JPH11112298A - Ring oscillation circuit - Google Patents

Ring oscillation circuit

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JPH11112298A
JPH11112298A JP9264608A JP26460897A JPH11112298A JP H11112298 A JPH11112298 A JP H11112298A JP 9264608 A JP9264608 A JP 9264608A JP 26460897 A JP26460897 A JP 26460897A JP H11112298 A JPH11112298 A JP H11112298A
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Japan
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differential transistor
transistor pair
transistors
output
base
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JP9264608A
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Heiki Ri
炳輝 李
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Sony Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To change an oscillation frequency widely by providing two capacitors connected between the emitters of two transistors and the collectors of a first differential transistor couple. SOLUTION: The transistors Q1 and Q2 form the first differential transistor couple. The bases of transistors Q7 and Q8, which form the emitter follower of a second differential transistor couple Q3 and Q4, are connected to the collectors of the differential transistors Q3 and Q4. The emitters are connected to the outputs of the first differential transistor couple, namely, the connectors of the transistors Q1 and Q2 through capacitors 10 and 12. In such a case, capacitance CT for oscillation becomes larger than a capacitor constant C by the Miller effect of the emitter followers Q7 and Q8 and the increase amount can be changed by the amplification degrees G1 and G2 of the first and second differential transistor couple. Thus, the number of divided frequencies can be changed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、反転または非反転
な遅延回路を複数段、直列接続し最終段出力を初段入力
に帰還させてなるリング発振回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ring oscillation circuit in which a plurality of inverting or non-inverting delay circuits are connected in series, and the output of the last stage is fed back to the input of the first stage.

【0002】[0002]

【従来の技術】図15に示すように、奇数個、例えば3
個の反転遅延回路DLY1,DLY2,DLY3と非反
転遅延回路DLYn,…をリング状に接続することによ
り、リング発振回路が構成される。
2. Description of the Related Art As shown in FIG.
The ring oscillation circuit is configured by connecting the inversion delay circuits DLY1, DLY2, DLY3 and the non-inversion delay circuits DLYn,.

【0003】図16は、従来の反転遅延回路の構成を示
す回路図である。この反転遅延回路は、トランジスタQ
1,Q2、2つの出力抵抗R、キャパシタCおよび電流
源により構成されている。トランジスタQ1,Q2のベ
ースは、それぞれ入力端子Tin, T/in に接続され、コ
レクタはそれぞれ出力抵抗Rを介して電源電圧VCCの供
給線に接続され、エミッタは共通に接続されている。ト
ランジスタQ1,Q2の各コレクタは、キャパシタC
(容量値C)の各ノードに接続され、それぞれ出力端子
Tout, T/outに接続されている。トランジスタQ1,
Q2の共通エミッタと接地線GNDとの間に、前記電流
源をなすトランジスタQ3および抵抗R0が直列接続さ
れている。トランジスタQ3のベースに制御電圧Vが入
力され、これにより電流源の電流値iが調整される。
FIG. 16 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional inverting delay circuit. This inverting delay circuit includes a transistor Q
1, Q2, two output resistors R, a capacitor C, and a current source. The base of transistor Q1, Q2 are input terminals Tin, it is connected to a T / in, the collector is connected via an output resistor R to the supply line of the power supply voltage V CC, an emitter connected in common. Each collector of the transistors Q1 and Q2 is connected to a capacitor C
(Capacitance value C), and are connected to output terminals Tout and T / out, respectively. Transistor Q1,
Between the common emitter of Q2 and the ground line GND, a transistor Q3 and a resistor R0, which constitute the current source, are connected in series. The control voltage V is input to the base of the transistor Q3, whereby the current value i of the current source is adjusted.

【0004】かかる構成の反転遅延回路DLY1(図1
5)において、いま、電流源に所定電流iを流す制御電
圧Vが印加された状態で、入力端子Tinに入力信号IN
が入力され、反転入力端子T/in に入力信号INの反転
信号(反転入力信号INn)が入力され、トランジスタ
Q1のベースが“ローレベル(L)”から“ハイレベル
(H)”に、トランジスタQ2のベースが“L”から
“H”に推移すると仮定する。トランジスタQ1がオ
ン、トランジスタQ2がオフとなるので、トランジスタ
Q1に電流iが流れキャパシタCのトランジスタQ1側
のノードが電位低下し、他方のノードに出力抵抗Rを介
して電源電圧線から電荷が供給される。このため、出力
端子Tout に現れる出力信号OUTのレベルが低下する
一方で、反転出力端子T/outに現れる反転出力信号OU
Tnのレベルが出力抵抗RとキャパシタCにより決まる
時定数τで漸増する。次いで、トランジスタQ1のベー
スが“H”から“L”に、トランジスタQ2のベースが
“H”から“L”に推移すると、トランジスタQ1がオ
フ、トランジスタQ2がオンとなる。キャパシタCは上
記とは逆にトランジスタQ2側ノードが放電しトランジ
スタQ1側ノードが時定数τで充電されので、反転出力
信号OUTnのレベルが低下する一方で、出力信号OU
Tレベルが時定数τで漸増する。
The inverting delay circuit DLY1 having such a configuration (FIG. 1)
5) In the state where the control voltage V for flowing the predetermined current i is applied to the current source, the input signal IN is input to the input terminal Tin.
And an inverted signal of the input signal IN (inverted input signal INn) is input to the inverted input terminal T / in, and the base of the transistor Q1 changes from “low level (L)” to “high level (H)”. Assume that the base of Q2 changes from "L" to "H". Since the transistor Q1 is turned on and the transistor Q2 is turned off, a current i flows through the transistor Q1 and the potential of the node on the transistor Q1 side of the capacitor C drops, and electric charges are supplied to the other node from the power supply voltage line via the output resistor R. Is done. For this reason, while the level of the output signal OUT appearing at the output terminal Tout decreases, the inverted output signal OU appearing at the inverted output terminal T / out.
The level of Tn gradually increases with a time constant τ determined by the output resistance R and the capacitor C. Next, when the base of the transistor Q1 changes from “H” to “L” and the base of the transistor Q2 changes from “H” to “L”, the transistor Q1 turns off and the transistor Q2 turns on. Contrary to the above, the capacitor C discharges the node on the transistor Q2 side and charges the node on the transistor Q1 side with the time constant τ, so that the level of the inverted output signal OUTn decreases while the output signal OU
The T level gradually increases with a time constant τ.

【0005】この結果、次段の反転遅延回路DLY2の
反転動作が、時定数τにより決まる時間tpdだけ遅延す
ることとなる。この遅延動作が遅延回路DLY3,…,
DLYnと繰り返される間に遅延時間tpdが積算され、
その積算遅延時間が最終段DLYnから初段DLYに戻
されるときに信号の半周期T/2に合致すれば、このリ
ング発振回路は周期Tで発振する。言い換えると、遅延
回路の段数をmとすれば、次の式を満足する遅延時間t
pdが得られるように出力抵抗RとキャパシタCの定数を
設定することが安定発振の条件となる。
As a result, the inversion operation of the next stage inversion delay circuit DLY2 is delayed by a time tpd determined by the time constant τ. This delay operation is performed by delay circuits DLY3,.
The delay time tpd is integrated during the repetition of DLYn,
If the integrated delay time matches the half cycle T / 2 of the signal when returning from the last stage DLYn to the first stage DLY, the ring oscillation circuit oscillates at a period T. In other words, if the number of stages of the delay circuit is m, the delay time t that satisfies the following equation:
Setting the constants of the output resistance R and the capacitor C so as to obtain pd is a condition for stable oscillation.

【0006】[0006]

【数1】 T/2=m×tpd …(1)[Expression 1] T / 2 = m × tpd (1)

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来のリ
ング発振回路では、出力抵抗RとキャパシタCの定数で
決まる時定数τが固定され、発振周波数の変更はできな
い。とくに、出力抵抗Rは出力信号振幅を規定している
のでむやみに変えられず、図17示す遅延回路の容量が
キャパシタ定数(固定値)から動かないことが、従来の
リング発振回路において、発振周波数の変更ができない
要因となっていた。
However, in this conventional ring oscillation circuit, the time constant τ determined by the constants of the output resistance R and the capacitor C is fixed, and the oscillation frequency cannot be changed. In particular, since the output resistance R defines the output signal amplitude, it cannot be changed unnecessarily, and the capacitance of the delay circuit shown in FIG. 17 does not move from the capacitor constant (fixed value). Was a factor that could not be changed.

【0008】本発明は、このような実情に鑑みてなさ
れ、実効的な容量値の調整ができ、これによって発振周
波数を幅広く変更可能なリング発振回路を提供すること
を目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a ring oscillation circuit capable of adjusting an effective capacitance value and thereby widely changing an oscillation frequency.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上述した従来技術の問題
点を解決し、上記目的を達成するために、本発明に係る
第1のリング発振回路は、反転または非反転な遅延回路
を複数段、直列接続し最終段出力を初段入力に帰還させ
てなるリング発振回路であって、前記遅延回路は、各ベ
ースが入力端子にそれぞれ接続され、各コレクタが出力
抵抗と出力端子にそれぞれ接続され利得が可変な第1の
差動トランジスタ対と、各ベースが入力端子にそれぞれ
接続され、前記第1の差動トランジスタ対と逆位相の出
力を利得を変えて得ることができる第2の差動トランジ
スタ対と、各ベースが前記第2の差動トランジスタ対の
出力の一方または他方にそれぞれ接続されている2つの
トランジスタと、前記2つのトランジスタの各エミッタ
と前記第1の差動トランジスタ対の各コレクタとの間に
それぞれ接続されている2つのキャパシタとを有するこ
とを特徴とする。好ましくは、少なくとも前記第1また
は第2の差動トランジスタ対の共通エミッタ側それぞれ
に、電流量の調整を個々に可能な電流源が接続されてい
る。
In order to solve the above-mentioned problems of the prior art and to achieve the above object, a first ring oscillation circuit according to the present invention comprises a plurality of inverting or non-inverting delay circuits. A ring oscillation circuit in which the last stage output is fed back to the first stage input in series connection, wherein each of the delay circuits has a base connected to an input terminal, a collector connected to an output resistor and an output terminal, and And a second differential transistor whose bases are respectively connected to the input terminals, and which can obtain an output having a phase opposite to that of the first differential transistor pair by changing the gain. A pair, two transistors each having a base connected to one or the other of the outputs of the second differential transistor pair, and an emitter of each of the two transistors and the first differential transistor. It characterized by having two capacitors are connected between the collectors of transistor pair. Preferably, a current source capable of individually adjusting a current amount is connected to at least each of the common emitter sides of the first or second differential transistor pair.

【0010】この第1のリング発振回路では、2つのト
ランジスタが第2の差動トランジスタ対からみるとエミ
ッタフォロアをなす。そのため、高周波領域において、
エミッタフォロアのコレクタ接続容量がほぼゲイン倍さ
れてベースとコレクタ間に実効的に挿入される効果(ミ
ラー効果)によって、エミッタに接続されたキャパシタ
の容量値が、見かけ上キャパシタ定数より大きくなる。
その上、容量値の増加分は第1および第2の差動トラン
ジスタ対の増幅度で規定される。したがって、このリン
グ発振回路では、第1および第2の差動トランジスタ対
の増幅度、例えば電流源の電流値を変えることによって
キャパシタの容量値を実質的に増加させることが可能で
ある。
In the first ring oscillation circuit, the two transistors form an emitter follower when viewed from the second differential transistor pair. Therefore, in the high frequency region,
Due to the effect that the collector connection capacitance of the emitter follower is almost multiplied by the gain and is effectively inserted between the base and the collector (Miller effect), the capacitance value of the capacitor connected to the emitter becomes apparently larger than the capacitor constant.
In addition, the increase in the capacitance value is defined by the amplification of the first and second differential transistor pairs. Therefore, in this ring oscillation circuit, it is possible to substantially increase the capacitance value of the capacitor by changing the amplification degree of the first and second differential transistor pairs, for example, the current value of the current source.

【0011】本発明に係る第2のリング発振回路では、
第1および第2の差動トランジスタ対、エミッタフォロ
アをなす前記2つのトランジスタ、及び前記2つのキャ
パシタから構成されていることは上記第1のリング発振
回路と同じであるが、その第2の差動トランジスタ対
が、例えば上記第1のリング発振回路における前記第2
の差動トランジスタ対の出力を逆接続とすることで同位
相を出力するものである。この場合、上述したミラー効
果による付加容量はキャパシタの容量値を見かけ上キャ
パシタ定数より小さくするように作用する。このため、
当該第2のリング発振回路では、例えば電流源の電流値
を変えることによってキャパシタの容量値を実質的に減
少させることが可能となる。
In the second ring oscillation circuit according to the present invention,
The first and second differential transistor pairs, the two transistors forming an emitter follower, and the two capacitors are the same as those of the first ring oscillation circuit. The driving transistor pair is, for example, the second ring oscillator circuit.
The same phase is output by connecting the outputs of the differential transistor pair in reverse. In this case, the additional capacitance due to the above-mentioned Miller effect acts to make the capacitance value of the capacitor apparently smaller than the capacitor constant. For this reason,
In the second ring oscillation circuit, for example, the capacitance value of the capacitor can be substantially reduced by changing the current value of the current source.

【0012】本発明の第3のリング発振回路は、更に、
エミッタフォロアとなる複数のトランジスタ間で選択的
に動作させる切換回路を付加することによって、第2の
差動トランジスタ対から同位相または逆位相の出力を選
択的に取り出すものである。より具体的な構成として
は、例えば、エミッタフォロアをなすトランジスタは合
計4個設けられ、前記切換回路として、入力される選択
信号に応じて、前記4個のトランジスタのうち第2の差
動トランジスタ対から前記同位相または逆位相の出力を
取り出す2つのトランジスタを選択する第3および第4
の差動トランジスタ対を、当該4個のトランジスタのエ
ミッタに接続させるとよい。この第3のリング発振回路
は、上述した本発明の第1および第2のリング発振回路
の機能を併せもち、これらの機能を選択信号によって電
気的に切り換えることができるので、キャパシタの容量
値をキャパシタ定数を中心に正側、負側の両方向に変化
させることが可能となる。その変化量は、上記第1およ
び第2のリング発振回路と同様、例えば第1および第2
の差動トランジスタ対の電流源で流す電流値を変えるこ
とによって調整できる。このため、非常に広範囲な発振
周波数の変更が可能となる。
[0012] The third ring oscillation circuit of the present invention further comprises:
By adding a switching circuit for selectively operating between a plurality of transistors serving as emitter followers, an output of the same phase or the opposite phase is selectively extracted from the second differential transistor pair. As a more specific configuration, for example, a total of four transistors forming an emitter follower are provided, and as the switching circuit, a second differential transistor pair of the four transistors is operated in accordance with an input selection signal. 3rd and 4th selecting two transistors which take out the same phase or the opposite phase output from
Is preferably connected to the emitters of the four transistors. The third ring oscillation circuit has the functions of the above-described first and second ring oscillation circuits of the present invention, and these functions can be electrically switched by a selection signal. It is possible to change both the positive side and the negative side around the capacitor constant. The amount of change is, for example, similar to that of the first and second ring oscillation circuits, for example, the first and second
Can be adjusted by changing the value of the current flowing through the current source of the differential transistor pair. Therefore, it is possible to change the oscillation frequency in a very wide range.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るリング発振回
路を、図面を参照しながら詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a ring oscillation circuit according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0014】図1は、このリング発振回路の構成例を示
す図である。本実施形態に係るリング発振回路は、n段
の非反転遅延回路DLY1,DLY2,DLY3,…,
DLYnを直列接続させ、最終段の非反転遅延回路DL
Ynの出力を外部で互いに入れ替えて初段の非反転回路
DLY1の入力に接続させている。これと同じ機能は、
反転遅延回路を奇数段、直列接続させるか、奇数個の反
転遅延回路を適宜、非反転遅延回路列に挿入することに
よっても達成可能である。反転遅延回路は非反転遅延回
路の出力端子への内部接続を相互に入れ替えることによ
って達成できることから、以下の説明は、非反転遅延回
路の構成が異なる各種リング発振回路について行う。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of the ring oscillation circuit. The ring oscillation circuit according to the present embodiment has n stages of non-inverting delay circuits DLY1, DLY2, DLY3,.
DLYn are connected in series, and the final non-inverting delay circuit DL
The outputs of Yn are interchanged externally and connected to the input of the first stage non-inverting circuit DLY1. The same functionality is
It can also be achieved by connecting the inverting delay circuits in odd-numbered stages in series, or by inserting an odd number of inverting delay circuits into the non-inverting delay circuit row as appropriate. Since the inverting delay circuit can be achieved by exchanging the internal connection to the output terminal of the non-inverting delay circuit, the following description will be made for various ring oscillation circuits having different configurations of the non-inverting delay circuit.

【0015】第1実施形態 本実施形態は、容量値を実質的に増加可能なリング発振
回路に関する。図2は、本実施形態に係る非反転遅延回
路の構成を示す回路である。この非反転遅延回路は、n
pn型バイポーラトランジスタQ1〜Q10、抵抗素子
2と4(抵抗値:R1)、6と8(抵抗値:R2)及び
R3〜R6、キャパシタ10と12(容量値の定数:
C)から構成されている。
First Embodiment This embodiment relates to a ring oscillation circuit capable of substantially increasing the capacitance value. FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of the non-inverting delay circuit according to the present embodiment. This non-inverting delay circuit has n
pn type bipolar transistors Q1 to Q10, resistance elements 2 and 4 (resistance value: R1), 6 and 8 (resistance value: R2) and R3 to R6, capacitors 10 and 12 (capacitance value constant:
C).

【0016】トランジスタQ1とQ2が第1の差動トラ
ンジスタ対をなしている。トランジスタQ1とQ2のベ
ースがそれぞれ入力端子Tin, T/in に接続され、コレ
クタがそれぞれ出力端子T/out, Tout に接続され、エ
ミッタが共通に接続されている。また、トランジスタQ
1とQ2のコレクタは、それぞれ出力抵抗2,4を介し
て電源電圧VCCの共通線(以下、VCC線)に接続され、
共通エミッタと接地線GNDとの間には、トランジスタ
Q5と抵抗素子R3からなる電流源が接続されている。
トランジスタQ5は、ベースに入力される制御電圧V1
によって電流i1の値が設定される。同様に、トランジ
スタQ3とQ4が第2の差動トランジスタ対をなしてい
る。トランジスタQ3とQ4のベースがそれぞれ入力端
子Tin, T/in に接続され、エミッタが共通に接続され
ている。また、トランジスタQ1とQ2のコレクタは、
それぞれ出力抵抗6,8を介してVCC線に接続され、共
通エミッタと接地線GNDとの間には、トランジスタQ
6と抵抗素子R4からなる電流源が接続されている。ト
ランジスタQ6は、ベースに入力される制御電圧V2に
よって電流i2の値が設定される。
The transistors Q1 and Q2 form a first differential transistor pair. The bases of the transistors Q1 and Q2 are respectively connected to the input terminals Tin and T / in, the collectors are respectively connected to the output terminals T / out and Tout, and the emitters are commonly connected. Also, the transistor Q
Collector 1 and Q2 are connected to each via an output resistor 2,4 common line of the power supply voltage V CC (hereinafter, V CC line),
A current source including a transistor Q5 and a resistance element R3 is connected between the common emitter and the ground line GND.
The transistor Q5 has a control voltage V1 input to the base.
Sets the value of the current i1. Similarly, transistors Q3 and Q4 form a second differential transistor pair. The bases of the transistors Q3 and Q4 are connected to input terminals Tin and T / in, respectively, and the emitters are commonly connected. The collectors of the transistors Q1 and Q2 are
Each is connected to the Vcc line via output resistors 6 and 8, and a transistor Q is connected between the common emitter and the ground line GND.
6 and a current source composed of a resistance element R4. In transistor Q6, the value of current i2 is set by control voltage V2 input to the base.

【0017】トランジスタQ7,Q8は、第2の差動ト
ランジスタ対Q3,Q4のエミッタフォロアをなす。ト
ランジスタQ7,Q8のベースが、それぞれ差動トラン
ジスタQ3,Q4のコレクタに接続され、エミッタがそ
れぞれキャパシタ10,12を介して第1の差動トラン
ジスタ対の出力、即ちトランジスタQ1,Q2のコレク
タに接続されている。また、トランジスタQ7,Q8の
コレクタは共にVCC線に接続され、各エミッタと接地線
GNDとの間には、トランジスタQ9と抵抗素子R5、
又はトランジスタQ10と抵抗素子R6からなる電流源
がぞれぞれ接続されている。トランジスタQ9,Q10
は、ベースに共通に入力される制御電圧V3によって電
流i3,i4の値が設定される。
The transistors Q7 and Q8 form an emitter follower of the second differential transistor pair Q3 and Q4. The bases of the transistors Q7 and Q8 are connected to the collectors of the differential transistors Q3 and Q4, respectively, and the emitters are connected to the output of the first differential transistor pair via the capacitors 10 and 12, respectively, that is, the collectors of the transistors Q1 and Q2. Have been. The collectors of the transistors Q7 and Q8 are both connected to the Vcc line, and the transistor Q9 and the resistor R5 are connected between each emitter and the ground line GND.
Alternatively, a current source including the transistor Q10 and the resistance element R6 is connected to each other. Transistors Q9, Q10
, The values of the currents i3 and i4 are set by the control voltage V3 commonly input to the base.

【0018】このような構成の非反転遅延回路では、そ
の第1差動トランジスタ対Q1,Q2の出力が入力に対
し逆位相となり、第2の差動トランジスタ対Q3,Q4
の出力が入力に対し同位相となる。また第1および第2
の差動トランジスタ対の増幅度を、ぞれぞれG1,G2
とすると、図3に示すように、反転増幅器(−G1)
が、直列接続された非反転増幅器(G2)とキャパシタ
ンスCT に並列に接続され、反転増幅器(−G1)とキ
ャパシタンスCT との接続ノードから出力が取り出され
ている。ここでキャパシタンスCT は、キャパシタ10
または12の何れかの実効的な容量値を示すものであ
る。この回路図3で省略されているが、エミッタフォロ
アQ7またはQ8は、非反転増幅器(G2)とキャパシ
タンスCT との間に介在する。このようなエミッタフォ
ロアを介した信号伝達回路においては、一般に、エミッ
タフォロアのコレクタ接続容量が実質上ゲイン倍されて
ゲートとエミッタ間、即ち信号伝達経路に付加される。
このため、キャパシタ10,12の実効キャパシタンス
CT は、定数Cから増幅器(−G1),(G2)のゲイ
ンに応じて変化する。また、キャパシタ10,12が反
転と非反転な増幅器に挟まれていることから、この容量
変化方向は正である。この実効的な容量値CT を式で表
すと、次式が得られる。なお、この式の導出は、第2実
施形態の最後にまとめて記述する。
In the non-inverting delay circuit having such a configuration, the output of the first differential transistor pair Q1 and Q2 has an opposite phase to the input, and the second differential transistor pair Q3 and Q4
Is in phase with the input. The first and second
G1 and G2 respectively.
Then, as shown in FIG. 3, the inverting amplifier (-G1)
Is connected in parallel with the non-inverting amplifier (G2) and the capacitance CT connected in series, and an output is taken out from a connection node between the inverting amplifier (-G1) and the capacitance CT. Here, the capacitance CT is the value of the capacitor 10
Or 12 indicates an effective capacitance value. Although omitted in FIG. 3, the emitter follower Q7 or Q8 is interposed between the non-inverting amplifier (G2) and the capacitance CT. In such a signal transmission circuit via an emitter follower, generally, the collector connection capacitance of the emitter follower is substantially multiplied by the gain and added between the gate and the emitter, that is, added to the signal transmission path.
Therefore, the effective capacitance CT of the capacitors 10 and 12 changes from the constant C according to the gains of the amplifiers (-G1) and (G2). Further, since the capacitors 10 and 12 are sandwiched between the inverting and non-inverting amplifiers, this capacitance change direction is positive. When this effective capacitance value CT is expressed by an equation, the following equation is obtained. The derivation of this equation will be described at the end of the second embodiment.

【0019】[0019]

【数2】 CT =(1+G2/G1)×C …(2)## EQU2 ## CT = (1 + G2 / G1) .times.C (2)

【0020】この式中、増幅度G1,G2は差動トラン
ジスタ対に流す電流i1,i2に応じて変更できること
から、当該非反転遅延回路ではG2/G1がとりうる範
囲内でキャパシタ10,12の実効値CT を定数Cに対
し増加方向に変化させることが可能となる。
In this equation, the amplification factors G1 and G2 can be changed in accordance with the currents i1 and i2 flowing through the differential transistor pair. The effective value CT can be changed in an increasing direction with respect to the constant C.

【0021】つぎに、この非反転遅延回路を図1のDL
Y1〜DLYnに用いた場合を例に、リング発振回路の
動作を説明する。図4は、リング発振回路のタイミング
チャートである。図4中、端子Tin, Tout から入出力
される信号IN,OUTを実線、端子T/in,T/outから
入出力される反転信号INn,OUTnを一点破線で示
している。
Next, this non-inverting delay circuit is connected to the DL in FIG.
The operation of the ring oscillation circuit will be described with reference to the case where Y1 to DLYn are used. FIG. 4 is a timing chart of the ring oscillation circuit. 4, signals IN and OUT input and output from terminals Tin and Tout are shown by solid lines, and inverted signals INn and OUTn input and output from terminals T / in and T / out are shown by dashed lines.

【0022】いま仮に、図1のリング発振回路の帰還ル
ープが非接続の場合を想定し、所定レベルの制御電圧V
1〜V3が印加された状態で、図4(a)に示す入力信
号INが初段DLY1に入力されたとする。最初、入力
信号INのレベルが“H”、反転入力信号INnのレベ
ルが“L”であるから、トランジスタQ1,Q3がオ
ン、トランジスタQ2,Q4がオフとなり、電流i1,
i2は、それぞれトランジスタQ1側,Q3側を流れて
いる。このとき、トランジスタQ1,Q3の出力ノード
ND1(反転出力信号OUTn),ND3のレベルは
“L”、トランジスタQ2,Q4の出力ノードND2
(出力信号OUT),ND4のレベルは“H”をとる。
また、エミッタフォロアQ7がオンでQ8がオフ状態に
あり、このため電流i3は流れ電流i4は殆ど流れな
い。したがって、電流i1とi3の電流差がなければキ
ャパシタ10は殆ど充電されず、キャパシタ12は充電
状態にある。
Now, assuming that the feedback loop of the ring oscillation circuit shown in FIG. 1 is not connected, a predetermined level of control voltage V
It is assumed that the input signal IN shown in FIG. 4A is input to the first stage DLY1 in a state where 1 to V3 are applied. First, since the level of the input signal IN is “H” and the level of the inverted input signal INn is “L”, the transistors Q1 and Q3 are turned on, the transistors Q2 and Q4 are turned off, and the current i1
i2 flows on the transistor Q1 side and Q3 side, respectively. At this time, the levels of output nodes ND1 (inverted output signal OUTn) and ND3 of transistors Q1 and Q3 are "L", and output nodes ND2 of transistors Q2 and Q4.
(Output signal OUT) and the level of ND4 take "H".
Further, the emitter follower Q7 is on and the transistor Q8 is off, so that the current i3 flows and the current i4 hardly flows. Therefore, if there is no current difference between currents i1 and i3, capacitor 10 is hardly charged, and capacitor 12 is in a charged state.

【0023】トランジスタQ1,Q3のベース電位があ
る程度低下し、トランジスタQ2,Q4のベース電位が
ある程度上昇すると、トランジスタQ1,Q3及びエミ
ッタフォロアQ7が導通状態から非導通状態に遷移し始
め、逆にトランジスタQ2,Q4及びエミッタフォロア
Q8が非導通状態から導通状態に遷移し始める。このた
め、キャパシタ12はトランジスタQ2を介して放電し
始める一方で、キャパシタ10は、そのエミッタフォロ
アQ7側ノード電位が電流i3によりGND側に引っ張
られて他方ノードが出力抵抗2を介して充電し始める。
この結果、図4(b)に示すように、初段DLY1の出
力信号OUTが、主に前記(2)式の実効キャパシタン
スCT と抵抗値R3で決まる時定数τ1で漸減する。ま
た、初段DLY1の反転出力信号OUTnが、実効キャ
パシタンスCT と抵抗値R1で決まる時定数τ1で漸増
する。なお、本例ではキャパシタ充電と放電に寄与する
抵抗値をほぼ等しいとしているが、この時定数を変えて
もよい。その後、トランジスタQ1,Q3がカットオフ
し、トランジスタQ2,Q4が飽和状態に移行すると上
記充放電が終了し、出力信号OUT,OUTnは一定値
をとる。
When the base potentials of the transistors Q1 and Q3 decrease to some extent and the base potentials of the transistors Q2 and Q4 increase to some extent, the transistors Q1 and Q3 and the emitter follower Q7 begin to transition from the conductive state to the non-conductive state, and conversely Q2, Q4 and emitter follower Q8 start to transition from the non-conductive state to the conductive state. Therefore, capacitor 12 starts discharging through transistor Q2, while capacitor 10 has its emitter follower Q7 side node potential pulled to GND by current i3 and the other node starts charging through output resistor 2. .
As a result, as shown in FIG. 4 (b), the output signal OUT of the first stage DLY1 gradually decreases with the time constant τ1 mainly determined by the effective capacitance CT and the resistance value R3 of the above equation (2). Further, the inverted output signal OUTn of the first stage DLY1 gradually increases with a time constant τ1 determined by the effective capacitance CT and the resistance value R1. In this example, the resistance value that contributes to the charging and discharging of the capacitor is assumed to be substantially equal, but this time constant may be changed. Thereafter, when the transistors Q1 and Q3 are cut off and the transistors Q2 and Q4 shift to a saturated state, the charging / discharging ends, and the output signals OUT and OUTn take constant values.

【0024】次に、トランジスタQ1,Q3のベース電
位がある程度上昇し、トランジスタQ2,Q4のベース
電位がある程度低下すると、トランジスタQ1,Q3及
びエミッタフォロアQ7が非導通状態から導通状態に遷
移し始め、逆にトランジスタQ2,Q4及びエミッタフ
ォロアQ8が導通状態から非導通状態に遷移し始める。
このためキャパシタ12は、そのエミッタフォロアQ8
側ノード電位が電流i4によりGND側に引っ張られ他
方ノード側に出力抵抗4介して電荷が供給され充電し始
める一方、キャパシタ10はトランジスタQ1を介して
放電し始める。この結果、図4(b)に示すように、初
段DLY1の出力信号OUTが時定数τ1で漸増し、ま
た、初段DLY1の反転出力信号OUTnが時定数τ1
で漸減する。その後、トランジスタQ1,Q3が飽和
し、トランジスタQ2,Q4がカットオフすると出力信
号OUT,OUTnは一定値をとる。このような初段D
LY1の動作によって、図4(a),(b)に示すよう
に、入出力の差動点、即ち入力信号IN,INnの交点
と出力信号OUT,OUTnの交点が時間tpdだけ遅れ
ることとなる。
Next, when the base potentials of the transistors Q1 and Q3 increase to some extent and the base potentials of the transistors Q2 and Q4 decrease to some extent, the transistors Q1 and Q3 and the emitter follower Q7 start to transition from the non-conductive state to the conductive state. Conversely, the transistors Q2, Q4 and the emitter follower Q8 start to transition from the conductive state to the non-conductive state.
Therefore, the capacitor 12 has its emitter follower Q8
The side node potential is pulled toward the GND side by the current i4, the electric charge is supplied to the other node side via the output resistor 4 and starts to be charged, while the capacitor 10 starts to be discharged via the transistor Q1. As a result, as shown in FIG. 4B, the output signal OUT of the first stage DLY1 gradually increases with the time constant τ1, and the inverted output signal OUTn of the first stage DLY1 changes with the time constant τ1.
And gradually decrease. Thereafter, when the transistors Q1 and Q3 are saturated and the transistors Q2 and Q4 are cut off, the output signals OUT and OUTn take constant values. Such first stage D
Due to the operation of LY1, as shown in FIGS. 4A and 4B, the input / output differential point, that is, the intersection of the input signals IN and INn and the intersection of the output signals OUT and OUTn is delayed by the time tpd. .

【0025】以上述べてきた非反転遅延回路の基本動作
は、次段DLY2,…でも同じであり、その出力信号の
変化が前段の差動点(出力信号OUT,OUTnの交差
点)から始まることから遅延回路ごとに時間tpdだけ更
に遅れた出力が得られ、段を追うごとに遅延時間tpdが
累積される。この遅延時間tpdの累積が半周期T/2の
整数倍になったときの非反転遅延回路を最終段として、
当該最終段DLYnの出力を反転して初段DLY1の入
力に接続すると、最終的な初段入力は図4(d)に示す
初期入力(図4(a))から一パルス幅ずれた反転信号
となることから、当該回路が先の述べた発振条件を示す
(1)式を満足し安定に発振する。換言すると、遅延回
路の段数と時定数τ1によって決まる発振周波数Tでリ
ング発振回路が発振し、これにより周波数Tのパルス列
を得ることができる。
The basic operation of the non-inverting delay circuit described above is the same in the next stage DLY2,..., Since the change in the output signal starts from the preceding differential point (the intersection of the output signals OUT and OUTn). An output which is further delayed by the time tpd is obtained for each delay circuit, and the delay time tpd is accumulated every time the stage is followed. A non-inverting delay circuit when the accumulation of the delay time tpd becomes an integral multiple of the half cycle T / 2 is set as a final stage.
When the output of the last stage DLYn is inverted and connected to the input of the first stage DLY1, the final first stage input becomes an inverted signal shifted by one pulse width from the initial input (FIG. 4A) shown in FIG. 4D. Therefore, the circuit satisfies the above-described equation (1) indicating the oscillation condition and oscillates stably. In other words, the ring oscillation circuit oscillates at the oscillation frequency T determined by the number of stages of the delay circuit and the time constant τ1, whereby a pulse train of the frequency T can be obtained.

【0026】本実施形態のリング発振回路では、エミッ
タフォロアQ7,Q8のミラー効果により発振用のキャ
パシタ10,12の実効キャパシタンスCT がキャパシ
タ定数Cより大きくなり、その増加量が第1および第2
の差動トランジスタ対の増幅度G1,G2で変更できる
ことから、そのぶん周波数を変えることが可能となる。
In the ring oscillation circuit of this embodiment, the effective capacitance CT of the oscillation capacitors 10 and 12 becomes larger than the capacitor constant C due to the Miller effect of the emitter followers Q7 and Q8, and the amount of increase is the first and second.
Can be changed by the amplification degrees G1 and G2 of the differential transistor pair, so that the frequency can be changed correspondingly.

【0027】第2実施形態 本実施形態は、容量値を実質的に減少可能なリング発振
回路に関する。図5は、本実施形態に係る非反転遅延回
路の構成を示す回路である。この非反転遅延回路は、n
pn型バイポーラトランジスタQ1〜Q10、抵抗素子
2と4(抵抗値:R1)、6と8(抵抗値:R2)及び
R3〜R6、キャパシタ10と12(容量値の定数:
C)から構成されていることは、先の第1実施形態と同
様である。
Second Embodiment This embodiment relates to a ring oscillation circuit whose capacitance can be substantially reduced. FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of the non-inverting delay circuit according to the present embodiment. This non-inverting delay circuit has n
pn type bipolar transistors Q1 to Q10, resistance elements 2 and 4 (resistance value: R1), 6 and 8 (resistance value: R2) and R3 to R6, capacitors 10 and 12 (capacitance value constant:
The configuration of C) is the same as that of the first embodiment.

【0028】本例では、第2の差動トランジスタ対の出
力と2つのエミッタフォロアQ7,Q8との接続関係
が、第1実施形態と逆になっている。つまり、第2の差
動トランジスタ対の出力ノードND3にエミッタフォロ
アQ7のベースが接続され、反転出力ノードND4にエ
ミッタフォロアQ8のベースが接続されている。その他
の接続関係は、第1実施形態と何ら変わらない。
In this example, the connection between the output of the second differential transistor pair and the two emitter followers Q7 and Q8 is opposite to that in the first embodiment. That is, the base of the emitter follower Q7 is connected to the output node ND3 of the second differential transistor pair, and the base of the emitter follower Q8 is connected to the inverted output node ND4. Other connection relations are not different from those of the first embodiment.

【0029】図6は、第1および第2の差動トランジス
タ対による増幅器とキャパシタの関係を示す図である。
本例では、第2の差動トランジスタ対の出力を第1実施
形態の場合と入れ替えたことにより、増幅器が反転増幅
器(ゲイン:−G2)となっている。このため、本例に
おける実効キャパシタンスCT は、次式で表される。
FIG. 6 is a diagram showing a relationship between an amplifier and a capacitor using first and second differential transistor pairs.
In this example, the amplifier is an inverting amplifier (gain: -G2) by replacing the output of the second differential transistor pair with that of the first embodiment. Therefore, the effective capacitance CT in this example is represented by the following equation.

【0030】[0030]

【数3】 CT =(1−G2/G1)×C …(3)## EQU3 ## CT = (1-G2 / G1) .times.C (3)

【0031】この式中、増幅度G1,G2は差動トラン
ジスタ対に流す電流i1,i2に応じて変更できること
から、当該非反転遅延回路ではG2/G1がとりうる範
囲内でキャパシタ10,12の実効値CT を定数Cに対
し減少方向に変化させることが可能となる。
In this equation, the amplification factors G1 and G2 can be changed in accordance with the currents i1 and i2 flowing through the differential transistor pair. The effective value CT can be changed in a decreasing direction with respect to the constant C.

【0032】図7は、本例におけるリング発振回路のタ
イミングチャートである。非反転遅延回路の基本的な動
作は先の第1実施形態と同様であるが、キャパシタの充
放電が先の例と若干異なる。
FIG. 7 is a timing chart of the ring oscillation circuit in this embodiment. The basic operation of the non-inverting delay circuit is the same as that of the first embodiment, but the charging and discharging of the capacitor is slightly different from the previous example.

【0033】すなわち、図7(a)の初段入力INの低
下によって、図5のトランジスタQ1,Q3のベース電
位がある程度低下し、トランジスタQ2,Q4のベース
電位がある程度上昇すると、トランジスタQ1,Q3及
びエミッタフォロアQ8が導通状態から非導通状態に遷
移し始め、逆にトランジスタQ2,Q4及びエミッタフ
ォロアQ7が非導通状態から導通状態に遷移し始める。
この場合、電流i1が減少し電流i3が増加するので、
その電流減少と電流増加のバランスでキャパシタ10が
放電される。一方、キャパシタ12については、電流i
2が増加し電流i4が増加するので、その電流増加と電
流減少のバランスでキャパシタ12が充電される。この
ため、キャパシタ間に印加される電圧も第1実施形態に
比べ小さいが、この場合、前記(3)式に示した如く実
効容量値CT 自体も小さいことから電流値の調整により
充分な充放電は保証される。この結果、図7(b)に示
すように、小さい時定数τ2で出力信号OUTが漸減
し、反転出力信号OUTnが漸増し、その後に飽和す
る。
That is, the base potential of the transistors Q1 and Q3 in FIG. 5 decreases to some extent due to the decrease of the first-stage input IN in FIG. 7A, and the base potentials of the transistors Q2 and Q4 increase to some extent. Emitter follower Q8 starts to transition from a conductive state to a non-conductive state, and conversely, transistors Q2, Q4 and emitter follower Q7 begin to transition from a non-conductive state to a conductive state.
In this case, since the current i1 decreases and the current i3 increases,
The capacitor 10 is discharged by the balance between the current decrease and the current increase. On the other hand, the current i
As the current 2 increases and the current i4 increases, the capacitor 12 is charged in a balance between the current increase and the current decrease. For this reason, the voltage applied between the capacitors is smaller than that in the first embodiment. In this case, however, the effective capacitance value CT itself is small as shown in the above equation (3), so that the charge and discharge can be sufficiently performed by adjusting the current value. Is guaranteed. As a result, as shown in FIG. 7B, the output signal OUT gradually decreases with a small time constant τ2, the inverted output signal OUTn gradually increases, and thereafter saturates.

【0034】次に、トランジスタQ1,Q3のベース電
位がある程度上昇し、トランジスタQ2,Q4のベース
電位がある程度低下すると、トランジスタQ1,Q3及
びエミッタフォロアQ8が非導通状態から導通状態に遷
移し始め、逆にトランジスタQ2,Q4及びエミッタフ
ォロアQ7が導通状態から非導通状態に遷移し始める。
このためキャパシタ10は、上記と反対に、電流i1の
増加と電流i3の減少のバランスで放電され、またキャ
パシタ12は、上記と反対に、電流i2の減少と電流i
4の増加のバランスで充電される。この結果、図7
(b)に示すように、出力信号OUTが小さい時定数τ
2で漸増し、また反転出力信号OUTnが小さい定数τ
2で漸減し、その後に飽和する。このような初段DLY
1の動作によって、図7(a),(b)に示すように、
入出力の差動点、即ち入力信号IN,INnの交点と出
力信号OUT,OUTnの交点が時間tpdだけ遅れるこ
ととなる。このときの遅延時間tpdは、時定数の半値を
とることから第1実施形態の場合より小さな値となる。
Next, when the base potentials of the transistors Q1 and Q3 increase to some extent and the base potentials of the transistors Q2 and Q4 decrease to some extent, the transistors Q1 and Q3 and the emitter follower Q8 start to transition from the non-conductive state to the conductive state. Conversely, the transistors Q2, Q4 and the emitter follower Q7 begin to transition from the conductive state to the non-conductive state.
For this reason, the capacitor 10 is discharged in a manner opposite to the above, in a balance between the increase in the current i1 and the decrease in the current i3, and the capacitor 12 is configured to reverse the decrease in the current i2 and the current i3.
Charged with a balance of 4 increase. As a result, FIG.
As shown in (b), the output signal OUT has a small time constant τ.
2 and the inverted output signal OUTn has a small constant τ
Decrements at 2 and then saturates. Such first stage DLY
By the operation of No. 1, as shown in FIGS. 7 (a) and 7 (b),
The input / output differential point, that is, the intersection of the input signals IN and INn and the intersection of the output signals OUT and OUTn is delayed by the time tpd. The delay time tpd at this time is smaller than that in the first embodiment because it takes a half value of the time constant.

【0035】この非反転遅延回路の基本動作は次段以降
DLY2,…でも同じであり、第1実施形態と同様、遅
延時間tpdが段を追うごとに累積され、この遅延時間t
pdの累積が半周期T/2の整数倍になって初期入力(図
4(a))からパルス幅単位ずれた反転信号が再び初段
入力に帰還される所定の発振周波数Tで当該リング発振
回路が発振し、これにより周波数Tのパルス列を得るこ
とができる。
The basic operation of this non-inverting delay circuit is the same in the subsequent stages DLY2,..., As in the first embodiment.
The ring oscillation circuit at a predetermined oscillation frequency T at which the accumulation of pd becomes an integral multiple of the half cycle T / 2 and an inverted signal shifted from the initial input (FIG. 4A) by a unit of pulse width is fed back to the first-stage input. Oscillates, whereby a pulse train of frequency T can be obtained.

【0036】本実施形態のリング発振回路では、エミッ
タフォロアQ7,Q8のミラー効果により発振用のキャ
パシタ10,12の実効キャパシタンスCT がキャパシ
タ定数Cより小さくなり、その減少量が第1および第2
の差動トランジスタ対の増幅度G1,G2で変更できる
ことから、そのぶん周波数を変えることが可能となる。
In the ring oscillation circuit of the present embodiment, the effective capacitance CT of the oscillation capacitors 10 and 12 becomes smaller than the capacitor constant C due to the Miller effect of the emitter followers Q7 and Q8, and the amount of decrease is the first and second.
Can be changed by the amplification degrees G1 and G2 of the differential transistor pair, so that the frequency can be changed correspondingly.

【0037】ここで、上記第1、第2実施形態の前記
(1)式、(2)式の導出について更に詳しい説明を付
加する。前述したミラー効果による容量CM (以下、ミ
ラー容量)は、一般に、図8に示す回路において、コレ
クタ接続容量Cのほぼゲイン倍となり、次式で与えられ
る。
Here, the derivation of the equations (1) and (2) in the first and second embodiments will be described in more detail. In general, the capacitance C M due to the above-mentioned Miller effect (hereinafter, Miller capacitance) is almost equal to the gain of the collector connection capacitance C in the circuit shown in FIG. 8, and is given by the following equation.

【0038】[0038]

【数4】 CM =i/vi =(1+G)C …(4)[Number 4] C M = i / v i = (1 + G) C ... (4)

【0039】ここで、Gは当該エミッタフォロアの電圧
利得で、入出力電圧比vo /vi である。
[0039] Here, G is the voltage gain of the emitter follower, an input-output voltage ratio v o / v i.

【0040】前記第1および第2実施形態では、電圧増
幅率1のエミッタフォロアQ7、Q8を回路上無視すれ
ばトランジスタQ1とQ4がキャパシタ10を介して接
続され、又、トランジスタQ2とQ3がキャパシタ12
を介して接続されている。この接続関係を一般化すると
図9のようになる。
In the first and second embodiments, if the emitter followers Q7 and Q8 of the voltage amplification factor 1 are neglected in the circuit, the transistors Q1 and Q4 are connected via the capacitor 10, and the transistors Q2 and Q3 are connected by the capacitor. 12
Connected through. This connection relationship is generalized as shown in FIG.

【0041】ここで、Q1(又はQ2)の出力電圧をv
o1、出力電流をiL 、Q4(又はQ3)の出力電圧をv
o2、出力電流をiR とすれば、前記(4)式から、次の
(5)および(6)式が成り立つ。
Here, the output voltage of Q1 (or Q2) is
o1 , the output current is i L , and the output voltage of Q4 (or Q3) is v
o2 , assuming that the output current is i R , the following equations (5) and (6) hold from the above equation (4).

【0042】[0042]

【数5】 iL =(1+G1)Cvi …(5) iR =(1+G2)Cvi …(6) ここで、G1とG2は、Q1(又はQ2)とQ4(又は
Q3)の電圧利得である。
Equation 5] i L = (1 + G1) Cv i ... (5) i R = (1 + G2) Cv i ... (6) where, G1 and G2, the voltage gain of Q1 (or Q2) and Q4 (or Q3) It is.

【0043】従って、キャパシタC(10又は12)の
充電電流(iL −iR )は、次の(7)式で表せG1と
G2が同相と逆相のミラー容量CM とCM ’は、次式の
(8)式と(9)式のようになる。
[0043] Thus, the charging current of the capacitor C (10 or 12) (i L -i R), the following (7) expressed G1 and G2 are in phase and opposite phase of the mirror capacitance C M and C M 'is formula And the following equations (8) and (9).

【0044】[0044]

【数6】 iL −iR =(G1−G2)C・vi =(1−G2/G1)C・vi ・ G1 =(1−G2/G1)C・vO1 …(7) CM =(iL −iR )/vO1=(1−G1/G2)C(同相) …(8) CM ’=(iL −iR )/vO1=(1−G1/G2)C(逆相) …(9)[6] i L -i R = (G1- G2) C · v i = (1-G2 / G1) C · v i · G1 = (1-G2 / G1) C · v O1 ... (7) C M = (i L -i R) / v O1 = (1-G1 / G2) C ( phase) ... (8) C M ' = (i L -i R) / v O1 = (1-G1 / G2) C (Negative phase)… (9)

【0045】一方、エミッタフォロアQ7(又はQ8)
のミラー効果による寄生容量の増幅効果も考慮すると図
10(a)のように(1+g)CObの容量がCM に直列
接続される。ここでgはエミッタフォロアQ7(又はQ
8)の電圧利得、CObはそれらのベースとコレクタ間の
寄生容量である。しかし、CM ≫COb、g=1なので
(1+g)CObは無視でき、CT ≒CM となる。
On the other hand, the emitter follower Q7 (or Q8)
Amplification effect of the parasitic capacitance due to the Miller effect of the capacity as (1 + g) C Ob in consideration of FIG. 10 (a) is connected in series with C M. Where g is the emitter follower Q7 (or Q
8) The voltage gain, C Ob, is the parasitic capacitance between their base and collector. However, since C M ≫C Ob and g = 1, (1 + g) C Ob can be ignored and C T ≒ C M.

【0046】よって、上記(8)式、(9)式がトータ
ル容量CT を近似する式となり前記(2)式及び(3)
式が成立する。
[0046] Thus, equation (8), (9) is the result with the formula that approximates the total capacitance C T (2) and Equation (3)
The equation holds.

【0047】第3実施形態 本実施形態は、容量値をキャパシタンス定数から実質的
に増減可能で、より広い範囲で周波数の変更が可能なリ
ング発振回路に関する。図11は、本実施形態に係る非
反転遅延回路の構成を示す回路である。この非反転遅延
回路は、npn型バイポーラトランジスタQ1〜Q6,
Q9およびQ10、抵抗素子2と4(抵抗値:R1),
6と8(抵抗値:R2)及びR3〜R6、キャパシタ1
0と12(容量値の定数:C)を有することは、先の第
1実施形態と同様である。
Third Embodiment This embodiment relates to a ring oscillation circuit capable of substantially increasing or decreasing the capacitance value from the capacitance constant and changing the frequency in a wider range. FIG. 11 is a circuit diagram showing a configuration of the non-inverting delay circuit according to the present embodiment. This non-inverting delay circuit includes npn-type bipolar transistors Q1 to Q6.
Q9 and Q10, resistance elements 2 and 4 (resistance value: R1),
6 and 8 (resistance value: R2) and R3 to R6, capacitor 1
Having 0 and 12 (capacitance value constant: C) is the same as in the first embodiment.

【0048】本例では、第1実施形態におけるエミッタ
フォロアQ7,Q8が、それぞれQ7aとQ7b,Q8
aとQ8bといった2つずつのトランジスタから構成さ
れている点、第1実施形態におけるキャパシタ10,1
2が、それぞれ10aと10b,12aと12bといっ
た2つずつのキャパシタから構成されている点、及びエ
ミッタフォロア7aまたはQ7bを選択する第3の差動
トランジスタ対とエミッタフォロア8aまたはQ8bを
選択する第4の差動トランジスタ対とが、それぞれ電流
源との間に新たに設けられている点が、先の第1実施形
態と異なっている。
In this example, the emitter followers Q7 and Q8 in the first embodiment are replaced by Q7a, Q7b and Q8, respectively.
a and Q8b, the capacitors 10, 1 in the first embodiment.
2 is composed of two capacitors 10a and 10b and 12a and 12b, respectively, and a third differential transistor pair for selecting the emitter follower 7a or Q7b and a third differential transistor for selecting the emitter follower 8a or Q8b. The fourth embodiment differs from the first embodiment in that four differential transistor pairs and a current source are newly provided.

【0049】より詳しくは、エミッタフォロアQ7aの
ベースがノードND4に接続され、そのエミッタとノー
ドND1との間に、キャパシタ10aが接続されてい
る。また、エミッタフォロアQ7bのベースがノードN
D3に接続され、そのエミッタとノードND1との間に
キャパシタ10bが接続され、エミッタフォロアQ8a
のベースがノードND3に接続され、そのエミッタとノ
ードND2との間に、キャパシタ12aが接続され、エ
ミッタフォロアQ8bのベースがノードND4に接続さ
れ、そのエミッタとノードND2との間にキャパシタ1
2bが接続されている。なお、本例における4個のキャ
パシタ10a,10b,12aおよび12bの定数(キ
ャパシタンス)は、全て同一なCとなっている。一方、
第3の差動トランジスタ対を構成するトランジスタQ1
1のコレクタがエミッタフォロアQ7aのエミッタに接
続され、トランジスタQ12のコレクタがエミッタフォ
ロアQ7bのエミッタに接続され,両トランジスタQ1
1,Q12のエミッタが共通に接続されて電流源を構成
する前記トランジスタQ9のコレクタに接続されてい
る。また、第4の差動トランジスタ対を構成するトラン
ジスタQ13のコレクタがエミッタフォロアQ8aのエ
ミッタに接続され、トランジスタQ14のコレクタがエ
ミッタフォロアQ8bのエミッタに接続され,両トラン
ジスタQ13,Q14のエミッタが共通に接続されて電
流源を構成する前記トランジスタQ10のコレクタに接
続されている。当該第3および第4の差動トランジスタ
対は、トランジスタQ11,Q13のベースには入力さ
れる選択信号Sと、トランジスタQ12,Q14のベー
スには入力される選択信号Sの反転信号Snとによって
駆動される。その他の接続関係は、第1実施形態と何ら
変わらない。
More specifically, the base of emitter follower Q7a is connected to node ND4, and capacitor 10a is connected between the emitter and node ND1. The base of the emitter follower Q7b is the node N
D3, a capacitor 10b is connected between its emitter and node ND1, and an emitter follower Q8a
Is connected to node ND3, a capacitor 12a is connected between its emitter and node ND2, the base of emitter follower Q8b is connected to node ND4, and a capacitor 1a is connected between its emitter and node ND2.
2b is connected. The constants (capacitances) of the four capacitors 10a, 10b, 12a and 12b in this example are all the same C. on the other hand,
Transistor Q1 forming third differential transistor pair
1 is connected to the emitter of the emitter follower Q7a, the collector of the transistor Q12 is connected to the emitter of the emitter follower Q7b, and both transistors Q1
The emitters of the transistors Q1 and Q12 are commonly connected to the collector of the transistor Q9 forming a current source. The collector of the transistor Q13 constituting the fourth differential transistor pair is connected to the emitter of the emitter follower Q8a, the collector of the transistor Q14 is connected to the emitter of the emitter follower Q8b, and the emitters of both transistors Q13 and Q14 are commonly used. The current source is connected to the collector of the transistor Q10. The third and fourth differential transistor pairs are driven by the selection signal S input to the bases of the transistors Q11 and Q13 and the inverted signal Sn of the selection signal S input to the bases of the transistors Q12 and Q14. Is done. Other connection relations are not different from those of the first embodiment.

【0050】図12は、第1および第2の差動トランジ
スタ対による増幅器とキャパシタの関係を示す図であ
る。本例では、第2の差動トランジスタ対が第1の差動
トランジスタ対と同位相の出力と逆位相の出力を生成
し、その両出力を第3および第4の差動トランジスタ対
で構成される差動スイッチSW1,SW2で切り替えて
取り出す構成となっている。つまり、第1の差動トラン
ジスタ対は反転増幅器(ゲイン:−G1)を構成するの
に対し、差動スイッチにおいてSW1がオンでSW2が
オフのときは、第2の差動トランジスタ対は非反転増幅
器(ゲイン:G2)を成し、逆に、差動スイッチにおい
てSW1がオフでSW2がオンのときは、第2の差動ト
ランジスタ対は反転増幅器(ゲイン:−G2)を成す。
このため、本例における実効キャパシタンスCT は、次
式で表される。
FIG. 12 is a diagram showing a relationship between an amplifier and a capacitor using the first and second differential transistor pairs. In this example, the second differential transistor pair generates an output having the same phase as that of the first differential transistor pair and an output having the opposite phase, and both outputs are constituted by the third and fourth differential transistor pairs. The differential switches SW1 and SW2 are used to switch and take out. In other words, while the first differential transistor pair forms an inverting amplifier (gain: -G1), when SW1 is on and SW2 is off in the differential switch, the second differential transistor pair is non-inverting. When SW1 is off and SW2 is on in the differential switch, the second differential transistor pair forms an inverting amplifier (gain: -G2).
Therefore, the effective capacitance CT in this example is represented by the following equation.

【0051】[0051]

【数7】 CT =CTa=(1+G2/G1)×C (SW1:on, SW2:off) CT =CTb=(1−G2/G1)×C (SW1:off, SW2:on) …(10)## EQU7 ## CT = CTa = (1 + G2 / G1) .times.C (SW1: on, SW2: off) CT = CTb = (1-G2 / G1) .times.C (SW1: off, SW2: on) (10)

【0052】差動スイッチは選択信号S,Snによって
駆動され、増幅度G1,G2は差動トランジスタ対に流
す電流i1,i2に応じて変更できることから、当該非
反転遅延回路ではG2/G1がとりうる範囲内でキャパ
シタの実効値CT を定数Cに対し増加、減少の双方向に
変化させることが可能となる。
The differential switch is driven by the selection signals S and Sn, and the amplification factors G1 and G2 can be changed according to the currents i1 and i2 flowing through the differential transistor pair. Within the range, the effective value CT of the capacitor can be changed in both directions of increasing and decreasing with respect to the constant C.

【0053】本例における非反転遅延回路では、エミッ
タフォロアをなす4つのトランジスタQ7a,Q7b,
Q8aおよびQ8bのうち、2つのトランジスタを組と
して差動スイッチ(第3および第4の差動トランジスタ
対)で切り替えて動作させる。ここで、スイッチSWa
がオンとはトランジスタQ7aとQ8aが導通状態の場
合であり、スイッチSWbがオンとはトランジスタQ7
bとQ8bが導通状態の場合である。選択信号Sのレベ
ルが“H”のとき、スイッチSWa(トランジスタQ7
a,Q8a)側がオンとなり、第1実施形態と同様な動
作によって実効容量値CT が定数Cより大きくなり、当
該リング発振回路は低い周波数で発振する。一方、反転
選択信号Snのレベルが“H”のとき、スイッチSWb
(トランジスタQ7b,Q8b)側がオンとなり、第2
実施形態と同様な動作によって実効容量値CT が定数C
より低くなり、当該リング発振回路は高い周波数で発振
する。なお、前者の低周波数発振で図4がそのまま適用
され、後者の高周波数発振では図7がそのまま適用され
ることから、重複を避けるため詳細な説明は省略する。
In the non-inverting delay circuit of this embodiment, four transistors Q7a, Q7b,
Of the transistors Q8a and Q8b, a pair of two transistors is switched and operated by a differential switch (a third and fourth differential transistor pair). Here, the switch SWa
Is ON when the transistors Q7a and Q8a are conducting, and when the switch SWb is ON, the transistor Q7a
This is the case where b and Q8b are conducting. When the level of the selection signal S is “H”, the switch SWa (the transistor Q7
The a, Q8a) side is turned on, the effective capacitance value CT becomes larger than the constant C by the same operation as in the first embodiment, and the ring oscillation circuit oscillates at a low frequency. On the other hand, when the level of the inversion selection signal Sn is “H”, the switch SWb
(Transistors Q7b, Q8b) are turned on, and the second
By the same operation as in the embodiment, the effective capacitance value CT becomes constant C
The ring oscillator circuit oscillates at a higher frequency. It should be noted that FIG. 4 is applied as it is for the former low-frequency oscillation, and FIG. 7 is applied as it is for the latter high-frequency oscillation, so that detailed description is omitted to avoid duplication.

【0054】本実施形態のリング発振回路では、図13
に示すように、スイッチSWaがオンの場合、エミッタ
フォロアQ7aとQ8aのミラー効果により発振用のキ
ャパシタ10aと12aの実効キャパシタンスCTaがキ
ャパシタ定数Cを基準にG2/G1の係数分だけ大きく
なる。その一方で、スイッチSWbがオンの場合、エミ
ッタフォロアQ7bとQ8bのミラー効果により発振用
のキャパシタ10bと12bの実効キャパシタンスCTb
がキャパシタ定数Cを基準にG2/G1の係数分だけ小
さくなる。このため、本実施形態におけるリング発振回
路は、遅延回路1段あたりの遅延時間tpdが先の第1
または第2実施形態の場合より広範に変化させることが
でき、発振周波数の変更範囲が広いといった利点があ
る。
In the ring oscillation circuit of this embodiment, FIG.
As shown in the figure, when the switch SWa is turned on, the effective capacitance CTa of the oscillation capacitors 10a and 12a increases by the coefficient of G2 / G1 based on the capacitor constant C due to the Miller effect of the emitter followers Q7a and Q8a. On the other hand, when the switch SWb is on, the effective capacitance CTb of the oscillation capacitors 10b and 12b is caused by the Miller effect of the emitter followers Q7b and Q8b.
Becomes smaller by the coefficient of G2 / G1 based on the capacitor constant C. For this reason, in the ring oscillation circuit according to the present embodiment, the delay time tpd per one stage of the delay circuit is the first delay time tpd.
Alternatively, there is an advantage that the oscillation frequency can be changed more widely than in the case of the second embodiment, and the change range of the oscillation frequency is wide.

【0055】最後に、以上述べてきたリング発振回路の
動作シミュレーション結果について述べる。
Finally, an operation simulation result of the above-described ring oscillation circuit will be described.

【0056】動作シミュレーション結果 図14に、動作シミュレーション結果を表にまとめて示
す。TYPEAは、図1のリング発振回路において、図
2に示す第1実施形態の非反転遅延回路を8段接続した
場合、TYPEBは図5に示す第2実施形態の非反転遅
延回路を同じく8段接続した場合である。TYPEAで
は発振周波数が17MHz〜71MHzと広く変更可能
であった。また、TYPEBでは発振周波数が72MH
z〜645MHzと、TYPEAの高周波領域で広く変
更可能であった。また、非反転遅延回路1段あたりの消
費電流は1000μA〜1800μAであった。なお、
図11に示す第3実施形態の場合、上記TYPEA及び
Bをあわせたものとなり、周波数が17MHz〜645
MHzと更に広い発振が可能となった。
Operation Simulation Results FIG. 14 shows the operation simulation results in a table. TYPEA has eight stages of the non-inverting delay circuit of the first embodiment shown in FIG. 2 connected to the ring oscillation circuit of FIG. 1, and TYPEB has eight stages of the non-inverting delay circuit of the second embodiment shown in FIG. When connected. In TYPEA, the oscillation frequency could be widely changed from 17 MHz to 71 MHz. In TYPEB, the oscillation frequency is 72 MHz.
It can be widely changed in the high frequency range of TYPEA, from z to 645 MHz. The current consumption per one stage of the non-inverting delay circuit was 1000 μA to 1800 μA. In addition,
In the case of the third embodiment shown in FIG. 11, the above TYPEA and B are combined, and the frequency is 17 MHz to 645.
MHz and wider oscillation is possible.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明に係る
リング発振回路によれば、実効的な容量値の調整がで
き、これによって発振周波数を幅広く変更可能なリング
発振回路を提供することが可能となる。
As described above, according to the ring oscillation circuit of the present invention, it is possible to provide a ring oscillation circuit capable of adjusting the effective capacitance value and thereby widely changing the oscillation frequency. It becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態に係るリング発振回路の構成
例を示す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of a ring oscillation circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1実施形態に係る非反転遅延回路の
構成を示す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a non-inverting delay circuit according to the first embodiment of the present invention.

【図3】図2の非反転遅延回路において、第1および第
2の差動トランジスタ対による増幅器とキャパシタの関
係を示す図である。
3 is a diagram showing a relationship between an amplifier and a capacitor using first and second differential transistor pairs in the non-inverting delay circuit of FIG. 2;

【図4】図2の非反転遅延回路からなるリング発振回路
のタイミングチャートである。
FIG. 4 is a timing chart of a ring oscillation circuit including the non-inverting delay circuit of FIG. 2;

【図5】本発明の第2実施形態に係る非反転遅延回路の
構成を示す回路である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a non-inverting delay circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図6】図5の非反転遅延回路において、第1および第
2の差動トランジスタ対による増幅器とキャパシタの関
係を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a relationship between an amplifier and a capacitor using first and second differential transistor pairs in the non-inverting delay circuit of FIG. 5;

【図7】図5の非反転遅延回路からなるリング発振回路
のタイミングチャートである。
FIG. 7 is a timing chart of a ring oscillation circuit including the non-inverting delay circuit of FIG. 5;

【図8】ミラー容量導出のための基本回路図である。FIG. 8 is a basic circuit diagram for deriving a mirror capacitance.

【図9】ミラー容量導出のための基本回路を2段対称に
配置した回路図である。
FIG. 9 is a circuit diagram in which basic circuits for deriving a mirror capacitance are arranged symmetrically in two stages.

【図10】ミラー効果による寄生容量の増幅を考慮した
図である。
FIG. 10 is a diagram in which amplification of parasitic capacitance due to the Miller effect is considered.

【図11】本発明の第3実施形態に係る非反転遅延回路
の構成を示す回路である。
FIG. 11 is a circuit diagram showing a configuration of a non-inverting delay circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図12】図11の非反転遅延回路において、第1およ
び第2の差動トランジスタ対による増幅器とキャパシタ
の関係を示す図である。
12 is a diagram showing a relationship between an amplifier and a capacitor using first and second differential transistor pairs in the non-inverting delay circuit of FIG. 11;

【図13】第3実施形態における実効容量の可変係数と
時定数(遅延時間)との関係を示す図である。
FIG. 13 is a diagram illustrating a relationship between a variable coefficient of an effective capacitance and a time constant (delay time) according to the third embodiment.

【図14】動作シミュレーション結果をまとめて示す表
である。
FIG. 14 is a table collectively showing operation simulation results.

【図15】従来技術の説明に用いた一般的なリング発振
回路の構成を示す図である。
FIG. 15 is a diagram showing a configuration of a general ring oscillation circuit used for explaining a conventional technique.

【図16】従来の反転遅延回路の構成を示す回路図であ
る。
FIG. 16 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional inversion delay circuit.

【図17】図16の反転遅延回路において、差動増幅器
と容量との関係を示す図である。
FIG. 17 is a diagram illustrating a relationship between a differential amplifier and a capacitance in the inverting delay circuit of FIG. 16;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2〜8…出力抵抗、10,10a,10b,12,12
a,12b…キャパシタ、Q1,Q2…第1の差動トラ
ンジスタ対をなすトランジスタ、Q3,Q4…第1の差
動トランジスタ対をなすトランジスタ、Q7,Q7a,
Q7b,Q8,Q8a,Q8b…エミッタフォロアをな
すトランジスタ、Q5,Q6,Q9、Q10…電流源を
構成するトランジスタ、R3〜R4…抵抗、DLY1〜
DLYn…非反転遅延回路、G1,G2…差動トランジ
スタ対の増幅度、C…キャパシタ定数、CM …ミラー容
量、CT …実効キャパシタンス、Tin, T/in …入力端
子、Tout,T/out…出力端子、IN,INn…入力信
号、OUT,OUTn…出力信号、V1〜V3…制御電
圧、S,Sn…選択信号、τ…時定数、tpd…遅延時
間、SWa,SWb…第3および第4の差動トランジス
タ対によるスイッチ、VCC…電源電圧、GND…接地電
位。
2 to 8: output resistance, 10, 10a, 10b, 12, 12
a, 12b: capacitor, Q1, Q2: transistor forming a first differential transistor pair, Q3, Q4: transistor forming a first differential transistor pair, Q7, Q7a,
Q7b, Q8, Q8a, Q8b: transistors forming emitter followers; Q5, Q6, Q9, Q10: transistors forming current sources; R3 to R4: resistors;
DLYn ... non-inverting delay circuit, G1, G2 ... amplification degree of the differential transistor pair, C ... capacitor constant, C M ... Miller capacitance, CT ... effective capacitance, Tin, T / in ... input terminal, Tout, T / out ... Output terminal, IN, INn input signal, OUT, OUTn output signal, V1 to V3 control voltage, S, Sn ... selection signal, τ time constant, tpd delay time, SWa, SWb third and fourth switching by the differential transistor pair, V CC ... power supply voltage, GND ... ground potential.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】反転または非反転な遅延回路を複数段、直
列接続し最終段出力を初段入力に帰還させてなるリング
発振回路であって、 前記遅延回路は、各ベースが入力端子にそれぞれ接続さ
れ、各コレクタが出力抵抗と出力端子にそれぞれ接続さ
れ利得が可変な第1の差動トランジスタ対と、 各ベースが入力端子にそれぞれ接続され、前記第1の差
動トランジスタ対と逆位相の出力を利得を変えて得るこ
とができる第2の差動トランジスタ対と、 各ベースが前記第2の差動トランジスタ対の出力の一方
または他方にそれぞれ接続されている2つのトランジス
タと、 前記2つのトランジスタの各エミッタと前記第1の差動
トランジスタ対の各コレクタとの間にそれぞれ接続され
ている2つのキャパシタとを有するリング発振回路。
1. A ring oscillation circuit comprising a plurality of inverting or non-inverting delay circuits connected in series and a final-stage output fed back to an initial-stage input, wherein each base of the delay circuit is connected to an input terminal. A first differential transistor pair whose collectors are respectively connected to an output resistor and an output terminal and whose gain is variable, and each base is respectively connected to an input terminal and an output having a phase opposite to that of the first differential transistor pair A second differential transistor pair that can be obtained by changing the gain, two transistors each having a base connected to one or the other of the outputs of the second differential transistor pair, and the two transistors. A ring oscillation circuit having two capacitors respectively connected between each emitter of the first differential transistor pair and each collector of the first differential transistor pair.
【請求項2】少なくとも前記第1または第2の差動トラ
ンジスタ対の共通エミッタ側それぞれに、電流量の調整
を個々に可能な電流源が接続されている請求項1に記載
のリング発振回路。
2. The ring oscillation circuit according to claim 1, wherein a current source capable of individually adjusting a current amount is connected to at least each of the common emitter sides of said first or second differential transistor pair.
【請求項3】反転または非反転な遅延回路を複数段、直
列接続し最終段出力を初段入力に帰還させてなるリング
発振回路であって、 前記遅延回路は、各ベースが入力端子にそれぞれ接続さ
れ、各コレクタが出力抵抗と出力端子にそれぞれ接続さ
れ利得が可変な第1の差動トランジスタ対と、各ベース
が入力端子にそれぞれ接続され、前記第1の差動トラン
ジスタ対と同位相の出力を得る第2の差動トランジスタ
対と、 各ベースが前記第2の差動トランジスタ対の出力の一方
または他方にそれぞれ接続された2つのトランジスタ
と、 前記2つのトランジスタの各エミッタと前記第1の差動
トランジスタ対の各コレクタとの間にそれぞれ接続され
た2つのキャパシタとを有するリング発振回路。
3. A ring oscillator circuit comprising a plurality of inverting or non-inverting delay circuits connected in series and a final stage output fed back to an initial stage input, wherein each base of the delay circuit is connected to an input terminal. A first differential transistor pair whose collectors are respectively connected to an output resistor and an output terminal and whose gain is variable, and each base is respectively connected to an input terminal and an output having the same phase as that of the first differential transistor pair. A second differential transistor pair, two transistors each having a base connected to one or the other of the outputs of the second differential transistor pair, an emitter of the two transistors and the first transistor, respectively. A ring oscillation circuit having two capacitors respectively connected between the collectors of the differential transistor pair.
【請求項4】少なくとも前記第1または第2の差動トラ
ンジスタ対の共通エミッタ側それぞれに、電流量の調整
を個々に可能な電流源が接続されている請求項3に記載
のリング発振回路。
4. The ring oscillation circuit according to claim 3, wherein a current source capable of individually adjusting a current amount is connected to at least each of a common emitter side of said first or second differential transistor pair.
【請求項5】反転または非反転な遅延回路を複数段、直
列接続し最終段出力を初段入力に帰還させてなるリング
発振回路であって、 前記遅延回路は、各ベースが入力端子にそれぞれ接続さ
れ、各コレクタが出力抵抗と出力端子にそれぞれ接続さ
れ利得が可変な第1の差動トランジスタ対と、 各ベースが入力端子にそれぞれ接続され、前記第1の差
動トランジスタ対と同位相または逆位相の出力を生成す
る第2の差動トランジスタ対と、 各ベースが前記第2の差動トランジスタ対の出力の一方
または他方にそれぞれ接続されている複数のトランジス
タと、 前記複数のトランジスタ間を切り換え動作させ、それら
のエミッタから前記第2の差動トランジスタ対と同位相
または逆位相の出力を選択的に取り出す切換回路と、 前記複数のトランジスタの各エミッタと前記第1の差動
トランジスタ対の各コレクタとの間にそれぞれ接続され
た複数のキャパシタと、 を有するリング発振回路。
5. A ring oscillator circuit comprising a plurality of inverting or non-inverting delay circuits connected in series and a final stage output fed back to an initial stage input, wherein each base of the delay circuit is connected to an input terminal. A first differential transistor pair having respective collectors connected to an output resistor and an output terminal, respectively, and having variable gains; and a base connected to an input terminal, respectively, and having the same or opposite phase as the first differential transistor pair. A second differential transistor pair generating a phase output; a plurality of transistors each having a base connected to one or the other of the outputs of the second differential transistor pair; and switching between the plurality of transistors. A switching circuit for operating and selectively extracting an output having the same phase or the opposite phase as the second differential transistor pair from their emitters; Ring oscillator circuit having a plurality of capacitors respectively connected between the collectors of the first differential transistor pair and the emitter of the data.
【請求項6】少なくとも前記第1または第2の差動トラ
ンジスタ対の共通エミッタ側それぞれに、電流量の調整
を個々に可能な電流源が接続されている請求項5に記載
のリング発振回路。
6. The ring oscillation circuit according to claim 5, wherein a current source capable of individually adjusting a current amount is connected to at least each of the common emitter sides of said first or second differential transistor pair.
【請求項7】前記第2の差動トランジスタ対の出力を取
り出す前記トランジスタは、合計4個設けられ、 前記切換回路として、入力される選択信号に応じて、前
記4個のトランジスタのうち第2の差動トランジスタ対
から前記同位相または逆位相の出力を取り出す2つのト
ランジスタを選択する第3および第4の差動トランジス
タ対が、当該4個のトランジスタのエミッタに接続され
ている請求項5に記載のリング発振回路。
7. A total of four transistors for extracting the output of the second differential transistor pair are provided, and as the switching circuit, a second one of the four transistors is selected in accordance with an input selection signal. The third and fourth differential transistor pairs for selecting two transistors that take out the in-phase or the opposite-phase output from the differential transistor pair are connected to the emitters of the four transistors. A ring oscillator circuit as described.
【請求項8】前記第3または第4の差動トランジスタ対
の共通エミッタ側それぞれに、電流量の調整が可能な電
流源が接続されている請求項6に記載のリング発振回
路。
8. The ring oscillation circuit according to claim 6, wherein a current source capable of adjusting a current amount is connected to each of the common emitter sides of said third or fourth differential transistor pair.
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