JPH1090423A - 荷電ビーム用注入深さモニター装置 - Google Patents

荷電ビーム用注入深さモニター装置

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Publication number
JPH1090423A
JPH1090423A JP27852296A JP27852296A JPH1090423A JP H1090423 A JPH1090423 A JP H1090423A JP 27852296 A JP27852296 A JP 27852296A JP 27852296 A JP27852296 A JP 27852296A JP H1090423 A JPH1090423 A JP H1090423A
Authority
JP
Japan
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gauge
charged beam
charged particle
charged
depth
Prior art date
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Pending
Application number
JP27852296A
Other languages
English (en)
Inventor
Shunichiro Yamada
俊一郎 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin High Voltage Co Ltd
Original Assignee
Nissin High Voltage Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nissin High Voltage Co Ltd filed Critical Nissin High Voltage Co Ltd
Priority to JP27852296A priority Critical patent/JPH1090423A/ja
Publication of JPH1090423A publication Critical patent/JPH1090423A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 荷電ビームの注入深さの測定を、短時間でし
かも継続的に実施可能とすることを目的とする。 【解決手段】 荷電粒子加速装置1からの荷電ビームが
表面に均一に照射される位置に、照射部位により荷電ビ
ームの通過方向の厚みが異なるように絶縁フイルム3を
階段状に重ね合わしてゲージ2を構成する。このゲージ
2の下面に、絶縁フイルムの各階段面3Aに向かい合う
ように電極箔11を設置した電極層12を配置する。荷
電ビームの照射によって各電極箔11に蓄積される電荷
を、照射部位にしたがう注入深さに対応して表示する表
示装置15を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は荷電ビーム用注入深
さモニター装置に関する。
【0002】
【従来の技術】荷電ビームの加速エネルギーを測定する
場合、絶縁フイルムを階段状に重ね合わせ、これに荷電
粒子加速装置からの荷電ビームを照射し、重ね合わされ
た絶縁フイルムを通過する荷電ビームの注入深さを計測
し、その注入深さから加速エネルギーを判断することが
行なわれている。
【0003】図4はその従来構成を示し、1はたとえば
静電型の荷電粒子加速装置、2は絶縁フイルム3を重ね
合わせて構成されるゲージで、各部位により荷電ビーム
の通過方向の厚みが異なるように絶縁フイルム3が階段
状に重ね合わされている。4はゲージ2の最下面の絶縁
フイルムに貼られてある電荷蓄積フイルムで、ここに到
達した荷電ビームの量に対応する電荷が蓄積される。荷
電粒子加速装置1からゲージ3の上面に均一に荷電ビー
ム5が照射される。
【0004】いま或る加速エネルギーの荷電ビームが一
定時間(たとえば1〜2時間)にわたって照射された場
合、絶縁フイルム3の積層数が最大の個所(図の例では
最左端)に照射された荷電ビームは、これが電荷蓄積フ
イルム4に到達するまでに多数枚の絶縁フイルムを透過
していくので、このときは注入深さは最大であり、その
間に多くのエネルギーが消耗される。したがって絶縁フ
イルム3の積層数が最大である個所に対応する電荷蓄積
フイルム4に蓄積される電荷量は小さい。
【0005】そして絶縁フイルム3の積層数が少なくな
る個所に対応する電荷蓄積フイルム4に蓄積される電荷
量は次第に多くなる。すなわち注入深さが浅くなるにつ
れてこの電荷量が多くなっていく。この注入深さが或る
値のときこの電荷量が最大となるが、この深さが更に浅
くなると、荷電ビームのエネルギーの消耗量が少なくな
り、そのため大きなエネルギーを持ったまま荷電ビーム
は電荷蓄積フイルム4を透過していく。したがってこの
個所に対応する電荷蓄積フイルム4に蓄積される電荷量
は逆に減少していく。
【0006】したがって電荷蓄積フイルム4に蓄積され
る電荷量を、各注入深さに対して示すと図5のようにな
る。この電荷蓄積フイルム4に蓄積された各電荷は、照
射された荷電ビームの線量に比例するので、この電荷を
線量計6により読み取って、各注入深さに対応する線量
を求め、これを記録計7に記録する。この記録値から電
荷量が最大となっている注入深さを求める。求めた注入
深さを過去の実績と比較し、これから加速エネルギーを
判断する。
【0007】しかしこのような電荷蓄積フイルムを使用
する手段によると、荷電ビームを照射したあと、この電
荷蓄積フイルムを取りだし、線量計により線量を読み取
る必要があるため、注入深さの計測に多大の時間と作業
を要する欠点がある。また加速エネルギーが変更された
場合、その変更の都度、電荷蓄積フイルムを貼り替える
などの作業が必要となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、荷電ビーム
の注入深さの測定を、短時間でしかも継続的に実施可能
とすることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、荷電粒子加速
装置からの荷電ビームが表面に均一に照射される位置
に、照射部位により荷電ビームの通過方向の厚みが異な
るように絶縁フイルムを階段状に重ね合わしてゲージを
構成し、このゲージの下面に、絶縁フイルムの各階段面
に向かい合うように電極箔を設置した電極層を配置する
とともに、荷電ビームの照射によって各電極箔に蓄積さ
れる電荷を、照射部位にしたがう注入深さに対応して表
示する表示装置を設けたことを特徴とする。
【0010】荷電粒子加速装置からの荷電ビームがゲー
ジの表面に照射されると、その照射部位に対応する注入
深さに応じて、電極層の表面の電極箔に電荷が蓄積され
る。この電荷を各注入深さに対応して表示すれば、最大
量の電荷が蓄積されている注入深さを知ることができ
る。その深さから加速エネルギーを知ることができるよ
うになる。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図1、図2
によって説明する。なお図4と同じ符号を付した部分は
同一または対応する部分を示す。本発明にしたがい、ゲ
ージ2の下面に、チタン箔のような電極箔11の複数を
貼付るなどして設置した電極層12を配置する。電極箔
11はゲージ2の絶縁フイルム3の各階段面3Aに向か
いあう位置に設置されてある。各電極箔11に吸収され
た荷電粒子は、電流量として電流−電圧変換器13に入
力され、電圧信号に変換される。
【0012】この電圧信号は更にアナログ−デイジタル
変換器14に入力され、ここで変換されたデイジタル信
号が表示装置15により表示される。表示装置15はた
とえばCRTを備えており、その表示面に各電極箔11
に対応する注入深さに応じた値が、たとえば図3のよう
に電荷量として表示される。
【0013】粒子加速装置1からの荷電ビーム5はゲー
ジ2の表面に均一に照射される。照射された荷電ビーム
5は各絶縁フィルム3を通過していく。そしてこの通過
の過程で荷電ビームは絶縁フイルム3に吸収されてい
く。このような作用は図4に示す従来構成と特に相違す
るものではない。絶縁フイルム3を通過した荷電ビーム
は電極箔11に吸収され、ここから照射ビーム量に応じ
た電荷が電流量として電流−電圧変換器13に入力され
る。そしてアナログ−デイジタル変換器14を経てデイ
ジタル信号として表示装置15により表示される。
【0014】荷電ビーム5がゲージ2を通過する過程
で、絶縁フイルム3の積層数が多い個所すなわち注入深
さが深い部位を通過した荷電ビームが照射される電極箔
11のビーム量は少なく、したがってその電極箔11の
電荷量が小さく、また逆に絶縁フイルム3の積層数が少
なくて注入深さが浅い部位を通過した荷電ビームが照射
される電極箔1の電荷量も小さい。このことは従来構成
と同様である。
【0015】したがって表示装置15による表示は図3
に示すようになる。これから最大量の電荷を発生した電
極箔、したがって注入深さ、更にはその照射部位を知る
ことが出来る。これを過去の実績から求めてあるデータ
と比較し、そのときの加速エネルギーを算出することが
できるようになる。
【0016】この構成によれば、注入深さの計測の都
度、電極箔11を有する電極層12をゲージ2から取り
外す必要はなく、そのまま電極箔11から得られる信号
をもって直接表示することができる。また加速エネルギ
ーが変更された場合でも、その変更前の状態でそのまま
継続して計測、表示することができる。
【0017】なおこの構成を利用して加速エネルギーを
所望の値に制御することも可能である。そのためには電
極層12の下方に金属製のターゲット16を配置し、こ
こに到達した荷電ビームの量を採取する。そしてその採
取量に応じた電流量と電流−電圧変換器13からの出力
を電流計17で合成し、粒子加速装置1からの荷電ビー
ムの全量を求める。求めた値を絶縁変換器18を介して
制御装置19に入力する。
【0018】制御装置19には目標とする荷電粒子量が
設定されてあり、この目標値と絶縁変換器18からの出
力とを比較して、その大小関係に対応する信号を出力し
て荷電粒子加速装置1からの出力を制御し、その出力が
目標値となるようにする。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、荷
電ビームの注入深さの測定を、短時間でしかも継続的に
実施することができる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示す配置図である。
【図2】本発明の要部を示す斜視図である。
【図3】本発明による表示例を示す表示図である。
【図4】従来構成を示す配置図である。
【図5】従来構成による表示例を示す表示図である。
【符号の説明】
1 粒子加速装置 2 ゲージ 3 絶縁フイルム 3A 階段面 5 荷電ビーム 11 電極箔 12 電極層 15 表示装置

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 荷電粒子加速装置からの荷電ビームが表
    面に均一に照射される位置に、照射部位により荷電ビー
    ムの通過方向の厚みが異なるように絶縁フイルムを階段
    状に重ね合わしてゲージを構成し、前記ゲージの下面
    に、前記絶縁フイルムの各階段面に向かい合うように電
    極箔を設置した電極層を配置するとともに、前記荷電ビ
    ームの照射によって前記各電極箔に蓄積される電荷を、
    照射部位にしたがう注入深さに対応して表示する表示装
    置を設けてなる荷電ビーム用注入深さモニター装置。
JP27852296A 1996-09-11 1996-09-11 荷電ビーム用注入深さモニター装置 Pending JPH1090423A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27852296A JPH1090423A (ja) 1996-09-11 1996-09-11 荷電ビーム用注入深さモニター装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP27852296A JPH1090423A (ja) 1996-09-11 1996-09-11 荷電ビーム用注入深さモニター装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1090423A true JPH1090423A (ja) 1998-04-10

Family

ID=17598463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27852296A Pending JPH1090423A (ja) 1996-09-11 1996-09-11 荷電ビーム用注入深さモニター装置

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JP (1) JPH1090423A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009513973A (ja) * 2005-10-26 2009-04-02 テトラ ラバル ホールデイングス エ フイナンス ソシエテ アノニム 電子ビームを感知するための多層検出器及び方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009513973A (ja) * 2005-10-26 2009-04-02 テトラ ラバル ホールデイングス エ フイナンス ソシエテ アノニム 電子ビームを感知するための多層検出器及び方法

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