JPH11112205A - Dielectric filter and filter device - Google Patents

Dielectric filter and filter device

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Publication number
JPH11112205A
JPH11112205A JP26456397A JP26456397A JPH11112205A JP H11112205 A JPH11112205 A JP H11112205A JP 26456397 A JP26456397 A JP 26456397A JP 26456397 A JP26456397 A JP 26456397A JP H11112205 A JPH11112205 A JP H11112205A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric
electrodes
dielectric layer
resonance lines
filter
Prior art date
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Pending
Application number
JP26456397A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinji Isoyama
伸治 磯山
Katsuro Nakamata
克朗 中俣
Akira Imoto
晃 井本
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP26456397A priority Critical patent/JPH11112205A/en
Publication of JPH11112205A publication Critical patent/JPH11112205A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To narrow spaces between filters and to miniaturize a device by forming shielding electrodes in the stacking direction of dielectric layers between resonance lines. SOLUTION: The shielding electrodes 41-43 are formed in the stacking direction between four resonance lines 13A-13D formed on the surface of the second dielectric layer 2. Namely, the lower ends of the shielding electrodes 41-43 are connected to the ground electrode 11 formed on the first dielectric layer 1 and the upper ends are extended to positions which are not exposed to the upper face of the third dielectric layer 3. Namely, the upper ends of the shielding electrodes 41-43 are formed in a state where they are not connected to input/output electrodes 15A and 15B and floating capacity electrodes 16A-16C. Thus, electric connection between the resonance lines 13A-13D can be reduced and the spaces between the resonance lines 13A-13D can be narrowed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体フィルタお
よびフィルタ装置に関し、特に、携帯通信用電話機等の
高周波回路無線部に組み込まれるフィルタやデュプレク
サ等に利用される積層型の誘電体フィルタおよび誘電体
フィルタを複数内蔵したフィルタ装置に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dielectric filter and a filter device, and more particularly to a laminated dielectric filter and a dielectric filter used in a filter or a duplexer incorporated in a radio section of a high-frequency circuit such as a portable communication telephone. The present invention relates to a filter device including a plurality of body filters.

【0002】[0002]

【従来の技術】携帯電話の小型化に伴い、電子部品の小
型化の要求は更に強くなっている。これに伴い、従来よ
り様々な積層型誘電体フィルタが考案されている。従来
の積層型誘電体フィルタの多くに複数の共振線路(スト
リップライン)を使用したものがあるが、それらの共振
線路間には電磁気的な結合が存在するため(それらの結
合を積極的に使用する場合を除く)、結合が特性に影響
を与えないよう、共振線路間の間隔を広げておく必要が
ある。
2. Description of the Related Art With the miniaturization of portable telephones, the demand for miniaturization of electronic components has become stronger. Along with this, various laminated dielectric filters have hitherto been devised. Many conventional laminated dielectric filters use a plurality of resonance lines (strip lines). However, electromagnetic coupling exists between the resonance lines (these couplings are actively used). ), It is necessary to increase the interval between the resonance lines so that the coupling does not affect the characteristics.

【0003】また、携帯電話のデュアル化(例えば、9
00MHz帯と1800MHz帯の両方を送受信可能)
に伴い、単純には受信用RFフィルタが2つ、送信用L
PFが2つ必要になる。
[0003] In addition, a dual mobile phone (for example, 9
(Can transmit and receive both 00MHz band and 1800MHz band)
, There are simply two RF filters for reception and L for transmission.
Two PFs are required.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、共振線
路間の間隔を広げて複数の共振線路を形成した場合に
は、積層型誘電体フィルタおよびフィルタ装置が大型化
するという問題があった。
However, when a plurality of resonance lines are formed by widening the interval between the resonance lines, there is a problem that the size of the laminated dielectric filter and the filter device increases.

【0005】また、今後、トリプル化、多システム化に
進むにつれ、フィルタの数は増加していくが、携帯電話
のサイズの大型化は許されず、更なる小型化が要求され
ている。そのため、共振線路間およびフィルタ間の結合
を低減させ、デュアル化に対応可能な積層型誘電体フィ
ルタが必要になってくる。
In the future, as the number of filters increases as the number of filters increases, the number of filters increases. However, the size of mobile phones is not allowed to increase, and further downsizing is required. Therefore, a laminated dielectric filter which can reduce the coupling between the resonance lines and between the filters and can cope with dualization is required.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の誘電体フィルタ
は、誘電体層を複数積層してなり、少なくとも一つの前
記誘電体層上に複数の共振線路が形成された誘電体フィ
ルタであって、前記共振線路間で、前記誘電体層の積層
方向にシールド電極が形成されているものである。
A dielectric filter according to the present invention comprises a plurality of dielectric layers laminated on each other, and a plurality of resonance lines formed on at least one of the dielectric layers. A shield electrode is formed between the resonance lines in a direction in which the dielectric layers are stacked.

【0007】また、少なくとも第1乃至第5誘電体層を
順次積層してなり、第1誘電体層上および第5誘電体層
上にアース電極をそれぞれ形成し、第2誘電体層上に複
数の共振線路を略平行に形成し、第3誘電体層上に入出
力電極を形成し、第4誘電体層上に複数の容量形成電極
を形成してなるとともに、前記第2誘電体層上の共振線
路と前記第4誘電体層上の容量形成電極をビアホール導
体によりそれぞれ接続し、さらに、前記共振線路間で、
前記第2誘電体層および前記第3誘電体層に積層方向に
シールド電極が形成され、該シールド電極の一端が前記
第1誘電体層上のアース電極に接続されているものであ
る。
Further, at least first to fifth dielectric layers are sequentially laminated, ground electrodes are respectively formed on the first dielectric layer and the fifth dielectric layer, and a plurality of ground electrodes are formed on the second dielectric layer. Are formed substantially in parallel, input / output electrodes are formed on a third dielectric layer, and a plurality of capacitance forming electrodes are formed on a fourth dielectric layer. And the capacitance forming electrodes on the fourth dielectric layer are connected by via-hole conductors, respectively.
A shield electrode is formed on the second dielectric layer and the third dielectric layer in a stacking direction, and one end of the shield electrode is connected to a ground electrode on the first dielectric layer.

【0008】本発明のフィルタ装置は、誘電体層を複数
積層してなる基板に複数の誘電体フィルタを内蔵してな
り、これらの誘電体フィルタのうち少なくとも一つが請
求項1または2記載の誘電体フィルタとされ、かつ、前
記誘電体フィルタ間で、前記誘電体層の積層方向にシー
ルド電極が形成されているものである。
[0008] In the filter device of the present invention, a plurality of dielectric filters are built in a substrate formed by laminating a plurality of dielectric layers, and at least one of the dielectric filters is at least one of them. And a shield electrode is formed between the dielectric filters in the stacking direction of the dielectric layers.

【0009】[0009]

【作用】本発明の誘電体フィルタでは、複数の共振線路
(ストリップライン、マイクロストリップライン)間
に、誘電体層の積層方向にシールド電極を形成したの
で、共振線路の間隔を狭くすることができ、それによ
り、小型化が可能になる。また、共振線路間のシールド
電極の大きさや形状等を制御することにより、シールド
電極の両側に形成された一対の共振線路の電磁気的な結
合状態を制御することができ、種々のフィルタ特性を得
ることができる。
According to the dielectric filter of the present invention, since the shield electrode is formed between the plurality of resonance lines (strip line and microstrip line) in the direction in which the dielectric layers are stacked, the interval between the resonance lines can be reduced. , Thereby enabling miniaturization. Further, by controlling the size and shape of the shield electrode between the resonance lines, the electromagnetic coupling state of the pair of resonance lines formed on both sides of the shield electrode can be controlled, and various filter characteristics can be obtained. be able to.

【0010】また、本発明のフィルタ装置では、フィル
タの間に誘電体層の積層方向にシールド電極を形成した
ので、フィルタ間の間隔を狭くすることができ、小型化
を促進することができる。
Further, in the filter device of the present invention, since the shield electrode is formed between the filters in the direction of lamination of the dielectric layers, the interval between the filters can be narrowed, and the miniaturization can be promoted.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

形態1 以下に、積層方向に形成してなるシールド電極を有する
積層型誘電体フィルタの実施例を示す。
Embodiment 1 An embodiment of a laminated dielectric filter having a shield electrode formed in the laminating direction will be described below.

【0012】図1は本発明の積層型誘電体フィルタ(以
下、フィルタという場合もある)の模式的展開図、図2
はフィルタの外観を示すもので内部構成を省略した外観
斜視図、図3はフィルタの断面図、図4はフィルタの等
価回路図である。
FIG. 1 is a schematic development view of a laminated dielectric filter (hereinafter sometimes referred to as a filter) of the present invention, and FIG.
Is a perspective view showing the external appearance of the filter, in which the internal structure is omitted, FIG. 3 is a sectional view of the filter, and FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the filter.

【0013】図1において、符号1〜6は第1〜第6誘
電体層である。また、符号11、12はそれぞれ第1誘
電体層1、第5誘電体層5の表面に形成されたアース電
極で、符号13A〜13Dは第2誘電体層2の表面に形
成された4つの共振線路である。
In FIG. 1, reference numerals 1 to 6 are first to sixth dielectric layers. Reference numerals 11 and 12 denote ground electrodes formed on the surfaces of the first dielectric layer 1 and the fifth dielectric layer 5, respectively. Reference numerals 13A to 13D denote four ground electrodes formed on the surface of the second dielectric layer 2. It is a resonance line.

【0014】また、符号14A〜14Dは第4誘電体層
4の表面に形成された4つの容量形成電極で、それぞれ
共振線路13A〜13Dとビアホール31〜34によっ
て接続されている。これらの容量形成電極14A〜14
Dと第5誘電体層5のアース電極12の間で共振容量が
形成されている。これらアース電極11、12と共振線
路13A〜13Dと、容量形成電極14A〜14Dと、
ビアホール31〜34で、4段の1/4波長ストリップ
ライン型共振器を構成している。
Reference numerals 14A to 14D denote four capacitance forming electrodes formed on the surface of the fourth dielectric layer 4, which are connected to the resonance lines 13A to 13D by via holes 31 to 34, respectively. These capacitance forming electrodes 14A to 14A
A resonance capacitance is formed between D and the ground electrode 12 of the fifth dielectric layer 5. These earth electrodes 11 and 12, the resonance lines 13A to 13D, the capacitance forming electrodes 14A to 14D,
The via holes 31 to 34 constitute a four-stage 波長 wavelength strip line resonator.

【0015】また、符号15A、15Bは第3誘電体層
3の表面に形成された入出力電極であり、主に容量形成
電極14A、14Dと対向することで入出力容量を形成
している。符号16A、16B、16Cは、入出力電極
15A、15B間における第3誘電体層3の表面に形成
された浮遊容量電極であり、それぞれ、1−2段間、2
−3段間、3−4段間の容量を形成している。つまり、
共振線路13A、13Bと浮遊容量電極16A、共振線
路13B、13Cと浮遊容量電極16B、共振線路13
C、13Dと浮遊容量電極16C間で容量を形成してい
る。
Reference numerals 15A and 15B denote input / output electrodes formed on the surface of the third dielectric layer 3. The input / output electrodes are mainly opposed to the capacitance forming electrodes 14A and 14D to form input / output capacitance. Reference numerals 16A, 16B, and 16C denote floating capacitance electrodes formed on the surface of the third dielectric layer 3 between the input / output electrodes 15A and 15B.
A capacitance is formed between -3 stages and 3-4 stages. That is,
The resonance lines 13A and 13B and the floating capacitance electrode 16A, the resonance lines 13B and 13C and the floating capacitance electrode 16B, the resonance line 13
A capacitance is formed between C, 13D and the floating capacitance electrode 16C.

【0016】そして、本発明の積層型誘電体フィルタで
は、共振線路13A〜13Dのそれぞれの間にシールド
電極41〜43が積層方向に形成されている。即ち、シ
ールド電極41〜43の下端は、第1誘電体層1上に形
成されたアース電極11に接続され、上端は第3誘電体
層3の上面に露出しない位置まで延設されている。つま
り、シールド電極41〜43の上端は、入出力電極15
A、15B、浮遊容量電極16A、16B、16Cに接
続しない状態で形成されいる。
In the laminated dielectric filter of the present invention, the shield electrodes 41 to 43 are formed between the resonance lines 13A to 13D in the laminating direction. That is, the lower ends of the shield electrodes 41 to 43 are connected to the ground electrode 11 formed on the first dielectric layer 1, and the upper ends extend to positions not exposed on the upper surface of the third dielectric layer 3. That is, the upper ends of the shield electrodes 41 to 43 are
A, 15B and the floating capacitance electrodes 16A, 16B, 16C are not connected.

【0017】以下に、本フィルタの製造方法について述
べる。先ず、誘電体層1〜6は、セラミックまたはガラ
スセラミックからなる誘電体材料、光硬化性モノマー、
有機バインダーを含有するスリップ材を薄層化し絶縁層
成形体を作製し、積層後、焼成することにより形成され
る。
Hereinafter, a method of manufacturing the present filter will be described. First, the dielectric layers 1 to 6 are made of a dielectric material made of ceramic or glass ceramic, a photocurable monomer,
It is formed by thinning a slip material containing an organic binder to produce a molded insulating layer, laminating and firing.

【0018】絶縁層成形体となるスリップ材は、セラミ
ック原料粉末、光硬化可能なモノマー、有機バインダ
ー、及び有機溶剤または水とを均質混練したスリップ材
である。尚、絶縁層成形体材料としてセラミック原料粉
末を挙げているが、ガラスセラミックをも含む。
The slip material used as the insulating layer molded body is a slip material obtained by homogeneously kneading a ceramic raw material powder, a photocurable monomer, an organic binder, and an organic solvent or water. In addition, although ceramic raw material powder is mentioned as an insulating layer molded body material, glass ceramic is also included.

【0019】また、850〜1050℃で焼成される低
温焼成基板においては、セラミック原料粉末は、金属元
素として少なくともMg、Ti、Caを含有する複合酸
化物であって、その金属元素酸化物による組成式を(1
−x)MgTiO3 −xCaTiO3 (但し、式中xは
重量比を表し、0.01≦x≦0.15)で表される主
成分100重量部に対して、硼素含有化合物をB2 3
換算で3〜30重量部、アルカリ金属含有化合物をアル
カリ金属炭酸塩換算で1〜25重量部添加含有してなる
ものが望ましい。
In a low-temperature fired substrate fired at 850 to 1050 ° C., the ceramic raw material powder is a composite oxide containing at least Mg, Ti, and Ca as metal elements, and the composition of the metal oxide is Expression (1
-X) MgTiO 3 -xCaTiO 3 (where x represents a weight ratio and 0.01 ≦ x ≦ 0.15), and 100 parts by weight of the main component represented by B 2 O Three
It is preferable to add 3 to 30 parts by weight in terms of conversion and 1 to 25 parts by weight of an alkali metal-containing compound in terms of alkali metal carbonate.

【0020】上述のセラミック原料粉末の他に、スリッ
プ材の構成材料としては、焼結によって消失される光硬
化可能なモノマー、有機バインダーと、さらに、有機溶
剤または水とを含んでいる。有機溶剤を含むスリップ材
は溶剤系スリップ材といい、また、水を含むスリップ材
は水系スリップ材といい、溶剤系スリップ材と水系スリ
ップ材とでは、光硬化可能なモノマー及び有機バインダ
ーとが若干異なる。
In addition to the above-mentioned ceramic raw material powder, the constituent materials of the slip material include a photocurable monomer and an organic binder which are eliminated by sintering, and further, an organic solvent or water. A slip material containing an organic solvent is called a solvent-based slip material, and a slip material containing water is called a water-based slip material.In the solvent-based slip material and the water-based slip material, a photocurable monomer and an organic binder are slightly mixed. different.

【0021】尚、有機溶剤または水は主にスリップの粘
度等を調整するものであり、焼成工程の脱バインダ過程
で完全に消失してしまう。
Incidentally, the organic solvent or water mainly adjusts the viscosity of the slip and the like, and is completely lost during the binder removal process in the firing step.

【0022】溶剤系スリップ材の光硬化可能なモノマー
は、低温短時間の焼成工程に対応するために、熱分解性
に優れたものでなくてはならない。光硬化可能なモノマ
ーとしては、スリップ材の塗布・乾燥後の露光によっ
て、光重合される必要があり、遊離ラジカルの形成、連
鎖生長付加重合が可能で、2級もしくは3級炭素を有し
たモノマーが好ましく、例えば少なくとも1つの重合可
能なエチレン系基を有するブチルアクリレート等のアル
キルアクリレートおよびそれらに対応するアルキルメタ
クリレートが有効である。また、テトラエチレングリコ
ールジアクリレート等のポリエチングリコールジアクリ
レートおよびそれらに対応するメタクリレートも有効で
ある。光硬化可能なモノマーは、露光で硬化され、現像
で露光以外部分が容易に除去できるような範囲で添加さ
れ、例えば、固形分に対して5〜15重量%である。
The photocurable monomer of the solvent-based slip material must have excellent thermal decomposability in order to cope with a low-temperature and short-time baking process. As a photocurable monomer, a monomer having a secondary or tertiary carbon, which needs to be photopolymerized by exposure after application of a slip material and drying, capable of forming free radicals and chain growth addition polymerization. For example, alkyl acrylates such as butyl acrylate having at least one polymerizable ethylenic group and the corresponding alkyl methacrylates are effective. Further, polyethyne glycol diacrylates such as tetraethylene glycol diacrylate and methacrylates corresponding thereto are also effective. The photo-curable monomer is added in such a range that it can be cured by exposure and a portion other than the exposure can be easily removed by development.

【0023】溶剤系スリップ材の有機バインダは、光硬
化可能なモノマー同様に熱分解性の良好なものでなくて
はならない。同時にスリップの粘性を決めるものである
ため、固形分との濡れ性も重視せねばならず、本発明者
等の検討によればアクリル酸もしくはメタクリル酸系重
合体のようなカルボキシル基、アルコール性水酸基を備
えたエチレン性不飽和化合物が好ましい。添加量として
は固形分に対して25重量%以下が好ましい。
The organic binder of the solvent-based slip material must have good thermal decomposability like the photocurable monomer. At the same time, because it determines the viscosity of the slip, wettability with solids must also be emphasized. According to studies by the present inventors, carboxyl groups such as acrylic acid or methacrylic acid-based polymers, alcoholic hydroxyl groups Preferred are ethylenically unsaturated compounds with The addition amount is preferably 25% by weight or less based on the solid content.

【0024】また、水系スリップ材の光硬化可能なモノ
マー及び有機バインダーは、水溶性である必要があり、
モノマー及びバインダには、親水性の官能基、例えばカ
ルボキシル基が付加されている。その付加量は酸価で表
せば2〜300であり、好ましくは5〜100である。
付加量が少ない場合は水への溶解性、固形成分の粉末の
分散性が悪くなり、多い場合は熱分解性が悪くなるた
め、付加量は、水への溶解性、分散性、熱分解性を考慮
して、上述の範囲で適宜付加される。
The photocurable monomer and the organic binder of the water-based slip material must be water-soluble,
A hydrophilic functional group such as a carboxyl group is added to the monomer and the binder. The amount of addition is 2 to 300, and preferably 5 to 100 in terms of acid value.
If the added amount is small, the solubility in water and the dispersibility of the solid component powder become poor, and if the added amount is large, the thermal decomposability becomes poor. In consideration of the above, it is appropriately added within the above range.

【0025】何れの系のスリップ材における光硬化可能
なモノマー及び有機バインダーは上述したように熱分解
性の良好なものでなくてはならないが、具体的には60
0℃以下で熱分解が可能でなくてはならない。更に好ま
しくは500℃以下である。
As described above, the photocurable monomer and the organic binder in any of the slip materials must have good thermal decomposability.
Thermal decomposition must be possible below 0 ° C. More preferably, the temperature is 500 ° C. or lower.

【0026】熱分解温度が600℃を越えると、誘電体
層内に残存してしまい、カーボンとしてトラップし、基
板を灰色に変色させたり、誘電体層の絶縁抵抗までも低
下させてしまう。またボイドとなりデラミネーションを
起こすことがある。
If the thermal decomposition temperature exceeds 600 ° C., it remains in the dielectric layer, is trapped as carbon, changes the color of the substrate to gray, and lowers the insulation resistance of the dielectric layer. In addition, it may become a void and cause delamination.

【0027】また、スリップ材として、増感剤、光開始
系材料等を必要に応じて添加しても構わない。例えば、
光開始系材料としては、ベンゾフェノン類、アシロイン
エステル類化合物などが挙げられる。
As a slip material, a sensitizer, a photoinitiating material or the like may be added as required. For example,
Examples of the photoinitiating material include benzophenones and acyloin ester compounds.

【0028】上述のように、セラミック原料粉末、光硬
化可能なモノマー、有機バインダーさらに、有機溶剤ま
たは水とともに混合、混練して、絶縁層となる溶剤系ス
リップ材または水系スリップ材が構成される。混合・混
練方法は従来より用いられている方法、例えばボールミ
ルによる方法を用いればよい。スリップ材の薄層化方法
は、例えば、ドクターブレード法(ナイフコート法)、
ロールコート法、印刷法などにより形成され、特に塗布
後の絶縁膜の表面が平坦化することが容易なドクターブ
レード法などが好適である。尚、薄層化の方法に応じて
所定粘度に調整される。
As described above, the solvent-based slip material or the water-based slip material serving as the insulating layer is formed by mixing and kneading with the ceramic raw material powder, the photocurable monomer, the organic binder, and the organic solvent or water. The method of mixing and kneading may be a conventionally used method, for example, a method using a ball mill. Examples of the method for thinning the slip material include a doctor blade method (knife coat method),
A doctor blade method or the like, which is formed by a roll coating method, a printing method, or the like, and in which the surface of the insulating film after application is easy to flatten, is particularly preferable. The viscosity is adjusted to a predetermined value according to the method of thinning.

【0029】また、各種電極となる導体材料の導電性ペ
ーストは、金、銀、銅もしくはその合金のうち少なくと
も1つの金属材料の粉末と、低融点ガラス成分と、有機
バインダーと、有機溶剤とを均質混練したものが使用さ
れる。特に、焼成温度が850〜1050℃であるた
め、金属材料としては、比較的低融点であり、且つ低抵
抗材料が選択される。
Further, the conductive paste of a conductive material to be various electrodes is made of a powder of at least one metal material of gold, silver, copper or an alloy thereof, a low melting point glass component, an organic binder, and an organic solvent. A homogeneously kneaded mixture is used. In particular, since the firing temperature is 850 to 1050 ° C., a material having a relatively low melting point and a low resistance is selected as the metal material.

【0030】本発明の積層型誘電体フィルタは、先ず、
支持基板上にスリップ材料を薄層化(以下、単に塗布と
いう)・乾燥を繰り返して誘電体層1となる絶縁層成形
体を形成する。
The laminated dielectric filter of the present invention firstly
The slip material is repeatedly thinned (hereinafter, simply referred to as coating) and dried on the supporting substrate to form an insulating layer molded body to be the dielectric layer 1.

【0031】塗布方法としては、ドクターブレード法や
ロールコート法、塗布面積を概略支持基板と同一面積と
するスクリーンを用いた印刷法などによって形成され
る。乾燥方法としては、バッチ式乾燥炉、インライン式
乾燥炉を用いて行われ、乾燥条件は、120℃以下が望
ましい。また、急激な乾燥は、表面にクラックを発生さ
せる可能性があるため、急加熱は避けることが重要とな
る。
As a coating method, it is formed by a doctor blade method, a roll coating method, a printing method using a screen having a coating area approximately the same as that of the supporting substrate, or the like. The drying method is performed using a batch-type drying furnace or an inline-type drying furnace, and the drying condition is desirably 120 ° C. or lower. Also, rapid drying may cause cracks on the surface, so it is important to avoid rapid heating.

【0032】ここで、支持基板としては、ガラス基板、
有機フィルム、アルミナセラミックなどが例示できる。
この支持基板は、焼成工程前で取り外されるが、特にア
ルミナセラミックなどの場合には、同時に焼成を行い、
完成品の積層型誘電体フィルタの一部を構成するように
しても構わない。従って、このアルミナ支持基板に、内
部配線や表面配線を形成しておいても構わない。
Here, a glass substrate,
Examples thereof include an organic film and an alumina ceramic.
This support substrate is removed before the firing step, but in the case of alumina ceramics and the like, firing is performed simultaneously,
A part of the completed laminated dielectric filter may be constituted. Therefore, an internal wiring or a surface wiring may be formed on this alumina support substrate.

【0033】次に、支持基板上に形成した誘電体層1と
なる絶縁層成形体に、上記した導電性ペーストを用いて
アース電極11となる導体を形成する。この後、アース
電極11となる導体の上面に、スリップ材料を薄層化
(以下、単に塗布という)・乾燥を繰り返して誘電体層
2となる絶縁層成形体を形成する。
Next, a conductor serving as the ground electrode 11 is formed on the insulating layer formed body serving as the dielectric layer 1 formed on the support substrate by using the above-mentioned conductive paste. Thereafter, on the upper surface of the conductor serving as the ground electrode 11, the slip material is repeatedly thinned (hereinafter simply referred to as coating) and dried to form an insulating layer molded body serving as the dielectric layer 2.

【0034】誘電体層2には、シールド電極41〜43
が、誘電体層の積層方向に形成されているが、このシー
ルド電極41〜43は、スリップ材料を塗布、乾燥した
膜に対して、あるいはこの膜に塗布、乾燥を繰り返して
形成された膜に対して、露光・現像をし、誘電体層の積
層方向に貫通溝を形成する。実際には、貫通溝の下部
は、誘電体層1の絶縁層成形体によって閉塞されている
が、便宜上貫通溝という。
The dielectric layer 2 includes shield electrodes 41 to 43
Are formed in the direction of lamination of the dielectric layers, and the shield electrodes 41 to 43 are formed on a film formed by applying and drying a slip material or by repeatedly applying and drying the film. On the other hand, exposure and development are performed to form through grooves in the direction of lamination of the dielectric layers. Actually, the lower part of the through groove is closed by the insulating layer molded body of the dielectric layer 1, but is referred to as a through groove for convenience.

【0035】露光処理は、例えば、フォトターゲットを
絶縁層成形体上に近接または載置して、貫通溝以外の領
域に、低圧、高圧、超高圧の水銀灯系の露光光を照射す
る。
In the exposure treatment, for example, a photo target is brought close to or placed on the insulating layer molded body, and a region other than the through groove is irradiated with low-pressure, high-pressure, or ultra-high-pressure mercury lamp exposure light.

【0036】これにより、貫通溝以外の領域では、光硬
化可能なモノマーが光重合反応を起こす。従って、貫通
溝部分のみが現像処理によって除去可能な溶化部とな
る。
As a result, in the region other than the through groove, the photocurable monomer causes a photopolymerization reaction. Therefore, only the through-groove portion becomes a fusible portion that can be removed by the developing process.

【0037】尚、実際には、フォトターゲットを絶縁層
成形体に接触させて露光した方が露光精度は向上する。
また、最適露光時間は絶縁層成形体の厚み、貫通溝の幅
などで決まる。尚、露光装置は所謂写真製版技術に用い
る一般的なものでよい。
In practice, the exposure accuracy is improved when the photo target is brought into contact with the insulating layer molded body and exposed.
The optimal exposure time is determined by the thickness of the molded insulating layer, the width of the through groove, and the like. The exposure apparatus may be a general one used for a so-called photoengraving technique.

【0038】現像処理は、クロロセン等の溶剤を例えば
スプレー現像法やパドル現像法によって、貫通溝である
露光溶化部に接触させ、現像を行う。その後、必要に応
じて洗浄及び乾燥を行なう。
In the developing treatment, a solvent such as chlorocene is brought into contact with the exposed and solubilized portion, which is a through groove, by, for example, a spray developing method or a paddle developing method to perform development. Thereafter, washing and drying are performed as necessary.

【0039】次に、シールド電極41〜43となる導体
部材を、導電性ペーストの貫通溝内への充填・乾燥によ
って形成する。充填方法は、例えばスクリーン印刷方法
で行なう。尚、シールド電極作成時に一緒にビアホール
を形成することも可能である。
Next, a conductor member to be the shield electrodes 41 to 43 is formed by filling and drying the conductive paste into the through-groove. The filling method is performed by, for example, a screen printing method. In addition, it is also possible to form a via hole together when the shield electrode is formed.

【0040】この後、誘電体層2となる絶縁層成形体の
上面に、共振線路13A〜13Dとなる導体を形成す
る。この上面にスリップ材料の塗布、乾燥を繰り返して
誘電体層3となる絶縁層成形体を形成し、以下、上記工
程を繰り返し、図1に示すようなパターン構造をもつ積
層成形体を作製する。
Thereafter, conductors serving as the resonance lines 13A to 13D are formed on the upper surface of the insulating layer formed body serving as the dielectric layer 2. The application and drying of the slip material is repeated on this upper surface to form an insulating layer molded body that will become the dielectric layer 3. Thereafter, the above steps are repeated to produce a laminated molded body having a pattern structure as shown in FIG.

【0041】尚、誘電体層を形成する際、1回の塗布で
形成しても良いが、2回以上に分けて形成しても良い。
特に、誘電体層3を作製する場合に、先ずスリップ材料
の塗布、乾燥、露光、現像し、絶縁層成形体のシールド
電極の貫通溝およびビアホール導体31〜34の貫通孔
に導電性ペーストを充填し、シールド電極41〜43、
ビアホール導体31〜34となる導体部材を作製した
後、再度、スリップ材料の塗布、乾燥、露光、現像し、
絶縁層成形体にビアホール導体用の貫通孔を形成し、こ
れに導電性ペーストを充填することにより作製できる。
When the dielectric layer is formed, it may be formed by one application, or may be formed in two or more steps.
In particular, when the dielectric layer 3 is manufactured, first, a slip material is applied, dried, exposed, and developed, and a conductive paste is filled into the through-hole of the shield electrode and the through-hole of the via-hole conductors 31 to 34 of the insulating layer molded body. And the shield electrodes 41 to 43,
After preparing conductor members to be the via-hole conductors 31 to 34, application, drying, exposure, and development of a slip material are performed again,
It can be manufactured by forming a through-hole for a via-hole conductor in an insulating layer molded body and filling it with a conductive paste.

【0042】最後に焼成を行なう。焼成工程は脱バイン
ダ過程と焼成過程からなり、脱バインダ過程(〜600
℃)で絶縁層成形体、各種電極の有機成分を消失する。
その後、所定雰囲気、所定温度で誘電体層となる絶縁層
成形体及び各種電極となる導体部材を一括的に焼成する
ことにより、本発明の積層型誘電体フィルタが得られ
る。
Finally, firing is performed. The firing step includes a binder removal step and a firing step.
° C), the organic components of the insulating layer molded body and various electrodes disappear.
Thereafter, the laminated dielectric filter of the present invention can be obtained by firing the insulating layer molded body to be the dielectric layer and the conductor members to be various electrodes at a predetermined atmosphere and at a predetermined temperature.

【0043】本発明の積層型誘電体フィルタは、単体で
は図2に示すような形状となる。入出力電極15A、1
5Bに対応する位置に、外部入出力電極21、22が形
成され、残りの2側面に外部アース電極23、24が形
成される。外部アース電極23にはアース電極11、1
2が接続されるが、外部アース電極24には、更に共振
電極13A〜13Dが接続される。
The laminated dielectric filter of the present invention has a shape as shown in FIG. 2 when used alone. Input / output electrodes 15A, 1
External input / output electrodes 21 and 22 are formed at positions corresponding to 5B, and external ground electrodes 23 and 24 are formed on the remaining two side surfaces. The external ground electrode 23 has a ground electrode 11, 1
2 are connected, and the external ground electrode 24 is further connected to the resonance electrodes 13A to 13D.

【0044】本発明の積層型誘電体フィルタを回路基板
に内蔵する(一体的に作製する)ことも可能である。こ
の場合、外部アース電極23、24や外部入出力電極2
1、22の代わりに、ビアホール導体や垂直電極等を用
いると、回路基板の任意の箇所に積層型誘電体フィルタ
を内蔵でき好ましい。
The laminated dielectric filter of the present invention can be built in a circuit board (made integrally). In this case, the external ground electrodes 23 and 24 and the external input / output electrode 2
It is preferable to use a via-hole conductor, a vertical electrode, or the like instead of 1 and 22 because a laminated dielectric filter can be built in an arbitrary portion of the circuit board.

【0045】本発明の積層型誘電体フィルタの等価回路
を図4に示し、これについて以下に説明する。共振線路
13A〜13Dおよびビアホール導体31、34により
共振用インダクタ51〜54が構成され、容量形成電極
14A〜14Dとアース電極12の間の容量により、共
振用コンデンサ55〜58が構成される。入出力電極1
5Aと容量形成電極14Aとの間で入出力コンデンサ6
1、同様に、入出力電極15Bと容量形成電極14Dと
の間で入出力コンデンサ65を構成している。
FIG. 4 shows an equivalent circuit of the laminated dielectric filter of the present invention, which will be described below. The resonance lines 13A to 13D and the via-hole conductors 31 and 34 form resonance inductors 51 to 54, and the capacitance between the capacitance forming electrodes 14A to 14D and the ground electrode 12 form resonance capacitors 55 to 58. Input / output electrode 1
5A and the capacitance forming electrode 14A between the input / output capacitor 6
1. Similarly, an input / output capacitor 65 is formed between the input / output electrode 15B and the capacitance forming electrode 14D.

【0046】また、浮遊容量電極16A〜16Cによ
り、隣り合う共振線路間のコンデンサ(段間容量)62
〜64を構成している。
The capacitors (interstage capacitance) 62 between adjacent resonance lines are formed by the floating capacitance electrodes 16A to 16C.
~ 64.

【0047】共振線路13A〜13Dの隣り合う線路間
に、積層方向に形成されるシールド電極が無い場合、電
磁気的な結合が発生し、それは等価回路において相互イ
ンダクタンスMにより表される。しかし、本願発明の積
層型誘電体フィルタでは、共振線路間にシールド電極4
1〜43が存在するので、線路間の結合は弱められ、等
価回路中のMよりもコンデンサ(段間容量)62〜64
が支配的になる。
When there is no shield electrode formed in the stacking direction between adjacent lines of the resonance lines 13A to 13D, electromagnetic coupling occurs, which is represented by a mutual inductance M in an equivalent circuit. However, in the multilayer dielectric filter of the present invention, the shield electrode 4 is provided between the resonance lines.
1 to 43, the coupling between the lines is weakened, and the capacitors (inter-stage capacitances) 62 to 64 are smaller than M in the equivalent circuit.
Becomes dominant.

【0048】このような積層型誘電体フィルタでは、共
振線路13A〜13D間に、誘電体層の積層方向にシー
ルド電極41〜43を形成したので、このシールド電極
41〜43により共振線路13A〜13D間の電磁気的
な結合を低減することができ、これにより共振線路13
A〜13Dの間隔を狭くすることができ、小型化が可能
になる。
In such a laminated dielectric filter, since the shield electrodes 41 to 43 are formed between the resonance lines 13A to 13D in the direction in which the dielectric layers are laminated, the resonance lines 13A to 13D are formed by the shield electrodes 41 to 43. Electromagnetic coupling between the resonant lines 13
The interval between A to 13D can be reduced, and downsizing can be achieved.

【0049】また、共振線路間のシールド電極を大きさ
や形状等を制御することにより、即ち、図5は2つの共
振線路13A、13B間にシールド電極41を形成した
状態を示す側面方向から見た説明図であるが、シールド
電極41が共振線路13A、13Bから上方に突出する
高さhを変更することにより、シールド電極41の両側
に形成された一対の共振線路13A、13Bの電磁気的
な結合状態を制御することができ、種々のフィルタ特性
を得ることができる。また、図6は、2つの共振線路1
3A、13B間にシールド電極41を形成した状態を示
す平面的に見た説明図であるが、シールド電極41の大
きさ(長さ、厚み)および形成位置を調整することによ
っても、共振線路13A、13Bの電磁気的な結合状態
を制御することができる。
Further, by controlling the size and shape of the shield electrode between the resonance lines, that is, FIG. 5 is a side view showing a state where the shield electrode 41 is formed between the two resonance lines 13A and 13B. It is an explanatory view, but by changing the height h of the shield electrode 41 protruding upward from the resonance lines 13A and 13B, electromagnetic coupling of the pair of resonance lines 13A and 13B formed on both sides of the shield electrode 41 is performed. The state can be controlled, and various filter characteristics can be obtained. FIG. 6 shows two resonance lines 1.
FIG. 5 is an explanatory plan view showing a state in which a shield electrode 41 is formed between 3A and 13B. The resonance line 13A can also be formed by adjusting the size (length, thickness) and formation position of the shield electrode 41. , 13B can be controlled.

【0050】形態2 以下に、本発明の2つの積層型誘電体フィルタを複合化
し、これらの間に積層方向にシールド電極が形成された
フィルタ装置を示す。
Embodiment 2 Hereinafter, a filter device in which two laminated dielectric filters of the present invention are combined and a shield electrode is formed therebetween in the laminating direction will be described.

【0051】図7は本発明のフィルタ装置の模式的展開
図、図8はフィルタ装置の外観を示すものである。この
フィルタ装置には誘電体フィルタが2つ内蔵されてい
る。
FIG. 7 is a schematic development view of the filter device of the present invention, and FIG. 8 shows the appearance of the filter device. This filter device contains two dielectric filters.

【0052】図7において符号1〜6は誘電体層であ
る。符号13E〜13Jは誘電体層2の一主面に形成さ
れた共振線路で、符号11、12はアース電極である。
In FIG. 7, reference numerals 1 to 6 denote dielectric layers. Reference numerals 13E to 13J denote resonance lines formed on one main surface of the dielectric layer 2, and reference numerals 11 and 12 denote ground electrodes.

【0053】符号14E〜14Jは誘電体層4の一主面
に形成された容量形成電極で、それぞれ共振線路13E
〜13Jとビアホール導体31〜37によって接続され
ている。また、これらの容量形成電極14E〜14Jと
アース電極12の間で共振容量が形成されている。ま
た、符号15C〜15Fは誘電体層3の一主面に形成さ
れた入出力電極であり、符号16D〜16Gは浮遊容量
電極である。
Reference numerals 14E to 14J denote capacitance forming electrodes formed on one main surface of the dielectric layer 4, each of which is a resonance line 13E.
To 13J and via-hole conductors 31 to 37. A resonance capacitance is formed between these capacitance forming electrodes 14E to 14J and the ground electrode 12. Reference numerals 15C to 15F are input / output electrodes formed on one main surface of the dielectric layer 3, and reference numerals 16D to 16G are floating capacitance electrodes.

【0054】符号44は積層方向に形成されたシールド
電極で、このシールド電極により、2つの積層型誘電体
フィルタの結合を低減させ、フィルタの複合化に寄与し
ている。シールド電極44は、上部をアース電極12
に、下端がアース電極11に接続されている。尚、図7
における共振線路13E〜13J間には、図示しない
が、図1と同様にシールド電極が形成されている。
Reference numeral 44 denotes a shield electrode formed in the stacking direction. The shield electrode reduces the coupling between the two stacked dielectric filters, thereby contributing to the composite filter. The upper part of the shield electrode 44 is the ground electrode 12.
The lower end is connected to the ground electrode 11. Note that FIG.
Although not shown, a shield electrode is formed between the resonance lines 13E to 13J in the same manner as in FIG.

【0055】図8は、このようなフィルタ装置の外観斜
視図であり、入出力電極15C〜15Fに対応する位置
に外部入出力電極25A、25B、26A、26Bが形
成されている。また、外部入出力電極25A、25B、
26A、26Bと異なる側面に、外部アース電極27
A、27Bが形成され、アース電極11、12が接続さ
れている。さらに、外部アース電極27Aには共振線路
13E〜13Gが接続され、外部アース電極27Bには
共振線路13H〜13Jが接続されている。外部入出力
電極25A、25B、26A、26Bと同一側面に、外
部アース電極28、29が形成され、シールド電極44
と接続されている。
FIG. 8 is an external perspective view of such a filter device. External input / output electrodes 25A, 25B, 26A, 26B are formed at positions corresponding to the input / output electrodes 15C to 15F. Further, external input / output electrodes 25A, 25B,
On the side different from 26A and 26B, an external earth electrode 27 is provided.
A and 27B are formed, and the ground electrodes 11 and 12 are connected. Further, resonance lines 13E to 13G are connected to the external earth electrode 27A, and resonance lines 13H to 13J are connected to the external earth electrode 27B. External ground electrodes 28 and 29 are formed on the same side surface as the external input / output electrodes 25A, 25B, 26A and 26B.
Is connected to

【0056】このようなフィルタ装置では、共振線路間
の結合を低減することができるとともに、2つの積層型
誘電体フィルタを近接した状態で設けることも可能とな
る。
In such a filter device, the coupling between the resonance lines can be reduced, and the two laminated dielectric filters can be provided close to each other.

【0057】尚、上記図7において、2つの誘電体フィ
ルタの一方の誘電体フィルタの共振線路間のみにシール
ド電極を形成しても良い。共振線路間にシールド電極を
形成しない誘電体フィルタ間にシールド壁を形成しても
良い。
In FIG. 7, a shield electrode may be formed only between the resonance lines of one of the two dielectric filters. A shield wall may be formed between dielectric filters in which no shield electrode is formed between the resonance lines.

【0058】尚、積層型誘電体フィルタのパターン構造
は上記実施例だけでなく、少なくとも複数の共振線路を
有するパターン構造であれば、上記以外のパターン構造
であっても良いことは勿論である。
Incidentally, the pattern structure of the laminated dielectric filter is not limited to the above embodiment, but may be any other pattern structure as long as it has at least a plurality of resonance lines.

【0059】また、本発明のフィルタ装置では、例え
ば、バンドパスフィルタ(BPF)、ローパスフィルタ
(LPF)との組み合わせや、LPFとLPFの組み合
わせ等でも可能である。また、2つのフィルタの複合だ
けでなく、3つ以上、例えば、BPF2つとLPF2つ
を複合化し、それぞれの間にシールド電極を設けても良
いことは勿論である。
In the filter device of the present invention, for example, a combination of a band-pass filter (BPF) and a low-pass filter (LPF), a combination of an LPF and an LPF, and the like are possible. In addition, it goes without saying that not only a combination of two filters but also three or more, for example, two BPFs and two LPFs may be combined and a shield electrode may be provided between each.

【0060】[0060]

【発明の効果】本発明の誘電体フィルタでは、複数の共
振線路間に誘電体層の積層方向にシールド電極を形成し
たので、共振線路の間隔を狭くすることができ、小型化
が可能になる。また、共振線路間のシールド電極を大き
さや形状等を制御することにより、シールド電極の両側
に形成された一対の共振線路の電磁気的な結合状態を制
御することができ、種々のフィルタ特性を得ることがで
きる。
According to the dielectric filter of the present invention, since the shield electrode is formed between the plurality of resonance lines in the direction in which the dielectric layers are stacked, the interval between the resonance lines can be reduced, and the size can be reduced. . Further, by controlling the size, shape, and the like of the shield electrode between the resonance lines, the electromagnetic coupling state of a pair of resonance lines formed on both sides of the shield electrode can be controlled, and various filter characteristics can be obtained. be able to.

【0061】また、本発明のフィルタ装置では、フィル
タの間に誘電体層の積層方向にシールド電極を形成した
ので、フィルタ間の間隔を狭くすることができ、小型化
を促進することができる。
Further, in the filter device of the present invention, since the shield electrode is formed between the filters in the direction of lamination of the dielectric layers, the interval between the filters can be reduced, and the miniaturization can be promoted.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の誘電体フィルタの導体部分の模式図で
ある。
FIG. 1 is a schematic view of a conductor portion of a dielectric filter according to the present invention.

【図2】本発明の誘電体フィルタの外観斜視図である。FIG. 2 is an external perspective view of the dielectric filter of the present invention.

【図3】本発明の誘電体フィルタの断面図である。FIG. 3 is a sectional view of the dielectric filter of the present invention.

【図4】本発明の誘電体フィルタの等価回路図である。FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the dielectric filter of the present invention.

【図5】本発明の誘電体フィルタのシールド電極の突出
高さを説明するための側面方向から見た説明図である。
FIG. 5 is an explanatory view seen from a side direction for explaining a protruding height of a shield electrode of the dielectric filter of the present invention.

【図6】本発明の誘電体フィルタのシールド電極の形成
位置を説明するための平面方向から見た説明図である。
FIG. 6 is an explanatory view seen from a plane direction for explaining a formation position of a shield electrode of the dielectric filter of the present invention.

【図7】本発明のフィルタ装置の導体部分の模式図であ
る。
FIG. 7 is a schematic view of a conductor portion of the filter device of the present invention.

【図8】本発明のフィルタ装置の外観斜視図である。FIG. 8 is an external perspective view of the filter device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1〜6・・・誘電体層 11、12・・・アース電極 13A〜13J・・・共振線路 14A〜14J・・・容量形成電極 15A〜15F・・・入出力電極 16A〜16G・・・浮遊容量電極 21、22、25A、25B、26A、26B・・・外
部入出力電極 23、24、27A、27B、28、29・・・外部ア
ース電極 31〜37・・・ビアホール導体 41〜44・・・シールド電極 51〜54・・・共振用インダクタ 55〜58・・・共振用コンデンサ 61,65・・・入出力コンデンサ 62〜64・・・段間コンデンサ
1 to 6: Dielectric layer 11, 12: Earth electrode 13A to 13J: Resonant line 14A to 14J: Capacitance forming electrode 15A to 15F: Input / output electrode 16A to 16G: Floating Capacitance electrodes 21, 22, 25A, 25B, 26A, 26B ... external input / output electrodes 23, 24, 27A, 27B, 28, 29 ... external earth electrodes 31 to 37 ... via hole conductors 41 to 44 ...・ Shield electrodes 51-54 ・ ・ ・ Resonant inductors 55-58 ・ ・ ・ Resonant capacitors 61,65 ・ ・ ・ Input / output capacitors 62-64 ・ ・ ・ Interstage capacitors

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】誘電体層を複数積層してなり、少なくとも
一つの前記誘電体層上に複数の共振線路が形成された誘
電体フィルタであって、前記共振線路間で、前記誘電体
層の積層方向にシールド電極が形成されていることを特
徴とする誘電体フィルタ。
1. A dielectric filter comprising a plurality of stacked dielectric layers, wherein a plurality of resonance lines are formed on at least one of said dielectric layers, wherein said resonance layer includes a plurality of resonance lines formed between said resonance lines. A dielectric filter, wherein a shield electrode is formed in a stacking direction.
【請求項2】少なくとも第1乃至第5誘電体層を順次積
層してなり、第1誘電体層上および第5誘電体層上にア
ース電極をそれぞれ形成し、第2誘電体層上に複数の共
振線路を略平行に形成し、第3誘電体層上に入出力電極
を形成し、第4誘電体層上に複数の容量形成電極を形成
してなるとともに、前記第2誘電体層上の共振線路と前
記第4誘電体層上の容量形成電極をビアホール導体によ
りそれぞれ接続し、さらに、前記共振線路間で、前記第
2誘電体層および前記第3誘電体層に積層方向にシール
ド電極が形成され、該シールド電極の一端が前記第1誘
電体層上のアース電極に接続されていることを特徴とす
る請求項1記載の誘電体フィルタ。
2. The method according to claim 1, wherein at least first to fifth dielectric layers are sequentially laminated, ground electrodes are respectively formed on the first dielectric layer and the fifth dielectric layer, and a plurality of ground electrodes are formed on the second dielectric layer. Are formed substantially in parallel, input / output electrodes are formed on a third dielectric layer, and a plurality of capacitance forming electrodes are formed on a fourth dielectric layer. And a capacitance forming electrode on the fourth dielectric layer are connected by via-hole conductors, and a shield electrode is provided between the resonance lines on the second dielectric layer and the third dielectric layer in the stacking direction. 2. The dielectric filter according to claim 1, wherein one end of the shield electrode is connected to a ground electrode on the first dielectric layer.
【請求項3】誘電体層を複数積層してなる基板に複数の
誘電体フィルタを内蔵してなり、これらの誘電体フィル
タのうち少なくとも一つが請求項1または2記載の誘電
体フィルタとされ、かつ、前記誘電体フィルタ間で、前
記誘電体層の積層方向にシールド電極が形成されている
ことを特徴とするフィルタ装置。
3. A dielectric filter according to claim 1, wherein a plurality of dielectric filters are built in a substrate formed by laminating a plurality of dielectric layers, and at least one of the dielectric filters is the dielectric filter according to claim 1 or 2. And a shield electrode is formed between the dielectric filters in the direction in which the dielectric layers are stacked.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003046358A (en) * 2001-05-16 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Laminated filter, laminated composite device, and communication device
CN1325449C (en) * 2001-04-19 2007-07-11 Tdk株式会社 Compound for organic el element and organic el element

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