JPH1090502A - 反射防止構造とパターン形成方法 - Google Patents
反射防止構造とパターン形成方法Info
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- JPH1090502A JPH1090502A JP8245218A JP24521896A JPH1090502A JP H1090502 A JPH1090502 A JP H1090502A JP 8245218 A JP8245218 A JP 8245218A JP 24521896 A JP24521896 A JP 24521896A JP H1090502 A JPH1090502 A JP H1090502A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の配線基板に傾斜を有する段差を
有する場合でも、全反射の条件を満たすようにして、被
加工層に高精度の加工ができる反射防止構造とパターン
形成方法を与えることを目的とする。 【解決手段】 半導体基板１１上の被加工層１２の段差
１３が、半導体基板１１の表面に水平な方向に対して、
傾斜角度θdを有しており、この被加工層１２上に、段
差１３を平坦化する屈折率ｎ1の第１の反射防止膜１４
が形成されている。 そして、この第１の反射防止膜１
４上に、屈折率ｎ2（くｎ1）の第２の反射防止膜１５が
形成されている。そして、全反射の臨界角θc＝ｓｉｎ
-1（ｎ2／ｎ 1）とすると、このθcと段差角度θdとの間
に、θd≧θc／２の関係が満足されるように、半導体装
置の段差の傾斜角度θdを設定する。
有する場合でも、全反射の条件を満たすようにして、被
加工層に高精度の加工ができる反射防止構造とパターン
形成方法を与えることを目的とする。 【解決手段】 半導体基板１１上の被加工層１２の段差
１３が、半導体基板１１の表面に水平な方向に対して、
傾斜角度θdを有しており、この被加工層１２上に、段
差１３を平坦化する屈折率ｎ1の第１の反射防止膜１４
が形成されている。 そして、この第１の反射防止膜１
４上に、屈折率ｎ2（くｎ1）の第２の反射防止膜１５が
形成されている。そして、全反射の臨界角θc＝ｓｉｎ
-1（ｎ2／ｎ 1）とすると、このθcと段差角度θdとの間
に、θd≧θc／２の関係が満足されるように、半導体装
置の段差の傾斜角度θdを設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置被加工
層を高精度に加工するための反射防止膜の構造、この構
造を用いたパターンを形成するためのパターン形成方法
に関するものである。
層を高精度に加工するための反射防止膜の構造、この構
造を用いたパターンを形成するためのパターン形成方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの微細化の要請により、
露光光源の短波長化が進んでいる。これに伴い、半導体
基板上の被加工層の反射率が増大し、被加工層の段差部
からの反射光によるノッチングがレジストパターンに生
じ、パターン寸法精度、パターン形状の劣化という問題
が顕著になってきている。
露光光源の短波長化が進んでいる。これに伴い、半導体
基板上の被加工層の反射率が増大し、被加工層の段差部
からの反射光によるノッチングがレジストパターンに生
じ、パターン寸法精度、パターン形状の劣化という問題
が顕著になってきている。
【０００３】このノッチングを回避するために、特開昭
６０−５４４３３号「パターン形成法」に開示されてい
るように、レジストと被加工層の間に、反射防止膜を形
成する方法が知られている。この方法は、第６図（ａ）
に示すように、傾斜がある段差を有するＳｉの配線基板
６１の上に約１μｍ厚さの屈折率ｎ0＝０．７−１．０
ｉのＡｌからなる被加工層６２を形成する。
６０−５４４３３号「パターン形成法」に開示されてい
るように、レジストと被加工層の間に、反射防止膜を形
成する方法が知られている。この方法は、第６図（ａ）
に示すように、傾斜がある段差を有するＳｉの配線基板
６１の上に約１μｍ厚さの屈折率ｎ0＝０．７−１．０
ｉのＡｌからなる被加工層６２を形成する。
【０００４】次いで、上記被加工層６２上に、第１の層
６７として、屈折率ｎ1＝４．７のＳｉ膜を１５ｎｍの
厚さで形成した後、第２の層６８として、屈折率ｎ2＝
２．５のＴｉ０2を約２５ｎｍ、第１の層６７上に形成
する。次いで、上記第２の層６８の上に、ポジ型レジス
トを塗布して屈折率ｎ3＝１．６−１．７ｉの感光性膜
６３を形成する。
６７として、屈折率ｎ1＝４．７のＳｉ膜を１５ｎｍの
厚さで形成した後、第２の層６８として、屈折率ｎ2＝
２．５のＴｉ０2を約２５ｎｍ、第１の層６７上に形成
する。次いで、上記第２の層６８の上に、ポジ型レジス
トを塗布して屈折率ｎ3＝１．６−１．７ｉの感光性膜
６３を形成する。
【０００５】さらに、配線基板６１の段差の傾斜部分に
感光性膜６３上から波長４３６ｎｍの紫外光６０ａ、６
０ｂ、６０ｃを照射する。これにより被加工層６２の表
面からの反射が抑制され、現像処理後は、第６図（ｂ）
に示すように、被加工層６２の表面に、傾斜した約１μ
ｍの段差が存在するにも関わらず、感光性膜６３にレジ
スト開口６５が高精度に形成される。
感光性膜６３上から波長４３６ｎｍの紫外光６０ａ、６
０ｂ、６０ｃを照射する。これにより被加工層６２の表
面からの反射が抑制され、現像処理後は、第６図（ｂ）
に示すように、被加工層６２の表面に、傾斜した約１μ
ｍの段差が存在するにも関わらず、感光性膜６３にレジ
スト開口６５が高精度に形成される。
【０００６】次いで、第６図（ｃ）に示すように、ＢＣ
ｌ3を含むガスを用いた反応性イオンエッチングを行っ
た後、第１の層６７、第２の層６８および被加工層６２
の各層を高精度に加工し、開口６６を形成する。このよ
うに、各層の複素屈折率の実数部を、ｎ3くｎ2くｎ1と
することにより、傾斜が、ある段差を有する被加工層の
傾斜部で反射する紫外光を、第１の層６７および第２の
層６８で吸収する。そして、反射紫外光が感光性膜６３
の所要部分以外の部分に到達して感光させるのを防ぐこ
とによって、パターン加工精度を向上させたものであ
る。
ｌ3を含むガスを用いた反応性イオンエッチングを行っ
た後、第１の層６７、第２の層６８および被加工層６２
の各層を高精度に加工し、開口６６を形成する。このよ
うに、各層の複素屈折率の実数部を、ｎ3くｎ2くｎ1と
することにより、傾斜が、ある段差を有する被加工層の
傾斜部で反射する紫外光を、第１の層６７および第２の
層６８で吸収する。そして、反射紫外光が感光性膜６３
の所要部分以外の部分に到達して感光させるのを防ぐこ
とによって、パターン加工精度を向上させたものであ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例では、傾斜
を有する段差からの反射光を吸収するために、レジスト
の屈折率ｎ3＜第２の層の屈折率ｎ2＜第１の層の屈折率
ｎ1のように、各層の屈折率の関係が規定されている。
しかしながら、レジストの屈折率が第２の反射防止膜の
屈折率より大きいことは、傾斜段差からの反射光を低減
することに無関係である。
を有する段差からの反射光を吸収するために、レジスト
の屈折率ｎ3＜第２の層の屈折率ｎ2＜第１の層の屈折率
ｎ1のように、各層の屈折率の関係が規定されている。
しかしながら、レジストの屈折率が第２の反射防止膜の
屈折率より大きいことは、傾斜段差からの反射光を低減
することに無関係である。
【０００８】その理由は、ｎ1＞ｎ2＞ｎ3の屈折率条件
のみでは、段差の傾斜角度が全反射の条件を必ずしも満
足していないからである。また、第１および第２の膜が
均一な膜厚での形成となっているため、段差の傾斜角と
同じ傾斜角度を第１および第２の反射防止膜が有するこ
とになる。従って、第１の反射防止膜と第２の反射防止
膜の界面に入射する段差からの反射光はこの界面に垂直
入射し、全反射されないためである。すなわち、必ずし
も全反射の条件を満たしていないため、段差や勾配角の
条件によっては、反射を、数％程度抑制できるに留まっ
ており、従来技術による改善では不十分であった。
のみでは、段差の傾斜角度が全反射の条件を必ずしも満
足していないからである。また、第１および第２の膜が
均一な膜厚での形成となっているため、段差の傾斜角と
同じ傾斜角度を第１および第２の反射防止膜が有するこ
とになる。従って、第１の反射防止膜と第２の反射防止
膜の界面に入射する段差からの反射光はこの界面に垂直
入射し、全反射されないためである。すなわち、必ずし
も全反射の条件を満たしていないため、段差や勾配角の
条件によっては、反射を、数％程度抑制できるに留まっ
ており、従来技術による改善では不十分であった。
【０００９】本発明は、上記問題点に鑑みて、半導体装
置の配線基板に傾斜を有する段差を有する場合でも、全
反射の条件を満たすようにして、被加工層に高精度の加
工ができる反射防止膜構造及びこれを用いたパターン形
成方法を提案することを目的とする。
置の配線基板に傾斜を有する段差を有する場合でも、全
反射の条件を満たすようにして、被加工層に高精度の加
工ができる反射防止膜構造及びこれを用いたパターン形
成方法を提案することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの手段として、本発明の反射防止構造では次に示すよ
うな手段を講じた。すなわち、請求項１記載の反射防止
構造においては、傾斜段差を有する半導体基板上の被加
工層上に、段差を平坦化する屈折率ｎ1の第１の反射防
止膜が形成されるとともに、前記第１の反射防止膜上
に、屈折率ｎ2の第２の反射防止膜が形成された反射防
止構造において、前記被加工層の傾斜段差部からの反射
光が、第１の反射防止膜と第２の反射防止膜の界面にお
いて、全反射されることを特徴とする。
めの手段として、本発明の反射防止構造では次に示すよ
うな手段を講じた。すなわち、請求項１記載の反射防止
構造においては、傾斜段差を有する半導体基板上の被加
工層上に、段差を平坦化する屈折率ｎ1の第１の反射防
止膜が形成されるとともに、前記第１の反射防止膜上
に、屈折率ｎ2の第２の反射防止膜が形成された反射防
止構造において、前記被加工層の傾斜段差部からの反射
光が、第１の反射防止膜と第２の反射防止膜の界面にお
いて、全反射されることを特徴とする。
【００１１】請求項２記載の反射防止構造においては、
請求項１記載の反射防止構造において、半導体基板の表
面に水平な方向に対して、傾斜角度θdの傾斜段差を有
する、前記半導体基板上の被加工層上に、前記傾斜段差
を平坦化する屈折率ｎ1の第１の反射防止膜と、前記第
１の反射防止膜上の屈折率ｎ2の第２の反射防止膜とが
形成されてなり、 該第１の反射防止膜と該第２の反射
防止膜との間の屈折率の関係が、ｎ1＞ｎ2の関係を有し
てなり、これにより定義される、全反射の臨界角θc＝
ｓｉｎ-1（ｎ2／ｎ1）と、前記傾斜角度θdとが、θd≧
θc／２の関係を満足するように、第１の反射防止膜と
第２の反射防止膜の屈折率が選択されてなることを特徴
とする。
請求項１記載の反射防止構造において、半導体基板の表
面に水平な方向に対して、傾斜角度θdの傾斜段差を有
する、前記半導体基板上の被加工層上に、前記傾斜段差
を平坦化する屈折率ｎ1の第１の反射防止膜と、前記第
１の反射防止膜上の屈折率ｎ2の第２の反射防止膜とが
形成されてなり、 該第１の反射防止膜と該第２の反射
防止膜との間の屈折率の関係が、ｎ1＞ｎ2の関係を有し
てなり、これにより定義される、全反射の臨界角θc＝
ｓｉｎ-1（ｎ2／ｎ1）と、前記傾斜角度θdとが、θd≧
θc／２の関係を満足するように、第１の反射防止膜と
第２の反射防止膜の屈折率が選択されてなることを特徴
とする。
【００１２】請求項３記載の反射防止構造においては、
請求項１または２記載の反射防止構造において、前記第
１の反射防止膜上に形成される、屈折率ｎ2の前記第２
の反射防止膜の厚さｄ2が、前記被加工層の傾斜段差部
からの反射光の、空気中（屈折率〜１）での波長をλと
したときに、ｄ2＞λ／２πｎ2以上であることを特徴と
する。
請求項１または２記載の反射防止構造において、前記第
１の反射防止膜上に形成される、屈折率ｎ2の前記第２
の反射防止膜の厚さｄ2が、前記被加工層の傾斜段差部
からの反射光の、空気中（屈折率〜１）での波長をλと
したときに、ｄ2＞λ／２πｎ2以上であることを特徴と
する。
【００１３】請求項４記載の反射防止構造においては、
請求項１から３までのいずれかに記載された反射防止構
造であって、前記半導体基板上の被加工層に形成された
段差の傾斜角度θdが、前記被加工層の段差を平坦化す
る屈折率ｎ1の前記第１の反射防止膜と、前記第１の反
射防止膜上の屈折率ｎ2の、前記第２の反射防止膜との
間の屈折率の関係が、ｎ1＞ｎ2であり、これにより定義
される、全反射の臨界角θc＝ｓｉｎ-1（ｎ2／ｎ1）
と、傾斜角度θdとの間に、θd≧θc／２の関係を満足
するように、前記第１の反射防止膜と前記第２の反射防
止膜との屈折率が、設定されてなることを特徴とする。
請求項１から３までのいずれかに記載された反射防止構
造であって、前記半導体基板上の被加工層に形成された
段差の傾斜角度θdが、前記被加工層の段差を平坦化す
る屈折率ｎ1の前記第１の反射防止膜と、前記第１の反
射防止膜上の屈折率ｎ2の、前記第２の反射防止膜との
間の屈折率の関係が、ｎ1＞ｎ2であり、これにより定義
される、全反射の臨界角θc＝ｓｉｎ-1（ｎ2／ｎ1）
と、傾斜角度θdとの間に、θd≧θc／２の関係を満足
するように、前記第１の反射防止膜と前記第２の反射防
止膜との屈折率が、設定されてなることを特徴とする。
【００１４】請求項５記載のパターン形成方法において
は、請求項１から３までのいずれかに記載された反射防
止構造を、形成するパターン形成方法であって、前記半
導体基板の表面に水平な方向に対して、角度θdの傾斜
段差を有する半導体基板上の被加工層上に、屈折率ｎ1
の第１の反射防止膜を形成して平坦化を行う第１の工程
と、前記第１の反射防止膜上にｎ1＞ｎ2およびθd≧θc
／２、θc＝ｓｉｎn-1（ｎ 2／ｎ1）を満足する屈折率ｎ
2の第２の反射防止膜を形成する第２の工程と、前記半
導体基板上にレジストを塗布形成する第３の工程と、光
によって前記レジストを露光する第４の工程と、現像し
て所望のパターンを形成する第５の工程と、を有してな
ることを特徴とする。
は、請求項１から３までのいずれかに記載された反射防
止構造を、形成するパターン形成方法であって、前記半
導体基板の表面に水平な方向に対して、角度θdの傾斜
段差を有する半導体基板上の被加工層上に、屈折率ｎ1
の第１の反射防止膜を形成して平坦化を行う第１の工程
と、前記第１の反射防止膜上にｎ1＞ｎ2およびθd≧θc
／２、θc＝ｓｉｎn-1（ｎ 2／ｎ1）を満足する屈折率ｎ
2の第２の反射防止膜を形成する第２の工程と、前記半
導体基板上にレジストを塗布形成する第３の工程と、光
によって前記レジストを露光する第４の工程と、現像し
て所望のパターンを形成する第５の工程と、を有してな
ることを特徴とする。
【００１５】すなわち、上述のような全反射の条件を満
たすようにするための手段として、半導体基板の表面に
平行な方向に対して、傾斜角度θdの段差を有する半導
体基板上の被加工層上に、段差を平坦化する屈折率ｎ1
の前記第１の反射防止膜と、前記第１の反射防止膜上の
屈折率ｎ2の第２の反射防止膜とが設けられ、両者間の
屈折率の関係が、ｎ1＞ｎ2になるように設定する。
たすようにするための手段として、半導体基板の表面に
平行な方向に対して、傾斜角度θdの段差を有する半導
体基板上の被加工層上に、段差を平坦化する屈折率ｎ1
の前記第１の反射防止膜と、前記第１の反射防止膜上の
屈折率ｎ2の第２の反射防止膜とが設けられ、両者間の
屈折率の関係が、ｎ1＞ｎ2になるように設定する。
【００１６】そして、これにより定義される全反射の臨
界角θc＝ｓｉｎ-1（ｎ2／ｎ1）と、段差の傾斜角度θd
との間に、θd≧θc／２の関係を満足するように、前記
第１の反射防止膜と前記第２の反射防止膜の屈折率が設
定された反射防止膜構造を、レジストと被加工層の間に
形成する。
界角θc＝ｓｉｎ-1（ｎ2／ｎ1）と、段差の傾斜角度θd
との間に、θd≧θc／２の関係を満足するように、前記
第１の反射防止膜と前記第２の反射防止膜の屈折率が設
定された反射防止膜構造を、レジストと被加工層の間に
形成する。
【００１７】また、半導体基板上の、被加工層に形成さ
れた段差の傾斜角度θdを、当該被加工段差を平坦化す
る屈折率ｎ1の前記第１の反射防止膜と前記第１の反射
防止膜上の屈折率ｎ2の前記第２の反射防止膜の間の屈
折率の関係を、ｎ1＞ｎ2とする。 そして、これにより
定義される全反射の臨界角を、θc＝ｓｉｎ-1（ｎ2／ｎ
1）とすると、このθcと段差角度θdとの間に、θd≧θ
c／２の関係が満足されるように、半導体装置の段差の
傾斜角度θdを設定する。
れた段差の傾斜角度θdを、当該被加工段差を平坦化す
る屈折率ｎ1の前記第１の反射防止膜と前記第１の反射
防止膜上の屈折率ｎ2の前記第２の反射防止膜の間の屈
折率の関係を、ｎ1＞ｎ2とする。 そして、これにより
定義される全反射の臨界角を、θc＝ｓｉｎ-1（ｎ2／ｎ
1）とすると、このθcと段差角度θdとの間に、θd≧θ
c／２の関係が満足されるように、半導体装置の段差の
傾斜角度θdを設定する。
【００１８】さらに、第１の反射防止膜と第２の反射防
止膜との界面で、被加工層の段差からの反射光を、全反
射させてレジスト膜に反射光を到達させないようにす
る。そのためには、前記第１の反射防止膜と、前記第２
の反射防止膜との界面で発生する反射光のエバネッセン
ト波を、前記第２の反射防止膜中で減衰させるようにす
ればよい。
止膜との界面で、被加工層の段差からの反射光を、全反
射させてレジスト膜に反射光を到達させないようにす
る。そのためには、前記第１の反射防止膜と、前記第２
の反射防止膜との界面で発生する反射光のエバネッセン
ト波を、前記第２の反射防止膜中で減衰させるようにす
ればよい。
【００１９】そのためには、前記第２の反射防止膜の厚
さｄを、反射光の屈折率１の媒質中での波長λに対し
て、ｄ≧λ／２τｎ2となるように設定すればよい。
さｄを、反射光の屈折率１の媒質中での波長λに対し
て、ｄ≧λ／２τｎ2となるように設定すればよい。
【００２０】以上に述べた関係の範囲内にあるように、
厚さｄを設定することにより、傾斜を有する段差の前記
被加工層の前記傾斜角度と、前記第１の反射防止膜およ
び前記第２の反射防止膜の屈折率との間に、上記の関係
を持たせることができる。そして、これにより、前記被
加工層の前記段差部からの反射光を、前記第１の反射防
止膜と前記第２の反射防止膜との界面で全反射させる。
以上の原理により、感光性膜であるフォトレジストに反
射光が到達することを防ぐことができる。
厚さｄを設定することにより、傾斜を有する段差の前記
被加工層の前記傾斜角度と、前記第１の反射防止膜およ
び前記第２の反射防止膜の屈折率との間に、上記の関係
を持たせることができる。そして、これにより、前記被
加工層の前記段差部からの反射光を、前記第１の反射防
止膜と前記第２の反射防止膜との界面で全反射させる。
以上の原理により、感光性膜であるフォトレジストに反
射光が到達することを防ぐことができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、図を用いて説明する。まず、図１および図２を参照
して、全反射を用いた反射防止膜の原理を説明する。
て、図を用いて説明する。まず、図１および図２を参照
して、全反射を用いた反射防止膜の原理を説明する。
【００２２】図では、半導体基板１１上の被加工層１２
の段差１３が、半導体基板１１の表面に水平な方向に対
して、傾斜角度θdを有している。そして、この被加工
層１２上に、段差１３を平坦化する屈折率ｎ1の第１の
反射防止膜１４が形成されている。そして、この第１の
反射防止膜１４上に、屈折率ｎ2（くｎ1）の第２の反射
防止膜１５が形成されている。さらに、上記反射防止膜
構造においては、第２の反射防止膜１５上に、フォトレ
ジストからなる感光性膜１６が形成されている。
の段差１３が、半導体基板１１の表面に水平な方向に対
して、傾斜角度θdを有している。そして、この被加工
層１２上に、段差１３を平坦化する屈折率ｎ1の第１の
反射防止膜１４が形成されている。そして、この第１の
反射防止膜１４上に、屈折率ｎ2（くｎ1）の第２の反射
防止膜１５が形成されている。さらに、上記反射防止膜
構造においては、第２の反射防止膜１５上に、フォトレ
ジストからなる感光性膜１６が形成されている。
【００２３】次に、上記反射防止構造の作用について説
明する。上記の反射防止構造においては、感光性膜１６
を透過してきた波長λの光１７が、段差１３で反射し、
第１の反射防止膜１４と第２の反射防止膜１５の界面で
さらに全反射される。
明する。上記の反射防止構造においては、感光性膜１６
を透過してきた波長λの光１７が、段差１３で反射し、
第１の反射防止膜１４と第２の反射防止膜１５の界面で
さらに全反射される。
【００２４】ここで、全反射する臨界角度θcは、第１
の反射防止膜１４と第２の反射防止膜１５の屈折率比ｎ
2／ｎ1により、 ｎ1＞ｎ2 （１） ｓｉｎθc＝ｎ2／ｎ1 （２） の式で規定される。
の反射防止膜１４と第２の反射防止膜１５の屈折率比ｎ
2／ｎ1により、 ｎ1＞ｎ2 （１） ｓｉｎθc＝ｎ2／ｎ1 （２） の式で規定される。
【００２５】また、第１の反射防止膜１４と第２の反射
防止膜１５の界面で全反射する光１７は、第２の反射防
止膜１５中に侵入するエバネッセント波を発生するた
め、このエバネッセント波が、感光性膜１６まで侵入し
ないように、第２の反射防止膜１５の厚さを規定する必
要がある。
防止膜１５の界面で全反射する光１７は、第２の反射防
止膜１５中に侵入するエバネッセント波を発生するた
め、このエバネッセント波が、感光性膜１６まで侵入し
ないように、第２の反射防止膜１５の厚さを規定する必
要がある。
【００２６】この波長λのエバネッセント波の、屈折率
ｎ2である第２の反射防止膜１５への侵入深さｄは、 ｄ＝λ／２πｎ2 （３） て表される程度である。
ｎ2である第２の反射防止膜１５への侵入深さｄは、 ｄ＝λ／２πｎ2 （３） て表される程度である。
【００２７】従って、第２の反射防止膜１５の厚さを、
この侵入深さｄより厚く設定すれば、第１の反射防止膜
１４と第２の反射防止膜１５の界面で、全反射する光１
７のエバネッセント波が、第２の反射防止膜１５を透過
して、感光性膜１６に与える影響は無視できるようにな
る。
この侵入深さｄより厚く設定すれば、第１の反射防止膜
１４と第２の反射防止膜１５の界面で、全反射する光１
７のエバネッセント波が、第２の反射防止膜１５を透過
して、感光性膜１６に与える影響は無視できるようにな
る。
【００２８】さらに、傾斜段差部１３からの反射光１７
が、第１の反射防止膜１４と第２の反射防止膜１５の界
面で全反射するためには、傾斜段差角度θdは、 θd＞θc／２ （４） の関係を満足すればよい。
が、第１の反射防止膜１４と第２の反射防止膜１５の界
面で全反射するためには、傾斜段差角度θdは、 θd＞θc／２ （４） の関係を満足すればよい。
【００２９】図２に、第１の反射防止膜１４と第２の反
射防止膜１５の屈折率比ｎ2／ｎ1と全反射臨界角度θc
およびこの全反射臨界角度に対応する最小傾斜段差角度
θd（＝θc／２）の関係を示す。図２に示されているよ
うに、θcは、ｎ2／ｎ1が大きくなるに従って大きくな
り、θdもθd（＝θc／２）の関係を持つため、同様の
関係を持つ。
射防止膜１５の屈折率比ｎ2／ｎ1と全反射臨界角度θc
およびこの全反射臨界角度に対応する最小傾斜段差角度
θd（＝θc／２）の関係を示す。図２に示されているよ
うに、θcは、ｎ2／ｎ1が大きくなるに従って大きくな
り、θdもθd（＝θc／２）の関係を持つため、同様の
関係を持つ。
【００３０】従って、この図より、最小（下限）傾斜段
差角度θdが、ｎ2／ｎ1の比を計算することにより求ま
ることになる。以下、図３から図５までを参照して、上
記図１および図２の関係を満足する場合について実例を
挙げて、具体的に説明する。第３図（ａ）に示すよう
に、０・１μｍの段差を有する半導体基板３１上に、傾
斜角度３０度のアルミニウム合金からなる配線層である
被加工層３２を形成する。
差角度θdが、ｎ2／ｎ1の比を計算することにより求ま
ることになる。以下、図３から図５までを参照して、上
記図１および図２の関係を満足する場合について実例を
挙げて、具体的に説明する。第３図（ａ）に示すよう
に、０・１μｍの段差を有する半導体基板３１上に、傾
斜角度３０度のアルミニウム合金からなる配線層である
被加工層３２を形成する。
【００３１】次いで、被加工層３２上に、窒化ケイ素か
らなる第１の反射防止膜３３を、化学気相成長（ＣＶ
Ｄ）法により、０．３μｍの厚さに形成する。この窒化
ケイ素膜３３の屈折率は、波長２４８ｎｍの光に対して
ｎ1＝２．２８である。次いで、第３図（ｂ）に示すよ
うに、化学機械研磨（ＣＭＰ）により第１の反射防止膜
３３を平坦化する。
らなる第１の反射防止膜３３を、化学気相成長（ＣＶ
Ｄ）法により、０．３μｍの厚さに形成する。この窒化
ケイ素膜３３の屈折率は、波長２４８ｎｍの光に対して
ｎ1＝２．２８である。次いで、第３図（ｂ）に示すよ
うに、化学機械研磨（ＣＭＰ）により第１の反射防止膜
３３を平坦化する。
【００３２】次いで、平坦化された第１の反射防止膜３
３上に、酸化ケイ素からなる第２の反射防止膜３４を、
化学気相成長（ＣＶＤ）法により形成する。ここで、波
長２４８ｎｍの光に対して、酸化ケイ素膜の屈折率は、
ｎ2＝１．５１である。
３上に、酸化ケイ素からなる第２の反射防止膜３４を、
化学気相成長（ＣＶＤ）法により形成する。ここで、波
長２４８ｎｍの光に対して、酸化ケイ素膜の屈折率は、
ｎ2＝１．５１である。
【００３３】このとき、第２の反射防止膜３４の膜厚ｄ
は、傾斜段差からの反射光のエバネッセント波を減衰さ
せるために、ｄ≧λ／２πｎ2に設定される。第３図
（ｂ）では、第２の反射防止膜３４の膜厚を、２６．１
４ｎｍ以上に設定すればよいため、５０ｎｍとした。
は、傾斜段差からの反射光のエバネッセント波を減衰さ
せるために、ｄ≧λ／２πｎ2に設定される。第３図
（ｂ）では、第２の反射防止膜３４の膜厚を、２６．１
４ｎｍ以上に設定すればよいため、５０ｎｍとした。
【００３４】次いで、シップレー社製ＡＰＥＸ−Ｅのフ
ォトレジストを、第２の反射防止膜３４上に塗布形成し
て、感光性膜３５とする。ついで、第３図（ｃ）に示す
ように、波長２４８ｎｍの遠紫外光３６ａ、３６ｂ、３
６ｃを照射する。この時、傾斜段差からの反射光の全反
射条件は、約４１．５度であるから、段差の傾斜角度
が、図２より２０．７５度以上であれば、段差からの反
射光は、第１の反射防止膜３３と第２の反射防止膜３４
の界面で全反射し、この反射光は、感光性膜３５まで到
達しない。
ォトレジストを、第２の反射防止膜３４上に塗布形成し
て、感光性膜３５とする。ついで、第３図（ｃ）に示す
ように、波長２４８ｎｍの遠紫外光３６ａ、３６ｂ、３
６ｃを照射する。この時、傾斜段差からの反射光の全反
射条件は、約４１．５度であるから、段差の傾斜角度
が、図２より２０．７５度以上であれば、段差からの反
射光は、第１の反射防止膜３３と第２の反射防止膜３４
の界面で全反射し、この反射光は、感光性膜３５まで到
達しない。
【００３５】ここでは、実際に得られた段差の傾斜角度
は３０度であり、上記の２０．７５度以上であるため、
段差からの反射光は、当初の予定通りに感光性膜３５で
あるフォトレジストに到達しない。そして現像処理後
は、第３図（ｄ）に示すように、感光性膜３５に形成さ
れたバターンには、反射光によるノッチングが発生せ
ず、レジスト開口３７が高精度に形成できる。
は３０度であり、上記の２０．７５度以上であるため、
段差からの反射光は、当初の予定通りに感光性膜３５で
あるフォトレジストに到達しない。そして現像処理後
は、第３図（ｄ）に示すように、感光性膜３５に形成さ
れたバターンには、反射光によるノッチングが発生せ
ず、レジスト開口３７が高精度に形成できる。
【００３６】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。図４は、反射防止構造として、２層の塗布膜
を用いたものである。まず、図４（ａ）に示すように、
０．１μｍの段差を有する半導体基板４１上に、傾斜角
度４５度のアルミニウム合金配線からなる被加工層４２
が形成される。
説明する。図４は、反射防止構造として、２層の塗布膜
を用いたものである。まず、図４（ａ）に示すように、
０．１μｍの段差を有する半導体基板４１上に、傾斜角
度４５度のアルミニウム合金配線からなる被加工層４２
が形成される。
【００３７】次に、この上に、ノボラック樹脂からなる
第１の反射防止膜４３を塗布して、２５０℃で３０分の
加熱処理を施すことにより、基板上の段差を平坦化す
る。ここで、ノボラック樹脂膜４３の波長２４８ｎｍに
対する屈折率は、ｎ1＝２．１である。
第１の反射防止膜４３を塗布して、２５０℃で３０分の
加熱処理を施すことにより、基板上の段差を平坦化す
る。ここで、ノボラック樹脂膜４３の波長２４８ｎｍに
対する屈折率は、ｎ1＝２．１である。
【００３８】次いで、ポリイミド樹脂からなる第２の反
射防止膜４４を塗布する。このポリイミド樹脂膜４４の
波長２４８ｎｍに対する屈折率は、ｎ2＝１．７であ
る。このとき、第２の反射防止膜４４の膜厚ｄは、傾斜
段差からの反射光のエバネッセント波を減衰させるため
に、ｄ≧λ／２πｎ2を満足するように設定する。第４
図（ａ）では、第２の反射防止膜４４の膜厚は、２３．
２２ｎｍ以上に設定するればよい。本実施例では第２の
反射防止膜４４の厚さは、１００ｎｍとしている。
射防止膜４４を塗布する。このポリイミド樹脂膜４４の
波長２４８ｎｍに対する屈折率は、ｎ2＝１．７であ
る。このとき、第２の反射防止膜４４の膜厚ｄは、傾斜
段差からの反射光のエバネッセント波を減衰させるため
に、ｄ≧λ／２πｎ2を満足するように設定する。第４
図（ａ）では、第２の反射防止膜４４の膜厚は、２３．
２２ｎｍ以上に設定するればよい。本実施例では第２の
反射防止膜４４の厚さは、１００ｎｍとしている。
【００３９】次に、第４図（ｂ）に示すように、シップ
レー社製ＡＰＥＸ‐Ｅのフォトレジスト４５を第２の反
射防止膜４４上に塗布形成して、感光性膜とする。次い
で、波長２４８ｎｍの遠紫外光４６ａ、４６ｂ、４６ｃ
を照射する。この時、傾斜段差からの反射光の全反射条
件は、約５４．０度であるから、段差の傾斜角度が、２
７度以上であれば、段差からの反射光は、第１の反射防
止膜４３と第２の反射防止膜４４の界面で全反射する。
そして、この反射光は、感光性膜４５であるフォトレジ
ストまで到達しない。
レー社製ＡＰＥＸ‐Ｅのフォトレジスト４５を第２の反
射防止膜４４上に塗布形成して、感光性膜とする。次い
で、波長２４８ｎｍの遠紫外光４６ａ、４６ｂ、４６ｃ
を照射する。この時、傾斜段差からの反射光の全反射条
件は、約５４．０度であるから、段差の傾斜角度が、２
７度以上であれば、段差からの反射光は、第１の反射防
止膜４３と第２の反射防止膜４４の界面で全反射する。
そして、この反射光は、感光性膜４５であるフォトレジ
ストまで到達しない。
【００４０】ここでは、実際の段差の傾斜角度は４５度
で、これは前述の２７度を越えているので、段差からの
反射光は、感光性膜４５であるフォトレジスト４５に到
達しない。そして現像処理後は、第４図（ｃ）に示すよ
うに、感光性膜４５に形成されたパターンに反射光によ
るノッチングが発生せず、レジスト開口４７が高精度に
形成される。
で、これは前述の２７度を越えているので、段差からの
反射光は、感光性膜４５であるフォトレジスト４５に到
達しない。そして現像処理後は、第４図（ｃ）に示すよ
うに、感光性膜４５に形成されたパターンに反射光によ
るノッチングが発生せず、レジスト開口４７が高精度に
形成される。
【００４１】次に、本発明の第３の実施の形態について
説明する。図５は、１層の塗布性膜を反射防止膜構造と
して用いた例である。図５（ａ）に示すように、０・１
μｍの段差を有する半導体基板５１上に、傾斜角度４５
度のアルミニウム合金からなる被加工層５２が形成され
る。
説明する。図５は、１層の塗布性膜を反射防止膜構造と
して用いた例である。図５（ａ）に示すように、０・１
μｍの段差を有する半導体基板５１上に、傾斜角度４５
度のアルミニウム合金からなる被加工層５２が形成され
る。
【００４２】次いで、この上に、二酸化ケイ素からなる
第１の反射防止膜５３を、化学気相成長（ＣＶＤ）法に
より、厚さ０．２５μｍに形成する。さらに、第５図
（ｂ）に示すように、化学機械研磨（ＣＭＰ）により第
１の反射防止膜５３に発生した段差を研磨して、第１の
反射防止膜５３の表面を平坦化する。このとき、第１の
反射防止膜５３の、波長１９３ｎｍに対する屈折率は、
ｎ1＝１．５６である。
第１の反射防止膜５３を、化学気相成長（ＣＶＤ）法に
より、厚さ０．２５μｍに形成する。さらに、第５図
（ｂ）に示すように、化学機械研磨（ＣＭＰ）により第
１の反射防止膜５３に発生した段差を研磨して、第１の
反射防止膜５３の表面を平坦化する。このとき、第１の
反射防止膜５３の、波長１９３ｎｍに対する屈折率は、
ｎ1＝１．５６である。
【００４３】次いで、ノボラック樹脂からなる第２の反
射防止膜５４を塗布する。このノボラック膜の、波長１
９３ｎｍに対する屈折率は、ｎ2＝１．３６である。
このとき、第２の反射防止膜５４の膜厚ｄは、傾斜段差
からの反射光のエバネッセント波を減衰させるために、
ｄ≧λ／２πｎ2を満足するように設定する。 第５
図（ｃ）では、第２の反射防止膜膜厚５４は、２２．６
０ｎｍ以上に設定すればよいため、本実施例では、１０
０ｎｍとして、上記の条件をクリアーしている。
射防止膜５４を塗布する。このノボラック膜の、波長１
９３ｎｍに対する屈折率は、ｎ2＝１．３６である。
このとき、第２の反射防止膜５４の膜厚ｄは、傾斜段差
からの反射光のエバネッセント波を減衰させるために、
ｄ≧λ／２πｎ2を満足するように設定する。 第５
図（ｃ）では、第２の反射防止膜膜厚５４は、２２．６
０ｎｍ以上に設定すればよいため、本実施例では、１０
０ｎｍとして、上記の条件をクリアーしている。
【００４４】次いで、第５図（ｃ）に示すように、ポリ
トリシクロ［５．２．１．０．］デカニルアクリレイト
とテトラノイドロピラニルメタアクリレイトとメタアク
リックアシドの共重合体；ｐｏ１ｙ−（ｔｒｉｃｙｃｌ
ｏ
トリシクロ［５．２．１．０．］デカニルアクリレイト
とテトラノイドロピラニルメタアクリレイトとメタアク
リックアシドの共重合体；ｐｏ１ｙ−（ｔｒｉｃｙｃｌ
ｏ
【５．２．１．０】ｄｅｃａｎｉｎｙｌａｃｒｙｌａｔ
ｅ−ｃｏ−ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｐｙｒａｎｙｌｍｅｔ
ｈａｃｒｙｌａｔｅ−ｃｏ−ｍｅｔａｃｒｙｌｉｃ ａ
ｃｉｄ（ｐｏｌｙ（ＴＣＤＡ−ＴＨＰＭＡ−ＭＡＡ）ベ
ース樹脂にシクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘ
キシル）サルフォニウムトリフルオロメタネサルフォネ
イト；ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌｍｅｔｈｙ（２−ｏｘｏｃ
ｙｃ１ｏｈｅｘｙｌ）ｓｕｒｆｏｎｉｕｍ ｔｒｉｆｌ
ｕｏｒｏｍｅｔｈａｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅを光酸発生
剤（ＰＡＧ）として加えたレジスト）を第２の反射防止
膜５４上に塗布形成して、感光性膜５５とする。
ｅ−ｃｏ−ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｐｙｒａｎｙｌｍｅｔ
ｈａｃｒｙｌａｔｅ−ｃｏ−ｍｅｔａｃｒｙｌｉｃ ａ
ｃｉｄ（ｐｏｌｙ（ＴＣＤＡ−ＴＨＰＭＡ−ＭＡＡ）ベ
ース樹脂にシクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘ
キシル）サルフォニウムトリフルオロメタネサルフォネ
イト；ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌｍｅｔｈｙ（２−ｏｘｏｃ
ｙｃ１ｏｈｅｘｙｌ）ｓｕｒｆｏｎｉｕｍ ｔｒｉｆｌ
ｕｏｒｏｍｅｔｈａｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅを光酸発生
剤（ＰＡＧ）として加えたレジスト）を第２の反射防止
膜５４上に塗布形成して、感光性膜５５とする。
【００４５】次いで、波長１９３ｎｍの遠紫外光５６
ａ、５６ｂ、５６ｃを照射する。この時、傾斜段差から
の反射光の全反射条件は、約６０．７度であるから、段
差の傾斜角度が、３０．４度以上であれば、段差からの
反射光は、第１の反射防止膜５３と第２の反射防止膜５
４の界面で全反射し、反射光は、感光性膜５５であるフ
ォトレジストまで到達しない。
ａ、５６ｂ、５６ｃを照射する。この時、傾斜段差から
の反射光の全反射条件は、約６０．７度であるから、段
差の傾斜角度が、３０．４度以上であれば、段差からの
反射光は、第１の反射防止膜５３と第２の反射防止膜５
４の界面で全反射し、反射光は、感光性膜５５であるフ
ォトレジストまで到達しない。
【００４６】ここで、実際の段差の傾斜角度は４５度
で、上記３０．４度以上の条件をクリアーしているの
で、段差からの反射光は感光性膜５５に到達せず、現像
処理後は、第５図（ｄ）に示すように、感光性膜５５に
形成されたバタ−ンに反射光によるノッチングが発生せ
ず、レジスト開口５７が高精度に形成される。
で、上記３０．４度以上の条件をクリアーしているの
で、段差からの反射光は感光性膜５５に到達せず、現像
処理後は、第５図（ｄ）に示すように、感光性膜５５に
形成されたバタ−ンに反射光によるノッチングが発生せ
ず、レジスト開口５７が高精度に形成される。
【００４７】
【発明の効果】上記説明したように、本発明の第１の効
果は、半導体基板面内において、レジストの膜厚変動に
伴うレジスト寸法変動を抑制することができる点であ
る。その理由は、第１の反射防止膜により被加工層の段
差が平坦化されるため、この上に形成される第２の反射
防止膜も平坦化され、このため、第２の反射防止膜上に
形成されるレジスト膜厚が半導体基板面内で均一となる
からである。
果は、半導体基板面内において、レジストの膜厚変動に
伴うレジスト寸法変動を抑制することができる点であ
る。その理由は、第１の反射防止膜により被加工層の段
差が平坦化されるため、この上に形成される第２の反射
防止膜も平坦化され、このため、第２の反射防止膜上に
形成されるレジスト膜厚が半導体基板面内で均一となる
からである。
【００４８】本発明の第２の効果は、第１の反射防止膜
と第２の反射防止膜の屈折率ｎ1、ｎ2とレジストの屈折
率ｎ3の間の関係、ｎ1＞ｎ2＞ｎ3において、レジストの
屈折率の制限がなくなることである。その理由は、レジ
ストの屈折率が第２の反射防止膜の屈折率より大きいこ
とは、反射防止との関係がないためである。本発明の第
３の効果は、ノッチングによるレジスト形状の劣化が起
きないことである。その理由は、被加工層の段差部から
の反射光が、第１の反射防止膜と第２の反射咳止膜との
界面で、全反射され、レジスト膜に反射光が到達しない
ためである。
と第２の反射防止膜の屈折率ｎ1、ｎ2とレジストの屈折
率ｎ3の間の関係、ｎ1＞ｎ2＞ｎ3において、レジストの
屈折率の制限がなくなることである。その理由は、レジ
ストの屈折率が第２の反射防止膜の屈折率より大きいこ
とは、反射防止との関係がないためである。本発明の第
３の効果は、ノッチングによるレジスト形状の劣化が起
きないことである。その理由は、被加工層の段差部から
の反射光が、第１の反射防止膜と第２の反射咳止膜との
界面で、全反射され、レジスト膜に反射光が到達しない
ためである。
【図１】 本発明の原理を示す、全反射を用いた反射防
止構造の原理を示す断面図である。
止構造の原理を示す断面図である。
【図２】 全反射が発生する反射防止構造内の屈折率比
と全反射臨界角度および全反射を起こす下限傾斜段差角
度の関係を示すグラフである。
と全反射臨界角度および全反射を起こす下限傾斜段差角
度の関係を示すグラフである。
【図３】 本発明の第１の実施の形態を示す、２層の絶
縁膜を用いた反射防止構造とパターン形成方法の第１の
実施の形態を示す工程断面図である。
縁膜を用いた反射防止構造とパターン形成方法の第１の
実施の形態を示す工程断面図である。
【図４】 本発明の第２の実施の形態を示す、２層の塗
布性膜を用いた反射防止構造とパターン形成方法の工程
断面図である。
布性膜を用いた反射防止構造とパターン形成方法の工程
断面図である。
【図５】 本発明の第３の実施の形態を示す、絶縁膜と
塗布成膜を用いた反射防止構造とパターン形成方法の工
程断面図である。
塗布成膜を用いた反射防止構造とパターン形成方法の工
程断面図である。
【図６】 従来のパターン形成方法を示す工程断面図で
ある。
ある。
１１、３１、４１、５１…半導体基板 １２、３２、４２、５２…被加工層 １３…段差 １４、３３、４３、５３…第１の反射防止膜 １５、３４、４４、５４…第２の反射防止膜 １６、３５、４５、５５…感光性膜 １７…光、 ３６ａ、３６ｂ、３６ｃ…光 ４６ａ、４６ｂ、４６ｃ…光 ５６ａ、５６ｂ、５６ｃ…光 ３７、４７、５７…レジスト開口 ６１…配線基板 ６２…被加工層 ６７…第１の層 ６８…第２の層 ６３…感光性膜 ６０ａ、６０ｂ、６０ｃ…光 ６５…レジスト開口 ６６…開ロ
Claims (5)
- 【請求項１】 傾斜段差を有する半導体基板上の被加工
層上に、段差を平坦化する屈折率ｎ1の第１の反射防止
膜が形成されるとともに、 前記第１の反射防止膜上に、屈折率ｎ2の第２の反射防
止膜が形成された反射防止構造において、 前記被加工層の傾斜段差部からの反射光が、第１の反射
防止膜と第２の反射防止膜の界面において、全反射され
ることを特徴とする反射防止構造。 - 【請求項２】 請求項１記載の反射防止構造において、 半導体基板の表面に水平な方向に対して、傾斜角度θd
の傾斜段差を有する、前記半導体基板上の被加工層上
に、 前記傾斜段差を平坦化する屈折率ｎ1の第１の反射防止
膜と、 前記第１の反射防止膜上の屈折率ｎ2の第２の反射防止
膜とが形成されてなり、 該第１の反射防止膜と該第２
の反射防止膜との間の屈折率の関係が、ｎ1＞ｎ2の関係
を有してなり、 これにより定義される、全反射の臨界角θc＝ｓｉｎ-1
（ｎ2／ｎ1）と、 前記傾斜角度θdとが、θd≧θc／２の関係を満足する
ように、第１の反射防止膜と第２の反射防止膜の屈折率
が選択されてなることを特徴とする反射防止構造。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の反射防止構造に
おいて、 前記第１の反射防止膜上に形成される、屈折率ｎ2の前
記第２の反射防止膜の厚さｄ2が、 前記被加工層の傾斜段差部からの反射光の、空気中（屈
折率〜１）での波長をλとしたときに、 ｄ2＞λ／２πｎ2以上であることを特徴とする反射防止
構造。 - 【請求項４】 請求項１から３までのいずれかに記載さ
れた反射防止構造であって、 前記半導体基板上の被加工層に形成された段差の傾斜角
度θdが、 前記被加工層の段差を平坦化する屈折率ｎ1の前記第１
の反射防止膜と、 前記第１の反射防止膜上の屈折率ｎ2の、前記第２の反
射防止膜との間の屈折率の関係が、ｎ1＞ｎ2であり、 これにより定義される、全反射の臨界角θc＝ｓｉｎ-1
（ｎ2／ｎ1）と、 傾斜角度θdとの間に、θd≧θc／２の関係を満足する
ように、前記第１の反射防止膜と前記第２の反射防止膜
との屈折率が、設定されてなることを特徴とする反射防
止構造。 - 【請求項５】 請求項１から３までのいずれかに記載さ
れた反射防止構造を形成するパターン形成方法であっ
て、 前記半導体基板の表面に水平な方向に対して、角度θd
の傾斜段差を有する半導体基板上の被加工層上に、 屈折率ｎ1の第１の反射防止膜を形成して平坦化を行う
第１の工程と、 前記第１の反射防止膜上にｎ1＞ｎ2およびθd≧θc／
２、θc＝ｓｉｎn-1（ｎ 2／ｎ1）を満足する屈折率ｎ2
の第２の反射防止膜を形成する第２の工程と、 前記半導体基板上にレジストを塗布形成する第３の工程
と、 光によって前記レジストを露光する第４の工程と、 現像して所望のパターンを形成する第５の工程と、 を有してなることを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8245218A JP2856173B2 (ja) | 1996-09-17 | 1996-09-17 | 反射防止構造とパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8245218A JP2856173B2 (ja) | 1996-09-17 | 1996-09-17 | 反射防止構造とパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1090502A true JPH1090502A (ja) | 1998-04-10 |
| JP2856173B2 JP2856173B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=17130399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8245218A Expired - Fee Related JP2856173B2 (ja) | 1996-09-17 | 1996-09-17 | 反射防止構造とパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2856173B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006065222A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Sony Corp | 光学素子及びその製造方法 |
| JP2006073709A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Sony Corp | 多層反射防止膜 |
| CN110431122A (zh) * | 2017-03-14 | 2019-11-08 | 肖特股份有限公司 | 抗反射涂层 |
-
1996
- 1996-09-17 JP JP8245218A patent/JP2856173B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006065222A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Sony Corp | 光学素子及びその製造方法 |
| JP2006073709A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Sony Corp | 多層反射防止膜 |
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