JPH1065277A - 広帯域幅分布型ブラグ反射器を備えた多重波長の表面放射レーザー - Google Patents
広帯域幅分布型ブラグ反射器を備えた多重波長の表面放射レーザーInfo
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- JPH1065277A JPH1065277A JP9169233A JP16923397A JPH1065277A JP H1065277 A JPH1065277 A JP H1065277A JP 9169233 A JP9169233 A JP 9169233A JP 16923397 A JP16923397 A JP 16923397A JP H1065277 A JPH1065277 A JP H1065277A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 異なった波長の光を放射するための多重活性
層を有する多重波長の表面放射レーザーのモノリシック
構造体を提供する。 【解決手段】 多重波長の表面放射レーザーは、多重波
長で光を反射する第１及び第２の広帯域幅分布型ブラグ
反射器１４，３２を有する。表面放射レーザー構造体１
０は、各々のキャビティが異なった波長で光をそれぞれ
放射するための一つ以上の活性層を含む少なくとも二つ
のキャビティ４２，４４を含む。第１の好適な実施態様
においては、第１のキャビティ４２は第１の波長の光を
放射するための第１の活性層１８のみを含み、第２のキ
ャビティ４４は第２波長の光を放射するための第２の活
性層２６のみを含む。第２の層２６は、エピタキシャル
成長が完了する前に、エッチングすることにより第１の
キャビティ４２において除かれる。
層を有する多重波長の表面放射レーザーのモノリシック
構造体を提供する。 【解決手段】 多重波長の表面放射レーザーは、多重波
長で光を反射する第１及び第２の広帯域幅分布型ブラグ
反射器１４，３２を有する。表面放射レーザー構造体１
０は、各々のキャビティが異なった波長で光をそれぞれ
放射するための一つ以上の活性層を含む少なくとも二つ
のキャビティ４２，４４を含む。第１の好適な実施態様
においては、第１のキャビティ４２は第１の波長の光を
放射するための第１の活性層１８のみを含み、第２のキ
ャビティ４４は第２波長の光を放射するための第２の活
性層２６のみを含む。第２の層２６は、エピタキシャル
成長が完了する前に、エッチングすることにより第１の
キャビティ４２において除かれる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多重波長の表面放
射レーザーに関し、特に、多重波長のビームを反射する
ための広帯域幅分布型ブラグ反射器（ＤＢＲ）を備えた
多重波長の表面放射レーザーに関する。
射レーザーに関し、特に、多重波長のビームを反射する
ための広帯域幅分布型ブラグ反射器（ＤＢＲ）を備えた
多重波長の表面放射レーザーに関する。
【０００２】
【従来の技術】アレイの異なった素子から異なった波長
の光ビームを同時に放射することができるレーザーアレ
イのような、アドレス可能なモノリシック多重波長の光
源は、カラー印刷、フルカラーデジタルフィルム記録、
カラーディスプレイ、及び、他の光学記録システムの分
野のような各種の分野で有用である。
の光ビームを同時に放射することができるレーザーアレ
イのような、アドレス可能なモノリシック多重波長の光
源は、カラー印刷、フルカラーデジタルフィルム記録、
カラーディスプレイ、及び、他の光学記録システムの分
野のような各種の分野で有用である。
【０００３】個体としては、半導体発光ダイオード及び
半導体レーザーは、これらの分野の或るものについて
は、電力が不十分であるかもしれない。半導体発光ダイ
オード或いは半導体レーザーのアレイは、全体の電力出
力を増加するために使用することができ、並行処理を提
供し、光学系の設計を簡単にする。アレイは、アレイの
発光素子の互いの良好な光学的な整列を提供して維持す
るために、また、付随する組み立ての工数を最小にする
ために、発光素子が単一の半導体基板の上にあるように
モノリシック構造体で製造される。
半導体レーザーは、これらの分野の或るものについて
は、電力が不十分であるかもしれない。半導体発光ダイ
オード或いは半導体レーザーのアレイは、全体の電力出
力を増加するために使用することができ、並行処理を提
供し、光学系の設計を簡単にする。アレイは、アレイの
発光素子の互いの良好な光学的な整列を提供して維持す
るために、また、付随する組み立ての工数を最小にする
ために、発光素子が単一の半導体基板の上にあるように
モノリシック構造体で製造される。
【０００４】そのようなアレイが持つ一つの問題は、個
々の発光素子の間で電気的及び光学的な隔離を維持する
ことである。別の問題は、隔離を維持し、熱放散の問題
を避け、そして、素子の正確な整列を提供しながら、素
子を一緒に密接して配置することにより、基板内の発光
素子の密度を増加させることである。
々の発光素子の間で電気的及び光学的な隔離を維持する
ことである。別の問題は、隔離を維持し、熱放散の問題
を避け、そして、素子の正確な整列を提供しながら、素
子を一緒に密接して配置することにより、基板内の発光
素子の密度を増加させることである。
【０００５】別の問題は、アレイ内の各々の個々の発光
素子を、独立にアドレス可能とすることである。発光素
子が高い密度で近接して配置されるに従って、各々の素
子に、別々に個別的に、且つ、独立して光を放射させる
ことは困難になる。
素子を、独立にアドレス可能とすることである。発光素
子が高い密度で近接して配置されるに従って、各々の素
子に、別々に個別的に、且つ、独立して光を放射させる
ことは困難になる。
【０００６】また、高密度に対する問題は、個々の密接
して配置された放射光ビームを容易に分離或いは検出す
る必要があるということである。典型的には、ビーム分
離は、アレイの異なった素子から異なった波長の光ビー
ムを同時に放射するアレイを有することによって成し遂
げられる。
して配置された放射光ビームを容易に分離或いは検出す
る必要があるということである。典型的には、ビーム分
離は、アレイの異なった素子から異なった波長の光ビー
ムを同時に放射するアレイを有することによって成し遂
げられる。
【０００７】半導体レーザーは、典型的には端面エミッ
タである。光は、半導体層のモノリシック構造体の端面
から放射される。別の構造体は、光が半導体層のモノリ
シック構造体の表面から放射される表面エミッタであ
る。
タである。光は、半導体層のモノリシック構造体の端面
から放射される。別の構造体は、光が半導体層のモノリ
シック構造体の表面から放射される表面エミッタであ
る。
【０００８】表面放射半導体光源は、端面エミッタに対
していくつかの利点を有する。表面エミッタの光放射表
面は、端面エミッタのそれより大きい。表面エミッタ
は、端面エミッタより光を放射するために少ない電力し
か必要としない。端面エミッタでは必要なへき開とミラ
ーパッシベーションが除かれるので、表面放射レーザー
の製造は、端面放射レーザーの製造よりは複雑でないよ
うにすることができる。端面放射源よりも表面放射源の
方が、レーザーエミッタの密度を高くすることができ
る。
していくつかの利点を有する。表面エミッタの光放射表
面は、端面エミッタのそれより大きい。表面エミッタ
は、端面エミッタより光を放射するために少ない電力し
か必要としない。端面エミッタでは必要なへき開とミラ
ーパッシベーションが除かれるので、表面放射レーザー
の製造は、端面放射レーザーの製造よりは複雑でないよ
うにすることができる。端面放射源よりも表面放射源の
方が、レーザーエミッタの密度を高くすることができ
る。
【０００９】米国特許第５，３１９，６５５号明細書
は、多重波長の垂直キャビティ表面放射レーザーについ
ての基礎として、表面スキミング構造体を使用する。し
かしながら、この構造体の各々のレーザーは、活性層と
活性層の間、或いは、活性層とより上のＤＢＲの間を分
離させることなく、分布型ブラグ反射器（ＤＢＲ）の間
に活性層の間に挟まれた、一つ、二つ、或いは三つの活
性層を含む。一つの活性層を持つレーザーの活性層が、
ＤＢＲからの反射によって確立された光学的定在波のピ
ークに配置されるけれども、二つの活性層を含むレーザ
ーの放出活性層は、そのレーザーの光学的定在波に対し
て不整列である。同様に、三つの活性層を含むレーザー
の放出活性層は、そのレーザーの光学的定在波に対して
一層不整列である。このように、前記特許で教示された
表面放射レーザーは、非能率であり、過度に高い閾値を
有しており、また、近接して配置された波長に限定され
る。レーザーの不十分な効率と高い閾値が、近接して配
置されたエミッタを有するレーザーにおいて不十分な光
学特性、たとえば、過度の電力垂下及びレーザー間のク
ロストークを引き起こすので、多重波長の表面放射レー
ザーのアレイは、光学記録の分野で有用とするために、
最小の閾値と最大の効率を有するように設計されなけれ
ばならない。
は、多重波長の垂直キャビティ表面放射レーザーについ
ての基礎として、表面スキミング構造体を使用する。し
かしながら、この構造体の各々のレーザーは、活性層と
活性層の間、或いは、活性層とより上のＤＢＲの間を分
離させることなく、分布型ブラグ反射器（ＤＢＲ）の間
に活性層の間に挟まれた、一つ、二つ、或いは三つの活
性層を含む。一つの活性層を持つレーザーの活性層が、
ＤＢＲからの反射によって確立された光学的定在波のピ
ークに配置されるけれども、二つの活性層を含むレーザ
ーの放出活性層は、そのレーザーの光学的定在波に対し
て不整列である。同様に、三つの活性層を含むレーザー
の放出活性層は、そのレーザーの光学的定在波に対して
一層不整列である。このように、前記特許で教示された
表面放射レーザーは、非能率であり、過度に高い閾値を
有しており、また、近接して配置された波長に限定され
る。レーザーの不十分な効率と高い閾値が、近接して配
置されたエミッタを有するレーザーにおいて不十分な光
学特性、たとえば、過度の電力垂下及びレーザー間のク
ロストークを引き起こすので、多重波長の表面放射レー
ザーのアレイは、光学記録の分野で有用とするために、
最小の閾値と最大の効率を有するように設計されなけれ
ばならない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、異な
った波長の光を放射するための多重活性層を有する多重
波長の表面放射レーザーのモノリシック構造体を提供す
ることであり、そこでは、エッチングが、狭いバンドギ
ャップの長い波長の活性層の一部を除去して、広いバン
ドギャップの短い波長の活性層で光を放射させる。
った波長の光を放射するための多重活性層を有する多重
波長の表面放射レーザーのモノリシック構造体を提供す
ることであり、そこでは、エッチングが、狭いバンドギ
ャップの長い波長の活性層の一部を除去して、広いバン
ドギャップの短い波長の活性層で光を放射させる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、多重波
長の表面放射レーザーは、多重波長で光を反射する第１
及び第２の広帯域幅分布型ブラグ反射器（ＤＢＲ）を有
する。表面放射レーザー構造体は、少なくとも二つのキ
ャビティから成り、各々のキャビティは、異なった波長
で光をそれぞれ放射するための一つ以上の活性層を含
む。第１の好適な実施態様においては、第１のキャビテ
ィは第１の波長の光を放射するための第１の活性層のみ
を含み、第２のキャビティは第２の波長の光を放射する
ための第２の活性層のみを含む。
長の表面放射レーザーは、多重波長で光を反射する第１
及び第２の広帯域幅分布型ブラグ反射器（ＤＢＲ）を有
する。表面放射レーザー構造体は、少なくとも二つのキ
ャビティから成り、各々のキャビティは、異なった波長
で光をそれぞれ放射するための一つ以上の活性層を含
む。第１の好適な実施態様においては、第１のキャビテ
ィは第１の波長の光を放射するための第１の活性層のみ
を含み、第２のキャビティは第２の波長の光を放射する
ための第２の活性層のみを含む。
【００１２】二重波長表面放射レーザーのための好適な
実施態様においては、第１のキャビティは第１の波長の
光を放射するための第１の活性層を含み、第２のキャビ
ティは第１及び第２の活性層を含み、第２の長い波長の
光のみを放射する。第２の層は、エピタキシャル成長が
完了する前にエッチングすることにより、第１のキャビ
ティにおいて除かれた。
実施態様においては、第１のキャビティは第１の波長の
光を放射するための第１の活性層を含み、第２のキャビ
ティは第１及び第２の活性層を含み、第２の長い波長の
光のみを放射する。第２の層は、エピタキシャル成長が
完了する前にエッチングすることにより、第１のキャビ
ティにおいて除かれた。
【００１３】
【発明の実施の形態】ここで図１を参照すると、本発明
の第１の実施態様のような、高密度の独立にアドレス可
能な二重波長表面放射のモノリシックレーザー構造体１
０が例示されている。
の第１の実施態様のような、高密度の独立にアドレス可
能な二重波長表面放射のモノリシックレーザー構造体１
０が例示されている。
【００１４】モノリシックレーザー構造体１０は、当該
技術分野で周知のように、有機金属の化学蒸着法（ＭＯ
ＣＶＤ）のような技術で製造することができる。この実
施態様においては、モノリシックレーザー構造体１０は
多ステップ（選択的）成長手法で製造される。この構造
体１０は、その上にｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓとｎ−Ａｌ
Ａｓの交互層の第１のすなわち下側広帯域幅ＤＢＲ１４
が第１にエピタキシャル成長技術でデポジットされたｎ
−ＧａＡｓの基板１２、公称厚み５ｎｍであるｎ−Ｇａ
ＩｎＰの第１のエッチストップ層１５、２０〜２００ｎ
ｍの厚みのｎ−（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．５
＜ｘ＜１．０）の第１の下側スペーサ層１６、活性量子
井戸や障壁や閉じ込め層の数に依存する８〜４００ｎｍ
の厚みのＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの第１の活性層構造体
１８、２０〜２００ｎｍの厚みのｐ−（ＡｌxＧａ1-x）
0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．５＜ｘ＜ｌ．０）の第１の上側スペ
ーサ層２０、及び、公称厚み５ｎｍのｐ−ＧａＡｓまた
はｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐのコンタクト／キャップ層２２
を含む。第１の下側スペーサ層１６と第１の上側スペー
サ層２０の厚みは、活性層構造体１８が、λ1キャビテ
ィ４２における光学的定在波のピークに位置するように
選択される。
技術分野で周知のように、有機金属の化学蒸着法（ＭＯ
ＣＶＤ）のような技術で製造することができる。この実
施態様においては、モノリシックレーザー構造体１０は
多ステップ（選択的）成長手法で製造される。この構造
体１０は、その上にｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓとｎ−Ａｌ
Ａｓの交互層の第１のすなわち下側広帯域幅ＤＢＲ１４
が第１にエピタキシャル成長技術でデポジットされたｎ
−ＧａＡｓの基板１２、公称厚み５ｎｍであるｎ−Ｇａ
ＩｎＰの第１のエッチストップ層１５、２０〜２００ｎ
ｍの厚みのｎ−（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．５
＜ｘ＜１．０）の第１の下側スペーサ層１６、活性量子
井戸や障壁や閉じ込め層の数に依存する８〜４００ｎｍ
の厚みのＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの第１の活性層構造体
１８、２０〜２００ｎｍの厚みのｐ−（ＡｌxＧａ1-x）
0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．５＜ｘ＜ｌ．０）の第１の上側スペ
ーサ層２０、及び、公称厚み５ｎｍのｐ−ＧａＡｓまた
はｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐのコンタクト／キャップ層２２
を含む。第１の下側スペーサ層１６と第１の上側スペー
サ層２０の厚みは、活性層構造体１８が、λ1キャビテ
ィ４２における光学的定在波のピークに位置するように
選択される。
【００１５】第１のエピタキシーに続いて、これらの層
は、例えばＳｉＯ2またはＳｉ3Ｎ4のパターン化された
マスクを通ってエッチストップ層１５まで局所的にエッ
チングされる。その位置に残ったマスクは、更に選択的
なエピタキシャル成長のためのマスクとして作用するの
で、右側のレーザー４４についての層は、エッチングさ
れた領域においてエピタキシャル成長技術でデポジット
され、このようにして、異なった波長の並設されたレー
ザー構造体が生成される。第２のエピタキシーで成長し
た層は、２０〜２００ｎｍの厚みのｎ−（ＡｌxＧ
ａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．５＜ｘ＜１．０）の第２の
下側スペーサ層２４、活性量子井戸や障壁や閉じ込め層
の数に依存する８〜４００ｎｍの厚みのＧａＩｎＰ／Ａ
ｌＧａＩｎＰまたはＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの第２の活
性層構造体２６、２０〜２００ｎｍの厚みのｐ−（Ａｌ
xＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．５＜ｘ＜１．０）の第２
の上側スペーサ層２８、及び、公称厚み５ｎｍのｐ−Ｇ
ａＡｓまたはｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐのコンタクト／キャ
ップ層３０である。第２の下側スペーサ層２４と第２の
上側スペーサ層２８の厚みは、活性層構造体２６が、λ
2キャビティ４４における光学的定在波のピークに位置
するように選択される。右側の層の成長に続いて成長マ
スクは除去され、ｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓとｎ−ＡｌＡ
ｓの交互層の第２のすなわち上側広帯域幅ＤＢＲ３２
が、両方のレーザーキャビティの上で成長する。次い
で、コンタクト層２２及び３０を露出させるために、横
方向にパターン化され、横方向閉じ込め構造体が、当該
技術分野で周知のいくつかの技術の一つによって形成さ
れる。このプロセスはＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓとＡｌＧ
ａＩｎＰ／ＧａＩｎＰ材料の両方へ適用することができ
るので、本発明の好適な実施態様は、注入電流を閉じ込
めるためにプロトン植え込み領域３４を使用する。電流
閉じ込めチャンネルの形成に続いて、それぞれコンタク
ト金属３６及び３８をデポジットすることにより、コン
タクトが第１及び第２のレーザーキャビティに形成され
る。別法として、上側ＤＢＲのデポジションの前に横方
向レーザー構造体４２及び４４を形成することができ
る。
は、例えばＳｉＯ2またはＳｉ3Ｎ4のパターン化された
マスクを通ってエッチストップ層１５まで局所的にエッ
チングされる。その位置に残ったマスクは、更に選択的
なエピタキシャル成長のためのマスクとして作用するの
で、右側のレーザー４４についての層は、エッチングさ
れた領域においてエピタキシャル成長技術でデポジット
され、このようにして、異なった波長の並設されたレー
ザー構造体が生成される。第２のエピタキシーで成長し
た層は、２０〜２００ｎｍの厚みのｎ−（ＡｌxＧ
ａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．５＜ｘ＜１．０）の第２の
下側スペーサ層２４、活性量子井戸や障壁や閉じ込め層
の数に依存する８〜４００ｎｍの厚みのＧａＩｎＰ／Ａ
ｌＧａＩｎＰまたはＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの第２の活
性層構造体２６、２０〜２００ｎｍの厚みのｐ−（Ａｌ
xＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．５＜ｘ＜１．０）の第２
の上側スペーサ層２８、及び、公称厚み５ｎｍのｐ−Ｇ
ａＡｓまたはｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐのコンタクト／キャ
ップ層３０である。第２の下側スペーサ層２４と第２の
上側スペーサ層２８の厚みは、活性層構造体２６が、λ
2キャビティ４４における光学的定在波のピークに位置
するように選択される。右側の層の成長に続いて成長マ
スクは除去され、ｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓとｎ−ＡｌＡ
ｓの交互層の第２のすなわち上側広帯域幅ＤＢＲ３２
が、両方のレーザーキャビティの上で成長する。次い
で、コンタクト層２２及び３０を露出させるために、横
方向にパターン化され、横方向閉じ込め構造体が、当該
技術分野で周知のいくつかの技術の一つによって形成さ
れる。このプロセスはＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓとＡｌＧ
ａＩｎＰ／ＧａＩｎＰ材料の両方へ適用することができ
るので、本発明の好適な実施態様は、注入電流を閉じ込
めるためにプロトン植え込み領域３４を使用する。電流
閉じ込めチャンネルの形成に続いて、それぞれコンタク
ト金属３６及び３８をデポジットすることにより、コン
タクトが第１及び第２のレーザーキャビティに形成され
る。別法として、上側ＤＢＲのデポジションの前に横方
向レーザー構造体４２及び４４を形成することができ
る。
【００１６】標準的な蒸着技術が、第１及び第２のレー
ザー４２及び４４への金属コンタクトを形成するために
用いられる。第１のレーザーキャビティ４２のｐ側すな
わち上側は、コンタクト／キャップ層２２の頂部表面の
上のＣｒ−Ａｕ或いはＴｉ−Ｐｔ−Ａｕの環状金属コン
タクト３６を備えた構造体の非エッチング部分の上に接
触する。第２のレーザーキャビティ４４のｐ側すなわち
上側は、コンタクト／キャップ層３０の頂部表面の上の
Ｃｒ−Ａｕ或いはＴｉ−Ｐｔ−Ａｕの環状金属コンタク
ト３８を備えた構造体のエッチングされて再成長した部
分の上に接触する。第２のレーザーキャビティ４４のｎ
側すなわち下側へのコンタクト４０は、合金にされたＡ
ｕ−Ｇｅ金属化と、これに続く、基板の底部表面１２の
上へのＣｒ−Ａｕ或いはＴｉ−Ｐｔ−Ａｕによって提供
される。コンタクト４０は、レーザーキャビティ４２及
び４４の両方に共通している。
ザー４２及び４４への金属コンタクトを形成するために
用いられる。第１のレーザーキャビティ４２のｐ側すな
わち上側は、コンタクト／キャップ層２２の頂部表面の
上のＣｒ−Ａｕ或いはＴｉ−Ｐｔ−Ａｕの環状金属コン
タクト３６を備えた構造体の非エッチング部分の上に接
触する。第２のレーザーキャビティ４４のｐ側すなわち
上側は、コンタクト／キャップ層３０の頂部表面の上の
Ｃｒ−Ａｕ或いはＴｉ−Ｐｔ−Ａｕの環状金属コンタク
ト３８を備えた構造体のエッチングされて再成長した部
分の上に接触する。第２のレーザーキャビティ４４のｎ
側すなわち下側へのコンタクト４０は、合金にされたＡ
ｕ−Ｇｅ金属化と、これに続く、基板の底部表面１２の
上へのＣｒ−Ａｕ或いはＴｉ−Ｐｔ−Ａｕによって提供
される。コンタクト４０は、レーザーキャビティ４２及
び４４の両方に共通している。
【００１７】広帯域幅ＤＢＲ１４は、ｎ−Ａｌ0.5Ｇａ
0.5Ａｓとｎ−ＡｌＡｓの６０〜１２０の交互層から成
る。例えば、ＤＢＲは、通常、半導体におけるλ1とλ2
の平均である設計波長において、６０個の１／４波長ス
タックとすることができる。半導体層の厚みは、赤及び
赤外線に関しては、１／４波長または公称５０ｎｍであ
る。第１のすなわち下側ｎ−ＤＢＲ１４は、ほぼ５ミク
ロン厚であろう。
0.5Ａｓとｎ−ＡｌＡｓの６０〜１２０の交互層から成
る。例えば、ＤＢＲは、通常、半導体におけるλ1とλ2
の平均である設計波長において、６０個の１／４波長ス
タックとすることができる。半導体層の厚みは、赤及び
赤外線に関しては、１／４波長または公称５０ｎｍであ
る。第１のすなわち下側ｎ−ＤＢＲ１４は、ほぼ５ミク
ロン厚であろう。
【００１８】第２のすなわち上側ｐ−ＤＢＲ３２は、ド
ープされておらず、ｎ導電形ではない点を除いて、第１
のすなわち下側ｎ−ＤＢＲ１４に類似させることができ
る。このように、この広帯域幅ＤＢＲ３２は、第１の活
性層と第２の活性層の両方から放射された光の波長にお
いて反射することになる。好適には、広帯域幅ＤＢＲ３
２は、Ａｌ0.5Ｇａ0.5ＡｓとＡｌＡｓ酸化物の１０〜２
０の交互層から成る。例えば、ＤＢＲは、設計波長にお
いて、１０個の１／４波長スタックとすることができ
る。Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓと酸化ＡｌＡｓ層の厚みは１／
４波長であり、これはＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓで公称５０ｎ
ｍであり、酸化ＡｌＡｓ層で公称１２０ｎｍである。第
２のすなわち上側Ｐ−ＤＢＲは、ほぼ０．８５ミクロン
厚であろう。
ープされておらず、ｎ導電形ではない点を除いて、第１
のすなわち下側ｎ−ＤＢＲ１４に類似させることができ
る。このように、この広帯域幅ＤＢＲ３２は、第１の活
性層と第２の活性層の両方から放射された光の波長にお
いて反射することになる。好適には、広帯域幅ＤＢＲ３
２は、Ａｌ0.5Ｇａ0.5ＡｓとＡｌＡｓ酸化物の１０〜２
０の交互層から成る。例えば、ＤＢＲは、設計波長にお
いて、１０個の１／４波長スタックとすることができ
る。Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓと酸化ＡｌＡｓ層の厚みは１／
４波長であり、これはＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓで公称５０ｎ
ｍであり、酸化ＡｌＡｓ層で公称１２０ｎｍである。第
２のすなわち上側Ｐ−ＤＢＲは、ほぼ０．８５ミクロン
厚であろう。
【００１９】この構造体の利点は、左及び右のレーザー
に関しての活性層とスペーサ層を、各々の波長に関して
個別に最適化することができることである。更なる利点
は、各々の活性層構造体がそのそれぞれのキャビティに
おいて光学的定在波のピークに位置するように、独立し
てスペーサ層の厚みを調整することができることであ
る。
に関しての活性層とスペーサ層を、各々の波長に関して
個別に最適化することができることである。更なる利点
は、各々の活性層構造体がそのそれぞれのキャビティに
おいて光学的定在波のピークに位置するように、独立し
てスペーサ層の厚みを調整することができることであ
る。
【００２０】第１のレーザーキャビティ４２は、モノリ
シック構造体１０内の非エッチング部の下にあり、コン
タクト／キャップ層２２、第１の上側スペーサ層２０、
第１の活性層構造体１８、第１の下側スペーサ層１６、
及び、第１のエッチストップ層１５から成る。
シック構造体１０内の非エッチング部の下にあり、コン
タクト／キャップ層２２、第１の上側スペーサ層２０、
第１の活性層構造体１８、第１の下側スペーサ層１６、
及び、第１のエッチストップ層１５から成る。
【００２１】第２のレーザーキャビティ４４は、モノリ
シック構造体１０内のエッチングされた部分の下にあ
り、第２の上側スペーサ層２８、第２の活性層構造体２
６、第２の下側スペーサ層２４、及び、エッチストップ
層１５から成る。
シック構造体１０内のエッチングされた部分の下にあ
り、第２の上側スペーサ層２８、第２の活性層構造体２
６、第２の下側スペーサ層２４、及び、エッチストップ
層１５から成る。
【００２２】ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの第１の活性層構
造体１８は、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ、または、Ｇ
ａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの第２の活性層構造体２６より狭
いバンドギャップを有しており、したがって、第１の活
性層１８は、第２の活性層２６より長い第１の波長のレ
ーザー光線を発することになる。この図示された例にお
いては、ＧａＡｓ或いはＡｌＧａＡｓの第１の活性層
は、赤外線でレーザー光線を発することになる。
造体１８は、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ、または、Ｇ
ａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの第２の活性層構造体２６より狭
いバンドギャップを有しており、したがって、第１の活
性層１８は、第２の活性層２６より長い第１の波長のレ
ーザー光線を発することになる。この図示された例にお
いては、ＧａＡｓ或いはＡｌＧａＡｓの第１の活性層
は、赤外線でレーザー光線を発することになる。
【００２３】ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ或いはＧａＡ
ｓ／ＡｌＧａＡｓの第２の活性層構造体２６は、ＧａＡ
ｓ／ＡｌＧａＡｓの第１の活性層構造体１８より広いバ
ンドギャップを有しており、したがって、第２の活性層
２６は、第１の活性層構造体１８より短い第２の波長で
レーザー光線を発することになる。この図示された例に
おいては、ＧａＩｎＰの第２の活性層は、赤でレーザー
光線を発することになる。
ｓ／ＡｌＧａＡｓの第２の活性層構造体２６は、ＧａＡ
ｓ／ＡｌＧａＡｓの第１の活性層構造体１８より広いバ
ンドギャップを有しており、したがって、第２の活性層
２６は、第１の活性層構造体１８より短い第２の波長で
レーザー光線を発することになる。この図示された例に
おいては、ＧａＩｎＰの第２の活性層は、赤でレーザー
光線を発することになる。
【００２４】第１のコンタクト３６と共通コンタクト４
０に印加された電圧は、第１のレーザーキャビティ４２
の第１の活性層１８に、上側ＤＢＲ３２を通る第１の波
長の光の放射を生じさせる。第１のキャビティ４２は、
第１の活性層１８のみを含む。
０に印加された電圧は、第１のレーザーキャビティ４２
の第１の活性層１８に、上側ＤＢＲ３２を通る第１の波
長の光の放射を生じさせる。第１のキャビティ４２は、
第１の活性層１８のみを含む。
【００２５】第２のコンタクト３８と共通コンタクト４
０に印加された電圧は、第２のレーザーキャビティ４４
の第２の活性層２６に、上側ＤＢＲ３２を通る第２の波
長の光の放射を生じさせる。第２のキャビティ４４は、
第２の活性層２６のみを含む。
０に印加された電圧は、第２のレーザーキャビティ４４
の第２の活性層２６に、上側ＤＢＲ３２を通る第２の波
長の光の放射を生じさせる。第２のキャビティ４４は、
第２の活性層２６のみを含む。
【００２６】図１の構造体１０の各々のレーザーは、適
切な波長の放射のために設計された一つのみの活性層を
含む。
切な波長の放射のために設計された一つのみの活性層を
含む。
【００２７】ここで図２を参照すると、そこでは、本発
明の第２の実施態様として、高密度で独立にアドレス可
能な二重波長の表面放射モノリシックレーザー構造体１
１０が図示されている。
明の第２の実施態様として、高密度で独立にアドレス可
能な二重波長の表面放射モノリシックレーザー構造体１
１０が図示されている。
【００２８】当該技術分野で周知のように、有機金属の
化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ）のような技術によりモノリシ
ックレーザー構造体１１０を製造することができる。こ
の実施態様においては、モノリシックレーザー構造体１
１０は、その上にＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓと非ドープのＡｌ
Ａｓの非ドープの交互層の第１のすなわち下側広帯域幅
ＤＢＲ１１４がエピタキシャル成長技術でデポジットさ
れた半絶縁のＧａＡｓの基板１１２、２０〜２００ｎｍ
厚の非ドープのＡｌxＧａ1-xＡｓ（０．５＜ｘ＜０．
８）の第１のすなわち下側スペーサ層１１６、８〜１０
ｎｍ厚のＧａＡｓＡｌyＧａ1-yＡｓ（０＜ｙ＜０．３）
の第１のすなわち下側活性量子井戸層１１８、２０〜２
００ｎｍ厚の非ドープのＡｌxＧａ1-xＡｓ（０．５＜ｘ
＜０．８）の第２のすなわち下側中間スペーサ層１２
０、公称厚み５ｎｍのＧａＡｓまたはＧａＩｎＰのエッ
チストップ層１２２、２０〜２００ｎｍ厚の非ドープの
ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０．５＜ｘ＜０．８）の第３のすな
わち上側中間スペーサ層１２４、８〜１０ｎｍ厚のＡｌ
yＧａ1-yＡｓ（０＜ｙ＜０．３）ＧａＡｓの第２のすな
わち上側活性量子井戸層１２６、２０〜２００ｎｍ厚の
非ドープのＡｌxＧａ1 -xＡｓ（０．５＜ｘ＜０．８）の
第４のすなわち上側スペーサ層１２８、及び、４〜１０
ｎｍ厚のＧａＡｓまたはＧａＩｎＰの保護層１３０を含
む。
化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ）のような技術によりモノリシ
ックレーザー構造体１１０を製造することができる。こ
の実施態様においては、モノリシックレーザー構造体１
１０は、その上にＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓと非ドープのＡｌ
Ａｓの非ドープの交互層の第１のすなわち下側広帯域幅
ＤＢＲ１１４がエピタキシャル成長技術でデポジットさ
れた半絶縁のＧａＡｓの基板１１２、２０〜２００ｎｍ
厚の非ドープのＡｌxＧａ1-xＡｓ（０．５＜ｘ＜０．
８）の第１のすなわち下側スペーサ層１１６、８〜１０
ｎｍ厚のＧａＡｓＡｌyＧａ1-yＡｓ（０＜ｙ＜０．３）
の第１のすなわち下側活性量子井戸層１１８、２０〜２
００ｎｍ厚の非ドープのＡｌxＧａ1-xＡｓ（０．５＜ｘ
＜０．８）の第２のすなわち下側中間スペーサ層１２
０、公称厚み５ｎｍのＧａＡｓまたはＧａＩｎＰのエッ
チストップ層１２２、２０〜２００ｎｍ厚の非ドープの
ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０．５＜ｘ＜０．８）の第３のすな
わち上側中間スペーサ層１２４、８〜１０ｎｍ厚のＡｌ
yＧａ1-yＡｓ（０＜ｙ＜０．３）ＧａＡｓの第２のすな
わち上側活性量子井戸層１２６、２０〜２００ｎｍ厚の
非ドープのＡｌxＧａ1 -xＡｓ（０．５＜ｘ＜０．８）の
第４のすなわち上側スペーサ層１２８、及び、４〜１０
ｎｍ厚のＧａＡｓまたはＧａＩｎＰの保護層１３０を含
む。
【００２９】第２の活性層１２６は、エッチングのため
の保護層１３０の成長の後で停止させることにより、モ
ノリシックレーザー構造体１１０の一部から選択的に除
去される。第１のエピタキシーに続いて、これらの層は
エッチストップ層１２２の頂部まで、例えばＳｉＯ2ま
たはＳｉ3Ｎ4のパターン化されたマスクを通して局所的
にエッチングされる。このエッチングは、保護層１３
０、上側スペーサ層１２８、上側活性量子井戸層１２
６、及び、上側中間スペーサ層１２４の一部を選択的に
除去する。上側中間スペーサ層１２４の下に埋め込まれ
たＧａＡｓまたはＧａＩｎＰの薄いエッチストップ層１
２２は、エッチングされた領域の次の再成長のためのエ
ッチストップ層及び保護層として作用する。同様に、保
護層１３０はＡｌを含まない（Ａｌ−ｆｒｅｅ）表面を
提供し、選択的にエッチングした後、上側ＤＢＲ１３２
を再成長させる。
の保護層１３０の成長の後で停止させることにより、モ
ノリシックレーザー構造体１１０の一部から選択的に除
去される。第１のエピタキシーに続いて、これらの層は
エッチストップ層１２２の頂部まで、例えばＳｉＯ2ま
たはＳｉ3Ｎ4のパターン化されたマスクを通して局所的
にエッチングされる。このエッチングは、保護層１３
０、上側スペーサ層１２８、上側活性量子井戸層１２
６、及び、上側中間スペーサ層１２４の一部を選択的に
除去する。上側中間スペーサ層１２４の下に埋め込まれ
たＧａＡｓまたはＧａＩｎＰの薄いエッチストップ層１
２２は、エッチングされた領域の次の再成長のためのエ
ッチストップ層及び保護層として作用する。同様に、保
護層１３０はＡｌを含まない（Ａｌ−ｆｒｅｅ）表面を
提供し、選択的にエッチングした後、上側ＤＢＲ１３２
を再成長させる。
【００３０】モノリシックレーザー構造体１１０の形成
は、エッチングの後にマスクを除去し、非エッチング部
分の保護層１３０の上とＡｌ0.5Ｇａ0.5ＡｓとＡｌＡｓ
の交互層の第２のすなわち上側広帯域幅ＤＢＲ１３２の
エッチング部分のエッチストップ層１２２の上のエピタ
キシャルのデポジションが続き、頂部表面１３６を備え
た５〜１００ｎｍ厚のＧａＡｓのキャップ層１３４が続
く。
は、エッチングの後にマスクを除去し、非エッチング部
分の保護層１３０の上とＡｌ0.5Ｇａ0.5ＡｓとＡｌＡｓ
の交互層の第２のすなわち上側広帯域幅ＤＢＲ１３２の
エッチング部分のエッチストップ層１２２の上のエピタ
キシャルのデポジションが続き、頂部表面１３６を備え
た５〜１００ｎｍ厚のＧａＡｓのキャップ層１３４が続
く。
【００３１】再成長の完了後に、表面放射レーザーキャ
ビティ１３８と１４０は、いくつかの周知技術の一つに
よって形成される。
ビティ１３８と１４０は、いくつかの周知技術の一つに
よって形成される。
【００３２】第１のレーザーキャビティ１３８は、モノ
リシック構造体１１０内のエッチングされた部分の下に
あり、エッチストップ層１２２、下側中間スペーサ層１
２０、第１の活性量子井戸層１１８、及び、下側スペー
サ層１１６から成る。
リシック構造体１１０内のエッチングされた部分の下に
あり、エッチストップ層１２２、下側中間スペーサ層１
２０、第１の活性量子井戸層１１８、及び、下側スペー
サ層１１６から成る。
【００３３】第２のレーザーキャビティ１４０は、モノ
リシック構造体１１０内の非エッチング部分の保護層１
３０の下にあり、上側スペーサ層１２８、第２の活性量
子井戸層１２６、上側中間スペーサ層１２４、エッチス
トップ層１２２、下側中間スペーサ層１２０、第１の活
性量子井戸層１１８、及び、下側スペーサ層１１６から
成る。
リシック構造体１１０内の非エッチング部分の保護層１
３０の下にあり、上側スペーサ層１２８、第２の活性量
子井戸層１２６、上側中間スペーサ層１２４、エッチス
トップ層１２２、下側中間スペーサ層１２０、第１の活
性量子井戸層１１８、及び、下側スペーサ層１１６から
成る。
【００３４】第１及び第２のレーザーキャビティは、半
環状の陰極１４０及び１４２と半環状の陽極１４４及び
１４６により、エピタキシャル成長技術でデポジットさ
れた層の中に規定される。陰極１４０及び１４２は、自
然成長の多重層を無秩序化する不純物導入層によって形
成されたｎ形の広いバンドギャップの材料から成り、そ
れぞれ非ドープの活性層１２６及び１１８のための電子
源として作用する。陽極１４４及び１４６は、自然成長
の多重層を無秩序化する不純物導入層によって形成され
たｐ形の広いバンドギャップの材料から成り、それぞれ
非ドープの活性層１２６及び１１８のためのホール源と
して作用する。陰極１４０及び１４２と陽極１４４及び
１４６は、望ましくは、上側ＤＢＲ１３２を通って下側
スペーサ層１１６或いは下側ＤＢＲ１１４の中まで伸延
して、表面放射レーザーキャビティ１４０及び１３８の
ための円筒形の光学導波管をそれぞれ形成する。プロト
ン打ち込み（図示せず）は、陰極１４０と陽極１４４と
の間で、及び、陰極１４２と陽極１４６との間で電気的
隔離を提供する。
環状の陰極１４０及び１４２と半環状の陽極１４４及び
１４６により、エピタキシャル成長技術でデポジットさ
れた層の中に規定される。陰極１４０及び１４２は、自
然成長の多重層を無秩序化する不純物導入層によって形
成されたｎ形の広いバンドギャップの材料から成り、そ
れぞれ非ドープの活性層１２６及び１１８のための電子
源として作用する。陽極１４４及び１４６は、自然成長
の多重層を無秩序化する不純物導入層によって形成され
たｐ形の広いバンドギャップの材料から成り、それぞれ
非ドープの活性層１２６及び１１８のためのホール源と
して作用する。陰極１４０及び１４２と陽極１４４及び
１４６は、望ましくは、上側ＤＢＲ１３２を通って下側
スペーサ層１１６或いは下側ＤＢＲ１１４の中まで伸延
して、表面放射レーザーキャビティ１４０及び１３８の
ための円筒形の光学導波管をそれぞれ形成する。プロト
ン打ち込み（図示せず）は、陰極１４０と陽極１４４と
の間で、及び、陰極１４２と陽極１４６との間で電気的
隔離を提供する。
【００３５】陰極１４０及び１４２に接続された陰極金
属コンタクト１６０及び１６２と、陽極１４４及び１４
６に接続された陽極金属コンタクト１６４及び１６６を
通してレーザー１３８及び１４０への電気的接続が行わ
れる。頂部表面１３６上にオーミック金属コンタクトを
形成するために、当該技術分野で周知のような標準の技
術が用いられる。
属コンタクト１６０及び１６２と、陽極１４４及び１４
６に接続された陽極金属コンタクト１６４及び１６６を
通してレーザー１３８及び１４０への電気的接続が行わ
れる。頂部表面１３６上にオーミック金属コンタクトを
形成するために、当該技術分野で周知のような標準の技
術が用いられる。
【００３６】ＡｌＧａＡｓの第１の活性層１１８は、Ｇ
ａＡｓの第２の活性層１２６より広いバンドギャップを
有しており、したがって、第１の活性層１１８は、第２
の活性層１２６より短い第１の波長のレーザー光線を発
することになる。この図示された例においては、ＡｌＧ
ａＡｓの第１の活性層は７８０ｎｍでレーザー光線を発
することになる。
ａＡｓの第２の活性層１２６より広いバンドギャップを
有しており、したがって、第１の活性層１１８は、第２
の活性層１２６より短い第１の波長のレーザー光線を発
することになる。この図示された例においては、ＡｌＧ
ａＡｓの第１の活性層は７８０ｎｍでレーザー光線を発
することになる。
【００３７】ＧａＡｓの第２の活性層１２６は、ＡｌＧ
ａＡｓの第１の活性層１１８より狭いバンドギャップを
有しており、したがって、第２の活性層１２６は、第１
の活性層１１８より長い第２の波長のレーザー光線を発
することになる。この図示された例においては、ＧａＡ
ｓの第２の活性層は８３０ｎｍでレーザー光線を発する
ことになる。
ａＡｓの第１の活性層１１８より狭いバンドギャップを
有しており、したがって、第２の活性層１２６は、第１
の活性層１１８より長い第２の波長のレーザー光線を発
することになる。この図示された例においては、ＧａＡ
ｓの第２の活性層は８３０ｎｍでレーザー光線を発する
ことになる。
【００３８】Ａｌ0.5Ｇａ0.5ＡｓとＡｌＡｓの交互層の
第１すなわち下側ＤＢＲ１１４は、広帯域幅の波長を反
射することになる。この広帯域幅ＤＢＲは、第１の活性
層と第２の活性層の両方から放射した光の波長を反射す
ることになる。この図示された例においては、ＤＢＲは
少なくとも７６０ｎｍから８４０ｎｍまで光を反射する
ことになる。
第１すなわち下側ＤＢＲ１１４は、広帯域幅の波長を反
射することになる。この広帯域幅ＤＢＲは、第１の活性
層と第２の活性層の両方から放射した光の波長を反射す
ることになる。この図示された例においては、ＤＢＲは
少なくとも７６０ｎｍから８４０ｎｍまで光を反射する
ことになる。
【００３９】広帯域幅ＤＢＲ１１４は、ｎ−Ａｌ0.5Ｇ
ａ0.5ＡｓとＡｌＡｓの６０〜１２０の交互層から成
る。それは、いずれかの波長でできる限り１に近接した
反射率を有するように設計される。例えば、ＤＢＲは、
半導体においてλ１とλ２の平均であるとされる設計波
長において、６０の１／４波長スタックとすることがで
きる。半導体層の厚みは、例示された波長については、
１／４波長或いは公称５６ｎｍである。第１のすなわち
下側ＤＢＲ１１４は、ほぼ３．５ミクロン厚であろう。
ａ0.5ＡｓとＡｌＡｓの６０〜１２０の交互層から成
る。それは、いずれかの波長でできる限り１に近接した
反射率を有するように設計される。例えば、ＤＢＲは、
半導体においてλ１とλ２の平均であるとされる設計波
長において、６０の１／４波長スタックとすることがで
きる。半導体層の厚みは、例示された波長については、
１／４波長或いは公称５６ｎｍである。第１のすなわち
下側ＤＢＲ１１４は、ほぼ３．５ミクロン厚であろう。
【００４０】第２のすなわち上側ＤＢＲ１３２は、その
反射率が１に近接しているが下側ＤＢＲ１１４のものよ
り小さいを除いて、第１のすなわち下側ＤＢＲ１１４に
類似している。このように、この広帯域幅ＤＢＲ１３２
は、第１の活性層と第２の活性層の両方から放射された
光の波長も反射することになる。広帯域幅ＤＢＲ１３２
は、Ａｌ0.5Ｇａ0.5ＡｓとＡｌＡｓの３０〜６０の交互
層から成る。例えば、ＤＢＲは、設計波長において４０
の１／４波長スタックとすることができる。半導体層の
厚みは、１／４波長或いは公称５６ｎｍである。第２の
すなわち上側ＤＢＲは、ほぼ２．１ミクロン厚であろ
う。
反射率が１に近接しているが下側ＤＢＲ１１４のものよ
り小さいを除いて、第１のすなわち下側ＤＢＲ１１４に
類似している。このように、この広帯域幅ＤＢＲ１３２
は、第１の活性層と第２の活性層の両方から放射された
光の波長も反射することになる。広帯域幅ＤＢＲ１３２
は、Ａｌ0.5Ｇａ0.5ＡｓとＡｌＡｓの３０〜６０の交互
層から成る。例えば、ＤＢＲは、設計波長において４０
の１／４波長スタックとすることができる。半導体層の
厚みは、１／４波長或いは公称５６ｎｍである。第２の
すなわち上側ＤＢＲは、ほぼ２．１ミクロン厚であろ
う。
【００４１】第２の陰極コンタクト１６２と第２の陽極
コンタクト１６６に印加された電圧は、第１のレーザー
キャビティ１３８の活性量子井戸層１１８に、モノリシ
ック構造体１１０の頂部表面１３６内の第１の放射窓１
４８を通る第１の波長の光の放射を生じさせることにな
る。第１のキャビティ１３８は、第１の活性量子井戸層
１１８のみを含む。
コンタクト１６６に印加された電圧は、第１のレーザー
キャビティ１３８の活性量子井戸層１１８に、モノリシ
ック構造体１１０の頂部表面１３６内の第１の放射窓１
４８を通る第１の波長の光の放射を生じさせることにな
る。第１のキャビティ１３８は、第１の活性量子井戸層
１１８のみを含む。
【００４２】第１の陰極コンタクト１６０と第１の陽極
コンタクト１６４に印加された電圧は、第２のレーザー
キャビティ１４０の活性量子井戸層１２６に、モノリシ
ック構造体１１０の頂部表面１３６内の第２の放射窓１
５０を通る第２の波長の光の放射を生じさせることにな
る。
コンタクト１６４に印加された電圧は、第２のレーザー
キャビティ１４０の活性量子井戸層１２６に、モノリシ
ック構造体１１０の頂部表面１３６内の第２の放射窓１
５０を通る第２の波長の光の放射を生じさせることにな
る。
【００４３】第２のレーザーキャビティ１４０は、第１
の活性量子井戸層１１８と第２の活性量子井戸層１２６
の両方を含む。しかしながら、第２の活性量子井戸層１
２６のみが光を放射することになる。
の活性量子井戸層１１８と第２の活性量子井戸層１２６
の両方を含む。しかしながら、第２の活性量子井戸層１
２６のみが光を放射することになる。
【００４４】両方の活性層に電流が印加されると、第２
のキャビティ１４０は、第２の活性層１２６から第２の
長い波長で光を放射する。なぜなら、第２の活性層は狭
いバンドギャップを有しており、注入されたキャリア
は、この構造体の最も低いエネルギー活性層、すなわ
ち、狭いバンドギャップの活性層に優先的に集まるから
である。第１の活性量子井戸層１１８は、第２の波長に
おいて光に対して透過性である。
のキャビティ１４０は、第２の活性層１２６から第２の
長い波長で光を放射する。なぜなら、第２の活性層は狭
いバンドギャップを有しており、注入されたキャリア
は、この構造体の最も低いエネルギー活性層、すなわ
ち、狭いバンドギャップの活性層に優先的に集まるから
である。第１の活性量子井戸層１１８は、第２の波長に
おいて光に対して透過性である。
【００４５】第１のすなわち下側ＤＢＲ１１４は、可能
な限り１に近接するような反射率を有するように構成さ
れる一方、第２のすなわち上側ＤＢＲ１３２は、一方に
近接しているが第１のＤＢＲのものより小さい反射率を
備えるように構成される。
な限り１に近接するような反射率を有するように構成さ
れる一方、第２のすなわち上側ＤＢＲ１３２は、一方に
近接しているが第１のＤＢＲのものより小さい反射率を
備えるように構成される。
【００４６】光は、最上層１３４の頂部表面１３６と実
質的に直角に、上側広帯域幅ＤＢＲ１３２を通って放射
される。したがって、モノリシックレーザー構造体１１
０は表面放射レーザーである。放射された光は、連続波
或いはパルスのいずれかとすることができる。
質的に直角に、上側広帯域幅ＤＢＲ１３２を通って放射
される。したがって、モノリシックレーザー構造体１１
０は表面放射レーザーである。放射された光は、連続波
或いはパルスのいずれかとすることができる。
【００４７】第１及び第２のレーザーキャビティは、二
つのキャビティ（図示せず）の間の溝をエッチングする
ことによって、或いは、二つのキャビティの間の領域の
プロトン打ち込みによって、互いに電気的及び光学的に
隔離することができる。図２で説明したように、キャリ
ア注入が陽極と陰極の間で横方向である実施態様におい
ては、層が非ドープであるので、追加の電気的隔離は要
求されない。
つのキャビティ（図示せず）の間の溝をエッチングする
ことによって、或いは、二つのキャビティの間の領域の
プロトン打ち込みによって、互いに電気的及び光学的に
隔離することができる。図２で説明したように、キャリ
ア注入が陽極と陰極の間で横方向である実施態様におい
ては、層が非ドープであるので、追加の電気的隔離は要
求されない。
【００４８】別法として、当該技術分野で周知のよう
に、単一の活性量子井戸は、適切な障壁層によって分離
された多重量子井戸で置き換えることができる。
に、単一の活性量子井戸は、適切な障壁層によって分離
された多重量子井戸で置き換えることができる。
【００４９】ここで図３を参照すると、そこには、本発
明の第３の実施態様として、高密度で独立にアドレス可
能な二重波長の表面放射モノリシックレーザー構造体２
００が示されている。
明の第３の実施態様として、高密度で独立にアドレス可
能な二重波長の表面放射モノリシックレーザー構造体２
００が示されている。
【００５０】モノリシックレーザー構造体２００は、当
該技術分野で周知のように、有機金属の化学蒸着法（Ｍ
ＯＣＶＤ）のような技術で製造することができる。この
実施態様においては、モノリシックレーザー構造体２０
０は、その上にｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓとｎ−ＡｌＡｓ
の交互層の第１のすなわち下側広帯域幅ＤＢＲ２０４が
エピタキシャル成長技術でデポジットされたｎ−ＧａＡ
ｓの基板２０２、２０〜２００ｎｍ厚のｎ−（ＡｌxＧ
ａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．５＜ｘ＜１．０）の第１の
すなわち下側スペーサ層２０６、８〜１０ｎｍ厚のＧａ
zＩｎ1-zＰの第１のすなわち下側活性量子井戸２０８、
２０〜２００ｎｍ厚のｐ−（ＡｌxＧａ1 -x）0.5Ｉｎ0.5
Ｐ（０．５＜ｘ＜ｌ．０）の第２のすなわち下側中間ス
ペーサ層２１０、公称厚み５ｎｍであるｐ−Ｇａ0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐの第１のエッチストップ層２１２、２０〜２０
０ｎｍ厚のｎ−（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．５
＜ｘ＜１．０）の第３のすなわち上側中間スペーサ層２
１４、８〜１０ｎｍ厚のＡｌyＧａ1-yＡｓ（０＜ｙ＜
０．３）の第２のすなわち上側活性量子井戸層２１６、
２０〜２００ｎｍ厚のｐ−（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5
Ｐ（０．５＜ｘ＜１．０）の第４のすなわち上側スペー
サ層２１８、及び、４〜１０ｎｍ厚のｐ−Ｇａ0. 5Ｉｎ
0.5Ｐ、または、ｐ−ＧａＡｓの保護層２２０から成
る。
該技術分野で周知のように、有機金属の化学蒸着法（Ｍ
ＯＣＶＤ）のような技術で製造することができる。この
実施態様においては、モノリシックレーザー構造体２０
０は、その上にｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓとｎ−ＡｌＡｓ
の交互層の第１のすなわち下側広帯域幅ＤＢＲ２０４が
エピタキシャル成長技術でデポジットされたｎ−ＧａＡ
ｓの基板２０２、２０〜２００ｎｍ厚のｎ−（ＡｌxＧ
ａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．５＜ｘ＜１．０）の第１の
すなわち下側スペーサ層２０６、８〜１０ｎｍ厚のＧａ
zＩｎ1-zＰの第１のすなわち下側活性量子井戸２０８、
２０〜２００ｎｍ厚のｐ−（ＡｌxＧａ1 -x）0.5Ｉｎ0.5
Ｐ（０．５＜ｘ＜ｌ．０）の第２のすなわち下側中間ス
ペーサ層２１０、公称厚み５ｎｍであるｐ−Ｇａ0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐの第１のエッチストップ層２１２、２０〜２０
０ｎｍ厚のｎ−（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．５
＜ｘ＜１．０）の第３のすなわち上側中間スペーサ層２
１４、８〜１０ｎｍ厚のＡｌyＧａ1-yＡｓ（０＜ｙ＜
０．３）の第２のすなわち上側活性量子井戸層２１６、
２０〜２００ｎｍ厚のｐ−（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5
Ｐ（０．５＜ｘ＜１．０）の第４のすなわち上側スペー
サ層２１８、及び、４〜１０ｎｍ厚のｐ−Ｇａ0. 5Ｉｎ
0.5Ｐ、または、ｐ−ＧａＡｓの保護層２２０から成
る。
【００５１】第２の活性層２１６は、エッチングのため
の保護層２２０の成長の後で停止することにより、モノ
リシックレーザー構造体２００の一部から選択的に除去
される。上側中間スペーサ層２１４の下に埋め込まれた
ＧａＩｎＰの薄いエッチストップ層２１２は、エッチス
トップ層とエッチングされた領域における上側ＤＢＲの
エピタキシャル成長のための保護層として作用する。同
様に、保護層２２０は、Ａｌを含まない表面を提供し、
選択的にエッチングした後、非エッチング領域内で上側
ＤＢＲを再成長させる。
の保護層２２０の成長の後で停止することにより、モノ
リシックレーザー構造体２００の一部から選択的に除去
される。上側中間スペーサ層２１４の下に埋め込まれた
ＧａＩｎＰの薄いエッチストップ層２１２は、エッチス
トップ層とエッチングされた領域における上側ＤＢＲの
エピタキシャル成長のための保護層として作用する。同
様に、保護層２２０は、Ａｌを含まない表面を提供し、
選択的にエッチングした後、非エッチング領域内で上側
ＤＢＲを再成長させる。
【００５２】モノリシックレーザー構造体２００の一部
２３０は、当該技術分野で周知のように、マスクによっ
て覆われ、残りの部分２４０は、第１のエッチストップ
層２１２までエッチングされる。したがって、保護層２
２０、上側スペーサ層２１８、第２のすなわち上側活性
量子井戸層２１６、及び、上側中間スペーサ層２１４の
それぞれの一部が除去される。
２３０は、当該技術分野で周知のように、マスクによっ
て覆われ、残りの部分２４０は、第１のエッチストップ
層２１２までエッチングされる。したがって、保護層２
２０、上側スペーサ層２１８、第２のすなわち上側活性
量子井戸層２１６、及び、上側中間スペーサ層２１４の
それぞれの一部が除去される。
【００５３】モノリシックレーザー構造体２００の形成
は、エッチングの後に、マスクを除去して、非エッチン
グ部分の保護層２２０の上、或いは広帯域幅ＤＢＲ２２
４のエッチングされた部分のエッチストップ層２１２の
上にエピタキシャル成長技術でデポジットすることが続
き、頂部表面２２８を備えた１０〜１００ｎｍ厚のｐ−
ＧａＡｓのキャップ層２２６が続く。
は、エッチングの後に、マスクを除去して、非エッチン
グ部分の保護層２２０の上、或いは広帯域幅ＤＢＲ２２
４のエッチングされた部分のエッチストップ層２１２の
上にエピタキシャル成長技術でデポジットすることが続
き、頂部表面２２８を備えた１０〜１００ｎｍ厚のｐ−
ＧａＡｓのキャップ層２２６が続く。
【００５４】第１のレーザーキャビティ２４０は、モノ
リシック構造体２００内のエッチングされた部分の下に
あり、第１のエッチストップ層２１２、第２のすなわち
下側中間スペーサ層２１０、第１の活性量子井戸層２０
８、及び、第１のすなわち下側スペーサ層２０６から成
る。このレーザーキャビティは、いくつかの異なった技
術の一つで形成することができる。例えば、図３の実施
態様は、プロトン打ち込み領域２８０で電流を閉じ込め
ることによる利得導波型キャビティの形成を示す。
リシック構造体２００内のエッチングされた部分の下に
あり、第１のエッチストップ層２１２、第２のすなわち
下側中間スペーサ層２１０、第１の活性量子井戸層２０
８、及び、第１のすなわち下側スペーサ層２０６から成
る。このレーザーキャビティは、いくつかの異なった技
術の一つで形成することができる。例えば、図３の実施
態様は、プロトン打ち込み領域２８０で電流を閉じ込め
ることによる利得導波型キャビティの形成を示す。
【００５５】第２のレーザーキャビティ２３０は、モノ
リシック構造体２００内の非エッチング部分の下にあ
り、保護層２２０、第４のすなわち上側スペーサ層２１
８、第２の活性量子井戸層２１６、第３のすなわち上側
中間スペーサ層２１４、第１のエッチストップ層２１
２、第２のすなわち下側中間スペーサ層２１０、第１の
活性量子井戸層２０８、及び、第１のすなわち下側スペ
ーサ層２０６から成る。レーザーキャビティは、いくつ
かの異なった技術の一つで形成することができる。例え
ば、図３の実施態様は、プロトン打ち込み領域２９０で
電流を閉じ込めることによる利得導波型キャビティの形
成を図示する。
リシック構造体２００内の非エッチング部分の下にあ
り、保護層２２０、第４のすなわち上側スペーサ層２１
８、第２の活性量子井戸層２１６、第３のすなわち上側
中間スペーサ層２１４、第１のエッチストップ層２１
２、第２のすなわち下側中間スペーサ層２１０、第１の
活性量子井戸層２０８、及び、第１のすなわち下側スペ
ーサ層２０６から成る。レーザーキャビティは、いくつ
かの異なった技術の一つで形成することができる。例え
ば、図３の実施態様は、プロトン打ち込み領域２９０で
電流を閉じ込めることによる利得導波型キャビティの形
成を図示する。
【００５６】第１及び第２のレーザーへの金属コンタク
トを形成するために標準的な蒸着技術が用いられる。第
１のレーザーキャビティ２４０のｐ側は、キャップ層２
２６の頂部表面２２８上のＣｒ−Ａｕ或いはＴｉ−Ｐｔ
−Ａｕの環状金属コンタクト２６２を備えた構造体のエ
ッチングされた部分の上で接触する。第１のレーザーキ
ャビティ２４０のｎ側へのコンタクト２９４は、合金に
されたＡｕ−Ｇｅメタライズと、これに続く、基板２０
２の底表面２９６上のＣｒ−Ａｕ或いはＴｉ−Ｐｔ−Ａ
ｕによって提供される。
トを形成するために標準的な蒸着技術が用いられる。第
１のレーザーキャビティ２４０のｐ側は、キャップ層２
２６の頂部表面２２８上のＣｒ−Ａｕ或いはＴｉ−Ｐｔ
−Ａｕの環状金属コンタクト２６２を備えた構造体のエ
ッチングされた部分の上で接触する。第１のレーザーキ
ャビティ２４０のｎ側へのコンタクト２９４は、合金に
されたＡｕ−Ｇｅメタライズと、これに続く、基板２０
２の底表面２９６上のＣｒ−Ａｕ或いはＴｉ−Ｐｔ−Ａ
ｕによって提供される。
【００５７】第２のレーザーキャビティ２３０のｐ側
は、キャップ層２２６の頂部表面２２８の上のＣｒ−Ａ
ｕ或いはＴｉ−Ｐｔ−Ａｕの環状金属コンタクト２６０
を備えた構造体の非エッチング部分の上で接触する。第
２のレーザーキャビティ２３０のｎ側へのコンタクト
（図示せず）は、コンタクト２６０から横方向にずれた
領域において、上側ＤＢＲ２２４、保護層２２０、及び
上側スペーサ層２１８を通ってエッチングすることによ
って提供される。次いで、活性層を局所的にドープし
て、これにより、下側にあるｎドープされた上側中間ス
ペーサ層２１４へ接触させるために、このエッチングさ
れた領域でｎ形ドーパント、たとえば、シリコンの表皮
拡散が行われる。この領域へのメタライズは、合金にさ
れたＡｕ−Ｇｅとこれに続くＣｒ−Ａｕ或いはＴｉ−Ｐ
ｔ−Ａｕによる標準的な方法で提供される。
は、キャップ層２２６の頂部表面２２８の上のＣｒ−Ａ
ｕ或いはＴｉ−Ｐｔ−Ａｕの環状金属コンタクト２６０
を備えた構造体の非エッチング部分の上で接触する。第
２のレーザーキャビティ２３０のｎ側へのコンタクト
（図示せず）は、コンタクト２６０から横方向にずれた
領域において、上側ＤＢＲ２２４、保護層２２０、及び
上側スペーサ層２１８を通ってエッチングすることによ
って提供される。次いで、活性層を局所的にドープし
て、これにより、下側にあるｎドープされた上側中間ス
ペーサ層２１４へ接触させるために、このエッチングさ
れた領域でｎ形ドーパント、たとえば、シリコンの表皮
拡散が行われる。この領域へのメタライズは、合金にさ
れたＡｕ−Ｇｅとこれに続くＣｒ−Ａｕ或いはＴｉ−Ｐ
ｔ−Ａｕによる標準的な方法で提供される。
【００５８】ＧａＩｎＰの第１の活性層２０８は、Ｇａ
Ａｓ或いはＡｌＧａＡｓの第２の活性層２１６より広い
バンドギャップを有しており、したがって、第１の活性
層２０８は、第２の活性層２１６より短い第１の波長で
レーザー光線を発することになる。この図示された例に
おいては、ＧａＩｎＰの第１の活性層は、赤でレーザー
光線を発することになる。
Ａｓ或いはＡｌＧａＡｓの第２の活性層２１６より広い
バンドギャップを有しており、したがって、第１の活性
層２０８は、第２の活性層２１６より短い第１の波長で
レーザー光線を発することになる。この図示された例に
おいては、ＧａＩｎＰの第１の活性層は、赤でレーザー
光線を発することになる。
【００５９】ＧａＡｓ或いはＡｌＧａＡｓの第２の活性
層２１６は、第１の活性層２０８より狭いバンドギャッ
プを有しており、したがって、第２の活性層２１６は、
第１の活性層２０８より長い第２の波長のレーザー光線
を発することになる。この図示された例においては、Ｇ
ａＡｓ或いはＡｌＧａＡｓの第２の活性層は、赤外線の
レーザー光線を発することになる。
層２１６は、第１の活性層２０８より狭いバンドギャッ
プを有しており、したがって、第２の活性層２１６は、
第１の活性層２０８より長い第２の波長のレーザー光線
を発することになる。この図示された例においては、Ｇ
ａＡｓ或いはＡｌＧａＡｓの第２の活性層は、赤外線の
レーザー光線を発することになる。
【００６０】第１のコンタクト２６２と共通コンタクト
２９４に印加された電圧は、第１のレーザーキャビティ
２４０の第１の活性量子井戸層２０８に、第１のコンタ
クト２６２によって覆われなかったレーザー構造体２０
０の頂部表面２２８の放射窓を通る第１の波長の光を放
射させる。第１のキャビティ２４０は、第１の活性量子
井戸層２０８のみを含む。
２９４に印加された電圧は、第１のレーザーキャビティ
２４０の第１の活性量子井戸層２０８に、第１のコンタ
クト２６２によって覆われなかったレーザー構造体２０
０の頂部表面２２８の放射窓を通る第１の波長の光を放
射させる。第１のキャビティ２４０は、第１の活性量子
井戸層２０８のみを含む。
【００６１】第２のコンタクト２６０と層２１４への横
方向コンタクト（図示せず）に印加された電圧は、第２
のレーザーキャビティ２３０の活性量子井戸層２１６
に、第２のコンタクト２６０によって覆われなかったレ
ーザー構造体２００の頂部表面２２８の放射窓を通る第
２の波長の光を放射させる。
方向コンタクト（図示せず）に印加された電圧は、第２
のレーザーキャビティ２３０の活性量子井戸層２１６
に、第２のコンタクト２６０によって覆われなかったレ
ーザー構造体２００の頂部表面２２８の放射窓を通る第
２の波長の光を放射させる。
【００６２】第２のレーザーキャビティ２３０は、第１
の活性量子井戸層２０８と第２の活性量子井戸層２１６
の両方を含む。しかしながら、第２の活性量子井戸層２
１６のみが、レーザー光を放射することになる。
の活性量子井戸層２０８と第２の活性量子井戸層２１６
の両方を含む。しかしながら、第２の活性量子井戸層２
１６のみが、レーザー光を放射することになる。
【００６３】両方の活性層へ電流を印加すると、第２の
キャビティ２３０は、第２の活性層２１６から第２の長
い波長で光を放射することになる。なぜなら、第２の活
性層は、狭いバンドギャップを有しており、注入された
キャリアは、構造体の最も低いエネルギー活性層、すな
わち、最も狭いバンドギャップ活性層に優先的に集まる
からである。
キャビティ２３０は、第２の活性層２１６から第２の長
い波長で光を放射することになる。なぜなら、第２の活
性層は、狭いバンドギャップを有しており、注入された
キャリアは、構造体の最も低いエネルギー活性層、すな
わち、最も狭いバンドギャップ活性層に優先的に集まる
からである。
【００６４】図１の第１の実施態様のモノリシックレー
ザー構造体１０と、図３の第３の実施態様のモノリシッ
クレーザー構造体２００との差異は、図１の構造体１０
においては各々のレーザーが適切な波長で放射するよう
に設計された一つの活性層のみを含んでいるのに対し
て、図３の構造体２００においては一つのレーザーが長
い波長と短い波長の両方で放射する活性層を含むことで
ある。
ザー構造体１０と、図３の第３の実施態様のモノリシッ
クレーザー構造体２００との差異は、図１の構造体１０
においては各々のレーザーが適切な波長で放射するよう
に設計された一つの活性層のみを含んでいるのに対し
て、図３の構造体２００においては一つのレーザーが長
い波長と短い波長の両方で放射する活性層を含むことで
ある。
【図１】 本発明に従って形成された広帯域幅分布型ブ
ラグ反射器を備えた高密度の二重波長表面放射のモノリ
シックレーザー構造体の断面側図の概略図である。
ラグ反射器を備えた高密度の二重波長表面放射のモノリ
シックレーザー構造体の断面側図の概略図である。
【図２】 本発明に従って形成された広帯域幅分布型ブ
ラグ反射器と同じ側面の電極を備えた高密度の二重波長
表面放射のモノリシックレーザー構造体の第２の実施態
様の断面側図の概略図である。
ラグ反射器と同じ側面の電極を備えた高密度の二重波長
表面放射のモノリシックレーザー構造体の第２の実施態
様の断面側図の概略図である。
【図３】 本発明に従って形成された広帯域幅分布型ブ
ラグ反射器と一つのレーザーキャビティ内の多重活性層
を備えた高密度の二重波長表面放射のモノリシックレー
ザー構造体の第３の実施態様の断面側図の概略図であ
る。
ラグ反射器と一つのレーザーキャビティ内の多重活性層
を備えた高密度の二重波長表面放射のモノリシックレー
ザー構造体の第３の実施態様の断面側図の概略図であ
る。
１０ モノリシックレーザー構造体、１２ 基板、１４
第１のすなわち下側広帯域幅ＤＢＲ、１５ 第１のエ
ッチストップ層、１６ 第１の下側スペーサ層、１８
第１の活性層構造体、２０ 第１の上側スペーサ層、２
２ コンタクト／キャップ層、４４ 右側のレーザー、
２４ 第２の下側スペーサ層、２６ 第２の活性層構造
体、２８ 第２の上側スペーサ層、３０ コンタクト／
キャップ層、３２ 第２のすなわち上側広帯域幅ＤＢ
Ｒ、３４ プロトン植え込み領域、３６，３８ コンタ
クト金属、４０ コンタクト、４２ 第１のレーザーキ
ャビティ、４４ 第２のレーザーキャビティ
第１のすなわち下側広帯域幅ＤＢＲ、１５ 第１のエ
ッチストップ層、１６ 第１の下側スペーサ層、１８
第１の活性層構造体、２０ 第１の上側スペーサ層、２
２ コンタクト／キャップ層、４４ 右側のレーザー、
２４ 第２の下側スペーサ層、２６ 第２の活性層構造
体、２８ 第２の上側スペーサ層、３０ コンタクト／
キャップ層、３２ 第２のすなわち上側広帯域幅ＤＢ
Ｒ、３４ プロトン植え込み領域、３６，３８ コンタ
クト金属、４０ コンタクト、４２ 第１のレーザーキ
ャビティ、４４ 第２のレーザーキャビティ
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の波長の光を放射するための第１の
活性層を備えた第１のレーザーキャビティと第２の波長
の光を放射するための第２の活性層を備えた第２のレー
ザーキャビティとを有し、前記第２の波長が前記第１の
波長よりも長いモノリシック半導体構造体と、 前記半導体構造体内の第１及び第２の広帯域幅分布型ブ
ラグ反射器であって、前記第１及び第２の波長の光を反
射する第１及び第２の広帯域幅分布型ブラグ反射器と、 前記半導体構造体において前記第１及び第２のレーザー
キャビティに電流を通すための電極であって、前記第２
の広帯域幅分布型ブラグ反射器を通して前記第１の活性
層から前記第１の波長で前記第１のレーザーキャビティ
から光の放射を生じさせる第１の電極と、前記第２の広
帯域幅分布型ブラグ反射器を通して前記第２の活性層か
ら前記第２の波長で前記第２のレーザーキャビティから
光の放射を生じさせる第１の電極とを含む二重波長表面
放射レーザー。 - 【請求項２】 第１の波長の光を放射するための第１の
活性層を備えた第１のレーザーキャビティと前記第１の
活性層と第２の波長の光を放射するための第２の活性層
を備えた第２のレーザーキャビティとを有し、前記第２
の波長が前記第１の波長よりも長いモノリシック半導体
構造体と、 前記半導体構造体内の第１及び第２の広帯域幅分布型ブ
ラグ反射器であって、前記第１及び第２の波長の光を反
射する第１及び第２の広帯域幅分布型ブラグ反射器と、 前記半導体構造体において前記第１及び第２のレーザー
キャビティに電流を通すための電極であって、前記第２
の広帯域幅分布型ブラグ反射器を通して前記第１の活性
層から前記第１の波長で前記第１のレーザーキャビティ
から光の放射を生じさせる第１の電極と、前記第２の広
帯域幅分布型ブラグ反射器を通して前記第２の活性層か
ら前記第２の波長で前記第２のレーザーキャビティから
光の放射を生じさせる第１の電極とを含む二重波長表面
放射レーザー。
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