties, and has excellent sinterability of the conductor film and excellent adhesive strength to the substrate.

【0078】さらに、ガラスフリットが、酸化物換算表
記で、 Bi23 30〜85重量% SiO2 5〜30重量% B23 5〜20重量% ZrO2 3〜10重量% Al23 1〜 5重量% の組成範囲からなるものを80重量%以上含有し、かつ
Na2O、K2OおよびLi2Oを実質的に含有しないア
ルカリフリーのガラスフリットであることが好ましい。
前記条件を満足すると、550〜600℃で導体膜をガ
ラス基板上に強固に焼き付けできるガラスフリットが得
られる。特に、前記のガラスフリット組成であると、感
光性有機成分のゲル化反応を起こしやすいPbOなどを
用いずに好ましいガラスフリットを得ることができ、ゲ
ル化反応によるペースト粘度上昇やパターン形成ができ
ない問題を回避でき、安定な感光性導電ペーストを得る
ことができる。
Further, the glass frit is expressed in terms of oxide as 30 to 85% by weight of Bi 2 O 3 5 to 30% by weight of SiO 2 5 to 20% by weight of B 2 O 3 3 to 10% by weight of ZrO 2 Al 2 O 3 1 a made of 5% by weight of the composition range containing 80 wt% or more, and Na 2 O, it is preferable to K 2 O and Li 2 O is a glass frit containing substantially no alkali-free.
When the above conditions are satisfied, a glass frit capable of firmly baking a conductive film on a glass substrate at 550 to 600 ° C. is obtained. In particular, with the glass frit composition described above, it is possible to obtain a preferable glass frit without using PbO or the like that easily causes a gelling reaction of the photosensitive organic component, and it is not possible to increase the paste viscosity or form a pattern due to the gelling reaction. Can be avoided, and a stable photosensitive conductive paste can be obtained.

【0079】SiO2は、5〜30重量%の範囲で配合
することが好ましく、5重量%以上であると基板上に焼
き付けたときの接着強度やガラスフリットの安定性の点
で好ましい。また30重量%以下であると耐熱温度が好
ましい範囲に保たれ、600℃以下でガラス基板上に焼
き付けが容易な点で好ましい。
It is preferable to mix SiO 2 in the range of 5 to 30% by weight, and when it is 5% by weight or more, it is preferable in view of adhesive strength when baked on a substrate and stability of glass frit. When the content is 30% by weight or less, the heat-resistant temperature is maintained in a preferable range, and the temperature is preferably 600 ° C. or less, since baking on a glass substrate is easy.

【0080】B23は、5〜20重量%の範囲で配合す
ることが好ましい。B23は感光性導電ペーストの電気
絶縁性、接着強度、熱膨張係数などの電気、機械および
熱的特性を損なうことのなく焼付け温度を550〜60
0℃の範囲に制御することができる。5重量%以上であ
ると密着強度に優れ、また20重量%以下であるとガラ
スフリットの安定性に優れる。
It is preferable that B 2 O 3 is blended in the range of 5 to 20% by weight. B 2 O 3 can reduce the baking temperature to 550 to 60 without impairing the electrical, mechanical and thermal properties of the photosensitive conductive paste, such as electrical insulation, adhesive strength, and thermal expansion coefficient.
It can be controlled in the range of 0 ° C. When the content is 5% by weight or more, the adhesive strength is excellent, and when the content is 20% by weight or less, the stability of the glass frit is excellent.

【0081】ZrO2は、3〜10重量%の範囲で配合
することが好ましい。ZrO2はガラスフリットの耐酸
性を向上できるので好ましい。すなわち、本発明のガラ
スフリット組成を用いるとガラスフリットが感光性有機
成分と反応し、ペーストがゲル化反応を起こしやすくな
るが、ZrO2を添加するとゲル化が抑制される。3重
量%以上であるとゲル化抑制効果の点で好ましく、10
重量%以下であるとガラスの耐熱温度が適切な範囲に保
たれ、ガラス基板上への焼き付けが容易となる。
It is preferable that ZrO 2 is blended in the range of 3 to 10% by weight. ZrO 2 is preferable because it can improve the acid resistance of the glass frit. That is, when the glass frit composition of the present invention is used, the glass frit reacts with the photosensitive organic component, and the gelation reaction easily occurs. However, the gelation is suppressed by adding ZrO 2 . When the content is 3% by weight or more, it is preferable from the viewpoint of the gelation suppressing effect,
When the content is not more than% by weight, the heat-resistant temperature of the glass is maintained in an appropriate range, and baking on a glass substrate becomes easy.

【0082】Al23は1〜5重量%の範囲で配合する
のが好ましい。Al23の添加がこの範囲にあるとガラ
スフリットの熱安定性、熱膨張係数、ガラス転移点、熱
軟化点を制御できるので好ましい。。
It is preferable to mix Al 2 O 3 in the range of 1 to 5% by weight. When the addition of Al 2 O 3 is within this range, the thermal stability, coefficient of thermal expansion, glass transition point, and thermal softening point of the glass frit can be controlled, which is preferable. .

【0083】ガラスフリット粉末には、プラズマの放電
特性を劣化させ、アルカリ成分と銀粉末が反応し、ガラ
ス基板が黄色化する恐れのあるNa2O、Li2O、K2
Oなどのアルカリ金属酸化物を実質的含まないことが好
ましい。含有した場合にも0.5重量%以下である。よ
り好ましくは、0.1重量%以下である。
The glass frit powder includes Na 2 O, Li 2 O, and K 2 , which may deteriorate the discharge characteristics of the plasma, cause the alkali component to react with the silver powder, and cause the glass substrate to yellow.
Preferably, it does not substantially contain an alkali metal oxide such as O. Even when it is contained, it is at most 0.5% by weight. More preferably, the content is 0.1% by weight or less.

【0084】また、ガラスフリット中にBaO、TiO
2、ZnO,CaOなどを含有することによって熱膨張
係数、ガラス転移点、ガラス軟化点を制御できるが、そ
の量は10重量%未満であることが好ましい。
Further, BaO, TiO 2 is contained in the glass frit.
2. By containing ZnO, CaO, etc., the coefficient of thermal expansion, glass transition point, and glass softening point can be controlled, but the amount is preferably less than 10% by weight.

【0085】感光性導電ペースト中のガラスフリット含
有量としては、1.0〜4.0重量%が好ましい。より
好ましくは1.0〜2.5重量%である。PDPの前面
板および背面板の電極の低抵抗化、薄膜化を図るにはガ
ラスフリットの量が少ない方が好ましい。ガラスフリッ
トは電気絶縁性であるので含有量が4重量%を越えると
電極の抵抗が増大したりするので好ましくない。また、
ガラスフリットが多くなると8μm以下の薄膜の導体で
は、導電粉末とガラスフリットの熱膨張係数の違いによ
る膜剥がれがおこりやすくなる。また、1重量%未満で
は、電極膜とガラス基板との強固な接着強度が得られに
くい。
The content of glass frit in the photosensitive conductive paste is preferably 1.0 to 4.0% by weight. More preferably, it is 1.0 to 2.5% by weight. It is preferable that the amount of the glass frit is small in order to reduce the resistance and the thickness of the electrodes on the front and rear plates of the PDP. Since the glass frit is electrically insulating, if the content exceeds 4% by weight, the resistance of the electrode increases, which is not preferable. Also,
When the glass frit increases, in a conductor having a thin film of 8 μm or less, film peeling easily occurs due to a difference in thermal expansion coefficient between the conductive powder and the glass frit. If it is less than 1% by weight, it is difficult to obtain a strong adhesive strength between the electrode film and the glass substrate.

【0086】また、ガラスフリットにCaO、BaO、
Fe2 3、MgOなどの金属および酸化物が微量含有
されると、感光性導電ペースト中に含有する感光性ポリ
マーのカルボキシル基と反応してペーストが短時間でゲ
ル化し、塊となったり粘度が上昇する場合がある。その
結果、ペーストとして印刷できず、また、現像不能にな
り、パターン解像度が低下したり、形成できなくなる場
合が起こる。これはポリマーのイオン架橋反応によるゲ
ル化と推定されるが、このような反応を防止するため
に、悪い影響を与えない範囲で、安定化剤を添加してゲ
ル化を防止することが好ましい。すなわち、ゲル化反応
を引き起こす金属あるいは酸化物粉末との錯体化あるい
は酸官能基との塩形成などの効果のある化合物でガラス
フリットを表面処理し、感光性導電ペーストを安定化さ
せることが好ましい。そのような安定化剤としては、ト
リアゾール化合物が好ましく用いられる。トリアゾール
化合物の中でも特にベンゾトリアゾールやリン化合物が
有効に作用する。
Also, CaO, BaO,
When a small amount of metals and oxides such as Fe 2 O 3 and MgO are contained, the paste reacts with the carboxyl groups of the photosensitive polymer contained in the photosensitive conductive paste to gel in a short period of time, and the paste forms a lump or viscosity. May rise. As a result, printing as a paste cannot be performed, development cannot be performed, and the pattern resolution may be reduced or the pattern may not be formed. This is presumed to be gelation due to the ionic crosslinking reaction of the polymer. In order to prevent such a reaction, it is preferable to add a stabilizer to the extent not adversely affecting the gelation. That is, it is preferable to stabilize the photosensitive conductive paste by subjecting the glass frit to a surface treatment with a compound having an effect such as complexation with a metal or oxide powder that causes a gelling reaction or salt formation with an acid functional group. As such a stabilizer, a triazole compound is preferably used. Among the triazole compounds, benzotriazole and phosphorus compounds act particularly effectively.

【0087】ベンゾトリアゾールによるガラスフリット
の表面処理は次のようにして行うと好ましい。すなわ
ち、ガラスフリットに対して所定の量のベンゾトリアゾ
−ルを酢酸メチル、酢酸エチル、エチルアルコール、メ
チルアルコールなどの有機溶媒に溶解した後、ガラスフ
リットが十分に浸すことができるようにして溶液中に3
〜24時間浸漬する。浸漬後、好ましくは20〜30℃
で自然乾燥して溶媒を蒸発させてトリアゾール処理を行
なった後、50〜80℃で5〜12時間、真空乾燥して
粉末を作製する。
The surface treatment of the glass frit with benzotriazole is preferably performed as follows. That is, a predetermined amount of benzotriazole is dissolved in an organic solvent such as methyl acetate, ethyl acetate, ethyl alcohol, and methyl alcohol with respect to the glass frit, and then the glass frit is sufficiently immersed in the solution. 3
Soak for ~ 24 hours. After immersion, preferably 20-30 ° C
And then the solvent is evaporated to perform a triazole treatment, followed by vacuum drying at 50 to 80 ° C. for 5 to 12 hours to produce a powder.

【0088】使用される安定化剤の割合(安定化剤/ガ
ラスフリット)は、0.2〜4重量%が好ましく、さら
に0.4〜3重量%であることがより好ましい。0.2
重量%以上であるとポリマーの架橋反応を防止する効果
の点で好ましく、長時間に渡りゲル化を防止することが
できる。また4重量%以下であると、非酸化性雰囲気中
での導電ペーストの焼成時においてもポリマー、モノマ
ーおよび安定化剤などの脱バインダーに優れ、導体膜の
特性が向上する。
The ratio of the stabilizer used (stabilizer / glass frit) is preferably from 0.2 to 4% by weight, more preferably from 0.4 to 3% by weight. 0.2
When the content is not less than% by weight, the effect of preventing a crosslinking reaction of the polymer is preferable, and gelation can be prevented for a long time. Further, when the content is 4% by weight or less, even when the conductive paste is fired in a non-oxidizing atmosphere, the binder, such as a polymer, a monomer, and a stabilizer, is excellent in debinding, and the characteristics of the conductive film are improved.

【0089】また感光性導電ペースト中に微量の水分が
存在すると、感光性導電ペーストのゲル化を促進する。
これを防止するため感光性有機成分(感光性ポリマー、
感光性モノマー、光重合開始剤、増感剤、光重合促進
剤、可塑剤、増粘剤、有機溶媒、有機分散剤など)に微
量含有する水分を完全に除去することが好ましい。水分
の除去は、固体か液体かの種類によって異なるが、真空
乾燥処理、モレキュラシーブ、ロータリーエバポレイタ
ーなどで除去する。さらに、ガラスフリットについて
も、ガラスフリットを150〜400℃で5〜15時間
乾燥して水分を十分除去して使用するとゲル化が防止で
きるので好ましい。
When a small amount of water is present in the photosensitive conductive paste, gelation of the photosensitive conductive paste is promoted.
To prevent this, a photosensitive organic component (photosensitive polymer,
It is preferable to completely remove a small amount of water contained in a photosensitive monomer, a photopolymerization initiator, a sensitizer, a photopolymerization accelerator, a plasticizer, a thickener, an organic solvent, an organic dispersant). The removal of water depends on the type of solid or liquid, but is removed by vacuum drying, molecular sieve, rotary evaporator, or the like. Further, with respect to the glass frit, it is preferable to use the glass frit after drying at 150 to 400 ° C. for 5 to 15 hours to sufficiently remove moisture, since gelation can be prevented.

【0090】感光性導電ペーストの好ましい組成として
は、次のものが挙げられる。
Preferred compositions of the photosensitive conductive paste include the following.

【0091】(a)導電性粉末:(a)導電性粉末、
(b)感光性ポリマーと感光性モノマーおよび(c)ガ
ラスフリットの和に対して84〜92重量%、より好ま
しくは86〜91重量%、 (b)感光性ポリマーと感光性モノマー:(a)導電性
粉末、(b)感光性ポリマーと感光性モノマーおよび
(c)ガラスフリットの和に対して14〜8重量%、よ
り好ましくは12〜9重量%、 (c)ガラスフリット:(a)導電性粉末、(b)感光
性ポリマーと感光性モノマーおよび(c)ガラスフリッ
トの和に対して1〜4重量%、より好ましくは1〜3重
量%、 (d)光重合開始剤:(b)感光性ポリマーと感光性モ
ノマーの合計に対して5〜20重量% 感光性導電ペーストの組成がこれらの範囲にあると、露
光時において紫外線がよく透過し、光硬化の機能が十分
発揮され、現像時における露光部の膜強度が高くなり、
微細な解像度を有する電極パターンが形成できる。また
焼成後の導体膜が低抵抗で、接着強度が高くなるので好
ましい。前記組成に、さらに必要に応じて増感剤、光重
合促進剤、可塑剤、分散剤、安定化剤、チキソトロピー
剤、有機あるいは無機の沈殿防止剤を添加し、混合物の
スラリーとし、感光性導電ペーストを作製することが好
ましい。
(A) conductive powder: (a) conductive powder,
(B) 84 to 92% by weight, more preferably 86 to 91% by weight, based on the sum of the photosensitive polymer and the photosensitive monomer and (c) the glass frit, (b) the photosensitive polymer and the photosensitive monomer: (a) Conductive powder, 14 to 8% by weight, more preferably 12 to 9% by weight, based on the sum of (b) photosensitive polymer and photosensitive monomer and (c) glass frit, (c) glass frit: (a) conductive 1 to 4% by weight, more preferably 1 to 3% by weight, based on the sum of (b) the photosensitive polymer and the photosensitive monomer and (c) the glass frit, (d) a photopolymerization initiator: (b) When the composition of the photosensitive conductive paste is within the above range, the ultraviolet light is well transmitted at the time of exposure, the photocuring function is sufficiently exhibited, and the development is performed. In time The film strength in the exposed area increases,
An electrode pattern having a fine resolution can be formed. Further, the conductor film after firing is preferable since it has low resistance and high adhesive strength. If necessary, a sensitizer, a photopolymerization accelerator, a plasticizer, a dispersant, a stabilizer, a thixotropic agent, and an organic or inorganic suspending agent are added to the composition, and a slurry of the mixture is formed. It is preferred to make a paste.

【0092】このとき、所定の組成となるように調製さ
れたスラリーはホモジナイザなどの攪拌機で均質に混合
した後、3本ローラや混練機で均質に分散された後、感
光性導電ペーストとすることができる。
At this time, the slurry prepared so as to have a predetermined composition is homogeneously mixed by a stirrer such as a homogenizer, and then uniformly dispersed by a three-roller or kneader to form a photosensitive conductive paste. Can be.

【0093】感光性導電ペーストの粘度は、導電性粉
末、有機溶媒、ガラスフリットの組成・種類、可塑剤、
チキソトロピー剤、沈殿防止剤および有機のレベリング
剤などの添加割合によって適宜調整されるが、その範囲
は1万〜15万cps(センチ・ポイズ)である。例え
ばガラス基板への塗布をスクリ−ン印刷法やバーコー
タ、ロールコータ、アプリケータで1〜2回塗布して膜
厚6〜20μmを得るには、5万〜10万cpsが好ま
しい。
The viscosity of the photosensitive conductive paste is determined by the composition and type of conductive powder, organic solvent, glass frit, plasticizer,
It is appropriately adjusted depending on the addition ratio of a thixotropic agent, a suspending agent, an organic leveling agent, and the like, and its range is 10,000 to 150,000 cps (centipoise). For example, 50,000 to 100,000 cps is preferable in order to obtain a film thickness of 6 to 20 μm by coating the glass substrate with a screen printing method or a bar coater, a roll coater, or an applicator once or twice by a screen printing method.

【0094】次に本発明のプラズマディスプレイ用電極
の好ましい製造方法について、さらに詳しく述べる。
Next, a preferred method of manufacturing the electrode for a plasma display of the present invention will be described in more detail.

【0095】ガラス基板もしくはポリエステルなどの樹
脂フィルム等の基板上に、感光性導電ペーストを全面塗
布もしくは部分的に塗布する。塗布方法としては、スク
リ−ン印刷、ロールコータなどの方法を用いることがで
きる。塗布厚みは、スクリ−ンの材質(ポリエステルま
たはステンレス製)、スクリーンのメッシュ番号、印刷
条件(スキージの角度および速度、クリアランス、枠の
サイズ)、ペ−ストの粘度を調整することによって任意
に制御できるが、6〜20μmが好ましい。さらに好ま
しい厚みの範囲は、6〜15μmである。6μm以上で
あると、印刷法で均質な厚みを得ることが容易であり、
また20μm以下であると電極パタ−ン精度に優れ、断
面形状が矩形で、最小線幅/ピッチが15μm/80μ
mの高精細なパターンが容易に得られ、エッジ切れも良
好となる点で好ましい。
On a glass substrate or a substrate such as a resin film of polyester or the like, a photosensitive conductive paste is applied entirely or partially. As a coating method, a method such as screen printing or a roll coater can be used. The coating thickness can be arbitrarily controlled by adjusting the screen material (polyester or stainless steel), screen mesh number, printing conditions (squeegee angle and speed, clearance, frame size), and paste viscosity. Although it is possible, 6 to 20 μm is preferable. A more preferable range of the thickness is 6 to 15 μm. When the thickness is 6 μm or more, it is easy to obtain a uniform thickness by a printing method,
When it is 20 μm or less, the electrode pattern accuracy is excellent, the cross-sectional shape is rectangular, and the minimum line width / pitch is 15 μm / 80 μm.
This is preferable in that a high-definition pattern of m can be easily obtained and the edge cut is also good.

【0096】なお、感光性導電ペ−ストをガラス基板上
に塗布する場合、基板と塗布膜との密着性を高めるため
に基板の表面処理を行なうことができる。表面処理液と
してはシランカップリング剤、例えばビニルトリクロロ
シラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキ
シシラン、トリス−(2−メトキシエトキシ)ビニルシ
ラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、
γ−(メタクリロキシプロピル)トリメトキシシラン、
γ(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メ
ルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシランなどあるいは有機金属、例えば
有機チタン、有機アルミニウムおよび有機ジルコニウム
などが挙げられる。シランカップリング剤あるいは有機
金属を、有機溶媒例えばエチレングリコールモノメチル
エーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メ
チルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコー
ル、ブチルアルコールなどで0.1〜5%の濃度に希釈
したものが用いられる。
When the photosensitive conductive paste is applied on a glass substrate, a surface treatment of the substrate can be performed in order to enhance the adhesion between the substrate and the coating film. Examples of the surface treatment liquid include silane coupling agents such as vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, tris- (2-methoxyethoxy) vinylsilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane,
γ- (methacryloxypropyl) trimethoxysilane,
[gamma] (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, [gamma] -chloropropyltrimethoxysilane, [gamma] -mercaptopropyltrimethoxysilane, [gamma] -aminopropyltriethoxysilane and the like, or an organic metal such as organic titanium, organic aluminum and organic zirconium And the like. A silane coupling agent or an organic metal diluted with an organic solvent such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol, or butyl alcohol to a concentration of 0.1 to 5% is used. Can be

【0097】次に、この表面処理液をスピナーなどで基
板上に均一に塗布した後に80〜140℃で10〜60
分間乾燥することによって表面処理することができる。
Next, this surface treatment liquid is uniformly applied to a substrate by a spinner or the like,
Surface treatment can be performed by drying for minutes.

【0098】次に、このような感光性導電ペーストを基
板上に塗布して塗布膜を形成し、フォトマスクを介して
露光し、現像・乾燥してパターン形成する、いわゆるフ
ォトリソグラフィ法により形成した。すなわち、塗布し
た膜を70〜90℃で20〜60分加熱して乾燥して溶
媒類を蒸発させてから、電極パターンを有するフィルム
またはクロムマスクなどのフォトマスクを用いて紫外線
を照射して露光し、感光性導電ペ−ストを光硬化させ
る。用いられるフォトマスクは、感光性有機成分の種類
によって、ネガ型もしくはポジ型のどちらかを選定す
る。また、本発明ではフォトマスクを用いずに、赤色や
青色のレーザー光などで直接描画する方法を用いてもよ
い。
Next, such a photosensitive conductive paste is applied on a substrate to form a coating film, exposed through a photomask, developed and dried to form a pattern, which is a so-called photolithography method. . That is, the coated film is heated at 70 to 90 ° C. for 20 to 60 minutes, dried and evaporated, and then exposed to ultraviolet light using a film having an electrode pattern or a photomask such as a chrome mask. Then, the photosensitive conductive paste is light-cured. As the photomask to be used, either a negative type or a positive type is selected depending on the type of the photosensitive organic component. Further, in the present invention, a method of directly drawing with red or blue laser light or the like without using a photomask may be used.

【0099】露光装置としては、ステッパー露光機、プ
ロキシミティ露光機などを用いることができる。また、
大面積の露光を行なう場合は、ガラス基板などの基板上
に感光性導電ペーストを塗布した後に、搬送しながら露
光を行なうことによって、小さな露光面積の露光機で、
大きな面積の露光をすることができる。
As the exposure device, a stepper exposure device, a proximity exposure device, or the like can be used. Also,
When performing large-area exposure, apply a photosensitive conductive paste on a substrate such as a glass substrate, and then perform exposure while transporting, using an exposure machine with a small exposure area,
Exposure of a large area can be performed.

【0100】この際使用される活性光源は、たとえば、
可視光線、近紫外線、紫外線、電子線、X線などが挙げ
られるが、これらの中で紫外線が好ましく、その光源と
してはたとえば低圧水銀灯、高圧水銀灯、ハロゲンラン
プ、殺菌灯などが使用できる。これらのなかでも超高圧
水銀灯が好適であり、このときの露光条件は導体膜の厚
みによって異なるが、出力5〜100mW/cm2で2
0秒〜30分間露光を行なうことが好ましい。
The active light source used at this time is, for example,
Visible light, near-ultraviolet light, ultraviolet light, electron beam, X-ray, etc. are preferable, and among them, ultraviolet light is preferable. As the light source, for example, a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, a halogen lamp, a germicidal lamp and the like can be used. Of these, an ultra-high pressure mercury lamp is preferable. The exposure conditions at this time vary depending on the thickness of the conductive film, but are 2 to 5 at an output of 5 to 100 mW / cm 2 .
Exposure is preferably performed for 0 seconds to 30 minutes.

【0101】次に、現像液を用いて前記露光によって硬
化していない部分を除去することにより、いわゆるネガ
型の電極パターンを形成する。現像は、浸漬法、シャワ
ー法、スプレー法で行なうことができる。用いる現像液
は、前記の感光性有機成分の混合物が溶解可能である有
機溶媒を使用できる。またその有機溶媒にその溶解力が
失われない範囲で水を添加してもよい。またカルボキシ
ル基もつ反応性成分が存在する場合、アルカリ水溶液で
現像できる。アルカリ水溶液として水酸化ナトリウム、
炭酸ナトリウムや炭酸水素ナトリウム水溶液や水酸化バ
リウムなどのアルカリ金属の水溶液を使用できるが、有
機アルカリ水溶液を用いた方が焼成時にアルカリ成分を
除去しやすいので好ましい。
Next, a so-called negative electrode pattern is formed by removing the uncured portion by the exposure using a developing solution. Development can be performed by an immersion method, a shower method, or a spray method. As the developer used, an organic solvent in which the mixture of the photosensitive organic components can be dissolved can be used. In addition, water may be added to the organic solvent as long as the dissolving power is not lost. When a reactive component having a carboxyl group is present, development can be performed with an aqueous alkali solution. Sodium hydroxide as an aqueous alkaline solution,
Although an aqueous solution of an alkali metal such as an aqueous solution of sodium carbonate or sodium hydrogen carbonate or barium hydroxide can be used, it is preferable to use an aqueous solution of an organic alkali because the alkaline component can be easily removed during firing.

【0102】有機アルカリの具体例としては、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキサイド、トリメチルベンジル
アンモニウムヒドロキサイド、モノエタノールアミン、
ジエタノールアミンなどが挙げられる。アルカリ水溶液
の濃度は通常0.05〜2重量%、より好ましくは0.
1〜0.5重量%である。アルカリ濃度が低すぎれば未
露光部が除去されずに、アルカリ濃度が高すぎれば、露
光部を腐食させる恐れがありよくない。
Specific examples of the organic alkali include tetramethylammonium hydroxide, trimethylbenzylammonium hydroxide, monoethanolamine,
And diethanolamine. The concentration of the aqueous alkali solution is usually 0.05 to 2% by weight, more preferably 0.1 to 2% by weight.
1 to 0.5% by weight. If the alkali concentration is too low, unexposed portions are not removed, and if the alkali concentration is too high, the exposed portions may be corroded, which is not good.

【0103】次に、露光、現像後の塗布膜を空気中で焼
成する。感光性有機成分である感光性ポリマー、感光性
モノマーなどの反応性成分およびバインダー、光重合開
始剤、増感剤、増感助財、可塑剤、増粘剤、有機溶媒お
よび分散剤などの有機物を完全に酸化、蒸発させる。温
度条件として560〜610℃で15分〜1時間焼成
し、ガラス基板上に焼き付けることが好ましい。560
℃以上であると、焼成が十分行なわれ、導体膜の緻密性
が優れ、比抵抗が低くなり、また基板との接着強度が向
上する。610℃以下であるとガラス基板が熱変形する
心配がなく、パターンの平坦性が維持される点で好まし
い。
Next, the coating film after exposure and development is fired in air. Reactive components such as photosensitive polymers and photosensitive monomers, which are photosensitive organic components, and organic substances such as binders, photopolymerization initiators, sensitizers, sensitizing aids, plasticizers, thickeners, organic solvents and dispersants. Is completely oxidized and evaporated. It is preferable to bake at 560 to 610 ° C. for 15 minutes to 1 hour as a temperature condition and bake on a glass substrate. 560
When the temperature is higher than or equal to ° C., the firing is sufficiently performed, the denseness of the conductive film is excellent, the specific resistance is low, and the adhesive strength with the substrate is improved. The temperature of 610 ° C. or less is preferable in that the glass substrate is not likely to be thermally deformed and the flatness of the pattern is maintained.

【0104】感光性導電ペーストの調合、印刷、露光お
よび現像工程では紫外線を遮断できるところで行なう必
要がある。遮断しないと、ペーストあるいは塗布膜が紫
外線によって光硬化してしまい、本発明の効果を発揮で
きる良好な導体膜(電極)が得られない。
The preparation, printing, exposure and development steps of the photosensitive conductive paste need to be performed in a place where ultraviolet rays can be blocked. If not blocked, the paste or coating film will be photo-cured by ultraviolet rays, and a good conductor film (electrode) capable of exhibiting the effects of the present invention cannot be obtained.

【0105】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説
明する。なお、実施例中、濃度はとくに断らない限りす
べて重量%を意味する。
Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to examples. In the examples, all concentrations mean% by weight unless otherwise specified.

【0106】[0106]

【実施例】【Example】

(実施例1〜13)以下に示すA.導電性粉末、B.感
光性ポリマー、C.感光性モノマー、D.ガラスフリッ
トを用意し、表1に示す割合で感光性導電ペーストを作
製した。
(Examples 1 to 13) Conductive powder, B. Photosensitive polymer, C.I. Photosensitive monomer, D.I. Glass frit was prepared, and a photosensitive conductive paste was prepared at the ratio shown in Table 1.

【0107】A.導電性粉末 (1) Ag粉末;単分散粒状、平均粒子径3.2μm、比
表面積0.48m2/g (2) Ag粉末;球状、球形率95個数%、平均粒子径
2.2μm、比表面積1.26m2/g (3) 95%Ag−5%Pd粉末;単分散粒状、平均粒子
径3.3μm,比表面積0.82m2/g 粒度分布は、レーザ式粒度分布測定装置(MICROT
RAC)で測定した。
A. Conductive powder (1) Ag powder; monodisperse granular, average particle size 3.2 μm, specific surface area 0.48 m 2 / g (2) Ag powder; spherical, sphericity 95% by number, average particle size 2.2 μm, ratio Surface area 1.26 m 2 / g (3) 95% Ag-5% Pd powder; monodisperse granular, average particle diameter 3.3 μm, specific surface area 0.82 m 2 / g The particle size distribution is measured by a laser type particle size distribution analyzer (MICROT).
RAC).

【0108】B.感光性ポリマー(以下ポリマーと略
す) 側鎖にカルボキシル基とエチレン不飽和基を有するアク
リル系共重合体で、メタアクリル酸(MAA)40%、
メチルメタアクリレート(MMA)30%スチレン(S
t)30%からなる共重合体カルボキシル基(MAA)
に対して0.4当量(40%に相当する)のグリシジル
メタアクリレート(GMA)を付加反応させたポリマー C.感光性モノマー(以下モノマーと略す) トリメチロールプロパントリアクリレート D.ガラスフリット ガラスフリットI:成分(重量%)酸化ビスマス(4
8.1)二酸化ケイ素(27.5)、酸化ホウ素(1
4.2)、酸化亜鉛(2.6)、酸化アルミニウム
(2.8)、酸化ジルコニウム(4.8) 平均粒子径;0.9μm、90%粒子径;1.8μm、
トップサイズ;3.8μm、熱膨張係数;α50400
83×10-7/°K、ガラス転移点(Tg );46
5℃、軟化点(Ts);510℃ ガラスフリットII:成分(重量%)酸化ビスマス(6
8.5)、二酸化ケイ素(8.8)、酸化ホウ素(1
0.8)、酸化亜鉛(2.6)、酸化アルミニウム
(2.8)、酸化ジルコニウム(6.5) 平均粒子径;0.8μm、90%粒子径;1.6μm、
トップサイズ;3.8μm、熱膨張係数;α50400
75×10-7/°K、ガラス転移点;45 0℃、軟
化点(Ts);490℃ ガラスフリットIII: (内容説明) 成分(重量%)酸化ビスマス(66.9)、二酸化珪素
(11.0)、酸化ホウ素(11.0)、酸化亜鉛
(3.5)、酸化アルミニウム(2.8)、酸化ジルコ
ニウム(4.8) 平均粒子径;2.5μm、90%粒子径;4.7μm、
トップサイズ;11μm、熱膨張係数;α50400=7
8×10-7/°K、ガラス転移点;491 ℃、軟化
点(Ts);528℃ なお、その他使用される成分は次のとおりとする。
B. Photosensitive polymer (hereinafter abbreviated as polymer) An acrylic copolymer having a carboxyl group and an ethylenically unsaturated group in a side chain, methacrylic acid (MAA) 40%,
Methyl methacrylate (MMA) 30% styrene (S
t) 30% copolymer carboxyl group (MAA)
To which 0.4 equivalent (equivalent to 40%) of glycidyl methacrylate (GMA) was added and reacted with C.I. D. Photosensitive monomer (hereinafter abbreviated as monomer) Trimethylolpropane triacrylate Glass frit Glass frit I: component (% by weight) bismuth oxide (4
8.1) Silicon dioxide (27.5), boron oxide (1
4.2), zinc oxide (2.6), aluminum oxide (2.8), zirconium oxide (4.8) Average particle diameter: 0.9 μm, 90% particle diameter: 1.8 μm
Top size: 3.8 μm, coefficient of thermal expansion: α 50 to 400 =
83 × 10 −7 / ° K, glass transition point (Tg); 46
5 ° C., softening point (Ts); 510 ° C. Glass frit II: component (% by weight) bismuth oxide (6
8.5), silicon dioxide (8.8), boron oxide (1
0.8), zinc oxide (2.6), aluminum oxide (2.8), zirconium oxide (6.5) Average particle size: 0.8 μm, 90% particle size: 1.6 μm
Top size: 3.8 μm, coefficient of thermal expansion: α 50 to 400 =
75 × 10 −7 / ° K, glass transition point; 450 ° C., softening point (Ts); 490 ° C. Glass frit III: (description) Ingredient (% by weight) bismuth oxide (66.9), silicon dioxide (11) 3.0), boron oxide (11.0), zinc oxide (3.5), aluminum oxide (2.8), zirconium oxide (4.8) Average particle diameter: 2.5 μm, 90% particle diameter; 7 μm,
Top size: 11 μm, coefficient of thermal expansion: α 50 to 400 = 7
8 × 10 −7 / ° K., glass transition point: 491 ° C., softening point (Ts): 528 ° C. The other components used are as follows.

【0109】F.溶媒 γ−ブチロラクトンをポリマーと等量添加した。F. Solvent γ-butyrolactone was added in the same amount as the polymer.

【0110】G.光重合開始剤 2−メチル−1[4−(メチルチオ)フェニル]−2−
モルフォリノ−1−プロパノンをポリマーとモノマーと
の総和に対して20重量%添加した。
G. Photopolymerization initiator 2-methyl-1 [4- (methylthio) phenyl] -2-
Morpholino-1-propanone was added in an amount of 20% by weight based on the total amount of the polymer and the monomer.

【0111】H.増感剤 ジエチルチオキサントンをポリマーとモノマーの総和に
対して10重量%添加した。
H. Sensitizer Diethylthioxanthone was added in an amount of 10% by weight based on the total amount of the polymer and the monomer.

【0112】H.可塑剤 ジブチルフタレート(DBP)をポリマーの10重量%
添加した。
H. Plasticizer Dibutyl phthalate (DBP) is 10% by weight of the polymer
Was added.

【0113】I.増粘剤 酢酸2−(2−ブトキシエトキシ)エチルに15重量%
の濃度で分散させたアエロジル(SiO2 )を導電性粉
末とガラスフリットの総和に対して4重量%添加した。
I. Thickener 15% by weight based on 2- (2-butoxyethoxy) ethyl acetate
Aerosil (SiO 2 ) dispersed at a concentration of 4% by weight was added to the total of the conductive powder and the glass frit.

【0114】感光性導電ペ−ストの製造および電極の形
成は、次のとおり行なった。
The manufacture of the photosensitive conductive paste and the formation of the electrodes were performed as follows.

【0115】a.有機ビヒクルの作製 溶媒およびバインダーポリマー(感光性ポリマー)を混
合し、攪拌しながら80℃まで加熱し、均質に溶解させ
た。次いで溶液を室温まで冷却した。
A. Preparation of Organic Vehicle A solvent and a binder polymer (photosensitive polymer) were mixed, heated to 80 ° C. with stirring, and homogeneously dissolved. The solution was then cooled to room temperature.

【0116】b.ペースト作製 前記有機ビヒクルに導電性粉末、ガラスフリット、モノ
マー、光重合開始剤、増感剤、可塑剤および増粘剤を表
1および前記した組成で混合した。次いで、ミキサーで
予備混練した後、3本ローラで混練してペーストを作製
した。その後、ペーストを400メッシュのフィルター
を通して濾過した。
B. Preparation of Paste A conductive powder, a glass frit, a monomer, a photopolymerization initiator, a sensitizer, a plasticizer, and a thickener were mixed with the organic vehicle in the composition described in Table 1 and described above. Next, after preliminarily kneading with a mixer, kneading was performed with three rollers to produce a paste. Thereafter, the paste was filtered through a 400 mesh filter.

【0117】c.印刷 前記ペーストをステンレスワイヤーの325メッシュの
スクリ−ンを用いてガラス基板(430mm角で、厚み
3mm)上に400mm角の大きさにベタ印刷し、80
℃で40分間乾燥した。乾燥後の塗布膜の厚みは導電性
粉末、ポリマーおよびモノマーの種類、量によって異な
るが、9〜13μmであった。
C. Printing The above paste is solid-printed to a size of 400 mm square on a glass substrate (430 mm square, 3 mm thick) using a 325 mesh screen of stainless steel wire, and
Dry at 40 ° C. for 40 minutes. The thickness of the dried coating film varies depending on the types and amounts of the conductive powder, polymer and monomer, but is 9 to 13 μm.

【0118】f.露光、現像 上記で作製した塗布膜を40〜70μmのファインパタ
−ンを有するプラズマディスプレイパネル用電極を形成
したクロムマスクを用いて、上面から15mW/cm2
の出力の超高圧水銀灯で30秒間、露光した。次に25
℃に保持したモノエタノールアミンの0.5重量%の水
溶液に浸漬して現像し、その後純水をスプレーし非露光
部を洗浄した。
F. Exposure and development The above-prepared coating film was applied from the upper surface to 15 mW / cm 2 using a chromium mask on which a plasma display panel electrode having a fine pattern of 40 to 70 μm was formed.
Exposure for 30 seconds with an ultra-high pressure mercury lamp with an output of. Then 25
The film was developed by immersion in a 0.5% by weight aqueous solution of monoethanolamine kept at 0 ° C., followed by spraying pure water to wash the non-exposed area.

【0119】g.焼成 ガラス基板上に形成されたパターンを大気中、580℃
で15分間焼成を行ない、電極膜を作製した。
G. Firing The pattern formed on the glass substrate is heated at 580 ° C in air.
For 15 minutes to produce an electrode film.

【0120】次に、各実施例で得られた電極膜について
次の評価を行なった。
Next, the following evaluation was performed on the electrode films obtained in the respective examples.

【0121】すなわち、焼成後の電極膜について、膜
厚、解像度、電極ライン端部のエッジカールの程度、比
抵抗、接着強度を測定し評価した。結果を表1に示す。
That is, the film thickness, the resolution, the degree of edge curl at the end of the electrode line, the specific resistance, and the adhesive strength of the fired electrode film were measured and evaluated. Table 1 shows the results.

【0122】なお膜厚は、走査電子顕微鏡(SEM)に
て断面を観察して求めた。解像度は導体膜を顕微鏡観察
し、40μmのラインが直線で重なりなくかつ再現性が
得られるライン間隔を評価した。エッジカールは表面粗
さ計で電極パターンの端部の粗さおよび断面を顕微鏡観
察して、電極膜表面の最も厚みの厚い部分と薄い部分と
の差を評価した。接着強度は2×2mm角に形成した電極
膜に長さ5cmの銅線を半田付けし、90°剥離テストを
行って評価した。比抵抗はシート抵抗を測定し、膜厚か
ら計算で求めた。
The film thickness was determined by observing the cross section with a scanning electron microscope (SEM). Regarding the resolution, the conductor film was observed with a microscope, and the line interval at which a line of 40 μm did not overlap with a straight line and reproducibility was obtained was evaluated. For the edge curl, the difference between the thickest part and the thinnest part of the electrode film surface was evaluated by microscopic observation of the roughness and the cross section of the end of the electrode pattern using a surface roughness meter. The adhesive strength was evaluated by soldering a copper wire having a length of 5 cm to an electrode film formed into a 2 × 2 mm square and performing a 90 ° peel test. The specific resistance was obtained by measuring the sheet resistance and calculating from the film thickness.

【0123】表1から明らかなように上記特性は、いず
れも満足できるものであった。
As is clear from Table 1, all of the above characteristics were satisfactory.

【0124】(比較例1、2)導電粉末を(1)のAg粉
末とし、ガラス転移点が491℃、熱軟化点が528
℃、かつ平均粒子径が2.5μm、90%粒子径が4.
7μm、トップサイズが11μmのガラスフリットIII
を用い、これらの割合を表1の通りとし電極膜の厚みを
変えたこと以外は、実施例と同様に感光性導電ペースト
の作製、電極膜の形成を行ない、電極膜の評価を行なっ
た。
(Comparative Examples 1 and 2) The conductive powder was the Ag powder of (1), and the glass transition point was 491 ° C. and the thermal softening point was 528.
° C, average particle size 2.5 μm, 90% particle size 4.
7μm, 11μm top size glass frit III
, A photosensitive conductive paste was prepared and an electrode film was formed in the same manner as in the example, except that the thickness of the electrode film was changed as shown in Table 1 and the electrode film was evaluated.

【0125】得られた結果を表1に示したが、パターン
解像度が不良でエッジカールが著しく発生した。また、
接着強度が低かった。
The obtained results are shown in Table 1. As a result, the pattern resolution was poor and edge curling occurred remarkably. Also,
The bonding strength was low.

【0126】[0126]

【表1】 導電性粉末(1) :単分散粒状Ag粉末(平均粒径3.2
μm) 導電性粉末(2) :球状Ag粉末(平均粒径2.2μm) 導電性粉末(3) :単分散粒状95%Ag−5%Pd粉末
(平均粒径3.3μm)カ゛ラスフリット I:平均粒径0.9μm、Ts510℃カ゛ラスフリット II:平均粒径0.8μm、Ts490℃カ゛ラスフリット III :平均粒径2.5μm、Ts528℃
[Table 1] Conductive powder (1): Monodispersed granular Ag powder (average particle size 3.2
μm) Conductive powder (2): spherical Ag powder (average particle size: 2.2 μm) Conductive powder (3): monodispersed granular 95% Ag-5% Pd powder (average particle size: 3.3 μm) Glass frit I: average Particle size 0.9 μm, Ts510 ° C glass frit II: average particle size 0.8 μm, Ts490 ° C glass frit III: average particle size 2.5 μm, Ts528 ° C

【0127】[0127]

【発明の効果】本発明のプラズマディスプレイ用電極
は、基板上に形成された電極であって、線幅(L)が1
5〜60μm、ピッチ(P)が80〜200μm、厚み
(T)が1〜10μm、比抵抗値が2.5〜5.0μΩ
・cm、基板に対する接着強度が5N以上であるため、
従来の電極に比べて、低抵抗かつ高接着強度である。そ
のため、薄膜化・線幅の縮小ができるようになり、プラ
ズマディスプレイ用電極の高精細化・高信頼性が図られ
る。また、狭ピッチでの線幅の縮小によって高精細プラ
ズマディスプレイでの放電空間の拡大・開口率の向上が
できるようになり、ハイビジョン対応の高品位・高精細
・高輝度プラズマディスプレイが得られる。さらに、電
極の薄膜化が可能となるためプラズマディスプレイのコ
ストダウンも図ることができる。
The electrode for a plasma display of the present invention is an electrode formed on a substrate, and has a line width (L) of one.
5 to 60 μm, pitch (P) 80 to 200 μm, thickness (T) 1 to 10 μm, specific resistance 2.5 to 5.0 μΩ
Cm, because the adhesive strength to the substrate is 5N or more,
It has lower resistance and higher adhesive strength than conventional electrodes. Therefore, thinning and reduction of the line width can be performed, and high definition and high reliability of the plasma display electrode can be achieved. Also, by reducing the line width at a narrow pitch, it becomes possible to enlarge the discharge space and improve the aperture ratio in a high-definition plasma display, and to obtain a high-definition, high-definition, high-brightness plasma display compatible with HDTV. Further, since the thickness of the electrode can be reduced, the cost of the plasma display can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の電極の断面形状を説明するための模
式図である。
FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a cross-sectional shape of an electrode of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Lt:上面幅 Lh:半値幅 Lb:下面幅 Lt: Upper surface width Lh: Half width Lb: Lower surface width

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に形成された電極であって、線幅
(L)が15〜60μm、ピッチ(P)が80〜200
μm、厚み(T)が1〜10μm、比抵抗値が2.5〜
5.0μΩ・cm、基板に対する接着強度が5N以上で
あることを特徴とするプラズマディスプレイ用電極。
An electrode formed on a substrate, having a line width (L) of 15 to 60 μm and a pitch (P) of 80 to 200.
μm, thickness (T) is 1 to 10 μm, and specific resistance is 2.5 to
An electrode for a plasma display, which has an adhesive strength to a substrate of 5.0 μΩ · cm and 5N or more.
【請求項2】 前記電極の上面幅(Lt)、半値幅(L
h)および下面幅(Lb)の関係が次式(1)および
(2)を同時に満足することを特徴とする請求項1記載
のプラズマディスプレイ用電極。 0.8≦Lt/Lh≦1.0 (1) 1.0≦Lb/Lh≦1.3 (2)
2. An upper surface width (Lt) and a half width (L) of the electrode.
2. The electrode for a plasma display according to claim 1, wherein the relationship between h) and the lower surface width (Lb) satisfies the following expressions (1) and (2) simultaneously. 0.8 ≦ Lt / Lh ≦ 1.0 (1) 1.0 ≦ Lb / Lh ≦ 1.3 (2)
【請求項3】 Ag、NiおよびPtの群から選ばれた
少なくとも1種の金属成分を含有することを特徴とする
請求項1または2記載のプラズマディスプレイ用電極。
3. The electrode for a plasma display according to claim 1, wherein the electrode contains at least one metal component selected from the group consisting of Ag, Ni and Pt.
【請求項4】 ガラスフリットを含有することを特徴と
する請求項1〜3のいずれか1項記載のプラズマディス
プレイ用電極。
4. The electrode for a plasma display according to claim 1, further comprising a glass frit.
【請求項5】 前記ガラスフリットが酸化物換算表記で
Bi23を30〜95重量%含有していることを特徴と
する請求項4記載のプラズマディスプレイ用電極。
5. The electrode according to claim 4, wherein the glass frit contains 30 to 95% by weight of Bi 2 O 3 in terms of oxide.
【請求項6】 前記ガラスフリットが酸化物換算表記
で、 Bi23 30〜85重量% SiO2 5〜30重量% B23 5〜20重量% ZrO3 3〜10重量% Al23 1〜 5重量% の組成範囲からなる成分を80重量%以上含有し、かつ
Na2O 、K2OおよびLi2Oを実質的に含有しないこ
とを特徴とする請求項4または5記載のプラズマディス
プレイ用電極。
6. The glass frit is expressed in terms of oxide as Bi 2 O 3 30 to 85% by weight SiO 2 5 to 30% by weight B 2 O 3 5 to 20% by weight ZrO 3 3 to 10% by weight Al 2 O 3 1 containing 5 wt% of 80% by weight or more components having the composition range and Na 2 O, according to claim 4 or 5, wherein it does not substantially contain K 2 O and Li 2 O Electrode for plasma display.
【請求項7】 前記ガラスフリットのガラス転移点(T
g)が400〜500℃、熱軟化点(Ts)が450〜
550℃であり、平均粒子径が0.5〜1.4μm、ト
ップサイズが4.5μm以下、かつ50〜400℃の熱
膨張係数(α)50400が75〜90×10-7/Kである
ことを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項記載のプ
ラズマディスプレイ用電極。
7. The glass transition point (T) of the glass frit.
g) is 400 to 500 ° C. and the thermal softening point (Ts) is 450 to
550 ° C., average particle size of 0.5 to 1.4 μm, top size of 4.5 μm or less, and thermal expansion coefficient (α) 50 to 400 of 50 to 400 ° C. of 75 to 90 × 10 −7 / K. The electrode for a plasma display according to any one of claims 4 to 6, wherein
【請求項8】 導電性粉末とガラスフリットと感光性有
機成分とを含有する感光性導電ペ ー ストを基板上に塗
布し、フォトリソグラフィ法でパターン形成した後、焼
成することを特徴とする請求項1記載のプラズマディス
プレイ用電極の製造方法。
8. A photosensitive conductive paste containing a conductive powder, a glass frit and a photosensitive organic component is applied on a substrate, patterned by photolithography, and fired. Item 2. A method for producing an electrode for a plasma display according to Item 1.
【請求項9】 前記ガラスフリットに、熱軟化点(T
s)が450〜550℃であり、平均粒子径が0.5〜
1.4μm、かつ50〜400℃の熱膨張係数(α)50
400が75〜90×10-7/Kのガラスフリットを用い
ることを特徴とする請求項8記載のプラズマディスプレ
イ用電極の製造方法。
9. The glass frit has a heat softening point (T
s) is from 450 to 550 ° C., and the average particle size is from 0.5 to
1.4 μm and a coefficient of thermal expansion (α) of 50 to 400 ° C. 50 to
9. The method for manufacturing an electrode for a plasma display according to claim 8, wherein a glass frit of 400 to 75 * 90 < -7 > / K is used.
【請求項10】 請求項1〜7のいずれか1項記載の電
極を配してなることを特徴とするプラズマディスプレ
イ。
10. A plasma display comprising the electrode according to claim 1.
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