JPH1090365A - 磁性流体を用いた半導体装置故障解析方法 - Google Patents
磁性流体を用いた半導体装置故障解析方法Info
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- JPH1090365A JPH1090365A JP8248079A JP24807996A JPH1090365A JP H1090365 A JPH1090365 A JP H1090365A JP 8248079 A JP8248079 A JP 8248079A JP 24807996 A JP24807996 A JP 24807996A JP H1090365 A JPH1090365 A JP H1090365A
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- magnetic fluid
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- optical microscope
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Abstract
(57)【要約】
【課題】磁性流体を用いた半導体装置故障解析方法に係
り、熱の発生しにくい電流異常においても光学的な変化
を光学顕微鏡で捉える能力を向上させる。 【解決手段】光学顕微鏡のステージ１０上の光学顕微鏡
の対物レンズ１１下にパッケージされていない半導体装
置１２を置く。パッケージされていない半導体装置表面
１２表面には磁性流体１３を薄く塗布する。パッケージ
されていない半導体装置１２から電源電圧印加のための
配線１３、１４を引出し、電源電圧印加のための電源１
６に接続する。電源１６により、パッケージされていな
い半導体装置１２に電源電圧を印加すると、磁性流体１
３はパッケージされていない半導体装置１２の異常部分
１７の近傍で変化し、この変化を光学顕微鏡下で観察す
る。 【効果】熱の発生しにくい電流異常においても光学的な
変化を捉えることができる。
り、熱の発生しにくい電流異常においても光学的な変化
を光学顕微鏡で捉える能力を向上させる。 【解決手段】光学顕微鏡のステージ１０上の光学顕微鏡
の対物レンズ１１下にパッケージされていない半導体装
置１２を置く。パッケージされていない半導体装置表面
１２表面には磁性流体１３を薄く塗布する。パッケージ
されていない半導体装置１２から電源電圧印加のための
配線１３、１４を引出し、電源電圧印加のための電源１
６に接続する。電源１６により、パッケージされていな
い半導体装置１２に電源電圧を印加すると、磁性流体１
３はパッケージされていない半導体装置１２の異常部分
１７の近傍で変化し、この変化を光学顕微鏡下で観察す
る。 【効果】熱の発生しにくい電流異常においても光学的な
変化を捉えることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁性流体を用いた半
導体装置故障解析方法に係り、特に、磁性流体を用い、
半導体装置に生じた電流異常により生じる磁界によって
生じる磁性流体の変化を光学的な変化として光学顕微鏡
を用いて捉える故障解析方法に関する。
導体装置故障解析方法に係り、特に、磁性流体を用い、
半導体装置に生じた電流異常により生じる磁界によって
生じる磁性流体の変化を光学的な変化として光学顕微鏡
を用いて捉える故障解析方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来半導体装置の故障解析方法は、パッ
ケージされていない半導体装置表面に液晶を塗布し、電
源電圧を印加した半導体装置に生じた電流異常により生
じる熱によって生じる液晶の変化を光学的な変化として
光学顕微鏡を用いて捉えるものである。
ケージされていない半導体装置表面に液晶を塗布し、電
源電圧を印加した半導体装置に生じた電流異常により生
じる熱によって生じる液晶の変化を光学的な変化として
光学顕微鏡を用いて捉えるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の半
導体装置の故障解析方法においては熱によって生じる液
晶の変化を光学的な変化として光学顕微鏡を用いて捉え
るため、熱の発生しにくい電流異常においては、液晶の
変化が生じない、あるいは生じにくいという問題点があ
った。
導体装置の故障解析方法においては熱によって生じる液
晶の変化を光学的な変化として光学顕微鏡を用いて捉え
るため、熱の発生しにくい電流異常においては、液晶の
変化が生じない、あるいは生じにくいという問題点があ
った。
【０００４】そこで本発明は上記問題点を解決するもの
であり、その課題は熱の発生しにくい電流異常において
も光学的な変化を光学顕微鏡で捉える能力を向上させる
ことにある。
であり、その課題は熱の発生しにくい電流異常において
も光学的な変化を光学顕微鏡で捉える能力を向上させる
ことにある。
【０００５】
（手段１）上記課題を解決するために、本発明の磁性流
体を用いた半導体装置故障解析方法は、パッケージされ
ていない半導体装置表面に磁性流体を塗布し、電源電圧
を印加した半導体装置に生じた電流異常により生じる磁
界によって生じる磁性流体の変化を光学的な変化として
光学顕微鏡を用いて捉える手段を有するものである。
体を用いた半導体装置故障解析方法は、パッケージされ
ていない半導体装置表面に磁性流体を塗布し、電源電圧
を印加した半導体装置に生じた電流異常により生じる磁
界によって生じる磁性流体の変化を光学的な変化として
光学顕微鏡を用いて捉える手段を有するものである。
【０００６】（手段２）手段１に記載の解析方法におい
て、前記磁性流体の変化を強調する手段として、半導体
装置外部から磁界を与える手段を有するものである。
て、前記磁性流体の変化を強調する手段として、半導体
装置外部から磁界を与える手段を有するものである。
【０００７】
【作用】手段１によれば、磁性流体を用いるので、パッ
ケージされていない半導体装置に流れる電流により生じ
る電流異常により生じる磁界によって生じる磁性流体の
変化を光学的な変化として光学顕微鏡を用いて捉えるこ
とができ、熱の発生しにくい電流異常においても光学的
な変化を捉える能力が向上する。
ケージされていない半導体装置に流れる電流により生じ
る電流異常により生じる磁界によって生じる磁性流体の
変化を光学的な変化として光学顕微鏡を用いて捉えるこ
とができ、熱の発生しにくい電流異常においても光学的
な変化を捉える能力が向上する。
【０００８】手段２によれば、半導体装置の外部から磁
界を与えることにより磁性流体の変化を強調することが
できる。
界を与えることにより磁性流体の変化を強調することが
できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に図面を参照して本発明に係る
磁性流体を用いた半導体装置故障解析方法の実施例を説
明する。
磁性流体を用いた半導体装置故障解析方法の実施例を説
明する。
【００１０】（第１実施例）先ず、本発明の第１実施例
を図１を参照して説明する。この実施例においては、光
学顕微鏡のステージ１０上の光学顕微鏡の対物レンズ１
１下にパッケージされていない半導体装置１２が置かれ
ている。パッケージされていない半導体装置１２の表面
には磁性流体１３が薄く塗布されている。パッケージさ
れていない半導体装置１２から電流印加のための配線１
４、１５が引き出され、電源電圧印加のための電源１６
に接続されている。
を図１を参照して説明する。この実施例においては、光
学顕微鏡のステージ１０上の光学顕微鏡の対物レンズ１
１下にパッケージされていない半導体装置１２が置かれ
ている。パッケージされていない半導体装置１２の表面
には磁性流体１３が薄く塗布されている。パッケージさ
れていない半導体装置１２から電流印加のための配線１
４、１５が引き出され、電源電圧印加のための電源１６
に接続されている。
【００１１】上記の構成の解析のための系において、電
源１６により、パッケージされていない半導体装置１２
に電源電圧を印加すると、磁性流体１３はパッケージさ
れていない半導体装置１２の異常部分１７の近傍で、厚
みの変化や磁性流体固有の光学特性が変化し、この光学
的変化を対物レンズ１１を通して、光学顕微鏡下で観察
できる。
源１６により、パッケージされていない半導体装置１２
に電源電圧を印加すると、磁性流体１３はパッケージさ
れていない半導体装置１２の異常部分１７の近傍で、厚
みの変化や磁性流体固有の光学特性が変化し、この光学
的変化を対物レンズ１１を通して、光学顕微鏡下で観察
できる。
【００１２】（第２実施例）次に図２を参照して、本発
明に係る第２実施例を説明する。この実施例では上記第
１実施例と同様の部分には同一符号を付してその説明を
省略する。
明に係る第２実施例を説明する。この実施例では上記第
１実施例と同様の部分には同一符号を付してその説明を
省略する。
【００１３】この実施例では、パッケージされていない
半導体装置１２の外部に永久磁石１８、１９を設置し、
パッケージされていない半導体装置１２の磁性流体塗布
面に平行に外部磁界を与えている。
半導体装置１２の外部に永久磁石１８、１９を設置し、
パッケージされていない半導体装置１２の磁性流体塗布
面に平行に外部磁界を与えている。
【００１４】永久磁石１８、１９によりパッケージされ
ていない半導体装置１２の磁性流体塗布面に平行に外部
磁界を与えた上記の例では、外部磁界は、電源１６によ
りパッケージされていない半導体装置１２に電源電圧を
印加した時に生じる磁性流体１３の変化を制限し、パッ
ケージされていない半導体装置１２の異常部分１７の近
傍に生じる光学的変化を強調することが可能である。
ていない半導体装置１２の磁性流体塗布面に平行に外部
磁界を与えた上記の例では、外部磁界は、電源１６によ
りパッケージされていない半導体装置１２に電源電圧を
印加した時に生じる磁性流体１３の変化を制限し、パッ
ケージされていない半導体装置１２の異常部分１７の近
傍に生じる光学的変化を強調することが可能である。
【００１５】また、この実施例では永久磁石１８、１９
とパッケージされていない半導体装置１２の距離を変化
させることにより磁界の強さを変化させることができ、
光学的変化を強調する最適な磁界を調節することが可能
である。
とパッケージされていない半導体装置１２の距離を変化
させることにより磁界の強さを変化させることができ、
光学的変化を強調する最適な磁界を調節することが可能
である。
【００１６】（第３実施例）次に図３を参照して、本発
明に係る第３実施例を説明する。この実施例では上記第
１実施例と同様の部分には同一符号を付してその説明を
省略する。
明に係る第３実施例を説明する。この実施例では上記第
１実施例と同様の部分には同一符号を付してその説明を
省略する。
【００１７】この実施例では、パッケージされていない
半導体装置１２の外部に電磁石２０、２１を設置し、配
線２２を通して可変電源２３に接続し、パッケージされ
ていない半導体装置１２の磁性流体塗布面に平行に可変
の外部磁界を与えている。
半導体装置１２の外部に電磁石２０、２１を設置し、配
線２２を通して可変電源２３に接続し、パッケージされ
ていない半導体装置１２の磁性流体塗布面に平行に可変
の外部磁界を与えている。
【００１８】電磁石２０、２１によりパッケージされて
いない半導体装置１２の磁性流体塗布面に平行に可変の
外部磁界を与えた上記の例では、可変電源２３により外
部磁界の強さを変化させることができるため、電源１６
によりパッケージされていない半導体装置１２に電源電
圧を印加した時に生じるパッケージされていない半導体
装置１２の異常部分１７の近傍に生じる磁性流体１３の
変化を可変的に制限し、光学的変化を強調する最適な磁
界を調節することが可能である。
いない半導体装置１２の磁性流体塗布面に平行に可変の
外部磁界を与えた上記の例では、可変電源２３により外
部磁界の強さを変化させることができるため、電源１６
によりパッケージされていない半導体装置１２に電源電
圧を印加した時に生じるパッケージされていない半導体
装置１２の異常部分１７の近傍に生じる磁性流体１３の
変化を可変的に制限し、光学的変化を強調する最適な磁
界を調節することが可能である。
【００１９】（第４実施例）次に図４を参照して、本発
明に係る第４実施例を説明する。この実施例では上記第
１実施例と同様の部分には同一符号を付してその説明を
省略する。
明に係る第４実施例を説明する。この実施例では上記第
１実施例と同様の部分には同一符号を付してその説明を
省略する。
【００２０】この実施例では、パッケージされていない
半導体装置１２の下に永久磁石２４を設置し、パッケー
ジされていない半導体装置１２の磁性流体塗布面に垂直
な外部磁界を与えている。
半導体装置１２の下に永久磁石２４を設置し、パッケー
ジされていない半導体装置１２の磁性流体塗布面に垂直
な外部磁界を与えている。
【００２１】永久磁石２４によりパッケージされていな
い半導体装置１２の磁性流体塗布面に垂直に外部磁界を
与えた上記の例では、外部磁界は第２実施例と同様に磁
性流体１３の挙動を制限し、半導体装置１２の異常部分
１７の近傍に生じる光学的変化を強調することが可能で
ある。
い半導体装置１２の磁性流体塗布面に垂直に外部磁界を
与えた上記の例では、外部磁界は第２実施例と同様に磁
性流体１３の挙動を制限し、半導体装置１２の異常部分
１７の近傍に生じる光学的変化を強調することが可能で
ある。
【００２２】また、この実施例では永久磁石２４とパッ
ケージされていない半導体装置１２の距離を変化させる
ことにより磁界の強さを変化させることができ、光学的
変化を強調する最適な磁界を調節することが可能であ
る。
ケージされていない半導体装置１２の距離を変化させる
ことにより磁界の強さを変化させることができ、光学的
変化を強調する最適な磁界を調節することが可能であ
る。
【００２３】（第５実施例）次に図５を参照して、本発
明に係る第５実施例を説明する。この実施例では上記第
１実施例と同様の部分には同一符号を付してその説明を
省略する。
明に係る第５実施例を説明する。この実施例では上記第
１実施例と同様の部分には同一符号を付してその説明を
省略する。
【００２４】この実施例では、パッケージされていない
半導体装置１２の下に電磁石２５を設置し、配線２６を
通して可変電源２７に接続し、パッケージされていない
半導体装置１２の磁性流体塗布面に垂直に可変の外部磁
界を与えている。
半導体装置１２の下に電磁石２５を設置し、配線２６を
通して可変電源２７に接続し、パッケージされていない
半導体装置１２の磁性流体塗布面に垂直に可変の外部磁
界を与えている。
【００２５】電磁石２５によりパッケージされていない
半導体装置１２の磁性流体塗布面に垂直に可変の外部磁
界を与えた上記の例では、可変電源２７により外部磁界
の強さを変化させることができるため、電源１６により
パッケージされていない半導体装置１２に電源電圧を印
加したときに生じるパッケージされていない半導体装置
１２の異常部分１７の近傍に生じる磁性流体１３の変化
を可変的に制限し、光学的変化を強調する最適な磁界を
調節することが可能である。
半導体装置１２の磁性流体塗布面に垂直に可変の外部磁
界を与えた上記の例では、可変電源２７により外部磁界
の強さを変化させることができるため、電源１６により
パッケージされていない半導体装置１２に電源電圧を印
加したときに生じるパッケージされていない半導体装置
１２の異常部分１７の近傍に生じる磁性流体１３の変化
を可変的に制限し、光学的変化を強調する最適な磁界を
調節することが可能である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば以下
の効果を奏する。
の効果を奏する。
【００２７】手段１によれば、磁性流体を用いるので、
パッケージされていない半導体装置に流れる電流により
生じる磁界によって生じる磁性流体の変化を光学的な変
化として光学顕微鏡を用いて捉えることができるので、
熱の発生しにくい電流異常においても光学的な変化を捉
える能力が向上する。
パッケージされていない半導体装置に流れる電流により
生じる磁界によって生じる磁性流体の変化を光学的な変
化として光学顕微鏡を用いて捉えることができるので、
熱の発生しにくい電流異常においても光学的な変化を捉
える能力が向上する。
【００２８】手段２によれば、半導体装置外部から磁界
を与えることにより磁性流体の変化を強調することがで
きる。
を与えることにより磁性流体の変化を強調することがで
きる。
【図１】本発明に係る磁性流体を用いた半導体装置故障
解析方法の第１実施例を示す概略図である。
解析方法の第１実施例を示す概略図である。
【図２】本発明に係る磁性流体を用いた半導体装置故障
解析方法の第２実施例を示す概略図である。
解析方法の第２実施例を示す概略図である。
【図３】本発明に係る磁性流体を用いた半導体装置故障
解析方法の第３実施例を示す概略図である。
解析方法の第３実施例を示す概略図である。
【図４】本発明に係る磁性流体を用いた半導体装置故障
解析方法の第４実施例を示す概略図である。
解析方法の第４実施例を示す概略図である。
【図５】本発明に係る磁性流体を用いた半導体装置故障
解析方法の第５実施例を示す概略図である。
解析方法の第５実施例を示す概略図である。
１０ 光学顕微鏡のステージ １１ 光学顕微鏡の対物レンズ １２ パッケージされていない半導体装置 １３ 磁性流体 １４、１５ 配線 １６ 電源 １７ 半導体装置の異常部分 １８、１９ 永久磁石 ２０、２１ 電磁石 ２２ 電磁石の配線 ２３ 電磁石の可変電源 ２４ 永久磁石 ２５ 電磁石 ２６ 電磁石の配線 ２７ 電磁石の可変電源
Claims (2)
- 【請求項１】半導体装置の電流故障の解析方法におい
て、パッケージされていない半導体装置表面に磁性流体
を塗布し、電源電圧を印加した半導体装置に生じた電流
異常により生じる磁界によって生じる磁性流体の変化を
光学的な変化として光学顕微鏡を用いて捉える手段を有
することを特徴とした解析方法。 - 【請求項２】前記磁性流体の変化を強調する手段とし
て、半導体装置外部から磁界を与える手段を有すること
を特徴とした請求項１記載の解析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8248079A JPH1090365A (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 磁性流体を用いた半導体装置故障解析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8248079A JPH1090365A (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 磁性流体を用いた半導体装置故障解析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1090365A true JPH1090365A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17172902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8248079A Withdrawn JPH1090365A (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 磁性流体を用いた半導体装置故障解析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1090365A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1637896A3 (en) * | 2002-09-26 | 2006-04-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Diagnosis of an electrical engine by monitoring the magnetic flux of the engine by means of a flux sensitive coating |
-
1996
- 1996-09-19 JP JP8248079A patent/JPH1090365A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1637896A3 (en) * | 2002-09-26 | 2006-04-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Diagnosis of an electrical engine by monitoring the magnetic flux of the engine by means of a flux sensitive coating |
| US7503219B2 (en) | 2002-09-26 | 2009-03-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Monitoring and diagnosing a technical installation using purely mechanically activated signaling means |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031202 |