JPH11101807A - トンネル電流検出装置における疑似電流防止装置 - Google Patents
トンネル電流検出装置における疑似電流防止装置Info
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- JPH11101807A JPH11101807A JP26374697A JP26374697A JPH11101807A JP H11101807 A JPH11101807 A JP H11101807A JP 26374697 A JP26374697 A JP 26374697A JP 26374697 A JP26374697 A JP 26374697A JP H11101807 A JPH11101807 A JP H11101807A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】トンネル電流検出ラインとそのシールドとの間
の容量結合による疑似電流を防止して、ゲインを下げる
ことなく、正確なトンネル電流を確実に検出する。 【解決手段】探針３でのトンネル電流が同軸線５の内側
のトンネル電流検出ライン５ａを介してＩ／Ｖ変換アン
プ６に流れ、さらに、その後段で差動アンプ７により、
Ｉ／Ｖ変換アンプ６に流れ込んだ電流に相当する電圧が
検出される。トンネル電流検出ライン５ａは同軸線５の
外側のシールド線５ｂによりシールドされているととも
に、このシールド線５ａがバイア電圧電源８にそれぞれ
接続されている。Ｉ−Ｖ特性やＢＥＥＭ電流のスペクト
ル等のバイアス電圧を比較的速くスイープする場合は、
トンネル電流検出ライン５ａのシールド線５ｂがバイア
ス電位になるので、トンネル電流検出ライン５ａとシー
ルド線５ｂとの間の容量結合がなくなり、その結果容量
結合による疑似電流がなくなる。
の容量結合による疑似電流を防止して、ゲインを下げる
ことなく、正確なトンネル電流を確実に検出する。 【解決手段】探針３でのトンネル電流が同軸線５の内側
のトンネル電流検出ライン５ａを介してＩ／Ｖ変換アン
プ６に流れ、さらに、その後段で差動アンプ７により、
Ｉ／Ｖ変換アンプ６に流れ込んだ電流に相当する電圧が
検出される。トンネル電流検出ライン５ａは同軸線５の
外側のシールド線５ｂによりシールドされているととも
に、このシールド線５ａがバイア電圧電源８にそれぞれ
接続されている。Ｉ−Ｖ特性やＢＥＥＭ電流のスペクト
ル等のバイアス電圧を比較的速くスイープする場合は、
トンネル電流検出ライン５ａのシールド線５ｂがバイア
ス電位になるので、トンネル電流検出ライン５ａとシー
ルド線５ｂとの間の容量結合がなくなり、その結果容量
結合による疑似電流がなくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トンネル効果の原
理を利用して探針と試料との間に流れるトンネル電流を
検出することにより試料の原子像の観察を行う走査型ト
ンネル電子顕微鏡（以下、ＳＴＭともいう）等に用いら
れてるトンネル電流を検出するトンネル電流検出装置の
技術分野に属し、特にトンネル電流ーバイアス電圧（Ｉ
−Ｖ）特性を測定する時に発生する容量結合による疑似
電流を防止してより正確なトンネル電流を検出すること
のできるトンネル電流検出装置における疑似電流防止装
置の技術分野に属するものである。
理を利用して探針と試料との間に流れるトンネル電流を
検出することにより試料の原子像の観察を行う走査型ト
ンネル電子顕微鏡（以下、ＳＴＭともいう）等に用いら
れてるトンネル電流を検出するトンネル電流検出装置の
技術分野に属し、特にトンネル電流ーバイアス電圧（Ｉ
−Ｖ）特性を測定する時に発生する容量結合による疑似
電流を防止してより正確なトンネル電流を検出すること
のできるトンネル電流検出装置における疑似電流防止装
置の技術分野に属するものである。
【０００２】
【従来の技術】先端を先鋭化した金属の探針を試料に接
近させ、この間に小さなバイアス電圧をかけると、探針
と試料間の真空間隙を通って電子が移動する、いわゆる
トンネル効果の原理を利用した走査型トンネル電子顕微
鏡（ＳＴＭ）が、従来から開発されているが、さらにこ
のＳＴＭの技術を応用した弾道電子放射顕微鏡（以下、
ＢＥＥＭ；Ballistic Electorn Emission Microscopeと
もいう）が開発されている。このＢＥＥＭにおいては、
通常、試料として、半導体表面に金属をコーティングし
たものが用いられるとともに、探針３と試料４との間を
流れるトンネル電流から、金属表面および半導体がアー
ス電位にされて、金属側から金属／半導体界面を通り抜
けた弾道電子が半導体側でＢＥＥＭ電流として検出され
るようになっている。その場合、トンネル電流の検出に
あたって外乱ノイズを減少させる必要があるが、そのた
めに、このトンネル電流を検出するトンネル電流検出ラ
インに同軸ケーブルを用いてシールドし、また初段のＩ
−Ｖ変換アンプも同軸ケーブルのシールドと同じ電位の
ケースでシールドしている。一般的に、このシールドに
用いられる同軸ケーブルおよびケースは、ともにアース
電位（ＧＮＤ）に接続されている。
近させ、この間に小さなバイアス電圧をかけると、探針
と試料間の真空間隙を通って電子が移動する、いわゆる
トンネル効果の原理を利用した走査型トンネル電子顕微
鏡（ＳＴＭ）が、従来から開発されているが、さらにこ
のＳＴＭの技術を応用した弾道電子放射顕微鏡（以下、
ＢＥＥＭ；Ballistic Electorn Emission Microscopeと
もいう）が開発されている。このＢＥＥＭにおいては、
通常、試料として、半導体表面に金属をコーティングし
たものが用いられるとともに、探針３と試料４との間を
流れるトンネル電流から、金属表面および半導体がアー
ス電位にされて、金属側から金属／半導体界面を通り抜
けた弾道電子が半導体側でＢＥＥＭ電流として検出され
るようになっている。その場合、トンネル電流の検出に
あたって外乱ノイズを減少させる必要があるが、そのた
めに、このトンネル電流を検出するトンネル電流検出ラ
インに同軸ケーブルを用いてシールドし、また初段のＩ
−Ｖ変換アンプも同軸ケーブルのシールドと同じ電位の
ケースでシールドしている。一般的に、このシールドに
用いられる同軸ケーブルおよびケースは、ともにアース
電位（ＧＮＤ）に接続されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｉ−Ｖ
変換アンプのＩ−Ｖ特性等のバイアス電位をあるスピー
ドで変化させる場合、バイアス電圧が印加されているト
ンネル電流検出ラインとそのシールドとの間の電位差が
より大きくなって、その間の容量結合により生じる電流
もより大きくなってしまう。そのために、トンネル電流
検出ラインに流れる真のトンネル電流以外の疑似電流
（ノイズ電流）がより大きくなり、正確なトンネル電流
を検出することができないばかりでなく、大きすぎる電
流値の検出感度（すなわちゲイン）を下げなければなら
ない。
変換アンプのＩ−Ｖ特性等のバイアス電位をあるスピー
ドで変化させる場合、バイアス電圧が印加されているト
ンネル電流検出ラインとそのシールドとの間の電位差が
より大きくなって、その間の容量結合により生じる電流
もより大きくなってしまう。そのために、トンネル電流
検出ラインに流れる真のトンネル電流以外の疑似電流
（ノイズ電流）がより大きくなり、正確なトンネル電流
を検出することができないばかりでなく、大きすぎる電
流値の検出感度（すなわちゲイン）を下げなければなら
ない。
【０００４】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであって、その目的は、トンネル電流検出ラインと
そのシールドとの間の容量結合により生じる疑似電流を
防止して、ゲインを下げることなく、正確なトンネル電
流を確実に検出することのできるトンネル電流検出装置
における疑似電流防止装置を提供することである。
ものであって、その目的は、トンネル電流検出ラインと
そのシールドとの間の容量結合により生じる疑似電流を
防止して、ゲインを下げることなく、正確なトンネル電
流を確実に検出することのできるトンネル電流検出装置
における疑似電流防止装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに、請求項１の発明は、試料に対向して試料表面を走
査する探針と、この探針にトンネル電流検出ラインを介
して接続され、かつこのトンネル電流検出ラインに流れ
る電流を電圧に変換するＩ−Ｖ変換アンプと、このＩ−
Ｖ変換アンプからの電圧を検出する差動アンプとを少な
くとも備え、探針を試料に接近させるとともに、これら
の探針と試料との間にバイアス電圧電源でバイアス電圧
をかけることにより、探針と試料間を通って流れるトン
ネル電流をトンネル電流検出ラインによって検出するト
ンネル電流検出装置において、前記トンネル電流検出ラ
インを同軸線の内側の導線で構成するとともに、この同
軸線の外側のシールド線を前記バイアス電圧電源に接続
していることを特徴としている。
めに、請求項１の発明は、試料に対向して試料表面を走
査する探針と、この探針にトンネル電流検出ラインを介
して接続され、かつこのトンネル電流検出ラインに流れ
る電流を電圧に変換するＩ−Ｖ変換アンプと、このＩ−
Ｖ変換アンプからの電圧を検出する差動アンプとを少な
くとも備え、探針を試料に接近させるとともに、これら
の探針と試料との間にバイアス電圧電源でバイアス電圧
をかけることにより、探針と試料間を通って流れるトン
ネル電流をトンネル電流検出ラインによって検出するト
ンネル電流検出装置において、前記トンネル電流検出ラ
インを同軸線の内側の導線で構成するとともに、この同
軸線の外側のシールド線を前記バイアス電圧電源に接続
していることを特徴としている。
【０００６】また、請求項２の発明は、前記Ｉ−Ｖ変換
アンプをシールドケースでシールドするとともに、この
シールドケースを前記同軸線の外側のシールド線に接続
することを特徴としている。
アンプをシールドケースでシールドするとともに、この
シールドケースを前記同軸線の外側のシールド線に接続
することを特徴としている。
【０００７】更に、請求項３の発明は、前記探針を探針
用シールド部材でシールドするとともに、この探針用シ
ールド部材を前記同軸線の外側のシールド線に接続する
ことを特徴としている。
用シールド部材でシールドするとともに、この探針用シ
ールド部材を前記同軸線の外側のシールド線に接続する
ことを特徴としている。
【０００８】更に、請求項４の発明は、更に、前記同軸
線をアースされた第２の同軸線でアースシールドすると
ともに、前記シールドケース、前記差動アンプ、および
前記バイアス電圧電源をアースされた第２のシールドケ
ースによりアースシールドすることを特徴としている。
線をアースされた第２の同軸線でアースシールドすると
ともに、前記シールドケース、前記差動アンプ、および
前記バイアス電圧電源をアースされた第２のシールドケ
ースによりアースシールドすることを特徴としている。
【０００９】
【作用】このような構成をした請求項１の発明のトンネ
ル電流検出装置における疑似電流防止装置においては、
Ｉ−Ｖ特性やＢＥＥＭ電流のスペクトル等のバイアス電
圧を比較的速くスイープする場合に、トンネル電流検出
ラインの外側のシールド線がバイアス電位になるので、
トンネル電流検出ラインとシールド線との間の容量結合
がなくなり、その結果容量結合による疑似電流が発生し
なくなる。したがって、トンネル電流検出ラインには、
トンネル電流以外の疑似電流が流れないので、より正確
なトンネル電流が検出されるようになるとともに、電流
値が大きくなることはないので電流値の検出感度（すな
わちゲイン）を下げる必要がなくなる。
ル電流検出装置における疑似電流防止装置においては、
Ｉ−Ｖ特性やＢＥＥＭ電流のスペクトル等のバイアス電
圧を比較的速くスイープする場合に、トンネル電流検出
ラインの外側のシールド線がバイアス電位になるので、
トンネル電流検出ラインとシールド線との間の容量結合
がなくなり、その結果容量結合による疑似電流が発生し
なくなる。したがって、トンネル電流検出ラインには、
トンネル電流以外の疑似電流が流れないので、より正確
なトンネル電流が検出されるようになるとともに、電流
値が大きくなることはないので電流値の検出感度（すな
わちゲイン）を下げる必要がなくなる。
【００１０】また、請求項２の発明においては、請求項
１に加えて、Ｉ／Ｖ変換アンプをシールドするシールド
ケースもバイアス電位になるので、Ｉ／Ｖ変換アンプと
シールドケースとの間の容量結合がなくなり、その結果
容量結合による疑似電流が更に確実に発生しなくなる。
したがって、更に一層正確なトンネル電流が検出される
ようになる。
１に加えて、Ｉ／Ｖ変換アンプをシールドするシールド
ケースもバイアス電位になるので、Ｉ／Ｖ変換アンプと
シールドケースとの間の容量結合がなくなり、その結果
容量結合による疑似電流が更に確実に発生しなくなる。
したがって、更に一層正確なトンネル電流が検出される
ようになる。
【００１１】更に、請求項３の発明においては、請求項
１または２に加えて、探針をシールドする探針用シール
ド部材もバイアス電位になるので、前述と同様にして疑
似電流が更に確実に発生しなくなり、更に一層正確なト
ンネル電流が検出されるようになる。
１または２に加えて、探針をシールドする探針用シール
ド部材もバイアス電位になるので、前述と同様にして疑
似電流が更に確実に発生しなくなり、更に一層正確なト
ンネル電流が検出されるようになる。
【００１２】更に、請求項４の発明においては、請求項
１ないし３のいずれか１に加えて、同軸線を更に第２の
同軸線のシールド線でシールドされるとともに、シール
ドケース、差動アンプ、Ｉ／Ｖ変換アンプおよびバイア
ス電圧電源が第２のシールドケースでシールドされ、し
かもこれらの第２の同軸線のシールド線および第２のシ
ールドケースがともにアース電位になるので、疑似電流
が更に確実に防止されて、更に一層正確なトンネル電流
が検出されるようになる。この請求項４の発明の場合
は、ＢＥＥＭに限定されることなく、探針にバイアス電
圧を印加することにより発生するトンネル電流を検出す
るようなトンネル電流検出タイプのＳＴＭ全般に適用す
ることが可能となる。
１ないし３のいずれか１に加えて、同軸線を更に第２の
同軸線のシールド線でシールドされるとともに、シール
ドケース、差動アンプ、Ｉ／Ｖ変換アンプおよびバイア
ス電圧電源が第２のシールドケースでシールドされ、し
かもこれらの第２の同軸線のシールド線および第２のシ
ールドケースがともにアース電位になるので、疑似電流
が更に確実に防止されて、更に一層正確なトンネル電流
が検出されるようになる。この請求項４の発明の場合
は、ＢＥＥＭに限定されることなく、探針にバイアス電
圧を印加することにより発生するトンネル電流を検出す
るようなトンネル電流検出タイプのＳＴＭ全般に適用す
ることが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態を説明する。図１は本発明にかかるトンネル電流
検出装置における疑似電流防止装置の実施の形態の第１
例を示すブロック図である。
の形態を説明する。図１は本発明にかかるトンネル電流
検出装置における疑似電流防止装置の実施の形態の第１
例を示すブロック図である。
【００１４】図１に示すように、この第１例の疑似電流
防止装置１は、Ｘ,Ｙ,Ｚ方向に変位可能なスキャナ２の
先端にトンネル電流検出用の探針（チップ）３が取り付
けられているとともに、この探針３に対向して試料４が
配設されている。
防止装置１は、Ｘ,Ｙ,Ｚ方向に変位可能なスキャナ２の
先端にトンネル電流検出用の探針（チップ）３が取り付
けられているとともに、この探針３に対向して試料４が
配設されている。
【００１５】探針３は同軸線５の内側の導線から構成さ
れるトンネル電流検出ライン５ａによりＩ／Ｖ変換アン
プ６に接続されていて、探針３に流れるトンネル電流が
このトンネル電流検出ライン５ａを介してＩ／Ｖ変換ア
ンプ６に流れるようになっており、さらに、その後段で
差動アンプ７により、Ｉ／Ｖ変換アンプ６に流れ込んだ
電流に相当する電圧のみが検出されるようになってい
る。そして、同軸線５の外側のシールド線５ｂがバイア
ス電圧電源８にそれぞれ接続されている。
れるトンネル電流検出ライン５ａによりＩ／Ｖ変換アン
プ６に接続されていて、探針３に流れるトンネル電流が
このトンネル電流検出ライン５ａを介してＩ／Ｖ変換ア
ンプ６に流れるようになっており、さらに、その後段で
差動アンプ７により、Ｉ／Ｖ変換アンプ６に流れ込んだ
電流に相当する電圧のみが検出されるようになってい
る。そして、同軸線５の外側のシールド線５ｂがバイア
ス電圧電源８にそれぞれ接続されている。
【００１６】このように構成された第１例の疑似電流防
止装置１においては、Ｉ−Ｖ特性やＢＥＥＭ電流のスペ
クトル等のバイアス電圧を比較的速くスイープする場合
は、トンネル電流検出ライン５ａのシールド線５ｂがバ
イアスで電圧電源８のバイアス電位になるので、トンネ
ル電流検出ライン５ａとシールド線５ｂとの間の容量結
合がなくなり、その結果容量結合による疑似電流が発生
しなくなる。したがって、トンネル電流検出ライン５ａ
には真のトンネル電流以外の疑似電流が流れないので、
より正確なトンネル電流を検出することができるととも
に、電流値が大きくなることはないので電流値の検出感
度（すなわちゲイン）を下げる必要もなくなる。
止装置１においては、Ｉ−Ｖ特性やＢＥＥＭ電流のスペ
クトル等のバイアス電圧を比較的速くスイープする場合
は、トンネル電流検出ライン５ａのシールド線５ｂがバ
イアスで電圧電源８のバイアス電位になるので、トンネ
ル電流検出ライン５ａとシールド線５ｂとの間の容量結
合がなくなり、その結果容量結合による疑似電流が発生
しなくなる。したがって、トンネル電流検出ライン５ａ
には真のトンネル電流以外の疑似電流が流れないので、
より正確なトンネル電流を検出することができるととも
に、電流値が大きくなることはないので電流値の検出感
度（すなわちゲイン）を下げる必要もなくなる。
【００１７】図２は、本発明の実施の形態の第２例を示
すブロック図である。なお、前述の第１例と同じ構成要
素には同じ符号を付すことにより、その詳細な説明は省
略する。
すブロック図である。なお、前述の第１例と同じ構成要
素には同じ符号を付すことにより、その詳細な説明は省
略する。
【００１８】図２に示すように、この第２例の疑似電流
防止装置１は、前述の第１例において、更にＩ／Ｖ変換
アンプ６がシールドケース９によってシールドされてい
る。そして、このシールドケース９が同軸線５のシール
ド線５ｂおよびバイアス電圧電源８にそれぞれ接続され
ている。この第２例の他の構成は、第１例と同じであ
る。
防止装置１は、前述の第１例において、更にＩ／Ｖ変換
アンプ６がシールドケース９によってシールドされてい
る。そして、このシールドケース９が同軸線５のシール
ド線５ｂおよびバイアス電圧電源８にそれぞれ接続され
ている。この第２例の他の構成は、第１例と同じであ
る。
【００１９】このように構成された第２例の疑似電流防
止装置１においては、トンネル電流検出ライン５ａのシ
ールド線５ｂと同様に、Ｉ／Ｖ変換アンプ６のシールド
ケース９も同じバイアス電位になるので、更に一層疑似
電流が発生しなくなる。したがって、より正確なトンネ
ル電流を検出することができるようになる。この第２例
の他の作用効果は、第１例と同じである。
止装置１においては、トンネル電流検出ライン５ａのシ
ールド線５ｂと同様に、Ｉ／Ｖ変換アンプ６のシールド
ケース９も同じバイアス電位になるので、更に一層疑似
電流が発生しなくなる。したがって、より正確なトンネ
ル電流を検出することができるようになる。この第２例
の他の作用効果は、第１例と同じである。
【００２０】図３は、本発明の実施の形態の第３例を示
すブロック図である。なお、前述の第１および第２例と
同じ構成要素には同じ符号を付すことにより、その詳細
な説明は省略する。
すブロック図である。なお、前述の第１および第２例と
同じ構成要素には同じ符号を付すことにより、その詳細
な説明は省略する。
【００２１】図３に示すように、この第３例の疑似電流
防止装置１は、前述の第２例において、更に探針３が探
針用シールド部材１０によってシールドされている。そ
して、このシールド部材１０が同軸線５のシールド線５
ｂに接続され、更にこのシールド線５ｂを介してバイア
ス電圧電源８にそれぞれ接続されている。この第３例の
他の構成は、第１および第２例と同じである。
防止装置１は、前述の第２例において、更に探針３が探
針用シールド部材１０によってシールドされている。そ
して、このシールド部材１０が同軸線５のシールド線５
ｂに接続され、更にこのシールド線５ｂを介してバイア
ス電圧電源８にそれぞれ接続されている。この第３例の
他の構成は、第１および第２例と同じである。
【００２２】このように構成された第３例の疑似電流防
止装置１においては、トンネル電流検出ライン５ａのシ
ールド線５ｂおよびＩ／Ｖ変換アンプ６のシールドケー
ス９と同様に、探針用シールド部材１０も同じバイアス
電位になるので、更に一層疑似電流が発生しなくなる。
したがって、より正確なトンネル電流を検出することが
できるようになる。この第３例の他の作用効果は、第１
および第２例と同じである。
止装置１においては、トンネル電流検出ライン５ａのシ
ールド線５ｂおよびＩ／Ｖ変換アンプ６のシールドケー
ス９と同様に、探針用シールド部材１０も同じバイアス
電位になるので、更に一層疑似電流が発生しなくなる。
したがって、より正確なトンネル電流を検出することが
できるようになる。この第３例の他の作用効果は、第１
および第２例と同じである。
【００２３】図４は、本発明の実施の形態の第４例を示
すブロック図である。なお、前述の第１ないし第３例と
同じ構成要素には同じ符号を付すことにより、その詳細
な説明は省略する。
すブロック図である。なお、前述の第１ないし第３例と
同じ構成要素には同じ符号を付すことにより、その詳細
な説明は省略する。
【００２４】図４に示すように、この第４例の疑似電流
防止装置１は、前述の第３例において、更に同軸線５が
第２の同軸線１１によりアース（ＧＮＤ）シールドされ
ているとともに、差動アンプ７、シールドケース８、お
よびバイアス電圧電源９がともに第２のシールドケース
１２によりアースシールドされている。
防止装置１は、前述の第３例において、更に同軸線５が
第２の同軸線１１によりアース（ＧＮＤ）シールドされ
ているとともに、差動アンプ７、シールドケース８、お
よびバイアス電圧電源９がともに第２のシールドケース
１２によりアースシールドされている。
【００２５】この第４例のトンネル電流検出装置の他の
構成は、第１ないし第３例と同じである。
構成は、第１ないし第３例と同じである。
【００２６】このように構成された第４例の疑似電流防
止装置１においては、同軸線５をシールドする第２の同
軸線１１と第２のシールドケース１２とがともにアース
電位になるので、更に一層疑似電流が発生しなくなる。
したがって、より正確なトンネル電流を検出することが
できるようになる。この第４例の他の作用効果は、第
１、第２および第３例と同じである。
止装置１においては、同軸線５をシールドする第２の同
軸線１１と第２のシールドケース１２とがともにアース
電位になるので、更に一層疑似電流が発生しなくなる。
したがって、より正確なトンネル電流を検出することが
できるようになる。この第４例の他の作用効果は、第
１、第２および第３例と同じである。
【００２７】この第４例の場合は、ＢＥＥＭに限定され
ることなく、探針にバイアス電圧を印加することにより
発生するトンネル電流を検出するようなトンネル電流検
出タイプのＳＴＭ全般に適用することができる。
ることなく、探針にバイアス電圧を印加することにより
発生するトンネル電流を検出するようなトンネル電流検
出タイプのＳＴＭ全般に適用することができる。
【００２８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のトンネル電流検出装置における疑似電流防止装置によ
れば、トンネル電流検出ラインに、トンネル電流以外の
疑似電流が流れないようにしているので、より正確なト
ンネル電流を検出できる。また、電流値が大きくなるこ
とはないので、電流値の検出感度（すなわちゲイン）を
下げないで済むようになる。
のトンネル電流検出装置における疑似電流防止装置によ
れば、トンネル電流検出ラインに、トンネル電流以外の
疑似電流が流れないようにしているので、より正確なト
ンネル電流を検出できる。また、電流値が大きくなるこ
とはないので、電流値の検出感度（すなわちゲイン）を
下げないで済むようになる。
【図１】 本発明にかかるトンネル電流検出における疑
似電流防止装置の実施の形態の第１例を示すブロック図
である。
似電流防止装置の実施の形態の第１例を示すブロック図
である。
【図２】 本発明の実施の形態の第２例を示すブロック
図である。
図である。
【図３】 本発明の実施の形態の第３例を示すブロック
図である。
図である。
【図４】 本発明の実施の形態の第４例を示すブロック
図である。
図である。
１…弾道電子放射顕微鏡（ＢＥＥＭ）、２…スキャナ、
３…探針（チップ）、４…試料、５…同軸線、６…Ｉ／
Ｖ変換アンプ、７…差動アンプ、８…バイアス電圧電
源、９…シールドケース、１０…探針用シールド部材、
１１…第２の同軸線、１２…第２のシールドケース
３…探針（チップ）、４…試料、５…同軸線、６…Ｉ／
Ｖ変換アンプ、７…差動アンプ、８…バイアス電圧電
源、９…シールドケース、１０…探針用シールド部材、
１１…第２の同軸線、１２…第２のシールドケース
Claims (4)
- 【請求項１】 試料に対向して試料表面を走査する探針
と、この探針にトンネル電流検出ラインを介して接続さ
れ、かつこのトンネル電流検出ラインに流れる電流を電
圧に変換するＩ−Ｖ変換アンプと、このＩ−Ｖ変換アン
プからの電圧を検出する差動アンプとを少なくとも備
え、探針を試料に接近させるとともに、これらの探針と
試料との間にバイアス電圧電源でバイアス電圧をかける
ことにより、探針と試料間を通って流れるトンネル電流
をトンネル電流検出ラインによって検出するトンネル電
流検出装置において、 前記トンネル電流検出ラインを同軸線の内側の導線で構
成するとともに、この同軸線の外側のシールド線を前記
バイアス電圧電源に接続していることを特徴とするトン
ネル電流検出装置における疑似電流防止装置。 - 【請求項２】 前記Ｉ−Ｖ変換アンプをシールドケース
でシールドするとともに、このシールドケースを前記同
軸線の外側のシールド線に接続することを特徴とする請
求項１記載のトンネル電流検出装置における疑似電流防
止装置。 - 【請求項３】 前記探針を探針用シールド部材でシール
ドするとともに、この探針用シールド部材を前記同軸線
の外側のシールド線に接続することを特徴とする請求項
１または２記載のトンネル電流検出装置における疑似電
流防止装置。 - 【請求項４】 更に、前記同軸線をアースされた第２の
同軸線でアースシールドするとともに、前記シールドケ
ース、前記差動アンプ、および前記バイアス電圧電源を
アースされた第２のシールドケースによりアースシール
ドすることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１
記載のトンネル電流検出装置における疑似電流防止装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26374697A JP3478955B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | トンネル電流検出装置における疑似電流防止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26374697A JP3478955B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | トンネル電流検出装置における疑似電流防止装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11101807A true JPH11101807A (ja) | 1999-04-13 |
| JP3478955B2 JP3478955B2 (ja) | 2003-12-15 |
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ID=17393720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26374697A Expired - Fee Related JP3478955B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | トンネル電流検出装置における疑似電流防止装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3478955B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016102746A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 株式会社アドバンテスト | 電流測定回路および塩基配列解析装置 |
| JP2016102748A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 株式会社アドバンテスト | 電流測定装置および塩基配列解析装置、測定用チップ |
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| JP2016102750A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 株式会社アドバンテスト | 測定装置 |
-
1997
- 1997-09-29 JP JP26374697A patent/JP3478955B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
| JP2016102746A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 株式会社アドバンテスト | 電流測定回路および塩基配列解析装置 |
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| JP2016102749A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 株式会社アドバンテスト | 測定装置 |
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| US9869702B2 (en) | 2014-11-28 | 2018-01-16 | Advantest Corporation | Current measurement circuit |
| US10228362B2 (en) | 2014-11-28 | 2019-03-12 | Advantest Corporation | Measurement apparatus |
| US10436822B2 (en) | 2014-11-28 | 2019-10-08 | Advantest Corporation | Measurement apparatus |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3478955B2 (ja) | 2003-12-15 |
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