JPH1079231A - イオン源ガス供給装置 - Google Patents
イオン源ガス供給装置Info
- Publication number
- JPH1079231A JPH1079231A JP25086896A JP25086896A JPH1079231A JP H1079231 A JPH1079231 A JP H1079231A JP 25086896 A JP25086896 A JP 25086896A JP 25086896 A JP25086896 A JP 25086896A JP H1079231 A JPH1079231 A JP H1079231A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- ion source
- valve
- opening
- source gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/006—Details of gas supplies, e.g. in an ion source, to a beam line, to a specimen or to a workpiece
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 イオン源ガスの供給、停止を行う弁のガスリ
ークを少なくすること。 【解決手段】 イオン源２はＳＦ6ガスを充填した絶縁
容器４内の高電位部に位置し、イオン源ガスボンベ５か
らイオン源ガスが供給される。金属パイプで配管された
イオン源ガスの供給ラインは絶縁容器内に収容されてお
り、圧縮気体で開閉制御されてイオン源へのイオン源ガ
スの供給、停止を行う弁１０を備える。同弁としては、
圧縮空気により開閉制御するように形成、製作されてい
る弁を用い、この弁をＳＦ6ガスの圧力に応じて開閉制
御する。イオン源ガスの供給、停止を行う弁として従来
用いていた電磁弁に比べてガスリークが極めて少ない。
弁１０の開閉制御用のＳＦ6ガスはガスボンベ１１から
電磁弁１３を介して与える。開閉制御に伴いＳＦ6ガス
が絶縁容器内に排気されても、ガス絶縁状態に影響を与
えない。
ークを少なくすること。 【解決手段】 イオン源２はＳＦ6ガスを充填した絶縁
容器４内の高電位部に位置し、イオン源ガスボンベ５か
らイオン源ガスが供給される。金属パイプで配管された
イオン源ガスの供給ラインは絶縁容器内に収容されてお
り、圧縮気体で開閉制御されてイオン源へのイオン源ガ
スの供給、停止を行う弁１０を備える。同弁としては、
圧縮空気により開閉制御するように形成、製作されてい
る弁を用い、この弁をＳＦ6ガスの圧力に応じて開閉制
御する。イオン源ガスの供給、停止を行う弁として従来
用いていた電磁弁に比べてガスリークが極めて少ない。
弁１０の開閉制御用のＳＦ6ガスはガスボンベ１１から
電磁弁１３を介して与える。開閉制御に伴いＳＦ6ガス
が絶縁容器内に排気されても、ガス絶縁状態に影響を与
えない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオンビーム発生
装置におけるイオン源に対し、イオン源ガスの供給、停
止を行う弁のガス・リークを少なくしたイオン源ガス供
給装置に関する。
装置におけるイオン源に対し、イオン源ガスの供給、停
止を行う弁のガス・リークを少なくしたイオン源ガス供
給装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のイオンビーム発生装置にお
けるイオン源ガス供給装置の一例を示す構成図である。
イオンビーム発生装置１は、例えばシングルステージ
（シングルエンド）加速器方式の場合、イオン源２と、
イオン源から引出されたイオンビームを加速する加速器
３からなり、イオン源のプラズマチャンバ及びビーム引
出し電極系、加速器の各加速電極にはそれぞれ高電圧電
源から所要の電位が与えられており、イオン源及び加速
器はＳＦ6ガスを充填した絶縁容器４内に収納されてい
る。
けるイオン源ガス供給装置の一例を示す構成図である。
イオンビーム発生装置１は、例えばシングルステージ
（シングルエンド）加速器方式の場合、イオン源２と、
イオン源から引出されたイオンビームを加速する加速器
３からなり、イオン源のプラズマチャンバ及びビーム引
出し電極系、加速器の各加速電極にはそれぞれ高電圧電
源から所要の電位が与えられており、イオン源及び加速
器はＳＦ6ガスを充填した絶縁容器４内に収納されてい
る。
【０００３】イオン源２にはイオン源ガスボンベ５から
イオン源ガスが供給され、同ガスの供給ラインには、圧
力調整器６、ガスの供給・停止を操作する電磁弁７、イ
オン源に所要のガス流を供給する流量調整器８、イオン
源の運転停止時等にイオン源ガスを完全に遮断するスト
ップ弁９が設けられている。流量調整器８としてはマス
フローコントローラやニードル弁が使用されており、ス
トップ弁９は省略する場合もある。イオン源ガスボンベ
５からイオン源２へのガスの供給ラインの配管は金属パ
イプを用いて行われ、ガス供給ラインはイオン源と同じ
高電位になるから、イオン源２に対するイオン源ガス供
給装置全体は絶縁容器４内に収納されるが、イオン源ガ
スボンベ５については圧力調整器６とセラミックパイプ
で結合して大地電位部に設置する場合もある。
イオン源ガスが供給され、同ガスの供給ラインには、圧
力調整器６、ガスの供給・停止を操作する電磁弁７、イ
オン源に所要のガス流を供給する流量調整器８、イオン
源の運転停止時等にイオン源ガスを完全に遮断するスト
ップ弁９が設けられている。流量調整器８としてはマス
フローコントローラやニードル弁が使用されており、ス
トップ弁９は省略する場合もある。イオン源ガスボンベ
５からイオン源２へのガスの供給ラインの配管は金属パ
イプを用いて行われ、ガス供給ラインはイオン源と同じ
高電位になるから、イオン源２に対するイオン源ガス供
給装置全体は絶縁容器４内に収納されるが、イオン源ガ
スボンベ５については圧力調整器６とセラミックパイプ
で結合して大地電位部に設置する場合もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のイ
オン源ガス供給装置にあっては、イオン源２に対するイ
オン源ガスの供給、停止を行う弁として、その開閉を電
気的に簡単に操作できる電磁弁７を用いており、高電位
部に位置する同電磁弁は、大地電位側から光ファイバを
介して伝送した信号に基づく開閉制御入力Ｖｓに応じて
開閉される。しかし、電磁弁は、一般に、弁の１次側と
２次側の間、すなわち弁の入出力間のリーク性能と、弁
の内部と外部間のリーク性能が良好でない。電磁弁の全
体のリーク量は、１０-5Torr・l/sec程度に達する。
オン源ガス供給装置にあっては、イオン源２に対するイ
オン源ガスの供給、停止を行う弁として、その開閉を電
気的に簡単に操作できる電磁弁７を用いており、高電位
部に位置する同電磁弁は、大地電位側から光ファイバを
介して伝送した信号に基づく開閉制御入力Ｖｓに応じて
開閉される。しかし、電磁弁は、一般に、弁の１次側と
２次側の間、すなわち弁の入出力間のリーク性能と、弁
の内部と外部間のリーク性能が良好でない。電磁弁の全
体のリーク量は、１０-5Torr・l/sec程度に達する。
【０００５】本発明は、イオン源へのイオン源ガスの供
給、停止を行う弁におけるリーク性能の向上、すなわち
リークを極めて少なくしたイオン源ガス供給装置の提供
を目的とするものである。
給、停止を行う弁におけるリーク性能の向上、すなわち
リークを極めて少なくしたイオン源ガス供給装置の提供
を目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のイオン源ガス供
給装置は、ＳＦ6ガス充填絶縁容器内に設けられ、圧縮
気体で開閉制御されてイオン源へのイオン源ガスの供
給、停止を行う弁を備え、この弁がＳＦ6ガスボンベか
ら供給されるＳＦ6ガスの圧力により開閉制御されるこ
とを特徴とするものである。
給装置は、ＳＦ6ガス充填絶縁容器内に設けられ、圧縮
気体で開閉制御されてイオン源へのイオン源ガスの供
給、停止を行う弁を備え、この弁がＳＦ6ガスボンベか
ら供給されるＳＦ6ガスの圧力により開閉制御されるこ
とを特徴とするものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】イオン源が高電位部に配置される
イオンビーム発生装置にあっては、イオン源はＳＦ6ガ
スを充填した絶縁容器の内部に収容される。イオン源に
対するイオン源ガスの供給ラインは、その配管に金属パ
イプを使用し、イオン源と同じ高電位となることから、
前記絶縁容器内に収容される。かかるイオン源ガスの供
給ラインに、イオン源ガスの供給、停止を行う弁を設け
る。この弁は圧縮気体で開閉制御される弁であって、圧
縮空気により開閉制御するように形成、製作されている
弁を用い、ＳＦ6ガスボンベから供給されるＳＦ6ガスの
圧力に応じて開閉制御される。イオン源ガスの供給、停
止を行う弁の開閉制御時に、開閉制御用のＳＦ6ガスが
ＳＦ6ガスを充填した絶縁容器内に排気されるが、これ
は同容器内のガス絶縁状態に何ら影響を与えない。
イオンビーム発生装置にあっては、イオン源はＳＦ6ガ
スを充填した絶縁容器の内部に収容される。イオン源に
対するイオン源ガスの供給ラインは、その配管に金属パ
イプを使用し、イオン源と同じ高電位となることから、
前記絶縁容器内に収容される。かかるイオン源ガスの供
給ラインに、イオン源ガスの供給、停止を行う弁を設け
る。この弁は圧縮気体で開閉制御される弁であって、圧
縮空気により開閉制御するように形成、製作されている
弁を用い、ＳＦ6ガスボンベから供給されるＳＦ6ガスの
圧力に応じて開閉制御される。イオン源ガスの供給、停
止を行う弁の開閉制御時に、開閉制御用のＳＦ6ガスが
ＳＦ6ガスを充填した絶縁容器内に排気されるが、これ
は同容器内のガス絶縁状態に何ら影響を与えない。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例について図１の構成図を参照
して説明する。図２と同一符号は同等部分を示す。イオ
ンビーム発生装置１は、例えばシングルステージ（シン
グルエンド）加速器方式の場合、イオン源２と、イオン
源から引出されたイオンビームを加速する加速器３から
なり、イオン源は加速器の高電位部に配置されており、
イオン源のプラズマチャンバ及びビーム引出し電極系、
加速器の各加速電極にはそれぞれ高電圧電源から所要の
電位が与え、イオン源及び加速器はＳＦ6ガスを充填し
た絶縁容器４内に収納されている。
して説明する。図２と同一符号は同等部分を示す。イオ
ンビーム発生装置１は、例えばシングルステージ（シン
グルエンド）加速器方式の場合、イオン源２と、イオン
源から引出されたイオンビームを加速する加速器３から
なり、イオン源は加速器の高電位部に配置されており、
イオン源のプラズマチャンバ及びビーム引出し電極系、
加速器の各加速電極にはそれぞれ高電圧電源から所要の
電位が与え、イオン源及び加速器はＳＦ6ガスを充填し
た絶縁容器４内に収納されている。
【０００９】イオン源２にはイオン源ガスボンベ５から
イオン源ガスを供給する。イオン源ガスの供給ラインに
は、圧力調整器６、圧縮気体で開閉制御されてイオン源
へのイオン源ガスの供給、停止を行う弁１０、イオン源
に所要のガス流を供給する流量調整器８、さらに必要に
応じてイオン源の運転停止時等にイオン源ガスを完全に
遮断するストップ弁９が設けられている。流量調整器８
としてはマスフローコントローラやニードル弁を用い
る。圧縮気体で開閉制御されてイオン源へのイオン源ガ
スの供給、停止を行う弁１０としては圧縮空気の圧力に
応動して駆動制御するように形成、製作されている弁を
用い、かかる弁のリーク量は１０-10Torr・l/sec程度の
ものがあり、電磁弁に比べて桁違いに少ない。この弁１
０をＳＦ6ガスの圧力に応じて開閉制御する。弁１０の
開閉制御用のＳＦ6ガスはＳＦ6ガスボンベ１１から圧力
調整器１２、開閉制御入力ｓに応動する電磁弁１３を介
して与える。
イオン源ガスを供給する。イオン源ガスの供給ラインに
は、圧力調整器６、圧縮気体で開閉制御されてイオン源
へのイオン源ガスの供給、停止を行う弁１０、イオン源
に所要のガス流を供給する流量調整器８、さらに必要に
応じてイオン源の運転停止時等にイオン源ガスを完全に
遮断するストップ弁９が設けられている。流量調整器８
としてはマスフローコントローラやニードル弁を用い
る。圧縮気体で開閉制御されてイオン源へのイオン源ガ
スの供給、停止を行う弁１０としては圧縮空気の圧力に
応動して駆動制御するように形成、製作されている弁を
用い、かかる弁のリーク量は１０-10Torr・l/sec程度の
ものがあり、電磁弁に比べて桁違いに少ない。この弁１
０をＳＦ6ガスの圧力に応じて開閉制御する。弁１０の
開閉制御用のＳＦ6ガスはＳＦ6ガスボンベ１１から圧力
調整器１２、開閉制御入力ｓに応動する電磁弁１３を介
して与える。
【００１０】これらイオン源ガスボンベ５、圧力調整器
６、弁１０、流量調整器８、ストップ弁９からなるイオ
ン源２に対するイオン源ガスの供給ラインは、イオン源
２と同じ高電位部にあるから、絶縁容器４内に収容され
ており、さらに、ＳＦ6ガスボンベ１１、圧力調整器１
２、開閉制御入力ｓに応動する電磁弁１３からなる弁１
０に対する開閉制御用のＳＦ6ガスラインも絶縁容器４
内に収容する。
６、弁１０、流量調整器８、ストップ弁９からなるイオ
ン源２に対するイオン源ガスの供給ラインは、イオン源
２と同じ高電位部にあるから、絶縁容器４内に収容され
ており、さらに、ＳＦ6ガスボンベ１１、圧力調整器１
２、開閉制御入力ｓに応動する電磁弁１３からなる弁１
０に対する開閉制御用のＳＦ6ガスラインも絶縁容器４
内に収容する。
【００１１】イオン源２に対するイオン源ガスの供給、
停止を行う弁１０は、電磁弁１３の開閉によるＳＦ6ガ
スの圧力に応じてイオン源へのイオン源ガスの供給、停
止を行う。電磁弁１３は大地側から光ファイバを介して
伝送された信号に基づく開閉制御入力Ｖｓに応動する。
弁１０として用いる圧縮気体、特に圧縮空気の圧力に応
動して駆動制御するように形成、製作されている弁は、
通常、ゲージ圧（大気圧を規準圧、零とする）で、４Kg
/cm2を超える空気圧が与えられたとき、例えば開き、空
気圧が０Kg/cm2以下であれば閉じ、これはＳＦ6ガスで
開閉制御する場合も同じように開閉動作し、弁の作動
圧、開閉遷移状態の圧力幅については、任意に設計する
ことができる。
停止を行う弁１０は、電磁弁１３の開閉によるＳＦ6ガ
スの圧力に応じてイオン源へのイオン源ガスの供給、停
止を行う。電磁弁１３は大地側から光ファイバを介して
伝送された信号に基づく開閉制御入力Ｖｓに応動する。
弁１０として用いる圧縮気体、特に圧縮空気の圧力に応
動して駆動制御するように形成、製作されている弁は、
通常、ゲージ圧（大気圧を規準圧、零とする）で、４Kg
/cm2を超える空気圧が与えられたとき、例えば開き、空
気圧が０Kg/cm2以下であれば閉じ、これはＳＦ6ガスで
開閉制御する場合も同じように開閉動作し、弁の作動
圧、開閉遷移状態の圧力幅については、任意に設計する
ことができる。
【００１２】イオン源２及びイオン源ガス供給装置が収
容されるＳＦ6ガス充填絶縁容器４内のＳＦ6ガスの圧力
は、絶縁設計上圧力容器とする必要がない場合は２Kg/c
m2以下である。したがって、イオン源ガスの供給、停止
を行う弁１０の開閉遷移状態の圧力幅が４Kg/cm2とし
て、６Kg/cm2のＳＦ6ガスを電磁弁１３から弁１０に与
えて同弁を開いてイオン源２にイオン源ガスを供給して
いる状態から、弁１０へのＳＦ6ガスを遮断した場合、
弁１０に供給されていた開閉制御用のＳＦ6ガスは絶縁
容器４内に排気することができ、同ガスが排気されて
も、絶縁容器内の絶縁状態には何らの影響も及ぼさな
い。電磁弁１３からＳＦ6ガスがリークしても同様に影
響は生じない。
容されるＳＦ6ガス充填絶縁容器４内のＳＦ6ガスの圧力
は、絶縁設計上圧力容器とする必要がない場合は２Kg/c
m2以下である。したがって、イオン源ガスの供給、停止
を行う弁１０の開閉遷移状態の圧力幅が４Kg/cm2とし
て、６Kg/cm2のＳＦ6ガスを電磁弁１３から弁１０に与
えて同弁を開いてイオン源２にイオン源ガスを供給して
いる状態から、弁１０へのＳＦ6ガスを遮断した場合、
弁１０に供給されていた開閉制御用のＳＦ6ガスは絶縁
容器４内に排気することができ、同ガスが排気されて
も、絶縁容器内の絶縁状態には何らの影響も及ぼさな
い。電磁弁１３からＳＦ6ガスがリークしても同様に影
響は生じない。
【００１３】絶縁容器４が絶縁設計上圧力容器とする必
要がある場合、例えばメガボルト（ＭＶ）級の場合、絶
縁容器内のＳＦ6ガスの圧力は通常５Kg/cm2程度とな
る。この場合には、弁１０としては、作動圧が５Kg/cm2
以下で閉、９Kg/cm2以上で開となるように設計されたも
のを用いればよいし、また、イオン源２を収容するＳＦ
6ガス充填絶縁容器内にＳＦ6ガス圧の低い絶縁容器を設
け、この中にイオン源ガスの供給ライン、弁１０に対す
る開閉制御用のＳＦ6ガスラインを収容すれば、開閉作
動圧が低い弁１０を使用することができる。
要がある場合、例えばメガボルト（ＭＶ）級の場合、絶
縁容器内のＳＦ6ガスの圧力は通常５Kg/cm2程度とな
る。この場合には、弁１０としては、作動圧が５Kg/cm2
以下で閉、９Kg/cm2以上で開となるように設計されたも
のを用いればよいし、また、イオン源２を収容するＳＦ
6ガス充填絶縁容器内にＳＦ6ガス圧の低い絶縁容器を設
け、この中にイオン源ガスの供給ライン、弁１０に対す
る開閉制御用のＳＦ6ガスラインを収容すれば、開閉作
動圧が低い弁１０を使用することができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように、イオン
源に対するイオン源ガスの供給、停止を行う弁として、
圧縮気体で開閉制御される弁を用い、この弁をＳＦ6ガ
スで開閉制御するようにしたので、従来用いられている
電磁弁に比べてガスラインの内部と外部間のリーク、弁
の１次と２次間のリークを極めて小さくすることができ
る。
源に対するイオン源ガスの供給、停止を行う弁として、
圧縮気体で開閉制御される弁を用い、この弁をＳＦ6ガ
スで開閉制御するようにしたので、従来用いられている
電磁弁に比べてガスラインの内部と外部間のリーク、弁
の１次と２次間のリークを極めて小さくすることができ
る。
【００１５】そして、このＳＦ6ガスで駆動制御される
弁は、ＳＦ6ガス充填絶縁容器内に設けられているか
ら、弁の開閉制御に伴いＳＦ6ガスが絶縁容器内に排
気、リークされても、容器内のガス絶縁状態に何ら問題
を生じない。
弁は、ＳＦ6ガス充填絶縁容器内に設けられているか
ら、弁の開閉制御に伴いＳＦ6ガスが絶縁容器内に排
気、リークされても、容器内のガス絶縁状態に何ら問題
を生じない。
【図１】本発明の実施例の構成図である。
【図２】従来のイオン源ガス供給装置の構成図である。
１ イオンビーム発生装置 ２ イオン源 ３ 加速器 ４ ＳＦ6ガス充填絶縁容器 ５ イオン源ガスボンベ ６ 圧力調整器 ７ 電磁弁 ８ 流量調整器 ９ ストップ弁 １０ 圧縮気体に応じて開閉制御される弁 １１ ＳＦ6ガスボンベ １２ 圧力調整器 １３ 電磁弁
Claims (1)
- 【請求項１】 ＳＦ6ガス充填絶縁容器内に設けられ、
圧縮気体で開閉制御されてイオン源へのイオン源ガスの
供給、停止を行う弁を備え、この弁をＳＦ6ガスボンベ
から供給されるＳＦ6ガスの圧力に応じて開閉制御する
ことを特徴とするイオン源ガス供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25086896A JPH1079231A (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | イオン源ガス供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25086896A JPH1079231A (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | イオン源ガス供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1079231A true JPH1079231A (ja) | 1998-03-24 |
Family
ID=17214211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25086896A Pending JPH1079231A (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | イオン源ガス供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1079231A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130214173A1 (en) * | 2010-11-01 | 2013-08-22 | Denso Corporation | Ion generating device |
-
1996
- 1996-09-03 JP JP25086896A patent/JPH1079231A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130214173A1 (en) * | 2010-11-01 | 2013-08-22 | Denso Corporation | Ion generating device |
| US8642975B2 (en) * | 2010-11-01 | 2014-02-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ion generating device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR19980070164A (ko) | 기판온도제어법과 기판온도제어성 판정법 | |
| WO2016080651A1 (ko) | 저장탱크 질소 공급 시스템 및 그 방법 | |
| JPH1079231A (ja) | イオン源ガス供給装置 | |
| JP3533916B2 (ja) | イオンビーム照射装置 | |
| JP3021789B2 (ja) | 培養装置 | |
| JPS6318305B2 (ja) | ||
| JP2825634B2 (ja) | ガス絶縁電気機器の内部異常検出装置 | |
| JP2586208B2 (ja) | ガスシリンダキャビネット | |
| JPH07165200A (ja) | 宇宙空間模擬試験装置 | |
| JP2001086611A (ja) | ガス絶縁電気装置 | |
| JPS6033600Y2 (ja) | イオン加速装置 | |
| EP2009287B1 (en) | Vacuum-exhaust device and vacuum-exhaust method | |
| JPH11294112A (ja) | 火力自家発電プラントの制御装置 | |
| JPH02172152A (ja) | イオン打込み装置 | |
| JPS60167321A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS59154025A (ja) | 半導体製造装置反応室のリ−ク方法 | |
| JPH07171374A (ja) | 排気系バルブの操作方法 | |
| JP2000227004A (ja) | タービングランド蒸気減温装置 | |
| JPH01160070A (ja) | ガスレーザ発振器のレーザガスリフレッシュ装置 | |
| KR200284641Y1 (ko) | 에칭장비의 배기구조 | |
| JPS5648046A (en) | Evacuation air system for electron microscope, etc. | |
| CN112879806A (zh) | 离子源供气管路及其安装方法 | |
| US2784799A (en) | Gas recovery system | |
| JP2001244524A (ja) | ガスレーザ発振装置 | |
| KR19980037736U (ko) | 2-상태 연료 압력 조절장치 |