JPH11103265A - 電子機器 - Google Patents
電子機器Info
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- JPH11103265A JPH11103265A JP9261653A JP26165397A JPH11103265A JP H11103265 A JPH11103265 A JP H11103265A JP 9261653 A JP9261653 A JP 9261653A JP 26165397 A JP26165397 A JP 26165397A JP H11103265 A JPH11103265 A JP H11103265A
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/403—Edge contacts; Windows or holes in the substrate having plural connections on the walls thereof
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Transceivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、主として移動体通信機器等の高周
波信号を取り扱う電子機器に関するものであって、特に
モジュール部品をマザー基板に実装して使用する電子機
器であって、非常に簡単な構成でモジュール部品のアイ
ソレーション特性に優れ、グランドの強化された電子機
器を提供することを目的とする。 【解決手段】 １ｓｔＩＦ出力整合回路８のグランドを
モジュール部品３７の基板端面に設けられたグランド端
子１８に接続するとともに、その接続を前記１ｓｔＩＦ
出力整合回路８が実装された表面に形成された導体パタ
ーン２０で行うように構成されており、これにより、非
常に簡単な構成でモジュール部品のアイソレーション特
性に優れ、グランドの強化された電子機器を提供するこ
とができる。
波信号を取り扱う電子機器に関するものであって、特に
モジュール部品をマザー基板に実装して使用する電子機
器であって、非常に簡単な構成でモジュール部品のアイ
ソレーション特性に優れ、グランドの強化された電子機
器を提供することを目的とする。 【解決手段】 １ｓｔＩＦ出力整合回路８のグランドを
モジュール部品３７の基板端面に設けられたグランド端
子１８に接続するとともに、その接続を前記１ｓｔＩＦ
出力整合回路８が実装された表面に形成された導体パタ
ーン２０で行うように構成されており、これにより、非
常に簡単な構成でモジュール部品のアイソレーション特
性に優れ、グランドの強化された電子機器を提供するこ
とができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として移動体通
信機器等の高周波信号を取り扱う電子機器に関するもの
である。
信機器等の高周波信号を取り扱う電子機器に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、移動体通信分野の発展はめざまし
く、商品サイクルが大幅に短期化するとともに、機器の
小型化が急速に進んでおり、これに伴い、基板の配線パ
ターンや実装部品のバラツキ等が、その特性に大きく影
響を与えるようになってきている。そのため、複雑な回
路構成を機能ブロックに分け、それらをモジュール部品
として別基板上で作成してマザー基板に実装することに
より、機器全体としてのバラツキを抑え、各機能ブロッ
ク毎の特性を向上させる方法が注目を集めている。
く、商品サイクルが大幅に短期化するとともに、機器の
小型化が急速に進んでおり、これに伴い、基板の配線パ
ターンや実装部品のバラツキ等が、その特性に大きく影
響を与えるようになってきている。そのため、複雑な回
路構成を機能ブロックに分け、それらをモジュール部品
として別基板上で作成してマザー基板に実装することに
より、機器全体としてのバラツキを抑え、各機能ブロッ
ク毎の特性を向上させる方法が注目を集めている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般
に、高周波信号を扱うモジュール部品では、モジュール
部品とマザー基板とのアイソレーション、またモジュー
ル内部の各回路ブロック間でのアイソレーション、ある
いはモジュール部品のグランドを強化する必要があり、
そのために各種のシールドを行ってその対策を行ってい
るが、複数の機能ブロックを１つのモジュールで構成し
ようとすると、さらにこれらの対策を十分に施す必要が
あった。
に、高周波信号を扱うモジュール部品では、モジュール
部品とマザー基板とのアイソレーション、またモジュー
ル内部の各回路ブロック間でのアイソレーション、ある
いはモジュール部品のグランドを強化する必要があり、
そのために各種のシールドを行ってその対策を行ってい
るが、複数の機能ブロックを１つのモジュールで構成し
ようとすると、さらにこれらの対策を十分に施す必要が
あった。
【０００４】本発明は上記課題を解決するためのもので
あり、非常に簡単な構成でモジュール部品のアイソレー
ション特性に優れ、グランドの強化された電子機器を提
供することを目的とする。
あり、非常に簡単な構成でモジュール部品のアイソレー
ション特性に優れ、グランドの強化された電子機器を提
供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の電子機器は、１ｓｔＩＦ出力整合回路のグラ
ンドをモジュール部品の基板端面に設けられたグランド
端子に接続するとともに、その接続を前記１ｓｔＩＦ出
力整合回路が実装された表面に形成された導体パターン
で行うように構成されており、これにより、非常に簡単
な構成でモジュール部品のアイソレーション特性に優
れ、グランドの強化された電子機器を提供することがで
きる。
に本発明の電子機器は、１ｓｔＩＦ出力整合回路のグラ
ンドをモジュール部品の基板端面に設けられたグランド
端子に接続するとともに、その接続を前記１ｓｔＩＦ出
力整合回路が実装された表面に形成された導体パターン
で行うように構成されており、これにより、非常に簡単
な構成でモジュール部品のアイソレーション特性に優
れ、グランドの強化された電子機器を提供することがで
きる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、モジュール部品をマザー基板に実装して使用する電
子機器であって、前記モジュール部品は少なくとも低雑
音増幅器、フィルタ、１ｓｔミキサ、および２ｎｄミキ
サを有し、前記１ｓｔミキサは１ｓｔＩＦ出力整合回路
および１ｓｔローカル入力整合回路を有し、前記１ｓｔ
ＩＦ出力整合回路のグランドを前記モジュール部品の基
板端面に設けられたグランド端子に接続するとともに、
その接続を前記１ｓｔＩＦ出力整合回路が実装された表
面に形成された導体パターンで行うことを特徴とするも
のであり、これにより、マザー基板側に実装される１ｓ
ｔＩＦフィルタとのグランドが強化され安定なフィルタ
特性が得られるという作用を有する。
は、モジュール部品をマザー基板に実装して使用する電
子機器であって、前記モジュール部品は少なくとも低雑
音増幅器、フィルタ、１ｓｔミキサ、および２ｎｄミキ
サを有し、前記１ｓｔミキサは１ｓｔＩＦ出力整合回路
および１ｓｔローカル入力整合回路を有し、前記１ｓｔ
ＩＦ出力整合回路のグランドを前記モジュール部品の基
板端面に設けられたグランド端子に接続するとともに、
その接続を前記１ｓｔＩＦ出力整合回路が実装された表
面に形成された導体パターンで行うことを特徴とするも
のであり、これにより、マザー基板側に実装される１ｓ
ｔＩＦフィルタとのグランドが強化され安定なフィルタ
特性が得られるという作用を有する。
【０００７】請求項２に記載の発明は、請求項１におい
て、モジュール部品をマザー基板に実装して使用する電
子機器であって、前記モジュール部品は少なくとも低雑
音増幅器、フィルタ、１ｓｔミキサ、および２ｎｄミキ
サを有し、前記２ｎｄミキサは１ｓｔＩＦ入力整合回路
および２ｎｄローカル入力整合回路を有し、前記１ｓｔ
ＩＦ入力整合回路のグランドおよび／または２ｎｄロー
カル入力整合回路のグランドを前記モジュール部品の基
板端面に設けられたグランド端子に接続するとともに、
その接続を前記１ｓｔＩＦ入力整合回路および／または
２ｎｄローカル入力整合回路が実装された表面に形成さ
れた導体パターンで行うことを特徴とするものであり、
これにより、マザー基板側に実装される１ｓｔＩＦフィ
ルタとのグランドが強化され安定なフィルタ特性が得ら
れる、または、２ｎｄローカル信号の輻射を軽減すると
いう作用を有する。
て、モジュール部品をマザー基板に実装して使用する電
子機器であって、前記モジュール部品は少なくとも低雑
音増幅器、フィルタ、１ｓｔミキサ、および２ｎｄミキ
サを有し、前記２ｎｄミキサは１ｓｔＩＦ入力整合回路
および２ｎｄローカル入力整合回路を有し、前記１ｓｔ
ＩＦ入力整合回路のグランドおよび／または２ｎｄロー
カル入力整合回路のグランドを前記モジュール部品の基
板端面に設けられたグランド端子に接続するとともに、
その接続を前記１ｓｔＩＦ入力整合回路および／または
２ｎｄローカル入力整合回路が実装された表面に形成さ
れた導体パターンで行うことを特徴とするものであり、
これにより、マザー基板側に実装される１ｓｔＩＦフィ
ルタとのグランドが強化され安定なフィルタ特性が得ら
れる、または、２ｎｄローカル信号の輻射を軽減すると
いう作用を有する。
【０００８】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２において、２ｎｄミキサの１ｓｔＩＦ入力整合回路お
よび／または２ｎｄローカル入力整合回路に用いるイン
ダクタと１ｓｔミキサの１ｓｔＩＦ出力整合回路の回路
素子および導体パターンとを１mm以上離すことを特徴と
するものであり、これにより、１ｓｔＩＦおよび／また
は２ｎｄローカルが１ｓｔミキサに漏洩することを軽減
するという作用を有する。
２において、２ｎｄミキサの１ｓｔＩＦ入力整合回路お
よび／または２ｎｄローカル入力整合回路に用いるイン
ダクタと１ｓｔミキサの１ｓｔＩＦ出力整合回路の回路
素子および導体パターンとを１mm以上離すことを特徴と
するものであり、これにより、１ｓｔＩＦおよび／また
は２ｎｄローカルが１ｓｔミキサに漏洩することを軽減
するという作用を有する。
【０００９】請求項４に記載した発明は、請求項１また
は２において、低雑音増幅器の整合回路に用いるインダ
クタと１ｓｔミキサの１ｓｔローカル入力整合回路の回
路素子および導体パターンとを１mm以上離すことを特徴
とするものであり、これにより、１ｓｔローカル信号が
受信信号入力端子に漏洩する事を軽減するという作用を
有する。
は２において、低雑音増幅器の整合回路に用いるインダ
クタと１ｓｔミキサの１ｓｔローカル入力整合回路の回
路素子および導体パターンとを１mm以上離すことを特徴
とするものであり、これにより、１ｓｔローカル信号が
受信信号入力端子に漏洩する事を軽減するという作用を
有する。
【００１０】請求項５に記載の発明は、請求項１または
２において、１ｓｔミキサの１ｓｔＩＦ信号出力端子と
２ｎｄミキサの１ｓｔＩＦ入力端子および／または２ｎ
ｄミキサの２ｎｄローカル信号入力とをモジュール部品
の相対する基板端面にそれぞれ分けて設けたことを特徴
とするものであり、これにより、１ｓｔＩＦ信号および
／または２ｎｄローカル信号が１ｓｔミキサに漏洩する
ことを軽減するという作用を有する。
２において、１ｓｔミキサの１ｓｔＩＦ信号出力端子と
２ｎｄミキサの１ｓｔＩＦ入力端子および／または２ｎ
ｄミキサの２ｎｄローカル信号入力とをモジュール部品
の相対する基板端面にそれぞれ分けて設けたことを特徴
とするものであり、これにより、１ｓｔＩＦ信号および
／または２ｎｄローカル信号が１ｓｔミキサに漏洩する
ことを軽減するという作用を有する。
【００１１】請求項６に記載の発明は、請求項１または
２において、２ｎｄミキサの１ｓｔＩＦ入力端子と２ｎ
ｄミキサの２ｎｄローカル入力端子とをモジュール部品
の相対する基板端面にそれぞれ分けて設けたことを特徴
とするものであり、これにより、両端子間のアイソレー
ションを高めるという作用を有する。
２において、２ｎｄミキサの１ｓｔＩＦ入力端子と２ｎ
ｄミキサの２ｎｄローカル入力端子とをモジュール部品
の相対する基板端面にそれぞれ分けて設けたことを特徴
とするものであり、これにより、両端子間のアイソレー
ションを高めるという作用を有する。
【００１２】請求項７に記載の発明は、請求項１または
２において、２ｎｄミキサと第１，第２のＩＦアンプを
１つのＩＣで構成し、２ｎｄミキサと第２のＩＦアンプ
の電源端子との間に抵抗を接続するとともに、第２のＩ
Ｆアンプの電源端子とグランドとの間にコンデンサを接
続し、２ｎｄミキサの電源端子を外部からの電圧印加端
子とすることを特徴とするものであり、これにより、２
ｎｄミキサと第２のＩＦアンプの電源間のアイソレーシ
ョンを高め、モジュール部品の雑音指数を良化するとい
う作用を有する。
２において、２ｎｄミキサと第１，第２のＩＦアンプを
１つのＩＣで構成し、２ｎｄミキサと第２のＩＦアンプ
の電源端子との間に抵抗を接続するとともに、第２のＩ
Ｆアンプの電源端子とグランドとの間にコンデンサを接
続し、２ｎｄミキサの電源端子を外部からの電圧印加端
子とすることを特徴とするものであり、これにより、２
ｎｄミキサと第２のＩＦアンプの電源間のアイソレーシ
ョンを高め、モジュール部品の雑音指数を良化するとい
う作用を有する。
【００１３】請求項８に記載の発明は、請求項１または
２において、フィルタを２つの通過帯域を有するように
構成し、その入力を共通にするとともに、その出力を２
つに別け、入力側に低雑音増幅器の整合回路を接続する
とともに、出力側にそれぞれ１ｓｔミキサのＲＦ入力整
合回路を接続して２入力−１出力のスイッチ回路を介し
て１ｓｔミキサに接続することを特徴とするものであ
り、これにより、２つの通過帯域それぞれに最適な整合
を行い損失を低減するという作用を有する。
２において、フィルタを２つの通過帯域を有するように
構成し、その入力を共通にするとともに、その出力を２
つに別け、入力側に低雑音増幅器の整合回路を接続する
とともに、出力側にそれぞれ１ｓｔミキサのＲＦ入力整
合回路を接続して２入力−１出力のスイッチ回路を介し
て１ｓｔミキサに接続することを特徴とするものであ
り、これにより、２つの通過帯域それぞれに最適な整合
を行い損失を低減するという作用を有する。
【００１４】請求項９に記載の発明は、請求項１または
２において、低雑音増幅器、フィルタ、１ｓｔミキサの
信号入出力端子と２ｎｄミキサの信号入出力端子との間
に信号入出力端子および電圧印加端子よりも幅の広いグ
ランド端子を設けたことを特徴とするものであり、これ
により、ＲＦ信号とＩＦ信号間のアイソレーションを強
化するという作用を有する。
２において、低雑音増幅器、フィルタ、１ｓｔミキサの
信号入出力端子と２ｎｄミキサの信号入出力端子との間
に信号入出力端子および電圧印加端子よりも幅の広いグ
ランド端子を設けたことを特徴とするものであり、これ
により、ＲＦ信号とＩＦ信号間のアイソレーションを強
化するという作用を有する。
【００１５】請求項１０に記載の発明は、バランと直交
変調器を有し、前記バランの平衡出力を前記直交変調器
のローカル入力に接続し、前記バランの不平衡入力をモ
ジュール部品の基板端面に設けられたローカル入力端子
に接続し、前記バランの不平衡入力端子とグランドとの
間にコンデンサを接続し、前記コンデンサの接地端子を
前記基板のバランを実装した表面に形成した導体パター
ンで前記基板端面に設けられたグランド端子に接続した
ことを特徴とするものであり、これにより、前記バラン
の不平衡入力端子のインピーダンス特性を最適にすると
いう作用を有する。
変調器を有し、前記バランの平衡出力を前記直交変調器
のローカル入力に接続し、前記バランの不平衡入力をモ
ジュール部品の基板端面に設けられたローカル入力端子
に接続し、前記バランの不平衡入力端子とグランドとの
間にコンデンサを接続し、前記コンデンサの接地端子を
前記基板のバランを実装した表面に形成した導体パター
ンで前記基板端面に設けられたグランド端子に接続した
ことを特徴とするものであり、これにより、前記バラン
の不平衡入力端子のインピーダンス特性を最適にすると
いう作用を有する。
【００１６】請求項１１に記載の発明は、バランと直交
変調器を有し、前記バランの平衡出力を前記直交変調器
のローカル入力に接続し、前記バランの不平衡入力をモ
ジュール部品の基板端面に設けられたローカル入力端子
に接続し、前記バランの平衡出力端子の少なくとも一方
とグランドの間にコンデンサを接続し、前記コンデンサ
の接地端子を前記基板のバランを実装した表面に形成し
た導体パターンで前記基板端面に設けられたグランド端
子に接続したことを特徴とするものであり、これによ
り、前記バランの不平衡入力端子のインピーダンス特性
を最適にするという作用を有する。
変調器を有し、前記バランの平衡出力を前記直交変調器
のローカル入力に接続し、前記バランの不平衡入力をモ
ジュール部品の基板端面に設けられたローカル入力端子
に接続し、前記バランの平衡出力端子の少なくとも一方
とグランドの間にコンデンサを接続し、前記コンデンサ
の接地端子を前記基板のバランを実装した表面に形成し
た導体パターンで前記基板端面に設けられたグランド端
子に接続したことを特徴とするものであり、これによ
り、前記バランの不平衡入力端子のインピーダンス特性
を最適にするという作用を有する。
【００１７】以下、本発明の一実施の形態について、図
を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の第１の実施の形態にお
ける電子機器のモジュール部品の構成を示す部品装着
図、図２は同モジュール部品の概略構成を示すブロック
図である。
を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の第１の実施の形態にお
ける電子機器のモジュール部品の構成を示す部品装着
図、図２は同モジュール部品の概略構成を示すブロック
図である。
【００１８】図１，２において、受信信号入力端子１か
ら入力された受信信号は整合回路３、低雑音増幅器２、
整合回路４で増幅され、フィルタ５を通過した後、通過
帯域Ａは整合回路１０を、通過帯域Ｂは整合回路１１を
介してスイッチ回路に入力され、スイッチ回路制御入力
端子１３からの制御信号に基づいていずれかが選択され
整合回路９を介して１ｓｔミキサ６に入力される。１ｓ
ｔミキサ６では受信信号と１ｓｔローカル入力端子１４
から整合回路７を介して入力された１ｓｔローカル信号
とが混合され、１ｓｔＩＦ信号が整合回路８を介して１
ｓｔＩＦ出力端子１６から出力される。
ら入力された受信信号は整合回路３、低雑音増幅器２、
整合回路４で増幅され、フィルタ５を通過した後、通過
帯域Ａは整合回路１０を、通過帯域Ｂは整合回路１１を
介してスイッチ回路に入力され、スイッチ回路制御入力
端子１３からの制御信号に基づいていずれかが選択され
整合回路９を介して１ｓｔミキサ６に入力される。１ｓ
ｔミキサ６では受信信号と１ｓｔローカル入力端子１４
から整合回路７を介して入力された１ｓｔローカル信号
とが混合され、１ｓｔＩＦ信号が整合回路８を介して１
ｓｔＩＦ出力端子１６から出力される。
【００１９】１ｓｔＩＦ出力端子１６から出力された１
ｓｔＩＦ信号はマザー基板（図示せず）上で１ｓｔＩＦ
フィルタ（図示せず）を通過した後１ｓｔＩＦ入力端子
２４から再び入力され、整合回路２２を介して、ＩＣ３
６の中に組み込まれた２ｎｄミキサ２１に入力される。
２ｎｄミキサ２１では１ｓｔＩＦ信号と２ｎｄローカル
入力端子２８から整合回路２５を介して入力された２ｎ
ｄローカル信号とが混合され、２ｎｄＩＦ信号が出力さ
れる。２ｎｄＩＦ信号は第１のＩＦアンプ３４を介して
マザー基板へと出力され、マザー基板上で２ｎｄＩＦフ
ィルタ（図示せず）を通過した後、モジュール部品に再
び入力され、第２のＩＦアンプ３５を介してマザー基板
へと出力される。
ｓｔＩＦ信号はマザー基板（図示せず）上で１ｓｔＩＦ
フィルタ（図示せず）を通過した後１ｓｔＩＦ入力端子
２４から再び入力され、整合回路２２を介して、ＩＣ３
６の中に組み込まれた２ｎｄミキサ２１に入力される。
２ｎｄミキサ２１では１ｓｔＩＦ信号と２ｎｄローカル
入力端子２８から整合回路２５を介して入力された２ｎ
ｄローカル信号とが混合され、２ｎｄＩＦ信号が出力さ
れる。２ｎｄＩＦ信号は第１のＩＦアンプ３４を介して
マザー基板へと出力され、マザー基板上で２ｎｄＩＦフ
ィルタ（図示せず）を通過した後、モジュール部品に再
び入力され、第２のＩＦアンプ３５を介してマザー基板
へと出力される。
【００２０】以下、本実施の形態における受信特性に関
与するモジュール内部のアイソレーションとグランドの
強化および損失低減について説明する。
与するモジュール内部のアイソレーションとグランドの
強化および損失低減について説明する。
【００２１】１ｓｔミキサ６の１ｓｔＩＦ出力整合回路
８のグランドは１ｓｔＩＦ出力整合回路８を構成する回
路素子が実装されている基板表面の導体パターン２０で
グランド端子１８に接続されている。また、２ｎｄミキ
サ２１の１ｓｔＩＦ入力整合回路２２のグランドも１ｓ
ｔＩＦ入力整合回路２２を構成する回路素子が実装され
ている基板表面の導体パターン２３でグランド端子１９
に接続されている。これにより、グランド端子１８，１
９をマザー基板に半田付けすることで、１ｓｔＩＦ出力
整合回路８および１ｓｔＩＦ入力整合回路２２の両回路
と、両回路の間にマザー基板で実装される１ｓｔＩＦフ
ィルタのグランドがスルーホールを介さずに強固に接続
され、グランド導体部に発生する各回路、フィルタ間の
電位差を無くすことができるので、１ｓｔＩＦフィルタ
の減衰特性を劣化させることなく信号を伝達することが
でき、２ｎｄＩＦイメージ抑圧特性の劣化を防ぐことが
できる。
８のグランドは１ｓｔＩＦ出力整合回路８を構成する回
路素子が実装されている基板表面の導体パターン２０で
グランド端子１８に接続されている。また、２ｎｄミキ
サ２１の１ｓｔＩＦ入力整合回路２２のグランドも１ｓ
ｔＩＦ入力整合回路２２を構成する回路素子が実装され
ている基板表面の導体パターン２３でグランド端子１９
に接続されている。これにより、グランド端子１８，１
９をマザー基板に半田付けすることで、１ｓｔＩＦ出力
整合回路８および１ｓｔＩＦ入力整合回路２２の両回路
と、両回路の間にマザー基板で実装される１ｓｔＩＦフ
ィルタのグランドがスルーホールを介さずに強固に接続
され、グランド導体部に発生する各回路、フィルタ間の
電位差を無くすことができるので、１ｓｔＩＦフィルタ
の減衰特性を劣化させることなく信号を伝達することが
でき、２ｎｄＩＦイメージ抑圧特性の劣化を防ぐことが
できる。
【００２２】次に、２ｎｄミキサ２１の２ｎｄローカル
入力整合回路２５のグランドは２ｎｄローカル入力整合
回路２５を構成する回路素子が実装されている基板表面
の導体パターン２６でグランド端子２７に接続されてい
る。これにより、マザー基板のグランドと強固に接続す
ることができ、グランド導体部からの２ｎｄローカル信
号の不要な輻射を軽減することができ、２ｎｄＩＦイメ
ージ抑圧特性の劣化を防ぐことができる。
入力整合回路２５のグランドは２ｎｄローカル入力整合
回路２５を構成する回路素子が実装されている基板表面
の導体パターン２６でグランド端子２７に接続されてい
る。これにより、マザー基板のグランドと強固に接続す
ることができ、グランド導体部からの２ｎｄローカル信
号の不要な輻射を軽減することができ、２ｎｄＩＦイメ
ージ抑圧特性の劣化を防ぐことができる。
【００２３】次に、２ｎｄミキサ２１の１ｓｔＩＦ入力
整合回路２２および２ｎｄローカル入力整合回路２５に
用いるインダクタ３８は、１ｓｔミキサ６の１ｓｔＩＦ
出力整合回路８を構成する回路素子および導体パターン
から１mm以上離して実装されており、これにより、１ｓ
ｔＩＦ信号および２ｎｄローカル信号が１ｓｔＩＦ出力
整合回路８を介して１ｓｔミキサに漏洩することを防
ぎ、２ｎｄＩＦイメージ抑圧特性が劣化するのを防ぐこ
とができる。なお、図２において最も小さい素子の幅は
約０．５mmであり、各素子間の距離は０．２５mm以上と
なるように構成されており、インダクタ３８は少なくと
も素子１個分を隔てて１ｓｔＩＦ出力整合回路８より離
して構成することにより、１mm以上の間隔をあけた実装
が可能となる。
整合回路２２および２ｎｄローカル入力整合回路２５に
用いるインダクタ３８は、１ｓｔミキサ６の１ｓｔＩＦ
出力整合回路８を構成する回路素子および導体パターン
から１mm以上離して実装されており、これにより、１ｓ
ｔＩＦ信号および２ｎｄローカル信号が１ｓｔＩＦ出力
整合回路８を介して１ｓｔミキサに漏洩することを防
ぎ、２ｎｄＩＦイメージ抑圧特性が劣化するのを防ぐこ
とができる。なお、図２において最も小さい素子の幅は
約０．５mmであり、各素子間の距離は０．２５mm以上と
なるように構成されており、インダクタ３８は少なくと
も素子１個分を隔てて１ｓｔＩＦ出力整合回路８より離
して構成することにより、１mm以上の間隔をあけた実装
が可能となる。
【００２４】次に、低雑音増幅器２の整合回路３，４に
用いるインダクタ４０，４１，４２は、１ｓｔミキサ６
の１ｓｔローカル入力整合回路７の回路素子および導体
パターンから１mm以上離して実装されており、これによ
り、１ｓｔローカル入力端子１４から入力された１ｓｔ
ローカル信号が１ｓｔミキサ６およびフィルタ５を介す
ことで減衰されずに、直接、低雑音増幅器２の整合回路
３，４を介して受信信号入力端子１に漏洩することを防
ぐことができる。なお、図２において最も小さい素子の
幅は約０．５mmであり、各素子間の距離は０．２５mm以
上となるように構成されており、インダクタ４０，４
１，４２は少なくとも素子１個分を隔てて１ｓｔローカ
ル入力整合回路７より離して構成することにより、１mm
以上の間隔をあけた実装が可能となる。
用いるインダクタ４０，４１，４２は、１ｓｔミキサ６
の１ｓｔローカル入力整合回路７の回路素子および導体
パターンから１mm以上離して実装されており、これによ
り、１ｓｔローカル入力端子１４から入力された１ｓｔ
ローカル信号が１ｓｔミキサ６およびフィルタ５を介す
ことで減衰されずに、直接、低雑音増幅器２の整合回路
３，４を介して受信信号入力端子１に漏洩することを防
ぐことができる。なお、図２において最も小さい素子の
幅は約０．５mmであり、各素子間の距離は０．２５mm以
上となるように構成されており、インダクタ４０，４
１，４２は少なくとも素子１個分を隔てて１ｓｔローカ
ル入力整合回路７より離して構成することにより、１mm
以上の間隔をあけた実装が可能となる。
【００２５】次に、１ｓｔＩＦ出力端子１６と１ｓｔＩ
Ｆ入力端子２４はプリント基板３７の相対する端面に設
けられており、モジュール部品内部で両端子間を空間的
に遠く離すことでアイソレーションを強化し、両端子間
にマザー基板で接続される１ｓｔＩＦフィルタで減衰さ
れる２ｎｄＩＦイメージ妨害波が１ｓｔＩＦフィルタを
介さずに１ｓｔＩＦ出力端子１６から１ｓｔＩＦ入力端
子２４に漏洩することを防ぐことができる。なお、本実
施の形態において１ｓｔＩＦ出力端子１６と２ｎｄロー
カル入力端子２８をプリント基板３７の相対する端面に
設けてやれば、両端子間のアイソレーションを強化する
ことができるとともに、２ｎｄローカル信号が１ｓｔＩ
Ｆ出力端子１６に漏洩して１ｓｔミキサ６に入力され２
ｎｄＩＦイメージ抑圧特性が劣化することを防ぐことは
言うまでもない。
Ｆ入力端子２４はプリント基板３７の相対する端面に設
けられており、モジュール部品内部で両端子間を空間的
に遠く離すことでアイソレーションを強化し、両端子間
にマザー基板で接続される１ｓｔＩＦフィルタで減衰さ
れる２ｎｄＩＦイメージ妨害波が１ｓｔＩＦフィルタを
介さずに１ｓｔＩＦ出力端子１６から１ｓｔＩＦ入力端
子２４に漏洩することを防ぐことができる。なお、本実
施の形態において１ｓｔＩＦ出力端子１６と２ｎｄロー
カル入力端子２８をプリント基板３７の相対する端面に
設けてやれば、両端子間のアイソレーションを強化する
ことができるとともに、２ｎｄローカル信号が１ｓｔＩ
Ｆ出力端子１６に漏洩して１ｓｔミキサ６に入力され２
ｎｄＩＦイメージ抑圧特性が劣化することを防ぐことは
言うまでもない。
【００２６】次に、１ｓｔＩＦ入力端子２４と２ｎｄロ
ーカル入力端子２８はプリント基板３７の相対する端面
に設けられており、モジュール部品内部で両端子間を空
間的に遠く離すことでアイソレーションを強化し、２ｎ
ｄローカル信号が２ｎｄミキサ２１を介さずに１ｓｔＩ
Ｆ入力端子２４に直接漏洩していくことを防いでいる。
ーカル入力端子２８はプリント基板３７の相対する端面
に設けられており、モジュール部品内部で両端子間を空
間的に遠く離すことでアイソレーションを強化し、２ｎ
ｄローカル信号が２ｎｄミキサ２１を介さずに１ｓｔＩ
Ｆ入力端子２４に直接漏洩していくことを防いでいる。
【００２７】次に、２ｎｄミキサ２１と第１，２のＩＦ
アンプ３４，３５は１つのＩＣ３６で構成されており、
２ｎｄミキサ２１へは電圧印加端子３１から電圧が供給
され、第２のＩＦアンプ３５へは２ｎｄミキサ２１の電
源端子２９と第２のＩＦアンプ３５の電源端子３０の間
に接続された抵抗３２を介して電圧が供給される。さら
に、電源端子３０には２ｎｄＩＦ信号のデカップリング
用のコンデンサ３３がグランドとの間に接続されてい
る。
アンプ３４，３５は１つのＩＣ３６で構成されており、
２ｎｄミキサ２１へは電圧印加端子３１から電圧が供給
され、第２のＩＦアンプ３５へは２ｎｄミキサ２１の電
源端子２９と第２のＩＦアンプ３５の電源端子３０の間
に接続された抵抗３２を介して電圧が供給される。さら
に、電源端子３０には２ｎｄＩＦ信号のデカップリング
用のコンデンサ３３がグランドとの間に接続されてい
る。
【００２８】２ｎｄミキサ２１と第１，２のＩＦアンプ
３４，３５は利得が高く、電源端子２９，３０を介して
雑音成分が漏洩するとモジュール部品の雑音指数が劣化
したり、場合によっては異常発振を起こす可能性があ
る。抵抗３２は電源端子２９と３０の間のアイソレーシ
ョンを強化し、さらに、電源端子３０には２ｎｄＩＦ信
号のデカップリング用のコンデンサ３３がグランドとの
間に接続されているので、第１のＩＦアンプ３４から出
力され、マザー基板上の２ｎｄＩＦフィルタで選択され
第２のＩＦアンプ３５に入力された２ｎｄＩＦ周波数近
傍の信号や雑音成分が電源端子３０から電源端子２９を
介して第１のＩＦアンプ３４や２ｎｄミキサ２１に漏洩
することを防ぐことができる。
３４，３５は利得が高く、電源端子２９，３０を介して
雑音成分が漏洩するとモジュール部品の雑音指数が劣化
したり、場合によっては異常発振を起こす可能性があ
る。抵抗３２は電源端子２９と３０の間のアイソレーシ
ョンを強化し、さらに、電源端子３０には２ｎｄＩＦ信
号のデカップリング用のコンデンサ３３がグランドとの
間に接続されているので、第１のＩＦアンプ３４から出
力され、マザー基板上の２ｎｄＩＦフィルタで選択され
第２のＩＦアンプ３５に入力された２ｎｄＩＦ周波数近
傍の信号や雑音成分が電源端子３０から電源端子２９を
介して第１のＩＦアンプ３４や２ｎｄミキサ２１に漏洩
することを防ぐことができる。
【００２９】次に、フィルタ５は２つの通過帯域ＡとＢ
を有し、入力は通過帯域Ａ，Ｂ共通となっており、出力
は２つに分かれている。入力は低雑音増幅器２の整合回
路４に接続され、出力はそれぞれ通過帯域Ａ側は整合回
路１０に、通過帯域Ｂ側は整合回路１１に接続され、さ
らに、２入力−１出力のスイッチ回路１２を介して１ｓ
ｔミキサ６に接続されている。
を有し、入力は通過帯域Ａ，Ｂ共通となっており、出力
は２つに分かれている。入力は低雑音増幅器２の整合回
路４に接続され、出力はそれぞれ通過帯域Ａ側は整合回
路１０に、通過帯域Ｂ側は整合回路１１に接続され、さ
らに、２入力−１出力のスイッチ回路１２を介して１ｓ
ｔミキサ６に接続されている。
【００３０】以上の構成により、低雑音増幅器２で増幅
された受信信号はフィルタ５に入力され、スイッチ１２
で選択された通過帯域のみ１ｓｔミキサ６に入力され
る。また、スイッチ１２と１ｓｔミキサ６の間には通過
帯域Ａ，Ｂに共通な整合回路９が接続されており、整合
回路１０，１１は通過帯域Ａ，Ｂそれぞれ別個の整合回
路である。したがって、整合回路９，１０，１１によっ
て最小限の素子数で通過帯域Ａ，Ｂそれぞれに対し最適
な整合を行えるので、フィルタ５と１ｓｔミキサ６間の
損失を最小限とすることができる。
された受信信号はフィルタ５に入力され、スイッチ１２
で選択された通過帯域のみ１ｓｔミキサ６に入力され
る。また、スイッチ１２と１ｓｔミキサ６の間には通過
帯域Ａ，Ｂに共通な整合回路９が接続されており、整合
回路１０，１１は通過帯域Ａ，Ｂそれぞれ別個の整合回
路である。したがって、整合回路９，１０，１１によっ
て最小限の素子数で通過帯域Ａ，Ｂそれぞれに対し最適
な整合を行えるので、フィルタ５と１ｓｔミキサ６間の
損失を最小限とすることができる。
【００３１】次に、受信信号入力端子１、１ｓｔローカ
ル入力端子１４と１ｓｔＩＦ出力端子１６、２ｎｄロー
カル入力端子２８の間に受信信号入出力端子１や電圧印
加端子１７などよりも幅の広いグランド端子１８を設け
ており、これによりモジュール部品およびマザー基板に
おいてＲＦ信号の入出力端子とＩＦ信号を扱う入出力端
子間のアイソレーションを物理的距離およびグランド導
体によるシールド効果の両面から強固としている。
ル入力端子１４と１ｓｔＩＦ出力端子１６、２ｎｄロー
カル入力端子２８の間に受信信号入出力端子１や電圧印
加端子１７などよりも幅の広いグランド端子１８を設け
ており、これによりモジュール部品およびマザー基板に
おいてＲＦ信号の入出力端子とＩＦ信号を扱う入出力端
子間のアイソレーションを物理的距離およびグランド導
体によるシールド効果の両面から強固としている。
【００３２】（実施の形態２）図３は本発明の第２の実
施の形態における電子機器のモジュール部品の概略構成
を示す部品装着図である。
施の形態における電子機器のモジュール部品の概略構成
を示す部品装着図である。
【００３３】図３においてローカル入力端子５３から入
力されたローカル信号はバラン５１で不平衡−平衡変換
され直交変調器５２に入力され、直交変調器５２からは
高周波変調信号が出力される。ローカル入力端子５３は
マザー基板（図示せず）側の回路やフィルタと小さい反
射損失で接続するために、特性インピーダンス５０Ωに
整合させることが必要である。
力されたローカル信号はバラン５１で不平衡−平衡変換
され直交変調器５２に入力され、直交変調器５２からは
高周波変調信号が出力される。ローカル入力端子５３は
マザー基板（図示せず）側の回路やフィルタと小さい反
射損失で接続するために、特性インピーダンス５０Ωに
整合させることが必要である。
【００３４】そのために、ローカル入力端子５３とグラ
ンド導体との間にコンデンサ５５を接続する必要がある
が、コンデンサ５５をスルーホールを介してグランドに
接続しても、スルーホール部のインダクタ成分が影響
し、整合させることができない。
ンド導体との間にコンデンサ５５を接続する必要がある
が、コンデンサ５５をスルーホールを介してグランドに
接続しても、スルーホール部のインダクタ成分が影響
し、整合させることができない。
【００３５】そこで本実施の形態ではスルーホールを介
さずにバラン５１、コンデンサ５５が実装されているプ
リント基板５６の表面の導体パターンでコンデンサ５５
をプリント基板５６の端面に設けたグランド端子５４に
接続することにより、ローカル入力端子５３のインピー
ダンスを５０Ωに整合させている。
さずにバラン５１、コンデンサ５５が実装されているプ
リント基板５６の表面の導体パターンでコンデンサ５５
をプリント基板５６の端面に設けたグランド端子５４に
接続することにより、ローカル入力端子５３のインピー
ダンスを５０Ωに整合させている。
【００３６】（実施の形態３）図４は本発明の第３の実
施の形態における電子機器のモジュール部品の構成を示
す部品装着図、図５は同モジュール部品の概略構成を示
すブロック図である。
施の形態における電子機器のモジュール部品の構成を示
す部品装着図、図５は同モジュール部品の概略構成を示
すブロック図である。
【００３７】図４，５においてローカル入力端子５３か
ら入力されたローカル信号はバラン５１で不平衡−平衡
変換され直交変調器５２に入力され、直交変調器５２か
らは高周波変調信号が出力される。ローカル入力端子５
３はマザー基板（図示せず）側の回路やフィルタと小さ
い反射損失で接続するために、特性インピーダンス５０
Ωに整合させることが必要である。
ら入力されたローカル信号はバラン５１で不平衡−平衡
変換され直交変調器５２に入力され、直交変調器５２か
らは高周波変調信号が出力される。ローカル入力端子５
３はマザー基板（図示せず）側の回路やフィルタと小さ
い反射損失で接続するために、特性インピーダンス５０
Ωに整合させることが必要である。
【００３８】そこで本実施の形態ではローカル入力端子
５３をコンデンサ５５とスルーホール５９を介してプリ
ント基板５６の端面に設けたグランド端子５７に接続す
るとともに、バラン５１の平衡出力の一方をコンデンサ
５８でグランド端子５７に接続しており、しかも、コン
デンサ５８はスルーホールを介さずにバラン５１、コン
デンサ５８が実装されているプリント基板５６の表面の
導体パターンでグランド端子５７に接続されている。こ
のような回路構成、実装形態により、ローカル入力端子
５３のインピーダンスを５０Ωに整合させている。
５３をコンデンサ５５とスルーホール５９を介してプリ
ント基板５６の端面に設けたグランド端子５７に接続す
るとともに、バラン５１の平衡出力の一方をコンデンサ
５８でグランド端子５７に接続しており、しかも、コン
デンサ５８はスルーホールを介さずにバラン５１、コン
デンサ５８が実装されているプリント基板５６の表面の
導体パターンでグランド端子５７に接続されている。こ
のような回路構成、実装形態により、ローカル入力端子
５３のインピーダンスを５０Ωに整合させている。
【００３９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、非常に簡単な構成でモジュール部品のアイソ
レーション特性に優れ、グランドの強化された電子機器
を実現することができる。
によれば、非常に簡単な構成でモジュール部品のアイソ
レーション特性に優れ、グランドの強化された電子機器
を実現することができる。
【図１】図１は本発明の第１の実施の形態における電子
機器のモジュール部品の構成を示す部品装着図
機器のモジュール部品の構成を示す部品装着図
【図２】同モジュール部品の概略構成を示すブロック図
【図３】図３は本発明の第２の実施の形態における電子
機器のモジュール部品の概略構成を示す部品装着図
機器のモジュール部品の概略構成を示す部品装着図
【図４】図４は本発明の第３の実施の形態における電子
機器のモジュール部品の概略構成を示す部品装着図
機器のモジュール部品の概略構成を示す部品装着図
【図５】図５は本発明の第３の実施の形態における電子
機器のモジュール部品の構成を示すブロック図
機器のモジュール部品の構成を示すブロック図
１ 受信信号入力端子 ２ 低雑音増幅器 ３，４ 低雑音増幅器の整合回路 ５ フィルタ ６ １ｓｔミキサ ７ １ｓｔローカル入力整合回路 ８ １ｓｔＩＦ出力整合回路 ９，１０，１１ １ｓｔミキサのＲＦ入力整合回路 １２ スイッチ回路 １３ スイッチ回路制御入力端子 １４ １ｓｔローカル入力端子 １６ １ｓｔＩＦ出力端子 １７ 低雑音増幅器電圧印加端子 １８，１９，２７ グランド端子 ２０，２３，２６ 導体パターン ２１ ２ｎｄミキサ ２２ １ｓｔＩＦ入力整合回路 ２４ １ｓｔＩＦ入力端子 ２５ ２ｎｄローカル入力整合回路 ２８ ２ｎｄローカル入力端子 ２９ ２ｎｄミキサの電源端子 ３０ 第２のＩＦアンプの電源端子 ３１ 電圧印加端子 ３２ 抵抗 ３３ コンデンサ ３４ 第１のＩＦアンプ ３５ 第２のＩＦアンプ ３６ ＩＣ ３７ プリント基板 ３８，４０，４１，４２ インダクタ ５１ バラン ５２ 直交変調器 ５３ ローカル入力端子 ５４，５７ グランド端子 ５５，５８ コンデンサ ５６ プリント基板 ５９ スルーホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅山 修 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 モジュール部品をマザー基板に実装して
使用する電子機器であって、前記モジュール部品は少な
くとも低雑音増幅器、フィルタ、１ｓｔミキサ、および
２ｎｄミキサを有し、前記１ｓｔミキサは１ｓｔＩＦ出
力整合回路および１ｓｔローカル入力整合回路を有し、
前記１ｓｔＩＦ出力整合回路のグランドを前記モジュー
ル部品の基板端面に設けられたグランド端子に接続する
とともに、その接続を前記１ｓｔＩＦ出力整合回路が実
装された表面に形成された導体パターンで行うことを特
徴とする電子機器。 - 【請求項２】 モジュール部品をマザー基板に実装して
使用する電子機器であって、前記モジュール部品は少な
くとも低雑音増幅器、フィルタ、１ｓｔミキサ、および
２ｎｄミキサを有し、前記２ｎｄミキサは１ｓｔＩＦ入
力整合回路および２ｎｄローカル入力整合回路を有し、
前記１ｓｔＩＦ入力整合回路のグランドおよび／または
２ｎｄローカル入力整合回路のグランドを前記モジュー
ル部品の基板端面に設けられたグランド端子に接続する
とともに、その接続を前記１ｓｔＩＦ入力整合回路およ
び／または２ｎｄローカル入力整合回路が実装された表
面に形成された導体パターンで行うことを特徴とする電
子機器。 - 【請求項３】 ２ｎｄミキサの１ｓｔＩＦ入力整合回路
および／または２ｎｄローカル入力整合回路に用いるイ
ンダクタと１ｓｔミキサの１ｓｔＩＦ出力整合回路の回
路素子および導体パターンとを１mm以上離すことを特徴
とする請求項１または２記載の電子機器。 - 【請求項４】 低雑音増幅器の整合回路に用いるインダ
クタと１ｓｔミキサの１ｓｔローカル入力整合回路の回
路素子および導体パターンとを１mm以上離すことを特徴
とする請求項１または２記載の電子機器。 - 【請求項５】 １ｓｔミキサの１ｓｔＩＦ出力端子と２
ｎｄミキサの１ｓｔＩＦ入力および／または２ｎｄミキ
サの２ｎｄローカル入力端子とをモジュール部品の相対
する基板端面にそれぞれ分けて設けたことを特徴とする
請求項１または２記載の電子機器。 - 【請求項６】 ２ｎｄミキサの１ｓｔＩＦ入力と２ｎｄ
ミキサの２ｎｄローカル入力端子とをモジュール部品の
相対する基板端面にそれぞれ分けて設けたことを特徴と
する請求項１または２記載の電子機器。 - 【請求項７】 ２ｎｄミキサと第１，第２のＩＦアンプ
を１つのＩＣで構成し、２ｎｄミキサと第２のＩＦアン
プの電源端子との間に抵抗を接続するとともに、第２の
ＩＦアンプの電源端子とグランドとの間にコンデンサを
接続し、２ｎｄミキサの電源端子を外部からの電圧印加
端子とすることを特徴とする請求項１または２記載の電
子機器。 - 【請求項８】 フィルタを２つの通過帯域を有するよう
に構成し、その入力を共通にするとともに、その出力を
２つに別け、入力側に低雑音増幅器の整合回路を接続す
るとともに、出力側にそれぞれ１ｓｔミキサのＲＦ入力
整合回路を接続して２入力−１出力のスイッチ回路を介
して１ｓｔミキサに接続することを特徴とする請求項１
または２記載の電子機器。 - 【請求項９】 低雑音増幅器、フィルタ、１ｓｔミキサ
の信号入出力端子と２ｎｄミキサの信号入出力端子との
間に信号入出力端子および電圧印加端子よりも幅の広い
グランド端子を設けたことを特徴とする請求項１または
２記載の電子機器。 - 【請求項１０】 バランと直交変調器を有し、前記バラ
ンの平衡出力を前記直交変調器のローカル入力に接続
し、前記バランの不平衡入力をモジュール部品の基板端
面に設けられたローカル入力端子に接続し、前記バラン
の不平衡入力端子とグランドとの間にコンデンサを接続
し、前記コンデンサの接地端子を前記基板のバランを実
装した表面に形成した導体パターンで前記基板端面に設
けられたグランド端子に接続したことを特徴とする電子
機器。 - 【請求項１１】 バランと直交変調器を有し、前記バラ
ンの平衡出力を前記直交変調器のローカル入力に接続
し、前記バランの不平衡入力をモジュール部品の基板端
面に設けられたローカル入力端子に接続し、前記バラン
の平衡出力端子の少なくとも一方とグランドの間にコン
デンサを接続し、前記コンデンサの接地端子を前記基板
のバランを実装した表面に形成した導体パターンで前記
基板端面に設けられたグランド端子に接続したことを特
徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9261653A JPH11103265A (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9261653A JPH11103265A (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11103265A true JPH11103265A (ja) | 1999-04-13 |
Family
ID=17364905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9261653A Pending JPH11103265A (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11103265A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007208373A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sharp Corp | 半導体集積回路装置及びこれを用いたチューナ装置 |
-
1997
- 1997-09-26 JP JP9261653A patent/JPH11103265A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007208373A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sharp Corp | 半導体集積回路装置及びこれを用いたチューナ装置 |
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