JPH1069851A - Manufacture of barrier plate - Google Patents

Manufacture of barrier plate

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Publication number
JPH1069851A
JPH1069851A JP22657796A JP22657796A JPH1069851A JP H1069851 A JPH1069851 A JP H1069851A JP 22657796 A JP22657796 A JP 22657796A JP 22657796 A JP22657796 A JP 22657796A JP H1069851 A JPH1069851 A JP H1069851A
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JP
Japan
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resin composition
photosensitive resin
composition layer
film
pattern
Prior art date
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Pending
Application number
JP22657796A
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Japanese (ja)
Inventor
Katsunori Tsuchiya
勝則 土屋
Seikichi Tanno
清吉 丹野
Satoshi Otomo
聡 大友
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Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a barrier plate that is excellent in resolution and high in dimensional accuracy by forming over a substrate a barrier plate material layer containing an ethylene-unsaturated-group-containing polymer compound and a photosensitive resin composition layer, and sandblasting a hardened film pattern. SOLUTION: A photosensitive resin composition layer 3 containing an ethylene-unsaturated group containing polymeric compound represented by the formula 1 is formed using, e.g. a photosensitive film, over a barrier plate material layer 2 formed over a substrate 1, the thickness of the layer 2 ranging between, e.g. 100 and 300μm. An example of the photosensitive film is a polyethylene terephthalate film 5 to 100μm thick, which is pressed against the substrate 1 while being heated to form a pattern of a hardened film 6 after exposure and development processes. By using the pattern of the hardened film 6 as an etching mask and performing sandblasting to remove the pattern of the hardened film 6, a bulkhead 7 is obtained which is excellent in resolution and sandblasting resistance, is refined, and is high in positional and dimensional accuracies.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイの放電セルを形成する隔壁の製造法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a partition for forming a discharge cell of a plasma display.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、プラズマディスプレイの隔壁形成
にはスクリーン印刷が最も多く用いられているが、隔壁
に必要な厚みを得るためには数回から数十回もの印刷が
必要であり、そのため高い印刷位置精度が必要とされ
る。しかし、スクリーン印刷に用いるスクリーン版は使
用回数と共に伸びや歪みを生じるため重ねあわせ精度が
低下し、隔壁の形状が悪化して必要な開口面積を得られ
ず輝度低下等を引き起こすことになる。
2. Description of the Related Art Conventionally, screen printing is most often used for forming barrier ribs of a plasma display. However, in order to obtain a required thickness for the barrier ribs, printing is required several to several tens of times. Printing position accuracy is required. However, a screen plate used for screen printing generates elongation and distortion with the number of times of use, so that the overlaying accuracy is reduced, and the shape of the partition wall is deteriorated, so that a required opening area cannot be obtained, which causes a decrease in luminance and the like.

【0003】そこでスクリーン印刷法に代わる隔壁形成
技術が検討されている。例えば、格子状に孔を形成した
金属板に誘電体を電着したものを隔壁とする技術(特開
平3−152830号公報、特開平3−205738号
公報、特開平3−233832号公報、特開平4−32
132号公報、特開平4−129131号公報、特開平
5−159706号公報等)、セラミックスの薄板を波
状に加工組み合わせて隔壁とする技術(特開平1−11
5033号公報等)、治具に隔壁材を充填したのち基板
に転写して隔壁とする技術(特開平1−137534号
公報等)、基板全面に隔壁材層を形成したのち回転鋸で
溝を掘り、これを隔壁とする技術(特開平1−2203
30号公報等)、プレス金型で隔壁を形成する技術(特
開平3−59928号公報等)、フォトレジストでセル
の凸部を形成した後周辺の凹部に隔壁材を充填して隔壁
とする技術(特開昭64−21846号公報、特開平1
−236539号公報、特開平1−251534号公
報、特開平1−272027号公報、特開平3−127
429号公報、特開平4−109536号公報、特開平
5−234514号公報、特公平4−33097号公
報、特公平4−33098号公報等)及び隔壁材層上に
形成したフォトレジストをパターニングし、これをマス
クにサンドブラストでエッチングして隔壁を形成する技
術(特開平2−301934号公報、特開平4−953
28号公報、特開平4−101777号公報、特開平4
−104424号公報、特開平4−123745号公
報、特開平4−249828号公報、特開平4−259
733号公報、特開平4−282531号公報、特開平
5−266791号公報等)などが提案されている。
[0003] In view of the above, a technique of forming a partition wall instead of the screen printing method is being studied. For example, a technique in which a dielectric material is electrodeposited on a metal plate in which holes are formed in a lattice shape is used as a partition (JP-A-3-152830, JP-A-3-205538, JP-A-3-233382, Kaihei 4-32
132, JP-A-4-129131, JP-A-5-159706, etc., and a technique of forming a partition by processing and combining ceramic thin plates in a wave shape (Japanese Patent Laid-Open No. 1-111).
No. 5033), a technique of filling a jig with a partition material and transferring it to a substrate to form a partition (Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-137534), forming a partition material layer on the entire surface of the substrate, and then forming a groove with a rotary saw. Digging and using this as a partition (Japanese Patent Laid-Open No. 1-2203)
No. 30, etc.), a technique of forming partition walls with a press die (Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-59928, etc.), forming a convex portion of a cell with a photoresist, and then filling a peripheral concave portion with a partition material to form a partition wall. Technology (Japanese Patent Laid-Open No. 64-21846,
JP-A-236539, JP-A-1-251534, JP-A1-272027, JP-A-3-127
429, JP-A-4-109536, JP-A-5-234514, JP-B-4-33097, JP-B-4-33098, etc.) and patterning the photoresist formed on the partition wall material layer. A technique of forming a partition by etching with a sandblast using this as a mask (JP-A-2-301934, JP-A-4-953)
No. 28, JP-A-4-101777, JP-A-4
JP-A-104424, JP-A-4-123745, JP-A-4-249828, JP-A-4-259
733, JP-A-4-282531, JP-A-5-266691, etc.).

【0004】しかし、これらの技術の中で実用化が検討
されているのは、(1)フォトレジストでセルの凸部を
形成した後、周辺の凹部に隔壁材を充填して隔壁とする
技術及び(2)隔壁材層上に形成したフォトレジストを
パターニングし、これをマスクとしてにサンドブラスト
で隔壁材層をエッチングして隔壁を形成する技術であ
り、特にサンドブラストを用いる隔壁形成技術は既に実
用化されつつある。
[0004] However, among these techniques, the practical application is considered as (1) a technique of forming a convex portion of a cell with a photoresist and then filling a peripheral concave portion with a partition material to form a partition. And (2) a technique of patterning a photoresist formed on a partition material layer and using the mask as a mask to etch the partition material layer by sandblast to form a partition, and in particular, a partition formation technique using sandblast has already been commercialized. Is being done.

【0005】このサンドブラストを用いる隔壁形成技術
に用いられるマスクとなるフォトレジストは、高解像度
とサンドブラスト耐性が要求される。特に、プラズマデ
ィスプレイがハイビジョン用テレビやコンピュータ端末
に使用される場合には、微細な隔壁を高精度で形成しな
ければならず、そのために高解像度が要求される。そこ
で、一般にフォトレジスト層の厚みを薄くすることで解
像度を上げることが行われているが、層厚を薄くする
と、サンドブラスト耐性が低下し、隔壁材層がエッチン
グされる前に、マスクであるフォトレジスト層がエッチ
ングされてしまうという問題がある。
[0005] A photoresist used as a mask for the partition wall forming technique using the sand blast is required to have high resolution and sand blast resistance. In particular, when the plasma display is used for a high-definition television or a computer terminal, fine partition walls must be formed with high precision, and therefore a high resolution is required. Therefore, in general, the resolution is increased by reducing the thickness of the photoresist layer. However, when the layer thickness is reduced, the sandblast resistance is reduced, and the photomask serving as a mask is formed before the partition material layer is etched. There is a problem that the resist layer is etched.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】請求項1記載の発明
は、解像度とサンドブラスト耐性が優れ、微細で、位置
及び寸法精度の高い隔壁を製造できる隔壁の製造法を提
供するものである。請求項2記載の発明は、請求項1記
載の発明の効果を奏し、さらに環境衛生性が優れる。請
求項3記載の発明は、請求項1又は2記載の発明の効果
を奏し、より解像度とサンドブラスト耐性が優れる。請
求項4記載の発明は、請求項1、2又は3記載の発明の
効果を奏し、より環境衛生性が優れ、さらに作業性が優
れる。
SUMMARY OF THE INVENTION The first aspect of the present invention provides a method of manufacturing a partition wall which is excellent in resolution and sandblast resistance, can be fine, and has a high position and dimensional accuracy. The invention described in claim 2 has the effects of the invention described in claim 1 and is further excellent in environmental hygiene. The invention according to claim 3 has the effect of the invention according to claim 1 or 2, and is more excellent in resolution and sandblast resistance. The invention described in claim 4 has the effects of the invention described in claim 1, 2, or 3, and is more excellent in environmental hygiene and workability.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、微
小な放電発光領域を区画するための隔壁を有するプラズ
マディスプレイ基板の隔壁の製造法において、(I)基
板上に隔壁材層を形成する工程、(II)隔壁材層の上
に、感光性樹脂組成物層を形成する工程、(III)感光
性樹脂組成物層を、露光、現像処理して、感光性樹脂組
成物層の硬化皮膜のパターンを形成する工程、(IV)硬
化皮膜のパターンをマスクとしてサンドブラスト処理す
る工程及び(V)硬化皮膜のパターンを除去する工程を
含む工程を行うことを特徴とするプラズマディスプレイ
基板の隔壁の製造法に関する。
According to the present invention, there is provided a method of manufacturing a partition wall of a plasma display substrate having a partition wall for partitioning a minute discharge light emitting region on the substrate. Forming, (II) forming a photosensitive resin composition layer on the partition wall material layer, (III) exposing and developing the photosensitive resin composition layer to form a photosensitive resin composition layer. A step of forming a pattern of a cured film, (IV) a step of sandblasting using the pattern of the cured film as a mask, and (V) a step of removing the pattern of the cured film. A method for producing the same.

【0008】また、本発明は、感光性樹脂組成物層が、 (a)カルボキシル基を有する熱可塑性重合体、 (b)ペンタメチレンカーボネートとヘキサメチレン
カーボネートを5:5の比率で繰返し単位とするコポリ
カーボネートジオールと、 イソホロンジイソシアネートと、 ヒドロキシエチルアクリレート又はヒドロキシエチル
メタクリレート との反応物を含むエチレン性不飽和基含有重合性化合物
及び (c)活性光により遊離ラジカルを生成する光重合開始
剤 を含有してなるものである前記隔壁の製造法に関する。
In the present invention, the photosensitive resin composition layer comprises (a) a thermoplastic polymer having a carboxyl group, and (b) a repeating unit of pentamethylene carbonate and hexamethylene carbonate in a ratio of 5: 5. An ethylenically unsaturated group-containing polymerizable compound containing a reaction product of copolycarbonate diol, isophorone diisocyanate, and hydroxyethyl acrylate or hydroxyethyl methacrylate; and (c) a photopolymerization initiator that generates free radicals by actinic light. The present invention relates to a method for producing the partition wall.

【0009】また、本発明は、(b)エチレン性不飽和
基含有重合性化合物が、さらに一般式(1)
Further, the present invention provides a polymerizable compound having an ethylenically unsaturated group (b) further comprising a compound represented by the general formula (1):

【化2】 (式中、R1及びR2は、各々独立に、水素原子又はメチ
ル基を示し、p及びqは、p+qが4〜30となるよう
に選ばれる正の整数である)で表される重合性化合物を
含む前記隔壁の製造法に関する。また、本発明は、(I
I)隔壁材層の上に、感光性樹脂組成物層を形成する工
程が、支持体フィルム上に感光性樹脂組成物層を積層し
てなる感光性フィルムを用いて、感光性樹脂組成物層を
形成する工程である前記隔壁の製造法に関する。
Embedded image (Wherein, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and p and q are positive integers selected so that p + q is 4 to 30). The present invention relates to a method for producing the partition wall containing a hydrophilic compound. In addition, the present invention relates to (I
I) a step of forming a photosensitive resin composition layer on a partition material layer, using a photosensitive film obtained by laminating a photosensitive resin composition layer on a support film; And a method of manufacturing the partition wall.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明の隔壁の製造法は、基板上
に、微小な放電発光領域を区画するための隔壁を有する
プラズマディスプレイ基板の隔壁の製造法であり、
(I)基板上に隔壁材層を形成する工程、(II)隔壁材
層の上に、感光性樹脂組成物層を形成する工程、(II
I)感光性樹脂組成物層を、露光、現像処理して、感光
性樹脂組成物層の硬化皮膜のパターンを形成する工程、
(IV)硬化皮膜のパターンをマスクとしてサンドブラス
ト処理する工程及び(V)硬化皮膜のパターンを除去す
る工程を含む工程を行うことを特徴とする。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The method of manufacturing a partition according to the present invention is a method of manufacturing a partition of a plasma display substrate having a partition for partitioning a minute discharge light emitting region on the substrate,
(I) a step of forming a partition material layer on a substrate, (II) a step of forming a photosensitive resin composition layer on the partition material layer, (II)
I) a step of exposing and developing the photosensitive resin composition layer to form a cured film pattern of the photosensitive resin composition layer;
It is characterized by performing a step including (IV) a step of sandblasting using the pattern of the cured film as a mask and (V) a step of removing the pattern of the cured film.

【0011】以下、本発明の隔壁の製造法の各工程につ
いて、図1を用いて詳述する。なお、図1は、本発明の
隔壁の製造法の各工程を示した模式図である。 〔(I)基板上に隔壁材層を形成する工程〕基板1上
に、隔壁材層2を形成した状態を、図1(I)に示し
た。本発明における基板1としては、例えば、透明な接
着のための表面処理を施していてもよい、ガラス基板、
合成樹脂基板等に電極パターンが形成されたものなどが
挙げられる。本発明における隔壁材層2に用いられる隔
壁材料としては、特に制限はなく、例えば、主成分とし
て、低融点の鉛ガラスと無機フィラー(シリカ系、チタ
ン系、クロム系等)と樹脂分から構成されたもの等が挙
げられる。また、隔壁材料の色層についても特に制限は
なく、白色でも黒色でもよいが、焼成後、発光輝度を低
下させないものであることが好ましい。
Hereinafter, each step of the method for producing a partition according to the present invention will be described in detail with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic view showing each step of the method for producing a partition according to the present invention. [(I) Step of Forming Partition Material Layer on Substrate] FIG. 1 (I) shows a state in which the partition material layer 2 is formed on the substrate 1. As the substrate 1 in the present invention, for example, a glass substrate, which may be subjected to a surface treatment for transparent bonding,
An electrode pattern formed on a synthetic resin substrate or the like may be used. The partition wall material used for the partition wall material layer 2 in the present invention is not particularly limited, and for example, is composed of, as main components, a low melting point lead glass, an inorganic filler (silica-based, titanium-based, chromium-based, etc.) and a resin component. And the like. Also, the color layer of the partition wall material is not particularly limited, and may be white or black. However, it is preferable that the light emission luminance is not reduced after firing.

【0012】本発明における(I)の工程において、基
板1上に隔壁材層2を形成する方法としては、例えば、
隔壁材料をスクリーン印刷法等の塗工方法により厚膜形
成することができる。隔壁材層2の膜厚は、通常、10
0〜300μmの範囲である。また、この隔壁材層2を
形成した基板1は、後述する本発明における(II)の工
程を行なう前に、焼成してもよいが、後述する本発明に
おける(IV)の工程のサンドブラスト処理が容易にでき
るという点から、焼成前に本発明における(II)〜
(V)の各工程を行なうことが好ましい。
In the step (I) of the present invention, a method of forming the partition wall material layer 2 on the substrate 1 includes, for example,
The partition wall material can be formed into a thick film by a coating method such as a screen printing method. The thickness of the partition wall material layer 2 is usually 10
The range is from 0 to 300 μm. The substrate 1 on which the partition wall material layer 2 is formed may be baked before performing the step (II) in the present invention described later, but the sand blasting process in the step (IV) in the present invention described later is performed. From the point that it can be easily prepared, (II) to
It is preferable to perform each step of (V).

【0013】〔(II)隔壁材層の上に、感光性樹脂組成
物層を形成する工程〕隔壁材層2の上に、感光性樹脂組
成物層3を形成した状態を、図1(II)に示した。本発
明における感光性樹脂組成物層3に用いられる感光性樹
脂組成物としては、例えば、(a)カルボキシル基を有
する熱可塑性重合体、(b)エチレン性不飽和基含有重
合性化合物及び(c)活性光により遊離ラジカルを生成
する光重合開始剤を含有するもの等が挙げられる。
[(II) Step of Forming Photosensitive Resin Composition Layer on Partition Material Layer] A state in which the photosensitive resin composition layer 3 is formed on the partition material layer 2 is shown in FIG. )Pointing out toungue. Examples of the photosensitive resin composition used in the photosensitive resin composition layer 3 in the present invention include (a) a thermoplastic polymer having a carboxyl group, (b) a polymerizable compound containing an ethylenically unsaturated group, and (c) And (2) those containing a photopolymerization initiator that generates free radicals by active light.

【0014】本発明における(a)カルボキシル基を有
する熱可塑性重合体としては、ビニル共重合体であるこ
とが好ましく、このようなビニル共重合体に用いられる
共重合性単量体としては、例えば、アクリル酸、メタク
リル酸、メタクリル酸メチル、メタクリル酸ブチル、メ
タクリル酸2−エチルヘキシル、メタクリル酸ラウリ
ル、アクリル酸エチル、アクリル酸メチル、スチレン、
α−メチルスチレン、ビニルトルエン、N−ビニルピロ
リドン、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒ
ドロキシエチルアクリレート、アクリルアミド、アクリ
ロニトリル、メタクリロニトリル、ジメチルアミノエチ
ルメタクリレート、ジメチルアミノエチルアクリレート
等が挙げられる。また、スチレン/マレイン酸共重合体
のハーフエステル等も使用することができる。これらは
単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。
The (a) thermoplastic polymer having a carboxyl group in the present invention is preferably a vinyl copolymer. Examples of the copolymerizable monomer used in such a vinyl copolymer include, for example, , Acrylic acid, methacrylic acid, methyl methacrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, lauryl methacrylate, ethyl acrylate, methyl acrylate, styrene,
α-methylstyrene, vinyltoluene, N-vinylpyrrolidone, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, acrylamide, acrylonitrile, methacrylonitrile, dimethylaminoethyl methacrylate, dimethylaminoethyl acrylate, and the like. Further, a half ester of a styrene / maleic acid copolymer may be used. These are used alone or in combination of two or more.

【0015】本発明における(a)カルボキシル基を有
する熱可塑性重合体は、カルボキシル基含有率が、15
〜50モル%であることが好ましく、重量平均分子量
(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測
定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値)
が、20,000〜300,000であることが好まし
く、これらの(a)カルボキシル基を有する熱可塑性重
合体は、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用され
る。また、(a)カルボキシル基を有する熱可塑性重合
体は、アルカリ水溶液に可溶又は膨潤可能であることが
好ましいが、感光性樹脂組成物として、アルカリ水溶液
に可溶又は膨潤可能であればよい。
The (a) thermoplastic polymer having a carboxyl group in the present invention has a carboxyl group content of 15%.
5050 mol%, preferably a weight average molecular weight (measured by a gel permeation chromatography method and converted using a standard polystyrene calibration curve)
However, these (a) thermoplastic polymers having a carboxyl group are used alone or in combination of two or more. In addition, (a) the thermoplastic polymer having a carboxyl group is preferably soluble or swellable in an aqueous alkaline solution, but it is sufficient that the thermoplastic resin is soluble or swellable in an aqueous alkaline solution as a photosensitive resin composition.

【0016】本発明における(b)エチレン性不飽和基
含有重合性化合物としては、従来公知のものを使用する
ことができ、その中でも、(b)ペンタメチレンカー
ボネートとヘキサメチレンカーボネートを5:5の比率
で繰返し単位とするコポリカーボネートジオールと、
イソホロンジイソシアネートと、ヒドロキシエチルア
クリレート又はヒドロキシエチルメタクリレートとの反
応物を含むエチレン性不飽和基含有重合性化合物が好ま
しいものとして挙げられる。
As the polymerizable compound (b) having an ethylenically unsaturated group in the present invention, conventionally known compounds can be used. Among them, (b) pentamethylene carbonate and hexamethylene carbonate in a ratio of 5: 5 A copolycarbonate diol having a repeating unit in a ratio,
Preferred are ethylenically unsaturated group-containing polymerizable compounds including a reaction product of isophorone diisocyanate and hydroxyethyl acrylate or hydroxyethyl methacrylate.

【0017】本発明におけるペンタメチレンカーボネ
ートとヘキサメチレンカーボネートを5:5の比率で繰
返し単位とするコポリカーボネートジオールと、イソ
ホロンジイソシアネートと、ヒドロキシエチルアクリ
レート又はヒドロキシエチルメタクリレートとの反応物
として、具体的には、ウレタンアクリレートオリゴマU
F−8001、UF−8002、UF−8003、UF
−8003等(いずれも共栄社化学(株)製)が、商業的
に入手可能なものとして挙げられ、これらの中から、U
F−8003がより好ましいものとして挙げられる。な
お、これらの反応物は、いずれもメチルエチルケトン溶
液である。
The reaction product of the copolycarbonate diol having repeating units of pentamethylene carbonate and hexamethylene carbonate in the ratio of 5: 5 in the present invention, isophorone diisocyanate, and hydroxyethyl acrylate or hydroxyethyl methacrylate is specifically described. , Urethane acrylate oligomer U
F-8001, UF-8002, UF-8003, UF
-8003 and the like (all manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) are commercially available.
F-8003 is more preferred. Each of these reactants is a methyl ethyl ketone solution.

【0018】また、本発明における(b)エチレン性不
飽和基含有重合性化合物には、さらに一般式(1)
The (b) polymerizable compound having an ethylenically unsaturated group in the present invention further comprises a compound represented by the general formula (1):

【化3】 (式中、R1及びR2は、各々独立に、水素原子又はメチ
ル基を示し、p及びqは、p+qが4〜30となるよう
に選ばれる正の整数である)で表される重合性化合物を
含有させることが好ましい。
Embedded image (Wherein, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and p and q are positive integers selected so that p + q is 4 to 30). It is preferable to contain an acidic compound.

【0019】上記一般式(1)において、R1及びR
2は、各々独立に、水素原子又はメチル基であり、p及
びqは、p+qが4〜30となるように選ばれる正の整
数である。このp+qが4未満では、可撓性が低下する
傾向があり、30を超えると、系の親水性が増して現像
時の密着性が低下する傾向がある。このような一般式
(1)で表される重合性化合物としては、例えば、2,
2′−ビス(4−メタクリロキシペンタエトキシフェニ
ル)プロパン、2,2′−ビス(4−アクロキシペンタ
エトキシフェニル)プロパン、2,2′−ビス(4−メ
タクリロキシテトラエトキシフェニル)プロパン等が挙
げられ、市販品としては、例えば、NKエステルBPE
−500(新中村化学工業(株)製、商品名)等が挙げら
れる。このような一般式(1)で表される重合性化合物
は、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。
In the general formula (1), R 1 and R
2 is each independently a hydrogen atom or a methyl group, and p and q are positive integers selected so that p + q is 4 to 30. If p + q is less than 4, the flexibility tends to decrease, and if it exceeds 30, the hydrophilicity of the system tends to increase and the adhesion at the time of development tends to decrease. Examples of the polymerizable compound represented by the general formula (1) include, for example, 2,
2'-bis (4-methacryloxypentaethoxyphenyl) propane, 2,2'-bis (4-acryloxypentaethoxyphenyl) propane, 2,2'-bis (4-methacryloxytetraethoxyphenyl) propane and the like Commercially available products include, for example, NK ester BPE
-500 (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.). Such polymerizable compounds represented by the general formula (1) are used alone or in combination of two or more.

【0020】また、本発明における(b)エチレン性不
飽和基含有重合性化合物には、ペンタメチレンカーボ
ネートとヘキサメチレンカーボネートを5:5の比率で
繰返し単位とするコポリカーボネートジオールと、イ
ソホロンジイソシアネートと、ヒドロキシエチルアク
リレート又はヒドロキシエチルメタクリレートとの反応
物及び上記一般式(1)で表される重合性化合物以外
の、常圧で沸点が100℃以上である重合性化合物を含
有させることができる。
The (b) ethylenically unsaturated group-containing polymerizable compound in the present invention includes a copolycarbonate diol having pentamethylene carbonate and hexamethylene carbonate as repeating units in a ratio of 5: 5, isophorone diisocyanate, A polymerizable compound having a boiling point of 100 ° C. or more at normal pressure, other than the reaction product with hydroxyethyl acrylate or hydroxyethyl methacrylate and the polymerizable compound represented by the general formula (1), can be contained.

【0021】常圧で沸点が100℃以上である重合性化
合物としては、例えば、アクリル酸、メチルアクリレー
ト、エチルアクリレート、n−プロピルアクリレート、
イソプロピルアクリレート、n−ブチルアクリレート、
イソブチルアクリレート、シクロヘキシルアクリレー
ト、ベンジルアクリレート、カルビトールアクリレー
ト、メトキシエチルアクリレート、エトキシエチルアク
リレート、ブトキシエチルアクリレート、ヒドロキシエ
チルアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、
ブチレングリコールモノアクリレート、N,N−ジメチ
ルアミノエチルアクリレート、N,N−ジエチルアミノ
エチルアクリレート、グリシジルアクリレート、テトラ
ヒドロフルフリルアクリレート、ペンタエリスリトール
モノアクリレート、トリメチロールプロパンモノアクリ
レート、アリルアクリレート、1,3−プロピレングリ
コールジアクリレート、1,4−ブチレングリコールジ
アクリレート、1,6−ヘキシレングリコールジアクリ
レート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ジプ
ロピレングリコールジアクリレート、2,2−ビス(4
−アクリロキシジエトキシフェニル)プロパン、2,2
−ビス(4−アクリロキシプロピルキシフェニル)プロ
パン、トリメチロールプロパンジアクリレート、ペンタ
エリスリトールジアクリレート、トリメチロールプロパ
ントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリ
レート、トリアクリルホルマール、テトラメチロールメ
タンテトラアクリレート、トリス(2−ヒドロキシエチ
ル)イソシアヌル酸のアクリル酸エステル、
Examples of the polymerizable compound having a boiling point of 100 ° C. or more at normal pressure include acrylic acid, methyl acrylate, ethyl acrylate, n-propyl acrylate, and the like.
Isopropyl acrylate, n-butyl acrylate,
Isobutyl acrylate, cyclohexyl acrylate, benzyl acrylate, carbitol acrylate, methoxyethyl acrylate, ethoxyethyl acrylate, butoxyethyl acrylate, hydroxyethyl acrylate, hydroxypropyl acrylate,
Butylene glycol monoacrylate, N, N-dimethylaminoethyl acrylate, N, N-diethylaminoethyl acrylate, glycidyl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, pentaerythritol monoacrylate, trimethylolpropane monoacrylate, allyl acrylate, 1,3-propylene glycol Diacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexylene glycol diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, dipropylene glycol diacrylate, 2,2-bis (4
-Acryloxydiethoxyphenyl) propane, 2,2
-Bis (4-acryloxypropylxyphenyl) propane, trimethylolpropane diacrylate, pentaerythritol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, triacrylformal, tetramethylolmethanetetraacrylate, tris (2-hydroxy Ethyl) isocyanuric acid acrylate,

【化4】 (式中、mは1〜30の正の整数である)、メタクリル
酸、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プ
ロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、
ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、シ
クロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレー
ト、オクチルメタクリレート、エチルヘキシルメタクリ
レート、メトキシエチルメタクリレート、エトキシエチ
ルメタクリレート、ブトキシエチルメタクリレート、ヒ
ドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシプロピルメ
タクリレート、ヒドロキシブチルメタクリレート、ヒド
ロキシペンチルメタクリレート、N,N−ジメチルアミ
ノメタクリレート、N,N−ジエチルアミノメタクリレ
ート、グリシジルメタクリレート、テトラヒドロフルフ
リルメタクリレート、メタクリロキシプロピルトリメト
キシシラン、アリルメタクリレート、トリメチロールプ
ロパンモノメタクリレート、ペンタエリスリトールモノ
メタクリレート、1,3−ブチレングリコールジメタク
リレート、1,6−ヘキシレングリコールジメタクリレ
ート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、2,
2−ビス(4−メタクリロキシジエトキシフェニル)プ
ロパン、トリメチロールプロパントリメタクリレート、
ペンタエリスリトールトリメタクリレート、テトラメチ
ロールメタンテトラメタクリレート、トリス(2−ヒド
ロキシエチル)イソシアヌル酸のメタクリル酸エステ
ル、
Embedded image (Where m is a positive integer of 1 to 30), methacrylic acid, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, isopropyl methacrylate,
Butyl methacrylate, isobutyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate, octyl methacrylate, ethylhexyl methacrylate, methoxyethyl methacrylate, ethoxyethyl methacrylate, butoxyethyl methacrylate, hydroxyethyl methacrylate, hydroxypropyl methacrylate, hydroxybutyl methacrylate, hydroxypentyl methacrylate, N, N- Dimethylamino methacrylate, N, N-diethylamino methacrylate, glycidyl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, methacryloxypropyltrimethoxysilane, allyl methacrylate, trimethylolpropane monomethacrylate, pentaerythritol monomethacrylate, 1 3-butylene glycol dimethacrylate, 1,6-hexylene glycol dimethacrylate, neopentyl glycol dimethacrylate, 2,
2-bis (4-methacryloxydiethoxyphenyl) propane, trimethylolpropane trimethacrylate,
Pentaerythritol trimethacrylate, tetramethylolmethanetetramethacrylate, methacrylic acid ester of tris (2-hydroxyethyl) isocyanuric acid,

【化5】 (式中、nは1〜30の正の整数である)、トリメチル
ヘキサメチレンジイソシアナート/2−ヒドロキシエチ
ルアクリレート(1/2モル比)反応物、イソシアナー
トエチルメタアクリレート/水(2/1モル比)反応
物、クロトン酸ブチル、グリセリンモノクロネート、ビ
ニルブチレート、ビニルトリメチルアセテート、ビニル
カプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルラクテ
ート、安息香酸ビニル、ジビニルサクシネート、ジビニ
ルフタレート、メタクリルアミド、N−メチルメタクリ
ルアミド、N−エチルメタクリルアミド、N−アリール
メタクリルアミド、N−ヒドロキシエチル−N−メチル
メタクリルアミド、アクリルアミド、N−t−ブチルア
クリルアミド、N−メチロールアクリルアミド、N−イ
ソブトキシメチルアクリルアミド、N−ブトキシメチル
アクリルアミド、ダイアセトンアクリルアミド、ヘキシ
ルビニルエーテル、エチルヘキシルビニルエーテル、ビ
ニルトリエーテル、多価アルコールのポリビニルエーテ
ル、スチレン誘導体(オルト及びパラ位にアルキル基、
アルコキシ基、ハロゲン、カルボキシル基、アリル基な
どの置換基を持ったスチレン)、ジビニルベンゼン、ア
リルオキシエタノール、ジカルボン酸のジアリルエステ
ル、N−ビニルオキサゾリドン、N−ビニルイミダゾー
ル、N−ビニルピロリドン、N−ビニルカルバゾールな
どを用いることができる。
Embedded image (Where n is a positive integer of 1 to 30), a reaction product of trimethylhexamethylene diisocyanate / 2-hydroxyethyl acrylate (1/2 molar ratio), isocyanate ethyl methacrylate / water (2/1 (Mole ratio) Reactant, butyl crotonate, glycerin monochlorate, vinyl butyrate, vinyl trimethyl acetate, vinyl caproate, vinyl chloroacetate, vinyl lactate, vinyl benzoate, divinyl succinate, divinyl phthalate, methacrylamide, N- Methyl methacrylamide, N-ethyl methacrylamide, N-aryl methacrylamide, N-hydroxyethyl-N-methyl methacrylamide, acrylamide, Nt-butylacrylamide, N-methylolacrylamide, N-isobutoxymethyla Riruamido, N- butoxymethyl acrylamide, diacetone acrylamide, hexyl vinyl ether, ethylhexyl vinyl ether, vinyl tri ethers, polyvinyl ethers of polyhydric alcohols, styrene derivatives (ortho and para to the alkyl group,
Styrene having substituents such as alkoxy group, halogen, carboxyl group, allyl group), divinylbenzene, allyloxyethanol, diallyl ester of dicarboxylic acid, N-vinyloxazolidone, N-vinylimidazole, N-vinylpyrrolidone, N- Vinyl carbazole or the like can be used.

【0022】本発明における(b)エチレン性不飽和基
含有重合性化合物において、ペンタメチレンカーボネ
ートとヘキサメチレンカーボネートを5:5の比率で繰
返し単位とするコポリカーボネートジオールと、イソ
ホロンジイソシアネートと、ヒドロキシエチルアクリ
レート又はヒドロキシエチルメタクリレートとの反応物
の配合量は、後述する(IV)の工程で行なうサンドブラ
スト処理におけるサンドブラスト耐性等の点から、
(b)成分の総量中に、25重量%以上とすることが好
ましい。このとととの反応物の配合量が、25重
量%未満では、サンドブラスト耐性が低下する傾向があ
る。
The (b) polymerizable compound containing an ethylenically unsaturated group in the present invention, a copolycarbonate diol having pentamethylene carbonate and hexamethylene carbonate in a repeating unit of 5: 5, isophorone diisocyanate, and hydroxyethyl acrylate Or, the amount of the reaction product with hydroxyethyl methacrylate is from the viewpoint of sandblast resistance in the sandblast treatment performed in the step (IV) described below.
It is preferable that the content is not less than 25% by weight based on the total amount of the component (b). If the amount of the reaction product with this is less than 25% by weight, the sandblast resistance tends to decrease.

【0023】また、本発明における(b)エチレン性不
飽和基含有重合性化合物において、上記一般式(1)で
表される重合性化合物の配合量は、パターン形成性、サ
ンドブラスト耐性等の点から、前記とととの反応
物を配合した上で、(b)成分の総量中に、5〜60重
量%とすることが好ましい。この上記一般式(1)で表
される重合性化合物の配合量が、5重量%未満では、パ
ターン形成性が低下する傾向があり、60重量%を超え
ると、サンドブラスト耐性が低下する傾向がある。
In the polymerizable compound (b) containing an ethylenically unsaturated group in the present invention, the compounding amount of the polymerizable compound represented by the above general formula (1) is determined in view of pattern forming property, sandblast resistance and the like. After the reaction product of the above and the above is blended, the content is preferably 5 to 60% by weight based on the total amount of the component (b). If the amount of the polymerizable compound represented by the general formula (1) is less than 5% by weight, pattern formability tends to decrease, and if it exceeds 60% by weight, sandblast resistance tends to decrease. .

【0024】本発明における(c)活性光により遊離ラ
ジカルを生成する光重合開始剤としては、例えば、ベン
ゾインエーテル類(ベンゾインメチルエーテル、ベンゾ
インエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベ
ンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインフェニルエー
テル等)、ベンゾフェノン類(ベンゾフェノン、N,
N′−テトラメチル−4,4′−ジアミノベンゾフェノ
ン、N,N′−テトラエチル−4,4′−ジアミノベン
ゾフェノン等)、ベンジルケタール類(ベンジルジメチ
ルケタール、ベンジルジエチルケタール等)、アセトフ
ェノン類(2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフ
ェノン、p−tert−ブチルジクロロアセトフェノン、p
−ジメチルアミノアセトフェノン等)、チオキサントン
類(2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジイソ
プロピルチオキサントン等)、ヒドロキシシクロヘキシ
ルフェニルケトン、1−(4−イソプロピルフェニル)
−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、2
−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1
−オンなどが挙げられる。これらは単独で又は2種類以
上を組み合わせて使用される。
Examples of (c) a photopolymerization initiator that generates free radicals by actinic light in the present invention include benzoin ethers (benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin propyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin phenyl ether, etc.). ), Benzophenones (benzophenone, N,
N'-tetramethyl-4,4'-diaminobenzophenone, N, N'-tetraethyl-4,4'-diaminobenzophenone, etc., benzyl ketals (benzyl dimethyl ketal, benzyl diethyl ketal, etc.), acetophenones (2, 2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, p-tert-butyldichloroacetophenone, p
-Dimethylaminoacetophenone, etc.), thioxanthones (2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diisopropylthioxanthone, etc.), hydroxycyclohexylphenyl ketone, 1- (4-isopropylphenyl)
-2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 2
-Hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane-1
-On and the like. These are used alone or in combination of two or more.

【0025】本発明における感光性樹脂組成物層に用い
られる感光性樹脂組成物において、(b)成分の配合量
は、(a)成分100重量部に対して、10〜200重
量部とすることが好ましい。この配合量が10重量部未
満では、充分なサンドブラスト耐性が得られない傾向が
あり、200重量部を超えると、現像性が低下する傾向
がある。また、(c)成分の配合量は、(a)成分10
0重量部に対して、0.5〜20重量部とすることが好
ましい。この配合量が0.5重量部未満では、充分な感
度が得られない傾向があり、20重量部を超えると、パ
ターン形状が悪くなる傾向がある。
In the photosensitive resin composition used in the photosensitive resin composition layer of the present invention, the amount of the component (b) is 10 to 200 parts by weight based on 100 parts by weight of the component (a). Is preferred. If the amount is less than 10 parts by weight, sufficient sandblast resistance tends not to be obtained, and if it exceeds 200 parts by weight, developability tends to decrease. The amount of the component (c) is 10%.
It is preferably 0.5 to 20 parts by weight based on 0 part by weight. If the amount is less than 0.5 part by weight, sufficient sensitivity tends not to be obtained, and if it exceeds 20 parts by weight, the pattern shape tends to be poor.

【0026】また、本発明における感光性樹脂組成物層
に用いられる感光性樹脂組成物には、染料、顔料、可塑
剤、安定剤、消泡剤、成膜剤等の添加剤を、必要に応じ
て添加することができる。
The photosensitive resin composition used in the photosensitive resin composition layer of the present invention contains additives such as dyes, pigments, plasticizers, stabilizers, defoamers, and film-forming agents. It can be added accordingly.

【0027】本発明における(II)の工程において、隔
壁材層2の上に、感光性樹脂組成物層3を形成する方法
としては、例えば、前記した感光性樹脂組成物を、必要
に応じて溶剤に溶解させて、スピンナーコート、スプレ
ーコート、スクリーン印刷、ロールコート、フローコー
ト等の常法により、隔壁材層2の上に直接塗工し、感光
性樹脂組成物層3を形成する方法、前記した感光性樹脂
組成物を、必要に応じて溶剤に溶解させて、これを支持
体フィルム上に塗布、乾燥し、感光性フィルムとして、
この感光性フィルムを用いて、隔壁材層2の上に、感光
性樹脂組成物層3を形成する方法等が挙げられるが、環
境衛生性、作業性等の点から、感光性フィルムを用い
て、隔壁材層2の上に、感光性樹脂組成物層3を形成す
る方法を使用することが好ましい。
In the step (II) of the present invention, the photosensitive resin composition layer 3 may be formed on the partition wall material layer 2 by, for example, A method of forming a photosensitive resin composition layer 3 by dissolving in a solvent and applying directly onto the partition wall material layer 2 by a conventional method such as spinner coating, spray coating, screen printing, roll coating, or flow coating; The above-described photosensitive resin composition is dissolved in a solvent as necessary, and applied on a support film, and dried, as a photosensitive film.
A method of forming the photosensitive resin composition layer 3 on the partition wall material layer 2 using the photosensitive film may be mentioned. From the viewpoints of environmental sanitation, workability, and the like, use of the photosensitive film It is preferable to use a method of forming the photosensitive resin composition layer 3 on the partition wall material layer 2.

【0028】前記した感光性樹脂組成物を、必要に応じ
て溶解させる場合に使用する溶剤としては、例えば、ケ
トン系溶剤(アセトン、メチルエチルケトン、メチルイ
ソブチルケトン等)、エーテル系溶剤(メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ等)などを挙げられる。これらの
溶剤は、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用され
る。
Examples of the solvent used for dissolving the photosensitive resin composition as required include ketone solvents (acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, etc.) and ether solvents (methyl cellosolve, ethyl Cellosolve, etc.). These solvents are used alone or in combination of two or more.

【0029】隔壁材層2の上に直接塗工し、感光性樹脂
組成物層3を形成する方法において、感光性樹脂組成物
層3の膜厚は、10〜150μmとすることが好まし
い。
In the method in which the photosensitive resin composition layer 3 is formed by directly coating on the partition wall material layer 2, the thickness of the photosensitive resin composition layer 3 is preferably 10 to 150 μm.

【0030】感光性フィルムを用いて、隔壁材層2の上
に、感光性樹脂組成物層3を形成する方法における、感
光性フィルムに使用される支持体フィルムとしては、例
えば、重合体フィルム(ポリエチレンテレフタレート、
ポリプロピレン、ポリエチレン等からなるフィルム等)
などが挙げられ、この中でも、ポリエチレンテレフタレ
ートフィルムが好ましいものとして挙げられる。これら
の支持体フィルムは、後に感光性樹脂組成物層3から除
去可能でなくてはならないため、除去不可能となるよう
な表面処理が施されたものであったり、材質であっては
ならない。
In the method of forming the photosensitive resin composition layer 3 on the partition wall material layer 2 using the photosensitive film, as the support film used for the photosensitive film, for example, a polymer film ( polyethylene terephthalate,
Film made of polypropylene, polyethylene, etc.)
And the like. Among them, a polyethylene terephthalate film is preferable. Since these support films must be removable from the photosensitive resin composition layer 3 later, they should not be surface-treated or made of a material that cannot be removed.

【0031】これらの支持体フィルムの厚さは、5〜1
00μmとすることが好ましく、10〜30μmとする
ことがより好ましい。また、これらの支持体フィルムに
使用される重合体フィルムの一つは、感光性樹脂組成物
層3の支持フィルムとして、他の一つは感光性樹脂組成
物層3の保護フィルムとして感光性樹脂組成物層3の両
面に積層して感光性フィルムとすることもできる。
The thickness of these support films is 5 to 1
The thickness is preferably set to 00 μm, and more preferably to 10 to 30 μm. One of the polymer films used for the support film is a support film for the photosensitive resin composition layer 3, and the other is a protective film for the photosensitive resin composition layer 3. The photosensitive film can also be laminated on both sides of the composition layer 3.

【0032】本発明における感光性フィルムは、前記感
光性樹脂組成物を前記した溶剤に均一に溶解し、前記支
持体フィルム上にロールコート法、ナイフコート法等に
より、均一に塗布した後、乾燥(加熱及び/又は熱風吹
き付けにより溶剤を除去)し、得ることができる。感光
性フィルムの乾燥後の感光性樹脂組成物層3の膜厚は、
特に制限はなく、10〜100μmとすることが好まし
く、20〜60μmとすることがより好ましい。このよ
うにして得られる本発明における感光性フィルムは、そ
のまま又は感光性樹脂組成物層3の他の面に保護フィル
ムを更に積層して、ロール状に巻き取って貯蔵すること
ができる。
The photosensitive film according to the present invention is obtained by uniformly dissolving the photosensitive resin composition in the above-mentioned solvent, applying the solution uniformly on the support film by a roll coating method, a knife coating method or the like, and then drying. (The solvent is removed by heating and / or blowing with hot air). The thickness of the photosensitive resin composition layer 3 after drying the photosensitive film is
There is no particular limitation, and the thickness is preferably 10 to 100 μm, and more preferably 20 to 60 μm. The thus obtained photosensitive film of the present invention can be stored as it is or by further laminating a protective film on the other surface of the photosensitive resin composition layer 3, winding up in a roll shape.

【0033】本発明における感光性フィルムを用いて、
隔壁材層2の上に、感光性樹脂組成物層3を形成する方
法としては、例えば、感光性フィルムに保護フィルムが
存在している場合には、その保護フィルムを除去後、感
光性樹脂組成物層3を加熱しながら基板に圧着させるこ
とにより形成する方法等が挙げられる。このときの加熱
は、通常、70〜130℃であり、圧着圧力は、通常、
1〜10kg/cm2である。また、感光性樹脂組成物層3の
形成性をさらに向上させるために、隔壁材層2が形成さ
れた基板1の予熱処理を行うこともできるが、これらの
条件には特に制限はない。
Using the photosensitive film of the present invention,
As a method of forming the photosensitive resin composition layer 3 on the partition wall material layer 2, for example, when a protective film is present on the photosensitive film, the photosensitive resin composition is removed after removing the protective film. A method of forming the material layer 3 by pressing the material layer 3 onto a substrate while heating the material layer 3 is exemplified. The heating at this time is usually 70 to 130 ° C., and the pressing pressure is usually
It is 1 to 10 kg / cm 2 . Further, in order to further improve the formability of the photosensitive resin composition layer 3, the substrate 1 on which the partition wall material layer 2 is formed may be subjected to a pre-heat treatment, but these conditions are not particularly limited.

【0034】〔(III)感光性樹脂組成物層を、露光、
現像処理して、感光性樹脂組成物層の硬化皮膜のパター
ンを形成する工程〕感光性樹脂組成物層3を、露光、現
像処理して、感光性樹脂組成物層3の硬化皮膜6のパタ
ーンを形成した状態を、図1(III)のa及び図1(II
I)のbに示した。前記(II)の工程後、感光性樹脂組
成物層3の上に、ネガフィルム、ポジフィルム等のフォ
トマスク4を介して、活性光線5を像的に照射して露光
することができる(図1(III)のaの状態)。この
際、感光性樹脂組成物層3上に存在する支持体フィルム
が透明の場合には、そのまま露光してもよく、また不透
明の場合には、当然除去する必要がある。感光性樹脂組
成物層3の保護という点からは、支持体フィルムは、透
明で、この支持体フィルムを残存させたまま、それを通
して露光することが好ましい。
[(III) The photosensitive resin composition layer is exposed,
Step of Forming Cured Film Pattern of Photosensitive Resin Composition Layer by Developing] Exposure and Development of Photosensitive Resin Composition Layer 3, Pattern of Cured Film 6 of Photosensitive Resin Composition Layer 3 1 (III) and FIG. 1 (II)
This is shown in b) of I). After the step (II), the photosensitive resin composition layer 3 can be imagewise irradiated with actinic rays 5 through a photomask 4 such as a negative film or a positive film to be exposed (FIG. 1 (III), a). At this time, if the support film existing on the photosensitive resin composition layer 3 is transparent, it may be exposed as it is, and if it is opaque, it is necessary to remove it. From the viewpoint of protecting the photosensitive resin composition layer 3, the support film is preferably transparent, and it is preferable to expose the support film through the support film.

【0035】活性光線5としては、公知の活性光源が使
用でき、例えば、カーボンアーク、水銀蒸気アーク、キ
セノンアーク、その他から発生する光源が使用できる。
感光性樹脂組成物層3に含まれる光重合開始剤の感受性
は、通常、紫外線領域において最大であるので、その場
合は、活性光源は、紫外線を有効に放射するものにすべ
きである。
As the actinic ray 5, a known actinic light source can be used, and for example, a light source generated from a carbon arc, a mercury vapor arc, a xenon arc, or the like can be used.
Since the sensitivity of the photopolymerization initiator contained in the photosensitive resin composition layer 3 is generally maximum in the ultraviolet region, the active light source should be one that effectively emits ultraviolet light.

【0036】次いで、露光後、感光性樹脂組成物層3上
に支持体フィルムが存在している場合には、これを除去
した後、アルカリ水溶液を用いて、例えば、スプレー、
揺動浸漬、ブラッシング、スクラッピング等の公知の方
法により未露光部を除去して、現像することにより、感
光性樹脂組成物層3の硬化皮膜6のパターンを形成する
ことができる(図1(III)のbの状態)。
Next, after the exposure, if a support film is present on the photosensitive resin composition layer 3, the support film is removed, and then, using an aqueous alkali solution, for example, spraying,
The pattern of the cured film 6 of the photosensitive resin composition layer 3 can be formed by removing the unexposed portion by a known method such as rocking immersion, brushing, and scraping, and developing the film (FIG. 1 ( III) b)).

【0037】アルカリ性水溶液の塩基としては、例え
ば、水酸化アルカリ(リチウム、ナトリウム、カリウム
等の水酸化物)、炭酸アルカリ(リチウム、ナトリウ
ム、カリウム等の炭酸塩又は重炭酸塩)、アルカリ金属
リン酸塩(リン酸カリウム、リン酸ナトリウム等)、ア
ルカリ金属ピロリン酸塩(ピロリン酸ナトリウム、ピロ
リン酸カリウム等)などが挙げられ、これらの中でも炭
酸ナトリウムの水溶液が好ましいものとして挙げられ
る。現像に用いるアルカリ水溶液のpHは、9〜11とす
ることが好ましく、また、その温度は、感光性樹脂組成
物層3の現像性に合わせて調整することができる。ま
た、アルカリ水溶液中には、さらに、表面活性剤、消泡
剤、現像を促進させるための少量の有機溶剤等を混入さ
せることができる。
Examples of the base of the alkaline aqueous solution include alkali hydroxides (hydroxides such as lithium, sodium and potassium), alkali carbonates (carbonates or bicarbonates such as lithium, sodium and potassium), and alkali metal phosphates. Salts (such as potassium phosphate and sodium phosphate) and alkali metal pyrophosphates (such as sodium pyrophosphate and potassium pyrophosphate) are exemplified, and among them, an aqueous solution of sodium carbonate is preferred. The pH of the aqueous alkali solution used for development is preferably 9 to 11, and the temperature can be adjusted according to the developability of the photosensitive resin composition layer 3. Further, a surfactant, an antifoaming agent, a small amount of an organic solvent for accelerating the development, and the like can be further mixed into the aqueous alkali solution.

【0038】現像が終了後、さらに、後述する(IV)の
工程において、サンドブラスト耐性等を向上させる目的
で、高圧水銀ランプによる紫外線照射や加熱を行うこと
もできる。
After the development is completed, in the step (IV) to be described later, ultraviolet irradiation or heating with a high-pressure mercury lamp can be performed for the purpose of improving sandblast resistance and the like.

【0039】〔(IV)硬化皮膜のパターンをマスクとし
てサンドブラスト処理する工程〕硬化皮膜6のパターン
をマスクとしてサンドブラスト処理した状態を、図1
(IV)に示した。前記(III)の工程後、感光性樹脂組
成物層3の硬化皮膜6のパターンをエッチングマスクと
して、例えば、平均粒径が5〜100μmの研磨材を用
いて、噴射量が100〜2000g/min、加工圧力が1
〜10kg/cm2の範囲でサンドブラスト処理することによ
り、隔壁材層2をエッチングし、所定のパターンを形成
することができる。
[(IV) Step of Sandblasting Using Pattern of Cured Film as Mask] FIG. 1 shows the state of sandblasting using the pattern of cured film 6 as a mask.
(IV). After the step (III), the injection amount is 100 to 2000 g / min using, for example, an abrasive having an average particle size of 5 to 100 μm using the pattern of the cured film 6 of the photosensitive resin composition layer 3 as an etching mask. , Processing pressure is 1
By performing sandblasting in the range of 10 to 10 kg / cm 2 , the partition wall material layer 2 can be etched to form a predetermined pattern.

【0040】サンドブラストに用いるブラスト粒子とし
ては、隔壁材層2よりも硬度が高いものであることが好
ましく、例えば、天然珪砂(サンド)、ザクロ石(ガー
ネット)等の天然研磨材、炭化珪素、酸化珪素、酸化ア
ルミニウム等の人造研磨材、銑鉄(スチール)、鋼(ト
ルースチール)等の金属研磨材、ガラスビーズ、ソフト
グリット(くるみ殻粉)、プラスチックビーズなどが挙
げられる。また、その粒径は、形成するパターンサイズ
により適正なものを選択することができ、例えば、加工
幅の1/3以下の粒径のものを選択することが好まし
い。
The blast particles used for sand blasting are preferably those having a higher hardness than the partition wall material layer 2, for example, natural abrasives such as natural silica sand (sand), garnet (garnet), silicon carbide, oxide Examples include artificial abrasives such as silicon and aluminum oxide, metal abrasives such as pig iron (steel) and steel (true steel), glass beads, soft grit (walnut shell powder), and plastic beads. Further, an appropriate particle size can be selected depending on a pattern size to be formed. For example, it is preferable to select a particle size of 1/3 or less of a processing width.

【0041】〔(V)硬化皮膜のパターンを除去する工
程〕感光性樹脂組成物層3の硬化皮膜6のパターンを除
去した状態を、図1(V)に示した。前記(IV)の工程
後、エッチングマスクとして使用した感光性樹脂組成物
層3の硬化皮膜6のパターンを、アルカリ水溶液や有機
溶剤又はこれらの混合溶液による除去液で、スプレー、
揺動浸漬、ブラッシング、スクラッピング等の公知方法
により除去することができる。ここで用いられる除去液
としては、基板1に形成されている電極や隔壁材層2等
のプラズマディスプレイ基板作製に必要な材料に対し
て、損傷を与えるものでなければ特に制限はない。
[(V) Step of Removing Pattern of Cured Film] FIG. 1 (V) shows a state in which the pattern of the cured film 6 of the photosensitive resin composition layer 3 has been removed. After the step (IV), the pattern of the cured film 6 of the photosensitive resin composition layer 3 used as the etching mask is sprayed with a removing solution using an alkaline aqueous solution, an organic solvent, or a mixed solution thereof,
It can be removed by a known method such as rocking immersion, brushing, and scraping. The removal liquid used here is not particularly limited as long as it does not damage materials necessary for manufacturing a plasma display substrate, such as electrodes formed on the substrate 1 and the partition material layer 2.

【0042】次いで、感光性樹脂組成物層3の硬化皮膜
6のパターンを除去して、基板1に形成された隔壁材層
2を所定の焼成処理を行うことにより、微小な放電発光
領域を区画するための隔壁7が製造できる。また、感光
性樹脂組成物層3の硬化皮膜6のパターンを除去する方
法として、焼成処理において除去することもできる。
Next, the pattern of the cured film 6 of the photosensitive resin composition layer 3 is removed, and the partition wall material layer 2 formed on the substrate 1 is subjected to a predetermined baking treatment, so that minute discharge light emitting regions are partitioned. Can be manufactured. Further, as a method of removing the pattern of the cured film 6 of the photosensitive resin composition layer 3, it can be removed in a baking treatment.

【0043】[0043]

【実施例】次に、本発明を実施例により詳しく説明す
る。 製造例1 〔感光性フィルムの作製〕表1に示す材料を配合した溶
液を、25μmの厚さのポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に均一に塗布し、100℃の熱風対流式乾燥機
で5分間乾燥して溶剤を除去し、乾燥後の膜厚が50μ
mの感光性樹脂組成物層を得た。次いで、この感光性樹
脂組成物層の上に、ポリエチレンフィルムを保護フィル
ムとして貼り合わせて感光性フィルムを得た。
Next, the present invention will be described in detail with reference to examples. Production Example 1 [Preparation of Photosensitive Film] A solution containing the materials shown in Table 1 was uniformly applied on a 25 μm-thick polyethylene terephthalate film, and dried with a hot air convection dryer at 100 ° C. for 5 minutes. The solvent is removed and the film thickness after drying is 50μ.
m of the photosensitive resin composition layer was obtained. Next, a polyethylene film was laminated as a protective film on the photosensitive resin composition layer to obtain a photosensitive film.

【0044】[0044]

【表1】 [Table 1]

【0045】実施例1 〔隔壁の作製〕 〔(I)基板上に隔壁材層を形成する工程〕Ni電極が
形成されたガラス基板上に、隔壁材料(デュポン社製、
9741ガラスペースト)を印刷した後、乾燥(15分
間/150℃)させ、厚さ160〜180μmの隔壁材
層を形成した。
Example 1 [Preparation of Partition Wall] [(I) Step of Forming Partition Material Layer on Substrate] On a glass substrate on which a Ni electrode was formed, a partition material (manufactured by DuPont;
After printing 9741 glass paste), it was dried (15 minutes / 150 ° C.) to form a partition wall material layer having a thickness of 160 to 180 μm.

【0046】〔(II)隔壁材層の上に、感光性樹脂組成
物層を形成する工程〕次に、この隔壁材層の上に、製造
例1で作製した感光性フィルムを、熱圧着ラミネータ
(日立化成工業(株)製、VLM−1500)を用いて、
速度が0.5m/分、圧力が2kgf/cm2、温度が120
℃でラミネートし、感光性樹脂組成物層を形成した。
[(II) Step of Forming Photosensitive Resin Composition Layer on Partition Material Layer] Next, on the partition material layer, the photosensitive film prepared in Production Example 1 is thermocompressed with a laminator. (VLM-1500, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)
Speed 0.5 m / min, the pressure 2 kgf / cm 2, temperature 120
Laminated at a temperature of ° C. to form a photosensitive resin composition layer.

【0047】〔(III)感光性樹脂組成物層を、露光、
現像処理して、感光性樹脂組成物層の硬化皮膜のパター
ンを形成する工程〕次いで、隔壁材層上に形成された感
光性フィルム上に、形成しようとする隔壁パターンに相
当する部分が露光されるようにパターン形成されたフォ
トマスク(ストライプパターン、露光部幅100μm、
非露光部幅470μm)を密着させ、超高圧水銀灯露光
機(オーク製作所製、HMW−201GX)で100mJ
/cm2で露光した。露光後、30℃の1重量%炭酸ナトリ
ウム水溶液で、100秒間スプレー現像し、次いで紫外
線照射機(東芝電材社製、定格電圧200V、定格消費
電力7.2kW、適合ランプH56001/2、ランプ数
1本)を使用して、3J/cm2の紫外線照射してネガマス
クに相当する寸法精度の優れた感光性樹脂組成物層の硬
化皮膜のパターンを得た。
[(III) The photosensitive resin composition layer is exposed,
Step of developing and forming a pattern of a cured film of the photosensitive resin composition layer) Then, on the photosensitive film formed on the partition material layer, a portion corresponding to the partition pattern to be formed is exposed. Photomask (stripe pattern, exposed part width 100 μm,
Non-exposed part width 470 μm) is brought into close contact, and 100 mJ is applied with an ultra-high pressure mercury lamp exposure machine (Oak Seisakusho, HMW-201GX).
/ cm 2 . After the exposure, spray development was performed with a 1% by weight aqueous solution of sodium carbonate at 30 ° C. for 100 seconds, and then an ultraviolet irradiator (manufactured by Toshiba Electric Materials, rated voltage 200 V, rated power consumption 7.2 kW, compatible lamp H56001 / 2, number of lamps 1) Using the present method, ultraviolet rays of 3 J / cm 2 were irradiated to obtain a cured film pattern of a photosensitive resin composition layer having excellent dimensional accuracy corresponding to a negative mask.

【0048】〔(IV)硬化皮膜のパターンをマスクとし
てサンドブラスト処理する工程〕その後、サンドブラス
トマシーン(不二製作所社製、SC−3、微粉タイプ)
により、酸化珪素研磨剤(平均粒径8μm、最大粒径2
0μm)を用いて、噴射量が650g/min、加工圧力が
4kg/cm2の処理条件で、前記隔壁材層上に形成された感
光性樹脂組成物層の硬化皮膜のパターンをマスクとし
て、不要部分を研磨除去した。
[(IV) Step of sandblasting using the pattern of the cured film as a mask] Then, a sandblasting machine (SC-3, fine powder type, manufactured by Fuji Manufacturing Co., Ltd.)
With a silicon oxide abrasive (average particle size 8 μm, maximum particle size 2
0 μm), under the processing conditions of the injection amount of 650 g / min and the processing pressure of 4 kg / cm 2 , unnecessary using the pattern of the cured film of the photosensitive resin composition layer formed on the partition wall material layer as a mask. Portions were removed by polishing.

【0049】〔(V)硬化皮膜のパターンを除去する工
程〕次いで、40℃の5重量%水酸化ナトリウム水溶液
に、5分間浸漬して感光性樹脂組成物層の硬化皮膜のパ
ターンを剥離し、次いで、530℃で10分間焼成し、
隔壁幅90μm、隔壁間480μmの高精度な隔壁が得
られた。
[(V) Step of removing the pattern of the cured film] Next, the photosensitive resin composition layer was immersed in a 5% by weight aqueous solution of sodium hydroxide at 40 ° C. for 5 minutes to peel off the cured film pattern. Then bake at 530 ° C for 10 minutes,
A high-precision partition wall having a partition wall width of 90 μm and a distance between partition walls of 480 μm was obtained.

【0050】[0050]

【発明の効果】請求項1記載の隔壁の製造法は、解像度
とサンドブラスト耐性が優れ、微細で、位置及び寸法精
度の高い隔壁を製造することができる。請求項2記載の
隔壁の製造法は、請求項1記載の隔壁の製造法の効果を
奏し、さらに環境衛生性が優れる。請求項3記載の隔壁
の製造法は、請求項1又は2記載の隔壁の製造法の効果
を奏し、より解像度とサンドブラスト耐性が優れる。請
求項4記載の隔壁の製造法は、請求項1、2又は3記載
の隔壁の製造法の効果を奏し、より環境衛生性が優れ、
さらに作業性が優れる。
According to the method for manufacturing a partition according to the first aspect, a partition having excellent resolution and sandblast resistance, and having fineness and high positional and dimensional accuracy can be manufactured. The method for producing a partition according to the second aspect has the effect of the method for producing a partition according to the first aspect, and further has excellent environmental hygiene. The method of manufacturing a partition according to the third aspect has the effect of the method of manufacturing a partition according to the first or second aspect, and is more excellent in resolution and sandblast resistance. The method for producing a partition according to claim 4 has the effect of the method for producing a partition according to claim 1, 2 or 3, and is more excellent in environmental health.
Further, the workability is excellent.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の隔壁の製造法の各工程を示した模式図
である。
FIG. 1 is a schematic view showing each step of a method for producing a partition according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 隔壁材層 3 感光性樹脂組成物層 4 フォトマスク 5 活性光線 6 硬化被膜 7 隔壁 REFERENCE SIGNS LIST 1 substrate 2 partition material layer 3 photosensitive resin composition layer 4 photomask 5 actinic ray 6 cured film 7 partition

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03F 7/40 521 G03F 7/40 521 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Agency reference number FI Technical display location G03F 7/40 521 G03F 7/40 521

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に、微小な放電発光領域を区画す
るための隔壁を有するプラズマディスプレイ基板の隔壁
の製造法において、(I)基板上に隔壁材層を形成する
工程、(II)隔壁材層の上に、感光性樹脂組成物層を形
成する工程、(III)感光性樹脂組成物層を、露光、現
像処理して、感光性樹脂組成物層の硬化皮膜のパターン
を形成する工程、(IV)硬化皮膜のパターンをマスクと
してサンドブラスト処理する工程及び(V)硬化皮膜の
パターンを除去する工程を含む工程を行うことを特徴と
するプラズマディスプレイ基板の隔壁の製造法。
1. A method of manufacturing a partition wall of a plasma display substrate having a partition wall for partitioning a minute discharge light emitting region on a substrate, wherein: (I) a step of forming a partition wall material layer on the substrate; Forming a photosensitive resin composition layer on the material layer, (III) exposing and developing the photosensitive resin composition layer to form a cured film pattern of the photosensitive resin composition layer And (IV) a step of sandblasting using the pattern of the cured film as a mask and (V) a step of removing the pattern of the cured film.
【請求項2】 感光性樹脂組成物層が、 (a)カルボキシル基を有する熱可塑性重合体、 (b)ペンタメチレンカーボネートとヘキサメチレン
カーボネートを5:5の比率で繰返し単位とするコポリ
カーボネートジオールと、 イソホロンジイソシアネートと、 ヒドロキシエチルアクリレート又はヒドロキシエチル
メタクリレート との反応物を含むエチレン性不飽和基含有重合性化合物
及び (c)活性光により遊離ラジカルを生成する光重合開始
剤 を含有してなるものである請求項1記載の隔壁の製造
法。
2. A photosensitive resin composition layer comprising: (a) a thermoplastic polymer having a carboxyl group; (b) a copolycarbonate diol having a repeating unit of pentamethylene carbonate and hexamethylene carbonate in a ratio of 5: 5. An ethylenically unsaturated group-containing polymerizable compound containing a reaction product of isophorone diisocyanate and hydroxyethyl acrylate or hydroxyethyl methacrylate, and (c) a photopolymerization initiator that generates free radicals by active light. The method for producing a partition according to claim 1.
【請求項3】 (b)エチレン性不飽和基含有重合性化
合物が、さらに一般式(1) 【化1】 (式中、R1及びR2は、各々独立に、水素原子又はメチ
ル基を示し、p及びqは、p+qが4〜30となるよう
に選ばれる正の整数である)で表される重合性化合物を
含む請求項1又は2記載の隔壁の製造法。
3. The polymerizable compound having an ethylenically unsaturated group (b) further comprises a compound represented by the general formula (1): (Wherein, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and p and q are positive integers selected so that p + q is 4 to 30). The method for producing a partition according to claim 1, which comprises a hydrophilic compound.
【請求項4】 (II)隔壁材層の上に、感光性樹脂組成
物層を形成する工程が、支持体フィルム上に感光性樹脂
組成物層を積層してなる感光性フィルムを用いて、感光
性樹脂組成物層を形成する工程である請求項1、2又は
3記載の隔壁の製造法。
And (II) forming a photosensitive resin composition layer on the partition wall material layer by using a photosensitive film obtained by laminating a photosensitive resin composition layer on a support film. 4. The method for producing a partition according to claim 1, which is a step of forming a photosensitive resin composition layer.
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