JPH11114358A - 気体分離体 - Google Patents

気体分離体

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JPH11114358A
JPH11114358A JP28164697A JP28164697A JPH11114358A JP H11114358 A JPH11114358 A JP H11114358A JP 28164697 A JP28164697 A JP 28164697A JP 28164697 A JP28164697 A JP 28164697A JP H11114358 A JPH11114358 A JP H11114358A
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hole
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Kiyoshi Okumura
清志 奥村
Shigenori Ito
重則 伊藤
Makoto Murai
真 村井
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Abstract

(57)【要約】 【課題】イオン伝導膜によって気体を分離する方式の気
体分離体において、気体分離体の強度を保持しつつイオ
ン伝導膜の面積を増大させ、気体分離膜の基体への付着
強度を向上させ、原料ガスの淀みを最小限に抑制する。 【解決手段】気体分離体70が基体60とイオン伝導性
の気体分離膜69とを備える。基体60が、多孔質材料
からなるハニカム構造体64と、ハニカム構造体の各貫
通孔65、67をそれぞれ塞いでいる多孔質材料製の封
孔部61、66とからなる。気体分離膜69がハニカム
構造体64の一方の端面60a側において少なくとも封
孔部61、66の表面および貫通孔65の内壁面を被覆
しており、ハニカム構造体の一方の端面60a側と他方
の端面60b側との間で気体分離膜69によって気密性
が保持されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン伝導式の気
体分離装置に使用するための気体分離体に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】多くの成分を含有する混合ガスから特定
のガス成分のみを得る方法として、有機または無機物質
からなるガス分離膜によって特定のガス成分のみを分離
する方法が知られている。こうした酸化分離膜として
は、オルガノポリシロキサン−ポリカーボネート共重合
膜、ゼオライトによるモレキュラーシーブ(分子ふる
い)膜が知られており、水素分離膜としては、ポリイミ
ド膜、ポリスルホン膜が知られている。
【0003】特開昭63−156516号公報によれ
ば、特定の混合導電体を混合焼結することによって、酸
化イオンの伝導に都合の良い粒界を増大させ、混合伝導
体の酸化イオン伝導率σを向上させている。
【0004】また、本出願人は、特開平9−24233
号公報において、多孔質の基体の気孔を緻密質マトリッ
クスによって充填し、緻密質マトリックスにイオン伝導
性を付与する技術を開示した。これによって、気体分離
体の気密性と気体分離能力を向上させることを狙ってい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記したよう
な各気体分離体には、次のような問題点があった。即
ち、前記の混合焼結体においては、異種の粒子の粒界を
増大させることはできるが、この粒界は連続的には生成
していないので、異種粒子の界面が、酸素イオン濃度の
高い側から低い側へと向かって連続しておらず、酸素イ
オン伝導率を十分に向上させることができない。
【0006】水素イオン伝導膜や酸素イオン伝導膜等の
分野においては、気体分離効率を向上させるために、気
体分離膜を薄くし、かつ面積を増加させることが必須で
ある。しかし、こうした気体分離膜は機械的強度が低い
ので、薄膜化および面積の増大が困難である。特に、気
体分離膜の一部に亀裂が入ると、膜の全体にわたって亀
裂が進展する性質があるので、信頼性が低い。そして気
体分離膜を薄くし、また面積を増加させると、いっそう
亀裂が発生、進展し易くなる。従って、気体分離膜の薄
膜化および面積の増大には限界があり、このために気体
分離性能にも限界がある。
【0007】更に、多孔質基体の気孔中にイオン伝導性
の緻密質マトリックスを生成させる技術は、気体分離膜
の機械的強度の低さという問題点を克服する上で極めて
有効であった。しかし、この場合には多孔質基体の気孔
中にガスが淀み易いという問題があることが判明してき
た。即ち、多孔質基体の一方の側からその気孔内に例え
ば酸素とアルゴンとの混合ガスを供給し、酸素のみを多
孔質基体の他方の側に分離した場合、多孔質基体の気孔
内には多数の三相界面が存在しているので、初期は酸素
の分離が迅速に行われる。しかし、時間の経過につれ
て、気孔の三相界面付近に存在しているガス中の酸素濃
度が減少するのにもかかわらず、この減損したガスが気
孔の外部へと排出されにくく、淀む傾向があった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、イオ
ン伝導膜によって気体を分離する方式の気体分離体にお
いて、気体分離体の強度を保持しつつイオン伝導膜の面
積を増大させ、かつ気体分離膜の基体への付着強度を向
上させることであり、また処理対象である原料ガスの淀
みを最小限に抑制できるようにすることである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、イオン伝導式
の気体分離体であって、この気体分離体が基体とイオン
伝導性の気体分離膜とを備えており、基体が、多孔質材
料からなるハニカム構造体と、このハニカム構造体の各
貫通孔をそれぞれ塞いでいる多孔質材料製の封孔部とか
らなり、気体分離体がハニカム構造体の一方の端面側に
おいて少なくとも封孔部の表面および貫通孔の内壁面を
被覆しており、ハニカム構造体の一方の端面側と他方の
端面側との間で気体分離膜によって気密性が保持されて
いることを特徴とする。
【0010】本発明者は、新規な構造の気体分離体を提
供するべく、研究を行っていたが、この過程で、多孔質
材料からなるハニカム構造体の各貫通孔を、それぞれ、
多孔質材料製の封孔部によって塞ぎ、イオン伝導性の気
体分離膜を、ハニカム構造体の少なくとも一方の端面側
において封孔部の表面および貫通孔の内壁面を被覆する
ように設けることを想到した。こうした気体分離体によ
れば、気体分離膜が、多孔質基体の各封孔部の表面と各
貫通孔の内壁面とにわたって一体に設けられているため
に、気体分離膜の多孔質基体への密着性が良好であり、
気体分離膜の表面積が大きくなるし、多孔質基体の厚さ
を低減しても、多孔質基体が基本的にハニカム構造体か
らなっているので、その強度が比較的に高い。
【0011】しかも、気体分離膜は多孔質基体の開気孔
の中ではなく、多孔質基体の表面に形成されているの
で、開気孔内における原料ガスの淀みを防止できる。
【0012】こうした気体分離体は、次のようにして作
製できる。基体の一方の端面側に、気体分離膜の材料と
なる金属化合物のガスを供給し、基体の他方の端面側に
酸化性ガスを供給することによって、基体の一方の端面
側において少なくとも封孔部の表面および貫通孔の内壁
面を被覆するように気体分離膜を生成させることに成功
した。
【0013】この際、最初に化学的気相成長(CVD)
プロセスによって化合物が生成するが、この段階では完
全に緻密な物質は生成しない。しかし、上記のCVD反
応が終結し、ほぼ気密な物質が生成し、多孔質基体の一
方の端面側と他方の端面側との間で気体の流通が阻害さ
れるようになると、今度は、酸化性ガスに含まれる酸素
が酸素イオンとなってこの物質内を透過し、この透過し
たイオンが電気化学的気相反応プロセスによって金属化
合物ガスと反応し、更に連続的に気体分離膜を生成す
る。
【0014】
【発明の実施の形態】多孔質基体の材質、および封孔部
の材質は、セラミックスが特に好ましい。具体的には、
アルミナ、ジルコニア、窒化珪素、炭化珪素、スピネ
ル、マグネシア、石英、コージェライト、ランタンマン
ガナイト、ランタンコバルタイト、ランタンクロマイト
およびこれらの複合酸化物を好適な材料として例示でき
る。また、これらの各材質は同種のものであることが好
ましい。
【0015】多孔質基体および封孔部の気孔率は、それ
ぞれ10%−50%であることが好ましい。
【0016】ハニカム構造体の外形は、柱状であっても
よく、平板形状であってもよい。本発明において、ハニ
カム構造体の端面とは、ハニカム構造体の貫通孔が開口
している面のことを言う。ハニカム構造体の端面の平面
的形状は、特に制限はなく、六角形、四角形、三角形、
矩形、真円形、楕円形であってよい。また、ハニカム構
造体の各貫通孔の平面的形状も特に制限はなく、六角
形、四角形、三角形、矩形、真円形、楕円形であってよ
い。各貫通孔の有効直径は、0.1〜20mmであるこ
とが好ましく、各貫通孔の面積は10-3mm2 〜400
mm2であることが好ましい。各貫通孔を仕切る隔壁の
厚さは、100μm〜1mmが好ましい。
【0017】気体分離膜を構成する構成物質としては、
イオン伝導性と電子伝導性とを備えている材質を採用す
ることができる。こうした材質としては、次のものが特
に好ましい。
【0018】(1)SrFeCoxOδ組成で、この化
合物の中でも、SrFeCo0.5 Oδが好ましい。
【0019】(2)(La1-x ・Cx )(D)O3 の構
造式を有するペロブスカイト構造体。Cは、IIa族元
素およびIIIa族元素からなる群より選ばれた一種以
上の元素である。Dは、マンガン、クロム、鉄、コバル
トおよびマグネシウムからなる群より選ばれた一種以上
の元素である。xは0〜0.5である。Cは、カルシウ
ムおよびストロンチウムからなる群より選ばれた一種以
上の金属元素が特に好ましく、Dは、クロム、マンガ
ン、コバルトが特に好ましい。
【0020】(3)バリウムとセシウムとのペロブスカ
イト型複合酸化物であって、その金属イオンの一部がガ
ドリニウムイオンで置換されている複合酸化物からなる
混合導電体。
【0021】(4)イットリア安定化ジルコニア、カル
シア安定化ジルコニア、スカンジア安定化ジルコニア。
【0022】好ましくは、基体が、封孔部として、貫通
孔の一方の端面側の開口を塞ぐ一方の封孔部と、貫通孔
の他方の端面側の開口を塞ぐ他方の封孔部とを備えてい
る。この場合において、基体を一方の端面側から見たと
きに、平面的に見て一方の封孔部と他方の封孔部とが隣
接していることが好ましい。特に好適な形態において
は、基体を一方の端面側から見たときに、平面的に見て
一方の封孔部が他方の封孔部と隣接しており、他の一方
の封孔部とは隣接しておらず、他方の封孔部が一方の封
孔部と隣接しており、他の他方の封孔部とは隣接してい
ない。こうした実施形態について述べる。
【0023】図1(a)は、多孔質基体9をその一方の
端面9a側から見た正面図であり、図1(b)は、多孔
質基体9の側面図であり、図1(c)は、多孔質基体9
をその他方の端面9b側から見た正面図であり、図1
(d)は、図1(a)のId−Id線断面図である。
【0024】多孔質基体9は、ハニカム構造体21を備
えている。ハニカム構造体21には、所定個数の貫通孔
1、3が規則的に設けられており、各貫通孔は、外枠2
2および隔壁23によって互いに分離されている。各貫
通孔1、3は、ハニカム構造体21の各端面9a、9b
に向かって開口している。各端面9a、9bは、それぞ
れ長方形または正方形であり、各貫通孔1、3の各開口
も同様に長方形または正方形である。
【0025】本例では、多孔質基体の一方の端面9a側
にある一方の封孔部2によって、各貫通孔3の開口が塞
がれており、多孔質基体の他方の端面9b側にある他方
の封孔部4によって、各貫通孔1の開口が塞がれてい
る。基体を一方の端面9a側から見たときに(図1
(a)を参照)、一方の封孔部2の四周が、それぞれ他
方の封孔部4に隣接しており、他の一方の封孔部2とは
隣接していない。同様に、他方の封孔部4の四周が、そ
れぞれ一方の封孔部2に隣接しており、他の他方の封孔
部4とは隣接していない。
【0026】この多孔質基体9に対して、金属化合物ガ
スおよび酸化性ガスを供給し、多孔質基体9の一方の端
面9a側に緻密質膜を形成することによって、図3に示
すような気体分離体25を得る。
【0027】この際には、例えば図2に模式的に示す気
相成長装置を使用する。この装置の反応チャンバー6の
外縁部を包囲するようにヒーター8が設けられており、
チャンバー6の内側で反応を進行させる。金属化合物原
料を、目的組成となるように混合し、混合物を粉末供給
装置5内に収容する。チャンバー6内には基体支持管2
0が突出しており、この中に酸化性ガス導入管16が突
出している。この導入管16上に多孔質基体9を設置
し、ヒーター8を発熱させる。多孔質基体9の一方の端
面9aは、チャンバー内の空間14に面しており、他方
の端面9bは、基体支持管20内に面している。
【0028】金属化合物の原料粉末のキャリアガスを供
給し、このキャリアガスを矢印Cのように気化器7に通
して金属化合物ガスとし、チャンバー6内の空間14に
流し、矢印Aのように、多孔質基体9の一方の端面9a
側に供給する。一方、例えばアルゴンと酸素との混合ガ
スを加湿器15に通し、酸素と水分とを含む酸化性ガス
を得、この酸化性ガスを配管17を通して導入管16内
に供給し、矢印Bのように多孔質基体9の他方の端面9
b側に供給する。
【0029】基体支持管20の中に配管19が挿入され
ており、配管19は弁12Bを介して真空ポンプ13B
に連結されている。また、チャンバー6の反応空間14
に配管18が挿入されており、配管18は弁12Aを介
して真空ポンプ13Aに連結されている。各配管に圧力
計10A、10Bが連結されている。配管18と19と
の間に、弁付きの差圧計11が設けられている。真空ポ
ンプ13A、13Bを作動させ、弁12A、12Bおよ
び差圧計を調節することによって、チャンバー6内の空
間14の圧力と、酸化性ガス側の圧力との差を調節す
る。
【0030】この結果、図3(a)、(b)に示すよう
な気体分離体25が得られる。たたし、図3(a)、
(b)は、それぞれ、図1(a)においてIIIa−I
IIa線、IIIb−IIIb線に沿って切ってみたと
きの断面を示している。
【0031】気体分離膜24は、多孔質基体9の一方の
端面9a側に設けられており、一方の封孔部2の表面を
被覆する部分24a、貫通孔1の内壁面を被覆する部分
24b、他方の封孔部4の表面を被覆する部分24cを
備えている。これらの各部分は互いにつながっており、
全体として一方の端面側と他方の端面側との間で気密性
が保持されている。この気体分離体25は、保持板27
およびシール材26に対して固定されている。
【0032】以下、具体的な実験結果について述べる。
図1−図3を参照しつつ説明した前記手順にしたがっ
て、図3に示す気体分離体25を製造した。詳細を以下
に示す。
【0033】(ハニカム構造体の作製)平均粒径1μm
のマグネシア−アルミナスピネル粉末100重量部、メ
チルセルロース4重量部、セルロース3重量部および水
を混合し、この混合物を混練し、坏土を調製した。真空
土練機を用いて、直径80mm、長さ300mmの円柱
形状の坏土成形体を調製した。この坏土成形体を押出機
に投入し、押出成形し、長さ11mmの押出成形体を得
た。ただし、口金として、各貫通孔の断面形状が正方形
であり、壁の厚さが0.5mmであり、ピッチが2.4
mmであり、外側寸法55mm×55mmの口金を使用
した。
【0034】次に、前記マグネシア−アルミナスピネル
粉末にバインダーを添加してペーストを製造し、このペ
ーストを各貫通孔3の開口に充填し、封孔部2を成形し
た。次いで、ハニカム構造体を反転させ、前記のペース
トを各貫通孔1の開口に充填し、封孔部4を成形した。
【0035】この成形体を脱脂し、得られた脱脂体を電
気炉内に収容し、1500℃で3時間焼成し、外側寸法
50mm×50mm、長さ10mmの直方体形状の焼成
体を得た。この焼成体から試料を切り出し、その気孔率
を測定したところ、ハニカム構造体の部分は25%であ
り、封孔部は27%であった。
【0036】(気体分離膜の形成)図2を参照しつつ説
明した前記方法に従って、反応を実施した。LaC
3 、MnCl2 の原料粉末を、反応後の膜の組成がL
aMnO3 となるように秤量し、混合し、この混合粉末
を粉末供給装置5に入れた。多孔質基体9をセットし、
電気炉を1300℃まで昇温し、前記の塩化物原料の混
合粉末を300分間供給し、反応を行わせた。
【0037】塩化物原料の混合粉末のキャリアガスとし
てアルゴンガスを使用し、アルゴンガスを120cc/
分で供給した。酸素ガスを、加湿器15内で40℃の水
槽でバブリングさせることによって酸化性ガスを得、こ
の酸化性ガスを150cc/分で導入管17内に供給し
た。塩化物ガス側の圧力を1Torrとし、酸化性ガス
側の圧力を0.5Torrとした。
【0038】反応後、図3(a)に示す断面を顕微鏡で
観察した。気体分離膜24の厚さは30μmであった。
【0039】こうして得られた気体分離体の気密性およ
び気体伝導効率を評価した。具体的には、気体分離体2
5を保持板27にシール板を使って組み込み、1000
℃で焼き付け、図4に模式的に示す評価装置の中に組み
込んだ。
【0040】アルミナ管32と33との間に試料25を
設置し、加熱し、シール材26を溶融させてシールし
た。上側のアルミナ管32の内側空間30内に挿入され
ている供給管29に対して、矢印Dのようにアルゴンガ
スを供給した。また、下側のアルミナ管33の内側空間
34内に挿入されている供給管36に対して、矢印Fの
ように空気を供給した。各ガスは、各供給管29,36
から各内側空間30、34内へと流入する。電気炉のヒ
ーター8によって気体分離体の温度を1000℃に上昇
させた。
【0041】各アルミナ管32,33からそれぞれ矢印
E,Gのように排出されてきた各ガスを、ガス分析計3
7によって分析する。この結果、アルゴンガスの出口側
(矢印E側)のガスをガスクロマトグラフィーで測定し
たところ、アルゴンと微量の酸素とを検出した。
【0042】アルゴンガス側から窒素が検出されなかっ
たことにより、気体分離体25と保持板27との間から
はリークがないことを確認した。アルゴンガス中の酸素
濃度を酸素分析計によって測定したところ、3.5%で
あった。
【0043】この後、空気側(アルミナ管33側)に導
入するガスを、空気からアルゴンに切替えると、酸素分
析計からの酸素量の測定値は減少し、最終的には5pp
mとなった。これらの結果から、気体分離体によって酸
素を分離できることを確認した。
【0044】また、例えば図5、図6に示すような気体
分離装置に対して本発明を適用できる。図5(a)、
(b)に示す気体分離装置41の容器42の外周にはヒ
ーターが設けられており、容器42の中に気体分離用モ
ジュール44が設置されている。モジュール44は、例
えば3個の気体分離体25を備えており、隣り合う気体
分離体25は互いにシール部材26によって気密に結合
されている。モジュール44の両端部には、それぞれ隔
離板45が気密に結合されている。
【0045】例えば、容器42においてモジュール44
の一方の側の通路43へと矢印Lのように空気を導入
し、かつモジュール44の他方の側の通路46へと矢印
Mのようにアルゴンを導入し、同時にヒーターによって
例えば900℃に加熱し、容器内の温度を900℃に保
持する。この状態で矢印Jのように空気を排出させると
共に、矢印Kのように排出されるアルゴンガスを採取
し、採取したガスをガスクロマトグラフ48によって分
析し、あるいは、採取したガス中の酸素濃度を酸素分析
計47によって分析できる。
【0046】図6に模式的に示す気体分離装置91の中
に気体分離体25を組み込める。気体分離装置91の容
器53の外周にヒーター8が設けられており、容器53
の中に気体分離用モジュール57が設置されている。容
器53内には、互いに平行に延びる隔壁52が設けられ
ており、隔壁52によって気体通路が入口55と出口5
8との間で蛇行する。
【0047】モジュール57は、例えば6個の気体分離
体25を備えており、隣り合う気体分離体25は、互い
に分離板54およびシール部材26によって気密に結合
されている。モジュール57の両端部には、それぞれ隔
離板45が気密に結合されており、各隔離板45が入口
55および出口58内で延びている。
【0048】容器53の入口55において、モジュール
57の一方の側の通路51へと矢印Lのように例えば空
気を導入し、かつモジュール57の他方の側の通路56
へと矢印Mのように例えばアルゴンを導入する。これと
同時に、ヒーター8によって加熱する。この状態で矢印
Jのように空気を排出させると共に、矢印Kのように排
出されるアルゴンガスを採取し、採取したガスをガスク
ロマトグラフ48によって分析する。また、採取したガ
ス中の酸素濃度を酸素分析計47によって測定する。
【0049】次いで、ハニカム構造体内の各貫通孔が細
長い場合について、本発明の実施形態を述べる。図7
(a)は、多孔質基体60をその一方の端面60a側か
ら見た正面図であり、図7(b)は、多孔質基体60の
断面図であり、図7(c)は、多孔質基体60をその他
方の端面60b側から見た正面図である。
【0050】多孔質基体60は、細長いハニカム構造体
64を備えている。ハニカム構造体64には、所定個数
の貫通孔65、67が規則的に設けられており、各貫通
孔は、外枠62および隔壁63によって互いに分離され
ている。各端面60a、60bは、それぞれ長方形また
は正方形であり、各貫通孔65、67の各開口も、同様
に長方形または正方形である。
【0051】多孔質基体の一方の端面60a側にある一
方の封孔部61によって、各貫通孔67の開口が塞がれ
ており、多孔質基体の他方の端面60b側にある他方の
封孔部66によって、各貫通孔65の開口が塞がれてい
る。多孔質基体を一方の端面60a側から見たときに、
一方の封孔部61の四周が、それぞれ他方の封孔部66
に隣接しており、他の一方の封孔部61とは隣接してい
ない。同様に、他方の封孔部66の四周が、それぞれ一
方の封孔部61に隣接しており、他の他方の封孔部66
とは隣接していない。
【0052】この多孔質基体60に気体分離膜を形成す
るためには、例えば図8に模式的に示す気相成長装置を
使用する。図8の装置の要部は、図2に示した装置と同
様であるので、図2に示した構成部分と同じ構成部分に
は同じ符号を付け、その説明を省略する。チャンバー6
内には、基体支持管20が突出している。この支持管2
0上に、多孔質基体60の他方の端面側を接触させ、基
体60を設置する。26はシール材である。基体60の
他方の端面60bは、基体支持管20の内側空間に通じ
ている。
【0053】金属化合物ガスの原料を、矢印Cのように
チャンバー6内に流し、気化器7に通し、基体60の一
方の端面60a側に矢印Aのように供給する。酸化性ガ
スを導入管17内に矢印Nのように供給する。この導入
管17の先端側から矢印Bのように酸化ガスを流す。
【0054】これによって、図9(a)、(b)に示す
気体分離体70を得る。気体分離膜69は、多孔質基体
60の一方の端面60a側に設けられており、一方の封
孔部61の表面を被覆する部分69a、貫通孔65の内
壁面を被覆する部分69b、他方の封孔部66の表面を
被覆する部分69cを備えている。これらの各部分は互
いにつながっており、全体として一方の端面側と他方の
端面側との間で気密性が保持されている。
【0055】図9(b)は図9(a)の気体分離体70
を端面60b側から見た正面図である。気体分離体70
の周囲が、保持板27に対して、シール材26を介して
気密に取りつけられている。
【0056】以下、図7〜図9を参照しつつ説明した方
法に従って、気体分離体70を作製し、その機能を確認
した。
【0057】(ハニカム構造体の作製)前記したスピネ
ル坏土の成形体を押出機に投入し、押出成形し、前記の
ようにして焼成し、ピッチ11mm、断面形状正方形、
外側寸法56mm×56mm、長さ200mmのハニカ
ム構造体を得た。
【0058】次に、前記スピネル粉末にバインダーを添
加してペーストを製造し、このペーストを各貫通孔67
の開口に充填し、封孔部61を成形した。次いで、ハニ
カム構造体を反転させ、前記のペーストを各貫通孔65
の開口に充填し、封孔部66を成形した。次いで、各封
孔部の成形部分を乾燥し、1500℃で3時間焼成する
ことによって、各封孔部を製造した。
【0059】(気体分離膜の形成)図8を参照しつつ説
明した前記方法に従って、反応を実施し、ランタンマン
ガナイトの緻密な膜69を形成した。これに基体と同じ
材質のスピネル製の保持板27を取りつけた。これを図
4に示すような評価装置に組み込み、前述したようにし
て酸素分離試験を行った。
【0060】ただし、アルミナ管32と33との間に試
料70を設置し、加熱し、シール材26を溶融させてシ
ールした。上側のアルミナ管32の内側空間30内に挿
入されている供給管29に対して、矢印Dのようにアル
ゴンガスを供給した。また、下側のアルミナ管33の内
側空間34内に挿入されている供給管36に対して、矢
印Fのように空気を供給した。電気炉のヒーター8によ
って気体分離体の温度を900℃に上昇させた。
【0061】アルゴンガスの出口側(矢印E側)のガス
をガスクロマトグラフィーで測定したところ、アルゴン
と微量の酸素とを検出した。アルゴンガス側から窒素が
検出されなかったことにより、気体分離体70と保持板
27との間からはリークがないことを確認した。アルゴ
ンガス中の酸素濃度を酸素分析計によって測定したとこ
ろ、5%であった。
【0062】この後、空気側(アルミナ管33側)に導
入するガスを、空気からアルゴンに切替えると、酸素分
析計からの酸素量の測定値は減少し、最終的には5pp
mとなった。これらの結果から、気体分離体によって酸
素を分離できることを確認した。
【0063】本発明の好適な態様においては、一方の封
孔部および/または他方の封孔部によって塞がれている
貫通孔が、ハニカム構造体の側面に開口する各流通孔を
通してハニカム構造体の一方の封孔部側の外部空間ない
し他方の封孔部側の外部空間に連通している。これによ
って、原料ガスをハニカム構造体の各貫通孔内に連続的
に供給し、常に新鮮な原料ガスを気体分離膜に対して接
触させることができる。図10〜図12はこの実施形態
に係るものである。
【0064】図10(a)は気体分離体71を模式的に
示す正面図であり、図10(b)は図10(a)のXb
−Xb線断面図であり、図11(a)は図10(a)の
XIa−XIa線断面図であり、図11(b)は図10
(a)のXIb−XIb線断面図である。図12は、気
体分離体71を使用した気体分離装置の一例を模式的に
示す断面図である。
【0065】気体分離体71の多孔質基体93は、細長
いハニカム構造体94を備えている。ハニカム構造体9
4には、所定個数の貫通孔72、76が設けられてお
り、各貫通孔は、外枠62および隔壁63によって互い
に分離されている。基体の各端面93a、93bは、そ
れぞれ長方形または正方形であり、各貫通孔72、76
の各開口も、同様に長方形または正方形である。
【0066】多孔質基体の一方の端面93a側にある一
方の封孔部95によって、各貫通孔76の開口が塞がれ
ており、多孔質基体の他方の端面93b側にある他方の
封孔部74によって、各貫通孔72の開口が塞がれてい
る。各貫通孔72は列状に並んでおり、かつ各貫通孔7
6も列状に並んでいる。
【0067】気体分離膜75は、多孔質基体93の一方
の端面93a側に設けられており、一方の封孔部95の
表面を被覆し、貫通孔72の内壁面を被覆し、かつ、他
方の封孔部74の貫通孔72に面する内壁面を被覆して
いる。
【0068】各貫通孔72の他方の封孔部74側の端部
においては、それぞれ、隔壁63に流通孔73が設けら
れており、隣接する貫通孔72の端部がそれぞれ連通し
ている。また、ハニカム構造体の外枠62においても、
貫通孔72の他方の封孔部74側の端部において流通孔
78が設けられており、これによって貫通孔72がハニ
カム構造体の外側空間に連通している。
【0069】各貫通孔76の一方の封孔部95側の端部
においては、それぞれ、隔壁63に流通孔77が設けら
れており、隣接する貫通孔76の端部がそれぞれ連通し
ている。また、ハニカム構造体の外枠62においても、
貫通孔76の一方の封孔部95側の端部において流通孔
79が設けられており、これによって貫通孔76がハニ
カム構造体の外側空間に連通している。
【0070】(ハニカム構造体の作製)前記したスピネ
ル坏土の成形体を押出機に投入し、押出成形し、前記の
ようにして焼成し、ピッチ11mm、断面形状正方形、
外側寸法56mm×56mm、長さ100mmのハニカ
ム構造体を得た。
【0071】次に、前記スピネル粉末にバインダーを添
加してペーストを製造し、このペーストを各貫通孔76
の開口に充填し、封孔部95を成形した。次いで、ハニ
カム構造体を反転させ、前記のペーストを各貫通孔72
の開口に充填し、封孔部74を成形した。次いで、各封
孔部の成形部分を乾燥し、1500℃で3時間焼成する
ことによって、各封孔部を製造した。次いで、各流通孔
73、78、77、79を形成した。
【0072】(気体分離膜の形成)図8を参照しつつ説
明した前記方法に従って、反応を実施し、ランタンマン
ガナイトの緻密な膜75を形成した。これを、図12に
模式的に示すような評価装置に組み込み、酸素分離試験
を行った。
【0073】容器83の外周にはヒーター8が設けられ
ており、容器83の中に気体分離体71が設置されてい
る。基体の一方の端面93a側は保持部材81によって
シール材26を介して気密に保持されており、他方の端
面93b側は保持部材82によってシール材26を介し
て気密に保持されている。容器83内の空間は、隔離板
84およびシール材26によって85と86とに区分さ
れている。各シール材を溶融させてシールを行う。
【0074】基体の一方の端面93a側へと導入管81
aから矢印aのように空気を導入した。空気は、矢印P
のように各貫通孔72内を流れ、各流通孔73、78を
矢印Q、Rのように流れ、矢印Vのように空間86内を
通過し、矢印Wのように容器外に排出される。また、基
体の他方の端面93b側へと導入管82aから矢印Zの
ようにアルゴンを導入した。アルゴンは、矢印Sのよう
に各貫通孔76内を流れ、各流通孔77、79を矢印
T、Uのように流れ、矢印Xのように空間85内を通過
し、矢印Yのように容器外に排出される。
【0075】空気およびアルゴンの導入と同時に、ヒー
ター8によって900℃に加熱し、容器内の温度を90
0℃に保持した。採取したアルゴンガスをガスクロマト
グラフィーによって分析し、アルゴンと微量の酸素を検
出した。アルゴンガス側から窒素が検出されなかったこ
とにより、気体分離体等からはリークがないことを確認
した。
【0076】アルゴンガス中の酸素濃度を酸素分析計に
よって測定したところ、3%であった。この後、空気を
アルゴンに切替えると、酸素分析計からの酸素量の測定
値は減少し、最終的には5ppmとなった。これらの結
果から、気体分離体によって酸素を分離できることを確
認した。
【0077】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、イ
オン伝導膜によって気体を分離する方式の気体分離体に
おいて、気体分離体の強度を保持しつつイオン伝導膜の
面積を増大させ、かつ気体分離膜の基体への付着強度を
向上させることであり、また処理対象である原料ガスの
淀みを最小限に抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は、多孔質基体9をその一方の端面9a
側から見た正面図であり、(b)は、多孔質基体9の側
面図であり、(c)は、多孔質基体9をその他方の端面
9b側から見た正面図であり、(d)は、(a)のId
−Id線断面図である。
【図2】気相成長装置を模式的に示す図である。
【図3】(a)、(b)は、それぞれ、気体分離体25
を、図1(a)においてIIIa−IIIa線、III
b−IIIb線に沿って切ったときの断面図である。
【図4】本発明で使用しうる気体分離装置の例を模式的
に示す図である。
【図5】(a),(b)は、本発明で使用しうる気体分
離装置41の一例を模式的に示す図である。
【図6】本発明で使用しうる気体分離装置91の他の例
を模式的に示す図である。
【図7】(a)は、多孔質基体60をその一方の端面6
0a側から見た正面図であり、(b)は、多孔質基体6
0の断面図であり、(c)は、多孔質基体60をその他
方の端面60b側から見た正面図である。
【図8】本発明で使用しうる他の気体分離装置の例を模
式的に示す図である。
【図9】(a)は他の実施形態に係る気体分離体70を
示す断面図であり、(b)は、図9(a)の気体分離体
70を他方の端面60b側から見た正面図である。
【図10】(a)は、本発明の更に他の実施形態で使用
する気体分離体71を示す正面図であり、(b)は、図
10(a)のXb−Xb線断面図である。
【図11】(a)は、図10(a)のXIa−XIa線
断面図であり、(b)は、図10(a)のXIb−XI
b線断面図である。
【図12】図10の気体分離体71を組み込んだ気体分
離装置の一例を模式的に示す図である。
【符号の説明】
1、3、65、67、72、76 貫通孔 2、61、
95 一方の封孔部 4、66、74 他方の封孔部
9、60、93 多孔質基体 24、69、75 気体
分離膜 25、70、71 気体分離体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 重則 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号 日 本碍子株式会社内 (72)発明者 村井 真 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号 日 本碍子株式会社内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】イオン伝導式の気体分離体であって、この
    気体分離体が基体とイオン伝導性の気体分離膜とを備え
    ており、前記基体が、多孔質材料からなるハニカム構造
    体と、このハニカム構造体の各貫通孔をそれぞれ塞いで
    いる多孔質材料製の封孔部とからなり、前記気体分離体
    が前記ハニカム構造体の一方の端面側において少なくと
    も前記封孔部の表面および前記貫通孔の内壁面を被覆し
    ており、前記ハニカム構造体の前記一方の端面側と他方
    の端面側との間で前記気体分離膜によって気密性が保持
    されていることを特徴とする、気体分離体。
  2. 【請求項2】前記気体分離膜がイオン伝導性と電子伝導
    性とを備えていることを特徴とする、請求項1記載の気
    体分離体。
  3. 【請求項3】前記基体が、前記封孔部として、前記貫通
    孔の前記一方の端面側の開口を塞ぐ一方の封孔部と、前
    記貫通孔の他方の端面側の開口を塞ぐ他方の封孔部とを
    備えていることを特徴とする、請求項1または2記載の
    気体分離体。
  4. 【請求項4】前記基体を前記一方の端面側から見たとき
    に、平面的に見て前記一方の封孔部と前記他方の封孔部
    とが隣接していることを特徴とする、請求項3記載の気
    体分離体。
  5. 【請求項5】前記基体を前記一方の端面側から見たとき
    に、平面的に見て前記一方の封孔部が前記他方の封孔部
    と隣接しており、他の前記一方の封孔部とは隣接してお
    らず、前記他方の封孔部が前記一方の封孔部と隣接して
    おり、他の前記他方の封孔部とは隣接していないことを
    特徴とする、請求項4記載の気体分離体。
  6. 【請求項6】前記他方の封孔部によって塞がれている前
    記貫通孔が、前記ハニカム構造体の側面に開口する流通
    孔を通して前記ハニカム構造体の前記他方の封孔部側の
    外部空間に連通していることを特徴とする、請求項3〜
    5のいずれか一つの請求項に記載の気体分離体。
  7. 【請求項7】前記一方の封孔部によって塞がれている前
    記貫通孔が、前記ハニカム構造体の側面に開口する流通
    孔を通して前記ハニカム構造体の前記一方の封孔部側の
    外部空間に連通していることを特徴とする、請求項3〜
    6のいずれか一つの請求項に記載の気体分離体。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7733635B2 (en) 2002-10-22 2010-06-08 Sullivan Jason A Systems and methods for providing a robust computer processing unit
US7764506B2 (en) 2002-10-22 2010-07-27 Sullivan Jason A Systems and methods for providing a dynamically modular processing unit
US7817412B2 (en) 2002-10-22 2010-10-19 Sullivan Jason A Non-peripherals processing control module having improved heat dissipating properties

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