JPH11120520A - Magnetoresistive effect head and magnetic memory system using the same - Google Patents

Magnetoresistive effect head and magnetic memory system using the same

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JPH11120520A
JPH11120520A JP28491697A JP28491697A JPH11120520A JP H11120520 A JPH11120520 A JP H11120520A JP 28491697 A JP28491697 A JP 28491697A JP 28491697 A JP28491697 A JP 28491697A JP H11120520 A JPH11120520 A JP H11120520A
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JP
Japan
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layer
magnetic
domain control
head
magnetic domain
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Application number
JP28491697A
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Japanese (ja)
Inventor
Katsumi Sato
克己 佐藤
Tetsuo Kobayashi
哲夫 小林
Masayoshi Kagawa
昌慶 香川
Katsuya Mitsuoka
勝也 光岡
Takashi Kawabe
隆 川辺
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To lower a reading error rate of a magnetic memory system occurring in the output fluctuation of a head and the asymmetricalness of waveforms by mounting a magnetic head which is small in the output fluctuation and the asymmetricalness of the waveforms. SOLUTION: A magnetic domain control layer 34 formed on an underlying metal layer 35 comes into contact with an MR layer 31 formed on a magnetosensitive part 38, a soft magnetic layer 32 and a nonmagnetic layer 33 in a joint part 37. The magnetic domain control layer 34 has a nearly perpendicular angle in the taper angle 40 of the three layer active regions and is, therefore, not formed on the MR layer 31 having soft magnetic characteristics and the soft magnetic layer 32. Since the film thickness of the underlying metal layer 35 is adequately thick, the magnetic domain control layer 34 and the MR layer 31 do not have exchange bond and the magnetic domain control layer 34 is laminated in the position where the MR layer 31 and the magnetostatic interaction are max. The magnetic domain control layer 34 having large coercive force is formed in the end region 39 and the longitudinal bias magnetic field, based on the magnetostatic interaction between the magnetic domain control layer 34 and the MR layer 31 is formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記憶システムに
関するものであり、特に、これに使用されるMRヘッド
に関するものである。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a magnetic storage system, and more particularly to an MR head used therein.

【0002】磁気ヘッドは、その本来の役割として、磁
気記憶システムにおいて、電気的信号を磁気的信号に変
換し、これを磁気記憶媒体上に磁化パターンとして記録
し、あるいは磁気記憶媒体上に記録された磁化パターン
を磁気的信号として読み取り、これを電気的信号に変換
することを目的とする。磁気ヘッドが磁気記憶媒体上の
磁化パターンから読み取る磁気的信号を歪なく安定に再
生することは、変換される電気的信号の出力変動および
信号波形の非対称性を小さくすることと同等であり、こ
のことは、すなわち、磁気記憶システムの安定を意味す
る。したがって、本発明は磁気ヘッドに限定して述べら
れているが、本来、磁気ヘッドを使用する磁気記憶シス
テムに関するものである。
A magnetic head has a primary function of converting an electric signal into a magnetic signal in a magnetic storage system, and recording the magnetic signal on a magnetic storage medium as a magnetization pattern, or recording the magnetic signal on a magnetic storage medium. An object of the present invention is to read the magnetized pattern as a magnetic signal and convert it into an electric signal. Stably reproducing a magnetic signal read from a magnetization pattern on a magnetic storage medium by a magnetic head without distortion is equivalent to reducing output fluctuation of an electrical signal to be converted and asymmetry of a signal waveform. This means that the magnetic storage system is stable. Therefore, although the present invention is limited to a magnetic head, the present invention originally relates to a magnetic storage system using a magnetic head.

【0003】磁気ヘッドは、その役割から、電気的信号
を磁気的信号に変換し、これを磁気記憶媒体上に磁化パ
ターンとして記録するための記録ヘッドと、磁気記憶媒
体上の磁化パターンから読み取る磁気的信号を電気的信
号に変換するための再生ヘッドに分類される。図1は記
録および再生ヘッドの1つの例であり、磁気抵抗効果を
利用した再生用MRヘッド11と、その上に直接形成さ
れた磁気誘導効果を利用した記録用インダクティブヘッ
ド12を含む複合型磁気ヘッドを示す。本発明は、それ
らの内の再生用MRヘッド11に関するものであり、し
たがって、記録・再生ヘッドを含む複合型磁気ヘッドだ
けなく、MRヘッドを用いた再生専用の磁気ヘッドにも
適用可能である。
[0003] From the role of the magnetic head, the magnetic head converts an electric signal into a magnetic signal, and records the magnetic signal on a magnetic storage medium as a magnetization pattern, and a magnetic head that reads from the magnetization pattern on the magnetic storage medium. Read head for converting a target signal into an electrical signal. FIG. 1 shows an example of a recording / reproducing head, which is a composite type magnetic head including a reproducing MR head 11 utilizing a magnetoresistive effect and a recording inductive head 12 utilizing a magnetic induction effect formed directly thereon. Show the head. The present invention relates to the reproducing MR head 11 among them, and is therefore applicable not only to a composite magnetic head including a recording / reproducing head but also to a reproducing-only magnetic head using an MR head.

【0004】[0004]

【従来の技術】現在、磁気ヘッドとしては、強磁性体の
異方性磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果型ヘッド
(MRヘッド:magnetoresistive head)が広く用いら
れている。その出力変動の主要な原因のひとつであるバ
ルクハウゼンノイズ(Barkhausennoise)を抑制するた
めに、縦バイアス磁界を印加して、MR層を単一磁区状
態に保つことや、出力波形の非対称性を小さく保つため
に、横バイアス磁界を印加して、磁気抵抗効果の線形領
域を利用することはよく知られている。これらのバイア
ス磁界を印加するために様々な方法が示されている。
2. Description of the Related Art At present, a magnetoresistive head (MR head: magnetoresistive head) utilizing anisotropic magnetoresistance effect of a ferromagnetic material is widely used as a magnetic head. In order to suppress Barkhausennoise, which is one of the main causes of the output fluctuation, a longitudinal bias magnetic field is applied to keep the MR layer in a single magnetic domain state and to reduce the asymmetry of the output waveform. It is well known to utilize a linear region of the magnetoresistive effect by applying a lateral bias magnetic field to maintain. Various methods have been described for applying these bias fields.

【0005】特開平3−125311では、MR層が感
磁部に限定され、横バイアス磁界を印加する軟磁性層
が、これとMR層との磁気的な結合を断ち切る非磁性層
を介してMR層に重ね合わされ、また、これらMR層、
非磁性層および軟磁性層の端部領域に、縦バイアス磁界
を印加する、硬磁性材料からなる磁区制御層を配置する
磁気ヘッドが開示されている。
In Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-125311, an MR layer is limited to a magnetically sensitive portion, and a soft magnetic layer to which a lateral bias magnetic field is applied is connected to a MR layer through a nonmagnetic layer that cuts off magnetic coupling between the soft magnetic layer and the MR layer. Layers, and these MR layers,
A magnetic head in which a magnetic domain control layer made of a hard magnetic material, which applies a longitudinal bias magnetic field to end regions of a nonmagnetic layer and a soft magnetic layer, is disclosed.

【0006】縦バイアス磁界を印加する磁区制御層の1
つはCoPt系の硬磁性合金である(特開平3−12531
1)。通常、これは積層方向(六方晶系のc軸)に磁気
的異方性をもち、単純な積層方法ではその磁化成分のほ
とんどがc軸方向を向いてしまい、縦バイアス磁界を形
成する面内方向の成分は、c軸方向に発生する反磁界に
よって、磁化がわずかに傾斜することにより生ずるだけ
である。この磁化を面内方向に向けるために、いくつか
の方法が示されているが、その1つに、特定の下地金属
層上にCoPt系の硬磁性合金を積層させる方法がある(特
開平3−125311)。これは下地金属層の結晶の格
子定数を利用して、c軸が面内方向に向くようにCoPt系
硬磁性合金を積層したものである。これにより大きな面
内方向の保磁力と、CoPt系硬磁性合金の膜厚に比例した
残留磁化をもった磁区制御層が得られる。また、MR層
を安定した単一磁区構造にするためには、MR層と磁区
制御層との磁気的な交換結合がなければならないという
指摘もある。このため、下地金属層に磁性金属合金(Fe
Crなど)を用いるものや、非磁性金属(Cr、Wなど)の
場合には、積層膜厚を薄くして用いているものがある。
しかしながら、このようなMR層の磁区制御の方法に
は、次のような欠点がある。すなわち、磁区制御層は構
造的にMR層および横バイアス磁界を印加する軟磁性層
を含む感磁部の端部でこれらと接しており、これら接合
部では、磁区制御層はMR層や軟磁性層の上側に形成さ
れることになる。このため、下地金属層に磁性金属合金
を用いたり、非磁性金属を用いている場合でも、その積
層膜厚が薄い場合には、MR層や軟磁性層の軟磁気的特
性の影響を受け、その面内方向の保磁力がMR層を単一
磁区に制御するには不十分となる。また、このように保
磁力が小さい場合、磁区制御層は外部磁界に対して不安
定な状態になり、MR層に対して、これとの接合部にお
ける交換結合を通して、その不安定な状態を伝達するこ
とになる。さらに、接合部に近接している部分は、磁区
制御層と交換結合をしているため、実質的には不活性な
状態にあり、この不活性な部分の広さは磁区制御層の状
態に大きく影響される。これは、MRセンサのデータト
ラックの実効的な読み取り幅を決定するものであり、こ
れが大きく変化することは直接、出力変動や出力波形の
非対称性に影響を及ぼす。
A magnetic domain control layer 1 for applying a longitudinal bias magnetic field
One is a CoPt-based hard magnetic alloy (JP-A-3-12531).
1). Usually, this has magnetic anisotropy in the stacking direction (hexagonal c-axis), and in a simple stacking method, most of its magnetization component is oriented in the c-axis direction, and the plane in which a longitudinal bias magnetic field is formed is formed. The direction component is only caused by a slight inclination of the magnetization due to the demagnetizing field generated in the c-axis direction. There are several methods for directing the magnetization in the in-plane direction. One of the methods is to stack a CoPt-based hard magnetic alloy on a specific base metal layer (Japanese Patent Laid-Open No. -125311). This is obtained by laminating CoPt-based hard magnetic alloys such that the c-axis is oriented in the in-plane direction by utilizing the lattice constant of the crystal of the base metal layer. As a result, a magnetic domain control layer having a large in-plane coercive force and a residual magnetization proportional to the film thickness of the CoPt-based hard magnetic alloy can be obtained. It is also pointed out that in order for the MR layer to have a stable single magnetic domain structure, there must be magnetic exchange coupling between the MR layer and the magnetic domain control layer. Therefore, a magnetic metal alloy (Fe
In the case of using a non-magnetic metal (Cr, W, etc.), there is a case where the laminated film thickness is reduced.
However, the method of controlling the magnetic domain of the MR layer has the following disadvantages. That is, the magnetic domain control layer is structurally in contact with the MR layer and the end of the magnetically sensitive portion including the soft magnetic layer to which a transverse bias magnetic field is applied. At these junctions, the magnetic domain control layer is formed by the MR layer or the soft magnetic layer. It will be formed on top of the layer. For this reason, even when a magnetic metal alloy or a non-magnetic metal is used for the base metal layer, if the thickness of the laminated layer is small, the soft magnetic properties of the MR layer and the soft magnetic layer are affected. The coercive force in the in-plane direction is insufficient to control the MR layer into a single magnetic domain. When the coercive force is small as described above, the magnetic domain control layer becomes unstable with respect to an external magnetic field, and the unstable state is transmitted to the MR layer through exchange coupling at a junction with the magnetic layer. Will do. Furthermore, since the portion close to the junction is exchange-coupled with the magnetic domain control layer, the portion is substantially inactive, and the width of the inactive portion is in accordance with the state of the magnetic domain control layer. Greatly affected. This determines the effective read width of the data track of the MR sensor, and a large change in this directly affects the output fluctuation and the asymmetry of the output waveform.

【0007】図2において、従来の磁気ヘッドに用いら
れているMR再生ヘッドの機能部分を模式的に示す。こ
の例では、MR層21が、非磁性層23を介して、軟磁
性層22の上に積層している。このため、軟磁性層22
はMR層21と強磁性的な交換結合をもたず、また、M
R層21および非磁性層23を流れるセンス電流が作る
磁界により、MR層21の磁化方向と直行する方向に磁
化成分をもつ。したがって、この磁化が作る磁界および
軟磁性層22を流れる電流が作る磁界によって、MR層
21に横バイアス磁界が加わる。MR層21に縦バイア
ス磁界を与える磁区制御層24は非磁性または磁性下地
金属層25を用いて感磁部28の端部領域29上に形成
され、MR層21および軟磁性層22と接合部27を介
して接している。下地金属層25は非常に薄いため、磁
区制御層24は接合部27を通してMR層21および軟
磁性層22と強磁性的な交換結合をもつ。この交換結合
を通してMR層21および軟磁性層22に縦バイアス磁
界が与えられる。
FIG. 2 schematically shows a functional portion of an MR reproducing head used in a conventional magnetic head. In this example, the MR layer 21 is laminated on the soft magnetic layer 22 via the non-magnetic layer 23. Therefore, the soft magnetic layer 22
Has no ferromagnetic exchange coupling with the MR layer 21, and M
The magnetic field generated by the sense current flowing through the R layer 21 and the nonmagnetic layer 23 has a magnetization component in a direction perpendicular to the magnetization direction of the MR layer 21. Therefore, a lateral bias magnetic field is applied to the MR layer 21 by the magnetic field generated by the magnetization and the magnetic field generated by the current flowing through the soft magnetic layer 22. A magnetic domain control layer 24 for applying a longitudinal bias magnetic field to the MR layer 21 is formed on the end region 29 of the magneto-sensitive portion 28 using a non-magnetic or magnetic base metal layer 25, and is joined to the MR layer 21 and the soft magnetic layer 22 at the junction. 27. Since the base metal layer 25 is very thin, the magnetic domain control layer 24 has ferromagnetic exchange coupling with the MR layer 21 and the soft magnetic layer 22 through the junction 27. A longitudinal bias magnetic field is applied to the MR layer 21 and the soft magnetic layer 22 through this exchange coupling.

【0008】感磁部28は、端部領域29において、磁
区制御層24の上に積層される電極層26によって定義
される。また、電極層26とMR層21および軟磁性層
22との電気的連続性を確実なものとするために、接合
部27は感磁部28と比較して、同等あるいはそれ以上
の長さに形成される。このため、接合部27上に形成さ
れる磁区制御層24の部分は、薄い下地金属層25を通
して、先に形成されるMR層21および軟磁性層22の
軟磁気的特性の影響を受け、その保磁力が小さくなっ
て、外部から印加される最大磁界(例えば、記録磁界)
に対して、磁気的に不安定な状態になる。
The magnetic sensing portion 28 is defined by the electrode layer 26 laminated on the magnetic domain control layer 24 in the end region 29. Also, in order to ensure electrical continuity between the electrode layer 26 and the MR layer 21 and the soft magnetic layer 22, the junction 27 has a length equal to or longer than that of the magneto-sensitive portion 28. It is formed. Therefore, the portion of the magnetic domain control layer 24 formed on the junction 27 is affected by the soft magnetic characteristics of the MR layer 21 and the soft magnetic layer 22 formed earlier through the thin underlying metal layer 25, Coercive force decreases, maximum externally applied magnetic field (eg, recording magnetic field)
Is magnetically unstable.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、MR
層および軟磁性層が磁気ヘッドの感磁部だけに形成さ
れ、磁区制御層がMR層および軟磁性層と交換結合をも
たない状態で感磁部の各端部領域に形成され、その接合
部における磁区制御層の磁気的不安定性を最小限に抑
え、かつ、MR層を磁区制御するために十分な縦バイア
ス磁界を生成するMRヘッドを提示することである。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an
The magnetic layer and the soft magnetic layer are formed only in the magnetic sensing portion of the magnetic head, and the magnetic domain control layer is formed in each end region of the magnetic sensing portion without exchange coupling with the MR layer and the soft magnetic layer. It is an object of the present invention to provide an MR head that minimizes magnetic instability of a magnetic domain control layer in a portion and generates a sufficient longitudinal bias magnetic field for magnetic domain control of the MR layer.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】磁気記憶システムの読み
取り誤り率は磁気センサである磁気ヘッドの出力変動や
出力波形の非対称性に大きく依存する。したがって、読
み取り誤り率の小さい磁気記憶システムを構築するため
には、このような磁気ヘッドの出力変動や出力波形の非
対称性を小さくする必要がある。
The read error rate of the magnetic storage system largely depends on the output fluctuation of the magnetic head as a magnetic sensor and the asymmetry of the output waveform. Therefore, in order to construct a magnetic storage system with a low read error rate, it is necessary to reduce the output fluctuation and the asymmetry of the output waveform of such a magnetic head.

【0011】本発明に従うと、磁気ヘッドは、感磁部を
形成し、端部が垂直に近い角度で形成されたMR層およ
び軟磁性層を有する。ただし、MR層および軟磁性層は
非磁性層を介して積層され、強磁性的な交換結合をもた
ない状態にある。この感磁部の各端部領域に非磁性の下
地金属層を有する磁区制御層が形成される。この磁区制
御層は、下地金属層の膜厚が適当な厚さをもっているた
めに、MR層との間に強磁性的な交換結合をもたない状
態にあり、かつ、下地金属層を介してMR層と隣接して
いる部分に現われる磁極が発生させる磁束を通してMR
層と静磁気的に結合し、MR層内に縦バイアス磁界を与
える。磁区制御層は、MR層および軟磁性層の端部が垂
直に近い角度で形成されているため、その接合部もまた
垂直に近い角度を有する。したがって、磁区制御層は軟
磁気的特性を有するMR層および軟磁性層の上に積層す
ることはなく、感磁部の端部においても大きな保磁力を
保ち、外部磁界に対して常に安定な状態を保つことがで
きる。さらに、MR層と磁区制御層との静磁気的な結合
を確実なものとするために、下地金属層の膜厚は軟磁性
層の膜厚の2分の1以上から軟磁性層と非磁性層を合わ
せた膜厚と同等程度の厚さを有する。
According to the present invention, the magnetic head has the MR layer and the soft magnetic layer which form a magnetically sensitive portion and whose ends are formed at an angle close to vertical. However, the MR layer and the soft magnetic layer are stacked via the non-magnetic layer, and are in a state without ferromagnetic exchange coupling. A magnetic domain control layer having a non-magnetic base metal layer is formed at each end region of the magnetic sensing portion. The magnetic domain control layer has no appropriate ferromagnetic exchange coupling with the MR layer because the underlying metal layer has an appropriate thickness. The magnetic flux generated by the magnetic poles appearing in the portion adjacent to the MR layer is used for the MR.
It couples magnetostatically with the layer and provides a longitudinal bias magnetic field within the MR layer. In the magnetic domain control layer, since the ends of the MR layer and the soft magnetic layer are formed at an angle close to vertical, the junction thereof also has an angle close to vertical. Therefore, the magnetic domain control layer is not laminated on the MR layer having the soft magnetic property and the soft magnetic layer, and maintains a large coercive force even at the end of the magneto-sensitive portion, and is always stable against an external magnetic field. Can be kept. Further, in order to ensure the magnetostatic coupling between the MR layer and the magnetic domain control layer, the thickness of the underlying metal layer is set to be at least half of the thickness of the soft magnetic layer and the thickness of the soft magnetic layer and the non-magnetic layer. It has a thickness equivalent to the total thickness of the layers.

【0012】本発明は、上述したように、MRヘッドの
出力変動や出力波形の非対称性を大きくする不安定要因
を取り除くためのもであり、従来の磁気ヘッドに対して
全く異なる原理を用いている。これについて、図3に示
した模式図を用いて説明する。MR層31および軟磁性
層32は、従来の磁気ヘッドと同様に、感磁部38にお
いて、非磁性層33を介して積層される。同様に、磁区
制御層34もまた、下地金属層35を下地として、端部
領域39において積層され、さらにその上に電極層36
が積層される。MR層31に対する横バイアス磁界の印
加方法は、本質的に従来の磁気ヘッドと変わらないが、
縦バイアス磁界の印加方法は、従来の磁気ヘッドとは本
質的に異なる。すなわち、従来の磁気ヘッドでは、接合
部27における磁区制御層24とMR層21との強磁性
的な交換結合に基づいたバイアス磁界を用いているのに
対して、本発明に基づいた磁気ヘッドでは、下地金属層
35の接合部37における膜厚41を適当に厚くし、磁
区制御層34とMR層31との強磁性的な交換結合を断
ち切り、磁区制御層34とMR層31との静磁気的な相
互作用に基づいたバイアス磁界を用いている。
As described above, the present invention is to eliminate the instability factor which increases the output fluctuation and the asymmetry of the output waveform of the MR head, and uses a completely different principle from the conventional magnetic head. I have. This will be described with reference to the schematic diagram shown in FIG. The MR layer 31 and the soft magnetic layer 32 are laminated via the non-magnetic layer 33 in the magnetic sensing section 38, as in the conventional magnetic head. Similarly, the magnetic domain control layer 34 is also stacked in the end region 39 with the base metal layer 35 as a base, and further over the electrode layer 36.
Are laminated. The method of applying the lateral bias magnetic field to the MR layer 31 is essentially the same as that of the conventional magnetic head.
The method of applying the longitudinal bias magnetic field is essentially different from the conventional magnetic head. That is, while the conventional magnetic head uses a bias magnetic field based on ferromagnetic exchange coupling between the magnetic domain control layer 24 and the MR layer 21 at the junction 27, the magnetic head according to the present invention uses Then, the film thickness 41 at the junction 37 of the base metal layer 35 is appropriately increased, the ferromagnetic exchange coupling between the magnetic domain control layer 34 and the MR layer 31 is cut off, and the magnetostatic between the magnetic domain control layer 34 and the MR layer 31 is stopped. A bias magnetic field based on a typical interaction is used.

【0013】これを実現するためには、接合部37にお
いて、磁区制御層34の保磁力を、外部からの最大磁界
に対して影響を受けない程度の大きさに保つことが必要
である。また、磁区制御層34とMR層31が静磁気的
に連続、すなわち、MR層31および磁区制御層34の
磁化の静磁気的相互作用が最大となるように配置するこ
とが必要である。磁区制御層34の保磁力を十分に大き
く保つため、MR層31および軟磁性層32は、テーパ
角40が理想的には垂直になるように形成され、また、
磁区制御層34に対して、MR層31および軟磁性層3
2の軟磁気的特性の影響を小さくするように形成され
る。
In order to realize this, it is necessary to maintain the coercive force of the magnetic domain control layer 34 at the junction 37 at a level that is not affected by the maximum external magnetic field. Further, it is necessary to arrange the magnetic domain control layer 34 and the MR layer 31 so as to be magnetostatically continuous, that is, to maximize the magnetostatic interaction of the magnetization of the MR layer 31 and the magnetic domain control layer 34. In order to keep the coercive force of the magnetic domain control layer 34 sufficiently large, the MR layer 31 and the soft magnetic layer 32 are formed such that the taper angle 40 is ideally perpendicular.
For the magnetic domain control layer 34, the MR layer 31 and the soft magnetic layer 3
2 are formed so as to reduce the influence of the soft magnetic characteristics.

【0014】MR層31と磁区制御層34の静磁気的連
続性を実現するために、磁区制御層34と下地金属層3
5は、膜厚をそれぞれ適当に厚くし、磁区制御層34の
接合部37側に現われる磁極の作る磁束が、ほぼ直線的
にMR層31に入り込むように形成される。すなわち、
接合部37に現われるMR層31および磁区制御層34
の磁極の距離が最短になるように形成される。現実的に
は、下地金属層35の膜厚を、軟磁性層32の膜厚と同
等程度に厚くし、その上にMR層31の飽和磁化以上の
残留磁化を有する磁区制御層34を形成する。
In order to realize magnetostatic continuity between the MR layer 31 and the magnetic domain control layer 34, the magnetic domain control layer 34 and the underlying metal layer 3
5 is formed so that the film thickness is appropriately increased, and the magnetic flux generated by the magnetic pole appearing on the joint portion 37 side of the magnetic domain control layer 34 enters the MR layer 31 almost linearly. That is,
MR layer 31 and magnetic domain control layer 34 appearing at junction 37
Are formed so that the distance between the magnetic poles of the two is shortest. Practically, the thickness of the underlying metal layer 35 is made as thick as the thickness of the soft magnetic layer 32, and the magnetic domain control layer 34 having a residual magnetization equal to or higher than the saturation magnetization of the MR layer 31 is formed thereon. .

【0015】このとき、MRヘッドの出力変動および波
形の非対称性を最小にするために必要な磁区制御層34
の残留磁化は、下地金属層35の接合部37における膜
厚41の厚さにより異なるが、少なくともMR層31の
飽和磁化以上の大きさである。具体的な実施例では、下
地金属層35の膜厚が軟磁性層32の膜厚にほぼ等し
く、磁区制御層34の膜厚がMR層31と非磁性層33
を合わせた膜厚にほぼ等しくなるように形成されてい
る。このとき用いた磁区制御層34(CoPtCr)の Br は
0.86T であり、MR層(パーマロイ)の Bs がほぼ 1T
であることから、これらの比はおよそ 1.2 になる。ま
た、このときの下地金属層35の接合部37における膜
厚41はMR層31の膜厚にほぼ等しい。
At this time, the magnetic domain control layer 34 necessary to minimize the output fluctuation of the MR head and the asymmetry of the waveform.
Is different depending on the thickness of the film thickness 41 at the bonding portion 37 of the base metal layer 35, but is at least larger than the saturation magnetization of the MR layer 31. In a specific embodiment, the thickness of the underlying metal layer 35 is substantially equal to the thickness of the soft magnetic layer 32, and the thickness of the magnetic domain control layer 34 is the same as that of the MR layer 31 and the nonmagnetic layer 33.
Is formed so as to be substantially equal to the combined film thickness. Br of the magnetic domain control layer 34 (CoPtCr) used at this time is
0.86T, MR layer (permalloy) Bs is almost 1T
Therefore, these ratios are approximately 1.2. At this time, the film thickness 41 of the bonding portion 37 of the base metal layer 35 is substantially equal to the film thickness of the MR layer 31.

【0016】本発明の原理に従えば、出力変動および波
形の非対称性の小さな磁気ヘッドを製作することが可能
であるが、さらに、この原理を利用することで、別の利
点が得られる。すなわち、縦バイアス磁界を与える原理
として、従来の強磁性的な交換結合を用いている場合に
は、MR層21は磁区制御層24と交換結合しているた
めに、MR層21の端部に不活性な領域が広く現われる
が、静磁気的な結合を用いている場合には、MR層31
の端部の不活性な領域は小さく、その分だけ大きな出力
信号が得られる。1つの実施例では、従来の強磁性的な
交換結合を用いている場合に対して1.5倍の出力が得ら
れている。また、不活性な領域が小さいということは、
電極層36の間隔によって定義される感磁部38の幾何
学的な大きさと磁気的な活性領域の大きさの差が小さい
ことを意味している。したがって、本発明の原理を用い
ることは、感磁部38を電極層36の間隔で定義する際
に、さらに、感磁部38が狭くなるほど、有効になるこ
とを意味している。
According to the principle of the present invention, it is possible to manufacture a magnetic head having a small output fluctuation and waveform asymmetry. However, another advantage is obtained by using this principle. That is, when a conventional ferromagnetic exchange coupling is used as a principle of applying a longitudinal bias magnetic field, the MR layer 21 is exchange-coupled with the magnetic domain control layer 24, so that the MR layer 21 Although an inactive region appears widely, when the magnetostatic coupling is used, the MR layer 31 is used.
The inactive region at the end of is small, and a larger output signal can be obtained. In one embodiment, an output 1.5 times as high as that in the case of using the conventional ferromagnetic exchange coupling is obtained. Also, the small inactive area means that
This means that the difference between the geometric size of the magneto-sensitive portion 38 and the size of the magnetically active region defined by the distance between the electrode layers 36 is small. Therefore, the use of the principle of the present invention means that, when defining the magnetically sensitive portion 38 at the interval between the electrode layers 36, the narrower the magnetically sensitive portion 38 is, the more effective it becomes.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】最適の実施例(実施例1)によれ
ば、始めに膜厚20nmのMR層31、膜厚8nmの非磁性層
33および膜厚19nmの軟磁性層32をこの順にスパッタ
リング法で感磁部38および端部領域39上に形成す
る。この後、Arイオンミリング法によりMR層31、非
磁性層33および軟磁性層32を感磁部38に限定し、
テーパ角40を60〜90 度の範囲で形成する。次に、2
層レジストを用いて感磁部38をマスクし、リフトオフ
法により膜厚25nmの下地金属層35、膜厚28nmの磁区制
御層34および電極層36を形成する。このとき下地金
属層35の接合部37における膜厚41は20nmである。
また、MR層31にはパーマロイ(Bs= 1T)を 、軟磁
性層32にはパーマロイにジルコニアを添加したもの
(Bs= 0.67T)を 、下地金属層35には Crを 、磁区制
御層34には CoPtCr(Br=0.86T)を使用している。こ
れから、MR層31の飽和磁化に対する磁区制御層34
の残留磁化の比はおよそ1.2になる。この実施例におい
て、MRヘッドの出力変動は、平均値に対する標準偏差
の比で表して 1% 以内であり、従来のMRヘッドが3%
以上であるのに対して、格段に抑制効果がある。ただ
し、テーパ角40が60度以下では、出力変動が急に増加
する。このようなMRヘッドではMR層31と磁区制御
層34の静磁気的結合が不十分になっているものと考え
られる。
According to the most preferred embodiment (Embodiment 1), first, an MR layer 31 having a thickness of 20 nm, a nonmagnetic layer 33 having a thickness of 8 nm, and a soft magnetic layer 32 having a thickness of 19 nm are arranged in this order. It is formed on the magnetic sensing portion 38 and the end region 39 by a sputtering method. Thereafter, the MR layer 31, the nonmagnetic layer 33, and the soft magnetic layer 32 are limited to the magnetically sensitive portion 38 by Ar ion milling,
The taper angle 40 is formed in the range of 60 to 90 degrees. Next, 2
The magnetic sensing portion 38 is masked using a layer resist, and a base metal layer 35 having a thickness of 25 nm, a magnetic domain control layer 34 and an electrode layer 36 having a thickness of 28 nm are formed by a lift-off method. At this time, the thickness 41 of the bonding portion 37 of the base metal layer 35 is 20 nm.
The MR layer 31 is made of permalloy (Bs = 1T), the soft magnetic layer 32 is made of permalloy added with zirconia (Bs = 0.67T), the base metal layer 35 is made of Cr, and the magnetic domain control layer 34 is made of Uses CoPtCr (Br = 0.86T). From this, the magnetic domain control layer 34 for the saturation magnetization of the MR layer 31 will be described.
Is about 1.2. In this embodiment, the output fluctuation of the MR head is within 1% as a ratio of the standard deviation to the average value, and the output fluctuation of the conventional MR head is 3%.
In contrast to the above, there is a remarkable suppression effect. However, when the taper angle 40 is 60 degrees or less, the output fluctuation suddenly increases. It is considered that in such an MR head, the magnetostatic coupling between the MR layer 31 and the magnetic domain control layer 34 is insufficient.

【0018】次の実施例(実施例2)では、下地金属層
35の膜厚が 10nm、磁区制御層34の膜厚が 28、38、
48、58nm であり、他の幾何学的条件は実施例1に同じ
である。この場合、下地金属層35の膜厚が薄いため
に、磁区制御層34は軟磁性層32と一部静磁気的に結
合する。上記磁区制御層34の4つの膜厚で最も出力変
動が小さいのは 38nm であり、48、58、28nm の順に出
力変動が大きくなる傾向がある。
In the next embodiment (Embodiment 2), the thickness of the underlying metal layer 35 is 10 nm, the thickness of the magnetic domain control layer 34 is 28, 38,
48, 58 nm, and the other geometrical conditions are the same as in Example 1. In this case, since the thickness of the underlying metal layer 35 is small, the magnetic domain control layer 34 is partly and magnetostatically coupled to the soft magnetic layer 32. Among the four film thicknesses of the magnetic domain control layer 34, the smallest output variation is 38 nm, and the output variation tends to increase in the order of 48, 58, and 28 nm.

【0019】これは次のように解釈される。磁区制御層
34の膜厚が28nmのときは、下地金属層35の膜厚が10
nmと薄いために、磁区制御層34はMR層31と軟磁性
層32の中間の高さに配置する(図4)。したがって、
軟磁性層32に入り込む磁区制御層34の磁束の量が多
くなり、MR層31に入り込む磁束の量がMR層の磁区
制御に対して不十分となる。
This is interpreted as follows. When the thickness of the magnetic domain control layer 34 is 28 nm, the thickness of the underlying metal layer 35 is 10 nm.
Since the magnetic domain control layer 34 is as thin as nm, the magnetic domain control layer 34 is disposed at an intermediate height between the MR layer 31 and the soft magnetic layer 32 (FIG. 4). Therefore,
The amount of magnetic flux of the magnetic domain control layer 34 that enters the soft magnetic layer 32 increases, and the amount of magnetic flux that enters the MR layer 31 becomes insufficient for controlling the magnetic domain of the MR layer.

【0020】磁区制御層34の膜厚が38nmになると、磁
区制御層34の高さはMR層31の高さとほぼ同等にな
る(図5)。したがって、MR層31に入り込む磁束の
量は、MR層の磁区制御に対して十分となる。このよう
なMRヘッドの構成の場合にも、出力変動を抑制するこ
とが可能である。しかし、この場合には、実施例1で述
べたMRヘッドの構成に対して出力が3分の2程度に減
少する。これはMR層の磁気的な活性領域が減少するた
めであり、磁区制御層34の磁束が軟磁性層32に直接
入り込んで、これと静磁気的に結合するためである。
When the thickness of the magnetic domain control layer 34 becomes 38 nm, the height of the magnetic domain control layer 34 becomes almost equal to the height of the MR layer 31 (FIG. 5). Therefore, the amount of magnetic flux entering the MR layer 31 is sufficient for controlling the magnetic domain of the MR layer. Even in the case of such a configuration of the MR head, output fluctuation can be suppressed. However, in this case, the output is reduced to about two thirds of the configuration of the MR head described in the first embodiment. This is because the magnetically active region of the MR layer decreases, and the magnetic flux of the magnetic domain control layer 34 directly enters the soft magnetic layer 32 and is magnetostatically coupled thereto.

【0021】磁区制御層34の膜厚が 48、58nm になる
と、磁区制御層34の高さはMR層31の高さを越える
ようになる(図6)。したがって、MR層31に入り込
む磁束の量はMR層31の磁区制御に対して十分ではあ
るが、磁区制御層34からはさらに多くの磁束が供給さ
れることになる。この余分の磁束がMR層31の磁気的
な活性領域を変動させる不安定要因となり、MRヘッド
の出力変動が増加する原因となっている。また、MRヘ
ッドの出力も、実施例1で述べたMRヘッドの構成に対
して、およそ1%/nmの割合で減少する。ただし、分母
は磁区制御層34のMR層31の高さ越える膜厚の増分
である。
When the thickness of the magnetic domain control layer 34 becomes 48 or 58 nm, the height of the magnetic domain control layer 34 exceeds the height of the MR layer 31 (FIG. 6). Therefore, although the amount of magnetic flux entering the MR layer 31 is sufficient for controlling the magnetic domains of the MR layer 31, more magnetic flux is supplied from the magnetic domain control layer. This extra magnetic flux becomes an unstable factor that fluctuates the magnetically active region of the MR layer 31 and causes an increase in output fluctuation of the MR head. Also, the output of the MR head decreases at a rate of about 1% / nm with respect to the configuration of the MR head described in the first embodiment. However, the denominator is an increment of the film thickness exceeding the height of the MR layer 31 of the magnetic domain control layer 34.

【0022】逆に、磁区制御層34の膜厚を45nmで一定
にし、下地金属層35の膜厚を 5nmより薄くしていく
と、MRヘッドの出力が急激に減少する。これは、MR
層31と磁区制御層34の間に強磁性的な交換結合が現
われ始めるためである。したがって、磁区制御層34の
膜厚は5nm以上でなければならない。
Conversely, when the thickness of the magnetic domain control layer 34 is kept constant at 45 nm and the thickness of the underlying metal layer 35 is made thinner than 5 nm, the output of the MR head rapidly decreases. This is MR
This is because ferromagnetic exchange coupling starts to appear between the layer 31 and the magnetic domain control layer 34. Therefore, the thickness of the magnetic domain control layer 34 must be 5 nm or more.

【0023】以上の実施例はMRヘッドの感磁部38の
広さ、すなわち、データトラックの再生幅が2.5μm 以
下で行われており、本発明における磁区制御方法が、従
来の磁区制御方法に比べて、感磁部38の広さが小さく
なるほど、出力の減少を抑制する効果が大きいことが確
認されている。
In the above embodiment, the width of the magnetic sensing portion 38 of the MR head, that is, the reproduction width of the data track is 2.5 μm or less, and the magnetic domain control method of the present invention is different from the conventional magnetic domain control method. In comparison, it has been confirmed that the smaller the width of the magnetic sensing unit 38, the greater the effect of suppressing the decrease in output.

【0024】[0024]

【発明の効果】本発明によれば、磁気記憶システムにお
いて、磁気センサーとして用いられるMRヘッドの出力
変動および波形の非対称性を小さくすることが可能であ
り、これにより、データ読み取り誤り率の小さな磁気記
憶システムが提示される。
According to the present invention, it is possible to reduce the output fluctuation and the asymmetry of the waveform of an MR head used as a magnetic sensor in a magnetic storage system. A storage system is presented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】磁気記憶システムに用いられる再生専用のMR
ヘッドおよび記録専用のインダクティブ ヘッドを含む
複合型磁気ヘッドの鳥瞰図。
FIG. 1 is a read-only MR used in a magnetic storage system.
A bird's-eye view of a composite magnetic head including a head and a recording-only inductive head.

【図2】非磁性または磁性金属層を下地に用いた磁区制
御層により縦バイアス磁界が与えられる 従来の磁気抵
抗効果型ヘッドの機能部分の断面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a functional portion of a conventional magnetoresistive head to which a longitudinal bias magnetic field is applied by a magnetic domain control layer using a nonmagnetic or magnetic metal layer as a base.

【図3】実施例1における本発明の原理に基づく磁気抵
抗効果型ヘッドの機能部分の断面図。
FIG. 3 is a sectional view of a functional portion of a magnetoresistive head based on the principle of the present invention in Embodiment 1.

【図4】実施例2の磁区制御層34の膜厚が 28nm の場
合における本発明の原理に基づく磁気抵 抗効果型ヘッ
ドの機能部分の断面図。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a functional portion of a magnetoresistive head based on the principle of the present invention when the thickness of a magnetic domain control layer according to a second embodiment is 28 nm.

【図5】実施例2の磁区制御層34の膜厚が 38nm の場
合における本発明の原理に基づく磁気抵 抗効果型ヘッ
ドの機能部分の断面図。
FIG. 5 is a cross-sectional view of a functional portion of a magnetoresistive head based on the principle of the present invention when the thickness of a magnetic domain control layer according to a second embodiment is 38 nm.

【図6】実施例2の磁区制御層34の膜厚が 48、58nm
の場合における本発明の原理に基づく磁 気抵抗効果型
ヘッドの機能部分の断面図。
FIG. 6 shows the magnetic domain control layer of Example 2 having a film thickness of 48 or 58 nm.
FIG. 3 is a cross-sectional view of a functional portion of a magnetoresistive head based on the principle of the present invention in the case of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 磁気抵抗効果型ヘッド(MRヘッド) 12 インダクティブヘッド 21、31 MR層 22、32 軟磁性層 23、33 非磁性層 24、34 磁区制御層 25 非磁性または磁性下地金属層 26、36 電極層 27、37 接合部 28、38 感磁部 29、39 端部領域 35 (磁性)下地金属層 40 テーパ角 41 下地金属層35の磁区制御層34とMR層31と
を分離する膜厚
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Magnetoresistive head (MR head) 12 Inductive head 21, 31 MR layer 22, 32 Soft magnetic layer 23, 33 Nonmagnetic layer 24, 34 Magnetic domain control layer 25 Nonmagnetic or magnetic base metal layer 26, 36 Electrode layer 27 , 37 Junction 28, 38 Magnetic sensing part 29, 39 End region 35 (Magnetic) Base metal layer 40 Taper angle 41 Film thickness separating magnetic domain control layer 34 of base metal layer 35 and MR layer 31

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 光岡 勝也 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 川辺 隆 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Katsuya Mitsuoka 2880 Kozu, Kozuhara-shi, Kanagawa Prefecture, Ltd.Storage Systems Division, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Takashi Kawabe 2880 Kozu, Kozu, Hitachi, Ltd. Storage, Hitachi Ltd. System Division

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】強磁性体の異方性磁気抵抗効果を用いるM
R層31と、上記MR層31に横バイアス磁界を与える
軟磁性層32と、上記MR層31と上記軟磁性層32の
間の交換結合を断ち切るための非磁性層33と、上記3
層からなる感磁部38の端部領域39に形成され、上記
MR層31に対して縦バイアス磁界を与える硬磁性層
(磁区制御層)34と、上記磁区制御層34の磁気特性
を安定化させるために磁区制御層34の下に積層される
非磁性の下地金属層35から成り、上記磁区制御層34
が上記下地金属層35を介して上記感磁部38にあるM
R層31、軟磁性層32および非磁性層33と接してい
る接合部37を含み、上記磁区制御層34と上記MR層
31とを分離する上記下地金属層35の膜厚41が5nm
以上であることを特徴とする、磁気抵抗効果型ヘッド
(MRヘッド)。
1. The method of claim 1, wherein the M uses anisotropic magnetoresistance effect of a ferromagnetic material.
An R layer 31, a soft magnetic layer 32 for applying a lateral bias magnetic field to the MR layer 31, a nonmagnetic layer 33 for cutting off exchange coupling between the MR layer 31 and the soft magnetic layer 32;
A hard magnetic layer (magnetic domain control layer) 34 which is formed in an end region 39 of the magnetic sensing portion 38 and applies a longitudinal bias magnetic field to the MR layer 31; and stabilizes the magnetic characteristics of the magnetic domain control layer 34. The magnetic domain control layer 34 comprises a non-magnetic underlayer metal layer 35 laminated under the magnetic domain control layer 34.
Is in the magnetic sensing portion 38 via the base metal layer 35.
The underlayer metal layer 35 that includes the junction 37 in contact with the R layer 31, the soft magnetic layer 32 and the nonmagnetic layer 33 and separates the magnetic domain control layer 34 and the MR layer 31 has a thickness 41 of 5 nm.
A magnetoresistive head (MR head) characterized by the above.
【請求項2】上記下地金属層35の上記端部領域39に
おける膜厚が上記軟磁性層32の膜厚の2分の1以上か
ら、軟磁性層32と上記非磁性層33の膜厚を合わせた
ものと同等程度の厚さ有することを特徴とする、請求項
1に記載のMRヘッド。
2. The film thickness of the soft magnetic layer 32 and the non-magnetic layer 33 is less than half the film thickness of the soft magnetic layer 32 in the edge region 39 of the base metal layer 35. 2. The MR head according to claim 1, wherein the MR head has a thickness equivalent to that of the combined MR head.
【請求項3】上記磁区制御層34の上記端部領域39に
おける膜厚が、上記MR層31の高さと磁区制御層34
の高さが同じになる程度の膜厚をもち、上記磁区制御層
34の残留磁化の大きさが上記MR層31の飽和磁化の
大きさ以上であることを特徴とする、請求項1に記載の
MRヘッド。
3. The thickness of the magnetic domain control layer 34 in the end region 39 is determined by the height of the MR layer 31 and the magnetic domain control layer 34.
2. The magnetic domain control layer 34 has a film thickness such that the height of the magnetic domain control layer 34 is the same, and the magnitude of the residual magnetization of the magnetic domain control layer 34 is equal to or greater than the magnitude of the saturation magnetization of the MR layer 31. MR head.
【請求項4】上記接合部37が上記MR層31、軟磁性
層32および非磁性層33に渡るテーパ状エッジを含
み、上記テーパ状エッジの角度(テーパ角)40が60°
乃至90°の範囲にあることを特徴とする、請求項1に記
載のMRヘッド。
4. The junction 37 includes a tapered edge extending over the MR layer 31, the soft magnetic layer 32 and the non-magnetic layer 33, and the angle (taper angle) 40 of the tapered edge is 60 °.
2. The MR head according to claim 1, wherein the angle is in a range of about to 90 [deg.].
【請求項5】請求項1乃至4に記載のMRヘッドを再生
ヘッドとして使用する磁気記憶システム。
5. A magnetic storage system using the MR head according to claim 1 as a reproducing head.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6636392B2 (en) 2000-07-11 2003-10-21 Tdk Corporation Thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element
US6829122B2 (en) 2001-02-15 2004-12-07 Fujitsu Limited Magnetic head of a magnetoresistance type having an underlying layer having a laminated structure of a tungsten-group metal layer formed on a tantalum-group metal layer

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