JPH1081643A - アリールケトン類の製造法 - Google Patents

アリールケトン類の製造法

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JPH1081643A
JPH1081643A JP9089025A JP8902597A JPH1081643A JP H1081643 A JPH1081643 A JP H1081643A JP 9089025 A JP9089025 A JP 9089025A JP 8902597 A JP8902597 A JP 8902597A JP H1081643 A JPH1081643 A JP H1081643A
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group
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compound represented
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JP9089025A
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English (en)
Inventor
Toshiaki Osada
敏明 長田
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Takeda Pharmaceutical Co Ltd
Original Assignee
Takeda Chemical Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【構成】2−フルオロフェニルリチウム類を用いる下記
化合物の製造法。 【化1】 (式中、環Aは置換基を有していてもよいベンゼン環
を、R1 は置換されていてもよい炭化水素残基を示
す。) 【効果】副生成物の生成が抑えられ、また高純度、高収
率で目的物を製造することができる。特に大量スケール
においても収率がの低下が見られず、工業的に有利な方
法である

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は医薬等の活性成分を
合成するための中間体、特に真菌症治療剤(抗真菌剤)
として有用なトリアゾール誘導体の合成中間体の製造法
に関し、医薬品製造の分野等で用いられるものである。
【0002】
【従来の技術】ヨーロッパ特許出願公開第42121
0,同548553,同657449,同687672
号に光学活性トリアゾール誘導体が好ましい一群の化合
物として例示されており、その原料の製法として乳酸誘
導体を出発原料としてグリニヤル法によりアリールケト
ン類を製造する方法が記載されている。
【0003】
【本発明が解決しようとする課題】従来のグリニヤル法
に記載の金属マグネシウムを使用する方法においては大
量合成を行う場合、多量の副生物が生成し、目的物の収
率が低い。たとえば2−(3,4,5,6−テトラヒドロ
−2H−ピラン−2−イルオキシ)プロピオニル〕モル
ホリンに一般式
【化7】 で表される化合物を反応させて2'−フルオロ−2−
(3,4,5,6−テトラヒドロ−2H−ピラン−2−イ
ルオキシ)プロピオフェノンを得ようとする場合には、
副生物として2'−位のフッ素が脱離した2−(3,4,
5,6−テトラヒドロ−2H−ピラン−2−イルオキ
シ)プロピオフェノンが8〜12%も生成し、目的物の
収率を低下するのみならず、この副生物は目的物との分
離が困難である。本発明はこれらの点に鑑み種々研究し
た結果、完成したものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、一
般式
【化8】 (式中、R1 は置換されていてもよい炭化水素残基を示
し、R2 およびR3 は同一または異なって低級アルキル
基または低級アルコキシ基を示すか、またはR2とR3
が結合して隣接する窒素原子とともに環を形成していて
もよい。)で表される化合物と一般式
【化9】 (式中、環Aは置換基を有していてもよいベンゼン環を
示す。)で表される化合物とを反応させることを特徴と
する一般式
【化10】 (式中の記号は前記と同意義を示す。)で表される化合
物の製造法である。
【0005】上記式中、R1で示される置換されていて
もよい炭化水素残基における炭化水素残基としては、脂
肪族鎖式炭化水素残基,脂環式炭化水素残基,芳香族炭
化水素残基が挙げられる。該脂肪族鎖式炭化水素残基と
しては、アルキル基,アルケニル基,アルキニル基が、
脂環式炭化水素残基としてはシクロアルキル基,シクロ
アルケニル基,シクロアルカジエニル基が、芳香族炭化
水素残基としてはアリール基が挙げられる。該アルキル
基としてはたとえばメチル,エチル,プロピル,イソプ
ロピル,ブチル,イソブチル,sec−ブチル,ter
t−ブチル,ペンチル,イソペプチル,ネオペプチル,
tert−ペプチル,1−エチルプロピル,ヘキシル,
イソヘキシル,1,1−ジメチルブチル,2,2−ジメ
チルブチル,3,3−ジメチルブチル,2−エチルブチ
ルなど炭素数1〜10のものが挙げられ、なかでもメチ
ル,エチル,プロピル,イソプロピル,ブチル,イソブ
チルなど炭素数1〜4のものが好ましい。該アルケニル
基としては、たとえばビニル,アリル,イソプロペニ
ル,1−プロペニル,2−メチルー1−ブテニル,3−
メチルー2−ブテニル,1−ペンテニル,2−ペンテニ
ル,3−ペンテニル,4−ペンテニル,4−メチル−3
−ペンテニル,1−ヘキセニル,2−ヘキセニル,3−
ヘキセニル,4−ヘキセニル,5−ヘキセニルなど炭素
数2〜6のものが挙げられ、なかでもビニル,アリル,
イソプロペニル,2−メチル−1−プロペニルなど炭素
数2〜4のものが好ましい。
【0006】該アルキニル基としてはたとえばエチニ
ル,1−プロピニル,2−プロピニル,1−ブチニル,
2−ブチニル,3−ブチニル,1−ペンチニル,2−ペ
ンチニル,3−ペンチニル,4−ペンチニル,1−ヘキ
シニル,2−ヘキシニル,3−ヘキシニル,4−ヘキシ
ニル,5−ヘキシニルなど炭素数2〜6のものがが挙げ
られ、なかでもエチニル,1−プロピニル,2−プロピ
ニルなど炭素数2〜4のものが好ましい。該シクロアル
キル基としては、たとえばシクロプロピル,シクロブチ
ル,シクロペンチル,シクロヘキシル,シクロヘプチ
ル,シクロオクチル,ビシクロ[2.2.1]ヘプチ
ル,ビシクロ[2.2.2]オクチル,ビシクロ[3.
2.1]オクチル,ビシクロ[3.2.2]ノニル,ビ
シクロ[3.3.1]ノニル,ビシクロ[4.2.1]
ノニル,ビシクロ[4.3.1]デシルなど炭素数3〜
10のものが挙げられる。該シクロアルケニル基として
は、たとえば、2−シクロペンテン−1−イル,3−シ
クロペンテン−1−イル,2−シクロヘキセン−1−イ
ル,3−シクロヘキセン−1−イルなど炭素数5〜7の
ものが挙げられる。該シクロアルカジエニル基として
は、たとえば、2,4−シクロペンタジエン−1−イ
ル、2,4−シクロヘキサジエン−1−イル,2,5−
シクロヘキサジエン−1−イルなど炭素数5〜7のもの
が挙げられる。該アリール基としては、単環式または多
環式のいずれでもよく、たとえば、フェニル,ナフチ
ル,アントリル,フェナントリル,アセナフチレニルな
どが挙げられ、中でもフェニル,1−ナフチル,2−ナ
フチルなど炭素数6〜14のものが好ましい。
【0007】これらの炭化水素残基は任意の位置に1〜
3個の置換基を有していてもよい。該置換基としては、
たとえば低級アルキル基(例、メチル,エチル,プロピ
ル,イソプロピル,ブチル,イソブチルなど炭素数1〜
4のもの),低級アルケニル基(例、ビニル,アリル,
イソプロペニル,2−メチル−1−プロペニルなど炭素
数2〜4のものなど),低級アルキニル基(例、エチニ
ル,1−プロピニル,2−プロピニルなど炭素数2〜4
のものなど),シクロアルキル基(例、シクロプロピ
ル,シクロブチル,シクロペンチル,シクロヘキシル,
シクロヘプチルなどたとえば3〜7のものなど),アリ
ール基(例、フェニル,ナフチルなど),芳香族複素環
基(例、ピリジル,ジアゾリル,トリアゾリル,テトラ
ゾリル,フリル,チエニル,オキサゾリル,オキサジア
ゾリル,チアゾリル,チアジアゾリルなど環構成原子と
してO,S,Nの1〜4個を有する5または6員環),
アラルキル基(例、ベンジル,フェネチルなど炭素数6
〜8のもの),アミノ基,N−モノ置換アミノ基(例、
メチルアミノ,エチルアミノ,プロピルアミノなど炭素
数1〜4のもの),N,N−ジ置換アミノ基(例、ジメ
チルアミノ,メチルエチルアミノ,ジエチルアミノなど
炭素数2〜5のもの),カルバモイル基,N−モノ置換
カルバモイル基(例、メチルカルバモイル,エチルカル
バモイルなど炭素数1〜4のもの),N,N−ジ置換カ
ルバモイル基(例、ジメチルカルバモイル,メチルエチ
ルカルバモイル,ジエチルカルバモイルなど炭素数2〜
5のもの),カルボキシル基,低級アルコキシカルボニ
ル基(例、メトキシカルボニル,エトキシカルボニル,
プロポキシカルボニルなど炭素数2〜4のもの),水酸
基,保護された水酸基(たとえばo−メチルベンジル、
m−メチルベンジル、p−メチルベンジル、2,3−ジ
メチルベンジル、2,4−ジメチルベンジル、2,5−
ジメチルベンジル、2,6−ジメチルベンジル、3,4
−ジメチルベンジル、3,5−ジメチルベンジル、2,
3,4−トリメチルベンジル、2,3,5−トリメチル
ベンジル、2,4,5−トリメチルベンジル、2,4,
6−トリメチルベンジル、3,4,6−トリメチルベン
ジル、2,4,6−トリメチルベンジル、o−ニトロベ
ンジル、m−ニトロベンジル、p−ニトロベンジル、o
−メトキシベンジル、m−メトキシベンジル、p−メト
キシベンジルなどの置換ベンジル基、たとえば低級アル
キルシリルにはトリメチルシリル、トリエチルシリル、
ブチルジメチルシリル、ブチルジフェニルシリルなどの
低級アルキルシリル基、たとえばテトラヒドロピラニ
ル、メトキシメチル、メトキシエチル、エトキシメチ
ル、メトキシチオメチル、ビス(2−クロロエトキシ)
メチル、テトラヒドロチオピラニル、4−メトキシテト
ラヒドロピラニル、4−メトキシテトラヒドロチオピラ
ニル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロチオフラニ
ル、t−ブチルエーテル、アリルエーテルなどのエーテ
ル型保護基など化学分野において一般に水酸基の保護基
として用いられるものによって保護されたものなど),
低級アルコキシ基(例、メトキシ,エトキシプロポキシ
など炭素数1〜3のもの),ハロゲン原子(例、フッ素
原子,塩素原子,臭素原子など)などが挙げられる。
【0008】
【化11】 いてもよい水酸基を示す。)で示される基である。R4
で示される保護されていてもよい水酸基としては、保護
されていない水酸基の他、化学分野において一般に用い
られる水酸基の保護基によって保護されたものであり、
該水酸基の保護基としては、前記R1で示される炭化水
素残基の置換基として挙げたものが挙げられる。R4
最も好ましい例としてはテトラヒドロピラニルオキシが
挙げられる。R2,R3で示される低級アルキルとして
は、たとえばメチル、エチル、n−プロピル、イソプロ
ピル、n−ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル
など炭素数1〜4のものが、低級アルコキシ基として
は、たとえばメトキシ、エトキシ、n−プロピルオキ
シ、iso−プロピルオキシ、n−ブチルオキシ、se
c−ブチルオキシ、tert−ブチルオキシなど炭素数
1〜4のものが挙げられる。R2とR3が結合し、隣接す
る窒素原子とともに環を形成する場合、窒素原子,酸素
原子,硫黄原子などの異項原子を介して結合していても
よく、式
【化12】 ラジノ,ピロリジノなど5または6員環が挙げられる。
最も好ましい例としてはモルホリノが挙げられる。
2,R3としては双方が結合して、隣接する窒素原子と
ともに環を形成したものが好ましい。
【0009】上記一般式(II)中、環Aは置換基を有
していてもよいベンゼン環を示し、リチウムおよびフッ
素以外には置換基を有していなくてもよく、また置換可
能な位置にリチウムおよびフッ素以外にさらに1〜4個
の置換基を有していてもよい。置換基を有する場合、該
置換基は反応に関係のないものはいかなるものでもよ
く、その具体例としてはたとえば低級アルキル、低級ア
ルコキシ、ニトロ、スルホン,アシル基,モノ−または
ジ−低級アルキル置換アミノ、ハロゲン原子が挙げられ
る。低級アルキル基としてはたとえばメチル、エチル、
n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、sec−ブ
チル、tert−ブチル等炭素数1〜4のものが、低級
アルコキシ基としてはたとえばメトキシ、エトキシ、n
−プロピルオキシ、iso−プロピルオキシ、n−ブチ
ルオキシ、sec−ブチルオキシ、tert−ブチルオ
キシ等炭素数1〜4のものが、アシル基としてはたとえ
ばホルミル,アセチル,プロピオニルなど炭素数1〜4
のものが、モノ−低級アルキル置換アミノ基としてはた
とえば、メチルアミノ,エチルアミノなど炭素数1〜4
の低級アルキルで置換されたものが、ジ−低級アルキル
置換アミノ基としてはたとえば、メチルエチルアミノ、
ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ−n−プロピルア
ミノ、ジイソプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジイソ
ブチルアミノ、ジ−tert−ブチルアミノ等炭素数1
〜4の低級アルキル2個で置換されたものが、ハロゲン
原子としてはたとえばフルオロ、クロロ、ブロモ、ヨー
ドが挙げられる。中でも低級アルキル、低級アルコキ
シ、フルオロ、クロロが好ましく、低級アルキルおよび
フルオロがより好ましい。
【0010】一般式(II)で表される化合物の具体例
としては、たとえば、2−フルオロフェニルリチウム、
2,4−ジフルオロフェニルリチウムなどが挙げられ、
2−フルオロフェニルリチウムが特に好ましい。一般式
(II)で表される化合物のなかでも、一般式
【化13】 (式中、R5は水素原子またはフッ素原子を示す。)で
表される化合物が好ましく、一般式(II’)で示され
る化合物の中でもR5が水素原子であるものがより好ま
しい。
【0011】本発明の反応は、化合物(I)と化合物
(II)を反応させることにより行われる。この反応は
通常有機溶媒中、不活性ガス気流下、−100〜25℃
の低温で行われる。該不活性ガスとしては、たとえば窒
素,アルゴンなどが挙げられる。該有機溶媒としては原
料物質を溶かし、かつ反応に関与しないものであればい
かなるものでもよく、たとえばジエチルエーテル、ジプ
ロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエ
ーテル、ジイソアミルエーテル、1,2−ジメトキシエ
タン、1,2−ジエトキシエタン、ジ−2−メトキシエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラ
ン、1,4−ジオキサン等のエーテル系溶媒(中でもテ
トラヒドロフランが好ましい。)、ペンタン、イソペン
タン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカ
ン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、n−
パラフィンなどの鎖式炭化水素系溶媒、たとえばベンゼ
ン、トルエン、o−キシレン、m−キシレン、p−キシ
レン、1,2,3−トリメチルベンゼン、1,2,4−
トリメチルベンゼン、1,2,5−トリメチルベンゼ
ン、1,3,5−トリメチルベンゼン、エチルベンゼ
ン、プロピルべンゼンあるいはブチルベンゼン等の芳香
族炭化水素系溶媒、あるいはこれらの混合溶媒が挙げら
れる。中でもエーテル系溶媒、炭化水素系溶媒(鎖式炭
化水素系溶媒または芳香族炭化水素系溶媒)あるいはエ
ーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合溶媒が好ましく、
エーテル系溶媒と鎖状炭化水素系溶媒との混合溶媒がよ
り好ましく、テトラヒドロフランとヘキサンとの混合溶
媒が特に好ましい。一般式(II)で表される化合物の
使用量は、一般式(I)で表される化合物に対して90
〜150モル%、好ましくは100〜120モル%であ
る。90モル%未満では収率が低く、120モル%を越
えると経済的でない。反応温度は通常−100〜25
℃、好ましくは−80〜−60℃である。溶媒の使用量
は化合物(I)に対し、通常100〜2000重量%で
あり、好ましくは300〜1500重量%であり、特に
好ましくは500〜1000重量%である。100重量
%未満では、収率が低下し、2000重量%を超える
と、製造効率が悪くなる傾向がある。一般式(II)で
示される2-フルオロフェニルリチウム類は低温、不活
性ガス(窒素またはアルゴン) 気流下で取り扱い、通常
は溶液状で取り扱われる。通常、化合物(II)を含有
する上記溶媒中に−70±25℃にて一般式(I)で表
される化合物を5時間以内、好ましくは30分以内に滴
下し、縮合反応を行う。
【0012】本発明の反応終了後、該反応液に酸性水溶
液、好ましくは飽和塩化アンモニウム水溶液あるいは燐
酸水溶液を1時間、好ましくは30分以内に滴下し、中
和反応を行う。この間、反応液の温度は室温以下、好ま
しくは0℃以下を保持するとその光学活性が維持され
る。抽出し、有機層を水で洗浄する。必要に応じてカラ
ムクロマトグラフィーで精製し、純度の高い化合物(I
II)を得ることができる。本発明の目的化合物はたと
えば濃縮、結晶化、再結晶、クロマトグラフィー、転溶
など、通常の分離生成手段で単離することができる。ま
た、場合によっては分離するこなく次の反応に付すこと
もできる。本反応によれば、化合物(I)が光学活性体
である場合、得られる目的物もそのまま光学活性体とし
て得ることができる。たとえば化合物(I)としてR1
の部分にアシメ炭素を有するR体を用いるとR体の化合
物(III)を得ることができる。また化合物(I)が
それぞれS体またはラセミ体であれば目的とする化合物
(III)もR体またはラセミ体として得ることができ
る。本発明によれば、大量スケールでも収率が80%ま
で向上し、副生物が少なく、分離が困難な脱フッ素体も
0.7%まで低下することができる。
【0013】本発明の製造法に用いうる化合物(I)の
具体例としては4−〔(2S)−2−(3,4,5,6
−テトラヒドロ−2H−ピラン−2−イルオキシ)プロ
ピオニル〕モルホリン等が挙げられる。これらの化合物
は乳酸メチルエステルを出発原料とする方法、すなわち
「ケミカル・アンド・ファーマシューティカル・ビュー
レチン(Chemical&Pharmaceutic
al Bulletin),41巻,1035−104
2頁(1993年)」記載の方法によって製造すること
ができる。本発明の製造法に用いる化合物(II)は、
たとえば2−ブロモフルオロベンゼンと低級アルキルリ
チウムを溶液中で反応させることにより得られ、ドクル
・アカドゥ・ナウク[Dokl.Akad.Nauk]
SSSR,193巻,593−596頁(1971年に
記載の方法もしくはそれに類似する方法[ジャーナル・
オブ・オーガニック・ケミストリー(J.Org.Ch
em.)22巻,1715頁(1957年)]によって
製造することができる。すなわち、不活性ガス(窒素,
アルゴンなど)気流下、−70±10℃に冷却したリチ
ウム化合物の有機溶媒溶液に−40〜−100℃、好ま
しくは−70±10℃を保持しながら一般式
【化14】 [式中、Xは水素原子,臭素原子またはアルキルスルホ
ニルオキシ基(たとえばメチルスルホニルオキシ,エチ
ルスルホニルオキシなど)を示し、環Aは前記と同
じ。]で表される2−フルオロベンゼン誘導体を5時間
以内、好ましくは30分以内に滴下し、12時間、好ま
しくは1〜2時間攪拌することによって製造することが
できる。
【0014】前記リチウム化合物としては低級アルキル
リチウム(たとえばメチルリチウム、エチルリチウム、
n−プロピルリチウム、イソプロピルリチウム、n−ブ
チルリチウム、イソブチルリチウム、sec−ブチルリ
チウム、tert−ブチルリチウム、ペンチルリチウ
ム、イソペンチルリチウム、sec−ペンチルリチウ
ム、tert−ペンチルリチウム、sec−イソペンチ
ルリチウム、n−ヘキシルリチウム、イソヘキシルリチ
ウム、sec−ヘキシルリチウム、シクロヘキシルリチ
ウムなど)、アリールリチウム(例、フェニルリチウ
ム、o−トリルリチウム、m−トリルリチウム、p−ト
リルリチウムなど)、トリアルキルシリルリチウム
(例、トリメチルシリルリチウムなど)などが挙げられ
る。なかでも塩基性が強く、反応に影響を及ぼしにくい
イソプロピルリチウム、ブチルリチウム、イソブチルリ
チウム、sec−ブチルリチウム、tert−ブチルリ
チウム、ペンチルリチウム、イソペンチルリチウム、s
ec−ペンチルリチウム、tert−ペンチルリチウ
ム、sec−イソペンチルリチウム、ヘキシルリチウ
ム、イソヘキシルリチウム、sec−ヘキシルリチウム
およびシクロヘキシルリチウムなどが好ましく、n−ブ
チルリチウムが最も好ましい。該有機溶媒としては本発
明の反応で用いる溶媒と同様なものが用いられる。
【0015】リチウム化合物の使用量は一般式(IV)
で表される化合物に対して80〜150モル%、好まし
くは90〜110モル%である。80モル%未満では収
率が低下、150モル%を超えると、経済的ではない。
これら低級アルキルリチウムは通常、14.5〜15.
9重量%のヘキサン溶液として使用される。このように
して得られる化合物(II)の溶液はそのまま本発明の
反応に用いることができる。たとえば、この溶液に化合
物(I)を加えて反応させることにより本発明の反応を
行うことができる。本発明の目的化合物は薬効を奏する
医薬などの種々の合成中間体として用いることができ、
たとえばヨーロッパ特許出願公開第421210,同5
48553,同657449,同687672号などに
記載の方法により、薬効を奏する化合物たとえば抗真菌
作用を有するトリアゾール化合物へ導くことができる。
【0016】
【発明の実施の形態】実施例,参考例および比較例を記
載して本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれ
らの実施例にのみ限定されるものではない。
【実施例】
実施例1 反応機にテトラヒドロフラン(30ml,和光特級,安
定剤含有)を入れ、アルゴンガスで置換し、−72℃に
冷却した。ブチルリチウム(1.65M n−ヘキサン
溶液,29.9ml,49.3mmol)を−70±1
0℃を保ち、かき混ぜながら滴下した。滴下後、2−ブ
ロモフルオロベンゼン(8.49g,48.5mmo
l)を−70±10℃を保ち、かき混ぜながら滴下し
た。滴下後、5〜10分で2−フルオロフェニルリチウ
ムが析出した。懸濁液を−69℃〜−72℃にて45分
攪拌した。4−〔(2R)−2−(3,4,5,6−テ
トラヒドロ−2H−ピラン−2−イルオキシ)プロピオ
ニル〕モルホリン(10g,41.1mmol)のテト
ラヒドロフランの溶液(20ml)を−55±15℃に
て滴下した。反応液を1時間攪拌した(−40℃〜−6
0℃)。燐酸水溶液(燐酸2mlを水で希釈して80m
lとしたもの)80mlを加え、pH7〜8にした(−
60〜−40℃)(飽和塩化アンモニウム水溶液でもよ
い)。酢酸エチル(100ml,50ml)で抽出し
た。抽出液を飽和塩化アンモニウム水溶液(80m
l),純水(80ml)の順に洗浄し、硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残留物(17
g)をシリカゲルクロマトグラフィー(溶出液:ヘキサ
ン−酢酸エチル=20:1)に付して精製すると(2
R)−2'−フルオロ−2−(3,4,5,6−テトラ
ヒドロ−2H−ピラン−2−イルオキシ)プロピオフェ
ノン(8.3g,収率80.0%)が淡黄色油状物とし
て得た。
【0017】元素分析 C14173Fとして 計算値:C,66.65;H,6.79 実測値:C,66.49;H,6.72 IR(neat):2942,1697,1608,1
558,1540,1456 cm-1 1H−NMR(CDCl3)δ:1.43−2.00
(9H,m),3.29−3.60(1H,m),3.
65−3.98(1H,m),4.65−4.88(1
H,m),4.92,5.15(1H,q,each,
J=7Hz),7.08−7.29(2H,m),7.
43−7.60(1H,m),7.78−7.90(1
H,m) 本品を光学異性体分離カラム〔キラセルOJ−R0.4
6cmφ×15cmダイセル化学工業(株)製〕を用い
る高速液体クロマトグラフィー(移動相;メタノール:
水=3:2)で分析したところ2位の鏡像異性体過剰率
(ee)は98%であった。
【0018】参考例1 (2R)−2'−フルオロ−2−(3,4,5,6−テ
トラヒドロ−2H−ピラン−2−イルオキシ)プロピオ
フェノン(25g)をエタノール(200ml)に溶解
し、p−トルエンスルホン酸ピリジニウム(1.28
g)を加えて内温60℃にて2.5時間攪拌した。反応
液を濃縮し、残留物をシリカゲルクロマトグラフィー
(溶出液:ヘキサンー酢酸エチル=20:1)に付し、
(2R)−2’−フルオロ−2−ヒドロキシプロピオフ
ェノン(16.4g)を得た。 IR(neat):1690(C=O)cm-1 1H−NMR(CDCl3)δ:1.41(3H,d
d,J=7Hz,J=1.4Hz),3.78(1H,
d,J=6Hz),4.98−5.15(1H,m),
7.12−7.36(2H,m),7.54−7.68
(1H,m),7.90−8.00(1H,m) 本品を光学異性体分離カラム〔キラルパック AD
0.46cmφ×25cmダイセル化学工業(株)製〕
を用いる高速液体クロマトグラフィー(移動相;ヘキサ
ン:イソプロピルアルコール=95:5)で分析したと
ころ2位の鏡像異性体過剰率(ee)は98%であっ
た。
【0019】実施例2 反応機にテトラヒドロフラン(30ml,和光特級,安
定剤含有)を入れ、アルゴンガスで置換し、−60℃に
冷却した。ブチルリチウム(1.65M n−ヘキサン
溶液 6.4ml,10.6mmol)を−70±10
℃を保ち、かき混ぜながら滴下した。滴下後、2,4−
ジフルオロブロモベンゼン(2.04g,10.4mm
ol)を−70±10℃を保ち、かき混ぜながら滴下し
た。滴下後、5〜10分で2−フルオロフェニルリチウ
ムが析出した。懸濁液を−69℃〜−72℃にて1時間
攪拌した。4−〔(2R)−2−(3,4,5,6−テ
トラヒドロ−2H−ピラン−2−イルオキシ)プロピオ
ニル〕モルホリン(2.14g,8.8mmol)のテ
トラヒドロフランの溶液(20ml)を滴下した。反応
液を1時間攪拌した(−72℃〜−50℃)。飽和塩化
アンモニウム水溶液(40ml)を滴下した(−74〜
−5℃)。酢酸エチル(60ml,15ml)で抽出し
た。有機層を、飽和食塩水(40ml)で洗浄し、硫酸
マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残留
物(2.76g)をシリカゲルクロマトグラフィー(溶
出液:ヘキサン−酢酸エチル=20:1)に付して精製
すると(2R)−2’,4’−ジフルオロ−2−(3,
4,5,6−テトラヒドロ−2H−ピラン−2−イルオ
キシ)プロピオフェノン(2.18g,収率91.6
%)を得た。
【0020】元素分析 C141632として 計算値:C,62.22;H,5.97 実測値:C,62.04;H,6.18 IR(neat):1695(C=O)cm-1 1H−NMR(CDCl3)δ:1.40−1.96
(9H,m),3.26−3.58(1H,m),3.
65−3.98(1H,m),4.65,4.76(1
H,t each,J=3.5Hz),4.80−4.
95,5.02−5.18(1H,m each),
6.80−7.05(2H,m),7.84−8.00
(1H,m) 本品を光学異性体分離カラム〔キラセルOJ−R0.4
6cmφ×15cmダイセル化学工業 製〕を用いる高
速液体クロマトグラフィー(移動相;メタノール:水=
3:2)で分析したところ2位の鏡像異性体過剰率(e
e)は98%であった。
【0021】比較例1 反応機にテトラヒドロフラン(3.0リットル)とマグ
ネシウム(78.3g,3.24mol)を入れ、窒素
置換した。攪拌下に2,4−ジフルオロブロモベンゼン
(624.9g,3.24mol)を滴下すると還流が
開始した。滴下終了後に室温で1.5時間攪拌した。反
応液を−20℃に冷却し、4−〔(2R)−2−(3,
4,5,6−テトラヒドロ−2H−ピラン−2−イルオ
キシ)プロピオニル〕モルホリン(654.0g,2.
69mol)のテトラヒドロフランの溶液(610m
l)を滴下した。室温で3時間攪拌後、飽和塩化アンモ
ニウム水溶液(1.54リットル),水(1.54リッ
トル)を滴下し、酢酸エチル(6.17リットル,3.
1リットル)で抽出した。有機層を水(1.54×
2),飽和塩化アンモニウム水溶液(1.54リット
ル)で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に
て溶媒を留去し、残留物(781g)をシリカゲルクロ
マトグラフィー(溶出液:ヘキサンー酢酸エチル=2
0:1)にて精製し、(2R)−2',4'−ジフルオロ
−2−(3,4,5,6−テトラヒドロ−2H−ピラン
−2−イルオキシ)プロピオフェノン(603g、収率
82.9%)を得た。
【0022】参考例2 (2R)−2’,4’−ジフルオロ−2−(3,4,
5,6−テトラヒドロ−2H−ピラン−2−イルオキ
シ)プロピオフェノン(250mg,0.9mmol)
をEtOH(10ml)に溶解し、p−トルエンスルホ
ン酸ピリジニウム(63mg,0.25mmol)を加
えて60℃にて30分攪拌した。反応液を濃縮し、残留
物をシリカゲルクロマトグラフィー(溶出液:ヘキサン
ー酢酸エチル=20:1)に付すと,(2R)−2’,
4’−ジフルオロ−2−ヒドロキシプロピオフェノン
(155mg,収率90.1%)が得られた。 IR(neat):1690(C=O)cm-1 1H−NMR(CDCl3)δ:1.41(3H,d
d,J=7Hz,J=1.6Hz),3.74(1H,
d,J=7Hz),4.90−5.10(1H,m),
6.86−7.08(2H,m),7.96−8.08
(1H,m) 本品を光学異性体分離カラム〔キラルパックAD0.4
6cmφX25cmダイセル化学工業(株)製〕を用い
る高速液体クロマトグラフィー(移動相;ヘキサン:イ
ソプロパノール=95:5)で分析したところ2位の鏡
像異性体過剰率(ee)は98%であった。
【0023】
【発明の効果】本発明の製造法によると、副生成物の生
成が抑えられ、また高純度、高収率で目的物を製造する
ことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07D 309/12 C07D 309/12 // A61K 31/40 A61K 31/40 31/445 31/445 31/495 31/495 31/535 ADZ 31/535 ADZ

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 【化1】 (式中、R1 は置換されていてもよい炭化水素残基を示
    し、R2 およびR3 は同一または異なって低級アルキル
    基または低級アルコキシ基を示すか、またはR2とR3
    が結合して隣接する窒素原子とともに環を形成していて
    もよい。)で表される化合物と一般式 【化2】 (式中、環Aは置換基を有していてもよいベンゼン環を
    示す。)で表される化合物とを反応させることを特徴と
    する一般式 【化3】 (式中の記号は前記と同意義を示す。)で表される化合
    物の製造法。
  2. 【請求項2】 【化4】
  3. 【請求項3】 【化5】
  4. 【請求項4】R4が置換ベンジル, 低級アルキルシリル
    またはエーテル型保護基で保護された水酸基である請求
    項2記載の製造法。
  5. 【請求項5】一般式(I)で示される化合物が4−〔2
    −(3,4,5,6−テトラヒドロ−2H−ピラン−2
    −イルオキシ)プロピオニル〕モルホリンである請求項
    1記載の製造法。
  6. 【請求項6】一般式(II)および(III)で表され
    る化合物の環Aが低級アルキル基,低級アルコキシ基,
    ニトロ,スルホン,アシル基,モノ−またはジ−低級ア
    ルキル置換アミノ基またはハロゲン原子で置換されてい
    てもよいベンゼン環である請求項1記載の製造法。
  7. 【請求項7】一般式(II)で表される化合物が一般式 【化6】 (式中、R5は水素原子またはフッ素原子を示す。)で
    表される化合物である請求項1記載の製造法。
  8. 【請求項8】R5が水素原子である請求項7記載の製造
    法。
  9. 【請求項9】反応温度が−100℃〜25℃である請求
    項1記載の製造法。
  10. 【請求項10】反応溶媒としてエーテル系溶媒、炭化水
    素系溶媒あるいはエーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混
    合溶媒を用いる請求項1記載の製造法。
  11. 【請求項11】反応溶媒としてテトラヒドロフランとヘ
    キサンの混合溶媒を用いる請求項10に記載の製造法。
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