JPH11111756A - Semiconductor device and its manufacture - Google Patents

Semiconductor device and its manufacture

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JPH11111756A
JPH11111756A JP9275438A JP27543897A JPH11111756A JP H11111756 A JPH11111756 A JP H11111756A JP 9275438 A JP9275438 A JP 9275438A JP 27543897 A JP27543897 A JP 27543897A JP H11111756 A JPH11111756 A JP H11111756A
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adhesive
semiconductor device
tab tape
function
manufacturing
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路高 漆島
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same by which adhesiveness is improved between a base film and a heat radiating plate, without degrading the quality and short-circuits (bridges) between solder bumps due to peeling are prevented. SOLUTION: A semiconductor device 30 includes a semiconductor chip 4 connected to a device hole 31 and TAB tape 23, on which electrodes of the semiconductor chip 4 are connected to lands 32 on which bumps 11 are formed via inner leads 20. The TAB tape 23 can be jointed by its structure to a mount board 33. In this case, a reinforcing material 14 is connected to the TAB tape 23 via an adhesive material 15 having a function of temporary adhesion.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、TABテープ(T
ape Automated Bonding)を用い
た半導体装置及びその製造方法に関するものであり、特
に詳しくは、補強材を取りつけた、バンプを用いて実装
基板に接続する半導体装置に関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a TAB tape (T
More particularly, the present invention relates to a semiconductor device connected to a mounting substrate using a bump, to which a reinforcing material is attached, using a bump.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の半導体装置としては、特
開平8−318691号公報の明細書に記載されたもの
が知られている。当該公知の半導体装置の構成の例を図
8を参照しながら説明する。つまり、図9(A)及び図
9(B)に示されているように、従来のTABテープ
は、ポリイミド等の絶縁性ベースフィルム9に、半導体
チップ4を固定することによって製作されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as this kind of semiconductor device, one described in the specification of Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-318691 is known. An example of the configuration of the known semiconductor device will be described with reference to FIG. That is, as shown in FIGS. 9A and 9B, the conventional TAB tape is manufactured by fixing the semiconductor chip 4 to an insulating base film 9 such as polyimide.

【0003】より具体的にいえば、ベースフィルム9の
幅方向両側には、該当フィルムを搬送及び位置決めする
ためのスプロケットホール1が設けられており、このス
プロケットホール1を利用して、ベースフィルム9をそ
の長手方向に移送することができる。また、ベースフィ
ルム9には、半導体チップ4を位置付けるための開口
部、即ち、デバイスホール22が内側に設けられてお
り、デバイスホール22の外側には、カットホール2が
形成されている。
More specifically, a sprocket hole 1 for transporting and positioning the corresponding film is provided on both sides in the width direction of the base film 9, and the sprocket hole 1 is used to make use of the sprocket hole 1. Can be transported in its longitudinal direction. An opening for positioning the semiconductor chip 4, that is, a device hole 22 is provided inside the base film 9, and a cut hole 2 is formed outside the device hole 22.

【0004】デバイスホール22とカットホール2の間
のベースフィルム9上には予め定められた領域にパッド
3が形成されており、該パッド3は、半導体チップ4と
電気的に接続したインナーリード6と接続されている。
また、パッド3上には、外部接続電極部材として半田な
どによって、形成されたボール上のバンプ11が形成さ
れる。また、図面に破線で示されているように、バンプ
11以外に区画された周辺領域はカバーレジスト7によ
って被覆されており、このカバーレジスト7によって、
ベースフィルム9上の金属配線等が汚染されるのを防止
している。
A pad 3 is formed in a predetermined area on the base film 9 between the device hole 22 and the cut hole 2, and the pad 3 is formed on an inner lead 6 electrically connected to the semiconductor chip 4. Is connected to
On the pad 3, a bump 11 on the formed ball is formed by solder or the like as an external connection electrode member. Further, as shown by a broken line in the drawing, a peripheral area defined other than the bumps 11 is covered with a cover resist 7.
This prevents contamination of metal wiring and the like on the base film 9.

【0005】尚、半導体チップ4はその周辺部のインナ
ーリード6と共に、樹脂10で封止されている。最終的
にベースフィルム9をカットホール2の部分から切り取
ることにより、半導体チップ4とベースフィルム9部材
(TABテープ)とによって構成された半導体装置を得
ることができる。
[0005] The semiconductor chip 4 is sealed with a resin 10 together with the inner leads 6 around the semiconductor chip 4. Finally, by cutting the base film 9 from the cut hole 2, a semiconductor device constituted by the semiconductor chip 4 and the base film 9 member (TAB tape) can be obtained.

【0006】上記した構成を有する半導体装置は、パッ
ド3上のバンプ11を直接プリント基板20に実装でき
るため、実質上、ベースフィルム9部材をパッケージ部
として使用できる。従って、上記した半導体装置は、セ
ラミックパッケージ等を有する半導体装置に比べて、安
価であるという利点を有している。また、インナーリー
ド6の配線領域をカットホール2内部だけに限定できる
ため、図示された半導体装置は、小形化の面でも有利で
ある。
In the semiconductor device having the above structure, the bumps 11 on the pads 3 can be directly mounted on the printed circuit board 20, so that the base film 9 can be used substantially as a package. Therefore, the above-described semiconductor device has an advantage that it is less expensive than a semiconductor device having a ceramic package or the like. Further, since the wiring region of the inner lead 6 can be limited only to the inside of the cut hole 2, the illustrated semiconductor device is advantageous in terms of miniaturization.

【0007】また、放熱性を向上する為に特開平8−3
1869の図2に記されているように、デバイスホール
内にインナーリードと同一面の配線によって吊られてい
る吊りリードに放熱用バンプを形成してプリント基板側
に放熱したり、放熱板やヒートシンクを取り付けること
により放熱性を向上していた。このとき、特開平8−3
1869の〔0034〕に記載されているように前記放
熱板(補強板含む場合有り)をテープの反り防止のため
にベースフィルムに貼り付ける場合は、固定用の接着材
が必要であった。
In order to improve heat dissipation, Japanese Patent Application Laid-Open No.
As shown in FIG. 2 of 1869, a heat radiation bump is formed on a suspension lead suspended in the device hole by wiring on the same surface as the inner lead, and heat is radiated to the printed circuit board side. The heat dissipation has been improved by attaching. At this time, JP-A-8-3
As described in 1869 [0034], when the heat radiating plate (including a reinforcing plate in some cases) is attached to a base film in order to prevent warpage of the tape, an adhesive for fixing was required.

【0008】また、放熱板がない場合もベースフィルム
の補強のため、補強板を接着材で貼り付けていた。
Further, even when there is no heat radiating plate, a reinforcing plate is stuck with an adhesive to reinforce the base film.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上記した半導体装置の
補強板とTABテープを張り合わせる場合に使用される
接着材として、例えば液状の熱硬化型接着材を用いる
と、塗布した後、張り合わせて硬化させるため、接着領
域が不安定であったり、凸凹が生じたり、張り合わせ
後、平行に保たないとズレが発生する等の問題があっ
た。
As the adhesive used when bonding the reinforcing plate of the semiconductor device and the TAB tape, for example, a liquid thermosetting adhesive is used. For this reason, there have been problems such as an unstable bonding area, unevenness, and misalignment if not kept parallel after bonding.

【0010】また、エポキシ系の接着材を用いた場合に
は、熱硬化した後に、熱収縮によりパッケージが反るな
どの問題があった。そこで、シート状の、例えば熱可塑
性の接着材をTABテープの全面に張り付けた場合、接
着を完了させる為には例えば200℃以上の高温で貼り
付ける必要があり、当該TABテープ自体の品質に悪影
響を与えてしまう問題があった。
In addition, when an epoxy-based adhesive is used, there is a problem that the package warps due to heat shrinkage after being cured by heat. Therefore, when a sheet-like, for example, thermoplastic adhesive is attached to the entire surface of the TAB tape, it is necessary to attach the sheet at a high temperature of, for example, 200 ° C. or more in order to complete the adhesion, which adversely affects the quality of the TAB tape itself. Had the problem of giving

【0011】つまり、例えば、TABテープ自体の変
形、カバーレジストの剥がれ、貼り付けジグからの汚れ
の転写、配線の酸化等である。また、貼り付けが不完全
であると、パッケージを実装基板へ実装する時にTAB
テープのベースフィルム及び接着材が吸湿した場合に、
TABテープと補強板の間で剥離が生じ、溶融している
半田バンプが変形し、隣同士でショートしてしまう所謂
バンプブリッジが発生する問題があった。
That is, for example, deformation of the TAB tape itself, peeling of the cover resist, transfer of dirt from the bonding jig, oxidation of the wiring, and the like. Also, if the attachment is incomplete, TAB will be required when the package is mounted on the mounting board.
If the tape base film and adhesive absorb moisture,
There has been a problem that peeling occurs between the TAB tape and the reinforcing plate, the molten solder bump is deformed, and a so-called bump bridge occurs in which adjacent solders are short-circuited.

【0012】特に、TABテープのベース基材としてポ
リイミド樹脂が使用される場合には、当該ポリイミド樹
脂は、一般的に吸湿性が高いので、常温で放置しておく
と吸湿率が増大し、当該ポリイミド樹脂を接着工程で加
熱するとその水分が接着材に移動して、接着材中に気泡
が発生する大きな原因となる。同様に接着材も一般的に
吸湿性を有しているので、その取扱には、極めて慎重さ
が求められている。
In particular, when a polyimide resin is used as the base material of the TAB tape, the polyimide resin generally has a high hygroscopic property, and if left at normal temperature, the moisture absorption rate increases. When the polyimide resin is heated in the bonding step, the moisture moves to the bonding material, which is a major cause of generating bubbles in the bonding material. Similarly, adhesives also generally have a hygroscopic property, so their handling requires extreme care.

【0013】この為、接着材の材質、接着性、接着構造
は大変重要であり、又TABテープと補強材を接着する
方法も大きな課題であった。本発明の目的は、上記した
従来技術の欠点を改良し、ベースフィルムと放熱板の接
着性を品質を劣化することなく向上でき、かつ剥離によ
って生じる半田バンプ同士のショート(ブリッジ)不良
を防止する効果を有する半導体装置及びその製造方法を
提供するものである。
[0013] For this reason, the material, adhesiveness, and bonding structure of the adhesive are very important, and a method of bonding the TAB tape and the reinforcing material is also a major problem. An object of the present invention is to improve the above-mentioned drawbacks of the prior art, improve the adhesion between the base film and the heat sink without deteriorating the quality, and prevent a short (bridge) defect between solder bumps caused by peeling. An object of the present invention is to provide a semiconductor device having an effect and a manufacturing method thereof.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用す
るものである。即ち、本発明に係る第1の態様として
は、デバイスホールに半導体チップが接続されており、
且つ当該半導体チップの電極がインナーリードを介して
バンプ部を形成したランドに接続されているTABテー
プを含み、当該TABテープは実装基板と接合しうる構
造を有している半導体装置に於いて、当該TABテープ
に仮接着機能を有する接着材を介して補強材が接続され
ている半導体装置であり、又、本発明に係る第2の態様
としては、デバイスホールに半導体チップが接続されて
おり、且つ当該半導体チップの電極がインナーリードを
介してバンプ部を形成したランドに接続されているTA
Bテープを含み、当該TABテープは実装基板と接合し
うる構造を有している半導体装置に於いて、当該TAB
テープに仮接着機能を有する接着材を介して補強材が接
続されている半導体装置を製造するに際し、当該補強材
と当該TABテープを仮接着機能を有する接着材を使用
して互いに接合する様に構成された半導体装置の製造方
法である。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention employs the following basic technical structure. That is, as a first aspect according to the present invention, a semiconductor chip is connected to a device hole,
The semiconductor device includes a TAB tape in which electrodes of the semiconductor chip are connected to lands on which bumps are formed through inner leads, and the TAB tape has a structure that can be bonded to a mounting substrate. A semiconductor device in which a reinforcing material is connected to the TAB tape via an adhesive having a temporary bonding function, and as a second aspect according to the present invention, a semiconductor chip is connected to a device hole, And a TA in which electrodes of the semiconductor chip are connected to lands on which bump portions are formed via inner leads.
B in a semiconductor device having a structure that can be bonded to a mounting substrate.
When manufacturing a semiconductor device in which a reinforcing material is connected to a tape via an adhesive having a temporary bonding function, the reinforcing material and the TAB tape are bonded to each other using an adhesive having a temporary bonding function. 5 is a method for manufacturing a semiconductor device having the above structure.

【0015】[0015]

【発明の実施の態様】本発明に係る半導体装置及び半導
体装置の製造方法は、上記した様な技術構成を採用して
いるので、TABテープ中の水分を予め除去した後に、
当該TABテープが再度水分を吸収しない間に、補強材
と仮接着機能を有する接着材を介して接合し、所定の構
成を有する押圧部材、治具を使用して、気泡の追い出し
操作を実行した後、所定の条件下に加熱処理を行い、接
着操作を完了する様にしたものである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The semiconductor device and the method of manufacturing the semiconductor device according to the present invention employ the above-described technical configuration.
While the TAB tape did not absorb the moisture again, the TAB tape was bonded to the reinforcing material via an adhesive having a temporary bonding function, and a bubble removing operation was performed using a pressing member and a jig having a predetermined configuration. Thereafter, a heat treatment is performed under predetermined conditions to complete the bonding operation.

【0016】[0016]

【実施例】以下に、本発明に係る半導体装置及び半導体
装置の製造方法の具体例の構成を図面を参照しながら詳
細に説明する。即ち、図1(A)は、本発明に係る、半
導体装置30に於ける一具体例の構成を示す断面図であ
り、図中、デバイスホール31に半導体チップ4が接続
されており、且つ当該半導体チップ4の電極がインナー
リード20を介してバンプ部11を形成したランド32
に接続されているTABテープ23を含み、当該TAB
テープ23は実装基板33と接合しうる構造を有してい
る半導体装置30に於いて、当該TABテープ23に仮
接着機能を有する接着材15を介して補強材14が接続
されている半導体装置30が示されている。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor device according to the present invention; That is, FIG. 1A is a cross-sectional view showing a configuration of one specific example of a semiconductor device 30 according to the present invention, in which a semiconductor chip 4 is connected to a device hole 31 and The lands 32 on which the electrodes of the semiconductor chip 4 have the bump portions 11 formed via the inner leads 20
Including the TAB tape 23 connected to the
In the semiconductor device 30 having a structure in which the tape 23 can be bonded to the mounting substrate 33, the semiconductor device 30 in which the reinforcing member 14 is connected to the TAB tape 23 via the adhesive 15 having a temporary bonding function. It is shown.

【0017】つまり、本発明に係るTABテープ23の
基材9は、図1(B)に示す様に、例えばポリイミド樹
脂で構成されている事が望ましく、その一主面には、前
記した様に、適宜のプリント配線技術により形成された
インナーリードを構成する金属配線部20が配置されて
いる。尚、当該補強材14は、放熱効果を持つ放熱手段
として機能すると同時に、当該TABテープのフレキシ
ブル性に起因する実装工程での作業性の問題を解決する
為に設けられた支持部材としての機能を有している。
That is, as shown in FIG. 1B, the base material 9 of the TAB tape 23 according to the present invention is desirably made of, for example, a polyimide resin. In addition, a metal wiring portion 20 constituting an inner lead formed by an appropriate printed wiring technique is arranged. The reinforcing member 14 functions as a heat dissipating means having a heat dissipating effect, and at the same time, functions as a support member provided for solving the problem of workability in a mounting process due to the flexibility of the TAB tape. Have.

【0018】尚、図1(A)に示している通り、本具体
例では、当該補強材14の他に更に、適宜の接着材、放
熱ペースト24等を介して別のヒートシンク25が設け
られていても良い。本発明に於ける好ましい態様として
は、例えば、半導体チップ4を接続する為に設けられた
デバイスホール31を有するベースフィルム9に、半導
体チップ4の電極と接合する為のインナーリード20及
び外部電極と接合する為に設けられたランド32が金属
箔にて配線されたパターンを設けたTABテープを形成
し、前記半導体チップ4のパッド電極と前記インナーリ
ード20を接続し、かつ前記ランドにバンプ11を形成
して前記バンプ11を介して、実装基板33と接合する
構造を少なくとも有していることテープBGA型半導体
装置30において、TABテープ23の反り防止等に用
いる補強板14とTABテープ23を貼り付ける接着材
として、仮接着機能を有する接着材を用い、接着中もし
くは張り付け終了後加熱することで接着する様にしたも
のである。また、他の具体例としては、補強板14とT
ABテープ23の張り付け部に選択的に接着材15を配
置形成したものである。
As shown in FIG. 1A, in this specific example, in addition to the reinforcing member 14, another heat sink 25 is provided via an appropriate adhesive, a heat radiation paste 24, or the like. May be. In a preferred embodiment of the present invention, for example, the base film 9 having a device hole 31 provided for connecting the semiconductor chip 4 is provided with an inner lead 20 for bonding to an electrode of the semiconductor chip 4 and an external electrode. A TAB tape having a pattern in which lands 32 provided for bonding are wired with metal foil is formed, the pad electrodes of the semiconductor chip 4 are connected to the inner leads 20, and bumps 11 are formed on the lands. In the tape BGA type semiconductor device 30, the reinforcing plate 14 used for preventing warpage of the TAB tape 23 and the TAB tape 23 are attached to the tape BGA type semiconductor device 30. An adhesive having a temporary bonding function is used as the adhesive to be attached, and the adhesive is heated by heating during the bonding or after the bonding is completed. In which was set to be. Further, as another specific example, the reinforcing plate 14 and the T
The adhesive 15 is selectively formed at the portion where the AB tape 23 is attached.

【0019】本発明に於いて使用される当該仮接着機能
を有する接着材は常温で粘着性を有する材料で構成させ
ていても良く、又常温では、粘着性を示さず、所定の温
度、で短時間加熱すると、例えば、150℃で3秒程度
の加熱処理によって、接着性を示す様な材料で構成され
ているものでも使用可能である。本発明に於いては、先
ず当該TABテープを構成する材料内部には、実質的に
水分が含有されていない状態にする事が望ましく、その
為には、当該TABテープを該補強材を貼り合わせるに
際し、当該TABテープを予め加熱処理して、当該TA
Bテープ材料内部に存在する水分を放出させて、当該T
ABテープの内部には、実質的に水分が含有されていな
い状態にした後、当該補強材と貼り合わせる様に構成さ
れている事が望ましい。
The adhesive having the temporary bonding function used in the present invention may be composed of a material having tackiness at room temperature, and does not exhibit tackiness at room temperature, but at a predetermined temperature. When heated for a short time, for example, a material made of a material having an adhesive property by a heat treatment at 150 ° C. for about 3 seconds can be used. In the present invention, it is preferable that the inside of the material constituting the TAB tape is substantially free of moisture. For this purpose, the TAB tape is bonded to the reinforcing material. In this case, the TAB tape is pre-heated and the TAB tape is heated.
The water existing inside the B tape material is released, and the T
It is desirable that the AB tape be configured to be substantially free of moisture and then bonded to the reinforcing material.

【0020】その為には、当該ポリイミド樹脂からなる
TABテープの場合に有っては、当該加熱処理は、例え
ば、125μmの厚みを持ったポリイミド樹脂の場合、
125〜150℃で30分間乃至1時間で充分である。
又、当該TABテープ23は、そのまま放置しておくと
再び吸湿を行うので、当該熱処理を行い、内蔵する水分
を0又は少なくしたポリイミド樹脂テープは、出来るだ
け短時間の内に補強材14との接着操作工程に供給する
事が望ましい。
For this purpose, in the case of a TAB tape made of the polyimide resin, the heat treatment is performed, for example, in the case of a polyimide resin having a thickness of 125 μm.
30 minutes to 1 hour at 125-150 ° C is sufficient.
Further, since the TAB tape 23 absorbs moisture again if left as it is, the heat treatment is carried out, and the polyimide resin tape having zero or less water contained therein can be combined with the reinforcing material 14 within as short a time as possible. It is desirable to supply it to the bonding operation process.

【0021】例えば、上記したポリイミド樹脂テープの
熱処理操作後、8時間以内には、上記接着操作を行う事
が望ましい。次に、本発明に於けるTABテープ23と
補強材14との接着操作の具体例に付いて説明する。つ
まり、図2に示す様に、TABテープ23のベースフィ
ルム9と補強板14は接着材15によって接着されてい
る。例えば、この接着材15を予め補強板14に貼り付
けておき、その補強板14とTABテープ23を位置決
めすることで容易に貼り付けが実施される。
For example, it is desirable to perform the above-mentioned bonding operation within 8 hours after the above-mentioned heat treatment operation of the polyimide resin tape. Next, a specific example of the bonding operation between the TAB tape 23 and the reinforcing member 14 in the present invention will be described. That is, as shown in FIG. 2, the base film 9 of the TAB tape 23 and the reinforcing plate 14 are adhered by the adhesive 15. For example, the adhesive 15 is pasted on the reinforcing plate 14 in advance, and the positioning is easily performed by positioning the reinforcing plate 14 and the TAB tape 23.

【0022】尚、当該接着材15は、TABテープ23
の一主面に配置したものであっても同じ効果が得られ
る。ここで、接着材15を貼り付ける方法としては、図
2に示す用にローラー方式が使用でき、当該方法に於い
ては、ローラー26を用いベースフィルム9と補強板1
4の間に残存する空気(ボイド)を横方向に押し出しな
がら、押圧して貼り付けるのが有効である。
The adhesive 15 is a TAB tape 23
The same effect can be obtained even if the element is arranged on one main surface. Here, as a method of attaching the adhesive 15, a roller method can be used as shown in FIG. 2, and in this method, the base film 9 and the reinforcing plate 1 are
It is effective that the air (voids) remaining during 4 is pressed while being pushed in the lateral direction while being pressed.

【0023】なぜならば、図8(A)に示すようにボイ
ド16が発生しているとその空間に水分がたまりやす
く、後の工程で加熱処理を行う事によって、当該ボイド
が、図8(B)に示す様に実装時フクレを発生させ半田
バンプブリッジ17を促進させる原因になるからであ
る。しかし、ローラー方式は接着時間が長いことから、
短時間で張り付けを行う場合、当該補強材14を押圧処
理する装置としては、例えば図3に示す様な上下から当
該TABテープ23と補強材14に押圧力が与えられ
る、ゴム等の弾力性を持った部材から構成された押圧部
35を使用するスタンプ方式が好ましい。
This is because when the voids 16 are generated as shown in FIG. 8A, moisture easily accumulates in the spaces, and by performing a heat treatment in a later step, the voids are formed as shown in FIG. This is because blisters are generated at the time of mounting as shown in FIG. However, the roller method has a long bonding time,
When the bonding is performed in a short time, a device for pressing the reinforcing member 14 may be, for example, a rubber or other elastic member that applies a pressing force to the TAB tape 23 and the reinforcing member 14 from above and below as shown in FIG. It is preferable to use a stamp method using a pressing portion 35 formed of a member having the stamp.

【0024】この場合は、単に、上下方向から押圧力を
印加する場合には、ローラー方式よりも、図4に示す様
にボイド16が発生し易い。これらのボイド16を含め
実装時のベースフィルム9のフクレはベースフィルム9
と補強板14の接着力よりボイド16等の拡大化によっ
て生じる剥離力が勝った場合に生じる。
In this case, when the pressing force is simply applied in the vertical direction, the voids 16 are easily generated as shown in FIG. The blisters of the base film 9 including these voids 16 at the time of mounting are
This occurs when the peeling force generated by enlarging the voids 16 and the like exceeds the adhesive force of the reinforcing plate 14 and the reinforcing plate 14.

【0025】この為、実装時の半田バンプブリッジ17
不具合を解決するには、剥離力を接着力以下に抑えるこ
とが必要であることから、ボイド16の発生を抑制する
ことと接着力を安定化すること、吸湿量を抑えることな
どが重要である。ここで図4(B)に示すように先端に
曲率を有する押圧部35を持つ治具乃至はスタンプ型2
7にて貼り付けるとボイド16の発生は少なくて済む。
For this reason, the solder bump bridge 17 at the time of mounting
In order to solve the problem, it is necessary to suppress the peeling force to be equal to or less than the adhesive force. Therefore, it is important to suppress the generation of the voids 16, stabilize the adhesive force, suppress the moisture absorption, and the like. . Here, as shown in FIG. 4B, a jig or a stamp mold 2 having a pressing portion 35 having a curvature at the tip end.
Attachment at 7 reduces the generation of voids 16.

【0026】また、スタンプ型27の張り付け面の材質
としてゴム上の弾性を有するものを用いると密着性が向
上し、張り付け性が安定化する。また、ゴム上のシート
をスタンプ型27とベースフィルム9との間においても
よい。つまり、本発明においては、当該仮接着機能を有
する接着材は、実質的に微細なボイドを除き、将来、拡
大して剥離を発生させたり、バンプブリッジの発生の原
因となる大きいサイズを有する気泡を含有していない状
態にある事が望ましい。
When a material having elasticity on rubber is used as the material of the attaching surface of the stamp mold 27, the adhesion is improved and the attaching property is stabilized. Further, a sheet on rubber may be provided between the stamp die 27 and the base film 9. In other words, in the present invention, the adhesive having the temporary adhesive function is a large-sized air bubble that is likely to expand in the future to cause peeling or to generate a bump bridge, excluding substantially fine voids. It is desirable to be in a state not containing.

【0027】そして、本発明に係る当該半導体装置に於
いては、バンプブリッジを有していない事が特徴の一つ
である。本発明の半導体装置30は、ベースフィルム9
と補強板14を仮接着機能を有する接着材15を両者間
に介在させて接合するものであるが、当該仮接着機能を
有する接着材は、塗布型の接着材で有っても良くまた、
シート状の接着材で有っても良い。
One of the features of the semiconductor device according to the present invention is that it does not have a bump bridge. The semiconductor device 30 of the present invention includes the base film 9
And the reinforcing plate 14 are joined by interposing an adhesive 15 having a temporary bonding function therebetween, and the adhesive having the temporary bonding function may be a coating type adhesive.
It may be a sheet-like adhesive.

【0028】そして、本発明に於いては、接着中もしく
は接着後に加熱して張り付けを実施するものである。本
発明に於いて、仮接着機能を有する接着材としては、例
えば、常温で粘着性を有する、接合保持接着可能な接着
材、例えば、離型紙を使用した粘着性の樹脂を使用し、
接着中もしくは接着後に加熱して張り付けを実施するも
のであっても良く、又、常温では、接着性を示さないが
所定の温度で短時間加熱すると接着機能を発揮する様な
材料で構成されているものであっても良い。
In the present invention, the bonding is performed by heating during or after the bonding. In the present invention, as the adhesive having a temporary adhesive function, for example, having an adhesive at room temperature, an adhesive capable of holding and bonding, for example, using an adhesive resin using release paper,
The bonding may be performed by heating during or after bonding, and is made of a material that does not exhibit adhesiveness at room temperature but exhibits an adhesive function when heated at a predetermined temperature for a short time. May be available.

【0029】係る接着性材料としては、例えば、接着中
に加熱する場合でも、金属配線等を含むベースフィルム
9部材の品質を低下させない、例えば加温しても100
℃以下に抑えるか、100℃以上でも短時間例えば3秒
で仮接着できる接着材が含まれる。すなわち、例えば熱
可塑性の接着材で300℃以上の温度で30秒間かけれ
ば接着が完了されるものであっても、100℃で仮接着
処理し、その後加熱処理を、例えば150℃で2時間を
施して接着を完了させることが出来る材料も使用可能で
ある。
As such an adhesive material, for example, even when heated during bonding, the quality of the base film 9 member including the metal wiring and the like is not deteriorated.
C. or below, or an adhesive that can be temporarily bonded in a short time, for example, 3 seconds even at 100.degree. C. or higher. In other words, for example, even if the bonding is completed with a thermoplastic adhesive at a temperature of 300 ° C. or more for 30 seconds, a temporary bonding process is performed at 100 ° C., and then a heating process is performed at 150 ° C. for 2 hours. Materials that can be applied to complete the bonding can also be used.

【0030】この接着後に更に加熱を実施し、接着力が
向上する原理とは接着材15内部の分子間の接合力を低
下させ、接着材15及びベースフィルム9等の接着部材
を膨張させることにより、図5(A)に示されている様
に、多数の大きなボイド16が内在している接着材層1
5に上記した押圧処理及び加熱処理を行う事によって、
図5(B)に示す様に、接着材層15のボイド16を圧
縮してボイドを超微少ボイド18へと分散させると同時
に接着材15のアンカー効果が促進され、密着性を向上
するものである。
Heating is further performed after this bonding, and the principle that the bonding strength is improved is that the bonding strength between the molecules inside the bonding material 15 is reduced and the bonding material such as the bonding material 15 and the base film 9 is expanded. As shown in FIG. 5A, the adhesive layer 1 having a large number of large voids 16 therein
By performing the above-described pressing process and heating process on 5,
As shown in FIG. 5B, the voids 16 of the adhesive layer 15 are compressed to disperse the voids into the microvoids 18, and at the same time, the anchor effect of the adhesive 15 is promoted to improve the adhesion. It is.

【0031】この結果、ベースフィルム9部材の品質を
劣化させずに接着性を向上でき、図10の表に示す用に
初期接着力が約2〜5倍へと向上した。次に本発明の第
2の具体例を図6及び図7を参照しながら説明する。前
記した具体例では、品質を低下させることなく接着材1
5の接着力を向上することで半田バンプブリッジ17を
防止する方法について記載した。
As a result, the adhesiveness could be improved without deteriorating the quality of the base film 9 member, and the initial adhesive strength was increased to about 2 to 5 times as shown in the table of FIG. Next, a second specific example of the present invention will be described with reference to FIGS. In the specific example described above, the adhesive 1
The method of preventing the solder bump bridge 17 by improving the adhesive strength of No. 5 has been described.

【0032】この半田バンプブリッジ17が生じる原因
はパッケージをプリント基板13にリフローする時に、
ベースフィルム9の吸湿や接着材15自体の吸湿のた
め、接着力より水分の蒸気圧及びベースフィルム9の熱
膨張等によって剥離力が上回ることにより、ボイド16
が拡大し、ベースフィルム9の剥離が生じ半田バンプブ
リッジ17にいたると考えられる。
The cause of the solder bump bridge 17 is that when the package is reflowed on the printed circuit board 13,
Due to the moisture absorption of the base film 9 and the adhesive material 15 itself, the peeling force is higher than the adhesive force due to the vapor pressure of water and the thermal expansion of the base film 9.
It is considered that the base film 9 peels off and reaches the solder bump bridge 17.

【0033】この為に、本発明の粘着性を有する接着材
の幅を小さくすること、つまり接着剤の接着面積或いは
体積を減少することによって、容易に防止できる。この
原理は、ベースフィルム9、接着材15等に吸湿された
水分をリフロー時のプリヒート領域で完全に脱水させる
ことでボイド16の拡大化を防止するものである。
For this reason, it can be easily prevented by reducing the width of the tacky adhesive of the present invention, that is, reducing the adhesive area or volume of the adhesive. This principle is to prevent the expansion of the void 16 by completely dehydrating the moisture absorbed by the base film 9, the adhesive 15 and the like in the preheating area during reflow.

【0034】例えば図11に示すような一般的なリフロ
ーのプロファイルの150℃で60〜90秒の領域でベ
ースフィルム9及び接着材15に吸湿した水分が脱水で
きるように、図6のタイプ1に示すようにベースフィル
ム9と補強板14の全面に形成するのでなく、タイプ2
〜5等のように部分的に接着材15を形成した構造と
し、プリヒート領域で脱水を促進させるものである。
For example, in order to dehydrate the moisture absorbed in the base film 9 and the adhesive 15 in the region of 150 ° C. for 60 to 90 seconds of the general reflow profile as shown in FIG. Instead of being formed on the entire surface of the base film 9 and the reinforcing plate 14 as shown in FIG.
The structure is such that the adhesive material 15 is partially formed as in to 5 and the like, and dehydration is promoted in the preheating region.

【0035】つまり、例えば半田バンプの場合、183
℃から溶融が始まるので、溶融前までにボイド16の拡
大が進行できない程度までに脱水すれば、半田バンプブ
リッジ17は生じない。このときパッケージの大きさに
基づいて接着材の面積を決定するのでなく脱水可能な量
に接着材15の面積、体積を決定することが必要であ
る。
That is, for example, in the case of a solder bump, 183
Since the melting starts at a temperature of ° C., the solder bump bridge 17 does not occur if the dewatering is performed to such an extent that the expansion of the void 16 cannot proceed before the melting. At this time, it is necessary to determine the area and volume of the adhesive 15 so that the adhesive 15 can be dewatered, instead of determining the area of the adhesive based on the size of the package.

【0036】つまりベースフィルム9の吸水脱水特性や
接着材15の吸湿脱水特性を考慮し、例えば150℃、
60秒で完全に脱水する体積を求めておくものである。
但し、図6(A)に示すように接着材15の種類と厚み
が同一の場合、補強板側19や金属配線面側28からは
脱水量は殆どないか、少ない為、接着材縁21から大半
が脱水する。
That is, taking into account the water-absorbing and dehydrating characteristics of the base film 9 and the moisture-absorbing and dehydrating characteristics of the adhesive material 15, for example, at 150 ° C.
The volume to be completely dehydrated in 60 seconds is determined.
However, as shown in FIG. 6A, when the type and thickness of the adhesive 15 are the same, the amount of dehydration from the reinforcing plate side 19 and the metal wiring side 28 is almost negligible or small. Most dehydrate.

【0037】このことは接着材15の幅にほぼ依存する
ことであり、接着材の幅をコントロールすれば、吸湿量
も少なくなり、容易に脱水可能となる。実験の結果、表
1に示した常温接着型接着材Aで30℃、192時間保
管後、図6(B)に示す様な接続の配置パターンで実装
試験をした結果、接着材の幅が6mmであった時は50
パッケージ中45個が半田ブリッジを生じたが、同様の
テストを図6(C)に示す様な、当該接着材の幅を4.
5mm以下にした場合には、半田ブリッジ数が50パッ
ケージ中0個と発生しなかった。
This is almost dependent on the width of the adhesive material 15. If the width of the adhesive material is controlled, the amount of moisture absorption is reduced and dehydration can be easily performed. As a result of the experiment, after storing at 30 ° C. for 192 hours with the room temperature adhesive type adhesive A shown in Table 1, a mounting test was performed in a connection arrangement pattern as shown in FIG. When was 50
Forty-five solder bridges occurred in the package, but a similar test was performed with the width of the adhesive as shown in FIG.
When the thickness was set to 5 mm or less, the number of solder bridges did not reach 0 in 50 packages.

【0038】このように同一の接着材15であってもそ
の形成幅により、脱水性が異なる。従って、図7(A)
から図7(C)の様な接着材の配置パターンが有効であ
る。つまり、接着材15をバンプ11が位置する部分の
みに形成すること、放射状に形成することなども当然接
着材15の体積を小さくなるという意味では同様な効果
を示した。
As described above, even if the same adhesive 15 is used, the dewatering property differs depending on the width of the adhesive. Therefore, FIG.
Thus, the arrangement pattern of the adhesive as shown in FIG. 7C is effective. In other words, forming the adhesive material 15 only in the portion where the bumps 11 are located, forming the adhesive material 15 radially, and the like have naturally shown the same effect in the sense that the volume of the adhesive material 15 is reduced.

【0039】即ち、本発明に於いては、当該仮接着機能
を有する接着材は、当該TABテープと補強材との間の
所定の部位に選択的に配置されているものである。本実
施例ではベースフィルム面と補強板との接着を例に説明
したが、接着材が絶縁性のものを用いたり、絶縁のカバ
ーレジストを有する場合、金属配線面と補強板を張り付
ける方法としても有効である。
That is, in the present invention, the adhesive having the temporary bonding function is selectively disposed at a predetermined portion between the TAB tape and the reinforcing material. In this embodiment, the bonding between the base film surface and the reinforcing plate has been described as an example.However, if the adhesive is an insulating material or has an insulating cover resist, as a method of attaching the metal wiring surface and the reinforcing plate. Is also effective.

【0040】上記した様に本発明に係る半導体装置の製
造方法としては、例えば、デバイスホールに半導体チッ
プが接続されており、且つ当該半導体チップの電極がイ
ンナーリードを介してバンプ部を形成したランドに接続
されているTABテープを含み、当該TABテープは実
装基板と接合しうる構造を有している半導体装置に於い
て、当該TABテープに仮接着機能を有する接着材を介
して補強材が接続されている半導体装置を製造するに際
し、当該補強材と当該TABテープを仮接着機能を有す
る接着材を使用して互いに接合する様に構成されている
ものであり、特に、当該仮接着機能を有する接着材とし
て、粘着性を有する接着材を使用する事も出来るし又所
定の温度で短時間加熱すると接着機能を発揮する様な材
料を使用する事も出来る。
As described above, as a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, for example, a semiconductor chip is connected to a device hole, and an electrode of the semiconductor chip forms a bump portion via an inner lead. In a semiconductor device having a structure that can be bonded to a mounting substrate, a reinforcing material is connected to the TAB tape via an adhesive having a temporary bonding function. When the semiconductor device is manufactured, the reinforcing material and the TAB tape are configured to be bonded to each other using an adhesive having a temporary bonding function, and in particular, having the temporary bonding function. As the adhesive, a tacky adhesive can be used, or a material that can exhibit an adhesive function when heated at a predetermined temperature for a short time can be used. Come.

【0041】更に、本発明に係る半導体装置の製造方法
としては、当該TABテープに該補強材を貼り合わせる
に際し、予め当該TABテープを加熱処理して、当該T
ABテープ材料内部には、実質的に水分が含有されてい
ない状態にした後、当該補強材と貼り合わせる様に構成
されている事が望ましい。又、本発明に係る半導体装置
の製造方法に於いては、当該TABテープと当該補強材
を貼り合わせるに際し、当該TABテープと当該補強材
を接合した後、当該両者を押圧処理する事によって、当
該仮接着機能を有する接着材の内部に含まれるボイドを
外部に押し出す操作を行う事が好ましい。
Further, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, when the reinforcing material is bonded to the TAB tape, the TAB tape is preliminarily subjected to a heat treatment,
It is desirable that the AB tape material is configured to be substantially free of moisture and then bonded to the reinforcing material. Further, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, when the TAB tape and the reinforcing material are bonded to each other, the TAB tape and the reinforcing material are joined together, and then the both are pressed. It is preferable to perform an operation of pushing out voids contained in the adhesive having a temporary bonding function to the outside.

【0042】本発明に於いて、当該押圧処理に使用され
る押圧部材は、弾性を有する材料で構成されている事が
望ましく更には、当該押圧処理に使用される押圧部材
は、押圧面が湾曲状に突出せしめられている事が好まし
い。又、上記した様に、本発明に係る半導体装置の製造
方法に於いては、当該仮接着機能を有する接着材は、当
該TABテープと補強材との間の所定の部位に特定のパ
ターンを有して選択的に配置されている様にしても良
い。
In the present invention, the pressing member used in the pressing process is preferably made of a material having elasticity. Further, the pressing member used in the pressing process has a curved pressing surface. It is preferable that they are projected in a shape. As described above, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the adhesive having the temporary bonding function has a specific pattern at a predetermined portion between the TAB tape and the reinforcing material. Alternatively, they may be selectively arranged.

【0043】本発明に係る半導体装置の製造方法の操作
の手順としては、例えば、TABテープを構成する機材
フイルム材料を加熱処理する第1の工程、当該TABテ
ープ若しくは補強材の対応する部材との接合面に、仮接
着機能を有する接着材を所定のパターンに沿って塗布す
る第2の工程、当該第1の工程終了後、予め定められた
期間内に、当該TABテープと補強材とを仮接着機能を
有する接着材を介して貼り合わせる第3の工程、当該張
り合わされた当該TABテープと当該補強材に、短時間
の加熱処理を施すか、施さずに押圧処理操作を実行する
第4の工程とから構成された事が好ましい。
The procedure of the operation of the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes, for example, a first step of heat-treating a device film material constituting a TAB tape, a step of heating a film of the TAB tape or a corresponding member of a reinforcing material. A second step of applying an adhesive having a temporary adhesive function to the joining surface along a predetermined pattern, and after the first step, temporarily suspend the TAB tape and the reinforcing material within a predetermined period. A third step of bonding via an adhesive having an adhesive function, a fourth step of performing a short-time heat treatment on the bonded TAB tape and the reinforcing member or performing a pressing operation without performing the heat treatment. Preferably, the method comprises the steps of:

【0044】[0044]

【発明の効果】このように本発明の半導体装置ではベー
スフィルムと放熱板の接着性を品質を劣化することなく
向上でき、かつ剥離によって生じる半田バンプ同士のシ
ョート(ブリッジ)不良を防止する効果を有する。
As described above, in the semiconductor device of the present invention, the adhesiveness between the base film and the heat sink can be improved without deteriorating the quality, and the short-circuit (bridge) defect between the solder bumps caused by peeling can be prevented. Have.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1(A)は、本発明に係る半導体装置の一具
体例の構成を説明する断面図であり、図1(B)は、T
ABテープの構成例を示す拡大図である。
FIG. 1A is a cross-sectional view illustrating a configuration of a specific example of a semiconductor device according to the present invention, and FIG.
FIG. 2 is an enlarged view showing a configuration example of an AB tape.

【図2】図2は、本発明に於ける半導体装置の製造方法
で使用される貼り合わせ装置の一具体例の構成を示す断
面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration of a specific example of a bonding apparatus used in a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention.

【図3】図3は、本発明に於ける半導体装置の製造方法
で使用される貼り合わせ装置の他の具体例の構成を示す
断面図である。
FIG. 3 is a sectional view showing the configuration of another specific example of the bonding apparatus used in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention.

【図4】図4(A)は、本発明に於ける半導体装置の製
造方法で使用される貼り合わせ装置の押圧部材の一構成
例を示す断面図であり、図4(B)は、本発明に於ける
半導体装置の製造方法で使用される貼り合わせ装置の押
圧部材の他の構成例を示す断面図である。
FIG. 4A is a cross-sectional view showing one configuration example of a pressing member of a bonding apparatus used in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, and FIG. It is sectional drawing which shows the other structural example of the press member of the bonding apparatus used by the manufacturing method of the semiconductor device in this invention.

【図5】図5(A)及び図5(B)は、本発明に於ける
接着剤層のボイドが微細化される過程を示す図である。
5 (A) and 5 (B) are views showing a process in which voids in an adhesive layer are miniaturized according to the present invention.

【図6】図6(A)は、本発明に係る半導体装置の断面
図であり、図6(A)及び(B)は、当該接着剤の配置
パターンの例を示す図である。
FIG. 6A is a cross-sectional view of a semiconductor device according to the present invention, and FIGS. 6A and 6B are diagrams illustrating an example of an arrangement pattern of the adhesive.

【図7】図7(A)乃至図7(C)は、本発明に係る半
導体装置に於ける接着剤の配置パターンの他の例を示す
図である。
FIGS. 7A to 7C are diagrams showing another example of the arrangement pattern of the adhesive in the semiconductor device according to the present invention.

【図8】図8(A)及び図8(B)は、従来のTABテ
ープを使用した半導体装置の構成の一例を示す断面図で
ある。
8A and 8B are cross-sectional views illustrating an example of a configuration of a semiconductor device using a conventional TAB tape.

【図9】図9(A)乃至図9(D)は、従来のTABテ
ープを使用した半導体装置の構成の一例を示す図であ
る。
FIGS. 9A to 9D are diagrams illustrating an example of a configuration of a semiconductor device using a conventional TAB tape.

【図10】図10は、本発明に係る半導体装置に於ける
引き剥がし強度の効果を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing the effect of the peeling strength in the semiconductor device according to the present invention.

【図11】図11は、赤外線リフロー温度プロファイル
の一例を示すグラフである。
FIG. 11 is a graph showing an example of an infrared reflow temperature profile.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…スプロケットホール 2…カットホール 3…パッド 4…半導体チップ 5…カバーレジスト塗布ライン 6…インナーリード 7…カバーレジスト 8…TABテープ接着材 9…ベースフイルム 10…樹脂 11…バンプ 12…OLBパッド 13…プリント基板 14…補強板 15…接着材 16…ボイド 17…ブリッジ 18…微少ボイド 19…補強板側 20…金属配線面 21…接着材縁 22、31…デバイスホール 25…放熱板 26…貼り付け用ローラー 27…スタンプ型 28…金属配線側 30…半導体装置 32…ランド 33…基板 35…押圧部材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Sprocket hole 2 ... Cut hole 3 ... Pad 4 ... Semiconductor chip 5 ... Cover resist coating line 6 ... Inner lead 7 ... Cover resist 8 ... TAB tape adhesive 9 ... Base film 10 ... Resin 11 ... Bump 12 ... OLB pad 13 ... Printed circuit board 14 ... Reinforcement plate 15 ... Adhesive material 16 ... Void 17 ... Bridge 18 ... Micro void 19 ... Reinforcement plate side 20 ... Metal wiring surface 21 ... Adhesive material edge 22, 31 ... Device hole 25 ... Heat radiation plate 26 ... Paste Roller 27: Stamp type 28: Metal wiring side 30: Semiconductor device 32: Land 33: Substrate 35: Pressing member

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 デバイスホールに半導体チップが接続さ
れており、且つ当該半導体チップの電極がインナーリー
ドを介してバンプ部を形成したランドに接続されている
TABテープを含み、当該TABテープは実装基板と接
合しうる構造を有している半導体装置に於いて、当該T
ABテープに仮接着機能を有する接着材を介して補強材
が接続されていることを特徴とする半導体装置。
1. A semiconductor chip is connected to a device hole, and an electrode of the semiconductor chip includes a TAB tape connected to a land on which a bump portion is formed via an inner lead. In a semiconductor device having a structure that can be joined to
A semiconductor device, wherein a reinforcing material is connected to an AB tape via an adhesive having a temporary bonding function.
【請求項2】 当該仮接着機能を有する接着材は粘着材
で構成されている事を特徴とする請求項1記載の半導体
装置。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the adhesive having the temporary bonding function is made of an adhesive.
【請求項3】 当該仮接着機能を有する接着材は所定の
温度で短時間加熱すると接着機能を発揮する様な材料で
構成されている事を特徴とする請求項1記載の半導体装
置。
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the adhesive having the temporary bonding function is made of a material that exhibits an adhesive function when heated at a predetermined temperature for a short time.
【請求項4】 当該仮接着機能を有する接着材は、当該
TABテープと補強材との間の所定の部位に選択的に配
置されているものである事を特徴とする請求項1又は2
記載の半導体装置。
4. The adhesive having the temporary bonding function is selectively disposed at a predetermined portion between the TAB tape and the reinforcing material.
13. The semiconductor device according to claim 1.
【請求項5】 当該TABテープを構成する材料内部に
は、実質的に水分が含有されていない状態にある事を特
徴とする請求項1乃至4の何れかに記載の半導体装置。
5. The semiconductor device according to claim 1, wherein the material constituting the TAB tape is substantially free of moisture.
【請求項6】 当該仮接着機能を有する接着材は、実質
的に微細なボイドを除き、気泡を含有していない状態に
ある事を特徴とする請求項1乃至4の何れかに記載の半
導体装置。
6. The semiconductor according to claim 1, wherein the adhesive having the temporary bonding function is in a state where it contains no bubbles except for substantially fine voids. apparatus.
【請求項7】 当該半導体装置は、バンプブリッジを有
していない事を特徴とする請求項1乃至6の何れかに記
載の半導体装置。
7. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device does not have a bump bridge.
【請求項8】 デバイスホールに半導体チップが接続さ
れており、且つ当該半導体チップの電極がインナーリー
ドを介してバンプ部を形成したランドに接続されている
TABテープを含み、当該TABテープは実装基板と接
合しうる構造を有している半導体装置に於いて、当該T
ABテープに仮接着機能を有する接着材を介して補強材
が接続されている半導体装置を製造するに際し、当該補
強材と当該TABテープを仮接着機能を有する接着材を
使用して互いに接合する事を特徴とする半導体装置の製
造方法。
8. A TAB tape in which a semiconductor chip is connected to a device hole, and an electrode of the semiconductor chip is connected via an inner lead to a land on which a bump is formed, wherein the TAB tape is a mounting board. In a semiconductor device having a structure that can be joined to
When manufacturing a semiconductor device in which a reinforcing material is connected to an AB tape via an adhesive having a temporary bonding function, the reinforcing material and the TAB tape are bonded to each other using an adhesive having a temporary bonding function. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
【請求項9】 当該仮接着機能を有する接着材として、
粘着性を有する接着材を使用する事を特徴とする請求項
8記載の半導体装置の製造方法。
9. The adhesive having the temporary adhesive function,
9. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein an adhesive having tackiness is used.
【請求項10】 当該仮接着機能を有する接着材は所定
の温度で短時間加熱すると接着機能を発揮する様な材料
を使用する事を特徴とする請求項8記載の半導体装置の
製造方法。
10. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein said adhesive having a temporary bonding function is a material which exhibits an adhesive function when heated at a predetermined temperature for a short time.
【請求項11】 当該TABテープに該補強材を貼り合
わせるに際し、当該TABテープを加熱処理して、当該
TABテープ材料内部には、実質的に水分が含有されて
いない状態にした後、当該補強材と貼り合わせる様に構
成されている事を特徴とする請求項8乃至10の何れか
に記載の半導体装置の製造方法。
11. When the reinforcing material is bonded to the TAB tape, the TAB tape is subjected to a heat treatment so that the inside of the TAB tape material contains substantially no moisture, and then the reinforcing material is applied. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein the semiconductor device is configured to be bonded to a material.
【請求項12】 当該TABテープと当該補強材を貼り
合わせるに際し、当該TABテープと当該補強材を接合
した後、当該両者を押圧処理する事によって、当該仮接
着機能を有する接着材の内部に含まれるボイドを外部に
押し出す操作を行う様に構成されている事を特徴とする
請求項8乃至11の何れかに記載の半導体装置の製造方
法。
12. When bonding the TAB tape and the reinforcing material together, after joining the TAB tape and the reinforcing material, the both are pressed to be included in the adhesive having the temporary bonding function. 12. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein an operation of pushing out a void to be performed is performed.
【請求項13】 当該押圧処理に使用される押圧部材
は、弾性を有する材料で構成されている事を特徴とする
請求項12記載の半導体装置の製造方法。
13. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 12, wherein the pressing member used for the pressing process is made of a material having elasticity.
【請求項14】 当該押圧処理に使用される押圧部材
は、押圧面が湾曲状に突出せしめられている事を特徴と
する請求項13記載の半導体装置の製造方法。
14. The method according to claim 13, wherein the pressing member used in the pressing process has a pressing surface protruding in a curved shape.
【請求項15】 当該仮接着機能を有する接着材は、当
該TABテープと補強材との間の所定の部位に選択的に
配置されているものである事を特徴とする請求項8乃至
14の半導体装置の製造方法。
15. The adhesive according to claim 8, wherein the adhesive having the temporary bonding function is selectively disposed at a predetermined portion between the TAB tape and the reinforcing material. A method for manufacturing a semiconductor device.
【請求項16】 当該補強板と当該TABテープは、そ
の両者が貼り付け時、接着中もしくは張り付け終了後に
真空雰囲気で加熱し、接着したことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
16. A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the reinforcing plate and the TAB tape are bonded by heating in a vacuum atmosphere during bonding, during bonding, or after completion of bonding.
【請求項17】 TABテープを構成する機材フイルム
材料を加熱処理する第1の工程、当該TABテープ若し
くは補強材の対応する部材との接合面に、仮接着機能を
有する接着材を所定のパターンに沿って塗布する第2の
工程、当該第1の工程終了後、予め定められた期間内
に、当該TABテープと補強材とを仮接着機能を有する
接着材を介して貼り合わせる第3の工程、当該張り合わ
された当該TABテープと当該補強材に、短時間の加熱
処理を施すか、施さずに押圧処理操作を実行する第4の
工程とから構成された事を特徴とする半導体装置の製造
方法。
17. A first step of heat-treating an equipment film material constituting a TAB tape, wherein an adhesive having a temporary adhesive function is formed in a predetermined pattern on a joining surface of the TAB tape or the reinforcing member with a corresponding member. A second step of applying the TAB tape and the reinforcing material via an adhesive having a temporary bonding function within a predetermined period after the first step of applying the first step, A fourth step of subjecting the bonded TAB tape and the reinforcing member to a short-time heat treatment or performing a pressing operation without performing the heat treatment. .
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