JPH1090716A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH1090716A JPH1090716A JP8238736A JP23873696A JPH1090716A JP H1090716 A JPH1090716 A JP H1090716A JP 8238736 A JP8238736 A JP 8238736A JP 23873696 A JP23873696 A JP 23873696A JP H1090716 A JPH1090716 A JP H1090716A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示装置の表面に強い光を照射した場合
にも、表示品位の低下がなく、信頼性の高い液晶表示装
置を提供する。 【解決手段】 アクティブマトリクス基板1及び対向基
板2の間に、液晶3が充填されている。アクティブマト
リクス基板1上に、マトリクス状に配置された信号線4
及び走査線5、薄膜トランジスタ6、絵素電極7が設け
られ、この絵素電極7には薄膜トランジスタ6を介して
信号線4から電圧が印加される。対向基板2上に、薄膜
トランジスタ6に対応する部分に、遮光層8を形成す
る。遮光層8は薄膜トランジスタ6に対応しない部分、
例えば信号線4及び走査線5を含めた絵素電極7以外の
部分にも形成する。対向基板2の遮光層8及び遮光層8
以外の表面には、平面状の対向電極9を形成する。対向
電極9の表面には、反射防止層10を形成し、反射防止
層10の表面には、配向膜11を形成する。配向膜11
は、アクティブマトリクス基板1の最も液晶3側にも形
成する。
にも、表示品位の低下がなく、信頼性の高い液晶表示装
置を提供する。 【解決手段】 アクティブマトリクス基板1及び対向基
板2の間に、液晶3が充填されている。アクティブマト
リクス基板1上に、マトリクス状に配置された信号線4
及び走査線5、薄膜トランジスタ6、絵素電極7が設け
られ、この絵素電極7には薄膜トランジスタ6を介して
信号線4から電圧が印加される。対向基板2上に、薄膜
トランジスタ6に対応する部分に、遮光層8を形成す
る。遮光層8は薄膜トランジスタ6に対応しない部分、
例えば信号線4及び走査線5を含めた絵素電極7以外の
部分にも形成する。対向基板2の遮光層8及び遮光層8
以外の表面には、平面状の対向電極9を形成する。対向
電極9の表面には、反射防止層10を形成し、反射防止
層10の表面には、配向膜11を形成する。配向膜11
は、アクティブマトリクス基板1の最も液晶3側にも形
成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば薄膜トラン
ジスタ等を付加したアクティブマトリクス方式の液晶表
示装置に関するものである。
ジスタ等を付加したアクティブマトリクス方式の液晶表
示装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3は、典型的な従来技術の液晶表示装
置の断面図である。アクティブマトリクス基板51上
に、マトリクス状に形成された信号線52及び走査線5
3、半導体スイッチング素子としての薄膜トランジスタ
54、絵素電極55が設けられ、この絵素電極55に
は、薄膜トランジスタ54を介して信号線52から電圧
が印加される。
置の断面図である。アクティブマトリクス基板51上
に、マトリクス状に形成された信号線52及び走査線5
3、半導体スイッチング素子としての薄膜トランジスタ
54、絵素電極55が設けられ、この絵素電極55に
は、薄膜トランジスタ54を介して信号線52から電圧
が印加される。
【0003】対向基板56上に、薄膜トランジスタ54
に対応する部分に遮光層57が設けられている。対向基
板56の遮光層57及び遮光層57以外の表面には、平
面状の対向電極58が形成されている。
に対応する部分に遮光層57が設けられている。対向基
板56の遮光層57及び遮光層57以外の表面には、平
面状の対向電極58が形成されている。
【0004】アクティブマトリクス基板51と対向基板
56を貼り合わせ、その基板間に液晶59を充填させ
て、液晶表示装置を作製する。
56を貼り合わせ、その基板間に液晶59を充填させ
て、液晶表示装置を作製する。
【0005】遮光層57は、1層の金属膜から構成され
る場合と、第1の遮光層57a及び第2の遮光層57b
の2層で構成される場合がある。ここでは、遮光層57
が2層の場合について説明する。
る場合と、第1の遮光層57a及び第2の遮光層57b
の2層で構成される場合がある。ここでは、遮光層57
が2層の場合について説明する。
【0006】遮光層57が2層で構成される場合、第1
の遮光層57aは例えばタンタルからなる金属膜が用い
られている。第2の遮光層57bは例えばシリコンから
なる半導体膜が用いられている。第2の遮光層57bは
反射防止膜として機能し、その膜厚は、干渉によって遮
光層57の反射率が低くなるように選ばれている。
の遮光層57aは例えばタンタルからなる金属膜が用い
られている。第2の遮光層57bは例えばシリコンから
なる半導体膜が用いられている。第2の遮光層57bは
反射防止膜として機能し、その膜厚は、干渉によって遮
光層57の反射率が低くなるように選ばれている。
【0007】プロジェクション装置として使用する場
合、または直視型で使用する場合であっても太陽の直射
光のように、大きな強度の光が、液晶表示装置の対向基
板56側から符号Dで示す矢印のように入射したとき、
その入射光Dは第1の遮光層57aによって遮られ、入
射光Dが薄膜トランジスタ54に直接照射されるのを防
いでいる。
合、または直視型で使用する場合であっても太陽の直射
光のように、大きな強度の光が、液晶表示装置の対向基
板56側から符号Dで示す矢印のように入射したとき、
その入射光Dは第1の遮光層57aによって遮られ、入
射光Dが薄膜トランジスタ54に直接照射されるのを防
いでいる。
【0008】しかし、入射光Dの一部は第1の遮光層5
7aに吸収される。この光吸収によって、遮光層57の
温度が上昇し、その結果、液晶59、薄膜トランジスタ
54に温度上昇が発生する。これによって、温度上昇に
よる液晶59の信頼性低下及び、薄膜トランジスタ54
の特性の劣化が生じる。
7aに吸収される。この光吸収によって、遮光層57の
温度が上昇し、その結果、液晶59、薄膜トランジスタ
54に温度上昇が発生する。これによって、温度上昇に
よる液晶59の信頼性低下及び、薄膜トランジスタ54
の特性の劣化が生じる。
【0009】また、液晶表示装置に照射された光の一部
は、符号Eで示す矢印のように液晶表示装置の内部に入
り込み、アクティブマトリクス基板51で反射され、第
2の遮光層57bで吸収されるが、一部は第1の遮光層
57aで再反射され、薄膜トランジスタ54に照射され
ると、光照射による薄膜トランジスタ54の特性劣化が
生じる。
は、符号Eで示す矢印のように液晶表示装置の内部に入
り込み、アクティブマトリクス基板51で反射され、第
2の遮光層57bで吸収されるが、一部は第1の遮光層
57aで再反射され、薄膜トランジスタ54に照射され
ると、光照射による薄膜トランジスタ54の特性劣化が
生じる。
【0010】また、符号Fで示す矢印のように、液晶表
示装置の内部に入り込み、アクティブマトリクス基板5
1で反射され、第2の遮光層57bで吸収されるが、一
部の第1の遮光層57aで再反射された光が、絵素電極
55の間を通ってアクティブマトリクス基板51側に出
射されると、表示のコントラスト低下が発生する。
示装置の内部に入り込み、アクティブマトリクス基板5
1で反射され、第2の遮光層57bで吸収されるが、一
部の第1の遮光層57aで再反射された光が、絵素電極
55の間を通ってアクティブマトリクス基板51側に出
射されると、表示のコントラスト低下が発生する。
【0011】第1の遮光層57aでの光吸収による温度
上昇を防ぐ手段として、対向基板56に接する側の第1
の遮光層57aの反射率を高くすれば、入射光Dの第1
の遮光層57aでの反射率を高くすることができるた
め、光吸収による温度上昇を低減することができる。
上昇を防ぐ手段として、対向基板56に接する側の第1
の遮光層57aの反射率を高くすれば、入射光Dの第1
の遮光層57aでの反射率を高くすることができるた
め、光吸収による温度上昇を低減することができる。
【0012】また、第1の遮光層57aでの再反射を防
ぐ手段として、対向電極58に接する側の第2の遮光層
57bの反射率を低くすれば、入射光E及びFは第2の
遮光層57bでより多く吸収されるため、薄膜トランジ
スタ54に照射されたり、絵素電極55の間を通ってア
クティブマトリクス基板51側に出射される光を低減す
ることができる。
ぐ手段として、対向電極58に接する側の第2の遮光層
57bの反射率を低くすれば、入射光E及びFは第2の
遮光層57bでより多く吸収されるため、薄膜トランジ
スタ54に照射されたり、絵素電極55の間を通ってア
クティブマトリクス基板51側に出射される光を低減す
ることができる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、遮光層
の対向基板に接する側での入射光に対する反射率を高く
すれば、対向電極に接する側、すなわち液晶側でのアク
ティブマトリクス基板側で反射した入射光に対する反射
率も高くなってしまい、遮光層の対向電極に接する側、
すなわち液晶側でのアクティブマトリクス基板側で反射
した入射光に対する反射率を低くすれば、対向基板に接
する側での入射光に対する反射率も低くなってしまう。
の対向基板に接する側での入射光に対する反射率を高く
すれば、対向電極に接する側、すなわち液晶側でのアク
ティブマトリクス基板側で反射した入射光に対する反射
率も高くなってしまい、遮光層の対向電極に接する側、
すなわち液晶側でのアクティブマトリクス基板側で反射
した入射光に対する反射率を低くすれば、対向基板に接
する側での入射光に対する反射率も低くなってしまう。
【0014】このため、遮光層によって入射光の一部が
吸収され、光吸収による温度上昇、すなわち、液晶、薄
膜トランジスタの温度上昇による液晶の信頼性低下及び
薄膜トランジスタの特性の劣化と、入射光の一部が遮光
層によって反射され、薄膜トランジスタに照射されるこ
とによる薄膜トランジスタの特性の劣化と、遮光層によ
って反射された入射光の一部が、絵素電極の間を通って
アクティブマトリクス基板側に出射されることによる表
示のコントラスト低下とを、一括して解決することは困
難である。
吸収され、光吸収による温度上昇、すなわち、液晶、薄
膜トランジスタの温度上昇による液晶の信頼性低下及び
薄膜トランジスタの特性の劣化と、入射光の一部が遮光
層によって反射され、薄膜トランジスタに照射されるこ
とによる薄膜トランジスタの特性の劣化と、遮光層によ
って反射された入射光の一部が、絵素電極の間を通って
アクティブマトリクス基板側に出射されることによる表
示のコントラスト低下とを、一括して解決することは困
難である。
【0015】本発明は、以上のような従来の問題点に鑑
みなされたものであって、液晶表示装置の表面に強い光
を照射した場合にも、表示品位の低下がなく、信頼性の
高い液晶表示装置を提供することを目的としている。
みなされたものであって、液晶表示装置の表面に強い光
を照射した場合にも、表示品位の低下がなく、信頼性の
高い液晶表示装置を提供することを目的としている。
【0016】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明の請求項1記載の液晶表示装置は、半導
体スイッチング素子及び前記半導体スイッチング素子を
介して電位が与えられる絵素電極が形成されたアクティ
ブマトリクス基板と、対向電極及び前記半導体スイッチ
ング素子に対応する部分に遮光層が形成された対向基板
とが、液晶層を介して貼り合わされてなる液晶表示装置
において、前記遮光層の前記液晶層側に前記対向電極が
形成され、前記対向電極の前記液晶層側に、少なくとも
前記遮光層に対応する部分に反射防止層が形成されてい
ることを特徴としている。
ために、本発明の請求項1記載の液晶表示装置は、半導
体スイッチング素子及び前記半導体スイッチング素子を
介して電位が与えられる絵素電極が形成されたアクティ
ブマトリクス基板と、対向電極及び前記半導体スイッチ
ング素子に対応する部分に遮光層が形成された対向基板
とが、液晶層を介して貼り合わされてなる液晶表示装置
において、前記遮光層の前記液晶層側に前記対向電極が
形成され、前記対向電極の前記液晶層側に、少なくとも
前記遮光層に対応する部分に反射防止層が形成されてい
ることを特徴としている。
【0017】請求項2記載の液晶表示装置は、請求項1
記載の液晶表示装置において、前記反射防止層の屈折率
は、前記反射防止層の前記液晶層側に形成される配向膜
及び前記対向電極の屈折率とは異なることを特徴として
いる。
記載の液晶表示装置において、前記反射防止層の屈折率
は、前記反射防止層の前記液晶層側に形成される配向膜
及び前記対向電極の屈折率とは異なることを特徴として
いる。
【0018】請求項3記載の液晶表示装置は、請求項1
記載の液晶表示装置において、前記反射防止層は、前記
配向膜及び前記対向電極の屈折率とは異なる屈折率を有
する層を少なくとも一層含む多層であることを特徴とし
ている。
記載の液晶表示装置において、前記反射防止層は、前記
配向膜及び前記対向電極の屈折率とは異なる屈折率を有
する層を少なくとも一層含む多層であることを特徴とし
ている。
【0019】本発明の液晶表示装置によれば、半導体ス
イッチング素子及び前記半導体スイッチング素子を介し
て電位が与えられる絵素電極が形成されたアクティブマ
トリクス基板と、対向電極及び前記半導体スイッチング
素子に対応する部分に遮光層が形成された対向基板と
が、液晶層を介して貼り合わされてなる液晶表示装置に
おいて、前記遮光層の前記液晶層側に前記対向電極が形
成され、前記対向電極の前記液晶層側に、少なくとも前
記遮光層に対応する部分に反射防止層が形成されている
ことにより、対向基板の液晶側の表面では、対向電極、
反射防止層及び配向膜の干渉作用によって反射率を低く
することができる。
イッチング素子及び前記半導体スイッチング素子を介し
て電位が与えられる絵素電極が形成されたアクティブマ
トリクス基板と、対向電極及び前記半導体スイッチング
素子に対応する部分に遮光層が形成された対向基板と
が、液晶層を介して貼り合わされてなる液晶表示装置に
おいて、前記遮光層の前記液晶層側に前記対向電極が形
成され、前記対向電極の前記液晶層側に、少なくとも前
記遮光層に対応する部分に反射防止層が形成されている
ことにより、対向基板の液晶側の表面では、対向電極、
反射防止層及び配向膜の干渉作用によって反射率を低く
することができる。
【0020】このため、液晶表示装置内に入射し、アク
ティブマトリクス基板側で反射した光は、反射防止層に
よって吸収されるため、反射防止層に入射した光がスイ
ッチング素子に照射されたり、絵素間を通ってアクティ
ブマトリクス基板側に出射されることが低減できる。
ティブマトリクス基板側で反射した光は、反射防止層に
よって吸収されるため、反射防止層に入射した光がスイ
ッチング素子に照射されたり、絵素間を通ってアクティ
ブマトリクス基板側に出射されることが低減できる。
【0021】さらに、対向基板の液晶側の表面での反射
率が、従来のものと同等で十分であれば、反射防止層の
材料及び製造プロセスの自由度が高くなるため、安価な
材料を用いることが可能になるとともに、透明な材料を
用いることができ、透明な材料であれば反射防止層をパ
ターニングする必要がなくなり、製造工程を短縮するこ
とができる。
率が、従来のものと同等で十分であれば、反射防止層の
材料及び製造プロセスの自由度が高くなるため、安価な
材料を用いることが可能になるとともに、透明な材料を
用いることができ、透明な材料であれば反射防止層をパ
ターニングする必要がなくなり、製造工程を短縮するこ
とができる。
【0022】さらに、対向基板の液晶側の表面での反射
率が、従来のものと同等で十分であれば、遮光層の材料
として、より反射率の高い材料を用いることが可能とな
り、液晶表示装置への入射光の大部分は遮光層の表面で
反射されるため、遮光層の光吸収による温度上昇、すな
わち液晶、薄膜トランジスタの温度上昇を低減すること
ができる。
率が、従来のものと同等で十分であれば、遮光層の材料
として、より反射率の高い材料を用いることが可能とな
り、液晶表示装置への入射光の大部分は遮光層の表面で
反射されるため、遮光層の光吸収による温度上昇、すな
わち液晶、薄膜トランジスタの温度上昇を低減すること
ができる。
【0023】また、前記反射防止層の屈折率は、前記反
射防止層の前記液晶層側に形成される配向膜及び前記対
向電極の屈折率とは異なることにより、対向基板の液晶
側の表面での対向電極、反射防止層及び配向膜の干渉作
用による反射率の低減を一段と大きくすることができ、
反射防止層による吸収を一段と大きくすることができ
る。
射防止層の前記液晶層側に形成される配向膜及び前記対
向電極の屈折率とは異なることにより、対向基板の液晶
側の表面での対向電極、反射防止層及び配向膜の干渉作
用による反射率の低減を一段と大きくすることができ、
反射防止層による吸収を一段と大きくすることができ
る。
【0024】また、前記反射防止層は、前記配向膜及び
前記対向電極の屈折率とは異なる屈折率を有する層を少
なくとも一層含む多層であることにより、対向基板の液
晶側の表面での対向電極、反射防止層及び配向膜の干渉
作用による反射率の低減をより一層大きくすることがで
き、反射防止層による吸収をより一層大きくすることが
できる。
前記対向電極の屈折率とは異なる屈折率を有する層を少
なくとも一層含む多層であることにより、対向基板の液
晶側の表面での対向電極、反射防止層及び配向膜の干渉
作用による反射率の低減をより一層大きくすることがで
き、反射防止層による吸収をより一層大きくすることが
できる。
【0025】
【発明の実施の形態】図1及び図2を用いて、本発明の
実施の形態について説明する。図1は本発明に係わる液
晶表示装置の断面図、図2は本発明に係わる他の液晶表
示装置の断面図である。
実施の形態について説明する。図1は本発明に係わる液
晶表示装置の断面図、図2は本発明に係わる他の液晶表
示装置の断面図である。
【0026】本発明に係わる液晶表示装置は、図1に示
すように、一対のガラス等からなる透光性の基板である
アクティブマトリクス基板1及び対向基板2の間に、液
晶3が充填されている。
すように、一対のガラス等からなる透光性の基板である
アクティブマトリクス基板1及び対向基板2の間に、液
晶3が充填されている。
【0027】アクティブマトリクス基板1上に、マトリ
クス状に配置された信号線4及び走査線5、例えば薄膜
トランジスタ6からなる半導体スイッチング素子、絵素
電極7が設けられ、この絵素電極7には薄膜トランジス
タ6を介して信号線4から電圧が印加される。
クス状に配置された信号線4及び走査線5、例えば薄膜
トランジスタ6からなる半導体スイッチング素子、絵素
電極7が設けられ、この絵素電極7には薄膜トランジス
タ6を介して信号線4から電圧が印加される。
【0028】対向基板2上に、薄膜トランジスタ6に対
応する部分に、遮光層8を形成する。遮光層8は薄膜ト
ランジスタ6に対応しない部分、例えば信号線4及び走
査線5を含めた絵素電極7以外の部分にも形成する。
応する部分に、遮光層8を形成する。遮光層8は薄膜ト
ランジスタ6に対応しない部分、例えば信号線4及び走
査線5を含めた絵素電極7以外の部分にも形成する。
【0029】遮光層8としては、反射率の高い金属、例
えばタンタル(反射率40%)を150nmの厚さに形
成する。
えばタンタル(反射率40%)を150nmの厚さに形
成する。
【0030】対向基板2の遮光層8及び遮光層8以外の
表面には、平面状のITO(屈折率2.0)からなる対
向電極9を130nmの厚さに形成し、対向電極9の表
面には、反射防止層10を形成する。
表面には、平面状のITO(屈折率2.0)からなる対
向電極9を130nmの厚さに形成し、対向電極9の表
面には、反射防止層10を形成する。
【0031】反射防止層10としては、例えばシリコン
(屈折率4.0)を20nmの厚さに形成し、遮光層8
に対応しない部分の反射防止層10をエッチング等によ
って除去する。
(屈折率4.0)を20nmの厚さに形成し、遮光層8
に対応しない部分の反射防止層10をエッチング等によ
って除去する。
【0032】反射防止層10の表面には、配向膜11と
してポリイミド(屈折率1.5)を100nmの厚さに
形成する。配向膜11は、アクティブマトリクス基板1
の最も液晶3側にも形成する。
してポリイミド(屈折率1.5)を100nmの厚さに
形成する。配向膜11は、アクティブマトリクス基板1
の最も液晶3側にも形成する。
【0033】つまり、対向電極9、反射防止層10及び
配向膜11の屈折率を制御し、干渉を利用することで、
反射防止膜として機能する。
配向膜11の屈折率を制御し、干渉を利用することで、
反射防止膜として機能する。
【0034】このように構成された液晶表示装置は、プ
ロジェクション装置または直視型で使用する場合であっ
ても太陽の直射光のように、大きな強度の光が対向基板
2側から照射される装置で用いられる。
ロジェクション装置または直視型で使用する場合であっ
ても太陽の直射光のように、大きな強度の光が対向基板
2側から照射される装置で用いられる。
【0035】液晶表示装置に照射された光の一部は、符
号Aで示す矢印のように液晶表示装置の内部に入り込
み、アクティブマトリクス基板1で反射して遮光層8に
照射される。しかし、反射防止層10の反射率は1%以
下と十分低く、入射光Aは反射防止層10で大部分が吸
収される。
号Aで示す矢印のように液晶表示装置の内部に入り込
み、アクティブマトリクス基板1で反射して遮光層8に
照射される。しかし、反射防止層10の反射率は1%以
下と十分低く、入射光Aは反射防止層10で大部分が吸
収される。
【0036】このため、遮光層8での反射によって薄膜
トランジスタ6に照射されることはない。これによっ
て、光照射によって起こる薄膜トランジスタ6の特性劣
化を防ぐことができる。
トランジスタ6に照射されることはない。これによっ
て、光照射によって起こる薄膜トランジスタ6の特性劣
化を防ぐことができる。
【0037】さらに、符号Bで示す矢印のように、液晶
表示装置の内部に入り込み、アクティブマトリクス基板
1で反射して遮光層8に照射される光は、反射防止層1
0で大部分が吸収されるため、絵素電極7間を通ってア
クティブマトリクス基板1側に出射されることはない。
これによって、表示のコントラスト低下を防ぐことがで
きる。
表示装置の内部に入り込み、アクティブマトリクス基板
1で反射して遮光層8に照射される光は、反射防止層1
0で大部分が吸収されるため、絵素電極7間を通ってア
クティブマトリクス基板1側に出射されることはない。
これによって、表示のコントラスト低下を防ぐことがで
きる。
【0038】反射防止層10での反射率が従来のものと
同等で問題がなければ、反射防止層10の材料として
は、安価な酸化クロムまたは酸化チタン等を用いること
ができる。
同等で問題がなければ、反射防止層10の材料として
は、安価な酸化クロムまたは酸化チタン等を用いること
ができる。
【0039】反射防止層10として無色の透明膜を用い
れば、図2に示すように、反射防止層10をパターニン
グする必要はないが、絵素領域で着色等の問題が生じる
ときには、遮光層8に対応しない部分の反射防止層10
をエッチング等によって除去すればよい。
れば、図2に示すように、反射防止層10をパターニン
グする必要はないが、絵素領域で着色等の問題が生じる
ときには、遮光層8に対応しない部分の反射防止層10
をエッチング等によって除去すればよい。
【0040】また、反射防止層10は、前述ような無色
の透明膜または光の透過性の低い膜を少なくとも1層含
む多層であってもよい。
の透明膜または光の透過性の低い膜を少なくとも1層含
む多層であってもよい。
【0041】反射防止層10での反射率が従来のものと
同等で問題がなければ、遮光層8の材料としては、より
反射率の高いクロムまたはモリブデン等を用いることが
できる。
同等で問題がなければ、遮光層8の材料としては、より
反射率の高いクロムまたはモリブデン等を用いることが
できる。
【0042】遮光層8として、前述のようなより反射率
の高い材料を用いれば、強度の大きな光が、液晶表示装
置の対向基板2側から符号Cで示す矢印ように入射した
とき、その入射光Cは遮光層8の表面で反射され、入射
光Cが薄膜トランジスタ6に直接照射されることを防ぐ
とともに、遮光層8での入射光Cの吸収を低減すること
ができる。
の高い材料を用いれば、強度の大きな光が、液晶表示装
置の対向基板2側から符号Cで示す矢印ように入射した
とき、その入射光Cは遮光層8の表面で反射され、入射
光Cが薄膜トランジスタ6に直接照射されることを防ぐ
とともに、遮光層8での入射光Cの吸収を低減すること
ができる。
【0043】このため、遮光層8の光吸収による温度上
昇、すなわち液晶3、薄膜トランジスタ6の温度上昇を
抑えることができる。これによって、温度上昇による薄
膜トランジスタ6の特性の劣化及び、液晶3の信頼性低
下を防ぐことができる。
昇、すなわち液晶3、薄膜トランジスタ6の温度上昇を
抑えることができる。これによって、温度上昇による薄
膜トランジスタ6の特性の劣化及び、液晶3の信頼性低
下を防ぐことができる。
【0044】また、遮光層8と反射防止層10との材料
の組み合わせを最適化すれば、遮光層8の対向基板2側
での反射率を高くするとともに、反射防止層10での反
射率を低くすることも可能となる。
の組み合わせを最適化すれば、遮光層8の対向基板2側
での反射率を高くするとともに、反射防止層10での反
射率を低くすることも可能となる。
【0045】
【発明の効果】以上の説明のように、本発明の液晶表示
装置によれば、半導体スイッチング素子及び前記半導体
スイッチング素子を介して電位が与えられる絵素電極が
形成されたアクティブマトリクス基板と、対向電極及び
前記半導体スイッチング素子に対応する部分に遮光層が
形成された対向基板とが、液晶層を介して貼り合わされ
てなる液晶表示装置において、前記遮光層の前記液晶層
側に前記対向電極が形成され、前記対向電極の前記液晶
層側に、少なくとも前記遮光層に対応する部分に反射防
止層が形成されていることにより、液晶表示装置内に入
射してアクティブマトリクス基板側で反射された光は、
反射防止層によって吸収されるため、光照射によるスイ
ッチング素子の特性劣化及び表示のコントラスト低下を
防ぐことができる。
装置によれば、半導体スイッチング素子及び前記半導体
スイッチング素子を介して電位が与えられる絵素電極が
形成されたアクティブマトリクス基板と、対向電極及び
前記半導体スイッチング素子に対応する部分に遮光層が
形成された対向基板とが、液晶層を介して貼り合わされ
てなる液晶表示装置において、前記遮光層の前記液晶層
側に前記対向電極が形成され、前記対向電極の前記液晶
層側に、少なくとも前記遮光層に対応する部分に反射防
止層が形成されていることにより、液晶表示装置内に入
射してアクティブマトリクス基板側で反射された光は、
反射防止層によって吸収されるため、光照射によるスイ
ッチング素子の特性劣化及び表示のコントラスト低下を
防ぐことができる。
【0046】さらに、対向基板の液晶側の表面での反射
率が、従来のものと同等で十分であれば、反射防止層と
して安価な材料を用いることが可能になるとともに、透
明な材料を用いて反射防止層をパターニングする工程を
省略することができ、コストダウンを実現できる。
率が、従来のものと同等で十分であれば、反射防止層と
して安価な材料を用いることが可能になるとともに、透
明な材料を用いて反射防止層をパターニングする工程を
省略することができ、コストダウンを実現できる。
【0047】さらに、対向基板の液晶側の表面での反射
率が、従来のものと同等で十分であれば、遮光層の材料
として、より反射率の高い材料を用いることが可能とな
り、光吸収による温度上昇、すなわち液晶、薄膜トラン
ジスタの温度上昇を抑えることができ、温度上昇による
スイッチング素子の特性劣化及び液晶の信頼性低下を防
ぐことができる。
率が、従来のものと同等で十分であれば、遮光層の材料
として、より反射率の高い材料を用いることが可能とな
り、光吸収による温度上昇、すなわち液晶、薄膜トラン
ジスタの温度上昇を抑えることができ、温度上昇による
スイッチング素子の特性劣化及び液晶の信頼性低下を防
ぐことができる。
【0048】また、前記反射防止層の屈折率は、前記反
射防止層の前記液晶層側に形成される配向膜及び前記対
向電極の屈折率とは異なることにより、対向基板の液晶
側の表面での対向電極、反射防止層及び配向膜の干渉作
用による反射率の低減を一段と大きくすることができ、
スイッチング素子の特性劣化及び表示のコントラスト低
下を一段と防ぐことができる。
射防止層の前記液晶層側に形成される配向膜及び前記対
向電極の屈折率とは異なることにより、対向基板の液晶
側の表面での対向電極、反射防止層及び配向膜の干渉作
用による反射率の低減を一段と大きくすることができ、
スイッチング素子の特性劣化及び表示のコントラスト低
下を一段と防ぐことができる。
【0049】また、前記反射防止層は、前記配向膜及び
前記対向電極の屈折率とは異なる屈折率を有する層を少
なくとも一層含む多層であることにより、対向基板の液
晶側の表面での対向電極、反射防止層及び配向膜の干渉
作用による反射率の低減をより一層大きくすることがで
き、スイッチング素子の特性劣化及び表示のコントラス
ト低下をより一層防ぐことができる。
前記対向電極の屈折率とは異なる屈折率を有する層を少
なくとも一層含む多層であることにより、対向基板の液
晶側の表面での対向電極、反射防止層及び配向膜の干渉
作用による反射率の低減をより一層大きくすることがで
き、スイッチング素子の特性劣化及び表示のコントラス
ト低下をより一層防ぐことができる。
【図1】本発明に係わる液晶表示装置の断面図である。
【図2】本発明に係わる他の液晶表示装置の断面図であ
る。
る。
【図3】従来技術の液晶表示装置の断面図である。
1 アクティブマトリクス基板 2 対向基板 3 液晶 4 信号線 5 走査線 6 薄膜トランジスタ 7 絵素電極 8 遮光層 9 対向電極 10 反射防止層 11 配向膜 51 アクティブマトリクス基板 52 信号線 53 走査線 54 薄膜トランジスタ 55 絵素電極 56 対向基板 57 遮光層 57a 第1の遮光層 57b 第2の遮光層 58 対向電極 59 液晶
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体スイッチング素子及び前記半導体
スイッチング素子を介して電位が与えられる絵素電極が
形成されたアクティブマトリクス基板と、対向電極及び
前記半導体スイッチング素子に対応する部分に遮光層が
形成された対向基板とが、液晶層を介して貼り合わされ
てなる液晶表示装置において、前記遮光層の前記液晶層
側に前記対向電極が形成され、前記対向電極の前記液晶
層側に、少なくとも前記遮光層に対応する部分に反射防
止層が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】 前記反射防止層の屈折率は、前記反射防
止層の前記液晶層側に形成される配向膜及び前記対向電
極の屈折率とは異なることを特徴とする請求項1記載の
液晶表示装置。 - 【請求項3】 前記反射防止層は、前記配向膜及び前記
対向電極の屈折率とは異なる屈折率を有する層を少なく
とも一層含む多層であることを特徴とする請求項1記載
の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8238736A JPH1090716A (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8238736A JPH1090716A (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1090716A true JPH1090716A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17034500
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8238736A Pending JPH1090716A (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1090716A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6770908B2 (en) | 2000-07-26 | 2004-08-03 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, substrate for electro-optical device, and projecting type display device |
KR100848086B1 (ko) * | 2001-11-08 | 2008-07-24 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
WO2016080385A1 (ja) * | 2014-11-19 | 2016-05-26 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1996
- 1996-09-10 JP JP8238736A patent/JPH1090716A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6770908B2 (en) | 2000-07-26 | 2004-08-03 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, substrate for electro-optical device, and projecting type display device |
KR100848086B1 (ko) * | 2001-11-08 | 2008-07-24 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
WO2016080385A1 (ja) * | 2014-11-19 | 2016-05-26 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020910 |