JPH1090716A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH1090716A JPH1090716A JP8238736A JP23873696A JPH1090716A JP H1090716 A JPH1090716 A JP H1090716A JP 8238736 A JP8238736 A JP 8238736A JP 23873696 A JP23873696 A JP 23873696A JP H1090716 A JPH1090716 A JP H1090716A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示装置の表面に強い光を照射した場合
にも、表示品位の低下がなく、信頼性の高い液晶表示装
置を提供する。 【解決手段】 アクティブマトリクス基板１及び対向基
板２の間に、液晶３が充填されている。アクティブマト
リクス基板１上に、マトリクス状に配置された信号線４
及び走査線５、薄膜トランジスタ６、絵素電極７が設け
られ、この絵素電極７には薄膜トランジスタ６を介して
信号線４から電圧が印加される。対向基板２上に、薄膜
トランジスタ６に対応する部分に、遮光層８を形成す
る。遮光層８は薄膜トランジスタ６に対応しない部分、
例えば信号線４及び走査線５を含めた絵素電極７以外の
部分にも形成する。対向基板２の遮光層８及び遮光層８
以外の表面には、平面状の対向電極９を形成する。対向
電極９の表面には、反射防止層１０を形成し、反射防止
層１０の表面には、配向膜１１を形成する。配向膜１１
は、アクティブマトリクス基板１の最も液晶３側にも形
成する。
にも、表示品位の低下がなく、信頼性の高い液晶表示装
置を提供する。 【解決手段】 アクティブマトリクス基板１及び対向基
板２の間に、液晶３が充填されている。アクティブマト
リクス基板１上に、マトリクス状に配置された信号線４
及び走査線５、薄膜トランジスタ６、絵素電極７が設け
られ、この絵素電極７には薄膜トランジスタ６を介して
信号線４から電圧が印加される。対向基板２上に、薄膜
トランジスタ６に対応する部分に、遮光層８を形成す
る。遮光層８は薄膜トランジスタ６に対応しない部分、
例えば信号線４及び走査線５を含めた絵素電極７以外の
部分にも形成する。対向基板２の遮光層８及び遮光層８
以外の表面には、平面状の対向電極９を形成する。対向
電極９の表面には、反射防止層１０を形成し、反射防止
層１０の表面には、配向膜１１を形成する。配向膜１１
は、アクティブマトリクス基板１の最も液晶３側にも形
成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば薄膜トラン
ジスタ等を付加したアクティブマトリクス方式の液晶表
示装置に関するものである。
ジスタ等を付加したアクティブマトリクス方式の液晶表
示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、典型的な従来技術の液晶表示装
置の断面図である。アクティブマトリクス基板５１上
に、マトリクス状に形成された信号線５２及び走査線５
３、半導体スイッチング素子としての薄膜トランジスタ
５４、絵素電極５５が設けられ、この絵素電極５５に
は、薄膜トランジスタ５４を介して信号線５２から電圧
が印加される。
置の断面図である。アクティブマトリクス基板５１上
に、マトリクス状に形成された信号線５２及び走査線５
３、半導体スイッチング素子としての薄膜トランジスタ
５４、絵素電極５５が設けられ、この絵素電極５５に
は、薄膜トランジスタ５４を介して信号線５２から電圧
が印加される。
【０００３】対向基板５６上に、薄膜トランジスタ５４
に対応する部分に遮光層５７が設けられている。対向基
板５６の遮光層５７及び遮光層５７以外の表面には、平
面状の対向電極５８が形成されている。
に対応する部分に遮光層５７が設けられている。対向基
板５６の遮光層５７及び遮光層５７以外の表面には、平
面状の対向電極５８が形成されている。
【０００４】アクティブマトリクス基板５１と対向基板
５６を貼り合わせ、その基板間に液晶５９を充填させ
て、液晶表示装置を作製する。
５６を貼り合わせ、その基板間に液晶５９を充填させ
て、液晶表示装置を作製する。
【０００５】遮光層５７は、１層の金属膜から構成され
る場合と、第１の遮光層５７ａ及び第２の遮光層５７ｂ
の２層で構成される場合がある。ここでは、遮光層５７
が２層の場合について説明する。
る場合と、第１の遮光層５７ａ及び第２の遮光層５７ｂ
の２層で構成される場合がある。ここでは、遮光層５７
が２層の場合について説明する。
【０００６】遮光層５７が２層で構成される場合、第１
の遮光層５７ａは例えばタンタルからなる金属膜が用い
られている。第２の遮光層５７ｂは例えばシリコンから
なる半導体膜が用いられている。第２の遮光層５７ｂは
反射防止膜として機能し、その膜厚は、干渉によって遮
光層５７の反射率が低くなるように選ばれている。
の遮光層５７ａは例えばタンタルからなる金属膜が用い
られている。第２の遮光層５７ｂは例えばシリコンから
なる半導体膜が用いられている。第２の遮光層５７ｂは
反射防止膜として機能し、その膜厚は、干渉によって遮
光層５７の反射率が低くなるように選ばれている。
【０００７】プロジェクション装置として使用する場
合、または直視型で使用する場合であっても太陽の直射
光のように、大きな強度の光が、液晶表示装置の対向基
板５６側から符号Ｄで示す矢印のように入射したとき、
その入射光Ｄは第１の遮光層５７ａによって遮られ、入
射光Ｄが薄膜トランジスタ５４に直接照射されるのを防
いでいる。
合、または直視型で使用する場合であっても太陽の直射
光のように、大きな強度の光が、液晶表示装置の対向基
板５６側から符号Ｄで示す矢印のように入射したとき、
その入射光Ｄは第１の遮光層５７ａによって遮られ、入
射光Ｄが薄膜トランジスタ５４に直接照射されるのを防
いでいる。
【０００８】しかし、入射光Ｄの一部は第１の遮光層５
７ａに吸収される。この光吸収によって、遮光層５７の
温度が上昇し、その結果、液晶５９、薄膜トランジスタ
５４に温度上昇が発生する。これによって、温度上昇に
よる液晶５９の信頼性低下及び、薄膜トランジスタ５４
の特性の劣化が生じる。
７ａに吸収される。この光吸収によって、遮光層５７の
温度が上昇し、その結果、液晶５９、薄膜トランジスタ
５４に温度上昇が発生する。これによって、温度上昇に
よる液晶５９の信頼性低下及び、薄膜トランジスタ５４
の特性の劣化が生じる。
【０００９】また、液晶表示装置に照射された光の一部
は、符号Ｅで示す矢印のように液晶表示装置の内部に入
り込み、アクティブマトリクス基板５１で反射され、第
２の遮光層５７ｂで吸収されるが、一部は第１の遮光層
５７ａで再反射され、薄膜トランジスタ５４に照射され
ると、光照射による薄膜トランジスタ５４の特性劣化が
生じる。
は、符号Ｅで示す矢印のように液晶表示装置の内部に入
り込み、アクティブマトリクス基板５１で反射され、第
２の遮光層５７ｂで吸収されるが、一部は第１の遮光層
５７ａで再反射され、薄膜トランジスタ５４に照射され
ると、光照射による薄膜トランジスタ５４の特性劣化が
生じる。
【００１０】また、符号Ｆで示す矢印のように、液晶表
示装置の内部に入り込み、アクティブマトリクス基板５
１で反射され、第２の遮光層５７ｂで吸収されるが、一
部の第１の遮光層５７ａで再反射された光が、絵素電極
５５の間を通ってアクティブマトリクス基板５１側に出
射されると、表示のコントラスト低下が発生する。
示装置の内部に入り込み、アクティブマトリクス基板５
１で反射され、第２の遮光層５７ｂで吸収されるが、一
部の第１の遮光層５７ａで再反射された光が、絵素電極
５５の間を通ってアクティブマトリクス基板５１側に出
射されると、表示のコントラスト低下が発生する。
【００１１】第１の遮光層５７ａでの光吸収による温度
上昇を防ぐ手段として、対向基板５６に接する側の第１
の遮光層５７ａの反射率を高くすれば、入射光Ｄの第１
の遮光層５７ａでの反射率を高くすることができるた
め、光吸収による温度上昇を低減することができる。
上昇を防ぐ手段として、対向基板５６に接する側の第１
の遮光層５７ａの反射率を高くすれば、入射光Ｄの第１
の遮光層５７ａでの反射率を高くすることができるた
め、光吸収による温度上昇を低減することができる。
【００１２】また、第１の遮光層５７ａでの再反射を防
ぐ手段として、対向電極５８に接する側の第２の遮光層
５７ｂの反射率を低くすれば、入射光Ｅ及びＦは第２の
遮光層５７ｂでより多く吸収されるため、薄膜トランジ
スタ５４に照射されたり、絵素電極５５の間を通ってア
クティブマトリクス基板５１側に出射される光を低減す
ることができる。
ぐ手段として、対向電極５８に接する側の第２の遮光層
５７ｂの反射率を低くすれば、入射光Ｅ及びＦは第２の
遮光層５７ｂでより多く吸収されるため、薄膜トランジ
スタ５４に照射されたり、絵素電極５５の間を通ってア
クティブマトリクス基板５１側に出射される光を低減す
ることができる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、遮光層
の対向基板に接する側での入射光に対する反射率を高く
すれば、対向電極に接する側、すなわち液晶側でのアク
ティブマトリクス基板側で反射した入射光に対する反射
率も高くなってしまい、遮光層の対向電極に接する側、
すなわち液晶側でのアクティブマトリクス基板側で反射
した入射光に対する反射率を低くすれば、対向基板に接
する側での入射光に対する反射率も低くなってしまう。
の対向基板に接する側での入射光に対する反射率を高く
すれば、対向電極に接する側、すなわち液晶側でのアク
ティブマトリクス基板側で反射した入射光に対する反射
率も高くなってしまい、遮光層の対向電極に接する側、
すなわち液晶側でのアクティブマトリクス基板側で反射
した入射光に対する反射率を低くすれば、対向基板に接
する側での入射光に対する反射率も低くなってしまう。
【００１４】このため、遮光層によって入射光の一部が
吸収され、光吸収による温度上昇、すなわち、液晶、薄
膜トランジスタの温度上昇による液晶の信頼性低下及び
薄膜トランジスタの特性の劣化と、入射光の一部が遮光
層によって反射され、薄膜トランジスタに照射されるこ
とによる薄膜トランジスタの特性の劣化と、遮光層によ
って反射された入射光の一部が、絵素電極の間を通って
アクティブマトリクス基板側に出射されることによる表
示のコントラスト低下とを、一括して解決することは困
難である。
吸収され、光吸収による温度上昇、すなわち、液晶、薄
膜トランジスタの温度上昇による液晶の信頼性低下及び
薄膜トランジスタの特性の劣化と、入射光の一部が遮光
層によって反射され、薄膜トランジスタに照射されるこ
とによる薄膜トランジスタの特性の劣化と、遮光層によ
って反射された入射光の一部が、絵素電極の間を通って
アクティブマトリクス基板側に出射されることによる表
示のコントラスト低下とを、一括して解決することは困
難である。
【００１５】本発明は、以上のような従来の問題点に鑑
みなされたものであって、液晶表示装置の表面に強い光
を照射した場合にも、表示品位の低下がなく、信頼性の
高い液晶表示装置を提供することを目的としている。
みなされたものであって、液晶表示装置の表面に強い光
を照射した場合にも、表示品位の低下がなく、信頼性の
高い液晶表示装置を提供することを目的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明の請求項１記載の液晶表示装置は、半導
体スイッチング素子及び前記半導体スイッチング素子を
介して電位が与えられる絵素電極が形成されたアクティ
ブマトリクス基板と、対向電極及び前記半導体スイッチ
ング素子に対応する部分に遮光層が形成された対向基板
とが、液晶層を介して貼り合わされてなる液晶表示装置
において、前記遮光層の前記液晶層側に前記対向電極が
形成され、前記対向電極の前記液晶層側に、少なくとも
前記遮光層に対応する部分に反射防止層が形成されてい
ることを特徴としている。
ために、本発明の請求項１記載の液晶表示装置は、半導
体スイッチング素子及び前記半導体スイッチング素子を
介して電位が与えられる絵素電極が形成されたアクティ
ブマトリクス基板と、対向電極及び前記半導体スイッチ
ング素子に対応する部分に遮光層が形成された対向基板
とが、液晶層を介して貼り合わされてなる液晶表示装置
において、前記遮光層の前記液晶層側に前記対向電極が
形成され、前記対向電極の前記液晶層側に、少なくとも
前記遮光層に対応する部分に反射防止層が形成されてい
ることを特徴としている。
【００１７】請求項２記載の液晶表示装置は、請求項１
記載の液晶表示装置において、前記反射防止層の屈折率
は、前記反射防止層の前記液晶層側に形成される配向膜
及び前記対向電極の屈折率とは異なることを特徴として
いる。
記載の液晶表示装置において、前記反射防止層の屈折率
は、前記反射防止層の前記液晶層側に形成される配向膜
及び前記対向電極の屈折率とは異なることを特徴として
いる。
【００１８】請求項３記載の液晶表示装置は、請求項１
記載の液晶表示装置において、前記反射防止層は、前記
配向膜及び前記対向電極の屈折率とは異なる屈折率を有
する層を少なくとも一層含む多層であることを特徴とし
ている。
記載の液晶表示装置において、前記反射防止層は、前記
配向膜及び前記対向電極の屈折率とは異なる屈折率を有
する層を少なくとも一層含む多層であることを特徴とし
ている。
【００１９】本発明の液晶表示装置によれば、半導体ス
イッチング素子及び前記半導体スイッチング素子を介し
て電位が与えられる絵素電極が形成されたアクティブマ
トリクス基板と、対向電極及び前記半導体スイッチング
素子に対応する部分に遮光層が形成された対向基板と
が、液晶層を介して貼り合わされてなる液晶表示装置に
おいて、前記遮光層の前記液晶層側に前記対向電極が形
成され、前記対向電極の前記液晶層側に、少なくとも前
記遮光層に対応する部分に反射防止層が形成されている
ことにより、対向基板の液晶側の表面では、対向電極、
反射防止層及び配向膜の干渉作用によって反射率を低く
することができる。
イッチング素子及び前記半導体スイッチング素子を介し
て電位が与えられる絵素電極が形成されたアクティブマ
トリクス基板と、対向電極及び前記半導体スイッチング
素子に対応する部分に遮光層が形成された対向基板と
が、液晶層を介して貼り合わされてなる液晶表示装置に
おいて、前記遮光層の前記液晶層側に前記対向電極が形
成され、前記対向電極の前記液晶層側に、少なくとも前
記遮光層に対応する部分に反射防止層が形成されている
ことにより、対向基板の液晶側の表面では、対向電極、
反射防止層及び配向膜の干渉作用によって反射率を低く
することができる。
【００２０】このため、液晶表示装置内に入射し、アク
ティブマトリクス基板側で反射した光は、反射防止層に
よって吸収されるため、反射防止層に入射した光がスイ
ッチング素子に照射されたり、絵素間を通ってアクティ
ブマトリクス基板側に出射されることが低減できる。
ティブマトリクス基板側で反射した光は、反射防止層に
よって吸収されるため、反射防止層に入射した光がスイ
ッチング素子に照射されたり、絵素間を通ってアクティ
ブマトリクス基板側に出射されることが低減できる。
【００２１】さらに、対向基板の液晶側の表面での反射
率が、従来のものと同等で十分であれば、反射防止層の
材料及び製造プロセスの自由度が高くなるため、安価な
材料を用いることが可能になるとともに、透明な材料を
用いることができ、透明な材料であれば反射防止層をパ
ターニングする必要がなくなり、製造工程を短縮するこ
とができる。
率が、従来のものと同等で十分であれば、反射防止層の
材料及び製造プロセスの自由度が高くなるため、安価な
材料を用いることが可能になるとともに、透明な材料を
用いることができ、透明な材料であれば反射防止層をパ
ターニングする必要がなくなり、製造工程を短縮するこ
とができる。
【００２２】さらに、対向基板の液晶側の表面での反射
率が、従来のものと同等で十分であれば、遮光層の材料
として、より反射率の高い材料を用いることが可能とな
り、液晶表示装置への入射光の大部分は遮光層の表面で
反射されるため、遮光層の光吸収による温度上昇、すな
わち液晶、薄膜トランジスタの温度上昇を低減すること
ができる。
率が、従来のものと同等で十分であれば、遮光層の材料
として、より反射率の高い材料を用いることが可能とな
り、液晶表示装置への入射光の大部分は遮光層の表面で
反射されるため、遮光層の光吸収による温度上昇、すな
わち液晶、薄膜トランジスタの温度上昇を低減すること
ができる。
【００２３】また、前記反射防止層の屈折率は、前記反
射防止層の前記液晶層側に形成される配向膜及び前記対
向電極の屈折率とは異なることにより、対向基板の液晶
側の表面での対向電極、反射防止層及び配向膜の干渉作
用による反射率の低減を一段と大きくすることができ、
反射防止層による吸収を一段と大きくすることができ
る。
射防止層の前記液晶層側に形成される配向膜及び前記対
向電極の屈折率とは異なることにより、対向基板の液晶
側の表面での対向電極、反射防止層及び配向膜の干渉作
用による反射率の低減を一段と大きくすることができ、
反射防止層による吸収を一段と大きくすることができ
る。
【００２４】また、前記反射防止層は、前記配向膜及び
前記対向電極の屈折率とは異なる屈折率を有する層を少
なくとも一層含む多層であることにより、対向基板の液
晶側の表面での対向電極、反射防止層及び配向膜の干渉
作用による反射率の低減をより一層大きくすることがで
き、反射防止層による吸収をより一層大きくすることが
できる。
前記対向電極の屈折率とは異なる屈折率を有する層を少
なくとも一層含む多層であることにより、対向基板の液
晶側の表面での対向電極、反射防止層及び配向膜の干渉
作用による反射率の低減をより一層大きくすることがで
き、反射防止層による吸収をより一層大きくすることが
できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】図１及び図２を用いて、本発明の
実施の形態について説明する。図１は本発明に係わる液
晶表示装置の断面図、図２は本発明に係わる他の液晶表
示装置の断面図である。
実施の形態について説明する。図１は本発明に係わる液
晶表示装置の断面図、図２は本発明に係わる他の液晶表
示装置の断面図である。
【００２６】本発明に係わる液晶表示装置は、図１に示
すように、一対のガラス等からなる透光性の基板である
アクティブマトリクス基板１及び対向基板２の間に、液
晶３が充填されている。
すように、一対のガラス等からなる透光性の基板である
アクティブマトリクス基板１及び対向基板２の間に、液
晶３が充填されている。
【００２７】アクティブマトリクス基板１上に、マトリ
クス状に配置された信号線４及び走査線５、例えば薄膜
トランジスタ６からなる半導体スイッチング素子、絵素
電極７が設けられ、この絵素電極７には薄膜トランジス
タ６を介して信号線４から電圧が印加される。
クス状に配置された信号線４及び走査線５、例えば薄膜
トランジスタ６からなる半導体スイッチング素子、絵素
電極７が設けられ、この絵素電極７には薄膜トランジス
タ６を介して信号線４から電圧が印加される。
【００２８】対向基板２上に、薄膜トランジスタ６に対
応する部分に、遮光層８を形成する。遮光層８は薄膜ト
ランジスタ６に対応しない部分、例えば信号線４及び走
査線５を含めた絵素電極７以外の部分にも形成する。
応する部分に、遮光層８を形成する。遮光層８は薄膜ト
ランジスタ６に対応しない部分、例えば信号線４及び走
査線５を含めた絵素電極７以外の部分にも形成する。
【００２９】遮光層８としては、反射率の高い金属、例
えばタンタル（反射率４０％）を１５０ｎｍの厚さに形
成する。
えばタンタル（反射率４０％）を１５０ｎｍの厚さに形
成する。
【００３０】対向基板２の遮光層８及び遮光層８以外の
表面には、平面状のＩＴＯ（屈折率２．０）からなる対
向電極９を１３０ｎｍの厚さに形成し、対向電極９の表
面には、反射防止層１０を形成する。
表面には、平面状のＩＴＯ（屈折率２．０）からなる対
向電極９を１３０ｎｍの厚さに形成し、対向電極９の表
面には、反射防止層１０を形成する。
【００３１】反射防止層１０としては、例えばシリコン
（屈折率４．０）を２０ｎｍの厚さに形成し、遮光層８
に対応しない部分の反射防止層１０をエッチング等によ
って除去する。
（屈折率４．０）を２０ｎｍの厚さに形成し、遮光層８
に対応しない部分の反射防止層１０をエッチング等によ
って除去する。
【００３２】反射防止層１０の表面には、配向膜１１と
してポリイミド（屈折率１．５）を１００ｎｍの厚さに
形成する。配向膜１１は、アクティブマトリクス基板１
の最も液晶３側にも形成する。
してポリイミド（屈折率１．５）を１００ｎｍの厚さに
形成する。配向膜１１は、アクティブマトリクス基板１
の最も液晶３側にも形成する。
【００３３】つまり、対向電極９、反射防止層１０及び
配向膜１１の屈折率を制御し、干渉を利用することで、
反射防止膜として機能する。
配向膜１１の屈折率を制御し、干渉を利用することで、
反射防止膜として機能する。
【００３４】このように構成された液晶表示装置は、プ
ロジェクション装置または直視型で使用する場合であっ
ても太陽の直射光のように、大きな強度の光が対向基板
２側から照射される装置で用いられる。
ロジェクション装置または直視型で使用する場合であっ
ても太陽の直射光のように、大きな強度の光が対向基板
２側から照射される装置で用いられる。
【００３５】液晶表示装置に照射された光の一部は、符
号Ａで示す矢印のように液晶表示装置の内部に入り込
み、アクティブマトリクス基板１で反射して遮光層８に
照射される。しかし、反射防止層１０の反射率は１％以
下と十分低く、入射光Ａは反射防止層１０で大部分が吸
収される。
号Ａで示す矢印のように液晶表示装置の内部に入り込
み、アクティブマトリクス基板１で反射して遮光層８に
照射される。しかし、反射防止層１０の反射率は１％以
下と十分低く、入射光Ａは反射防止層１０で大部分が吸
収される。
【００３６】このため、遮光層８での反射によって薄膜
トランジスタ６に照射されることはない。これによっ
て、光照射によって起こる薄膜トランジスタ６の特性劣
化を防ぐことができる。
トランジスタ６に照射されることはない。これによっ
て、光照射によって起こる薄膜トランジスタ６の特性劣
化を防ぐことができる。
【００３７】さらに、符号Ｂで示す矢印のように、液晶
表示装置の内部に入り込み、アクティブマトリクス基板
１で反射して遮光層８に照射される光は、反射防止層１
０で大部分が吸収されるため、絵素電極７間を通ってア
クティブマトリクス基板１側に出射されることはない。
これによって、表示のコントラスト低下を防ぐことがで
きる。
表示装置の内部に入り込み、アクティブマトリクス基板
１で反射して遮光層８に照射される光は、反射防止層１
０で大部分が吸収されるため、絵素電極７間を通ってア
クティブマトリクス基板１側に出射されることはない。
これによって、表示のコントラスト低下を防ぐことがで
きる。
【００３８】反射防止層１０での反射率が従来のものと
同等で問題がなければ、反射防止層１０の材料として
は、安価な酸化クロムまたは酸化チタン等を用いること
ができる。
同等で問題がなければ、反射防止層１０の材料として
は、安価な酸化クロムまたは酸化チタン等を用いること
ができる。
【００３９】反射防止層１０として無色の透明膜を用い
れば、図２に示すように、反射防止層１０をパターニン
グする必要はないが、絵素領域で着色等の問題が生じる
ときには、遮光層８に対応しない部分の反射防止層１０
をエッチング等によって除去すればよい。
れば、図２に示すように、反射防止層１０をパターニン
グする必要はないが、絵素領域で着色等の問題が生じる
ときには、遮光層８に対応しない部分の反射防止層１０
をエッチング等によって除去すればよい。
【００４０】また、反射防止層１０は、前述ような無色
の透明膜または光の透過性の低い膜を少なくとも１層含
む多層であってもよい。
の透明膜または光の透過性の低い膜を少なくとも１層含
む多層であってもよい。
【００４１】反射防止層１０での反射率が従来のものと
同等で問題がなければ、遮光層８の材料としては、より
反射率の高いクロムまたはモリブデン等を用いることが
できる。
同等で問題がなければ、遮光層８の材料としては、より
反射率の高いクロムまたはモリブデン等を用いることが
できる。
【００４２】遮光層８として、前述のようなより反射率
の高い材料を用いれば、強度の大きな光が、液晶表示装
置の対向基板２側から符号Ｃで示す矢印ように入射した
とき、その入射光Ｃは遮光層８の表面で反射され、入射
光Ｃが薄膜トランジスタ６に直接照射されることを防ぐ
とともに、遮光層８での入射光Ｃの吸収を低減すること
ができる。
の高い材料を用いれば、強度の大きな光が、液晶表示装
置の対向基板２側から符号Ｃで示す矢印ように入射した
とき、その入射光Ｃは遮光層８の表面で反射され、入射
光Ｃが薄膜トランジスタ６に直接照射されることを防ぐ
とともに、遮光層８での入射光Ｃの吸収を低減すること
ができる。
【００４３】このため、遮光層８の光吸収による温度上
昇、すなわち液晶３、薄膜トランジスタ６の温度上昇を
抑えることができる。これによって、温度上昇による薄
膜トランジスタ６の特性の劣化及び、液晶３の信頼性低
下を防ぐことができる。
昇、すなわち液晶３、薄膜トランジスタ６の温度上昇を
抑えることができる。これによって、温度上昇による薄
膜トランジスタ６の特性の劣化及び、液晶３の信頼性低
下を防ぐことができる。
【００４４】また、遮光層８と反射防止層１０との材料
の組み合わせを最適化すれば、遮光層８の対向基板２側
での反射率を高くするとともに、反射防止層１０での反
射率を低くすることも可能となる。
の組み合わせを最適化すれば、遮光層８の対向基板２側
での反射率を高くするとともに、反射防止層１０での反
射率を低くすることも可能となる。
【００４５】
【発明の効果】以上の説明のように、本発明の液晶表示
装置によれば、半導体スイッチング素子及び前記半導体
スイッチング素子を介して電位が与えられる絵素電極が
形成されたアクティブマトリクス基板と、対向電極及び
前記半導体スイッチング素子に対応する部分に遮光層が
形成された対向基板とが、液晶層を介して貼り合わされ
てなる液晶表示装置において、前記遮光層の前記液晶層
側に前記対向電極が形成され、前記対向電極の前記液晶
層側に、少なくとも前記遮光層に対応する部分に反射防
止層が形成されていることにより、液晶表示装置内に入
射してアクティブマトリクス基板側で反射された光は、
反射防止層によって吸収されるため、光照射によるスイ
ッチング素子の特性劣化及び表示のコントラスト低下を
防ぐことができる。
装置によれば、半導体スイッチング素子及び前記半導体
スイッチング素子を介して電位が与えられる絵素電極が
形成されたアクティブマトリクス基板と、対向電極及び
前記半導体スイッチング素子に対応する部分に遮光層が
形成された対向基板とが、液晶層を介して貼り合わされ
てなる液晶表示装置において、前記遮光層の前記液晶層
側に前記対向電極が形成され、前記対向電極の前記液晶
層側に、少なくとも前記遮光層に対応する部分に反射防
止層が形成されていることにより、液晶表示装置内に入
射してアクティブマトリクス基板側で反射された光は、
反射防止層によって吸収されるため、光照射によるスイ
ッチング素子の特性劣化及び表示のコントラスト低下を
防ぐことができる。
【００４６】さらに、対向基板の液晶側の表面での反射
率が、従来のものと同等で十分であれば、反射防止層と
して安価な材料を用いることが可能になるとともに、透
明な材料を用いて反射防止層をパターニングする工程を
省略することができ、コストダウンを実現できる。
率が、従来のものと同等で十分であれば、反射防止層と
して安価な材料を用いることが可能になるとともに、透
明な材料を用いて反射防止層をパターニングする工程を
省略することができ、コストダウンを実現できる。
【００４７】さらに、対向基板の液晶側の表面での反射
率が、従来のものと同等で十分であれば、遮光層の材料
として、より反射率の高い材料を用いることが可能とな
り、光吸収による温度上昇、すなわち液晶、薄膜トラン
ジスタの温度上昇を抑えることができ、温度上昇による
スイッチング素子の特性劣化及び液晶の信頼性低下を防
ぐことができる。
率が、従来のものと同等で十分であれば、遮光層の材料
として、より反射率の高い材料を用いることが可能とな
り、光吸収による温度上昇、すなわち液晶、薄膜トラン
ジスタの温度上昇を抑えることができ、温度上昇による
スイッチング素子の特性劣化及び液晶の信頼性低下を防
ぐことができる。
【００４８】また、前記反射防止層の屈折率は、前記反
射防止層の前記液晶層側に形成される配向膜及び前記対
向電極の屈折率とは異なることにより、対向基板の液晶
側の表面での対向電極、反射防止層及び配向膜の干渉作
用による反射率の低減を一段と大きくすることができ、
スイッチング素子の特性劣化及び表示のコントラスト低
下を一段と防ぐことができる。
射防止層の前記液晶層側に形成される配向膜及び前記対
向電極の屈折率とは異なることにより、対向基板の液晶
側の表面での対向電極、反射防止層及び配向膜の干渉作
用による反射率の低減を一段と大きくすることができ、
スイッチング素子の特性劣化及び表示のコントラスト低
下を一段と防ぐことができる。
【００４９】また、前記反射防止層は、前記配向膜及び
前記対向電極の屈折率とは異なる屈折率を有する層を少
なくとも一層含む多層であることにより、対向基板の液
晶側の表面での対向電極、反射防止層及び配向膜の干渉
作用による反射率の低減をより一層大きくすることがで
き、スイッチング素子の特性劣化及び表示のコントラス
ト低下をより一層防ぐことができる。
前記対向電極の屈折率とは異なる屈折率を有する層を少
なくとも一層含む多層であることにより、対向基板の液
晶側の表面での対向電極、反射防止層及び配向膜の干渉
作用による反射率の低減をより一層大きくすることがで
き、スイッチング素子の特性劣化及び表示のコントラス
ト低下をより一層防ぐことができる。
【図１】本発明に係わる液晶表示装置の断面図である。
【図２】本発明に係わる他の液晶表示装置の断面図であ
る。
る。
【図３】従来技術の液晶表示装置の断面図である。
１ アクティブマトリクス基板 ２ 対向基板 ３ 液晶 ４ 信号線 ５ 走査線 ６ 薄膜トランジスタ ７ 絵素電極 ８ 遮光層 ９ 対向電極 １０ 反射防止層 １１ 配向膜 ５１ アクティブマトリクス基板 ５２ 信号線 ５３ 走査線 ５４ 薄膜トランジスタ ５５ 絵素電極 ５６ 対向基板 ５７ 遮光層 ５７ａ 第１の遮光層 ５７ｂ 第２の遮光層 ５８ 対向電極 ５９ 液晶
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体スイッチング素子及び前記半導体
スイッチング素子を介して電位が与えられる絵素電極が
形成されたアクティブマトリクス基板と、対向電極及び
前記半導体スイッチング素子に対応する部分に遮光層が
形成された対向基板とが、液晶層を介して貼り合わされ
てなる液晶表示装置において、前記遮光層の前記液晶層
側に前記対向電極が形成され、前記対向電極の前記液晶
層側に、少なくとも前記遮光層に対応する部分に反射防
止層が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記反射防止層の屈折率は、前記反射防
止層の前記液晶層側に形成される配向膜及び前記対向電
極の屈折率とは異なることを特徴とする請求項１記載の
液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記反射防止層は、前記配向膜及び前記
対向電極の屈折率とは異なる屈折率を有する層を少なく
とも一層含む多層であることを特徴とする請求項１記載
の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8238736A JPH1090716A (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8238736A JPH1090716A (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1090716A true JPH1090716A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17034500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8238736A Pending JPH1090716A (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1090716A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6770908B2 (en) | 2000-07-26 | 2004-08-03 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, substrate for electro-optical device, and projecting type display device |
| KR100848086B1 (ko) * | 2001-11-08 | 2008-07-24 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
| WO2016080385A1 (ja) * | 2014-11-19 | 2016-05-26 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1996
- 1996-09-10 JP JP8238736A patent/JPH1090716A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6770908B2 (en) | 2000-07-26 | 2004-08-03 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, substrate for electro-optical device, and projecting type display device |
| KR100848086B1 (ko) * | 2001-11-08 | 2008-07-24 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
| WO2016080385A1 (ja) * | 2014-11-19 | 2016-05-26 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020910 |