JPH1079652A - Hysteresis comparator - Google Patents

Hysteresis comparator

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JPH1079652A
JPH1079652A JP8233186A JP23318696A JPH1079652A JP H1079652 A JPH1079652 A JP H1079652A JP 8233186 A JP8233186 A JP 8233186A JP 23318696 A JP23318696 A JP 23318696A JP H1079652 A JPH1079652 A JP H1079652A
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transistor
reference voltage
voltage
resistor
inverted
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Hikari Watanabe
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the genereation of abnormal output oscillation by preparing plural reference voltage levels, switching reference voltage to be used for comparison and generating hysteresis before an input signal reaches the reference voltage due to its rise or drop and a compared result is inverted. SOLUTION: In the OFF state of all transistors(TRs) Q9 , Q12 , Q15 , 1st reference voltage VREF0 obtained by dividing power supply voltage VCC by resistors R1 , R2 , is applied to a TR Q2 . When the TR Q15 is turend on, a resistor R10 is connected in parallel with the resistor R2 and the reference voltage VREF0 is dropped to 2nd reference voltage VREF1 (VREF1 <VREF0 ) and hysteresis is generated. Thereby voltage V1 is quickly dropped, the TR Qq , is turned on and an output signal VOUT is inverted from a low level to a high level. Finally the TR Q12 is turned on, resistors R10 , R3 are connected in parallel with the resistor R2 and the reference voltage VREF1 is dropped to 3rd reference voltage VREF2 (VREF2 < VREF1 ).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はヒステリシスコンパ
レータに関し、ヒステリシス特性を有するコンパレータ
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a hysteresis comparator, and more particularly, to a comparator having hysteresis characteristics.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来よりチャタリング防止するためヒス
テリシス特性を持つコンパレータが用いられている。例
えば特開平5−291899号には、出力端子と非反転
入力端子との間の帰還素子としてコンデンサを用い、こ
のコンデンサと非反転入力端に接続した抵抗とにより出
力端子側から見たとき微分回路を構成して、ヒステリシ
スによるパルス幅の延長分をなくしている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a comparator having a hysteresis characteristic has been used to prevent chattering. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-291899 discloses that a differential circuit is used when a capacitor is used as a feedback element between an output terminal and a non-inverting input terminal. To eliminate the extension of the pulse width due to hysteresis.

【0003】ヒステリシス特性がない場合には入力信号
にノイズが含まれていると出力信号がノイズによって不
必要に振動し、所謂チャタリングが発生する。また、入
力信号にノイズが含まれてなくても、入力信号の電圧変
化が緩やかな場合には、コンパレータ出力のローレベル
/ハイレベルが切換わることでコンパレータの電源電圧
や基準電圧が変動し、コンパレータ出力が再反転する等
の異常出力振動が発生する。
If there is no hysteresis characteristic, if the input signal contains noise, the output signal vibrates unnecessarily due to the noise, so-called chattering occurs. Also, even if the input signal does not contain noise, if the voltage change of the input signal is gentle, the power supply voltage and the reference voltage of the comparator fluctuate by switching the low level / high level of the comparator output, An abnormal output vibration such as a reversal of the comparator output occurs.

【0004】図15は従来のヒステリシスコンパレータ
の一例の回路図を示す。同図中、端子10から供給され
る入力信号VIN+はトランジスタQ1 のベースに印加
される。トランジスタQ2 のベースには基準電圧VREF
として電圧VIN−が印加されトランジスタQ3 ,Q4
で差動増幅される。ここで、例えば入力信号VIN+が
ローレベルからハイレベルに変化すると、トランジスタ
7 のコレクタはハイレベルからローレベルに変化す
る。これにより、まずトランジスタQ11がオフし、トラ
ンジスタQ12がオンするので、それまで電源電圧VCC
抵抗R1 ,R2 で分圧して基準電圧VREF を得て電圧V
IN−としていたのに対し、抵抗R2 と並列に抵抗R3
が接続されるために基準電圧VREF は図16に示す如く
低下する。上記のトランジスタQ11がオフした後、トラ
ンジスタQ8 がオフし、トランジスタQ9 がオンし、ト
ランジスタQ10がオフして端子10より出力される信号
VOUTは図16に示す如くハイレベルとなる。
FIG. 15 is a circuit diagram showing an example of a conventional hysteresis comparator. In the figure, an input signal is supplied from the terminal 10 VIN + is applied to the base of the transistor Q 1. The reference voltage V REF to the base of the transistor Q 2 is
As a result, the voltage VIN− is applied to the transistors Q 3 and Q 4
Is differentially amplified. Here, for example, the input signal VIN + is changes from the low level to the high level, the collector of the transistor Q 7 is changed from the high level to the low level. Thus, first transistor Q 11 is turned off, the transistor Q 12 is turned on, the previous power supply voltage V CC resistors R 1, voltage at R 2 divide obtain a reference voltage V REF V
While was a IN-, the resistor R 2 in parallel with the resistor R 3
Is connected, the reference voltage V REF decreases as shown in FIG. After the transistor Q 11 is turned off, the transistor Q 8 is turned off, the transistor Q 9 is turned on, the signal VOUT which transistor Q 10 is outputted from the terminal 10 is turned off is at the high level as shown in FIG. 16.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】図15の回路で入力信
号VIN+がハイレベルからローレベルに変化すると、
トランジスタQ7 のコレクタはローレベルからハイレベ
ルに変化する。このとき、まずトランジスタQ8 がオン
してトランジスタQ9 がオフし、トランジスタQ 10がオ
ンして出力信号VOUTがローレベルとなる。この後、
トランジスタQ11がオンし、トランジスタQ12がオフし
て基準電圧VREF が上昇する。
The circuit shown in FIG.
When the signal VIN + changes from high level to low level,
Transistor Q7Collectors are low to high
Changes to At this time, first, the transistor Q8Is on
And transistor Q9Turns off and the transistor Q TenBut
And the output signal VOUT becomes low level. After this,
Transistor Q11Turns on and the transistor Q12Turns off
Reference voltage VREFRises.

【0006】この場合、出力信号VOUTのレベルが反
転した後、基準電圧VREF が変化してヒステリシスがか
かる。このようにヒステリシスがかかるより前に出力信
号のレベル反転が生じるため異常出力振動が発生するお
それがあるという問題があった。
In this case, after the level of the output signal VOUT is inverted, the reference voltage V REF changes and hysteresis is applied. As described above, the level of the output signal is inverted before the hysteresis is applied, so that there is a problem that abnormal output vibration may occur.

【0007】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
入力信号の異なるレベルでヒステリシスを発生させ、ヒ
ステリシスを段階的にかけることにより、比較結果が反
転するよりも前にヒステリシスをかけて異常出力振動を
防止するヒステリシスコンパレータを提供することを目
的とする。
[0007] The present invention has been made in view of the above points,
An object of the present invention is to provide a hysteresis comparator that generates hysteresis at different levels of an input signal and applies hysteresis stepwise to apply hysteresis before the comparison result is inverted to prevent abnormal output oscillation.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、入力信号を基準電圧と比較して、その比較結果を出
力する比較手段と、上記入力信号が上昇して第1の基準
電圧となったとき上記比較結果が反転する前に上記比較
手段に供給する基準電圧を上記第1の基準電圧より低い
第2の基準電圧に切換え、上記比較結果が反転した後で
上記基準電圧を上記第2の基準電圧より低い第3の基準
電圧に切換え、かつ上記入力信号が低下して上記第3の
基準電圧となったとき上記比較結果が反転する前に上記
基準電圧を上記第2の電圧に切換え、上記比較結果が反
転した後で上記基準電圧を第1の基準電圧に切換える基
準電圧切換手段とを有する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a comparing means for comparing an input signal with a reference voltage and outputting the comparison result, and a first reference voltage when the input signal rises. Before the comparison result is inverted, the reference voltage supplied to the comparison means is switched to a second reference voltage lower than the first reference voltage, and after the comparison result is inverted, the reference voltage is changed to the second reference voltage. Switching to a third reference voltage lower than the second reference voltage, and, when the input signal decreases to the third reference voltage, before the comparison result is inverted, the reference voltage is changed to the second voltage. And a reference voltage switching means for switching the reference voltage to a first reference voltage after the comparison result is inverted.

【0009】このように入力信号が上昇するときは比較
結果が反転する前に比較に用いる基準電圧を第1の基準
電圧から第2の基準電圧に切換え、入力信号が低下する
ときは比較結果が反転する前に比較に用いる基準電圧を
第3の基準電圧から第2の基準電圧に切換えることによ
り、入力信号が基準電圧となって比較結果が反転するよ
りも前にヒステリシスをかけることができ、これによっ
て異常出力振動の発生を防止できる。
As described above, when the input signal rises, the reference voltage used for comparison is switched from the first reference voltage to the second reference voltage before the comparison result is inverted. By switching the reference voltage used for comparison from the third reference voltage to the second reference voltage before inversion, hysteresis can be applied before the input signal becomes the reference voltage and the comparison result is inverted, This can prevent occurrence of abnormal output vibration.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】図1は本発明回路の一実施例の回
路図を示す。同図中、図15と同一部分には同一符号を
付す。図1において、端子10から供給される入力信号
VIN+はPNP形トランジスタQ1 のベースに印加さ
れ、トランジスタQ1 で電圧シフトされてPNP形トラ
ンジスタQ3 のベースに印加される。また、PNP形ト
ランジスタQ2 のベースには基準電圧VREF として電圧
VIN−が印加され、トランジスタQ2 で電圧シフトさ
れてPNP形トランジスタQ4 のベースに印加される。
トランジスタQ3 ,Q4 は比較手段としての差動回路を
構成し、カレントミラー構成のNPN形トランジスタQ
5 ,Q6 は上記差動回路のトランジスタQ3 ,Q 4 の能
動負荷を形成している。トランジスタQ3 ,Q4 のエミ
ッタは共通接続されて定電流源12に接続されている。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the circuit of the present invention.
A road map is shown. In the figure, the same parts as those in FIG.
Attach. In FIG. 1, an input signal supplied from a terminal 10
VIN + is a PNP transistor Q1Applied to the base of
And the transistor Q1The voltage is shifted by PNP
Transistor QThreeApplied to the base. Also, PNP type
Transistor QTwoReference voltage VREFAs voltage
VIN- is applied and the transistor QTwoWith voltage shifted
PNP transistor QFourApplied to the base.
Transistor QThree, QFourIs a differential circuit as a means of comparison.
And an NPN transistor Q having a current mirror configuration.
Five, Q6Is the transistor Q of the above differential circuit.Three, Q FourNoh
Forming a dynamic load. Transistor QThree, QFourEmi of
Are connected in common and connected to a constant current source 12.

【0011】トランジスタQ4 のコレクタはNPN形ト
ランジスタQ7 のベースに接続されている。トランジス
タQ7 はエミッタを接地され、コレクタは定電流源14
に接続されると共に抵抗R4 ,R5 ,R11夫々の一端に
接続されている。抵抗R4 ,R5 ,R11夫々の他端はN
PN形トランジスタQ8 ,Q11,Q14夫々のベースに接
続されている。トランジスタQ8 はエミッタを接地さ
れ、コレクタを定電流源16及びNPN形トランジスタ
9 のベースに接続されている。トランジスタQ 11はエ
ミッタを接地され、コレクタを定電流源18及びトラン
ジスタQ12のベースに接続されている。トランジスタQ
14はエミッタを接地され、コレクタを定電流源20及び
NPN形トランジスタQ15のベースに接続されている。
The transistor QFourCollector is NPN type
Transistor Q7Connected to the base. Transis
TA Q7Is a grounded emitter and a collector is a constant current source 14.
And a resistor RFour, RFive, R11At one end of each
It is connected. Resistance RFour, RFive, R11The other end of each is N
PN type transistor Q8, Q11, Q14Connect to each base
Has been continued. Transistor Q8Grounded emitter
The collector is a constant current source 16 and an NPN transistor
Q9Connected to the base. Transistor Q 11Is d
The emitter is grounded and the collector is connected to the constant current source 18 and transformer.
Jista Q12Connected to the base. Transistor Q
14Has an emitter grounded and a collector connected to the constant current source 20 and
NPN transistor QFifteenConnected to the base.

【0012】NPN形トランジスタQ9 はエミッタを接
地され、コレクタは定電流源22及び出力用のNPN形
トランジスタQ10のベースに接続されている。トランジ
スタQ10はエミッタを接地され、コレクタは抵抗R6
介して電源VCCに接続されると共に出力端子24と接続
されている。電源VCCとアースとの間には直列接続され
た抵抗R1 ,R2 が接続され、抵抗R1 ,R2 の接続点
がトランジスタQ2 のベースに接続されている。また、
NPN形トランジスタQ12はエミッタを接地され、コレ
クタは抵抗R3 を介して抵抗R1 ,R2 の接続点に接続
されており、NPN形トランジスタQ15はエミッタを接
地され、コレクタは抵抗R10を介して抵抗R1 ,R2
接続点に接続されている。
[0012] NPN type transistor Q 9 is grounded emitter and a collector connected to the base of an NPN transistor Q 10 of the constant-current source 22 and the output. Transistor Q 10 is grounded emitter and a collector connected to the output terminal 24 is connected to the power supply V CC through a resistor R 6. Between the power supply V CC and the ground are connected resistance R 1, R 2 connected in series, the connection point of the resistors R 1, R 2 are connected to the base of the transistor Q 2. Also,
NPN type transistor Q 12 is grounded emitter, collector is connected through a resistor R 3 to the connection point of the resistors R 1, R 2, an NPN transistor Q 15 is grounded emitter, collector resistors R 10 Is connected to the connection point of the resistors R 1 and R 2 .

【0013】上記の抵抗R4 ,R5 ,R11は略同一の抵
抗値で、定電流源16,18,20夫々の流す電流値I
0 ,I1 ,I2 はI1 <I0 <I2 の関係とされ、トラ
ンジスタQ8 ,Q11,Q14は略同一特性とされている。
このため、トランジスタQ7のコレクタの電圧V1 を0
Vから上げて行くと、トランジスタQ8 ,Q11,Q14
略同一タイミングでオンするが、I1 <I0 <I2 であ
るためトランジスタQ 11が最初に飽和してトランジスタ
12のベース電位が下がりトランジスタQ12がオフす
る。次にトランジスタQ8 が飽和してトランジスタQ9
のベース電位が下がりトランジスタQ9 がオフする。こ
の後、トランジスタQ14が飽和してトランジスタQ15
ベース電位が下がりトランジスタQ15がオフする。この
状態から電圧V1 を下げて行くと、上記とは逆にトラン
ジスタQ15がオンし、次にトランジスタQ9 がオンし、
最後にトランジスタQ12がオンする。上記の動作を行う
ように回路が設定されている。
The above resistor RFour, RFive, R11Are almost identical
The resistance value, the current value I flowing through each of the constant current sources 16, 18, 20
0, I1, ITwoIs I1<I0<ITwoRelationship and the tiger
Transistor Q8, Q11, Q14Have substantially the same characteristics.
Therefore, the transistor Q7Collector voltage V1To 0
When increasing from V, the transistor Q8, Q11, Q14Is
It turns on at substantially the same timing,1<I0<ITwoIn
Transistor Q 11First saturated transistor
Q12Base potential of transistor Q12Turns off
You. Next, the transistor Q8Saturates and the transistor Q9
Base potential of transistor Q9Turns off. This
After the transistor Q14Saturates and the transistor QFifteenof
Base potential drops, transistor QFifteenTurns off. this
Voltage V from state1Down, the reverse of the above
Jista QFifteenTurns on, and then the transistor Q9Turns on,
Finally, the transistor Q12Turns on. Perform the above operation
The circuit is set as follows.

【0014】図1の回路全体の動作について説明する
に、入力信号VIN+がローレベルからハイレベルに変
化するとトランジスタQ7 がオンして、そのコレクタの
電圧V 1 は略0Vとなる。これによりトランジスタ
8 ,Q11,Q14は略同一タイミングでオフするが、I
1 <I0 <I2 であるため、前述の如く最初にトランジ
スタQ15がオンし、次にトランジスタQ9 がオンし、最
後にトランジスタQ12がオンする。
The operation of the entire circuit of FIG. 1 will be described.
Changes the input signal VIN + from low level to high level.
Transistor Q7Is turned on for that collector
Voltage V 1Becomes approximately 0V. This allows the transistor
Q8, Q11, Q14Are turned off at substantially the same timing,
1<I0<ITwoTherefore, first, as described above,
Star QFifteenTurns on, and then the transistor Q9Turns on and
Later the transistor Q12Turns on.

【0015】上記のトランジスタQ9 ,Q12,Q15が全
てオフの状態では電源電圧VCCを抵抗R1 ,R2 で分圧
した第1の基準電圧VREF0が電圧VIN−としてトラン
ジスタQ2 のベースに印加されているが、最初のトラン
ジスタQ15のオンにより抵抗R2 と並列に抵抗R10が接
続され図2に示すように基準電圧は第2の基準電圧V
REF1(VREF1<VREF0)に低下してヒステリシスがかか
る。これによって電圧V 1 は急速に低下し、次のトラン
ジスタQ9 がオンすることにより図2に示すようにトラ
ンジスタQ9 のコレクタ電圧V2 はハイレベルからロー
レベルに反転し、出力端子24の出力信号VOUTはロ
ーレベルからハイレベルに反転する。このときは既にヒ
ステリシスがかかっているので異常出力振動が生じるこ
とはない。最後にトランジスタQ12がオンすることによ
り抵抗R2 と並列に抵抗R10及びR 3 が接続され図2に
示すように基準電圧は第3の基準電圧VREF2(VREF2
RE F1)に低下する。
The above transistor Q9, Q12, QFifteenIs all
Power supply voltage V in the off stateCCIs the resistance R1, RTwoWith partial pressure
First reference voltage VREF0Is the voltage VIN-
Jista QTwoApplied to the base of the
Jista QFifteenTurns on the resistor RTwoAnd the resistor R in parallelTenContact
As shown in FIG. 2, the reference voltage is the second reference voltage V
REF1(VREF1<VREF0) To reduce hysteresis
You. As a result, the voltage V 1Drops rapidly and the next
Jista Q9As shown in FIG.
Transistor Q9Collector voltage VTwoIs high to low
And the output signal VOUT of the output terminal 24 is low.
-Level to high level. At this time,
Abnormal output vibration may occur due to the
And not. Finally, the transistor Q12Is turned on
Resistance RTwoAnd the resistor R in parallelTenAnd R ThreeIs connected to
As shown, the reference voltage is the third reference voltage VREF2(VREF2<
VRE F1).

【0016】次に、入力信号VIN+がハイレベルから
ローレベルに変化するとトランジスタQ7 がオフして、
電圧V1 は略0Vから上昇する。これによりトランジス
タQ 8 ,Q11,Q14は略同一タイミングでオンするが、
1 <I0 <I2 であるため、前述の如く最初にトラン
ジスタQ12がオフし、次にトランジスタQ9 がオフし、
最後にトランジスタQ15がオフする。
Next, when the input signal VIN + changes from the high level.
When it changes to low level, transistor Q7Is off,
Voltage V1Rises from approximately 0V. This allows Transis
TA Q 8, Q11, Q14Turns on at almost the same timing,
I1<I0<ITwoTherefore, first, as described above,
Jista Q12Turns off, and then the transistor Q9Turns off,
Finally, the transistor QFifteenTurns off.

【0017】上記のトランジスタQ9 ,Q12,Q15が全
てオンの状態では基準電圧VREF2が電圧VIN−として
トランジスタQ2 のベースに印加されているが、最初の
トランジスタQ12のオンにより抵抗R3 の接続が遮断さ
れ抵抗R2 と並列に抵抗R10のみが接続され図2に示す
ように基準電圧は第3の基準電圧VREF2から第2の基準
電圧VREF1(VREF2<VREF1)に上昇してヒステリシス
がかかる。これによって電圧V1 は急速に上昇し、次の
トランジスタQ9 がオフすることにより図2に示すよう
にトランジスタQ9 のコレクタ電圧V2 はローレベルか
らハイレベルに反転し、出力端子24の出力信号VOU
Tはハイレベルからローレベルに反転する。このときは
既にヒステリシスがかかっているので異常出力振動が生
じることはない。最後にトランジスタQ15がオフするこ
とにより抵抗R2 から抵抗R10の接続が遮断され図2に
示すように基準電圧は第1の基準電圧VREF0(VREF1
REF0)に上昇する。
The above transistor Q9, Q12, QFifteenIs all
The reference voltage VREF2Is the voltage VIN-
Transistor QTwoIs applied to the base of the
Transistor Q12Turns on the resistor RThreeConnection is cut off
Resistor RTwoAnd the resistor R in parallelTenOnly connected and shown in Figure 2
Thus, the reference voltage is the third reference voltage VREF2From the second standard
Voltage VREF1(VREF2<VREF1) Rise to hysteresis
It takes. As a result, the voltage V1Rises rapidly and the next
Transistor Q9Is turned off, as shown in FIG.
Transistor Q9Collector voltage VTwoIs low level
From the output terminal 24 to the high level.
T is inverted from high level to low level. At this time
Abnormal output vibration occurs because hysteresis has already been applied.
I won't be afraid. Finally, the transistor QFifteenCan be turned off
And the resistance RTwoFrom resistance RTenConnection is cut off and
As shown, the reference voltage is the first reference voltage VREF0(VREF1<
V REF0) To rise.

【0018】上記の抵抗R1 〜R11と、トランジスタQ
8 ,Q9 ,Q11〜Q15と定電流源16〜20で基準電圧
切換手段が構成されている。これによって、入力信号V
IN+がローレベルからハイレベルに立上るときは図3
に示す如く入力信号VIN+が基準電圧VREF0を越えた
とき出力信号VOUTが反転してハイレベルとなり、ハ
イレベルからローレベルに立下るときは入力信号VIN
+が基準電圧VREF2未満となったときに出力信号VOU
Tが反転してローレベルとなってヒステリシス特性が得
られる。また、入力信号VIN+が立上るときも立下る
ときも、まず基準電圧が切換ってヒステリシスがかかっ
た後で出力信号が反転するため、入力信号VIN+が立
上るときも立下るときも常に異常出力振動を防止でき
る。
The resistors R 1 to R 11 and the transistor Q
8 , Q 9 , Q 11 to Q 15 and constant current sources 16 to 20 constitute a reference voltage switching means. Thereby, the input signal V
When IN + rises from low level to high level, FIG.
When the input signal VIN + exceeds the reference voltage VREF0 , the output signal VOUT is inverted to a high level, and when the input signal VIN + falls from a high level to a low level as shown in FIG.
+ Is less than the reference voltage V REF2 and the output signal VOU
T is inverted to a low level to obtain a hysteresis characteristic. In addition, when the input signal VIN + rises or falls, the output signal is inverted after the reference voltage is switched and the hysteresis is applied. Therefore, an abnormal output is always generated when the input signal VIN + rises or falls. Vibration can be prevented.

【0019】ところで、基準電圧VREF の切換えは図1
のように抵抗R2 と並列に抵抗R3,R10夫々を接続又
は遮断する構成に限らず、例えば図4,図5に示す構成
としても良い。図4では電源VCCとアースとの間に直列
接続された抵抗R12,R13,R14,R15を接続する。ト
ランジスタQ12のコレクタを抵抗R13,R14の接続点に
接続し、そのエミッタを接地し、トランジスタQ15のコ
レクタを抵抗R14,R 15の接続点に接続し、そのエミッ
タを接地しており、抵抗R12,R13の接続点から取り出
した基準電圧VREF をトランジスタQ2 のベースに印加
する。この場合、トランジスタQ12,Q15が共にオフの
状態からトランジスタQ15をオンすることによって基準
電圧VREF は低下し、更にトランジスタQ12をオンする
ことによって基準電圧VREF はより低下する。
By the way, the reference voltage VREFFig. 1
Resistance RTwoAnd the resistor R in parallelThree, RTenConnect each one
Is not limited to the configuration for shutting off, for example, the configuration shown in FIGS.
It is good. In FIG. 4, the power supply VCCIn series between
Connected resistor R12, R13, R14, RFifteenConnect. G
Transistor Q12The collector of the resistor R13, R14At the connection point
Connected, the emitter grounded, and the transistor QFifteenNo
The resistor R14, R FifteenTo the connection point of the
And the resistor R12, R13From the connection point of
Reference voltage VREFWith transistor QTwoApplied to the base of
I do. In this case, the transistor Q12, QFifteenAre both off
Transistor Q from stateFifteenBy turning on the reference
Voltage VREFDecreases, and the transistor Q12Turn on
The reference voltage VREFIs lower.

【0020】図5では電源VCCとアースとの間に直列接
続された抵抗R16,R17,R18を接続する。トランジス
タQ12のコレクタを抵抗R19を介して抵抗R16,R17
接続点に接続し、そのエミッタを接地し、トランジスタ
15のコレクタを抵抗R17,R18の接続点に接続し、そ
のエミッタを接地しており、抵抗R16,R17の接続点か
ら取り出した基準電圧VREF をトランジスタQ2 のベー
スに印加する。この場合、トランジスタQ12,Q15が共
にオフの状態からトランジスタQ15をオンすることによ
って基準電圧VREF は低下し、更にトランジスタQ12
びQ15をオンすることによって基準電圧VREF はより低
下する。
In FIG. 5, resistors R 16 , R 17 and R 18 connected in series are connected between the power supply V CC and the ground. The collector of the transistor Q 12 via the resistor R 19 is connected to the connection point of the resistors R 16, R 17, and ground the emitter is connected to the collector of the transistor Q 15 to the connection point of the resistors R 17, R 18, its emitter is grounded, applying a reference voltage V REF taken out from the connection point of the resistors R 16, R 17 to the base of the transistor Q 2. In this case, decrease the reference voltage V REF by transistors Q 12, Q 15 turns on the transistor Q 15 from both off state, the reference voltage V REF by further turning on the transistors Q 12 and Q 15 is reduced more I do.

【0021】また、出力信号の取り出しはトランジスタ
8 〜Q10及び定電流源16,22を用いる代わりに、
図6に示すようなインバータ26及びノア回路28,3
0でRSフリップフロップ32を構成して端子34から
出力信号VOUTを取り出しても良い。図6において
は、トランジスタQ7 のコレクタの電圧V1 がハイレベ
ルからローレベルに変化するとき、トランジスタQ15
びQ12がオンして基準電圧が図2に示すVREF2となった
時点でノア回路30の入力がハイレベルとなりRSフリ
ップフロップ32がセットされて端子34からハイレベ
ルの信号VOUTが出力される。これとは逆に電圧V1
がローレベルからハイレベルに変化するとき、トランジ
スタQ12及びQ15がオフして基準電圧が図2に示すV
REF0となった時点でインバータ26の入力がローレベ
ル、つまりノア回路28の入力がハイレベルとなりRS
フリップフロップ32がリセットされて端子34からロ
ーレベルの信号VOUTが出力される。
In addition, instead of using the transistors Q 8 to Q 10 and the constant current sources 16 and 22, the output signal is taken out,
An inverter 26 and NOR circuits 28 and 3 as shown in FIG.
The output signal VOUT may be extracted from the terminal 34 by configuring the RS flip-flop 32 with 0. In Figure 6, Noah when the voltage V 1 of the collector of the transistor Q 7 is when changing from the high level to the low level, the transistors Q 15 and Q 12 is the reference voltage and ON becomes V REF2 shown in FIG. 2 The input of the circuit 30 becomes high level, the RS flip-flop 32 is set, and a high-level signal VOUT is output from the terminal 34. Conversely, the voltage V 1
There when changing from a low level to a high level, V reference voltage transistors Q 12 and Q 15 is turned off and is shown in FIG. 2
When REF0 is reached, the input of the inverter 26 goes low, that is, the input of the NOR circuit 28 goes high, and RS
The flip-flop 32 is reset, and a low-level signal VOUT is output from the terminal 34.

【0022】次に図1の回路の変形例について説明す
る。図1の回路で回路全体のゲインが高い場合には、基
準電圧VREF0,VREF1,VREF2夫々の間の差が1mV以
下となってしまう場合があり、充分に早くヒステリシス
がかからないことがある。このような場合には図7,図
8,図9夫々に示すように回路構成を変形して対処す
る。
Next, a modified example of the circuit of FIG. 1 will be described. When the gain of the entire circuit is high in the circuit of FIG. 1, the difference between each of the reference voltages V REF0 , V REF1 , and V REF2 may be 1 mV or less, and the hysteresis may not be sufficiently fast. . In such a case, the circuit configuration is modified as shown in FIGS. 7, 8, and 9, respectively.

【0023】図7に示す回路では、図1におけるトラン
ジスタQ7 及び定電流源14を除去して回路のゲインを
下げている。この場合、トランジスタQ7 による信号の
反転が無いため、トランジスタQ6 のコレクタに対して
信号が反転しているトランジスタQ7 のコレクタを抵抗
4 ,R5 ,R11夫々の一端に接続している。
In the circuit shown in FIG. 7, the transistor Q 7 and the constant current source 14 in FIG. 1 are eliminated to lower the gain of the circuit. In this case, since the inverted signal by the transistor Q 7 is not, by connecting the collector of the transistor Q 7 to signal to the collector of the transistor Q 6 is inverted to the resistor R 4, R 5, R 11 each on one end I have.

【0024】図8に示す回路ではトランジスタQ5 ,Q
6 をカレントミラー構成にするのではなく、トランジス
タQ6 ,Q7 でカレントミラー回路を構成する。これに
よってトランジスタQ7 のコレクタ電流をトランジスタ
6 のコレクタ電流と同一とし、図1のようにトランジ
スタQ7 による増幅を行わないでゲインを下げている。
In the circuit shown in FIG. 8, transistors Q 5 and Q
6 instead of the current mirror arrangement and a current mirror circuit with transistors Q 6, Q 7. This is the same as the collector current of the transistor Q 6 the collector current of the transistor Q 7, are lowered gain without performing amplification by transistor Q 7 as shown in FIG.

【0025】図9に示す回路では図8に示す回路と同様
にトランジスタQ6 ,Q7 でカレントミラー回路を構成
し、更にトランジスタQ7 とエミッタ及びコレクタ夫々
を共通接続したNPN形トランジスタQ16を設け、トラ
ンジスタQ16のベース・コレクタ間に抵抗R16を接続し
てトランジスタQ7 のコレクタ電流を図8の回路に比べ
て低下させ、更にゲインを下げている。
[0025] In the circuit shown in FIG. 9 constitute a current mirror circuit with transistors Q 6, Q 7 similarly to the circuit shown in FIG. 8, the NPN type transistor Q 16 is further connected in common people transistor Q 7 and the emitter and collector respectively provided, by connecting a resistor R 16 between the base and the collector of the transistor Q 16 is lower than the collector current of the transistor Q 7 to the circuit of FIG. 8, which further lowers the gain.

【0026】なお、図8,図9におけるダイオード接続
されたトランジスタQ5 はトランジスタQ6 とのバラン
スをとるために存在しているので、このトランジスタQ
5 は削除しても良い。上記の図7,図8,図9のような
回路構成とすることにより、基準電圧VREF0とVREF1
の差、及び基準電圧VREF1とVREF2との差夫々を数mV
から数十mV以上にすることができ、充分に早くヒステ
リシスがかかるようにすることができる。
[0026] Incidentally, FIG. 8, the transistor Q 5 which is diode connected in FIG. 9 is present to balance the transistor Q 6, this transistor Q
5 may be deleted. With the circuit configuration shown in FIGS. 7, 8, and 9, the difference between the reference voltages V REF0 and V REF1 and the difference between the reference voltages V REF1 and V REF2 are each several mV.
To several tens mV or more, and hysteresis can be applied sufficiently quickly.

【0027】図10は本発明回路の他の実施例の回路図
を示す。同図中、図1と同一部分には同一符号を付す。
図10において、端子10から供給される入力信号VI
N+はPNP形トランジスタQ1 のベースに印加され、
トランジスタQ1 で電圧シフトされてPNP形トランジ
スタQ3 のベースに印加される。また、PNP形トラン
ジスタQ2 のベースには基準電圧VREF として電圧VI
N−が印加され、トランジスタQ2 で電圧シフトされて
PNP形トランジスタQ4 のベースに印加される。トラ
ンジスタQ3 ,Q4 は比較手段としての差動回路を構成
し、カレントミラー構成のNPN形トランジスタQ5
6 は上記差動回路のトランジスタQ3,Q4 の能動負
荷を形成している。トランジスタQ3 ,Q4 のエミッタ
は共通接続されて定電流源12に接続されている。トラ
ンジスタQ5 のコレクタ・エミッタ間には抵抗R30が接
続され、上記差動回路の対称性つまりバランスを向上さ
せている。これは後述の抵抗R31,R32等の追加により
バランスが悪化してオフセットが発生するのを防止する
ためであるが、バランスの悪化の心配がなければ不要で
あり、更にバランスをとるためダイオードや抵抗を組み
合わせて追加しても良い。
FIG. 10 is a circuit diagram showing another embodiment of the circuit of the present invention. In the figure, the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
In FIG. 10, an input signal VI supplied from a terminal 10 is shown.
N + is applied to the base of a PNP transistor Q 1,
Is the voltage shift in the transistor Q 1 is applied to the base of a PNP transistor Q 3. The voltage VI as a reference voltage V REF to the base of a PNP transistor Q 2
N- is applied, it is applied to the voltage shift in the transistor Q 2 to the base of a PNP transistor Q 4. The transistors Q 3 and Q 4 constitute a differential circuit as comparison means, and the NPN transistors Q 5 ,
Q 6 forms an active load of transistors Q 3, Q 4 of the differential circuit. The emitters of the transistors Q 3 and Q 4 are commonly connected and connected to a constant current source 12. Between the collector and the emitter of the transistor Q 5 resistor R 30 is connected, thereby improving the symmetry of clogging balance of the differential circuit. This is to prevent the occurrence of an offset due to the deterioration of the balance due to the addition of resistors R 31 and R 32 , which will be described later. However, this is unnecessary if there is no concern about the deterioration of the balance. Or a combination of resistors may be added.

【0028】トランジスタQ4 のコレクタには抵抗
4 ,R5 ,R11夫々の一端が接続されている。抵抗R
4 ,R5 ,R11夫々の他端はNPN形トランジスタ
8 ,Q11,Q14夫々のベースに接続されている。トラ
ンジスタQ8 はエミッタを接地され、コレクタを定電流
源16及びNPN形トランジスタQ10のベースに接続さ
れており、ベース・エミッタ間には抵抗R31が接続され
ている。トランジスタQ11はエミッタを接地され、コレ
クタを抵抗R33の一端に接続されている。トランジスタ
14はエミッタを接地され、コレクタを抵抗R34の一端
に接続されており、ベース・エミッタ間には抵抗R32
接続されている。
One end of each of the resistors R 4 , R 5 and R 11 is connected to the collector of the transistor Q 4 . Resistance R
4, R 5, R 11 and the other end of each is connected to the base of an NPN transistor Q 8, Q 11, Q 14 respectively. Transistor Q 8 is grounded emitter is connected to the collector to the base of the constant current source 16 and NPN type transistor Q 10, the base-emitter resistor R 31 is connected. Transistor Q 11 is grounded emitter, is connected to the collector to one end of a resistor R 33. Transistor Q 14 is grounded emitter is connected to the collector to one end of the resistor R 34, the base-emitter resistor R 32 is connected.

【0029】トランジスタQ10はエミッタを接地され、
コレクタは抵抗R6 を介して電源V CCに接続されると共
に出力端子36と接続されている。電源VCCとアースと
の間には直列接続された抵抗R1 ,R2 が接続され、抵
抗R1 ,R2 の接続点がトランジスタQ2 のベースに接
続されている。また、抵抗R33,R34夫々の他端が抵抗
1 ,R2 の接続点に接続されている。
Transistor QTenIs grounded emitter,
Collector is resistor R6Power through V CCWhen connected to
Is connected to the output terminal 36. Power supply VCCAnd earth
Are connected in series with a resistor R1, RTwoIs connected and
Anti-R1, RTwoConnection point of transistor QTwoContact the base of
Has been continued. The resistance R33, R34The other end of each is a resistor
R1, RTwoConnected to the connection point.

【0030】ここで、トランジスタQ8 のオン特性につ
いて考える。トランジスタQ6 のコレクタの電圧をV10
とすると、この電圧V10は抵抗R4 ,R31で分圧されて
トランジスタQ8 のベースに印加され、次式を満足する
ときトランジスタQ8 がオンして、出力端子24はロー
レベルとなる。
[0030] In this case, I think about the on-state characteristics of the transistor Q 8. The collector voltage of the transistor Q 6 V 10
When this voltage V 10 is the resistance R 4, is divided by the R 31 minutes is applied to the base of the transistor Q 8, the transistor Q 8 is turned on when satisfying the following equation, the output terminal 24 becomes a low level .

【0031】[0031]

【数1】 (Equation 1)

【0032】但し、I10はオン時のトランジスタQ8
コレクタ電流、Is はトランジスタQ 8 の逆方向飽和電
流、VT は熱電圧kT/qであり、ベース電流は充分に
小さいとする。従って、
Where ITenIs the transistor Q when it is on8of
Collector current, IsIs the transistor Q 8Reverse saturation current
Flow, VTIs the thermal voltage kT / q and the base current is
Let it be small. Therefore,

【0033】[0033]

【数2】 (Equation 2)

【0034】上記のVTH10がトランジスタQ8 の閾値電
圧である。トランジスタQ14についても電圧V10が抵抗
11,R32で分圧されてベースに印加され、トランジス
タQ11についてもベース・エミッタ間が開放(無限大抵
抗)されて電圧V10が抵抗R5と無限大抵抗を介してベ
ースに印加されているため、トランジスタQ8 と同様に
考えることができる。
[0034] The above-mentioned V TH10 is a threshold voltage of the transistor Q 8. Voltage V 10 is the resistance R 11 also transistor Q 14, and is divided by the R 32 minutes is applied to the base, even the base-emitter is open for the transistor Q 11 (infinite resistance) is the voltage V 10 and the resistor R 5 because it is applied to the base through the infinite resistance, it is similar to that of the transistor Q 8.

【0035】このため、トランジスタQ8 ,Q11,Q14
夫々が同一特性であり、Is ,VTが同一としたとき、
4 =R5 =R11,R32>R31,I11≦I10≦I12の関
係となるように設定することにより、VTH11<VTH10
TH12の関係を得ることができる。なお、I11,I12
トランジスタQ11,Q14夫々のオン時のコレクタ電流、
TH11,VTH12はトランジスタQ11,Q14夫々の閾値電
圧である。
For this reason, the transistors Q 8 , Q 11 , Q 14
Each are the same characteristics, when I s, V T is the same,
By setting R 4 = R 5 = R 11 , R 32 > R 31 and I 11 ≦ I 10 ≦ I 12 , V TH11 <V TH10 <
The relationship of V TH12 can be obtained. It should be noted that I 11 and I 12 are the collector currents when the transistors Q 11 and Q 14 are on,
V TH11, V TH12 is a transistor Q 11, Q 14 each threshold voltage of the.

【0036】図10の動作について説明するため、その
主要部を図11(A)に示す。但し、図11(A)では
トランジスタQ19のベース・エミッタ間に抵抗R35を接
続しており、この抵抗R35の抵抗値を無限大とすると図
10と同一である。入力信号VIN+がハイレベルから
ローレベルに変化すると、トランジスタQ6 のコレクタ
の電圧V10はハイレベルからローレベルに変化する。ト
ランジスタQ11,Q8,Q14はVTH11<VTH10<VTH12
の関係にあるため、まず、トランジスタQ11がオフし、
抵抗R33が抵抗R2 及びR34との並列接続を遮断される
ために、図11(B)に示すように基準電圧は第3の基
準電圧VREF2から第2の基準電圧VREF1に上昇してヒス
テリシスがかかる。次にトランジスタQ8 がオフしてト
ランジスタQ8 のコレクタの電圧V20は図11(B)に
示すようにローレベルからハイレベルに変化する。更に
トランジスタQ14がオフし、抵抗R34が抵抗R2 との並
列接続を遮断されるために、基準電圧は第2の基準電圧
REF1から第1の基準電圧VREF0に上昇する。
To explain the operation of FIG. 10, the main part is shown in FIG. However, it connects the resistor R 35 between the base and emitter shown in FIG. 11 (A) in the transistor Q 19, the same as FIG. 10 when the resistance value of the resistor R 35 and infinity. When the input signal VIN + is changed from high level to low level, the collector voltage V 10 of the transistor Q 6 is changed from the high level to the low level. Transistor Q 11, Q 8, Q 14 is V TH11 <V TH10 <V TH12
Because of the relationship, first, transistor Q 11 is turned off,
For resistor R 33 is shut off parallel connection of the resistor R 2 and R 34, the reference voltage as shown in FIG. 11 (B) rises from a third reference voltage V REF2 to the second reference voltage V REF1 Hysteresis occurs. Then the voltage V 20 of the collector of the transistor Q 8 transistor Q 8 is turned off is changed to the high level from the low level as shown in FIG. 11 (B). Moreover transistor Q 14 is turned off, to the resistor R 34 is shut off parallel connection of the resistor R 2, the reference voltage rises from the second reference voltage V REF1 to the first reference voltage V REF0.

【0037】次に入力信号VIN+がローレベルからハ
イレベルに変化すると、トランジスタQ6 のコレクタの
電圧V10はローレベルからハイレベルに変化する。トラ
ンジスタQ11,Q8 ,Q14はVTH11<VTH10<VTH12
関係にあるため、まず、トランジスタQ14がオンし、抵
抗R34が抵抗R2 と並列接続されるために、図11
(B)に示すように基準電圧は第1の基準電圧VREF0
ら第2の基準電圧VREF1に低下してヒステリシスがかか
る。次にトランジスタQ8 がオンして電圧V20は図11
(B)に示すようにハイレベルからローレベルに変化す
る。更にトランジスタQ11がオンし、抵抗R33が抵抗R
2 及びR34と並列接続されるために、基準電圧は第2の
基準電圧VREF1から第3の基準電圧VREF2に低下する。
[0037] Then the input signal VIN + is changes from the low level to the high level, the collector voltage V 10 of the transistor Q 6 is changed from low level to high level. Since transistors Q 11, Q 8, Q 14 are in a relation of V TH11 <V TH10 <V TH12 , first, the transistor Q 14 is turned on, resistor R 34 is connected in parallel with the resistor R 2, FIG. 11
As shown in (B), the reference voltage decreases from the first reference voltage V REF0 to the second reference voltage V REF1 , and hysteresis is applied. Then the voltage V 20 transistor Q 8 is turned on Figure 11
The level changes from the high level to the low level as shown in FIG. Furthermore the transistor Q 11 is turned on, resistor R 33 is the resistance R
2 and R 34 , the reference voltage drops from the second reference voltage V REF1 to the third reference voltage V REF2 .

【0038】これによって、入力信号VIN+がローレ
ベルからハイレベルに立上るときは電圧V10が閾値電圧
TH11を越えたとき電圧V20が反転してローレベルとな
り、入力信号VIN+がハイレベルからローレベルに立
下るときは電圧V10が閾値電圧VTH12未満となったとき
に電圧V20が反転してハイレベルとなってヒステリシス
特性が得られる。また、入力信号VIN+が立上るとき
も立下るときも、まず基準電圧が切換ってヒステリシス
がかかった後で出力信号が反転するため、入力信号VI
N+が立上るときも立下るときも常に異常出力振動を防
止できる。
[0038] Thus, the input signal VIN + goes low voltage V 20 is inverted when the voltage V 10 exceeds the threshold voltage V TH11 when standing rise from a low level to a high level, the input signal VIN + is high hysteresis characteristics can be obtained at a high level and the inverted voltage V 20 when the voltage V 10 becomes smaller than the threshold voltage V TH12 when the low-level falls. Also, when the input signal VIN + rises or falls, the output signal is inverted after the reference voltage is first switched and hysteresis is applied, so that the input signal VI
Abnormal output vibration can be always prevented when N + rises or falls.

【0039】なお、図11(A)において、抵抗R35
削除しても良いことは前述の通りであるが、プルダウン
抵抗R31,R32,R35夫々は定電流源に置き換えても良
い。図12は図10の回路の変形例を示す。図12にお
いては、トランジスタQ1,Q2 を削除して差動回路の
入力をPNP形トランジスタQ3 ,Q4 夫々1段として
いる。これはもちろん、図12と同様に2段のPNP形
トランジスタQ1 〜Q4 で構成しても良く、更に例えば
NPNトランジスタを用いた他の形式としても良い。ま
た、トランジスタQ5 のコレクタをNPN形トランジス
タQ17のベースに接続し、トランジスタQ17のエミッタ
を接地し、コレクタを定電流源37に接続することによ
り、トランジスタQ5 のコレクタ出力をトランジスタQ
17で反転増幅している。このトランジスタQ17のコレク
タ電圧が電圧V10として抵抗R 4 ,R5 ,R11に印加さ
れる。
In FIG. 11A, the resistance R35To
As mentioned above, you can delete it.
Resistance R31, R32, R35Each can be replaced with a constant current source
No. FIG. 12 shows a modification of the circuit of FIG. FIG.
The transistor Q1, QTwoRemove the differential circuit
Input is PNP transistor QThree, QFourEach as one stage
I have. This is, of course, a two-stage PNP type as in FIG.
Transistor Q1~ QFourMay be configured, and for example,
Other types using NPN transistors may be used. Ma
The transistor QFiveNPN Transistor
TA Q17And the transistor Q17Emitter of
And the collector is connected to the constant current source 37.
Transistor QFiveThe collector output of transistor Q
17Is inverted and amplified. This transistor Q17Collection of
Voltage VTenAs resistance R Four, RFive, R11Applied to
It is.

【0040】図13,図14は本発明回路のMOSトラ
ンジスタを用いた実施例の回路図を示す。図13におい
て、端子40から供給される入力信号VIN+はPチャ
ネルMOSトランジスタQ21のゲートに印加される。ま
た、PチャネルMOSトランジスタQ22のゲートには基
準電圧VREF として電圧VIN−が印加される。トラン
ジスタQ21,Q22は差動回路を構成し、カレントミラー
構成のNチャネルMOSトランジスタQ23,Q24は上記
差動回路のトランジスタQ21,Q22の電流源である。ト
ランジスタQ21,Q22のソースは共通接続されて定電流
源42に接続されている。トランジスタQ22のドレイン
はNチャネルMOSトランジスタQ25のゲートに接続さ
れている。トランジスタQ25はドレインを定電流源44
及びインバータ46,48,50夫々の入力端子に接続
され、ソースを接地されている。
FIGS. 13 and 14 are circuit diagrams of an embodiment using MOS transistors of the circuit of the present invention. 13, an input signal is supplied from the terminal 40 VIN + is applied to the gate of the P-channel MOS transistor Q 21. The voltage VIN- is applied as the reference voltage V REF to the gate of the P-channel MOS transistor Q 22. The transistors Q 21 and Q 22 constitute a differential circuit, and the N-channel MOS transistors Q 23 and Q 24 having a current mirror configuration are current sources for the transistors Q 21 and Q 22 of the differential circuit. The sources of the transistors Q 21 and Q 22 are commonly connected and connected to the constant current source 42. The drain of the transistor Q 22 is connected to the gate of N-channel MOS transistor Q 25. The transistor Q 25 has a drain connected to the constant current source 44.
And the input terminals of the inverters 46, 48 and 50, and the source is grounded.

【0041】インバータ46,48,50夫々の閾値V
TH0,VTH1,VTH2はVTH1<VTH0<V
TH2の関係に設定されている。インバータ46の出力
端子は端子52に接続され、インバータ48の出力端子
はNチャネルMOSトランジスタQ26のゲートに接続さ
れ、インバータ50の出力端子はPチャネルMOSトラ
ンジスタQ27のゲートに接続されている。トランジスタ
26のソースは接地され、ドレインはトランジスタQ27
のドレイン及び抵抗R22の一端に接続されている。トラ
ンジスタQ27のソースは電源VCCに接続されている。電
源VCCとアースとの間には直列接続された抵抗R20,R
21が接続され、R20,R21の接続点は抵抗R22の他端に
接続されると共にトランジスタQ22のゲートに接続され
ている。
The threshold value V of each of the inverters 46, 48 and 50
TH0, VTH1, and VTH2 are VTH1 <VTH0 <V
TH2 is set. An output terminal of the inverter 46 is connected to the terminal 52, the output terminal of the inverter 48 is connected to the gate of N-channel MOS transistor Q 26, the output terminal of the inverter 50 is connected to the gate of the P-channel MOS transistor Q 27. The source of the transistor Q 26 is grounded, and the drain transistor Q 27
It is connected to the drain and one end of resistor R 22. The source of the transistor Q 27 is connected to the power supply V CC. Resistor R 20 connected in series between the power supply V CC and ground, R
21 is connected, and the connection point of R 20 and R 21 is connected to the other end of the resistor R 22 and to the gate of the transistor Q 22 .

【0042】ここで入力信号VIN+がローレベルから
ハイレベルに変化してトランジスタQ25のドレインの電
圧V1 がハイレベルからローレベルに低下すると、まず
インバータ50の出力がローレベルからハイレベルに反
転する。これによりトランジスタQ27がオンからオフと
なり、抵抗R20と並列に接続されていた抵抗R23が遮断
され基準電圧VREF は低下してヒステリシスがかかる。
次にインバータ46の出力VOUTがローレベルからハ
イレベルに反転する。このときは既にヒステリシスがか
かっているので異常出力振動が生じることはない。最後
にインバータ48の出力がローレベルからハイレベルに
反転してトランジスタQ26がオフからオンして基準電圧
REF は更に低下する。
[0042] Here, if the input signal VIN + voltage V 1 of the drain of the transistor Q 25 changes from the low level to the high level drops from the high level to the low level, first the output of the inverter 50 is inverted from the low level to the high level I do. Thus the transistor Q 27 is turned off from on, the reference voltage V REF resistor R 23 which is connected to the resistor R 20 in parallel is blocked hysteresis according to decreases.
Next, the output VOUT of the inverter 46 is inverted from the low level to the high level. At this time, since the hysteresis has already been applied, abnormal output vibration does not occur. Finally reference voltage V REF transistor Q 26 output of the inverter 48 is inverted from the low level to the high level is turned on from off is further reduced.

【0043】次に入力信号VIN+がハイレベルからロ
ーレベルに変化してトランジスタQ 25のドレインの電圧
1 がローレベルからハイレベルに上昇すると、まずイ
ンバータ48の出力がハイレベルからローレベルに反転
する。これによりトランジスタQ26がオンからオフとな
り、基準電圧VREF は上昇してヒステリシスがかかる。
次にインバータ46の出力VOUTがハイレベルからロ
ーレベルに反転する。このときは既にヒステリシスがか
かっているので異常出力振動が生じることはない。最後
にインバータ50の出力がハイレベルからローレベルに
反転してトランジスタQ27がオフからオンして基準電圧
REF は更に上昇する。
Next, the input signal VIN + changes from high level to low level.
-Level changes to transistor Q twenty fiveDrain voltage
V1Rises from low level to high level,
The output of the inverter 48 is inverted from high level to low level
I do. Thereby, the transistor Q26From on to off
The reference voltage VREFRises with hysteresis.
Next, the output VOUT of the inverter 46 changes from high level to low level.
-Level. At this time, the hysteresis has already
Therefore, no abnormal output vibration occurs. last
The output of the inverter 50 changes from high level to low level
Invert transistor Q27The reference voltage
VREFRises further.

【0044】図14において、端子40から供給される
入力信号VIN+はPチャネルMOSトランジスタQ21
のゲートに印加される。また、PチャネルMOSトラン
ジスタQ22のゲートには基準電圧VREF として電圧VI
N−が印加される。トランジスタQ21,Q22は差動回路
を構成し、カレントミラー構成のNチャネルMOSトラ
ンジスタQ23,Q24は上記差動回路のトランジスタ
21,Q22の能動負荷を形成している。トランジスタQ
21,Q22のソースは共通接続されて定電流源42に接続
されている。トランジスタQ22のドレインはPチャネル
MOSトランジスタQ25のゲートに接続されている。ト
ランジスタQ25はドレインを定電流源44及びインバー
タ54の入力端子に接続され、ソースを接地されてい
る。
In FIG. 14, an input signal VIN + supplied from a terminal 40 is a P-channel MOS transistor Q 21.
Is applied to the gates. The voltage VI as a reference voltage V REF to the gate of the P-channel MOS transistor Q 22
N- is applied. Transistors Q 21, Q 22 constitute a differential circuit, N-channel MOS transistors Q 23, Q 24 of the current mirror arrangement forms an active load of transistors Q 21, Q 22 of the differential circuit. Transistor Q
The sources of 21 and Q 22 are commonly connected and connected to a constant current source 42. The drain of the transistor Q 22 is connected to the gate of the P-channel MOS transistor Q 25. Transistor Q 25 is connected to drain to an input terminal of the constant current source 44 and the inverter 54 is grounded source.

【0045】インバータ54の出力端子はNチャネルM
OSトランジスタQ26のゲート及びPチャネルMOSト
ランジスタQ27のゲートに接続されている。トランジス
タQ 26のソースは接地され、ドレインは直列接続された
抵抗R24,R23を介してトランジスタQ27のドレインに
接続されている。トランジスタQ27のソースは電源V CC
に接続されている。電源VCCとアースとの間には直列接
続された抵抗R20,R 21が接続され、R20,R21の接続
点は抵抗R23,R24の接続点に接続されると共にトラン
ジスタQ22のゲートに接続されている。更にインバータ
54の出力端子はインバータ56,58を介して出力端
子60に接続されている。
The output terminal of the inverter 54 is an N-channel M
OS transistor Q26Gate and P-channel MOS transistor
Transistor Q27Connected to the gate. Transis
TA Q 26Source is grounded and drain is connected in series
Resistance Rtwenty four, Rtwenty threeThrough the transistor Q27On the drain of
It is connected. Transistor Q27Source is power supply V CC
It is connected to the. Power supply VCCIs connected in series between
Continued resistance R20, R twenty oneAre connected, and R20, Rtwenty oneConnection
The point is the resistance Rtwenty three, Rtwenty fourConnected to
Jista Qtwenty twoConnected to the gate. Further inverter
An output terminal 54 is an output terminal via inverters 56 and 58.
Child 60.

【0046】ところで、インバータ56の閾値VTH0
はNチャネルMOSトランジスタQ 26の閾値VTHN,
PチャネルMOSトランジスタQ27の閾値VTHPに対
して次の関係に設定されている。 VTHN<VTH0<Vcc−VTHP なお、インバータ56をCMOS回路で構成すると通常
上記の関係となる。
Incidentally, the threshold value VTH0 of the inverter 56
Is an N-channel MOS transistor Q 26Threshold VTHN,
P channel MOS transistor Q27Of the threshold VTHP
Then the following relationship is set. VTHN <VTH0 <Vcc-VTHP Normally, when the inverter 56 is formed of a CMOS circuit,
The above relationship is obtained.

【0047】ここで入力信号VIN+がローレベルから
ハイレベルに変化してトランジスタQ25のドレインの電
圧V1 がハイレベルからローレベルに上昇すると、まず
インバータ54の出力がローレベルからハイレベルに反
転する。これによりトランジスタQ26がオフからオンと
なり、抵抗R24が抵抗R21と並列に接続され基準電圧V
REF は低下してヒステリシスがかかる。次にインバータ
56の出力がハイレベルからローレベルに反転してイン
バータ58の出力VOUTがローレベルからハイレベル
に反転する。このときは既にヒステリシスがかかってい
るので異常出力振動が生じることはない。最後にトラン
ジスタQ27がオンからオフして基準電圧VREF は更に低
下する。
[0047] Now the input signal VIN + voltage V 1 of the drain of the transistor Q 25 changes from the low level to the high level rises from the high level to the low level, first the output of the inverter 54 is inverted from the low level to the high level I do. Thus the transistor Q 26 is turned on from off, the resistor R 24 is connected in parallel with the resistor R 21 reference voltage V
REF decreases and hysteresis is applied. Next, the output of the inverter 56 is inverted from the high level to the low level, and the output VOUT of the inverter 58 is inverted from the low level to the high level. At this time, since the hysteresis has already been applied, abnormal output vibration does not occur. Finally, the transistor Q 27 is turned off from on, and the reference voltage V REF is further reduced.

【0048】次に入力信号VIN+がハイレベルからロ
ーレベルに変化してトランジスタQ 25のソースの電圧V
1 がローレベルからハイレベルに上昇すると、まずイン
バータ54の出力がハイレベルからローレベルに反転す
る。これによりトランジスタQ27がオフからオンとな
り、基準電圧VREF は上昇してヒステリシスがかかる。
次にインバータ56の出力がローレベルからハイレベル
に反転してインバータ58の出力VOUTがハイレベル
からローレベルに反転する。このときは既にヒステリシ
スがかかっているので異常出力振動が生じることはな
い。最後にトランジスタQ26がオンからオフして基準電
圧VREF は更に上昇する。
Next, the input signal VIN + changes from high level to low level.
-Level changes to transistor Q twenty fiveSource voltage V
1Rises from low level to high level,
The output of the inverter 54 is inverted from high level to low level.
You. Thereby, the transistor Q27From off to on
The reference voltage VREFRises with hysteresis.
Next, the output of the inverter 56 is changed from the low level to the high level.
And the output VOUT of the inverter 58 is at a high level.
From low to low level. At this time the hysteresis has already
Abnormal output vibration does not occur.
No. Finally, the transistor Q26From off to on
Pressure VREFRises further.

【0049】[0049]

【発明の効果】上述の如く、請求項1に記載の発明は、
入力信号を基準電圧と比較して、その比較結果を出力す
る比較手段と、上記入力信号が上昇して第1の基準電圧
となったとき上記比較結果が反転する前に上記比較手段
に供給する基準電圧を上記第1の基準電圧より低い第2
の基準電圧に切換え、上記比較結果が反転した後で上記
基準電圧を上記第2の基準電圧より低い第3の基準電圧
に切換え、かつ上記入力信号が低下して上記第3の基準
電圧となったとき上記比較結果が反転する前に上記基準
電圧を上記第2の電圧に切換え、上記比較結果が反転し
た後で上記基準電圧を第1の基準電圧に切換える基準電
圧切換手段とを有する。
As described above, the first aspect of the present invention provides
Comparing means for comparing the input signal with a reference voltage and outputting the comparison result; and supplying the comparison result to the comparison means before the comparison result is inverted when the input signal rises to the first reference voltage. A second reference voltage lower than the first reference voltage;
After the comparison result is inverted, the reference voltage is switched to a third reference voltage lower than the second reference voltage, and the input signal is reduced to become the third reference voltage. And a reference voltage switching means for switching the reference voltage to the second voltage before the comparison result is inverted, and for switching the reference voltage to the first reference voltage after the comparison result is inverted.

【0050】このように入力信号が上昇するときは比較
結果が反転する前に比較に用いる基準電圧を第1の基準
電圧から第2の基準電圧に切換え、入力信号が低下する
ときは比較結果が反転する前に比較に用いる基準電圧を
第3の基準電圧から第2の基準電圧に切換えることによ
り、入力信号が基準電圧となって比較結果が反転するよ
りも前にヒステリシスをかけることができ、これによっ
て異常出力振動の発生を防止できる。
As described above, when the input signal increases, the reference voltage used for comparison is switched from the first reference voltage to the second reference voltage before the comparison result is inverted, and when the input signal decreases, the comparison result changes. By switching the reference voltage used for comparison from the third reference voltage to the second reference voltage before inversion, hysteresis can be applied before the input signal becomes the reference voltage and the comparison result is inverted, This can prevent occurrence of abnormal output vibration.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of the present invention.

【図2】本発明の特性図である。FIG. 2 is a characteristic diagram of the present invention.

【図3】本発明の特性図である。FIG. 3 is a characteristic diagram of the present invention.

【図4】図1の回路の一部変形例の回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of a partially modified example of the circuit of FIG. 1;

【図5】図1の回路の一部変形例の回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram of a partially modified example of the circuit of FIG. 1;

【図6】図1の回路の一部変形例の回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of a partially modified example of the circuit of FIG. 1;

【図7】本発明の回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram of the present invention.

【図8】本発明の回路図である。FIG. 8 is a circuit diagram of the present invention.

【図9】本発明の回路図である。FIG. 9 is a circuit diagram of the present invention.

【図10】本発明の回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram of the present invention.

【図11】本発明の要部の回路図及び特性図である。FIG. 11 is a circuit diagram and a characteristic diagram of a main part of the present invention.

【図12】本発明の回路図である。FIG. 12 is a circuit diagram of the present invention.

【図13】本発明の回路図である。FIG. 13 is a circuit diagram of the present invention.

【図14】本発明の回路図である。FIG. 14 is a circuit diagram of the present invention.

【図15】従来回路の回路図である。FIG. 15 is a circuit diagram of a conventional circuit.

【図16】図15の回路の特性図である。FIG. 16 is a characteristic diagram of the circuit of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 〜Q16 トランジスタ Q21〜Q27 MOSトランジスタ R1 〜R24 抵抗 12〜22,42,44 定電流源 46,48,50,54 インバータQ 1 to Q 16 transistors Q 21 to Q 27 MOS transistors R 1 to R 24 Resistances 12 to 22, 42, 44 Constant current sources 46, 48, 50, 54 Inverters

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力信号を基準電圧と比較して、その比
較結果を出力する比較手段と、 上記入力信号が上昇して第1の基準電圧となったとき上
記比較結果が反転する前に上記比較手段に供給する基準
電圧を上記第1の基準電圧より低い第2の基準電圧に切
換え、上記比較結果が反転した後で上記基準電圧を上記
第2の基準電圧より低い第3の基準電圧に切換え、かつ
上記入力信号が低下して上記第3の基準電圧となったと
き上記比較結果が反転する前に上記基準電圧を上記第2
の電圧に切換え、上記比較結果が反転した後で上記基準
電圧を第1の基準電圧に切換える基準電圧切換手段とを
有することを特徴とするヒステリシスコンパレータ。
1. A comparing means for comparing an input signal with a reference voltage and outputting the comparison result, wherein the input signal rises to a first reference voltage before the comparison result is inverted before the comparison result is inverted. The reference voltage supplied to the comparing means is switched to a second reference voltage lower than the first reference voltage, and after the comparison result is inverted, the reference voltage is changed to a third reference voltage lower than the second reference voltage. Switching, and when the input signal decreases to the third reference voltage, the reference voltage is changed to the second reference voltage before the comparison result is inverted.
And a reference voltage switching means for switching the reference voltage to a first reference voltage after the comparison result is inverted.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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